JP2020048607A - 粒子線治療システムおよびその拡張方法 - Google Patents

Abstract

【課題】拡張性を向上させた粒子線治療システムを提供すること。【解決手段】粒子線治療システム１は、第１フロア５１と第２フロア５３Ｓ，５３Ｖと有する建屋と、第１フロアに設置され、粒子線を発生させる粒子線発生装置２と、粒子線発生装置から第１治療室内の第１照射装置へ粒子線を輸送するための第１輸送系３（１）と、第１輸送系から分岐して第２フロアを経由し、第２治療室の第２照射装置へ粒子線を輸送するための第２輸送系３（２）と、を備えた粒子線治療システムであって、第２輸送系は、粒子線発生装置の設置面と異なる第２フロアの方向へ粒子線を偏向させる第１偏向電磁石３２（２）を有し、建屋５は、第１フロアと第２フロアとを遮蔽する遮蔽壁５５を有し、第２輸送系は、粒子線の進行方向に対して第１偏向電磁石よりも後方で、遮蔽壁を貫通して設けられている。【選択図】図２

Description

本発明は、粒子線治療システムおよびその拡張方法に関する。

患部に陽子や炭素などの粒子線を照射することにより治療する粒子線治療システムは知られている（特許文献１）。

特開２０１８−３８６２８号公報

特許文献１では、夜間や休日などの治療していない時間を利用してシステムの追加などの更新ができるようになっている。しかし、特許文献１には、粒子線を発生させる加速器の設置面と異なるフロアへ粒子線を供給する場合において、粒子線治療システムを短期間で効率よく拡張する方法は開示されていない。

本発明の目的は、拡張性を向上させた粒子線治療システムおよびその拡張方法を提供することにある。

上記課題を解決すべく、本発明に従う粒子線治療システムは、第１フロアと第２フロアと有する建屋と、第１フロアに設置され、粒子線を発生させる粒子線発生装置と、粒子線発生装置から第１治療室内の第１照射装置へ粒子線を輸送するための第１輸送系と、第１輸送系から分岐して第２フロアを経由し、第２治療室の第２照射装置へ粒子線を輸送するための第２輸送系と、を備えた粒子線治療システムであって、第２輸送系は、粒子線発生装置の設置面と異なる第２フロアの方向へ粒子線を偏向させる第１偏向電磁石を有し、建屋は、第１フロアと第２フロアとを遮蔽する遮蔽壁を有し、第２輸送系は、粒子線の進行方向に対して第１偏向電磁石よりも後方で、遮蔽壁を貫通して設けられている。

本発明によれば、第２治療室の第２照射装置へ粒子線を輸送する第２輸送系を、粒子線発生装置の設置面と異なる第２フロアの方向へ粒子線を偏向させる第１偏向電磁石の後方で、遮蔽壁を貫通して設けることができる。これにより、粒子線発生装置の影響を受けずに第２治療室側へシステムを拡張することができる。

粒子線治療システムの平面図である。 図１中の矢示ＩＩ−ＩＩ方向断面図である。 第２治療室内で水平方向（Ｈ）、垂直方向（Ｖ）および斜め方向（Ｓ）から粒子線を照射させる様子を示す説明図である。 遮蔽壁を一部除去した状態の粒子線治療システムの平面図である。 図４中の矢示Ｖ−Ｖ方向断面図である。 第２実施例に係り、粒子線治療システムの断面図である。 遮蔽壁を一部除去した状態の粒子線治療システムの断面図である。 第３実施例に係り、粒子線治療システムの平面図である。 図８中の矢示ＩＸ−ＩＸ方向断面図である。 遮蔽壁を一部除去した状態の粒子線治療システムの平面図である。 図１０中の矢示Ｘ−Ｘ方向断面図である。

以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。本実施の形態に係る粒子線治療システムは、後述するように、あらかじめ拡張性を考慮した構成を備えている。以下、粒子線を「ビーム」と呼ぶことがある。

本実施形態では、粒子線治療システム１を構成する建屋５には、粒子線治療システム１の導入当初より稼動する治療室５２（１）とともに、将来の治療室数の増加を考慮した拡張用の治療室５２（２）〜５２（４）を事前に用意する。治療室５２（２），５２（３）は図１に示されており、治療室５２（４）は図８に示されている。

本実施形態では、ビーム輸送室５３には、導入当初より稼動する治療室５２（１）にビームを輸送する第１ビーム輸送ライン３（１）と、拡張用の治療室５２（２）〜５２（４）にビームを輸送する第２ビーム輸送ライン３（２）との間に、遮蔽壁５５を設ける。第１ビーム輸送ライン３（１）は、「第１輸送系」の例である。第２ビーム輸送ライン３（２）は、「第２ビーム輸送系」の例である。

本実施形態では、導入当初より稼動する治療室５２（１）へビームを輸送する第１ビーム輸送ライン３（１）と将来の治療室５２（２）〜５２（４）へビームを輸送する第２ビーム輸送ライン３（２）との分岐点に第１偏向電磁石３２（２）を設ける。さらに、将来の治療室５２（２）〜５２（４）へビームを輸送する第２ビーム輸送ライン３（２）は、ビーム輸送室５１の遮蔽壁５５を越えた先まで事前に施工しておき、将来の治療室５２（２）〜５２（４）を施工するまでの間は、第２ビーム輸送ライン３（２）の末端をゲート弁等の遮断手段３３により閉止しておく。

本実施形態の粒子線治療システムでは、将来の治療室５２（２）〜５２（４）へビームを輸送する第２ビーム輸送ライン３（２）について、加速器２２が設置されている水平面と異なる水平面を持つ第２フロア５３Ｖ，５３Ｓへ向けて偏向するまでの区間を先行して設置する。

本実施形態では、上述のように、第２ビーム輸送ライン３（２）にゲート弁等の遮断手段３３を設けている。詳しくは、第２ビーム輸送ライン３（２）のうち治療室を拡張する前に設置される部分の末端を、ゲート弁等の遮断手段３３を設けることで気密に閉止しておく。これにより、ゲート弁等の遮断手段３３よりも上流側（粒子線の移動方向上の上流側）の真空度を保持しつつ、漏洩線量を抑えることで、ゲート弁等の遮断手段３３の下流側にシステムを短期間で追加することができる。

本実施形態では、第１治療室５２（１）へのビーム輸送と第２治療室５２（２）〜５２（４）へのビーム輸送との分岐点に設ける偏向電磁石３２（２）は、将来の治療室５２（２）〜５２（４）の追加工事が完了するまでは、将来の治療室５２（２）〜５２（４）へビームを輸送できないように、インターロックを設けることもできる。

このように構成される本実施形態によれば、粒子線治療システム１の初期導入費用を抑えつつ、治療患者数の増加等に応じて治療室を短期間で追加することができる。さらに、本実施形態によれば、既に稼働している治療室５２（１）の治療を停止させることなく、治療室５２（２）〜５２（４）を追加できる。これにより、本実施形態では、粒子線治療システム１の長期間の停止させることなく、治療の継続と治療収入の確保とを実現することができる。

図１〜図５を用いて第１実施例を説明する。図１は、粒子線治療システム１の平面図である。図２は、図１中の矢示ＩＩ−ＩＩ方向断面図である。

粒子線治療システム１は、例えば病院の専門治療棟などの建屋５に設けられる。建屋５は強固な壁５０により、例えば、加速器室５１、治療室５２（１）〜５２（３）、ビーム輸送室５３を備えるように建設されている。各室５１〜５３には、適宜出入り口５４が設けられる（ビーム輸送室５３への出入り口は不図示）。加速器室５１は、「第１フロア」の例である。三層構造のビーム輸送室５３のうち第２層および第３層は、「第２フロア」の例である。

治療室５２（１）は、「第１治療室」の例である。治療室５２（１）は、「第１粒子線」としての陽子ビームを照射するための陽子線治療室である。治療室５２（２），５２（３）は、「第２治療室」の例である。第２治療室５２（２），５２（３）は、「第２粒子線」としての炭素ビームを照射するための炭素線治療室である。

図２に示すように、本実施例のビーム輸送室５３は、三層構造である。第１層５３Ｈは、第２治療室５２（２），５２（３）内に水平方向からビームを照射させる水平方向用フロアである。第２層５３Ｓは、第２治療室５２（２），５２（３）内に斜め方向からビームを照射させる斜め方向用フロアである。第３層５３Ｖは、第２治療室５２（２），５２（３）内に垂直方向からビームを照射させる垂直方向用フロアである。層を区別しない場合、ビーム輸送室５３と呼ぶ。斜め方向用フロア５３Ｓおよび垂直方向用フロア５３Ｈは、「第２フロア」に該当する。

ビーム輸送室５３Ｈ，５３Ｓ，５３Ｖには、加速器室５１との境界に位置して、遮蔽壁５５が立設されている。ビーム輸送室５３Ｈには、その床から天井にかけて遮蔽壁５５（１）が垂直に設けられている。同様に、ビーム輸送室５３Ｓにも、その床から天井にかけて遮蔽壁５５（２）が垂直に設けられている。ビーム輸送室５３Ｖにも、その床から天井にかけて遮蔽壁５５（３）が垂直に設けられている。

各遮蔽壁５５（１）〜５５（３）は、粒子線発生装置２の設置された加速器室５１とビーム輸送室５３とを区切るように、偏向電磁石３２（２）の後方に位置してビームの輸送経路の途中に設けられている。各遮蔽壁５５（１）〜５５（３）には、除去可能な領域５５１（１）〜５５１（３）を含んでもよい。治療室５３（２），５２（３）へのシステム拡張（システム追加）を行う際に、領域５５１（１）〜５５１（３）を除去することにより、作業者の出入り口を形成することができる。なお、領域５５１（１）〜５５１（３）だけでなく、遮蔽壁５５（１）〜５５（３）の全体を取り壊して撤去してもよい。その場合は、より広い作業通路を得ることができる。

粒子線治療システム１は、建屋５のほかに、例えば、粒子線発生装置２と、ビーム輸送ライン３（１），３（２）と、照射装置４（１）〜４（３）と、制御装置６（図２参照）と、図示せぬ電源装置とを備える。

本実施例の粒子線発生装置２は、陽子または炭素などの複数の荷電粒子ビームを切り替えて発生させることのできるハイブリッド型装置である。以下、荷電粒子ビームを「ビーム」と略記する場合がある。

粒子線発生装置２は、加速器室５１に設置されている。粒子線発生装置２は、例えば、イオン源（図示せず）、前段加速器２１、円形加速器２２を備える。円形加速器２２は、例えば、シンクロトロンでもよいし、サイクロトロンでもよい。

前段加速器２１の上流側に図示せぬイオン源が接続されており、前段加速器２１の下流側に円形加速器２２が接続される。ここで本実施例において、「上流側」または「下流側」とは、ビームの進む方向を基準とする。ビームの流れてくる方向が「上流側」または「前方」であり、ビームの流れていく方向が「下流側」または「後方」である。

ビーム輸送ライン３（１）は、「第１ビーム輸送系」の例である。ビーム輸送ライン３（１）は、ビーム輸送室５３に設けられている。ビーム輸送ライン３（１）は、粒子線発生装置２の下流側に接続されており、粒子線発生装置２と陽子線治療室５２（１）内の照射装置４（１）とを接続する。

粒子線発生装置２で発生された陽子ビームは、ビーム輸送ライン３（１）を通って、治療室５２（１）に設置された照射装置４（１）に送られる。陽子ビームは、照射装置４（１）により患者の患部７（図３参照）へ照射される。照射装置４（１）は、「第１照射装置」の例である。

ビーム輸送ライン３（１）は、例えば、ビームの輸送経路３１（１）と、ビームの輸送経路３１（１）に設けられた複数の偏向電磁石３２（１），３２（２），３２（３）とを含む。ビームの輸送経路３１（１）には、偏向電磁石３２（１）のほかに、例えば、四極電磁石、ステアリング電磁石、プロファイルモニタ（いずれも不図示）が設けられる。

偏向電磁石３２（１）は、ビームの輸送経路３１（１）の途中に設けられており、制御装置６からの制御信号に応じて、ビームの輸送経路３１（１）を通過するビームの方向を制御する。偏向電磁石３２（２）は、「第１偏向電磁石」に該当し、加速器室５１に設置された粒子線発生装置２の設置面と異なる第２フロア５３Ｓ，５３Ｖの方向へビームを偏向させる。

すなわち、図２に示すように、偏向電磁石３２（１）は、加速器室５１の床面と平行な面を持つ各フロア５３Ｓ，５３Ｖに向けてビームがそれぞれ輸送されるように、ビームの向きを制御する。

加速器室５１と同一の水平面上では、偏向電磁石３２（３）により、ビームは、治療室５２（１）内の照射装置４（１）、または治療室５２（２），５２（３）内の照射装置４（２），４（３）のいずれかに供給される。遮蔽壁５５（１）の後方で、管路３１（１）には真空度を保持するためのゲート弁等の遮断手段３３（１）が設けられている。

偏向電磁石３２（２）により加速器室５１の床面（粒子線発生装置２の設置面、あるいは加速器２２の水平面）の高さ方向へ曲げられたビームは、偏向電磁石３２（４）によって斜め方向用フロア５３Ｓまたは垂直方向用フロア５３Ｖのいずれかに供給される。

斜め方向用フロア５３Ｓでは、偏向電磁石３２（５）により、ビームは、治療室５２（２），５２（３）の方向へゲート弁等の遮断手段３３（２）を介して送られる。ビームは、遮蔽壁５５（２）を貫通するビームの輸送経路を通過して斜め方向用フロア５３Ｓへ到達し、偏向電磁石３２（２１）によって治療室５２（２）に供給されるか、または偏向電磁石３２（２２）によって治療室５２（３）へ供給される。

同様に、垂直方向用フロア５３Ｖには、偏向電磁石３２（４），３２（５），３２（６）および３２（７）を介してビームが送られる。ビームは、遮蔽壁５５（３）を貫通するビームの輸送経路およびゲート弁等の遮断手段３３（３）を通過して垂直方向用フロア５３Ｖへ到達し、偏向電磁石３２（３１）によって治療室５２（２）に供給されるか、または偏向電磁石３２（３２）によって治療室５２（３）へ供給される。

図３に示すように、炭素線治療室５２（２），５２（３）に設けられた照射装置４（２），４（３）は、ハイブリッド型の粒子線発生装置２から供給される炭素線を、患部７へ水平方向Ｈ、斜め方向Ｓあるいは垂直方向Ｖのいずれかから照射する。

すなわち、ビームとして炭素線を用いる場合、水平方向だけでなく、斜め方向または垂直方向からも患部７に向けてビームを照射できるようにする必要がある。

本実施例では、陽子線と炭素線を切り替えて出力可能なハイブリッド型粒子線発生装置２を建屋５に設置する。そして、本実施例では、回転ガントリなどの照射装置４（１）を有する陽子線治療室５２（１）と、水平方向、斜め方向あるいは垂直方向からビームを照射する炭素線治療室５２（２），５２（３）を建屋５内に設ける。これにより、本実施例では、一つの施設内で、治療対象の患部に応じた粒子線を用いて治療できる。

図４，図５は、遮蔽壁５５の一部を除去した状態を示す図である。治療室５２（２），５２（３）の追加時に、遮蔽壁５５（１）〜５５（３）の一部の領域５５１（１）〜５５１（３）を取り除く。これにより、建屋５内に加速器室５１とビーム輸送室５３とを連結する作業通路が形成される。

粒子線治療システム１を拡張する際の手順を説明する。

（Ｓ１）加速器室５１，治療室５２（１）〜５２（３）、ビーム輸送室５３を有する建屋５を建設し、加速器室５１に粒子線発生装置２を設置し、陽子線治療室５２（１）に照射装置４（１）を設置する。拡張工事前は、陽子線治療室５２（１）での陽子線を用いた治療を行うことができる。拡張工事前では、遮蔽壁５５（１）〜５５（２）を通過する各ビームの輸送経路の末端は、ゲート弁等の遮断手段３３（１）〜３３（３）により閉止されている。

（Ｓ２）治療室の拡張が決定されると（所定の時期が到来すると）、炭素線治療室５２（２），５２（３）に照射装置４（２），４（３）が設置される。各照射装置４（２），４（３）と粒子線発生装置２とは、ゲート弁等の遮断手段３３（１）〜３３（３）および偏向電磁石３２群を介して接続される。システム拡張に必要な偏向電磁石３２（１１），３２（１２），３２（２１），３２（２２），３２（３１），３２（３２）は、拡張が決定された後で追加設置される。追加設置されたそれら偏向電磁石３２群は、制御装置６および電源装置（不図示）に接続される。

（Ｓ３）システムの追加部分を真空引きし、遮蔽壁５５（１）〜５５（３）の一部５５１（１）〜５５１（３）を除去する。遮蔽壁５５（１）〜５５（３）の全体を取り除いてもよい。

このように構成される本実施例によれば、第２輸送系３（２）は、粒子線発生装置２の設置面と異なる第２フロア５３Ｓ，５３Ｖの方向へ粒子線を偏向させる第１偏向電磁石３２（２）を有し、建屋５は、第１フロア５１と第２フロア５３Ｓ，５３Ｖとを遮蔽する遮蔽壁５５を設け、第２輸送系３（２）は、粒子線の進行方向に対して第１偏向電磁石３２（２）よりも後方で、遮蔽壁５５を貫通して設けられる。

これにより、本実施例によれば、粒子線発生装置２で発生させた粒子線を、粒子線発生装置２の設置面とは異なるフロア５３Ｓ，５３Ｖの方向へ送ることができるため、照射角度がほぼ固定されている照射装置４（２），４（３）に対応することができる。

本実施例によれば、第１フロア５１（加速器室５１）と第２フロア５３Ｓ，５３Ｖとの間を遮断するようにして遮蔽壁５５を設けるため、治療室５２（１）での治療を先行して開始し、他の治療室５２（２），５２（３）での治療を後から追加できる。これにより、粒子線治療システム１の初期導入費用を抑制しつつ、拡張性を得ることができる。

本実施例によれば、既存設備である治療室５２（１）と追加設備となる治療室５２（２），５２（３）とにビームを供給するビームの輸送経路の途中に、遮蔽壁５５（１）〜５５（３）の後方に位置してゲート弁等の遮断手段３３（１）〜３３（３）を設ける。これにより、既存設備である治療室５２（１）での治療を継続しながら、拡張工事を短期間で実施できる。

さらに、治療室５２（２）に対応する偏向電磁石３２（１１），３２（２１），３２（３１）の後方にゲート弁（不図示）を設けると共に、治療室５２（３）に対応する偏向電磁石３２（１２），３２（２２），３２（３２）の後方にもゲート弁（不図示）を設けることにより、治療室５２（２），５２（３）をシステムから切り離すことができる。これにより、他の治療室での治療を止めることなく、照射装置４の更新や保守を行うこともできる。

図６，図７を用いて第２実施例を説明する。本実施例を含む以下の各実施例は第１実施例の変形例に該当するため、第１実施例との相違を中心に説明する。本実施例では、遮蔽壁５５（４）を、第１フロア５１と第２フロア５３Ｓ，５３Ｖとを遮断するようにして、第２フロア５３Ｓ，５３Ｖと平行に設ける。

図６は、本実施例に係る粒子線治療システム１Ａの平面図である。図７は、遮蔽壁５５（４）と遮蔽壁５５（１）の一部とを除去した状態を示す。

第１実施例では、第２フロアとしての斜め方向用フロア５３Ｓおよび垂直方向用フロア５３Ｖの床面から天井にかけて遮蔽壁５５（２），５５（３）を立設した。これに代えて、本実施例では、第２フロア５３Ｓ，５３Ｖと第１フロア５１との間を遮断するようにして、斜め方向用フロア５３Ｓの床面５６（１）と平行に遮蔽壁５５（４）を設ける。

すなわち、本実施例の第２フロア５３Ｓ，５３Ｖは、第１フロア５１（粒子線発生装置２の設置面）と高さの異なる平行な床面５６（１）に設けられており、第１フロア５１と第２フロア５３Ｓ，５３Ｖとは開口部５７（図７参照）で連通する。そこで、本実施例では、開口部５７を施蓋するようにして、斜め方向用フロア５３Ｓの床面５６（１）に遮蔽壁５５（４）を設ける。

システム拡張時には、遮蔽壁５５（４）と遮蔽壁５５（１）の一部５５１（１）とを除去して作業通路を形成する。

このように構成される本実施例も第１実施例と同様の作用効果を奏する。さらに本実施例では、第１フロア５１と第２フロア５３Ｓ，５３Ｖとが連通する開口部５７を施蓋するようにして遮蔽壁５５（４）を設けるため、第１実施例に比べて遮蔽壁の設置コストを低減することができる。

図８〜図１１を用いて第３実施例を説明する。本実施例では、システム拡張部分をグループ化する。図８は、粒子線治療システム１Ｂの平面図である。図９は、図８中の矢示ＩＸ−ＩＸ方向断面図である。図１０および図１１は、遮蔽壁５５の一部を除去した状態を示す。

本実施例の粒子線治療システム１Ｂは、一つの陽子線治療室５３（１）と三つの炭素線治療室５２（２）〜５２（４）を備える。拡張対象の治療室５２（２）〜５２（４）は、２つのグループを含む。一つのグループは、二つの炭素線治療室５２（２），５２（３）から構成されている。他の一つのグループは、一つの炭素線治療室５２（４）から構成されている。一つのグループと他の一つのグループとは、遮蔽壁５５（４）によって遮蔽されている。

各治療室５２（２），５２（３），５２（４）には、ゲート弁等の遮断手段３３（１）〜３３（３）と偏向電磁石３２（１１）〜３２（１３），３２（２１）〜３２（２３），３２（３１）〜３２（３３）等とを介して、粒子線発生装置２からのビームが供給される。

このように構成される本実施例も第１実施例と同様の作用効果を奏する。さらに本実施例の粒子線治療システム１Ｂでは、一つまたは複数の治療室５２をグループ化して段階的に拡張することができるため、患者数等に応じて効率的にシステムを拡張でき、利便性が向上する。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されない。当業者であれば、本発明の範囲内で、種々の追加や変更等を行うことができる。上述の実施形態において、添付図面に図示した構成例に限定されない。本発明の目的を達成する範囲内で、実施形態の構成や処理方法は適宜変更することが可能である。例えば、遮蔽壁は、第１偏向電磁石の手前（加速器側）に設けてもよい。

また、本発明の各構成要素は、任意に取捨選択することができ、取捨選択した構成を具備する発明も本発明に含まれる。さらに特許請求の範囲に記載された構成は、特許請求の範囲で明示している組合せ以外にも組み合わせることができる。

１，１Ａ，１Ｂ：粒子線治療システム、２：ビーム発生装置、３：ビーム輸送系、４：照射装置、５：建屋、６：制御装置、２１：前段加速器、２２：円形加速器、３１：ビームの輸送経路、３２：偏向電磁石、３３：ゲート弁、５１：加速器室、５２：治療室、５３：ビーム輸送室、５５：遮蔽壁

Claims (13)

1. 第１フロアと第２フロアと有する建屋と、
   前記第１フロアに設置され、粒子線を発生させる粒子線発生装置と、
   前記粒子線発生装置から第１治療室内の第１照射装置へ粒子線を輸送するための第１輸送系と、
   前記第１輸送系から分岐して前記第２フロアを経由し、第２治療室の第２照射装置へ粒子線を輸送するための第２輸送系と、
   を備えた粒子線治療システムであって、
   前記第２輸送系は、前記粒子線発生装置の設置面と異なる前記第２フロアの方向へ粒子線を偏向させる第１偏向電磁石を有し、
   前記建屋は、前記第１フロアと前記第２フロアとを遮蔽する遮蔽壁を有し、
   前記第２輸送系は、粒子線の進行方向に対して前記第１偏向電磁石よりも後方で、前記遮蔽壁を貫通して設けられている
   粒子線治療システム。
2. 前記遮蔽壁は、前記第１フロアと前記第２フロアとを遮断するようにして、前記第２フロアに立設される、
   請求項１に記載の粒子線治療システム。
3. 前記遮蔽壁は、前記第１フロアと前記第２フロアとを遮断するようにして、前記第２フロアと平行に設けられる、
   請求項１に記載の粒子線治療システム。
4. 前記第２輸送系の途中には、粒子線の進行方向上、前記遮蔽壁の後側にゲート弁が設けられている、
   請求項１に記載の粒子線治療システム。
5. 前記第１輸送系は前記第１照射装置に接続されており、前記第２輸送系は前記ゲート弁により遮断されている、
   請求項４に記載の粒子線治療システム。
6. 治療室を拡張する所定の時期に、前記第２輸送系は前記第２照射装置に接続されて、前記ゲート弁が開弁されるようになっている、
   請求項５に記載の粒子線治療システム。
7. 前記所定の時期に、前記遮蔽壁の少なくとも一部が除去される、
   請求項６に記載の粒子線治療システム。
8. 前記第２フロアには、垂直方向から前記第２治療室へ粒子線を照射させるための垂直方向用フロアと、前記垂直方向から所定角度傾いた斜め方向から前記第２治療室へ粒子線を照射させるための斜め方向用フロアとのうち少なくともいずれか一方が含まれる、
   請求項１に記載の粒子線治療システム。
9. 前記第２フロアには、前記垂直方向用フロアと前記斜め方向用フロアが含まれ、
   前記遮蔽壁は、前記第１フロアと前記垂直方向用フロアおよび前記斜め方向用フロアとをそれぞれ遮断するようにして、前記垂直方向用フロアおよび前記斜め方向用フロアにそれぞれに立設される、
   請求項８に記載の粒子線治療システム。
10. 前記斜め方向用フロアの上側に前記垂直方向用フロアが位置しており、
    前記遮蔽壁は、前記第１フロアと前記垂直方向用フロアおよび前記斜め方向用フロアとをそれぞれ遮断するようにして、前記斜め方向用フロアと前記第１フロアとの間に位置して、前記斜め方向用フロアと平行に設けられる、
    請求項９に記載の粒子線治療システム。
11. 前記垂直方向用フロアには、粒子線を垂直方向から照射させるための垂直方向照射装置が前記第２照射装置の一つとして設けられており、
    前記斜め方向用フロアには、粒子線を斜め方向から照射させるための斜め方向照射装置が前記第２照射装置の他の一つとして設けられており、
    前記第１照射装置は、前記粒子線発生装置で発生された第１粒子線を照射し、
    前記垂直方向照射装置および前記斜め方向照射装置は、前記粒子線発生装置で発生された第２粒子線を照射する、
    請求項１０に記載の粒子線治療システム。
12. さらに、前記第２治療室へ水平方向から粒子線を照射させるための水平方向照射装置を有する、
    請求項１２に記載の粒子線治療システム。
13. 第１フロアと第２フロアと有する建屋と、
    前記第１フロアに設置され、粒子線を発生させる粒子線発生装置と、
    前記粒子線発生装置から第１治療室内の第１照射装置へ粒子線を輸送するための第１輸送系と、
    を備える粒子線治療システムを拡張する方法であって、
    前記第１輸送系から分岐して前記第２フロアを経由し、第２治療室の第２照射装置へ粒子線を輸送するための第２輸送系を設け、
    前記第２輸送系には、前記粒子線発生装置の設置面と異なる前記第２フロアの方向へ粒子線を偏向させる第１偏向電磁石を設け、
    前記建屋には、前記粒子線発生装置のある空間を遮蔽する遮蔽壁を、前記第１フロアとは異なるフロアに設け、
    前記第２輸送系を、粒子線の進行方向に対して前記第１偏向電磁石よりも後方で、前記遮蔽壁を貫通して配置し、
    前記第２輸送系の途中には、粒子線の進行方向上、前記遮蔽壁の後側に位置してゲート弁を設け、
    前記ゲート弁により前記第２輸送系を遮断し、
    所定の時期に、前記第２輸送系を、前記第２治療室に設置された前記第２照射装置に接続し、
    前記第２輸送系内を真空に保持した後で前記ゲート弁を開弁し、
    前記遮蔽壁の少なくとも一部を除去する、
    粒子線治療システムの拡張方法。

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