JP2020102918A - Motor driving device - Google Patents
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Abstract
Description
本願明細書に開示される技術は、電動機駆動装置に関するものである。 The technology disclosed in the present specification relates to an electric motor drive device.
エアコンなどに使用されている熱交換装置の熱交換能力は、圧縮機を高回転で運転させると高くなる。近年の熱交換装置では、インバータによって圧縮機の回転速度を調整することによって、熱交換能力が細かく調整される場合が多い。 The heat exchange capacity of a heat exchange device used for an air conditioner or the like increases when the compressor is operated at a high rotation speed. In recent heat exchange devices, the heat exchange capacity is often finely adjusted by adjusting the rotation speed of the compressor with an inverter.
通常、圧縮機には電動機が組み込まれることによって、圧縮機の回転数は電気的に制御される。なお、電動機のコイルの巻き線数によって、最も効率のよい回転数が決まる。そのため、コイルの巻き数が一定である従来の電動機では、低回転から高回転までの全域で効率を高めることは困難であった。 Usually, the rotation speed of the compressor is electrically controlled by incorporating an electric motor in the compressor. The most efficient rotation speed is determined by the number of windings of the coil of the electric motor. Therefore, it is difficult for the conventional electric motor in which the number of turns of the coil is constant to increase the efficiency in the entire range from low rotation to high rotation.
その解決方法として、電動機の固定子巻き線の結線方式を低回転域ではスター結線に、高回転域ではデルタ結線に切り換える技術が近年提案されている。 As a solution to this problem, a technique has recently been proposed in which the stator winding connection method of an electric motor is switched to star connection in the low rotation range and delta connection in the high rotation range.
この技術によれば、低回転域から高回転域への回転数の推移に応じて巻き線数を実質的に減らすことができる。このように、回転数に応じて巻き線数を実質的に変更することによって、低回転域における電流量を低く抑え、一方で、高回転域における回転数を上げることができるため、高出力を確保することができる。この結果、低回転域から高回転域までの効率を改善することが可能となる。 According to this technique, the number of windings can be substantially reduced according to the transition of the rotation speed from the low rotation speed region to the high rotation speed region. In this way, by substantially changing the number of windings according to the number of revolutions, the amount of current in the low revolution range can be suppressed low, while the number of revolutions in the high revolution range can be increased, so that high output can be achieved. Can be secured. As a result, it is possible to improve the efficiency from the low speed range to the high speed range.
以上のような、電動機のデルタ結線からスター結線への切り換え、または、電動機のスター結線からデルタ結線への切り換えを行う場合、電動機を一旦停止させてから切り換えを行う方法が考えられる。 When switching from the delta connection of the electric motor to the star connection or from the star connection of the electric motor to the delta connection as described above, a method of temporarily stopping the electric motor and then performing the switching can be considered.
しかしながら、電動機を一旦停止させると電動機の回転が一旦停止することとなり、電動機を再起動して元の状態に戻すために時間を要することになる。このため、電動機のスムーズな回転が必要となる場合には、電動機の停止は望ましくない。 However, once the electric motor is stopped, the rotation of the electric motor is once stopped, and it takes time to restart the electric motor and return it to the original state. Therefore, stopping the motor is not desirable when smooth rotation of the motor is required.
そこで、たとえば、特許文献1または特許文献2に開示される技術のように、電動機を停止させずに短時間で結線を切り換える手法として、電動機の巻き線に電流が流れている状態で結線を切り換える技術が提案されている。
Therefore, for example, as in the technique disclosed in
しかしながら、上記のような方法で結線を切り換える場合には、結線の切り換えの際に機械式スイッチの接点間に高い電圧が印加され、接点間でアーク放電が生じてしまう場合がある。その場合、機械接点が劣化するため、機械式スイッチの寿命が短くなる。 However, when the connection is switched by the above method, a high voltage is applied between the contacts of the mechanical switch when switching the connection, and arc discharge may occur between the contacts. In that case, the mechanical contact deteriorates, and the life of the mechanical switch is shortened.
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、結線の切り換えの際に機械式スイッチの接点間に高い電圧が印加されることを抑制するための技術を提供することを目的とするものである。 The technique disclosed in the present specification has been made in view of the problems described above, and suppresses the application of a high voltage between the contacts of the mechanical switch when switching the connection. The purpose is to provide the technology for this.
本願明細書に開示される技術の第1の態様は、電源と、三相の巻き線を有する三相電動機と、前記電源に接続され、かつ、三相の前記巻き線のそれぞれに電圧を印加するための三相インバータ回路と、三相の前記巻き線の結線をスター結線およびデルタ結線のうちのいずれかに切り換えるための結線切り換え部とを備え、前記結線切り換え部は、機械式スイッチと、前記機械式スイッチと並列に接続される、少なくとも1つの第1の半導体スイッチング素子とを備え、前記結線切り換え部が三相の前記巻き線の結線を切り換える際、前記第1の半導体スイッチング素子がオン状態である間に前記機械式スイッチの接点が接続および開放のうちのいずれかに切り換わる。 A first aspect of the technology disclosed in the specification of the present application is a power supply, a three-phase electric motor having three-phase windings, and a voltage applied to each of the three-phase windings connected to the power supply. A three-phase inverter circuit for, and a connection switching unit for switching the connection of the three-phase winding to any one of star connection and delta connection, the connection switching unit, a mechanical switch, At least one first semiconductor switching element connected in parallel with the mechanical switch is provided, and the first semiconductor switching element is turned on when the connection switching section switches connection of the three-phase windings. While in the state, the contact of the mechanical switch switches to either connection or disconnection.
本願明細書に開示される技術の第1の態様は、電源と、三相の巻き線を有する三相電動機と、前記電源に接続され、かつ、三相の前記巻き線のそれぞれに電圧を印加するための三相インバータ回路と、三相の前記巻き線の結線をスター結線およびデルタ結線のうちのいずれかに切り換えるための結線切り換え部とを備え、前記結線切り換え部は、機械式スイッチと、前記機械式スイッチと並列に接続される、少なくとも1つの第1の半導体スイッチング素子とを備え、前記結線切り換え部が三相の前記巻き線の結線を切り換える際、前記第1の半導体スイッチング素子がオン状態である間に前記機械式スイッチの接点が接続および開放のうちのいずれかに切り換わる。このような構成によれば、結線の切り換えの際に機械式スイッチの接点間に高い電圧が印加されることを抑制することができる。 A first aspect of the technology disclosed in the specification of the present application is a power supply, a three-phase electric motor having three-phase windings, and a voltage applied to each of the three-phase windings connected to the power supply. A three-phase inverter circuit for, and a connection switching unit for switching the connection of the three-phase winding to any one of star connection and delta connection, the connection switching unit, a mechanical switch, At least one first semiconductor switching element connected in parallel with the mechanical switch is provided, and the first semiconductor switching element is turned on when the connection switching section switches connection of the three-phase windings. While in the state, the contact of the mechanical switch switches to either connection or disconnection. With such a configuration, it is possible to prevent a high voltage from being applied between the contacts of the mechanical switch when switching the connection.
また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。 Further, the objects, features, aspects, and advantages related to the technology disclosed in the present specification will become more apparent from the detailed description given below and the accompanying drawings.
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。また、それぞれの実施の形態によって生じる効果の例については、すべての実施の形態に関する説明の後でまとめて記述される。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. Although detailed features and the like are shown for the description of the technology in the following embodiments, they are mere examples, and all of them are not necessarily essential features for enabling the embodiments to be implemented. In addition, examples of the effects produced by the respective embodiments will be collectively described after the description of all the embodiments.
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。 It should be noted that the drawings are schematically shown, and for convenience of explanation, omission of the configuration or simplification of the configuration is appropriately made in the drawings. In addition, the mutual relationship between the sizes and the positions of the configurations and the like shown in different drawings is not necessarily described accurately and may be changed as appropriate. In addition, in drawings such as plan views that are not cross-sectional views, hatching may be added in order to facilitate understanding of the contents of the embodiments.
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。 Further, in the following description, the same components are designated by the same reference numerals, and their names and functions are the same. Therefore, detailed descriptions thereof may be omitted to avoid duplication.
また、以下に記載される説明において、「第1の」、または、「第2の」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。 In addition, in the description below, even if an ordinal number such as “first” or “second” is used, these terms are used to understand the contents of the embodiments. It is used for the sake of convenience for the sake of simplicity, and is not limited to the order that can be generated by these ordinal numbers.
<第1の実施の形態>
以下、本実施の形態に関する電動機駆動装置について説明する。
<First Embodiment>
Hereinafter, the electric motor drive device according to the present embodiment will be described.
<電動機駆動装置の構成について>
図1は、本実施の形態に関する三相電動機を駆動させる電動機駆動装置の構成の例を概略的に示す回路図である。
<Regarding the configuration of the electric motor drive device>
FIG. 1 is a circuit diagram schematically showing an example of the configuration of an electric motor drive device that drives a three-phase electric motor according to the present embodiment.
図1に例が示されるように、電動機駆動装置は、三相インバータ回路1と、複数の電流検出抵抗2と、電解コンデンサ3と、直流電源4と、結線切り換え部5と、三相(U、VおよびW)の巻き線を含む三相電動機6と、回生部7と、コンデンサ9とを備える。
As shown in the example of FIG. 1, the motor drive device includes a three-
なお、図1に示される例では、直流電源4は通常の直流電源である。しかしながら、本実施の形態における直流電源4は、正極および負極を有する直流電源であればよく、たとえば、半導体スイッチングからなるAC−DCコンバータ、または、整流器からなる整流電圧装置などであってもよい。 In the example shown in FIG. 1, the DC power supply 4 is a normal DC power supply. However, DC power supply 4 in the present embodiment may be a DC power supply having a positive electrode and a negative electrode, and may be, for example, an AC-DC converter including semiconductor switching or a rectifying voltage device including a rectifier.
また、複数の電流検出抵抗2は、三相インバータ回路1と、直流電源4の負極との間に配置される。
Moreover, the plurality of
図1の例に示されるように、三相インバータ回路1は、直流電源4の正極および負極に接続され、かつ、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3のそれぞれの一端に、正電圧または負電圧を付与する。
As shown in the example of FIG. 1, the three-
なお、以下の説明において、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3のそれぞれにおいて、三相インバータ回路1と接続された端部を「一端」と記すこともあり、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3のそれぞれにおいて、一端とは反対側の端部を「他端」と記すこともある。
In the following description, in each of the three-phase winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3, the end connected to the three-
本実施の形態における三相インバータ回路1は、直流電源4の正極側に配置される半導体スイッチング素子1a、半導体スイッチング素子1bおよび半導体スイッチング素子1cと、直流電源4の負極側に配置される半導体スイッチング素子1d、半導体スイッチング素子1eおよび半導体スイッチング素子1fとを備える。
The three-
半導体スイッチング素子1aは、巻き線6a1の一端と、直流電源4の正極との間に接続されている。また、半導体スイッチング素子1bは、巻き線6a2の一端と、直流電源4の正極との間に接続されている。また、半導体スイッチング素子1cは、巻き線6a3の一端と、直流電源4の正極との間に接続されている。 The semiconductor switching element 1a is connected between one end of the winding 6a1 and the positive electrode of the DC power supply 4. The semiconductor switching element 1b is connected between one end of the winding wire 6a2 and the positive electrode of the DC power supply 4. The semiconductor switching element 1c is connected between one end of the winding 6a3 and the positive electrode of the DC power supply 4.
また、半導体スイッチング素子1dは、巻き線6a1の一端と、直流電源4の負極との間に実質的に接続されている。また、半導体スイッチング素子1eは、巻き線6a2の一端と、直流電源4の負極との間に実質的に接続されている。また、半導体スイッチング素子1fは、巻き線6a3の一端と、直流電源4の負極との間に実質的に接続されている。 The semiconductor switching element 1d is substantially connected between one end of the winding wire 6a1 and the negative electrode of the DC power supply 4. The semiconductor switching element 1e is substantially connected between one end of the winding 6a2 and the negative electrode of the DC power supply 4. The semiconductor switching element 1f is substantially connected between one end of the winding 6a3 and the negative electrode of the DC power supply 4.
半導体スイッチング素子1a、半導体スイッチング素子1bおよび半導体スイッチング素子1cは、たとえば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(insulated gate bipolar transistor、すなわち、IGBT)であり、それぞれボディダイオード1g、ボディダイオード1h、ボディダイオード1iを内蔵している。
The semiconductor switching element 1a, the semiconductor switching element 1b, and the semiconductor switching element 1c are, for example, insulated gate bipolar transistors (i.e., IGBTs), and have a
同様に、半導体スイッチング素子1d、半導体スイッチング素子1eおよび半導体スイッチング素子1fは、たとえば、IGBTであり、それぞれボディダイオード1j、ボディダイオード1k、ボディダイオード1lを内蔵している。
Similarly, each of the semiconductor switching element 1d, the semiconductor switching element 1e, and the semiconductor switching element 1f is, for example, an IGBT and has a body diode 1j, a
また、三相インバータ回路1は、上側IGBTの駆動制御IC1mと、下側IGBTの駆動制御IC1nとを内蔵している。そして、三相インバータ回路1は、図1においては図示されていないマイコンなどからの制御パルス信号に基づいて、信号のレベルシフト、IGBTを駆動するための電流増幅、または、過電流からの保護などを行っている。
Further, the three-
以上のように構成された三相インバータ回路1が、三相(U、VおよびW)の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3に、位相が120度ずつ異なる3パターンの交流電流を流すように、三相インバータ回路1の半導体スイッチング素子1a、半導体スイッチング素子1bおよび半導体スイッチング素子1c、および、半導体スイッチング素子1d、半導体スイッチング素子1eおよび半導体スイッチング素子1fが、パルス幅変調(pulse width modulation、すなわち、PWM)動作によって制御される。
The three-
簡略化のために図1には図示されていないフィードバック回路は、電流検出抵抗2または図1において図示されていないカレントトランスなどの電流検出手段を用いて検出される三相インバータ回路1の交流電流の電流量、または、ホール素子などの電動機の回転数を監視することによって、三相インバータ回路1におけるパルス幅変調動作を制御する。
For simplification, the feedback circuit not shown in FIG. 1 is an alternating current of the three-
これによって、フィードバック回路は、三相インバータ回路1の交流電流の電流量、または、ホール素子などの電動機の回転数を制御することが可能となっている。
As a result, the feedback circuit can control the amount of alternating current of the three-
たとえば、図1に示された回路が空調機などの圧縮機に利用される場合には、フィードバック回路は、空調の対象となる部屋の温度に応じて、三相電動機6の回転量を制御する。
For example, when the circuit shown in FIG. 1 is used for a compressor such as an air conditioner, the feedback circuit controls the rotation amount of the three-phase
具体的には、部屋の温度と目標温度との温度差が大きいときには、フィードバック回路は、定格出力に近い高速回転で三相電動機6を回転させることによって熱交換力を高める。
Specifically, when the temperature difference between the room temperature and the target temperature is large, the feedback circuit rotates the three-phase
一方で、部屋の温度が目標温度近傍に近づいたときには、フィードバック回路は、低速回転で三相電動機6を回転させる。
On the other hand, when the room temperature approaches the target temperature, the feedback circuit rotates the three-phase
そして、最適温度が安定して維持されるように、フィードバック回路は、巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3のそれぞれを流れる交流電流の電流量および周波数を細かくフィードバック制御する。 Then, the feedback circuit finely feedback-controls the amount and frequency of the alternating current flowing through each of the winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3 so that the optimum temperature is stably maintained.
結線切り換え部5は、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3の結線をスター結線およびデルタ結線の一方から他方に切り換える。 The connection switching unit 5 switches the connection of the three-phase winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3 from one of the star connection and the delta connection to the other.
本実施の形態では、結線切り換え部5は、デルタ結線用スイッチ5a1、デルタ結線用スイッチ5a2およびデルタ結線用スイッチ5a3と、スター結線用スイッチ5b1、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3とを備える。 In the present embodiment, the connection switching unit 5 includes a delta connection switch 5a1, a delta connection switch 5a2 and a delta connection switch 5a3, and a star connection switch 5b1, a star connection switch 5b2 and a star connection switch 5b3. Prepare
なお、以下の説明において、デルタ結線用スイッチ5a1、デルタ結線用スイッチ5a2およびデルタ結線用スイッチ5a3と、スター結線用スイッチ5b1、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3とを区別しない場合には、それぞれを「スイッチ」または「スイッチ回路」と記すこともある。 In the following description, if the delta connection switch 5a1, the delta connection switch 5a2 and the delta connection switch 5a3 are not distinguished from the star connection switch 5b1, the star connection switch 5b2 and the star connection switch 5b3, , Each may be referred to as a “switch” or a “switch circuit”.
デルタ結線用スイッチ5a1は、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3の結線をデルタ結線にするためのスイッチであり、巻き線6a1の他端と、巻き線6a2の一端との間に接続されている。 The delta connection switch 5a1 is a switch for making the connection of the three-phase winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3 into a delta connection, and between the other end of the winding 6a1 and one end of the winding 6a2. It is connected to the.
また、デルタ結線用スイッチ5a2は、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3の結線をデルタ結線にするためのスイッチであり、巻き線6a2の他端と、巻き線6a3の一端との間に接続されている。 The delta connection switch 5a2 is a switch for connecting the three-phase winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3 to a delta connection, and the other end of the winding 6a2 and one end of the winding 6a3. Connected between.
また、デルタ結線用スイッチ5a3は、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3の結線をデルタ結線にするためのスイッチであり、巻き線6a3の他端と、巻き線6a1の一端との間に接続されている。 The delta connection switch 5a3 is a switch for connecting the three-phase winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3 to a delta connection, and the other end of the winding 6a3 and one end of the winding 6a1. Connected between.
一方で、スター結線用スイッチ5b1は、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3の結線をスター結線にするためのスイッチであり、三相の巻き線6a1の他端と、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3との間に接続されている。 On the other hand, the star connection switch 5b1 is a switch for making the connection of the three-phase winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3 into a star connection, and the other end of the three-phase winding 6a1 and the star connection. The switch 5b2 and the star connection switch 5b3 are connected to each other.
また、スター結線用スイッチ5b2は、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3の結線をスター結線にするためのスイッチであり、三相の巻き線6a2の他端と、スター結線用スイッチ5b1およびスター結線用スイッチ5b3との間に接続されている。 The star connection switch 5b2 is a switch for connecting the three-phase winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3 into a star connection, and the other end of the three-phase winding 6a2 and the star connection. It is connected between the switch 5b1 and the star connection switch 5b3.
また、スター結線用スイッチ5b3は、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3の結線をスター結線にするためのスイッチであり、三相の巻き線6a3の他端と、スター結線用スイッチ5b1およびスター結線用スイッチ5b2との間に接続されている。 The star connection switch 5b3 is a switch for connecting the three-phase winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3 into a star connection, and the other end of the three-phase winding 6a3 and the star connection. It is connected between the switch 5b1 and the star connection switch 5b2.
図2は、図1の結線切り換え部5における1つのスイッチ回路(デルタ結線用スイッチまたはスター結線用スイッチ)の構成の例を概略的に示す回路図である。 FIG. 2 is a circuit diagram schematically showing an example of the configuration of one switch circuit (delta connection switch or star connection switch) in the connection switching unit 5 of FIG.
図2に例が示されるように、結線切り換え部5の1つのスイッチ回路は、ベース電流制限抵抗10と、ベース電流制限抵抗10にゲート端子が接続されるフォトカプラスイッチトランジスタ12と、ベース電流制限抵抗10とフォトカプラスイッチトランジスタ12との間に接続されるプルダウン抵抗11と、フォトカプラ用電源13と、フォトカプラ用電源13に接続されるフォトカプラ電流制限抵抗14と、フォトカプラスイッチトランジスタ12およびフォトカプラ電流制限抵抗14に接続されるフォトカプラ15と、フォトカプラ15に接続される半導体スイッチング素子ゲートドライブ電源用バイパスコンデンサ16と、半導体スイッチング素子ゲートドライブ電源用バイパスコンデンサ16に接続される半導体スイッチング素子ゲートドライブ用電源17と、フォトカプラ15に接続される半導体スイッチング素子ゲート電流制限用抵抗18と、互いに接続される複数の半導体スイッチング素子20と、半導体スイッチング素子20間に接続される半導体スイッチング素子ゲート電位プルダウン抵抗19と、それぞれの半導体スイッチング素子20に逆並列に接続されるダイオード21と、半導体スイッチング素子20と並列に接続される電磁リレー22と、電磁リレー22に接続される電磁リレー回生用ダイオード25と、電磁リレー回生用ダイオード25に接続されるフォトカプラ用電源13と、電磁リレー回生用ダイオード25に接続される電磁リレー駆動用トランジスタ23とを備える。
As shown in an example in FIG. 2, one switch circuit of the connection switching unit 5 includes a base current limiting
そして、それぞれの巻き線に共通のまたは個別のタイミング発生回路26が、ベース電流制限抵抗10および電磁リレー駆動用トランジスタ23に接続されている。タイミング発生回路26は、電磁リレー22の駆動タイミングを制御するRY信号と、半導体スイッチング素子20の駆動タイミングを制御するTR信号とを出力することができる。
Further, a
図2に例が示されるように、それぞれスイッチ回路では、2つの半導体スイッチング素子20が互いに向かい合わせてソース端子同士が接続されており、2つの半導体スイッチング素子20のドレイン端子はそれぞれ、電力損失の小さい電磁リレー22の両接点に接続されている。すなわち、複数の半導体スイッチング素子20は、互いに逆直列に接続されている。
As shown in the example of FIG. 2, in each switch circuit, two
また、半導体スイッチング素子20と逆並列に、ソース側からドレイン側へ電流を流すためのダイオード21が接続されており、ダイオード21のアノード端子が半導体スイッチング素子20のソース側へ、ダイオード21のカソード端子が半導体スイッチング素子20のドレイン側へそれぞれ接続されている。
A
半導体スイッチング素子20は、IGBT、または、金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタ(metal−oxide−semiconductor field−effect transistor、すなわち、MOSFET)などの半導体スイッチング素子であり、たとえば、半導体スイッチング素子20がMOSFETである場合は、寄生ダイオードが存在するため、ダイオード21は不要である。
The
なお、スイッチ回路において、並列接続された電磁リレー22と半導体スイッチング素子とを組み合わせることによって、電磁リレー22の接点がオン状態からオフ状態へ、または、オフ状態からオン状態へ切り換わる前にまたはほぼ同時に、半導体スイッチング素子をオン状態として導通させることで、電磁リレー22の接点間の電圧が低い状態での切り換えが可能となる。
In the switch circuit, by combining the
よって、半導体スイッチング素子による高速な切り換えを実現しつつ、巻き線電流が流れている状態での頻繁なスイッチ切り換えにおける電磁リレー22の接点間におけるアーク放電を抑制することができるため、電磁リレー22の接点の寿命を延ばすことができる。
Therefore, since it is possible to realize high-speed switching by the semiconductor switching element, it is possible to suppress arc discharge between the contacts of the
図1において、回生部7は、結線切り換え部5による結線の切り換え時に、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3の電圧を特定の電圧内にクランプして(制限して)直流電源4の正極および負極に選択的に帰還させる。そうすることによって、回生部7は、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3に蓄積されたエネルギーを回生する。ここで、特定の電圧とは、たとえば、直流電源4の電圧、または、直流電源4の電圧程度の電圧である。 In FIG. 1, the regenerative unit 7 clamps (limits) the voltage of the three-phase winding 6a1, winding 6a2, and winding 6a3 within a specific voltage at the time of switching the wiring by the wiring switching unit 5, and limits the direct current. The positive and negative electrodes of the power source 4 are selectively fed back. By doing so, the regenerative unit 7 regenerates the energy accumulated in the three-phase winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3. Here, the specific voltage is, for example, the voltage of the DC power supply 4 or a voltage of about the voltage of the DC power supply 4.
本実施の形態では、回生部7は、ダイオード7a1、ダイオード7a2およびダイオード7a3と、ダイオード7b1、ダイオード7b2およびダイオード7b3を含む。 In the present embodiment, regenerative unit 7 includes diode 7a1, diode 7a2 and diode 7a3, and diode 7b1, diode 7b2 and diode 7b3.
ダイオード7a1は、複数のダイオードが直列に接続されて構成される。ダイオード7a1は、巻き線6a1の他端と結線切り換え部5のデルタ結線用スイッチ5a1とに接続されたアノードと、直流電源4の正極に接続されたカソードとを有する。 The diode 7a1 is configured by connecting a plurality of diodes in series. The diode 7a1 has an anode connected to the other end of the winding 6a1 and the delta connection switch 5a1 of the connection switching unit 5, and a cathode connected to the positive electrode of the DC power supply 4.
また、ダイオード7a2は、複数のダイオードが直列に接続されて構成される。ダイオード7a2は、巻き線6a2の他端と結線切り換え部5のデルタ結線用スイッチ5a2とに接続されたアノードと、直流電源4の正極に接続されたカソードとを有する。 The diode 7a2 is configured by connecting a plurality of diodes in series. The diode 7a2 has an anode connected to the other end of the winding 6a2 and the delta connection switch 5a2 of the connection switching unit 5, and a cathode connected to the positive electrode of the DC power supply 4.
また、ダイオード7a3は、複数のダイオードが直列に接続されて構成される。ダイオード7a3は、巻き線6a3の他端と結線切り換え部5のデルタ結線用スイッチ5a3とに接続されたアノードと、直流電源4の正極と接続されたカソードとを有する。 The diode 7a3 is configured by connecting a plurality of diodes in series. The diode 7a3 has an anode connected to the other end of the winding 6a3 and the delta connection switch 5a3 of the connection switching unit 5, and a cathode connected to the positive electrode of the DC power supply 4.
ダイオード7b1は、複数のダイオードが直列に接続されて構成される。ダイオード7b1は、巻き線6a1の他端と結線切り換え部5のデルタ結線用スイッチ5a1とに接続されたカソードと、直流電源4の負極に接続されたアノードとを有する。 The diode 7b1 is configured by connecting a plurality of diodes in series. The diode 7b1 has a cathode connected to the other end of the winding 6a1 and the delta connection switch 5a1 of the connection switching unit 5, and an anode connected to the negative electrode of the DC power supply 4.
また、ダイオード7b2は、複数のダイオードが直列に接続されて構成される。ダイオード7b2は、巻き線6a2の他端と結線切り換え部5のデルタ結線用スイッチ5a2とに接続されたカソードと、直流電源4の負極に接続されたアノードとを有する。 Further, the diode 7b2 is configured by connecting a plurality of diodes in series. The diode 7b2 has a cathode connected to the other end of the winding 6a2 and the delta connection switch 5a2 of the connection switching unit 5, and an anode connected to the negative electrode of the DC power supply 4.
また、ダイオード7b3は、複数のダイオードが直列に接続されて構成される。ダイオード7b3は、巻き線6a3の他端と結線切り換え部5のデルタ結線用スイッチ5a3とに接続されたカソードと、直流電源4の負極に接続されたアノードとを有する。 Further, the diode 7b3 is configured by connecting a plurality of diodes in series. The diode 7b3 has a cathode connected to the other end of the winding 6a3 and the delta connection switch 5a3 of the connection switching unit 5, and an anode connected to the negative electrode of the DC power supply 4.
なお、本実施の形態では、ダイオード7a1、ダイオード7a2およびダイオード7a3のそれぞれの順電圧は、これらが複数のダイオードが直列に接続されて構成されたものであるため、三相インバータ回路1内のボディダイオード1g、ボディダイオード1hおよびボディダイオード1iのそれぞれの順電圧よりも大きい。
In the present embodiment, the forward voltage of each of the diode 7a1, the diode 7a2, and the diode 7a3 is formed by connecting a plurality of diodes in series. It is higher than the forward voltage of each of the
また、ダイオード7b1、ダイオード7b2およびダイオード7b3のそれぞれの順電圧は、これらが複数のダイオードが直列に接続されて構成されたものであるため、ボディダイオード1j、ボディダイオード1kおよびボディダイオード1lのそれぞれの順電圧よりも大きい。
The forward voltage of each of the diode 7b1, the diode 7b2, and the diode 7b3 is composed of a plurality of diodes connected in series. Therefore, the forward voltage of each of the body diode 1j, the
以下の説明では、ダイオード7a1、ダイオード7a2およびダイオード7a3の順電圧、および、ダイオード7b1、ダイオード7b2およびダイオード7b3の順電圧を「Vf」と記すこともある。 In the following description, the forward voltage of the diode 7a1, the diode 7a2, and the diode 7a3, and the forward voltage of the diode 7b1, the diode 7b2, and the diode 7b3 may be described as "Vf".
図1における電解コンデンサ3およびコンデンサ9は、ともにバイパスコンデンサである。また、電解コンデンサ3およびコンデンサ9は、ともに直流電源4の正極と負極との間に配置される。
Both electrolytic capacitor 3 and
電解コンデンサ3は、主に電力を蓄えておくための大容量のコンデンサである。一方で、コンデンサ9は、スイッチングによる高周波成分をバイパスして除去するための低容量のコンデンサであり、サージ電圧の吸収作用も有する。
The electrolytic capacitor 3 is a large-capacity capacitor mainly for storing electric power. On the other hand, the
<電動機駆動装置の動作について>
次に、結線切り換え部5が行う三相電動機6の結線の切り換えについて説明する。三相電動機6は、たとえば、3相ブラシレスモータである。
<About the operation of the motor drive device>
Next, the connection switching of the three-phase
三相電動機6の巻き線数が大きいと、低回転での効率が高く、かつ、高回転での効率が低下する。一方で、三相電動機6の巻き線数が小さいと、低回転での効率が低く、かつ、高回転での効率が高くなる。
When the number of windings of the three-phase
図1に例が示される回路構成では、デルタ結線用スイッチ5a1、デルタ結線用スイッチ5a2およびデルタ結線用スイッチ5a3がオン状態とされ、かつ、スター結線用スイッチ5b1、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3がオフ状態されると、三相電動機6の結線は、巻き線数が比較的小さいデルタ結線になる。
In the circuit configuration illustrated in FIG. 1, the delta connection switch 5a1, the delta connection switch 5a2, and the delta connection switch 5a3 are turned on, and the star connection switch 5b1, the star connection switch 5b2, and the star connection switch are connected. When the power switch 5b3 is turned off, the connection of the three-phase
そして、図1に例が示される回路構成では、デルタ結線用スイッチ5a1、デルタ結線用スイッチ5a2およびデルタ結線用スイッチ5a3がオフ状態とされ、かつ、スター結線用スイッチ5b1、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3がオン状態とされると、三相電動機6の結線は、巻き線数が比較的大きいスター結線になる。
In the circuit configuration illustrated in FIG. 1, the delta connection switch 5a1, the delta connection switch 5a2, and the delta connection switch 5a3 are turned off, and the star connection switch 5b1, the star connection switch 5b2, and When the star connection switch 5b3 is turned on, the connection of the three-
このように、デルタ結線用スイッチ5a1、デルタ結線用スイッチ5a2およびデルタ結線用スイッチ5a3、および、スター結線用スイッチ5b1、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3を制御することによって、三相電動機6の結線、さらには、三相電動機6の巻き線数を変更することが可能となっている。
In this way, by controlling the delta connection switch 5a1, the delta connection switch 5a2 and the delta connection switch 5a3, and the star connection switch 5b1, the star connection switch 5b2 and the star connection switch 5b3, the three-phase electric motor is controlled. It is possible to change the number of windings of the three-phase
本実施の形態では、スター結線時の三相電動機6の巻き線数を基準とすると、デルタ結線時の三相電動機6の相対的な巻数比は1/31/2となっている。
In the present embodiment, based on the number of windings of the three-phase
そこで、本実施の形態に関する電動機駆動装置は、三相電動機6の回転速度が上昇したときに、三相電動機6の結線を相対的な巻数比が小さいデルタ結線に切り換え、三相電動機6の回転速度が低下したときに、三相電動機6の結線を相対的な巻数比が大きいスター結線に切り換える。これによって、三相電動機6の効率低下を抑制することが可能となっている。
Therefore, when the rotational speed of the three-phase
図3は、デルタ結線およびスター結線の一方から他方に切り換えることで、三相インバータ回路1および三相電動機6の合計の効率が改善することの例を示す図である。図3においては、縦軸は電動機とインバータとの合計の効率を示し、横軸は回転数を示す。
FIG. 3 is a diagram showing an example in which the total efficiency of the three-
低速動作領域では、デルタ結線用スイッチ5a1、デルタ結線用スイッチ5a2およびデルタ結線用スイッチ5a3がオフ状態とされ、かつ、スター結線用スイッチ5b1、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3がオン状態とされることで、三相電動機6の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3はスター結線で結線される。
In the low speed operation region, the delta connection switch 5a1, the delta connection switch 5a2, and the delta connection switch 5a3 are turned off, and the star connection switch 5b1, the star connection switch 5b2, and the star connection switch 5b3 are turned on. Thus, the winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3 of the three-phase
一方で、高速動作領域では、デルタ結線用スイッチ5a1、デルタ結線用スイッチ5a2およびデルタ結線用スイッチ5a3がオン状態とされ、かつ、スター結線用スイッチ5b1、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3がオフ状態とされることで、三相電動機6の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3はデルタ結線で結線される。
On the other hand, in the high-speed operation region, the delta connection switch 5a1, the delta connection switch 5a2, and the delta connection switch 5a3 are turned on, and the star connection switch 5b1, the star connection switch 5b2, and the star connection switch 5b3 are turned on. Is turned off, the winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3 of the three-phase
このように結線を切り換えることによって、たとえば、低速域でデルタ結線で結線した場合(図3において点線で示される)に比べて、電動機とインバータとの合計の効率が高まっていることが分かる。 By switching the connection in this way, it can be seen that the total efficiency of the electric motor and the inverter is increased as compared with the case where the connection is made by the delta connection (shown by the dotted line in FIG. 3) in the low speed region.
ここで、両スイッチ(デルタ結線用スイッチ5a1、デルタ結線用スイッチ5a2およびデルタ結線用スイッチ5a3、および、スター結線用スイッチ5b1、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3)を同時にオン状態とした場合には、三相インバータ回路1の三相(U、VおよびW)のそれぞれの出力間が短絡されることになる。そのため、三相インバータ回路1が故障する可能性がある。
Here, both switches (delta connection switch 5a1, delta connection switch 5a2 and delta connection switch 5a3, and star connection switch 5b1, star connection switch 5b2 and star connection switch 5b3) are turned on at the same time. In this case, the outputs of the three phases (U, V and W) of the three-
また、この場合には、巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3のそれぞれの両端が短絡されることになるため、三相電動機6がブレーキ動作によって停止するという不具合が生じる。
Further, in this case, both ends of the winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3 are short-circuited, so that the three-phase
そのため、結線切り換え部5は、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3の結線を、スター結線およびデルタ結線の一方から、移行期間を経て他方に切り換えるように構成されている。本実施の形態では、移行期間は、両スイッチがオン状態とはならずにオフ状態となるデッドタイムである。デッドタイムは、たとえば、数μs以上、かつ、数ms以下である。 Therefore, the connection switching unit 5 is configured to switch the connection of the three-phase winding 6a1, the winding 6a2, and the winding 6a3 from one of the star connection and the delta connection to the other after a transition period. In the present embodiment, the transition period is a dead time in which both switches are in the off state without being in the on state. The dead time is, for example, several μs or more and several ms or less.
図4は、本実施の形態に関する、機械式スイッチの切り換えについてのタイミングチャートの例を示す図である。図4においては、縦軸は電動機の回転数Nを示し、横軸は時間を示す。 FIG. 4 is a diagram showing an example of a timing chart for switching mechanical switches according to the present embodiment. In FIG. 4, the vertical axis represents the rotation speed N of the electric motor, and the horizontal axis represents time.
三相電動機6の回転数Nが上昇する場合において、回転数Nが、あらかじめ定められた基準周波数に対応する基準回転数N0を経てN0+ΔNになると(図4における時点T1)、スター結線用スイッチ5b1、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3にオフ信号(図2におけるRY信号オフ)が入力される。なお、ΔNは、結線の切り換え時の誤動作を防止するための回転数のヒステリシスである。
When the rotation speed N of the three-phase
その後、図4における時点T3で、スター結線用スイッチ5b1、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3がオフ状態となる。 After that, at time T3 in FIG. 4, the star connection switch 5b1, the star connection switch 5b2, and the star connection switch 5b3 are turned off.
そして、早くても図4における時点T3の後に、デルタ結線用スイッチ5a1、デルタ結線用スイッチ5a2およびデルタ結線用スイッチ5a3にオン信号(図2におけるRY信号オン)が入力されることによって、図4における時点T3の後の時点T5において、デルタ結線用スイッチ5a1、デルタ結線用スイッチ5a2およびデルタ結線用スイッチ5a3がオン状態となる。 Then, after the time T3 in FIG. 4 at the earliest, an ON signal (RY signal ON in FIG. 2) is input to the delta connection switch 5a1, the delta connection switch 5a2, and the delta connection switch 5a3, so that At time T5 after time T3 in, the delta connection switch 5a1, the delta connection switch 5a2, and the delta connection switch 5a3 are turned on.
また、三相電動機6の回転数Nが下降する場合において、回転数Nが、あらかじめ定められた基準周波数に対応する基準回転数N0を経てN0−ΔNになると(図4における時点T9)、デルタ結線用スイッチ5a1、デルタ結線用スイッチ5a2およびデルタ結線用スイッチ5a3にオフ信号(図2におけるRY信号オフ)が入力される。
Further, when the rotation speed N of the three-phase
その後、図4における時点T11で、デルタ結線用スイッチ5a1、デルタ結線用スイッチ5a2およびデルタ結線用スイッチ5a3がオフ状態となる。 After that, at time T11 in FIG. 4, the delta connection switch 5a1, the delta connection switch 5a2, and the delta connection switch 5a3 are turned off.
そして、早くても図4における時点T11の後に、スター結線用スイッチ5b1、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3にオン信号(図2におけるRY信号オン)が入力されることによって、図4における時点T11の後の時点T13において、スター結線用スイッチ5b1、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3がオン状態となる。 Then, after the time T11 in FIG. 4 at the earliest, an ON signal (RY signal ON in FIG. 2) is input to the star connection switch 5b1, the star connection switch 5b2, and the star connection switch 5b3. At time T13 after time T11 in, the star connection switch 5b1, the star connection switch 5b2, and the star connection switch 5b3 are turned on.
図5は、本実施の形態に関する電動機駆動装置におけるタイミングチャートである。 FIG. 5 is a timing chart in the electric motor drive device according to the present embodiment.
図5においては、デルタ結線用スイッチ5a1、デルタ結線用スイッチ5a2およびデルタ結線用スイッチ5a3における半導体スイッチング素子20および電磁リレー22と、スター結線用スイッチ5b1、スター結線用スイッチ5b2およびスター結線用スイッチ5b3における半導体スイッチング素子20および電磁リレー22との関係が示されている。
In FIG. 5, the
図5においては、具体的には、デルタ結線用スイッチ5a1とスター結線用スイッチ5b1との関係、デルタ結線用スイッチ5a2とスター結線用スイッチ5b2との関係、または、デルタ結線用スイッチ5a3とスター結線用スイッチ5b3との関係が示されている。以下では、図5を参照しつつ、デルタ結線用スイッチ5a1とスター結線用スイッチ5b1との関係について説明する。 In FIG. 5, specifically, the relationship between the delta connection switch 5a1 and the star connection switch 5b1, the relationship between the delta connection switch 5a2 and the star connection switch 5b2, or the delta connection switch 5a3 and the star connection. The relationship with the power switch 5b3 is shown. The relationship between the delta connection switch 5a1 and the star connection switch 5b1 will be described below with reference to FIG.
<スター結線の状態からデルタ結線へ切り換える場合>
スター結線の状態からデルタ結線へ切り換える場合、まず、図5における時点T1において、タイミング発生回路26によって、スター結線用スイッチ5b1の電磁リレー駆動信号(5b RY信号)がオフとなり、スター結線用スイッチ5b1の半導体スイッチング素子駆動信号(5b TR信号)がオンとなる。
<When switching from star connection to delta connection>
When switching from the star connection state to the delta connection state, first, at a time point T1 in FIG. 5, the
これによって、スター結線用スイッチ5b1内の半導体スイッチング素子20は即座に導通する。しかしながら、スター結線用スイッチ5b1内の電磁リレー22はすぐには反応せず、電磁リレー22の接点が接続状態(オン状態)の間は、半導体スイッチング素子20のドレイン端子(D)とソース端子(S)との間の飽和電圧とダイオード21の順電圧とを合わせた電圧の方が接点間電圧よりも大きいため、半導体スイッチング素子20およびダイオード21には電流が流れない。当該動作は、図5における時点T1から図5における時点T2の間の期間に行われる。
As a result, the
そして、通常1.5ms以上、かつ、6ms以下程度の遅延の後、図5における時点T2においてスター結線用スイッチ5b1内の電磁リレー22の接点がオフ状態となる。すなわち、電磁リレー22の接点間の電流値(5b I1)は0[A]となる。
Then, after a delay of usually about 1.5 ms or more and about 6 ms or less, the contact of the
スター結線用スイッチ5b1内の半導体スイッチング素子20がIGBTである場合、図5における時点T2でスター結線用スイッチ5b1内の電磁リレー22の接点がオフ状態となると、元々流れていた電流の向きに応じて、2つの向かい合う半導体スイッチング素子20のうちの1つと、2つのダイオード21のうちの1つとに電流が流れる。すなわち、半導体スイッチング素子20およびダイオード21の電流値(5b I2)がたとえば負の値となる。
When the
タイミング発生回路26は、電磁リレー22の接点がオフ状態となるまでの復帰時間のばらつきを配慮した時間後、たとえば、6ms後に、半導体スイッチング素子駆動信号(5b TR信号)をオフとする。
The
これによって、スター結線用スイッチ5b1内の電磁リレー22の接点がオフ状態である場合における接点間電圧を、半導体スイッチング素子20のドレイン端子(D)とソース端子(S)との間の飽和電圧とダイオード21の順電圧とを合わせた電圧にまで抑えることができる。そのため、アーク放電の発生を抑制することが可能であり、電磁リレー22の接点寿命の劣化を抑えることが可能となる。
As a result, the inter-contact voltage when the contact of the
次に、図5における時点T3の後の時点T4において、デルタ結線用スイッチ5a1内の電磁リレー駆動信号(5a RY信号)がオンとなる。同時に、デルタ結線用スイッチ5a1内の半導体スイッチング素子駆動信号(5a TR信号)がオンとなる。なお、図5における時点T3から時点T4までのデッドタイムは、たとえば、数μsである。 Next, at time T4 after time T3 in FIG. 5, the electromagnetic relay drive signal (5a RY signal) in the delta connection switch 5a1 is turned on. At the same time, the semiconductor switching element drive signal (5a TR signal) in the delta connection switch 5a1 is turned on. The dead time from time T3 to time T4 in FIG. 5 is, for example, several μs.
これによって、デルタ結線用スイッチ5a1内の半導体スイッチング素子20は即座に導通する。しかしながら、デルタ結線用スイッチ5a1内の電磁リレー22はすぐには反応せず、通常3ms以上、かつ、12ms以下程度の遅延の後、図5における時点T5において電磁リレー22の接点がオン状態となる。そして、機械式スイッチ特有の、接点の導通および非導通を繰り返すバウンス状態が発生する。通常、バウンス状態の時間は1ms前後である。
As a result, the
図5における時点T4からデルタ結線用スイッチ5a1内の電磁リレー22の接点が非導通(すなわち、オフ状態およびバウンス状態)の間、つまり、図5における時点T4から時点T7までの電磁リレー22の接点に電流が流れない期間は、電流の向きに応じて、2つの向かい合う半導体スイッチング素子20のうちの1つと2つのダイオード21のうちの1つとに電流が流れる。すなわち、半導体スイッチング素子20およびダイオード21の電流値(5a I2)がたとえば負の値となる。
While the contact of the
タイミング発生回路26は、バウンス状態が終了し、かつ、電磁リレー22の接点に電流が継続的に流れると思われるまでの動作時間のばらつきを配慮した時間、たとえば、デルタ結線用スイッチ5a1内の電磁リレー駆動信号(5a RY信号)をオンとしてから13ms後(図5における時点T8)において、デルタ結線用スイッチ5a1内の半導体スイッチング素子駆動信号(5a TR信号)をオフとする。
The
これによって、デルタ結線用スイッチ5a1内の電磁リレー22の接点がオン状態である場合における接点間電圧を、半導体スイッチング素子20のドレイン端子(D)とソース端子(S)との間の飽和電圧とダイオード21の順電圧とを合わせた電圧にまで抑えることができる。そのため、アーク放電の発生を抑制することが可能であり、電磁リレー22の接点寿命の劣化を抑えることが可能となる。
As a result, the inter-contact voltage when the contact of the
<デルタ結線の状態からスター結線へ切り換える場合>
次に、デルタ結線の状態からスター結線へ切り換える場合は、まず、図5における時点T9において、デルタ結線用スイッチ5a1の電磁リレー駆動信号(5a RY信号)がオフとなり、デルタ結線用スイッチ5a1の半導体スイッチング素子駆動信号(5a TR信号)がオンとなる。
<When switching from delta connection to star connection>
Next, when switching from the delta connection state to the star connection, first, at time T9 in FIG. 5, the electromagnetic relay drive signal (5a RY signal) of the delta connection switch 5a1 is turned off, and the semiconductor of the delta connection switch 5a1 is turned off. The switching element drive signal (5a TR signal) is turned on.
これによって、デルタ結線用スイッチ5a1内の半導体スイッチング素子20は即座に導通する。しかしながら、デルタ結線用スイッチ5a1内の電磁リレー22はすぐには反応せず、電磁リレー22の接点が接続状態(オン状態)の間は、半導体スイッチング素子20のドレイン端子(D)とソース端子(S)との間の飽和電圧とダイオード21の順電圧とを合わせた電圧の方が接点間電圧よりも大きいため、半導体スイッチング素子20およびダイオード21には電流が流れない。当該動作は、図5における時点T9から図5における時点T10の間の期間に行われる。
As a result, the
そして、通常1.5ms以上、かつ、6ms以下程度の遅延の後、図5における時点T10において電磁リレー22の接点がオフ状態となる。すなわち、電磁リレー22の接点間の電流値(5a I1)は0[A]となる。
Then, after a delay of usually about 1.5 ms or more and about 6 ms or less, the contact of the
デルタ結線用スイッチ5a1内の半導体スイッチング素子20がIGBTである場合、図5における時点T10でデルタ結線用スイッチ5a1内の電磁リレー22の接点がオフ状態となると、元々流れている電流の向きに応じて、2つの向かい合う半導体スイッチング素子20のうちの1つと、2つのダイオード21のうちの1つとに電流が流れる。すなわち、半導体スイッチング素子20およびダイオード21の電流値(5a I2)がたとえば正の値となる。
When the
タイミング発生回路26は、電磁リレー22の動作時間のばらつきを配慮した時間、たとえば、6ms後に、半導体スイッチング素子駆動信号(5a TR信号)をオフとする(図5における時点T11)。
The
これによって、デルタ結線用スイッチ5a1内の電磁リレー22の接点がオフ状態である場合における接点間電圧を、半導体スイッチング素子20のドレイン端子(D)とソース端子(S)との間の飽和電圧とダイオード21の順電圧とを合わせた電圧にまで抑えることができる。そのため、アーク放電の発生を抑制することが可能であり、電磁リレー22の接点寿命の劣化を抑えることが可能となる。
As a result, the inter-contact voltage when the contact of the
次に、図5における時点T11の後の時点T12において、スター結線用スイッチ5b1内の電磁リレー駆動信号(5b RY信号)がオンとなる。同時に、スター結線用スイッチ5b1内の半導体スイッチング素子駆動信号(5b TR信号)がオンとなる。なお、図5における時点T11から時点T12までのデッドタイムは、たとえば、数μsである。 Next, at time T12 after time T11 in FIG. 5, the electromagnetic relay drive signal (5b RY signal) in the star connection switch 5b1 is turned on. At the same time, the semiconductor switching element drive signal (5b TR signal) in the star connection switch 5b1 is turned on. The dead time from time T11 to time T12 in FIG. 5 is, for example, several μs.
これによって、スター結線用スイッチ5b1内の半導体スイッチング素子20は即座に導通する。しかしながら、スター結線用スイッチ5b1内の電磁リレー22はすぐには反応せず、通常3ms以上、かつ、12ms以下程度の遅延の後、図5における時点T13において電磁リレー22の接点がオン状態となる。そして、機械式スイッチ特有の、接点の導通および非導通を繰り返すバウンス状態が発生する。通常、バウンス状態の時間は1ms前後である。
As a result, the
図5における時点T12からスター結線用スイッチ5b1内の電磁リレー22の接点が非導通(すなわち、オフ状態およびバウンス状態)の間、つまり、図5における時点T12から時点T15までの電磁リレー22の接点に電流が流れない期間は、電流の向きに応じて、2つの向かい合う半導体スイッチング素子20のうちの1つと2つのダイオード21のうちの1つとに電流が流れる。すなわち、半導体スイッチング素子20およびダイオード21の電流値(5b I2)がたとえば正の値となる。
While the contact of the
タイミング発生回路26は、バウンス状態が終了し、かつ、電磁リレー22の接点に電流が継続的に流れると思われるまでの動作時間のばらつきを配慮した時間、たとえば、スター結線用スイッチ5b1内の電磁リレー駆動信号(5b RY信号)をオンとしてから13ms後(図5における時点T16)において、スター結線用スイッチ5b1内の半導体スイッチング素子駆動信号(5b TR信号)をオフとする。
The
これによって、スター結線用スイッチ5b1内の電磁リレー22の接点がオフ状態である場合における接点間電圧を、半導体スイッチング素子20のドレイン端子(D)とソース端子(S)との間の飽和電圧とダイオード21の順電圧とを合わせた電圧にまで抑えることができる。そのため、アーク放電の発生を抑制することが可能であり、電磁リレー22の接点寿命の劣化を抑えることが可能となる。
As a result, the inter-contact voltage when the contact of the
また、以上のように、それぞれのスイッチ回路における半導体スイッチング素子20およびダイオード21は、定常動作状態では導通せず、スター結線からデルタ結線、または、デルタ結線からスター結線への結線切り換え時の短時間のみ導通させることで、損失を抑制することが可能である。また、半導体スイッチング素子20およびダイオード21のための放熱器も不要となる。
Further, as described above, the
<第2の実施の形態>
本実施の形態に関する電動機駆動装置について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
<Second Embodiment>
An electric motor drive device according to the present embodiment will be described. In the following description, components similar to those described in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals and illustrated, and detailed description thereof will be appropriately omitted. ..
<電動機駆動装置の動作について>
図6は、本実施の形態に関する電動機駆動装置におけるタイミングチャートである。
<About the operation of the motor drive device>
FIG. 6 is a timing chart in the electric motor drive device according to the present embodiment.
図6において、図2に例が示されたスイッチ回路に備えられている電磁リレー22は、電磁リレー駆動信号(RY信号)がオンとなり、接点がオン状態となるまでの時間(すなわち、図6における時点T4から時点T6までの期間と図6における時点T12から時点T14までの期間)、いわゆる動作時間と、電磁リレー駆動信号(RY信号)がオフとなり、接点がオフ状態となるまでの時間(すなわち、図6における時点T1から時点T2までの期間と図6における時点T9から時点T10までの期間)、いわゆる復帰時間とには時間的な差が大きく、一般的に、ラッチタイプの電磁リレーでない場合は動作時間の方が長い。
In FIG. 6, the
電磁リレー駆動信号(RY信号)がオンとなり、バウンス状態が開始するまでの時間(すなわち、図6における時点T4から時点T5までの期間と図6における時点T12から時点T13までの期間)は主に電磁リレー22の機械的構造と励磁巻き線の電源電圧と温度状態とによって、その遅延量が決まり、かつ、必ず発生する。
The time until the electromagnetic relay drive signal (RY signal) is turned on and the bounce state starts (that is, the period from time T4 to time T5 in FIG. 6 and the period from time T12 to time T13 in FIG. 6) is mainly The delay amount is determined by the mechanical structure of the
本実施の形態では、その遅延量をあらかじめ考慮しておくことによって、半導体スイッチング素子20をオン状態とするタイミングを遅らせる。すなわち、タイミング発生回路26は、電磁リレー22にRY信号を出力した後、電磁リレー22の接点が接続および開放のうちのいずれかに切り換わるまでの間に半導体スイッチング素子20にTR信号を出力する。図6においては、時点T4aおよび時点12aとして、遅らせたタイミングがそれぞれ示されている。
In the present embodiment, the timing for turning on the
上記の遅延量は、電磁リレー22の仕様に合わせるか、または、実際に遅延する時間を測定するかによって、遅延量のばらつきも想定してある程度の余裕をもって設定すればよい。
The above delay amount may be set with a certain margin by assuming variations in the delay amount depending on whether the delay time is actually measured according to the specifications of the
このように設定することによって、電磁リレー22がオン状態となる際に半導体スイッチング素子20とダイオード21とに電流が流れる期間を、時点T4から時点T4aまでの期間、および、時点T12から時点T12aまでの期間の分だけ短くすることができる。なお、図6における時点T3から時点T4aまでのデッドタイムは、たとえば、数μs以上、かつ、数ms以下である。また、図6における時点T11から時点T12aまでのデッドタイムは、たとえば、数μs以上、かつ、数ms以下である。
By setting in this way, the period during which the current flows through the
図11は、小型の半導体スイッチング素子(たとえば、IGBT)の過渡熱抵抗の特性の例を示す図である。図11において、縦軸は半導体スイッチング素子の過渡熱抵抗[K/W]を示し、横軸は時間[s]を示す。 FIG. 11 is a diagram showing an example of characteristics of transient thermal resistance of a small semiconductor switching element (for example, IGBT). In FIG. 11, the vertical axis represents the transient thermal resistance [K/W] of the semiconductor switching element, and the horizontal axis represents the time [s].
図11において、10ms(0.01[s])の過渡熱抵抗は1.10[K/W]であるのに対して、1ms(0.001[s])の過渡熱抵抗は0.60[K/W]であり、また、0.1ms(0.0001[s])では0.13[K/W]である。 In FIG. 11, the transient thermal resistance of 10 ms (0.01 [s]) is 1.10 [K/W], while the transient thermal resistance of 1 ms (0.001 [s]) is 0.60. [K/W], and 0.13 [K/W] at 0.1 ms (0.0001 [s]).
たとえば、三相電動機の巻き線に40[A]の電流が流れていて、かつ、半導体スイッチング素子の飽和電圧が2[V]であるとすると、半導体スイッチング素子の周囲温度が70[℃]で、ジャンクション温度(Tj)とした場合、以下の式(1)、式(2)および式(3)のような温度差が生じる。 For example, if a current of 40 [A] is flowing in the winding of the three-phase electric motor and the saturation voltage of the semiconductor switching element is 2 [V], the ambient temperature of the semiconductor switching element is 70 [°C]. , Junction temperature (Tj), a temperature difference as shown in the following equations (1), (2) and (3) occurs.
そうすると、10ms以上の時間ではジャンクション温度が高くなるため、半導体スイッチング素子20を過渡熱抵抗の小さな比較的大型のものとする必要がある。また、半導体スイッチング素子20と並列に接続されるダイオード21についても、同様に大型のものとする必要がある。
Then, since the junction temperature becomes high for a time of 10 ms or more, it is necessary to make the
本実施の形態では、半導体スイッチング素子20およびダイオード21の導通期間を数ms程度に抑えることが可能であるため、結線切り換え時におけるジャンクション温度(Tj)の温度上昇を低く抑えることが可能である。そのため、より小型の半導体素子を用いることができる。
In the present embodiment, since the conduction period of the
<第3の実施の形態>
本実施の形態に関する電動機駆動装置について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
<Third Embodiment>
An electric motor drive device according to the present embodiment will be described. In the following description, components similar to those described in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals and illustrated, and detailed description thereof will be appropriately omitted. ..
<電動機駆動装置の構成について>
図7は、結線切り換え部における1つのスイッチ回路(デルタ結線用スイッチまたはスター結線用スイッチ)の構成の例を概略的に示す回路図である。
<Regarding the configuration of the electric motor drive device>
FIG. 7 is a circuit diagram schematically showing an example of the configuration of one switch circuit (delta connection switch or star connection switch) in the connection switching unit.
図7に例が示されるように、結線切り換え部の1つのスイッチ回路は、ベース電流制限抵抗10と、フォトカプラスイッチトランジスタ12と、プルダウン抵抗11と、フォトカプラ用電源13と、フォトカプラ電流制限抵抗14と、フォトカプラ15と、半導体スイッチング素子ゲートドライブ電源用バイパスコンデンサ16と、半導体スイッチング素子ゲートドライブ用電源17と、半導体スイッチング素子ゲート電流制限用抵抗18と、複数の半導体スイッチング素子20と、半導体スイッチング素子ゲート電位プルダウン抵抗19と、ダイオード21と、電磁リレー22と、電磁リレー回生用ダイオード25と、電磁リレー回生用ダイオード25に接続されるフォトカプラ用電源13と、電磁リレー駆動用トランジスタ23とを備える。
As shown in the example of FIG. 7, one switch circuit of the connection switching unit includes a base current limiting
そして、それぞれの巻き線に共通のまたは個別のタイミング発生回路26Aが、ベース電流制限抵抗10および電磁リレー駆動用トランジスタ23に接続されている。
A
第2の実施の形態で説明されたように、電磁リレー22には、動作時間と復帰時間という遅れ時間がある。
As described in the second embodiment, the
そこで、タイミング発生回路26Aは、メモリ部260を備える。メモリ部260は、電磁リレー駆動信号(RY信号)がオンとなり、バウンス状態が開始するまでの遅延(すなわち、図5における時点T4から時点T5までの期間と図5における時点T12から時点T13までの期間)と、電磁リレー駆動信号(RY信号)がオフとなり、接点がオフ状態となるまでの時間(すなわち、図5における時点T1から時点T2までの期間と図5における時点T9から時点T10までの期間)とを遅延時間として記憶する。
Therefore, the
なお、メモリ部260は、半導体に限らず、機械式ボリュームなどであってもよい。
The
本実施の形態では、それぞれの遅延時間を記憶する機能を追加する。そうすることによって、タイミング発生回路26Aがメモリ部260に記憶された遅延時間に基づいて半導体スイッチング素子20にRY信号を出力するタイミングを調整することができるため、半導体スイッチング素子20およびダイオード21の導通期間を短い時間に抑えることが可能である。そのため、結線切り換え時におけるジャンクション温度(Tj)の温度上昇を、低く抑えることが可能である。
In the present embodiment, a function for storing each delay time is added. By doing so, the timing at which the
<第4の実施の形態>
本実施の形態に関する電動機駆動装置について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
<Fourth Embodiment>
An electric motor drive device according to the present embodiment will be described. In the following description, components similar to those described in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals and illustrated, and detailed description thereof will be appropriately omitted. ..
<電動機駆動装置の構成について>
図8は、本実施の形態に関する電動機駆動装置の構成の例を概略的に示す回路図である。
<Regarding the configuration of the electric motor drive device>
FIG. 8 is a circuit diagram schematically showing an example of the configuration of the electric motor drive device according to the present embodiment.
図8に例が示されるように、電動機駆動装置は、三相インバータ回路1と、複数の電流検出抵抗2と、電解コンデンサ3と、直流電源4と、結線切り換え部5Xと、三相(U、VおよびW)の巻き線を含む三相電動機6と、回生部7と、コンデンサ9とを備える。
As shown in an example in FIG. 8, the motor drive device includes a three-
本実施の形態では、結線切り換え部5Xは、デルタ結線用スイッチ5a1X、デルタ結線用スイッチ5a2Xおよびデルタ結線用スイッチ5a3Xと、スター結線用スイッチ5b1X、スター結線用スイッチ5b2Xおよびスター結線用スイッチ5b3Xとを備える。
In the present embodiment, the
図9は、図8の結線切り換え部5Xにおける1つのスイッチ回路(デルタ結線用スイッチまたはスター結線用スイッチ)の構成の例を概略的に示す回路図である。
FIG. 9 is a circuit diagram schematically showing an example of the configuration of one switch circuit (delta connection switch or star connection switch) in the
図9に例が示されるように、結線切り換え部5Xの1つのスイッチ回路は、ベース電流制限抵抗10と、フォトカプラスイッチトランジスタ12と、プルダウン抵抗11と、フォトカプラ用電源13と、フォトカプラ電流制限抵抗14と、フォトカプラ15と、半導体スイッチング素子ゲートドライブ電源用バイパスコンデンサ16と、半導体スイッチング素子ゲートドライブ用電源17と、半導体スイッチング素子ゲート電流制限用抵抗18と、複数の半導体スイッチング素子20と、半導体スイッチング素子ゲート電位プルダウン抵抗19と、ダイオード21と、電磁リレー22と、電磁リレー回生用ダイオード25と、電磁リレー回生用ダイオード25に接続されるフォトカプラ用電源13と、電磁リレー駆動用トランジスタ23と、電磁リレー22の一端、および、電磁リレー回生用ダイオード25のカソード側に接続される電流検出素子24とを備える。
As shown in the example of FIG. 9, one switch circuit of the
電流検出素子24は、電磁リレー22の接点に流れる電流である接点電流を検出することができる。
The
そして、それぞれの巻き線に共通のまたは個別のタイミング発生回路26Bが、ベース電流制限抵抗10および電磁リレー駆動用トランジスタ23に接続されている。また、タイミング発生回路26Bには、電流検出素子24からの出力信号が入力される。
A
<電動機駆動装置の動作について>
図10は、本実施の形態に関する電動機駆動装置におけるタイミングチャートである。
<About the operation of the motor drive device>
FIG. 10 is a timing chart in the electric motor drive device according to the present embodiment.
図10においては、デルタ結線用スイッチ5a1X、デルタ結線用スイッチ5a2Xおよびデルタ結線用スイッチ5a3Xにおける半導体スイッチング素子20および電磁リレー22と、スター結線用スイッチ5b1X、スター結線用スイッチ5b2Xおよびスター結線用スイッチ5b3Xにおける半導体スイッチング素子20および電磁リレー22との関係が示されている。
In FIG. 10, the
以下では、図10を参照しつつ、デルタ結線用スイッチ5a1Xとスター結線用スイッチ5b1Xとの関係について説明する。 Hereinafter, the relationship between the delta connection switch 5a1X and the star connection switch 5b1X will be described with reference to FIG.
<スター結線の状態からデルタ結線へ切り換える場合>
スター結線の状態からデルタ結線へ切り換える場合、まず、図10における時点T1において、タイミング発生回路26Bによって、スター結線用スイッチ5b1Xの電磁リレー駆動信号(5b RY信号)がオフとなり、スター結線用スイッチ5b1Xの半導体スイッチング素子駆動信号(5b TR信号)がオンとなる。
<When switching from star connection to delta connection>
When switching from the star connection state to the delta connection, first, at time T1 in FIG. 10, the
これによって、スター結線用スイッチ5b1X内の半導体スイッチング素子20は即座に導通する。しかしながら、スター結線用スイッチ5b1X内の電磁リレー22はすぐには反応せず、電磁リレー22の接点が接続状態(オン状態)の間は、半導体スイッチング素子20のドレイン端子(D)とソース端子(S)との間の飽和電圧とダイオード21の順電圧とを合わせた電圧の方が接点間電圧よりも大きいため、半導体スイッチング素子20およびダイオード21には電流が流れない。当該動作は、図10における時点T1から図10における時点T2の間の期間に行われる。
As a result, the
そして、通常1.5ms以上、かつ、6ms以下程度の遅延の後、図10における時点T2においてスター結線用スイッチ5b1X内の電磁リレー22の接点がオフ状態となる。すなわち、電磁リレー22の接点間の電流値(5b I1)は0[A]となる。
Then, after a delay of usually about 1.5 ms or more and about 6 ms or less, the contact of the
スター結線用スイッチ5b1X内の半導体スイッチング素子20がIGBTである場合、図10における時点T2でスター結線用スイッチ5b1X内の電磁リレー22の接点がオフ状態となると、元々流れていた電流の向きに応じて、2つの向かい合う半導体スイッチング素子20のうちの1つと、2つのダイオード21のうちの1つとに電流が流れる。すなわち、半導体スイッチング素子20およびダイオード21の電流値(5b I2)がたとえば負の値となる。
When the
電磁リレー22の接点に流れる電流は、図9における電流検出素子24によって検出される。そして、検出された電流値が、出力信号としてタイミング発生回路26Bに入力される。
The current flowing through the contact of the
タイミング発生回路26Bは、電磁リレー22の接点に流れる電流の有無を監視しており、たとえば、当該電流が0.1ms間流れていないと判断された場合に、半導体スイッチング素子駆動信号(5b TR信号)をオフとする。
The
なお、タイミング発生回路26Bは、中央演算処理装置(central processing unit、すなわち、CPU)、コンパレータ回路またはラッチ回路などで構成可能である。
The
これによって、スター結線用スイッチ5b1X内の半導体スイッチング素子20およびダイオード21に電流が流れる期間(図10における時点T2から時点T3までの期間)を短時間とすることが可能である。
This makes it possible to shorten the period in which current flows through the
次に、図10における時点T3後の時点T4において、デルタ結線用スイッチ5a1X内の電磁リレー駆動信号(5a RY信号)がオンとなる。 Next, at time T4 after time T3 in FIG. 10, the electromagnetic relay drive signal (5a RY signal) in the delta connection switch 5a1X is turned on.
しかしながら、デルタ結線用スイッチ5a1X内の電磁リレー22はすぐには反応せず、通常3ms以上、かつ、12ms以下程度の遅延の後、図10における時点T5において電磁リレー22の接点がオン状態となる。そして、機械式スイッチ特有の、接点の導通および非導通を繰り返すバウンス状態が発生する。通常、バウンス状態の時間は1ms前後である。なお、図10における時点T3から時点T5までのデッドタイムは、たとえば、数μs以上、かつ、数ms以下である。
However, the
上述のように、デルタ結線用スイッチ5a1X内の電磁リレー22の接点に流れる電流は、デルタ結線用スイッチ5a1X内の電流検出素子24によって検出される。そして、検出された電流値が、出力信号としてタイミング発生回路26Bに入力される。
As described above, the current flowing through the contact of the
図10における時点T4の後、タイミング発生回路26Bは、電磁リレー22の接点に流れる電流の有無を監視する。そして、タイミング発生回路26Bは、電磁リレー22の接点に電流が流れていると判断する場合、即座にデルタ結線用スイッチ5a1X内の半導体スイッチング素子駆動信号(5a TR信号)をオンとする(図10における時点T5)。
After time T4 in FIG. 10, the
そして、図10における時点T5後のバウンス状態において、図10における時点T6から時点T7までの期間におけるデルタ結線用スイッチ5a1X内の電磁リレー22の接点が非導通となる期間において、流れている電流の向きに応じて、2つの向かい合う半導体スイッチング素子20のうちの1つと2つのダイオード21のうちの1つとに電流が流れる。すなわち、半導体スイッチング素子20およびダイオード21の電流値(5a I2)がたとえば負の値となる。
Then, in the bounce state after time T5 in FIG. 10, during the period from time T6 to time T7 in FIG. 10 during which the contact of the
この場合、接点の導通および非導通を繰り返すバウンス状態において、電磁リレー22の接点にかかる電圧が、半導体スイッチング素子20の飽和電圧とダイオード21の順電圧とを合わせた電圧以内に抑えられるため、アーク放電の発生が抑制される。
In this case, since the voltage applied to the contact of the
そして、バウンス状態が終了し、電磁リレー22の接点に電流が継続的に流れる状態、たとえば、1ms間(図10における時点T7から時点T8までの期間)継続的に電流が流れる場合、デルタ結線用スイッチ5a1X内のタイミング発生回路26Bは、デルタ結線用スイッチ5a1X内の半導体スイッチング素子駆動信号(5a TR信号)をオフとする。
Then, when the bounce state ends and the current continuously flows through the contacts of the
これによって、デルタ結線用スイッチ5a1X内の電磁リレー22の接点がオン状態である期間は半導体スイッチング素子20とダイオード21とには電流は流れない。そのため、半導体スイッチング素子20およびダイオード21の導通期間(図10における時点T6から時点T7までの期間)は、長くとも、バウンス期間以上、かつ、1ms以下の短時間とすることが可能である。
As a result, no current flows through the
<デルタ結線の状態からスター結線へ切り換える場合>
次に、デルタ結線の状態からスター結線へ切り換える場合は、まず、図10における時点T9において、デルタ結線用スイッチ5a1Xの電磁リレー駆動信号(5a RY信号)がオフとなり、デルタ結線用スイッチ5a1Xの半導体スイッチング素子駆動信号(5a TR信号)がオンとなる。
<When switching from delta connection to star connection>
Next, when switching from the delta connection state to the star connection, first, at time T9 in FIG. 10, the electromagnetic relay drive signal (5a RY signal) of the delta connection switch 5a1X is turned off, and the semiconductor of the delta connection switch 5a1X is turned off. The switching element drive signal (5a TR signal) is turned on.
これによって、デルタ結線用スイッチ5a1X内の半導体スイッチング素子20は即座に導通する。しかしながら、デルタ結線用スイッチ5a1X内の電磁リレー22はすぐには反応せず、電磁リレー22の接点が接続状態(オン状態)の間は、半導体スイッチング素子20のドレイン端子(D)とソース端子(S)間の飽和電圧とダイオード21の順電圧とを合わせた電圧の方が接点間電圧よりも大きいため、半導体スイッチング素子20およびダイオード21には電流が流れない。当該動作は、図10における時点T9から図10における時点T10の間の期間に行われる。
As a result, the
そして、通常1.5ms以上、かつ、6ms以下程度の遅延の後、図10における時点T10において電磁リレー22の接点がオフ状態となる。すなわち、電磁リレー22の接点間の電流値(5a I1)は0[A]となる。
Then, after a delay of usually about 1.5 ms or more and about 6 ms or less, the contact of the
デルタ結線用スイッチ5a1X内の半導体スイッチング素子20がIGBTである場合、図10における時点T10でデルタ結線用スイッチ5a1X内の電磁リレー22の接点がオフ状態となると、元々流れている電流の向きに応じて、2つの向かい合う半導体スイッチング素子20のうちの1つと、2つのダイオード21のうちの1つとに電流が流れる。すなわち、半導体スイッチング素子20およびダイオード21の電流値(5a I2)がたとえば正の値となる。
If the
電磁リレー22の接点に流れる電流は、図9における電流検出素子24によって検出される。そして、検出された電流値が、出力信号としてタイミング発生回路26Bに入力される。
The current flowing through the contact of the
タイミング発生回路26Bは、電磁リレー22の接点に流れる電流の有無を監視しており、たとえば、当該電流が0.1ms間流れていないと判断された場合に、半導体スイッチング素子駆動信号(5a TR信号)をオフとする。
The
なお、タイミング発生回路26Bは、CPU、コンパレータ回路またはラッチ回路などで構成可能である。
The
これによって、デルタ結線用スイッチ5a1X内の半導体スイッチング素子20およびダイオード21に電流が流れる期間(図10における時点T10から時点T11までの期間)を、たとえば、0.1msなどの短時間とすることが可能である。
As a result, the period in which the current flows through the
次に、図10における時点T11後の時点T12において、スター結線用スイッチ5b1X内の電磁リレー駆動信号(5b RY信号)がオンとなる。 Next, at time T12 after time T11 in FIG. 10, the electromagnetic relay drive signal (5b RY signal) in the star connection switch 5b1X is turned on.
しかしながら、スター結線用スイッチ5b1X内の電磁リレー22はすぐには反応せず、通常3ms以上、かつ、12ms以下程度の遅延の後、図10における時点T13において電磁リレー22の接点がオン状態となる。そして、機械式スイッチ特有の、接点の導通および非導通を繰り返すバウンス状態が発生する。通常、バウンス状態の時間は1ms前後である。なお、図10における時点T11から時点T13までのデッドタイムは、たとえば、数十μs以上、かつ、数ms以下である。
However, the
上述のように、スター結線用スイッチ5b1X内の電磁リレー22の接点に流れる電流は、スター結線用スイッチ5b1X内の電流検出素子24によって検出される。そして、検出された電流値が、出力信号としてタイミング発生回路26Bに入力される。
As described above, the current flowing through the contact of the
図10における時点T12の後、タイミング発生回路26Bは、電磁リレー22の接点に流れる電流の有無を監視する。そして、タイミング発生回路26Bは、電磁リレー22の接点に電流が流れていると判断する場合、即座にスター結線用スイッチ5b1X内の半導体スイッチング素子駆動信号(5b TR信号)をオンとする(図10における時点T13)。
After time T12 in FIG. 10, the
そして、図10における時点T13後のバウンス状態において、図10における時点T14から時点T15までの期間における、スター結線用スイッチ5b1X内の電磁リレー22の接点が非導通となる期間において、流れている電流の向きに応じて、2つの向かい合う半導体スイッチング素子20のうちの1つと2つのダイオード21のうちの1つとに電流が流れる。すなわち、半導体スイッチング素子20およびダイオード21の電流値(5b I2)がたとえば正の値となる。
Then, in the bounce state after the time point T13 in FIG. 10, the current flowing in the period from the time point T14 to the time point T15 in FIG. 10 during which the contact of the
この場合、接点の導通および非導通を繰り返すバウンス状態において、電磁リレー22の接点にかかる電圧が、半導体スイッチング素子20の飽和電圧とダイオード21の順電圧とを合わせた電圧以内に抑えられるため、アーク放電の発生が抑制される。
In this case, since the voltage applied to the contact of the
そして、バウンス状態が終了し、電磁リレー22の接点に電流が継続的に流れる状態、たとえば、1ms間(図10における時点T15から時点T16までの期間)継続的に電流が流れる場合、スター結線用スイッチ5b1X内のタイミング発生回路26Bは、スター結線用スイッチ5b1X内の半導体スイッチング素子駆動信号(5b TR信号)をオフとする。
Then, when the bounce state ends and the current continuously flows through the contact of the
これによって、スター結線用スイッチ5b1X内の電磁リレー22の接点がオン状態である期間は半導体スイッチング素子20とダイオード21とには電流は流れない。そのため、半導体スイッチング素子20およびダイオード21の導通期間(図10における時点T14から時点T15までの期間)は、長くとも、バウンス期間以上、かつ、1ms以下の短時間とすることが可能である。
As a result, no current flows through the
また、本実施の形態では、半導体スイッチング素子20およびダイオード21に電流が流れる期間を短くすることができるため、過渡熱抵抗が小さくすることができる。そのため、結線切り換え時における電動機の電流が大きい場合であっても、小型の半導体スイッチング素子およびダイオードを使用することができる。
In addition, in the present embodiment, the period during which the current flows through the
<以上に記載された実施の形態によって生じる効果について>
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
<Effects produced by the embodiment described above>
Next, an example of the effect produced by the above-described embodiment will be shown. Note that, in the following description, the effect is described based on the specific configuration of which an example is shown in the above-described embodiment, but within the scope of the same effect, an example in the specification of the present application is given. May be replaced with other specific configurations.
また、当該置き換えは、複数の実施の形態に跨ってなされてもよい。すなわち、異なる実施の形態において例が示されたそれぞれの構成が組み合わされて、同様の効果が生じる場合であってもよい。 Further, the replacement may be performed across a plurality of embodiments. That is, there may be a case where the respective configurations of which examples are shown in different embodiments are combined to produce the same effect.
以上に記載された実施の形態によれば、電動機駆動装置は、電源と、三相電動機6と、三相インバータ回路1と、結線切り換え部5(または、結線切り換え部5X)とを備える。ここで、電源は、たとえば、直流電源4に対応するものである。三相電動機6は、三相の巻き線6a1、巻き線6a2および巻き線6a3を有する。三相インバータ回路1は、直流電源4に接続される。また、三相インバータ回路1は、三相の巻き線のそれぞれに電圧を印加することができる。結線切り換え部5は、三相の巻き線の結線をスター結線およびデルタ結線のうちのいずれかに切り換えることができる。結線切り換え部5は、機械式スイッチと、少なくとも1つの第1の半導体スイッチング素子とを備える。ここで、機械式スイッチは、たとえば、電磁リレー22に対応するものである。また、第1の半導体スイッチング素子は、たとえば、半導体スイッチング素子20に対応するものである。半導体スイッチング素子20は、電磁リレー22と並列に接続される。そして、結線切り換え部5が三相の巻き線の結線を切り換える際、半導体スイッチング素子20がオン状態である間に電磁リレー22の接点が接続および開放のうちのいずれかに切り換わる。
According to the embodiments described above, the electric motor drive device includes the power supply, the three-phase
このような構成によれば、結線の切り換えの際に電磁リレー22の接点間に高い電圧が印加されることを抑制することができる。よって、アーク放電が生じることを抑制することができるため、電磁リレー22の寿命劣化を抑制することができる。具体的には、結線切り換え部5によってスター結線からデルタ結線へ、または、デルタ結線からスター結線への結線切り換えの際に、結線切り換え部5内の機械式スイッチ(すなわち、電磁リレー22)をオフ状態とする直前またはほぼ同時に、機械式スイッチに並列に接続されている半導体スイッチング素子20をオン状態とし、機械式スイッチの接点間の電位差が低い状態で、機械式スイッチの接点を接続状態から開放状態へと切り換える。これによって、機械式スイッチの接点間にアーク放電が発生することを抑制することができるため、機械式スイッチの接点の寿命劣化を防止することができる。また、結線切り換え部5内の機械式スイッチをオン状態とする際にも、機械式スイッチの接点が接続される前またはほぼ同時に、機械式スイッチに並列に接続されている半導体スイッチング素子20をオン状態することによって、機械式スイッチの接点間の電位差が低い状態で、機械式スイッチの接点を開放状態から接続状態へ切り換える。この場合も、機械式スイッチの接点間の電位差が低い状態で接続状態へと切り換えられるため、機械式スイッチの接点間にアーク放電が発生することを抑制することができる。そのため、機械式スイッチの接点の寿命劣化を防止することができる。また、機械式スイッチの接点が切り換える短時間のみ半導体スイッチング素子をオンすることで、切り換え時における半導体スイッチング素子のジャンクション温度の上昇を低く抑えることが可能となり、小型の半導体スイッチング素子を使用することが可能となる。
With such a configuration, it is possible to prevent a high voltage from being applied between the contacts of the
なお、本願明細書に例が示される他の構成のうちの少なくとも1つを、以上に記載された構成に適宜追加した場合、すなわち、以上に記載された構成としては言及されなかった本願明細書に例が示される他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。 In addition, when at least one of the other configurations illustrated in the specification of the present application is appropriately added to the configuration described above, that is, the configuration described above is not referred to. Even if another configuration, an example of which is shown in FIG. 7, is added as appropriate, the same effect can be produced.
また、以上に記載された実施の形態によれば、半導体スイッチング素子20は、結線切り換え部5が三相の巻き線の結線を切り換える際にのみオン状態となる。このような構成によれば、結線の切り換え時以外の定常時においては、半導体スイッチング素子20は導通しない。そのため、定常状態での電力損失は発生せず、結線切り換え部5内の半導体スイッチング素子20またはダイオード21から生じる熱を放熱するための放熱器は不要とすることができる。
Further, according to the embodiments described above, the
また、以上に記載された実施の形態によれば、機械式スイッチは、電磁リレー22である。このような構成によれば、タイミング発生回路26から半導体スイッチング素子20および電磁リレー22に同時に駆動信号が送信された場合であっても、半導体スイッチング素子20が導通した時から電磁リレー22の切り換えが完了するまでには遅れ時間が生じるため、半導体スイッチング素子20がオン状態である間に結線切り換え部5が三相の巻き線の結線を切り換えることができる。
Further, according to the embodiments described above, the mechanical switch is the
また、以上に記載された実施の形態によれば、電動機駆動装置は、半導体スイッチング素子20と逆並列に接続される第1のダイオードを備える。ここで、第1のダイオードは、たとえば、ダイオード21に対応するものである。このような構成によれば、ダイオード21に還流ダイオードとして機能させることができる。
Further, according to the embodiments described above, the electric motor drive device includes the first diode connected in antiparallel with the
また、以上に記載された実施の形態によれば、電動機駆動装置は、複数の半導体スイッチング素子20を備える。そして、複数の半導体スイッチング素子20は、互いに逆直列に接続される。このような構成によれば、電磁リレー22の接点がオフ状態となると、元々流れていた電流の向きに応じて、2つの向かい合う半導体スイッチング素子20のうちの1つと、2つのダイオード21のうちの1つとに電流が流れる。すなわち、スター結線用スイッチ5b1内の電磁リレー22の接点がオフ状態である場合における接点間電圧を、半導体スイッチング素子20のドレイン端子(D)とソース端子(S)との間の飽和電圧とダイオード21の順電圧とを合わせた電圧にまで抑えることができる。また、電磁リレー22の接点が接続状態(オン状態)の間は、半導体スイッチング素子20のドレイン端子(D)とソース端子(S)との間の飽和電圧とダイオード21の順電圧とを合わせた電圧の方が接点間電圧よりも大きいため、半導体スイッチング素子20およびダイオード21には電流が流れない。よって、半導体スイッチング素子20およびダイオード21における電力損失は生じない。また、電磁リレー22の接点がオン状態である場合における接点間電圧を、半導体スイッチング素子20のドレイン端子(D)とソース端子(S)との間の飽和電圧とダイオード21の順電圧とを合わせた電圧にまで抑えることができる。
Further, according to the embodiments described above, the electric motor drive device includes the plurality of
また、以上に記載された実施の形態によれば、電動機駆動装置は、制御回路を備える。ここで、制御回路は、たとえば、タイミング発生回路26(または、タイミング発生回路26A、タイミング発生回路26B)に対応するものである。タイミング発生回路26は、電磁リレー22の駆動タイミングを制御する第1の駆動信号と、半導体スイッチング素子20の駆動タイミングを制御する第2の駆動信号とを出力することができる。ここで、第1の駆動信号は、たとえば、図2におけるRY信号に対応するものである。また、第2の駆動信号は、たとえば、図2におけるTR信号に対応するものである。このような構成によれば、電磁リレー22の駆動タイミングと半導体スイッチング素子20の駆動タイミングとをそれぞれ独立に制御することができる。
Further, according to the embodiments described above, the electric motor drive device includes the control circuit. Here, the control circuit corresponds to, for example, the timing generation circuit 26 (or the
また、以上に記載された実施の形態によれば、タイミング発生回路26は、RY信号とTR信号とを同時に出力することができる。このような構成によれば、駆動信号の出力タイミングを統一することができるため、制御が容易となる。
Further, according to the embodiments described above, the
また、以上に記載された実施の形態によれば、タイミング発生回路26は、電磁リレー22にRY信号を出力した後、電磁リレー22の接点が接続および開放のうちのいずれかに切り換わるまでの間に半導体スイッチング素子20にTR信号を出力することができる。このような構成によれば、TR信号をRY信号よりも遅れて出力することによって、結線切り換え時における半導体スイッチング素子20の導通時間を短縮することができる。よって、半導体スイッチング素子20の結線切り換え時におけるジャンクションの温度上昇を抑制することができるため、たとえば、小型の半導体スイッチング素子20を使用することが可能となる。
Further, according to the embodiment described above, the
また、以上に記載された実施の形態によれば、タイミング発生回路26Aは、メモリ部260を備える。メモリ部260は、電磁リレー22にRY信号を出力した後、電磁リレー22の接点が接続および開放のうちのいずれかに切り換わるまでの時間である遅延時間を記憶することができる。そして、タイミング発生回路26Aは、メモリ部260に記憶された遅延時間に基づいて、半導体スイッチング素子20にTR信号を出力するタイミングを調整する。このような構成によれば、タイミング発生回路26Aが、メモリ部260に記憶された遅延時間を参照してTR信号の出力タイミングを調整することによって、TR信号の出力タイミングの調整精度を高めることができる。そのため、半導体スイッチング素子20の結線切り換え時におけるジャンクションの温度上昇を抑制することができるため、たとえば、小型の半導体スイッチング素子20を使用することが可能となる。
Further, according to the embodiments described above, the
また、以上に記載された実施の形態によれば、電動機駆動装置は、電流検出素子24を備える。電流検出素子24は、電磁リレー22の接点に流れる電流である接点電流を検出することができる。そして、タイミング発生回路26Bは、電流検出素子24によって検出された接点電流に基づいて、半導体スイッチング素子20にTR信号を出力するタイミングを調整する。このような構成によれば、電流検出素子24によって検出された接点電流を参照することによって、高い精度でTR信号の出力タイミングを制御することができる。そのため、半導体スイッチング素子20の結線切り換え時におけるジャンクションの温度上昇を抑制することができるため、たとえば、小型の半導体スイッチング素子20を使用することが可能となる。
Further, according to the embodiments described above, the electric motor drive device includes the
また、以上に記載された実施の形態によれば、タイミング発生回路26Bは、接点電流の有無に基づいて、電磁リレー22の接点が接続および開放のうちのいずれかに切り換わるまでの時間である遅延時間を算出し、さらに、遅延時間に基づいて半導体スイッチング素子20にTR信号を出力するタイミングを調整する。このような構成によれば、電流検出素子24によって接点電流の有無を参照することによって、高い精度でTR信号の出力タイミングを制御することができる。そのため、半導体スイッチング素子20の結線切り換え時におけるジャンクションの温度上昇を抑制することができるため、たとえば、小型の半導体スイッチング素子20を使用することが可能となる。
Further, according to the embodiments described above, the
また、以上に記載された実施の形態によれば、電動機駆動装置は、回生部7を備える。回生部7は、結線切り換え部5が三相の巻き線の結線を切り換える際のデッドタイム期間中に、巻き線の逆起電力によって生じる電圧をクランプして、巻き線電流を持続させるとともに、巻き線のエネルギーを電源に帰還させることができる。このような構成によれば、結線の切り換えを三相電動機に電流が流れている状態で行う場合、いずれの結線にもならないデッドタイムにおける巻き線端の電圧変動をクランプし制限することで、三相電動機、半導体スイッチング素子または電磁リレーなどの過電圧による故障を防止し、さらに、電力を回生することによって電力損失を減らすことができる。 Further, according to the embodiments described above, the electric motor drive device includes the regenerative unit 7. The regenerative unit 7 clamps the voltage generated by the back electromotive force of the winding during the dead time when the connection switching unit 5 switches the connection of the three-phase winding to maintain the winding current and The line energy can be returned to the power supply. According to such a configuration, when the connection is switched while the current is flowing through the three-phase motor, the voltage fluctuation at the winding end at the dead time that does not result in any connection is clamped and limited, It is possible to prevent a failure due to overvoltage in the phase motor, the semiconductor switching element, the electromagnetic relay, or the like, and further to regenerate the power to reduce the power loss.
また、以上に記載された実施の形態によれば、回生部7における回生用ダイオードである、ダイオード7a1、ダイオード7a2、ダイオード7a3、ダイオード7b1、ダイオード7b2およびダイオード7b3は、少なくとも1つの第2のダイオードを備え、さらに、第3のダイオードを備えていてもよい。ここで、第2のダイオードは、たとえば、ダイオード7a1、ダイオード7a2、ダイオード7a3、ダイオード7b1、ダイオード7b2およびダイオード7b3のうちのいずれか1つに対応するものである。また、第3のダイオードは、たとえば、ダイオード7a1、ダイオード7a2、ダイオード7a3、ダイオード7b1、ダイオード7b2およびダイオード7b3のうちのいずれか1つに対応するものである。ダイオード7a1、ダイオード7a2、ダイオード7a3は、アノードが三相の巻き線のいずれかと結線切り換え部5とに接続され、かつ、カソードが直流電源4の正極に接続される。ダイオード7b1、ダイオード7b2、ダイオード7b3は、カソードが三相の巻き線のいずれかと結線切り換え部5とに接続され、かつ、アノードが直流電源4の負極に接続される。このような構成によれば、ダイオード7a1、ダイオード7b2、ダイオード7b3とダイオード7b1、ダイオード7b2、ダイオード7b3とを用いて、容易に回生部を構成することができる。また、電動機がスター結線またはデルタ結線のいずれにも接続されないデッドタイムにおける巻き線端の電圧上昇を特定の電圧内にクランプすることによって、電源電圧を大きく上回る高耐圧の半導体スイッチング素子を使用する必要がなくなる。 Moreover, according to the embodiment described above, the diode 7a1, the diode 7a2, the diode 7a3, the diode 7b1, the diode 7b2, and the diode 7b3, which are the regenerative diodes in the regenerative unit 7, are at least one second diode. And a third diode may be further provided. Here, the second diode corresponds to, for example, any one of the diode 7a1, the diode 7a2, the diode 7a3, the diode 7b1, the diode 7b2, and the diode 7b3. The third diode corresponds to any one of the diode 7a1, the diode 7a2, the diode 7a3, the diode 7b1, the diode 7b2, and the diode 7b3, for example. Each of the diodes 7a1, 7a2, and 7a3 has an anode connected to one of the three-phase windings and the connection switching unit 5, and a cathode connected to the positive electrode of the DC power supply 4. The cathodes of the diodes 7b1, 7b2, and 7b3 are connected to one of the three-phase windings and the connection switching unit 5, and the anodes thereof are connected to the negative electrode of the DC power supply 4. With such a configuration, the regenerative unit can be easily configured by using the diode 7a1, the diode 7b2, and the diode 7b3 and the diode 7b1, the diode 7b2, and the diode 7b3. In addition, it is necessary to use high withstand voltage semiconductor switching devices that greatly exceed the power supply voltage by clamping the voltage increase at the winding end at a dead time when the motor is not connected to either star connection or delta connection within a certain voltage. Disappears.
また、以上に記載された実施の形態によれば、三相インバータ回路1は、U、V、W各相少なくとも1つの第2の半導体スイッチング素子と、少なくとも1つの第3の半導体スイッチング素子とを備える。ここで、第2の半導体スイッチング素子は、たとえば、U、V、W相それぞれにおける、半導体スイッチング素子1a、半導体スイッチング素子1bおよび半導体スイッチング素子1cに対応するものである。また、第3の半導体スイッチング素子は、たとえば、U、V、W相それぞれにおける、半導体スイッチング素子1d、半導体スイッチング素子1eおよび半導体スイッチング素子1fに対応するものである。第2の半導体スイッチング素子は、三相の巻き線のいずれかの第1の端部と、直流電源4の正極との間に接続される。第3の半導体スイッチング素子は、三相の巻き線の第1の端部と、直流電源4の負極との間に接続される。そして、回生部7における回生用ダイオードである、ダイオード7a1、ダイオード7a2、ダイオード7a3、ダイオード7b1、ダイオード7b2およびダイオード7b3は、複数のダイオードで構成されているため、第2または第3の半導体スイッチング素子に内蔵されたボディダイオード、たとえば、ダイオード1g、ダイオード1h、ダイオード1i、ダイオード1j、ダイオード1k、ダイオード1lの順電圧よりも大きい。このような構成によれば、デルタ結線のときに、それぞれ半導体スイッチング素子に内蔵されたボディダイオードと、回生部7における回生用ダイオードとが並列に接続されることになるが、ボディダイオードのVfに対して、複数本で構成された回生用ダイオードのVfの方が大きい。そのため、通常数十kHzで動作するインバータ動作における、U、V、W各相の第2および第3の半導体スイッチング素子の同時オンを避けるためのデッドタイム期間の回生還流電流は、第2半導体スイッチング素子、第3の半導体スイッチング素子に内蔵されたボディダイオードに流れることになり、回生用のダイオードには流れないようにすることで、定常動作状態における回生部7における回生用ダイオードの電力損失をなくすことができ、結線の切り換え時のみ電流が流れることになるため、電力損失は小さく、小型のものを使用することが可能である。
Further, according to the embodiments described above, the three-
<以上に記載された実施の形態における変形例について>
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
<Regarding Modifications of Embodiments Described Above>
In the embodiments described above, the material, material, size, shape, relative arrangement relationship, or conditions of implementation of each component may be described, but these are one example in all aspects. However, the present invention is not limited to those described in the present specification.
したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの実施の形態における少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施の形態における構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。 Thus, innumerable variations, examples of which are not shown, and equivalents are envisioned within the scope of the techniques disclosed herein. For example, when modifying, adding or omitting at least one constituent element, or when extracting at least one constituent element in at least one embodiment and combining with at least one constituent element in another embodiment. Shall be included.
また、矛盾が生じない限り、以上に記載された実施の形態において「1つ」備えられるものとして記載された構成要素は、「1つ以上」備えられていてもよいものとする。 In addition, as long as no contradiction occurs, "one or more" may be included in the components described as "one" in the above-described embodiments.
さらに、以上に記載された実施の形態におけるそれぞれの構成要素は概念的な単位であって、本願明細書に開示される技術の範囲内には、1つの構成要素が複数の構造物から成る場合と、1つの構成要素がある構造物の一部に対応する場合と、さらには、複数の構成要素が1つの構造物に備えられる場合とを含むものとする。 Further, each constituent element in the above-described embodiments is a conceptual unit, and within the scope of the technology disclosed in the present specification, one constituent element is composed of a plurality of structures. The case where one component corresponds to a part of a structure, and the case where a plurality of components are provided in one structure are included.
また、以上に記載された実施の形態におけるそれぞれの構成要素には、同一の機能を発揮する限り、他の構造または形状を有する構造物が含まれるものとする。 Further, each component in the above-described embodiments includes a structure having another structure or shape as long as the same function is exhibited.
また、本願明細書における説明は、本技術に関連するすべての目的のために参照され、いずれも、従来技術であると認めるものではない。 Further, the descriptions in this specification are referred to for all purposes related to the present technology, and none of them is admitted to be prior art.
1 三相インバータ回路、1a,1b,1c,1d,1e,1f,20 半導体スイッチング素子、1g,1h,1i,1j,1k,1l ボディダイオード、1m,1n 駆動制御IC、2 電流検出抵抗、3 電解コンデンサ、4 直流電源、5,5X 結線切り換え部、5a1,5a1X,5a2,5a2X,5a3,5a3X デルタ結線用スイッチ、5b1,5b1X,5b2,5b2X,5b3,5b3X スター結線用スイッチ、6 三相電動機、6a1,6a2,6a3 巻き線、7 回生部、7a1,7a2,7a3,7b1,7b2,7b3,21 ダイオード、9 コンデンサ、10 ベース電流制限抵抗、11 プルダウン抵抗、12 フォトカプラスイッチトランジスタ、13 フォトカプラ用電源、14 フォトカプラ電流制限抵抗、15 フォトカプラ、16 半導体スイッチング素子ゲートドライブ電源用バイパスコンデンサ、17 半導体スイッチング素子ゲートドライブ用電源、18 半導体スイッチング素子ゲート電流制限用抵抗、19 半導体スイッチング素子ゲート電位プルダウン抵抗、22 電磁リレー、23 電磁リレー駆動用トランジスタ、24 電流検出素子、25 電磁リレー回生用ダイオード、26,26A,26B タイミング発生回路、260 メモリ部。 1 three-phase inverter circuit, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f, 20 semiconductor switching element, 1g, 1h, 1i, 1j, 1k, 1l body diode, 1m, 1n drive control IC, 2 current detection resistor, 3 Electrolytic capacitor, 4 DC power supply, 5, 5X connection switching unit, 5a1, 5a1X, 5a2, 5a2X, 5a3, 5a3X Delta connection switch, 5b1, 5b1X, 5b2, 5b2X, 5b3, 5b3X star connection switch, 6 three-phase motor , 6a1, 6a2, 6a3 Winding, 7 regenerative unit, 7a1, 7a2, 7a3, 7b1, 7b2, 7b3, 21 Diode, 9 Capacitor, 10 Base current limiting resistor, 11 Pulldown resistor, 12 Photocoupler switch transistor, 13 Photocoupler Power supply, 14 photocoupler current limiting resistance, 15 photocoupler, 16 semiconductor switching element gate drive power supply bypass capacitor, 17 semiconductor switching element gate drive power supply, 18 semiconductor switching element gate current limiting resistance, 19 semiconductor switching element gate potential Pull-down resistor, 22 electromagnetic relay, 23 electromagnetic relay driving transistor, 24 current detection element, 25 electromagnetic relay regeneration diode, 26, 26A, 26B timing generation circuit, 260 memory section.
Claims (14)
三相の巻き線を有する三相電動機と、
前記電源に接続され、かつ、三相の前記巻き線のそれぞれに電圧を印加するための三相インバータ回路と、
三相の前記巻き線の結線をスター結線およびデルタ結線のうちのいずれかに切り換えるための結線切り換え部とを備え、
前記結線切り換え部は、
機械式スイッチと、
前記機械式スイッチと並列に接続される、少なくとも1つの第1の半導体スイッチング素子とを備え、
前記結線切り換え部が三相の前記巻き線の結線を切り換える際、前記第1の半導体スイッチング素子がオン状態である間に前記機械式スイッチの接点が接続および開放のうちのいずれかに切り換わる、
電動機駆動装置。 Power supply,
A three-phase motor having three-phase windings,
A three-phase inverter circuit that is connected to the power supply and applies a voltage to each of the three-phase windings;
A connection switching unit for switching the connection of the three-phase winding to any one of a star connection and a delta connection,
The connection switching unit,
Mechanical switch,
At least one first semiconductor switching element connected in parallel with the mechanical switch,
When the connection switching unit switches the connection of the three-phase windings, the contact of the mechanical switch is switched to one of connection and open while the first semiconductor switching element is in an ON state,
Electric motor drive.
請求項1に記載の電動機駆動装置。 The first semiconductor switching element is turned on only when the connection switching unit switches the connection of the three-phase windings,
The electric motor drive device according to claim 1.
請求項1または請求項2に記載の電動機駆動装置。 The mechanical switch includes an electromagnetic relay,
The electric motor drive device according to claim 1 or 2.
請求項1から請求項3のうちのいずれか1項に記載の電動機駆動装置。 Further comprising a first diode connected in anti-parallel with the first semiconductor switching element,
The electric motor drive device according to any one of claims 1 to 3.
複数の前記第1の半導体スイッチング素子は、互いに逆直列に接続される、
請求項4に記載の電動機駆動装置。 A plurality of the first semiconductor switching elements,
A plurality of the first semiconductor switching elements are connected in anti-series with each other,
The electric motor drive device according to claim 4.
請求項1から請求項5のうちのいずれか1項に記載の電動機駆動装置。 A control circuit for outputting a first drive signal for controlling a drive timing of the mechanical switch and a second drive signal for controlling a drive timing of the first semiconductor switching element,
The electric motor drive device according to any one of claims 1 to 5.
請求項6に記載の電動機駆動装置。 The control circuit is used to simultaneously output the first drive signal and the second drive signal,
The motor drive device according to claim 6.
請求項6に記載の電動機駆動装置。 The control circuit outputs the first drive signal to the mechanical switch and then switches the contact of the mechanical switch to either one of connection and opening. Used to output the second drive signal to an element,
The motor drive device according to claim 6.
前記制御回路は、前記メモリ部に記憶された前記遅延時間に基づいて、前記第1の半導体スイッチング素子に前記第2の駆動信号を出力するタイミングを調整するために用いられる、
請求項6から請求項8のうちのいずれか1項に記載の電動機駆動装置。 The control circuit stores a delay time, which is a time from when the first drive signal is output to the mechanical switch to when the contact of the mechanical switch is switched to one of connection and opening. Equipped with a memory unit for
The control circuit is used to adjust the timing of outputting the second drive signal to the first semiconductor switching element based on the delay time stored in the memory unit.
The electric motor drive device according to any one of claims 6 to 8.
前記制御回路は、前記電流検出素子によって検出された前記接点電流に基づいて、前記第1の半導体スイッチング素子に前記第2の駆動信号を出力するタイミングを調整するために用いられる、
請求項6から請求項9のうちのいずれか1項に記載の電動機駆動装置。 Further comprising a current detection element for detecting a contact current which is a current flowing through the contact of the mechanical switch,
The control circuit is used to adjust the timing of outputting the second drive signal to the first semiconductor switching element based on the contact current detected by the current detection element.
The electric motor drive device according to any one of claims 6 to 9.
請求項10に記載の電動機駆動装置。 The control circuit calculates a delay time, which is a time until the contact of the mechanical switch is switched to one of connection and opening, based on the presence or absence of the contact current, and based on the delay time. Used to adjust the timing of outputting the second drive signal to the first semiconductor switching element,
The electric motor drive device according to claim 10.
請求項1から請求項11のうちのいずれか1項に記載の電動機駆動装置。 When the connection switching unit switches the connection of the three-phase windings, the connection switching unit further includes a regeneration unit for clamping a voltage generated by a back electromotive force of the three-phase windings and returning the voltage to the power supply.
The electric motor drive device according to any one of claims 1 to 11.
アノードが三相の前記巻き線のいずれかと前記結線切り換え部とに接続され、かつ、カソードが前記電源の正極に接続される複数の第2のダイオードと、
カソードが三相の前記巻き線のいずれかと前記結線切り換え部とに接続され、かつ、アノードが前記電源の負極に接続される複数の第3のダイオードとを備える、
請求項12に記載の電動機駆動装置。 The regenerative unit is
A plurality of second diodes each having an anode connected to one of the three-phase windings and the connection switching unit, and a cathode connected to the positive electrode of the power supply;
A plurality of third diodes each having a cathode connected to one of the three-phase windings and the connection switching unit and an anode connected to a negative electrode of the power supply;
The motor drive device according to claim 12.
三相それぞれの相において前記巻き線のいずれかの第1の端部と、前記電源の正極との間に接続される少なくとも1つの第2の半導体スイッチング素子と、
三相それぞれの相において前記巻き線の前記第1の端部と、前記電源の負極との間に接続される少なくとも1つの第3の半導体スイッチング素子と、
前記第2または第3の半導体スイッチング素子に内蔵されたボディダイオードとを備え、
前記第2または第3のダイオードの順電圧は、前記第2または第3の半導体スイッチング素子に内蔵された前記ボディダイオードの順電圧よりも大きい、
請求項13に記載の電動機駆動装置。 The three-phase inverter circuit,
At least one second semiconductor switching element connected between any one of the first ends of the windings and the positive electrode of the power supply in each of the three phases;
At least one third semiconductor switching element connected between the first end of the winding and the negative electrode of the power supply in each of the three phases;
A body diode built in the second or third semiconductor switching element,
A forward voltage of the second or third diode is higher than a forward voltage of the body diode built in the second or third semiconductor switching element,
The electric motor drive device according to claim 13.
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