JP2019534938A - 材料堆積装置、真空堆積システム、及び真空堆積を行う方法 - Google Patents

Abstract

真空堆積チャンバにおいて基板に材料を堆積するための、材料堆積装置が記載されている。材料堆積装置は、１つ以上の第１の開口を有する第１の堆積源と、１つ以上の第２の開口を有する第２の堆積源と、１つ以上の第１の開口に、１つ以上の第２の開口に、及び第１のパーク位置に、ある角度で動かすことができるように構成されたシャッタープレートを有する少なくとも第１のシャッターを有するシャッター装置と、を含む。少なくとも前記第１の堆積源は、列に沿って延びる複数の開口を有する線形源であり、少なくとも前記第１のシャッターは、前記複数の開口の前に位置決めする前記角度で動かすことができる。【選択図】図２Ｂ

Description

本開示の実施形態は、基板上に１つ以上の層、具体的には有機材料を含む層を堆積するための、堆積機器に関する。具体的には、本開示の実施形態は、特にＯＬＥＤ製造用の、真空堆積チャンバ内で蒸発させた材料を基板上に堆積するための材料堆積装置、真空堆積システム及びそのための方法に関する。実施形態はさらに、材料堆積装置のコンディショニングに関する。

有機蒸発器は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）生産のためのツールである。ＯＬＥＤは、特殊なタイプの発光ダイオードであり、その発光層は、ある有機化合物の薄膜を含んでいる。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、情報表示用の、テレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、その他の携帯型デバイスなどの製造に使用される。ＯＬＥＤは、一般的な空間照明用にも使用できる。ＯＬＥＤピクセルは直接発光し、バックライトを必要としないので、ＯＬＥＤディスプレイで可能な色、輝度、及び視野角の範囲は、従来型のＬＣＤディスプレイの範囲よりも広い。したがって、ＯＬＥＤディスプレイのエネルギー消費は、従来型のＬＣＤディスプレイのエネルギー消費よりも、かなり少ない。さらに、ＯＬＥＤがフレキシブル基板上に製造できるということによって、さらなる用途がもたらされる。

ＯＬＥＤ材料は、しばしば共蒸着される。２つ以上の材料、例えば３つの材料が蒸着されて、デバイスの層構造のうちの１つの層を形成する。共蒸着用に、２つ以上の蒸発源を有する蒸発源アセンブリが使用され得る。共蒸着は、１つの層を堆積するための２つ以上の蒸発源の、蒸発速度の制御に関する難易度が高い。第１の蒸発源の蒸発速度、及び第２の蒸発源の蒸発速度は、互いに対して適応している必要がある。さらに、例えば線形源、即ち一列の蒸発材料を生成する複数の源、及びエリア源、即ち２次元のエリアの蒸発材料を生成する複数の源に関しては、個々の蒸発源の均一性が重要である。

上記を踏まえて、材料堆積装置、真空堆積システム、及び材料堆積装置をコンディショニングする方法が提供される。

一実施例によれば、真空堆積チャンバ内で材料を基板上に堆積するための、材料堆積装置が提供される。材料堆積装置は、１つ以上の第１の開口を有する第１の堆積源と、１つ以上の第２の開口を有する第２の堆積源と、１つ以上の第１の開口に、１つ以上の第２の開口に、及び第１のパーク位置に、ある角度で動かすことができるように構成された第１のシャッターを少なくとも有するシャッター装置と、を含む。

一実施例によれば、真空堆積チャンバ内で材料を基板上に堆積するための、材料堆積装置が提供される。材料堆積装置は、１つ以上の第１の開口を有する第１の堆積源と、１つ以上の第２の開口を有する第２の堆積源と、１つ以上の第１の開口または１つ以上の第２の開口を選択的に覆うために、ある角度で動かすことができるか、またはある角度で回転することができるように構成された第１のシャッターを少なくとも有するシャッター装置と、を含む。加えて、第１のパーク位置が設けられていてもよい。

一実施例によれば、真空堆積チャンバ内で材料を基板上に堆積するための、材料堆積装置が提供される。材料堆積装置は、１つ以上の第１の開口を有する第１の堆積源と、１つ以上の第２の開口を有する第２の堆積源と、第１のシャッターと、１つ以上の第１の開口の前及び１つ以上の第２の開口の前に、ある角度で第１のシャッターを動かすためのアクチュエータと、を含む。

一実施例によれば、真空堆積システムが提供される。システムは、真空堆積チャンバ、及び材料堆積装置を含む。材料堆積装置は、本明細書に記載の任意の実施形態にしたがって提供され得る。例えば、材料堆積装置は、１つ以上の第１の開口を有する第１の堆積源と、１つ以上の第２の開口を有する第２の堆積源と、第１のシャッターと、１つ以上の第１の開口の前及び１つ以上の第２の開口の前に、ある角度で第１のシャッターを動かすためのアクチュエータと、を含む。

一実施例によると、第１の堆積源及び第２の堆積源を少なくとも有する材料堆積装置を、コンディショニングするための方法が提供される。方法は、第１の堆積源において材料をシャッターで遮断することと、第２の堆積源をコンディショニングすることと、シャッターを第２の堆積源に、ある角度で動かすことと、第２の堆積源において材料を遮断することと、第２の堆積源をコンディショニングすることと、シャッターをある角度で動かすことと、第１の材料及び第２の材料を共蒸着することによって基板上に材料層を堆積することと、を含む。

本開示の上記の特徴が詳細に理解され得るように、上記で簡単に概説した本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって行われてよい。添付の図面は本発明の実施形態に関連しており、以下の記述において説明される。

本明細書に記載の実施形態で使用され得る、材料堆積装置、例えば蒸発源の概略側断面図である。 本明細書に記載の実施形態で利用され得る、材料堆積装置、例えば堆積源アセンブリの概略断面図を示す。 本明細書に記載の実施形態による、シャッターを有する材料堆積装置の概略部分図である。 図３Ａ〜図３Ｃは、本明細書に記載の実施形態による、シャッターが別の位置で示されている材料堆積装置の概略図である。 本明細書に記載の実施形態による、２つのシャッターを有する材料堆積装置の概略部分斜視図である。 本明細書に記載の実施形態による、別の材料堆積装置の概略図を示す。 本明細書に記載の実施形態による、材料堆積装置の概略図を示す。 本明細書に記載の実施形態による、支持体と、サイドシールドに面した堆積源とを有する材料堆積装置の概略側面図である。 本明細書に記載の実施形態による、真空堆積システムの概略図を示す。 それぞれ本明細書に記載の実施形態による、材料堆積装置を操作する方法、または材料堆積装置をコンディショニングする方法のフロー図である。

ここで、様々な実施形態について詳細に参照する。各図には、実施形態の１つ以上の例が示されている。各例は、説明用として提示されており、限定を意味するものではない。例えば、一実施形態の一部として例示または記載されている特徴は、他の任意の実施形態で使用するか、または他の任意の実施形態と組み合わせて使用して、さらに別の実施形態を生み出すことが可能である。本開示は、こうした修正形態及び変形形態を含むことが意図されている。

図面に関する以下の説明中、同じ参照番号は、同一または同様の構成要素を指している。概して、個々の実施形態に関しては、相違点のみが説明される。別様に明記されていない限り、一実施形態の部分または態様の説明は、別の実施形態中の相当する部分または態様にも適用することができる。

図１は、本明細書に記載の実施形態で利用することができる、材料堆積装置１００の概略断面図を示す。具体的には、材料堆積装置は、真空堆積チャンバ内で基板に材料を堆積させるように構成されている。図１に例示的に示すように、材料堆積装置は、材料を蒸発させるように構成されたるつぼ１１０を有する、少なくとも１つの材料堆積源１０５を含む。材料堆積装置はさらに、分配アセンブリ１２０、例えば分配管を含む。分配アセンブリは、蒸発させた材料を基板に供給するように構成されている。図１に例示的に示すように、少なくとも１つの堆積源の分配アセンブリ１２０は、分配管の長さに沿って設けられた１つ以上の排出口または開口１２６が付いた分配管を含んでいてよい。典型的には、分配アセンブリ１２０は、るつぼ１１０に接続されている。

具体的には、分配アセンブリ１２０の底部に、開口１１３が設けられていてよい。例えば、分配アセンブリ１２０の底部に設けられた開口１１３は、例えば、るつぼの頂壁に設けられた開口を介して、るつぼ１１０との流体連通が可能であるようにして、配設及び構成されていることができる。

るつぼ１１０は、分配アセンブリと流体連通している。蒸発させた材料は、分配アセンブリ内で、基板に向けて誘導される。例えば、分配アセンブリ１２０は、蒸発させた材料を、開口１２６を通して基板（図１には図示せず）上に向かわせる。本開示の実施形態によると、材料堆積装置は、線形源を含み得る。複数の開口１２６が、一列に配列されていることができる。分配アセンブリ１２０によって、線形の蒸気のプルームが生成される。線形源は、例えば線の方向と垂直に、移動することができる。線形源を移動することによって、蒸発させた材料を長方形の基板上に堆積することが可能になる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るさらなる実施形態によると、本明細書記載の実施形態によるシャッターまたはシャッターアセンブリには、点源が設けられていてもよい。

図２Ａは、本明細書に記載のさらなる実施形態による、材料堆積装置の、より詳細な概略上面断面図を示す。具体的には、図２Ａは、第１の堆積源１０５Ａ、第２の堆積源１０５Ｂ、及び第３の堆積源１０５Ｃを含む、材料堆積装置の上面断面図を示す。３つの分配アセンブリ、例えば分配管と、それに対応する蒸発るつぼは、互いに隣接して設けられていることができる。その結果、材料堆積装置が、例えば２種類以上の材料を同時に蒸発させることができる蒸発源アレイとして設けられていてもよい。例えばＯＬＥＤディスプレイの製造中に材料層を堆積するために、共蒸着を使用することができる。材料堆積装置は、２つ以上の堆積源１０５を含むことができる。

材料堆積装置、即ち堆積源は、材料堆積用の処理条件を提供するために、コンディショニングされる。材料堆積装置の複数の堆積源は、互いに独立してコンディショニングするのが有益である。例えば、堆積源の材料蒸発の均一性は、材料堆積装置の堆積源のそれぞれに関して、独立して検討される。堆積源の均一性は、例えば、開口１２６の列に沿った均一性であると考えることができる。均一性は、線形源の列に沿って評価、及び／または調整することができる。

図２Ａに示すように、 堆積源は、本明細書に記載の分配アセンブリ、及び本明細書に記載のるつぼを含んでいてよい。例えば、第１の分配アセンブリ１２０Ａ、第２の分配アセンブリ１２０Ｂ、及び第３の分配アセンブリ１２０Ｃは、本明細書に記載の分配管として構成されることができる。

図２Ｂに示すように、本開示の実施形態によると、１つ以上のシャッター２１０は、ある角度２１２で動かすことができる。ある角度でシャッターを動かすこと、例えば軸２１１の周囲でシャッターを回転することによって、シャッターを第１の分配アセンブリの１つ以上の開口１２６の前に位置決めすることが可能になる。代わりに、シャッターを、第２の分配アセンブリの１つ以上の開口１２６の前に、または第３の分配アセンブリの１つ以上の開口の前に位置決めすることも、可能である。さらに、シャッターは、パーク位置に位置決めすることが可能である。パーク位置では、材料堆積装置の開口は、シャッターによって覆われていない。シャッターは、材料堆積装置のあらゆる分配アセンブリの、基板に向けられる材料の誘導を遮断しない。

１つの分配アセンブリの１つ以上の開口、即ち１つの堆積源の１つ以上の開口の前にシャッターを位置決めすることによって、複数の堆積源の個別のコンディショニングが可能になる。さらに、パーク位置にすることで、材料堆積装置が、２つ以上の堆積源の共蒸着によって基板上に材料を堆積することが可能になる。

本開示において、「材料堆積源」とは、基板上に堆積する材料の供給源を提供するように構成された、装置またはアセンブリであるとして理解することができる。具体的には、「材料堆積源」とは、堆積する材料を蒸発させるように構成されたるつぼ、及び蒸発させた材料を基板に供給するように構成された分配アセンブリを有する装置またはアセンブリであるとして理解することができる。「蒸発させた材料を基板に供給するように構成された分配アセンブリ」という表現は、分配アセンブリが、排出口または開口１２６を通る矢印によって図１に例示的に示す堆積方向に、気体の原材料を誘導するように構成されている、として理解することができる。その結果、気体の原材料、例えばＯＬＥＤ装置の薄膜を堆積するための材料は、分配アセンブリ内に誘導され、１つ以上の排出口または開口１２６を通って、分配アセンブリから排出される。例えば、分配アセンブリ、例えば分配管の１つ以上の排出口は、蒸発方向に沿って延びるノズルであることができる。典型的には、蒸発方向は基本的に水平であることができる。水平方向は、例えば図１に示すｘ方向に相当していてよい。典型的な実施形態によると、基板の配向が垂直からわずかに乖離しているのを許容するために、蒸発方向は、７°未満といった、例えば１５°未満の水平方向からのわずかな乖離を有していることが有益であり得る。

本開示において「るつぼ」とは、るつぼを加熱することによって蒸発させる材料用のリザーバを有する器具であるとして理解することができる。したがって、「るつぼ」とは、原材料の蒸発及び昇華のうちの少なくとも一方によって原料を蒸発させて気体にするために加熱することができる、原材料リザーバであるとして理解することができる。典型的には、るつぼは、るつぼ内の原材料を蒸発させて気体の原材料にするための、ヒータを含む。例えば、蒸発させる材料は最初、粉末の形態であってよい。リザーバは、蒸発させる原材料、例えば有機材料を受容するための容積を有していることができる。

本開示において、「分配アセンブリ」とは、分配アセンブリから蒸発させた材料、具体的には蒸発させた材料のプルームを、基板に供給するように構成されたアセンブリであるとして理解することができる。例えば、分配アセンブリは、細長い形状であり得る分配管を含んでいてよい。例えば、本明細書に記載の分配管は、分配管の長さに沿って少なくとも１つの列に配列された複数の開口及び／またはノズルを有する、線形源を提供し得る。その結果、分配アセンブリは、例えば中に配置された複数の開口（または細長いスリット）を有する、線形の分配シャワーヘッドであることができる。本明細書中では、シャワーヘッドは、例えば、蒸発るつぼから基板へ、蒸発させた材料を供給または誘導することができる、筐体、空洞、または管を有し得るとして理解される。シャワーヘッドは、その中空の空間内の圧力が、空間の外側と比べて一桁以上高圧であることができる。

本明細書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わせ得る実施形態によると、分配管の長さは、少なくとも堆積を行う基板の高さに相当していてよい。具体的には、分配管の長さは、堆積を行う基板の高さよりも、少なくとも１０％長くてよく、２０％長くてさえよい。例えば、分配管の長さは、１．３ｍ以上であってよく、例えば２．５ｍ以上であってよい。これによって、基板の上端及び／または基板の下端における、均一な堆積を提供することができる。代替構成によれば、分配アセンブリは、垂直軸に沿って配列されていることができる、１つ以上の点源を含んでいてよい。

図２Ａに示すとおり、本明細書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わせ得る実施形態によると、少なくとも１つの堆積源の分配アセンブリは、分配管の長さに対して垂直な非円形断面を有する分配管として構成されていることができる。例えば、分配管の長さに対して垂直な断面は、丸い角を有する三角形、及び／または角が切り取られた三角形であることができる。例えば、図２Ａは、分配管の長さに対して垂直なほぼ三角形の断面を有する３つの分配管を示す。本明細書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わせ得る実施形態によると、各分配アセンブリは、それぞれの蒸発るつぼと流体連通している。

例えば図１、図２Ａ、及び図２Ｂに関連して記載されているように、少なくとも１つの堆積源１０５の特徴に関する記載が、２つ以上の堆積源１０５を有する材料堆積装置１００の他の堆積源にも適用され得ることは、理解されるべきである。

本明細書に記載の他いずれの実施形態とも組み合わせ得るある実施形態によると、また図２Ａに例示的に示されているとおり、少なくとも１つの材料堆積源に隣接して、蒸発器制御ハウジング１８０が設けられていてよい。具体的には、蒸発器制御ハウジングは、内部に大気圧を維持するように構成されていることができ、かつスイッチ、バルブ、コントローラ、冷却ユニット、冷却制御ユニット、加熱制御ユニット、電源、及び測定装置から成る群から選択された、少なくとも１つの要素を収容するように構成されている。

本明細書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わせ得る実施形態によると、分配アセンブリ、具体的には分配管は、分配アセンブリ内部に設けられている加熱要素によって加熱され得る。加熱要素は、チューブに留められたまたは別な方法で固定された、例えば、コーティングされた加熱ワイヤなどの加熱ワイヤによって設けられ得る、電気ヒータであることができる。図２Ａを例として参照すると、冷却シールド１３８が設けられていることができる。冷却シールド１３８は、堆積エリア、即ち、基板及び／またはマスクに向かう熱放射を低減するためのＵ字型の冷却シールドが設けられるようにして配設された、側壁を含んでいてよい。例えば、冷却シールドは、水などの冷却流体用の導管が取り付けられているか、または内部に設置されている、金属板として設けられることができる。さらにまたは代わりに、冷却シールドを冷却するために、熱電冷却装置または他の冷却装置を設けることができる。典型的には、外側シールド、即ち、分配管の内部空洞を取り囲む最も外側のシールドを、冷却することができる。

図２Ａに、例示目的で、分配アセンブリの排出口から出ている、蒸発させた原材料を矢印で示す。分配アセンブリの形状が基本的に三角形であるため、３つの分配アセンブリから生じた蒸発円錐は、互いに近接している。それによって、別々の分配アセンブリからの原材料の混合が改善され得る。具体的には、分配管の断面形状によって、隣接する分配管の排出口またはノズルを、互いに接近して設置することが可能になっている。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、第１の分配管の第１の排出口またはノズルと、第２の分配管の第２の排出口またはノズルとは、７５ｍｍ以下、例えば５０ｍｍ以下、または３５ｍｍ以下の距離を有することができる。

図２Ａにさらに示すように、シールド装置、具体的にはシェーパーシールド装置１３７が、例えば、冷却シールド１３８に取り付けられて、または冷却シールドの一部として、設けられていることができる。シェーパーシールドを設けることによって、排出口を通って分配管（単数または複数）を出る蒸気の方向を制御することができる。即ち、蒸気放出の角度を小さくすることができる。ある実施形態によると、排出口またはノズルを通って供給される蒸発した材料の少なくとも一部は、シェーパーシールドによって遮断される。その結果、放出角度の幅を制御することができる。

図３Ａから図７に関連してより詳細に示されているように、シャッターまたはシャッターアセンブリが、シェーパーシールド装置１３７において設けられ、及び／またはシェーパーシールド装置１３７に接続されていることができる。

図３Ａは、材料堆積装置１００の一部を示す。堆積源の開口１２６、及びシェーパーシールド装置１３７が示されている。図３Ａの断面図には、シェーパーシールド装置１３７の側部３１７が示されている。２つのシャッター２１０が設けられている。シャッター２１０は、ある角度で動かすことができ、例えば軸２１１の周囲を回転することができる。図３Ａは、左側の開口１２６と、中央の開口１２６と、右側の開口１２６を示している。これらの開口は、それぞれの蒸発源に対応している。ある実施形態によると、蒸発源は、それぞれの開口１２６を有する複数の点源であることができる。他の実施形態によると、蒸発源は線形源であることができ、各開口１２６は、図３Ａから図３Ｃの紙面に対して垂直な線に沿って延びる、複数の開口のうちの１つである。

本開示によると、本明細書に記載の実施形態は、２つ以上の材料を共蒸着させる材料堆積装置の点源として使用することができるが、本明細書に記載の実施形態によるシャッター装置は、線形源に対しても有益に利用することができる。例えば、シャッター装置は、垂直に、または基本的に垂直に配向された線形源に対して使用することができる。ある角度で、例えば軸の周囲を動かされる１つ以上のシャッターを有するシャッター装置は、１つ以上の列の開口１２６を効果的に遮断することができる。さらに、図４、図５、及び図６に関連してより詳細に記載されるように、シャッター装置はパーク位置にすることができる。

図３Ａは、第１のシャッター及び第２のシャッターの位置決めを示す。中央の開口１２６及び右の開口１２６が、シャッターによって遮断されている。左の開口１２６または左の開口の列は、遮断されていない。蒸発させた材料は、左の開口１２６、即ち、左の開口１２６または左の開口の列１２６に対応する分配アセンブリから、基板上に誘導することができる。左の分配アセンブリまたは１つ以上の左の開口にそれぞれ対応する左側の堆積源がコンディショニングされ得るが、その間、中央の蒸発源及び右の蒸発源は、基板上への層の堆積に貢献しない。

図３Ｂは、第１のシャッター及び第２のシャッターの位置決めを示す。ここでは中央の開口１２６が遮断されていない。左の蒸発源と右の蒸発源の間にある蒸発源がコンディショニングされ得るが、その間、左の蒸発源と右の蒸発源は、基板上への層の堆積に貢献しない。図３Ｃは、第１のシャッター及び第２のシャッターの位置決めを示す。ここでは右の開口１２６が遮断されていない。右の蒸発源がコンディショニングされ得る。例えば図３Ａから図３Ｃ（任意の順）によるシャッターの位置決めに続く、蒸発源のコンディショニング後、第１のシャッター及び第２のシャッターをパーク位置に動かすことができ、左の堆積源、右の堆積源、及び左の堆積源と右の堆積源の間の堆積源の共蒸着によって、例えば有機層である層の堆積が設けられ得る。

図４は、シェーパーシールド装置１３７の斜視図を示す。シェーパーシールド装置１３７の一部が切り取られ、本明細書に記載の実施形態によるシャッター装置のシャッター２１０が示されている。図４は、シェーパーシールド装置１３７の側部３１７と、例えばシェーパーシールド装置の頂部４１７を示す。シャッター２１０は、図４に示す開口１２６によって設けられた、線形源の線に沿って延びている。線形源の線に沿って延びる開口１２６（４つの開口が示されている）を覆うため、シャッター２１０を移動することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、シェーパーシールド装置は、側部３１７、頂部４１７、及び底部を含み得る。シェーパーシールド装置は、シェーパーボックスを形成する。シェーパーシールド装置は、開口または開口の列１２６から基板の方向に延びる、フレームを含んでいることができる。フレームは、開口または開口の列を取り囲んでいることができる。開口または開口の列１２６は、２つ以上の堆積源の共蒸着用に使用することができる。

例えば、シェーパーシールド装置、即ちシェーパーボックスに、１つ以上のシャッター２１０を含むシャッター装置を装着することができる。シェーパーシールド装置にシャッター装置を装着するのは、有益である。なぜなら、どちらの構成要素も、例えば定期的に洗浄といった整備を受けるからである。その結果、シェーパーシールド装置にシャッター装置を装着することによって、シャッター装置をシェーパーシールド装置と一緒に分解することが可能になる。さらに、図７に関連してより詳細に説明されるように、シャッター装置を簡便な分解のために堆積源装置に装着し、それによってシャッター装置、例えば第１のシャッター及び第２のシャッターを、短時間で取り外すことができる。これによって、整備を迅速に実施することができる。

図５は、さらなる実施形態による、材料堆積装置の一部を示す。図５は、側部３１７を有するシェーパーシールド装置１３７を示す。さらに、頂部４１７の端部が、図５に示されている。頂部４１７の端部は完全に直線ではないかもしれないが、シェーパーボックスは、断面が基本的に長方形である、及び／または基本的に直方体であるとみなされてよい。

図５は、材料堆積装置の一部を示す。ここでは、第１の堆積源の１つ以上のノズル５２６によって１つ以上の開口１２６が設けられ、第２の堆積源の１つ以上のノズル５２６によって１つ以上の開口１２６が設けられ、第３の堆積源の１つ以上のノズル５２６によって１つ以上の開口１２６が設けられている。本書に記載の実施形態によると、材料堆積装置には、２つ以上の堆積源が設けられており、この２つ以上の堆積源は、別々の材料を共蒸着して基板上に１つの層を形成するように構成されている。

シェーパーシールド装置１３７は、図５に示すとおり、冷却シールド１３８に接続されていることができる。その結果、シェーパーシールド装置１３７は、冷却シールド１３８によって受動的に冷却され得る。冷却シールド１３８は、能動的冷却を行うことができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、基板上に材料層を堆積するための材料堆積装置であって、材料堆積装置と基板との間にパターンマスク、例えばファインメタルマスク（ＦＭＭ）が設けられている、材料堆積装置を設けることができる。例えばＦＭＭといったパターンマスクが、ディスプレイのピクセル解像度を規定することができる。その結果、パターンマスク内の開口は、２〜３ミクロンの寸法を有することができ、２〜３ミクロンの許容誤差で配置されている。本開示の実施形態によると、ある角度で動かすことができる、例えば軸２１１の周囲を回転することができる、１つ以上のシャッターがついたシャッター装置を、線形源に対して、具体的には基本的に垂直に配向された垂直基板の堆積用の線形源に対して、有益に利用することができる。線形源の開口の列に沿って延びる、回転または搖動するシャッターが付いたシャッター装置は、容易に列の前に位置決めすることができ、例えば図５及び図６に示すようにパーク位置にすることができ、整備のために容易に取り外すことができる。複数の線形源を個別のコンディショニングすることは、垂直基板の処理にとって有益である。垂直基板の処理においては、垂直基板の配向、及びパターンマスクの垂直の配向をマイクロメートル領域で行うことは、大面積基板用にとって、非常に困難である。

図５は、ノズル５２６に接続されたシェーパー５３６を示す。シェーパー５３６は、個別に設けることができる。即ち、複数のノズル５２６または開口１２６に対しては、ノズルまたは開口１つにつき、１つのシェーパー５３６が設けられる。シェーパー５３６の断面は、円形、卵形、二次式形状（ｑｕａｄｒａｔｉｃ）、長方形などであることができる。シェーパー５３６は、ノズル５２６または開口１２６から基板に向かって延びている。シェーパー５３６は、ノズルまたは開口の蒸発プルームの角度を限定する。放出された蒸気の角度が限定されていることは、パターンマスク、例えばＦＭＭの２〜３ミクロンの領域の正確性を可能にするために、有益である。シェーパー５３６は、例えば、例えば基本的に垂直に配向された基板の場合、基本的に水平であるメインの蒸発方向に関して、水平及び垂直の方向に蒸発が除外される角度（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ ｏｍｉｓｓｉｏｎ ａｎｇｌｅ）を限定するシェーパーといった、２次元シェーパーであることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、シェーパー５３６は、開口１２６またはノズル５２６用の個別のシェーパーである。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るさらなる実施形態によれば、シェーパー５３６は加熱され得る。シェーパー５３６を加熱することは、蒸発させた材料のシェーパーへの付着を減らすために有益であり得る。

図５に示す円５１１は、右側の軸２１１の周囲を回転する、右側のシャッター２１０の回転を例示的に示す。シャッター２１０のシャッタープレート５１０の動きは、円または弧に沿って与えられ得る。円５１１と１つ以上のシェーパー５３６の表面との間に、間隙５１３が設けられている。その結果、シャッタープレート５１０と、１つ以上のシェーパーの表面との間に、間隙が設けられる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、間隙は、５ｍｍ以下であることができる。さらにまたは代わりに、ギャップは０．５ｍｍ以上であることができる。例えば、間隙は、２ｍｍから４ｍｍであることができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、シャッター２１０のシャッタープレート５１０は、凹形の形状を有し得る。シャッタープレートは、軸２１１に向かって内向きに曲げることができる。これによって、シャッター２１０が開口１２６の前に移動したときの、蒸発させた材料の遮断が向上され得る。

シャッター２１０、即ち第１のシャッター及び第２のシャッターが、図５にパーク位置で示されている。シャッターのパーク位置は、シールド装置またはシェーパーシールド装置１３７の１つ以上の側部３１７に近接していることができる。図４及び図７に関連して理解され得るように、単にシャッタープレート５１０が、開口１２６の前に設けられている。図５（及び他の図面）に示す、軸２１１とシャッタープレートとの接続部分は、蒸発させた材料の基板への到達を遮断しない。本書に記載の実施形態によると、パーク位置は、シールド装置またはシェーパーシールド装置１３７を規定しているフレームの、側部、例えば図５の左側部または右側部にあることができる。パーク位置は、共蒸着に使用する開口１２６または開口の列１２６に対して、例えばどちらの側であれ、外側寄りに設けられていることができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、シェーパーシールド装置１３７は、１つ以上のさらなる壁５１７を含むことができる。例えばシート状の材料によって設けられ得るさらなる壁５１７が、シールドプレート５１０用の筐体または囲いを生成することができる。筐体は、さらなる壁、即ち材料のシートまたは表面と、シールド装置１３７の側部３１７との間に設けられていることができる。筐体または囲いは、パワー位置にあるシャッター、即ちシャッタープレート用の空間を提供することができる。

ある実施形態によると、さらなる壁または表面は、例えばシールド装置またはシェーパーシールド装置１３７を介して、冷却シールド１３８によって受動的に冷却され得る。間接的に冷却されたシールド装置の表面は、シャッター２１０、即ちシャッタープレート５１０を覆い、及び／または取り囲む。シャッタープレート５１０は、蒸発させた材料を遮断することによって加熱され得る。冷却された表面を有する筐体または囲いは、基板の処理中、即ち２つ以上の堆積源の共蒸着中に基板に影響し得る高温を有する、シャッタープレート５１０の熱負荷を低減する。本明細書に記載の他の実施形態または変形形態と組み合わせ得るさらなる変形形態または代わりの変形形態によると、シャッター２１０、及び具体的にはシャッタープレート５１０は、直接、例えば能動的に冷却され得る。

図６は、パーク位置にある筐体を示す。これは、本明細書に記載の他の実施形態、例えば、開口またはノズル用にそれぞれ個別のシェーパーを有する材料堆積装置に対しても、使用されてよい。さらに、図６に示す、右の軸２１１の周囲にある円は、図５と比較すると、ノズル５２６に向かって移動している。その結果、図６に関連して記載されている実施形態の開口及び／またはノズルとの間の間隙は、図５に関連して記載されている間隙５１３と同様であることができる。

図７は、材料堆積装置１００を示す。材料堆積装置は、２つ以上の堆積源１０５を含む。堆積源はそれぞれ（図７の側断面図には、１つの堆積源が示されている）、るつぼ１１０、分配アセンブリ１２０、及び例えばノズルといったそれぞれの開口１２６を含んでいることができる。るつぼ１１０内で蒸発した材料は、分配アセンブリ１２０によって、開口１２６を通って真空チャンバ内へと誘導される。例えば、蒸発した材料は、基板に向けて、または図７に示すサイドシールド７１０に向けて、誘導され得る。蒸発方向は、水平であるか、または図７に示すように、水平の配向に対してわずかに上向きに傾斜していることができる。蒸発方向は、０°から１０°まで、傾斜していることができる。

本明細書に記載の実施形態によると、材料堆積用の機器は、サイドシールド７１０を含んでいてよい。サイドシールドは、材料源装置が回転アイドリング位置にあるときに、材料源装置の前に設けられていることができる。サイドシールドは、材料堆積装置がアイドル位置にあるときに、材料堆積装置がアイドルシールドの前に移動されている、例えばある角度でアイドルシールドの前に移動されるようにして、設けられていることができる。サイドシールド７１０は、アイドルシールドであるか、または一般的には、材料堆積源装置用、例えば２つ以上の堆積源用のシールドであることができる。

ある実施形態によると、２つ以上の蒸発源１０５は、蒸発器制御ハウジング１８０、例えば大気ボックスに装着されることができる。蒸発器制御ハウジングは、中で材料堆積装置が稼働している真空チャンバの、外側に接続されていることができる。

２つ以上の蒸発源は、材料堆積装置用の支持体７８０によって支持されていることができる。支持体は、材料堆積装置を並進運動させるように構成されていることができる。支持体は、能動型及び／または受動型磁気要素用のハウジングを提供することができる。能動型及び／または受動型の磁気要素は、材料堆積装置の磁気浮上及び／または磁気駆動を提供することができる。例えば、図７を参照すると、材料堆積装置の並進運動は、図７の紙面に対して垂直であることができる。

図７は、頂部４１７を有するシェーパーシールド装置１３７を示す。シャッター２１０は、頂部４１７と、対応する底部とに装着されていることができる。シャッター２１０は、例えば、回転可能なピン７２２で装着されていることができる。図７の断面図は、１つのシャッター、シャッター用の１つの装着装置、及びシャッターを動かすためのアクチュエータを示す。２つ以上のシャッター２１０を有するシャッター装置は、相当する数の構成要素を含むことができる。

シェーパーシールド装置１３７の底部の下方に、アクチュエータ７２６が設けられている。シェーパーシールド装置、即ちシェーパーボックスは、アクチュエータ及び／またはシャッターの装着部を、蒸発させた材料への曝露から遮蔽することができる。アクチュエータ７２６は、モータ、例えば隈取りコイルモータであることができる。例えば、モータは、磁石７２４を介してピンと係合することができる。代わりに、アクチュエータ７２６と、ピン７２２またはシャッターの軸との、直接の係合が与えられてもよい。

本開示の実施形態によると、シャッター装置は、ある角度で動くことができる１つ以上のシャッター２１０を含む。例えば、シャッターは軸の周囲を回転することができる。例えば、軸は、ピン７２２によって設けられることができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によれば、材料堆積源装置は、垂直シールド７１７を含み得る。図７は、シェーパーシールド装置の下部における垂直シールド７１７と、シェーパーシールド装置の上部における垂直シールド７１７を示す。１つ以上の垂直シールドは、材料堆積装置の蒸発角度を、垂直方向に範囲限定することができる。例えば、１つ以上の垂直シールドは、蒸発源１０５、例えば２つ以上の蒸発源１０５の蒸発角度を、垂直方向に範囲限定することができる。垂直シールドは、カバーシートであることができる。

本明細書に記載の実施形態によるシャッター装置は、材料堆積装置の２つ以上の堆積源の中の、単一の堆積源のコンディショニング、即ち蒸発特性の評価を可能にする。シャッター装置は、２つのシャッターを含んでいることができる。２つのシャッターは、例えば２つの堆積源からの材料を遮断することができる。その結果、３つの堆積源を有する材料堆積装置がコンディショニングされ得る。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、ある角度で動くことができるシャッターを有するシャッター装置が、線形源の複数の開口及び／またはノズルの、簡便な遮断を可能にする。蒸発源または分配アセンブリそれぞれの複数の開口は、例えば回転可能である、１つのシャッターによって遮断され得る。

本明細書に記載の実施形態によるシャッター装置によって、例えば堆積源の均一性及び他のコンディショニングが個別に調整された後に、シャッターをパーク位置に動かすことが可能になる。ある角度で動くことができる、例えば回転することができる１つ以上のシャッターによって、パーク位置が、シールド装置の側部の近辺、具体的にはシールド装置によって形成された筐体の内部であることが可能になる。

図８は、本明細書に記載のある実施形態による、２つ以上の基板上、例えば基板１０上及び第２の基板１１上に蒸発させた材料を堆積するための、堆積装置１０００の概略上面図を示す。

堆積装置１０００は、真空チャンバ１００１を含む。材料堆積装置１００、例えば本明細書に記載の実施形態のいずれかによる堆積源が、真空チャンバ１００１内に配設されている。真空チャンバ１００１内に、堆積源の両側に位置していてよい第１の堆積エリア２０１及び第２の堆積エリア２０２が設けられる。基板１０は第１の堆積エリア２０１内に配置されてよく、及び／または、第２の基板１１は第２の堆積エリア２０２内に配置されてよい。

本開示において、「材料堆積装置」とは、本明細書に記載のように、基板上に材料を堆積するように構成された装置として理解すべきである。具体的には、「材料堆積装置」は、例えばＯＬＥＤディスプレイの製造に関しては、大面積基板上に有機材料を堆積するように構成された装置として理解することができる。例えば、「大面積基板」は、０．５ｍ^２以上、具体的には１ｍ^２以上の面積を有する主要面を有していてよい。ある実施形態では、大面積基板は、約０．６７ｍ^２の基板（０．７３×０．９２ｍ）に相当するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ^２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に相当するＧＥＮ５、約４．２９ｍ^２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に相当するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ^２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に相当するＧＥＮ８．５であってよく、または約８．７ｍ^２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に相当するＧＥＮ１０であってさえよい。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２といった、さらに数字の大きな世代、並びにそれに相当する基板面積でさえ、同様に実装することが可能である。

例えば、基板は、ガラス（例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど）、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、または、堆積処理によってコーティングできる任意の他の材料もしくは材料の組合せからなる群から選択された材料から作られていてよい。

本開示において、「真空堆積チャンバ」とは、真空堆積用に構成されたチャンバとして理解すべきである。本明細書においては、「真空（ｖａｃｕｕｍ）」という語は、例えば１０ｍｂａｒ未満の真空圧を有する、工業的真空の意味として理解することができる。本書に記載の真空チャンバ内の圧力は、典型的には、約１０^−５ｍｂａｒと約１０^−８ｍｂａｒとの間、より典型的には、約１０^−５ｍｂａｒと約１０^−７ｍｂａｒとの間であってよく、さらにより典型的には、約１０^−６ｍｂａｒと約１０^−７ｍｂａｒとの間でさえあってよい。

ある実施形態では、材料堆積装置１００は、基板１０をコーティングするための第１の堆積エリア２０１と、第２の基板１１をコーティングするための第２の堆積エリア２０２を順次通過するように構成されていてよい。堆積源が第１の堆積エリア２０１を通過する間、複数のノズルは、開放されていてよいか、または遮断されていなくてよい。それによって、蒸発した材料が、第１の堆積エリア２０１内に配置されている基板１０の方に向けられてよい。基板１０は、基本的に垂直の配向を有していてよい。例えば、基板１０は、基板キャリアによって基本的に垂直の配向に保持されていてよい。基板キャリアは、真空チャンバ１００１を通って基板１０を運ぶように構成されていてよい。基板キャリアは、真空チャンバ内で、基板キャリア支持体によって支持されることができる。例えば、基板キャリア支持体は、基板キャリアを磁気浮上させるシステムであることができる。

キャリアまたは基板キャリアは、基板及び／またはマスクを、非水平の配向、具体的には基本的に垂直な配向で支持するように構成されていてよい。本明細書において、「基本的に垂直な配向（ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ ｖｅｒｔｉｃａｌ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）」とは、基板キャリアの主要面と重力ベクトルとの間の角度が＋１０°から−１０°、具体的には５°から−５°である、配向として理解されてよい。ある実施形態では、基板キャリアの配向は、搬送中及び／または堆積中は、（厳密には）垂直ではないかもしれないが、垂直軸に対してわずかに、例えば０°と−５°の間、具体的には−１°と−５°の間の傾斜角で、傾斜していてよい。負の角度は、基板キャリアが下方に傾斜している、即ち処理される基板の表面が下方を向いている、基板キャリアの配向を表す。堆積中にマスク及び基板の配向が重力ベクトルから乖離していることは、有益であり得ると共に、より安定的な堆積プロセスに結実し得る。または、下向きの配向は、堆積中に基板上の粒子を減少させるのに適切であり得る。しかし、搬送中及び／または堆積中に、マスク装置を厳密に垂直な配向（＋／−１°）にすることも可能である。

ある実施形態では、堆積中に基板１０の前、即ち基板１０と堆積源１００との間に、マスク２０が配設されてよい。例えば、マスク２０は、相補的な材料パターンを基板上に堆積するように構成された開口パターン付きの、ファインメタルマスクであってよい。代わりに、マスクはエッジ除外マスクであってもよい。

本書に記載の実施形態によると、ファインメタルマスク（ＦＭＭ）といったパターンマスクによる材料堆積が、大面積基板上で行われ得る。その結果、材料が堆積されるエリアのサイズは、例えば１．４ｍ^２以上となっている。さらに、例えばディスプレイのピクセル生成用のパターンマスクが、ミクロン領域のパターンを提供する。ミクロン領域におけるパターンマスクの開口の位置決め公差は、大面積にわたる場合には、困難なものであり得る。これは、垂直または基本的に垂直に配向された基板にとって、特に当てはまる。パターンマスク及び／またはパターンマスクの各フレームに作用している重力でさえ、パターンマスクの位置決めの正確さを悪化させ得る。したがって、垂直（基本的に垂直）な基板の処理にとっては、パターンマスクを基板にチャックするためのチャッキング装置の改良が、特に有益である。

ある実施形態では、第２の基板１１上への堆積中、第２の基板１１の前、即ち第２の基板１１と材料堆積源１０５との間に、第２のマスク２１が配設されていてよい。材料堆積源装置は、図７に関連して記載されているように（軸７０１を参照）、回転してよく、その後、第１の堆積エリア２０１で第１の基板に堆積を行い、第２の堆積エリア２０２で第２の基板に堆積を行う。１つの基板上に材料を堆積するために、材料堆積装置を矢印Ｈに沿って移動することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態では、材料堆積源１０５は、３つ以上の蒸発るつぼ１２２及び、３つ以上の蒸発るつぼ１２１のうちの１つとそれぞれ流体連通している３つ以上の分配管１２１を含んでいてよい。３つ以上の分配管は、基本的に垂直の方向に、互いに対して基本的に平行に、延びていてよい。分配管内に、分配管の長さ方向に沿って、ノズルが設けられていてよい。２つ以上の分配管のそれぞれの前壁に、例えば、１０、３０、またはそれより多くのノズルが設けられていてよい。第１の分配管のノズル、第２の分配管のノズル、及び／または第３の分配管のノズルは、それぞれの蒸発した材料のプルームが基板の位置で合流するように、互いに対して傾斜していてよい。その結果、複数のノズルは、例えば約１５０個のノズルといった、９０個以上のノズルを含み得る。本明細書に記載の実施形態による堆積源１５０を用いることは、高品質ディスプレイの製造、具体的にはＯＬＥＤの製造にとって、有益であり得る。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わされ得るある実施形態では、第１の堆積エリア２０１は、真空チャンバ１００１内の第２の堆積エリア２０２の反対側に設けられていてよい。ある実施形態では、材料堆積源１０５は、基本的に１８０°である角度で、第１の堆積エリア２０１から第２の堆積エリア２０２まで回転されてよい。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る実施形態によれば、分配管または分配アセンブリ１２０は、加熱要素を含む長形のチューブであってよい。蒸発るつぼ１１０は、材料、例えば有機材料を、加熱ユニットで蒸発させるためのリザーバであることができる。例えば、加熱ユニットは、蒸発るつぼの筐体内に設けられていてよい。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る実施形態によると、分配管は、線形源を提供し得る。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、分配管の長さは、材料の堆積を行う基板の高さに相当していてよい。代わりに、分配管の長さは、基板の高さよりも長くてもよい。これによって、基板の上端及び／または基板の下端における均一な堆積を提供することができる。例えば、分配管の長さは、１．３ｍ以上、例えば２．５ｍ以上であることができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、るつぼ１１０、即ち蒸発るつぼは、分配管の下端に設けられていてよい。例えば有機材料などの材料は、蒸発るつぼ内で蒸発させることができる。蒸発した材料は、分配管の底部で分配管に進入してよく、分配管内の複数のノズルを通って基本的に横向きに、例えば、基本的に垂直に配向されている基板に向かって、誘導されてよい。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る実施形態によれば、材料堆積装置１００は、堆積源軌道３０、例えば線形ガイドまたはループ状軌道などの上に設けられていてよい。堆積源軌道３０は、材料堆積源１０５を、例えば水平方向Ｈに並進運動させるように構成されていてよい。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る実施形態によると、隣接する真空チャンバ、例えばルーティングチャンバへの真空封止を可能にする、第１のバルブ１００２、例えばゲートバルブが設けられていてよい。基板またはマスクを、真空チャンバ１００１内にまたは真空チャンバ１００１から外に搬送するため、第１のバルブ１００２を開放することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、図８に例示的に示されるように、保守用真空チャンバ１００４といったさらなる真空チャンバが、真空チャンバ１００１に隣接して設けられてよい。真空チャンバ１００１及び保守用真空チャンバ１００４は、第２のバルブ１００３に接続されていてよい。第２のバルブ１００３は、真空チャンバ１００１と保守用真空チャンバ１００４との間の真空封止を開閉するように構成されていてよい。第２のバルブ１００３が開放状態にある間は、材料堆積源１０５を保守用真空チャンバ１００４に移送することができる。その後、第２のバルブ１００３を閉じて、真空チャンバ１００１と保守用真空チャンバ１００４との間に真空封止を設けることができる。第２のバルブ１００３が閉じている場合、保守用真空チャンバ１００４は、真空チャンバ１００１の中の真空を破壊することなく、材料堆積源１０５の保守のために換気及び開放できる。

ある実施例によると、材料堆積装置の操作方法、処理システムの操作方法、及び第１の堆積源及び第２の堆積源を少なくとも有する材料堆積装置をコンディショニングするための方法が、提供される。図９は、第１の堆積源及び第２の堆積源を少なくとも有する材料堆積装置を、コンディショニングするための方法を示すフローチャートである。他の方法に対して、本明細書で開示される同様のプロセス及び／またはさらなるプロセスが与えられてもよい。ボックス９０２に示されるように、材料は、シャッターによって第１の堆積源において遮断される。例えば、シャッターは、第１の堆積源の１つ以上の開口の前に、または開口のところに、位置決めされる。シャッターは第１の堆積源からの材料を遮断するが、その間、第２の堆積源をコンディショニングすることができる。ボックス９０４に示すように、シャッターは、ある角度で、第２の堆積源に動かされる。例えば、シャッターは軸の周囲を回転することができる。シャッターは、ある角度で動かされる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る、本明細書に記載の実施形態によると、回転に加えて、シャッターの並進運動が提供され得る。回転軸は、シャッター本体の外側、具体的にはシャッタープレート本体の外側に設けられ得る。

ボックス９０６に示されるように、材料は、シャッターによって第２の堆積源において遮断される。ボックス９０４に示すとおり、シャッターは、材料を遮断するため、第２の堆積源に移動した。例えば、シャッターは、第２の堆積源の１つ以上の開口の前に、または開口のところに、位置決めされる。シャッターが第２の堆積源からの材料を遮断している間、第１の堆積源をコンディショニングすることができる。ボックス９０８に示すように、シャッターは、ある角度で、パーク位置に動かされる。パーク位置とは、第１の堆積源及び第２の堆積源のどちらからの材料も、遮断されていない位置である。例えば、シャッターは軸の周囲を回転することができる。シャッターは、ある角度で動かされる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る、本明細書に記載の実施形態によると、回転に加えて、シャッターの並進運動が提供され得る。回転軸は、シャッター本体の外側、具体的にはシャッタープレート本体の外側に設けられ得る。ボックス９１０に示すように、例えばどちらの堆積源のコンディショニング（ボックス９０２及び９０６）も済んだ後、第１の堆積源と第２の堆積源との共蒸着によって、基板上に材料層が堆積される。

以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなしに、本開示の他の実施形態及びさらなる実施形態が考案されてよい。本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

具体的には、本明細書では実施例を用いてベストモードを含む本開示を開示しており、あらゆる当業者が記載の主題を実施することを、任意の装置またはシステムを作製及び使用すること、並びに組み込まれているあらゆる方法を実施することを含めて、可能にしている。上記では様々な特定の実施形態を開示してきたが、上記の実施形態の相互に非排他的な特徴は、互いに組み合わせられてよい。特許性を有する範囲は、特許請求の範囲によって規定される。その他の実施例は、それが特許請求の範囲の文字通りの言葉と相違しない構造要素を有する場合、または特許請求の範囲の文字通りの言葉とは実質的な違いがない等価の構造要素を含む場合には、特許請求の範囲内にあるものとする。

Claims (16)

1. 真空堆積チャンバ内で基板上に材料を堆積するための材料堆積装置（１００）であって、
   １つ以上の第１の開口（１２６）を有する第１の堆積源（１０５）と、
   １つ以上の第２の開口（１２６）を有する第２の堆積源（１０５）と、
   前記１つ以上の第１の開口または前記１つ以上の第２の開口に、ある角度で動かすことができるように構成された、第１のシャッター（２１０）を少なくとも有するシャッター装置と、を備える装置。
2. 少なくとも前記第１のシャッターは軸（２１１）の周囲を回転することができる、請求項１に記載の材料堆積装置（１００）。
3. １つ以上の第３の開口（１２６）を備える第３の堆積源（１０５）であって、前記シャッター装置が、
   前記１つ以上の第２の開口、前記１つ以上の第３の開口、及び第２のパーク位置に、ある角度で動かすことができる第２のシャッター
   をさらに備える、請求項１または２に記載の材料堆積装置（１００）。
4. １つ以上の第１の開口（１２６）を有する第１の堆積源（１０５）と、
   １つ以上の第２の開口（１２６）を有する第２の堆積源（１０５）と、
   第１のシャッター（２１０）と、
   前記１つ以上の第１の開口の前または前記１つ以上の第２の開口の前に、ある角度で前記第１のシャッターを動かすためのアクチュエータと、
   を備える、真空堆積チャンバ内で基板上に材料を堆積するための材料堆積装置（１００）。
5. 前記シャッターは、前記１つ以上の第１の開口、前記１つ以上の第２の開口、または第１のパーク位置に、ある角度で動く、請求項１から４のいずれか一項に記載の材料堆積装置（１００）。
6. シェーパーシールド装置
   をさらに備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の材料堆積装置（１００）。
7. 少なくとも前記第１のシャッターは、前記シェーパーシールド装置に装着されている、請求項６に記載の材料堆積装置（１００）。
8. 少なくとも前記第１のシャッターは、前記シェーパーシールド装置の少なくとも頂部に装着されている、請求項７に記載の材料堆積装置（１００）。
9. 前記シェーパーシールド装置が、冷却シールドに接続されている、請求項６から８のいずれか一項に記載の材料堆積装置（１００）。
10. 前記シェーパーシールド装置が、パーク位置を規定する筐体を形成する側部及びさらなる壁をさらに備える、請求項６から９のいずれか一項に記載の材料堆積装置（１００）。
11. 前記シェーパーシールド装置が、パーク位置を規定する筐体を形成している側部及びさらなる壁をさらに備え、前記シェーパーシールド装置が冷却装置に接続され、前記側部及び前記さらなる壁が前記冷却装置によって受動的に冷却される、請求項６から８のいずれか一項に記載の材料堆積装置（１００）。
12. 少なくとも前記第１の堆積源が、列に沿って延びる複数の開口を有する線形源であり、少なくとも前記第１のシャッターは、前記複数の開口の前に位置決めする前記角度で動かすことができる、請求項１から１１のいずれか一項に記載の材料堆積装置（１００）。
13. 真空堆積チャンバと、
    前記真空堆積チャンバ内にある請求項１から１１のいずれか一項に記載の材料堆積装置（１００）と
    を備える、真空堆積システム（１００）。
14. 基板を基本的に垂直の配向で支持するための基板キャリア支持体をさらに備える、請求項１３に記載の真空堆積システム。
15. 前記材料堆積装置が、前記材料堆積装置が磁気浮上中に並進運動するための支持体を備える、請求項１３または１４に記載の真空堆積システム。
16. 少なくとも第１の堆積源及び第２の堆積源を有する材料堆積装置をコンディショニングするための方法であって、
    前記第１の堆積源において材料をシャッターで遮断することと、
    前記第２の堆積源をコンディショニングすることと、
    前記シャッターを、前記第２の堆積源に、ある角度で動かすことと、
    前記第２の堆積源において材料を遮断することと、
    前記第２の堆積源をコンディショニングすることと、
    前記シャッターをある角度で動かすことと、
    前記第１の堆積源及び前記第２の堆積源の共蒸着によって、基板上に材料層を堆積することと、
    を含む方法。

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