JP2020127022A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態の半導体装置は、第1の電極と、第2の電極と、ゲート電極と、少なくとも一部が第1の電極と第2の電極との間に設けられ、少なくとも一部がゲート電極と第2の電極との間に設けられた第1導電型の第1の炭化珪素領域と、第1の電極と第1の炭化珪素領域との間に設けられた第2導電型の第2の炭化珪素領域と、第1の電極と第1の炭化珪素領域との間に設けられ、第2の炭化珪素領域との間に第1の炭化珪素領域の第1の部分が位置する第2導電型の第3の炭化珪素領域と、第1の電極と第2の炭化珪素領域との間に設けられ、第1の炭化珪素領域と離間した第1導電型の第4の炭化珪素領域と、第1の電極と第3の炭化珪素領域との間に設けられ、第1の炭化珪素領域と離間した第1導電型の第5の炭化珪素領域と、ゲート電極と第2の炭化珪素領域との間、及び、ゲート電極と第3の炭化珪素領域との間に設けられたゲート絶縁層と、第2の炭化珪素領域及び第3の炭化珪素領域と接し、ゲート電極との間に第1の炭化珪素領域の第1の部分が位置し、第2の電極との間に第1の炭化珪素領域の第2の部分が位置する第2導電型の第6の炭化珪素領域と、を備える。
本実施形態の半導体装置は、IGBTである点で第1の実施形態と異なっている。第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
14 ドレイン電極(第2の電極)
16 ゲート絶縁層
18 ゲート電極
24 ドリフト領域(第1の炭化珪素領域)
24a 第1の部分
24b 第2の部分
26a 第1のボディ領域(第2の炭化珪素領域)
26b 第2のボディ領域(第3の炭化珪素領域)
28a 第1のソース領域(第4の炭化珪素領域)
28b 第2のソース領域(第5の炭化珪素領域)
32a 第1のp型領域(第6の炭化珪素領域)
32b 第2のp型領域(第7の炭化珪素領域)
100 MOSFET(半導体装置)
112 エミッタ電極(第1の電極)
114 コレクタ電極(第2の電極)
128a 第1のエミッタ領域(第4の炭化珪素領域)
128b 第2のエミッタ領域(第5の炭化珪素領域)
200 IGBT(半導体装置)
Claims (5)
- 第1の電極と、
第2の電極と、
ゲート電極と、
少なくとも一部が前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられ、少なくとも一部が前記ゲート電極と前記第2の電極との間に設けられた第1導電型の第1の炭化珪素領域と、
前記第1の電極と前記第1の炭化珪素領域との間に設けられた第2導電型の第2の炭化珪素領域と、
前記第1の電極と前記第1の炭化珪素領域との間に設けられ、前記第2の炭化珪素領域との間に前記第1の炭化珪素領域の第1の部分が位置する第2導電型の第3の炭化珪素領域と、
前記第1の電極と前記第2の炭化珪素領域との間に設けられ、前記第1の炭化珪素領域と離間した第1導電型の第4の炭化珪素領域と、
前記第1の電極と前記第3の炭化珪素領域との間に設けられ、前記第1の炭化珪素領域と離間した第1導電型の第5の炭化珪素領域と、
前記ゲート電極と前記第2の炭化珪素領域との間、及び、前記ゲート電極と前記第3の炭化珪素領域との間に設けられたゲート絶縁層と、
前記第2の炭化珪素領域及び前記第3の炭化珪素領域と接し、前記ゲート電極との間に前記第1の炭化珪素領域の前記第1の部分が位置し、前記第2の電極との間に前記第1の炭化珪素領域の第2の部分が位置する第2導電型の第6の炭化珪素領域と、
前記第2の炭化珪素領域及び前記第3の炭化珪素領域と接し、前記ゲート電極との間に前記第1の炭化珪素領域の前記第1の部分が位置し、前記第2の電極との間に前記第1の炭化珪素領域の第2の部分が位置し、前記第6の炭化珪素領域との間に前記第1の炭化珪素領域が位置する第2導電型の第7の炭化珪素領域と、
を備え、
前記第1の炭化珪素領域と前記第3の炭化珪素領域の間に挟まれた前記第6の炭化珪素領域の一部分と、前記第1の炭化珪素領域と前記第3の炭化珪素領域の間に挟まれた前記第7の炭化珪素領域の一部分との間に、前記第1の炭化珪素領域が位置する半導体装置。 - 前記第6の炭化珪素領域と前記第7の炭化珪素領域との間隔が、前記第6の炭化珪素領域の幅、及び、前記第7の炭化珪素領域の幅よりも大きい請求項1記載の半導体装置。
- 前記第6の炭化珪素領域の厚さが0.2μm以上である請求項1又は請求項2記載の半導体装置。
- 前記第1の部分の第1導電型不純物の不純物濃度が、前記第2の部分の第1導電型不純物の不純物濃度よりも高い請求項1乃至請求項3いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第6の炭化珪素領域と前記ゲート電極との間の前記第1の部分と、前記第7の炭化珪素領域と前記ゲート電極との間の前記第1の部分との間に、前記第1の炭化珪素領域の第3の部分が位置し、前記第1の部分の第1導電型不純物の不純物濃度が、前記第3の部分の第1導電型不純物の不純物濃度よりも高い請求項1乃至請求項4いずれか一項記載の半導体装置。
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WO2015019797A1 (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | 富士電機株式会社 | 高耐圧半導体装置およびその製造方法 |
JP2016162861A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
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