JP2020020664A - 半導体デバイスの検査治具 - Google Patents
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Abstract
Description
前記プローブは、平行で一定の隙間長さを保って配置された電気信号電極用プローブ及びグランド電極用プローブを有し、それらはいずれも半導体デバイス側接触ピン、スプリング及び高周波基板側接触ピンを導体筒中にその順で有し、該半導体デバイス側接触ピン及び該高周波基板側接触ピンの一方又は両方が可動する構造であり、
前記ホルダーは、前記半導体デバイス側接触ピンを挿入する貫通孔を有する半導体デバイス側ホルダーと、前記高周波基板側接触ピンを挿入する貫通孔を有する高周波基板側ホルダーとで構成され、前記各貫通孔内には、前記プローブが有する前記各接触ピンが検査時に収まる、ことを特徴とする。
本発明に係る半導体デバイスの検査治具10(単に「検査治具」ともいう。)は、図1〜図4に示すように、高周波信号を送受信する半導体デバイス50の電気特性の検査に使用され、その電気特性を検査する電極51の対応位置に設けられた複数のプローブ1を、半導体デバイス50と高周波基板11との間のホルダー14に保持した検査治具10である。
半導体デバイス50は、図1に示すように、本発明に係る検査治具10の検査対象である。この半導体デバイス50は、I/O変換の機能を持ち、10GHz以上の信号を送受信可能で、250μm以下の狭ピッチ電極を備えた半導体デバイス等であれば特に限定されない。具体的には、受光素子、発光素子及び電気信号電極等を任意に同一面に有するI/O変換機能を備えたものを好ましく挙げることができる。半導体デバイス50は、10GHz以上の高周波で駆動し、受光素子と発光素子との間で光信号の送受信を行っている。また、小型化もさらに進んでおり、サイズは5mm角以下、電極ピッチは250μm以下、さらに150μm以下の狭ピッチ電極を備えたものに対して好ましく検査できる。
高周波基板11は、図1に示すように、プローブ1の位置を固定するホルダー14(高周波基板側ホルダー12と半導体デバイス側ホルダー13)に接合して一体化した検査治具10を構成している。高周波基板11は、半導体デバイス50に対して、ホルダー14を挟んだ反対側の位置に設けられている。
高周波基板側ホルダー12は、図1に示すように、プローブ1の位置を固定するホルダー14(高周波基板側ホルダー12と半導体デバイス側ホルダー13)のうち、高周波基板側に位置するホルダーである。
半導体デバイス側ホルダー13は、図1及び図4に示すように、プローブ1の位置を固定するホルダー14(高周波基板側ホルダー12と半導体デバイス側ホルダー13)のうち、半導体デバイス側に位置するホルダーである。
プローブ1は、図1に示すように、高周波信号を送受信する半導体デバイス50の電気特性の検査に使用され、その電気特性を検査する電極51の対応位置に設けられる。複数のプローブ1は、図4に示すように、半導体デバイス50と高周波基板11との間のホルダー14(高周波基板側ホルダー12と半導体デバイス側ホルダー13)に保持されている。
検査治具10で行う検査方法は、図1及び図2に示すように、高周波基板側に撮像装置40を配置し、その撮像装置40で得た画像を見ながら、半導体デバイス上の目印(電極54及び/又は回路パターン53)と、半導体デバイス側ホルダー13に少なくとも設けられた切り欠き21との位置合わせを行い、その位置合わせにより、半導体デバイス上の電極51とプローブ1とを位置合わせする。位置合わせされたプローブ1は、半導体デバイス50の電気特性を検査する電極51に接触して半導体デバイス50の電気特性を正確に検査する。
1S 電気信号電極用プローブ
1G グランド電極用プローブ
2 プローブ金属部
2A 半導体デバイス側接触ピン
2a 検査時の接触ピン先端
2a’ 非検査時の接触ピン先端
2B 高周波基板側接触ピン
2b 検査時の接触ピン先端
2b’ 非検査時の接触ピン先端
3 プローブ胴体部
4 導体筒
5 スプリング
6 接合部
8 絶縁体
9 空気空間
10 検査治具
11 高周波基板
12 高周波基板側ホルダー
12a 貫通孔
13 半導体デバイス側ホルダー
13a 貫通孔
14 ホルダー
15 プレート
16 空間
17 半導体デバイス側の掘り込み部
18 高周波基板側ホルダー側の掘り込み部
20 穴
21 切り欠き
40 撮像装置(カメラ)
50 半導体デバイス
51 プローブが接触する電極
52 受光素子(光学素子)
53 目印(回路パターン)
54 目印(電極)
55 基材
L 隙間(空気領域)
L1,L2 電気信号電極用プローブとグランド電極用プローブとの隙間長さ
Claims (4)
- 高周波信号を送受信する半導体デバイスの電気特性の検査に使用され、前記電気特性を検査する電極の対応位置に設けられた複数のプローブを、前記半導体デバイスと高周波基板との間のホルダーに保持した検査治具であって、
前記プローブは、平行で一定の隙間長さを保って配置された電気信号電極用プローブ及びグランド電極用プローブを有し、それらはいずれも半導体デバイス側接触ピン、スプリング及び高周波基板側接触ピンを導体筒中にその順で有し、該半導体デバイス側接触ピン及び該高周波基板側接触ピンの一方又は両方が可動する構造であり、
前記ホルダーは、前記半導体デバイス側接触ピンを挿入する貫通孔を有する半導体デバイス側ホルダーと、前記高周波基板側接触ピンを挿入する貫通孔を有する高周波基板側ホルダーとで構成され、前記各貫通孔内には、前記プローブが有する前記各接触ピンが検査時に収まる、ことを特徴とする半導体デバイスの検査治具。 - 前記複数の電気信号電極用プローブの伝搬遅延時間差が、0.010ns/m以下である、請求項1に記載の半導体デバイスの検査治具。
- 前記ホルダーが、誘電率3.0〜6.0の範囲内の絶縁樹脂で構成されている、請求項1又は2に記載の半導体デバイスの検査治具。
- 記各接触ピンの直径が、0.05〜0.1mmの範囲内である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体デバイスの検査治具。
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2018
- 2018-07-31 JP JP2018144584A patent/JP2020020664A/ja active Pending
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