JP2019510971A - 磁場の印加を介する磁気材料に起因する磁気センサ構成要素変動の低減 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (31)
- マイクロ電子デバイスであって、
基板、
磁気センサ構成要素、及び
磁化可能な材料を含み、前記磁気センサ構成要素から分離される、磁化可能な構造的特徴、
を含み、
各磁化可能な構造的特徴が磁気モーメントを含み、前記磁化可能な構造的特徴の前記磁気モーメントが、互いに対して平行に整合される、
マイクロ電子デバイス。 - 請求項1に記載のマイクロ電子デバイスであって、更に、前記磁化可能な構造的特徴及び前記磁気センサ構成要素に近接する能動回路を含む、マイクロ電子デバイス。
- 請求項1に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記磁化可能な構造的特徴がボンドパッドを含み、前記磁化可能な材料がニッケルを含む、マイクロ電子デバイス。
- 請求項1に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記磁化可能な構造的特徴が、前記マイクロ電子デバイスの周囲のシールリングを含み、前記磁化可能な材料がニッケルを含む、マイクロ電子デバイス。
- 請求項1に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記磁化可能な構造的特徴の前記磁気モーメントが、前記基板の頂部表面に平行に整合される、マイクロ電子デバイス。
- 請求項1に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記磁気センサ構成要素が、フラックスゲート磁気計コアを含む、マイクロ電子デバイス。
- 請求項1に記載のマイクロ電子デバイスであって、磁気センサ構成要素が磁気抵抗センサを含む、マイクロ電子デバイス。
- 請求項1に記載のマイクロ電子デバイスであって、磁気センサ構成要素がホールプレートを含む、マイクロ電子デバイス。
- 請求項1に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記磁化可能な構造的特徴の前記磁気モーメントが、前記磁気センサ構成要素のフィールド測定軸に垂直に整合される、マイクロ電子デバイス。
- 請求項1に記載のマイクロ電子デバイスであって、更に、前記能動回路から切断されているダミーの磁化可能な構造的特徴を含む、マイクロ電子デバイス。
- パッケージングされたマイクロ電子デバイスであって、
能動回路、
磁気センサ構成要素、
前記能動回路及び前記磁気センサ構成要素を収容するパッケージ、及び
前記パッケージにおいて配置され、前記磁気センサ構成要素から分離される、磁化可能な構造的特徴、
を含み、
前記パッケージの前記磁化可能な構成性要素が、磁化可能な材料を含み、各磁化可能な構造的特徴が磁気モーメントを含み、前記磁化可能な構造的特徴の前記磁気モーメントが、互いに対して平行に整合される、
パッケージングされたマイクロ電子デバイス。 - 請求項11に記載のパッケージングされたマイクロ電子デバイスであって、磁気センサ構成要素がフラックスゲート磁気計コアを含む、パッケージングされたマイクロ電子デバイス。
- 請求項11に記載のパッケージングされたマイクロ電子デバイスであって、磁気センサ構成要素が磁気抵抗センサを含む、パッケージングされたマイクロ電子デバイス。
- 方法であって、
マイクロ電子デバイスの磁化可能な構造的特徴に浮遊磁場より大きい磁場を印加することであって、前記磁場に平行な前記磁化可能な構造的特徴の磁気モーメントを整合させるために所定の期間の間、前記磁化可能な構造的特徴が、前記マイクロ電子デバイスの磁気センサ構成要素から離れていること、及び
前記所定の期間の後、前記磁場の印加を中断すること、
を含む、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、前記磁場が少なくとも10ミリテスラ(mT)である、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記磁化可能な構造的特徴がボンドパッドを含み、前記磁化可能な材料がニッケルを含む、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記磁化可能な構造的特徴が、前記マイクロ電子デバイスの周囲のシールリングを含み、前記磁化可能な材料がニッケルを含む、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記磁場が、前記基板の頂部表面に平行に向けられる、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記磁気センサ構成要素がフラックスゲート磁気計コアを含む、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記磁気センサ構成要素が磁気抵抗センサを含む、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記磁気センサ構成要素がホールプレートを含む、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記磁場が、前記磁気センサ構成要素のフィールド測定軸に垂直に向けられる、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記磁場がハルバッハデバイスを用いて印加される、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記磁場が、前記磁場を生成するため電流を用いて印加される、方法。
- 請求項24に記載の方法であって、前記磁場がヘルムホルツコイルを用いて印加される、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、更に、
磁気センサ構成要素及び磁化可能な構造的特徴を含む第2のマイクロ電子デバイスにテスト磁場を印加すること、
その後、前記第2のマイクロ電子デバイスの前記磁気センサ構成要素のパラメータの値を測定すること、及び
前記磁場を前記マイクロ電子デバイスに印加する前に、前記第2のマイクロ電子デバイスに印加される前記磁場にとって所望の方位を推定するため、前記パラメータの前記測定された値を用いること、
を含む、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、更に、
コンピュータ可読メモリから前記マイクロ電子デバイスの磁気特性の値を読むこと、
前記磁気特性の前記値を用いて、前記磁化可能な構造的特徴の前記磁気モーメントのテスト方位の関数として前記磁気センサ構成要素のパラメータの値を推定すること、及び
前記磁場を前記マイクロ電子デバイスに印加する前に、前記パラメータの前記推定された値を用いて、前記マイクロ電子デバイスに印加される前記磁場にとって所望の方位を推定すること、
を含む、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、前記磁場が印加される一方、前記マイクロ電子デバイスが他のマイクロ電子デバイスを備える基板ウェハである、方法。
- 方法であって、
能動回路及び磁気センサ構成要素を収容するパッケージに配置される磁化可能な構造的特徴に浮遊磁場より大きい磁場を印加することであって、前記磁化可能な構造的特徴の磁気モーメントを前記磁場に平行に整合させるために所定の期間の間、前記磁場を印加すること、及び
前記所定の期間の後、前記磁場の印加を中断すること、
を含む、方法。 - 請求項29に記載の方法であって、前記磁場が少なくとも10mTである、方法。
- 請求項29に記載の方法であって、前記パッケージの前記磁化可能な構造的特徴が、金属リードを含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/064,579 | 2016-03-08 | ||
US15/064,579 US10162016B2 (en) | 2016-03-08 | 2016-03-08 | Reduction of magnetic sensor component variation due to magnetic materials through the application of magnetic field |
PCT/US2017/021397 WO2017156149A1 (en) | 2016-03-08 | 2017-03-08 | Reduction of magnetic sensor component variation due to magnetic materials through the application of magnetic field |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019510971A true JP2019510971A (ja) | 2019-04-18 |
JP2019510971A5 JP2019510971A5 (ja) | 2020-04-09 |
JP6940736B2 JP6940736B2 (ja) | 2021-09-29 |
Family
ID=59786523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018547916A Active JP6940736B2 (ja) | 2016-03-08 | 2017-03-08 | 磁場の印加を介する磁気材料に起因する磁気センサ構成要素変動の低減 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10162016B2 (ja) |
EP (1) | EP3427469B1 (ja) |
JP (1) | JP6940736B2 (ja) |
CN (1) | CN108886559B (ja) |
WO (1) | WO2017156149A1 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2017
- 2017-03-08 CN CN201780014094.XA patent/CN108886559B/zh active Active
- 2017-03-08 WO PCT/US2017/021397 patent/WO2017156149A1/en active Application Filing
- 2017-03-08 JP JP2018547916A patent/JP6940736B2/ja active Active
- 2017-03-08 EP EP17764012.5A patent/EP3427469B1/en active Active
-
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- 2018-11-30 US US16/205,937 patent/US20190101601A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP3427469A4 (en) | 2019-03-27 |
EP3427469B1 (en) | 2021-09-08 |
US20170261564A1 (en) | 2017-09-14 |
US20190101601A1 (en) | 2019-04-04 |
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US10162016B2 (en) | 2018-12-25 |
CN108886559A (zh) | 2018-11-23 |
WO2017156149A1 (en) | 2017-09-14 |
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JP6940736B2 (ja) | 2021-09-29 |
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