JP2020064641A - 半導体装置及び情報処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・
オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるようになっ
ている。
力が情報処理装置およびそれに用いられる表示装置に加わることがある。破壊されにくい
表示装置の一例として、発光層を分離する構造体と第2の電極層との密着性が高められた
構成が知られている(特許文献1)。
知られている(特許文献2)。
EL(Electroluminescence)素子を備えたフレキシブルなアクティ
ブマトリクス方式の発光装置が開示されている。
題の一とする。または、新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。
可撓性を有する入出力装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は
、軽量な入出力装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、厚さ
の薄い入力装置もしくは入出力装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の
一態様は、検出感度の高い入力装置もしくは入出力装置を提供することを目的の一とする
。または、本発明の一態様は、検知器もしくは入力装置もしくは入出力装置の薄型化と、
高い検出感度を両立することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、大型の入力
装置もしくは入出力装置に用いることができる検知器を提供することを目的の一とする。
または、本発明の一態様は、大型の入力装置もしくは入出力装置を提供することを目的の
一とする。
目的の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することを
目的の一とする。利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを目的の
一とする。または、新規な検知器、新規な入力装置、新規な入出力装置、または、新規な
半導体装置、を提供することを目的の一とする。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
よび検知回路を支持する可撓性の基材と、を有する検知器である。
3のトランジスタのソース又はドレインの一方及び検知素子の一方の電極と電気的に接続
する。また、第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線及び検知素
子の他方の電極と電気的に接続する。また、第1のトランジスタのソース又はドレインの
他方は、第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続する。また、第
2のトランジスタのゲートは、第2の配線と電気的に接続する。また、第2のトランジス
タのソース又はドレインの他方は、第3の配線と電気的に接続する。また、第3のトラン
ジスタのゲートは、第4の配線と電気的に接続する。第3のトランジスタのソース又はド
レインの他方は、第5の配線と電気的に接続する。
検知信号を供給する。
。
検知素子および検知回路を支持する可撓性の基材と、を有する検知器である。
3のトランジスタのソース又はドレインの一方及び検知素子の一方の電極と電気的に接続
する。また、第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、検知素子の他方の電極
の電位を制御することができる制御信号を供給することができる第1の配線及び検知素子
の他方の電極と電気的に接続する。また、第1のトランジスタのソース又はドレインの他
方は、第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続する。また、第2
のトランジスタのゲートは、選択信号を供給することができる第2の配線と電気的に接続
する。また、第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、検知信号を供給するこ
とができる第3の配線と電気的に接続する。また、第3のトランジスタのゲートは、リセ
ット信号を供給することができる第4の配線と電気的に接続する。第3のトランジスタの
ソース又はドレインの他方は、接地電位を供給することができる第5の配線と電気的に接
続する。
検知信号を供給する。
。
検知素子と電気的に接続される検知回路と、検知素子および検知回路を支持する可撓性の
基材と、を有する検知器である。
知回路は、検知素子の容量の変化に基づいて検知信号を供給する。
ンジスタのゲートは、第3のトランジスタのソース又はドレインの一方及び前記検知素子
の第1の電極と電気的に接続し、第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、検
知素子の第2の電極の電位を制御することができる制御信号を供給することができる第1
の配線及び前記検知素子の第2の電極と電気的に接続し、第1のトランジスタのソース又
はドレインの他方は、第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続し
、第2のトランジスタのゲートは、選択信号を供給することができる第2の配線と電気的
に接続し、第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、検知信号を供給すること
ができる第3の配線と電気的に接続し、第3のトランジスタのゲートは、リセット信号を
供給することができる第4の配線と電気的に接続し、第3のトランジスタのソース又はド
レインの他方は、接地電位を供給することができる第5の配線と電気的に接続する、検知
器である。
検知信号を供給する。
。
一対の電極を備え且つ窓部に重なる透光性の検知素子と、検知素子の容量の変化に基づく
検知信号を供給する検知回路と、検知素子および検知回路を支持する可撓性の基材と、を
含んで構成される。
もしくは一方の電極および他方の電極の間隔が変化することにより変化する。これらによ
り、検知器は検知素子の容量の変化に基づく検知信号を供給すること、可視光を透過する
ことおよび曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な検知器を
提供することができる。
素子の第2の電極の電位を制御することができる制御信号を供給することができる第1の
配線と電気的に接続することにより、例えば、第1の配線にノイズが入った場合でも、検
知素子の第2の電極と第1のトランジスタのソース又はドレインの一方が、それぞれ異な
る配線に接続された構成の検知回路と比較して、第1の配線に供給される信号の電位と検
知素子の第1の電極の電位の差(検知素子の電極間の電位差)が一定に保たれやすくなる
。そのため、ノイズに影響される検知素子の容量の変化を低減することができ、ノイズが
もたらす検知信号への干渉を低減することができる。その結果、検知器の感度を上げ、信
頼性に優れた新規な検知器を提供することができる。
置される複数の検知ユニットが電気的に接続される第2の配線と、列方向に配置される検
知ユニットが電気的に接続される第3の配線と、検知ユニット、第2の配線および第3の
配線が配設される可撓性の基材と、を有する入力装置である。
と電気的に接続される検知回路を備え、検知素子は、絶縁層、絶縁層を挟持する第1の電
極および第2の電極を備え、検知回路は、選択信号を供給され且つ検知素子の容量の変化
に基づいて検知信号を供給し、第2の配線は、選択信号を供給することができ、第3の配
線は、検知信号を供給することができる。
一対の電極を備え且つ窓部に重なる透光性の検知素子ならびに検知素子の容量の変化に基
づく検知信号を供給する検知回路を含み且つマトリクス状に配置される検知ユニットと、
検知ユニットを支持する可撓性の基材を含んで構成される。
もしくは第1の電極および第2の電極の間隔が変化することにより変化する。これにより
、入力装置は、検知ユニットの位置情報および当該検知ユニットが検知する検知信号を、
供給すること、可視光を透過することおよび曲げることができる。その結果、利便性また
は信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。
複数の検知ユニット、行方向に配置される複数の検知ユニットが電気的に接続される第2
の配線、列方向に配置される複数の検知ユニットが電気的に接続される第3の配線ならび
に複数の検知ユニット、第2の配線および第3の配線を支持する可撓性の第1の基材を備
える可撓性の入力装置と、マトリクス状に配設され且つ窓部に重なる複数の画素および画
素を支持する可撓性の第2の基材を備える表示部と、を有する入出力装置である。
知回路を備え、検知素子は、絶縁層、絶縁層を挟持する第1の電極および第2の電極を備
え、検知回路は、選択信号を供給され且つ検知素子の容量の変化に基づいて検知信号を供
給し、第2の配線は、選択信号を供給することができ、第3の配線は、検知信号を供給す
ることができ、検知回路は、複数の窓部の間隙に重なるように配置される。
数備える可撓性の入力装置と、窓部に重なる画素を複数備える可撓性の表示部と、を有し
、窓部と画素の間に着色層を含んで構成される。
位置情報を供給すること、検知ユニットの位置情報と関連付けられた画像情報を表示する
こと、および曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力
装置を提供することができる。
複数の検知ユニット、第1乃至第5の配線、ならびに複数の検知ユニット、第1乃至第5
の配線を支持する可撓性の第1の基材を備える可撓性の入力装置と、マトリクス状に配設
され且つ窓部に重なる複数の画素および画素を支持する可撓性の第2の基材を備える表示
部と、を有する入出力装置である。
の配線は列方向に配置される複数の検知ユニットと電気的に接続される。
備る。また、検知回路は、第1乃至第3のトランジスタを備える。第1のトランジスタの
ゲートは、第3のトランジスタのソース又はドレインの一方及び検知素子の一方の電極と
電気的に接続する。また、第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配
線及び検知素子の他方の電極と電気的に接続する。また、第1のトランジスタのソース又
はドレインの他方は、第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続し
、
第2のトランジスタのゲートは、第2の配線と電気的に接続する。また、第2のトランジ
スタのソース又はドレインの他方は、第3の配線と電気的に接続する。また、第3のトラ
ンジスタのゲートは、第4の配線と電気的に接続する。第3のトランジスタのソース又は
ドレインの他方は、第5の配線と電気的に接続する。また、第2の配線は、選択信号を供
給することができ、第3の配線は、検知信号を供給することができる。検知回路は、複数
の窓部の間隙に重なるように配置される。
検知信号を供給する。
。
複数の検知ユニット、第1乃至第5の配線、ならびに複数の検知ユニット、第1乃至第5
の配線を支持する可撓性の第1の基材を備える可撓性の入力装置と、マトリクス状に配設
され且つ窓部に重なる複数の画素および画素を支持する可撓性の第2の基材を備える表示
部と、を有する入出力装置である。
の配線は列方向に配置される複数の検知ユニットと電気的に接続される。
備える。また、検知回路は、第1乃至第3のトランジスタを備える。第1のトランジスタ
のゲートは、第3のトランジスタのソース又はドレインの一方及び検知素子の一方の電極
と電気的に接続する。また、第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、検知素
子の他方の電極の電位を制御することができる制御信号を供給することができる第1の配
線及び検知素子の他方の電極と電気的に接続する。また、第1のトランジスタのソース又
はドレインの他方は、第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続す
る。また、第2のトランジスタのゲートは、選択信号を供給することができる第2の配線
と電気的に接続する。また、第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、検知信
号を供給することができる第3の配線と電気的に接続する。また、第3のトランジスタの
ゲートは、リセット信号を供給することができる第4の配線と電気的に接続する。また、
第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、接地電位を供給することができる第
5の配線と電気的に接続する。また、検知回路は、複数の窓部の間隙に重なるように配置
される。
検知信号を供給する。
。
とする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はEL層の一
態様である。
トリクスを構成する物質Bをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Aをゲス
ト材料と呼ぶものとする。なお、物質A並びに物質Bは、それぞれ単一の物質であっても
良いし、2種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。
)を指す。また、発光装置にコネクター、例えばFPC(Flexible print
ed circuit)もしくはTCP(Tape Carrier Package)
が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、ま
たは発光素子が形成された基板にCOG(Chip On Glass)方式によりIC
(集積回路)が直接実装されたモジュールは、発光装置を含む場合がある。
してブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難
しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、nチャネル
型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられ
る端子がドレインと呼ばれる。また、pチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えら
れる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書
では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接
続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼
び方が入れ替わる。
るソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トラン
ジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に
接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
ジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第2のトランジスタのソースまたはドレイ
ンの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されて
いる状態とは、第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第2のトランジスタ
のソースまたはドレインの一方に接続され、第1のトランジスタのソースまたはドレイン
の他方が第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味
する。
給可能、或いは伝送可能な状態にすることができるような回路構成になっている場合に相
当する。従って、接続している回路構成とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけ
ではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵
抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している回路構成も
、その範疇に含む。
も、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の
構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、
一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
電極を、他方がドレイン電極を指す。
可撓性を有する入出力装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、軽量な
入出力装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、厚さの薄い入力装置も
しくは入出力装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、検出感度の高い
入力装置もしくは入出力装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、検知
器もしくは入力装置もしくは入出力装置の薄型化と、高い検出感度を両立することができ
る。または、本発明の一態様は、大型の入力装置もしくは入出力装置に用いることができ
る検知器を提供することができる。または、本発明の一態様は、大型の入力装置もしくは
入出力装置を提供することができる。
は、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供できる。利便性または信頼性に優
れた新規な入出力装置を提供できる。または、新規な検知器、新規な入力装置、新規な入
出力装置、または、新規な半導体装置、を提供できる。なお、これらの効果の記載は、他
の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果
の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記
載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら
以外の効果を抽出することが可能である。
の電極を備え且つ窓部に重なる透光性の検知素子と、検知素子の容量の変化に基づく検知
信号を供給する検知回路と、検知素子および検知回路を支持する可撓性の基材と、を含ん
で構成される。
の第2の電極が、検知素子の第2の電極の電位を制御することができる制御信号を供給す
ることができる配線と電気的に接続すること、を含んでいる。また、検知回路は、第1乃
至第3のトランジスタを備え、第1のトランジスタのゲートは、第3のトランジスタのソ
ース又はドレインの一方及び前記検知素子の第1の電極と電気的に接続し、第1のトラン
ジスタのソース又はドレインの一方は、検知素子の第2の電極の電位を制御することがで
きる制御信号を供給することができる第1の配線及び前記検知素子の第2の電極と電気的
に接続し、第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2のトランジスタのソ
ース又はドレインの一方と電気的に接続し、第2のトランジスタのゲートは、選択信号を
供給することができる第2の配線と電気的に接続し、第2のトランジスタのソース又はド
レインの他方は、検知信号を供給することができる第3の配線と電気的に接続し、第3の
トランジスタのゲートは、リセット信号を供給することができる第4の配線と電気的に接
続し、第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、接地電位を供給することがで
きる第5の配線と電気的に接続すること、を含んでいる。
透過することおよび曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な
検知器、入力装置または入出力装置を提供することができる。なお、本明細書において、
検知素子の容量は、検知素子に寄生する容量を含む場合がある。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、本発明の一態様の検知器の構成について、図1および図2を参照しな
がら説明する。
本発明の一態様の検知器の構成について、図1を参照しながら説明する。
なお、均等に図中に配置された破線と黒丸は、矩形の領域が繰り返し配置されている旨を
省略して図示するものである。
構造を説明する断面図である。
且つ所定の色の光を透過する着色層と、窓部14を囲む遮光性の層BMと、窓部14に重
なる検知素子Cと、遮光性の層BMに重なり検知素子Cと電気的に接続される検知回路1
9と、検知素子Cおよび検知回路19を支持する可撓性の基材16と、を有する(図1(
A)乃至図1(D)参照)。
を備える。
の電極が、例えば検知素子Cの第2の電極12の電位を制御することができる制御信号を
供給することができる配線VPと電気的に接続される第1のトランジスタM1を備える構
成であってもよい(図1(A)参照)。
電極が第1のトランジスタM1の第2の電極と電気的に接続され、第2の電極が例えば検
知信号DATAを供給することができる信号線DLと電気的に接続される第2のトランジ
スタM2を備える構成であってもよい。
1の電極が検知素子Cの第1の電極11と電気的に接続され、第2の電極が例えば接地電
位を供給することができる配線VRESと電気的に接続される第3のトランジスタM3を
備える構成であってもよい。
電位を制御することができる制御信号を供給することができる配線VPを備える構成であ
ってもよい。
第3の配線、配線RESを第4の配線、配線VRESを第5の配線という場合がある。
視光を透過する着色層と、窓部14を囲む遮光性の層BMと、絶縁層およびそれを挟持す
る一対の電極を備え且つ窓部14に重なる透光性の検知素子Cと、遮光性の層BMに重な
り検知素子Cの容量の変化に基づく検知信号DATAを供給する検知回路19と、検知素
子Cおよび検知回路19を支持する可撓性の基材16と、を含んで構成される。
すること、もしくは第1の電極11および第2の電極12の間隔が変化することにより変
化する。これらにより、検知器10は検知素子Cの容量の変化に基づく検知信号DATA
を供給すること、可視光を透過することおよび曲げることができる。その結果、利便性ま
たは信頼性に優れた新規な検知器を提供することができる。
ることができ、配線VPは検知素子Cの第2の電極12の電位を制御する制御信号を供給
することができる。
TAに基づいて変換された信号を供給することができる。
ンジスタM1の第2の電極とが配線VPに電気的に接続されることにより、例えば、配線
VPにノイズが入った場合でも、検知素子Cの第2の電極12と第1のトランジスタM1
の第2の電極がそれぞれ異なる配線に接続された構成の検知回路と比較して、配線VPに
供給される信号の電位と検知素子Cの第1の電極11の電位の差(検知素子Cの電極間の
電位差)が一定に保たれやすくなる。そのため、ノイズに影響される検知素子Cの容量の
変化を低減することができ、ノイズがもたらす検知信号DATAへの干渉を低減すること
ができる。具体的には、ノイズの低減に寄与することができる。
に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
窓部14は可視光を透過する。
過する着色層CFB、着色層CFGまたは着色層CFRを備える(図1(B)乃至図1(
D)参照)。
光を透過する着色層などさまざまな色の光を透過する着色層を備えることができる。
る。
い。
の層BMに用いることができる。
検知回路19および配線を遮光性の層BMに重なる位置に備える構成が好ましい。
ランジスタM2および第3のトランジスタM3に用いることができる。
配線に用いることができる。例えば、透光性を有する導電膜と比較して優れた導電性を有
する材料を用いることができる。具体的には、金属を用いることができる。
6に転置してもよい。
本実施の形態で説明する検知器10の駆動方法について、図2を参照しながら説明する。
であり、図2(B−1)および図2(B−2)は駆動方法を説明するタイミングチャート
である。
、変換器CONVに用いることができる。例えば、変換器CONVを検知回路19と電気
的に接続することにより、ソースフォロワ回路またはカレントミラー回路などが構成され
るようにしてもよい。
構成できる(図2(A)参照)。
ができるトランジスタをトランジスタM4に用いてもよい。
第1のステップにおいて、第3のトランジスタM3を導通状態にした後に非導通状態にす
るリセット信号をゲートに供給し、検知素子Cの第1の電極11の電位を所定の電位にす
る(図2(B−1)期間T1参照)。
トランジスタM3は、ノードAの電位を例えば接地電位にする(図2(A)参照)。
第2のステップにおいて、制御信号を検知素子Cの第2の電極12に供給し、制御信号お
よび検知素子Cの容量に基づいて変化する電位を第1のトランジスタM1のゲートに供給
する。
検知素子Cは、検知素子Cの容量に基づいてノードAの電位を上昇する(図2(B−1)
期間T2を参照)。
第3のステップにおいて、第2のトランジスタM2を導通状態にする選択信号をゲートに
供給し、第1のトランジスタM1の第2の電極を信号線DLに電気的に接続する。
スタM2は、第1のトランジスタM1の第2の電極を信号線DLに電気的に接続する(図
2(B−1)期間T3参照)。
Cの第1の電極11または第2の電極12に近接して配置された場合、検知素子Cの容量
は見かけ上大きくなる。
近接して配置されていない場合に比べて小さくなる(図2(B−2)実線参照)。
第4のステップにおいて、第1のトランジスタM1のゲートの電位の変化に基づく信号を
、信号線DLに供給する。なお、上記信号は検知信号としての機能を有する。従って、検
知回路は、第1のトランジスタのゲートの電位の変化に基づいて検知信号を供給する。
に供給する。
第5のステップにおいて、第2のトランジスタを非導通状態にする選択信号をゲートに供
給する。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置の構成について、図3および図4を参照し
ながら説明する。
200の外観を説明する投影図である。
本実施の形態で説明する入力装置200は、マトリクス状に配置される複数の検知ユニッ
ト10Uと、行方向に配置される複数の検知ユニット10Uが電気的に接続される走査線
G1と、列方向に配置される複数の検知ユニット10Uが電気的に接続される信号線DL
と、検知ユニット10U、走査線G1および信号線DLが配設される可撓性の基材16と
、を有する(図3参照)。
クス状に配置することができる。
される検知ユニット10Uを検知ユニット10U(i,j)と表記する。また、i行目に
配設される走査線G1を走査線G1(i)と表記し、j列目に配設される信号線DLを信
号線DL(j)と表記する。
なる検知素子Cおよび検知素子Cと電気的に接続される検知回路19(図示せず)を備え
る。
きる(図1参照)。
。
供給する。
ができる。
の電極が例えば検知素子Cの第2の電極12の電位を制御する制御信号を供給することが
できる配線VPと電気的に接続される第1のトランジスタM1を備える構成であってもよ
い(図2(A)参照)。
Pに電気的に接続される構成であっても良い。この構成により、例えば、配線VPにノイ
ズが入った場合でも、検知素子Cの第2の電極12と第1のトランジスタM1の第2の電
極がそれぞれ異なる配線に接続された構成の検知回路と比較して、配線VPに供給される
信号の電位と検知素子Cの第1の電極11の電位の差(検知素子Cの電極間の電位差)が
一定に保たれやすくなる。そのため、ノイズによる検知素子Cの容量の変化を低減するこ
とができ、ノイズがもたらす検知信号DATAへの干渉を低減することができる。具体的
には、ノイズの低減に寄与することができる。
電極が第1のトランジスタM1の第2の電極と電気的に接続され、第2の電極が例えば検
知信号DATAを供給することができる信号線DLと電気的に接続される第2のトランジ
スタM2を備える構成であってもよい。
1の電極が検知素子Cの第1の電極11と電気的に接続され、第2の電極が例えば接地電
位を供給することができる配線VRESと電気的に接続される第3のトランジスタM3を
備える構成であってもよい。
挟持する一対の電極を備え且つ窓部に重なる透光性の検知素子Cならびに検知素子Cの容
量の変化に基づく検知信号を供給する検知回路を含み且つマトリクス状に配置される検知
ユニット10Uと、検知ユニット10Uを支持する可撓性の基材16を含んで構成される
。また可撓性の保護基材17又は/及び保護層17pを備えることができる(図3(B)
参照)。可撓性の保護基材17又は保護層17pは傷の発生を防いで入力装置200を保
護する。
にものが近接すること、もしくは検知素子Cの第1の電極11および第2の電極12の間
隔が変化することにより変化する。これらにより、入力装置は、検知ユニットの位置情報
および当該検知ユニットが検知する検知信号を、供給すること、可視光を透過することお
よび曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供
することができる。
接続される複数の検知素子Cが備える第1の電極11の面積の和の10倍以上好ましくは
20倍以上である。
た複数の検知ユニット10Uから一の検知ユニット10Uを選択することができ且つ面積
が第2の電極12に比べて十分小さい第1の電極11を含んで構成される。
に由来する容量から分離することができる。また、第1電極の面積が小さい検知ユニット
を配置して、位置情報を詳細に取得することができる。また、第1の電極がノイズを拾い
にくくなる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することがで
きる。
0gを備えていてもよい。例えば、駆動回路20gは選択信号を走査線ごとに所定の順番
で供給する。
器CONVを備えていてもよい。変換器CONVは複数の変換器CONV(1)乃至CO
NV(m)を備える。例えば、変換器CONV(j)は、信号線DL(j)が供給する検
知信号DATAを変換して、供給してもよい(jは1以上m以下の自然数)。
。例えば、フレキシブルプリント基板FPCは、電源電位などさまざまな電位またはさま
ざまなタイミング信号などを供給してもよく、検知信号DATAに基づく信号を供給され
てもよい。
成を備える検知ユニット10Uを基材16上にマトリクス状に複数備える点、行方向に配
置される複数の検知ユニット10Uが電気的に接続される走査線G1を複数備える点、列
方向に配置される検知ユニット10Uが電気的に接続される信号線DLを複数備える点、
検知ユニット10Uの第1の電極11が第2の電極12に比べて十分小さい点が、図1を
参照しながら実施の形態1で説明する検知器10とは異なる。ここでは異なる構成につい
て詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合があ
る。
入力装置200は、複数の検知ユニット10Uと、走査線G1と、信号線DLとを有する
。
検知回路19、駆動回路20gおよび駆動回路20dを構成することができる。
走査線G1および信号線DLを、検知ユニット10Uの遮光性の膜BMと重なる位置に配
置すると好ましい。
たはベイヤ状に基材16に配置してもよい。
駆動回路20gは、さまざまな組み合わせ回路を用いた論理回路で構成することができる
。例えば、シフトレジスタを適用できる。
駆動回路20dは変換回路を備えた変換器CONVを含む。変換器CONVは検知信号D
ATAを変換して供給することができるさまざまな回路を用いることができる。例えば、
変換器CONVを検知回路19と電気的に接続することにより、ソースフォロワ回路また
はカレントミラー回路などが構成されるようにしてもよい。
本実施の形態で説明する入力装置200の駆動方法について、図4を参照しながら説明す
る。
200の駆動方法を説明するタイミングチャートである。
は例えば高電源電位を供給することができる。
ることができ、配線VPは制御信号を供給することができる。
号DATAに基づいて変換された信号を供給することができる。
1(i)が複数の検知ユニット10Uに選択信号を供給する点および同一のタイミングで
複数の端子OUT(1)乃至OUT(m)が検知信号DATAに基づいて変換された信号
を供給する点が、図2を参照しながら説明する検知器10の駆動方法とは異なる。ここで
は異なるステップについて詳細に説明し、同様のステップを用いることができる部分は、
上記の説明を援用する。
第1のステップにおいて、リセット信号を供給し、すべての検知ユニット10Uの検知素
子Cの第1の電極11の電位を所定の電位にする(図2(A)および図4(B−1)期間
T1参照)。例えば、検知素子Cの第1の電極11の電位を接地電位にする。
1であるときを入力フレーム期間の始期ということができる。
第2のステップにおいて、所定の制御信号を検知素子Cの第2の電極12に供給し、制御
信号および検知素子Cの容量に基づいて変化する電位を第1のトランジスタM1のゲート
に供給する。
第3のステップにおいて、走査線G1(i)を選択し、選択された走査線G1(i)に電
気的に接続される検知ユニット10U(i,1)乃至10U(i,m)に選択信号を所定
の期間供給する。
(m)と電気的に接続する(図2(A)および図4(B−1)期間T3参照)。
てノードAの電位を上昇する(図2(B−1)期間T2を参照)。
第4のステップにおいて、第1のトランジスタM1のゲートの電位にもたらされる変化に
基づいて変化する電流を、信号線DLに供給する。なお、上記電流は検知信号としての機
能を有する。従って、検知回路は、第1のトランジスタのゲートの電位の変化に基づいて
検知信号を供給する。
第5のステップにおいて、第2のトランジスタを非導通状態にする選択信号をゲートに供
給する。
第6のステップにおいて、iの値に1を加え、その値がn以下である場合は、第2のステ
ップに進む。
1)を選択し、選択された走査線G1(i+1)に電気的に接続される検知ユニット10
U(i+1,1)乃至10U(i+1,m)に選択信号を所定の期間供給する。
(m)と電気的に接続する(図2(A)および図4(B−1)期間T3参照)。
を加えた値がnより大きいときを入力フレーム期間の終期ということができる。
TAを供給する。
あらかじめマトリクス状に配置されている検知ユニットの位置情報は既知である。
0は入力フレーム期間ごとに入力装置200に近接するものの位置情報を供給することが
できる。
ることにより、入力装置200に近接するものの位置情報を、入力フレーム期間ごとに知
ることができる。
号の電位を反転させた信号を制御信号に用いることができる。(図4(B−2)参照)。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置に用いることができる入出力装置の構
成について、図5および図6を参照しながら説明する。
明の便宜のために検知ユニット10Uの一部および画素502の一部を拡大して図示して
いる。
面の構造を示す断面図であり、図6(B)および図6(C)は図6(A)に示す構造の一
部を置換することができる構造の変形例を示す断面図である。
本実施の形態で説明する入出力装置500TPは、表示部500および表示部500に重
なる入力装置600を有する(図5参照)。
接続される走査線G1、配線VP、配線RES、配線VRESなどを有する。
接続される信号線DLなどを有する。
配線RES、配線VRES、信号線DLなどに電気的に接続される。
膜と当該導電膜に電気的に接続される容量素子を検知素子に用いることができる。また、
容量素子と当該容量素子に電気的に接続されるトランジスタを用いることができる。
いることができる(図6(A)参照)。
ATAを供給する。
することができる。
は可視光を透過し、遮光性の層BMを複数の窓部667の間に配設してもよい。
着色層はカラーフィルタということができる。例えば、青色の光を透過する着色層CFB
、緑色の光を透過する着色層CFGまたは赤色の光を透過する着色層CFRを用いること
ができる。また、黄色の光を透過する着色層や白色の光を透過する層を用いてもよい。
力装置600の窓部667と重なるように配置されている。また、画素502は、検知ユ
ニット10Uに比べて高い精細度で配設されてもよい。
、マトリクス状に配設される複数の検知ユニット10Uを備える入力装置600と、窓部
667に重なる画素502を複数備える表示部500と、を有し、窓部667と画素50
2の間に着色層を含んで構成される。
きるスイッチが配設されている。なお、トランジスタ等をスイッチに用いることができる
。
ることができる。また、画像を表示する画素の位置情報に関連付けて検知情報を供給する
ことができる。
号を供給させる検知ユニットへの電気的な干渉を低減することができる。その結果、利便
性または信頼性に優れた新規な入出力装置500TPを提供することができる。
給することができる。具体的には、入出力装置500TPの使用者は、入力装置600に
触れた指等をポインタに用いて様々なジェスチャー(タップ、ドラッグ、スワイプまたは
ピンチイン等)をすることができる。
または軌跡等を含む検知情報を供給することができる。
、所定のジェスチャーに関連付けられた命令を実行する。
定のジェスチャーに関連付けられた命令を演算装置に実行させることができる。
とができる複数の検知ユニットから一の検知ユニットを選択し、選択された検知ユニット
を除いた他の検知ユニットと当該一の信号線を非導通状態にすることができる。これによ
り、選択されていない他の検知ユニットがもたらす選択された検知ユニットへの干渉を低
減することができる。
トの検知素子への干渉を低減できる。
に用いる場合において、選択されていない検知ユニットの導電膜の電位がもたらす、選択
された検知ユニットの導電膜の電位への干渉を低減することができる。具体的には、雑音
の低減に寄与することができる。
動して、検知情報を供給させることができる。例えば、ハンドヘルド型に用いることがで
きる大きさから、電子黒板に用いることができる大きさまで、さまざまな大きさの入出力
装置500TPを提供することができる。
且つ折り畳まれた状態と展開された状態とで選択されていない検知ユニットがもたらす選
択された検知ユニットへの電気的な干渉が異なる場合においても、入出力装置500TP
の状態に依存することなく検知ユニットを駆動して、検知情報を供給させることができる
。
えば、演算装置は表示情報Vを供給することができる。
てもよい。また、フレキシブルプリント基板FPC1と電気的に接続されてもよい。
くは配線511または端子519を備えてもよい。また、フレキシブルプリント基板FP
C2と電気的に接続されてもよい。
例えば、セラミックコート層またはハードコート層を保護層17pに用いることができる
。具体的には、酸化アルミニウムを含む層またはUV硬化樹脂を含む層を用いることがで
きる。また、入出力装置500TPが反射する外光の強度を弱める反射防止層670pを
用いることができる。具体的には、円偏光板等を用いることができる。
構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場
合がある。
00であるとともにカラーフィルタでもある。
装置600であるとともに表示部500でもある。なお、表示部500に入力装置600
が重ねられた入出力装置500TPをタッチパネルともいう。
本実施の形態で説明する入出力装置500TPは、入力装置600または表示部500を
有する。
入力装置600は、検知ユニット10U、走査線G1、信号線DLまたは基材16を備え
る。
用いて、入力装置600を形成してもよい。
を用いて、入力装置600を形成してもよい。
検知ユニット10Uは近接または接触するものを検知して検知信号を供給する。例えば静
電容量、照度、磁力、電波または圧力等を検知して、検知した物理量に基づく情報を供給
する。具体的には、容量素子、光電変換素子、磁気検知素子、圧電素子または共振器等を
検知素子に用いることができる。
する。具体的には、導電膜および導電膜と電気的に接続された検知回路を用いてもよい。
と、指と導電膜の間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を検知して検知情報を供
給することができる。具体的には、導電膜および当該導電膜に一方の電極が接続された容
量素子を含む検知回路を検知ユニット10Uに用いることができる。
両端の電極の電圧が変化する。この電圧の変化を検知信号に用いることができる。具体的
には、検知素子Cの電極間の電圧は一方の電極に電気的に接続された導電膜にものが近接
することにより変化する。本明細書中において、上記した指と導電膜の間の静電容量を容
量素子に寄生する容量、または検知素子に寄生する容量という場合がある。従って、指と
導電膜の間の静電容量が変化することを、容量素子に寄生する容量または検知素子に寄生
する容量が変化する、という場合がある。
検知ユニット10Uは、制御信号に基づいて導通状態または非導通状態にすることができ
るスイッチを備える。例えば、トランジスタM12をスイッチに用いることができる。
よびスイッチに用いることができる。これにより、作製工程が簡略化された入力装置60
0を提供できる。
体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素
を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを半導体層に適用できる。また、
有機半導体などを半導体層に用いることができる。アントラセンやテトラセンやペンタセ
ンなどのアセン類、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン類、ペリレン誘導体、ルブ
レン、Alq3、TTF−TCNQ、ポリチオフェン(ポリ−3−ヘキシルチオフェンな
ど)、ポリアセチレン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリピロール、ポリ
アニリン、ペンタセン、テトラシアノキノジメタン(TCNQ)、ポリパラフェニレンビ
ニレン(PPV)などを有機半導体に用いることができる。
含む半導体層、微結晶を含む半導体層、多結晶を含む半導体層または単結晶を含む半導体
層等を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、レーザーアニールなど
の処理により結晶化したポリシリコンまたはSOI(Silicon On Insul
ator)技術を用いて形成された半導体層等を用いることができる。
)及びM(Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)を含む
In−M−Zn酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、InとZnの双方
を含むことが好ましい。
ミニウム(Al)、またはジルコニウム(Zr)等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(P
r)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(
Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウ
ム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)等がある
。
n−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In
−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−
Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−G
d−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho
−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−
Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、In−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−H
f−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−Zn系
酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物、In−G
a系酸化物を用いることができる。
酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn
以外の金属元素が入っていてもよい。
入力装置600は、走査線G1、配線VP、配線RES、配線VRES、信号線DLなど
を備える。
等に用いることができる。
に用いることができる。
ングステン、ニッケル、鉄、コバルト、イットリウム、ジルコニウム、パラジウムまたは
マンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を含む合金または上述した金属元素を
組み合わせた合金などを配線等に用いることができる。特に、アルミニウム、クロム、銅
、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含む
と好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適
である。
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を用いることができる。
、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、またはチタン、タンタル、タングステ
ン、モリブデン、クロム、ネオジムもしくはスカンジウムから選ばれた複数の元素を組み
合わせた合金膜、もしくは窒化膜を積層する積層構造を用いることができる。
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
駆動回路20gは例えば所定のタイミングで選択信号を供給することができる。具体的に
は、選択信号を走査線G1ごとに所定の順番で供給する。また、さまざまな回路を駆動回
路20gに用いることができる。例えば、シフトレジスタ、フリップフロップ回路、組み
合わせ回路などを用いることができる。例えば、入力装置600が表示部500の所定の
動作に基づいて動作するように、駆動回路20gが選択信号を供給してもよい。具体的に
は、表示部500の帰線期間中に入力装置600が動作するように選択信号を供給しても
よい。これにより、表示部500の動作に伴う雑音を入力装置600が検知してしまう不
具合を軽減できる。
た、さまざまな回路を駆動回路20dに用いることができる。例えば、検知ユニットに配
設された検知回路と電気的に接続されることによりソースフォロワ回路やカレントミラー
回路を構成することができる回路を、駆動回路20dに用いることができる。また、検知
信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換回路を備えていてもよい。
基材16は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび
大きさを備えるものであれば、特に限定されない。特に、可撓性を有する材料を基材16
に用いると、入力装置600を折り畳んだ状態または展開された状態にすることができる
。なお、表示部500が表示をする側に入力装置600を配置する場合は、透光性を有す
る材料を基材16に用いる。
できる。
。
等を、基材16に用いることができる。
ることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、基材16
に用いることができる。
できる。
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基材16に用いることができ
る。
料を基材16に用いることができる。
た複合材料を、基材16に用いることができる。
基材16に用いることができる。
る。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層材料を
、基材16に用いることができる。
ン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を
、基材16に適用できる。
は酸化窒化シリコン膜等が積層された積層材料を、基材16に適用できる。
基材610bとバリア膜610aを貼り合わせる樹脂層610cの積層体を用いることが
できる(図6(A)参照)。
フレキシブルプリント基板FPC1は、タイミング信号、電源電位等を供給し、検知信号
を供給される。
表示部500は、画素502、走査線、信号線または基材510を備える(図5参照)。
500を形成してもよい。
示部500を形成してもよい。
画素502は副画素502B、副画素502Gおよび副画素502Rを含み、それぞれの
副画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。
画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しない
パッシブマトリクス方式を表示部に用いることが出来る。
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用いること
が出来る。例えば、MIM(Metal Insulator Metal)、又はTF
D(Thin Film Diode)などを用いることも可能である。これらの素子は
、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。
または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、
低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子(アクティブ素子
、非線形素子)を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留ま
りの向上を図ることができる。または、能動素子(アクティブ素子、非線形素子)を用い
ないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ること
が出来る。
回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、絶縁膜52
1に不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を適用することができる。これにより、不
純物の拡散によるトランジスタ502t等の信頼性の低下を抑制できる。
さまざまな表示素子を表示部500に用いることができる。例えば、電気泳動方式や電子
粉流体(登録商標)方式やエレクトロウェッティング方式などにより表示を行う表示素子
(電子インクともいう)、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のMEMS表
示素子、液晶素子などを用いることができる。
直視型液晶ディスプレイなどに用いることができる表示素子を用いることができる。
てもよい。
有機化合物を含む層を有する。
Rおよび発光素子550Rに電力を供給することができるトランジスタ502tを含む画
素回路を備える。また、発光モジュール580Rは発光素子550Rおよび光学素子(例
えば着色層CFR)を備える。
器構造を配設することができる。具体的には、特定の光を効率よく取り出せるように配置
された可視光を反射する膜および半反射・半透過する膜の間に発光性の有機化合物を含む
層を配置してもよい。
波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等の光を選択
的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素を着色層が設けられていない
窓部に重なるように配置して、着色層を透過しないで発光素子の発する光を射出させても
よい。
発する光の一部は着色層CFRを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール58
0Rの外部に射出される。
50Rと着色層CFRに接してもよい。
28を備える。なお、隔壁528の一部は下部電極の端部に重なる。
発光素子550R)を構成する。画素回路は発光素子に電力を供給する。
極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、
画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。
、さらに、消費電力を低減することができる。また、適用する表示素子に好適な構成を様
々な画素回路から選択して用いることができる。
可撓性を有する材料を基材510に用いることができる。例えば、基材16に用いること
ができる材料と同様の材料を基材510に適用することができる。
にはSUSまたはアルミニウム等を用いることができる。
510bおよびバリア膜510aを貼り合わせる樹脂層510cと、が積層された積層体
を基材510に好適に用いることができる(図6(A)参照)。
封止材560は基材16と基材510を貼り合わせる。封止材560は空気より大きい屈
折率を備える。また、封止材560側に光を取り出す場合は、封止材560は光学的に接
合する機能を有する層を兼ねるとよい。
にある。
駆動回路503gは選択信号を供給する。例えば、走査線に選択信号を供給する。また、
画像信号を供給する駆動回路503sを備えても良い。例えば、トランジスタ503tま
たは容量503cを駆動回路503sに用いることができる。例えば、シフトレジスタ、
フリップフロップ回路、組み合わせ回路などを駆動回路503gまたは駆動回路503g
に用いることができる。なお、画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができ
るトランジスタを駆動回路に用いることができる。
表示部500は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。さまざまな導電膜を用
いることができる。例えば、入力装置600に用いることができる導電膜と同様の材料を
用いることができる。
1に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるフ
レキシブルプリント基板FPC2が端子519に電気的に接続されている。
れていても良い。
入出力装置500TPは、反射防止層670pを画素に重なる位置に備える。反射防止層
670pとして、例えば円偏光板を用いることができる。
様々なトランジスタを入力装置600または/および表示部500に適用できる。
す。
図6(B)に図示する。
トランジスタ502tおよびトランジスタ503tに適用することができる。
を、図6(B)に図示するトランジスタ502tおよびトランジスタ503tに適用する
ことができる。
示する。
を含む半導体層を、図6(C)に図示するトランジスタ502tおよびトランジスタ50
3tに適用することができる。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図7を参照しながら
説明する。
態を説明する投影図であり、図7(B)は図7(A)の切断線X1−X2における情報処
理装置K100の断面図である。図7(C)は入出力装置K20が折り畳まれた状態を説
明する投影図である。
本実施の形態で説明する情報処理装置K100は、入出力装置K20と、演算装置K10
と、筐体K01(1)乃至筐体K01(3)を有する(図7参照)。
入出力装置K20は、表示部K30および入力装置K40を備える。入出力装置K20は
、画像情報Vを供給され且つ検知情報Sを供給する。
B)参照)。
あるとともに、入力装置K40でもある。
装置K20は、タッチパネルである。
表示部K30は、第1の領域K31(11)、第1の屈曲できる領域K31(21)、第
2の領域K31(12)、第2の屈曲できる領域K31(22)および第3の領域K31
(13)がこの順で縞状に配置された領域K31を有する(図7(A)参照)。
第2の屈曲できる領域K31(22)に形成される第2の畳み目で折り畳まれた状態およ
び展開された状態にすることができる(図7(A)および図7(C)参照)。
演算装置K10は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備え
る。また、画像情報Vを供給し且つ検知情報Sを供給される。
筐体は、筐体K01(1)、ヒンジK02(1)、筐体K01(2)、ヒンジK02(2
)および筐体K01(3)を含み、この順に配置される。
1(3)は、入出力装置K20を保持し、入出力装置K20を折り畳まれた状態または展
開された状態にすることができる(図7(B)参照)。
装置を例示する。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置K20を2か所で折って
折り畳むことができる。
い。この構成を備える情報処理装置は、入出力装置K20を(n−1)箇所で折って折り
畳むことができる。
10AおよびバッテリーK10Bを収納する。
)を筐体K01(2)に対して回動可能に接続する。
)を筐体K01(3)に対して回動可能に接続する。
。
0Bに供給する。
る。
折り畳みセンサK41は、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、
筐体の状態を示す情報を供給する。
の領域K31(11)に第1の画像を含む画像情報Vを供給する(図7(C)参照)。
10は表示部K30の領域K31に画像情報Vを供給する(図7(A))。
。
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図8を参照しながら
説明する。
。
面図ある。
情報処理装置3000Aは、入出力部3120および入出力部3120を支持する筐体3
101を有する(図8(A−1)乃至図8(A−3)参照)。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
。
令を供給することができる。
情報処理装置3000Bは、入出力部3120および入出力部3120bを有する(図8
(B−1)および図8(B−2)参照)。
を有するベルト状の筐体3101bを有する。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
力部3120に表示情報を表示することができる。
給することができる。
情報処理装置3000Cは、入出力部3120ならびに入出力部3120を支持する筐体
3101および筐体3101bを有する(図8(C−1)乃至図8(C−2)参照)。
る記憶部、演算部を駆動する電力を供給するバッテリーなどの電源を備える。
。
K01 筐体
K02 ヒンジ
K10 演算装置
K10A アンテナ
K10B バッテリー
K20 入出力装置
K30 表示部
K31 領域
K40 入力装置
K41 センサ
K45 釦
K100 情報処理装置
M1 トランジスタ
M2 トランジスタ
M3 トランジスタ
M4 トランジスタ
M12 トランジスタ
T1 期間
T2 期間
T3 期間
FPC1 フレキシブルプリント基板
FPC2 フレキシブルプリント基板
OUT 端子
RES 配線
VP 配線
VPO 配線
VRES 配線
BR 配線
10 検知器
10U 検知ユニット
11 電極
12 電極
14 窓部
16 基材
17 保護基材
17p 保護層
19 検知回路
20d 駆動回路
20g 駆動回路
200 入力装置
500 表示部
500TP 入出力装置
502 画素
502B 副画素
502G 副画素
502R 副画素
502t トランジスタ
503c 容量
503g 駆動回路
503s 駆動回路
503t トランジスタ
510 基材
510a バリア膜
510b 基材
510c 樹脂層
511 配線
519 端子
521 絶縁膜
528 隔壁
550R 発光素子
560 封止材
580R 発光モジュール
600 入力装置
610a バリア膜
610b 基材
610c 樹脂層
667 窓部
670p 反射防止層
3000A 情報処理装置
3000B 情報処理装置
3000C 情報処理装置
3101 筐体
3101b 筐体
3120 入出力部
3120b 入出力部
Claims (5)
- 可撓性の第1の基材と、可撓性の第2の基材と、を有し、
前記第1の基材には、複数の透光性の検知素子が設けられ、
前記第2の基材には、複数の発光素子が設けられ、
前記第1の基材と前記第2の基材は、封止材により貼り合され、
前記第1の基材と前記第2の基材の間には、可撓性の基材を有さず、
前記発光素子からの光を、前記検知素子を介して取り出す半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1の基材上には、複数のトランジスタを有し、
前記トランジスタは、前記発光素子と電気的に接続されている半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記発光素子は、前記第1の基材と前記第2の基材との間に設けられている半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一の半導体装置を有し、
筐体を有し、
前記筐体は、第1の面と前記第1の面に対向する第2の面を有し、
前記半導体装置は、前記第1の面から前記第2の面にかけて折り曲げて配置されている情報処理装置。 - 請求項4において、
前記第1の面と前記第2の面の間に第3の面を有し、
前記第3の面に、前記半導体装置は配置され、
前記第3の面には、物理ボタンは配置されていない情報処理装置。
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