JP2020003022A - ピストンリング - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、耐摩耗性に加えシリンダボア摺動面攻撃性が低いDLC被膜によって被覆されたピストンリングを提供することを課題とする。
前記DLC被膜は、その厚さ方向断面SEM画像(×10,000)において観察されるピット数が、3μm×10μm当たり15個以下であり、且つその硬度が1000HV以上2000HV以下であるピストンリングを含む。
また、前記DLC被膜は、その硬度が1000HV以上1700HV以下であることが好ましく、摺動面表面の摩擦係数が0.10以下であることが好ましく、シリンダボア摺動面攻撃性の観点からは、往復動摩擦試験機による摩耗量測定試験において、相手材摩耗量が0.6μm以下であることが好ましい。
DLC被膜は、断面SEM画像(×10,000)において、3μm×10μmの領域に、ピット数が15以下であり、10以下であってよく、5以下であってよく、3以下であってよく、2以下であってよく、1以下であってよい。DLC被膜の断面観察においてピット数が低減されることで、DLC被膜が、耐摩耗性に優れ且つシリンダボア摺動面攻撃性が低い被膜となる。
本実施形態では、DLC被膜において、少なくともその一部において3μm×10μm当たりピット数が15個以下の領域を有すればよいが、DLC被膜のうち50%以上の領域で3μm×10μm当たりピット数が15個以下の領域であることが好ましく、80%以上の領域であることがより好ましく、90%以上の領域であることが更に好ましい。
またDLC被膜は、電子エネルギー損失分光法(EELS)により測定されるsp2成分比が通常40%以上であり、50%以上であってよく、60%以上であってよく、また通常80%以下である。
印加するパルスバイアスは特段限定されないが、−500V以下であってよく、−800V以下であってよく、−1000V以下であってよく、−1500V以下であってよく、−2000V以下であってよく、また−3000V以上であってよい。
図1に概要を示すピンオンプレート式往復動摩擦試験機を用いて行う。往復動摩擦試験に際して用いた上試験片は、ピストンリングまたはピストンリングの外周部分に見立てた部材であり、ピンの材質にはピストンリング用母材を使用し、ピン全面には必要に応じて
ピストンリング母材と同様に窒化処理を行い、窒化層を形成する。そして、窒化層の表面に各種DLC膜を形成する。
なお、この上試験片の作製に用いたピンは、直径が8mmであり、ピンの先端部(摺動面)は、曲率半径が18mmとなるように鏡面仕上げされたものを用いる。また、下試験片は鋳鉄製シリンダボアを見立てたプレート(FC250相当材:HRB100、Aタイプ黒鉛75%、炭化物析出0.5%以下、Rz1.0μm、#600エメリーペーパーによる研磨仕上げ)を用いる。
<試験条件>
・ストローク:50mm
・荷重:50N
・速度:300cycle/min
・下試験片の温度:80℃
・潤滑油:0W−20(150μl)
・試験時間:60min
(実施例1)
ピストンリング基材をフィルタードアークイオンプレーティング装置内にセットした状態で、装置内を真空排気して減圧した後、基材を加熱した。その後に基材に対してパルスバイアス電圧を−500〜−1500Vの範囲で印加した状態で、アルゴンイオンでイオンボンバードを行った。
次にスパッタリング方式を用い、ピストンリング基材に対してバイアス電圧を−50〜−300Vの範囲に設定した後、接着層としてTi被膜をピストンリング基材上に成膜した。
次にTi被膜上に第一のアモルファスカーボン層と、第二のアモルファスカーボン層とを交互に成膜して積層した。ここで第一のアモルファスカーボン層はスパッタリング方式を用い、ピストンリング基材に対してバイアス電圧を−50〜−300Vの範囲内で印加した状態で、カーボンターゲットを用いてアルゴンガス雰囲気下にて成膜した。また、第二のアモルファスカーボン層はフィルタードアーク方式を用い、基材に対してパルスバイアス電圧を−500〜−1500Vの範囲内で印加した状態でカーボンターゲットを用いて成膜した。
なお、第一のアモルファスカーボン層及び第二のアモルファスカーボン層の成膜に際しては、膜中に水素が取り込まれることないように、成膜室に水素を含むガスを導入せずに実施した。また、第一のアモルファスカーボン層の厚みは2〜8nmとし、第二のアモルファスカーボン層の厚みは350〜400nmとした。そして1層の第一のアモルファスカーボン層と1層の第二のアモルファスカーボン層とを1組2層とし、この1組2層単位で繰り返し積層し、厚さ5.0μmのDLC被膜を得た。
ピストンリング基材をフィルタードアークイオンプレーティング装置内にセットした状態で、装置内を真空排気して減圧した後、基材を加熱した。その後に基材に対してパルスバイアス電圧を−500〜−1500Vの範囲で印加した状態で、アルゴンイオンでイオンボンバードを行った。
次にスパッタリング方式を用い、ピストンリング基材に対してバイアス電圧を−50〜−300Vの範囲に設定した後、接着層としてTi被膜をピストンリング基材上に成膜した。
次にTi被膜上にアモルファスカーボン層を成膜した。アモルファスカーボン層は基材に対してパルスバイアス電圧を−2000〜−3000Vの範囲内で印加した状態でカーボンターゲットを用いて成膜した。なお、アモルファスカーボン層の成膜に際しては、膜中に水素が取り込まれることないように、成膜室に水素を含むガスを導入せずに実施した。また、アモルファスカーボン層1層の厚みは350〜400nmとし、13回繰り返すことで、厚さ5.0μmのDLC被膜を得た。
ピストンリング基材を用意し、アーク式PVD装置を用いて厚み10μmのCrN層を被覆した。その後、厚み0.2μmのCr中間層を被覆した。245℃までヒータ加熱を行いながら、バイアス電圧−700V、アーク電流40Aで10分間アーク放電を行った後、バイアス電圧−170V、アーク電流40Aでアーク放電を行って合計膜厚0.5μmの黒色の硬質層と白色の硬質層を成膜した後に、一旦125℃まで冷却した。
その後、バイアス電圧を−1000V、アーク電流40Aで90秒間、アーク放電を行って白色の硬質炭素からなる密着層を成膜後、再びバイアス電圧−170V、アーク電流40Aでアーク放電を行って、245℃までヒータ加熱を行い、合計膜厚0.5μmの黒色の硬質層と白色の硬質層を成膜するという昇温と冷却の繰り返しサイクルを8回行い、総膜厚5.0μmのDLC被膜を成膜した。
ピストンリング基材をアークイオンプレーティング装置内にセットした状態で、装置内を真空排気して減圧した後、基材を加熱した。その後に基材に対してバイアス電圧を−500〜−1000Vの範囲で印加した状態で、Crターゲットを用いて、アーク電流50〜100Aで放電し、Crイオンボンバードを行った。
次にアークイオンプレーティングにて、ピストンリング基材に対してバイアス電圧を−10〜−100Vの範囲で印加した状態で、Crターゲットを用いて、アーク電流50〜100Aで放電し、接着層としてCr被膜をピストンリング基材上に成膜した。
次にCr被膜上にアモルファスカーボン層を成膜した。アモルファスカーボン層は基材に対してバイアス電圧を0〜−100Vの範囲内で印加した状態でカーボンターゲットを用いて、アーク電流50〜100Aで放電し、成膜することで、アモルファスカーボン層厚みが5.0μmのDLC被膜を得た。
110 下試験片
120 可動ブロック
122 ヒータ
Claims (5)
- 摺動面がDLC被膜によって被覆されたピストンリングであって、
前記DLC被膜は、その厚さ方向断面SEM画像(×10,000)において観察されるピット数が、3μm×10μm当たり15個以下であり、且つその硬度が1000HV以上2000HV以下である、ピストンリング。 - 前記DLC被膜は、分光エリプソメータにより測定された屈折率が、波長550nmにおいて2.3以上である、請求項1に記載のピストンリング。
- 前記DLC被膜は、その硬度が1000HV以上1700HV以下である、請求項1または2に記載のピストンリング。
- 前記DLC被膜は、摺動面表面の摩擦係数が0.10以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のピストンリング。
- 前記DLC被膜は、往復動摩擦試験機による摩耗量測定試験において、相手材である鋳鉄製シリンダボアに相当する試験片の摩耗量が0.6μm以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のピストンリング。
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