JP2020109815A - Wafer processing method - Google Patents

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Abstract

To provide a wafer processing method capable of suppressing a debris from adhering to a device.SOLUTION: A wafer processing method comprises a protection film covering step (ST1), a first laser processing step (ST3), a second laser processing step (ST4), a cutting step (ST5), and a protection film removing step (ST2). The protection film covering step covers a wafer laminate with a protection film. The first laser processing step forms two laser processing grooves in a street by irradiating both ends in a width direction of the street with a laser beam. The second laser processing step removes a laminate between two laser processing grooves together with the protection film by irradiating a laser beam along the street. The cutting step cuts a region in which a base material of the street is exposed with a cutting blade. The protection film removing step removes the protection film by irradiating a more inner side of the street than the position at which the two laser processing grooves are formed with a laser beam after the protection film covering step (ST1) and before the first laser processing step (ST3).SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、基材上に積層体が積層され、所定の幅を有した交差する複数のストリートを備えたウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method in which a laminated body is laminated on a base material and which has a plurality of intersecting streets having a predetermined width.

交差する複数のストリートで区画された領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハを個々のデバイスに分割する方法として、レーザ加工によって生じるデブリの付着防止のために、レーザ加工を実施する前にウェーハの表面を保護膜で被覆し、レーザ加工によりウェーハを個々のデバイスに分割する加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 As a method of dividing a wafer in which devices are formed in areas defined by multiple intersecting streets into individual devices, the surface of the wafer before laser processing is performed to prevent the deposition of debris caused by laser processing. There is proposed a processing method in which the wafer is covered with a protective film and the wafer is divided into individual devices by laser processing (for example, refer to Patent Document 1).

特許文献１に示された加工方法は、デバイスが低誘電率絶縁膜（以下、Ｌｏｗ−ｋ膜という）を含んでおり、Ｌｏｗ−ｋ膜の剥離防止のために、ストリートの幅方向の両端にレーザ加工により２条のレーザ加工溝を形成した後、ストリートの幅方向の中央を切削ブレードで切削加工する。 In the processing method disclosed in Patent Document 1, the device includes a low-dielectric-constant insulating film (hereinafter, referred to as a Low-k film), and in order to prevent peeling of the Low-k film, both ends of the street in the width direction are prevented. After forming two laser-processed grooves by laser processing, the widthwise center of the street is processed by a cutting blade.

特開２００５−６４２３０号公報JP, 2005-64230, A

しかしながら、特許文献１に示された加工方法は、ＴＥＧ（Test Elements Group）とＬｏｗ−ｋ膜とのうち少なくとも一方が積層されたストリートの幅方向の中央を切削する際に、ＴＥＧやＬｏｗ−ｋ膜による切削ブレードの目詰まりが発生してしまう。そこで、ウェーハを切削ブレードで切削する前に、２条のレーザ加工溝の間にレーザビームを照射してＴＥＧやＬｏｗ−ｋ膜などの積層体を除去する加工方法が考えられる。 However, the processing method disclosed in Patent Document 1 uses TEG or Low-k when cutting the widthwise center of a street in which at least one of a TEG (Test Elements Group) and a Low-k film is laminated. The film causes the cutting blade to be clogged. Therefore, before cutting the wafer with a cutting blade, a processing method of irradiating a laser beam between the two laser processing grooves to remove the laminated body such as the TEG or the Low-k film can be considered.

しかし、特許文献１に示された加工方法は、２条のレーザ加工溝を形成する際に、レーザビームの衝撃でレーザ加工溝の幅方向の両端の保護膜の剥離が生じる、即ちストリートを越えてデバイスに至る保護膜の剥離が生じる。２条のレーザ加工溝間にレーザビームを照射する加工方法は、保護膜が剥離してデバイスの上面が露出したウェーハを加工すると、レーザビームの照射で生じたデブリが保護膜の剥離によって露出したデバイスの上面に固着してしまうという問題がある。 However, in the processing method disclosed in Patent Document 1, when the two laser-processed grooves are formed, the protective film on both ends in the width direction of the laser-processed groove is peeled off by the impact of the laser beam, that is, over the street. As a result, the protective film reaching the device peels off. In the processing method of irradiating a laser beam between the two laser-processed grooves, when the wafer with the protective film peeled and the upper surface of the device exposed is processed, debris generated by the laser beam irradiation is exposed by the peeling of the protective film. There is a problem of sticking to the upper surface of the device.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、デバイスにデブリが付着することを抑制することができるウェーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a wafer processing method capable of suppressing debris from adhering to a device.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、基材上に積層体が積層され、所定の幅を有した複数のストリートを備えたウェーハの加工方法であって、該積層体の表面を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップと、該保護膜被覆ステップを実施した後、ストリートの内側で該ストリートの幅方向の両端にレーザビームをそれぞれ集光させた状態で該ストリートに沿ってレーザビームを照射し、該ストリートに２条のレーザ加工溝を形成する第１レーザ加工ステップと、該第１レーザ加工ステップを実施した後、該ストリートに沿ってレーザビームを照射することで該２条のレーザ加工溝の間の積層体を保護膜とともに除去して該基材を露出させる第２レーザ加工ステップと、該第２レーザ加工ステップを実施した後、該ストリートの該基材が露出した領域を切削ブレードで切削する切削ステップと、を備え、該保護膜被覆ステップを実施した後、該第１レーザ加工ステップを実施する前に、該２条のレーザ加工溝が形成される位置より該ストリートの内側で該ストリートの幅方向に並んだ２点にレーザビームを集光させた状態で該ストリートに沿ってレーザビームを照射して該２条のレーザ加工溝が形成される位置を含む領域の少なくとも該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を備えたことを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the wafer processing method of the present invention is a wafer processing method in which a stacked body is stacked on a base material, and a plurality of streets having a predetermined width are provided. Then, after carrying out a protective film coating step of coating the surface of the laminate with a protective film and the protective film coating step, laser beams were respectively focused on both ends in the width direction of the street inside the street. In the state, a laser beam is radiated along the street to form two laser-processed grooves on the street, and after performing the first laser-processing step, the laser beam is run along the street. A second laser processing step of exposing the base material by removing the laminated body between the two laser processing grooves together with the protective film by irradiating the substrate, and after performing the second laser processing step, A cutting step of cutting the exposed region of the base material with a cutting blade, and after performing the protective film coating step and before performing the first laser processing step, the two laser-processed grooves. The laser beam is irradiated along the street in a state in which the laser beam is focused on two points arranged in the width direction of the street inside the street from the position where A protective film removing step of removing at least the protective film in a region including a position to be formed.

前記ウェーハの加工方法において、該保護膜除去ステップと該第１レーザ加工ステップでは同じ条件で該レーザビームを照射しても良い。 In the wafer processing method, the laser beam may be irradiated under the same conditions in the protective film removing step and the first laser processing step.

本発明のウェーハの加工方法は、デバイスにデブリが付着することを抑制することができるという効果を奏する。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The wafer processing method of the present invention has an effect of preventing debris from adhering to a device.

図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed by the wafer processing method according to the first embodiment. 図２は、図１に示されたウェーハの要部の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a main part of the wafer shown in FIG. 図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment. 図４は、図３に示されたウェーハの加工方法で用いられるレーザ加工装置の構成例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a configuration example of a laser processing apparatus used in the wafer processing method shown in FIG. 図５は、図３に示されたウェーハの加工方法の保護膜被覆ステップを示す側断面図である。FIG. 5 is a side sectional view showing a protective film coating step of the wafer processing method shown in FIG. 図６は、図３に示されたウェーハの加工方法の保護膜除去ステップを示す側断面図である。FIG. 6 is a side sectional view showing a protective film removing step of the method for processing a wafer shown in FIG. 図７は、図３に示されたウェーハの加工方法の保護膜除去ステップのウェーハの要部を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing the main part of the wafer in the protective film removing step of the wafer processing method shown in FIG. 図８は、図３に示されたウェーハの加工方法の保護膜除去ステップ後のウェーハの要部を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a main part of the wafer after the protective film removing step of the wafer processing method shown in FIG. 図９は、図３に示されたウェーハの加工方法の保護膜除去ステップ後のウェーハの要部を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing an essential part of the wafer after the protective film removing step of the wafer processing method shown in FIG. 図１０は、図３に示されたウェーハの加工方法の第１レーザ加工ステップのウェーハの要部を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing an essential part of the wafer in the first laser processing step of the method for processing a wafer shown in FIG. 図１１は、図３に示されたウェーハの加工方法の第１レーザ加工ステップ後のウェーハの要部を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing the main part of the wafer after the first laser processing step of the wafer processing method shown in FIG. 図１２は、図３に示されたウェーハの加工方法の第１レーザ加工ステップ後のウェーハの要部を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing an essential part of the wafer after the first laser processing step of the wafer processing method shown in FIG. 図１３は、図３に示されたウェーハの加工方法の第２レーザ加工ステップのウェーハの要部を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing an essential part of the wafer in the second laser processing step of the method for processing the wafer shown in FIG. 図１４は、図３に示されたウェーハの加工方法の切削ステップのウェーハの要部を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing the main part of the wafer in the cutting step of the wafer processing method shown in FIG.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 Modes (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the embodiments below. Further, the components described below include those that can be easily conceived by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be appropriately combined. In addition, various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、図１に示されたウェーハの要部の断面図である。図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。 [Embodiment 1]
A wafer processing method according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed by the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 2 is a sectional view of a main part of the wafer shown in FIG. FIG. 3 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ１の加工方法である。実施形態１では、ウェーハ１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基材２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハ１は、図１及び図２に示すように、基材２を備え、基材２上に積層体３が積層されている。また、ウェーハ１は、所定の幅を有しかつ交差する複数のストリート４と、交差する複数のストリート４で区画された領域にそれぞれ形成されたデバイス５とを備える。実施形態１において、積層体３は、低誘電率絶縁膜（以下、Ｌｏｗ−ｋ膜という）を含む。なお、本発明において、積層体３は、Ｌｏｗ−ｋ膜のみでなく、Ｌｏｗ−ｋ膜に加え配線層を含んでも良い。 The wafer processing method according to the first embodiment is the wafer 1 processing method shown in FIG. In the first embodiment, the wafer 1 is a disk-shaped semiconductor wafer or optical device wafer having the base material 2 such as silicon, sapphire, or gallium arsenide. As shown in FIGS. 1 and 2, the wafer 1 includes a base material 2, and a laminated body 3 is stacked on the base material 2. The wafer 1 also includes a plurality of streets 4 having a predetermined width and intersecting with each other, and devices 5 formed in regions defined by the plurality of intersecting streets 4, respectively. In the first embodiment, the stacked body 3 includes a low dielectric constant insulating film (hereinafter, referred to as Low-k film). In the present invention, the laminated body 3 may include not only the Low-k film but also a wiring layer in addition to the Low-k film.

デバイス５は、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等である。デバイス５は、金属等から構成された回路を形成する配線層と、配線層を支持するＬｏｗ−ｋ膜とを含む。Ｌｏｗ−ｋ膜は、デバイス５を構成し、層間絶縁膜として用いられる膜である。また、実施形態１では、ウェーハ１は、ストリート４の基材２上に積層体３が積層されている。 The device 5 is an IC (Integrated Circuit), an LSI (Large Scale Integration), or the like. The device 5 includes a wiring layer that forms a circuit made of metal or the like, and a Low-k film that supports the wiring layer. The Low-k film is a film that constitutes the device 5 and is used as an interlayer insulating film. In addition, in the first embodiment, the wafer 1 has the laminated body 3 laminated on the base material 2 on the streets 4.

また、本発明では、ウェーハ１は、積層体として、ストリート４に図示しないＴＥＧ（Test Elements Group）等の金属が部分的に形成されても良い。ＴＥＧは、デバイス５に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子であり、表面に金属からなる電極パッドを有している。ＴＥＧは、ウェーハ１の種別等に応じて、任意に配置される。 Further, in the present invention, the wafer 1 may be partially formed with metal such as TEG (Test Elements Group) (not shown) on the streets 4 as a laminated body. The TEG is an element for evaluation for finding a design or manufacturing problem that occurs in the device 5, and has an electrode pad made of metal on the surface. The TEG is arbitrarily arranged according to the type of the wafer 1.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ１の各ストリート４の幅方向の両端にレーザ加工溝９を形成した後に、レーザ加工溝９間を切削して、ウェーハ１を個々のデバイス５に分割する方法である。本発明でいうレーザ加工溝９は、積層体３及び基材２に対して吸収性を有する波長のレーザビーム２００が照射されて形成され、ストリート４の幅方向の端から所定の距離４００離れた箇所の積層体３と基材２の一部とを除去したものである。なお、所定の距離４００は、レーザ加工溝９間を切削する際の切削代を確保するために極力短く、かつデバイス５に対するレーザビーム２００の熱の影響を極力抑制できる（デバイス５の所望の性能を確保できる程度）距離である。即ち、レーザ加工溝９は、レーザビーム２００が照射されて、基材２の一部と積層体３とがアブレーション加工されて形成されるものであって、デバイス５の所望の性能を確保できる程度にデバイス５に対するレーザビーム２００の熱の影響を抑制できる範囲で、ストリート４の幅方向の端寄りに形成されるものである。なお、実施形態１において、所定の距離４００は、数μｍ以上でかつ１０μｍ以下であり、例えば、７μｍである。 In the wafer processing method according to the first embodiment, after the laser processing grooves 9 are formed at both ends of each street 4 of the wafer 1 in the width direction, the laser processing grooves 9 are cut to separate the wafer 1 into individual devices 5. It is a method of dividing. The laser-machined groove 9 according to the present invention is formed by irradiating the laser beam 200 having a wavelength having an absorptivity on the laminated body 3 and the base material 2, and is separated from the end of the street 4 in the width direction by a predetermined distance 400. The laminated body 3 and a part of the base material 2 are removed. The predetermined distance 400 is as short as possible in order to secure a cutting allowance when cutting between the laser processing grooves 9, and the influence of heat of the laser beam 200 on the device 5 can be suppressed as much as possible (desired performance of the device 5). Distance). That is, the laser processing groove 9 is formed by ablation processing of a part of the base material 2 and the laminated body 3 by irradiating the laser beam 200, and is capable of ensuring the desired performance of the device 5. Further, it is formed near the end of the street 4 in the width direction within a range in which the influence of the heat of the laser beam 200 on the device 5 can be suppressed. In the first embodiment, the predetermined distance 400 is several μm or more and 10 μm or less, for example, 7 μm.

ウェーハの加工方法は、図３に示すように、保護膜被覆ステップＳＴ１と、保護膜除去ステップＳＴ２と、第１レーザ加工ステップＳＴ３と、第２レーザ加工ステップＳＴ４と、切削ステップＳＴ５とを備える。ウェーハの加工方法は、保護膜被覆ステップＳＴ１と、保護膜除去ステップＳＴ２と、第１レーザ加工ステップＳＴ３と、第２レーザ加工ステップＳＴ４とにおいて、図４に示されたレーザ加工装置２０を用いる。次に、本明細書は、レーザ加工装置２０を説明する。 As shown in FIG. 3, the wafer processing method includes a protective film covering step ST1, a protective film removing step ST2, a first laser processing step ST3, a second laser processing step ST4, and a cutting step ST5. The wafer processing method uses the laser processing apparatus 20 shown in FIG. 4 in the protective film covering step ST1, the protective film removing step ST2, the first laser processing step ST3, and the second laser processing step ST4. Next, this specification describes the laser processing apparatus 20.

（レーザ加工装置）
図４は、図３に示されたウェーハの加工方法で用いられるレーザ加工装置の構成例を示す斜視図である。レーザ加工装置２０は、図４に示すように、装置本体２１と、チャックテーブル３０と、レーザビーム照射ユニット４０と、撮像ユニット５０と、Ｘ軸移動ユニット６０と、Ｙ軸移動ユニット７０と、保護膜被覆洗浄ユニット８０と、搬送ユニット９０と、制御ユニット１００とを主に備えている。 (Laser processing equipment)
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration example of a laser processing apparatus used in the wafer processing method shown in FIG. As shown in FIG. 4, the laser processing device 20 includes a device body 21, a chuck table 30, a laser beam irradiation unit 40, an imaging unit 50, an X-axis moving unit 60, a Y-axis moving unit 70, and protection. A film coating cleaning unit 80, a transport unit 90, and a control unit 100 are mainly provided.

チャックテーブル３０は、円盤形状であり、ウェーハ１を保持する保持面３１がポーラスセラミック等から形成されている。また、チャックテーブル３０は、Ｘ軸移動ユニット６０によりＸ軸方向に移動自在で回転駆動源３２により鉛直方向に沿ったＺ軸方向と平行な軸心回りに回転自在に設けられている。チャックテーブル３０は、保持面３１にウェーハ１の積層体３の裏側の裏面１２側が載置される。チャックテーブル３０は、保持面３１が図示しない真空吸引源と接続され、真空吸引源により吸引されることで、ウェーハ１の裏面１２側を吸引保持する。 The chuck table 30 has a disc shape, and a holding surface 31 for holding the wafer 1 is formed of porous ceramic or the like. Further, the chuck table 30 is provided so as to be movable in the X-axis direction by the X-axis moving unit 60 and rotatable by the rotary drive source 32 about an axis parallel to the Z-axis direction along the vertical direction. The chuck table 30 has a holding surface 31 on which the back surface 12 side of the stacked body 3 of the wafers 1 is placed. The chuck table 30 has a holding surface 31 connected to a vacuum suction source (not shown) and sucks and holds the back surface 12 side of the wafer 1 by being sucked by the vacuum suction source.

レーザビーム照射ユニット４０は、チャックテーブル３０に保持されたウェーハ１に対して対向して配置されている。レーザビーム照射ユニット４０は、各ストリート４に沿ってウェーハ１に対して吸収性を有するレーザビーム２００を照射して、ウェーハ１をアブレーション加工するものである。レーザビーム照射ユニット４０は、装置本体２１から立設した壁部２２に連なった支持柱２３の先端に取り付けられている。また、レーザビーム照射ユニット４０は、レンズなどで構成され、かつレーザビーム２００の集光点のＺ軸方向の位置を調整可能な光学系を備える。 The laser beam irradiation unit 40 is arranged so as to face the wafer 1 held on the chuck table 30. The laser beam irradiation unit 40 irradiates the wafer 1 with a laser beam 200 having absorptivity along each street 4 to ablate the wafer 1. The laser beam irradiation unit 40 is attached to the tip of a support column 23 connected to a wall portion 22 standing upright from the apparatus body 21. Further, the laser beam irradiation unit 40 includes an optical system that is configured by a lens or the like and that can adjust the position of the focal point of the laser beam 200 in the Z-axis direction.

撮像ユニット５０は、チャックテーブル３０に保持されたウェーハ１を撮像するものであり、実施形態１では、レーザビーム照射ユニット４０とＸ軸方向に並列する位置に配設されている。実施形態１では、撮像ユニット５０は、支持柱２３の先端に取り付けられている。撮像ユニット５０は、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子等を備える。撮像ユニット５０は、撮像素子が撮像して得た画像を制御ユニット１００に出力する。 The image pickup unit 50 picks up an image of the wafer 1 held on the chuck table 30, and in the first embodiment, is arranged at a position parallel to the laser beam irradiation unit 40 in the X-axis direction. In the first embodiment, the imaging unit 50 is attached to the tip of the support column 23. The image pickup unit 50 includes an image pickup device such as a CCD (Charge Coupled Device). The imaging unit 50 outputs the image obtained by the imaging device to the control unit 100.

Ｘ軸移動ユニット６０は、チャックテーブル３０をＸ軸方向に移動するものである。Ｙ軸移動ユニット７０は、チャックテーブル３０をＹ軸方向に移動するものである。Ｘ軸移動ユニット６０、及びＹ軸移動ユニット７０は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ６１，７１、ボールねじ６１，７１を軸心回りに回転させる周知のパルスモータ６２，７２及びチャックテーブル３０をＸ軸方向、又はＹ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレール６３，７３を備える。 The X-axis moving unit 60 moves the chuck table 30 in the X-axis direction. The Y-axis moving unit 70 moves the chuck table 30 in the Y-axis direction. The X-axis moving unit 60 and the Y-axis moving unit 70 include well-known ball screws 61 and 71 rotatably provided around the axis, and well-known pulse motors 62 that rotate the ball screws 61 and 71 around the axis. Known guide rails 63 and 73 are provided for movably supporting the 72 and the chuck table 30 in the X-axis direction or the Y-axis direction.

保護膜被覆洗浄ユニット８０は、ウェーハ１の積層体３の表面に保護膜６（図６等に示す）を被覆するとともに、ウェーハ１の表面を洗浄して、保護膜６を除去するものである。保護膜被覆洗浄ユニット８０は、ウェーハ１の裏面１２側を吸引保持して、Ｚ軸方向と平行な軸心回りに回転するスピンナテーブル８１と、スピンナテーブル８１に保持されたウェーハ１の積層体３の表面に水溶性の保護膜溶液７（図５に示す）を供給する保護膜溶液供給ノズル８２と、スピンナテーブル８１に保持されたウェーハ１の表面に純水等の洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル８３とを備える。 The protective film coating cleaning unit 80 coats the surface of the laminated body 3 of the wafer 1 with the protective film 6 (shown in FIG. 6 and the like), and also cleans the surface of the wafer 1 to remove the protective film 6. .. The protective film coating cleaning unit 80 suction-holds the back surface 12 side of the wafer 1 and spins a spinner table 81 that rotates around an axis parallel to the Z-axis direction, and a stacked body 3 of the wafers 1 held by the spinner table 81. A protective film solution supply nozzle 82 for supplying the water-soluble protective film solution 7 (shown in FIG. 5) to the surface of the wafer, and a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid such as pure water to the surface of the wafer 1 held on the spinner table 81. And 83.

搬送ユニット９０は、チャックテーブル３０と保護膜被覆洗浄ユニット８０のスピンナテーブル８１との間でウェーハ１を搬送するものである。搬送ユニット９０は、装置本体２１の壁部２２に固定されかつＸ軸方向と平行なボールねじ９１と、ボールねじ９１と平行に配設されたガイドレール９２と、ボールねじ９１の一端に連結されボールねじ９１を回動させるパルスモータ９３と、一端部がガイドレール９２に摺接するとともにボールねじ９１に螺合するナット（図示せず）を内部に備えたスライド板９４とを備える。搬送ユニット９０は、ボールねじ９１の回動にともないスライド板９４がガイドレール９２にガイドされてＸ軸方向に移動する。スライド板９４の下端部には、ウェーハ１を吸着して保持する保持部９５が昇降自在に設けられている。 The transfer unit 90 transfers the wafer 1 between the chuck table 30 and the spinner table 81 of the protective film coating cleaning unit 80. The transport unit 90 is connected to one end of a ball screw 91 fixed to the wall portion 22 of the apparatus main body 21 and parallel to the X-axis direction, a guide rail 92 arranged parallel to the ball screw 91, and one end of the ball screw 91. A pulse motor 93 for rotating the ball screw 91 and a slide plate 94 having a nut (not shown) slidably in contact with the guide rail 92 and screwed into the ball screw 91 are provided inside. In the transport unit 90, the slide plate 94 is guided by the guide rail 92 and moves in the X-axis direction as the ball screw 91 rotates. At the lower end of the slide plate 94, a holding portion 95 that sucks and holds the wafer 1 is provided so as to be vertically movable.

制御ユニット１００は、レーザ加工装置２０の上述した構成要素をそれぞれ制御して、ウェーハ１に対する加工動作をレーザ加工装置２０に実施させるものである。なお、制御ユニット１００は、コンピュータである。制御ユニット１００は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。 The control unit 100 controls each of the above-described components of the laser processing apparatus 20 to cause the laser processing apparatus 20 to perform a processing operation on the wafer 1. The control unit 100 is a computer. The control unit 100 includes an arithmetic processing device having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage device having a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory), and an input/output interface device. Have and.

制御ユニット１００の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザ加工装置２０を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してレーザ加工装置２０の上述した構成要素に出力する。また、制御ユニット１００は、加工動作の状態や画像などを表示する表示ユニット及びオペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニットが接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。 The arithmetic processing device of the control unit 100 performs arithmetic processing according to a computer program stored in a storage device, and outputs a control signal for controlling the laser processing device 20 via the input/output interface device to the laser processing device 20. To the above-mentioned constituent elements of. Further, the control unit 100 is connected to a display unit that displays a processing operation state, an image, and the like, and an input unit used when an operator registers processing content information and the like. The input unit includes at least one of a touch panel provided on the display unit and an external input device such as a keyboard.

本明細書は、次に、実施形態１に係るウェーハの加工方法の各ステップを説明する。実施形態１において、保護膜被覆ステップＳＴ１、保護膜除去ステップＳＴ２、第１レーザ加工ステップＳＴ３、第２レーザ加工ステップＳＴ４は、制御ユニット１００がオペレータからの加工内容情報を受け付け、保護膜被覆洗浄ユニット８０のスピンナテーブル８１にウェーハ１が載置され、オペレータからの加工動作開始指示を受け付けると、レーザ加工装置２０により順に実施される。 The present specification will next describe each step of the wafer processing method according to the first embodiment. In the first embodiment, in the protective film coating step ST1, the protective film removing step ST2, the first laser processing step ST3, and the second laser processing step ST4, the control unit 100 receives the processing content information from the operator, and the protective film coating cleaning unit. When the wafer 1 is placed on the spinner table 81 of 80 and the processing operation start instruction from the operator is received, the laser processing apparatus 20 sequentially executes the processing.

（保護膜被覆ステップ）
図５は、図３に示されたウェーハの加工方法の保護膜被覆ステップを示す側断面図である。保護膜被覆ステップＳＴ１は、ウェーハ１の積層体３の表面を保護膜６で被覆するステップである。 (Protective film coating step)
FIG. 5 is a side sectional view showing a protective film coating step of the wafer processing method shown in FIG. The protective film coating step ST1 is a step of coating the surface of the stacked body 3 of the wafer 1 with the protective film 6.

実施形態１において、保護膜被覆ステップＳＴ１では、図５に示すように、レーザ加工装置２０は、ウェーハ１の裏面１２側を保護膜被覆洗浄ユニット８０のスピンナテーブル８１に吸引保持する。なお、実施形態１では、ウェーハ１は、基材２の裏面１２に外周縁が環状フレーム１１に貼着された粘着テープ１０が貼着されて、環状フレーム１１により支持されている。このために、保護膜被覆ステップＳＴ１では、レーザ加工装置２０は、粘着テープ１０を介してスピンナテーブル８１にウェーハ１を吸引保持し、スピンナテーブル８１の周囲のクランプ部８４で環状フレーム１１をクランプする。 In the first embodiment, in the protective film coating step ST1, as shown in FIG. 5, the laser processing apparatus 20 sucks and holds the back surface 12 side of the wafer 1 on the spinner table 81 of the protective film coating cleaning unit 80. In the first embodiment, the wafer 1 is supported by the annular frame 11 with the adhesive tape 10 having the outer peripheral edge adhered to the annular frame 11 on the back surface 12 of the base material 2. Therefore, in the protective film coating step ST1, the laser processing device 20 sucks and holds the wafer 1 on the spinner table 81 via the adhesive tape 10, and clamps the annular frame 11 by the clamp portion 84 around the spinner table 81. ..

保護膜被覆ステップＳＴ１では、レーザ加工装置２０は、スピンナテーブル８１を軸心回りに回転させながら、ウェーハ１の表面に保護膜溶液供給ノズル８２から水溶性の保護膜溶液７を塗布する。水溶性の保護膜溶液７は、ポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl pyrrolidone：ＰＶＰ）等の水溶性の液状の樹脂からなり、好ましくはレーザビームの吸収効率を向上させるための二酸化チタン等からなる金属酸化物の微粒子を含む。 In the protective film coating step ST1, the laser processing apparatus 20 applies the water-soluble protective film solution 7 from the protective film solution supply nozzle 82 to the surface of the wafer 1 while rotating the spinner table 81 around the axis. The water-soluble protective film solution 7 is made of a water-soluble liquid resin such as polyvinyl alcohol (PVA) or polyvinyl pyrrolidone (PVP), and is preferably a dioxide for improving laser beam absorption efficiency. It contains fine particles of metal oxides such as titanium.

保護膜被覆ステップＳＴ１では、ウェーハ１の積層体３の表面に水溶性の保護膜溶液７を塗布した後、保護膜溶液７を乾燥や加熱し硬化させて、図６に示すように、ウェーハ１の積層体３の表面全体に保護膜溶液７が硬化して構成された保護膜６を被覆する。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の表面全体に保護膜６を被覆すると、スピンナテーブル８１のウェーハ１の吸引保持及びクランプ部８４の環状フレーム１１のクランプを解除して、搬送ユニット９０でウェーハ１をスピンナテーブル８１からチャックテーブル３０に搬送して、保護膜除去ステップＳＴ２に進む。 In the protective film coating step ST1, after the water-soluble protective film solution 7 is applied to the surface of the laminated body 3 of the wafer 1, the protective film solution 7 is dried or heated to be cured, and as shown in FIG. The entire surface of the laminate 3 is covered with the protective film 6 formed by curing the protective film solution 7. The wafer processing method is such that when the entire surface of the wafer 1 is covered with the protective film 6, the suction holding of the wafer 1 on the spinner table 81 and the clamping of the annular frame 11 of the clamp portion 84 are released, and the wafer 1 is transferred by the transfer unit 90. It is conveyed from the spinner table 81 to the chuck table 30 and proceeds to the protective film removing step ST2.

（保護膜除去ステップ）
図６は、図３に示されたウェーハの加工方法の保護膜除去ステップを示す側断面図である。図７は、図３に示されたウェーハの加工方法の保護膜除去ステップのウェーハの要部を示す断面図である。図８は、図３に示されたウェーハの加工方法の保護膜除去ステップ後のウェーハの要部を示す断面図である。図９は、図３に示されたウェーハの加工方法の保護膜除去ステップ後のウェーハの要部を示す平面図である。 (Protective film removal step)
FIG. 6 is a side sectional view showing a protective film removing step of the method for processing a wafer shown in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view showing the main part of the wafer in the protective film removing step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a main part of the wafer after the protective film removing step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 9 is a plan view showing an essential part of the wafer after the protective film removing step of the wafer processing method shown in FIG.

保護膜除去ステップＳＴ２は、保護膜被覆ステップＳＴ１を実施した後、第１レーザ加工ステップＳＴ３を実施する前に、各ストリート４の幅方向の両端部の少なくとも保護膜６を除去するステップである。保護膜除去ステップＳＴ２では、レーザ加工装置２０は、保護膜６により表面が被覆されたウェーハ１の裏面１２側を粘着テープ１０を介してチャックテーブル３０に吸引保持するとともに、クランプ部３３で環状フレーム１１をクランプする。保護膜除去ステップＳＴ２では、レーザ加工装置２０は、撮像ユニット５０でチャックテーブル３０に保持されたウェーハ１を撮像して、ウェーハ１とレーザビーム照射ユニット４０との位置合わせを行うアライメントを遂行する。 The protective film removing step ST2 is a step of removing at least the protective film 6 at both ends in the width direction of each street 4 after performing the protective film covering step ST1 and before performing the first laser processing step ST3. In the protective film removing step ST2, the laser processing apparatus 20 sucks and holds the back surface 12 side of the wafer 1 whose surface is covered with the protective film 6 on the chuck table 30 via the adhesive tape 10, and at the same time, the clamp portion 33 causes the annular frame. Clamp 11 In the protective film removing step ST2, the laser processing device 20 images the wafer 1 held on the chuck table 30 by the image pickup unit 50, and performs alignment for aligning the wafer 1 and the laser beam irradiation unit 40.

保護膜除去ステップＳＴ２では、レーザ加工装置２０は、Ｘ軸移動ユニット６０、Ｙ軸移動ユニット７０及び回転駆動源３２に各ストリート４の幅方向の端部とレーザビーム照射ユニット４０とをストリート４に沿って相対的移動させながら、図６に示すように、レーザビーム照射ユニット４０から保護膜６及びウェーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザビーム２００を各ストリート４の幅方向の端部に照射する。 In the protective film removing step ST2, the laser processing apparatus 20 causes the X-axis moving unit 60, the Y-axis moving unit 70, and the rotation drive source 32 to move the end portions of each street 4 in the width direction and the laser beam irradiation unit 40 to the street 4. As shown in FIG. 6, a laser beam 200 having a wavelength having an absorptivity for the protective film 6 and the wafer 1 is applied to the end portions of each street 4 in the width direction while being relatively moved along the same. Irradiate.

保護膜除去ステップＳＴ２では、レーザ加工装置２０は、図７に示すように、レーザビーム２００の集光点２０１を保護膜６の内部に設定して、全てのストリート４の幅方向の両端部にレーザビーム２００を順に照射して、全てのストリート４の幅方向の両端部にアブレーション加工を施す。保護膜除去ステップＳＴ２では、レーザ加工装置２０は、図８及び図９に示すように、ストリート４の幅方向の両端部の少なくとも保護膜６を除去して、全てのストリート４の両端の積層体３を露出させる積層体露出溝８を形成する。即ち、保護膜除去ステップＳＴ２では、レーザ加工装置２０が、各ストリート４に２条の積層体露出溝８を形成する。なお、実施形態１では、保護膜除去ステップＳＴ２では、レーザ加工装置２０が、各ストリート４に保護膜６、積層体３及び基材２の一部を除去して、積層体露出溝８を形成している。しかしながら、本発明では、積層体露出溝８は、保護膜６がレーザビーム２００に対して充分吸収性を有する場合には保護膜６だけ除去して形成されても良く、保護膜６がレーザビーム２００に対して吸収性があまりなく、積層体３が吸収性がある場合には、積層体３にレーザビーム２００を照射して積層体３をアブレーションすることで保護膜６も除去して形成されても良い。積層体露出溝８は、保護膜６も積層体３も吸収性がない場合は、基材２にレーザビーム２００を照射して基材２をアブレーションすることで基材２の一部と積層体３と保護膜６を除去して形成される。また、保護膜除去ステップＳＴ２において、レーザ加工装置２０がレーザビーム２００を照射する位置は、ストリート４の両端から所定の距離４００よりも離れた位置であり、レーザビーム２００の照射により保護膜６が剥がれても、保護膜６の剥がれる箇所がストリート４の外側、即ちデバイス５に到達しない位置である。 In the protective film removing step ST2, as shown in FIG. 7, the laser processing device 20 sets the condensing point 201 of the laser beam 200 inside the protective film 6 and sets it at both ends of the width direction of all the streets 4. The laser beam 200 is sequentially irradiated to ablate both ends of all the streets 4 in the width direction. In the protective film removing step ST2, as shown in FIGS. 8 and 9, the laser processing device 20 removes at least the protective film 6 at both ends of the streets 4 in the width direction, and the laminated body at both ends of all the streets 4 is removed. A laminate exposure groove 8 for exposing 3 is formed. That is, in the protective film removing step ST2, the laser processing apparatus 20 forms the two stacked body exposure grooves 8 on each street 4. In the first embodiment, in the protective film removing step ST2, the laser processing device 20 removes the protective film 6, the laminated body 3 and a part of the base material 2 on each street 4 to form the laminated body exposed groove 8. doing. However, in the present invention, the laminated body exposure groove 8 may be formed by removing only the protective film 6 when the protective film 6 has sufficient absorbability for the laser beam 200. In the case where the laminated body 3 does not have a high absorptivity and the laminated body 3 has absorptivity, the laminated body 3 is irradiated with the laser beam 200 to ablate the laminated body 3 so that the protective film 6 is also removed. May be. When neither the protective film 6 nor the laminated body 3 is absorptive, the laminated body exposure groove 8 irradiates the substrate 2 with the laser beam 200 to ablate the substrate 2 and thereby a part of the laminated body 2 and the laminated body. 3 and the protective film 6 are removed. Further, in the protective film removing step ST2, the position where the laser processing device 20 irradiates the laser beam 200 is a position apart from both ends of the street 4 by a predetermined distance 400, and the protective film 6 is irradiated by the irradiation of the laser beam 200. Even if the protective film 6 is peeled off, the peeled portion of the protective film 6 is located outside the street 4, that is, at a position where the device 5 does not reach.

なお、図８及び図９では、保護膜除去ステップＳＴ２において、ストリート４の幅方向の両端部の保護膜６に加えて、積層体３及び基材２の一部を除去している。要するに、保護膜除去ステップＳＴ２において、本発明は、ストリート４の幅方向の両端の保護膜６を除去でき、ストリート４の外側で保護膜６が剥がれないのであれば、保護膜６のみを除去しても良いし、保護膜６と積層体３の一部を除去しても良いし、保護膜６と積層体３と基材２の一部を除去しても良い。また、保護膜除去ステップＳＴ２において、レーザ加工装置２０が積層体露出溝８を形成する位置は、ストリート４の両端から所定の距離４００よりも離れた位置である。 8 and 9, in the protective film removing step ST2, in addition to the protective films 6 on both ends of the street 4 in the width direction, part of the laminate 3 and the base material 2 are removed. In short, in the protective film removing step ST2, according to the present invention, the protective films 6 on both ends of the street 4 in the width direction can be removed, and if the protective film 6 does not peel off on the outside of the street 4, only the protective film 6 is removed. Alternatively, part of the protective film 6 and the laminated body 3 may be removed, or part of the protective film 6, the laminated body 3 and the base material 2 may be removed. Further, in the protective film removing step ST2, the position where the laser processing device 20 forms the laminated body exposure groove 8 is a position more than the predetermined distance 400 from both ends of the street 4.

なお、実施形態１において、保護膜除去ステップＳＴ２の加工条件であるレーザビーム２００の波長は、３５５ｎｍであり、レーザビーム２００の出力は、１Ｗであり、レーザビーム２００の繰り返し周波数は、２００ｋＨｚであり、レーザビーム２００の集光点２０１のスポット径は、１０μｍ程度であり、レーザビーム照射ユニット４０とウェーハ１との相対的な移動速度は、４００ｍｍ／ｓｅｃである。このように、実施形態１に係るウェーハの加工方法の保護膜除去ステップＳＴ２の加工条件は、各ストリート４の幅方向の両端の保護膜６と積層体３とを除去して基材２を露出させる従来の加工方法において、レーザ加工溝９を形成する加工条件よりもレーザビームの出力が弱い。ウェーハの加工方法は、全てのストリート４に２条の積層体露出溝８を形成すると、第１レーザ加工ステップＳＴ３に進む。なお、図９は、左右方向と平行なストリート４に形成された積層体露出溝８を示し、上下方向と平行なストリート４に形成された積層体露出溝８を省略している。 In the first embodiment, the wavelength of the laser beam 200 that is the processing condition of the protective film removing step ST2 is 355 nm, the output of the laser beam 200 is 1 W, and the repetition frequency of the laser beam 200 is 200 kHz. The spot diameter of the condensing point 201 of the laser beam 200 is about 10 μm, and the relative moving speed between the laser beam irradiation unit 40 and the wafer 1 is 400 mm/sec. As described above, the processing conditions in the protective film removing step ST2 of the wafer processing method according to the first embodiment are that the base film 2 is exposed by removing the protective film 6 and the laminated body 3 at both ends of each street 4 in the width direction. In the conventional processing method, the output of the laser beam is weaker than the processing conditions for forming the laser processing groove 9. The wafer processing method proceeds to the first laser processing step ST3 after forming the two stacked body exposure grooves 8 on all the streets 4. Note that FIG. 9 shows the stacked body exposure groove 8 formed on the streets 4 parallel to the left-right direction, and the stacked body exposure grooves 8 formed on the streets 4 parallel to the up-down direction are omitted.

（第１レーザ加工ステップ）
図１０は、図３に示されたウェーハの加工方法の第１レーザ加工ステップのウェーハの要部を示す断面図である。図１１は、図３に示されたウェーハの加工方法の第１レーザ加工ステップ後のウェーハの要部を示す断面図である。図１２は、図３に示されたウェーハの加工方法の第１レーザ加工ステップ後のウェーハの要部を示す平面図である。 (First laser processing step)
FIG. 10 is a cross-sectional view showing an essential part of the wafer in the first laser processing step of the method for processing a wafer shown in FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view showing the main part of the wafer after the first laser processing step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 12 is a plan view showing an essential part of the wafer after the first laser processing step of the wafer processing method shown in FIG.

第１レーザ加工ステップＳＴ３は、保護膜被覆ステップＳＴ１及び保護膜除去ステップＳＴ２を実施した後、ストリート４の内側でストリート４の幅方向の両端部にレーザビーム２００をそれぞれ集光させた状態でストリート４に沿ってレーザビーム２００を照射し、ストリート４に２条のレーザ加工溝９を形成するステップである。第１レーザ加工ステップＳＴ３では、レーザ加工装置２０は、Ｘ軸移動ユニット６０、Ｙ軸移動ユニット７０及び回転駆動源３２に各ストリート４の幅方向の端とレーザビーム照射ユニット４０とをストリート４に沿って相対的移動させながらレーザビーム照射ユニット４０から保護膜６及びウェーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザビーム２００を各ストリート４の幅方向の端部に照射する。 In the first laser processing step ST3, after performing the protective film covering step ST1 and the protective film removing step ST2, the streets are formed in a state where the laser beams 200 are focused inside the streets 4 at both ends in the width direction of the streets 4, respectively. 4 is a step of irradiating the laser beam 200 along the line 4 to form two laser-processed grooves 9 in the street 4. In the first laser processing step ST3, the laser processing apparatus 20 causes the X-axis moving unit 60, the Y-axis moving unit 70, and the rotation driving source 32 to move the ends of each street 4 in the width direction and the laser beam irradiation unit 40 to the street 4. The laser beam irradiation unit 40 irradiates a laser beam 200 having a wavelength having an absorptivity with respect to the protective film 6 and the wafer 1 to the widthwise end portions of each street 4 while relatively moving along the same.

第１レーザ加工ステップＳＴ３では、レーザ加工装置２０は、図１０に示すように、レーザビーム２００の集光点２０１を積層体３の上面に設定して、レーザビーム２００を積層体露出溝８内でかつ保護膜除去ステップＳＴ２よりも幅方向の端寄りの位置に照射する。第１レーザ加工ステップＳＴ３では、レーザ加工装置２０は、全てのストリート４の幅方向の両端の積層体露出溝８内で露出する積層体３にアブレーション加工を施す。第１レーザ加工ステップＳＴ３では、レーザ加工装置２０は、図１１及び図１２に示すように、ストリート４の幅方向の両端の積層体露出溝８内で露出する少なくとも積層体３を除去して、全てのストリート４の両端の積層体露出溝８内に基材２を露出させるレーザ加工溝９を形成する。即ち、第１レーザ加工ステップＳＴ３では、レーザ加工装置２０が、各ストリート４に２条のレーザ加工溝９を形成する。 In the first laser processing step ST3, the laser processing apparatus 20 sets the focusing point 201 of the laser beam 200 on the upper surface of the laminate 3 as shown in FIG. Irradiation is applied to a position closer to the end in the width direction than in the protective film removing step ST2. In the first laser processing step ST3, the laser processing apparatus 20 performs ablation processing on the stacked bodies 3 exposed in the stacked body exposure grooves 8 at both ends of all the streets 4 in the width direction. In the first laser processing step ST3, as shown in FIGS. 11 and 12, the laser processing device 20 removes at least the laminate 3 exposed in the laminate exposure groove 8 at both ends of the street 4 in the width direction, Laser processing grooves 9 for exposing the base material 2 are formed in the laminate exposure grooves 8 at both ends of all streets 4. That is, in the first laser processing step ST3, the laser processing device 20 forms two laser processing grooves 9 on each street 4.

なお、図１１及び図１２では、第１レーザ加工ステップＳＴ３において、ストリート４の幅方向の両端の積層体露出溝８内の積層体３と基材２の一部を除去した例を示しているが、本発明は、ストリート４の幅方向の両端の積層体露出溝８内の積層体３のみを除去しても良い。要するに、第１レーザ加工ステップＳＴ３において、本発明は、ストリート４の幅方向の両端の積層体露出溝８内の積層体３を除去できるのであれば、積層体３のみを除去しても良いし、積層体３と基材２の一部を除去しても良い。また、実施形態１では、図１１及び図１２は、保護膜６が積層体３よりも剥離し易いために、積層体露出溝８の幅をレーザ加工溝９の幅よりも広く示している。 Note that FIGS. 11 and 12 show an example in which, in the first laser processing step ST3, the laminate 3 and the base material 2 in the laminate exposure groove 8 at both ends of the street 4 in the width direction are partially removed. However, in the present invention, only the laminated body 3 in the laminated body exposed groove 8 at both ends in the width direction of the street 4 may be removed. In short, in the first laser processing step ST3, according to the present invention, only the laminated body 3 may be removed as long as the laminated body 3 in the laminated body exposed grooves 8 at both ends in the width direction of the street 4 can be removed. The laminated body 3 and a part of the base material 2 may be removed. In addition, in the first embodiment, FIGS. 11 and 12 show the width of the laminate exposure groove 8 wider than the width of the laser processing groove 9 because the protective film 6 is more easily peeled off than the laminate 3.

また、第１レーザ加工ステップＳＴ３において、レーザ加工装置２０がレーザビーム２００を積層体露出溝８内でかつ保護膜除去ステップＳＴ２よりも幅方向の端寄りであるとともにストリート４の両端から所定の距離４００よりも離れた位置に照射する。これにより、保護膜除去ステップＳＴ２は、２条のレーザ加工溝９が形成される位置よりストリート４の幅方向の内側でストリート４の幅方向に並んだ２点にレーザビーム２００を集光させた状態でストリート４に沿ってレーザビーム２００を照射することとなる。また、保護膜除去ステップＳＴ２は、２条のレーザ加工溝９が形成される位置を含む領域の少なくとも保護膜６を除去することとなる。また、実施形態１では、第１レーザ加工ステップＳＴ３において、レーザ加工装置２０は、ストリート４の両端から所定の距離４００離れた位置にレーザ加工溝９を形成している。 Further, in the first laser processing step ST3, the laser processing device 20 causes the laser beam 200 to be inside the laminate exposure groove 8 and closer to the end in the width direction than the protective film removing step ST2, and a predetermined distance from both ends of the street 4. Irradiate at a position farther than 400. As a result, in the protective film removing step ST2, the laser beam 200 is focused on two points arranged in the width direction of the street 4 on the inner side in the width direction of the street 4 from the position where the two laser-processed grooves 9 are formed. In this state, the laser beam 200 is emitted along the street 4. Further, in the protective film removing step ST2, at least the protective film 6 in the region including the positions where the two laser-processed grooves 9 are formed is removed. Further, in the first embodiment, in the first laser processing step ST3, the laser processing device 20 forms the laser processing groove 9 at a position separated by a predetermined distance 400 from both ends of the street 4.

また、実施形態１において、第１レーザ加工ステップＳＴ３の加工条件であるレーザビーム２００の波長は、３５５ｎｍであり、レーザビーム２００の出力は、１．３Ｗであり、レーザビーム２００の繰り返し周波数は、２００ｋＨｚであり、レーザビーム２００の集光点２０１のスポット径は、１０μｍ程度であり、レーザビーム照射ユニット４０とウェーハ１との相対的な移動速度は、４００ｍｍ／ｓｅｃである。このように、実施形態１に係るウェーハの加工方法の保護膜除去ステップＳＴ２と第１レーザ加工ステップＳＴ３では、同程度の条件で、レーザビーム２００を照射する。ウェーハの加工方法は、全てのストリート４に２条のレーザ加工溝９を形成すると、第２レーザ加工ステップＳＴ４に進む。 Further, in the first embodiment, the wavelength of the laser beam 200, which is the processing condition of the first laser processing step ST3, is 355 nm, the output of the laser beam 200 is 1.3 W, and the repetition frequency of the laser beam 200 is The frequency is 200 kHz, the spot diameter of the condensing point 201 of the laser beam 200 is about 10 μm, and the relative moving speed of the laser beam irradiation unit 40 and the wafer 1 is 400 mm/sec. As described above, in the protective film removing step ST2 and the first laser processing step ST3 of the wafer processing method according to the first embodiment, the laser beam 200 is irradiated under the same conditions. The wafer processing method proceeds to the second laser processing step ST4 after forming the two laser processing grooves 9 on all the streets 4.

（第２レーザ加工ステップ）
図１３は、図３に示されたウェーハの加工方法の第２レーザ加工ステップのウェーハの要部を示す断面図である。第２レーザ加工ステップＳＴ４は、第１レーザ加工ステップＳＴ３を実施した後、ストリート４に沿って、レーザビーム２１０を照射することで、２条のレーザ加工溝９間の積層体３を保護膜６とともに除去して２条のレーザ加工溝９間の基材２を露出させるステップである。 (Second laser processing step)
FIG. 13 is a cross-sectional view showing an essential part of the wafer in the second laser processing step of the method for processing the wafer shown in FIG. In the second laser processing step ST4, after the first laser processing step ST3 is performed, the laser beam 210 is irradiated along the streets 4 to protect the laminated body 3 between the two laser processing grooves 9 from the protective film 6. And the step of removing the base material 2 between the two laser-processed grooves 9 to expose it.

第２レーザ加工ステップＳＴ４では、レーザ加工装置２０は、Ｘ軸移動ユニット６０、Ｙ軸移動ユニット７０及び回転駆動源３２に各ストリート４の幅方向の中央とレーザビーム照射ユニット４０とをストリート４に沿って相対的移動させながらレーザビーム照射ユニット４０から保護膜６及びウェーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザビーム２１０を各ストリート４の幅方向の中央に照射する。 In the second laser processing step ST4, the laser processing apparatus 20 sets the X-axis moving unit 60, the Y-axis moving unit 70, and the rotation driving source 32 so that the center of each street 4 in the width direction and the laser beam irradiation unit 40 are placed on the street 4. While moving relative to each other, the laser beam irradiation unit 40 irradiates a laser beam 210 having a wavelength having an absorptivity to the protective film 6 and the wafer 1 to the center of each street 4 in the width direction.

第２レーザ加工ステップＳＴ４では、レーザ加工装置２０は、図１３に示すように、レーザビーム２１０の積層体３上での幅２１１を２条のレーザ加工溝９の内縁同士の距離９−１よりも大きくかつ２条のレーザ加工溝９の外縁同士の距離９−２よりも小さく成形して、レーザビーム２１０をストリート４の幅方向の中央に照射する。第２レーザ加工ステップＳＴ４では、レーザ加工装置２０は、レーザビーム２１０をストリート４の幅方向の中央に照射することで、ストリート４の２条のレーザ加工溝９間の保護膜６、積層体３及び基材２にアブレーション加工を施す。第２レーザ加工ステップＳＴ４では、レーザ加工装置２０は、ストリート４の幅方向の中央の２条のレーザ加工溝９間の保護膜６、積層体３及び基材２の一部を除去する。 In the second laser processing step ST4, as shown in FIG. 13, the laser processing device 20 determines the width 211 of the laser beam 210 on the stacked body 3 from the distance 9-1 between the inner edges of the two laser processing grooves 9. Is larger and smaller than the distance 9-2 between the outer edges of the two laser-machined grooves 9, and the laser beam 210 is applied to the center of the street 4 in the width direction. In the second laser processing step ST4, the laser processing apparatus 20 irradiates the center of the street 4 in the width direction with the laser beam 210, so that the protective film 6 between the two laser processing grooves 9 of the street 4 and the stacked body 3 are irradiated. And the base material 2 is subjected to ablation processing. In the second laser processing step ST4, the laser processing device 20 removes a part of the protective film 6, the laminate 3 and the base material 2 between the two laser processing grooves 9 in the center of the street 4 in the width direction.

なお、第２レーザ加工ステップＳＴ４では、レーザ加工装置２０は、マスクでストリート４の幅方向に伸長して幅２１１を有するレーザビーム２１０に成形して照射するが、本発明では、除去したい幅よりも成形されたレーザビーム２１０のストリート４の幅方向の長さが短い場合には、必ずしも１度のみではなく、レーザビーム２１０を幅方向に移動させながら複数回加工しても良く、通常のレーザビーム２００で複数ライン（通常の加工をストリート４の幅方向で複数回繰り返す）照射して加工しても良く、レーザビーム２００を分岐して複数点に集光させて加工しても良い。 In the second laser processing step ST4, the laser processing device 20 forms a laser beam 210 having a width 211 by extending in the width direction of the street 4 with a mask and irradiating the laser beam 210. When the length of the shaped laser beam 210 in the width direction of the street 4 is short, the laser beam 210 may be processed not only once but also a plurality of times while moving the laser beam 210 in the width direction. The beam 200 may be irradiated with a plurality of lines (ordinary processing is repeated a plurality of times in the width direction of the street 4) for processing, or the laser beam 200 may be branched and focused at a plurality of points for processing.

なお、実施形態１では、第２レーザ加工ステップＳＴ４において、ストリート４の幅方向の中央の２条のレーザ加工溝９間の保護膜６及び積層体３のみを除去しているが、本発明は、ストリート４の幅方向の中央の２条のレーザ加工溝９間の基材２の一部を除去しても良い。要するに、第２レーザ加工ステップＳＴ４において、本発明は、ストリート４の幅方向の中央の２条のレーザ加工溝９間の保護膜６及び積層体３を除去できるのであれば、保護膜６及び積層体３のみを除去しても良いし、保護膜６及び積層体３に加え基材２の一部を除去しても良い。 In the first embodiment, in the second laser processing step ST4, only the protective film 6 and the laminated body 3 between the two laser processing grooves 9 at the center in the width direction of the street 4 are removed. A part of the base material 2 between the two laser-processed grooves 9 in the center of the street 4 in the width direction may be removed. In short, in the second laser processing step ST4, according to the present invention, if the protective film 6 and the laminated body 3 between the two laser-processed grooves 9 at the center in the width direction of the street 4 can be removed, the protective film 6 and the laminated body 3 can be removed. Only the body 3 may be removed, or a part of the base material 2 may be removed in addition to the protective film 6 and the laminated body 3.

また、実施形態１において、第２レーザ加工ステップＳＴ４の加工条件であるレーザビーム２１０の波長は、３５５ｎｍであり、レーザビーム２１０の出力は、３Ｗ〜５Ｗであり、レーザビーム２１０の繰り返し周波数は、４０ｋＨｚであり、集光スポットのサイズは、ストリート４の幅方向の長さが２１１μｍで、ストリート４の伸長方向の長さが約１０μｍ程度であり、レーザビーム照射ユニット４０とウェーハ１との相対的な移動速度は、６００ｍｍ／ｓｅｃである。このように、実施形態１に係るウェーハの加工方法の第２レーザ加工ステップＳＴ４の加工条件は、保護膜除去ステップＳＴ２及び第１レーザ加工ステップＳＴ３の加工条件よりもレーザビーム２１０の出力が強い。第２レーザ加工ステップＳＴ４において、レーザ加工装置２０は、全てのストリート４の２条のレーザ加工溝９間の保護膜６及び積層体３を除去すると、ウェーハ１を保護膜被覆洗浄ユニット８０により洗浄して、保護膜６を除去して、切削ステップＳＴ５に進む。 Further, in the first embodiment, the wavelength of the laser beam 210, which is the processing condition of the second laser processing step ST4, is 355 nm, the output of the laser beam 210 is 3 W to 5 W, and the repetition frequency of the laser beam 210 is The width of the street 4 is 211 μm in the width direction and the length of the street 4 in the extending direction is about 10 μm. The relative size between the laser beam irradiation unit 40 and the wafer 1 is 40 kHz. The moving speed is 600 mm/sec. As described above, the processing conditions of the second laser processing step ST4 of the wafer processing method according to the first embodiment have a stronger output of the laser beam 210 than the processing conditions of the protective film removal step ST2 and the first laser processing step ST3. In the second laser processing step ST4, the laser processing apparatus 20 removes the protective film 6 and the laminated body 3 between the two laser-processed grooves 9 of all the streets 4, and then cleans the wafer 1 by the protective film coating cleaning unit 80. Then, the protective film 6 is removed, and the process proceeds to the cutting step ST5.

（切削ステップ）
図１４は、図３に示されたウェーハの加工方法の切削ステップのウェーハの要部を示す断面図である。切削ステップＳＴ５は、第２レーザ加工ステップＳＴ４を実施した後、ストリート４の基材２が露出した領域４−１を切削ブレード３００で切削するステップである。 (Cutting step)
FIG. 14 is a cross-sectional view showing the main part of the wafer in the cutting step of the wafer processing method shown in FIG. The cutting step ST5 is a step of cutting the region 4-1 of the street 4 where the base material 2 is exposed after the second laser processing step ST4 is performed by the cutting blade 300.

実施形態１において、切削ステップＳＴ５では、切削装置３０１が、図１４に示すように、ウェーハ１の裏面１２側を粘着テープ１０を介してチャックテーブルに吸引保持するとともに、クランプ部で環状フレーム１１をクランプする。切削ステップＳＴ５では、切削装置３０１が撮像ユニットでチャックテーブル保持されたウェーハ１を撮像して、ウェーハ１と切削ブレード３００との位置合わせを行うアライメントを遂行する。なお、実施形態１において、切削ブレード３００の厚み３００−１は、各ストリート４の基材２が露出した領域４−１の幅４−２よりも薄い。 In the first embodiment, in the cutting step ST5, the cutting device 301 sucks and holds the back surface 12 side of the wafer 1 on the chuck table via the adhesive tape 10 as shown in FIG. To clamp. In the cutting step ST5, the cutting device 301 images the wafer 1 held on the chuck table by the image pickup unit and performs alignment for aligning the wafer 1 and the cutting blade 300. In addition, in the first embodiment, the thickness 300-1 of the cutting blade 300 is thinner than the width 4-2 of the region 4-1 in which the base material 2 of each street 4 is exposed.

切削ステップＳＴ５では、切削装置３０１が、各ストリート４に沿ってウェーハ１と切削ブレード３００とを相対的に移動させながら切削ブレード３００を粘着テープ１０に到達するまでウェーハ１に切り込ませて、ウェーハ１を各デバイス５に分割する。ウェーハの加工方法は、全てのストリート４に切削ブレード３００を切り込ませると、終了する。なお、個々のデバイス５に分割されたウェーハ１は、洗浄ユニット等により洗浄されて、切削屑が除去された後、個々のデバイス５が粘着テープ１０からピックアップされる。なお、実施形態１では、第２レーザ加工ステップＳＴ４において、レーザ加工装置２０がウェーハ１を保護膜被覆洗浄ユニット８０により洗浄して保護膜６を除去しているが、本発明は、第２レーザ加工ステップＳＴ４においてレーザ加工装置２０がウェーハ１を保護膜被覆洗浄ユニット８０により洗浄せずに、切削ステップＳＴ５後に、ウェーハ１を洗浄ユニット等により洗浄して、保護膜６を除去しても良い。 In the cutting step ST5, the cutting device 301 relatively moves the wafer 1 and the cutting blade 300 along each street 4 and cuts the cutting blade 300 into the wafer 1 until the adhesive tape 10 is reached. 1 is divided into each device 5. The wafer processing method ends when the cutting blade 300 is cut into all the streets 4. The wafer 1 divided into the individual devices 5 is cleaned by a cleaning unit or the like to remove cutting chips, and then the individual devices 5 are picked up from the adhesive tape 10. In the first embodiment, in the second laser processing step ST4, the laser processing apparatus 20 cleans the wafer 1 by the protective film coating cleaning unit 80 to remove the protective film 6, but the present invention is not limited to the second laser processing. The laser processing apparatus 20 may not clean the wafer 1 by the protective film coating cleaning unit 80 in the processing step ST4, but the wafer 1 may be cleaned by a cleaning unit or the like after the cutting step ST5 to remove the protective film 6.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、第１レーザ加工ステップＳＴ３において２条のレーザ加工溝を形成する前に、あらかじめ保護膜除去ステップＳＴ２においてストリート４にレーザビーム２００を照射して、保護膜６を除去した２条の積層体露出溝８をストリート４の幅方向の両端部に形成する。実施形態１に係るウェーハの加工方法は、第１レーザ加工ステップＳＴ３において、積層体露出溝８にレーザビーム２００を照射して積層体３を除去して、レーザ加工溝９を形成する。即ち、実施形態１に係るウェーハの加工方法は、全てのストリート４に対して、必ず、端から所定の距離４００よりも離れた積層体露出溝８をストリート４の幅方向の両端部に形成し、その後に、積層体露出溝８よりも端寄りにレーザ加工溝９を形成する。このために、実施形態１に係るウェーハの加工方法は、第１レーザ加工ステップＳＴ３において、レーザビーム２００を保護膜６に照射しないので、保護膜６の剥離が生じない。即ち、実施形態１に係るウェーハの加工方法は、ストリート４の幅を超えて保護膜６が剥離することを抑制する。 In the wafer processing method according to the first embodiment, before forming the two laser-processed grooves in the first laser processing step ST3, the streets 4 are previously irradiated with the laser beam 200 in the protective film removing step ST2, and the protective film is processed. Two strips of the laminate exposed groove 8 from which 6 is removed are formed at both ends of the street 4 in the width direction. In the wafer processing method according to the first embodiment, in the first laser processing step ST3, the stacked body exposure groove 8 is irradiated with the laser beam 200 to remove the stacked body 3 and form the laser processed groove 9. That is, in the wafer processing method according to the first embodiment, the stack exposure groove 8 that is more than the predetermined distance 400 from the end is always formed on both ends of the street 4 in the width direction for all the streets 4. After that, the laser processed groove 9 is formed closer to the end than the laminated body exposed groove 8. Therefore, in the wafer processing method according to the first embodiment, since the protective film 6 is not irradiated with the laser beam 200 in the first laser processing step ST3, the protective film 6 does not peel off. That is, the wafer processing method according to the first embodiment suppresses peeling of the protective film 6 beyond the width of the street 4.

その後、実施形態１に係るウェーハの加工方法は、第２レーザ加工ステップＳＴ４において、積層体３を除去した２条のレーザ加工溝９間にレーザビーム２００を照射する。実施形態１に係るウェーハの加工方法は、第２レーザ加工ステップＳＴ４の時に生じたデブリが、ストリート４外にも飛散するが、ストリート４外には保護膜６が被覆されているため、デバイス５の上面に固着することがない。その結果、ウェーハの加工方法は、基材２に積層体３が積層されて、レーザ加工前に保護膜６が被覆されるウェーハ１であっても、デバイス５にデブリが付着することを抑制することができる。 Then, in the wafer processing method according to the first embodiment, in the second laser processing step ST4, the laser beam 200 is irradiated between the two laser processing grooves 9 from which the stacked body 3 has been removed. In the wafer processing method according to the first embodiment, the debris generated at the second laser processing step ST4 scatters also outside the street 4, but since the outside of the street 4 is covered with the protective film 6, the device 5 Will not stick to the upper surface of the. As a result, the method of processing a wafer suppresses debris from adhering to the device 5, even in the case of the wafer 1 in which the laminated body 3 is laminated on the base material 2 and the protective film 6 is covered before the laser processing. be able to.

また、実施形態１に係るウェーハの加工方法は、保護膜除去ステップＳＴ２の加工条件が、最初にレーザ加工溝９を形成する従来の加工方法の加工条件よりもレーザビーム２００の出力が弱いので、保護膜除去ステップＳＴ２後の保護膜６の剥離を抑制することができる。また、実施形態１に係るウェーハの加工方法は、保護膜除去ステップＳＴ２において、第１レーザ加工ステップＳＴ３よりもストリート４の幅方向の内側にレーザビーム２００を照射するので、仮に保護膜除去ステップＳＴ２において保護膜６が剥がれても、保護膜６の剥がれた箇所がストリート４の外側即ちデバイス５に到達することを抑制できる。 Further, in the wafer processing method according to the first embodiment, the output of the laser beam 200 is weaker under the processing conditions of the protective film removing step ST2 than the processing conditions of the conventional processing method of forming the laser processing groove 9 first. It is possible to suppress peeling of the protective film 6 after the protective film removing step ST2. Further, in the wafer processing method according to the first embodiment, in the protective film removing step ST2, the laser beam 200 is applied to the inside of the street 4 in the width direction of the first laser processing step ST3. Even if the protective film 6 is peeled off in (1), it is possible to prevent the peeled portion of the protective film 6 from reaching the outside of the street 4, that is, the device 5.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。実施形態１は、全てのストリート４に対して、必ず、端から所定の距離４００よりも離れた積層体露出溝８をストリート４の幅方向の両端部に形成し、その後に、積層体露出溝８よりも端寄りにレーザ加工溝９を形成している。しかしながら、本発明は、少なくとも一つのストリート４に対して、端から所定の距離４００よりも離れた積層体露出溝８をストリート４の幅方向の両端部に形成し、その後に、積層体露出溝８よりも端寄りにレーザ加工溝９を形成しても良い。また、前述した実施形態１では、保護膜除去ステップＳＴ２でレーザビーム２００を照射する条件と、第１レーザ加工ステップＳＴ３でレーザビーム２００を照射する条件とが異なっているが、本発明は、保護膜除去ステップＳＴ２と第１レーザ加工ステップＳＴ３では同じ条件でレーザビーム２００を照射しても良い。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. In the first embodiment, for all the streets 4, the laminated body exposed groove 8 that is more than a predetermined distance 400 from the end is always formed at both ends in the width direction of the street 4, and then the laminated body exposed groove 8 is formed. A laser processing groove 9 is formed closer to the edge than 8. However, according to the present invention, at least one street 4 is formed with the laminate exposure groove 8 which is separated from the end by a predetermined distance 400 at both ends in the width direction of the street 4, and thereafter, the laminate exposure groove 8 is formed. The laser processed groove 9 may be formed closer to the edge than 8. Further, in the above-described first embodiment, the conditions for irradiating the laser beam 200 in the protective film removing step ST2 and the conditions for irradiating the laser beam 200 in the first laser processing step ST3 are different, but the present invention is not limited to this. The laser beam 200 may be irradiated under the same conditions in the film removing step ST2 and the first laser processing step ST3.

１ ウェーハ
２ 基材
３ 積層体
４ ストリート
４−１ 領域
５ デバイス
６ 保護膜
９ レーザ加工溝
２００ レーザビーム
２１０ レーザビーム
３００ 切削ブレード
ＳＴ１ 保護膜被覆ステップ
ＳＴ２ 保護膜除去ステップ
ＳＴ３ 第１レーザ加工ステップ
ＳＴ４ 第２レーザ加工ステップ
ＳＴ５ 切削ステップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 2 Base material 3 Laminated body 4 Street 4-1 Area 5 Device 6 Protective film 9 Laser processing groove 200 Laser beam 210 Laser beam 300 Cutting blade ST1 Protective film coating step ST2 Protective film removal step ST3 First laser processing step ST4 No. 2 Laser processing step ST5 Cutting step

Claims (2)

基材上に積層体が積層され、所定の幅を有した複数のストリートを備えたウェーハの加工方法であって、
該積層体の表面を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップと、
該保護膜被覆ステップを実施した後、ストリートの内側で該ストリートの幅方向の両端にレーザビームをそれぞれ集光させた状態で該ストリートに沿ってレーザビームを照射し、該ストリートに２条のレーザ加工溝を形成する第１レーザ加工ステップと、
該第１レーザ加工ステップを実施した後、該ストリートに沿ってレーザビームを照射することで該２条のレーザ加工溝の間の積層体を保護膜とともに除去して該基材を露出させる第２レーザ加工ステップと、
該第２レーザ加工ステップを実施した後、該ストリートの該基材が露出した領域を切削ブレードで切削する切削ステップと、を備え、
該保護膜被覆ステップを実施した後、該第１レーザ加工ステップを実施する前に、該２条のレーザ加工溝が形成される位置より該ストリートの内側で該ストリートの幅方向に並んだ２点にレーザビームを集光させた状態で該ストリートに沿ってレーザビームを照射して該２条のレーザ加工溝が形成される位置を含む領域の少なくとも該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を備えた、ウェーハの加工方法。 A method of processing a wafer in which a laminated body is laminated on a base material and which has a plurality of streets having a predetermined width,
A protective film coating step of coating the surface of the laminate with a protective film,
After performing the protective film coating step, a laser beam is radiated along the street in a state where the laser beam is focused on both ends of the street in the width direction inside the street, and the two-line laser is applied to the street. A first laser processing step for forming a processing groove;
After performing the first laser processing step, by irradiating a laser beam along the street, the laminated body between the two laser processing grooves is removed together with a protective film to expose the base material. Laser processing step,
A cutting step of cutting the exposed area of the base material of the street with a cutting blade after performing the second laser processing step,
After performing the protective film coating step and before performing the first laser processing step, two points arranged in the width direction of the street inside the street from the position where the two laser processing grooves are formed. A protective film removing step of irradiating a laser beam along the street in a state where the laser beam is focused on the at least one part to remove at least the protective film in a region including a position where the two laser-processed grooves are formed; A method for processing a wafer, comprising: 該保護膜除去ステップと該第１レーザ加工ステップでは同じ条件で該レーザビームを照射する、請求項１に記載のウェーハの加工方法。 The wafer processing method according to claim 1, wherein the laser beam is irradiated under the same conditions in the protective film removing step and the first laser processing step.
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