JP2020109860A - 光ビーム計測装置 - Google Patents
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Abstract
Description
rFエキシマレーザ装置が用いられている。
第2の分離基板と、を備え、前記第1の分離基板は、一方の面より入射したレーザ光が前記一方の面において一部反射されることにより、前記レーザ光の一部が分離されるように構成され、前記第2の分離基板は、前記第1の分離基板の一方の面に入射したレーザ光のうち、前記第1の分離基板を透過したレーザ光が前記第1の分離基板の他方の面より出射して、前記第2の分離基板の一方の面に入射し、前記第2の分離基板の他方の面より出射するように構成され、前記第1の分離基板の一方の面と前記第2の分離基板の他方の面とは略平行であり、前記第1の分離基板の他方の面と前記第2の分離基板の一方の面とは略平行であり、前記レーザ光の光路における前記第1の分離基板の厚さと前記第2の分離基板の厚さは略等しくともよい。
1.用語の説明
2.レーザ装置
2.1 課題
2.2 構成
2.3 動作
2.4 作用
3.光ビーム分離部(光ビーム分離装置)
3.1 構成
3.2 動作
3.3 作用
3.4 CaF2結晶の結晶方位
4.第1の実施の形態(光ビーム計測装置)
4.1 構成
4.2 動作
4.3 作用
4.4 偏光計測
4.5 ビームプロファイル計測
4.6 レーザビーム進行方向の安定性計測
5.第2の実施の形態(光ビーム計測装置)
6.光ビーム計測装置における計測方法
6.1 第1の実施の形態における光ビーム計測装置による光ビームの計測方法
6.2 第2の実施の形態における光ビーム計測装置による光ビームの計測方法
7.第3の実施の形態(レーザ装置)
8.制御部
9.光ビーム分離部の具体的な構成
10.第4の実施の形態(光ビーム計測装置)
本開示において使用される用語を、以下のように定義する。「光路」とは、レーザ光が通過する経路である。「光路長」とは、実際に光が通過する距離と、光が通過した媒質の屈折率の積である。「増幅波長領域」とは、増幅領域をレーザ光が通過したときに増幅可能な波長帯域である。
方向がX方向と定義され、X方向およびZ方向と垂直な方向がY方向と定義される。レーザ光の進行方向がZ方向であるが、説明において、X方向とY方向は言及するレーザ光の位置によって変化する場合がある。例えば、レーザ光の進行方向(Z方向)がX−Z平面内で変化した場合、進行方向変化後のX方向は進行方向の変化に応じて向きを変えるが、Y方向は変化しない。一方、レーザ光の進行方向(Z方向)がY−Z平面内で変化した場合、進行方向変化後のY方向は進行方向の変化に応じて向きを変えるが、X方向は変化しない。尚、本願においては、X方向をH方向と、Y方向をV方向と記載する場合がある。
2.1 課題
ところで、KrF、ArF等のエキシマレーザ装置においては、出射されるパルスレーザ光のビームプロファイル、レーザビーム進行方向の安定性、偏光度等を計測するための光ビーム計測装置が設けられている場合がある。このような、光ビーム計測装置は、エキシマレーザ装置の内部に設置されるため、小型であることが好ましい。また、長時間、強いパルスレーザ光が照射されても耐えうる耐久性が高いものであることが好ましい。また、エキシマレーザ装置内に、光ビーム計測装置を設置しても、出射されるレーザ光の光軸が変化しないものであることが好ましい。
図1に、本開示の一態様であるエキシマレーザ装置を示す。尚、本願においては、「エキシマレーザ装置」を単に「レーザ装置」と記載する場合がある。本開示のレーザ装置は、ダブルチャンバ方式のレーザ装置であってもよい。具体的には、本開示のレーザ装置は、MO(Master Oscillator)100、PO(Power Oscillator)200、光ビーム計測装置300、第1の高反射ミラー411、第2の高反射ミラー412、レーザ制御部420、エネルギ制御部421、波長制御部422、データ収集処理システム430等を含んでいてもよい。
ール114では、グレーティング114cはリトロー配置されており、レーザ装置が目標波長で発振してもよい。回転ステージ114dは波長調節部120に接続されており、回転ステージ114dによりプリズム114bを回転させることにより波長を調節してもよい。
り反射されて分岐されたパルスレーザ光は、更にビームスプリッタ223により、ビームスプリッタ223を透過するパルスレーザ光と反射するパルスレーザ光とに分岐してもよい。ビームスプリッタ223を透過したパルスレーザ光は、スペクトル計測器222に入射してもよい。ビームスプリッタ223により反射されたパルスレーザ光は、POエネルギ計測器221に入射してもよい。スペクトル計測器222において計測されたパルスレーザ光のスペクトルの情報は、波長制御部422に送信されてもよい。POエネルギ計測器221において計測されたパルスエネルギの値は、エネルギ制御部421に送信されてもよい。
レーザ制御部420は、露光装置500における露光装置制御部510から目標のパルスエネルギEtと目標波長λt、発光トリガ信号等を受信してもよい。レーザ制御部420は、受信した目標のパルスエネルギEtと発光トリガ信号等をエネルギ制御部421に送信してもよく、受信した目標の波長λtを波長制御部422に送信してもよい。
光ビーム計測装置300は、PO200より出射されたパルスレーザ光のビームプロファイルと、ビームダイバージェンス、レーザビーム進行方向の安定性、偏光度等を計測してもよい。これにより、PO200から出射され、露光装置500に入射するパルスレーザ光のビーム特性のデータを収集してもよい。
3.1 構成
図2及び図3に示されるように、光ビーム分離部340は、分離部ビームスプリッタ341、分離部キャンセルウインド342を含んでいてもよい。尚、本願においては、分離部ビームスプリッタ341を第1の分離基板、分離部キャンセルウインド342を第2の分離基板と記載する場合がある。
POレーザ光計測部220おけるビームスプリッタ224を透過したパルスレーザ光は、分離部ビームスプリッタ341の一方の面341aに入射角45°で入射し、一部反射されてもよい。分離部ビームスプリッタ341の一方の面341aに入射したパルスレーザ光は、フレネル反射によって、図4に示されるようなP偏光とS偏光との比率で反射されてもよい。
光ビーム分離部340では、分離部ビームスプリッタ341によりずれたパルスレーザ光の光軸を分離部キャンセルウインド342により補正し、光ビーム分離部340の有無により光軸のズレが生じることを抑制してもよい。分離部ビームスプリッタ341における他方の面341bと分離部キャンセルウインド342における一方の面342aは、ブリュースタ角(=56.34°)で、各々パルスレーザ光が出射及び入射するため、H方向の偏光成分の光の反射を抑制してもよい。
CaF2結晶により形成されている分離部ビームスプリッタ341の一方の面341aは、<111>軸が略垂直となるように研磨されていてもよい。CaF2結晶により形成されている分離部キャンセルウインド342の他方の面34bは、<111>軸が略垂直となるように研磨されていてもよい。
4.1 構成
次に、図7A及び図7Bに基づき第1の実施の形態における光ビーム計測装置300について説明する。尚、図7Aは、光ビーム計測装置300において、HZ面に平行な面における平面図であり、図7Bは、光ビーム計測装置300において、HV面に平行な面における平面図である。図7A及び図7Bにおける座標軸は、露光装置に進行するパルスレーザ光の座標軸を示している。
偏光計測器310においては、第1の計測部ビームスプリッタ311において反射されたパルスレーザ光は、反射光の中央部がアパーチャ312の開口部を通過し、減光板31
3において光量調節された後、ローションプリズム314に入射してもよい。ローションプリズム314に入射したパルスレーザ光は、ローションプリズム314において、V方向の偏光成分とH方向の偏光成分に分離されてもよい。ローションプリズム314において、V方向の偏光成分とH方向の偏光成分に分離されたパルスレーザ光は、イメージセンサ315により検出されてもよい。
分離部ビームスプリッタ341の入射面と第1の計測部ビームスプリッタ311の入射面とは直交しており、パルスレーザ光は同じ入射角45°で入射していてもよい。よって、P偏光とS偏光の反射率の関係から、分離部ビームスプリッタ341に入射するパルスレーザ光の偏光度と第1の計測部ビームスプリッタ311の反射光の偏光度とは同等となり、偏光が維持されてもよい。
次に、図8に基づき、光ビーム計測装置300における偏光計測器310において測定される偏光計測について説明する。図8は、偏光計測器310におけるイメージセンサ315において検出されるV方向の偏光成分とH方向の偏光成分に分離されたパルスレーザ光の様子を示すものである。図8に示すように、イメージセンサ315においては、V方向の偏光成分のピーク強度PvとH方向の偏光成分のピーク強度Phを検出することができる。これらに基づき、偏光度Pは、下記の(1)に示す式より算出することができる。
P=(Ph−Pv)/(Ph+Pv)・・・(1)
次に、図9に基づき、光ビーム計測装置300におけるビームプロファイル計測器320において測定されるビームプロファイル計測について説明する。図9は、ビームプロファイル計測器320におけるイメージセンサ323において検出されたパルスレーザ光の
ビームプロファイルを示す。パルスレーザ光のピーク強度に対し、V方向において光強度が1/e2となる双方の端の座標をV1、V2とした場合、光ビームにおけるV方向の中心座標Bcvは、下記の(2)に示す式より算出することができる。
Bcv=(V1+V2)/2・・・・・(2)
Bch=(H1+H2)/2・・・・・(3)
次に、図10に基づき、光ビーム計測装置300におけるレーザビーム進行方向の安定性計測器330において測定されるレーザビーム進行方向の安定性計測について説明する。図10は、レーザビーム進行方向の安定性計測器330におけるイメージセンサ334において検出されたパルスレーザ光のレーザビーム進行方向の安定性計測画像である。
次に、図11、図12A及び図12Bに基づき第2の実施の形態における光ビーム計測装置について説明する。尚、図11は第2の実施の形態における光ビーム計測装置の概要図であり、一部の構成要素が省略されている。また、図12Aは、本実施の形態における光ビーム計測装置において、HZ面に平行な面における平面図であり、図12Bは、本実施の形態における光ビーム計測装置において、HV面に平行な面における平面図である。また、図11、図12A及び図12Bにおける座標軸は、露光装置に進行するパルスレーザ光の座標軸を示している。尚、本実施の形態における光ビーム計測装置は、図1等に記載されている第1の実施の形態における光ビーム計測装置300と置き換えて用いることができる。
6.1 第1の実施の形態における光ビーム計測装置による光ビームの計測方法
次に、図13に基づき第1の実施の形態における光ビーム計測装置による光ビームの計測方法について説明する。
次に、図17に基づき第2の実施の形態における光ビーム計測装置による光ビームの計測方法について説明する。
eを加え、新たな光強度積算値Pesumとしてもよい。
算部により、偏光度Pを算出するためのXの値を光強度積算値Pbsum及び光強度積算値Pesumより算出してもよい。具体的には、Xの値は、X=Pbsum/Pesumより算出してもよい。
次に、図20に基づき第3の実施の形態におけるレーザ装置について説明する。本実施の形態は、第2の実施の形態において、第1の偏光計測器を光ビーム計測装置の外の光ビーム分離部340の前段に設けた構造のものである。尚、図20における座標軸は、露光装置に進行するパルスレーザ光の座標軸を示している。
次に、図21に基づき本開示のレーザ装置におけるレーザ制御部420等の各制御部について説明する。
図22は、光ビーム分離部の構成を例示する図である。図22に例示される光ビーム分離部340は、分離部ビームスプリッタ341、分離部キャンセルウインド342、第一のホルダ801、第二のホルダ802、及びハウジング803を含んでもよい。分離部ビームスプリッタ341及び分離部キャンセルウインド342の各々は、コート無しのウエッジ基板であってもよい。分離部ビームスプリッタ341及び分離部キャンセルウインド342の各々は、例えば、CaF2の結晶(線膨張係数:約1.84×10−7)で作られてもよい。分離部ビームスプリッタ341及び分離部キャンセルウインド342は、同一の寸法を有してもよい。分離部ビームスプリッタ341は、第一のホルダ801内に保持されてもよい。分離部キャンセルウインド342は、第二のホルダ802内に保持されてもよい。第一のホルダ801及び第二のホルダ802は、ハウジング803内に設けられてもよい。
るレーザ光は、計測器へ入射してもよい。計測器は、偏光計測器310、ビームプロファイル計測器320、又はレーザビーム進行方向の安定性計測器330のような計測器であってもよい。分離部ビームスプリッタ341に入射して分離部ビームスプリッタ341を透過するレーザ光は、分離部ビームスプリッタ341によって屈折されて分離部キャンセルウインド342に入射してもよい。分離部キャンセルウインド342に入射するレーザ光は、分離部キャンセルウインド342によって反対側に屈折されて分離部キャンセルウインド342を透過してもよい。分離部キャンセルウインド342を透過したレーザ光は、露光装置500側に向かって出力されてもよい。分離部ビームスプリッタ341及び分離部キャンセルウインド342は、露光装置500側に向かって出力されるレーザ光の軸が、分離部ビームスプリッタ341に入射するレーザ光の軸と一致するように、設けられてもよい。
、スーパーインバーで作られる場合には、スペーサ805の熱変形が改善され得る。それによって、分離部ビームスプリッタ341に入射するレーザ光の軸に対する露光装置500側に向かって出力されるレーザ光の軸のずれが低減され得る。
次に、図26A及び図26Bに基づき第4の実施の形態における光ビーム計測装置について説明する。尚、図26Aは、本実施の形態における光ビーム計測装置において、HZ面に平行な面における平面図であり、図26Bは、本実施の形態における光ビーム計測装置において、HV面に平行な面における平面図である。また、図26A及び図26Bにおける座標軸は、露光装置に進行するパルスレーザ光の座標軸を示している。尚、本実施の形態における光ビーム計測装置は、図1等に記載されている第1の実施の形態における光
ビーム計測装置300、又は、図11等に記載されている第2の実施の形態における光ビーム計測装置300と置き換えて用いることができる。
第1のキャンセルウインド627は、第1の計測部ビームスプリッタ311を透過したパルスレーザ光の光路軸を、第1の計測部ビームスプリッタ311に入射するパルスレーザ光の光路軸と略平行となるように補正してもよい。
尚、第1の計測部ビームスプリッタ311に入射するパルスレーザ光は、光ビーム分離部340において分離されたパルスレーザ光であり得る。
第2のキャンセルウインド639は、第2の計測部ビームスプリッタ321を透過したパルスレーザ光の光路軸を、第2の計測部ビームスプリッタ321に入射するパルスレーザ光の光路軸と略平行となるように補正してもよい。
それにより、レーザビーム進行方向の安定性計測器630では、計測データの歪みが抑制され得る。
この場合、第1の計測部ビームスプリッタ311及び第1のキャンセルウインド627は、ペアリングされて、互いに略同一の構造及び特性を有するウエッジ基板により形成されてもよい。第2の計測部ビームスプリッタ321及び第2のキャンセルウインド639は、ペアリングされて、互いに略同一の構造及び特性を有するウエッジ基板により形成されてもよい。第3の計測部ビームスプリッタ332及びキャンセルウインド638は、ペアリングされて、互いに略同一の構造及び特性を有するウエッジ基板により形成されてもよい。
そして、第1の計測部ビームスプリッタ311のパルスレーザ光が入射する側の面と、第1のキャンセルウインド627のパルスレーザ光が出射する側の面とは、略平行であってもよい。第1の計測部ビームスプリッタ311のパルスレーザ光が出射する側の面と、第1のキャンセルウインド627のパルスレーザ光が入射する側の面とは、略平行であってもよい。第2の計測部ビームスプリッタ321のパルスレーザ光が入射する側の面と、第2のキャンセルウインド639のパルスレーザ光が出射する側の面とは、略平行であってもよい。第2の計測部ビームスプリッタ321のパルスレーザ光が出射する側の面と、第2のキャンセルウインド639のパルスレーザ光が入射する側の面とは、略平行であってもよい。第3の計測部ビームスプリッタ332のパルスレーザ光が入射する側の面と、キャンセルウインド638のパルスレーザ光が出射する側の面とは、略平行であってもよい。第3の計測部ビームスプリッタ332のパルスレーザ光が出射する側の面と、キャンセルウインド638のパルスレーザ光が入射する側の面とは、略平行であってもよい。
この場合、第1の計測部ビームスプリッタ311、第2の計測部ビームスプリッタ321、及び第3の計測部ビームスプリッタ332のそれぞれは、パルスレーザ光が入射する側の面が、CaF2結晶の<111>軸が略垂直となるように研磨されてもよい。加えて、第1のキャンセルウインド627、第2のキャンセルウインド639、及びキャンセルウインド638のそれぞれは、パルスレーザ光が出射する側の面が、CaF2結晶の<111>軸が略垂直となるように研磨されてもよい。
更にこの場合、第1の計測部ビームスプリッタ311、第2の計測部ビームスプリッタ321、及び第3の計測部ビームスプリッタ332のそれぞれは、パルスレーザ光が入射する側の面の法線<111>軸から見て、入射するパルスレーザ光の光路軸と<001>軸とのなす角度が約60°となるように設置されてもよい。言い換えるならば、第1の計測部ビームスプリッタ311、第2の計測部ビームスプリッタ321、及び第3の計測部ビームスプリッタ332のそれぞれは、入射するパルスレーザ光の光路がCaF2結晶の<111>軸及び<010>軸を含む面と略平行となるように設置されてもよい。加えて、第1のキャンセルウインド627、第2のキャンセルウインド639、及びキャンセルウインド638のそれぞれは、パルスレーザ光が出射する側の面の法線<111>軸から
見て、出射するパルスレーザ光の光路軸と<001>軸とのなす角度が約60°となるように設置されてもよい。言い換えるならば、第1のキャンセルウインド627、第2のキャンセルウインド639、及びキャンセルウインド638のそれぞれは、出射するパルスレーザ光の光路がCaF2結晶の<111>軸及び<010>軸を含む面と略平行となるように設置されてもよい。
110 MOレーザチャンバ
110a ウインド
110b ウインド
111a 電極(第1の電極)
111b 電極(第2の電極)
112 MO充電器
113 MO−PPM
113a スイッチ
114 狭帯域化モジュール
114a プリズム
114b プリズム
114c グレーティング
114d 回転ステージ
115 出力結合ミラー
117 MOエネルギ計測器
120 波長調整部
200 PO
210 POレーザチャンバ
210a ウインド
210b ウインド
211a 電極(第1の電極)
211b 電極(第2の電極)
212 PO充電器
213 PO−PPM
213a スイッチ
215 分反射ミラー
216 出力結合ミラー
220 POレーザ光計測部
221 POエネルギ計測器
222 スペクトル計測器
223 ビームスプリッタ
224 ビームスプリッタ
300 光ビーム計測装置
310 偏光計測器
311 第1の計測部ビームスプリッタ
312 アパーチャ
313 減光板
314 ローションプリズム
315 イメージセンサ
320 ビームプロファイル計測器
321 第2の計測部ビームスプリッタ
322 転写光学系
323 イメージセンサ
330 レーザビーム進行方向の安定性計測器
331 計測部キャンセルウインド
332 第3の計測部ビームスプリッタ
333 集光光学系
334 イメージセンサ
340 光ビーム分離部
341 分離部ビームスプリッタ
342 分離部キャンセルウインド
350 制御部
360 ビーム計測制御部
420 レーザ制御部
421 エネルギ制御部
422 波長制御部
430 データ収集処理システム
440 FDCシステム
500 露光装置
510 露光装置制御部
801 第一のホルダ
802 第二のホルダ
803 ハウジング
804 フランジ
805 スペーサ
806 突起部
807 円環板ばね
808 くさび部分
809 押さえリング
810 ボルト
811 Oリング
Claims (20)
- レーザ光の光路上に設置された第1の計測部ビームスプリッタを含み、前記第1の計測部ビームスプリッタにおいて一部反射されたレーザ光の偏光状態を計測する偏光計測器と、
前記レーザ光の光路上に設置された第2の計測部ビームスプリッタを含み、前記第2の計測部ビームスプリッタにおいて一部反射されたレーザ光のビームプロファイルを計測するビームプロファイル計測器と、
レーザ光のレーザビーム進行方向の安定性を計測するレーザビーム進行方向の安定性計測器と、
を備え、
前記第1の計測部ビームスプリッタ及び前記第2の計測部ビームスプリッタは、CaF2を含む材料により形成されている光ビーム計測装置。 - 前記第1の計測部ビームスプリッタを透過したレーザ光が、前記第2の計測部ビームスプリッタに入射するように構成された請求項1に記載の光ビーム計測装置。
- 前記レーザビーム進行方向の安定性計測器は、前記レーザ光の光路上に設置された第3の計測部ビームスプリッタを含んでおり、前記第3の計測部ビームスプリッタにおいて一部反射されたレーザ光のレーザビーム進行方向の安定性を計測するように構成され、
前記第3の計測部ビームスプリッタは、CaF2を含む材料により形成されている請求項1に記載の光ビーム計測装置。 - 前記第1の計測部ビームスプリッタを透過したレーザ光が、前記第2の計測部ビームスプリッタに入射し、
前記第2の計測部ビームスプリッタを透過したレーザ光が、前記第3の計測部ビームスプリッタに入射するように構成された請求項3に記載の光ビーム計測装置。 - レーザ光の一部を反射して前記第1の計測部ビームスプリッタに入射させるように構成された、レーザ光を分離する光ビーム分離部を備え、
前記光ビーム分離部は、CaF2を含む材料により形成されている請求項1に記載の光ビーム計測装置。 - 前記偏光計測器は第1の偏光計測器と第2の偏光計測器を含み、
前記第1の偏光計測器及び前記第2の偏光計測器のうちの一方または双方は、レーザ光の偏光成分を検出するように構成された請求項1に記載の光ビーム計測装置。 - 前記偏光計測器は、前記レーザ光の偏光成分を検出するように構成された請求項1に記載の光ビーム計測装置。
- レーザ光の偏光状態を計測する偏光計測器と、
レーザ光のビームプロファイルを計測するビームプロファイル計測器と、
レーザ光のレーザビーム進行方向の安定性を計測するレーザビーム進行方向の安定性計測器と、
CaF2を含む材料により形成され、前記レーザ光の光路上に設置された複数の計測部ビームスプリッタと、
を備え、
前記偏光計測器、前記ビームプロファイル計測器及び前記レーザビーム進行方向の安定性計測器の各々は、複数の前記計測部ビームスプリッタにより各々分岐されたレーザ光を計測する光ビーム計測装置。 - レーザ光を出射するレーザチャンバと、
出射されたレーザ光を計測する請求項1に記載の光ビーム計測装置と、
を含むレーザ装置。 - ウエッジ基板により形成され、レーザ光の光路上に設置された第1の分離基板と、
ウエッジ基板により形成され、前記レーザ光の光路上に設置された第2の分離基板と、
を備え、
前記第1の分離基板は、一方の面より入射したレーザ光が前記一方の面において一部反射されることにより、前記レーザ光の一部が分離されるように構成され、
前記第2の分離基板は、前記第1の分離基板の一方の面に入射したレーザ光のうち、前記第1の分離基板を透過したレーザ光が前記第1の分離基板の他方の面より出射して、前記第2の分離基板の一方の面に入射し、前記第2の分離基板の他方の面より出射するように構成され、
前記第1の分離基板の一方の面と前記第2の分離基板の他方の面とは略平行であり、
前記第1の分離基板の他方の面と前記第2の分離基板の一方の面とは略平行であり、
前記レーザ光の光路における前記第1の分離基板の厚さと前記第2の分離基板の厚さは略等しい光ビーム分離装置。 - 前記第1の分離基板に入射するレーザ光の光軸と、前記第2の分離基板より出射されるレーザ光の光軸とは、略一致している請求項10に記載の光ビーム分離装置。
- 前記第1の分離基板及び前記第2の分離基板は、CaF2を含む材料により形成されている請求項10に記載の光ビーム分離装置。
- 請求項10に記載の光ビーム分離装置と、
前記第1の分離基板の一方の面において一部反射されたレーザ光の偏光状態を計測する偏光計測器と、
前記第1の分離基板の一方の面において一部反射されたレーザ光のビームプロファイルを計測するビームプロファイル計測器と、
前記第1の分離基板の一方の面において一部反射されたレーザ光のレーザビーム進行方向の安定性を計測するレーザビーム進行方向の安定性計測器と、
を含む光ビーム計測装置。 - レーザ光を出射するレーザチャンバと、
出射されたレーザ光を計測する請求項13に記載の光ビーム計測装置と、
を含むレーザ装置。 - 前記第1の計測部ビームスプリッタを透過したレーザ光の光路上に設置され、当該第1の計測部ビームスプリッタを透過したレーザ光の光路軸を、前記第1の計測部ビームスプリッタに入射するレーザ光の光路軸と略平行となるように補正する第1のキャンセルウインドと、
前記第2の計測部ビームスプリッタを透過したレーザ光の光路上に設置され、当該第2の計測部ビームスプリッタを透過したレーザ光の光路軸を、前記第2の計測部ビームスプリッタに入射するレーザ光の光路軸と略平行となるように補正する第2のキャンセルウインドと、
を含む請求項7に記載の光ビーム計測装置。 - 前記レーザビーム進行方向の安定性計測器は、前記レーザ光の光路上に配置された第3の計測部ビームスプリッタを含んでおり、前記第3の計測部ビームスプリッタにおいて一
部反射されたレーザ光のレーザビーム進行方向の安定性を計測するように構成され、
前記第3の計測部ビームスプリッタは、CaF2を含む材料により形成されており、
前記第1のキャンセルウインドは、前記第1の計測部ビームスプリッタと前記第2の計測部ビームスプリッタとの間に設置され、
前記第2のキャンセルウインドは、前記第2の計測部ビームスプリッタと前記第3の計測部ビームスプリッタとの間に設置されている
請求項15に記載の光ビーム計測装置。 - 前記ビームプロファイル計測器は、前記第1のキャンセルウインドを透過して、前記第2の計測部ビームスプリッタにおいて一部反射されたレーザ光のビームプロファイルを計測し、
前記レーザビーム進行方向の安定性計測器は、前記第2のキャンセルウインドを透過して、前記第3の計測部ビームスプリッタにおいて一部反射されたレーザ光のレーザビーム進行方向の安定性を計測する
請求項16に記載の光ビーム計測装置。 - 前記第1の分離基板は、当該第1の分離基板の一方の面より入射するレーザ光の入射角が45°となり、当該第1の分離基板の他方の面より出射するレーザ光の出射角がブリュースタ角となるように設置され、
前記第2の分離基板は、当該第2の分離基板の一方の面より入射するレーザ光の入射角がブリュースタ角となり、当該第2の分離基板の他方の面より出射するレーザ光の出射角が45°となるように設置されている
請求項11に記載の光ビーム分離装置。 - 前記第1の分離基板及び前記第2の分離基板は、CaF2結晶を含む材料により形成されていると共に、
前記第1の分離基板の一方の面は、CaF2結晶の<111>軸が略垂直となるように研磨され、
前記第2の分離基板の他方の面は、CaF2結晶の<111>軸が略垂直となるように研磨されている
請求項18に記載の光ビーム分離装置。 - 前記第1の分離基板は、当該第1の分離基板の一方の面より入射するレーザ光の光路がCaF2結晶の<111>軸及び<010>軸を含む面と略平行となるように設置され、
前記第2の分離基板は、当該第2の分離基板の他方の面より出射するレーザ光の光路がCaF2結晶の<111>軸及び<010>軸を含む面と略平行となるように設置されている
請求項19に記載の光ビーム分離装置。
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