JP2020090724A - 多層膜構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1.多層膜構造体の製造方法
2.多層膜構造体
3.実施例
図1は、本実施の形態に係る多層膜構造体の製造方法により得られる多層膜構造体の一部断面を示す概略図である。
図1に示すように、本実施の形態に係る多層膜構造体は、金属からなる金属膜1と、金属膜1上に成膜され、バリア層である誘電体からなる第1の誘電体膜2と、第1の誘電体膜上に成膜され、誘電体からなる第2の誘電体膜3とを有する。ここで、第1の誘電体膜は、第2の誘電体膜の組成と同一であることが好ましい。これにより、理論設計に極めて忠実な光学特性を有する多層膜構造体を得ることができる。
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。本実施例では、反応性スパッタリングによりTi膜とSiO2膜とを積層させたND(Neutral Density)フィルターを作製した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
可視波長域(400nm〜700nm)において、透過率が40%の一定値となるNDフィルターについて、光学多層膜のシミュレーションソフト(商品名:OptiLayer、(株)ケイワン)を用いて設計した。設計環境は、垂直入射とし、金属膜をTi、誘電体膜をSiO2、入射及び出射媒質を空気、基板を白板ガラス基板としてシミュレーション設計を行った。
表2に示すSiO2の成膜条件において、酸化物モードのみを用いた以外は、実施例と同様にしてNDフィルターを作製した。
実施例と同様、可視波長域(400nm〜700nm)において、透過率が40%の一定値となるNDフィルターを、従来技術であるバリア膜を設けた構成としてシミュレーションを行った。設計環境は、バリア膜をSiOx、金属膜をTi、誘電体膜をSiO2とし、各膜厚を最適化した以外は、実施例と同様にシミュレーション設計を行った。
Claims (10)
- 第1の金属ターゲットを配置する第1の成膜室と、第2の金属含有ターゲットを配置する第2の成膜室と、前記第1の成膜室及び前記第2の成膜室に基板を搬送する搬送部とを備える反応性スパッタリング装置を用いた多層膜構造体の製造方法であって、
前記第1の成膜室にて、前記第1の金属ターゲットを用いて金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、
前記第2の成膜室にて、表面が活性化された第2の金属含有ターゲットを用いて、不活性ガスの供給により前記金属膜上に第1の誘電体膜を成膜した後、反応性ガスの供給により前記第1の誘電体膜上に第2の誘電体膜を成膜する誘電体膜成膜工程と、
前記第2の成膜室にて、前記第2の金属含有ターゲットの表面を活性化させるターゲット活性化工程とを有し、
前記第1の成膜室における金属膜成膜工程と、前記第2の成膜室におけるターゲット活性化工程とを並行して行う多層膜構造体の製造方法。 - 前記反応性ガスが、酸化性ガス又は窒化性ガスである請求項1記載の多層膜構造体の製造方法。
- 前記第1の誘電体膜、及び第2の誘電体膜が、金属酸化物膜又は金属窒化物である請求項1又は2記載の多層膜構造体の製造方法。
- 前記金属含有ターゲットが、SixC(x=2.3±0.2)ターゲット、又はSiOx(x<2)ターゲットである請求項1記載の多層膜構造体の製造方法。
- 金属からなる金属膜と、誘電体からなる誘電体膜とを交互に積層してなり、
前記金属膜の表面が、酸化又は窒化していない多層膜構造体。 - 前記誘電体膜が、表面が活性化された金属含有ターゲットを用いて、不活性ガスの供給により前記金属膜上に成膜した第1の誘電体膜と、前記金属含有ターゲットを用いて、酸化性ガス又は窒化性ガスの供給により前記第1の誘電体膜上に成膜した第2の誘電体膜とを有する請求項5記載の多層膜構造体。
- 前記誘電体膜が、前記金属含有ターゲットを用いて、酸化性ガス又は窒化性ガスの過剰供給により前記第2の誘電体膜上に成膜した第3の誘電体膜をさらに有する請求項6記載の多層膜構造体。
- 前記第1の誘電体膜、前記第2の誘電体膜、及び前記第3の誘電体膜の組成が同一である請求項7記載の多層膜構造体。
- 前記第1の誘電体膜、第2の誘電体膜、及び第3の誘電体膜が、金属酸化物膜又は金属窒化物である請求項7記載の多層膜構造体。
- 金属からなる金属膜と、
前記金属膜上に成膜され、誘電体からなる第1の誘電体膜と、
前記第1の誘電体膜上に成膜され、前記第1の誘電体膜と同一組成からなる第2の誘電体膜とを備え、
波長400nm〜700nmにおける透過率が、シミュレーションソフトから得られる理論値と略一致する、多層膜構造体。
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JP2002246465A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
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