JP2019514200A - 光電子デバイス及び使用方法 - Google Patents
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Abstract
Description
光電子素子は、複数の量子ドットまたは複数のナノロッドを備え、
回路は、光電子素子を発光させる有効順バイアス電圧を回路が提供する構成と、光電子素子が感応する光が光電子素子に当たるときに、光電素子に光電流を発生することができるようにさせる有効逆バイアス電圧を回路が提供する構成との間で、光電子素子をスイッチングすることができるように構成される。
(a)発光光電子素子と光電流発生光電子素子とを備える光電子デバイスを提供することであって、
デバイスは、発光光電子素子によって発せられた光の一部が光電子デバイスを出るように構成されており、
デバイスは、光電子デバイスを出て、外部物体によって散乱または反射される発光光電子素子によって発せられた光が、光電流発生光電子素子に当たることができるように構成されている、提供することと、
(b)発光光電子素子に有効順バイアス電圧を印加し、光電流発生光電子素子に有効逆バイアス電圧を印加することと、
(c)光を散乱または反射することができる物体またはそれらの組み合わせを、光が出てくる光電子デバイスの表面上の点から0.1〜5mmの距離に移動させ、発光光電素子によって発せられた光を反射または散乱させて、光が光電流発生光電子素子上に落ちるようにさせることと、を含む。
(a)光電子デバイスの外部で発生する外光が光電子デバイス上に落ちる環境において、光電流発生光電子素子を備える光電子デバイスを提供すること、
(b)光電流発生光電子素子に有効逆バイアス電圧を印加することであって、ここで適切な波長及び十分な強度の外光が光電流発生光電子素子に光電流を発生させる、印加することと、
(c)光電子デバイスの表面上の点から0.1〜5mmの距離に不透明物体を移動することであって、不透明物体に十分な外光を遮断させて、光電流発生光電子素子によって発生される光電流に検出可能な低減を生じさせる、移動することと、を含む。
(a)光電子素子のアレイ及び各光電子素子に接続された回路を備えるデバイスを提供することであって、
光電子素子は、複数の量子ドットまたは複数のナノロッドを含み、
回路は、光電子素子を発光させる有効順バイアス電圧を回路が提供する構成と、光電子素子が感応する光が光電子素子に当たるときに、光電素子に光電流を発生することができるようにさせる有効逆バイアス電圧を回路が提供する構成との間で、各光電子素子を独立してスイッチングすることができるように構成される、提供することと、
(b)2つ以上の光電子素子に有効逆バイアスを印加すること、
(c)個々の有効逆バイアスされた光電子素子から光電流の開始を検出し、個々の光電子素子のバイアスを有効順バイアスに変化させることによって光電流に応答する回路を提供することと、を含む。
反応は、N2雰囲気下の標準シュレンクライン(Schlenk line)で行った。工業用トリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)(90%)、工業用トリオクチルホスフィン(TOP)(90%)、工業用オクチルアミン(OA)(90%)、工業用トリオクチルアミン(TOA)(90%)、工業用オクタデセン(ODE)(90%)、CdO(99.5%)、酢酸亜鉛(99.99%)、S粉末(99.998%)、Se粉末(99.99%)は、シグマアルドリッチ(Sigma Aldrich)から入手した。ACSグレードのクロロホルム、及びメタノールは、フィッシャーサイエンティフィック(Fischer Scientific)から入手した。すべての化学物質は、受け取ったまま使用した。
赤色CdSe/CdS/ZnSは、確立された方法と同様の様態で調製した。[Lim、J.他、Preparation of highly luminescent nanocrystals and their application to light−emitting diodes. Adv.Mater.19、1927−1932、2007]。200mlの三ツ口丸底フラスコ中の1.6mmolのCdO粉末(0.206g)、6.4mmolのOA及び40mLのTOAを、真空下150℃で30分間脱気した。次いで、溶液をN2雰囲気下で300℃に加熱した。300℃で、予めグローブボックス中で調製した0.4mLの1.0M TOP:SeをCd含有反応混合物に迅速に注入した。45秒後、6mlのTOAに溶解した1.2mmolのn−オクタンチオールを1mL min−1の速度でシリンジポンプを介してゆっくり注入した。次いで、反応混合物を300℃でさらに30分間攪拌した。同時に、TOAに溶解した16mlの0.25M 亜鉛オレイン酸溶液を酢酸亜鉛を含む別の反応フラスコ中で調製した。亜鉛オレイン酸溶液をCdSe反応フラスコ中にゆっくり注入し、続けて6mlのTOAに溶解した6.4mmolのn−オクタンチオールを1mL min−1の速度でシリンジポンプを使用して注入した。
緑色CdSe/ZnS(勾配組成シェル)量子ドットを、確立された方法と同様の様態で調製した。[Bae,W.他、Highly Efficient Green−Light−Emitting Diodes Based on CdSe/ZnS Quantum Dots with a Chemical−Composition Gradient,Adv. Mater.21、1690−1694、2009]0.2mmolのCdO、4mmolの酢酸亜鉛、4mmolのOA及び15mlのODEを100mlの3口丸底フラスコ内で調製し、真空下120℃で30分間脱気した。溶液をN2雰囲気下で300℃に加熱した。300℃で、0.1mmolのSe及び2mlのTOPに溶解した3.5mmolのSeをシリンジを使用して反応フラスコに迅速に注入した。次いで、空気ジェットによって急速に冷却する前に、反応溶液を300℃でさらに10分間撹拌した。
スピンコートされたQD LED/光検出器(PD)のために、デバイスはITOコートされたガラス基板(シート抵抗15〜25Ω/□)上に製作された。予めパターン化されたITO基板をアセトンとイソプロパノールで連続して洗浄し、次いでUV−オゾンで15分間処理した。PEDOT:PSS(Clevios(商標)P VP AI 4083)を4000rpmでITO上にスピンコートし、空気中120℃で5分間、グローブボックス内180℃で15分間焼成した。その後、TFB(H.W.Sands Corp.)を、3000rpmでm−キシレン(5mg/ml)を使用してスピンコートし、続いてグローブボックス内180℃で30分間焼成した。クロロホルムとメタノール混合物(体積比1:1)で2回洗浄した後、最終的にクロロホルム溶液(〜30mg/ml)内でQDを分散させ、2000rpmでTFB層の頂部上にスピンキャストし、その後引き続いて180℃で30分間アニールした。
図10に実験結果を示す。グラフは赤色QD PDの暗電流を示す。ステップ1では、赤色QD PDのみをオンにするために、有効逆バイアスが赤色QDピクセルにのみ印加されている。−2Vでは、赤色QD PDは約4マイクロアンペアの電流を有する。ステップ2では、緑色QD LEDをオンにするために、緑色QDピクセルに有効順バイアスが印加される。QDピクセルは光学的に絶縁されているため、赤色QD PDの電流はステップ1と同じ4マイクロアンペアである。ステップ3では、4インチのシリコンウェハを双方向性タッチスクリーンの5mm前に置く。この時点で、赤色PDの電流は30マイクロアンペアであり、これは8倍大きい。これは、緑色QD LEDからの緑色光がシリコンウェハの表面から反射し、赤色QD PDに当たって電流がさらに増加するためである。結論として、双方向性タッチスクリーンは、その前5mmの位置にあるシリコンウェハを検出することができた。
CdSナノロッド(NR)種の合成:最初に50mLの三ツ口丸底フラスコ中の2.0gのトリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)、0.67gのオクタデシルホスホン酸(ODPA)及び0.128gのCdOを真空下150℃で30分間脱気し、次いでAr下で370℃に加熱した。Cd−ODPA複合体が370℃で形成された後、1.5mLのトリオクチルホスフィン(TOP)に溶解した16mgのSをシリンジでフラスコに迅速に加えた。結果として、反応混合物を330℃に急冷し、CdSの成長を行った。15分後、室温まで冷却することによりCdS NRの成長を停止させた。最終溶液をクロロホルムに溶解し、2000rpmで遠心分離した。沈殿物をクロロホルムに再溶解し、次のステップのための溶液として調製した。CdS NRのこの溶液は、100倍希釈したときにCdSバンド端吸収ピークで光学濃度が0.1(1cm光路長に対して)であった。
個々の光電子素子の特性を上記のようにして決定した。以下の表において、ナノロッドを含む個々の光電子素子は「NR−LED」と呼ばれ、量子ドットを含む個々の光電子素子は「QD−LED」と呼ばれる。以下の参考文献に掲載されている結果に従って、NR−LED及びQD−LEDを、吸収/発光材料が有機化合物または有機化合物の混合物である様々な発光ダイオード(LED)(有機発光ダイオード、またはOLED)と比較した。
参考文献1.Organic bifunctional devices with emission and sensing abilities,Japanese Journal of Applied Physics 46,1328(2007)
参考文献2.Integrated organic blue led and visible−blind uv photodetector,Journal of Physical Chemistry C115,2462(2011)
参考文献3.High performance organic integrated device with ultraviolet photodetective and electroluminescent properties consisting of a charge−transfer−featured naphthalimide derivative,Applied Physics Letters 105,063303(2014)
参考文献4.High performance organic ultraviolet photodetector with efficient electroluminescencerealized by a thermally activated delayed fluorescence emitter,Applied Physics Letters 107,043303(2015)
参考文献5.High Efficiency and Optical Anisotropy in Double−Heterojuntion Nanorod Light−Emitting Diodes,ACS Nano 9,878(2015)
個々のPDは、上記のNRを使用して作製した。応答時間は上記のように測定した。結果は、以下の通りであった。
4×4正方形アレイ内の16個の光電子素子のアレイを以下のように製作した。図11A〜図11Eに示すように、デバイスを、ガラス基板上のパターン形成された酸化インジウムスズ(ITO)上に製作した。PEDOT:PSS(Clevios P VP AI 4083)導電性ポリマーをITO上に4000rpmでコートし、空気中120℃で5分間アニールした。デバイスをグローブボックスに移し、180℃で20分間アニールした。次に、m−キシレンに溶解したTFB/F4TCNQ混合物の7mg/mL溶液を3000rpmでスピンコートし、180℃で30分間アニールした。1:1の体積比のクロロホルムとメタノールで2回洗浄した後、クロロホルム中でナノロッド(上記のように合成)(60mg/mL)を2000rpmでスピンコートし、引き続き180℃で30分間アニールした。ブタノール中のZnOの30mg/mL溶液を次に3000rpmでスピンコートし、100℃で30分間アニールした。次に、100nmの厚さのAlカソードを電子ビーム蒸着技術によって堆積させた。グローブボックス内でエポキシ(NOA86)を使用して、デバイスをカバーガラスでカプセル封入した。
特定の光源は緑色レーザーであった。最初に、すべての16の光電子素子を有効逆バイアスに入れた。関連する回路は、特定の光電子素子の電流検出器が電流を検出したときに、バイアスが有効逆バイアスから有効順バイアスに反転し、有効逆バイアスに逆戻りする前に1秒間有効順バイアスに留まるように構成された。レーザーをオンにして光電子素子の1つに狙いをつけると、その素子は黄色光で輝き始め、再び暗くなる前に1秒間光ったままで留まった。ペンが1つの光電子素子から次の光電子素子へと移動するにつれて、レーザー光が照射された光電子素子は輝き、1秒間光っていた。ペンの動きは、例えば4つの光電子素子のうちの3つの三角形のようないくつかのパターンをトレースし、光電子素子のアレイは、暗い状態に戻る前に1秒間同じパターンで発光した。
Claims (9)
- 発光光電子素子と光電流発生光電子素子とを備えるデバイスであって、前記デバイスは、前記発光光電子素子によって発せられた光が前記デバイス内の経路を介して前記光電流発生光電子素子に到達するのを阻止する不透明素子をさらに備える、デバイス。
- 前記発光光電子素子と前記光電流発生光電子素子とは同一組成を有し、前記発光光電子素子は有効順バイアス下にあり、前記光電流発生光電子素子は有効逆バイアス下にある、請求項1に記載のデバイス。
- 前記発光光電子素子は、発光層を備え、前記光電流発生光電子素子は、吸収層を備える、請求項1に記載のデバイス。
- 前記発光層は、バンドギャップE1を有し、前記光電流発生層は、バンドギャップE2を有し、E1はE2よりも大きい、請求項3に記載のデバイス。
- 前記発光層は、有機化合物を含み、前記吸収層は、有機化合物を含む、請求項3に記載のデバイス。
- 前記発光層は、量子ドット及びナノロッドからなる群から選択された材料を含み、前記吸収層は、量子ドット及びナノロッドからなる群から選択された材料を含む、請求項3に記載のデバイス。
- 前記発光層は、ナノロッドを含み、前記吸収層は、ナノロッドを含む、請求項3に記載のデバイス。
- 前記発光層は、蛍光体を含み、前記吸収層は、蛍光体を含む、請求項3に記載のデバイス。
- 前記発光層は、1つ以上のヘテロ接合を含み、前記吸収層は、1つ以上のヘテロ接合を含む、請求項1に記載のデバイス。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021005434A1 (ja) * | 2019-07-05 | 2021-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102399447B1 (ko) * | 2017-10-16 | 2022-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양자점과 이를 포함하는 양자점 발광다이오드 및 양자점 발광 표시장치 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05152603A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Sharp Corp | 反射型光結合装置 |
JP2007081203A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Fujifilm Corp | エリアセンサ、画像入力装置、およびそれを組み込んだ電子写真装置等 |
JP2009302252A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Nissan Motor Co Ltd | 有機薄膜受光素子、有機薄膜受発光素子、有機薄膜受発光素子アレイ、これらを用いた脈拍センサ、およびこの脈拍センサを設けた車両 |
JP2013073965A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | 光電変換装置及びその製造方法 |
JP2014195073A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-10-09 | Dow Global Technologies Llc | マルチヘテロ接合ナノ粒子、その製造方法および同ナノ粒子を含む物品 |
CN104409475A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示器件、有机电致发光显示装置 |
DE102014221525A1 (de) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Messsystem |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120118368A1 (en) * | 2010-04-30 | 2012-05-17 | Board Of Regents Of The University Of Nebraska | Method for Increasing the Efficiency of Organic Photovoltaic Cells |
US9632344B2 (en) | 2010-07-09 | 2017-04-25 | Lester F. Ludwig | Use of LED or OLED array to implement integrated combinations of touch screen tactile, touch gesture sensor, color image display, hand-image gesture sensor, document scanner, secure optical data exchange, and fingerprint processing capabilities |
WO2012071107A1 (en) * | 2010-11-23 | 2012-05-31 | Qd Vision, Inc. | Device including semiconductor nanocrystals & method |
WO2014088667A2 (en) * | 2012-09-14 | 2014-06-12 | Qd Vision, Inc. | Light emitting device including tandem structure |
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05152603A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Sharp Corp | 反射型光結合装置 |
JP2007081203A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Fujifilm Corp | エリアセンサ、画像入力装置、およびそれを組み込んだ電子写真装置等 |
JP2009302252A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Nissan Motor Co Ltd | 有機薄膜受光素子、有機薄膜受発光素子、有機薄膜受発光素子アレイ、これらを用いた脈拍センサ、およびこの脈拍センサを設けた車両 |
JP2013073965A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | 光電変換装置及びその製造方法 |
JP2014195073A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-10-09 | Dow Global Technologies Llc | マルチヘテロ接合ナノ粒子、その製造方法および同ナノ粒子を含む物品 |
DE102014221525A1 (de) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Messsystem |
CN104409475A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示器件、有机电致发光显示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021005434A1 (ja) * | 2019-07-05 | 2021-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6832364B2 (ja) | 2021-02-24 |
CN109564976A (zh) | 2019-04-02 |
TWI753890B (zh) | 2022-02-01 |
KR20190028362A (ko) | 2019-03-18 |
TW201737511A (zh) | 2017-10-16 |
EP3433885A1 (en) | 2019-01-30 |
KR20210013665A (ko) | 2021-02-04 |
WO2017165592A1 (en) | 2017-09-28 |
KR102383500B1 (ko) | 2022-04-08 |
US20210005668A1 (en) | 2021-01-07 |
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