JP2020112645A - Display device - Google Patents

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和浩 小高
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Abstract

To provide a display device with a silicon nitride-based film formed thereon, that can prevent deterioration of a circular polarization plate.SOLUTION: A display device 1A comprises: insulating silicon nitride-based films 11a, 11b, 11c covering a plurality of thin film transistors 12 provided for each of a plurality of pixels on a substrate 100; and encapsulating silicon nitride-based films 41, 43 covering a plurality of self-luminous elements. Further, the display device 1A includes an optically transparent conductive film 50 being arranged between the encapsulating silicon nitride-based films 41, 43 and a circular polarization plate 70 and covering entire insulating silicon nitride-based films 11a, 11b, 11c and entire encapsulating silicon nitride-based films 41, 43.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、表示装置に関する。 The present invention relates to a display device.

表示装置では、外からの光が表示装置の内部で反射すること（外光反射）を抑制するために、円偏光板を設けることがある。下記特許文献１では、円偏光板として、位相差板（１／４λ板４３２）と、直線偏光板４３４とによって構成されている。円偏光板は、表示領域の自発光素子に水分が浸透するのを防止するために設けられる無機の封止膜２６６、及び、複数の画素ごとに配置される複数の薄膜トランジスタを覆う絶縁膜である層間膜２４３の上方に形成されており、表示領域２０６の全域を覆っている。また、下記引用文献２では、偏光板としての層８００が無機材料を含む保護層１０３、ゲート絶縁膜２０５、及び中間絶縁膜２０６を覆っている。 The display device may be provided with a circularly polarizing plate in order to suppress reflection of light from the outside (reflection of external light) inside the display device. In Patent Document 1 below, a circularly polarizing plate includes a retardation plate (1/4λ plate 432) and a linear polarizing plate 434. The circularly polarizing plate is an insulating film that covers the inorganic sealing film 266 that is provided to prevent moisture from penetrating the self-luminous elements in the display area and the plurality of thin film transistors that are arranged for each of the plurality of pixels. It is formed above the interlayer film 243 and covers the entire display region 206. Further, in Reference Document 2 below, a layer 800 as a polarizing plate covers the protective layer 103 containing an inorganic material, the gate insulating film 205, and the intermediate insulating film 206.

特開２０１８−０７２４５１号公報JP, 2008-072451, A 米国特許出願公開第２０１６／２５４４７９号明細書U.S. Patent Application Publication No. 2016/254479

発明者らは、表示装置において自発光素子を覆う無機の封止膜や、複数の薄膜トランジスタを覆う絶縁膜の材料として、光透過性に優れたシリコン窒化系の材料（シリコン窒化物：ＳｉＮ、シリコン酸窒化物：ＳｉＯＮ、シリコン炭窒化物：ＳｉＣＮ、又はシリコンナイトライド：Ｓｉ３Ｎ４など）を用いることを検討している。しかし、表示装置にシリコン窒化系の材料から成る膜（以下では、シリコン窒化系膜と称する）を用いた場合、高温高湿環境下（例えば、気温６０℃、湿度９０％）において円偏光板の機能が劣化し、外光反射の抑制が十分に行われなくなるという問題が起きている。 The inventors of the present invention have used, as a material for an inorganic sealing film that covers a self-luminous element in a display device and an insulating film that covers a plurality of thin film transistors, a silicon nitride-based material (silicon nitride: SiN, silicon) having excellent light transmittance. We are considering using oxynitride: SiON, silicon carbonitride: SiCN, or silicon nitride: Si3N4. However, when a film made of a silicon nitride-based material (hereinafter, referred to as a silicon nitride-based film) is used for the display device, the circularly polarizing plate of There is a problem that the function deteriorates and the reflection of external light is not sufficiently suppressed.

上記の問題は、（１）高温高湿環境下でシリコン窒化系膜からアルカリイオン（アンモニアイオン等）が発生し、（２）アルカリイオンが絶縁層などを介して円偏光板に伝わり、（３）アルカリイオンが円偏光板に含まれる直線偏光板の構成要素（ヨウ素等）を分解することで起こると考えられる。なお、アルカリイオンは、シリコン窒化系膜の形成に用いられ、膜内に残留するアンモニアが水と反応することで発生すると考えられる。 The above problems are (1) alkali ions (ammonia ions, etc.) are generated from the silicon nitride film in a high temperature and high humidity environment, and (2) alkali ions are transmitted to the circularly polarizing plate through an insulating layer, It is considered that this is caused by the decomposition of the constituent elements (iodine, etc.) of the linearly polarizing plate contained in the circularly polarizing plate by the alkali ions. The alkali ions are used for forming the silicon nitride film, and it is considered that ammonia ions generated by the reaction of ammonia remaining in the film with water.

例えば、上記特許文献１では、シリコン窒化系の材料で形成される封止膜２６６及び層間膜２４３から流れ出したアルカリイオンが保護層４２６等を介して円偏光板に到達し、円偏光板の機能を劣化させる恐れがある。また、上記特許文献２では、シリコン窒化系の材料で形成される保護層１０３、ゲート絶縁膜２０５、及び中間絶縁膜２０６の端部からアルカリイオンが流れ出す恐れがある。偏光板としての層８００の端部はシリコン窒化系の材料で形成される各層の端部よりも内側に位置しているが、シリコン窒化系の材料で形成される各層から流出したアルカリイオンが層８００に到達し、円偏光板の機能を劣化させる恐れがある。 For example, in Patent Document 1 described above, alkali ions flowing out from the sealing film 266 and the interlayer film 243 formed of a silicon nitride-based material reach the circularly polarizing plate through the protective layer 426 and the like, and the function of the circularly polarizing plate is obtained. May deteriorate. Further, in Patent Document 2 described above, alkali ions may flow out from the end portions of the protective layer 103, the gate insulating film 205, and the intermediate insulating film 206 formed of a silicon nitride-based material. The edge of the layer 800 as a polarizing plate is located inside the edge of each layer formed of a silicon nitride material, but alkali ions flowing out from each layer formed of a silicon nitride material form a layer. It may reach 800 and deteriorate the function of the circularly polarizing plate.

本発明の目的の一つは、シリコン窒化系膜を形成した表示装置において、円偏光板の劣化を防止することである。 One of the objects of the present invention is to prevent deterioration of a circularly polarizing plate in a display device having a silicon nitride film.

本発明に係る表示装置は、基板と、前記基板の上で複数の画素ごとに設けられた複数の薄膜トランジスタを覆う絶縁シリコン窒化系膜と、前記複数の画素ごとに設けられ、前記絶縁シリコン窒化系膜の上で前記複数の薄膜トランジスタとそれぞれ電気的に接続する複数の自発光素子層と、前記複数の自発光素子の上に配置され、前記複数の自発光素子を覆う封止シリコン窒化系膜と、円偏光板と、前記封止シリコン窒化系膜と前記円偏光板との間に配置され、前記絶縁シリコン窒化系膜の全域と前記封止シリコン窒化系膜の全域とを覆う光透過性を有する導電膜と、を有することを特徴とする。 A display device according to the present invention includes a substrate, an insulating silicon nitride-based film that covers a plurality of thin film transistors provided for each of a plurality of pixels on the substrate, and the insulating silicon nitride-based film that is provided for each of the plurality of pixels. A plurality of self-emission element layers electrically connected to the plurality of thin film transistors respectively on the film, and a sealing silicon nitride-based film disposed on the plurality of self-emission elements and covering the plurality of self-emission elements. , A circularly polarizing plate, and a light-transmitting layer that is disposed between the sealing silicon nitride-based film and the circular polarizing plate and covers the entire area of the insulating silicon nitride-based film and the entire area of the sealing silicon nitride-based film. And a conductive film having.

第１の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view of the display device according to the first embodiment. 図１のＩＩ−ＩＩ線における表示装置の模式的な断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the display device taken along line II-II of FIG. 1. 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における表示装置の模式的な断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the display device taken along the line III-III in FIG. 2. 図１のＶＩ−ＶＩ線における表示装置の模式的な断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the display device taken along line VI-VI of FIG. 1. 湾曲させた表示装置の模式的な断面図である。It is a typical sectional view of a curved display device. 第２の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view of a display device according to a second embodiment. 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における表示装置の模式的な断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the display device taken along the line VII-VII in FIG. 6. 第３の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。FIG. 9 is a schematic plan view of a display device according to a third embodiment. 図９のＩＸ−ＩＸ線における表示装置の模式的な断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the display device taken along line IX-IX in FIG. 9. 図９のＸ−Ｘ線における表示装置の模式的な断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the display device taken along line XX of FIG. 9. 第４の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。It is a typical top view of the display concerning a 4th embodiment. 図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線における表示装置の模式的な断面図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of the display device taken along line XII-XII in FIG. 11. 図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における表示装置の模式的な断面図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of the display device taken along line XIII-XIII in FIG. 11.

以下、本発明の各実施形態について、図面に基づいて説明する。なお、本開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状などについて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Hereinafter, each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the present disclosure is merely an example, and a person skilled in the art can easily think of appropriate modifications while keeping the gist of the invention, and are naturally included in the scope of the present invention. In addition, in order to make the description clearer, the drawings may schematically show the width, thickness, shape, etc. of each part as compared with the actual mode, but this is merely an example, and the interpretation of the present invention will be understood. It is not limited. In this specification and each drawing, the same elements as those described in regard to the already-existing drawings are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof may be appropriately omitted.

［第１の実施形態］
始めに、図１乃至図５に基づいて、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係る表示装置１Ａの模式的な平面図であり、図２乃至図５は、表示装置１Ａの模式的な断面図である。図２は表示領域２及び額縁領域３での断面を示しており、図１で横方向に伸びるＩＩ−ＩＩ線における断面を示している。図３は表示領域２での断面を示しており、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線で囲われた部分の拡大図である。図４は額縁領域３、湾曲領域４、及び取付領域５での断面を示しており、図１で縦方向に伸びるＶＩ−ＶＩ線における断面を示している。図５は額縁領域３、湾曲領域４、及び取付領域５での断面を示しており、図１で縦方向に伸びるＶＩ−ＶＩ線における断面を示している。図５は、表示装置１Ａを湾曲させた場合の断面を示している。 [First Embodiment]
First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5. FIG. 1 is a schematic plan view of a display device 1A according to the first embodiment, and FIGS. 2 to 5 are schematic cross-sectional views of the display device 1A. FIG. 2 shows a cross section in the display area 2 and the frame area 3, and shows a cross section taken along the line II-II extending in the horizontal direction in FIG. FIG. 3 shows a cross section in the display area 2, and is an enlarged view of a portion surrounded by a line III-III in FIG. FIG. 4 shows a cross section in the frame region 3, the curved region 4, and the attachment region 5, and shows a cross section taken along the line VI-VI extending in the vertical direction in FIG. 5 shows a cross section in the frame region 3, the curved region 4, and the attachment region 5, and shows a cross section taken along the line VI-VI extending in the vertical direction in FIG. FIG. 5 shows a cross section when the display device 1A is curved.

図１に示すように、表示装置１Ａには、基板１００の上に、画像を表示するための領域である表示領域２と、表示領域２の外側の領域である額縁領域３と、額縁領域３の外側で基板１００を湾曲可能に形成される湾曲領域４と、第１回路基板２１０（例えば、フレキシブルプリント回路基板：ＦＰＣ）が取り付けられる取付領域５とが形成されている。湾曲領域４は、額縁領域３を挟んで表示領域２から離れた位置に形成されている。また、取付領域５は、湾曲領域４を挟んで表示領域２の反対側（図１において、基板１００の下端）に形成されている。 As shown in FIG. 1, in the display device 1A, a display area 2 that is an area for displaying an image, a frame area 3 that is an area outside the display area 2, and a frame area 3 are provided on a substrate 100. A curved region 4 is formed on the outside of the substrate 100 so that the substrate 100 can be curved, and a mounting region 5 to which a first circuit board 210 (for example, a flexible printed circuit board: FPC) is mounted is formed. The curved region 4 is formed at a position apart from the display region 2 with the frame region 3 interposed therebetween. Further, the attachment area 5 is formed on the opposite side of the display area 2 (the lower end of the substrate 100 in FIG. 1) with the curved area 4 interposed therebetween.

第１回路基板２１０の下には、例えばフレキシブルプリント回路基板である第２回路基板２２０が取り付けられている。第２回路基板２２０は、例えば基板１００が取り付けられる第１回路基板２１０の端部とは反対側の端部に取り付けられている。また、第１回路基板２１０の上には、制御用の駆動ＩＣ２３０が実装されている。駆動ＩＣ２３０は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）などの方式により第１回路基板２１０に実装されてよい。 A second circuit board 220, which is, for example, a flexible printed circuit board, is attached under the first circuit board 210. The second circuit board 220 is attached to, for example, an end portion opposite to the end portion of the first circuit board 210 to which the board 100 is attached. A drive IC 230 for control is mounted on the first circuit board 210. The driving IC 230 may be mounted on the first circuit board 210 by a method such as COF (Chip On Film).

図４に示すように、第２回路基板２２０は端子２４１を介して第１回路基板２１０に電気的に接続している。また、制御用の駆動ＩＣ２３０は端子２４２を介して第１回路基板２１０に電気的に接続している。制御用の駆動ＩＣ２３０は端子２４２及び第１回路基板２１０を介して基板１００に含まれている制御用配線１５に電気的に接続している。駆動ＩＣ２３０が制御用配線１５に画像信号を出力することで、表示領域２に画像が表示される。 As shown in FIG. 4, the second circuit board 220 is electrically connected to the first circuit board 210 via the terminals 241. The control drive IC 230 is electrically connected to the first circuit board 210 via the terminal 242. The control driving IC 230 is electrically connected to the control wiring 15 included in the substrate 100 via the terminal 242 and the first circuit substrate 210. The image is displayed in the display area 2 by the driving IC 230 outputting an image signal to the control wiring 15.

図２に示すように、基板１００には、表示領域２における画像の表示を実現するための複数の膜が層状に形成されている。基板１００は、ポリイミドなどの可撓性を有する絶縁材料からなり、表示領域２、額縁領域３、湾曲領域４、及び取付領域５の全域に亘って形成されている。 As shown in FIG. 2, on the substrate 100, a plurality of films for realizing the display of an image in the display area 2 are formed in layers. The substrate 100 is made of a flexible insulating material such as polyimide and is formed over the entire display region 2, the frame region 3, the curved region 4, and the attachment region 5.

基板１００の下には、粘着性を有する下部粘着層１１０によって補強フィルム１２０が貼り付けられている。補強フィルム１２０は、例えば、樹脂やガラスなどの硬質な材料により形成されてよい。なお、表示装置１Ａを背後からの光を透過する透明ディスプレイとして構成する場合、基板１００、下部粘着層１１０、及び補強フィルム１２０は、光透過性を有する材料（透明または半透明の材料）により形成されてよい。 A reinforcing film 120 is attached below the substrate 100 by a lower adhesive layer 110 having adhesiveness. The reinforcing film 120 may be formed of a hard material such as resin or glass, for example. When the display device 1A is configured as a transparent display that transmits light from behind, the substrate 100, the lower adhesive layer 110, and the reinforcing film 120 are formed of a light-transmissive material (transparent or translucent material). May be done.

基板１００の上には、回路層１０と、平坦化膜２０と、封止層４０と、光透過性を有する導電膜５０と、第１上部粘着層６０と、円偏光板７０と、第２上部粘着層１３０と、タッチパネル１４０と、カバー部材１５０が形成されている。また、図３に示すように、平坦化膜２０と封止層４０との間には、表示領域２において複数の画素の光を出射する機能層３０が形成されている。 On the substrate 100, the circuit layer 10, the flattening film 20, the sealing layer 40, the light-transmitting conductive film 50, the first upper adhesive layer 60, the circularly polarizing plate 70, and the second polarizing plate 70. The upper adhesive layer 130, the touch panel 140, and the cover member 150 are formed. Further, as shown in FIG. 3, a functional layer 30 that emits light of a plurality of pixels in the display region 2 is formed between the flattening film 20 and the sealing layer 40.

図３に示すように、回路層１０は、絶縁層１１と、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２とを含んで形成されている。複数の薄膜トランジスタ１２は、表示領域２において画像を構成する複数の画素とそれぞれ対応する位置に配置されており、半導体１２ａと、ソース電極１２ｂと、ドレイン電極１２ｃと、ゲート電極１２ｄとによって構成されている。ソース電極１２ｂ、ドレイン電極１２ｃ、及びゲート電極１２ｄは、半導体１２ａの上方に形成されている。ソース電極１２ｂ及びドレイン電極１２ｃは絶縁膜１１ｃ，１１ｂを貫通して半導体１２ａと電気的に接続しており、ゲート電極１２ｄはゲート絶縁膜としての絶縁膜１１ｂを介して半導体１２ａの上方に位置している。 As shown in FIG. 3, the circuit layer 10 includes an insulating layer 11 and a plurality of thin film transistors (TFTs) 12. The plurality of thin film transistors 12 are arranged at positions corresponding to a plurality of pixels forming an image in the display region 2, and each of the plurality of thin film transistors 12 includes a semiconductor 12a, a source electrode 12b, a drain electrode 12c, and a gate electrode 12d. There is. The source electrode 12b, the drain electrode 12c, and the gate electrode 12d are formed above the semiconductor 12a. The source electrode 12b and the drain electrode 12c penetrate the insulating films 11c and 11b and are electrically connected to the semiconductor 12a, and the gate electrode 12d is located above the semiconductor 12a via the insulating film 11b as a gate insulating film. ing.

絶縁層１１は、基板１００の上で複数の画素ごとに設けられた複数の薄膜トランジスタ１２を覆っている。絶縁層１１は、基板１００の上に複数の絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃを積層することで形成されている。絶縁膜（アンダーコート膜）１１ａは、基板１００と半導体１２ａとの間に位置し、半導体１２ａに対する水分の浸入を防止している。絶縁膜１１ｂは、半導体１２ａと、ソース電極１２ｂ、ドレイン電極１２ｃ、及びゲート電極１２ｄとの間に形成されている。絶縁膜１１ｃは、半導体１２ａと、ソース電極１２ｂ、ドレイン電極１２ｃ、及びゲート電極１２ｄとの間に形成されている。絶縁膜１１ｃは、ゲート電極１２ｄを覆い、ソース電極１２ｂの頂部とドレイン電極１２ｃの頂部とを露出している。 The insulating layer 11 covers the plurality of thin film transistors 12 provided on the substrate 100 for each of the plurality of pixels. The insulating layer 11 is formed by stacking a plurality of insulating films 11a, 11b, and 11c on the substrate 100. The insulating film (undercoat film) 11a is located between the substrate 100 and the semiconductor 12a and prevents moisture from entering the semiconductor 12a. The insulating film 11b is formed between the semiconductor 12a and the source electrode 12b, the drain electrode 12c, and the gate electrode 12d. The insulating film 11c is formed between the semiconductor 12a and the source electrode 12b, the drain electrode 12c, and the gate electrode 12d. The insulating film 11c covers the gate electrode 12d and exposes the top of the source electrode 12b and the top of the drain electrode 12c.

絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン炭窒化物（ＳｉＣＮ）、又はシリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）などのシリコン窒化系の材料により形成されている。このように、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃを光透過性に優れた絶縁シリコン窒化系膜として形成することで、透明ディスプレイとして構成された表示装置１Ａの背後からの光を、より鮮明に透過させることができる。なお、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、シリコン酸化物（ＳｉＯ）やＴＥＯＳ等のシリコン酸化系の材料により形成されてもよい。 The insulating films 11a, 11b, 11c are formed of a silicon nitride-based material such as silicon nitride (SiN), silicon oxynitride (SiON), silicon carbonitride (SiCN), or silicon nitride (Si3N4). There is. In this way, by forming the insulating films 11a, 11b, and 11c as insulating silicon nitride-based films having excellent light transmittance, light from the back of the display device 1A configured as a transparent display is transmitted more clearly. be able to. The insulating films 11a, 11b, 11c may be formed of a silicon oxide-based material such as silicon oxide (SiO) or TEOS.

図２及び図３に示すように、回路層１０の上には平坦化膜２０が形成されている。平坦化膜２０は、樹脂などの有機の絶縁材料により形成されてよい。表示装置１Ａを透明ディスプレイとして構成する場合、平坦化膜２０は、光透過性を有する材料により形成されてよい。例えば、平坦化膜２０を熱や紫外線によって硬化する液状の樹脂材料で形成することで、平坦化膜２０の平坦性を確保することができる。 As shown in FIGS. 2 and 3, a planarization film 20 is formed on the circuit layer 10. The flattening film 20 may be formed of an organic insulating material such as resin. When the display device 1A is configured as a transparent display, the flattening film 20 may be formed of a material having light transmittance. For example, the flatness of the flattening film 20 can be ensured by forming the flattening film 20 with a liquid resin material that is cured by heat or ultraviolet rays.

平坦化膜２０は、表示領域２において複数の薄膜トランジスタ１２を覆うように形成されている。また、各薄膜トランジスタ１２のソース電極１２ｂと対応する位置には、コンタクトホールＣＨ１が形成されている。なお、コンタクトホールＣＨ１は、ドレイン電極１２ｃと対応する位置に形成されてもよい。 The flattening film 20 is formed so as to cover the plurality of thin film transistors 12 in the display region 2. A contact hole CH1 is formed at a position corresponding to the source electrode 12b of each thin film transistor 12. The contact hole CH1 may be formed at a position corresponding to the drain electrode 12c.

図３に示すように、機能層３０には、複数の下部電極３１と、発光層３２と、上部電極３３とが形成されている。下部電極３１は、金属（例えば、銀（Ａｇ））などの光を反射する材料を含んでもよい。また、表示装置１Ａを透明ディスプレイとして構成する場合、下部電極３１は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料により形成されてよい。 As shown in FIG. 3, a plurality of lower electrodes 31, a light emitting layer 32, and an upper electrode 33 are formed on the functional layer 30. The lower electrode 31 may include a material that reflects light, such as metal (eg, silver (Ag)). When the display device 1A is configured as a transparent display, the lower electrode 31 may be formed of a light-transmissive conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

複数の下部電極３１は、複数の画素ごとに設けられている。下部電極３１は、平坦化膜２０に形成されたコンタクトホールＣＨ１を介して薄膜トランジスタ１２と電気的に接続している。本実施形態では、下部電極３１は陽極（アノード）として構成され、薄膜トランジスタ１２のソース電極１２ｂにより高電位が入力される。なお、下部電極３１は陰極（カソード）として構成されてもよい。この場合、下部電極３１はドレイン電極１２ｃと接続し、低電位が入力される。 The plurality of lower electrodes 31 are provided for each of the plurality of pixels. The lower electrode 31 is electrically connected to the thin film transistor 12 through a contact hole CH1 formed in the flattening film 20. In this embodiment, the lower electrode 31 is configured as an anode, and a high potential is input by the source electrode 12b of the thin film transistor 12. The lower electrode 31 may be configured as a cathode. In this case, the lower electrode 31 is connected to the drain electrode 12c, and a low potential is input.

複数の下部電極３１の間には、樹脂などの有機の絶縁材料からなるバンク２４が形成されている。表示装置１Ａを透明ディスプレイとして構成する場合、バンク２４は、光透過性を有する材料により形成されてよい。バンク２４は、複数の画素の外周を囲うように配置されている。より具体的には、バンク２４は、複数の画素と対応する位置にそれぞれ配置される複数の下部電極３１の周囲を覆い、下部電極３１の端部に載るように設けられている。このようにバンク２４が配置されることで、下部電極３１の縁で発光層３２が途切れることを防ぎ、下部電極３１と、上部電極３３とが短絡することを防止している。 A bank 24 made of an organic insulating material such as resin is formed between the plurality of lower electrodes 31. When the display device 1A is configured as a transparent display, the bank 24 may be formed of a light transmissive material. The bank 24 is arranged so as to surround the outer periphery of a plurality of pixels. More specifically, the bank 24 is provided so as to cover the periphery of the plurality of lower electrodes 31 respectively arranged at the positions corresponding to the plurality of pixels and to be mounted on the end portion of the lower electrode 31. By arranging the bank 24 in this manner, the light emitting layer 32 is prevented from being discontinued at the edge of the lower electrode 31, and the lower electrode 31 and the upper electrode 33 are prevented from being short-circuited.

下部電極３１及びバンク２４の上には、発光層３２が積層されている。発光層３２は、表示領域２の全域に形成され、下部電極３１及びバンク２４に載るように設けられている。発光層３２は、ホール注入／輸送膜３２ａと、有機発光膜３２ｂと、電子注入／輸送膜３２ｃを含んでいる。なお、下部電極３１は陰極（カソード）として構成される場合、図２に示した３２ａが電子注入／輸送膜として形成され、３２ｃがホール注入／輸送膜として形成される。 A light emitting layer 32 is stacked on the lower electrode 31 and the bank 24. The light emitting layer 32 is formed over the entire display region 2, and is provided so as to be placed on the lower electrode 31 and the bank 24. The light emitting layer 32 includes a hole injecting/transporting film 32a, an organic light emitting film 32b, and an electron injecting/transporting film 32c. When the lower electrode 31 is configured as a cathode, 32a shown in FIG. 2 is formed as an electron injecting/transporting film and 32c is formed as a hole injecting/transporting film.

発光層３２の上には、上部電極３３が積層されている。上部電極３３は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの光透過性を有する酸化物導電材料、又は薄膜のマグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）等の金属材料により形成されてよい。上部電極３３は、全ての画素で共通する電極として構成されており、表示領域２及び額縁領域３の一部分に亘って配置され、発光層３２の全域を覆うように設けられている。 An upper electrode 33 is laminated on the light emitting layer 32. The upper electrode 33 is formed of a light-transmissive oxide conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), or a thin metal material such as magnesium (Mg) or silver (Ag). May be done. The upper electrode 33 is configured as an electrode common to all pixels, is arranged over a part of the display region 2 and the frame region 3, and is provided so as to cover the entire light emitting layer 32.

表示領域２に含まれる複数の画素のそれぞれに対応する光は、薄膜トランジスタ１２を介して、下部電極３１、発光層３２、及び上部電極３３のそれぞれに電流が流れることで、２つのバンク２４の間に形成されるバンク開口ＯＰから出射される。ここで、有機発光膜３２ｂが、複数の画素毎に予め定められた色（例えば、赤色、緑色、青色の３色や、これに白色を加えた４色）で塗り分けられることで、発光層３２は画素の色に応じた光を出射する。即ち、複数の薄膜トランジスタ１２とそれぞれ電気的に接続し、複数の画素の光を出射する複数の自発光素子は、複数の下部電極３１と、これらを覆う発光層３２及び上部電極３３とによって構成されている。 Light corresponding to each of the plurality of pixels included in the display region 2 flows between the two banks 24 due to a current flowing through each of the lower electrode 31, the light emitting layer 32, and the upper electrode 33 via the thin film transistor 12. The light is emitted from the bank opening OP formed in. Here, the organic light emitting film 32b is separately coated with a predetermined color for each of a plurality of pixels (for example, three colors of red, green, and blue, or four colors of which white is added thereto), so that the light emitting layer is formed. 32 emits light according to the color of the pixel. That is, the plurality of self-luminous elements that are electrically connected to the plurality of thin film transistors 12 and emit the light of the plurality of pixels are composed of the plurality of lower electrodes 31, and the light emitting layer 32 and the upper electrode 33 that cover the lower electrodes 31. ing.

図２に示すように、額縁領域３において、回路層１０の上には、平坦化膜２０の外側を囲う中間有機膜２５と、その外側を囲う外側有機膜２７とが形成されている。中間有機膜２５と外側有機膜２７は、平坦化膜２０と同じ有機の絶縁材料（例えば、樹脂）により形成されてよい。また、額縁領域３における中間有機膜２５の上には、樹脂などの有機の絶縁材料からなる中間追加有機膜２６が積層されている。 As shown in FIG. 2, in the frame region 3, an intermediate organic film 25 that surrounds the flattening film 20 and an outer organic film 27 that surrounds the flattening film 20 are formed on the circuit layer 10. The intermediate organic film 25 and the outer organic film 27 may be formed of the same organic insulating material (for example, resin) as the flattening film 20. An intermediate additional organic film 26 made of an organic insulating material such as resin is laminated on the intermediate organic film 25 in the frame region 3.

図２及び図３に示すように、上部電極３３の上には、発光層３２や各種電極に対する水分の侵入を防止するための封止層４０が積層されている。封止層４０は、複数の下部電極３１、発光層３２、及び、上部電極３３により構成される複数の自発光素子の上に配置され、複数の自発光素子を覆っている。 As shown in FIGS. 2 and 3, a sealing layer 40 for preventing moisture from entering the light emitting layer 32 and various electrodes is laminated on the upper electrode 33. The sealing layer 40 is arranged on the plurality of self-luminous elements formed by the plurality of lower electrodes 31, the light emitting layer 32, and the upper electrode 33, and covers the plurality of self-luminous elements.

封止層４０は、第１の無機封止膜４１と、第２の無機封止膜４３と、第１の無機封止膜４１と第２の無機封止膜４３との間に配置されている有機封止膜４２とにより構成されている。 The sealing layer 40 is disposed between the first inorganic sealing film 41, the second inorganic sealing film 43, and the first inorganic sealing film 41 and the second inorganic sealing film 43. And an organic sealing film 42 that is present.

有機封止膜４２は、樹脂などの光透過性を有する有機材料により形成されている。有機封止膜４２は、平坦化膜２０の外側を囲う中間有機膜２５により構成される枠の内側に、熱や紫外線で硬化する液状の有機材料を流し込むことで形成される。ここで、中間有機膜２５に中間追加有機膜２６が積層することで、中間有機膜２５の実質的な高さを上げている。これにより、有機封止膜４２を構成する液状の有機材料があふれ出ることを、中間追加有機膜２６が形成されていない場合に比べてより確実に防止することができる。 The organic sealing film 42 is made of a light-transmitting organic material such as resin. The organic sealing film 42 is formed by pouring a liquid organic material that is cured by heat or ultraviolet rays into the inside of the frame formed by the intermediate organic film 25 that surrounds the outside of the planarization film 20. Here, by stacking the intermediate additional organic film 26 on the intermediate organic film 25, the substantial height of the intermediate organic film 25 is increased. As a result, the liquid organic material forming the organic sealing film 42 can be more surely prevented from overflowing as compared with the case where the intermediate additional organic film 26 is not formed.

第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、水分や酸素の遮断効果の高く、光透過性に優れたシリコン窒化系の材料（例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン炭窒化物（ＳｉＣＮ）、又はシリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４））により形成されている。このように、第１及び第２の無機封止膜４１，４３を光透過性に優れた封止シリコン窒化系膜として形成することで、消費電力を抑えながら、各画素の輝度を向上させることができる。 The first and second inorganic sealing films 41 and 43 have a high effect of blocking moisture and oxygen and a silicon nitride-based material excellent in light transmittance (for example, silicon nitride (SiN), silicon oxynitride ( SiON), silicon carbonitride (SiCN), or silicon nitride (Si3N4)). As described above, by forming the first and second inorganic sealing films 41 and 43 as the sealing silicon nitride-based film having excellent light transmittance, it is possible to improve the brightness of each pixel while suppressing the power consumption. You can

第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、表示領域２に形成されている複数の自発光素子と、額縁領域３に形成される中間有機膜２５と、外側有機膜２７とを連続的に覆っている。また、第２の無機封止膜４３は、第１の無機封止膜４１の全域を覆っている。第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、中間有機膜２５によって構成される枠の内側で有機封止膜４２の全域を覆うとともに、中間有機膜２５と外側有機膜２７との間で互いに接している。このように、第１及び第２の無機封止膜４１，４３が有機封止膜４２や複数の自発光素子層を覆うことで、有機封止膜４２や複数の自発光素子層に水分が侵入することを防止している。 The first and second inorganic sealing films 41 and 43 connect the plurality of self-luminous elements formed in the display region 2, the intermediate organic film 25 formed in the frame region 3, and the outer organic film 27 in succession. Cover it. The second inorganic sealing film 43 covers the entire area of the first inorganic sealing film 41. The first and second inorganic sealing films 41 and 43 cover the entire area of the organic sealing film 42 inside the frame formed by the intermediate organic film 25, and between the intermediate organic film 25 and the outer organic film 27. Touch each other. As described above, the first and second inorganic sealing films 41 and 43 cover the organic sealing film 42 and the plurality of self-luminous element layers, so that the organic sealing film 42 and the plurality of self-luminous element layers are exposed to moisture. Prevents intrusion.

図２に示すように、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の端部は、外側有機膜２７の上に配置されている。別の言い方をすると、外側有機膜２７の端部は、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の端部よりも外側に配置されている。 As shown in FIG. 2, the end portions of the first and second inorganic sealing films 41 and 43 are arranged on the outer organic film 27. In other words, the end portion of the outer organic film 27 is arranged outside the end portions of the first and second inorganic sealing films 41 and 43.

封止層４０（第２の無機封止膜４３）の上には、有機保護膜４５が形成されている。有機保護膜４５は、樹脂などの光透過性を有する有機材料により形成されている。有機保護膜４５は、中間有機膜２５の外側を囲う外側有機膜２７によって構成される枠の内側に、熱や紫外線などにより硬化する液状の有機材料を流し込むことで形成される。 An organic protective film 45 is formed on the sealing layer 40 (second inorganic sealing film 43). The organic protective film 45 is made of a light-transmitting organic material such as resin. The organic protective film 45 is formed by pouring a liquid organic material that is cured by heat, ultraviolet rays, or the like into the inside of the frame formed by the outer organic film 27 that surrounds the outer side of the intermediate organic film 25.

第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、基板１００の端部でシリコン窒化系膜をエッチングにより除去することで形成されてよい。ここで、有機保護膜４５は、第１及び第２の無機封止膜４１，４３がエッチング液やエッチング雰囲気下に曝されることを防ぐマスクとして設けられてよい。この場合、第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、有機保護膜４５が形成されていない箇所で除去されることで形成されるため、有機保護膜４５の端部の位置は、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の端部の位置と一致する。 The first and second inorganic sealing films 41 and 43 may be formed by removing the silicon nitride-based film at the end of the substrate 100 by etching. Here, the organic protective film 45 may be provided as a mask that prevents the first and second inorganic sealing films 41 and 43 from being exposed to an etching solution or an etching atmosphere. In this case, since the first and second inorganic sealing films 41 and 43 are formed by being removed at the position where the organic protective film 45 is not formed, the position of the end portion of the organic protective film 45 is It corresponds to the positions of the ends of the first and second inorganic sealing films 41 and 43.

なお、有機保護膜４５は、塵などの不純物により後述する導電膜５０が途切れることを防ぐために設けられてもよい。この場合、有機保護膜４５の端部の位置は、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の端部の位置と一致しなくてもよい。 The organic protective film 45 may be provided to prevent the conductive film 50, which will be described later, from being interrupted by impurities such as dust. In this case, the positions of the ends of the organic protective film 45 do not have to match the positions of the ends of the first and second inorganic sealing films 41 and 43.

第２の無機封止膜４３と、後述する円偏光板７０との間には、光透過性を有する導電膜５０が形成されている。導電膜５０は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）により形成されてよい。導電膜５０は、シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び第１及び第２の無機封止膜４１，４３から発生したアルカリイオンの侵入を防ぐためのものである。 A conductive film 50 having optical transparency is formed between the second inorganic sealing film 43 and a circularly polarizing plate 70 described later. The conductive film 50 may be formed of indium tin oxide (ITO). The conductive film 50 is for preventing the entry of alkali ions generated from the insulating films 11a, 11b, 11c, which are silicon nitride films, and the first and second inorganic sealing films 41, 43.

導電膜５０は、回路層１０、外側有機膜２７、及び第１及び第２の無機封止膜４１，４３の上に配置されている。平面的に見て、導電膜５０は、回路層１０に含まれる絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの全域と、外側有機膜２７の全域と、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の全域とを連続的に覆っている。また、図２及び図３に示すように、回路層１０に含まれる絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部は、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の端部よりも外側（図２において左側）に配置されており、導電膜５０の端部は、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部よりも外側に配置されている。このため、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、有機の絶縁材料により形成される第１上部粘着層６０には接していない。 The conductive film 50 is disposed on the circuit layer 10, the outer organic film 27, and the first and second inorganic sealing films 41 and 43. When seen in a plan view, the conductive film 50 includes the insulating films 11a, 11b, and 11c included in the circuit layer 10, the entire outer organic film 27, and the first and second inorganic sealing films 41 and 43. It continuously covers the whole area. Further, as shown in FIGS. 2 and 3, the end portions of the insulating films 11a, 11b, and 11c included in the circuit layer 10 are located outside the end portions of the first and second inorganic sealing films 41 and 43 ( It is arranged on the left side in FIG. 2, and the end portion of the conductive film 50 is arranged outside the end portions of the insulating films 11a, 11b, and 11c. Therefore, the insulating films 11a, 11b, 11c and the first and second inorganic sealing films 41, 43 are not in contact with the first upper adhesive layer 60 formed of an organic insulating material.

また、導電膜５０は、基板１００の端部には形成されていない。これは、表示装置１Ａの製造工程で、複数の表示領域２を含む一枚の積層構造体としての基板１００がレーザーの熱やカッターの応力等により切断されるためである。即ち、導電膜５０にレーザーの熱やカッターの応力等による罅が生じないようにするため、導電膜５０を基板１００の端部から離れた位置に形成している。 Further, the conductive film 50 is not formed on the end portion of the substrate 100. This is because the substrate 100 as one laminated structure including the plurality of display regions 2 is cut by the heat of the laser, the stress of the cutter, or the like in the manufacturing process of the display device 1A. That is, the conductive film 50 is formed at a position away from the end portion of the substrate 100 in order to prevent the conductive film 50 from being warped due to heat of the laser or stress of a cutter.

導電膜５０の上には粘着性を有する第１上部粘着層６０が敷かれ、この上に円偏光板７０が粘着されている。また、円偏光板７０の上には第２上部粘着層１３０が敷かれ、その上にタッチパネル１４０とカバー部材１５０とが粘着されている。第１及び第２の上部粘着層６０，１３０は、光透過性を有する有機の絶縁材料により形成されてよい。また、タッチパネル１４０は、静電容量方式のタッチパネルとしてよく、カバー部材１５０は、樹脂やガラスなどの光透過性を有する硬質な材料により形成されてよい。 A first upper adhesive layer 60 having an adhesive property is laid on the conductive film 50, and a circularly polarizing plate 70 is adhered thereon. Further, the second upper adhesive layer 130 is laid on the circularly polarizing plate 70, and the touch panel 140 and the cover member 150 are adhered thereon. The first and second upper adhesive layers 60 and 130 may be formed of a light-transmitting organic insulating material. The touch panel 140 may be a capacitance type touch panel, and the cover member 150 may be formed of a light-transmissive hard material such as resin or glass.

円偏光板７０は、表示領域２における外光反射を抑制するためのものであり、位相差板７１と、その上に配置される直線偏光板（偏光子）７２とを含んで構成されている。位相差板７１は、例えば、１／４λ板として構成されてよい。表示装置１Ａの外から入射された光は、（１）直線偏光板７２を透過して第１の直線偏光となり、（２）位相差板７１を通過して所定方向（例えば、右回り）に回転する円偏光となり、（３）表示装置１Ａの内部で反射すると逆方向（例えば、左回り）に回転する円偏光となり、（４）再度位相差板７１を透過することで第２の直線偏光となる。ここで、第２の直線偏光の偏光面は、第１の直線偏向の偏光面に対して直交するため、表示装置１Ａの内部で反射した光は、直線偏光板７２を透過することができない。このように位相差板７１と直線偏光板７２との双方が正しく機能することで、円偏光板７０は、表示装置１Ａにおける外光反射を抑制することができる。 The circularly polarizing plate 70 is for suppressing external light reflection in the display area 2, and is configured to include a retardation plate 71 and a linearly polarizing plate (polarizer) 72 arranged thereon. .. The retardation plate 71 may be configured as, for example, a 1/4λ plate. The light incident from the outside of the display device 1A is (1) transmitted through the linear polarizing plate 72 to become the first linear polarized light, and (2) passes through the phase difference plate 71 in a predetermined direction (for example, clockwise). It becomes circularly polarized light that rotates, and (3) when it is reflected inside the display device 1A, it becomes circularly polarized light that rotates in the opposite direction (for example, counterclockwise), and (4) the second linearly polarized light that passes through the retardation plate 71 again. Becomes Here, since the polarization plane of the second linearly polarized light is orthogonal to the polarization plane of the first linearly polarized light, the light reflected inside the display device 1A cannot pass through the linearly polarizing plate 72. In this way, both the retardation plate 71 and the linear polarizing plate 72 function properly, so that the circularly polarizing plate 70 can suppress reflection of external light in the display device 1A.

先述したように、回路層１０に含まれる絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ（図３を参照）と、封止層４０に含まれる第１及び第２の無機封止膜４１，４３は、シリコン窒化系の材料により形成される。ここで、表示装置１Ａを高温高湿環境に置いた場合、（１）シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び第１及び第２の無機封止膜４１，４３からアルカリイオンが発生し、（２）アルカリイオンが第１上部粘着層６０を介して円偏光板７０に伝わり、（３）円偏光板７０に到達したアルカリイオンが直線偏光板７２の構成要素を分解することが懸念される。これにより、直線偏光板７２の機能が劣化し、円偏光板７０による外光反射の抑制を十分に行えなくなることが懸念される。 As described above, the insulating films 11a, 11b and 11c (see FIG. 3) included in the circuit layer 10 and the first and second inorganic sealing films 41 and 43 included in the sealing layer 40 are made of silicon nitride. It is formed of the material of the system. Here, when the display device 1A is placed in a high temperature and high humidity environment, (1) alkali ions are generated from the insulating films 11a, 11b and 11c, which are silicon nitride films, and the first and second inorganic sealing films 41 and 43. The generated (2) alkali ions are transmitted to the circularly polarizing plate 70 through the first upper adhesive layer 60, and (3) the alkaline ions reaching the circularly polarizing plate 70 may decompose the components of the linearly polarizing plate 72. I'm worried. As a result, the function of the linearly polarizing plate 72 is deteriorated, and it is feared that the circularly polarizing plate 70 cannot sufficiently suppress reflection of external light.

そこで、第１の実施形態に係る表示装置１Ａでは、アルカリイオンが円偏光板７０に伝わることを防ぐために、円偏光板７０と、シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び第１及び第２の無機封止膜４１，４３との間に光透過性を有する導電膜５０を設けている。 Therefore, in the display device 1A according to the first embodiment, in order to prevent alkali ions from being transmitted to the circularly polarizing plate 70, the circularly polarizing plate 70, the insulating films 11a, 11b, 11c, which are silicon nitride-based films, and the first Further, a light-transmitting conductive film 50 is provided between the second inorganic sealing films 41 and 43.

導電膜５０は、シリコン窒化系膜から発生したアルカリイオンの侵入を防ぐ機能を有している。このため、導電膜５０がシリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの全域と第１及び第２の無機封止膜４１，４３の全域、およびその外側とを覆うことで、シリコン窒化系膜から発生したアルカリイオンが円偏光板７０に到達することを防止できる。即ち、シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び第１及び第２の無機封止膜４１，４３が形成された表示装置１Ａにおいて、円偏光板７０の劣化を防止することができる。 The conductive film 50 has a function of preventing entry of alkali ions generated from the silicon nitride film. Therefore, the conductive film 50 covers the entire area of the insulating films 11a, 11b, 11c, which are silicon nitride-based films, the entire area of the first and second inorganic sealing films 41, 43, and the outside thereof. It is possible to prevent alkali ions generated from the system film from reaching the circularly polarizing plate 70. That is, in the display device 1A in which the insulating films 11a, 11b, 11c, which are silicon nitride films, and the first and second inorganic sealing films 41, 43 are formed, deterioration of the circularly polarizing plate 70 can be prevented. ..

図４に示すように、表示装置１Ａにおいて縦方向に伸びる断面では、中間有機膜２５の外側を囲う外側有機膜２７は、額縁領域３、湾曲領域４、及び取付領域５に亘って形成されている。額縁領域３では、外側有機膜２７の上に、外側追加有機膜２８が形成されている。外側追加有機膜２８は、樹脂などの有機の絶縁材料により形成されてよい。なお、外側追加有機膜２８は、中間追加有機膜２６と同層に形成されていてもよく、中間追加有機膜２６と同じの材料で形成されていてもよい。先述したとおり、有機保護膜４５は、外側有機膜２７によって構成される枠の内側に液状の有機材料を流し込むことで形成される。ここで、外側有機膜２７に外側追加有機膜２８が積層することで、外側有機膜２７の実質的な高さを上げている。このようにすることで、有機保護膜４５を構成する液状の有機材料があふれ出ることを防止することができる。なお、導電膜５０は、外側追加有機膜２８の全域を覆うように形成されてよい。 As shown in FIG. 4, the outer organic film 27 that surrounds the outer side of the intermediate organic film 25 is formed over the frame region 3, the curved region 4, and the attachment region 5 in the cross section that extends in the vertical direction in the display device 1A. There is. In the frame region 3, the outer additional organic film 28 is formed on the outer organic film 27. The outer additional organic film 28 may be formed of an organic insulating material such as resin. The outer additional organic film 28 may be formed in the same layer as the intermediate additional organic film 26, or may be formed of the same material as the intermediate additional organic film 26. As described above, the organic protective film 45 is formed by pouring a liquid organic material inside the frame formed by the outer organic film 27. Here, by stacking the outer additional organic film 28 on the outer organic film 27, the substantial height of the outer organic film 27 is raised. By doing so, it is possible to prevent the liquid organic material forming the organic protective film 45 from overflowing. The conductive film 50 may be formed so as to cover the entire area of the outer additional organic film 28.

湾曲領域４では、回路層１０から薄膜トランジスタ１２と電気的に接続する制御用配線１５が伸びており、外側有機膜２７は、湾曲領域４において制御用配線１５を覆っている。また、表示装置１Ａが湾曲領域４において湾曲可能にするため、湾曲領域４には硬質な補強フィルム１２０、及びこれを接着するための下部粘着層１１０は形成されていない。また、導電膜５０も湾曲領域４には形成されていない。また、湾曲領域４において、外側有機膜２７の上には樹脂などの有機の絶縁材料からなる調整用絶縁膜８０が載っている。調整用絶縁膜８０は、絶縁膜全体における制御用配線１５の位置を調整するためのものである。曲げ応力の中立面に制御用配線１５を近づけることで、基板１００の曲げにより制御用配線１５に発生する引張り応力（または、圧縮応力）をゼロに近づけることができる。 In the curved region 4, the control wiring 15 electrically connected to the thin film transistor 12 extends from the circuit layer 10, and the outer organic film 27 covers the control wiring 15 in the curved region 4. Further, in order to allow the display device 1A to bend in the curved region 4, the rigid reinforcing film 120 and the lower adhesive layer 110 for adhering the hard reinforcing film 120 are not formed in the curved region 4. In addition, the conductive film 50 is also not formed in the curved region 4. Further, in the curved region 4, the adjustment insulating film 80 made of an organic insulating material such as resin is placed on the outer organic film 27. The adjustment insulating film 80 is for adjusting the position of the control wiring 15 in the entire insulating film. By bringing the control wiring 15 closer to the neutral plane of the bending stress, the tensile stress (or compressive stress) generated in the control wiring 15 by bending the substrate 100 can be brought closer to zero.

図５に示すように、表示装置１Ａは、湾曲領域４において湾曲することができる。即ち、図１及び図４では表示装置１Ａが展開された状態（湾曲されていない状態）を示している。 As shown in FIG. 5, the display device 1A can be curved in the curved region 4. That is, FIGS. 1 and 4 show a state where the display device 1A is expanded (a state where it is not curved).

図５に示すように、表示装置１Ａが湾曲領域４において湾曲されている場合、表示装置１Ａの湾曲をガイドするためのスペーサ３００が設けられてもよい。スペーサ６は、額縁領域３に貼られる補強フィルム１２０と取付領域５に貼られる補強フィルム１２０との間に挟まれるとともに、湾曲領域４における基板１００の裏面に接触している。スペーサ３００によって表示装置１Ａを所定の曲率で湾曲させることができ、湾曲領域４における過度の湾曲を抑制することができる。 As shown in FIG. 5, when the display device 1A is curved in the curved region 4, a spacer 300 for guiding the curvature of the display device 1A may be provided. The spacer 6 is sandwiched between the reinforcing film 120 attached to the frame region 3 and the reinforcing film 120 attached to the attachment region 5, and is in contact with the back surface of the substrate 100 in the curved region 4. The display device 1A can be bent with a predetermined curvature by the spacer 300, and excessive bending in the bending region 4 can be suppressed.

取付領域５では、外側有機膜２７と同層に導電部１６が形成されている。導電部１６は、金属などの導電材料によって形成され、回路層１０に含まれる制御用配線１５と、第１回路基板２１０の上に実装された駆動ＩＣ２３０とを電気的に接続している。また、取付領域５では、外側有機膜２７Ｂは駆動ＩＣ２３０の上面の少なくとも一部分を覆っている。 In the attachment region 5, the conductive portion 16 is formed in the same layer as the outer organic film 27. The conductive portion 16 is formed of a conductive material such as metal, and electrically connects the control wiring 15 included in the circuit layer 10 and the drive IC 230 mounted on the first circuit board 210. Further, in the attachment region 5, the outer organic film 27B covers at least a part of the upper surface of the drive IC 230.

図４及び図５に示した例において、湾曲領域４の付近では、回路層１０に含まれる絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部は外側有機膜２７と接し、外側有機膜２７は調整用絶縁膜８０と接し、調整用絶縁膜８０は円偏光板７０と接している。絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃから発生したアルカリイオンが、外側有機膜２７及び調整用絶縁膜８０を介して円偏光板７０に到達する可能性がある。しかし、平面的に見て、導電膜５０は、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの全域を覆い、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃよりも外側に伸びている。このため、アルカリイオンが円偏光板７０に到達するまでの経路の距離を、導電膜５０が形成されていない場合に比べて長くすることができ、アルカリイオンが円偏光板７０に到達することを防止することができる。 In the example shown in FIGS. 4 and 5, in the vicinity of the curved region 4, the end portions of the insulating films 11a, 11b, and 11c included in the circuit layer 10 are in contact with the outer organic film 27, and the outer organic film 27 is the insulating insulation film. The adjustment insulating film 80 is in contact with the film 80, and the adjustment insulating film 80 is in contact with the circularly polarizing plate 70. Alkaline ions generated from the insulating films 11a, 11b, and 11c may reach the circularly polarizing plate 70 via the outer organic film 27 and the adjusting insulating film 80. However, in plan view, the conductive film 50 covers the entire areas of the insulating films 11a, 11b, 11c and extends outside the insulating films 11a, 11b, 11c. Therefore, the distance of the path until the alkali ions reach the circularly polarizing plate 70 can be made longer than that when the conductive film 50 is not formed, and the alkali ions can reach the circularly polarizing plate 70. Can be prevented.

［第２の実施形態］
次に、図６及び図７に基づいて、本発明の第２の実施形態について説明する。図６は、第２の実施形態に係る表示装置１Ｂの模式的な平面図であり、図７は、表示装置１Ｂの模式的な断面図である。図７は表示領域２及び額縁領域３での断面を示しており、図６で横方向に伸びるＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面を示している。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 6 and 7. FIG. 6 is a schematic plan view of the display device 1B according to the second embodiment, and FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the display device 1B. FIG. 7 shows a cross section in the display area 2 and the frame area 3, and shows a cross section taken along the line VII-VII extending in the horizontal direction in FIG.

図７に示すように、表示装置１Ｂには、第１の実施形態に係る外側有機膜２７の代わりに、外側有機膜２７Ｂが形成されている。外側有機膜２７Ｂは、樹脂などの有機の絶縁材料によって形成され、中間有機膜２５の外側を枠状に囲うとともに、回路層１０の端部（より具体的には、絶縁シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ（図３を参照）の端部）を覆っている。外側有機膜２７Ｂは、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ（図３を参照）の端部と接している。また、外側有機膜２７Ｂの端部は、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部よりも外側に配置されている。なお、外側有機膜２７Ｂは、中間有機膜２５と同層に形成されていてもよく、中間有機膜２５と同じの材料で形成されていてもよい。 As shown in FIG. 7, in the display device 1B, an outer organic film 27B is formed instead of the outer organic film 27 according to the first embodiment. The outer organic film 27B is formed of an organic insulating material such as resin, surrounds the outer side of the intermediate organic film 25 in a frame shape, and is an end portion of the circuit layer 10 (more specifically, an insulating silicon nitride-based film). It covers the end portions of the insulating films 11a, 11b, 11c (see FIG. 3). The outer organic film 27B is in contact with the ends of the insulating films 11a, 11b, 11c (see FIG. 3). Further, the end portion of the outer organic film 27B is arranged outside the end portions of the insulating films 11a, 11b, 11c. The outer organic film 27B may be formed in the same layer as the intermediate organic film 25, or may be formed of the same material as the intermediate organic film 25.

表示装置１Ｂに形成される導電膜５０は、回路層１０に含まれる絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの全域と、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の全域とともに、外側有機膜２７Ｂの全域を覆っている。導電膜５０の端部は、外側有機膜２７Ｂの端部よりも外側に配置されている。 The conductive film 50 formed in the display device 1B includes the outer organic film 27B together with the entire regions of the insulating films 11a, 11b and 11c included in the circuit layer 10 and the entire regions of the first and second inorganic sealing films 41 and 43. Covers the entire area of. The end of the conductive film 50 is arranged outside the end of the outer organic film 27B.

表示装置１Ｂでは、第１の実施形態に係る表示装置１Ａと同様に、光透過性を有する第１上部粘着層６０によって円偏光板７０が接着される。円偏光板７０は、第１上部粘着層６０の上に円偏光板７０を置いた後、円偏光板７０の上面をローラーなどで押圧することによって基板１００の上に貼り付けられる。ここで、仮に外側有機膜２７Ｂが形成されていない場合、基板１００の上面と絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部とにより段差が形成されており、この段差に起因した気泡が第１上部粘着層６０内に発生することが懸念される。第１上部粘着層６０に気泡が入り込むことで、第１上部粘着層６０の粘着力が弱まり、円偏光板７０が剥がれやすくなってしまうことが懸念される。 In the display device 1B, similarly to the display device 1A according to the first embodiment, the circularly polarizing plate 70 is adhered by the first upper adhesive layer 60 having a light transmitting property. The circularly polarizing plate 70 is attached to the substrate 100 by placing the circularly polarizing plate 70 on the first upper adhesive layer 60 and then pressing the upper surface of the circularly polarizing plate 70 with a roller or the like. Here, if the outer organic film 27B is not formed, a step is formed between the upper surface of the substrate 100 and the ends of the insulating films 11a, 11b, and 11c, and bubbles caused by this step cause the first upper adhesive layer to adhere. It may be generated in the layer 60. When air bubbles enter the first upper adhesive layer 60, the adhesive force of the first upper adhesive layer 60 may be weakened, and the circularly polarizing plate 70 may be easily peeled off.

なお、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの上には導電膜５０が形成されているが、導電膜５０は均一な厚みで形成されるため、導電膜５０は基板１００の上面と絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部と段差を埋めるものにはならない。このため、外側有機膜２７Ｂが形成されずに導電膜５０のみが形成されている場合には、依然として第１上部粘着層６０内での気泡の発生が懸念される。 Although the conductive film 50 is formed on the insulating films 11a, 11b, and 11c, since the conductive film 50 is formed with a uniform thickness, the conductive film 50 is formed on the upper surface of the substrate 100 and the insulating films 11a and 11b. , 11c does not fill the step with the end. Therefore, when only the conductive film 50 is formed without forming the outer organic film 27B, there is still a concern that bubbles may be generated in the first upper adhesive layer 60.

さらに、外側有機膜２７Ｂが形成されていない場合、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部で導電膜５０が途切れることも懸念される。このように導電膜５０が途切れた場合、シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃで発生したアルカリイオンが第１上部粘着層６０を介して円偏光板７０に到達し、円偏光板７０の機能が劣化することが懸念される。 Furthermore, when the outer organic film 27B is not formed, the conductive film 50 may be interrupted at the end portions of the insulating films 11a, 11b, 11c. When the conductive film 50 is interrupted in this way, the alkali ions generated in the insulating films 11a, 11b, and 11c, which are silicon nitride-based films, reach the circularly polarizing plate 70 through the first upper adhesive layer 60, and the circularly polarizing plate 70 is formed. There is concern that the function of 70 may deteriorate.

そこで、第２の実施形態に係る表示装置１Ｂでは、外側有機膜２７Ｂが回路層１０に含まれる絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部を覆っている。即ち、外側有機膜２７Ｂは、基板１００の上面と絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部との段差を埋めるように形成されている。このようにすることで、表示装置１Ｂの端部で第１上部粘着層６０が載る部分の角度が絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部の角度よりもなだらかになり、第１上部粘着層６０内での気泡の発生を防ぐことができる。即ち、気泡によって円偏光板７０が剥がれやすくなることを防止することができる。 Therefore, in the display device 1B according to the second embodiment, the outer organic film 27B covers the end portions of the insulating films 11a, 11b, 11c included in the circuit layer 10. That is, the outer organic film 27B is formed so as to fill the step between the upper surface of the substrate 100 and the ends of the insulating films 11a, 11b, and 11c. By doing so, the angle of the portion where the first upper adhesive layer 60 is mounted at the end of the display device 1B becomes gentler than the angle of the end of the insulating films 11a, 11b, and 11c, and the first upper adhesive layer 60 is formed. It is possible to prevent the generation of bubbles inside. That is, it is possible to prevent the circularly polarizing plate 70 from being easily peeled off by bubbles.

さらに、外側有機膜２７Ｂを形成することで、導電膜５０が載る部分の角度をなだらかにすることができる。これにより、導電膜５０が絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部で途切れることを防ぎ、円偏光板７０の機能が劣化することをより確実に防止することができる。 Further, by forming the outer organic film 27B, the angle of the portion where the conductive film 50 is placed can be made gentle. This makes it possible to prevent the conductive film 50 from being discontinued at the ends of the insulating films 11a, 11b, and 11c, and more reliably prevent the function of the circularly polarizing plate 70 from being deteriorated.

なお、表示装置１Ｂにおいて縦方向に伸びる断面では、外側有機膜２７Ｂは、額縁領域３、湾曲領域４、及び取付領域５に亘って形成されている。この縦方向の断面における外側有機膜２７Ｂの配置位置は、図４に示した外側有機膜２７の配置位置と同様であるため、図示は省略する。 In the display device 1B, the outer organic film 27B is formed over the frame region 3, the curved region 4, and the attachment region 5 in the cross section extending in the vertical direction. The arrangement position of the outer organic film 27B in this vertical cross section is the same as the arrangement position of the outer organic film 27 shown in FIG.

以上のように、第２の実施形態に係る表示装置１Ｂでも、シリコン窒化系膜で発生したアルカリイオンに起因する円偏光板７０の劣化を防止することができる。また、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部を覆う外側有機膜２７Ｂを形成することにより、第１上部粘着層６０内に気泡が発生することを防止するとともに、基板１００の上面と絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの段差によって導電膜５０が途切れることを防止し、円偏光板７０の劣化をより確実に防止することができる。 As described above, also in the display device 1B according to the second embodiment, it is possible to prevent the deterioration of the circularly polarizing plate 70 due to the alkali ions generated in the silicon nitride film. Further, by forming the outer organic film 27B that covers the end portions of the insulating films 11a, 11b, and 11c, it is possible to prevent bubbles from being generated in the first upper adhesive layer 60, and to prevent the upper surface of the substrate 100 and the insulating film 11a. , 11b, 11c, it is possible to prevent the conductive film 50 from being interrupted and prevent the deterioration of the circularly polarizing plate 70 more reliably.

［第３の実施形態］
次に、図８乃至図１０に基づいて、本発明の第３の実施形態について説明する。図８は、第３の実施形態に係る表示装置１Ｃの模式的な平面図であり、図９及び図１０は、表示装置１Ｃの模式的な断面図である。図９は表示領域２及び額縁領域３での断面を示しており、図８で横方向に伸びるＩＸ−ＩＸ線における断面を示している。図１０は額縁領域３、湾曲領域４、及び取付領域５での断面を示しており、図８で縦方向に伸びるＸ−Ｘ線における断面を示している。 [Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described based on FIGS. FIG. 8 is a schematic plan view of a display device 1C according to the third embodiment, and FIGS. 9 and 10 are schematic cross-sectional views of the display device 1C. 9 shows a cross section in the display region 2 and the frame region 3, and shows a cross section taken along line IX-IX extending in the horizontal direction in FIG. FIG. 10 shows a cross section in the frame region 3, the curved region 4, and the mounting region 5, and shows a cross section taken along line XX in the vertical direction in FIG.

図９に示すように、表示装置１Ｃには、導電膜５０の端部と接し、導電膜５０の端部を覆う補充有機膜２９が形成されている。補充有機膜２９は、基板１００の端部において、基板１００の上面と導電膜５０との段差を埋めるように形成される。より具体的には、導電膜５０には、外側且つ下方へ伸びている傾斜面５０ａが形成されており、補充有機膜２９は、導電膜５０の傾斜面５０ａ（例えば、有機保護膜４５の端部）と基板１００の端部との間に形成されている。なお、補充有機膜２９は、表示領域２の外側の額縁領域３に形成されるため、光透過性を有さない材料（不透明な材料）によって形成されてもよい。 As shown in FIG. 9, the display device 1C is provided with a supplementary organic film 29 that is in contact with the end of the conductive film 50 and covers the end of the conductive film 50. The supplementary organic film 29 is formed at the end of the substrate 100 so as to fill the step between the upper surface of the substrate 100 and the conductive film 50. More specifically, the conductive film 50 is formed with an inclined surface 50a extending outward and downward, and the supplementary organic film 29 is formed of the inclined surface 50a of the conductive film 50 (for example, the end of the organic protective film 45). Part) and the end of the substrate 100. Since the supplementary organic film 29 is formed in the frame region 3 outside the display region 2, the supplementary organic film 29 may be formed of a material having no light transmission (opaque material).

図１０に示すように、湾曲領域４と接する額縁領域３にも、補充有機膜２９が形成される。補充有機膜２９は、外側追加有機膜２８の全域を覆うように形成され、湾曲領域４に形成されないように膜厚が調整される。なお、補充有機膜２９は、インクジェット法などにより形成されてよい。 As shown in FIG. 10, the supplementary organic film 29 is also formed in the frame region 3 in contact with the curved region 4. The supplementary organic film 29 is formed so as to cover the entire area of the outer additional organic film 28, and its thickness is adjusted so as not to be formed in the curved region 4. The supplementary organic film 29 may be formed by an inkjet method or the like.

表示装置１Ｃにおいても、表示装置１Ｂと同様に、光透過性を有する第１上部粘着層６０の上に円偏光板７０を敷き、これをローラーなどで押圧することで貼り付けている。ここで、第１上部粘着層６０を形成する前に予め補充有機膜２９を形成しておくことで、円偏光板７０を貼り付ける事前に、基板１００の上面と導電膜５０との段差（基板１００の上面と絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃとの段差）を埋めている。即ち、円偏光板７０を貼り付ける際にローラーなどが乗り上げる段差を緩和するために、導電膜５０の傾斜面５０ａと基板１００との端部の間を補充有機膜２９で覆っている。このようにすることで、円偏光板７０の貼り付け時に、段差によって第１上部粘着層６０の内部で気泡が発生することを防ぎ、気泡によって円偏光板７０が剥がれやすくなることを防止することができる。 In the display device 1C as well, as in the display device 1B, the circularly polarizing plate 70 is laid on the first upper adhesive layer 60 having a light-transmitting property, and the circular polarizing plate 70 is attached by pressing it with a roller or the like. Here, by forming the supplementary organic film 29 in advance before forming the first upper adhesive layer 60, a step between the upper surface of the substrate 100 and the conductive film 50 (substrate A step between the upper surface of 100 and the insulating films 11a, 11b, 11c) is filled. That is, in order to alleviate the step that a roller or the like gets on when the circularly polarizing plate 70 is attached, the space between the inclined surface 50 a of the conductive film 50 and the end of the substrate 100 is covered with the supplementary organic film 29. By doing so, it is possible to prevent bubbles from being generated inside the first upper adhesive layer 60 due to a step when the circularly polarizing plate 70 is attached, and to prevent the circularly polarizing plate 70 from being easily peeled off by the bubbles. You can

［第４の実施形態］
次に、図１１乃至図１３に基づいて、本発明の第４の実施形態について説明する。図１１は、第３の実施形態に係る表示装置１Ｄの模式的な平面図である。図１２及び図１３は、表示装置１Ｄの模式的な断面図であり、額縁領域３及び湾曲領域４での断面を示している。図１２は、図１１で縦方向に伸びるＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面を示しており、図１３は、図１１で同じく縦方向に伸びるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における断面を示している。 [Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 11 to 13. FIG. 11 is a schematic plan view of the display device 1D according to the third embodiment. 12 and 13 are schematic cross-sectional views of the display device 1D, showing cross sections in the frame region 3 and the curved region 4. 12 shows a cross section taken along line XII-XII extending in the vertical direction in FIG. 11, and FIG. 13 shows a cross section taken along line XIII-XIII also extending in the vertical direction in FIG.

図１２及び図１３に示すように、表示装置１Ｄには、第２の実施形態に係る表示装置１Ｂと同様に、回路層１０の端部（より具体的には、絶縁シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ（図３を参照）の端部）を覆う第１の外側有機膜２７ａが形成されており、この第１の外側有機膜２７ａの外側に、第２の外側有機膜２７ｂが形成されている。第２の外側有機膜２７ｂは、第１の外側有機膜２７ａと同相に形成されており、湾曲領域４を覆っている。第２の外側有機膜２７ｂは、第１の外側有機膜２７ａと同じ有機の絶縁材料（例えば、樹脂）により形成されてよい。 As shown in FIGS. 12 and 13, similarly to the display device 1B according to the second embodiment, the display device 1D includes an end portion of the circuit layer 10 (more specifically, an insulating silicon nitride-based film). A first outer organic film 27a is formed to cover the insulating films 11a, 11b and 11c (see FIG. 3), and a second outer organic film is formed outside the first outer organic film 27a. 27b is formed. The second outer organic film 27b is formed in the same phase as the first outer organic film 27a and covers the curved region 4. The second outer organic film 27b may be formed of the same organic insulating material (for example, resin) as the first outer organic film 27a.

ここで、第１の外側有機膜２７ａと第２の外側有機膜２７ｂとの間には、スリット２７ｃが形成されている。第１の外側有機膜２７ａは、スリット２７ｃを介して第２有機膜２７ｂから離れた位置に形成されている。ここで、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃと第１及び第２の無機封止膜４１，４３とを覆う導電膜５０は、第１の外側有機膜２７ａと第２の外側有機膜２７ｂとの間のスリット２７ｃをも覆っており、第２の外側有機膜２７ｂの端部に到達している。また、導電膜５０には、スリット２７ｃと対応するように凹んだ形状の凹部５０ｂが形成されている。 Here, a slit 27c is formed between the first outer organic film 27a and the second outer organic film 27b. The first outer organic film 27a is formed at a position away from the second organic film 27b via the slit 27c. Here, the conductive film 50 covering the insulating films 11a, 11b, 11c and the first and second inorganic sealing films 41, 43 is between the first outer organic film 27a and the second outer organic film 27b. Also covers the slit 27c and reaches the end of the second outer organic film 27b. Further, the conductive film 50 is provided with a recess 50b having a recessed shape corresponding to the slit 27c.

導電膜５０の下側と上側には、第１の無機絶縁膜５１と、第２の無機絶縁膜５２がそれぞれ形成されている。第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２は、光透過性を有する無機材料により形成される。第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２は、シリコン窒化系膜から発生したアルカリイオンを通しにくい材料で形成されることが望ましい。第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ）により形成されてよい。 A first inorganic insulating film 51 and a second inorganic insulating film 52 are formed below and above the conductive film 50, respectively. The first and second inorganic insulating films 51 and 52 are formed of a light-transmitting inorganic material. It is desirable that the first and second inorganic insulating films 51 and 52 are made of a material that does not allow the penetration of alkali ions generated from the silicon nitride film. The first and second inorganic insulating films 51 and 52 may be formed of, for example, silicon oxide (SiO).

図１３に示すように、第１の無機絶縁膜５１は、導電膜５０と第１及び第２の外側有機膜２７ａ，２７ｂとの間（導電膜５０と絶縁シリコン窒化系膜である絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃとの間）に形成され、導電膜５０の下側で導電膜５０の全域を覆っている。また、第１の無機絶縁膜５１は、スリット２７ｃに形成される導電膜５０の凹部５０ｂと、回路層１０から伸びる制御用配線１５との間にも形成されている。このように第１の無機絶縁膜５１が導電膜５０の下側の全域を覆うことで、導電膜５０と、この下層に形成される導電層（例えば、制御用配線１５）との間の短絡をスリット２７ｃの箇所でも防止することができる。 As shown in FIG. 13, the first inorganic insulating film 51 is formed between the conductive film 50 and the first and second outer organic films 27a and 27b (the conductive film 50 and the insulating film 11a which is an insulating silicon nitride-based film). , 11b, 11c) and covers the entire area of the conductive film 50 below the conductive film 50. The first inorganic insulating film 51 is also formed between the recess 50b of the conductive film 50 formed in the slit 27c and the control wiring 15 extending from the circuit layer 10. In this way, the first inorganic insulating film 51 covers the entire area below the conductive film 50, so that a short circuit occurs between the conductive film 50 and the conductive layer (for example, the control wiring 15) formed thereunder. Can be prevented at the slit 27c.

また、図１２に示すように、導電膜５０と円偏光板７０（第１上部粘着層６０）との間には、タッチセンサ用配線９０が形成されている。第４の実施形態に係る表示装置１Ｄには、図２等に示したタッチパネル１４０に代えて、図示しないタッチセンサが配置されており、タッチセンサ用配線９０は、このタッチセンサと電気的に接続する。タッチセンサは、例えば、投影型静電容量方式のタッチセンサであり、表示領域２に対するユーザの指などの接近・接触の有無、及びその位置を検知する。 Further, as shown in FIG. 12, a touch sensor wiring 90 is formed between the conductive film 50 and the circularly polarizing plate 70 (first upper adhesive layer 60). In the display device 1D according to the fourth embodiment, a touch sensor (not shown) is arranged instead of the touch panel 140 shown in FIG. 2 and the like, and the touch sensor wiring 90 is electrically connected to the touch sensor. To do. The touch sensor is, for example, a projection capacitive touch sensor, and detects whether or not the user's finger or the like approaches or contacts the display area 2 and the position thereof.

なお、タッチセンサ用配線９０は、導電膜５０と同様に、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃと第１及び第２の無機封止膜４１，４３との上に配置される導電部材である。しかし、タッチセンサ用配線９０は、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの全域と、第１及び第２の無機封止膜４１，４３の全域とを覆っていない点で、導電膜５０とは異なる。 The touch sensor wiring 90 is a conductive member disposed on the insulating films 11a, 11b, 11c and the first and second inorganic sealing films 41, 43, as with the conductive film 50. However, the touch sensor wiring 90 is different from the conductive film 50 in that it does not cover the entire areas of the insulating films 11a, 11b, and 11c and the entire areas of the first and second inorganic sealing films 41 and 43.

ここで、第２の無機絶縁膜５２は、導電膜５０とタッチセンサ用配線９０との間に配置され、導電膜５０の上側で導電膜５０の全域を覆っている。このように第２の無機絶縁膜５２が導電膜５０の上側の全域を覆うことで、導電膜５０と、この上層に形成される導電層（例えば、タッチセンサ用配線９０）との間の短絡を防止することができる。 Here, the second inorganic insulating film 52 is disposed between the conductive film 50 and the touch sensor wiring 90, and covers the entire conductive film 50 above the conductive film 50. In this way, the second inorganic insulating film 52 covers the entire area on the upper side of the conductive film 50, so that a short circuit between the conductive film 50 and a conductive layer (for example, the touch sensor wiring 90) formed thereabove. Can be prevented.

また、第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２は、導電膜５０の端部において互いに接している。このように、第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２が導電膜５０の端部を覆うことで、導電膜５０が他の導電層に接触することで生じる短絡を、より確実に防止することができる。なお、タッチセンサ用配線９０は、第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２を貫通する孔であるコンタクトホールＣＨ２を介して第２の外側有機膜２７ｂに到達している。コンタクトホールＣＨ２は、導電膜５０の端部から外側に離れた位置に形成されている。第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２が互いに接する箇所を設けることで、コンタクトホールＣＨ２内の導電物であるタッチセンサ用配線９０と、導電膜５０とが短絡することを防ぐことができる。 Further, the first and second inorganic insulating films 51 and 52 are in contact with each other at the end portion of the conductive film 50. As described above, the first and second inorganic insulating films 51 and 52 cover the end portions of the conductive film 50, thereby more reliably preventing a short circuit caused by the conductive film 50 coming into contact with another conductive layer. be able to. The touch sensor wiring 90 reaches the second outer organic film 27b through the contact hole CH2, which is a hole penetrating the first and second inorganic insulating films 51 and 52. The contact hole CH2 is formed at a position away from the end of the conductive film 50 to the outside. By providing a portion where the first and second inorganic insulating films 51 and 52 are in contact with each other, it is possible to prevent the touch sensor wiring 90, which is a conductor in the contact hole CH2, and the conductive film 50 from being short-circuited. ..

以上のように、第４の実施形態に係る表示装置１Ｄでは、導電膜５０と第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２が第１及び第２の外側有機膜２７ａと第２の外側有機膜２７ｂとの間（スリット２７ｃ）を覆っている。このようにすることで、絶縁膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの端部から発生したアルカリイオンが円偏光板７０に侵入することをより広範囲で防ぎ、円偏光板７０の劣化をより確実に防止することができる。特にスリット２７ｃの領域をアルカリイオンが通ることを防げる。また、第１及び第２の無機絶縁膜５１，５２が導電膜５０の全域を覆うことで、導電膜５０と他の導電層との短絡を防止することができる。 As described above, in the display device 1D according to the fourth embodiment, the conductive film 50 and the first and second inorganic insulating films 51 and 52 are the first and second outer organic films 27a and the second outer organic films. It covers the space between the film 27b (slit 27c). By doing so, it is possible to prevent alkaline ions generated from the end portions of the insulating films 11a, 11b, and 11c from entering the circularly polarizing plate 70 in a wider range, and to prevent the deterioration of the circularly polarizing plate 70 more reliably. You can In particular, alkali ions can be prevented from passing through the area of the slit 27c. Further, the first and second inorganic insulating films 51 and 52 cover the entire area of the conductive film 50, so that a short circuit between the conductive film 50 and another conductive layer can be prevented.

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ 表示装置、１００ 基板、２ 表示領域、３ 額縁領域、４ 湾曲領域、５ 取付領域、１０ 回路層、１１ 絶縁層、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ 絶縁膜、１２ 薄膜トランジスタ、１２ａ 半導体、１２ｂ ソース電極、１２ｃ ドレイン電極、１２ｄ ゲート電極、１５ 制御用配線、１６ 導電部、２０ 平坦化膜、２４ バンク、２５ 中間有機膜、２６ 中間追加有機膜、２７，２７Ｂ，２７ａ，２７ｂ 外側有機膜、２７ｃ スリット、２８ 外側追加有機膜、２９ 補充有機膜、３０ 機能層、３１ 下部電極、３２ 発光層、３２ａ ホール注入／輸送膜、３２ｂ 有機発光膜、３２ｃ 電子注入／輸送膜、３３ 上部電極、４０ 封止層、４１ 第１の無機封止膜、４２ 有機封止膜、４３ 第２の無機封止膜、４５ 有機保護膜、５０ 導電膜、５０ａ 傾斜面、５０ｂ 凹部、５１ 第１の無機絶縁膜、５２ 第２の無機絶縁膜、６０ 第１上部粘着層、７０ 円偏光板、７１ 位相差板、７２ 直線偏光板、８０ 調整用絶縁膜、９０ タッチセンサ用配線、１１０ 下部粘着層、１２０ 補強フィルム、１３０ 第２上部粘着層、１４０ タッチパネル、１５０ カバー部材、２１０ 第１回路基板、２２０ 第２回路基板、２３０ 駆動ＩＣ、２４１，２４２ 端子、ＣＨ１，ＣＨ２ コンタクトホール、ＯＰ バンク開口。 1A, 1B, 1C, 1D display device, 100 substrate, 2 display region, 3 frame region, 4 curved region, 5 mounting region, 10 circuit layer, 11 insulating layer, 11a, 11b, 11c insulating film, 12 thin film transistor, 12a semiconductor , 12b source electrode, 12c drain electrode, 12d gate electrode, 15 control wiring, 16 conductive part, 20 planarizing film, 24 bank, 25 intermediate organic film, 26 intermediate additional organic film, 27, 27B, 27a, 27b outer organic Membrane, 27c slit, 28 outer additional organic film, 29 supplementary organic film, 30 functional layer, 31 lower electrode, 32 light emitting layer, 32a hole injection/transport film, 32b organic light emitting film, 32c electron injection/transport film, 33 upper electrode , 40 sealing layer, 41 first inorganic sealing film, 42 organic sealing film, 43 second inorganic sealing film, 45 organic protective film, 50 conductive film, 50a inclined surface, 50b concave portion, 51 first Inorganic insulating film, 52 Second inorganic insulating film, 60 First upper adhesive layer, 70 Circular polarizing plate, 71 Phase difference plate, 72 Linear polarizing plate, 80 Adjusting insulating film, 90 Touch sensor wiring, 110 Lower adhesive layer , 120 reinforcing film, 130 second upper adhesive layer, 140 touch panel, 150 cover member, 210 first circuit board, 220 second circuit board, 230 drive IC, 241,242 terminals, CH1, CH2 contact holes, OP bank openings.

Claims (8)

基板と、
前記基板の上で複数の画素ごとに設けられた複数の薄膜トランジスタを覆う絶縁シリコン窒化系膜と、
前記複数の画素ごとに設けられ、前記絶縁シリコン窒化系膜の上で前記複数の薄膜トランジスタとそれぞれ電気的に接続する複数の自発光素子層と、
前記複数の自発光素子の上に配置され、前記複数の自発光素子を覆う封止シリコン窒化系膜と、
円偏光板と、
前記封止シリコン窒化系膜と前記円偏光板との間に配置され、前記絶縁シリコン窒化系膜の全域と前記封止シリコン窒化系膜の全域とを覆う光透過性を有する導電膜と、を有する
ことを特徴とする表示装置。 Board,
An insulating silicon nitride film covering a plurality of thin film transistors provided for each of a plurality of pixels on the substrate,
A plurality of self-luminous element layers provided for each of the plurality of pixels and electrically connected to the plurality of thin film transistors respectively on the insulating silicon nitride-based film,
A sealing silicon nitride-based film disposed on the plurality of self-luminous elements and covering the plurality of self-luminous elements,
A circularly polarizing plate,
A light-transmitting conductive film that is disposed between the sealing silicon nitride-based film and the circularly polarizing plate and covers the entire area of the insulating silicon nitride-based film and the entire area of the sealing silicon nitride-based film. A display device having. 請求項１に記載の表示装置において、
前記絶縁シリコン窒化系膜の端部は、前記封止シリコン窒化系膜の端部よりも外側に配置されており、
前記導電膜の端部は、前記絶縁シリコン窒化系膜の端部よりも外側に配置されている
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 1,
The end of the insulating silicon nitride-based film is arranged outside the end of the sealing silicon nitride-based film,
The display device is characterized in that an end portion of the conductive film is arranged outside an end portion of the insulating silicon nitride-based film. 請求項１又は２に記載の表示装置において、
前記円偏光板と接着し光透過性を有する粘着層と、
前記絶縁シリコン窒化系膜の端部を覆い、前記封止シリコン窒化系膜の端部と接している有機膜と、を更に有し、
前記有機膜の端部は、前記絶縁シリコン窒化系膜の端部よりも外側に配置されており、
前記導電膜の端部は、前記有機膜の端部よりも外側に配置されている
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 1 or 2,
An adhesive layer that adheres to the circularly polarizing plate and has optical transparency,
An organic film that covers the end of the insulating silicon nitride-based film and is in contact with the end of the sealing silicon nitride-based film,
The end portion of the organic film is arranged outside the end portion of the insulating silicon nitride-based film,
The display device, wherein the end portion of the conductive film is arranged outside the end portion of the organic film. 請求項１又は２に記載の表示装置において、
前記円偏光板と接着し光透過性を有する粘着層と、
前記導電膜の端部を覆う有機膜と、を更に有し、
前記導電膜は、外側且つ下方へ伸びている傾斜面を有し、
前記有機膜は、前記導電膜の前記傾斜面と前記基板の端部との間に形成されている
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 1 or 2,
An adhesive layer that adheres to the circularly polarizing plate and has optical transparency,
Further comprising an organic film covering an end portion of the conductive film,
The conductive film has an inclined surface extending outward and downward,
The display device, wherein the organic film is formed between the inclined surface of the conductive film and an end portion of the substrate. 請求項３に記載の表示装置において、
平面視で前記複数の画素が形成されている表示領域と、
前記表示領域から離れた位置で前記基板が湾曲可能に形成される湾曲領域と、
前記有機膜と同相に形成され、前記湾曲領域を覆う第２有機層と、を更に有し
前記有機膜は、前記第２有機膜から離れた位置に形成されており、
前記導電膜は、有機膜と前記第２有機膜との間を覆っている
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 3,
A display area in which the plurality of pixels are formed in a plan view,
A curved region in which the substrate is formed to be curvable at a position away from the display region,
A second organic layer formed in the same phase as the organic film and covering the curved region; and the organic film is formed at a position away from the second organic film,
The display device, wherein the conductive film covers a space between the organic film and the second organic film. 請求項１乃至５のいずれか１つに記載の表示装置において、
前記絶縁シリコン窒化系膜と前記導電膜との間に配置され、前記導電膜の全域を覆う無機絶縁膜を更に有する
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to any one of claims 1 to 5,
The display device further includes an inorganic insulating film that is disposed between the insulating silicon nitride film and the conductive film and covers the entire area of the conductive film. 請求項６に記載の表示装置において、
前記導電膜と前記円偏光板との間に配置されるタッチセンサ用配線と、
前記導電膜と前記タッチセンサ用配線との間に配置され、前記導電膜の全域を覆う第２無機絶縁膜と、を更に有する
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 6,
Wiring for a touch sensor arranged between the conductive film and the circularly polarizing plate,
A display device, further comprising: a second inorganic insulating film that is disposed between the conductive film and the touch sensor wiring and covers the entire area of the conductive film. 請求項７に記載の表示装置において、
前記導電膜の端部において、前記無機絶縁膜は、前記第２無機絶縁膜と接している
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 7,
The display device, wherein the inorganic insulating film is in contact with the second inorganic insulating film at an end of the conductive film.
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