JP2020132898A - Vapor deposition device and vapor deposition method - Google Patents

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Abstract

To provide a vapor deposition device and a vapor deposition method capable of controlling a vapor deposition speed while preventing deterioration of a vapor deposition material.SOLUTION: A vapor deposition device in one embodiment of the present invention comprises a chamber, an evaporation source, an in-chamber pressure sensor, a vapor deposition speed sensor, a pressure control mechanism, and a control part. The evaporation source includes a heating mechanism arranged in the chamber, housing the vapor deposition material, and heating the vapor deposition material. The in-chamber pressure sensor measures internal pressure of the chamber. The vapor deposition speed sensor measures a speed for vapor-depositing the vapor deposition material to a vapor deposition object. The pressure control mechanism adjusts the internal pressure. The control part controls the pressure control mechanism based on the internal pressure and the vapor deposition speed.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、蒸着材料を蒸発させ、蒸着対象物に付着させる蒸着装置及び蒸着方法に関する。 The present invention relates to a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method for evaporating a vapor deposition material and adhering it to a vapor deposition object.

蒸着材料を蒸発させ、蒸着対象物に付着させる蒸着装置は、有機ＥＬ（electro-luminescence）ディスプレイやイメージセンサ等の各種製品の製造に利用されている。蒸着装置は、チャンバ内に配置された蒸発源を備え、ディスプレイのパネル等の蒸着対象物が蒸発源に対向して配置される。 A thin-film deposition apparatus that evaporates a thin-film deposition material and adheres it to an object to be vapor-deposited is used in the manufacture of various products such as organic EL (electro-luminescence) displays and image sensors. The vapor deposition apparatus includes an evaporation source arranged in a chamber, and a vapor deposition object such as a display panel is arranged so as to face the evaporation source.

蒸発源は、固体又は液体である蒸着材料を収容可能であり、加熱機構を備える。加熱機構によって蒸着材料を加熱し、発生した蒸気を蒸着対象物に供給する。蒸発源からの蒸着材料の単位時間当たりの放出量、即ち蒸着速度は蒸着材料の加熱温度によって調整することが可能である。 The evaporation source can accommodate a solid or liquid vapor deposition material and comprises a heating mechanism. The vapor deposition material is heated by the heating mechanism, and the generated steam is supplied to the vapor deposition target. The amount of the vapor-deposited material released from the evaporation source per unit time, that is, the vapor deposition rate, can be adjusted by the heating temperature of the vapor-deposited material.

例えば、特許文献１には、加熱温度によって蒸着速度を調整する蒸着装置が開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses a thin-film deposition apparatus that adjusts the vapor deposition rate according to the heating temperature.

特開２００４−１７６１２６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-176126

しかしながら、特許文献１に記載のように、加熱温度によって蒸着速度を調整する場合、蒸着速度の調整が困難となる場合がある。蒸着材料の種類によっては蒸発温度と劣化温度が近接しているものもあり、加熱温度を変更すると蒸着材料が蒸発せず、あるいは劣化するおそれがある。 However, as described in Patent Document 1, when the vapor deposition rate is adjusted by the heating temperature, it may be difficult to adjust the vapor deposition rate. Depending on the type of vapor-deposited material, the evaporation temperature and the deterioration temperature may be close to each other, and if the heating temperature is changed, the vapor-deposited material may not evaporate or deteriorate.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、蒸着材材料の劣化を防止しながら蒸着速度の制御が可能な蒸着装置及び蒸着方法を提供することにある。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of controlling the vapor deposition rate while preventing deterioration of the vapor deposition material.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る蒸着装置は、チャンバと、蒸発源と、チャンバ内圧力センサと、蒸着速度センサと、圧力調整機構と、制御部とを具備する。
上記蒸発源は、上記チャンバ内に配置され、蒸着材料を収容し、上記蒸着材料を加熱する加熱機構を備える。
上記チャンバ内圧力センサは、上記チャンバの内部圧力を計測する。
上記蒸着速度センサは、上記蒸着材料の蒸着対象物への蒸着速度を計測する。
上記圧力調整機構は、上記内部圧力を調整する。
上記制御部は、上記内部圧力と上記蒸着速度に基づいて上記圧力調整機構を制御する。 In order to achieve the above object, the vapor deposition apparatus according to one embodiment of the present invention includes a chamber, an evaporation source, a pressure sensor in the chamber, a vapor deposition rate sensor, a pressure adjusting mechanism, and a control unit.
The evaporation source is arranged in the chamber and includes a heating mechanism for accommodating the vapor-deposited material and heating the vapor-deposited material.
The pressure sensor in the chamber measures the internal pressure of the chamber.
The thin-film deposition rate sensor measures the thin-film deposition rate of the vapor-deposited material on an object to be deposited.
The pressure adjusting mechanism adjusts the internal pressure.
The control unit controls the pressure adjusting mechanism based on the internal pressure and the vapor deposition rate.

この構成によれば、制御部がチャンバの内部圧力と蒸着速度に基づいて圧力調整機構を制御し、チャンバの内部圧力を調整する。これにより、蒸着材料の加熱温度を変更することなく蒸着速度を制御することが可能であり、熱による蒸着材料の劣化を防止することができる。さらに、蒸着速度によって蒸着対象物に向かう蒸着材料の分布を制御することも可能となる。 According to this configuration, the control unit controls the pressure adjusting mechanism based on the internal pressure of the chamber and the deposition rate, and adjusts the internal pressure of the chamber. Thereby, it is possible to control the vapor deposition rate without changing the heating temperature of the vapor-deposited material, and it is possible to prevent deterioration of the vapor-deposited material due to heat. Further, it is possible to control the distribution of the vapor-deposited material toward the object to be deposited by the vapor deposition rate.

上記制御部は、上記蒸着速度が予め設定された設定値となるように上記圧力調整機構を制御してもよい。 The control unit may control the pressure adjusting mechanism so that the vapor deposition rate becomes a preset value.

上記制御部は、上記蒸着速度が上記設定値より小さい場合には上記内部圧力を減少させ、上記蒸着速度が上記設定値より大きい場合には上記内部圧力を増加させてもよい。 The control unit may decrease the internal pressure when the vapor deposition rate is smaller than the set value, and increase the internal pressure when the vapor deposition rate is larger than the set value.

上記圧力調整機構は、上記内部空間に接続された調圧バルブであってもよい。 The pressure adjusting mechanism may be a pressure adjusting valve connected to the internal space.

上記圧力調整機構は、上記内部空間に不活性ガスを供給するガス源であってもよい。 The pressure adjusting mechanism may be a gas source that supplies an inert gas to the internal space.

上記制御部は、さらに、上記内部圧力と上記蒸着速度に基づいて上記加熱機構を制御してもよい。 The control unit may further control the heating mechanism based on the internal pressure and the vapor deposition rate.

上記蒸発源は、上記蒸着材料を収容する室内空間を形成する圧力室と、上記チャンバ内における上記圧力室の外部空間である室外空間に上記室内空間を連通させるノズルとを有し、
上記チャンバ内圧力センサは上記室外空間の圧力である室外圧力を計測し、
上記蒸着速度センサは上記室内空間の圧力である室内圧力を計測し、
上記制御部は、上記室外圧力と上記室内圧力から上記蒸着速度を算出してもよい。 The evaporation source has a pressure chamber forming an indoor space for accommodating the vapor-deposited material, and a nozzle for communicating the indoor space with the outdoor space which is the external space of the pressure chamber in the chamber.
The pressure sensor in the chamber measures the outdoor pressure, which is the pressure in the outdoor space, and
The thin-film deposition rate sensor measures the indoor pressure, which is the pressure in the indoor space, and
The control unit may calculate the vapor deposition rate from the outdoor pressure and the indoor pressure.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る蒸着方法は、チャンバ内に配置され、蒸着材料を収容し、上記蒸着材料を加熱する加熱機構を備える蒸発源を用い、上記チャンバの内部圧力と、上記蒸着材料の蒸着対象物への蒸着速度に基づいて上記内部圧力を調整する。 In order to achieve the above object, the vapor deposition method according to one embodiment of the present invention uses an evaporation source provided in a chamber, accommodating the vapor deposition material, and having a heating mechanism for heating the vapor deposition material, and the internal pressure of the chamber. And, the internal pressure is adjusted based on the vapor deposition rate of the vapor deposition material on the vapor deposition object.

以上のように、本発明によれば蒸着材材料の劣化を防止しながら蒸着速度の制御が可能な蒸着装置及び蒸着方法を提供することが可能である。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of controlling the vapor deposition rate while preventing deterioration of the vapor deposition material.

本発明の第１の実施形態に係る蒸着装置の模式図である。It is a schematic diagram of the vapor deposition apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 同蒸着装置の一部構成の斜視図である。It is a perspective view of a part of the structure of the vapor deposition apparatus. 同蒸着装置が備える蒸発源の模式図である。It is a schematic diagram of the evaporation source provided in the vapor deposition apparatus. 同蒸着装置が備える蒸着源における蒸着材料の経路を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the path of the vapor deposition material in the vapor deposition source provided in the vapor deposition apparatus. 同蒸着装置の動作を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the operation of the vapor deposition apparatus. 同蒸着装置の動作を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the operation of the vapor deposition apparatus. 同蒸着装置における蒸着材料の指向性を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the directivity of the vapor deposition material in the vapor deposition apparatus. 同蒸着装置が備える蒸発源の他の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the other structure of the evaporation source provided in the vapor deposition apparatus. 同蒸着装置が備える蒸発源の他の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the other structure of the evaporation source provided in the vapor deposition apparatus. 同蒸着装置が備える蒸発源の他の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the other structure of the evaporation source provided in the vapor deposition apparatus. 本発明の第２の実施形態に係る蒸着装置の模式図である。It is a schematic diagram of the vapor deposition apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention.

（第１の実施形態）
本技術の第１の実施形態に係る蒸着装置について説明する。 (First Embodiment)
The thin-film deposition apparatus according to the first embodiment of the present technology will be described.

［蒸着装置の構成］
図１は、本実施形態に係る蒸着装置１００の構成を示す模式図であり、図２は、蒸着装置１００の一部構成の斜視図である。以下の図において相互に直交する三方向をそれぞれＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向とする。Ｘ方向及びＹ方向は例えば水平方向、Ｚ方向は例えば鉛直方向である。 [Structure of thin-film deposition equipment]
FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment, and FIG. 2 is a perspective view of a partial configuration of the vapor deposition apparatus 100. In the figure below, the three directions orthogonal to each other are the X direction, the Y direction, and the Z direction, respectively. The X and Y directions are, for example, the horizontal direction, and the Z direction is, for example, the vertical direction.

これらの図に示すように、蒸着装置１００は、チャンバ１０１、支持機構１０２、蒸発源１０３、温度調整器１０４、蒸着速度センサ１０５、チャンバ内圧力センサ１０６、圧力調整機構１０７及び制御部１０８を備える。 As shown in these figures, the vapor deposition apparatus 100 includes a chamber 101, a support mechanism 102, an evaporation source 103, a temperature regulator 104, a vapor deposition rate sensor 105, a pressure sensor 106 in the chamber, a pressure adjusting mechanism 107, and a control unit 108. ..

チャンバ１０１は、図示しない真空ポンプに接続され、内部を所定の圧力に維持する。支持機構１０２及び蒸発源１０３はチャンバ１０１内に収容されている。 The chamber 101 is connected to a vacuum pump (not shown) to maintain the interior at a predetermined pressure. The support mechanism 102 and the evaporation source 103 are housed in the chamber 101.

支持機構１０２は、チャンバ１０１内に配置され、蒸着対象物Ｓを支持する。支持機構１０２は、図２に示すように蒸着対象物Ｓを蒸発源１０３に対向する位置と対向しない位置の間でＸ方向において移動させることが可能に構成されている。蒸着対象物Ｓは例えばディスプレイのパネルである。 The support mechanism 102 is arranged in the chamber 101 to support the vapor deposition object S. As shown in FIG. 2, the support mechanism 102 is configured to be able to move the vapor deposition object S between a position facing the evaporation source 103 and a position not facing the evaporation source 103 in the X direction. The vapor deposition object S is, for example, a display panel.

蒸着対象物Ｓの表面には、マスクＭが設けられている。マスクＭには所定のパターンで開口が設けられ、蒸着対象物Ｓの表面に蒸着材料のパターンを形成する。なお、蒸着対象物Ｓの全面に蒸着を行う場合にはマスクＭは設けられなくてもよい。 A mask M is provided on the surface of the vapor deposition object S. The mask M is provided with openings in a predetermined pattern, and a pattern of the vapor deposition material is formed on the surface of the vapor deposition object S. When vapor deposition is performed on the entire surface of the vapor deposition object S, the mask M may not be provided.

蒸発源１０３は、チャンバ１０１内に配置され、蒸着対象物Ｓに蒸着材料を供給する。 The evaporation source 103 is arranged in the chamber 101 to supply the vapor deposition material to the vapor deposition object S.

図３は、蒸発源１０３の構造を示す断面図であり、図４は蒸発源１０３における蒸着材料の流れを矢印で示す模式図である。図３に示すように、蒸発源１０３は、圧力室１１１、加熱機構１１２及びノズル１１３を備える。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of the evaporation source 103, and FIG. 4 is a schematic view showing the flow of the vapor-deposited material in the evaporation source 103 with arrows. As shown in FIG. 3, the evaporation source 103 includes a pressure chamber 111, a heating mechanism 112, and a nozzle 113.

圧力室１１１は、蒸着材料Ｒを収容する。蒸着材料Ｒは、金属や有機物等であり特に限定されない。以下、圧力室１１１の内部空間を室内空間Ｋ１とし、圧力室１１１の外部空間であってチャンバ１０１内の空間を室外空間Ｋ２とする。 The pressure chamber 111 accommodates the vapor deposition material R. The vapor deposition material R is a metal, an organic substance, or the like, and is not particularly limited. Hereinafter, the internal space of the pressure chamber 111 is referred to as an indoor space K1, and the space inside the chamber 101 which is the external space of the pressure chamber 111 is referred to as an outdoor space K2.

室内空間Ｋ１には、第１分散板１１４、第２分散板１１５及びメッシュ板１１６が設けられている。これらの部材は、蒸発した蒸着材料Ｒの流れを分散させ、各ノズル１１３から蒸着材料Ｒを均等に放出させるためのものである。 The indoor space K1 is provided with a first dispersion plate 114, a second dispersion plate 115, and a mesh plate 116. These members are for dispersing the flow of the vapor-deposited material R and evenly discharging the vapor-deposited material R from each nozzle 113.

第１分散板１１４には複数個所に開口１１４ａが設けられ、第２分散板１１５には第１分散板１１４の開口１１４ａとは対向しない位置に開口１１５ａが設けられている。 The first dispersion plate 114 is provided with openings 114a at a plurality of locations, and the second dispersion plate 115 is provided with openings 115a at positions not facing the openings 114a of the first dispersion plate 114.

図４に示すように、開口１１４ａを通過した蒸着材料Ｒは開口１１５ａに向かって第１分散板１１４と第２分散板１１５の間を流れ、分散される。このような構造はトーナメント方式と呼ばれる。なお、蒸発源１０３は必ずしもトーナメント方式の構造を有するものでなくてもよい。 As shown in FIG. 4, the thin-film deposition material R that has passed through the opening 114a flows toward the opening 115a between the first dispersion plate 114 and the second dispersion plate 115 and is dispersed. Such a structure is called a tournament system. The evaporation source 103 does not necessarily have to have a tournament-type structure.

加熱機構１１２は、圧力室１１１の周囲に設けられ、蒸着材料Ｒを加熱し、蒸発させる。加熱機構１１２は、抵抗加熱又は誘導加熱等によって発熱するものとすることができる。加熱機構１１２には温度調整器１０４が接続され、温度調整器１０４によって加熱機構１１２の加熱温度が調整される。 The heating mechanism 112 is provided around the pressure chamber 111 to heat and evaporate the thin-film deposition material R. The heating mechanism 112 can generate heat by resistance heating, induction heating, or the like. A temperature regulator 104 is connected to the heating mechanism 112, and the heating temperature of the heating mechanism 112 is adjusted by the temperature regulator 104.

ノズル１１３は、蒸発した蒸着材料Ｒを放出するノズルであり、室内空間Ｋ１を室外空間Ｋ２に連通させる。ノズル１１３は複数が設けられ、図２に示すように、複数のノズル１１３がＹ方向に沿って配列するものとすることができる。なお、ノズル１１３の数は特に限定されず、１つであってもよい。 The nozzle 113 is a nozzle that discharges the evaporated vaporized material R, and communicates the indoor space K1 with the outdoor space K2. A plurality of nozzles 113 are provided, and as shown in FIG. 2, the plurality of nozzles 113 can be arranged along the Y direction. The number of nozzles 113 is not particularly limited and may be one.

蒸着装置１００は、１つの蒸発源１０３を備えるものであってもよく、複数の蒸発源１０３を備えるものであってもよい。複数の蒸発源１０３を備える場合、互いに異なる蒸着材料Ｒを蒸着対象物Ｓに供給するものとすることができる。 The vapor deposition apparatus 100 may include one evaporation source 103, or may include a plurality of evaporation sources 103. When a plurality of evaporation sources 103 are provided, different vapor deposition materials R can be supplied to the vapor deposition object S.

温度調整器１０４は、加熱機構１１２に接続され、予め設定された温度となるように加熱機構１１２の温度を調整する。温度調整器１０４は例えば、加熱機構１１２に供給する電力を増減させることにより、加熱機構１１２の温度を調整することができる。 The temperature controller 104 is connected to the heating mechanism 112 and adjusts the temperature of the heating mechanism 112 so as to reach a preset temperature. The temperature controller 104 can adjust the temperature of the heating mechanism 112, for example, by increasing or decreasing the electric power supplied to the heating mechanism 112.

蒸着速度センサ１０５は、蒸着速度を計測する。蒸着速度センサ１０５は、水晶振動子を所定の周波数で発振させ、蒸着材料の付着による周波数変動に基づいて蒸着速度を計測する水晶振動子センサとすることができる。 The thin-film deposition sensor 105 measures the thin-film deposition rate. The thin-film deposition sensor 105 can be a crystal oscillator sensor that oscillates a crystal oscillator at a predetermined frequency and measures the vapor deposition rate based on frequency fluctuation due to adhesion of a vapor-deposited material.

この他にも蒸着速度センサ１０５は、蒸着速度の計測が可能なものであればよい。蒸着速度センサ１０５は、計測した蒸着速度を制御部１０８に出力する。 In addition to this, the vapor deposition rate sensor 105 may be any as long as it can measure the vapor deposition rate. The vapor deposition rate sensor 105 outputs the measured vapor deposition rate to the control unit 108.

チャンバ内圧力センサ１０６は、室外空間Ｋ２内の気体の圧力（以下、チャンバ内圧力Ｐｃ）を測定するセンサである。チャンバ内圧力センサ１０６は、イオンゲージとすることができる。また、チャンバ内圧力センサ１０６は他の圧力センサを用いてもよいが、長寿命とするために蒸着材料Ｒの付着を防止できるものが好適であり、例えば蒸着防止加工を施した圧力計とすることも可能である。 The pressure sensor 106 in the chamber is a sensor that measures the pressure of the gas in the outdoor space K2 (hereinafter referred to as the pressure Pc in the chamber). The pressure sensor 106 in the chamber can be an ion gauge. Further, although another pressure sensor may be used as the pressure sensor 106 in the chamber, a pressure sensor capable of preventing the adhesion of the vapor deposition material R is preferable in order to have a long life. For example, a pressure sensor subjected to a vapor deposition prevention process is used. It is also possible.

チャンバ内圧力センサ１０６の配置は、チャンバ内圧力を測定できる位置であれば限定されない。チャンバ内圧力センサ１０６は図１に示すように制御部１０８に接続され、測定したチャンバ内圧力Ｐｃを制御部１０８に出力する。 The arrangement of the pressure sensor 106 in the chamber is not limited as long as the pressure in the chamber can be measured. The in-chamber pressure sensor 106 is connected to the control unit 108 as shown in FIG. 1, and outputs the measured in-chamber pressure Pc to the control unit 108.

圧力調整機構１０７は、チャンバ内圧力Ｐｃを調整する。圧力調整機構１０７は、チャンバ１０１と真空ポンプの間に接続された調圧バルブとすることができる。また、圧力調整機構１０７は、チャンバ１０１内に不活性ガスを供給することが可能なガス源であってもよい。さらに、圧力調整機構１０７は調圧バルブとガス源の両方を備えるものであってもよい。この他にも圧力調整機構１０７はチャンバ内圧力Ｐｃを調整可能な構成であればよい。 The pressure adjusting mechanism 107 adjusts the pressure Pc in the chamber. The pressure adjusting mechanism 107 can be a pressure adjusting valve connected between the chamber 101 and the vacuum pump. Further, the pressure adjusting mechanism 107 may be a gas source capable of supplying the inert gas into the chamber 101. Further, the pressure adjusting mechanism 107 may include both a pressure adjusting valve and a gas source. In addition to this, the pressure adjusting mechanism 107 may have a configuration in which the pressure Pc in the chamber can be adjusted.

制御部１０８は、チャンバ内圧力センサ１０６から出力されるチャンバ内圧力Ｐｃと、蒸着速度センサ１０５から出力される蒸着速度に基づいて圧力調整機構１０７を制御し、チャンバ内圧力Ｐｃを制御する。制御部１０８は例えば、ＰＬＣ（programmable logic controller）とすることができる。制御部１０８の動作については後述する。 The control unit 108 controls the pressure adjusting mechanism 107 based on the chamber pressure Pc output from the chamber pressure sensor 106 and the vapor deposition rate output from the vapor deposition rate sensor 105, and controls the chamber pressure Pc. The control unit 108 can be, for example, a PLC (programmable logic controller). The operation of the control unit 108 will be described later.

［蒸着装置の動作について］
蒸着装置１００の動作について説明する。図５乃至図６は蒸着装置１００の動作を示す模式図である。 [Operation of thin-film deposition equipment]
The operation of the vapor deposition apparatus 100 will be described. 5 to 6 are schematic views showing the operation of the vapor deposition apparatus 100.

図５に示すように、蒸発源１０３において加熱機構１１２（図３参照）により蒸着材料Ｒを加熱し、蒸着材料Ｒをノズル１１３から放出させる。加熱機構１１２は、温度調整器１０４によって所定の温度に加熱されている。 As shown in FIG. 5, the vapor deposition material R is heated by the heating mechanism 112 (see FIG. 3) in the evaporation source 103, and the vapor deposition material R is discharged from the nozzle 113. The heating mechanism 112 is heated to a predetermined temperature by the temperature controller 104.

蒸着開始前には図５に示すように蒸着対象物Ｓは蒸発源１０３から離間した待機位置に位置している。蒸着材料Ｒが所定の温度に到達すると、支持機構１０２を駆動し、図６に示すように蒸着対象物Ｓを蒸発源１０３に対向する位置に移動させる。 Before the start of vapor deposition, the vapor deposition object S is located at a standby position away from the evaporation source 103 as shown in FIG. When the vapor deposition material R reaches a predetermined temperature, the support mechanism 102 is driven to move the vapor deposition object S to a position facing the evaporation source 103 as shown in FIG.

蒸着材料Ｒはノズル１１３から蒸着対象物Ｓに向かって飛散し、蒸着対象物Ｓに付着する。また、一部はマスクＭによって遮蔽され、パターニングされる。 The thin-film deposition material R scatters from the nozzle 113 toward the thin-film deposition object S and adheres to the thin-film deposition object S. In addition, a part is shielded by the mask M and patterned.

蒸着対象物Ｓが終端位置（図中、左端）に到達すると、支持機構１０２は蒸着対象物Ｓを図５に示す待機位置に戻す。 When the vapor deposition target S reaches the terminal position (left end in the drawing), the support mechanism 102 returns the vapor deposition target S to the standby position shown in FIG.

蒸着材料Ｒは、蒸着対象物Ｓの待機位置から終端位置への往路と終端位置から待機位置への復路の両方で蒸着対象物Ｓに蒸着される。これにより、蒸着対象物Ｓの表面に蒸着材料Ｒからなる膜が成膜される。 The thin-film deposition material R is deposited on the vapor-deposited object S both on the outward path from the standby position to the terminal position and the return path from the terminal position to the standby position of the vapor-deposited object S. As a result, a film made of the vapor deposition material R is formed on the surface of the vapor deposition object S.

なお、蒸着対象物Ｓをチャンバ１０１に対して固定し、蒸発源１０３を蒸着対象物Ｓに対して移動させながら蒸着を行ってもよく、蒸着対象物Ｓと蒸発源１０３の相対位置を固体して蒸着を行ってもよい。 The vapor deposition target S may be fixed to the chamber 101 and the vapor deposition source 103 may be moved with respect to the vapor deposition target S to perform the vapor deposition, and the relative positions of the vapor deposition target S and the evaporation source 103 may be solidified. And vapor deposition may be performed.

［制御部による制御について］
上述のように蒸着材料Ｒが所定の温度に到達すると制御部１０８による圧力調整機構１０７の制御が実施される。 [Control by control unit]
When the vapor-deposited material R reaches a predetermined temperature as described above, the pressure adjusting mechanism 107 is controlled by the control unit 108.

具体的には、制御部１０８が蒸着速度センサ１０５から蒸着速度を取得し、チャンバ内圧力センサ１０６からチャンバ内圧力Ｐｃを取得する。 Specifically, the control unit 108 acquires the vapor deposition rate from the vapor deposition rate sensor 105, and acquires the pressure Pc in the chamber from the pressure sensor 106 in the chamber.

制御部１０８は、蒸着速度が予め設定された値より小さい場合、圧力調整機構１０７をチャンバ内圧力Ｐｃが減少するように制御する。これにより、蒸着材料Ｒが室内空間Ｋ１から室外空間Ｋ２に流れ易くなり、蒸着速度が上昇する。 The control unit 108 controls the pressure adjusting mechanism 107 so that the pressure Pc in the chamber is reduced when the vapor deposition rate is smaller than a preset value. As a result, the vapor deposition material R easily flows from the indoor space K1 to the outdoor space K2, and the vapor deposition rate increases.

また、制御部１０８は、蒸着速度が予め設定された値より大きい場合、圧力調整機構１０７をチャンバ内圧力Ｐｃが増加するように制御する。これにより、蒸着材料Ｒが室内空間Ｋ１から室外空間Ｋ２に流れ難くなり、蒸着速度が低下する。 Further, the control unit 108 controls the pressure adjusting mechanism 107 so that the pressure Pc in the chamber increases when the vapor deposition rate is larger than a preset value. As a result, it becomes difficult for the vapor deposition material R to flow from the indoor space K1 to the outdoor space K2, and the vapor deposition rate decreases.

このように、制御部１０８は、圧力調整機構１０７によってチャンバ内圧力Ｐｃを調整することにより、蒸着速度を制御することが可能である。なお、蒸着速度の設定値は、その蒸着材料について予め蒸着試験を行うことによって求めることが可能である。 In this way, the control unit 108 can control the vapor deposition rate by adjusting the pressure Pc in the chamber by the pressure adjusting mechanism 107. The set value of the vapor deposition rate can be obtained by conducting a thin film deposition test on the vapor deposition material in advance.

さらに、制御部１０８はチャンバ内圧力Ｐｃを調整することによって、蒸着材料Ｒの指向性を制御することが可能である。図７は、蒸着材料Ｒの指向性を示す模式図である。 Further, the control unit 108 can control the directivity of the vapor-deposited material R by adjusting the pressure Pc in the chamber. FIG. 7 is a schematic view showing the directivity of the vapor-deposited material R.

チャンバ内圧力Ｐｃが大きく、蒸着速度が小さいと、蒸着材料Ｒの流れは分子流となり、図７（ａ）に示すようにシャープな分布となって流れる。このため、蒸着材料Ｒの飛散経路はノズル１１３の形状による幾何学的な制限を大きく受ける。 When the pressure Pc in the chamber is large and the vapor deposition rate is low, the flow of the vapor deposition material R becomes a molecular flow and flows in a sharp distribution as shown in FIG. 7A. Therefore, the scattering path of the thin-film deposition material R is greatly restricted by the shape of the nozzle 113.

一方、チャンバ内圧力Ｐｃが小さく、蒸着速度が大きいと、蒸着速度Ｒの流れは粘性流となり、図７（ｂ）に示すようにブロードな分布となって流れる。このため、蒸着材料Ｒの飛散経路はノズル１１３の形状による幾何学的な制限を受け難くなる。 On the other hand, when the pressure Pc in the chamber is small and the vapor deposition rate is high, the flow of the vapor deposition rate R becomes a viscous flow and flows in a broad distribution as shown in FIG. 7 (b). Therefore, the scattering path of the thin-film deposition material R is less likely to be geometrically restricted by the shape of the nozzle 113.

このように制御部１０８は、チャンバ内圧力Ｐｃによって蒸着速度Ｒの指向性を制御することも可能である。 In this way, the control unit 108 can also control the directivity of the vapor deposition rate R by the pressure Pc in the chamber.

［蒸着装置による効果について］
蒸着装置１００では上述のように、蒸着速度及びチャンバ内圧力Ｐｃに基づいてチャンバ内圧力Ｐｃを調整し、蒸着速度を調整する。加熱機構１１２の温度によって蒸着速度を調整する必要がないため、加熱機構１１２は蒸着材料Ｒの蒸発に適した温度に維持するこことが可能であり、蒸着材料Ｒの劣化を防止することができる。 [Effects of thin-film deposition equipment]
As described above, the thin-film deposition apparatus 100 adjusts the chamber pressure Pc based on the vapor deposition rate and the chamber pressure Pc to adjust the vapor deposition rate. Since it is not necessary to adjust the vapor deposition rate according to the temperature of the heating mechanism 112, the heating mechanism 112 can be maintained at a temperature suitable for evaporation of the vapor deposition material R, and deterioration of the vapor deposition material R can be prevented. ..

さらに、蒸着装置１００では、上述のようにチャンバ内圧力Ｐｃを調整することによって、蒸着材料Ｒの指向性を調整することができる。蒸着では、蒸着材料Ｒの種類やマスクＭのパターン等に応じて適切な蒸着材料Ｒの指向性が異なる場合があるが、蒸着装置１００では必要に応じて指向性の調整が可能である。 Further, in the thin-film deposition apparatus 100, the directivity of the vapor-deposited material R can be adjusted by adjusting the pressure Pc in the chamber as described above. In the vapor deposition, the appropriate directivity of the vapor deposition material R may differ depending on the type of the vapor deposition material R, the pattern of the mask M, and the like, but the directivity can be adjusted as necessary in the thin film deposition apparatus 100.

［変形例］
上記説明において蒸着装置１００は、水晶振動子センサ等である蒸着速度センサ１０５を備えるものとしたが、蒸着速度センサ１０５は、室内空間Ｋ１（図３参照）の圧力（以下、室内圧力）を計測する圧力センサであってもよい。制御部１０８は、室外空間Ｋ２の圧力であるチャンバ内圧力Ｐｃと室内圧力の圧力差から、蒸着速度を算出することが可能である。 [Modification example]
In the above description, the thin-film deposition apparatus 100 is provided with a thin-film deposition rate sensor 105 such as a crystal oscillator sensor, but the thin-film deposition rate sensor 105 measures the pressure (hereinafter, indoor pressure) in the indoor space K1 (see FIG. 3). It may be a pressure sensor. The control unit 108 can calculate the vapor deposition rate from the pressure difference between the chamber pressure Pc, which is the pressure of the outdoor space K2, and the indoor pressure.

また、蒸発源１０３の構造は上述のものに限られない。図８乃至図１０は他の構造を有する蒸発源１０３の模式図である。 Further, the structure of the evaporation source 103 is not limited to the above. 8 to 10 are schematic views of an evaporation source 103 having another structure.

図８に示すように、圧力室１１１には蒸着材料Ｒを収容するポット部１２１が設けられてもよい。加熱機構１１２はポット部１２１の周囲に設けられ、蒸着材料Ｒを加熱する。また、図９に示すように、圧力室１１１には分散板が設けられなくてもよい。 As shown in FIG. 8, the pressure chamber 111 may be provided with a pot portion 121 for accommodating the vapor deposition material R. The heating mechanism 112 is provided around the pot portion 121 to heat the vapor deposition material R. Further, as shown in FIG. 9, the pressure chamber 111 does not have to be provided with a dispersion plate.

さらに、図１０に示すように、蒸発源１０３は圧力室１１１に代えて槽１１７を有するものであってもよい。槽１１７は蒸着材料Ｒを収容し、蒸着対象物Ｓ側が開放された構造を有する。この構造であってもチャンバ内圧力Ｐｃを増減させることによって蒸着速度の調整が可能である。 Further, as shown in FIG. 10, the evaporation source 103 may have a tank 117 instead of the pressure chamber 111. The tank 117 accommodates the vapor deposition material R and has a structure in which the vapor deposition target S side is open. Even with this structure, the vapor deposition rate can be adjusted by increasing or decreasing the pressure Pc in the chamber.

（第２の実施形態）
本技術の第２の実施形態に係る蒸着装置について説明する。 (Second Embodiment)
The thin-film deposition apparatus according to the second embodiment of the present technology will be described.

［蒸着装置の構成］
図１１は、本実施形態に係る蒸着装置２００の構成を示す模式図である。なお、蒸着装置２００の構成において、第１の実施形態に係る蒸着装置１００と同一の構成については蒸着装置１００と同一の符号を付し、説明を省略する。 [Structure of thin-film deposition equipment]
FIG. 11 is a schematic view showing the configuration of the vapor deposition apparatus 200 according to the present embodiment. In the configuration of the vapor deposition apparatus 200, the same components as the vapor deposition apparatus 100 according to the first embodiment are designated by the same reference numerals as those of the vapor deposition apparatus 100, and the description thereof will be omitted.

図１１に示すように、蒸着装置２００は、チャンバ１０１、支持機構１０２、蒸発源１０３、温度調整器２０４、蒸着速度センサ１０５、チャンバ内圧力センサ１０６、圧力調整機構１０７及び制御部２０８を備える。温度調整器２０４及び制御部２０８以外の構成は第１の実施形態と同一である。 As shown in FIG. 11, the vapor deposition apparatus 200 includes a chamber 101, a support mechanism 102, an evaporation source 103, a temperature regulator 204, a vapor deposition rate sensor 105, a pressure sensor 106 in the chamber, a pressure adjusting mechanism 107, and a control unit 208. The configuration other than the temperature controller 204 and the control unit 208 is the same as that of the first embodiment.

温度調整器２０４は、加熱機構１１２の加熱温度を調整する。ここで、本実施形態に係る温度調整器２０４は、制御部２０８に接続され、加熱温度が制御部２０８によって指示された温度となるように加熱機構１１２を制御する。 The temperature controller 204 adjusts the heating temperature of the heating mechanism 112. Here, the temperature controller 204 according to the present embodiment is connected to the control unit 208, and controls the heating mechanism 112 so that the heating temperature becomes the temperature instructed by the control unit 208.

制御部２０８は、チャンバ内圧力センサ１０６から出力されるチャンバ内圧力Ｐｃと、蒸着速度センサ１０５から出力される蒸着速度に基づいて圧力調整機構１０７を制御部し、チャンバ内圧力Ｐｃを制御する。 The control unit 208 controls the pressure adjusting mechanism 107 based on the chamber pressure Pc output from the chamber pressure sensor 106 and the vapor deposition rate output from the vapor deposition rate sensor 105, and controls the chamber pressure Pc.

さらに制御部２０８は、蒸着速度センサ１０５から出力される蒸着速度に応じて温度調整器２０４を制御し、加熱機構１１２の加熱温度を調整する。 Further, the control unit 208 controls the temperature controller 204 according to the vapor deposition rate output from the thin film deposition rate sensor 105, and adjusts the heating temperature of the heating mechanism 112.

［制御部による制御について］
蒸着装置２００においても、第１の実施形態と同様に蒸着材料Ｒが所定温度まで加熱され、蒸着が行われる。蒸着材料Ｒが所定の温度に到達すると制御部２０８による温度調整器２０４及び圧力調整機構１０７の制御が実施される。 [Control by control unit]
Also in the thin-film deposition apparatus 200, the thin-film deposition material R is heated to a predetermined temperature and vapor deposition is performed as in the first embodiment. When the vapor-deposited material R reaches a predetermined temperature, the control unit 208 controls the temperature regulator 204 and the pressure regulator 107.

具体的には、制御部１０８が蒸着速度センサ１０５から蒸着速度を取得し、チャンバ内圧力センサ１０６からチャンバ内圧力Ｐｃを取得する。 Specifically, the control unit 108 acquires the vapor deposition rate from the vapor deposition rate sensor 105, and acquires the pressure Pc in the chamber from the pressure sensor 106 in the chamber.

制御部１０８は、蒸着速度が予め設定された値より小さい場合、圧力調整機構１０７をチャンバ内圧力Ｐｃが減少するように制御する。これにより、蒸着材料Ｒが室内空間Ｋ１から室外空間Ｋ２に流れ易くなり、蒸着速度が上昇する。 The control unit 108 controls the pressure adjusting mechanism 107 so that the pressure Pc in the chamber is reduced when the vapor deposition rate is smaller than a preset value. As a result, the vapor deposition material R easily flows from the indoor space K1 to the outdoor space K2, and the vapor deposition rate increases.

さらに制御部２０８は、温度調整器２０４に加熱機構１１２の加熱温度を上昇させるように指示する。これにより、蒸着材料Ｒの加熱温度が上昇し、蒸着速度が上昇する。 Further, the control unit 208 instructs the temperature controller 204 to raise the heating temperature of the heating mechanism 112. As a result, the heating temperature of the vapor deposition material R rises, and the vapor deposition rate increases.

また、制御部２０８は、蒸着速度が予め設定された値より大きい場合、圧力調整機構１０７をチャンバ内圧力Ｐｃが増加するように制御する。これにより、蒸着材料Ｒが室内空間Ｋ１から室外空間Ｋ２に流れ難くなり、蒸着速度が低下する。 Further, the control unit 208 controls the pressure adjusting mechanism 107 so that the pressure Pc in the chamber increases when the vapor deposition rate is larger than a preset value. As a result, it becomes difficult for the vapor deposition material R to flow from the indoor space K1 to the outdoor space K2, and the vapor deposition rate decreases.

さらに制御部２０８は、温度調整器２０４に加熱機構１１２の加熱温度を低下させるように指示する。これにより、蒸着材料Ｒの加熱温度が低下し、蒸着速度が低下する。 Further, the control unit 208 instructs the temperature controller 204 to lower the heating temperature of the heating mechanism 112. As a result, the heating temperature of the vapor deposition material R is lowered, and the vapor deposition rate is lowered.

このように、制御部２０８は、圧力調整機構１０７によってチャンバ内圧力Ｐｃを調整し、かつ温度調整器２０４によって蒸着材料Ｒの加熱温度を調整することにより、蒸着速度を制御することが可能である。なお、蒸着速度の設定値は、その蒸着材料について予め蒸着試験を行うことによって求めることが可能である。 In this way, the control unit 208 can control the vapor deposition rate by adjusting the pressure Pc in the chamber by the pressure adjusting mechanism 107 and adjusting the heating temperature of the vapor deposition material R by the temperature regulator 204. .. The set value of the vapor deposition rate can be obtained by conducting a thin film deposition test on the vapor deposition material in advance.

［蒸着装置による効果について］
蒸着装置２００では、圧力調整機構１０７によるチャンバ内圧力Ｐｃの調整に加え、温度調整器２０４による加熱温度の調整によって、蒸着速度を制御することができる。このため制御部２０８は、蒸着材料Ｒの劣化温度より低い温度では加熱機構１１２による加熱温度によって蒸着速度を調整し、加熱温度が同劣化温度に到達するとチャンバ内圧力Ｐｃによって蒸着速度を調整するような制御が可能である。 [Effects of thin-film deposition equipment]
In the thin-film deposition apparatus 200, the vapor deposition rate can be controlled by adjusting the heating temperature by the temperature regulator 204 in addition to adjusting the pressure Pc in the chamber by the pressure adjusting mechanism 107. Therefore, the control unit 208 adjusts the vapor deposition rate by the heating temperature by the heating mechanism 112 at a temperature lower than the deterioration temperature of the vapor deposition material R, and adjusts the vapor deposition rate by the chamber pressure Pc when the heating temperature reaches the same deterioration temperature. Control is possible.

［変形例］
本実施形態においても、蒸発源２０３の構造は上述のものに限られず、図８乃至図１０に示したような蒸発源２０３とすることができる。また、蒸着速度センサ１０５は、室内空間Ｋ１（図３参照）の圧力（室内圧力）を計測する圧力センサであってもよい。制御部２０８は、室外空間Ｋ２の圧力であるチャンバ内圧力Ｐｃと室内圧力の圧力差から、蒸着速度を算出することが可能である。 [Modification example]
Also in the present embodiment, the structure of the evaporation source 203 is not limited to the above-mentioned one, and the evaporation source 203 as shown in FIGS. 8 to 10 can be used. Further, the vapor deposition rate sensor 105 may be a pressure sensor that measures the pressure (indoor pressure) of the indoor space K1 (see FIG. 3). The control unit 208 can calculate the vapor deposition rate from the pressure difference between the chamber pressure Pc, which is the pressure of the outdoor space K2, and the indoor pressure.

１００、２００…蒸着装置
１０１…チャンバ
１０２…支持機構
１０３…蒸発源
１０４、２０４…温度調整器
１０５…蒸着速度センサ
１０６…チャンバ内圧力センサ
１０７…圧力調整機構
１０８、２０８…制御部
１１１…圧力室
１１２…加熱機構
１１３…ノズル
１１４…第１分散板
１１５…第２分散板
１１６…メッシュ板
１２１…ポット部 100, 200 ... Evaporation device 101 ... Chamber 102 ... Support mechanism 103 ... Evaporation source 104, 204 ... Temperature regulator 105 ... Evaporation speed sensor 106 ... Chamber pressure sensor 107 ... Pressure adjustment mechanism 108, 208 ... Control unit 111 ... Pressure chamber 112 ... Heating mechanism 113 ... Nozzle 114 ... First dispersion plate 115 ... Second dispersion plate 116 ... Mesh plate 121 ... Pot part

Claims (8)

チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、蒸着材料を収容し、前記蒸着材料を加熱する加熱機構を備える蒸発源と
前記チャンバの内部圧力を計測するチャンバ内圧力センサと、
前記蒸着材料の蒸着対象物への蒸着速度を計測する蒸着速度センサと、
前記内部圧力を調整する圧力調整機構と、
前記内部圧力と前記蒸着速度に基づいて前記圧力調整機構を制御する制御部と
を具備する蒸着装置。 Chamber and
An evaporation source arranged in the chamber, containing a vapor-deposited material, and having a heating mechanism for heating the vapor-deposited material, a pressure sensor in the chamber for measuring the internal pressure of the chamber, and a pressure sensor in the chamber.
A thin-film deposition sensor that measures the vapor deposition rate of the vapor-deposited material on the object to be deposited,
A pressure adjusting mechanism that adjusts the internal pressure,
A thin-film deposition apparatus including a control unit that controls the pressure adjusting mechanism based on the internal pressure and the thin-film deposition rate. 請求項１に記載の蒸着装置であって、
前記制御部は、前記蒸着速度が予め設定された設定値となるように前記圧力調整機構を制御する
蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 1.
The control unit is a vapor deposition apparatus that controls the pressure adjusting mechanism so that the vapor deposition rate becomes a preset value. 請求項２に記載の蒸着装置であって、
前記制御部は、前記蒸着速度が前記設定値より小さい場合には前記内部圧力を減少させ、前記蒸着速度が前記設定値より大きい場合には前記内部圧力を増加させる
蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 2.
The control unit is a vapor deposition apparatus that reduces the internal pressure when the vapor deposition rate is smaller than the set value and increases the internal pressure when the vapor deposition rate is greater than the set value. 請求項１から３のいずれか１項に記載の蒸着装置であって、
前記圧力調整機構は、前記内部空間に接続された調圧バルブである
蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to any one of claims 1 to 3.
The pressure adjusting mechanism is a thin-film deposition apparatus that is a pressure adjusting valve connected to the internal space. 請求項１から３のいずれか１項に記載の蒸着装置であって、
前記圧力調整機構は、前記内部空間に不活性ガスを供給するガス源である
蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to any one of claims 1 to 3.
The pressure adjusting mechanism is a vapor deposition apparatus that is a gas source that supplies an inert gas to the internal space. 請求項１に記載の蒸着装置であって、
前記制御部は、さらに、前記内部圧力と前記蒸着速度に基づいて前記加熱機構を制御する
蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 1.
The control unit is a vapor deposition apparatus that further controls the heating mechanism based on the internal pressure and the vapor deposition rate. 請求項１に記載の蒸着装置であって、
前記蒸発源は、前記蒸着材料を収容する室内空間を形成する圧力室と、前記チャンバ内における前記圧力室の外部空間である室外空間に前記室内空間を連通させるノズルとを有し、
前記チャンバ内圧力センサは前記室外空間の圧力である室外圧力を計測し、
前記蒸着速度センサは前記室内空間の圧力である室内圧力を計測し、
前記制御部は、前記室外圧力と前記室内圧力から前記蒸着速度を算出する
蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 1.
The evaporation source has a pressure chamber forming an indoor space for accommodating the vapor-deposited material, and a nozzle for communicating the indoor space with an outdoor space which is an external space of the pressure chamber in the chamber.
The pressure sensor in the chamber measures the outdoor pressure, which is the pressure in the outdoor space, and
The thin-film deposition rate sensor measures the indoor pressure, which is the pressure in the indoor space, and
The control unit is a thin-film deposition apparatus that calculates the vapor deposition rate from the outdoor pressure and the indoor pressure. チャンバ内に配置され、蒸着材料を収容し、前記蒸着材料を加熱する加熱機構を備える蒸発源を用い、前記チャンバの内部圧力と、前記蒸着材料の蒸着対象物への蒸着速度に基づいて前記内部圧力を調整する
蒸着方法。 Using an evaporation source that is located in the chamber and has a heating mechanism that accommodates the vapor deposition material and heats the vapor deposition material, the interior is based on the internal pressure of the chamber and the deposition rate of the vapor deposition material on the vapor deposition object. A thin-film deposition method that adjusts the pressure.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003306763A (en) * 2002-04-19 2003-10-31 Toyota Motor Corp Method and system for vacuum deposition
JP2004018903A (en) * 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd Process and apparatus for forming thin film of composite material
JP2004091858A (en) * 2002-08-30 2004-03-25 Toyota Industries Corp Vacuum evaporation system and method for manufacturing evaporated film-applied product
JP2013204101A (en) * 2012-03-29 2013-10-07 Hitachi Zosen Corp Vapor deposition apparatus
JP2014524975A (en) * 2011-06-22 2014-09-25 アイクストロン、エスイー Vapor deposition system and supply head
JP2015078391A (en) * 2012-01-24 2015-04-23 東京エレクトロン株式会社 Film deposition apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003306763A (en) * 2002-04-19 2003-10-31 Toyota Motor Corp Method and system for vacuum deposition
JP2004018903A (en) * 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd Process and apparatus for forming thin film of composite material
JP2004091858A (en) * 2002-08-30 2004-03-25 Toyota Industries Corp Vacuum evaporation system and method for manufacturing evaporated film-applied product
JP2014524975A (en) * 2011-06-22 2014-09-25 アイクストロン、エスイー Vapor deposition system and supply head
JP2015078391A (en) * 2012-01-24 2015-04-23 東京エレクトロン株式会社 Film deposition apparatus
JP2013204101A (en) * 2012-03-29 2013-10-07 Hitachi Zosen Corp Vapor deposition apparatus

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