JP2020014295A - 電力変換装置及び電力変換装置における電流制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1−1)第1の実施の形態による電力変換装置の構成
図1は、第1の実施の形態の電力変換装置の構成を示す図である。第1の実施の形態の電力変換装置4を含む鉄道車両100は、電動機の駆動装置が有する電力変換装置4として、例えば2レベルインバータを用いる。
図2は、第1の実施の形態のゲート駆動装置の構成を示す図である。図2は、第1の実施の形態のゲート駆動装置21〜26のうち、U、V、及びWの3相のうちU相の上アームを構成するパワー半導体素子41を駆動するゲート駆動装置21を例示するが、U相の下アームを構成するパワー半導体素子42を駆動するゲート駆動装置22、並びに他の2相のパワー半導体素子43〜46及びゲート駆動装置23〜26についても同様である。
図3は、第1の実施の形態のゲート電圧出力回路の構成を示す図である。第1の実施の形態のゲート電圧出力回路102は、トランジスタ121、122、及び123、スイッチ125、抵抗131、132、及び133、レベル変換器141、142、及び143、電圧生成部151、152、及び161を有する。抵抗131は、パワー半導体素子41〜46のスイッチング特性を制御する。電圧生成部151及び152は、電圧VDD1を出力する。電圧生成部161は、電圧VDD2を出力する。レベル変換器141及び142、143、並びに、電圧生成部151及び152の間の中間電位は、ソース接地線110で接地されている。
図4は、第1の実施の形態のスイッチング素子及び寄生ダイオードを流れる電流の変化を示すタイムチャートである。図4は、制御部11が、ゲート駆動装置21及び24にオン指令を出している状態で時刻t1に制御部11が異常を検知した場合を、電力変換装置4の3相のうちのU相上下アームのパワー半導体素子41〜42を例示して説明するが、他の相の対アームをなす直列接続されたパワー半導体素子43〜44及び45〜46についても同様である。
第1の実施の形態によれば、パワー半導体素子の異常が検知された場合に、パワー半導体素子を全オフにした後に全てのパワー半導体素子に第3の電圧を印加して基板バイアス効果により逆方向に電流が流れるようにし、ボディダイオードを流れる還流電流の一部もしくは大半をスイッチング素子側に流す還流動作を行う。よって、パワー半導体素子がボディダイオードを流れる還流電流により熱破壊することを防止できる。また、対アームをなすパワー半導体素子で異常が発生した際に、対アームを構成する他のパワー半導体素子に故障が波及することを防止できる。
本実施の形態では、3相を出力する電力変換装置4を例示したが、これに限られず、1相の上下アームを構成する1対のパワー半導体素子を有する、または、2相の上下アームを構成する2対のパワー半導体素子を有する電力変換装置であってもよい。
図9は、第2の実施の形態のゲート駆動装置の構成を示す図である。図10は、第2の実施の形態のゲート電圧出力回路の構成を示す図である。第2の実施の形態の電力変換装置4Dは、第1の実施形態と比較して、パワー半導体素子の温度を測定するサーミスタ等の温度センサ105を付加する点が異なる。図9は、U、V、及びWの3相のうちU相の上アームを構成するパワー半導体素子41を駆動するゲート駆動装置21Dを例示するが、U相の下アームを構成するパワー半導体素子42を駆動するゲート駆動装置22D、並びに他の2相のパワー半導体素子43〜46及びゲート駆動装置についても同様である。
(3−1)第3の実施の形態のゲート電圧出力回路の構成
図11は、第3の実施の形態のゲート電圧出力回路の構成を示す図である。第3の実施の形態の電力変換装置が有するゲート電圧出力回路102Fは、第1の実施形態と比較して、抵抗分圧で第3の電圧(VDD2)を生成する点が異なる。ゲート電圧出力回路102Fは、還流動作指令118を受けると、トランジスタ121〜122をオフとし、トランジスタ123〜124をオンとして、抵抗133と抵抗134の抵抗分圧により、第3の電圧(VDD2)のゲート電圧113を生成して出力する。本実施の形態によれば、実施の形態1における第3の電圧(VDD2)を生成するための電圧生成部161を削減できるメリットがある。
また、抵抗分圧により第3の電圧(VDD2)を生成する変形例を図12に示す。図12は、第3の実施の形態の変形例のゲート電圧出力回路の構成を示す図である。図12に示すゲート電圧出力回路102Gの構成で第3の電圧(VDD2)を出力できる条件は、抵抗132の抵抗値がトランジスタ122〜123のオンにした抵抗値である10数mΩ程度に対して充分に大きい場合(例えば10Ω以上)である。この条件下では、トランジスタ122〜123での損失が少なくトランジスタ122〜123の発熱による許容損失オーバや劣化が問題にならない。本変形例では、トランジスタ122〜123をオンとして抵抗132と抵抗133の抵抗分圧で第3の電圧(VDD2)を生成して出力することができる。本変形例によれば、電圧生成部161を削減できるとともに、図11のゲート電圧出力回路102Fの構成からトランジスタ124及び抵抗134を削減できるため、ゲート電圧出力回路及びゲート駆動装置のさらなる小型化が可能である。
図13は、第4の実施の形態の電力変換装置の構成を示す図である。図13に示すように、第4の実施の形態の鉄道車両100Hは、架線から電力を集電する集電装置1、フィルタリアクトル2、フィルタコンデンサ3、電力変換装置4、電動機5、車輪6、遮断器7、変圧器(トランス)8、及びコンバータ9を有する。コンバータ9は、制御部61、ゲート駆動装置27〜30、及びパワー半導体素子91〜94を有する。制御部61と、ゲート駆動装置27〜30とは、信号線62を介して接続される。
第1〜第4の実施の形態では、電力変換装置が有するパワー半導体素子に何らかの異常が発生した場合、電力変換装置が有する全てのパワー半導体素子をオフにするが、これに限られるものではない。第5の実施の形態では、制御部11及び62が、パワー半導体素子に何らかの異常が発生した場合、FB不一致を検知したパワー半導体素子と、このパワー半導体素子に直列に接続されたパワー半導体素子とから構成される対アームのパワー半導体素子に対して、第1〜第4の実施の形態同様に、還流動作指令を出力する。これにより、故障したパワー半導体素子に直列に接続されたパワー半導体素子がオンすることにより発生する短絡破壊を防止し、ボディダイオードに流れる電流を抑制してパワー半導体素子の破壊を防ぐ。
Claims (16)
- 対アームをなす複数のパワー半導体素子と、前記複数のパワー半導体素子のゲートの制御指令を出力する制御部と、前記制御指令に応じて前記ゲートに電圧を印可して前記パワー半導体素子を駆動するゲート駆動装置と、を有する電力変換装置において、
前記制御部は、前記パワー半導体素子の逆方向に電流を導通させる所定電圧を印可するための還流動作指令を前記ゲート駆動装置に出力し、
前記ゲート駆動装置は、前記還流動作指令に応じて前記対アームの全ての前記パワー半導体素子に前記所定電圧を印加する
ことを特徴とする電力変換装置。 - 前記制御部は、前記電力変換装置で異常が検知された場合に、前記還流動作指令を前記ゲート駆動装置に出力する
ことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記制御部は、前記電力変換装置で異常が検知された場合に、前記パワー半導体素子の電流を遮断するための遮断指令を前記ゲート駆動装置に出力した後に前記還流動作指令を前記ゲート駆動装置に出力し、
前記ゲート駆動装置は、前記対アームの全ての前記パワー半導体素子に、前記遮断指令に応じて電流を遮断する電圧を印加した後に、前記還流動作指令に応じて前記所定電圧を印加する
ことを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。 - 前記ゲート駆動装置は、前記ゲートの状態の監視結果を前記制御部に出力し、
前記制御部は、前記監視結果が前記制御指令と一致しない異常を示す場合に、前記還流動作指令を前記ゲート駆動装置に出力する
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の電力変換装置。 - 前記所定電圧は、前記パワー半導体素子の閾値電圧未満かつ前記パワー半導体素子の電流を遮断する電圧より大の、前記パワー半導体素子に基板バイアス効果を発生させる電圧である
ことを特徴とする請求項3又は4に記載の電力変換装置。 - 前記所定電圧は、前記パワー半導体素子において寄生ダイオードとともにソース−ドレイン間に還流電流を流す電圧である
ことを特徴とする請求項5に記載の電力変換装置。 - 前記制御部は、前記遮断指令を前記ゲート駆動装置に出力してから第1の所定時間が経過後に前記還流動作指令を前記ゲート駆動装置に出力する
ことを特徴とする請求項3〜6の何れか1項に記載の電力変換装置。 - 前記制御部は、前記パワー半導体素子の順方向に電流を導通させる場合に、前記パワー半導体素子に前記所定電圧を印加してから第2の所定時間が経過後に前記パワー半導体素子の順方向に電流を導通させるための導通指令を前記ゲート駆動装置に出力する
ことを特徴とする請求項7に記載の電力変換装置。 - 前記対アームを複数含み、
前記制御部は、全ての前記対アームの前記パワー半導体素子に前記所定電圧を印加するための前記還流動作指令を前記ゲート駆動装置に出力し、
前記ゲート駆動装置は、前記還流動作指令に応じて全ての前記対アームの前記パワー半導体素子に前記所定電圧を印加する
ことを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載の電力変換装置。 - 前記対アームを複数含み、
前記制御部は、前記監視結果が異常を示す前記パワー半導体素子が含まれる前記対アームの全ての前記パワー半導体素子に前記所定電圧を印加するための前記還流動作指令を前記ゲート駆動装置に出力し、
前記ゲート駆動装置は、前記還流動作指令に応じて前記監視結果が異常を示す前記パワー半導体素子が含まれる前記対アームの全ての前記パワー半導体素子に前記所定電圧を印加する
ことを特徴とする請求項4〜8の何れか1項に記載の電力変換装置。 - 温度検知部により検知された前記パワー半導体素子の温度に応じて前記所定電圧を補正する
ことを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の電力変換装置。 - 前記パワー半導体素子は、バンドギャップが所定値以上のワイドギャップ半導体である
ことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の電力変換装置。 - 前記対アームの各アームにおいて前記パワー半導体素子が並列接続されている
ことを特徴とする請求項1〜12の何れか1項に記載の電力変換装置。 - 前記電力変換装置は、直流電力を交流電力に変換するインバータである
ことを特徴とする請求項1〜13の何れか1項に記載の電力変換装置。 - 前記電力変換装置は、交流電力を直流電力に変換するコンバータである
ことを特徴とする請求項1〜14の何れか1項に記載の電力変換装置。 - 対アームをなす複数のパワー半導体素子と、
前記複数のパワー半導体素子のゲートの制御指令を出力する制御部と、
前記制御指令に応じて前記ゲートに電圧を印可して前記パワー半導体素子を駆動するゲート駆動装置と、を有する電力変換装置において実行される電流制御方法において、
前記制御部が、前記パワー半導体素子の逆方向に電流を導通させる所定電圧を印可するための還流動作指令を前記ゲート駆動装置に出力し、
前記ゲート駆動装置は、前記還流動作指令に応じて前記対アームの全ての前記パワー半導体素子に前記所定電圧を印加する
ことを特徴とする電力変換装置における電流制御方法。
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