JP2020088369A - 半導体工程における反応副産物取込装置 - Google Patents
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Abstract
Description
流入した排ガスを収容・排出し、内壁には渦巻きを発生させる水平渦巻き板が設けられたハウジングと、
前記ハウジングの上部を覆い、Oリングの保護及び反応副産物の取込に適した温度を維持するための冷却水流路が設けられた上板と、
前記ハウジングの内部において上側に向けて所定の間隔を置いて設けられ、流入した排ガスの流路及び滞留時間を増やすように、取込タワーカバー及びカバーシード板を備えることにより、反応副産物を凝集させて取り込む内部取込タワーと、
熱伝導板を備え、前記ハウジングに流入した排ガスを加熱させて均一に行き渡らせるヒーターと、
前記内部取込タワーの内部まで延在するように設けられ、流入した排ガスの流路及び滞留時間を増やすとともに、該排ガスをハウジング下側の下板のガス排出口から排出するエキステンション排出口と、を含む。
120:上板
130:内部取込タワー
131:取込タワーカバー
132:カバーシード板
133:傾斜渦巻き板
134:下部水平支持板
135:垂直板
136:水平板
140:ヒーター
150:エキステンション排出口
Claims (12)
- プロセスチャンバーと真空ポンプの間に設けられ、前記プロセスチャンバーから排出される排ガス内の反応副産物を取り込むための半導体工程における反応副産物取込装置であって、
流入した排ガスを収容・排出し、内壁には渦巻きを発生させる水平渦巻き板が設けられたハウジング110と、
前記ハウジングの上部を覆い、Oリングの保護及び反応副産物の取込に適した温度を維持するための冷却水流路が設けられた上板120と、
前記ハウジングの内部において上側に向けて所定の間隔を置いて設けられ、流入した排ガスの流路及び滞留時間を増やすように取込タワーカバー及びカバーシード板を備え、反応副産物を凝集させて取り込む内部取込タワー130と、
熱伝導板を備え、前記ハウジングに流入した排ガスを加熱して均等に行き渡らせるヒーター140と、
前記内部取込タワーの内部まで延在するように設けられることにより、流入した排ガスの流路及び滞留時間を増やすとともに、該排ガスをハウジング下側の下板のガス排出口から排出するエキステンション排出口150と、を含むことを特徴とする半導体工程における反応副産物取込装置。 - ハウジング上側の上板に、前記取込タワーカバーに取り付けられた前記カバーシード板の上部領域に対応する部分に冷却水流路122が設けられることにより、ハウジング内部の排ガスが冷却されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体工程における反応副産物取込装置。
- 前記熱伝導板は、ハウジング内で一方側に偏って設けられたヒーターから遠い他方側のスペースに向けて横方向に延在するように設けられることにより、前記内部取込タワーの上部側の排ガスを加熱することを特徴とする、請求項1に記載の半導体工程における反応副産物取込装置。
- 前記内部取込タワー130は、
外枠を形成する取込タワーカバー131と、
前記取込タワーカバー131の各側面部材の周りに沿って所定の間隔を置いて複数設けられることにより、反応副産物を取り込むカバーシード板132と、
前記カバーシード板と交差するように横方向に設けられることにより、渦巻きを発生させる傾斜渦巻き板133と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体工程における反応副産物取込装置。 - 前記内部取込タワー130は、
前記ハウジング下側の下板から所定の間隔を置いて設けられるとともに上側の取込タワーカバー131と締結され、低密度の多孔反応副産物の流出を防止するとともに排ガスが前記取込タワーカバー131の内部へ流入するように、複数の貫通孔134aが設けられ、所定の箇所にはエキステンション排出口150が挿入されている下部水平支持板134と、
前記下部水平支持板の上側且つ前記取込タワーカバーの内部に格子型で設けられ、前記エキステンション排出口150から排出される排ガスにおいて低密度の多孔反応副産物の流出を防止するように、複数の貫通孔135aが形成された垂直板135、及び複数の貫通孔136aが形成された水平板136と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体工程における反応副産物取込装置。 - 前記取込タワーカバー131は、下部の開いている箱状からなることにより、ガス流入口から流入した排ガスがハウジング下側の下板に形成されたガス排出口へ直ちに流れることを防ぐとともに、排ガスが下部開放部131aと各側面部材の下部に形成された複数の側面貫通孔131bとから内部のスペースへ流入することを特徴とする、請求項4に記載の半導体工程における反応副産物取込装置。
- 前記カバーシード板132の一側面には、所定角度の傾斜をもって切り開かれた傾斜溝132aが上下に多段形成され、該傾斜溝132aには前記傾斜渦巻き板133が挿入されることを特徴とする、請求項4に記載の半導体工程における反応副産物取込装置。
- 前記傾斜渦巻き板133は、
表面に複数の貫通溝133aが長手方向に形成されており、
前記取込タワーカバー131の短辺側及び長辺側のうち1つ以上の面に設けられたカバーシード板132に、少なくとも一段取り付けられていることを特徴とする、請求項4に記載の半導体工程における反応副産物取込装置。 - 前記傾斜渦巻き板133は、多段で取り付けられる場合、下方の段が上方の段よりも外側へ突出していることを特徴とする、請求項4または請求項8に記載の半導体工程における反応副産物取込装置。
- 前記垂直板に複数形成された貫通孔は、下方の貫通孔は大きく、上方の貫通孔は小さいことを特徴とする、請求項5に記載の半導体工程における反応副産物取込装置。
- 前記水平板に複数形成された貫通孔は、前記エキステンション排出口150から遠方の貫通孔は大きく、近方の貫通孔は小さいことを特徴とする、請求項5に記載の半導体工程における反応副産物取込装置。
- 前記垂直板及び/又は前記水平板は多段で設けられることを特徴とする、請求項5に記載の半導体工程における反応副産物取込装置。
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