JP2020072189A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

To provide a technology capable of measuring conductivity of effluent, drained from a processing tank, more accurately in a substrate processing apparatus.SOLUTION: A substrate processing apparatus performing a predetermined process for a substrate by immersing the substrate into process liquid has a processing tank (7a) capable of pooling the process liquid, a vat part (61) having a liquid receiving part (62) for receiving the process liquid overflowing the processing tank, and an exhaust port (65) placed while spaced apart from the liquid receiving part by a prescribed interval, and pooling at least a part of the process liquid overflowing the processing tank, vat effluent piping (67) connected with the exhaust port, and exhausting the process liquid pooled in the vat part, a piping trap structure part (69) provided in the vat effluent piping, and bringing about a state where the vat effluent piping is filled with the process liquid exhausted from the vat part, and a conductivity measuring device (63) for measuring conductivity of the process liquid filling the vat effluent piping, by inserting a sensor into the piping trap structure part.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、半導体ウェハ等の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させ、エッチング処理や洗浄処理を行う基板処理装置及に関し、特に、処理液の濃度測定のための構成に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for immersing a substrate such as a semiconductor wafer in a processing liquid stored in a processing tank to perform an etching process or a cleaning process, and particularly to a configuration for measuring the concentration of the processing liquid.

半導体装置の製造工程には、半導体ウェハ等の基板を処理槽に浸漬させることにより、当該基板にエッチング処理や洗浄処理を施す工程が含まれる。このような工程は、複数の処理槽を含む基板処理装置により実行される。この基板処理装置の各処理槽における処理液の濃度は、時間の経過とともに、処理液構成成分の蒸発、分解等によって変化する場合があるので、処理液の濃度を上記のエッチング処理や洗浄処理に適切な範囲内に維持するための濃度制御が行われている。   The manufacturing process of a semiconductor device includes a process of immersing a substrate such as a semiconductor wafer in a processing bath to subject the substrate to an etching process or a cleaning process. Such steps are executed by a substrate processing apparatus including a plurality of processing tanks. The concentration of the processing liquid in each processing tank of this substrate processing apparatus may change over time due to evaporation, decomposition, etc. of the components of the processing liquid. Concentration control is performed to maintain the concentration within an appropriate range.

この処理液の濃度制御を行うために、従来は、処理槽に供給される処理液の導電率が測定されることが多かった。しかしながら、処理槽への供給前の処理液の導電率を測定する方法では、処理槽内で実際に基板処理に用いられる処理液の濃度を精度よく測定することが困難な場合があった。一方、処理槽から排出される処理液の導電率を測定することで、処理槽内で実際に基板処理に用いられた処理液の濃度を測定することが可能であるが、この場合には、処理液の濃度のバラツキや、気泡の混入により高精度な測定を行うことが困難な場合があった。特に処理液がＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等の薬液を含む場合には、処理液の流れや落下の際に気泡が混入し易く、上記の不都合が顕著になる傾向があった。   In order to control the concentration of the treatment liquid, conventionally, the conductivity of the treatment liquid supplied to the treatment tank has often been measured. However, in the method of measuring the conductivity of the processing liquid before being supplied to the processing tank, it may be difficult to accurately measure the concentration of the processing liquid actually used for the substrate processing in the processing tank. On the other hand, by measuring the conductivity of the processing liquid discharged from the processing tank, it is possible to measure the concentration of the processing liquid actually used for the substrate processing in the processing tank. There were cases where it was difficult to perform highly accurate measurement due to variations in the concentration of the treatment liquid and inclusion of air bubbles. In particular, when the treatment liquid contains a chemical liquid such as TMAH (tetramethylammonium hydroxide), bubbles tend to be mixed in when the treatment liquid flows or drops, and the above-mentioned inconvenience tends to be remarkable.

このように、処理槽から排出された処理液の濃度を測定する技術としては、基板Ｂの表面を処理する基板処理槽１０からオーバーフローした薬液又は純水を受け入れる排液槽７０と、排液槽７０から排出される薬液又は純水を受け入れる排液容器７２とを備え、排液容器７２内には、比抵抗測定器８０の計測部８０１が配設される技術が公知である（特許文献１参照。）。この技術では、排液槽７０に配設された排出傾斜板７０３及び排液容器７２に配設された受入傾斜板７２３を介して排液槽７０の薬液又は純水が排液容器７２に排出される。排液容器７２内には、比抵抗測定器８０の計測部８０１が配設される一方、計測部８０１の近傍位置に希釈液供給管８２の希釈液供給部８２１が並設され、排液容器７２に薬液又は薬液の混入度合の高い純水が排出されるときには比抵抗測定器８０の計測部８０１に向けて希釈液供給管８２の希釈液供給部８２１から純水が供給される。   As described above, as a technique for measuring the concentration of the processing liquid discharged from the processing bath, the drainage tank 70 for receiving the chemical liquid or the pure water overflowed from the substrate processing bath 10 for processing the surface of the substrate B, and the drainage tank A technique is known in which a drainage container 72 for receiving a chemical solution or pure water discharged from 70 is provided, and a measuring unit 801 of a resistivity measuring device 80 is disposed in the drainage container 72 (Patent Document 1). reference.). In this technique, the chemical liquid or pure water in the drainage tank 70 is discharged to the drainage container 72 via the drainage slope plate 703 arranged in the drainage tank 70 and the receiving slope plate 723 arranged in the drainage container 72. To be done. In the drainage container 72, the measuring unit 801 of the specific resistance measuring device 80 is arranged, and in the vicinity of the measuring unit 801, the diluting liquid supply unit 821 of the diluting liquid supply pipe 82 is installed in parallel, and When the chemical liquid or pure water having a high degree of mixing of the chemical liquid is discharged to 72, pure water is supplied from the diluting liquid supply unit 821 of the diluting liquid supply pipe 82 toward the measuring unit 801 of the resistivity measuring device 80.

しかしながら、この技術は、特にリンス液中に薬液が混入していることを検知するものであり、ＴＭＡＨ等の気泡を発生し易い薬液を含む処理液の濃度測定に適切な技術とは言えなかった。   However, this technique is not suitable for measuring the concentration of a treatment liquid containing a chemical liquid such as TMAH, which easily generates bubbles, because it detects that the rinse liquid contains a chemical liquid. ..

特開平１１−３５４４８３号公報JP-A-11-354483 特開２０１７−１４７３６９号公報JP, 2017-147369, A 特開２０１６−７２４８０号公報JP, 2016-72480, A 特許第４９７５７９０号公報Patent No. 4975790 特開２００６−２７８４６６号公報JP, 2006-278466, A 特開平９−２８９１５８号公報JP, 9-289158, A

本発明は、上記のような状況を鑑みて発明されたものであり、その目的は、基板処理装置において、処理槽から排出された処理液の導電率を、より精度よく測定することが可能な技術を提供することである。   The present invention has been invented in view of the above situation, and an object thereof is to be able to more accurately measure the conductivity of a processing liquid discharged from a processing tank in a substrate processing apparatus. It is to provide the technology.

上記課題を解決するための本発明は、一種以上の薬液を含む処理液に基板を浸漬させることで該基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記処理液が貯留可能な処理槽と、
前記処理槽から横溢する処理液を受け入れる液受部と、該液受部から所定間隔離間して配置された排出口とを有し、前記処理槽から横溢する処理液の少なくとも一部を貯留するバット部と、
前記排出口に接続され、前記バット部に貯留された処理液を排出するバット排液配管と、
前記バット排液配管に設けられ、前記バット部から排出される処理液が前記バット排液配管を満たした状態とする配管トラップ構造部と、
前記配管トラップ構造部内にセンサが内挿されることで、前記バット排液配管を満たした前記処理液の導電率を測定する導電率測定器と、
を備える、基板処理装置である。 The present invention for solving the above problems is a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate by immersing the substrate in a process liquid containing one or more chemical solutions,
A treatment tank capable of storing the treatment liquid;
It has a liquid receiving portion that receives the processing liquid that overflows from the processing tank, and an outlet that is arranged at a predetermined distance from the liquid receiving portion, and stores at least a part of the processing liquid that overflows from the processing tank. The butt part,
A vat drainage pipe connected to the discharge port, for discharging the processing liquid stored in the vat portion,
A pipe trap structure part provided in the vat drainage pipe, wherein the processing liquid discharged from the vat portion fills the vat drainage pipe,
By inserting the sensor in the pipe trap structure, a conductivity measuring device for measuring the conductivity of the treatment liquid that fills the vat drainage pipe,
And a substrate processing apparatus.

すなわち、本発明においては、基板処理装置における処理槽から横溢する処理液をバット部に一旦貯留する。そして、バット部は、処理槽から横溢する処理液を受け入れる液受部と、該液受部から所定間隔離間して配置された排出口とを有する。そして、バット部に貯留された処理液を排出するバット排液配管を流れる処理液の導電率を測定する。さらに、バット排液配管には、バット部から排出される処理液がバット排液配管を満たした状態とする配管トラップ構造部が備えられ、この配管トラップ構造部に、導電率測定器のセンサが内挿される。   That is, in the present invention, the processing liquid overflowing laterally from the processing tank in the substrate processing apparatus is temporarily stored in the butt portion. The butt portion has a liquid receiving portion that receives the processing liquid overflowing from the processing tank, and a discharge port that is arranged at a predetermined distance from the liquid receiving portion. Then, the conductivity of the processing liquid flowing through the vat drain pipe for discharging the processing liquid stored in the vat portion is measured. Further, the vat drainage pipe is provided with a pipe trap structure part for keeping the vat drainage pipe filled with the processing liquid discharged from the vat part, and in this pipe trap structure part, the sensor of the conductivity measuring device is provided. Interpolated.

このように、本発明においては、処理槽から横溢する処理液を一旦バット部に貯留するので、導電率を測定すべき対象の処理液の濃度を均一化することができる。また、本発明ではバット部の排出口から排出される処理液の導電率を測定するが、この排出口は、バット部において、処理槽から横溢する処理液が流入する液受部から所定間隔だけ離間して配置される。よって、液受部において処理液に巻き込まれた気泡がそのまま排出口から排出されバット排液配管に流入することが抑制される。さらに、バット排液配管には、バット部から排出された処理液がバット排液配管を満たした状態とする配管トラップ構造部が備えられるので、導電率測定器のセンサはより確実にバット排液配管内の処理液に浸漬される。その結果、導電率測定器による導電率の測定精度を向上させることができる。   As described above, in the present invention, the processing liquid overflowing from the processing tank is temporarily stored in the butt portion, so that the concentration of the processing liquid of which conductivity is to be measured can be made uniform. Further, in the present invention, the conductivity of the processing liquid discharged from the discharge port of the vat portion is measured, but this discharge port is provided at a predetermined interval from the liquid receiving portion into which the processing liquid overflowing laterally from the processing tank flows in the vat portion. Spaced apart. Therefore, it is possible to prevent bubbles trapped in the processing liquid in the liquid receiving section from being discharged from the discharge port as they are and flowing into the vat drain pipe. Further, since the vat drainage pipe is provided with a pipe trap structure section that keeps the vat drainage pipe filled with the processing liquid discharged from the vat part, the sensor of the conductivity measuring device can more reliably detect the vat drainage liquid. It is immersed in the processing liquid in the pipe. As a result, it is possible to improve the accuracy of conductivity measurement by the conductivity measuring device.

結果として、本発明によれば、より精度よく、処理槽から横溢した処理液の導電率を測定することが可能となる。なお、処理液にＴＭＡＨ等の薬剤が含まれる場合には、活性剤の存在によって処理液がより気泡を巻き込み易くなり（すなわち泡立ち易い）、さらに、基板処理時に化学反応により水素等の気体が発生し易くなるため、処理液への気泡の混在が問題となり易い。よって、処理液にＴＭＡＨ等の薬剤が含まれる場合に本発明を適用すれば、より顕著な効果を得ることが可能である。   As a result, according to the present invention, it is possible to more accurately measure the conductivity of the processing liquid overflowing from the processing tank. When the treatment liquid contains a chemical such as TMAH, the presence of the activator makes it easier for the treatment liquid to entrap bubbles (that is, bubbles easily), and a gas such as hydrogen is generated by a chemical reaction during the substrate treatment. Since it is easy to do so, mixing of bubbles in the processing liquid is likely to be a problem. Therefore, when the present invention is applied to the case where the treatment liquid contains a drug such as TMAH, a more remarkable effect can be obtained.

また、本発明においては、前記処理槽は、前記基板が浸漬され前記所定の処理が行われる内槽と、該内槽の周囲で該内槽から横溢する処理液を一時的に貯留する外槽とを有し、
前記バット部における液受部は、前記外槽からさらに横溢する処理液を受け入れるようにしてもよい。 Further, in the present invention, the treatment bath is an inner bath in which the substrate is immersed and the predetermined treatment is performed, and an outer bath which temporarily stores a processing liquid overflowing from the inner bath around the inner bath. Has and
The liquid receiving portion in the butt portion may receive the processing liquid that overflows further from the outer tank.

これによれば、処理槽の内槽において基板に所定の処理が行われた後に、処理液は外槽で一旦貯留され、さらに、バット部で貯留されることになる。よって、さらに確実に、処理液の濃度を均一化することが可能となる。   According to this, after the substrate is subjected to the predetermined processing in the inner tank of the processing tank, the processing liquid is temporarily stored in the outer tank and further stored in the butt portion. Therefore, it is possible to more reliably make the concentration of the treatment liquid uniform.

また、本発明においては、前記液受部は、前記処理槽から横溢した処理液を斜めに前記バット部に流入させる流入部をさらに備え、前記排出口は、前記流入部に対して、該流入部から流入する処理液の流入方向とは逆側に配置されるようにしてもよい。   Further, in the present invention, the liquid receiving portion further includes an inflow portion that obliquely flows the processing liquid overflowing from the processing tank into the vat portion, and the discharge port is configured to inflow the inflow portion with respect to the inflow portion. It may be arranged on the side opposite to the inflow direction of the processing liquid flowing in from the section.

すなわち、本発明では、処理槽からバット部に処理液が受け入れられる際には、処理槽から横溢した処理液は、流入部を介して斜めにバット部に流入する。よって、高い位置からバット部に直接に処理液が落下する場合と比較して、処理液への気泡の巻き込みを抑制することができる。また、バット排液配管に繋がる排出口は、流入部から流入する処理液の流入方向とは逆側に配置される。よって、処理液の流入時に巻き込まれた気泡がそのまま、排出口に流入することを抑制でき、巻き込まれた気泡がバット部において処理液から除去される時間的、距離的な余裕を確保することができる。その結果、バット排液配管に流入する処理液に気泡が混入することをより確実に抑制できる。   That is, in the present invention, when the processing liquid is received from the processing tank to the vat portion, the processing liquid overflowing from the processing tank obliquely flows into the vat portion via the inflow portion. Therefore, as compared with the case where the processing liquid directly drops from the high position to the butt portion, it is possible to suppress the inclusion of bubbles in the processing liquid. Further, the discharge port connected to the vat drainage pipe is arranged on the opposite side to the inflow direction of the processing liquid flowing from the inflow portion. Therefore, it is possible to prevent the air bubbles entrapped when the processing liquid flows in as they are from flowing into the discharge port, and it is possible to secure a time and distance allowance for the entrained air bubbles to be removed from the processing liquid in the butt portion. it can. As a result, it is possible to more reliably suppress the inclusion of bubbles in the processing liquid flowing into the vat drainage pipe.

また、本発明においては、前記バット部は、前記流入部に対して、該流入部から流入する処理液の流入方向に配置された第２排出口と、該第２排出口に接続され、前記バット部に貯留された処理液を排出する第２バット排液配管と、をさらに有するようにしてもよい。   Further, in the present invention, the butt portion is connected to the second outlet and the second outlet arranged in the inlet direction of the processing liquid flowing from the inlet with respect to the inlet. You may make it further have a 2nd vat drainage piping which discharges the process liquid stored in the vat part.

ここで、本発明においては、第２バット排液配管には、配管トラップ構造部及び、導電率測定器は備えられない。この第２バット排液配管を備えることにより、処理槽から横溢した処理液のうちバット排液配管に流入する処理液の量を適量に調整するとともに、バット部に貯留される処理液の量を適量に維持することが可能である。さらに、本発明においては、上記のとおり、第２排出口と第２バット排液配管は、流入部からバット部に斜めに流入する処理液の流入方向に配置される。よって、処理液の流入により巻き込まれた気泡の多くの部分は、第２排出口及び第２バット排液配管によってバット部から排出される。その結果、処理液の流入により巻き込まれた気泡が排出口及びバット排液配管に流入し、導電率測定器による導電率の測定に影響を及ぼすことを抑制できる。   Here, in the present invention, the second vat drainage pipe is not provided with the pipe trap structure and the conductivity measuring device. By providing this second vat drainage pipe, the amount of the treatment liquid flowing into the vat drainage pipe out of the treatment liquid overflowing from the treatment tank is adjusted to an appropriate amount, and the amount of the treatment liquid stored in the vat portion is adjusted. It is possible to maintain an appropriate amount. Furthermore, in the present invention, as described above, the second discharge port and the second vat drainage pipe are arranged in the inflow direction of the processing liquid that obliquely flows into the vat portion from the inflow portion. Therefore, most of the bubbles trapped due to the inflow of the processing liquid are discharged from the butt portion by the second discharge port and the second butt drainage pipe. As a result, it is possible to prevent the bubbles entrapped by the inflow of the processing liquid from flowing into the discharge port and the vat drain pipe and affecting the measurement of the conductivity by the conductivity measuring device.

また、本発明においては、前記バット部において、前記排出口は、前記第２排出口より低い位置に配置されるようにしてもよい。   Further, in the present invention, in the butt portion, the discharge port may be arranged at a position lower than the second discharge port.

これによれば、バット部に貯留された処理液内に巻き込まれた気泡は、排出口よりも第２排出口から排出され易くなる。その結果、処理液内に巻き込まれた気泡が排出口及びバット排液配管に流入し、導電率測定器による導電率の測定に影響を及ぼすことを、より確実に抑制することができる。   According to this, the bubbles trapped in the treatment liquid stored in the butt portion are more likely to be discharged from the second outlet than the outlet. As a result, it is possible to more reliably prevent the bubbles entrapped in the treatment liquid from flowing into the discharge port and the vat drain pipe and affecting the measurement of conductivity by the conductivity measuring device.

また、本発明においては、前記バット部は、該バット部に貯留された処理液を撹拌する撹拌手段を有するようにしてもよい。   Further, in the present invention, the vat section may have a stirring means for stirring the treatment liquid stored in the vat section.

この撹拌手段は、バット部内に設けられ回転することで処理液を撹拌する撹拌棒または撹拌板であってもよい。また、バット部内に貯留された処理液に振動や超音波を作用させる振動発生機であってもよい。さらには、流入部から処理液が流入することでバット内に発生する処理液の流れを複雑に変化させる抵抗体であってもよい。これにより、より確実に、バット部内に貯留された処理液の濃度を均一化することができ、導電率測定器による導電率の測定の精度を向上させることができる。   The stirring means may be a stirring rod or a stirring plate that is provided inside the vat portion and that stirs the processing liquid by rotating. Further, it may be a vibration generator that applies vibration or ultrasonic waves to the treatment liquid stored in the butt portion. Further, it may be a resistor that complicatedly changes the flow of the processing liquid generated in the vat when the processing liquid flows from the inflow portion. As a result, the concentration of the treatment liquid stored in the butt portion can be made more reliable, and the accuracy of conductivity measurement by the conductivity measuring device can be improved.

また、本発明においては、前記第２バット排液配管には、該第２バット排液配管によって排出される処理液の量を制御可能なバルブ手段を有するようにしてもよい。   Further, in the present invention, the second vat drainage pipe may be provided with valve means capable of controlling the amount of the processing liquid discharged through the second vat drainage pipe.

これによれば、バルブ手段によって、第２バット排液配管によって排出される処理液の量を能動的に制御することで、より確実に、処理槽から横溢した処理液のうちバット排液配管に流入する処理液の量を適量に制御するとともに、バット部に貯留される処理液の量を適量に維持することが可能となる。   According to this, the valve means actively controls the amount of the processing liquid discharged through the second vat drainage pipe, so that the vat drainage pipe of the processing liquid that overflows from the processing tank can be more reliably supplied to the vat drainage pipe. It is possible to control the amount of the processing liquid that flows in to an appropriate amount and to maintain the amount of the processing liquid stored in the butt portion at an appropriate amount.

また、本発明においては、前記配管トラップ構造部は、前記バット排液配管に設けられ、該バット排液配管を略水平に維持した部分としてもよい。   Further, in the present invention, the pipe trap structure portion may be a portion provided in the vat drainage pipe and maintaining the vat drainage pipe substantially horizontal.

このように、バット排液配管を略水平に維持することで、バット排液配管を流れる処理液の流速を減少させ、この部分においてバット排液配管内に処理液を滞留させることが可能となる。よって、より容易な構造で、配管トラップ構造部においてバット排液配管を処理液で満たすことが可能となる。また、その際、導電率測定器のセンサを、下側からバット排液配管に内槽するようにすれば、より確実に、導電率測定器のセンサの全表面がバット排液配管内の処理液に接する状態とすることができ、より確実に、導電率の測定精度と向上させることが可能となる。   In this way, by maintaining the vat drainage pipe substantially horizontal, it is possible to reduce the flow rate of the processing liquid flowing through the vat drainage pipe and to retain the processing liquid in the vat drainage pipe at this portion. .. Therefore, with a simpler structure, it is possible to fill the vat drainage pipe with the treatment liquid in the pipe trap structure portion. Further, at that time, if the sensor of the conductivity measuring device is placed in the vat drainage pipe from the lower side, more reliably, the entire surface of the sensor of the conductivity measuring device is treated in the vat drainage pipe. It can be brought into contact with the liquid, and it is possible to more reliably improve the measurement accuracy of the conductivity.

また、本発明においては、前記バット排液配管における、前記配管トラップ構造部の下流側には、前記バット排液配管が該配管トラップ構造部より高い位置となるように屈曲される配管上昇部が設けられてもよい。   Further, in the present invention, in the vat drainage pipe, on the downstream side of the pipe trap structure, a pipe rising part that is bent so that the vat drainage pipe is at a position higher than the pipe trap structure is provided. It may be provided.

これによれば、さらに確実に、配管トラップ構造部において処理液を滞留させることができ、バット排液配管を処理液で満たすことが可能となる。よって、さらに確実に、導電率測定器のセンサの全表面がバット排液配管内の処理液に接する状態とすることができ、導電率の測定精度と向上させることが可能となる。   According to this, the treatment liquid can be retained in the pipe trap structure more reliably, and the vat drain pipe can be filled with the treatment liquid. Therefore, the entire surface of the sensor of the conductivity measuring device can be more surely brought into contact with the treatment liquid in the vat drainage pipe, and the conductivity measurement accuracy can be improved.

また、本発明においては、前記配管トラップ構造部における、前記導電率測定器のセンサの下流側には、前記バット排液配管より小さい流路断面積を有し、下側に延びる分岐配管が設けられるようにしてもよい。   Further, in the present invention, in the pipe trap structure, a branch pipe having a flow passage cross-sectional area smaller than that of the vat drainage pipe and extending downward is provided on the downstream side of the sensor of the conductivity measuring device. You may be allowed to.

これによれば、基板処理の終了後に、配管トラップ構造部に残存する処理液を分岐配管から排出することが可能となる。よって、基板処理の終了後に、配管トラップ構造部に処理液が残り、導電率測定器のセンサを腐食させるなどの不都合が生じることを抑制できる。   According to this, after the substrate processing is completed, the processing liquid remaining in the piping trap structure section can be discharged from the branch piping. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of inconveniences such as the treatment liquid remaining in the pipe trap structure portion after the substrate treatment is finished and the sensor of the conductivity measuring device is corroded.

なお、上述した、課題を解決するための手段は適宜組み合わせて使用することが可能である。   The above-mentioned means for solving the problems can be appropriately combined and used.

本発明によれば、基板処理装置において、処理槽から排出された処理液の導電率を、より精度よく測定することが可能となる。   According to the present invention, in the substrate processing apparatus, it is possible to more accurately measure the conductivity of the processing liquid discharged from the processing bath.

実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment. 実施例１に係る基板処理装置の機能ブロック図である。3 is a functional block diagram of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. FIG. 実施例１に係る基板処理装置の処理部における各処理槽の処理液の制御に関わる構成を示す図である。5 is a diagram showing a configuration related to control of a processing liquid in each processing tank in the processing unit of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. FIG. 実施例１に係る基板処理装置の処理槽から排出される処理液の濃度測定に関連する構成の概略図である。3 is a schematic diagram of a configuration related to concentration measurement of a processing liquid discharged from a processing tank of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. FIG. 実施例１に係るバット部の周辺の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration around a bat portion according to the first embodiment. 実施例１に係るバット部の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the bat portion according to the first embodiment. 実施例２に係るバット部の周辺の構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration around a bat portion according to a second embodiment. 実施例３に係るバット部の周辺の構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration around a bat portion according to a third embodiment.

＜実施例１＞
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施例は、本願発明の一態様であり、本願発明の技術的範囲を限定するものではない。図１は実施例１に係る基板処理装置１の概略構成を示す斜視図である。この基板処理装置１は、主として基板Ｗに対してエッチング処理や洗浄処理（以下、単に“処理”ともいう）を施すものである。基板処理装置１においては、長手方向の一端（すなわち、図１において右奥側）に、基板Ｗをストックするバッファ部２が配置され、バッファ部２の外壁側（すなわち、図１においてさらに右奥側）には、基板処理装置１を操作するための正面パネル（不図示）が設けられている。また、バッファ部２における正面パネルと反対側には、基板搬出入口３が設けられている。また、基板処理装置１の長手方向における、バッファ部２の反対側（すなわち、図１において左手前側）から、基板Ｗに対して処理を行う処理部５、７及び９が並設されている。 <Example 1>
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the following embodiment is one mode of the present invention and does not limit the technical scope of the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment. The substrate processing apparatus 1 mainly performs an etching process or a cleaning process (hereinafter, also simply referred to as “process”) on a substrate W. In the substrate processing apparatus 1, the buffer unit 2 for stocking the substrate W is arranged at one end in the longitudinal direction (that is, the right rear side in FIG. 1), and the buffer unit 2 has an outer wall side (that is, further right rear side in FIG. 1). On the side), a front panel (not shown) for operating the substrate processing apparatus 1 is provided. A substrate loading / unloading port 3 is provided on the opposite side of the buffer unit 2 from the front panel. Further, in the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 1, from the opposite side of the buffer section 2 (that is, the left front side in FIG. 1), processing sections 5, 7 and 9 that perform processing on the substrate W are juxtaposed.

各処理部５、７及び９は、各々二つの処理槽５ａ及び５ｂ、７ａ及び７ｂ、９ａ及び９ｂを有している。また、基板処理装置１には、複数枚の基板Ｗを各処理部５、７及び９における各処理槽の間でのみ（すなわち、図１中の短い矢印の方向及び範囲に対して）移動させるための副搬送機構４３が備えられている。この副搬送機構４３は、複数枚の基板Ｗを処理槽５ａ及び５ｂ、７ａ及び７ｂ、９ａ及び９ｂに浸漬しまたは、これらの処理槽から引き上げるため、複数枚の基板Ｗを上下にも移動させる。各々の副搬送機構４３には、複数枚の基板Ｗを保持するリフタ１１、１３及び１５が備えられている。さらに基板処理装置１には、複数枚の基板Ｗを受け取り、各処理部５、７及び９の各々に搬送するために、各処理部の並び方向に、各処理部と基板の受取場所の範囲内（すなわち、図１中の長い矢印の方向及び範囲）で基板Ｗを搬送可能な主搬送機構１７が備えられている。   Each processing section 5, 7 and 9 has two processing tanks 5a and 5b, 7a and 7b, 9a and 9b, respectively. Further, in the substrate processing apparatus 1, a plurality of substrates W are moved only between the processing tanks of the processing units 5, 7, and 9 (that is, with respect to the direction and range of the short arrow in FIG. 1). The sub-transport mechanism 43 is provided. The sub-transport mechanism 43 moves the plurality of substrates W up and down in order to immerse the plurality of substrates W in the processing baths 5a and 5b, 7a and 7b, 9a and 9b or to pull them up from these processing baths. .. Each sub-transport mechanism 43 is provided with lifters 11, 13, and 15 for holding a plurality of substrates W. Further, in the substrate processing apparatus 1, in order to receive a plurality of substrates W and convey them to each of the processing units 5, 7 and 9, the range of the receiving place of each processing unit and the substrate in the arrangement direction of each processing unit. A main transport mechanism 17 capable of transporting the substrate W inside (that is, in the direction and range of the long arrow in FIG. 1) is provided.

主搬送機構１７は、二本の可動式のアーム１７ａを有している。これらのアーム１７ａには、基板Ｗを載置するための複数の溝（図示省略）が設けられており、図１に示す状態で、各基板Ｗを起立姿勢（基板主面の法線が水平方向に沿う姿勢）で保持する。また、主搬送機構１７における二本のアーム１７ａは、図１中の右斜め下方向から見て、「Ｖ」の字状から逆「Ｖ」の字状に揺動することにより、各基板Ｗを開放する。そして、この動作により、基板Ｗは、主搬送機構１７とリフタ１１、１３及び１５との間で授受されることが可能となっている。   The main transport mechanism 17 has two movable arms 17a. These arms 17a are provided with a plurality of grooves (not shown) for mounting the substrate W, and in the state shown in FIG. 1, each substrate W is in an upright posture (the normal line of the main surface of the substrate is horizontal). Hold it in a posture along the direction). Further, the two arms 17a of the main transport mechanism 17 swing from the "V" shape to the inverted "V" shape when viewed from the diagonally lower right direction in FIG. Open up. By this operation, the substrate W can be transferred between the main transport mechanism 17 and the lifters 11, 13 and 15.

図２には、基板処理装置１の機能ブロック図を示す。上述した主搬送機構１７、副搬送機構４３、処理部５、７、９は、制御部５５によって統括的に制御されている。制御部５５のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部５５は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。本実施例においては、制御部５５のＣＰＵが所定のプログラムを実行することにより、基板Ｗを各処理部５、７、９に搬送し、基板Ｗに対してプログラムに応じた処理を施すように各部を制御する。上記のプログラムは、記憶部５７に記憶されている。   FIG. 2 shows a functional block diagram of the substrate processing apparatus 1. The main transport mechanism 17, the sub transport mechanism 43, and the processing units 5, 7, and 9 described above are collectively controlled by the control unit 55. The hardware configuration of the control unit 55 is similar to that of a general computer. That is, the control unit 55 stores a CPU that performs various arithmetic processes, a ROM that is a read-only memory that stores a basic program, a RAM that is a readable / writable memory that stores various information, and a control application and data. It is equipped with a magnetic disk and the like. In the present embodiment, the CPU of the control unit 55 executes a predetermined program so that the substrate W is transferred to the processing units 5, 7, and 9 and the substrate W is processed according to the program. Control each part. The above program is stored in the storage unit 57.

図３は、基板処理装置１の処理部５、７、９における各処理槽５ａ、７ａ、９ａの処理液の制御に関わる構成を示す図である。図３においては、処理部５、７、９における各処理槽５ａ、７ａ、９ａのうち、処理槽７ａを例にとって説明する。以下の処理槽７ａの処理液についての制御と同等または類似の制御が、他の処理槽５ａ及び９ａについても適用される。   FIG. 3 is a diagram showing a configuration relating to control of the processing liquid in each of the processing tanks 5 a, 7 a, 9 a in the processing units 5, 7, 9 of the substrate processing apparatus 1. In FIG. 3, the processing tank 7a among the processing tanks 5a, 7a, 9a in the processing units 5, 7, 9 will be described as an example. The same or similar control as the control for the processing liquid in the processing tank 7a described below is also applied to the other processing tanks 5a and 9a.

ここで、半導体ウェハの製造工程においては、例えばシリコン等の単結晶インゴッドをその棒軸方向にスライスし、得られたものに対して面取り、ラッピング、エッチング処理、ポリッシング等の処理が順次施される。その結果、基板表面の上には異なる材料による複数の層、構造、回路が形成される。そして、処理槽７ａにおいて行われる基板Ｗのエッチング処理は、例えば、基板Ｗに残ったメタル等を除去する目的で行われ、基板Ｗを処理液に所定時間浸漬することにより行われる。   Here, in the manufacturing process of the semiconductor wafer, for example, a single crystal ingot of silicon or the like is sliced in the rod axis direction, and the obtained product is sequentially subjected to treatments such as chamfering, lapping, etching treatment and polishing. .. As a result, multiple layers, structures and circuits of different materials are formed on the surface of the substrate. The etching process of the substrate W performed in the processing bath 7a is performed, for example, for the purpose of removing the metal or the like remaining on the substrate W, and is performed by immersing the substrate W in the processing liquid for a predetermined time.

なお、図３では、処理液として、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、フッ酸（ＨＦ）、純水（ＤＩＷ）を含んだものを用いる。しかしながら、処理液はこれに限られず、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、硝酸（ＨＮＯ３）、塩酸（ＨＣＬ）、アンモニア水（ＮＨ３Ｗａｔｅｒ）、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）、有機酸（たとえばクエン酸（Ｃ（ＯＨ）（ＣＨ２ＣＯＯＨ）２ＣＯＯＨ）、蓚酸（（ＣＯＯＨ）２）など）、界面活性剤（Ｓｕｒｆａｃｔａｎｔ）、腐食防止剤（Ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ Ｉｎｈｉｂｉｔｏｒ）、有機溶剤（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｖｅｎｔ）、炭酸水（ＣＯ２Ｗａｔｅｒ）、オゾン水（Ｏｚｏｎ Ｗａｔｅｒ）等を含んでいてもよい。 In FIG. 3, a treatment liquid containing TMAH (tetramethylammonium hydroxide), hydrofluoric acid (HF), and pure water (DIW) is used. However, the treatment liquid is not limited to this, and sulfuric acid (H 2 SO 4 ), acetic acid (CH 3 COOH), nitric acid (HNO 3 ), hydrochloric acid (HCL), ammonia water (NH 3 Water), hydrogen peroxide water (H 2 O 2 ), an organic acid (for example, citric acid (C (OH) (CH 2 COOH) 2 COOH), oxalic acid ((COOH) 2 ), etc.), a surfactant (Surfactant), a corrosion inhibitor (Corrosion Inhibitor), It may contain an organic solvent (Organic Solvent), carbonated water (CO 2 Water), ozone water (Ozon Water), or the like.

図３において、処理槽７ａは、処理液中に基板Ｗを浸漬させる内槽５０ａおよび、内槽５０ａの上部からオーバーフローした処理液を回収する外槽５０ｂによって構成される二重槽構造を有している。内槽５０ａは、処理液に対する耐食性に優れた石英またはフッ素樹脂材料にて形成された平面視矩形の箱形形状部材である。外槽５０ｂは、内槽５０ａと同様の材料にて形成されており、内槽５０ａの外周上端部を囲繞するように設けられている。   In FIG. 3, the processing tank 7a has a double tank structure composed of an inner tank 50a for immersing the substrate W in the processing liquid and an outer tank 50b for collecting the processing liquid overflowing from the upper portion of the inner tank 50a. ing. The inner tank 50a is a box-shaped member having a rectangular shape in a plan view, which is formed of quartz or a fluororesin material having excellent corrosion resistance to the treatment liquid. The outer tank 50b is made of the same material as the inner tank 50a, and is provided so as to surround the outer peripheral upper end portion of the inner tank 50a.

また、処理槽７ａには、前述のように、貯留された処理液に基板Ｗを浸漬させるためのリフタ１３が設けられている。リフタ１３は、起立姿勢にて相互に平行に配列された複数（例えば５０枚）の基板Ｗを３本の保持棒によって一括して保持する。リフタ１３は、副搬送機構４３によって上下左右の方向に移動可能に設けられており、保持する複数枚の基板Ｗを内槽５０ａ内の処理液中に浸漬する処理位置（図３の位置）と処理液から引き上げた受渡位置との間で昇降させるとともに、隣の処理槽７ｂへ移動させることが可能となっている。   Further, as described above, the processing bath 7a is provided with the lifter 13 for immersing the substrate W in the stored processing liquid. The lifter 13 collectively holds a plurality of (for example, 50) substrates W arranged in parallel in a standing posture by three holding bars. The lifter 13 is provided so as to be movable in the up, down, left, and right directions by the sub-transport mechanism 43, and has a processing position (position in FIG. 3) in which a plurality of substrates W to be held are immersed in the processing liquid in the inner tank 50a. It is possible to move up and down with respect to the delivery position where the processing liquid is pulled up and move it to the adjacent processing tank 7b.

また、基板処理装置１は、処理液を処理槽７ａに循環させる循環ライン２０を備える。循環ライン２０は、処理槽７ａから排出された処理液を濾過・加熱して再び処理槽７ａに圧送還流させる配管経路であり、具体的には処理槽７ａの外槽５０ｂと内槽５０ａとを流路接続して構成されている。また、循環ライン２０から分岐して排液ライン３０が分岐しており、処理液を処理槽７ａに戻さず排液する場合には、排液切換えバルブ２６及び、排液バルブ２７を開閉することにより、外槽５０ｂから排出された処理液をそのまま排液ライン３０を介して廃棄する。   The substrate processing apparatus 1 also includes a circulation line 20 that circulates the processing liquid in the processing bath 7a. The circulation line 20 is a pipe path for filtering and heating the processing liquid discharged from the processing tank 7a and pumping it back to the processing tank 7a again. Specifically, the circulation line 20 connects the outer tank 50b and the inner tank 50a of the processing tank 7a. It is configured by connecting flow paths. Further, since the drainage line 30 branches off from the circulation line 20 and the treatment liquid is drained without returning to the treatment tank 7a, the drainage switching valve 26 and the drainage valve 27 are opened and closed. Thus, the processing liquid discharged from the outer tank 50b is directly discarded through the drain line 30.

循環ライン２０の経路途中には、バルブ類以外では、上流側から循環ポンプ２１、温調器２２、フィルタ２３及び、濃度計２４が設けられている。循環ポンプ２１は、循環ライン２０を介して処理液を外槽５０ｂから吸い込むとともに内槽５０ａに向けて圧送する。温調器２２は、循環ライン２０を流れる処理液を所定の処理温度にまで再加熱する。なお、処理槽７ａにも図示省略のヒータが設けられており、処理槽７ａに貯留されている処理
液も所定の処理温度を維持するように加熱されている。フィルタ２３は、循環ライン２０を流れる処理液中の異物を取り除くための濾過フィルタである。 In the middle of the route of the circulation line 20, a circulation pump 21, a temperature controller 22, a filter 23, and a concentration meter 24 are provided from the upstream side other than the valves. The circulation pump 21 sucks the processing liquid from the outer tank 50b through the circulation line 20 and pressure-feeds it toward the inner tank 50a. The temperature controller 22 reheats the processing liquid flowing through the circulation line 20 to a predetermined processing temperature. A heater (not shown) is also provided in the processing tank 7a, and the processing liquid stored in the processing tank 7a is also heated so as to maintain a predetermined processing temperature. The filter 23 is a filtration filter for removing foreign matter in the treatment liquid flowing through the circulation line 20.

また、濃度計２４は、循環ライン２０によって内槽５０ａに回収される処理液の導電率を測定する。この濃度計２４によって測定される導電率の値が最適値となるように、処理槽７ａ内の処理液濃度が制御される。処理槽７ａ内の処理液濃度が制御される処理は制御部５５によって行われる。より具体的には、制御部５５は、処理槽内の処理液の全液交換制御や、処理液の濃度のフィードバック制御等に係る処理を行う。   Further, the densitometer 24 measures the conductivity of the treatment liquid collected in the inner tank 50a by the circulation line 20. The concentration of the treatment liquid in the treatment tank 7a is controlled so that the conductivity value measured by the densitometer 24 becomes an optimum value. The processing for controlling the concentration of the processing liquid in the processing tank 7a is performed by the controller 55. More specifically, the control unit 55 performs processing related to total liquid exchange control of the processing liquid in the processing tank, feedback control of the concentration of the processing liquid, and the like.

次に、上記構成を有する基板処理装置１の作用についてより詳細に説明する。まず、処理槽７ａに貯留されている処理液中に基板Ｗが浸漬されているか否かに関わらず、循環ポンプ２１は常時一定流量にて処理液を圧送している。循環ライン２０によって処理槽７ａに還流された処理液は内槽５０ａの底部から供給される。これによって、内槽５０ａの内部には底部から上方へと向かう処理液のアップフローが生じる。底部から供給された処理液はやがて内槽５０ａの上端部から溢れ出て外槽５０ｂに流入する。外槽５０ｂに流れ込んだ処理液は外槽５０ｂから循環ライン２０を介して循環ポンプ２１に送られ、再び処理槽７ａに圧送還流されるという循環プロセスが継続して行われる。   Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 having the above configuration will be described in more detail. First, the circulation pump 21 constantly pumps the processing liquid at a constant flow rate regardless of whether the substrate W is immersed in the processing liquid stored in the processing tank 7a. The processing liquid recirculated to the processing tank 7a by the circulation line 20 is supplied from the bottom of the inner tank 50a. As a result, an upflow of the processing liquid flowing upward from the bottom is generated inside the inner tank 50a. The processing liquid supplied from the bottom eventually overflows from the upper end of the inner tank 50a and flows into the outer tank 50b. The processing liquid that has flowed into the outer tank 50b is sent from the outer tank 50b to the circulation pump 21 through the circulation line 20, and then pressure-fed back to the processing tank 7a again to continue the circulation process.

上記の他、基板処理装置１には、処理槽７ａの処理液の濃度を制御するための濃度制御装置４０が備えられている。この濃度制御装置４０は、ＴＭＡＨ供給源４１ａと、ＨＦ供給源４１ｂと処理槽７ａとを結ぶ薬液ライン４２ａ、４２ｂと、純水供給源４６と、純水供給源４６と処理槽７ａとを結ぶ純水ライン４７とを有する。   In addition to the above, the substrate processing apparatus 1 is provided with a concentration control device 40 for controlling the concentration of the processing liquid in the processing bath 7a. The concentration control device 40 connects the TMAH supply source 41a, the chemical liquid lines 42a and 42b connecting the HF supply source 41b and the processing tank 7a, the pure water supply source 46, and the pure water supply source 46 and the processing tank 7a. It has a pure water line 47.

処理液を最初に生成するときは、供給速度が必要となるので太い配管から内槽５０ａに向けて処理液が投入されるが、処理液を補充するときは外槽５０ｂに向けて補充されるようにしてもよい。薬液ライン４２ａ、４２ｂには、ＴＭＡＨの流量を測定可能な流量計４４ａ及び、ＨＦの流量を測定可能な流量計４４ｂが各々設けられている。また、ＴＭＡＨの流量を調整可能な補充バルブ４５ａ及び、ＨＦの流量を調整可能な補充バルブ４５ｂが各々設けられている。一方、純水ライン４７には、純水ライン４７を通過する純水の流量を測定する純水流量計４８と、純水の流量を調整する純水補充バルブ４９が備えられている。また、前述の制御部５５が濃度計５１の測定結果に基づいて補充バルブ４５ａ、４５ｂ及び、純水補充バルブ４９を制御し、処理槽７ａ内の処理液の濃度を、処理に最適な濃度となるよう制御する。   When the treatment liquid is first generated, the supply speed is required, so the treatment liquid is fed from the thick pipe toward the inner tank 50a, but when the treatment liquid is replenished, it is replenished toward the outer tank 50b. You may do it. A flowmeter 44a capable of measuring the flow rate of TMAH and a flowmeter 44b capable of measuring the flow rate of HF are respectively provided in the chemical liquid lines 42a and 42b. Further, a replenishment valve 45a capable of adjusting the flow rate of TMAH and a replenishment valve 45b capable of adjusting the flow rate of HF are respectively provided. On the other hand, the pure water line 47 is provided with a pure water flow meter 48 for measuring the flow rate of pure water passing through the pure water line 47 and a pure water replenishment valve 49 for adjusting the flow rate of pure water. Further, the control unit 55 controls the replenishment valves 45a and 45b and the pure water replenishment valve 49 based on the measurement result of the densitometer 51 so that the concentration of the treatment liquid in the treatment tank 7a becomes the optimum concentration for the treatment. Control to be.

しかしながら、処理槽７ａに投入される前の処理液の濃度のみを測定した場合には、処理槽７ａにおける処理液の濃度バラツキ等の影響を充分に反映させることができず、必ずしも処理液濃度を高精度に測定することができていなかった。その結果、処理槽７ａ中の処理液の濃度制御の精度と充分に高めることが困難な場合があった。これに対し、本実施例においては、処理槽７ａから排出された処理液の濃度を、導電率計を用いて測定することとした。そして、この導電率計を用いて処理槽７ａから排出された処理液の濃度を測定する場合には、測定に係る処理液中の気泡を除去すること、処理液の濃度バラツキを抑え可能な限り均一にすること、導電率計のセンサ（後述）が確実に処理液中に浸漬され、センサ表面の全体が処理液に接していることが必要となる。   However, when only the concentration of the treatment liquid before being added to the treatment tank 7a is measured, it is not possible to sufficiently reflect the influence of the concentration variation of the treatment liquid in the treatment tank 7a, and it is not always necessary to measure the concentration of the treatment liquid. It was not possible to measure with high accuracy. As a result, it may be difficult to sufficiently enhance the accuracy of the concentration control of the treatment liquid in the treatment tank 7a. On the other hand, in the present embodiment, the concentration of the processing liquid discharged from the processing tank 7a was measured using a conductivity meter. Then, when measuring the concentration of the treatment liquid discharged from the treatment tank 7a using this conductivity meter, it is necessary to remove bubbles in the treatment liquid related to the measurement, and to suppress concentration variation of the treatment liquid as much as possible. It is necessary that the sensor be made uniform and that the sensor (described later) of the conductivity meter is surely immersed in the treatment liquid so that the entire sensor surface is in contact with the treatment liquid.

図４には、基板処理装置１において、処理槽７ａから排出される処理液の濃度測定に関連する構成の概略図を示す。本実施例においては、処理槽７ａにおける外槽５０ｂに、流入部としての排出傾斜板６０が設けられている。外槽５０ｂ中の処理液は、この排出傾斜板６０から優先的に横溢し、バット部６１に流入する。このバット部６１においては、処理液への気泡の巻き込み及び濃度バラツキが抑制される。そして、処理液はバット排液配管としての測定用排出路６７に流入してバット部６１から排出される。この測定用排出路
６７には、導電率測定器としての導電率計６３が備えられており、測定用排出路６７を通過する処理液の導電率が測定される。導電率が測定された後の処理液は基本的に廃棄されるが、これを循環させて再度、処理槽７ａに戻しても構わない。 FIG. 4 shows a schematic diagram of a configuration related to the concentration measurement of the processing liquid discharged from the processing bath 7a in the substrate processing apparatus 1. In this embodiment, the outer tank 50b of the processing tank 7a is provided with a discharge inclined plate 60 as an inflow portion. The processing liquid in the outer tank 50b preferentially overflows from the discharge inclined plate 60 and flows into the vat portion 61. In the butt portion 61, the inclusion of bubbles in the treatment liquid and the concentration variation are suppressed. Then, the treatment liquid flows into the measurement discharge passage 67 as the vat drain pipe and is discharged from the vat portion 61. The measuring discharge path 67 is provided with a conductivity meter 63 as a conductivity measuring device, and the conductivity of the treatment liquid passing through the measuring discharge path 67 is measured. The treatment liquid after the conductivity is measured is basically discarded, but it may be circulated and returned to the treatment tank 7a again.

次に、図５を用いて、本実施例におけるバット部６１周辺の構成について、より詳細に説明する。図５は、バット部６１及び関連する構成の断面図である。図５から分かるように、排出傾斜板６０は、バット部６１の水平方向における中央部付近に、処理液が斜めに流入するように配置されている。バット部６１において、この排出傾斜板６０から排出される処理液が落下する部分として破線で示された長円領域６２は、本実施例において液受部に相当する。   Next, the configuration around the butt portion 61 in this embodiment will be described in more detail with reference to FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view of the butt portion 61 and related configurations. As can be seen from FIG. 5, the discharge inclined plate 60 is arranged near the central portion of the butt portion 61 in the horizontal direction so that the treatment liquid obliquely flows in. In the butt portion 61, an oval region 62 indicated by a broken line as a portion where the processing liquid discharged from the discharge inclined plate 60 falls corresponds to the liquid receiving portion in this embodiment.

バット部６１における、排出傾斜板６０から流入する処理液の流入方向の端部には、第２排出口に相当するサブ排出口７７が配置されている。このサブ排出口７７から排出される処理液は、サブ排出路７９を通過して排出される。一方、バット部６１における、排出傾斜板６０から流入する処理液の流入方向と反対の端部には、本実施例における排出口に相当する測定用排出口６５が配置されている。この測定用排出口６５から排出される処理液は、測定用排出路６７を通過して排出される。この測定用排出路６７は、途中に配管トラップ構造部に相当する水平部６９を有する。そして、水平部６９に導電率計６３が備えられている。   A sub discharge port 77 corresponding to a second discharge port is arranged at an end portion of the butt portion 61 in the inflow direction of the processing liquid flowing from the discharge inclined plate 60. The processing liquid discharged from the sub discharge port 77 passes through the sub discharge passage 79 and is discharged. On the other hand, at the end of the butt portion 61 opposite to the inflow direction of the processing liquid flowing in from the discharge inclined plate 60, a measurement discharge port 65 corresponding to the discharge port in this embodiment is arranged. The processing liquid discharged from the measurement discharge port 65 passes through the measurement discharge passage 67 and is discharged. The discharge path 67 for measurement has a horizontal part 69 corresponding to a pipe trap structure part in the middle. The horizontal portion 69 is provided with the conductivity meter 63.

本実施例においては、上述のように測定用排出路６７が水平部６９を有し、この水平部６９に導電率計６３が備えられている。よって、バット部６１の測定用排出口６５から自由落下してきた処理液の流速がこの部分で低減され、導電率計６３が測定用排出路６７における垂直部分に備えられた場合と比較して、より確実に、処理液が測定用排出路６７を満たした状態とすることができる。よって、測定用排出路６７内に内挿された、導電率計６３のセンサ（不図示）の表面の全体が処理液に接する状態とすることができる。その結果、導電率計６３による処理液の導電率（すなわち、濃度）の測定精度を向上させることが可能となる。   In this embodiment, as described above, the measurement discharge path 67 has the horizontal portion 69, and the horizontal portion 69 is provided with the conductivity meter 63. Therefore, the flow velocity of the processing liquid that has fallen freely from the measurement discharge port 65 of the butt portion 61 is reduced in this portion, and compared with the case where the conductivity meter 63 is provided in the vertical portion of the measurement discharge passage 67, It is possible to make the state in which the treatment liquid fills the measurement discharge passage 67 more reliably. Therefore, the entire surface of the sensor (not shown) of the conductivity meter 63, which is inserted in the measurement discharge path 67, can be brought into contact with the treatment liquid. As a result, it is possible to improve the measurement accuracy of the conductivity (that is, concentration) of the processing liquid by the conductivity meter 63.

図６は、バット部６１の平面図である。図６に示すように、本実施例では、サブ排出口７７と、測定用排出口６５は、液受部である長円領域６２を挟んで、バット部６１の対角に配置されている。よって、排出傾斜板６０からバット部６１に流入した処理液が、液受部である長円領域６２で気泡を巻き込んだとしても、この気泡の大部分はサブ排出口７７の方に流れサブ排出口７７から排出される。一方、測定用排出口６５へは、バット部６１の中で比較的長い距離を流れた後の処理液が流入するので、長円領域６２で処理液に巻き込まれた気泡が測定用排出口６５から排出されることを抑制できる。また、測定用排出口６５に流入する処理液は、バット部６１の中で充分に撹拌される配置となっているので、測定用排出口６５に流入する処理液の濃度バラツキが低減され、濃度測定される処理液の濃度をより均一にすることが可能となっている。   FIG. 6 is a plan view of the butt portion 61. As shown in FIG. 6, in the present embodiment, the sub discharge port 77 and the measurement discharge port 65 are arranged diagonally to the butt portion 61 with the oval region 62, which is the liquid receiving portion, interposed therebetween. Therefore, even if the treatment liquid that has flowed into the butt portion 61 from the discharge inclined plate 60 entrains bubbles in the oval region 62 that is the liquid receiving portion, most of the bubbles flow toward the sub discharge port 77. It is discharged from the outlet 77. On the other hand, since the treatment liquid after flowing a relatively long distance in the butt portion 61 flows into the measurement discharge port 65, the bubbles trapped in the treatment liquid in the oval region 62 are discharged into the measurement discharge port 65. Can be suppressed. Further, since the treatment liquid flowing into the measurement discharge port 65 is arranged to be sufficiently agitated in the vat portion 61, the concentration variation of the treatment liquid flowing into the measurement discharge port 65 is reduced, and the concentration It is possible to make the measured concentration of the treatment liquid more uniform.

なお、本実施例においては、基板処理後における処理液に対して導電率を測定することとしているので、導電率計６３のセンサとして金属製のものを用いても、センサの金属成分によって、基板処理の状態に影響が及ぶことを防止することが可能である。また、本実施例においては、バット部６１の寸法は、例えば、処理槽７ａから横溢する処理液の流量が６０Ｌ／ｍｉｎ程度の場合には、長さ（図６における長手方向寸法）は２６０ｍｍ、幅（図４における短手方向寸法）は２１０ｍｍ、深さ６５ｍｍ程度であってもよい。   In this example, since the conductivity is measured with respect to the processing liquid after the substrate processing, even if a metal sensor is used as the sensor of the conductivity meter 63, the substrate may be It is possible to prevent the processing state from being affected. Further, in the present embodiment, the dimension of the butt portion 61 is, for example, when the flow rate of the processing liquid overflowing from the processing tank 7a is about 60 L / min, the length (longitudinal dimension in FIG. 6) is 260 mm, The width (widthwise dimension in FIG. 4) may be about 210 mm and the depth may be about 65 mm.

バット部６１の容量をこの程度とすることで、導電率計６３によって測定される処理液の濃度バラツキを充分に低減できる可能性がある。また、バット部６１の底面から、排出傾斜板６０の先端までの高さは、１００ｍｍ以下としてもよい。バット部６１の底面から
排出傾斜板６０の先端までの高さをこの程度に抑えることで、処理液のバット部６１への流入時の気泡の巻き込みを抑制することが可能である。また、バット部６１の寸法を上記のようにした場合、本実施例において液受部と測定用排出口６５は、１３０ｍｍ程度離間していることとなる。この１３０ｍｍという距離は、本実施例における所定距離に相当する。 By setting the capacity of the butt portion 61 to this level, there is a possibility that the concentration variation of the treatment liquid measured by the conductivity meter 63 can be sufficiently reduced. Further, the height from the bottom surface of the butt portion 61 to the tip of the discharge inclined plate 60 may be 100 mm or less. By suppressing the height from the bottom surface of the butt portion 61 to the tip of the discharge inclined plate 60 to this extent, it is possible to suppress the entrainment of bubbles when the processing liquid flows into the bat portion 61. Further, when the dimensions of the butt portion 61 are set as described above, the liquid receiving portion and the measurement outlet 65 are separated by about 130 mm in this embodiment. This distance of 130 mm corresponds to the predetermined distance in this embodiment.

＜実施例２＞
次に、図７を用いて、本発明における実施例２について説明する。本実施例においては、実施例１とは異なる構成によって配管トラップ構造部を実現し、測定用排出路６７内に内挿された導電率計６３のセンサ（不図示）の表面の全体が処理液に接する状態とする。また、測定用排出口６５に流入する処理液の量を能動的に制御可能とする。さらに、バット部６１内の処理液を積極的に撹拌することで濃度の均一化を可能とする。 <Example 2>
Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, a pipe trap structure is realized by a configuration different from that of the first embodiment, and the entire surface of the sensor (not shown) of the conductivity meter 63 inserted in the measurement discharge passage 67 has the treatment liquid. To be in contact with. Further, it is possible to actively control the amount of the processing liquid flowing into the measurement outlet 65. Further, by positively stirring the treatment liquid in the vat portion 61, it is possible to make the concentration uniform.

図７は、バット部６１及び関連する構成の断面図である。図７において、排出傾斜板６０、サブ排出口７７及び、測定用排出口６５の配置は実施例１と同様であるので、説明は省略する。本実施例においては、測定用排出路６７は、水平部６９を有しておらず、導電率計６３は、測定用排出路６７が垂直に形成された部分に設けられている。その代りに、測定用排出路６７は導電率計６３の下流側の領域７０において、流路面積が小さくなるように管径が縮小されている。よって、測定用排出路６７において管径が縮小される領域７０の上流側の領域６８においては、処理液が滞留して測定用排出路６７を満たすこととなる。その結果、導電率計６３のセンサの表面の全体が、より確実に処理液に接する状態とすることができる。ここで、測定用排出路６７において管径が縮小される領域７０の直上流の領域６８は、本実施例において配管トラップ構造部に相当する。   FIG. 7 is a cross-sectional view of the butt portion 61 and related configurations. In FIG. 7, the arrangement of the discharge inclined plate 60, the sub discharge port 77, and the measurement discharge port 65 is the same as that in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted. In this embodiment, the measurement discharge passage 67 does not have the horizontal portion 69, and the conductivity meter 63 is provided in the portion where the measurement discharge passage 67 is formed vertically. Instead, in the measurement discharge passage 67, in the region 70 on the downstream side of the conductivity meter 63, the pipe diameter is reduced so that the flow passage area is reduced. Therefore, in the region 68 on the upstream side of the region 70 where the pipe diameter is reduced in the measurement discharge passage 67, the treatment liquid is retained and fills the measurement discharge passage 67. As a result, the entire surface of the sensor of the conductivity meter 63 can be brought into contact with the treatment liquid more reliably. Here, the region 68 immediately upstream of the region 70 where the pipe diameter is reduced in the measurement discharge passage 67 corresponds to the pipe trap structure portion in the present embodiment.

また、本実施例においては、サブ排出路７９に、流量制御バルブ７８を備える。すなわち、流量制御バルブ７８の開度を制御することで、バット部６１に貯留される処理液の量を適切に制御することが可能である。ここで、バット部６１に貯留される処理液の量は、少なすぎると、処理液の濃度バラツキが大きくなる。また、多すぎると、基板処理に用いられる処理液の濃度の変化に対する、導電率計６３による測定値のレスポンスが遅くなる。   Further, in this embodiment, a flow rate control valve 78 is provided in the sub discharge passage 79. That is, by controlling the opening degree of the flow rate control valve 78, it is possible to appropriately control the amount of the processing liquid stored in the butt portion 61. Here, if the amount of the treatment liquid stored in the butt portion 61 is too small, the concentration variation of the treatment liquid becomes large. On the other hand, if the amount is too large, the response of the measured value by the conductivity meter 63 to the change in the concentration of the processing liquid used for the substrate processing becomes slow.

よって、流量制御バルブ７８の開度を適切に制御することで、バット部６１に貯留された処理液の量を適切に管理し、処理液の濃度測定の精度と、応答速さとを所望の状態に調整することが可能となる。なお、この流量制御バルブ７８の開度の制御は、制御部５５により、バット部６１の液面高さを目標値に収束させるフィードバック制御により行ってもよいし、他の制御方法を選択しても構わない。また、マニュアルで制御しても構わない。   Therefore, by appropriately controlling the opening degree of the flow rate control valve 78, the amount of the processing liquid stored in the butt portion 61 is appropriately managed, and the accuracy of the concentration measurement of the processing liquid and the response speed are in a desired state. Can be adjusted to. The control of the opening degree of the flow rate control valve 78 may be performed by the control unit 55 by feedback control that converges the liquid surface height of the butt portion 61 to a target value, or by selecting another control method. I don't care. Moreover, you may control manually.

また、処理槽７ａから横溢する処理液の流量が６０Ｌ／ｍｉｎ程度の場合であり、バット部６１の寸法が前述のように、長さ（図６における長手方向寸法）は２６０ｍｍ、幅（図６における短手方向寸法）は２１０ｍｍ、深さ６５ｍｍ程度である場合には、液面高さはバット部６１の底面から３０ｍｍ程度となるように、流量制御バルブ７８を制御してもよい。このバット部６１の容量を上記の程度とし、且つ液面高さを３０ｍｍ程度とすることで、導電率計６３によって測定される処理液の濃度バラツキを充分に低減できるとともに、バット部６１に流入する処理液の濃度のステップ状の変化に対して充分に早い応答時間（１２０sec程度）を確保することが可能である。   Further, when the flow rate of the processing liquid overflowing laterally from the processing tank 7a is about 60 L / min, the length of the butt portion 61 (the lengthwise dimension in FIG. 6) is 260 mm and the width (FIG. 6) is as described above. When the short-side dimension in () is 210 mm and the depth is about 65 mm, the flow rate control valve 78 may be controlled so that the liquid surface height is about 30 mm from the bottom surface of the butt portion 61. By setting the volume of the butt portion 61 to the above-mentioned level and setting the liquid level height to about 30 mm, it is possible to sufficiently reduce the concentration variation of the treatment liquid measured by the conductivity meter 63 and to flow into the bat portion 61. It is possible to secure a sufficiently fast response time (about 120 seconds) with respect to the stepwise change in the concentration of the treatment liquid.

また、本実施例においては、バット部６１の中に、処理液撹拌用のファン７２を備える。このファン７２を回転させることで、測定用排出口６５から測定用排出路６７に流入する処理液の濃度バラツキをより確実に抑制することができる。その結果、導電率計６３による濃度測定の精度をさらに向上させることが可能である。   Further, in the present embodiment, a fan 72 for stirring the processing liquid is provided in the vat portion 61. By rotating the fan 72, it is possible to more reliably suppress the concentration variation of the processing liquid flowing from the measurement outlet 65 into the measurement outlet 67. As a result, it is possible to further improve the accuracy of the concentration measurement by the conductivity meter 63.

＜実施例３＞
次に、図８を用いて、本発明における実施例３について説明する。本実施例においては、実施例１で説明した水平部６９に、さらに追加の構成を設けることよって、測定用排出路６７内に内挿された、導電率計６３のセンサの表面の全体が、より確実に処理液に接する状態とする。 <Example 3>
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the entire surface of the sensor of the conductivity meter 63, which is inserted in the measurement discharge path 67, is provided by providing the horizontal portion 69 described in the first embodiment with an additional configuration. The state of contacting the treatment liquid more reliably.

図８は、本実施例におけるバット部６１及び関連する構成の断面図である。本実施例において、排出傾斜板６０、サブ排出口７７及び、測定用排出口６５の配置は実施例１と同様であるので、説明は省略する。本実施例においては、水平部６９における導電率計６３の下流に、測定用排出路６７を水平部６９よりも高くなるように屈曲させた、配管上昇部に相当する屈曲部７５を設けることとした。これにより、水平部６９から下流側に処理液が流れることを一時的に阻害することができるので、さらに確実に、水平部６９において、処理液が測定用排出路６７を満たした状態とすることができる。よって、測定用排出路６７内に内挿された、導電率計６３のセンサ（不図示）の表面の全体が、より確実に処理液に接する状態とすることができる。その結果、導電率計６３による処理液の導電率（すなわち、濃度）の測定精度を向上させることが可能である。   FIG. 8 is a cross-sectional view of the butt portion 61 and related configurations in this embodiment. In this embodiment, the arrangement of the discharge inclined plate 60, the sub discharge port 77, and the measurement discharge port 65 is the same as that in the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted. In the present embodiment, a bent portion 75 corresponding to a pipe rising portion is provided downstream of the conductivity meter 63 in the horizontal portion 69, and the measurement discharge path 67 is bent to be higher than the horizontal portion 69. did. As a result, it is possible to temporarily prevent the processing liquid from flowing from the horizontal portion 69 to the downstream side. Therefore, in the horizontal portion 69, it is possible to more reliably bring the processing liquid into the measurement discharge passage 67. You can Therefore, the entire surface of the sensor (not shown) of the conductivity meter 63, which is inserted in the measurement discharge path 67, can be brought into contact with the treatment liquid more reliably. As a result, it is possible to improve the measurement accuracy of the conductivity (that is, the concentration) of the processing liquid by the conductivity meter 63.

また、図８に示すように、本実施例では、水平部６９と屈曲部７５の間に、測定用排出路６７よりは流路断面積を小さくし、下側に延びる分岐配管に相当する、分岐路７３が設けられている。この分岐路７３により、基板処理が終了した後に、水平部６９に処理液が滞留したままになることを防止できる。その結果、水平部６９に滞留した処理液により、導電率計６３のセンサが腐食する等の不都合を抑制することができる。   Further, as shown in FIG. 8, in the present embodiment, the flow passage cross-sectional area between the horizontal portion 69 and the bent portion 75 is smaller than that of the measurement discharge passage 67, and corresponds to a branch pipe extending downward. A branch path 73 is provided. The branch path 73 can prevent the processing liquid from remaining in the horizontal portion 69 after the substrate processing is completed. As a result, it is possible to suppress the inconvenience such as the corrosion of the sensor of the conductivity meter 63 due to the processing liquid accumulated in the horizontal portion 69.

また、本実施例では、測定用排出路６７における水平部６９から、バット部６１に処理液を還流するための還流路７１が設けられている。これにより、水平部６９における処理液の流量が減少した場合には、測定用排出口６５から流入した処理液の一部は、バット部６１に還流させることができ、バット部６１における処理液の撹拌を促進することが可能となる。また、測定用排出口６５から流入する処理液に気泡が混在していた場合にも、還流路７１を介して気泡を処理液から分離することで、処理液中の気泡を減少させることが可能である。   Further, in the present embodiment, a recirculation passage 71 for recirculating the treatment liquid from the horizontal portion 69 of the measurement discharge passage 67 to the butt portion 61 is provided. As a result, when the flow rate of the processing liquid in the horizontal portion 69 decreases, a part of the processing liquid flowing in from the measurement outlet 65 can be returned to the vat portion 61, and the processing liquid in the vat portion 61 can be discharged. It becomes possible to promote stirring. Further, even when bubbles are mixed in the treatment liquid flowing from the measurement outlet 65, it is possible to reduce the bubbles in the treatment liquid by separating the bubbles from the treatment liquid via the reflux passage 71. Is.

なお、本発明における配管トラップ構造部としては、上記の例の他、測定用排出口６５から測定用排出路６７が一旦垂直下法に延びる形状であって、その後、測定用排出路６７がＵ字状に屈曲して垂直上方に延びるようにし、さらに逆Ｕ字状に屈曲して再度垂直下方に延びるような屈曲形状としても構わない。この場合には、測定用排出路６７が上記のＵ字状に屈曲した部分に導電率計６３を設けるようにしてもよい。   In addition to the above-described example, the pipe trap structure in the present invention has a shape in which a measurement discharge path 67 extends from the measurement discharge port 65 in a vertical downward direction, and then the measurement discharge path 67 is U-shaped. A bent shape may be formed so as to be bent in a letter shape so as to extend vertically upward, and further bent in an inverted U shape and extend vertically downward again. In this case, the conductivity meter 63 may be provided at the portion where the measurement discharge path 67 is bent in the U shape.

１・・・基板処理装置
２・・・バッファ部
３・・・基板搬出入口
５、７、９・・・処理部
５ａ、５ｂ、７ａ、７ｂ、９ａ、９ｂ・・・処理槽
１１、１３、１５・・・リフタ
１７・・・主搬送機構
２０・・・循環ライン
２４、４７、６３・・・導電率計
４３・・・副搬送機構
５０ａ・・・内槽
５０ｂ・・・外槽
５５・・・制御部
５７・・・記憶部
６０・・・排出傾斜板
６１・・・バット部
６５・・・測定用排出口
６７・・・測定用排出路
６９・・・水平部
７１・・・還流路
７２・・・ファン
７３・・・分岐路
７５・・・屈曲部
７７・・・サブ排出口
７８・・・流量制御バルブ
７９・・・サブ排出路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate processing apparatus 2 ... Buffer part 3 ... Substrate carry-in / out port 5, 7, 9 ... Processing parts 5a, 5b, 7a, 7b, 9a, 9b ... Processing tanks 11, 13, 15 ... Lifter 17 ... Main transport mechanism 20 ... Circulation lines 24, 47, 63 ... Conductivity meter 43 ... Sub transport mechanism 50a ... Inner tank 50b ... Outer tank 55 ... .. Control unit 57 ... Storage unit 60 ... Discharge inclined plate 61 ... Butt portion 65 ... Measurement discharge port 67 ... Measurement discharge path 69 ... Horizontal portion 71 ... Reflux Path 72 ... Fan 73 ... Branch path 75 ... Bend 77 ... Sub discharge port 78 ... Flow control valve 79 ... Sub discharge path

Claims (10)

一種以上の薬液を含む処理液に基板を浸漬させることで該基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記処理液が貯留可能な処理槽と、
前記処理槽から横溢する処理液を受け入れる液受部と、該液受部から所定間隔離間して配置された排出口とを有し、前記処理槽から横溢する処理液の少なくとも一部を貯留するバット部と、
前記排出口に接続され、前記バット部に貯留された処理液を排出するバット排液配管と、
前記バット排液配管に設けられ、前記バット部から排出される処理液が前記バット排液配管を満たした状態とする配管トラップ構造部と、
前記配管トラップ構造部内にセンサが内挿されることで、前記バット排液配管を満たした前記処理液の導電率を測定する導電率測定器と、
を備える、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate by immersing the substrate in a process liquid containing one or more chemicals,
A treatment tank capable of storing the treatment liquid;
It has a liquid receiving portion that receives the processing liquid that overflows from the processing tank, and an outlet that is arranged at a predetermined distance from the liquid receiving portion, and stores at least a part of the processing liquid that overflows from the processing tank. The butt part,
A vat drainage pipe connected to the discharge port, for discharging the processing liquid stored in the vat portion,
A pipe trap structure part provided in the vat drainage pipe, wherein the processing liquid discharged from the vat portion fills the vat drainage pipe,
By inserting the sensor in the pipe trap structure, a conductivity measuring device for measuring the conductivity of the treatment liquid that fills the vat drainage pipe,
A substrate processing apparatus comprising: 前記処理槽は、前記基板が浸漬され前記所定の処理が行われる内槽と、該内槽の周囲で該内槽から横溢する処理液を一時的に貯留する外槽とを有し、
前記バット部における液受部は、前記外槽からさらに横溢する処理液を受け入れることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。 The processing tank has an inner tank in which the substrate is immersed and the predetermined processing is performed, and an outer tank for temporarily storing a processing liquid overflowing from the inner tank around the inner tank,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the liquid receiving portion of the butt portion receives the processing liquid that overflows further from the outer tank. 前記液受部は、前記処理槽から横溢した処理液を斜めに前記バット部に流入させる流入部をさらに備え、
前記排出口は、前記流入部に対して、該流入部から流入する処理液の流入方向とは逆側に配置されたことを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理装置。 The liquid receiving part further comprises an inflow part for obliquely inflowing the processing liquid overflowing from the processing tank into the vat part,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the discharge port is arranged on the side opposite to the inflow direction of the processing liquid flowing from the inflow section with respect to the inflow section. 前記バット部は、前記流入部に対して、該流入部から流入する処理液の流入方向に配置された第２排出口と、該第２排出口に接続され、前記バット部に貯留された処理液を排出する第２バット排液配管と、をさらに有することを特徴とする、請求項３に記載の基板処理装置。   The butt part is connected to the second discharge port, which is arranged in the inflow direction of the processing liquid flowing from the inflow part with respect to the inflow part, and the process stored in the butt part. 4. The substrate processing apparatus according to claim 3, further comprising a second vat drainage pipe for draining the liquid. 前記バット部において、前記排出口は、前記第２排出口より低い位置に配置されたことを特徴とする、請求項４に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein, in the butt portion, the discharge port is arranged at a position lower than the second discharge port. 前記バット部は、該バット部に貯留された処理液を撹拌する撹拌手段を有することを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the butt section has a stirring means for stirring the processing liquid stored in the bat section. 前記第２バット排液配管には、該第２バット排液配管によって排出される処理液の量を制御可能なバルブ手段を有することを特徴とする、請求項４または５に記載の基板処理装置。   6. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the second vat drainage pipe has valve means capable of controlling the amount of the processing liquid drained by the second vat drainage pipe. .. 前記配管トラップ構造部は、前記バット排液配管に設けられ、該バット排液配管を略水平に維持した部分であることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate according to any one of claims 1 to 7, wherein the pipe trap structure portion is provided in the vat drainage pipe and is a part that maintains the vat drainage pipe substantially horizontal. Processing equipment. 前記バット排液配管における、前記配管トラップ構造部の下流側には、前記バット排液配管が該配管トラップ構造部より高い位置となるように屈曲される配管上昇部が設けられたことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。   In the vat drainage pipe, on the downstream side of the pipe trap structure, there is provided a pipe rising part that is bent so that the vat drainage pipe is at a position higher than the pipe trap structure. The substrate processing apparatus according to claim 8. 前記配管トラップ構造部における、前記導電率測定器のセンサの下流側には、前記バッ
ト排液配管より小さい流路断面積を有し、下側に延びる分岐配管が設けられたことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。 In the pipe trap structure part, a branch pipe having a flow passage cross-sectional area smaller than that of the vat drainage pipe and extending downward is provided on the downstream side of the sensor of the conductivity measuring device. The substrate processing apparatus according to claim 9.
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