JP2020088322A - エピタキシャルウェーハの製造方法および装置 - Google Patents
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Abstract
Description
非接触式温度センサにより前記ウェーハの表面の温度を計測しつつ、当該検出された温度が所定温度範囲になるように前記チャンバ内を加熱する加熱器の出力を制御し、
前記チャンバ内に反応ガスを供給しながらウェーハの表面にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
複数回のエピタキシャル成長処理を連続して実施したのちに、前記チャンバ内に堆積した堆積物を除去するクリーニング処理を1回実施するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記クリーニング処理を終了してから第1回のウェーハを前記チャンバ内に投入するまでの待機時間を、前記複数回のエピタキシャル成長処理を実施する際における前記加熱器の出力の変動率が所定範囲に入る時間に設定し、エピタキシャル成長処理を実施するエピタキシャルウェーハの製造方法によって上記課題を解決する。
ウェーハを載置するサセプタと、
前記エピタキシャル成長炉のチャンバ内へ反応ガス又はクリーニングガスを供給するガス供給系と、
前記チャンバ内を加熱する加熱器と、
前記チャンバの外から前記石英製上側ドームを介して前記ウェーハの表面の温度を検出する赤外線放射温度センサと、
前記赤外線放射温度センサにより検出された温度が所定温度範囲になるように前記加熱器の出力を制御するとともに、前記ガス供給系を制御する制御器と、を備えるエピタキシャルウェーハの製造装置において、
前記制御器は、
複数回のエピタキシャル成長処理を連続して実施したのちに、前記チャンバ内に堆積した堆積物を除去するクリーニング処理を1回実施するように前記ガス供給系を制御し、
前記クリーニング処理を終了してから第1回のウェーハを前記チャンバ内に投入するまでの待機時間を、前記複数回のエピタキシャル成長処理を実施する際における前記加熱器の出力の変動率が所定範囲に入る時間に設定し、
前記クリーニング処理を終了してからの時間が前記待機時間に達するまでは、前記第1回のウェーハの投入を禁止し、前記クリーニング処理を終了してからの時間が前記待機時間を超えたら、前記第1回のウェーハの投入を許可するエピタキシャルウェーハの製造装置によっても上記課題を解決する。
1…エピタキシャル成長炉
11…チャンバ
12…上側ドーム
13…下側ドーム
14…ドーム取り付け体
15…ハロゲンランプ
16…サセプタ
16a…外周部
17…サセプタ回転軸
18…支持アーム
19…昇降ピン
20…リフトアーム
21…駆動部
22…ガス供給口
23…ガス排出口
24…駆動部
3…ガス供給系
4…赤外線放射温度センサ
5…制御器
W…シリコンウェーハ
Claims (5)
- エピタキシャル成長炉のチャンバ内にウェーハを1枚ずつ投入し、
非接触式温度センサにより前記ウェーハの表面の温度を計測しつつ、当該検出された温度が所定温度範囲になるように前記チャンバ内を加熱する加熱器の出力を制御し、
前記チャンバ内に反応ガスを供給しながら前記ウェーハの表面にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
複数回のエピタキシャル成長処理を連続して実施したのちに、前記チャンバ内に堆積した堆積物を除去するクリーニング処理を1回実施するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記クリーニング処理を終了してから第1回のウェーハを前記チャンバ内に投入するまでの待機時間を、前記複数回のエピタキシャル成長処理を実施する際における前記加熱器の出力の変動率が所定範囲に入る時間に設定し、エピタキシャル成長処理を実施するエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記待機時間は、前記クリーニング処理を終了してから第1回のエピタキシャル成長処理を実施する際の前記加熱器の出力と、第2回以降のエピタキシャル成長処理を実施する際の前記加熱器の出力との変動率が、±0.5%の範囲に入る時間である請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記エピタキシャル成長炉の上部には石英製上側ドームが設けられ、
前記非接触式温度センサは、前記エピタキシャル成長炉の外から前記石英製ドームを介して前記ウェーハの表面の温度を検出する請求項1又は2に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記非接触式温度センサは、赤外線放射温度センサである請求項1〜3のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 少なくとも石英製上側ドームを有する枚葉式のエピタキシャル成長炉と、
ウェーハを載置するサセプタと、
前記エピタキシャル成長炉のチャンバ内へ反応ガス又はクリーニングガスを供給するガス供給系と、
前記チャンバ内を加熱する加熱器と、
前記チャンバの外から前記石英製上側ドームを介して前記ウェーハの表面の温度を検出する赤外線放射温度センサと、
前記赤外線放射温度センサにより検出された温度が所定温度範囲になるように前記加熱器の出力を制御するとともに、前記ガス供給系を制御する制御器と、を備えるエピタキシャルウェーハの製造装置において、
前記制御器は、
複数回のエピタキシャル成長処理を連続して実施したのちに、前記チャンバ内に堆積した堆積物を除去するクリーニング処理を1回実施するように前記ガス供給系を制御し、
前記クリーニング処理を終了してから第1回のウェーハを前記チャンバ内に投入するまでの待機時間を、前記複数回のエピタキシャル成長処理を実施する際における前記加熱器の出力の変動率が所定範囲に入る時間に設定し、
前記クリーニング処理を終了してからの時間が前記待機時間に達するまでは、前記第1回のウェーハの投入を禁止し、前記クリーニング処理を終了してからの時間が前記待機時間を超えたら、前記第1回のウェーハの投入を許可するエピタキシャルウェーハの製造装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018224971A JP6992736B2 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | エピタキシャルウェーハの製造方法および装置 |
CN201911022121.5A CN111261497A (zh) | 2018-11-30 | 2019-10-25 | 外延晶片的制造方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018224971A JP6992736B2 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | エピタキシャルウェーハの製造方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020088322A true JP2020088322A (ja) | 2020-06-04 |
JP6992736B2 JP6992736B2 (ja) | 2022-01-13 |
Family
ID=70908965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018224971A Active JP6992736B2 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | エピタキシャルウェーハの製造方法および装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6992736B2 (ja) |
CN (1) | CN111261497A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111889310B (zh) * | 2020-07-17 | 2023-05-12 | 常州铭赛机器人科技股份有限公司 | 点胶机及其点胶方法 |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11329979A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Sony Corp | 化学気相成長装置および化学気相成長法 |
JP4978608B2 (ja) * | 2008-10-17 | 2012-07-18 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウエーハの製造方法 |
JP2010129981A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Sumco Techxiv株式会社 | エピタキシャルウェーハ製造方法 |
JP5540932B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2014-07-02 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置およびそのクリーニング方法 |
JP6177116B2 (ja) | 2013-12-06 | 2017-08-09 | 三菱電機株式会社 | 津波監視システム |
-
2018
- 2018-11-30 JP JP2018224971A patent/JP6992736B2/ja active Active
-
2019
- 2019-10-25 CN CN201911022121.5A patent/CN111261497A/zh active Pending
Patent Citations (5)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111261497A (zh) | 2020-06-09 |
JP6992736B2 (ja) | 2022-01-13 |
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