JP2019506534A - Vacuum processing system and method for performing vacuum processing - Google Patents

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    • H10K77/111—Flexible substrates

Abstract

フレキシブル基板のための真空処理システム（１００）が提供される。真空処理システム（１００）は、フレキシブル基板を提供するための供給ロール（１１１）を収容するように適合された第１のチャンバ（１１０）と、処理後にフレキシブル基板（１０）を収めるための巻き取りロール（１２１）を収容するように適合された第２のチャンバ（１２０）と、フレキシブル基板（１０）を第１のチャンバ（１１０）から第２のチャンバ（１２０）へガイドするための一または複数のガイドローラ（１０４）を含む基板搬送装置と、第１のチャンバ（１１０）と第２のチャンバ（１２０）との間のメンテナンスゾーン（１３０）であって、第１のチャンバ（１１０）及び第２のチャンバ（１２０）のうちの少なくとも１つへのメンテナンスアクセス、又は第１のチャンバ（１１０）及び第２のチャンバ（１２０）のうちの少なくとも１つのメンテナンスアクセスを可能にする、メンテナンスゾーン（１３０）と、フレキシブル基板（１０）を処理するための第１の処理チャンバ（１４０）とを含む。【選択図】図１Ａ−ＢA vacuum processing system (100) for a flexible substrate is provided. The vacuum processing system (100) includes a first chamber (110) adapted to receive a supply roll (111) for providing a flexible substrate, and a take-up to accommodate the flexible substrate (10) after processing. A second chamber (120) adapted to receive a roll (121) and one or more for guiding the flexible substrate (10) from the first chamber (110) to the second chamber (120); And a maintenance zone (130) between the first chamber (110) and the second chamber (120), the substrate transport apparatus including the guide roller (104) of the first chamber (110) and the second chamber (120). Maintenance access to at least one of the two chambers (120) or the first chamber (110) and the second chamber (120) Allowing at least one maintenance access out, including the maintenance zone (130), a first processing chamber for processing a flexible substrate (10) (140). [Selection] Figure 1A-B

Description

［０００１］本開示の実施形態は、真空処理システム、及び真空堆積システムを作動させる方法に関する。本開示の実施形態は特に、真空堆積システム、及びフレキシブル基板を処理するための方法に関する。詳細には、本開示の実施形態は、ロールツーロール真空堆積システム、及びフレキシブル基板に少なくとも２つの層を堆積させる方法に関する。   [0001] Embodiments of the present disclosure relate to a vacuum processing system and a method of operating a vacuum deposition system. Embodiments of the present disclosure are particularly related to vacuum deposition systems and methods for processing flexible substrates. In particular, embodiments of the present disclosure relate to a roll-to-roll vacuum deposition system and a method for depositing at least two layers on a flexible substrate.

［０００２］プラスチック膜又はプラスチック箔などのフレキシブル基板の処理は、パッケージング業界、半導体業界、及びその他の業界で需要が高い。処理は、フレキシブル基板を好ましい材料、例えば金属、詳細にはアルミニウム、半導体及び誘電体材料でコーティングすることと、エッチングすることと、所望の用途のために基板に行われる他の処理ステップとで構成されうる。この作業を実施するシステムは概して、基板を搬送し、基板の少なくとも一部を処理するための処理システムに連結された例えば円筒ローラ等の処理ドラムを含む。したがって、ロールツーロール（Ｒ２Ｒ）コーティングシステムは、高スループットシステムを提供しうる。   [0002] The processing of flexible substrates such as plastic films or plastic foils is in high demand in the packaging, semiconductor, and other industries. Processing consists of coating the flexible substrate with a preferred material, such as metal, in particular aluminum, semiconductor and dielectric materials, etching, and other processing steps performed on the substrate for the desired application. Can be done. A system that performs this operation generally includes a processing drum, such as a cylindrical roller, that is coupled to a processing system for transporting the substrate and processing at least a portion of the substrate. Thus, a roll-to-roll (R2R) coating system can provide a high throughput system.

［０００３］通常、フレキシブル基板上にコーティングされうる金属の薄層を堆積させるため、ある処理、例えば、物理的気相堆積（ＰＶＤ）処理、化学気相堆積（ＣＶＤ）処理、及びプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）処理を利用してもよい。しかし、ディスプレイ業界及び光電池（ＰＶ）業界におけるロールツーロール堆積システムの需要も、著しい高まりを見せつつある。例えば、タッチパネル要素、フレキシブルディスプレイ、及びフレキシブルＰＶモジュールを使用することにより、ロールツーロールコータ内で特に低製造コストで好適な層を堆積させる需要が高まる。しかしながら、上記デバイスは通常、ＣＶＤ処理、特にＰＥＣＶＤ処理によっても通常製造される幾つかの層を有する。   [0003] Typically, certain processes, such as physical vapor deposition (PVD) processing, chemical vapor deposition (CVD) processing, and plasma enhanced chemical vapor deposition, are used to deposit a thin layer of metal that can be coated onto a flexible substrate. A deposition (PECVD) process may be utilized. However, the demand for roll-to-roll deposition systems in the display industry and the photovoltaic (PV) industry is also rising significantly. For example, the use of touch panel elements, flexible displays, and flexible PV modules increases the demand for depositing suitable layers in roll-to-roll coaters, particularly at low manufacturing costs. However, the devices usually have several layers that are also usually produced by CVD processes, in particular PECVD processes.

［０００４］一又は複数の処理チャンバにおける幾つかのＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、及び／又はＰＶＤソースの構成には、卓越した効率的な処理が必要とされる。一般に、複合薄膜層構造の堆積は、異なるＲ２Ｒコータで連続的に実施される。それぞれのＲ２Ｒコータは、特別な堆積技法の必要に対応するように設計されている。しかしながら、このコンセプトによって、製造装置の高い所有コスト（ＣｏＯ）がもたらされる。   [0004] Some CVD, PECVD, and / or PVD source configurations in one or more processing chambers require exceptionally efficient processing. In general, the deposition of a composite thin film layer structure is performed sequentially with different R2R coaters. Each R2R coater is designed to meet the needs of special deposition techniques. However, this concept results in a high cost of ownership (CoO) of the manufacturing equipment.

［０００５］コーティングされた基板から製作された製品の例としては、ＯＬＥＤディスプレイがある。ＯＬＥＤディスプレイは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）と比較して、より高速な応答時間、より大きな視野角、高コントラスト、軽量、低電力、及びフレキシブル基板への対応という観点で、ディスプレイ用途において最近著しい関心を獲得している。ＯＬＥＤで使用される有機材料に加え、多くのポリマー材料が、更に小分子フレキシブル有機発光ダイオード（ＦＯＬＥＤ）、及びポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）ディスプレイ用に開発されている。これらの有機材料及びポリマー材料の多くは、ある範囲の基板用の複合多層デバイスの製造に対して柔軟性があるために、薄型フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、電気的に励起された有機レーザー、及び有機光増幅器などの種々の透明多色ディスプレイの用途において理想的なものとなっている。   [0005] An example of a product made from a coated substrate is an OLED display. OLED displays have recently gained significant interest in display applications compared to liquid crystal displays (LCDs) in terms of faster response times, larger viewing angles, higher contrast, lighter weight, lower power, and support for flexible substrates. Have earned. In addition to the organic materials used in OLEDs, many polymer materials have been further developed for small molecule flexible organic light emitting diode (FOLED) and polymer light emitting diode (PLED) displays. Many of these organic and polymeric materials are flexible for the manufacture of composite multilayer devices for a range of substrates, so that thin flat panel displays (FPDs), electrically excited organic lasers, and It is ideal for various transparent multicolor display applications such as organic optical amplifiers.

［０００６］長年にわたり、例えば、ディスプレイデバイス内の層は、各層が異なる機能を果たす複数の層に発展している。複数の層を複数の基板上に堆積させることは、複数の処理チャンバを必要とすることがある。したがって、当該技術分野において、フレキシブルツールプラットフォーム（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｔｏｏｌ ｐｌａｔｆｏｒｍ）で基板を処理するための効率の良い方法及び装置が必要とされている。   [0006] Over the years, for example, layers in display devices have evolved into multiple layers, each layer performing a different function. Depositing multiple layers on multiple substrates may require multiple processing chambers. Accordingly, there is a need in the art for an efficient method and apparatus for processing substrates on a flexible tool platform.

［０００７］以上のことを考慮して、当該技術分野の課題のうちの少なくとも幾つかの課題を解決するような、真空処理システム及び真空処理システムを取り付ける方法を提供することが要望される。   [0007] In view of the foregoing, it is desirable to provide a vacuum processing system and method for attaching a vacuum processing system that solves at least some of the problems in the art.

［０００８］このため、フレキシブル基板のための真空処理システム、及びフレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法が提供される。本開示の更なる態様、利点、及び特徴は、従属請求項、明細書、及び添付の図面から明らかである。   [0008] Thus, a vacuum processing system for a flexible substrate and a method for depositing at least two layers on the flexible substrate are provided. Further aspects, advantages and features of the disclosure will be apparent from the dependent claims, the specification and the attached drawings.

［０００９］本開示の一態様によれば、フレキシブル基板のための真空処理システムが提供される。真空処理システムは、フレキシブル基板を提供するための供給ロールを収容するように適合された第１のチャンバと、処理後にフレキシブル基板を収めるための巻き取りロールを収容するように適合された第２のチャンバと、フレキシブル基板を第１のチャンバから第２のチャンバへガイドするための一または複数のガイドローラを含む基板搬送装置と、第１のチャンバと第２のチャンバとの間のメンテナンスゾーンであって、第１のチャンバ及び第２のチャンバのうちの少なくとも１つへのメンテナンスアクセス、又は第１のチャンバ及び第２のチャンバのうちの少なくとも１つのメンテナンスアクセスを可能にする、メメンテナンスゾーンと、フレキシブル基板を処理するための第１の処理チャンバとを含む。   [0009] According to one aspect of the present disclosure, a vacuum processing system for a flexible substrate is provided. The vacuum processing system includes a first chamber adapted to receive a supply roll for providing a flexible substrate and a second chamber adapted to receive a take-up roll for containing the flexible substrate after processing. A maintenance zone between the first chamber and the second chamber, the chamber, a substrate transfer device including one or more guide rollers for guiding the flexible substrate from the first chamber to the second chamber, and A maintenance zone that allows maintenance access to at least one of the first chamber and the second chamber, or maintenance access to at least one of the first chamber and the second chamber; And a first processing chamber for processing the flexible substrate.

［００１０］本開示の別の態様によれば、フレキシブル基板を処理するため、特にフレキシブル基板に層のスタック（積み重ねられた層）を堆積させるための本書に記載の処理システムの使用が提供される。   [0010] According to another aspect of the present disclosure, there is provided the use of a processing system as described herein for processing a flexible substrate, particularly for depositing a stack of layers on the flexible substrate. .

［００１１］本開示の別の態様によれば、特に本書に記載の真空処理システムを使用して、フレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法が提供される。フレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法は、処理ドラムの外面の上にフレキシブル基板をガイドすることと、少なくとも第１の堆積源の反対側の側面の少なくとも２つの位置において分離ガスを供給することと、少なくとも２つの位置の間で処理ガスを供給し処理ガスを排気することと、第１の堆積源と少なくとも１つの第２の堆積源との間の少なくとも１つの真空排気口においてポンプ操作を行うこととを含む。   [0011] According to another aspect of the present disclosure, a method is provided for depositing at least two layers on a flexible substrate, particularly using a vacuum processing system as described herein. A method of depositing at least two layers on a flexible substrate includes guiding the flexible substrate over the outer surface of the processing drum and supplying a separation gas at least at two locations on the opposite side of the first deposition source. Pumping in at least one vacuum outlet between the first deposition source and the at least one second deposition source, and supplying a processing gas between the at least two locations and exhausting the processing gas Performing operations.

［００１２］本開示はまた、本開示に記載の方法を実施するための装置を対象とし、記載された各方法ステップを実施するための装置部分を含む。これらの方法ステップは、ハードウェア構成要素、適当なソフトウェアによってプログラムされたコンピュータを手段として、又はこれらの２つの任意の組合せによって、あるいは任意の他の方式で実施することができる。更に、本開示は、記載の装置を作動させる方法も対象とする。それは、装置のあらゆる機能を実施するための方法ステップを含む。   [0012] The present disclosure is also directed to an apparatus for performing the method described in the present disclosure, and includes an apparatus portion for performing each described method step. These method steps may be performed by means of hardware components, a computer programmed by appropriate software, by any combination of the two, or in any other manner. Furthermore, the present disclosure is also directed to a method of operating the described apparatus. It includes method steps for performing all functions of the device.

［００１３］本開示の上述の特徴を細部まで理解しうるように、実施形態を参照することによって、上記に簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が得られる。添付の図面は、例示的な実施形態を示すのみであり、したがって、本開示の範囲を限定するものと見なすべきではないことに留意されたい。   [0013] In order that the above features of the present disclosure may be understood in detail, a more detailed description of the present disclosure, briefly summarized above, may be obtained by reference to embodiments. It should be noted that the accompanying drawings show only exemplary embodiments and therefore should not be considered as limiting the scope of the present disclosure.

本書に記載の実施形態に係る真空処理システムを示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the vacuum processing system which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the vacuum processing system which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the vacuum processing system which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムを示す概略上面図を示す。1 shows a schematic top view of a vacuum processing system according to embodiments described herein. FIG. 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the vacuum processing system which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの処理チャンバを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the processing chamber of the vacuum processing system which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態にしたがって使用されるスプレッダローラデバイスを示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a spreader roller device used in accordance with embodiments described herein. 本書に記載の実施形態にしたがって使用されるスプレッダローラデバイスを示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a spreader roller device used in accordance with embodiments described herein. 本書に記載の実施形態に係る基板ガイド制御ユニットを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the board | substrate guide control unit which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係る基板ガイド制御ユニットを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the board | substrate guide control unit which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係るガス分離ユニットを有する真空処理システムの処理チャンバを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the processing chamber of the vacuum processing system which has the gas separation unit which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係るガス分離ユニットを有する真空処理システムの処理チャンバを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the processing chamber of the vacuum processing system which has the gas separation unit which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係る処理ドラムに接続されたガス分離ユニットと、真空処理システムとを示す側面図である。It is a side view which shows the gas separation unit connected to the processing drum which concerns on embodiment described in this document, and a vacuum processing system. 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの堆積源を示す概略図である。It is the schematic which shows the deposition source of the vacuum processing system which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの堆積源及びガス分離ユニットを示す概略図である。It is the schematic which shows the deposition source and gas separation unit of the vacuum processing system which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係るガス分離ユニットのガス分離の概念を示す概略図である。It is the schematic which shows the concept of the gas separation of the gas separation unit which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係るガス分離ユニットのガス分離の概念を示す概略図である。It is the schematic which shows the concept of the gas separation of the gas separation unit which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係るガス分離ユニットのガス分離の概念を示す概略図である。It is the schematic which shows the concept of the gas separation of the gas separation unit which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの堆積源を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the deposition source of the vacuum processing system which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係る堆積源のためのマイクロ波アンテナを示す概略図である。1 is a schematic diagram illustrating a microwave antenna for a deposition source according to embodiments described herein. FIG. 本書に記載の実施形態に係る堆積源のためのマイクロ波アンテナを示す概略図である。1 is a schematic diagram illustrating a microwave antenna for a deposition source according to embodiments described herein. FIG. 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの処理チャンバの一部を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows a part of processing chamber of the vacuum processing system which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係るシャッターデバイスを含む真空処理システムの処理ドラムを示す概略側面図である。It is a schematic side view which shows the processing drum of the vacuum processing system containing the shutter device which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係るシャッターデバイスの構成要素を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the component of the shutter device which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係る異なる位置にあるシャッターデバイスの詳細斜視図である。FIG. 6 is a detailed perspective view of a shutter device at different positions according to embodiments described herein. 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの一セクションを示す平面図である。It is a top view which shows one section of the vacuum processing system which concerns on embodiment described in this document. 本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの処理チャンバを洗浄するための方法を示すブロック図である。2 is a block diagram illustrating a method for cleaning a processing chamber of a vacuum processing system according to embodiments described herein. FIG. フレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram illustrating a method for depositing at least two layers on a flexible substrate.

［００１４］本開示の様々な実施形態をこれより詳細に参照していく。これらの実施形態の一又は複数の例が図中に示されている。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。下記において、個々の実施形態に関する違いのみが説明される。各実施例は、本開示の説明のために提供されているが、本開示を限定することが意図されているわけではない。更に、１つの実施形態の一部として図示又は説明されている特徴は、更なる実施形態を創出するために、他の実施形態で使用されることも、他の実施形態と併用されることも可能である。説明には、このような修正例及び変形例が含まれるように意図されている。   [0014] Reference will now be made in detail to various embodiments of the disclosure. One or more examples of these embodiments are shown in the figures. Within the following description of the drawings, the same reference numbers refer to the same components. In the following, only the differences with respect to the individual embodiments are described. Each example is provided by way of explanation of the disclosure, but is not intended to limit the disclosure. Moreover, features illustrated or described as part of one embodiment can be used in other embodiments or in combination with other embodiments to create additional embodiments. Is possible. The description is intended to include such modifications and variations.

［００１５］図１Ａに、本書に記載の実施形態に係る、基板を処理するための真空処理システム１００の概略斜視図を示す。詳細には、真空処理システム１００は、フレキシブル基板をガイドし処理するように適合されうる。例えば、真空処理システム１００は、プラズマ相から、移動している基板、特にフレキシブル基板上に薄膜を堆積させるように構成されうる。   [0015] FIG. 1A shows a schematic perspective view of a vacuum processing system 100 for processing a substrate, according to an embodiment described herein. In particular, the vacuum processing system 100 can be adapted to guide and process flexible substrates. For example, the vacuum processing system 100 can be configured to deposit a thin film from a plasma phase onto a moving substrate, particularly a flexible substrate.

［００１６］図１Ａ及び図１Ｂに例示するように、本書に記載の他の実施形態と組合せうる実施形態によれば、真空処理システム１００は、第１のチャンバ１１０と、第２のチャンバ１２０と、メンテナンスゾーン１３０と、少なくとも１つの処理チャンバ、例えば図１Ａ及び図１Ｂの処理チャンバ１４０と、通路１５０とを含みうる。例えば、第１のチャンバ１１０は、基板、特にフレキシブル基板１０を提供するための供給ロール１１１を収容するための巻き出しチャンバであってよい。第２のチャンバ１２０は、処理後にフレキシブル基板１０を収めるための巻き取りロール１２１を収容するための巻き付けチャンバであってよい。   [0016] As illustrated in FIGS. 1A and 1B, according to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the vacuum processing system 100 includes a first chamber 110, a second chamber 120, and A maintenance zone 130, at least one processing chamber, such as the processing chamber 140 of FIGS. 1A and 1B, and a passage 150. For example, the first chamber 110 may be an unwind chamber for containing a supply roll 111 for providing a substrate, particularly the flexible substrate 10. The second chamber 120 may be a winding chamber for accommodating a winding roll 121 for storing the flexible substrate 10 after processing.

［００１７］本開示において、「供給ロール」は、処理される基板、例えばフレキシブル基板が収められるロールと理解するべきである。したがって、本開示において、本書に記載の「巻き取りロール」は、処理された基板を受け入れるように適合されたロールと理解すべきである。更に、「供給ロール」は「再巻き付け器」とも称され得、「巻き取りロール」は「巻き出し器」とも称されうることに留意すべきである。   [0017] In this disclosure, a "supply roll" should be understood as a roll that contains a substrate to be processed, such as a flexible substrate. Thus, in this disclosure, the “winding roll” described herein should be understood as a roll adapted to receive a processed substrate. Furthermore, it should be noted that the “feed roll” can also be referred to as “rewinder” and the “windup roll” can also be referred to as “unwinder”.

［００１８］本開示において、「フレキシブル基板」は、曲げることができる基板として特徴づけられうる。例えば、フレキシブル基板は箔であってよい。詳細には、本書に記載の処理システムの実施形態をいずれかの種類のフレキシブル基板を処理するために、例えばフレキシブル基板にコーティング又は電子デバイスを製造するために用いることができることを理解すべきである。例えば、本書に記載の基板は、ＰＥＴ、ＨＣ−ＰＥＴ、ＰＥ、ＰＩ、ＰＵ、ＴａＣのような材料、一又は複数の金属、紙、それらの組み合わせ、及びハードコートＰＥＴ（例えば、ＨＣ−ＰＥＴ、ＨＣ−ＴＡＣ）など既にコーティングされている基板を含み得る。   [0018] In the present disclosure, a "flexible substrate" may be characterized as a substrate that can be bent. For example, the flexible substrate may be a foil. In particular, it should be understood that the embodiments of the processing system described herein can be used to process any type of flexible substrate, for example, to manufacture a coating or electronic device on the flexible substrate. . For example, the substrates described herein include materials such as PET, HC-PET, PE, PI, PU, TaC, one or more metals, paper, combinations thereof, and hard-coated PET (eg, HC-PET, An already coated substrate such as HC-TAC) may be included.

［００１９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる、ある実施形態によれば、真空処理システムは、５００ｍ以上、例えば９００ｍ以上、例えば１０００ｍの基板長さに対応するように構成されうる。基板の幅は、３００ｍｍ以上、例えば４００ｍｍ以上、特に１４００ｍｍ以上であってよい。通常、基板の厚さは、５０μｍから２００μｍとすることができる。   [0019] According to certain embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the vacuum processing system can be configured to accommodate substrate lengths of 500 meters or more, such as 900 meters or more, such as 1000 meters. The width of the substrate may be 300 mm or more, for example 400 mm or more, in particular 1400 mm or more. Usually, the thickness of the substrate can be 50 μm to 200 μm.

［００２０］本書に記載の実施形態は、第１のチャンバを巻き出しチャンバとして言及し、第２のチャンバを巻き付けチャンバとして言及するが、本書で言及する第１のチャンバは、巻き取りロールを有する巻き付けチャンバとして使用されてもよく、第２のチャンバは、供給ロールを有する巻き出しチャンバとして使用されてもよいことを理解するべきである。   [0020] Although the embodiments described herein refer to the first chamber as the unwind chamber and the second chamber as the wind chamber, the first chamber referred to herein has a take-up roll. It should be understood that the winding chamber may be used and the second chamber may be used as an unwinding chamber with a supply roll.

［００２１］実施形態によれば、真空処理システム１００の幾つかのチャンバ、又はすべてのチャンバは、真空処理のために適合され得る。例えば、第１のチャンバ、例えば巻き出しチャンバ、少なくとも１つの処理チャンバ、及び第２のチャンバ、例えば巻き付けチャンバ等の処理システムの少なくとも一部において、真空を生成又は維持することを可能にする構成要素又は機器を含みうる。幾つかの実施形態によれば、堆積システムは、堆積システムの少なくとも一部において真空を生成又は維持するため、真空ポンプ、排気ダクト、真空シールなどを含み得る。ある実施形態では、少なくとも１つの処理チャンバ、巻き付けチャンバ、及び巻き出しチャンバは、それぞれ、他のチャンバから独立した個々のチャンバ内で真空を生成且つ維持するための真空生成デバイス及び真空維持デバイスを含み得る。例えば、各チャンバは、それぞれのエリアを排気するための対応する個々の真空ポンプ又はポンピングステーションを有しうる。   [0021] According to embodiments, some or all chambers of the vacuum processing system 100 may be adapted for vacuum processing. A component that allows a vacuum to be generated or maintained in at least a portion of a processing system such as, for example, a first chamber, eg, an unwind chamber, at least one processing chamber, and a second chamber, eg, a winding chamber Or it may include equipment. According to some embodiments, the deposition system may include a vacuum pump, an exhaust duct, a vacuum seal, etc. to create or maintain a vacuum in at least a portion of the deposition system. In some embodiments, the at least one processing chamber, the winding chamber, and the unwinding chamber each include a vacuum generation device and a vacuum maintenance device for generating and maintaining a vacuum in individual chambers independent of the other chambers. obtain. For example, each chamber may have a corresponding individual vacuum pump or pumping station for evacuating the respective area.

［００２２］ある実施形態によれば、真空条件下で作動するように適合されている処理システムのチャンバは、真空気密筐体（ｖａｃｕｕｍ ｔｉｇｈｔ ｅｎｃｌｏｓｕｒｅ）を形成する、この真空気密筐体は、すなわち、約０．２から１０ｍｂａｒの圧力を有する真空、又は更に１＊１０−４から１＊１０−２ｍｂａｒの圧力を有する真空にまで排気され得る。特に、異なる圧力形態で行われるＰＶＤプロセスに対しては１０−３ｍｂａｒの範囲、ＣＶＤに対してはｍｂａｒの範囲の異なる圧力範囲が考えられる。更に、一又は複数のチャンバは、１＊１０−６ｍｂａｒ以下の圧力で背景真空（ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ ｖａｃｕｕｍ）まで排気され得る。背景圧力とは、いずれかのガスのいずれの吸気口も使わずにチャンバを排気させることによって到達する圧力を意味する。これとは逆に、本書に記載の実施形態によれば、第１のチャンバ１１０と第２のチャンバ１２０との間に設けられたメンテナンスゾーンは、操作員がメンテナンスアクセスを使用することができるように大気（すなわち周囲空気）条件下にある。 [0022] According to certain embodiments, the chamber of the processing system adapted to operate under vacuum conditions forms a vacuum tight enclosure, which is: It can be evacuated to a vacuum with a pressure of about 0.2 to 10 mbar or even a vacuum with a pressure of 1 * 10 −4 to 1 * 10 −2 mbar. In particular, different pressure ranges are possible, in the range of 10 −3 mbar for PVD processes performed in different pressure forms and in the range of mbar for CVD. Furthermore, the chamber or chambers can be evacuated to background vacuum at a pressure of 1 * 10 −6 mbar or less. By background pressure is meant the pressure reached by evacuating the chamber without using any inlet of any gas. In contrast, according to the embodiments described herein, the maintenance zone provided between the first chamber 110 and the second chamber 120 allows an operator to use maintenance access. Under atmospheric (ie ambient air) conditions.

［００２３］図１Ａ及び１Ｂに例示するように、メンテナンスゾーン１３０と第１の処理チャンバ１４０Ａとの間に第１のチャンバ１１０が設けられうる。第１のチャンバ１１０、例えば巻き出しチャンバと、第２のチャンバ１２０、例えば巻き付けチャンバとの間にメンテナンスゾーン１３０が配置されうる。したがって、第１のチャンバ１１０と第２のチャンバ１２０との間にメンテナンスゾーンが配置されていることにより、真空処理システムの作動の、例えば、前、後、又は途中に、第１のチャンバ及び／又は第２のチャンバのメンテナンスアクセス、或いは第１のチャンバ及び／又は第２のチャンバへのメンテナンスアクセスが可能になる。   [0023] As illustrated in FIGS. 1A and 1B, a first chamber 110 may be provided between the maintenance zone 130 and the first processing chamber 140A. A maintenance zone 130 may be disposed between the first chamber 110, eg, the unwind chamber, and the second chamber 120, eg, the winding chamber. Accordingly, the maintenance zone located between the first chamber 110 and the second chamber 120 allows the first chamber and / or during, for example, before, after, or during operation of the vacuum processing system. Alternatively, maintenance access to the second chamber or maintenance access to the first chamber and / or the second chamber is possible.

［００２４］本開示において、本書で言及する「メンテナンスゾーン」は、処理システムの一又は複数のチャンバのメンテナンスを可能にするゾーンとして理解するべきである。したがって、「メンテナンスゾーン」は、サービスゾーンでありうることが理解される。例えば、メンテナンスゾーンは、処理システムのチャンバのうちの一又は複数の中に存在する構成要素を監視、制御、維持、洗浄、又は交換することを可能にし得る。更に、「メンテナンスゾーン」という用語は、操作員によって実施されるメンテナンスを可能にするゾーンとして理解してもよい。したがって、本書に記載のメンテナンスゾーンは、チャンバの、又はチャンバへのメンテナンスアクセスを可能にしうる。例えば、メンテナンスゾーンは、本書に記載のように、巻き出しチャンバ又は巻き付けチャンバにアクセスすることを可能にし得る。メンテナンスアクセスは、視覚的メンテナンス、信号制御又は信号受信のための電子ユニットへのアクセス、又は物理的な立ち入りを含み得る。ある実施形態によれば、メンテナンスゾーンでは、大気条件が提供される。ある実施形態では、メンテナンスゾーンは、メンテナンスゾーンによってアクセスが可能である処理システムのチャンバのうちの一又は複数の中に存在する構成要素を制御、洗浄、又は交換することを可能にし得る。幾つかの実施形態では、メンテナンスゾーンは、処理システムのチャンバ内の処理に影響を与えるためのスイッチ、ボタン、制御ダイヤル、モニター、アクチュエータ、モジュレータなどの制御要素へのアクセスを提供し得る。一実施例では、メンテナンスゾーンは、巻き付け又は巻き出し処理を終了させるスイッチを有してもよい。他の実施形態又は更なる実施形態では、メンテナンスゾーンは、温度、圧力、湿度などの環境条件を第１及び／又は第２のチャンバにおいて制御するための制御要素を有してもよい。実施形態によれば、メンテナンスゾーンは、大気条件を提供する。   [0024] In this disclosure, a "maintenance zone" as referred to herein should be understood as a zone that allows maintenance of one or more chambers of the processing system. Thus, it is understood that the “maintenance zone” can be a service zone. For example, a maintenance zone may allow monitoring, controlling, maintaining, cleaning, or replacing components that are present in one or more of the chambers of the processing system. Further, the term “maintenance zone” may be understood as a zone that allows maintenance performed by an operator. Accordingly, the maintenance zone described herein may allow maintenance access to or to the chamber. For example, a maintenance zone may allow access to an unwind chamber or wrap chamber as described herein. Maintenance access may include visual maintenance, access to an electronic unit for signal control or signal reception, or physical access. According to certain embodiments, atmospheric conditions are provided in the maintenance zone. In certain embodiments, the maintenance zone may allow control, cleaning, or replacement of components present in one or more of the chambers of the processing system accessible by the maintenance zone. In some embodiments, the maintenance zone may provide access to control elements such as switches, buttons, control dials, monitors, actuators, modulators, etc., to affect processing within the chamber of the processing system. In one embodiment, the maintenance zone may include a switch that terminates the winding or unwinding process. In other or further embodiments, the maintenance zone may have control elements for controlling environmental conditions such as temperature, pressure, humidity, etc. in the first and / or second chamber. According to embodiments, the maintenance zone provides atmospheric conditions.

［００２５］図１Ｂを例示として参照する、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、少なくとも１つの処理チャンバ（例：図１Ｂの処理チャンバ１４０）、特に第１の処理チャンバ１４０Ａは、第１のチャンバ１１０、例えば巻き出しチャンバに隣接するように配置されうる。少なくとも１つの処理チャンバには、処理チャンバ内で処理が実施されている間に基板をガイドするための処理ドラム１４２が設けられうる。処理ドラム１４２は、一または複数の堆積源などの、処理チャンバ内に存在する一又は複数の処理構成要素を通り越して、フレキシブル基板１０をガイドするように適合され得る。ある実施形態によれば、処理ドラム１４２は、摂氏約−２０度〜４００度の温度に加熱及び／又は冷却されるように構成されうる。したがって、処理ドラムは加熱及び／又は冷却チャネルを含みうる。   [0025] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, with reference to FIG. 1B by way of example, at least one processing chamber (eg, processing chamber 140 of FIG. 1B), particularly the first processing chamber. 140A can be positioned adjacent to the first chamber 110, eg, the unwind chamber. At least one processing chamber may be provided with a processing drum 142 for guiding the substrate while processing is being performed in the processing chamber. The processing drum 142 may be adapted to guide the flexible substrate 10 past one or more processing components present in the processing chamber, such as one or more deposition sources. According to certain embodiments, the processing drum 142 may be configured to be heated and / or cooled to a temperature of about −20 degrees to 400 degrees Celsius. Thus, the processing drum can include heating and / or cooling channels.

［００２６］本開示において、本書に記載の「処理チャンバ」は、処理が行われるチャンバと理解するべきである。例えば、処理チャンバの中では、基板上に材料を堆積させるために堆積処理が行われ得る。しかしながら、処理チャンバは、以下に詳細に説明するように、代替的又は追加的な処理に対しても適合されうる。   [0026] In this disclosure, a “processing chamber” as described herein should be understood as a chamber in which processing occurs. For example, in the processing chamber, a deposition process can be performed to deposit material on the substrate. However, the processing chamber may be adapted for alternative or additional processing as described in detail below.

［００２７］ある実施形態によれば、少なくとも１つの処理チャンバは、処理構成要素を収容し得る。本開示において、「処理構成要素」は、基板上に材料を堆積させるための構成要素、及び／又は基板を加熱するための構成要素、及び／又は基板を冷却させるための構成要素、及び／又は基板に前処理を施すための構成要素、及び／又は基板、あるいは基板上に配置された層をエッチングするための構成要素、及び／又は基板を洗浄するための構成要素等であることを理解すべきである。したがって、ある実施形態では、処理チャンバは、基板上に材料を堆積させるための堆積源、加熱デバイス（加熱ランプ（例えば赤外線ランプ）など）、処理ドラム内の冷却チャネル、洗浄装置、例えば、プラズマ前処理によって、後段階で実施される処理のために基板を準備する装置のような前処理装置、エッチング装置などを含みうる。幾つかの実施形態によれば、基板をプラズマで処理するため、前処理プラズマ源（例えば、ＲＦプラズマ源）を提供し得る。例えば、プラズマでの前処理は、基板表面に堆積された膜の膜接着性を向上させるために基板表面の表面改質をもたらすことがあり、或いは、その処理を改善するために別の方法で基板形態を改善することがある。したがって、当然ながら、本書に記載の処理チャンバは、ＣＶＤチャンバ、ＰＶＤチャンバ、ＰＥＣＶＤチャンバ、エッチングチャンバ、又は他のいずれかの好ましい処理チャンバであってよい。   [0027] According to certain embodiments, at least one processing chamber may contain processing components. In the present disclosure, a “processing component” refers to a component for depositing material on a substrate, and / or a component for heating the substrate, and / or a component for cooling the substrate, and / or Understand that it is a component for pre-processing the substrate and / or a component for etching the substrate or a layer disposed on the substrate and / or a component for cleaning the substrate, etc. Should. Thus, in certain embodiments, the processing chamber includes a deposition source for depositing material on the substrate, a heating device (such as a heating lamp (eg, an infrared lamp)), a cooling channel within the processing drum, a cleaning device, such as a plasma pre- Depending on the process, a pre-processing apparatus such as an apparatus for preparing a substrate for a process to be performed at a later stage, an etching apparatus, or the like may be included. According to some embodiments, a pretreatment plasma source (eg, an RF plasma source) may be provided for treating a substrate with a plasma. For example, pre-treatment with plasma may result in surface modification of the substrate surface to improve film adhesion of a film deposited on the substrate surface, or in another way to improve the treatment. The substrate form may be improved. Thus, of course, the processing chamber described herein may be a CVD chamber, PVD chamber, PECVD chamber, etching chamber, or any other preferred processing chamber.

［００２８］図１Ｂを例示として参照すると、本書に記載の処理システムの実施形態によれば、第１のチャンバ１１０、例えば巻き出しチャンバの供給ロール１１１から第１の処理チャンバ１４０Ａの処理ドラム１４２まで、さらに通路１５０を通って第２のチャンバ１２０、例えば巻き付けチャンバの巻き取りロール１２１まで基板搬送方向１０８に沿って基板、例えばフレキシブル基板１０をガイドすることができる。図１Ｂに例示するように、フレキシブル基板の前面を接触させずに、巻き出しチャンバの供給ロール１１１から巻き付けチャンバの巻き取りロール１２１まで処理チャンバ１４０内の少なくとも１つの処理領域を通ってフレキシブル基板をガイドするためのガイドローラ１０４の装置が設けられうる。操作中、フレキシブル基板は、少なくとも１つの処理領域の中に基板搬送方向に移動され得、処理領域には例えば、プラズマ堆積源が、例えばプラズマ相から移動している基板上に薄膜が堆積されうるように、堆積ガスをプラズマ相内に移動させるように配置されうる。本書に記載の他の実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、搬送装置の一又は複数のガイドローラは加熱されうる。具体的には、処理ドラムによって一または複数の処理領域を通して基板がガイドされる位置の前に設置されるガイドローラは、加熱されるように構成されうる。したがって、基板からの湿気の軽減は、処理ゾーンの前に設置された加熱されたガイドローラを使用することを通して達成されうる。更に、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理システムには、例えば加熱されたガイドローラを使用することによって基板からガス放出された蒸気を集めるためのトラップ（図示せず）、例えば低温トラップが設けられうる。具体的には、基板からのガス抜きされた蒸気を集めるためのトラップは、本書に記載の加熱されたローラによって基板が加熱されたことに起因して湿気が蒸発しうる基板の表面に対向する位置に配置されうる。   [0028] Referring to FIG. 1B by way of example, according to an embodiment of the processing system described herein, from a supply roll 111 of a first chamber 110, eg, an unwind chamber, to a processing drum 142 of the first processing chamber 140A. Further, the substrate, for example, the flexible substrate 10 can be guided along the substrate transport direction 108 through the passage 150 to the second chamber 120, for example, the winding roll 121 of the winding chamber. As illustrated in FIG. 1B, the flexible substrate is passed through at least one processing region in the processing chamber 140 from the unwinding chamber supply roll 111 to the winding chamber winding roll 121 without contacting the front surface of the flexible substrate. A device of a guide roller 104 for guiding may be provided. During operation, the flexible substrate can be moved into the substrate transport direction into at least one processing region, where, for example, a plasma deposition source can be deposited, for example, a thin film can be deposited on a substrate moving from the plasma phase. As such, the deposition gas can be arranged to move into the plasma phase. According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, one or more guide rollers of the transport device may be heated. Specifically, the guide roller installed in front of the position where the substrate is guided through the one or more processing regions by the processing drum may be configured to be heated. Thus, moisture reduction from the substrate can be achieved through the use of heated guide rollers installed in front of the processing zone. Further, according to an embodiment that can be combined with other embodiments described herein, the processing system includes a trap (not shown) for collecting vapors released from the substrate, for example, by using a heated guide roller. E.g., a cold trap may be provided. Specifically, the trap for collecting the degassed vapor from the substrate faces the surface of the substrate where moisture can evaporate due to the substrate being heated by the heated roller described herein. Can be placed in position.

［００２９］本開示において、「ロール」、又は「ローラ」は、処理システム内に基板が存在する間、基板（又は基板の一部）が接触し得る表面を提供する装置と理解してもよい。本書で言及されている「ロール」又は「ローラ」の少なくとも一部は、処理される基板又は既に処理された基板に接触するための円形のような形状を含み得る。幾つかの実施形態では、「ロール」又は「ローラ」は、実質的に円筒形状を有し得る。実質的な円筒形状は、真っすぐな長手方向軸の周りに形成されてもよく、又は湾曲した長手方向軸の周りに形成されてもよい。幾つかの実施形態によれば、本書に記載の「ロール」又は「ローラ」は、フレキシブル基板と接触するように適合され得る。例えば、本書で言及される「ロール」又は「ローラ」は、基板が処理される間（堆積処理の間など）又は基板が処理システム内に存在する間に基板をガイドするように適合されたガイドローラ、コーティングされる基板に規定された張力を付与するように適合されたスプレッダローラ（拡張ローラ）、規定された移動経路に従って基板を偏向するための偏向ローラ、処理ドラム（例えばコーティングローラ又はコーティングドラム等）の処理の間に基板を支持するための処理ローラ、調整ローラ、供給ロール、巻き取りロール等であってよい。本書に記載の「ロール」又は「ローラ」は、金属を含み得る。一実施形態では、基板と接触するべきローラ装置の表面は、コーティングされるべきそれぞれの基板に適合され得る。更に、幾つかの実行形態によれば、本書に記載のローラは、特に両軸受ローラ構造を有する低摩擦ローラ軸受に装着されうると理解されたい。したがって、本書に記載の搬送装置のローラの平行度が達成され得、基板の搬送中に横方向に「動いてしまう」基板がなくなりうる。   [0029] In this disclosure, a "roll" or "roller" may be understood as an apparatus that provides a surface with which a substrate (or a portion of a substrate) can contact while the substrate is present in a processing system. . At least a portion of the “roll” or “roller” referred to herein may include a shape such as a circle for contacting a substrate to be processed or a substrate that has already been processed. In some embodiments, the “roll” or “roller” may have a substantially cylindrical shape. The substantially cylindrical shape may be formed around a straight longitudinal axis or may be formed around a curved longitudinal axis. According to some embodiments, the “roll” or “roller” described herein may be adapted to contact a flexible substrate. For example, a “roll” or “roller” as referred to herein is a guide adapted to guide a substrate while the substrate is being processed (such as during a deposition process) or while the substrate is in a processing system. Rollers, spreader rollers (expansion rollers) adapted to apply a defined tension to the substrate to be coated, deflection rollers for deflecting the substrate according to a defined movement path, processing drums (eg coating roller or coating drum) Etc.) may be a processing roller, an adjustment roller, a supply roll, a take-up roll or the like for supporting the substrate during the processing. The “roll” or “roller” described herein may include metal. In one embodiment, the surface of the roller device to be in contact with the substrate can be adapted to the respective substrate to be coated. Furthermore, it should be understood that, according to some implementations, the rollers described herein can be mounted on low friction roller bearings, particularly having a dual bearing roller structure. Accordingly, the parallelism of the rollers of the transport apparatus described herein can be achieved, and there can be no substrate that “moves” laterally during substrate transport.

［００３０］幾つかの実施形態では、本書に記載の処理システム１００のチャンバ間でフレキシブル基板１０をガイドするガイドローラ１０４は、張力測定のために更に構成されうる。本書に記載の実施形態の典型的な実行形態によれば、処理システムに少なくとも１つの張力測定ローラが設けられうる。処理ドラム１４２の両側に２つの張力測定ローラが設けられうることが有益であり、これにより処理ドラムの巻き付け側と巻き出し側での張力測定が可能になる。特に、張力測定ローラは、フレキシブル基板の張力を測定するように構成されうる。これによって、基板搬送をより好ましく制御することができ、処理ドラム上の基板の圧力を制御することができ、及び／又は基板に対する損傷を低減又は回避することができる。   [0030] In some embodiments, the guide roller 104 that guides the flexible substrate 10 between the chambers of the processing system 100 described herein may be further configured for tension measurement. According to an exemplary implementation of the embodiments described herein, the processing system can be provided with at least one tension measuring roller. Advantageously, two tension measuring rollers can be provided on either side of the processing drum 142, which allows tension measurement on the winding and unwinding sides of the processing drum. In particular, the tension measuring roller can be configured to measure the tension of the flexible substrate. Thereby, the substrate transport can be controlled more preferably, the pressure of the substrate on the processing drum can be controlled, and / or damage to the substrate can be reduced or avoided.

［００３１］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、供給ロール及び巻き取りロール、基板をガイドするためのガイドローラ、処理ドラム及びフレキシブル基板と接触している処理システム内の他のローラ又は要素は、フレキシブル基板の裏面、すなわち、処理システム内で処理されない（又は処理されるべきではない）側だけが接触するように、処理チャンバ内に位置付け且つ／又は配置される。このため、基板を巻き出しする、処理する、再巻き付けする、引っ張る又はガイドするときは、ローラによる基板前面との接触は起こらない。これにより、処理された基板の表面上、更に処理されるべき基板の表面上の汚染が低減する。したがって、特に処理された表面上の基板損傷のリスクが低減する。   [0031] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, in contact with a supply roll and a take-up roll, a guide roller for guiding a substrate, a processing drum and a flexible substrate Other rollers or elements in the processing system located within the processing chamber such that only the back side of the flexible substrate, ie, the side that is not processed (or should not be processed) in the processing system, is in contact and / or Be placed. For this reason, when unwinding, processing, rewinding, pulling or guiding the substrate, the roller does not contact the front surface of the substrate. This reduces contamination on the surface of the processed substrate and further on the surface of the substrate to be processed. Thus, the risk of substrate damage on the specifically treated surface is reduced.

［００３２］本書に記載の他の実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、フレキシブル基板をガイドするためのガイドローラ１０４の最低巻き付け角度は１３度、具体的には１５度以上であってよい。したがって、最低巻き付け角度は、供給ロール１１１及び巻き取りロール１２１がそれぞれ空の時、又は完全に基板で一杯の時の２つの作動条件によって、又は２つの作動条件間で巻きつき方が変わるという事実に関連する。   [0032] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the minimum winding angle of the guide roller 104 for guiding the flexible substrate may be 13 degrees, specifically 15 degrees or more. . Therefore, the minimum winding angle is the fact that the winding method changes depending on or between the two operating conditions when the supply roll 111 and the winding roll 121 are each empty or completely filled with the substrate. is connected with.

［００３３］本書に記載の他の実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、処理ドラム１４２は、図１Ｃに例示するように、長手軸、特に処理ドラム１４２の回転軸１４３に対して回転可能である。処理ドラムは、湾曲した外面に沿って基板をガイドするための湾曲した外面を有しうる。したがって、フレキシブル基板１０は、回転している処理ドラム１４２の上を移動することによって搬送され、処理されうる。実施形態によれば、フレキシブル基板１０の処理は、例えば、これらに限定されないが、処理ドラム１４２上に配置されうるフレキシブル基板１０の一部でコーティング、メッキ又は積層処理を実施することによって達成されうる。幾つかの実施形態によれば、処理ドラム１４２の周りでの基板の巻き付け角度は、１８０度未満、具体的には１７０度未満、及びより具体的には１５０度未満であってもよい。   [0033] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the processing drum 142 is rotatable relative to a longitudinal axis, particularly a rotational axis 143 of the processing drum 142, as illustrated in FIG. 1C. It is. The processing drum may have a curved outer surface for guiding the substrate along the curved outer surface. Therefore, the flexible substrate 10 can be transported and processed by moving on the rotating processing drum 142. According to the embodiment, the processing of the flexible substrate 10 may be achieved by performing a coating, plating, or laminating process on a portion of the flexible substrate 10 that may be disposed on the processing drum 142, for example, but not limited thereto. . According to some embodiments, the wrap angle of the substrate around the processing drum 142 may be less than 180 degrees, specifically less than 170 degrees, and more specifically less than 150 degrees.

［００３４］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理システム内に存在するすべてのロールの巻き付け角度の合計は、１８０度と５４０度の間、例えば、１８０度と３６０度の間であってよい。幾つかの実施形態では、例えば、図２に例示するように第２の処理ドラムが提供される場合、堆積システム内に存在しているすべてのロール（供給ロール及び巻き取りロールを除いて）の巻き付け角度の合計は、５４０度以下であり得る。幾つかの実施形態では、堆積システム内に存在しているすべてのロール（供給ロール及び巻き取りロールを除いて）の巻き付け角度の合計は、３６０度未満であり得る。典型的に、特に少ない巻き付け角度の合計（３６０度未満の巻き付け角度など）が望まれる場合、ガイドローラの数は、２以上１０以下である。   [0034] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the total wrap angle of all rolls present in the processing system is between 180 degrees and 540 degrees, for example, 180 degrees and 360 degrees. It may be between degrees. In some embodiments, for example, when a second processing drum is provided as illustrated in FIG. 2, all rolls present in the deposition system (except the supply roll and take-up roll) The total wrap angle can be 540 degrees or less. In some embodiments, the total wrap angle of all rolls (except the supply roll and take-up roll) present in the deposition system may be less than 360 degrees. Typically, the number of guide rollers is 2 or more and 10 or less, particularly when a small total of winding angles (such as a winding angle of less than 360 degrees) is desired.

［００３５］当然ながら、例えばガイドロール、供給ロール、巻き取りロール、処理ドラム等の単一の構成要素、及び例えば堆積源又はエッチング装置等の処理構成要素を、例えばウェブ又は箔、あるいはガラス基板等のフレキシブル基板用に適合させることができる。例えば、ガイドロール及び／又は供給ロール及び／又は巻き取りロール及び／又は処理ドラムはそれぞれ、フレキシブル基板をガイドする、巻き出す、又は巻き付けるための面と形状寸法を有しうる。   [0035] Of course, a single component, such as a guide roll, supply roll, take-up roll, processing drum, and processing component, such as a deposition source or etching apparatus, such as a web or foil, or a glass substrate, etc. Can be adapted for flexible substrates. For example, the guide roll and / or supply roll and / or take-up roll and / or processing drum can each have a surface and geometry for guiding, unwinding or winding the flexible substrate.

［００３６］図１Ａ及び１Ｂを例示として参照すると、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、通路１５０は、第１の処理チャンバ１４０Ａと、処理された基板が巻き取りロール１２１上に巻かれうる例えば巻き付けチャンバ等の第２のチャンバ１２０とを接続させるように構成されうる。例えば、通路１５０は、第１のチャンバ１１０及び／又は第２のチャンバ１２０の上に配置されうる。他の実施形態では、通路は、第１のチャンバ１１０及び／又は第２のチャンバ１２０の下方に位置付けされたトンネルとして形成されてもよい。通路１５０（又はトンネル）を使用して、第１の処理チャンバ１４０Ａから第２のチャンバ１２０、例えば巻き付けチャンバまで基板をガイドすることができる。幾つかの実施形態によれば、通路又はトンネルは、例えば、それぞれのシール、ポンプ、スルースなどを設けることによって、真空条件下で基板をガイドするように適合され得る。幾つかの実施形態では、通路は、堆積システムの作動中は、大気条件下にありうる。大気条件下で通路を作動させることにより、コストと労力を節約することができる。幾つかの実施形態によれば、基板が処理チャンバから通路に入る位置に１つの間隙スルース１８０、そして基板が巻き付けチャンバに向けて通路を出るところに１つの間隙スルース１８０を設けるなど、通路にスルースを設けてもよい。   [0036] Referring to FIGS. 1A and 1B by way of example, according to an embodiment that may be combined with other embodiments described herein, the passageway 150 includes a first processing chamber 140A and a processed substrate take-up roll. It can be configured to connect a second chamber 120 such as a winding chamber that can be wound on 121. For example, the passage 150 can be disposed over the first chamber 110 and / or the second chamber 120. In other embodiments, the passageway may be formed as a tunnel positioned below the first chamber 110 and / or the second chamber 120. The passage 150 (or tunnel) can be used to guide the substrate from the first processing chamber 140A to the second chamber 120, eg, the winding chamber. According to some embodiments, the passages or tunnels can be adapted to guide the substrate under vacuum conditions, for example by providing respective seals, pumps, sluices, and the like. In some embodiments, the passageway can be under atmospheric conditions during operation of the deposition system. By operating the passages under atmospheric conditions, costs and labor can be saved. According to some embodiments, there is a gap sluice 180 in the location where the substrate enters the passage from the processing chamber and a gap sluice 180 where the substrate exits the passage toward the winding chamber, such as in the passage. May be provided.

［００３７］更に追加的に又は代替的に、トンネル又は通路は、その中に真空を生成且つ／又は維持するように適合され得る。しかしながら、幾つかの実施形態によれば、通路又はトンネルは、処理チャンバの一部であると理解してもよい。例えば、トンネルは、スルースによって処理チャンバから分離されない場合がある。したがって、トンネルには、例えば、片方又は両方の処理チャンバ内に存在する真空と同じ真空が供給され得る。一実施例では、トンネルは、片方又は両方の処理チャンバと同じ真空生成手段によって生成且つ維持される真空条件を提供し得る。   [0037] Additionally or alternatively, the tunnel or passage may be adapted to create and / or maintain a vacuum therein. However, according to some embodiments, the passage or tunnel may be understood to be part of the processing chamber. For example, the tunnel may not be separated from the processing chamber by sluice. Thus, the tunnel can be supplied with the same vacuum, eg, as exists in one or both processing chambers. In one embodiment, the tunnel may provide a vacuum condition that is created and maintained by the same vacuum generating means as one or both processing chambers.

［００３８］幾つかの実施形態では、トンネル又は通路は、真空条件及び／又は任意選択的に制御された不活性雰囲気下で作動するように適合され得る。代替的に、トンネル又は通路は、大気条件、又は周囲条件下で作動可能である。   [0038] In some embodiments, the tunnel or passage may be adapted to operate under vacuum conditions and / or optionally controlled inert atmosphere. Alternatively, the tunnel or passage can operate under atmospheric conditions or ambient conditions.

［００３９］幾つかの実施形態では、堆積システムの１つのチャンバから別のチャンバまで基板をガイドするために設けられた通路又はトンネルには、例えば基板、視覚的制御装置、基板制御装置等のための温度センサ、圧力センサ、張力センサ等の測定装置を提供するための適応装置が設けられうる。   [0039] In some embodiments, a passage or tunnel provided to guide the substrate from one chamber of the deposition system to another, for example for a substrate, a visual controller, a substrate controller, etc. Adaptive devices for providing measuring devices such as temperature sensors, pressure sensors, tension sensors, etc. can be provided.

［００４０］幾つかの実施形態では、通路（又はトンネル）、第１のチャンバ、及び第２のチャンバは、メンテナンスゾーンを取り囲む。一実施例では、通路は、メンテナンスゾーンの上方で延在する上側蓋内に、上側蓋内によって、又は上側蓋として、設けられ得る。別の実施例では、上述のように、通路は、メンテナンスゾーンの下方で延在する底部側トンネル内に、底部側トンネルによって、又は底部側トンネルとして、設けられ得る。   [0040] In some embodiments, the passage (or tunnel), the first chamber, and the second chamber surround a maintenance zone. In one example, the passageway may be provided in an upper lid that extends above the maintenance zone, in the upper lid, or as an upper lid. In another example, as described above, the passageway may be provided in a bottom tunnel that extends below the maintenance zone, by a bottom tunnel, or as a bottom tunnel.

［００４１］幾つかの実施形態によれば、少なくとも１つの処理チャンバは、ボトムアップ（ｂｏｔｔｏｍ−ｕｐ）方向又は水平方向で基板上に材料の堆積を可能にするように適合され得る。例えば、本書に記載の処理システムは、基板上の粒子発生が回避されるように、ボトムアップ式堆積源（ｂｏｔｔｏｍ−ｕｐ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｓｏｕｒｃｅｓ）が設けられ得る堆積システムとして使用可能である。本開示において、「ボトムアップ式堆積源」とは、図１Ｃに例示するように、堆積源が処理ドラム１４２の回転軸１４３の高さ以下に配置された構成として理解することができる。   [0041] According to some embodiments, the at least one processing chamber may be adapted to allow deposition of material on the substrate in a bottom-up or horizontal direction. For example, the processing system described herein can be used as a deposition system where bottom-up deposition sources can be provided so that particle generation on the substrate is avoided. In the present disclosure, the “bottom-up type deposition source” can be understood as a configuration in which the deposition source is disposed below the height of the rotation shaft 143 of the processing drum 142 as illustrated in FIG. 1C.

［００４２］図１Ｂ及び１Ｃを例示的に参照すると、本書に記載の他の実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、処理チャンバ１４０は、傾斜フランジ１４５を含みうる。幾つかの実施形態では、処理チャンバ１４０は、傾斜フランジ１４５によって接続される少なくとも２つの部分に分割され、この少なくとも２つの部分は、組み立てられたときに処理チャンバ１４０を形成しうる。図１Ｂに例示するように、処理チャンバ１４０の第１の部分１４６は、傾斜フランジ１４５によって、特に垂直方向に対して処理チャンバ１４０の第２の部分１４７に接続されていてよい。処理チャンバ１４０の第１の部分１４６は、処理ドラム１４２の周りに配置されている複数の処理構成要素を（少なくとも部分的に）収容しうる。例えば、図１Ｃに、堆積源等の一または複数の処理構成要素１４１のうちの１つの処理構成要素を、点線によって示される２つの別の堆積源とともに示す。幾つかの実施形態によれば、処理チャンバ内の処理構成要素の位置を制御し調整するために、処理チャンバの大気側のドライバに、例えば堆積源等の処理構成要素を装着することが可能である。例えば、ドライバは、最大３０ｍｍの工程を提供するように構成された線形アクチュエータであってよい。   [0042] Referring to FIGS. 1B and 1C exemplarily, according to an embodiment that may be combined with other embodiments described herein, the processing chamber 140 may include an inclined flange 145. In some embodiments, the processing chamber 140 may be divided into at least two parts connected by an inclined flange 145 that may form the processing chamber 140 when assembled. As illustrated in FIG. 1B, the first portion 146 of the processing chamber 140 may be connected to the second portion 147 of the processing chamber 140 by an inclined flange 145, particularly in the vertical direction. The first portion 146 of the processing chamber 140 may (at least partially) contain a plurality of processing components disposed about the processing drum 142. For example, FIG. 1C shows one processing component of one or more processing components 141, such as a deposition source, with two other deposition sources indicated by dotted lines. According to some embodiments, a process component, such as a deposition source, can be attached to a driver on the atmosphere side of the process chamber to control and adjust the position of the process component within the process chamber. is there. For example, the driver may be a linear actuator configured to provide a maximum 30 mm process.

［００４３］しかし、本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、２つ以上の処理構成要素、例えば、堆積源を設け得ることを理解されたい。例えば、４つ、５つ、６つ、或いは、８つ、１０個、又は１２個など更に多くの処理構成要素、例えば、堆積源を設けることも可能である。処理構成要素は、それぞれの処理領域内に設けられてもよく、処理ドラム１４２によって支持されている基板は、それぞれの処理領域内で処理されうる。   [0043] However, it should be understood that according to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, more than one processing component, eg, a deposition source, may be provided. It is possible to provide more processing components, for example, deposition sources, such as 4, 5, 6, or 8, 10, or 12, for example. Processing components may be provided in each processing region, and a substrate supported by the processing drum 142 may be processed in each processing region.

［００４４］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理チャンバ１４０の第１の部分１４６は、処理構成要素（堆積源又はツールなど）を第１の部分１４６に外部的に取り付けられるように適合され得る。処理チャンバ１４０の第２の部分１４７は、例えば、通路１５０と連通することにより、又は（例えば図１Ｃに示すように）通路の一部になることにより、通路１５０に接続可能に構成されうる。   [0044] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first portion 146 of the processing chamber 140 externally attaches processing components (such as a deposition source or tool) to the first portion 146. Can be adapted to be attached to. The second portion 147 of the processing chamber 140 may be configured to be connectable to the passage 150, for example, by communicating with the passage 150 or by becoming part of the passage (eg, as shown in FIG. 1C).

［００４５］本書に記載の幾つかの実施形態によれば、処理チャンバ１４０の傾斜フランジ１４５は、処理チャンバ内で処理領域を分離させるための処理チャンバ内の分離壁を提供し得る。例えば、図面に示す傾斜フランジ１４５は、処理チャンバ１４０内の真空気密分離壁を示し得る。一実施例では、第１の処理チャンバ１４０Ａ内の真空気密分離壁は、基板を通過させるためのスルースなどを提供し得る。処理チャンバ１４０内に分離壁を設けることにより、特に、堆積が行われる処理チャンバ内の領域を、基板のガイドのみが行われる処理チャンバ内の領域又は前処理あるいは後処理が行われる処理チャンバ内の領域から分離させたとき、汚染リスクが低減し得る。   [0045] According to some embodiments described herein, the inclined flange 145 of the processing chamber 140 may provide a separation wall within the processing chamber for separating the processing regions within the processing chamber. For example, the inclined flange 145 shown in the drawings may represent a vacuum-tight separation wall within the processing chamber 140. In one example, the vacuum-tight separation wall in the first processing chamber 140A may provide a sluice or the like for passing the substrate. By providing a separation wall in the processing chamber 140, in particular, the region in the processing chamber where deposition is performed is the region in the processing chamber where only the substrate guide is performed or in the processing chamber where pre-processing or post-processing is performed. When separated from the area, the risk of contamination can be reduced.

［００４６］処理チャンバ１４０の傾斜フランジ１４５は、処理される基板の下方に例えば堆積源などの処理構成要素１４１を配置すること可能にし得る。したがって、堆積処理が処理チャンバ内で実施される場合、堆積は、基板の上方ではなく、基板の下方から行なわれ得る。幾つかの実施形態では、図１Ｃに例示するように、堆積は、基板に対して水平方向から実施され得る。幾つかの実施形態によれば、堆積源は、処理ドラム１４２の下半分に設けられうる。本書に記載の実施形態に係る堆積システムにおいては、下に向かっての堆積、すなわち、源の配向が処理ドラム１４２の水平中心線又は処理ドラム１４２の回転軸１４３の上である堆積は使用されないところが有益である。特に、本書に記載の実施形態によれば、堆積源の配置は、処理ドラム１４２の回転軸１４３の高さ以下に設けられうる。したがって、基板及び処理を汚染しうる発生粒子は、重力のせいで堆積源に残るため、基板上及び／又は堆積された層内での好ましくない粒子の発生を回避することができる。   [0046] The inclined flange 145 of the processing chamber 140 may allow a processing component 141, such as a deposition source, to be placed below the substrate being processed. Thus, when the deposition process is performed in a processing chamber, the deposition can be performed from below the substrate rather than above the substrate. In some embodiments, the deposition can be performed from a horizontal direction relative to the substrate, as illustrated in FIG. 1C. According to some embodiments, the deposition source may be provided in the lower half of the processing drum 142. In the deposition system according to the embodiments described herein, downward deposition, i.e., deposition in which the orientation of the source is on the horizontal centerline of the processing drum 142 or the rotational axis 143 of the processing drum 142 is not used. It is beneficial. In particular, according to the embodiments described herein, the arrangement of the deposition source can be provided below the height of the rotating shaft 143 of the processing drum 142. Thus, generated particles that can contaminate the substrate and process remain in the deposition source due to gravity, thus avoiding the generation of undesirable particles on the substrate and / or in the deposited layer.

［００４７］したがって、図１Ｂ及び１Ｃに例示するように、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理チャンバ１４０の外形は、処理構成要素、例えば堆積源のボトムアップ配置に対して適合されうる。例えば、処理チャンバ１４０の外形は、処理チャンバ１４０内に配置された各処理構成要素の位置を考慮して、セグメント化された形状を有してもよい。幾つかの実施形態では、チャンバの外形は、図１Ｂ及び１Ｃに例示するように、曲折した形又は多角形状を有してもよい。   [0047] Thus, according to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, as illustrated in FIGS. 1B and 1C, the profile of the processing chamber 140 is a bottom-up arrangement of processing components, eg, deposition sources. Can be adapted to. For example, the outer shape of the processing chamber 140 may have a segmented shape that takes into account the position of each processing component disposed within the processing chamber 140. In some embodiments, the chamber outline may have a bent or polygonal shape, as illustrated in FIGS. 1B and 1C.

［００４８］幾つかの実施形態によれば、処理チャンバは、処理チャンバ内で処理構成要素を支持又は保持するための一又は複数の支持装置を含んでもよい。幾つかの実施形態では、支持装置は、所定の時間間隔において所定の公差内で、処理構成要素を固定位置に保持するのに適し得る。一実施例では、処理チャンバは、基板上に材料を堆積させるための堆積源、加熱デバイス（加熱ランプ、例えば、赤外線ランプなど）、洗浄装置、及び後段階で実施される処理のために基板を準備する装置のような前処理装置などの上述の処理構成要素を支持又は保持するための支持装置を含んでもよい。幾つかの実施形態では、支持装置は、締め付け装置、把持装置、テーブル、取り付け具、キャリア、留め具、取付装置、アダプタ装置などを含んでもよい。   [0048] According to some embodiments, the processing chamber may include one or more support devices for supporting or holding the processing components within the processing chamber. In some embodiments, the support device may be suitable for holding the processing component in a fixed position within a predetermined tolerance at a predetermined time interval. In one embodiment, the processing chamber includes a deposition source for depositing material on the substrate, a heating device (such as a heating lamp, such as an infrared lamp), a cleaning apparatus, and a substrate for processing performed at a later stage. A support device may be included for supporting or holding the above-described processing components, such as a pre-processing device such as a device to prepare. In some embodiments, the support device may include a clamping device, a gripping device, a table, an attachment, a carrier, a fastener, an attachment device, an adapter device, and the like.

［００４９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更に別の実施形態によれば、図６を参照しながら後に更に詳細に例示として説明するように、堆積システムの処理チャンバは、区画部又は開口部を有してもよく、堆積源又は堆積源を有する堆積ステーションなどの処理構成要素は、異なる種類の堆積源が処理チャンバ内で分離されるように、それぞれの開口部又はそれぞれの区画部の中に位置付けされ得る。   [0049] According to yet another embodiment that can be combined with other embodiments described herein, the processing chamber of the deposition system comprises a compartment, as will be described in greater detail below with reference to FIG. A process component, such as a deposition source or a deposition station having a deposition source, so that different types of deposition sources are separated within the processing chamber. It can be positioned in the compartment.

［００５０］図１Ｃに、図１Ｂに概略的に示す処理システム１００の更なる詳細図を示す。図１Ｃに例示するように、幾つかの実施形態では、フレキシブル基板１０は、処理システムのチャンバを分離している壁のスリット又は開口部を通って、例えば第１のチャンバ１１０と処理チャンバ１４０との間の分離壁１２２のスリット又は開口部を通ってガイドされうる。例えば、スリットは、ある真空チャンバから別の真空チャンバへと基板をガイドするように適合されてもよい。他の実施形態では、スリット又は開口部は、スリットによって連結された２つのチャンバの圧力条件を少なくとも実質的に分離するための密封要素を含み得る。例えば、スリット又は開口部によって連結されている複数のチャンバが異なる圧力条件を提供する場合、壁のスリット又は開口部は、それぞれのチャンバ内の圧力を維持するように設計される。   [0050] FIG. 1C shows a further detailed view of the processing system 100 shown schematically in FIG. 1B. As illustrated in FIG. 1C, in some embodiments, the flexible substrate 10 passes through a slit or opening in the wall separating the chambers of the processing system, for example, the first chamber 110 and the processing chamber 140. Can be guided through a slit or opening in the separation wall 122 between the two. For example, the slit may be adapted to guide the substrate from one vacuum chamber to another. In other embodiments, the slit or opening may include a sealing element for at least substantially separating the pressure conditions of the two chambers connected by the slit. For example, if multiple chambers connected by slits or openings provide different pressure conditions, the wall slits or openings are designed to maintain the pressure in each chamber.

［００５１］本書に記載の実施形態によれば、図１Ｃに例示するように、第１のチャンバ１１０又は巻き出しチャンバを処理チャンバ１４０から分離するために、少なくとも１つの、例えば間隙スルース１８０等の間隙スルース（ｇａｐ ｓｌｕｉｃｅ）又はロードロックバルブが分離壁１２２に設けられる。少なくとも１つの間隙スルースは、フレキシブル基板が通過しうるように、また開閉して真空密封を提供し得るように構成されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、間隙スルース１８０は、基板をガイドするため、例えば基板の動きを角度１０度以上方向づけし直すためのローラを含みうる。更に、間隙スルースのローラに対して押圧されうる膨張式シールが設けられうる。したがって、間隙スルースは、シールを膨張させることによって閉じることができ、第１のチャンバ１１０と処理チャンバ１４０とは真空気密された状態で互いから分離される。このため、例えば第１のチャンバ１１０を排気することができ、その一方で処理チャンバ１４０を実用的真空下に維持することができる。   [0051] According to embodiments described herein, as illustrated in FIG. 1C, at least one, such as a gap sluice 180, may be used to separate the first chamber 110 or unwind chamber from the processing chamber 140. A gap sluice or load lock valve is provided on the separation wall 122. The at least one gap sluice may be configured to allow the flexible substrate to pass through and open and close to provide a vacuum seal. According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the gap sluice 180 can include a roller to guide the substrate, for example, to redirect the movement of the substrate more than 10 degrees. In addition, an inflatable seal can be provided that can be pressed against the gap sluice roller. Thus, the gap sluice can be closed by inflating the seal, and the first chamber 110 and the processing chamber 140 are separated from each other in a vacuum-tight manner. Thus, for example, the first chamber 110 can be evacuated while the processing chamber 140 can be maintained under a practical vacuum.

［００５２］更なる代替的な実行形態によれば、間隙スルース又はロードロックバルブには、ローラを設けなくてもよい。膨張式シールは、基板を平坦なシール面に対して押圧しうる。また、基板が挿入されている間に開閉を行うことができる、すなわち開かれた基板経路及び真空シールを有する、間隙スルースを選択的に開閉するための他の手段も用いることができる。基板が挿入されている間に真空シールを閉じるための間隙スルースにより、新たなロールからの基板を前のロールからの基板に付着させることができるため、特に基板を簡単に交換することができるようになる。   [0052] According to a further alternative implementation, the clearance sluice or load lock valve may not be provided with a roller. The inflatable seal can press the substrate against a flat sealing surface. Other means for selectively opening and closing the gap sluice can also be used that can be opened and closed while the substrate is inserted, i.e., having an open substrate path and vacuum seal. A gap sluice to close the vacuum seal while the substrate is being inserted allows the substrate from the new roll to adhere to the substrate from the previous roll, so that the substrate can be particularly easily replaced become.

［００５３］間隙、開口部、又は間隙スルースは、フレキシブル基板を第１のチャンバから処理チャンバへとガイドすることに関して説明されるが、本書に記載の間隙、開口部、又は間隙スルースは、処理チャンバ１４０と通路１５０との間、通路１５０と第２のチャンバ１２０との間、及び／又は例えば図２に示す第２の処理チャンバ２４０等の別の処理チャンバと第２のチャンバ１２０との間など、処理システムの他の部分の間でも使用され得る。   [0053] While a gap, opening, or gap sluice is described with respect to guiding the flexible substrate from the first chamber to the processing chamber, the gap, opening, or gap sluice described herein is 140 between passage 150 and between passage 150 and second chamber 120 and / or between another processing chamber such as second processing chamber 240 shown in FIG. It can also be used among other parts of the processing system.

［００５４］幾つかの実施形態によれば、図１Ｃの第１のチャンバ１１０と第２のチャンバ１２０の点線によって例示するように、真空処理システム１００は、例えば処理されるフレキシブル基板１０が間紙１１とともに供給ロール１１１上に提供される場合に、間紙モジュールを含みうる。したがって、間紙は、供給ロール１１１上でフレキシブル基板の１つの層がフレキシブル基板の隣接する層と直接接触することが回避されうるように、フレキシブル基板の隣接する層の間に設けることができる。例えば、巻き出しチャンバは、供給ロール１１１上の基板の保護のために設けられた間紙を巻き取るための第１の間紙モジュールを備え得る。間紙モジュールは、供給ロール１１１から間紙とともにフレキシブル基板を巻き出す際に、間紙を間紙巻き取りロール１１７にガイドするための幾つかの間紙ガイドロール１０７を含みうる。したがって、巻き付けチャンバは、間紙供給ロール１２７から供給された間紙１１を巻き取りロール１２１へガイドするための間紙ガイドロール１０７を含む間紙モジュールも含みうる。したがって、第２の間紙モジュールは、巻き取りロール１２１上の処理された基板を保護するために、処理された基板と共に巻き取りロール１２１上に巻き付けられる間紙を供給し得る。当然ながら、第１のチャンバ１１０と第２のチャンバ１２０には、それぞれ間紙巻き取りロール１１７と間紙供給ロール１２７を装着するための保持部及び／又は受容部、及びそれぞれの間紙ガイドロールを装着するための保持部及び／又は受容部が設けられうる。   [0054] According to some embodiments, as illustrated by the dotted lines of the first chamber 110 and the second chamber 120 of FIG. 11 may be included on the supply roll 111 together with a slip-sheet module. Accordingly, the slip sheet can be provided between adjacent layers of the flexible substrate so that one layer of the flexible substrate can be prevented from coming into direct contact with the adjacent layer of the flexible substrate on the supply roll 111. For example, the unwind chamber may include a first slip sheet module for winding a slip sheet provided for protecting the substrate on the supply roll 111. The slip sheet module may include several slip sheet guide rolls 107 for guiding the slip sheet to the slip sheet take-up roll 117 when the flexible substrate is unwound together with the slip sheet from the supply roll 111. Accordingly, the winding chamber may also include a slip sheet module including a slip sheet guide roll 107 for guiding the slip sheet 11 supplied from the slip sheet supply roll 127 to the take-up roll 121. Thus, the second slip-sheet module can supply slip-sheets that are wound on the take-up roll 121 with the treated substrate to protect the treated substrate on the take-up roll 121. As a matter of course, the first chamber 110 and the second chamber 120 are provided with a holding unit and / or a receiving unit for mounting the interleaf winding roll 117 and the interleaf feeding roll 127, respectively, and the respective interleaf guide guide rolls. A holding part and / or a receiving part for mounting may be provided.

［００５５］図１Ｄに、図１Ｃに示す堆積システム１００の概略上面図を示す。図１Ｃ及び１Ｄの実施例では、操作員１７０が、メンテナンスゾーン１３０を通して第２のチャンバ１２０の巻き取りロール１２１を交換中である。巻き取りロール１２１が、種々の位置で破線で示されていることに留意すべきである。幾つかの実施形態によれば、制御信号が、操作員１７０に対して、第２のチャンバ１２０内の巻き取りロール１２１を取り換える必要性について知らせることができる。図１Ｃ及び１Ｄで見られるように、メンテナンスゾーン１３０は、巻き取りロール１２１の交換のために、優れたアクセス性を提供する。   [0055] FIG. 1D shows a schematic top view of the deposition system 100 shown in FIG. 1C. In the embodiment of FIGS. 1C and 1D, the operator 170 is replacing the take-up roll 121 of the second chamber 120 through the maintenance zone 130. It should be noted that the take-up roll 121 is shown in broken lines at various positions. According to some embodiments, a control signal can inform the operator 170 about the need to replace the take-up roll 121 in the second chamber 120. As can be seen in FIGS. 1C and 1D, the maintenance zone 130 provides excellent accessibility for replacement of the take-up roll 121.

［００５６］幾つかの実施形態によれば、本書に記載の処理システムは、図１Ｄからわかるように、容易且つ簡単な方法で、処理システム内の構成要素を交換することを可能にし得る。図１Ｄの右側には、処理ドラム１４２（点線）を有する処理チャンバ１４０が例示されている。図１Ｄにおいて参照番号１７５で示される操作員は、例えば堆積源等の処理構成要素１４１へのアクセスを有しうる。幾つかの実施形態によれば、一又は複数の処理構成要素１４１は、共にグループ化されてもよい。それにより、一又は複数の処理構成要素は、１つのユニット又は１つのグループ（例えば、上記で傾斜フランジに関連して説明したように、処理チャンバの第１の部分と共に形成されているグループ）としてアクセスされ得る。他の実施形態によれば、個々の処理構成要素は、ひとつずつアクセスされうる。例えば、処理構成要素が摩耗しているか、消費されている場合、或いは、処理を変更しなければならない場合、処理構成要素１４１を交換することができる。例えば、本書に記載の実施形態に係る処理システムは、基板の幅を変更させるオプションを提供し得る。処理構成要素の容易なアクセス及び容易な交換は、種々の処理の種類又は種々の基板のために処理システムを効率良く使用するために役立ち得る。   [0056] According to some embodiments, the processing system described herein may allow components in the processing system to be replaced in an easy and simple manner, as can be seen from FIG. 1D. Illustrated on the right side of FIG. 1D is a processing chamber 140 having a processing drum 142 (dotted line). The operator indicated by reference numeral 175 in FIG. 1D may have access to a processing component 141, such as a deposition source. According to some embodiments, one or more processing components 141 may be grouped together. Thereby, the one or more processing components may be as a unit or group (eg, a group formed with the first portion of the processing chamber as described above in connection with the inclined flange). Can be accessed. According to other embodiments, individual processing components may be accessed one by one. For example, the processing component 141 can be replaced if the processing component is worn or consumed, or if the processing must be changed. For example, the processing system according to embodiments described herein may provide an option to change the width of the substrate. Easy access and easy replacement of processing components can help to efficiently use the processing system for different processing types or different substrates.

［００５７］幾つかの実施形態によれば、供給ロール又は巻き取りロールを取り外す、交換する、又は供給する形でのメンテナンス、すなわち、巻き付けチャンバのうちの１つ又は複数が排気され且つ／又は開かれるメンテナンス作業は、基板が一又は複数の処理チャンバ内に留まっている間に実施されてもよい。幾つかの実施形態によれば、処理システムの処理動作が停止し、基板搬送ローラが停止される。処理チャンバと巻き付け／巻き出しチャンバの間の膨張式シールによって基板を締め付けることなどによって、基板は、次いで、処理チャンバと巻き付け／巻き出しチャンバの間の真空気密バルブ又は間隙スルースによって締め付けられてもよい。幾つかの実施形態では、基板は、処理チャンバと巻き付け／巻き出しチャンバとの間で締め付けられた後、巻き付け／巻き出しチャンバ内で切断される。供給ロール及び／又は巻き取りロールは取り外される、及び／又は交換される。供給ロールによって提供される新たに追加された基板は、巻き出しチャンバ内の基板の切断端に固定（付着又は接着など）され得る。この場合、一又は複数の処理チャンバが真空下に保たれている間に、巻き付けチャンバのうちの１つ又は複数が排気され且つ／又は開かれ、処理システムの他の部分で真空が保たれている間に、巻き付け／巻き出しチャンバでメンテナンスが実施される。   [0057] According to some embodiments, maintenance in the form of removing, replacing or feeding a supply roll or take-up roll, ie one or more of the winding chambers are evacuated and / or opened. Maintenance operations that may be performed may be performed while the substrate remains in one or more processing chambers. According to some embodiments, the processing operation of the processing system is stopped and the substrate transport roller is stopped. The substrate may then be clamped by a vacuum tight valve or gap sluice between the processing chamber and the winding / unwinding chamber, such as by tightening the substrate with an inflatable seal between the processing chamber and the winding / unwinding chamber. . In some embodiments, the substrate is clamped between the processing chamber and the winding / unwinding chamber and then cut in the winding / unwinding chamber. The supply roll and / or take-up roll is removed and / or replaced. The newly added substrate provided by the supply roll can be secured (attached or glued etc.) to the cut end of the substrate in the unwind chamber. In this case, one or more of the wrapping chambers are evacuated and / or opened while the one or more processing chambers are kept under vacuum, and the vacuum is maintained in other parts of the processing system. During maintenance, maintenance is performed in the winding / unwinding chamber.

［００５８］幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーン１３０は、第１のチャンバ、第２のチャンバ、並びに／或いは更に第１及び／又は第２のチャンバの上方のトンネルの典型的なメンテナンスステップのために適合され得る。例えば、メンテナンスゾーン１３０のサイズは、図１Ｃに例示するように、操作員１７０のサイズに適合され得る。更に、メンテナンスゾーン１３０のサイズは、操作員が第１及び第２のチャンバから供給ロール及び／又は巻き取りロールを取り外すことができるように、選択され得る。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーンは、１ｍを上回る長さ１７１（図１Ｄに示すように）を有しうる。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーンは、典型的に、約１ｍと約３ｍの間、より典型的には、約１．５ｍと約２．５ｍの間、更により典型的には、約１．５ｍと約２ｍの間の長さ１７１を有しうる。さらに、メンテナンスゾーンは、１．７ｍを上回る長さ１７２（図１Ｃに示すように）を有しうる。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーンは、典型的には、約１．７ｍと約３ｍの間、より典型的には、約２ｍと約３ｍの間、更により典型的には、約２ｍと２．５ｍの間の高さ１７２を有しうる。更に、メンテナンスゾーン１３０は、基板の幅によって変わる深さ１７３（図１Ｄに示すように）を有しうる。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーン１３０の深さ１７３は０．７ｍを上回ってもよい。メンテナンスゾーンの深さ１７３は、典型的には、約１．０ｍと約４．０ｍの間、より典型的には、約２ｍと約３．５ｍの間、更により典型的には、約２ｍと約３ｍの間であり得る。   [0058] According to some embodiments, the maintenance zone 130 is a typical maintenance step for the first chamber, the second chamber, and / or the tunnel above the first and / or second chamber. Can be adapted for. For example, the size of the maintenance zone 130 may be adapted to the size of the operator 170 as illustrated in FIG. 1C. Further, the size of the maintenance zone 130 can be selected such that an operator can remove the supply roll and / or the take-up roll from the first and second chambers. According to some embodiments, the maintenance zone may have a length 171 (as shown in FIG. 1D) that is greater than 1 meter. According to some embodiments, the maintenance zone is typically between about 1 m and about 3 m, more typically between about 1.5 m and about 2.5 m, and even more typically, It may have a length 171 between about 1.5 m and about 2 m. Further, the maintenance zone may have a length 172 (as shown in FIG. 1C) that is greater than 1.7 meters. According to some embodiments, the maintenance zone is typically between about 1.7 m and about 3 m, more typically between about 2 m and about 3 m, and even more typically about It may have a height 172 between 2m and 2.5m. Further, the maintenance zone 130 may have a depth 173 (as shown in FIG. 1D) that varies with the width of the substrate. According to some embodiments, the depth 173 of the maintenance zone 130 may be greater than 0.7 m. Maintenance zone depth 173 is typically between about 1.0 m and about 4.0 m, more typically between about 2 m and about 3.5 m, and even more typically about 2 m. And between about 3 m.

［００５９］図１Ｄの破線の位置１２１−１の巻き取りロールによって示すように、メンテナンスゾーンは、操作員１７０が第２のチャンバ１２０から取り外された巻き取りロールを取り扱うことを可能にする。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーン１３０のサイズは、メンテナンスを目的としたチャンバへの容易なアクセスと、堆積システムのために利用可能なスペースとの間の妥協の産物であり得る。幾つかの実施形態では、本書に記載の堆積システム内のガイドローラシステム、並びに特にガイドローラの数は、メンテナンスゾーンのサイズに適合される。   [0059] The maintenance zone allows the operator 170 to handle a take-up roll that has been removed from the second chamber 120, as shown by the take-up roll at dashed position 121-1 in FIG. 1D. According to some embodiments, the size of the maintenance zone 130 may be a compromise between easy access to a chamber for maintenance purposes and space available for the deposition system. In some embodiments, the number of guide roller systems in the deposition system described herein, and in particular the number of guide rollers, is adapted to the size of the maintenance zone.

［００６０］幾つかの実施形態では、メンテナンスゾーン１３０は、作動中、例えば、処理チャンバ１４０が１０ｍｂａｒ以下の圧力まで排気される間、第１のチャンバ１１０及び第２のチャンバ１２０のうちの少なくとも１つへのメンテナンスアクセス又はその少なくとも１つのメンテナンスアクセスを可能にする。例えば、メンテナンスアクセスは、作動中、制御要素を取り扱う又は駆動させる形態又は視覚的制御の形態などで提供され得る。しかしながら、供給ロール１１１又は巻き取りロール１２１の取り外し、交換、又は提供の形態の供給ロール１１１及び巻き取りロール１２１のメンテナンス、すなわち一または複数の巻き付け／巻き出しチャンバが排気される及び／又は開かれるメンテナンス作業は、処理システムの作動中、すなわち処理動作中は実施することができないことを理解すべきである。しかしながら、供給ロール又は巻き取りロールの取り外し、交換、又は提供の形態の供給ロール１１１及び巻き取りロール１２１のメンテナンス、及び／又はメンテナンスゾーン１３０に隣接する一または複数の真空チャンバの内部の洗浄のためのメンテナンスアクセスを可能にするメンテナンスゾーンは、メンテナンスアクセスのために換気されうる及び／又は開かれうる一または複数の処理チャンバが例えば１０ｍｂａｒ以下の圧力に排気されるときにも大気圧に維持される。   [0060] In some embodiments, the maintenance zone 130 is in operation, for example, at least one of the first chamber 110 and the second chamber 120 while the processing chamber 140 is evacuated to a pressure of 10 mbar or less. Maintenance access to one or at least one maintenance access thereof. For example, maintenance access may be provided in the form of handling or driving control elements or in the form of visual control during operation. However, maintenance of the supply roll 111 and take-up roll 121 in the form of removal, replacement or provision of the supply roll 111 or take-up roll 121, i.e. one or more winding / unwinding chambers are evacuated and / or opened. It should be understood that maintenance operations cannot be performed during operation of the processing system, i.e., during processing operations. However, for the maintenance of the supply roll 111 and take-up roll 121 in the form of removal, replacement or provision of the supply roll or take-up roll and / or cleaning of the interior of one or more vacuum chambers adjacent to the maintenance zone 130 A maintenance zone that allows maintenance access of the process is maintained at atmospheric pressure when one or more processing chambers that can be ventilated and / or opened for maintenance access are evacuated to a pressure of, for example, 10 mbar or less. .

［００６１］幾つかの実施形態では、第１のチャンバ１１０及び／又は第２のチャンバ１２０が、それぞれ、第１のチャンバ１１０の径方向から及び第２のチャンバ１２０の径方向からアクセスされ得るように、メンテナンスゾーン１３０は、設けられ且つ構成される。メンテナンスゾーン１３０により、供給ロール１１１及び巻き取りロール１２１のそれぞれの径方向から第１のチャンバ１１０及び／又は第２のチャンバ１２０にアクセスすることが可能になる。一実施形態では、チャンバの径方向は、供給ロール又は巻き取りロールのうちの１つの径方向に対応し得る。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーンにより、それぞれ、供給ロール及び巻き取りロールの巻き付けシャフトの径方向から第１のチャンバ及び／又は第２のチャンバへアクセスすることが可能になる。特に、メンテナンスゾーンにより、それぞれの第１の径方向側及びそれぞれの第２の径方向側から、例えば供給ロールを有する真空チャンバ等の第１のチャンバ（例：図１Ｂの１１０参照）にアクセスすること、及び例えば巻き取りロールを有する真空チャンバ等の第２のチャンバ（例：図１Ｂの１２０参照）にアクセスすることが可能になり、第１の半径方向側及び第２の半径方向側は互いに向き合っている。例えば、供給ロールは、巻き取りスプールに向かって径方向に取り外すことができ、その逆もまた可能である。   [0061] In some embodiments, the first chamber 110 and / or the second chamber 120 may be accessed from the radial direction of the first chamber 110 and from the radial direction of the second chamber 120, respectively. In addition, the maintenance zone 130 is provided and configured. The maintenance zone 130 makes it possible to access the first chamber 110 and / or the second chamber 120 from the radial direction of each of the supply roll 111 and the take-up roll 121. In one embodiment, the radial direction of the chamber may correspond to the radial direction of one of the supply roll or the take-up roll. According to some embodiments, the maintenance zone allows access to the first chamber and / or the second chamber from the radial direction of the winding shaft of the supply roll and the take-up roll, respectively. In particular, the maintenance zone accesses a first chamber (eg, 110 in FIG. 1B), such as a vacuum chamber having a supply roll, from each first radial side and each second radial side. And access to a second chamber (eg, 120 in FIG. 1B) such as a vacuum chamber having a take-up roll, the first radial side and the second radial side being Facing each other. For example, the supply roll can be removed radially towards the take-up spool and vice versa.

［００６２］本書に記載の実施形態によれば、メンテナンスゾーンは、メンテナンスアクセスを可能にする。メンテナンスアクセスは、視覚的メンテナンス（視覚制御など）、信号制御又は信号受信のための電子ユニットへのアクセス、又は物理的な立ち入りを含み得る。一実施例では、メンテナンスアクセスは、例えばリッドなどによって閉じられ得るドア、窓、又は開口部によって提供されてもよい。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスアクセスは、巻き付け又は巻き出しチャンバの壁の中の窓のように、チャンバ壁によって提供されてもよい。   [0062] According to embodiments described herein, a maintenance zone allows maintenance access. Maintenance access may include visual maintenance (such as visual control), access to an electronic unit for signal control or signal reception, or physical access. In one example, maintenance access may be provided by a door, window, or opening that may be closed, such as by a lid. According to some embodiments, maintenance access may be provided by the chamber wall, such as a window in the winding or unwinding chamber wall.

［００６３］幾つかの実施形態では、メンテナンスゾーンは、図１に２つの水平線で表される点検窓１３４として示すチャンバ壁内の窓を通して、メンテナンスアクセスを提供し得る。第２のチャンバ１２０の壁で例示的に示される点検窓は、例えば、基板が巻き取りスプール上に巻き付けられたとき又は供給スプールから巻き出されたとき、基板を確認することができるような高さに配置され得る。幾つかの実施形態によれば、点検窓は、典型的には、通常約１ｍと約３ｍの間、より典型的には、約１．２ｍと約２．５ｍの間、更により典型的には、約１．４ｍと約２．４ｍの間の幅等のフレキシブル基板の幅など、フレキシブル基板の完全な幅を確認するためのサイズを有し得る。更に別の実施形態によれば、点検窓は、例えば、供給ロール全体及び／又は巻き取りロール全体の確認を可能にすることによって、巻き付け及び／又は巻き出し処理全体を確認するサイズを有し得る。幾つかの実施形態では、メンテナンスゾーンの点検窓は全体として、操作員がチャンバ内の処理に対して何らかの印象をもつことを可能にする幾つかの点検ポートから構成され得る。   [0063] In some embodiments, the maintenance zone may provide maintenance access through a window in the chamber wall, shown as an inspection window 134 represented by two horizontal lines in FIG. The inspection window, illustrated by way of example on the wall of the second chamber 120, is high enough to allow the substrate to be identified when, for example, the substrate is wound on the take-up spool or unwound from the supply spool. Can be arranged. According to some embodiments, the inspection window is typically between about 1 m and about 3 m, more typically between about 1.2 m and about 2.5 m, and even more typically. May have a size for ascertaining the full width of the flexible substrate, such as a width of the flexible substrate, such as a width between about 1.4 m and about 2.4 m. According to yet another embodiment, the inspection window can be sized to confirm the entire winding and / or unwinding process, for example by allowing confirmation of the entire supply roll and / or the entire take-up roll. . In some embodiments, the maintenance zone inspection window as a whole may consist of several inspection ports that allow the operator to have some impression of the process in the chamber.

［００６４］幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーンは、チャンバ壁内のドアという形態で、第１及び／又は第２のチャンバへのアクセスを提供し得る。一又は複数のドアは、第１及び／又は第２のチャンバ内の構成要素に届くように、例えば、供給ロール又は巻き取りロールに届くように適合され得る。幾つかの実施形態では、ドアは、チャンバの点検窓を含み得る。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、ドアは、操作員が第１及び／又は第２のチャンバに入ることを可能にし得る。   [0064] According to some embodiments, the maintenance zone may provide access to the first and / or second chamber in the form of a door in the chamber wall. The one or more doors may be adapted to reach the components in the first and / or second chamber, for example to reach a supply roll or a take-up roll. In some embodiments, the door may include an inspection window for the chamber. According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the door may allow an operator to enter the first and / or second chamber.

［００６５］幾つかの実施形態では、照明装置が第１のチャンバ及び／又は第２のチャンバ内に設けられ得る。具体的には、照明装置は、処理される基板又は処理された基板が、片側、例えば処理された側又は処理されなかった側のいずれか（又は処理される側又は処理されない側）から照射されるように、第１及び／又は第２のチャンバ内に配置され得る。例えば、照明装置は、基板の点検及び視覚的制御を促進することができ、これは、上述のように、メンテナンスゾーンを通して、具体的には、点検窓１３４のようなチャンバ壁内の窓によって実施され得る。幾つかの実施形態では、照明装置はランプである。   [0065] In some embodiments, a lighting device may be provided in the first chamber and / or the second chamber. Specifically, in the illumination device, a substrate to be processed or a processed substrate is irradiated from one side, for example, either a processed side or a non-processed side (or a processed side or a non-processed side). As such, it can be disposed within the first and / or second chamber. For example, the lighting device can facilitate inspection and visual control of the substrate, as described above, through the maintenance zone, specifically by a window in the chamber wall, such as the inspection window 134. Can be done. In some embodiments, the lighting device is a lamp.

［００６６］図１Ｄに、供給ロール１１１及び巻き取りロール１２１用のローディング及びアンローディングシステム１６０の概略図を示す。幾つかの実施形態によれば、統合されたローディング及びアンローディングシステムは、本書に記載の処理システム用に設けられてもよい。幾つかの実施形態では、ローディング及びアンローディングシステムは、巻き取りロール１２１及び／又は供給ロール１１１のためのテーブル１９０及び搬入出装置を含み得る。図１Ｄの実施例に、巻き取りロール１２１の搬出を示す。例えば、搬入出装置は、交換又は取り外し対象の巻き取りロール１２１を把持するために操作員１７０によって第１のチャンバ１１０内に挿入されてもよい。巻き取りスプールを把持している搬出装置は、第１のチャンバ１１０から引き出され得る。該搬出装置は、第２のチャンバ１２０から巻き取りロール１２１を取り除き得る。一実施例では、搬出装置は、巻き取りロールをその両端で把持し、ロール支持体から取り外すための把持装置を含んでもよい。ロール支持体は、例えば、回転軸であってもよい。幾つかの実施形態によれば、搬入出装置は、巻き取りロールに巻き付けられた基板に接触することなく、巻き取りロールを第２のチャンバから取り除くことができるように適合され得る。   [0066] FIG. 1D shows a schematic diagram of a loading and unloading system 160 for the supply roll 111 and take-up roll 121. According to some embodiments, an integrated loading and unloading system may be provided for the processing system described herein. In some embodiments, the loading and unloading system may include a table 190 and a loading / unloading device for the take-up roll 121 and / or the supply roll 111. In the embodiment of FIG. 1D, unwinding of the take-up roll 121 is shown. For example, the carry-in / out device may be inserted into the first chamber 110 by the operator 170 to grip the take-up roll 121 to be replaced or removed. The unloading device holding the take-up spool can be withdrawn from the first chamber 110. The unloading device can remove the take-up roll 121 from the second chamber 120. In one embodiment, the unloading device may include a gripping device for gripping the take-up roll at both ends and removing it from the roll support. The roll support may be a rotating shaft, for example. According to some embodiments, the loading / unloading device can be adapted to remove the take-up roll from the second chamber without contacting the substrate wound on the take-up roll.

［００６７］図１Ｄからも分かるように、巻き取りロール１２１が第２のチャンバ１２０から取り除かれるとき、巻き取りロール１２１は、メンテナンスゾーン１３０内の位置１２１−１における基板ハンドリングシステムのテーブル１９０上にローディングされる。テーブル１９０は、リフティング（昇降式）テーブルであってもよく、具体的には、センターリフティングテーブルであってもよい。操作員１７０は、巻き取りロールが備え付けられたテーブル１９０を、例えば位置１２１−１に移動させるように、メンテナンスゾーン１３０の中で移動し得る。テーブル１９０は、次いで、メンテナンスゾーン１３０から取り除かれ、巻き取りロールがメンテナンスゾーン１３０から取り出されて位置１２１−２に置かれ得る。したがって、操作員１７０は、容易で複雑でない方法で巻き取りロールを移動させることができる。   [0067] As can also be seen from FIG. 1D, when the take-up roll 121 is removed from the second chamber 120, the take-up roll 121 is placed on the table 190 of the substrate handling system at a position 121-1 in the maintenance zone 130. Loaded. The table 190 may be a lifting (lifting / lowering) table, and specifically may be a center lifting table. The operator 170 can move in the maintenance zone 130 so as to move the table 190 provided with the winding roll to, for example, the position 121-1. The table 190 can then be removed from the maintenance zone 130 and the take-up roll can be removed from the maintenance zone 130 and placed in position 121-2. Accordingly, the operator 170 can move the take-up roll in an easy and uncomplicated manner.

［００６８］幾つかの実施形態によれば、基板ハンドリングシステムは、テーブルに代わるものを含みうる。例えば、巻き取りロールをメンテナンスゾーン外に移動させるために、把持ツールが使用されうる。更なる実施形態では、巻き取りロールは、操作員が巻き取りロールを取り扱うことを可能にするようなシャフトや支持体などによって運ばれてもよい。幾つかの実施形態によれば、メンテナンスゾーン１３０の上方で延在する通路１５０の代わりにメンテナンスゾーン１３０の下方で延在するトンネルが使用される場合、リフティングテーブルに代わるものが使用されてもよい。   [0068] According to some embodiments, the substrate handling system may include an alternative to a table. For example, a gripping tool can be used to move the take-up roll out of the maintenance zone. In further embodiments, the take-up roll may be carried by a shaft, support or the like that allows an operator to handle the take-up roll. According to some embodiments, if a tunnel extending below the maintenance zone 130 is used instead of a passage 150 extending above the maintenance zone 130, an alternative to a lifting table may be used. .

［００６９］概して、巻き取りスプールの交換処理のみが説明されているが、メンテナンスゾーンは、コーティング処理間の基板の送入出のためにも優れたアクセス可能性を提供する。したがって、供給ロール１１１も、図１Ｄで示されている方法で交換することができる。   [0069] Although generally only the take-up spool replacement process has been described, the maintenance zone also provides excellent accessibility for substrate in and out during the coating process. Accordingly, the supply roll 111 can also be replaced by the method shown in FIG. 1D.

［００７０］幾つかの実施形態では、リフティングテーブルは、基板を、堆積システムにローディング及び堆積システムからアンローディングするためのセンターリフティングテーブルを形成し得る。テーブルは、基板と共に巻き取りロール又は供給ロールを保持するための基板支持体を含み得る。幾つかの実施形態によれば、リフティングテーブルは、少なくとも上方位置と下方位置との間で移動可能であってもよい。支持体内又は支持体の上に配置された巻き取りロール上の基板は、リフティングテーブルの下方位置でメンテナンスゾーンから搬出され得る。基板及びリフティングテーブルがメンテナンスゾーンから搬出されるとき（巻き取りロールの位置１２１−２で示されているように）、巻き取りロールと基板は、屋内クレーン又は天井クレーンなどのクレーンによって更に移送されてもよく、或いは、例えば、処理システムの一部であるガントリークレーンなどのクレーンによって持ち上げられ、運搬車両に置かれてもよい。   [0070] In some embodiments, the lifting table may form a center lifting table for loading and unloading a substrate to and from the deposition system. The table may include a substrate support for holding a take-up roll or supply roll with the substrate. According to some embodiments, the lifting table may be movable at least between an upper position and a lower position. The substrate on the take-up roll disposed in or on the support can be unloaded from the maintenance zone at a position below the lifting table. When the substrate and lifting table are unloaded from the maintenance zone (as indicated by take-up roll position 121-2), the take-up roll and substrate are further transferred by a crane such as an indoor crane or an overhead crane. Alternatively, it may be lifted by a crane such as a gantry crane that is part of the processing system and placed on a transport vehicle.

［００７１］本書に記載のローディング及びアンローディングシステムを使用することによって、移動可能な巻出し器及び再巻き付け器（処理中に第１及び第２のチャンバ内に存在している巻出し器及び再巻き付け器など）は、本書に記載の実施形態に係る堆積システム内では使用されない。ロールを移動及び把持するためのツールは、メンテナンスゾーンから第１及び第２のチャンバ内に導入され得る。更なる実施形態によれば、基板ハンドリングシステムは、例えば、処理システムが、処理システム内で基板を移送するためにトンネルを使用する場合、チャンバから取り除かれるロールを持ち上げるための統合された門型クレーンを含み得る。   [0071] By using the loading and unloading system described herein, the movable unwinder and rewinder (the unwinder and rewinder present in the first and second chambers during processing). No wrapping device or the like) is used in the deposition system according to the embodiments described herein. Tools for moving and gripping the roll can be introduced into the first and second chambers from the maintenance zone. According to a further embodiment, the substrate handling system includes an integrated portal crane for lifting a roll that is removed from the chamber, for example, when the processing system uses a tunnel to transport the substrate within the processing system. Can be included.

［００７２］しかしながら、本書に記載の実施形態に係る、メンテナンスゾーンの上方に通路がある設計の処理システムを用いることにより、堆積システムから基板を取り除くために天井クレーンは使用されず、これにより、堆積システムの使用者にとってコストとスペースの節約となる。したがって、本書に記載の実施形態に係る処理システムはまた、当該技術分野の周知のシステムよりも小さい（又は低い）工場の建物で使用することもできる。また、堆積システムは、天井クレーンを使用しないので、環境に対する要求が高くない。   [0072] However, by using a processing system of a design with a passage above the maintenance zone, according to the embodiments described herein, no overhead crane is used to remove the substrate from the deposition system, thereby This saves cost and space for system users. Thus, the processing system according to embodiments described herein can also be used in factory buildings that are smaller (or lower) than systems well known in the art. Moreover, since the deposition system does not use an overhead crane, the demand for the environment is not high.

［００７３］チャンバに新しい供給ロール又は巻き取りロールを供給するとき、上述のチャンバからロールを取り除く処理を逆の順序で行なってもよいことを理解するべきである。   [0073] It should be understood that when supplying a new supply roll or take-up roll to the chamber, the process of removing the roll from the chamber described above may be performed in reverse order.

［００７４］幾つかの実施形態によれば、処理システムは、真空処理システム内のパラメータを制御するための制御ユニットを含み得る。例えば、制御ユニットは、処理システムのチャンバの外に設けられるコントローラ又は制御インターフェースであってもよい。幾つかの実施形態では、制御ユニットは、処理システムの個々のチャンバ内のセンサ、及び／又は堆積源、供給ロール、巻き取りロールなどに接続されうる。したがって、制御ユニットは、処理システム内の所望の測定値を計算することが可能でありうる。例えば、制御ユニットは、例えばメンテナンスゾーンを介して、供給ロール又は巻き取りロールの交換を実施すべき時を示しうる。制御ユニットは、更に、堆積システム内で構成要素が故障した場合、警報を発することも可能でありうる。   [0074] According to some embodiments, the processing system may include a control unit for controlling parameters in the vacuum processing system. For example, the control unit may be a controller or control interface provided outside the chamber of the processing system. In some embodiments, the control unit may be connected to sensors and / or deposition sources, supply rolls, take-up rolls, etc. in individual chambers of the processing system. Thus, the control unit may be able to calculate a desired measurement within the processing system. For example, the control unit may indicate when the supply roll or take-up roll should be replaced, for example via a maintenance zone. The control unit may also be able to issue an alarm if a component fails in the deposition system.

［００７５］幾つかの実施形態によれば、本書に記載の処理システムは、モジュール設計を有し得る。例えば、図１Ａ〜図１Ｄに例示する処理システムは、第２の処理チャンバが、例えば第１のチャンバに隣接して接続され得るように適合され得る。したがって、処理システムには、別のチャンバを処理システムに接続することによって処理システムの拡大を可能にするフランジ又は接続ベースが設けられ得る。例えば、図２に例示するように、第２のチャンバ１２０又は巻き付けチャンバは、第２のチャンバ又は巻き付けチャンバに隣接するように第２の処理チャンバ２４０を装着するための接続部などを含み得る。したがって、処理システムの作動範囲拡張のために別のチャンバを設けてもよいことを理解すべきである。したがって、本書に記載の処理システムのモジュラー設計は、ユーザの必要及び要件、例えば工場の空間要件と合致する概形のサイズへの適合を可能にする。   [0075] According to some embodiments, the processing system described herein may have a modular design. For example, the processing system illustrated in FIGS. 1A-1D can be adapted such that a second processing chamber can be connected, for example, adjacent to the first chamber. Accordingly, the processing system may be provided with a flange or connection base that allows expansion of the processing system by connecting another chamber to the processing system. For example, as illustrated in FIG. 2, the second chamber 120 or winding chamber may include a connection for mounting the second processing chamber 240 adjacent to the second chamber or winding chamber, and the like. Thus, it should be understood that additional chambers may be provided for extending the operating range of the processing system. Thus, the modular design of the processing system described herein allows adaptation to a general size that matches user needs and requirements, such as factory space requirements.

［００７６］処理システムの幾つかの実施形態によれば、第１の処理チャンバ１４０Ａは第１のチャンバ１１０又は巻き出しチャンバに隣接して配置されていてよく、第２の処理チャンバ２４０は、第２のチャンバ１２０又は巻き付けチャンバに隣接して配置されうる。具体的には、第２の処理チャンバ２４０は、図２に例示するように、第２のチャンバ１２０がメンテナンスゾーン１３０と第２の処理チャンバ２４０との間に設けられるように、位置付けされ得る。   [0076] According to some embodiments of the processing system, the first processing chamber 140A may be located adjacent to the first chamber 110 or the unwind chamber, and the second processing chamber 240 may be Two chambers 120 or winding chambers can be placed adjacent to each other. Specifically, the second processing chamber 240 may be positioned such that the second chamber 120 is provided between the maintenance zone 130 and the second processing chamber 240, as illustrated in FIG.

［００７７］図２に示す実施形態では、処理されるフレキシブル基板１０は、巻き出しチャンバ又は第１のチャンバ１１０で巻き出される。フレキシブル基板１０は、ガイドローラ（例：ガイドローラ１０４）を介して処理システムの第１の処理チャンバ１４０Ａにガイドされる。フレキシブル基板１０を第１の処理チャンバ１４０Ａ内で処理するため、基板は、処理ドラム１４２によってガイドされ得る。処理ドラム１４２は、回転可能であり得る。第１の処理チャンバ１４０Ａは、処理構成要素１４１を含み得る。基板は、処理ドラム１４２によってガイドされている間、この処理構成要素を通り過ぎるようにガイドされる。例えば、処理構成要素１４１は、少なくとも１つの堆積源を含みうる。図２に示す実施形態では、第１の処理チャンバ１４０Ａ内の堆積源は１つしか示されていないが、第１の処理チャンバの他の堆積源は破線で示されている。   [0077] In the embodiment shown in FIG. 2, the flexible substrate 10 to be processed is unwound in an unwind chamber or first chamber 110. The flexible substrate 10 is guided to the first processing chamber 140A of the processing system via a guide roller (for example, the guide roller 104). To process the flexible substrate 10 in the first processing chamber 140A, the substrate can be guided by the processing drum 142. The processing drum 142 can be rotatable. The first processing chamber 140A may include a processing component 141. The substrate is guided past this processing component while being guided by the processing drum 142. For example, the processing component 141 can include at least one deposition source. In the embodiment shown in FIG. 2, only one deposition source in the first processing chamber 140A is shown, while other deposition sources in the first processing chamber are shown in dashed lines.

［００７８］図２に示す実施形態では、第１のチャンバ１１０は巻き出しチャンバであるように説明され、第２のチャンバ１２０は巻き付けチャンバであるように説明されるが、本書に記載の実施形態に係る堆積システムは、この構成に限定されるものではない。代替的な実施形態では、第１のチャンバ１１０は巻き付けチャンバであってもよく、第２のチャンバは巻き出しチャンバであってもよい。   [0078] In the embodiment shown in FIG. 2, the first chamber 110 is described as being an unwind chamber and the second chamber 120 is described as being a winding chamber, although the embodiments described herein are described. The deposition system according to the present invention is not limited to this configuration. In an alternative embodiment, the first chamber 110 may be a winding chamber and the second chamber may be an unwinding chamber.

［００７９］幾つかの実施形態によれば、第２の処理チャンバ２４０は、本書に記載の第１の処理チャンバ１４０と同様に構成されうる。したがって、第２の処理チャンバ２４０は、図２に例示するように、第２の回転軸２４３と、一または複数の第２の処理構成要素２４１を有する第２の処理ドラム２４２とを含みうる。第２の処理チャンバは、本書に記載の第１の処理チャンバに関連して説明した幾つかの、あるいはすべての構成要素を含みうると理解すべきである。したがって、第２の処理チャンバ２４０は、第１の処理チャンバ１４０Ａに関連して説明したすべてのこれらの特徴及び利点を有する、傾斜フランジ、第１の部分及び第２の部分を含みうる。   [0079] According to some embodiments, the second processing chamber 240 may be configured similarly to the first processing chamber 140 described herein. Accordingly, the second processing chamber 240 may include a second rotating shaft 243 and a second processing drum 242 having one or more second processing components 241 as illustrated in FIG. It should be understood that the second processing chamber may include some or all of the components described in connection with the first processing chamber described herein. Accordingly, the second processing chamber 240 can include a tilted flange, a first portion and a second portion having all these features and advantages described in connection with the first processing chamber 140A.

［００８０］図２で見ることができるように、本書に記載の実施形態に係る処理システムは、モジュラーの態様で処理システムを組み立てる可能性を提供する。例えば、処理システムは、図１Ａ〜１Ｄに関連して上述したように、例えば追加の第２の処理チャンバ、例えば第２の処理チャンバ２４０を処理システム１００に装着することによって、実施される処理の特殊要件に適合させることができる。したがって、第２の処理チャンバを追加することによって、或いは、処理システムの一又は複数の処理チャンバ内の処理構成要素を変えることによって、より多くの異なる処理を処理システム内で組み合わせることができる。これにより、本書に記載の処理システムによって実施可能な処理に関して高い可鍛性と可変性が得られる。   [0080] As can be seen in FIG. 2, the processing system according to the embodiments described herein offers the possibility of assembling the processing system in a modular manner. For example, the processing system may be configured as described above in connection with FIGS. 1A-1D, for example, by attaching an additional second processing chamber, eg, the second processing chamber 240, to the processing system 100. Can be adapted to special requirements. Thus, more different processes can be combined in the processing system by adding a second processing chamber or by changing processing components in one or more processing chambers of the processing system. This provides high malleability and variability with respect to processing that can be performed by the processing system described herein.

［００８１］基板が処理された後、フレキシブル基板１０は、通路１５０を通してガイドされる。通路１５０は、巻き付けチャンバ、例えば第２のチャンバ１２０、メンテナンスゾーン１３０、及び巻き出しチャンバ、例えば第１のチャンバ１１０の上方に配置され得る。幾つかの実施形態では、通路１５０は、上蓋の一部であってもよく、或いは、メンテナンスゾーンと第１及び第２のチャンバの下方のトンネルとして設けられてもよい。幾つかの実施形態によれば、トンネルは、真空処理システム１００の第２の処理チャンバ２４０から第１の処理チャンバ１４０Ａの圧力条件を分離させることができうる一または複数のスルースを含みうる。幾つかの実施形態では、例えば巻き出しチャンバと第１の処理チャンバとの間の通路、第１の処理チャンバと通路との間、通路と第２の処理チャンバとの間、及び第２の処理チャンバと巻き付けチャンバとの間等の、真空処理システム１００内の１つのチャンバから別のチャンバへの各通路に間隙スルース１８０が設けられている。具体的には、一または複数の間隙スルース１８０は、図１Ｃに関して詳しく例示的に説明したように構成されうる。通路１５０を通過した後、フレキシブル基板１０は、（例えば、一又は複数のガイドローラ１０４によって）第２の処理チャンバ２４０へとガイドされる。幾つかの実施形態によれば、第２の処理チャンバ２４０は、第１の処理チャンバ１４０Ａ又は図１Ａ〜１Ｄに関連して上記で説明した処理チャンバのように設計されてもよい。例えば、第２の処理チャンバは、処理ドラム１４２、及び堆積源などの一又は複数の処理構成要素１４１を含み得る。一実施例では、第２の処理チャンバ２４０の堆積源は、処理ドラム１４２の中心線又は回転軸１４３の高さ以下に配置され得る。基板は、処理ドラム１４２によって、処理構成要素１４１を過ぎるようにガイドされ得る。第２の処理チャンバ２４０内の処理構成要素１４１が堆積源である場合、堆積された材料の一又は複数の追加の層が基板上にコーティングされ得る。幾つかの実施形態によれば、第２の処理チャンバは、第１の処理チャンバ内で基板上に堆積された層のための追加的又は補足的な構成要素を提供する。   [0081] After the substrate is processed, the flexible substrate 10 is guided through the passage 150. The passage 150 may be disposed above the winding chamber, such as the second chamber 120, the maintenance zone 130, and the unwinding chamber, such as the first chamber 110. In some embodiments, the passage 150 may be part of the top lid, or may be provided as a tunnel below the maintenance zone and the first and second chambers. According to some embodiments, the tunnel can include one or more sluices that can isolate the pressure condition of the first processing chamber 140A from the second processing chamber 240 of the vacuum processing system 100. In some embodiments, for example, a passage between the unwind chamber and the first processing chamber, between the first processing chamber and the passage, between the passage and the second processing chamber, and the second processing. A gap sluice 180 is provided in each passage from one chamber to another in the vacuum processing system 100, such as between the chamber and the wrap chamber. Specifically, the one or more gap sluices 180 may be configured as described in detail with respect to FIG. 1C. After passing through the passage 150, the flexible substrate 10 is guided to the second processing chamber 240 (eg, by one or more guide rollers 104). According to some embodiments, the second processing chamber 240 may be designed like the first processing chamber 140A or the processing chamber described above in connection with FIGS. For example, the second processing chamber may include a processing drum 142 and one or more processing components 141, such as a deposition source. In one embodiment, the deposition source of the second processing chamber 240 may be disposed below the center line of the processing drum 142 or the height of the rotation shaft 143. The substrate may be guided past the processing component 141 by the processing drum 142. If the processing component 141 in the second processing chamber 240 is a deposition source, one or more additional layers of deposited material may be coated on the substrate. According to some embodiments, the second processing chamber provides additional or supplemental components for the layers deposited on the substrate in the first processing chamber.

［００８２］第２の処理チャンバ２４０内でフレキシブル基板１０が処理された後、基板は、第２のチャンバ１２０又は巻き付けチャンバにガイドされうる。そこで、処理された基板を収めるために、処理された基板が巻き取りロール１２１に巻き付けられる。図２に示す例示の実施形態では、第１のチャンバ１１０及び／又は第２のチャンバ１２０は、図１Ｃ及び１Ｄに関連して上記に詳細に記載したように、第１及び／又は第２のチャンバのメンテナンスのためのメンテナンスゾーン１３０を通してアクセス可能であることを理解すべきである。   [0082] After the flexible substrate 10 is processed in the second processing chamber 240, the substrate may be guided to the second chamber 120 or the winding chamber. Therefore, the processed substrate is wound around the take-up roll 121 in order to accommodate the processed substrate. In the exemplary embodiment shown in FIG. 2, the first chamber 110 and / or the second chamber 120 may be a first and / or second chamber as described in detail above in connection with FIGS. 1C and 1D. It should be understood that it is accessible through the maintenance zone 130 for chamber maintenance.

［００８３］幾つかの実施形態によれば、２つの処理チャンバを有する堆積システムの巻き付け角度は、５４０度未満であり得る。上記で説明したように、本書に記載の実施形態に係る２つの処理チャンバを有する堆積システム内のロール（ガイドローラを含むが、供給ロール及び巻き取りロールを含まない）は、ローラが、処理された基板表面に接触しないように配置され得る。   [0083] According to some embodiments, the wrap angle of a deposition system having two processing chambers can be less than 540 degrees. As explained above, a roll in a deposition system having two processing chambers according to the embodiments described herein (including a guide roller but not including a supply roll and a take-up roll) is processed by the roller. It may be arranged so as not to contact the substrate surface.

［００８４］図２に例示するように、幾つかの実施形態によれば、本書に記載の真空処理システムの一又は複数の処理チャンバは、処理チャンバから巻き付けチャンバ又は別の処理チャンバなどの隣接するチャンバまで基板用通路を設けるように形成され得る。例えば、第１の処理チャンバ１４０Ａ及び／又は第２の処理チャンバ２４０は、真空処理システムにおける基板用の通路を提供する、第１の腕状延長部１４０Ｅ及び／又は第２の腕状延長部２４０Ｅを提供しうる。本書に記載の幾つかの実施形態によれば、通路は、したがって、一又は複数の処理チャンバ及びその一又は複数の延長部によって設けられる。他の実施形態では、１つの処理チャンバのみが通路用の延長部を備え得る。本書に記載の幾つかの実施形態によれば、通路は、このように第１の（真空）チャンバ及び第２の（真空）チャンバの上方に設けられる。   [0084] As illustrated in FIG. 2, according to some embodiments, one or more processing chambers of the vacuum processing system described herein are adjacent, such as from a processing chamber to a wrapping chamber or another processing chamber. It may be formed to provide a substrate passage to the chamber. For example, the first processing chamber 140A and / or the second processing chamber 240 may provide a first arm extension 140E and / or a second arm extension 240E that provide a passage for a substrate in a vacuum processing system. Can be provided. According to some embodiments described herein, the passageway is thus provided by one or more processing chambers and one or more extensions thereof. In other embodiments, only one processing chamber may include a passage extension. According to some embodiments described herein, the passageway is thus provided above the first (vacuum) chamber and the second (vacuum) chamber.

［００８５］本書に記載の処理システムは、基板が処理システムを通過する間、組み合わせることが可能である、蒸発又はスパッタリングなどの多様な処理及びＰＶＤ処理、或いはＰＥＣＶＤ処理などのＣＶＤ処理、又はタングステン（ウォルフラム）化学気相堆積処理（ＷＣＶＤ）のための共通プラットフォームを形成することを理解すべきである。例えば、本書に記載の処理システムは、シラン堆積処理を行うために用いることが可能である。種々のＰＥＣＶＤ処理を組み合わせて、例えばＴＦＴ、あるいは可鍛性ＴＦＴ製造、薄膜バリア、より具体的には薄膜極超バリアの堆積のために用いることができることに留意すべきである。   [0085] The processing system described herein can be combined while the substrate passes through the processing system, various processes such as evaporation or sputtering and PVD processes, or CVD processes such as PECVD processes, or tungsten ( It should be understood that it forms a common platform for Wolfram Chemical Vapor Deposition (WCVD). For example, the processing system described herein can be used to perform a silane deposition process. It should be noted that various PECVD processes can be used in combination, for example for the deposition of TFTs or malleable TFTs, thin film barriers, more specifically thin film hyperbarriers.

［００８６］したがって、本書に記載の堆積システムは、高い可鍛性をもつために、「シングルドラム（ＳＤ）」（図１Ａから１Ｄに記載された実施形態）及び「ダブルドラム（ＤＤ）」（図２に記載された実施形態）のオプションを有するモジュラーメインフレーム設計で提供され得る。モジュラー設計によって、幾つかの源において可鍛性ももたらされる。例えば、複数のボトムアップ堆積源が設けられる場合があり、汚染のリスクが減少する。堆積源並びに処理チャンバは、用途の種類及び層スタックなどの処理パラメータに応じて使用又は提供され得る。   [0086] Accordingly, the deposition system described herein has a “single drum (SD)” (the embodiment described in FIGS. 1A-1D) and “double drum (DD)” ( 2 may be provided in a modular mainframe design with the option of the embodiment described in FIG. Modular design also provides malleability in several sources. For example, multiple bottom-up deposition sources may be provided, reducing the risk of contamination. The deposition source as well as the processing chamber may be used or provided depending on the processing parameters such as the type of application and the layer stack.

［００８７］幾つかの実施形態では、堆積システムの設計は、それぞれの用途に応じて、第２の処理チャンバをオンとオフに切り替えるように適合され得る。例えば、第１の処理チャンバを通過した基板は、所望の処理に応じて、第２の処理チャンバ又は任意選択的に巻き付けチャンバにガイドされうる。一実施例では、制御ユニットは、基板を所望のチャンバに方向付けるために、それぞれのガイドローラを始動させ得る。幾つかの実施形態によれば、第１の処理の直後に基板が再巻き付けチャンバにガイドされる際の、第２の処理チャンバへの通路などの代替的な基板通路は、閉じられてもよい。   [0087] In some embodiments, the design of the deposition system may be adapted to switch the second processing chamber on and off depending on the respective application. For example, a substrate that has passed through a first processing chamber can be guided to a second processing chamber or optionally a winding chamber, depending on the desired processing. In one example, the control unit may trigger each guide roller to direct the substrate to the desired chamber. According to some embodiments, an alternative substrate path, such as a path to a second processing chamber, may be closed when the substrate is guided to the rewind chamber immediately after the first process. .

［００８８］したがって、種々の堆積源のための柔軟性及び空間を有する本書に記載のシステムは、単一の堆積装置、例えば、Ｒ２Ｒコータにおける幾つかのＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、及び／又はＰＶＤ処理のモジュールの組み合わせを可能にする。モジュールのコンセプトでは、非常に優れたガス分離を必要とする堆積源を含むあらゆる種類の堆積源を本書に記載の実施形態に係る堆積システムで使用することができるが、このコンセプトは、種々の堆積技術又は複雑な組み合わせの処理パラメータを適用して堆積させなければならない複合層スタックの堆積のコスト削減に役立つ。   [0088] Thus, the system described herein with flexibility and space for various deposition sources is a module for several CVD, PECVD, and / or PVD processes in a single deposition apparatus, eg, an R2R coater. Allows a combination of In the modular concept, any type of deposition source can be used in the deposition system according to the embodiments described herein, including deposition sources that require very good gas separation. It helps reduce the cost of depositing composite layer stacks that must be deposited by applying technology or complex combinations of processing parameters.

［００８９］図３に、本書に記載の真空処理システムの一部の概略断面図を示す。具体的には、図３に、本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの第１のチャンバ１１０と通路１５０に接続されうる、少なくとも１つの処理チャンバ、例えば図３の処理チャンバ１４０の構成の一例を示す。   [0089] FIG. 3 shows a schematic cross-sectional view of a portion of the vacuum processing system described herein. Specifically, FIG. 3 illustrates a configuration of at least one processing chamber, eg, the processing chamber 140 of FIG. 3, that can be connected to the first chamber 110 and the passage 150 of the vacuum processing system according to the embodiments described herein. An example is shown.

［００９０］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理チャンバ１４０は、図３に例示するように、垂直配向又は水平配向に対して傾斜した分離壁１２２を含みうる。例えば、分離壁１２２の傾斜角は、垂直線に対して２０度から７０度とすることができる。したがって、壁の傾斜により、付加的な処理構成要素の軸（図３に示す線３３１参照）、堆積源の対称軸が処理ドラム１４２の回転軸１４３以下の高さになるように、付加的な処理構成要素、例えば堆積源を配設することが可能になる。図３において、設けられた４つの堆積源を示し、１つの堆積源は処理ドラム１４２の回転軸１４３の高さに配置され、別の３つの堆積源は処理ドラム１４２の回転軸１４３の高さより下に設けられている。前述のように、発生した粒子の基板上への剥離（ｆｌａｋｉｎｇ）及び落下が、この構成によって低減又は回避されうる。図３に示す５つ目の処理ステーションは例えば、処理ドラム１４２の回転軸１４３の上に設けられうるエッチングステーション６４０であってよい。しかしながら、処理チャンバ１４０の第１の部分１４６の凸状壁部分の他の部分のいずれかに、一または複数のエッチングステーションを配設することもできることを理解すべきである。例えば、一または複数のエッチングステーションは、プラズマエッチング用に構成されうる。したがって、本書に記載の実施形態は、例えば一または複数のエッチング処理を実施することによって、Ｒ２Ｒパターニング用に構成することも可能である。   [0090] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the processing chamber 140 may include a separation wall 122 that is inclined relative to a vertical or horizontal orientation, as illustrated in FIG. For example, the inclination angle of the separation wall 122 may be 20 degrees to 70 degrees with respect to the vertical line. Therefore, the additional tilting of the wall causes the additional processing component axis (see line 331 shown in FIG. 3) and the deposition source symmetry axis to be no more than the rotational axis 143 of the processing drum 142. It is possible to arrange processing components, for example deposition sources. In FIG. 3, four deposition sources are shown, one deposition source being arranged at the height of the rotation shaft 143 of the processing drum 142, and the other three deposition sources from the height of the rotation shaft 143 of the processing drum 142. It is provided below. As described above, flaking and dropping of generated particles on the substrate can be reduced or avoided by this configuration. The fifth processing station shown in FIG. 3 may be, for example, an etching station 640 that may be provided on the rotation shaft 143 of the processing drum 142. However, it should be understood that one or more etching stations may be disposed on any other portion of the convex wall portion of the first portion 146 of the processing chamber 140. For example, one or more etching stations can be configured for plasma etching. Accordingly, embodiments described herein can also be configured for R2R patterning, for example, by performing one or more etching processes.

［００９１］図３を例示として参照すると、幾つかの実施形態によれば、基板は、例えば図３の最下部の処理構成要素の第１の真空処理領域、及び少なくとも１つの第２の真空処理領域、例えば図３に示す最下部の処理構成要素の右側にある別の処理構成要素を通してガイドされうる。本書ではたびたび、堆積源を処理構成要素として指し示しているが、処理ドラムの曲面に沿って他の処理構成要素、例えばエッチングステーション、加熱ステーション等も設けられうる。従って、様々な堆積源用の区画を有する本書に記載のシステムは、例えば、Ｒ２Ｒコータ構成の幾つかのＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ及び／又はＰＶＤプロセスのモジュールの組み合わせを可能にする。モジュールのコンセプトでは、非常に優れたガス分離を必要とする堆積源を含むあらゆる種類の堆積源を本書に記載の実施形態に係る処理システムで使用することができることが有益であるが、このコンセプトは、種々の堆積技術又は複雑な組み合わせの処理パラメータを適用して堆積させなければならない複合層スタックの堆積のコスト削減に役立つ。   [0091] Referring to FIG. 3 by way of example, according to some embodiments, the substrate may be, for example, a first vacuum processing region of the bottom processing component of FIG. 3, and at least one second vacuum processing. It may be guided through a region, for example another processing component to the right of the bottom processing component shown in FIG. Although this document often refers to the deposition source as a processing component, other processing components, such as an etching station, a heating station, etc., may be provided along the curved surface of the processing drum. Thus, the system described herein with compartments for various deposition sources allows for the combination of several CVD, PECVD and / or PVD process modules, for example, in an R2R coater configuration. In the modular concept, it is beneficial that any type of deposition source can be used in the processing system according to the embodiments described herein, including those that require very good gas separation. It helps reduce the cost of depositing composite stacks that must be deposited by applying various deposition techniques or complex combinations of processing parameters.

［００９２］したがって、本書に記載の実施形態によれば、堆積源、例えばプラズマ堆積源は、薄膜をフレキシブル基板、例えば、ウェブ又は箔、ガラス基板又はシリコン基板などの上に堆積させるように適合することができることを理解すべきである。特に、堆積源は、例えば、フレキシブルＴＦＴ、タッチスクリーンデバイスの構成要素、又は他の電子又は光学装置を形成するために、薄膜をフレキシブル基板上に堆積させるように適合及び使用することができる。   [0092] Thus, according to embodiments described herein, a deposition source, eg, a plasma deposition source, is adapted to deposit a thin film on a flexible substrate, eg, a web or foil, a glass substrate, a silicon substrate, or the like. It should be understood that it can. In particular, the deposition source can be adapted and used to deposit a thin film on a flexible substrate, for example to form flexible TFTs, components of touch screen devices, or other electronic or optical devices.

［００９３］幾つかの実施形態によれば、処理ドラム１４２の湾曲した外面とフランジ又はチャンバの凸形状の距離は１０ｍｍから５００ｍｍであってよい。具体的には、距離は処理ドラムの面から内壁又はフランジ部分までの寸法を指し、処理チャンバ１４０の真空エリアの境界を定めるものである。上述した凸形状および寸法を付与することにより、処理チャンバ１４０の第１の部分１４６のチャンバ容積を縮小することが可能になる。処理チャンバの第１の部分１４６のチャンバ容積を縮小することによって、ガス分離が容易になり、処理領域の排気が簡単になりうる。例えば、処理チャンバ１４０の第２の部分１４７は、ある容積の排気可能な領域を有していてよく、処理チャンバ１４０の第１の部分１４６は、別の容積の別の排気可能な領域を有していてよく、容積と別の容積との比率は少なくとも２：１、例えば３：１から６：１である。   [0093] According to some embodiments, the distance between the curved outer surface of the processing drum 142 and the convex shape of the flange or chamber may be between 10 mm and 500 mm. Specifically, the distance refers to the dimension from the surface of the processing drum to the inner wall or flange portion, and delimits the vacuum area of the processing chamber 140. By providing the convex shape and dimensions described above, the chamber volume of the first portion 146 of the processing chamber 140 can be reduced. By reducing the chamber volume of the first portion 146 of the processing chamber, gas separation can be facilitated and evacuation of the processing region can be simplified. For example, the second portion 147 of the processing chamber 140 may have a volume of evacuable area, and the first portion 146 of the processing chamber 140 may have another volume of evacuable area. The ratio of volume to another volume may be at least 2: 1, for example 3: 1 to 6: 1.

［００９４］また別の実行形態によれば、固体材料で満たされていない第１の部分１４６のエリアは、排気すべきエリアを縮小するために、材料のブロック（ｂｌｏｃｋ）で満たすことができる。例えば、第２の部分１４７は、ある容積の排気可能な領域を有し、第１のチャンバ部分１４６は、別の容積の別の排気可能な領域を有し、容積と別の容積との比率は、容積縮小ブロック（ｖｏｌｕｍｅ ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｂｌｏｃｋｓ）によって、少なくとも７：１まで増加する。   [0094] According to yet another implementation, the area of the first portion 146 that is not filled with solid material may be filled with a block of material to reduce the area to be evacuated. For example, the second portion 147 has a volume of evacuable area, the first chamber portion 146 has another volume of evacuable area, and the ratio of the volume to the other volume. Is increased to at least 7: 1 by volume reduction blocks.

［００９５］図３を例示として参照すると、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、基板処理の結果を評価するための、光学的測定ユニット４９４等の検査システム、特に層測定システム（ＬＭＳ）が提供されうる。したがって、本書に記載の実施形態は、例えば、光の反射システム及び／又は例えば透明な基板に使用するための透過システムの使用を通して、層の厚さを評価するための計測能力を提供することを理解すべきである。   [0095] Referring to FIG. 3 by way of example, an inspection system, such as an optical measurement unit 494, for evaluating substrate processing results, according to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein. In particular, a layer measurement system (LMS) may be provided. Thus, the embodiments described herein provide metrology capabilities for assessing layer thickness, for example through the use of light reflection systems and / or transmission systems, eg, for use with transparent substrates. Should be understood.

［００９６］更に、図３に例示するように、幾つかの実施形態によれば、基板上の電荷に適応するための、少なくとも１つの放電アセンブリ、例えば図３の放電アセンブリ４９２が設けられうる。例えば、基板が処理チャンバ１４０にガイドされる前の第１のチャンバ１１０内に１つの放電アセンブリ４９２を配置することができ、オプションとして、基板が処理チャンバを通過した後の位置、例えば通路１５０に別の放電アセンブリ４９２を配置することができる。例えば、巻き出しチャンバにおいて、基板上に正電荷及び／又は負電荷が蓄積しうるため、放電アセンブリを配設することは、処理結果の質を上げるのに有益でありうる。具体的には、電荷は、供給ロールからフレキシブル基板が巻き出しされる間に発生しうる。その後、静電荷はウェブが処理チャンバ内に移動するときも基板上に残る可能性があり、このため、基板の表面に浮遊粒子が引き付けられうる。したがって、本書に記載の放電アセンブリを配設することによって、基板の表面に移動して電荷を中性化する、反対の極性のイオンが供給されうる。したがって、フレキシブル基板のクリーンな放電された表面を処理領域に提供することができ、基板の処理、例えばコーティングの品質が改善されうる。   [0096] Further, as illustrated in FIG. 3, according to some embodiments, at least one discharge assembly, eg, the discharge assembly 492 of FIG. 3, may be provided to accommodate the charge on the substrate. For example, one discharge assembly 492 can be placed in the first chamber 110 before the substrate is guided into the processing chamber 140, and optionally in a position after the substrate has passed through the processing chamber, such as in the passage 150. Another discharge assembly 492 can be arranged. For example, in the unwind chamber, positive and / or negative charges can accumulate on the substrate, so disposing the discharge assembly can be beneficial in improving the quality of the processing results. Specifically, the charge can be generated while the flexible substrate is unwound from the supply roll. The electrostatic charge can then remain on the substrate as the web moves into the processing chamber, which can cause airborne particles to be attracted to the surface of the substrate. Thus, by disposing the discharge assembly described herein, opposite polarity ions can be supplied that migrate to the surface of the substrate and neutralize the charge. Thus, a clean discharged surface of the flexible substrate can be provided to the processing region, and the processing of the substrate, eg, the quality of the coating, can be improved.

［００９７］本開示における「放電アセンブリ」という語は、電場を通してガスをイオン化することができるいずれかのデバイスを表すように意図される。放電アセンブリは、パッシブユニットあるいはアクティブユニット、又はこの両方でありうる。更に、放電アセンブリは、電源及び制御ユニットに接続されうる一または複数の中性化デバイスを含みうる。一または複数の中性化デバイスは、一または複数のスパイク（ｓｐｉｋｅ）を有する中性化ランス（ｌａｎｃｅ）又はイオン化ランスとして設けられうる。更に、一または複数のスパイクに高電圧を供給して処理ガスの電気破壊を起こして、フレキシブル基板上の電荷を中性化するためにフレキシブル基板の表面に向かって電場内を移動しうるイオンを生成することができるように、電源、特に高電圧電源を中性化デバイスに接続させることができる。制御ユニットは、基板の表面に流れることにより、基板の表面上の電荷とは反対の極性のイオンが基板の表面に移動して基板の表面の電荷を中性化しうる、負に帯電した、あるいは正に帯電したイオンの流れが中性化デバイスによって生成されるように、コマンドを起動しうる又は予めプログラミングされた放電プロファイルを実行しうる。   [0097] The term "discharge assembly" in this disclosure is intended to represent any device capable of ionizing a gas through an electric field. The discharge assembly can be a passive unit or an active unit, or both. Further, the discharge assembly can include one or more neutralization devices that can be connected to a power source and a control unit. The one or more neutralization devices may be provided as a neutralization lance or ionization lance with one or more spikes. In addition, ions that can move in the electric field toward the surface of the flexible substrate to neutralize the charge on the flexible substrate by supplying a high voltage to one or more spikes to cause electrical breakdown of the process gas. A power supply, particularly a high voltage power supply, can be connected to the neutralization device so that it can be generated. When the control unit flows to the surface of the substrate, ions having a polarity opposite to the charge on the surface of the substrate can move to the surface of the substrate and neutralize the charge on the surface of the substrate. Commands can be initiated or pre-programmed discharge profiles can be performed such that a flow of positively charged ions is generated by the neutralization device.

［００９８］したがって、本書に記載の実施形態によれば、帯電軽減デバイス、例えば本書に記載の放電アセンブリを使用して、巻き出しの最中に、基板の搬送のために採用されたロールによって生じる基板の帯電に起因して巻き出しチャンバからの粒子状物質が基板の表面に引き付けられないようにすることによって、歩留まりに対する粒子の影響を減らすことができることを理解すべきである。これは、基板表面における外因性の汚染レベルを範囲内に収める助けとなる。   [0098] Thus, according to embodiments described herein, a charge reduction device, such as a discharge assembly described herein, is used to generate by a roll employed for substrate transport during unwinding. It should be understood that by preventing particulate matter from the unwind chamber from being attracted to the surface of the substrate due to the charging of the substrate, the effect of the particles on yield can be reduced. This helps to keep exogenous contamination levels on the substrate surface within range.

［００９９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、真空処理システム１００は、図３に例示するように、処理する前にフレキシブル基板１０を加熱する予熱ユニット１９４を含みうる。例えば、予熱ユニット１９４は、電熱デバイス、放射ヒータ、電子ビームヒータ、又は基板を処理する前に基板を加熱する他のいずれかの要素であってよい。具体的には、予熱ユニット１９４は、フレキシブル基板に対して非接触の加熱デバイスとなるように構成されうる、すなわち予熱ユニットは、基板に接触せずに、基板を規定温度に加熱することが可能でありうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、図３に例示するように、第１のチャンバ１１０に、フレキシブル基板を加熱する予熱ユニット１９４を配設することができる。   [0099] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the vacuum processing system 100 preheats a unit 194 that heats the flexible substrate 10 prior to processing, as illustrated in FIG. Can be included. For example, the preheating unit 194 may be an electric heating device, a radiant heater, an electron beam heater, or any other element that heats the substrate prior to processing the substrate. Specifically, the preheating unit 194 can be configured to be a non-contact heating device with respect to the flexible substrate, that is, the preheating unit can heat the substrate to a specified temperature without contacting the substrate. It can be. According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, a preheating unit 194 for heating the flexible substrate is disposed in the first chamber 110, as illustrated in FIG. Can do.

［００１００］更に、加えて又は代替的に、基板を処理する前にプラズマで基板を処理するために、例えばＲＦプラズマ源又はイオン源などの前処理プラズマ源１９２を配設することができる。例えば、前処理プラズマ源１９２は、処理チャンバ１４０の第１の部分１４６に入る前に基板に前処理が施されるように、処理チャンバ１４０内、特に処理チャンバ１４０の第２の部分１４７内に配置されうる。例えば、プラズマでの前処理は、基板表面に堆積された膜の膜接着性を向上させるために基板表面の表面改質をもたらすことができ、或いは、その処理を改善するために別の方法で基板形態を改善することができる。   [00100] Additionally or alternatively, a pre-treatment plasma source 192, such as an RF plasma source or an ion source, can be provided to treat the substrate with the plasma prior to processing the substrate. For example, the pretreatment plasma source 192 is placed in the processing chamber 140, particularly in the second portion 147 of the processing chamber 140, such that the substrate is pretreated before entering the first portion 146 of the processing chamber 140. Can be arranged. For example, plasma pre-treatment can result in surface modification of the substrate surface to improve the film adhesion of the film deposited on the substrate surface, or in another way to improve the treatment. The substrate form can be improved.

［００１０１］図３を例示的に参照すると、本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態によれば、基板を拡張させうる加熱デバイス１３１が提供されうる。例えば、加熱デバイス１３１は、フレキシブル基板１０を基板の搬送方向１０８に垂直の方向に拡張させるように、あるいは基板の拡張を基板の搬送方向１０８に垂直の方向に維持するように構成されうる。幾つかの実行形態によれば、加熱デバイス１３１は、フレキシブル基板１０の前面の反対側に位置づけされうる。具体的には、加熱デバイスは、前面と接触せずに、またフレキシブル基板に熱を付与することによって、基板の横方向の伸びをもたらすように構成されうる。図３に示すように、いくつかの実施形態によれば、オプションとして、加熱デバイス１３１の前面の反対側に位置づけされた熱調整ユニット１３３が設けられうる。具体的には、熱調整ユニット１３３と加熱デバイス１３１は、間隙又はトンネルを形成するように配置され、間隙又はトンネルは、フレキシブル基板１０の進路を形成しうる。例えば、熱調整ユニット１３３は、別の加熱デバイス、加熱リフレクタプレート、又はこれらの組合せであってよい。加熱デバイス１３１と熱調整ユニット１３３の配置によって形成された間隙又はトンネルは、少なくとも２０ｍｍ、例えば３０ｍｍ以上の、基板の搬送方向に平行な方向の寸法を有しうる。図３に例示するように、熱調整ユニット１３３及び／又は加熱デバイス１３１は、処理ドラム１４２に隣接するように配置されうる。例えば、基板の反対の平坦な加熱デバイスの表面については、図３に例示するように、加熱デバイスの表面が、加熱デバイスの表面の反対の基板部分に基本的に平行であってよい。しかしながら、加熱デバイスの表面は必ずしも平坦あるいは平行であるわけではないことを理解すべきである。   [00101] Referring to FIG. 3 by way of example, according to an embodiment that may be combined with other embodiments described herein, a heating device 131 capable of expanding a substrate may be provided. For example, the heating device 131 may be configured to expand the flexible substrate 10 in a direction perpendicular to the substrate transport direction 108, or to maintain the substrate expansion in a direction perpendicular to the substrate transport direction 108. According to some implementations, the heating device 131 may be positioned on the opposite side of the front surface of the flexible substrate 10. In particular, the heating device can be configured to provide lateral stretching of the substrate without contacting the front surface and by applying heat to the flexible substrate. As shown in FIG. 3, according to some embodiments, a thermal conditioning unit 133 may optionally be provided that is positioned on the opposite side of the front surface of the heating device 131. Specifically, the heat adjustment unit 133 and the heating device 131 are arranged so as to form a gap or a tunnel, and the gap or the tunnel can form a path of the flexible substrate 10. For example, the thermal conditioning unit 133 can be another heating device, a heated reflector plate, or a combination thereof. The gap or tunnel formed by the arrangement of the heating device 131 and the thermal adjustment unit 133 may have a dimension in a direction parallel to the substrate transport direction of at least 20 mm, for example, 30 mm or more. As illustrated in FIG. 3, the heat adjustment unit 133 and / or the heating device 131 may be disposed adjacent to the processing drum 142. For example, for the surface of the flat heating device opposite the substrate, the surface of the heating device may be essentially parallel to the portion of the substrate opposite the surface of the heating device, as illustrated in FIG. However, it should be understood that the surface of the heating device is not necessarily flat or parallel.

［００１０２］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、加熱デバイス１３１は、少なくとも５ｃｍ、通常２０ｃｍ〜８０ｃｍ等の少なくとも１０ｃｍの基板の搬送方向に沿った長さを有しうる。加熱デバイスの幅、すなわちその回転軸１４３の方向の寸法は、基板の幅の少なくとも５０％、又は処理ドラム１４２の幅の少なくとも５０％であってよい。一実施例によれば、例えば幅は、フレキシブル基板及び／又は処理ドラムの幅をそれぞれ上回りうる、例えばフレキシブル基板の幅の約１１０％であってよい。   [00102] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the heating device 131 has a length along the transport direction of the substrate of at least 5 cm, typically at least 10 cm, such as from 20 cm to 80 cm. Can have. The width of the heating device, ie its dimension in the direction of the axis of rotation 143, may be at least 50% of the width of the substrate or at least 50% of the width of the processing drum 142. According to one embodiment, for example, the width may be greater than the width of the flexible substrate and / or the processing drum, respectively, for example about 110% of the width of the flexible substrate.

［００１０３］加熱デバイス１３１の例示的な実行形態によれば、加熱デバイス１３１には、個々に制御されうる２つ以上のセグメントが設けられていてよい。したがって、個々のセグメントを異なる温度に加熱することができる、及び／又は各セグメントによって放出される熱放射が異なるものとなる可能性がある。特に、中心セグメントと、一または複数の外側セグメントを有する加熱デバイスを有する実施形態においては、中心セグメントの熱放射又は加熱は、一または複数の外側セグメントとは独立して制御されうる。例えば、基板の中心部分の温度を上げることによって、基板の拡張を生じさせるために、基板の中心を更に加熱しうる。   [00103] According to an exemplary implementation of the heating device 131, the heating device 131 may be provided with two or more segments that can be individually controlled. Thus, individual segments can be heated to different temperatures and / or the thermal radiation emitted by each segment can be different. In particular, in embodiments having a central segment and a heating device having one or more outer segments, the thermal radiation or heating of the central segment can be controlled independently of the one or more outer segments. For example, the center of the substrate can be further heated to cause expansion of the substrate by increasing the temperature of the central portion of the substrate.

［００１０４］更に、例えば２００μｍ以下、又は１００μｍ以下、又は５０μｍ以下、例えば約２５μｍの厚さを有する基板等の特に薄い基板については、しわができない基板処理及び／又は基板の巻き付けが好ましく、また問題である。したがって、スプレッダローラを使って基板の拡張を生じさせることができ、拡張は、前面との接触なしに、熱的に支持されうる。したがって、幾つかの実施形態によれば、図３に例示するように、スプレッダローラ１４４によって、しわができない基板の巻き付け及び／又は搬送（あるいはしわの発生が少ない基板の巻き付け及び／又は搬送）が提供されうる。   [00104] Furthermore, for particularly thin substrates, such as substrates having a thickness of, for example, 200 μm or less, or 100 μm or less, or 50 μm or less, for example about 25 μm, substrate processing and / or winding of the substrate that is not wrinkled is preferred and problematic. It is. Thus, a spreader roller can be used to cause expansion of the substrate, and the expansion can be thermally supported without contact with the front surface. Therefore, according to some embodiments, as illustrated in FIG. 3, the spreader roller 144 can wrap and / or convey the substrate that is not wrinkled (or wrap and / or convey the substrate with less wrinkling). Can be provided.

［００１０５］幾つかの構成において、基板の前面が接触していないスプレッダローラ１４４の位置により、スプレッダローラ１４４と処理ドラム１４２との間がフリースパン長となり得、これは有効性のあるスプレッダ効果のためには長すぎる場合がある。したがって、加熱デバイス１３１が、スプレッダローラ１４４のスプレッダ効果を処理ドラム１４２へ「伝達」しうることは有益である。具体的には、加熱デバイスは、基板が処理ドラムへの経路上で基板の初期の長さに縮まないように基板を加熱しうる。更に、あるいは代替的に、加熱デバイス１３１は、前に生じた基板の拡張よりも更に拡張を生じさせうる。したがって、加熱デバイスは、スプレッダローラなしで、あるいはスプレッダローラに加えて、拡張を提供しうることを理解すべきである。オプションとして、処理ドラム１４２は加熱されるように更に構成されうる、例えば処理ドラムは加熱要素を含むことができる。   [00105] In some configurations, the position of the spreader roller 144 that is not in contact with the front surface of the substrate may result in a free span length between the spreader roller 144 and the processing drum 142, which is an effective spreader effect. It may be too long for that. Therefore, it is beneficial that the heating device 131 can “transmit” the spreader effect of the spreader roller 144 to the processing drum 142. Specifically, the heating device can heat the substrate such that the substrate does not shrink to the initial length of the substrate on the path to the processing drum. In addition, or alternatively, the heating device 131 may cause further expansion than the previous substrate expansion. Thus, it should be understood that the heating device may provide expansion without or in addition to the spreader roller. Optionally, the processing drum 142 can be further configured to be heated, for example, the processing drum can include a heating element.

［００１０６］例えば、基板の搬送中に基板のしわを減らす、あるいは失くすために、加熱デバイス１３１がスプレッダローラ１４４と処理ドラム１４２との間に設けられうる。したがって、加熱デバイス１３１は、スプレッダローラ１４４によってもたらされた拡張がなくならないように、フレキシブル基板１０に熱を供給する、すなわち拡張された基板は、基板がスプレッダローラ１４４から処理ドラム１４２までの経路上で基板の初期の幅に縮まないように、加熱デバイス１３１によって加熱される。したがって、加熱デバイス１３１は、スプレッダローラ１４４の後のフレキシブル基板の縮小を低減しうる、あるいはフレキシブル基板の拡張を増加さえもさせうる。幾つかの実行形態によれば、加熱デバイス１３１と処理ドラム１４２との距離は、２０ｃｍ以下、具体的には１０ｃｍ以下であってよい。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる別の実施形態によれば、スプレッダローラ１４４から処理ドラム１４２までのフレキシブル基板の搬送路に沿った距離は、１１０ｃｍ以下、具体的には５０ｃｍ以下であってよい。   [00106] For example, a heating device 131 may be provided between the spreader roller 144 and the processing drum 142 to reduce or eliminate wrinkling of the substrate during transfer of the substrate. Accordingly, the heating device 131 supplies heat to the flexible substrate 10 so that the expansion provided by the spreader roller 144 is not lost, ie, the expanded substrate is a path from the spreader roller 144 to the processing drum 142. It is heated by the heating device 131 so as not to shrink to the initial width of the substrate. Accordingly, the heating device 131 can reduce the shrinkage of the flexible substrate after the spreader roller 144, or even increase the expansion of the flexible substrate. According to some implementations, the distance between the heating device 131 and the processing drum 142 may be 20 cm or less, specifically 10 cm or less. According to another embodiment that can be combined with other embodiments described herein, the distance along the flexible substrate transport path from the spreader roller 144 to the processing drum 142 is 110 cm or less, specifically 50 cm or less. It's okay.

［００１０７］本書の実施形態によれば、スプレッダローラ１４４は、フレキシブル基板１０を伸ばすように適合されうる。詳細には、スプレッダローラは、ローラの長さ方向に沿って曲面を有しうる。したがって、スプレッダローラの曲面は、基板の幅方向にテンショニング効果を有することができ、これによりフレキシブル基板１０が基板の幅に沿って伸ばされうる。例えば、フレキシブル基板１０は、処理ドラム１４２の回転軸１４３に平行な方向に伸ばされうる。曲がったローラ、金属を拡張可能なローラ、湾曲した棒状ローラ、溝付きローラ等の様々な種類のスプレッダローラが設けられうることを理解すべきであり、このうちの幾つかを、図４Ａ及び４Ｂに関連してより詳細に説明する。幾つかの実行形態によれば、スプレッダローラは、スプレッダローラによってフレキシブル基板に導入される機械的な伸長を支持する又は増進するための電気加熱を含みうる。   [00107] According to embodiments herein, the spreader roller 144 can be adapted to stretch the flexible substrate 10. Specifically, the spreader roller may have a curved surface along the length direction of the roller. Therefore, the curved surface of the spreader roller can have a tensioning effect in the width direction of the substrate, whereby the flexible substrate 10 can be extended along the width of the substrate. For example, the flexible substrate 10 can be extended in a direction parallel to the rotation shaft 143 of the processing drum 142. It should be understood that various types of spreader rollers may be provided, such as curved rollers, metal expandable rollers, curved rod rollers, grooved rollers, etc., some of which are illustrated in FIGS. 4A and 4B. This will be described in more detail in connection with. According to some implementations, the spreader roller can include electrical heating to support or enhance the mechanical extension introduced into the flexible substrate by the spreader roller.

［００１０８］図４Ａ及び４Ｂに、スプレッダローラ１４４の例示的な実施形態を示す。図４Ａに例示するように、スプレッダローラ１４４は、曲がったあるいは湾曲した中心シャフト（図４Ａの中心シャフト２１１を参照）を含みうる。中心シャフトの両端は、支持体を装着することによって支持されうる。更に、湾曲したロール２１３が中心シャフト２１１に設けられうる。例えば、湾曲したロール２１３は、例えばゴムなどでできていてよいフレキシブル表面シースによって提供されうる。したがって、凸状側２１３Ａがフレキシブル基板の反対を向くように湾曲したロール２１３が配置されたときに、湾曲したロールはフレキシブル基板の横方向の膨張に影響を及ぼしうる。   [00108] An exemplary embodiment of the spreader roller 144 is shown in FIGS. 4A and 4B. As illustrated in FIG. 4A, the spreader roller 144 may include a bent or curved center shaft (see center shaft 211 in FIG. 4A). Both ends of the central shaft can be supported by mounting a support. Furthermore, a curved roll 213 can be provided on the central shaft 211. For example, the curved roll 213 may be provided by a flexible surface sheath that may be made of, for example, rubber. Therefore, when the curved roll 213 is arranged so that the convex side 213A faces the opposite side of the flexible substrate, the curved roll can affect the lateral expansion of the flexible substrate.

［００１０９］図４Ｂに、スプレッダローラ１４４の別の例を示す。この実施例では、スプレッダローラ１４４は、それぞれの軸２１４の周りを回転する２つの回転要素２１５を含みうる。図４Ｂに例示するように、２つの軸は互いに傾斜していてよい。回転要素２１５は円錐台の形態を有していてよく、内径Ｄ１は外径Ｄ２よりも小さい。フレキシブル基板１０が接触する図４Ｂの回転要素の上面は、２つの回転要素が基本的に直線に沿って位置合わせされるように配置される。しかしながら、図４Ｂに示す断面図に対して垂直の方向の断面図において、フレキシブル基板１０はフレキシブル基板１０の外側部分においてのみ回転要素２１５と接触する。フレキシブル基板１０をスプレッダローラ１４４の上でガイドすることによって、例えば２つの回転要素を回転させることによって、フレキシブル基板の拡張を達成することができる。拡張は、スプレッダローラ１４４の周りのフレキシブル基板１０の巻き付き角度を広げることによって増加させることができる。   [00109] FIG. 4B shows another example of a spreader roller 144. As shown in FIG. In this example, the spreader roller 144 can include two rotating elements 215 that rotate about respective axes 214. As illustrated in FIG. 4B, the two axes may be inclined with respect to each other. The rotating element 215 may have a truncated cone shape, and the inner diameter D1 is smaller than the outer diameter D2. The top surface of the rotating element of FIG. 4B with which the flexible substrate 10 contacts is arranged such that the two rotating elements are basically aligned along a straight line. However, in the cross-sectional view perpendicular to the cross-sectional view shown in FIG. 4B, the flexible substrate 10 contacts the rotating element 215 only at the outer portion of the flexible substrate 10. Expansion of the flexible substrate can be achieved by guiding the flexible substrate 10 on the spreader roller 144, for example by rotating two rotating elements. Expansion can be increased by widening the winding angle of the flexible substrate 10 around the spreader roller 144.

［００１１０］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、真空処理システムには、図５Ａに例示するように、基板ガイド制御ユニット３００が設けられ得る。基板ガイド制御ユニット３００は、単一のガイドローラ、例えば図５Ａのガイドローラ１０４を含みうる。例えば、ガイドローラ１０４の直径は、６５ｍｍと３００ｍｍとの間の範囲から選択されうる。ガイドローラ１０４は、例えば、シャフト１１５に装着されうる。本書で使用される「シャフト」という用語は、回転可能である（すなわち、厳密な意味でのシャフト）か、周囲でガイドローラが回転する静止軸を構成するかのいずれかでありうる、ガイドローラ１０４の任意の支持体を含むこととする。特に、基板ガイド制御ユニットと組合せて説明した単一のガイドローラは、基板ガイド制御ユニットが、他のガイドローラにおいて、例えば基板処理システムの他のガイドローラにおいて測定された更なるデータからの入力なしで、基板をガイドするための調整を提供するという意味で、「単一」である。つまり、本書に記載の調整は、単一のガイドローラにおいて測定された張力のデータだけに基づく。本書に記載の基板ガイド制御ユニットは、測定データを提供するため、又は基板を調整するために使用される第２のガイドローラがなしでも作動しうる。   [00110] According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the vacuum processing system can be provided with a substrate guide control unit 300, as illustrated in FIG. 5A. The substrate guide control unit 300 may include a single guide roller, such as the guide roller 104 of FIG. 5A. For example, the diameter of the guide roller 104 can be selected from a range between 65 mm and 300 mm. The guide roller 104 can be attached to the shaft 115, for example. As used herein, the term “shaft” is a guide roller that can either be rotatable (ie, a shaft in the strict sense) or constitute a stationary shaft around which the guide roller rotates. 104 optional supports. In particular, the single guide roller described in combination with the substrate guide control unit has no input from further data measured by the substrate guide control unit at other guide rollers, for example at other guide rollers of the substrate processing system. And “single” in the sense that it provides an adjustment to guide the substrate. That is, the adjustments described herein are based solely on tension data measured on a single guide roller. The substrate guide control unit described herein may operate without a second guide roller used to provide measurement data or to adjust the substrate.

［００１１１］幾つかの実施形態によれば、ガイドローラ１０４には、図５Ａ及び５Ｂに例示するように、例えば第１の基板張力測定ユニット３０１及び第２の基板張力測定ユニット３０２等の２つの基板張力測定ユニットが備えられうる。例えば、基板張力測定ユニットは、例えばピエゾ抵抗又は圧電張力センサ等の張力センサを含みうる。代替的には、張力測定ユニットは、張力を決定するために、ホール素子又はコンデンサを備えうる。いくつかの実施形態によれば、基板張力制御ユニットには、３つ以上に達する基板張力測定ユニットが、ゆえに、任意には３つ以上のセンサも、設けられる。幾つかの実行形態によれば、本書に記載の基板張力測定ユニットは、０Ｎ／ｍと１０００Ｎ／ｍとの間の張力を測定するように適合されうる。   [00111] According to some embodiments, the guide roller 104 includes two, for example, a first substrate tension measurement unit 301 and a second substrate tension measurement unit 302, as illustrated in FIGS. 5A and 5B. A substrate tension measurement unit may be provided. For example, the substrate tension measuring unit may include a tension sensor such as a piezoresistive or piezoelectric tension sensor. Alternatively, the tension measuring unit can comprise a Hall element or a capacitor to determine the tension. According to some embodiments, the substrate tension control unit is provided with up to three or more substrate tension measuring units, and thus optionally more than two sensors. According to some implementations, the substrate tension measurement unit described herein can be adapted to measure tensions between 0 N / m and 1000 N / m.

［００１１２］幾つかの実行形態によれば、第１の基板張力測定ユニット３０１はガイドローラ１０４の第１の端にあり、第２の基板張力測定ユニット３０２はガイドローラ１０４の反対側の第２の端に設けられていてよい。これについて、ローラの「端」という用語は、軸方向において、すなわち、ガイドローラ又はガイドローラのシャフトの端の位置、又は端に近接する位置として、理解されるべきである。明確にするために、第１の端１０４Ａと第２の端１０４Ｂは、図５Ａ及び５Ｂの参照番号によって明示的に表される。したがって、基板張力測定ユニットは、ガイドローラ１０４のシャフト１１５上に、共軸に位置付けられうる。代わりに、一又は複数の基板張力測定ユニットは、ガイドローラ１０４内に埋設されうる。   [00112] According to some implementations, the first substrate tension measuring unit 301 is at a first end of the guide roller 104 and the second substrate tension measuring unit 302 is a second opposite the guide roller 104. It may be provided at the end. In this regard, the term “end” of the roller is to be understood in the axial direction, ie as the position of the guide roller or the end of the shaft of the guide roller, or a position close to the end. For clarity, the first end 104A and the second end 104B are explicitly represented by reference numbers in FIGS. 5A and 5B. Accordingly, the substrate tension measuring unit can be positioned coaxially on the shaft 115 of the guide roller 104. Alternatively, one or more substrate tension measuring units can be embedded in the guide roller 104.

［００１１３］本書に記載の基板張力測定ユニットは、ガイドされる基板によって生じたガイドローラ上に作用する張力を測定するように構成されることを理解すべきである。ガイドローラの両側、ひいては基板の両側で張力を測定することによって、張力の相違が測定されうる。測定されたデータに基づいて、適切な調整が行われうる。   [00113] It should be understood that the substrate tension measurement unit described herein is configured to measure the tension acting on the guide roller caused by the guided substrate. By measuring the tension on both sides of the guide roller and thus on both sides of the substrate, the difference in tension can be measured. Appropriate adjustments can be made based on the measured data.

［００１１４］幾つかの実行形態によれば、基板張力測定ユニットは、トランスデューサ及び／又はストレインゲージを含む。具体的には、トランスデューサは、張力の変動に応答して伸び縮みする棹部を含みうる。ストレインゲージは、対応する電気抵抗の変化を測定する。ストレインゲージによって実施された測定は、更なる処理のために増幅され且つ電圧又は電流に変換される。   [00114] According to some implementations, the substrate tension measurement unit includes a transducer and / or a strain gauge. Specifically, the transducer may include a heel that expands and contracts in response to tension variations. The strain gauge measures the corresponding change in electrical resistance. Measurements performed by the strain gauge are amplified and converted to voltage or current for further processing.

［００１１５］図示の目的で、図５Ａ及び５Ｂには、ガイドローラ１０４は、フレーム３２０に装着されているものとして示されている。フレーム３２０は、基板ガイド制御ユニット３００を支持することが可能な任意のユニットでありうる。詳細には、基板ガイド制御ユニットには、一又は複数の軸受が設けられていてよい。例えば、軸受は、フレームからシャフト１１５の回転運動を分離するために、基板ガイド制御ユニット３００とフレーム３２０との間に位置付けられる。特に、ガイドローラの両側のフレーム３２０が一体型のフレームに属することは可能であるが、それが必要である訳ではない。   [00115] For illustration purposes, FIGS. 5A and 5B show the guide roller 104 as being attached to the frame 320. The frame 320 can be any unit capable of supporting the substrate guide control unit 300. Specifically, the substrate guide control unit may be provided with one or a plurality of bearings. For example, the bearing is positioned between the substrate guide control unit 300 and the frame 320 to separate the rotational motion of the shaft 115 from the frame. In particular, it is possible for the frames 320 on both sides of the guide roller to belong to an integral frame, but this is not necessary.

［００１１６］図５Ａ及び５Ｂを例示として参照すると、基板ガイド制御ユニット３００は、ガイドローラのアライメントを調整するための調整ユニット３１０を含みうる。調整ユニットは、ガイドローラ１０４の第１の端１０４Ａ、又は第２の端１０４Ｂに配置されうる。例えば、 図５Ａに例示するように、調整ユニット３１０は、第２の基板張力測定ユニット３０２に隣接して配置されうる。２つの調整ユニット（図示せず）、例えばガイドローラ１０４の各端に１つの調整ユニット３１０を設けることも可能である。   [00116] Referring to FIGS. 5A and 5B by way of example, the substrate guide control unit 300 may include an adjustment unit 310 for adjusting the alignment of the guide rollers. The adjustment unit may be disposed at the first end 104A or the second end 104B of the guide roller 104. For example, as illustrated in FIG. 5A, the adjustment unit 310 can be disposed adjacent to the second substrate tension measurement unit 302. It is also possible to provide two adjustment units (not shown), for example one adjustment unit 310 at each end of the guide roller 104.

［００１１７］詳細には、基板に作用する横断的張力を回避するために、ガイドローラ１０４のアラインメントに調整ユニット３１０が適用されうる。例えば、ガイドローラ１０４において、そして結果的には、ガイドローラ１０４に後続する全ての機器において、種々のコイリング強度を補償するために、本主題の基板ガイド制御ユニット３００が特に有用である。例えば、種々のコイリング強度により、基板の幅に沿って基板の厚さが変化する。この結果、材料供給に傾きが生じ、続いて、ガイドローラとガイドされる基板との間の接触が変化して、熱的問題につながりうる。   [00117] In particular, an adjustment unit 310 may be applied to the alignment of the guide roller 104 to avoid transverse tension acting on the substrate. For example, the substrate guide control unit 300 of the present subject matter is particularly useful to compensate for various coiling strengths in the guide roller 104 and, consequently, in all equipment following the guide roller 104. For example, the thickness of the substrate varies along the width of the substrate due to various coiling strengths. As a result, the material supply is tilted and subsequently the contact between the guide roller and the guided substrate can change, leading to thermal problems.

［００１１８］したがって、本書に記載の張力測定ユニットによって測定された張力データは、ガイドローラの一方の端を移動させることでガイドローラのアラインメントを調整するために使用されうることを理解すべきである。それにより、ガイドローラのアラインメントは、水平方向と鉛直方向のうちの一又は複数と比較して調整されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、ガイドローラは、典型的には、基板の張力によって引き起こされた力がガイドローラのシャフトに作用する次元に対応する次元に移動しうる。図示の目的で、ガイドローラ１０４の例示的な移動を、図５Ｂの両矢印３５０によって示す。   [00118] Accordingly, it should be understood that the tension data measured by the tension measurement unit described herein can be used to adjust the alignment of the guide roller by moving one end of the guide roller. . Thereby, the alignment of the guide rollers can be adjusted compared to one or more of the horizontal and vertical directions. According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the guide roller typically moves in a dimension that corresponds to the dimension in which the force caused by the substrate tension acts on the shaft of the guide roller. sell. For purposes of illustration, exemplary movement of the guide roller 104 is indicated by the double arrow 350 in FIG. 5B.

［００１１９］図５Ａに例示するように、幾つかの実施形態によれば、基板ガイド制御ユニット３００を制御するために、コントローラ５０１が設けられうる。例えば、第１の基板張力測定ユニット３０１によって測定されたガイドローラ１０４の一方の端での張力データ、及び、第２の基板張力測定ユニット３０２によって測定されたガイドローラ１０４の反対側の端での張力データは、直接データライン（「ピアツーピア」）、又はデータバスといったデータ接続部を経由して、コントローラ５０１に供給されうる。代替的に、データは無線技術を介しての供給も可能である。詳細には、コントローラは、測定された張力データを受信することと、測定された張力データを評価することと、ガイドローラをどのように位置合わせすべきかの計算を行うことと、データをメモリに保存し、メモリから読み取ることと、ガイドローラの一方の端を移動させるためにモータを制御すること等によって調整ユニットを制御することとのうちの一または複数を行うために提供されうる。   [00119] As illustrated in FIG. 5A, according to some embodiments, a controller 501 may be provided to control the substrate guide control unit 300. For example, the tension data at one end of the guide roller 104 measured by the first substrate tension measuring unit 301, and the opposite end of the guide roller 104 measured by the second substrate tension measuring unit 302. Tension data may be supplied to the controller 501 via a data connection such as a direct data line (“peer to peer”) or a data bus. Alternatively, the data can be supplied via wireless technology. Specifically, the controller receives the measured tension data, evaluates the measured tension data, calculates how the guide rollers should be aligned, and stores the data in memory. It can be provided to do one or more of storing and reading from memory and controlling the adjustment unit, such as by controlling a motor to move one end of the guide roller.

［００１２０］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることが可能な実施形態によれば、コントローラ５０１は、例えば、特にパーソナルコンピュータ内の、ＣＰＵ及び場合によってはデータメモリを含む、（図５Ａに示すような）分離したデバイスでありうる。代替的には、コントローラは、張力測定ユニットの一方あるいは両方の中に組み込まれうるか、又は、調整ユニット内に組み込まれうる。あるいは、コントローラは、例えば主制御内で実行されるそれぞれのプログラム又はソフトウェアによって、真空処理システムの主制御内で実装されうる。   [00120] According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the controller 501 includes, for example, a CPU and possibly data memory, particularly in a personal computer (shown in FIG. 5A). Can be a separate device. Alternatively, the controller can be incorporated into one or both of the tension measurement units, or can be incorporated into the adjustment unit. Alternatively, the controller may be implemented within the main control of the vacuum processing system, for example by respective programs or software executed within the main control.

［００１２１］したがって、データ接続部３１１は、張力測定ユニット及び／又は調整ユニットからコントローラ及び／又は外部のインターフェースへと情報を伝送するために使用されうることを理解すべきである。例えば、このインターフェースは、測定ユニット及び／又は一又は複数の調整ユニットからのデータを処理するパーソナルコンピュータを含みうる。また、インターフェースは、調整ユニット３１０を整調するための種々の要素を含む、すなわち、種々のポテンショメータ、ダイヤル、スイッチ、及びディスプレイを使用する、アナログフロントパネルを含みうる。更に、インターフェースはまた、テンキーパッド、グラフィカルディスプレイ、テキストコマンド、又はグラフィカルユーザインターフェースを含むデジタルデバイスを含むことも可能である。通常、これらのインターフェースは全て、コントローラ機能、システムの校正、周囲条件の補償、又は、張力測定ユニット又は調整ユニットからの波形の取得及び記録といった、種々の特徴を含む。   [00121] Accordingly, it should be understood that the data connection 311 can be used to transmit information from the tension measurement unit and / or adjustment unit to the controller and / or external interface. For example, the interface may include a personal computer that processes data from the measurement unit and / or one or more adjustment units. The interface may also include an analog front panel that includes various elements for pacing the adjustment unit 310, ie, using various potentiometers, dials, switches, and displays. Further, the interface can also include a digital device including a numeric keypad, graphical display, text command, or graphical user interface. These interfaces typically all include various features such as controller functions, system calibration, compensation for ambient conditions, or acquisition and recording of waveforms from a tension measurement unit or adjustment unit.

［００１２２］データ接続部３１１は通常、測定ユニットから、例えばコントローラ５０１を経由して、調整ユニット３１０へと情報を伝送するために使用される。調整ユニット３１０は、ガイドローラ１０４がどのように調整されるべきかに関する情報を受信する。最も単純な実行形態では、情報は、そもそも調整が行われるべきか否か、そして行われるとすれば、どの方向に行われるべきかに関する信号に限定されうる。調整ユニットは、ガイドローラのそれぞれの端を、信号が「移動禁止」信号に変化するか、又は、信号が調整ユニットに、ガイドローラを再び反対方向に移動させるように示すまで、この方向に移動させうる。しかしながら、調整ユニットは更に高機能であってよく、例えば調整ユニットはガイドローラの２つの側部の間の張力差についての情報を受信することが可能であり、かつ、張力が均等化されるまでのガイドローラのそれぞれの移動を開始することができる。   [00122] The data connection 311 is typically used to transmit information from the measurement unit to the adjustment unit 310, for example via the controller 501. The adjustment unit 310 receives information regarding how the guide roller 104 should be adjusted. In the simplest implementation, the information can be limited to signals regarding whether adjustments should be made in the first place and, if so, in which direction. The adjustment unit moves each end of the guide roller in this direction until the signal changes to a “move” signal or the signal indicates to the adjustment unit to move the guide roller in the opposite direction again It can be made. However, the adjustment unit may be more sophisticated, for example, the adjustment unit can receive information about the tension difference between the two sides of the guide roller and until the tension is equalized. The respective movements of the guide rollers can be started.

［００１２３］幾つかの実行形態によれば、データ接続部３１１を接続するために、色々な種類のポートが使用される。例えば、シリアル通信が使用される場合、ポートは、ＲＳ２３２、ＲＳ４２２、ＲＳ４８５、又はユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）ポートである。具体的には、データ接続部３１１とコンピュータとの間の通信が所望される場合は、並列通信デバイスが使用されうる。最もよく使用される並列通信デバイスは、ＤＢ−２５、セントロニクス３６、ＳＰＰ、ＥＰＰ又はＥＣＰ並列ポートである。データ接続部３１１は、調整ユニット３１０を、トランジスタ−トランジスタロジック（ＴＴＬ）、又はプログラム可能な論理制御装置（ＰＬＣ）と互換可能にするために使用されうる。加えて、データ接続部３１１は、張力測定ユニット及び／又は調整ユニットのうちの一又は複数をネットワークに接続するために使用されうる。   [00123] According to some implementations, various types of ports are used to connect the data connection 311. For example, if serial communication is used, the port is an RS232, RS422, RS485, or universal serial bus (USB) port. Specifically, when communication between the data connection unit 311 and a computer is desired, a parallel communication device can be used. The most commonly used parallel communication devices are DB-25, Centronics 36, SPP, EPP or ECP parallel ports. Data connection 311 may be used to make adjustment unit 310 compatible with transistor-transistor logic (TTL) or programmable logic controller (PLC). In addition, the data connection 311 can be used to connect one or more of the tension measurement unit and / or the adjustment unit to the network.

［００１２４］図５Ｂに、本主題の基板ガイド制御ユニット３００の別の実施形態の概略断面図を示す。本書の開示全体を通じて、同一の対象物には同一の参照番号が使用されている。調整ユニット３１０は、ガイドローラの一方の端を移動させるための、モータ等の調整アクチュエータ３１３を含むものとして示されている。特に、これは図５Ｂの実施形態に限定されないが、本書に記載の全ての実施形態の一又は複数の調整ユニットには、モータ等のアクチュエータが設けられうる。例えば、モータは線形モータでありうる。両矢印３５０で示すように、モータは、このページに示された見方では、ガイドローラの端を上下に移動させることが可能である。   [00124] FIG. 5B shows a schematic cross-sectional view of another embodiment of the substrate guide control unit 300 of the present subject matter. Throughout this disclosure, the same reference numerals are used for the same objects. The adjustment unit 310 is shown as including an adjustment actuator 313, such as a motor, for moving one end of the guide roller. In particular, this is not limited to the embodiment of FIG. 5B, but one or more adjustment units of all embodiments described herein may be provided with an actuator such as a motor. For example, the motor can be a linear motor. As indicated by a double arrow 350, the motor can move the end of the guide roller up and down in the view shown on this page.

［００１２５］幾つかの実施形態によれば、調整ユニットの移動方向は、張力測定ユニットの測定方向に対応する。つまり、図５Ｂに示すように、第１の基板張力測定ユニット３０１及び第２の基板張力測定ユニット３０２は、調整ユニット３１０がガイドローラ１０４を移動させるよう構成されるのと同じ方向に、ガイドローラ１０４における張力を測定するよう構成されうる。例えば、図５Ｂの実施形態では、両矢印３５０で示された方向は、調整ユニットの移動方向と、張力測定ユニットの測定方向の両方に対応しうる。   [00125] According to some embodiments, the moving direction of the adjustment unit corresponds to the measuring direction of the tension measuring unit. That is, as shown in FIG. 5B, the first substrate tension measuring unit 301 and the second substrate tension measuring unit 302 are arranged in the same direction as the adjustment unit 310 is configured to move the guide roller 104. It can be configured to measure the tension at 104. For example, in the embodiment of FIG. 5B, the direction indicated by the double arrow 350 may correspond to both the movement direction of the adjustment unit and the measurement direction of the tension measurement unit.

［００１２６］本書に記載の調整ユニットにおいて、様々な種類のアクチュエータを使用しうることを理解すべきである。例えば、調整のためのアクチュエータは電動モータ又は油圧モータであってよい。更に、明示していないが、フレーム３２０に軌道（図示せず）などを配設し、調整ユニットがそれに沿ってガイドローラ１０４のそれぞれの端（１０４Ａ、１０４Ｂ）を移動させることができる。   [00126] It should be understood that various types of actuators may be used in the adjustment unit described herein. For example, the actuator for adjustment may be an electric motor or a hydraulic motor. Further, although not explicitly shown, a track (not shown) or the like is provided on the frame 320, and the adjustment unit can move the respective ends (104A, 104B) of the guide roller 104 along the track.

［００１２７］図６に、本書に記載の真空処理システムの一部の概略断面図を示す。図６を例示として参照すると、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、少なくとも１つの処理チャンバ、例えば第１の処理チャンバ１４０Ａ及び／又は第２の処理チャンバ２４０は、ガス分離ユニット３７０を含みうる。図６に示すように、フレキシブル基板１０は、ガイドローラ（例：ガイドローラ１０４）及び処理ドラム１４２を介して２つ以上の処理領域、例えば第１の処理領域３８１及び第２の処理領域３８２を通ってガイドされる。図６の例示的な実施形態では、５つのガス分離ユニット３７０が示されている。図６からも分かるように、幾つかの実施形態によれば、２つの隣接するガス分離ユニットは、それらの間に処理領域を形成しうる。言い換えれば、個々の処理領域はガス分離ユニットによって分離されうる。したがって、図６では、４つの処理領域が識別可能である。処理領域の数は、選択された実施されるべき処理に適応しうることを理解すべきである。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、各処理領域は、所望の処理条件にしたがって相互に独立して排気されうる。例えば、図６に示すように、各処理領域は真空フランジ４０２を含みうる。したがって、処理システムは、一または複数の真空ポンプ又は真空ポンプ装置が、それぞれの真空フランジのうちの各フランジに接続されうるように構成されうる。   [00127] FIG. 6 shows a schematic cross-sectional view of a portion of the vacuum processing system described herein. Referring to FIG. 6 by way of example, according to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, at least one processing chamber, such as the first processing chamber 140A and / or the second processing chamber 240, may be gasses. A separation unit 370 may be included. As illustrated in FIG. 6, the flexible substrate 10 includes two or more processing regions, for example, a first processing region 381 and a second processing region 382, via a guide roller (eg, guide roller 104) and a processing drum 142. Guided through. In the exemplary embodiment of FIG. 6, five gas separation units 370 are shown. As can also be seen from FIG. 6, according to some embodiments, two adjacent gas separation units may form a processing region therebetween. In other words, the individual processing areas can be separated by a gas separation unit. Accordingly, in FIG. 6, four processing areas can be identified. It should be understood that the number of processing regions may be adapted to the selected process to be performed. According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, each processing region can be evacuated independently of each other according to desired processing conditions. For example, as shown in FIG. 6, each processing region can include a vacuum flange 402. Thus, the processing system can be configured such that one or more vacuum pumps or vacuum pump devices can be connected to each of the respective vacuum flanges.

［００１２８］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理区画内、例えば第１の処理領域３８１内及び第２の処理領域３８２内のガス流を制御するために、内部ポンプシールド部が用いられうる。詳細には、内部ポンプシールド部は、流体速度の流線を制御するために用いられるシールド形状寸法を含みうる。より具体的には、内部ポンプシールド部は、処理区画内の微粒子の核形成及び成長のリスクを減らすために再循環／デッドゾーンが抑制されうるよう、層状ガス流を促進するように構成されうる。更に、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理区画は、処理ゾーン内の圧力分布が均一になるように構成されうる。詳細には、処理区画は、ガス注入ノズルのすぐ近くで、例えば堆積又はコーティングゾーン内の圧力差が０．１％未満等、最小の圧力差が得られうるように構成されうる。   [00128] According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, internal control is provided to control gas flow within the processing compartment, eg, within the first processing region 381 and the second processing region 382. A pump shield can be used. Specifically, the internal pump shield may include a shield geometry used to control fluid velocity streamlines. More specifically, the internal pump shield can be configured to facilitate stratified gas flow such that recirculation / dead zones can be suppressed to reduce the risk of particulate nucleation and growth within the processing compartment. . Further, according to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the processing compartment can be configured such that the pressure distribution within the processing zone is uniform. In particular, the processing compartment may be configured in the immediate vicinity of the gas injection nozzle so that a minimum pressure difference can be obtained, for example a pressure difference in the deposition or coating zone of less than 0.1%.

［００１２９］幾つかの実施形態によれば、ガス分離ユニット３７０は、１つの処理領域のガスが、近接する処理領域などの近接エリアに侵入するのを防止するガス分離壁３７２を含みうる。更に、ガス分離ユニット３７０は、矢印３７１によって示すように、ガス分離ユニット３７０と処理ドラム１４２との間のスリット２０の幅を調整するように構成されうる。幾つかの実施形態によれば、ガス分離ユニット３７０は、矢印３７１によって示すように、アクチュエータ３７４に結合された要素３７３を移動させるように構成されたアクチュエータ３７４を含みうる。ガス分離ユニット３７０の要素３７３は、ガス分離ユニット３７０と、処理ドラム１４２の表面に沿ってガイドされるフレキシブル基板１０との間にスリットを提供しうる。したがって、要素３７３はスリットの長さを画定していてよく、要素３７３の位置はガス分離ユニット３７０とフレキシブル基板１０との間のスリットの幅を画定していてよい。したがって、ガス分離ユニット３７０は、近接する真空処理領域を分離してスリットを形成するように適合され、スリットを通して基板が処理ドラムの外面とガス分離ユニットとの間を通過することができる。更に、ガス分離ユニットは、近接する処理領域の間、例えば第１の処理領域３８１と第２の処理領域３８２との間の流体連結を制御するように適合されうる。第１の処理領域３８１は第１の真空処理領域であってよく、第２の処理領域３８２は第２の真空処理領域であってよいことを理解すべきである。詳細には、近接する処理領域間の流体連結は、矢印３７１によって示すように、ガス分離ユニットの位置を調整することによって制御されうる。   [00129] According to some embodiments, the gas separation unit 370 may include a gas separation wall 372 that prevents gas from one processing region from entering a nearby area, such as a nearby processing region. Further, the gas separation unit 370 can be configured to adjust the width of the slit 20 between the gas separation unit 370 and the processing drum 142 as indicated by the arrow 371. According to some embodiments, the gas separation unit 370 can include an actuator 374 configured to move an element 373 coupled to the actuator 374 as indicated by arrow 371. The element 373 of the gas separation unit 370 may provide a slit between the gas separation unit 370 and the flexible substrate 10 guided along the surface of the processing drum 142. Thus, element 373 may define the length of the slit and the position of element 373 may define the width of the slit between gas separation unit 370 and flexible substrate 10. Accordingly, the gas separation unit 370 is adapted to separate adjacent vacuum processing regions to form slits, through which the substrate can pass between the outer surface of the processing drum and the gas separation unit. Further, the gas separation unit can be adapted to control fluid coupling between adjacent processing regions, for example, between the first processing region 381 and the second processing region 382. It should be understood that the first processing region 381 may be a first vacuum processing region and the second processing region 382 may be a second vacuum processing region. In particular, fluid coupling between adjacent processing regions can be controlled by adjusting the position of the gas separation unit, as indicated by arrow 371.

［００１３０］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、図７Ａ及び７Ｂに関連してより詳細に説明するように、ガス分離ユニット３７０のアクチュエータ３７４は、電気モータ、空気圧シリンダなどの空気圧アクチュエータ、線形ドライバ、油圧シリンダなどの油圧アクチュエータ、及び所定の加熱又は冷却に曝されると所定の熱膨張係数を有する支持体から成る群から選択することができる。   [00130] According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the actuator 374 of the gas separation unit 370 includes an electric motor, as described in more detail in connection with FIGS. 7A and 7B. It can be selected from the group consisting of a pneumatic actuator such as a pneumatic cylinder, a linear driver, a hydraulic actuator such as a hydraulic cylinder, and a support having a predetermined coefficient of thermal expansion when exposed to a predetermined heating or cooling.

［００１３１］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、図６に例示するように、例えばカメラなどの光学測定装置等のスリット幅モニタリングデバイス３４２を配設することができる。スリット幅モニタリングデバイス３４２を使用して、ガス分離ユニット３７０とフレキシブル基板１０との間のスリット２０の幅を測定することができる。スリット幅モニタリングデバイス３４２は、例えば信号線３４３によってモニタリングコントローラ４５０に接続されうる。モニタリングコントローラ４５０は、信号線でぞれぞれのガス分離ユニットのアクチュエータ３７４に接続されうる。これにより、モニタリングコントローラ４５０は、矢印３７１によって示すように、ガス分離ユニット３７０の位置、特に要素３７３の位置を調整するために、アクチュエータ３７４を制御するための信号を発信しうる。   [00131] According to an embodiment that can be combined with other embodiments described herein, a slit width monitoring device 342, such as an optical measurement device such as a camera, can be provided, as illustrated in FIG. The slit width monitoring device 342 can be used to measure the width of the slit 20 between the gas separation unit 370 and the flexible substrate 10. The slit width monitoring device 342 can be connected to the monitoring controller 450 by a signal line 343, for example. The monitoring controller 450 can be connected to the actuator 374 of each gas separation unit by a signal line. This allows the monitoring controller 450 to emit a signal for controlling the actuator 374 to adjust the position of the gas separation unit 370, particularly the position of the element 373, as indicated by the arrow 371.

［００１３２］図６を例示として参照すると、本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、一または複数の堆積源６３０には、接続部６３１を設けることができる。接続部６３１は、処理ガスの入力および出力用の電気的接続部及び／又は接続部であってよい。更に、堆積源６３０用に、一または複数のモニタリングデバイス６３３を設けることができる。例えば、モニタリングデバイス６３３は、例えば整合回路の後などの堆積源において電極電圧、及び／又は電極電流及び／又はプラズマインピーダンスを測定するデバイスとすることができる。更に又は代替的に、堆積源の処理領域へのガス流、及び堆積源の処理領域からのガス流もまた、モニタリングすることができる。例えば、それぞれの導管での圧力及び／又は混合ガスでさえも、分析することが可能である。スリット２０の幅が増加すると、ガス分離係数が減少し、隣接する処理領域の処理ガスが侵入しうることを理解すべきである。したがって、本書に記載の実施形態は、処理領域内のプラズマ条件が変化しうるように、ガス圧力と混合ガスとを変化させるように構成されうる。したがって、モニタリングデバイス６３３は、プラズマ条件を決定するために用いることができる。プラズマ条件が変化するという事実を踏まえて、処理ドラムの直径が例えば熱膨張に起因して増加すると、源と処理ドラムとの間のスリット幅を決定するためにモニタリングデバイス６３３を用いることができる。例えば信号線３４３によって、スリット幅及び／又はプラズマ条件に関する一または複数の信号がモニタリングコントローラ４５０に送られうる。上記に概略を説明したように、モニタリングコントローラ４５０はアクチュエータ３７４に接続されうるため、ガス分離ユニットのスリット幅を必要に応じて調整することができる。したがって、スリット幅の調整を制御するためにモニタリングコントローラ４５０を用いることができることを理解すべきである。具体的には、スリット幅の調整を自動化することができる。したがって、本書に記載の真空処理システムの作動全体で、改善されたあるいは最適化されたガス分離係数を得ることができる。これはまた、処理ドラムの温度が上昇する際に、処理ドラムが傷つく危険を防止することができる。   [00132] Referring to FIG. 6 by way of example, according to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, one or more deposition sources 630 can be provided with a connection 631. The connection portion 631 may be an electrical connection portion and / or a connection portion for input and output of processing gas. In addition, one or more monitoring devices 633 can be provided for the deposition source 630. For example, the monitoring device 633 can be a device that measures electrode voltage and / or electrode current and / or plasma impedance at a deposition source, eg, after a matching circuit. Additionally or alternatively, the gas flow to and from the processing region of the deposition source can also be monitored. For example, it is possible to analyze even the pressure and / or mixed gas in each conduit. It should be understood that as the width of the slit 20 increases, the gas separation factor decreases and process gas in the adjacent process region can enter. Accordingly, the embodiments described herein can be configured to change the gas pressure and the gas mixture so that the plasma conditions in the processing region can change. Accordingly, the monitoring device 633 can be used to determine plasma conditions. In view of the fact that the plasma conditions change, the monitoring device 633 can be used to determine the slit width between the source and the processing drum as the diameter of the processing drum increases, for example due to thermal expansion. For example, signal line 343 may send one or more signals related to slit width and / or plasma conditions to monitoring controller 450. As outlined above, the monitoring controller 450 can be connected to the actuator 374 so that the slit width of the gas separation unit can be adjusted as needed. Accordingly, it should be understood that the monitoring controller 450 can be used to control the adjustment of the slit width. Specifically, the adjustment of the slit width can be automated. Thus, improved or optimized gas separation factors can be obtained throughout the operation of the vacuum processing system described herein. This can also prevent the risk of damage to the processing drum when the temperature of the processing drum rises.

［００１３３］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、モニタリングデバイスは、ＣＶＤ処理モニタであってよい。例えば、モニタリングデバイスは、堆積源の電圧、電流、位相、調波、インピーダンス、又は、アルゴリズムを使用することによって、プラズマ密度から成るグループのうちの少なくとも１つを測定することができる。対応するプラズマモニタリングデバイスは、例えば、システム制御されたアルゴリズム用のプラズマ密度の形態などで、洗浄プロセスの終点検出、シラン粉末形成の通知、及びリアルタイムの無侵襲処理フィードバック（ｒｅａｌ−ｔｉｍｅ ｎｏｎ−ｉｎｖａｓｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｅｅｄｂａｃｋ）に使用することができる。しかしながら、本書に記載のいくつかの実施形態によれば、更にモニタリングデバイスを、基板及び／又は基板の後ろに設けられる対応する対電極、例えば、処理ドラムからのＰＥＣＶＤ源の電極の距離を決定するために利用することができる。追加として、又は代替的に、ガス分離ユニットのスリット幅の変化に起因する処理ガスの変化もモニタリングデバイスで測定することができる。   [00133] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the monitoring device may be a CVD process monitor. For example, the monitoring device can measure at least one of the group consisting of plasma density by using deposition source voltage, current, phase, harmonics, impedance, or algorithm. Corresponding plasma monitoring devices include, for example, in the form of plasma density for system-controlled algorithms, endpoint detection of cleaning processes, notification of silane powder formation, and real-time non-investive process feedback. It can be used for feedback. However, according to some embodiments described herein, the monitoring device further determines the distance of the substrate and / or the corresponding counter electrode provided behind the substrate, eg, the electrode of the PECVD source from the processing drum. Can be used for. Additionally or alternatively, changes in the process gas due to changes in the slit width of the gas separation unit can also be measured with the monitoring device.

［００１３４］したがって、幾つかの実施形態によれば、例えばインピーダンスセンサなどのモニタリングデバイスによって、非侵襲的プラズマ解析方法が提供されうることを理解すべきである。例えば、インピーダンスセンサを事前整合センサ又は事後整合センサのどちらかとして、即ち、整合回路において又は整合回路の後に使用することができる。これによって、モニタリングデバイスの事後整合装着は、電極のＲＦ電圧及び実際のプラズマインピーダンスについての直接的情報を提供しうる。幾つかの実施形態によれば、プラズマの電子「指紋」を提供することができ、また基板からの電極の距離又は隣接する領域からの処理ガス汚染を決定することができる。位相角及び／又は調波信号振幅の差は、例えば、処理のずれ（ｐｒｏｃｅｓｓ ｄｒｉｆｔｓ）の兆候など、処理条件の微妙な変化を示すことができる。従って、特に堆積源に電力供給するシステム内の調波を測定することによって、電力供給される電極表面に入射したイオンフラックス、したがってプラズマ密度に関する間接的情報が得られうる。   [00134] Thus, it should be understood that according to some embodiments, a non-invasive plasma analysis method may be provided by a monitoring device, such as an impedance sensor. For example, the impedance sensor can be used as either a pre-matching sensor or a post-matching sensor, i.e. in or after the matching circuit. This allows post-matching mounting of the monitoring device to provide direct information about the electrode RF voltage and actual plasma impedance. According to some embodiments, an electronic “fingerprint” of the plasma can be provided and the distance of the electrode from the substrate or process gas contamination from adjacent areas can be determined. Differences in phase angle and / or harmonic signal amplitude can indicate subtle changes in processing conditions, such as, for example, indications of process drifts. Thus, indirect information regarding the ion flux and hence the plasma density incident on the surface of the powered electrode can be obtained, particularly by measuring the harmonics in the system that powers the deposition source.

［００１３５］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、堆積源、例えばプラズマ強化堆積源は、２ＭＨｚから９０ＭＨｚの周波数、例えば、４０．６８Ｍｈｚの周波数で作動可能であり、統合されたインピーダンスセンサ等のモニタリングデバイスは、例えば、ガス分離ユニットのスリットの幅及び／又は基板からの堆積源の電極の距離など、それぞれの処理パラメータのリアルタイムのインライン処理監視及び制御を提供することができる。   [00135] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the deposition source, eg, a plasma enhanced deposition source, is operable at a frequency of 2 MHz to 90 MHz, eg, a frequency of 40.68 Mhz. Yes, monitoring devices such as integrated impedance sensors provide real-time in-line process monitoring and control of each process parameter, for example, slit width of gas separation unit and / or distance of deposition source electrode from substrate can do.

［００１３６］このため、本書に記載の実施形態によれば、真空処理システムの作動中に、ガス分離ユニットのスリット幅を調整することが可能であると理解すべきである。したがって、例えば処理ドラムなどの基板支持体の熱膨張に起因するスリット幅の変化を補償することができ、ガス分離ユニットのスリット幅は、個々の作動条件に対して調整可能である。これは、高いガス分離（度）が必要とされる用途、例えば、ＰＥＣＶＤ処理において、特に有益であり得る。したがって、様々な堆積源用の区画を有する、本書に記載の真空処理システムにより、いくつかのＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ及び／又はＰＶＤのモジュール式組合せが可能になる。上記のようなモジュールのコンセプトでは、非常に優れたガス分離を必要とする堆積源を含むあらゆる種類の堆積源を使用することができるが、このコンセプトは、種々の堆積技術又は複雑な組み合わせの処理パラメータを適用して堆積させなければならない複合層スタックの堆積のコスト削減に役立つ。   [00136] Thus, it should be understood that according to the embodiments described herein, the slit width of the gas separation unit can be adjusted during operation of the vacuum processing system. Therefore, it is possible to compensate for changes in the slit width due to thermal expansion of a substrate support such as a processing drum, for example, and the slit width of the gas separation unit can be adjusted for individual operating conditions. This can be particularly beneficial in applications where high gas separation (degrees) is required, such as PECVD processing. Thus, the vacuum processing system described herein having compartments for various deposition sources allows for several CVD, PECVD and / or PVD modular combinations. While the modular concept as described above can use any type of deposition source, including deposition sources that require very good gas separation, this concept is suitable for various deposition techniques or complex combinations of processes. It helps to reduce the cost of depositing a composite layer stack that must be deposited by applying parameters.

［００１３７］更に、本書に記載の実施形態は、多くの処理の実行が、およそ０℃の低い処理ドラム温度を必要とする態様に対して有益であり得る。低温では、高い処理ドラム温度用に調整された固定スリット幅は、薄いプラスチック膜（例えば、５０ミクロン）が使用される場合、ほぼ１．５〜２．０ｍｍ程度であることに留意すべきである。この場合、ガス分離係数は、特定のガス分離係数（１：１００）未満であることが多い。これは、層材料が異なる反応性ガス組成物で、近接する処理領域、例えば、スパッタチャンバなどで堆積される処理の実施に重要である。このような条件が適用され得るのは、例えば、Ｎｂ２Ｏ５及びＩＴＯの堆積中である。これは、例えばタッチパネルの製造の場合でありうる。したがって、本書に記載の真空処理システムの実施形態は、例えばタッチパネル等のディスプレイデバイスの多層の製造用途に有益である。 [00137] Additionally, the embodiments described herein may be beneficial for aspects where many process runs require a low process drum temperature of approximately 0 ° C. It should be noted that at low temperatures, the fixed slit width adjusted for high processing drum temperatures is on the order of 1.5-2.0 mm when a thin plastic film (eg, 50 microns) is used. . In this case, the gas separation factor is often less than a specific gas separation factor (1: 100). This is important for performing processes where the layer materials are different reactive gas compositions and are deposited in adjacent processing regions, such as a sputter chamber. Such conditions can be applied, for example, during the deposition of Nb 2 O 5 and ITO. This can be the case, for example, in the production of touch panels. Thus, the embodiments of the vacuum processing system described herein are useful for multi-layer manufacturing applications of display devices such as touch panels.

［００１３８］上述したように、実施形態は、機械の作動中のガス分離ユニットの調整、特に自動調整、あるいは「自己」調整可能ガス分離壁を指すものである。これは、スパッタ堆積に適用されうるが、ＣＶＤ及びＰＥＣＶＤ堆積、特に処理ガスが反応性ガス構成要素を含む堆積にも適用され、反応性ガス構成要素は、堆積される層に部分的に又は完全に組み込まれる。スパッタウェブコータ（Ｒ２Ｒコータ）と同様に、ガス分離は反応性雰囲気で堆積される層にとって有益である。自己調整可能な、あるいは自動的に調整可能なガス分離ユニットを使用することによって、基板の種々の厚さの値にしたがってスリット幅を変更することができる。改良されたガス分離係数はまた、真空処理システムの設計に影響を与えることができることを理解すべきである。特に、２つの区画間のガス分離ユニットの長さを短縮することができる、即ち、例えば、図６に示すスリット２０及び／又は要素３７３の長さを短縮することができる。これは、真空処理システムのサイズ、コスト及び設置面積の削減につながりうる影響を有する。   [00138] As mentioned above, embodiments refer to gas separation unit adjustments, particularly automatic adjustments, or "self" adjustable gas separation walls during machine operation. This can be applied to sputter deposition, but also applies to CVD and PECVD deposition, particularly deposition where the process gas includes a reactive gas component, where the reactive gas component is partially or fully applied to the deposited layer. Incorporated into. Similar to sputter web coaters (R2R coaters), gas separation is beneficial for layers deposited in a reactive atmosphere. By using a self-adjustable or automatically adjustable gas separation unit, the slit width can be changed according to various thickness values of the substrate. It should be understood that improved gas separation factors can also affect the design of vacuum processing systems. In particular, the length of the gas separation unit between the two compartments can be reduced, i.e., for example, the length of the slit 20 and / or element 373 shown in FIG. 6 can be reduced. This has an impact that can lead to a reduction in the size, cost and footprint of the vacuum processing system.

［００１３９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、ガス分離ユニット３７０の要素３７３によって画定される、ガス分離ユニット３７０とフレキシブル基板１０との間のスリット２０の幅は、図７Ａ及び７Ｂに例示するように、例えばディスク３１４を含む支持装置によって調整されうる。例えば、ディスク３１４は基本的に、処理ドラム１４２と同じ直径を有しうる。図示した処理ドラム１４２は図７Ａのディスク３１４よりも少し大きいが、これは主に例示のためであり、処理ドラム１４２とディスクは同じ直径を有しうる。ディスク３１４は、回転軸１４３に装着されうる。幾つかの実施形態によれば、処理ドラム１４２の回転中はディスク３１４は静止したままである、すなわち、ディスクは処理ドラムとともに回転しない。   [00139] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the slit 20 between the gas separation unit 370 and the flexible substrate 10 is defined by an element 373 of the gas separation unit 370. The width can be adjusted, for example, by a support device including a disk 314, as illustrated in FIGS. 7A and 7B. For example, the disk 314 can basically have the same diameter as the processing drum 142. The illustrated processing drum 142 is slightly larger than the disk 314 of FIG. 7A, but this is primarily for illustration, and the processing drum 142 and the disk may have the same diameter. The disk 314 can be attached to the rotating shaft 143. According to some embodiments, the disk 314 remains stationary while the processing drum 142 rotates, i.e., the disk does not rotate with the processing drum.

［００１４０］ガス分離ユニット３７０の実施例では、図７Ａ及び７Ｂに例示するように、接続要素３１２によって壁要素３２２がディスク３１４に接続されている。したがって、幾つかの実施形態によれば、接続要素３１２によりスリット２０の幅が決定しうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる代替的な実施形態によれば、ディスク３１４、接続要素３１２及び壁要素３２２を１つの一体化したユニットとして配設することも可能である、あるいはディスク３１４と接続要素３１２、又は壁要素３２２と接続要素３１２を１つの一体的に形成されたユニットとして配設することができる。   [00140] In the embodiment of the gas separation unit 370, the wall element 322 is connected to the disk 314 by a connecting element 312 as illustrated in FIGS. 7A and 7B. Thus, according to some embodiments, the width of the slit 20 can be determined by the connecting element 312. According to alternative embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the disk 314, connecting element 312 and wall element 322 can be arranged as one integrated unit, or the disk 314 And the connecting element 312 or the wall element 322 and the connecting element 312 can be arranged as one integrally formed unit.

［００１４１］処理ドラム１４２の温度が変化すると、処理ドラム１４２の直径も変化しうることを理解すべきである。したがって、スリット２０の幅は、処理ドラムの直径の変化に影響される可能性があり、本書に記載の幾つかの実施形態によれば、スリットの幅の調整が提供されうる。ディスク３１４と接続要素３１２を含むガス分離ユニット３７０の支持装置により、図７Ｂの矢印３２６によって示すように、スリット２０の幅の調整が得られる。いくつかの実施形態によれば、ディスク３１４は、処理ドラム１４２によって受動的に加熱又は受動的に冷却することができる。これによって、ディスク３１４は、例えば、処理ドラム１４２の温度と基本的に同一の温度で提供することができ、ディスク３１４の温度は、処理ドラム１４２の温度から±１０℃ほど変わり得る。したがって、処理ドラム１４２の熱膨張の後にディスク３１４の熱膨張が起こるように、ディスク３１４にもまた熱膨張が起こる。   [00141] It should be understood that as the temperature of the processing drum 142 changes, the diameter of the processing drum 142 may also change. Accordingly, the width of the slit 20 can be affected by changes in the diameter of the processing drum, and according to some embodiments described herein, adjustment of the width of the slit can be provided. The support of the gas separation unit 370 including the disk 314 and the connecting element 312 provides adjustment of the width of the slit 20 as indicated by the arrow 326 in FIG. 7B. According to some embodiments, the disk 314 can be passively heated or passively cooled by the processing drum 142. Thereby, the disk 314 can be provided at a temperature basically the same as the temperature of the processing drum 142, for example, and the temperature of the disk 314 can vary by about ± 10 ° C. from the temperature of the processing drum 142. Accordingly, the thermal expansion of the disk 314 also occurs as the thermal expansion of the disk 314 occurs after the thermal expansion of the processing drum 142.

［００１４２］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるまた別の実施形態によれば、追加として又は代替的に、ディスク３１４又はガス分離ユニット３７０用の類似の支持体に、冷却チャネル又は加熱要素を配設することができる。これによって、ディスク３１４の温度を独立して制御することができる。このため、ディスク３１４の熱膨張は、スリット２０の幅が調整されうるように、処理ドラム１４２の温度とは無関係に制御されうる。   [00142] According to yet another embodiment that can be combined with other embodiments described herein, additionally or alternatively, a similar support for the disk 314 or gas separation unit 370 can be provided with a cooling channel or A heating element can be provided. Thereby, the temperature of the disk 314 can be controlled independently. For this reason, the thermal expansion of the disk 314 can be controlled independently of the temperature of the processing drum 142 so that the width of the slit 20 can be adjusted.

［００１４３］処理ドラム及びディスクの温度の影響に関しては、以下の態様に留意すべきである。以下の例において、処理ドラムはステンレス鋼でできていてよく、ディスクはアルミニウムでできていてよい。したがって、ステンレス鋼の熱膨張係数αｓｓ＝０．００００１６Ｋ−１、及びアルミニウムの熱膨張係数αＡｌ＝０．００００２３８Ｋ−１、αドラム／αディスク＝０．６７２３が得られうる。このため、例えば、４００°Ｃのドラム温度に対応して、２６８．９１°Ｃのディスク温度が付与されうる、したがって、４００°Ｃにおける処理ドラムの熱膨張が補償されうる。ディスク３１４が、処理ドラム１４２と同一の熱膨張係数を有する材料から成る、又は処理ドラム１４２と同一の材料から成るとき、且つディスク３１４の温度がプロセス、処理ドラム１４２の温度と基本的に同一になるように制御できる場合、熱膨張は基本的に同一である（例：矢印３２６を参照）。したがって、スリット２０の幅は、接続要素３１２の熱膨張分だけ変動する。これに関しては、接続要素３１２の長さが処理ドラム１４２の半径と比較して短いことに留意すべきである。したがって、熱膨張に対するスリット幅の変動が大幅に削減される。更に、低い熱膨張係数を有する材料を接続要素３１２に選択することが可能であり、これにより、接続要素３１２の熱膨張に対する温度の影響が更に軽減されうる。   [00143] With regard to the effects of processing drum and disk temperature, the following aspects should be noted. In the following example, the processing drum may be made of stainless steel and the disc may be made of aluminum. Therefore, it is possible to obtain the thermal expansion coefficient αss = 0.000016K−1 of stainless steel, the thermal expansion coefficient αAl = 0.0000238K−1 of aluminum, and α drum / α disk = 0.6723. Thus, for example, a disk temperature of 268.91 ° C. can be applied corresponding to a drum temperature of 400 ° C., and thus thermal expansion of the processing drum at 400 ° C. can be compensated. When the disk 314 is made of a material having the same coefficient of thermal expansion as the processing drum 142, or made of the same material as the processing drum 142, the temperature of the disk 314 is basically the same as the temperature of the process, the processing drum 142. The thermal expansion is essentially the same (see eg arrow 326). Therefore, the width of the slit 20 varies by the thermal expansion of the connecting element 312. In this regard, it should be noted that the length of the connecting element 312 is short compared to the radius of the processing drum 142. Therefore, the variation of the slit width with respect to the thermal expansion is greatly reduced. In addition, a material having a low coefficient of thermal expansion can be selected for the connecting element 312, which can further reduce the effect of temperature on the thermal expansion of the connecting element 312.

［００１４４］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、処理ドラム１４２の材料とは異なるようにディスク３１４の材料を選択することができ、処理ドラムと比較して異なる熱膨張係数を有するように選択することができる。これによって、処理ドラム１４２の熱膨張に対応するディスク３１４の熱膨張が異なる温度でもたらされうるため、処理ドラム１４２と比較して同一の温度をディスク３１４において付与する必要がない。具体的には、ディスク３１４と接続要素３１２が一体的に形成されている場合、異なる熱膨張係数により、ディスク３１４の半径方向の寸法が大きい分を接続要素３１２と組み合わせて補償することも可能である。   [00144] According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the material of the disk 314 can be selected to be different from the material of the processing drum 142 and is different compared to the processing drum. It can be selected to have a coefficient of thermal expansion. Thereby, the thermal expansion of the disk 314 corresponding to the thermal expansion of the processing drum 142 can be brought about at a different temperature, so that it is not necessary to apply the same temperature to the disk 314 as compared to the processing drum 142. Specifically, when the disk 314 and the connection element 312 are integrally formed, it is possible to compensate for the large radial dimension of the disk 314 in combination with the connection element 312 due to different thermal expansion coefficients. is there.

［００１４５］図７Ａ及び７Ｂには処理ドラム１４２と同様に円形のディスクを示したが、他の実施形態によれば、ガス分離ユニット３７０を支持するための支持装置は、ディスク、棒（ｒｏｄ）、又は別のいずれかの適切な形状の一部であってもよい。更に、上述した態様及び詳細には熱膨張を示したが、例えば作動中、高温での第１の処理後に、処理ドラムが低温に冷却された場合には収縮ももたらされる場合があることに留意すべきである。したがって、「膨張」という語は、要素の熱膨張係数から生じた状態を指す、すなわち熱膨張は肯定的な兆候あるいは否定的な兆候を有しうると理解される。   [00145] Although FIGS. 7A and 7B show a circular disk similar to the processing drum 142, according to other embodiments, the support device for supporting the gas separation unit 370 is a disk, rod. Or part of any other suitable shape. Furthermore, although the above-described aspects and details have shown thermal expansion, it should be noted that shrinkage may also result if the processing drum is cooled to a lower temperature, for example after operation during a first high temperature operation. Should. Thus, it is understood that the term “expansion” refers to a condition resulting from the coefficient of thermal expansion of the element, ie, thermal expansion can have a positive or negative sign.

［００１４６］上記を踏まえ、本書に記載の幾つかの実施形態によれば、ガス分離ユニット用の間隙調整デバイスが（例えば、本書に記載されたように構成された、ディスクを含む支持装置によって、あるいはアクチュエータによって）設けられうることが理解される。具体的には、間隙調整デバイスは、処理ドラムとガス分離ユニット及び／又は堆積源本体との間のスリット幅を調整するように構成されうる。したがって、間隙調整デバイスにより、一定で高レベルのガスが確保される。更に、本書に記載のガス分離ユニットの実施形態は、加熱又は冷却段階において、例えばサーモオイル回路によってガス分離ユニットを同時加熱あるいは同時冷却することによって、均一な熱膨張をもたらすように構成されうることを理解すべきである。具体的には、本書に記載のガス分離ユニットの実施形態は、非均一性が±２．５％未満の温度均一性をもたらすように構成されうる。   [00146] In light of the above, according to some embodiments described herein, a gap adjustment device for a gas separation unit (e.g., by a support device comprising a disk configured as described herein) It is understood that it may be provided (or alternatively by an actuator). Specifically, the gap adjustment device can be configured to adjust the slit width between the processing drum and the gas separation unit and / or the deposition source body. Thus, the gap adjustment device ensures a constant and high level of gas. Further, the gas separation unit embodiments described herein may be configured to provide uniform thermal expansion during the heating or cooling phase, for example, by simultaneously heating or simultaneously cooling the gas separation unit by means of a thermo oil circuit. Should be understood. Specifically, the gas separation unit embodiments described herein may be configured to provide temperature uniformity with non-uniformity less than ± 2.5%.

［００１４７］図８に、本書に記載の真空処理システム用の処理構成要素として用いられうる堆積源６３０の概略断面図を示す。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、堆積源６３０は、本体６０３と、本体によって支持されうる電極６０２とを含む。例えば、堆積源６３０は、プラズマ堆積源であってよい。電極６０２は、堆積源６３０の処理領域内にプラズマが発生しうるように、電極へ電力を供給するための整合回路６８０に接続されうる。したがって、堆積源６３０は、作動中に、電極６０２と、処理されるフレキシブル基板１０との間にプラズマを発生させるように構成されうる。したがって、堆積源は、処理領域内のプラズマが点火され維持されうるように構成されうる。   [00147] FIG. 8 shows a schematic cross-sectional view of a deposition source 630 that may be used as a processing component for the vacuum processing system described herein. According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the deposition source 630 includes a body 603 and an electrode 602 that can be supported by the body. For example, the deposition source 630 may be a plasma deposition source. The electrode 602 can be connected to a matching circuit 680 for supplying power to the electrode so that a plasma can be generated in the processing region of the deposition source 630. Accordingly, the deposition source 630 can be configured to generate a plasma between the electrode 602 and the flexible substrate 10 being processed during operation. Thus, the deposition source can be configured such that the plasma in the processing region can be ignited and maintained.

［００１４８］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、堆積源６３０はさらに、処理ガス混合物を処理領域内へ供給するための処理ガス注入口６１２と、処理ガス混合物を処理領域から除去するための、例えば排気口等の処理ガス排気口６１４とを含みうる。具体的には、複数の開口部又はスリット開口部をそれぞれ、ガス注入口及び／又はガス排気口として設けることができる。したがって、処理ガスは、処理ガス注入口６１２から処理ガス排気口６１４へ流れうる。実施形態によれば、処理ガス注入口及び処理ガス排気口は、図８の紙面に垂直な方向に延長することができる。具体的には、処理ガス注入口及び処理ガス排気口は、少なくとも処理される基板の幅、及び／又は少なくとも処理領域の好ましい長さに沿って延びるように設けられうる。処理ガス注入口及び処理ガス排気口は、コーティングされる基板のエリア内に均一の条件を付与するために、基板の最大幅を少なくともわずかに超えて延びるように有益に構成されうる。   [00148] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the deposition source 630 further includes a processing gas inlet 612 for supplying a processing gas mixture into the processing region, and processing the processing gas mixture. For example, a processing gas exhaust port 614 such as an exhaust port may be included for removal from the region. Specifically, a plurality of openings or slit openings can be provided as a gas inlet and / or a gas outlet, respectively. Accordingly, the process gas can flow from the process gas inlet 612 to the process gas outlet 614. According to the embodiment, the processing gas inlet and the processing gas exhaust port can be extended in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. Specifically, the process gas inlet and the process gas exhaust may be provided to extend at least along the width of the substrate to be processed and / or at least the preferred length of the process region. The process gas inlet and the process gas exhaust can be beneficially configured to extend at least slightly beyond the maximum width of the substrate to provide uniform conditions within the area of the substrate to be coated.

［００１４９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、堆積源６３０及びガス分離ユニット３７０は１つの設備として形成することができる。例えば、図８に、堆積源６３０の本体６０３に装着されたガス分離ユニット３７０に示す。これによって、ガス分離ユニットのスリット幅の調整、及び電極６０２と基板との間の距離の調整を一体化した方法で提供することができる。   [00149] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the deposition source 630 and the gas separation unit 370 can be formed as one piece of equipment. For example, FIG. 8 shows a gas separation unit 370 mounted on the main body 603 of the deposition source 630. Thereby, adjustment of the slit width of the gas separation unit and adjustment of the distance between the electrode 602 and the substrate can be provided in an integrated manner.

［００１５０］図８を例示として参照すると、本体６０３と壁１０２との距離が変化しうるように、堆積源６３０が壁１０２に接続されうる（図８のベローズ６３２によって示す）。図８に示すように、本体６０３、電極６０２、及び／又はガス分離ユニット３７０を、支持体がプロセス、処理ドラムの軸に機械的に接触した状態で支持することができる。したがって、ガス分離ユニットのスリット幅、及び電極６０２と基板との間の距離は、図７Ａ及び７Ｂに関連して例示的に上記で説明したように、調整することができることを理解すべきである。代替的に、本体、ガス分離ユニット、及び電極の位置を、基板までの距離の調整のために変更することができるように、アクチュエータを堆積源６３０の本体６０３と壁１０２との間に設けることができる。   [00150] Referring to FIG. 8 by way of example, a deposition source 630 can be connected to the wall 102 (indicated by bellows 632 in FIG. 8) such that the distance between the body 603 and the wall 102 can vary. As shown in FIG. 8, the body 603, electrode 602, and / or gas separation unit 370 can be supported with the support in mechanical contact with the shaft of the process, process drum. Accordingly, it should be understood that the slit width of the gas separation unit, and the distance between the electrode 602 and the substrate can be adjusted as described above in connection with FIGS. 7A and 7B. . Alternatively, an actuator is provided between the body 603 of the deposition source 630 and the wall 102 so that the position of the body, gas separation unit, and electrode can be changed for adjustment of the distance to the substrate. Can do.

［００１５１］図９に、本書に記載の実施形態に係る、処理チャンバの壁に装着された堆積源６３０の概略的な斜視断面図を示す。図９に例示するように、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、電極６０２と、処理される基板との間に設けられた処理領域の周りに、一または複数のガス分離ユニット３７０が設けられうる。詳細には、図９の斜視断面図に、電極６０２の３つの面に配置されたガス分離ユニット３７０を示す。更に、図９に、処理領域内の処理ガス流を示す。具体的には、矢印８１１によって示すように、処理ガスは、処理ガス注入口６１２から処理ガス排気口６１４へ流れる。   [00151] FIG. 9 shows a schematic perspective cross-sectional view of a deposition source 630 mounted on a wall of a processing chamber, according to an embodiment described herein. As illustrated in FIG. 9, according to an embodiment that can be combined with other embodiments described herein, one or more around a processing region provided between the electrode 602 and the substrate to be processed. A gas separation unit 370 may be provided. Specifically, the perspective sectional view of FIG. 9 shows a gas separation unit 370 arranged on three surfaces of the electrode 602. Further, FIG. 9 shows a processing gas flow in the processing region. Specifically, as indicated by an arrow 811, the processing gas flows from the processing gas inlet 612 to the processing gas exhaust 614.

［００１５２］更に、図９に示すように、幾つかの実施形態によれば、例えば図９に示す２つの分離ガス注入口などの、一または複数の分離ガス注入口１８４２が設けられうる。したがって、矢印８４３によって示すように、分離ガス注入口１８４２とガス分離ユニット３７０との間の中間領域に、分離ガス又はパージガスが供給されうる。更に、幾つかの実施形態によれば、ガス流バリアを設けるために、別のガス分離ユニット１３７０が設けられうる。図８に示していないが、矢印８４３によって示される分離ガス又はパージガスは、近接するプラズマ堆積源用のパージガスを供給するために、反対方向にも供給されうる。   [00152] Further, as shown in FIG. 9, according to some embodiments, one or more separation gas inlets 1842 may be provided, such as the two separation gas inlets shown in FIG. Therefore, as indicated by arrow 843, the separation gas or purge gas can be supplied to an intermediate region between the separation gas inlet 1842 and the gas separation unit 370. Furthermore, according to some embodiments, a separate gas separation unit 1370 may be provided to provide a gas flow barrier. Although not shown in FIG. 8, the separation gas or purge gas indicated by arrow 843 can also be supplied in the opposite direction to provide a purge gas for an adjacent plasma deposition source.

［００１５３］図１０Ａ〜１０Ｃに、本書に記載の実施形態による処理ガス流、パージガス流又は分離ガス流、並びに吸引領域又はポンピング領域の異なる実施形態を示す。図１０Ａに、それぞれの処理領域において互いに隣接して設けられた２つの堆積源を示す（例：図１０Ａの堆積源６３０参照）処理領域は、湾曲した基板支持面を形成する処理ドラム１４２に設けられる。図１０Ａに例示するように、各堆積源は電極６０２を有しうる。電極６０２の一方には、処理ガス注入口６１２が設けられる。例えば、ガス注入口は、スリット又は処理ドラム１４２の軸方向に延びる複数の開口部とすることができる。処理ガス注入口６１２に隣接して、ガス分離ユニット３７０を形成する壁部分が設けられる。図１０Ａに示す堆積源６３０は、処理領域内のプラズマを点火し維持するための電力が電極に供給されうるように、電極６０２に接続可能な整合回路６８０を含む。更に、図１０Ａに示すように、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、堆積源又はそれぞれの処理領域の間に、水素などの分離ガス用の分離ガス注入口１８４２が設けられうる。更に、ポンピングチャネル又は吸引チャネルが、堆積源又はそれぞれの処理領域の間に設けられうる。更に、ポンピングポートなどの真空チャネル１１４２は、図１０Ａに例示するように、分離ガス注入口１８４２の両側に位置決めされる。   [00153] FIGS. 10A-10C illustrate different embodiments of a process gas flow, a purge gas flow or a separation gas flow, and a suction or pumping region according to embodiments described herein. FIG. 10A shows two deposition sources provided adjacent to each other in each processing region (eg, see deposition source 630 in FIG. 10A). The processing region is provided on a processing drum 142 that forms a curved substrate support surface. It is done. As illustrated in FIG. 10A, each deposition source may have an electrode 602. One of the electrodes 602 is provided with a processing gas inlet 612. For example, the gas inlet can be a slit or a plurality of openings extending in the axial direction of the processing drum 142. Adjacent to the processing gas inlet 612, a wall portion forming a gas separation unit 370 is provided. The deposition source 630 shown in FIG. 10A includes a matching circuit 680 that can be connected to the electrode 602 so that power can be supplied to the electrode to ignite and maintain the plasma in the processing region. Further, as shown in FIG. 10A, according to an embodiment that can be combined with other embodiments described herein, a separation gas inlet 1842 for a separation gas such as hydrogen is provided between the deposition source or each processing region. Can be provided. Furthermore, pumping channels or suction channels can be provided between the deposition sources or the respective processing regions. Further, vacuum channels 1142 such as pumping ports are positioned on either side of the separation gas inlet 1842 as illustrated in FIG. 10A.

［００１５４］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、分離ガス注入口１８４２は更に、別のガス分離ユニット１３７０を提供する壁部分を含むことができる。本書に記載の他の実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、少なくとも１つの堆積源６３０は、処理ドラム１４２からの堆積源の距離を変更するアクチュエータを含みうる。したがって、例えば図６に関連して説明したように、アクチュエータによって、あるいは、図７Ａ及び７Ｂに関連して説明したように、支持装置によって距離の変更がもたらされうる。これによって、処理ドラム１４２の軸、電極６０２、第１のガス分離ユニット、例えば図６〜８のガス分離ユニット３７０、及び別のガス分離ユニット１３７０に対する半径方向の位置を変更及び調整することができる。例えば、変更及び調整は、図６、７Ａ及び７Ｂに関連して例示的に説明したように、処理ドラムの温度が変化した際に、処理ドラムの熱膨張又は収縮を補償するために使用することができる。   [00154] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the separation gas inlet 1842 can further include a wall portion that provides another gas separation unit 1370. According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the at least one deposition source 630 may include an actuator that changes the distance of the deposition source from the processing drum 142. Thus, for example, the distance may be changed by an actuator, as described in connection with FIG. 6, or by a support device, as described in connection with FIGS. 7A and 7B. This can change and adjust the radial position relative to the shaft of the processing drum 142, the electrode 602, the first gas separation unit, eg, the gas separation unit 370 of FIGS. 6-8, and another gas separation unit 1370. . For example, changes and adjustments may be used to compensate for thermal expansion or contraction of the processing drum when the processing drum temperature changes, as illustratively described in connection with FIGS. 6, 7A and 7B. Can do.

［００１５５］図１０Ａを例示として参照すると、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、分離ガス注入口１８４２が、堆積源６３０と真空チャネル１１４２、例えば分離ガス注入口１８４２の両側に設けられた排気ダクトとの間に設けられうる。図１０Ａから、処理ドラムが、図１０Ａの紙面に垂直な方向に延びると理解される。更に、電極、ガス注入口、ガス排気口及び排気ダクトが、図１０Ａの紙面に垂直な方向に延びる。   [00155] Referring to FIG. 10A by way of example, in accordance with an embodiment that can be combined with other embodiments described herein, a separation gas inlet 1842 may include a deposition source 630 and a vacuum channel 1142, eg, a separation gas inlet 1842. It can be provided between the exhaust ducts provided on both sides. From FIG. 10A, it is understood that the processing drum extends in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 10A. Furthermore, an electrode, a gas inlet, a gas outlet, and an exhaust duct extend in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 10A.

［００１５６］図１０Ｂに、例示的な実施形態を示す。この実施形態では、図１０Ａに示す実施形態とは逆に、処理ガス注入口６１２が、両方の堆積源６３０のためにそれぞれの堆積源の間に設けられている。これにより、処理ガス流の方向が、堆積源のうちの一方の基板搬送方向と同じ方向に、また堆積源のうちのそれぞれ他方の反対方向に向けられる。   [00156] FIG. 10B illustrates an exemplary embodiment. In this embodiment, contrary to the embodiment shown in FIG. 10A, a process gas inlet 612 is provided between each deposition source for both deposition sources 630. Thereby, the direction of the process gas flow is directed in the same direction as the substrate transport direction of one of the deposition sources and in the opposite direction of the other of the deposition sources.

［００１５７］図１０Ｃに、隣接する堆積源の種々のガス注入口及び排気チャネル又は吸引チャネルの概略的コンセプトを示す。具体的には、図１０Ｃは、ガス注入口、ガス排気口、及び排気ダクトを矢印として示す。それぞれのチャネル及びダクトは、本書に記載の実施形態のうちの任意の実施形態に従って配設することができると理解されたい。図１０Ｃに、それぞれの位置で堆積源の一部と見なされる２つの近接する電極を示す。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、電極６０２は、ＰＥＣＶＤ源の電極などのプラズマ支援堆積処理のための電極とすることができる。図１０Ｃに示すように、処理ガス注入口６１２及び処理ガス排気口６１４は、近接する各堆積源の電極６０２の対向する側面に設けられうる。更に、処理ガス注入口６１２及び処理ガス排気口６１４がそれぞれ、電極６０２とそれぞれの分離ガス注入口との間に位置づけされるように、電極６０２の両側に分離ガス注入口１８４２が設けられうる（例：分離ガス注入口１８４２参照）。更に、図１０Ｃに例示するように、真空チャネル１１４２、すなわち吸引チャネル又は排気ダクトが設けられうる。具体的には、排気ダクトは、分離ガス注入口１８４２並びに処理ガス注入口６１２及び処理ガス排気口６１４が排気ダクトと電極６０２との間に設けられるように、電極６０２のそれぞれの対向する側面に設けられうる。   [00157] FIG. 10C shows a schematic concept of various gas inlets and exhaust or suction channels of adjacent deposition sources. Specifically, FIG. 10C shows the gas inlet, the gas outlet, and the exhaust duct as arrows. It should be understood that each channel and duct can be arranged according to any of the embodiments described herein. FIG. 10C shows two adjacent electrodes that are considered part of the deposition source at each location. According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the electrode 602 can be an electrode for a plasma-assisted deposition process, such as a PECVD source electrode. As shown in FIG. 10C, the process gas inlet 612 and the process gas exhaust 614 can be provided on the opposing side surfaces of the electrodes 602 of the adjacent deposition sources. Further, separation gas inlets 1842 may be provided on both sides of the electrode 602 such that the processing gas inlet 612 and the processing gas outlet 614 are respectively positioned between the electrode 602 and the respective separation gas inlets ( Example: see separation gas inlet 1842). Further, as illustrated in FIG. 10C, a vacuum channel 1142, ie a suction channel or an exhaust duct, may be provided. Specifically, the exhaust duct is formed on each opposing side surface of the electrode 602 such that the separation gas inlet 1842, the process gas inlet 612, and the process gas outlet 614 are provided between the exhaust duct and the electrode 602. Can be provided.

［００１５８］本書に記載の実施形態は、特に、隣接又は近接する処理領域に異なる処理が提供される用途に役立つ。例えば、図１０Ｃの左側に電極６０２によって示される堆積源は、第１の堆積処理を実行することができ、図１０Ｃの右側に電極６０２によって示される堆積源は、第２の異なる堆積処理を実行することができる。例えば、左の処理領域の圧力が０．３ミリバールで、右の処理領域の圧力が１．７ミリバールである場合、中央の真空チャネルの領域の圧力は例えば、２つの処理エリアの低い圧力を下回るように設定される。先ほどの例では、圧力は、０．２ミリバールとすることができる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、３つ以上の堆積源が設けられる場合には、排気ダクトの領域の圧力は、すべての処理領域の最小圧力を下回るように設定される。   [00158] The embodiments described herein are particularly useful for applications where different processing is provided to adjacent or adjacent processing regions. For example, a deposition source represented by electrode 602 on the left side of FIG. 10C can perform a first deposition process, and a deposition source represented by electrode 602 on the right side of FIG. 10C can perform a second different deposition process. can do. For example, if the pressure in the left processing area is 0.3 mbar and the pressure in the right processing area is 1.7 mbar, the pressure in the central vacuum channel area is, for example, lower than the lower pressure in the two processing areas Is set as follows. In the previous example, the pressure can be 0.2 mbar. According to further embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, when more than two deposition sources are provided, the pressure in the area of the exhaust duct is reduced to the minimum pressure in all process areas. Set to be below.

［００１５９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる別の実施形態によれば、ガス分離ユニットの壁部分又は要素を、図１０Ｃに関して説明した配置に配設することができる。これによって、図８、９及び１１に関連して例示するように、ガス分離ユニットの壁部分又は要素を、処理ガス注入口と分離ガス注入口との間だけでなく、処理ガス排気口と分離ガス注入口との間にも配設することができ、分離ガス注入口と排気ダクトとの間に更に配設することができる。   [00159] According to another embodiment that can be combined with other embodiments described herein, wall portions or elements of the gas separation unit can be arranged in the arrangement described with respect to FIG. 10C. This separates the wall portion or element of the gas separation unit from the process gas outlet as well as between the process gas inlet and the separation gas inlet, as illustrated in connection with FIGS. It can also be disposed between the gas inlet and further disposed between the separation gas inlet and the exhaust duct.

［００１６０］図１１に、本書に記載の実施形態に係る堆積源の概略斜視図を示す。上述したように、堆積源６３０は、電極６０２に電力が供給されるように整合回路６８０へ接続されうる電極６０２を含む。図１１に示すように、電極６０２には曲面が設けられていてよく、電極は処理ドラムに対応する、即ち、電極は処理ドラムの表面に対して基本的に平行な面を有する。矢印８１１は、電極６０２に沿った処理領域の処理ガスのガス流を概略的に示す。処理ガス注入口６１２と処理ガス排気口６１４のそれぞれのスリットは、図１１の太線によって強調されている。したがって、いくつかの実行形態によれば、特にＰＥＣＶＤ処理において、処理ガス流は非対称でありうる、すなわち、基板の移動方向、あるいは基板の移動方向とは反対でありうる。   [00160] FIG. 11 shows a schematic perspective view of a deposition source according to embodiments described herein. As described above, the deposition source 630 includes an electrode 602 that can be connected to the matching circuit 680 such that power is supplied to the electrode 602. As shown in FIG. 11, the electrode 602 may be provided with a curved surface, and the electrode corresponds to the processing drum, that is, the electrode has a surface that is basically parallel to the surface of the processing drum. An arrow 811 schematically shows the gas flow of the processing gas in the processing region along the electrode 602. The slits of the processing gas inlet 612 and the processing gas exhaust 614 are highlighted by the thick lines in FIG. Thus, according to some implementations, particularly in a PECVD process, the process gas flow can be asymmetric, i.e., opposite to the direction of substrate movement or the direction of substrate movement.

［００１６１］図１１に例示するように、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、ガス分離ユニット３７０は電極６０２の周りに設けられうる。これによって、ガス分離ユニット３７０は、電極６０２の一方の側面に第１のガス分離ユニット部分３７０Ａを、電極６０２の反対の側面に第２のガス分離ユニット部分３７０Ｂを含みうる。ガス分離ユニット３７０の更なる側面部分３７０Ｃが設けられうる。したがって、電極６０２を取り囲むガス分離ユニット３７０は、改善された分離係数を提供する。   [00161] As illustrated in FIG. 11, according to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, a gas separation unit 370 may be provided around the electrode 602. Thus, the gas separation unit 370 may include a first gas separation unit portion 370A on one side of the electrode 602 and a second gas separation unit portion 370B on the opposite side of the electrode 602. A further side portion 370C of the gas separation unit 370 may be provided. Accordingly, the gas separation unit 370 surrounding the electrode 602 provides an improved separation factor.

［００１６２］更に、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、電極６０２の第１の側面、及び電極６０２の対向する側面に分離ガス注入口１８４２の一または複数の開口部が設けられうる。分離ガス注入口１８４２の一または複数の開口部は、一または複数の分離ガス注入開口部とも称されうる。図１１に例示するように、幾つかの実行形態によれば、分離ガス注入口１８４２は、ガス分離ユニット３７０が分離ガス注入口１８４２と電極６０２との間に配置されるように、電極６０２を囲むように構成されうる。   [00162] Further, according to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, one or more of the separation gas inlets 1842 on the first side of the electrode 602 and on the opposite side of the electrode 602. May be provided. One or more openings of separation gas inlet 1842 may also be referred to as one or more separation gas injection openings. As illustrated in FIG. 11, according to some implementations, the separation gas inlet 1842 may be configured such that the gas separation unit 370 is disposed between the separation gas inlet 1842 and the electrode 602. It can be configured to surround.

［００１６３］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、別のガス分離ユニット１３７０を配設することが可能である。例えば、別のガス分離ユニット１３７０は、電極６０２の対向する側面に設けられた第１の別のガス分離部１３７０Ａ及び第２のガス分離部１３７０Ｂを含みうる。代替的には、図１１に示す別のガス分離ユニット１３７０の第１及び第２の部分の代わりに、２つのガス分離ユニットを配設することができる。例えば、図１１に示す別のガス分離ユニット１３７０は、別のガス分離ユニット１３７０が電極６０２、第１のガス分離ユニット、例えば図１１のガス分離ユニット３７０を取り囲むように、別の側面部分１６２０Ｃを含む。   [00163] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, a separate gas separation unit 1370 can be provided. For example, another gas separation unit 1370 may include a first another gas separation unit 1370A and a second gas separation unit 1370B provided on opposite sides of the electrode 602. Alternatively, two gas separation units can be provided instead of the first and second portions of another gas separation unit 1370 shown in FIG. For example, another gas separation unit 1370 shown in FIG. 11 includes another side portion 1620C such that another gas separation unit 1370 surrounds the electrode 602, the first gas separation unit, eg, the gas separation unit 370 of FIG. Including.

［００１６４］上記観点から、本書に記載の実施形態は、隣接する処理領域の間にさらなる最適化された分離係数を提供しうることを理解すべきである。   [00164] In view of the above, it should be understood that the embodiments described herein may provide further optimized separation factors between adjacent processing regions.

［００１６５］図１１に例示するように、本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、堆積源６３０、例えばＰＥＣＶＤ堆積源は、マイクロ波アンテナ７００を含みうる。したがって、本書に記載の堆積源はマイクロ波源であってよく、マイクロ波プラズマを提供するように構成されうることを理解すべきである。マイクロ波アンテナ７００の例示の実施形態の詳細図を図１２に示す。幾つかの実施形態によれば、マイクロ波アンテナ７００は細長いスリーブ７２０の形態であってよく、マイクロ波アンテナ７００の長さに沿って設けられた複数のスロット７１０を含む。詳細には、複数のスロット７１０は、図１２Ａに例示するように、マイクロ波アンテナの長さの一部の上に均等に分布していてよい。したがって、スロット付きアンテナは、処理領域内のプラズマへの電力供給の制御のために構成されうる。更に、マイクロ波アンテナ７００のスリーブ７２０内のスロット開口部により、例えば金属でできていてよいスリーブがマイクロ波に対して半透明となるようにすることができる。   [00165] As illustrated in FIG. 11, according to an embodiment that can be combined with other embodiments described herein, a deposition source 630, eg, a PECVD deposition source, can include a microwave antenna 700. Accordingly, it should be understood that the deposition source described herein can be a microwave source and can be configured to provide a microwave plasma. A detailed view of an exemplary embodiment of a microwave antenna 700 is shown in FIG. According to some embodiments, the microwave antenna 700 may be in the form of an elongated sleeve 720 and includes a plurality of slots 710 provided along the length of the microwave antenna 700. Specifically, the plurality of slots 710 may be evenly distributed over a portion of the length of the microwave antenna, as illustrated in FIG. 12A. Thus, the slotted antenna can be configured for control of power supply to the plasma in the processing region. Furthermore, the slot opening in the sleeve 720 of the microwave antenna 700 allows the sleeve, which may be made of metal, for example, to be translucent to the microwave.

［００１６６］本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、マイクロ波アンテナ７００には、第１の群のスロット７１１と第２の群のスロット７１２とを設けることができ、図１２Ｂのマイクロ波アンテナの拡大断面図に例示するように、第１の群のスロットは、第２の群のスロットに比較してアンテナの長さに沿った異なる半径方向の位置に配置される。これは、電力カップリング効率を改善するのに有益でありうる。   [00166] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the microwave antenna 700 may be provided with a first group of slots 711 and a second group of slots 712. And, as illustrated in the enlarged cross-sectional view of the microwave antenna of FIG. 12B, the first group of slots are located at different radial positions along the length of the antenna compared to the second group of slots. Is done. This can be beneficial to improve power coupling efficiency.

［００１６７］上記観点から、スロットの配置により、アンテナの長さに沿った軸方向の電力吸収を制御する能力が提供されうることを理解すべきである。具体的には、スロットの間隔及び／又は形状により、電力吸収プロファイルの微調整が提供されうる。したがって、制御されたマイクロ波電力供給のためのスロット付きアンテナが提供されうる。   [00167] In view of the above, it should be understood that the arrangement of slots may provide the ability to control axial power absorption along the length of the antenna. Specifically, fine adjustment of the power absorption profile may be provided by slot spacing and / or shape. Thus, a slotted antenna for controlled microwave power supply can be provided.

［００１６８］本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態によれば、堆積源は線形マイクロ波ＰＥＣＶＤ源であってよい。例えば、堆積源を、軌道が装着された処理トロリーに取り付けることができる。更に、堆積源は、間隙の距離を確保する幾何学的に浮遊しているプラズマ源、完全に一体化された種ガス分離部、オプションのオンラインプラズマ密度モニタリングのための多極共振センサ、高い層均一性の、維持に手がかからず洗浄が容易な、特殊設計された処理ガスマニホールドのうちの少なくとも１つを含みうる。例えば、処理ガスマニホールドは交換可能であってよい。更に、幾つかの実施形態によれば、堆積源、例えば線形マイクロ波ＰＥＣＶＤ源は、液体前駆体と適合可能であるように構成されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる別の実施形態によれば、堆積源は、フッ素ベースのインシトゥプラズマ洗浄能力を含みうる。更に、堆積源、特に線形マイクロ波ＰＥＣＶＤ源は、処理中の埃を最小限に抑えるために優れたプラズマ閉じ込め性能を有するように構成されうることに留意すべきである。   [00168] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the deposition source may be a linear microwave PECVD source. For example, the deposition source can be attached to a processing trolley fitted with a track. In addition, the deposition source consists of a geometrically floating plasma source that ensures gap distance, a fully integrated seed gas separator, an optional multipole resonant sensor for on-line plasma density monitoring, a high layer It may include at least one of specially designed process gas manifolds that are uniform, easy to maintain and easy to clean. For example, the process gas manifold may be replaceable. Further, according to some embodiments, a deposition source, such as a linear microwave PECVD source, can be configured to be compatible with a liquid precursor. According to another embodiment that can be combined with other embodiments described herein, the deposition source can include a fluorine-based in situ plasma cleaning capability. Furthermore, it should be noted that deposition sources, particularly linear microwave PECVD sources, can be configured to have excellent plasma confinement performance to minimize dust during processing.

［００１６９］更に、本書に記載の堆積源の実施形態は、堅牢で最適化された設計を有することを理解すべきである。詳細には、堆積源の堅牢で最適化された設計は、交換可能なガスマニホールド、オプションの同軸線ガス冷却システム、適応可能な内部電源ポンプシールド及び例えばコーティング幅の変更に使用可能なガス分離を含む、交換可能な下部電源収納ユニットのうちの一または複数を配設することによって得ることができる。   [00169] Further, it should be understood that the deposition source embodiments described herein have a robust and optimized design. Specifically, the robust and optimized design of the deposition source includes a replaceable gas manifold, an optional coaxial gas cooling system, an adaptable internal power pump shield and gas separation that can be used, for example, to change coating width It can be obtained by disposing one or more of the replaceable lower power storage units.

［００１７０］図１３に、処理ドラム１４２と一または複数の堆積源との間でシールド箔２５０を移動させるように構成されたシャッターデバイス２００を含む、本書に記載の実施形態に係る真空処理システムの処理チャンバの一部の概略斜視図を示す。図６に関連して例示的に説明したように、真空処理システムの一または複数の処理構成要素、例えば堆積源を、処理ドラム１４２と一または複数の処理構成要素との間に間隙ができるように位置づけすることができる。例えば、間隙は、約０．５ｍｍ〜５０ｍｍの幅を有しうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、シャッターデバイス２００は、図１５及び図１６に関連して更に詳細に説明するように、少なくとも１つの第１の部分、例えば図１５に示す第１の部分２３１と、少なくとも１つの第２の部分、例えば図１５に示す第２の部分２３２とを含みうる。第１の部分は、シャッターデバイス２００の回転軸を提供しうる。シールド箔２５０は、例えば、クランピング、グリッピング、糊付け、磁力、はんだ付け及び溶接のうちの少なくとも１つによって、第２の部分に連結可能でありうる。シールド箔２５０は、「ジャロジー」とも称されうる。シャッターデバイス２００は、「ジャロジーシャッター」とも称されうる。   [00170] FIG. 13 illustrates an embodiment of a vacuum processing system according to embodiments described herein, including a shutter device 200 configured to move a shield foil 250 between the processing drum 142 and one or more deposition sources. FIG. 2 shows a schematic perspective view of a portion of a processing chamber. As exemplarily described in connection with FIG. 6, one or more processing components, eg, a deposition source, of the vacuum processing system may allow a gap between the processing drum 142 and the one or more processing components. Can be positioned. For example, the gap can have a width of about 0.5 mm to 50 mm. According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the shutter device 200 includes at least one first portion, as described in more detail in connection with FIGS. For example, the first portion 231 shown in FIG. 15 and at least one second portion, for example, the second portion 232 shown in FIG. 15 may be included. The first part may provide the axis of rotation of the shutter device 200. The shield foil 250 may be connectable to the second portion, for example, by at least one of clamping, gripping, gluing, magnetic force, soldering, and welding. The shield foil 250 may also be referred to as “Jalology”. The shutter device 200 can also be referred to as a “jalousie shutter”.

［００１７１］回転軸の周りで回転させることによって、第２の部分に取り付けられたシールド箔２５０を、処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源との間で移動させることができる。わかりやすいように、図１４に、堆積源６３０の簡略図を示す。プラズマ洗浄方法は、シールド箔２５０が堆積源の下のエリアを覆ったときに実施することができる。シールド箔２５０は、例えば開始された洗浄シーケンスの始めに、自動作動によって移動させることができる。   [00171] By rotating around the axis of rotation, the shield foil 250 attached to the second portion can be moved between the processing drum 142 and one or more deposition sources. For clarity, FIG. 14 shows a simplified diagram of the deposition source 630. The plasma cleaning method can be performed when the shield foil 250 covers the area under the deposition source. The shield foil 250 can be moved automatically, for example at the beginning of a started cleaning sequence.

［００１７２］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、シャッターデバイス２００は、処理ドラム１４２の下に（下方に）位置付けられうる。シールド箔２５０は、処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源との間に位置付けられるように、処理ドラム１４２の下から上方向に移動させることができる。処理ドラム１４２の下にシャッターデバイス２００を位置付けることによって、処理ドラム１４２の上の、任意の数の装置部品、特に移動する装置部品を最小限に抑えることができる。更に、シャッターデバイス２００及び／又はシールド箔２５０から放出された粒子は、堆積ゾーンに到達せずに又は堆積ゾーンを横切らずに、例えば処理チャンバの底に落下する。したがって、不純物による堆積処理の汚染、特にコーティング層の汚染を防止することができる。いくつかの実行形態によれば、シールド箔は洗浄物質に対して耐性があるため再利用可能である、すなわちシールド箔は洗浄処理後に交換する必要がない。   [00172] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the shutter device 200 may be positioned below (downward) the processing drum 142. The shield foil 250 can be moved upwardly from below the processing drum 142 such that it is positioned between the processing drum 142 and one or more deposition sources. By positioning the shutter device 200 under the processing drum 142, any number of device components, particularly moving device components, on the processing drum 142 can be minimized. Furthermore, particles emitted from the shutter device 200 and / or the shield foil 250 fall, for example, to the bottom of the processing chamber without reaching or crossing the deposition zone. Therefore, contamination of the deposition process due to impurities, particularly contamination of the coating layer can be prevented. According to some implementations, the shield foil is reusable because it is resistant to the cleaning material, ie the shield foil does not need to be replaced after the cleaning process.

［００１７３］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、装置は、例えば、処理ドラム１４２の側面などに設けられた少なくとも１つのスペーサデバイス（例：図１３及び１４のスペーサデバイス２２５参照）を含みうる。いくつかの実施形態では、処理ドラム１４２の各側面に１つのスペーサデバイス２２５が設けられうる。スペーサデバイス２２５は、円形であってもよく、又は円の一部であってもよく、その直径は、処理ドラム１４２の直径より大きくてもよい。スペーサデバイス２２５は、特にシールド箔２５０が処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源との間を移動するときに、シールド箔２５０を支持するように構成されうる。スペーサデバイス２２５により、処理ドラム１４２又はその上に配置されたフレキシブル基板とシールド箔２５０との間に間隙ができうる。これにより、シールド箔２５０が処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源との間を移動するときに処理ドラム１４２又はフレキシブル基板と接触しないため、処理ドラム１４２又はフレキシブル基板の損傷リスクを最小限に抑えることができる。   [00173] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the apparatus includes at least one spacer device (eg, FIG. 13) provided on the side of the processing drum 142, for example. And 14 spacer devices 225). In some embodiments, one spacer device 225 may be provided on each side of the processing drum 142. The spacer device 225 may be circular or part of a circle, and its diameter may be larger than the diameter of the processing drum 142. The spacer device 225 may be configured to support the shield foil 250, particularly as the shield foil 250 moves between the processing drum 142 and one or more deposition sources. The spacer device 225 may create a gap between the processing drum 142 or the flexible substrate disposed thereon and the shield foil 250. This minimizes the risk of damage to the processing drum 142 or flexible substrate because the shield foil 250 does not contact the processing drum 142 or flexible substrate as it moves between the processing drum 142 and one or more deposition sources. be able to.

［００１７４］いくつかの他の実行形態では、シャッターデバイス２００はスペーサデバイス２２５を含まなくてもよく、シールド箔２５０は処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源との間を移動するときに処理ドラム１４２又はその上に配置されたフレキシブル基板と接触又はコンタクトしうる。この場合、シールド箔２５０及びフレキシブル基板を担持する処理ドラム１４２は、同じ速度で移動する。要するに、処理ドラム１４２に対するシールド箔２５０の相対運動は、実質的に存在し得ない。   [00174] In some other implementations, the shutter device 200 may not include the spacer device 225, and the shield foil 250 may move between the processing drum 142 and the one or more deposition sources as the processing drum. 142 or a flexible substrate disposed thereon may be contacted or contacted. In this case, the processing drum 142 carrying the shield foil 250 and the flexible substrate moves at the same speed. In short, the relative movement of the shield foil 250 with respect to the processing drum 142 can be substantially absent.

［００１７５］図１４に、本書に記載の実施形態に係るシャッターデバイスを含む真空処理システムの処理ドラムの概略側面図を示す。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、シャッターデバイス２００は、少なくとも１つの第１の部分、例えば第１の部分２３１、及び少なくとも１つの第２の部分、例えば第２の部分２３２を有する少なくとも１つのアーム、例えばアーム２３０を含むことができる。第１の部分２３１は、アーム２３０の回転軸を提供しうる。装置は、処理ドラム１４２の側面の１つに設けられた１つの第１の部分２３１を有していてもよく、又は２つの第１の部分２３１、即ち、処理ドラム１４２の各側面に１つを有していてもよい。シールド箔２５０は、例えば、クランピング、グリッピング、糊付け、磁力、はんだ付け及び溶接のうちの少なくとも１つによって、第２の部分２３２に連結可能でありうる。   [00175] FIG. 14 shows a schematic side view of a processing drum of a vacuum processing system including a shutter device according to embodiments described herein. According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the shutter device 200 includes at least one first portion, eg, a first portion 231 and at least one second portion. , For example, may include at least one arm having a second portion 232, such as arm 230. The first portion 231 can provide a rotation axis of the arm 230. The apparatus may have one first portion 231 provided on one of the side surfaces of the processing drum 142 or two first portions 231, one on each side of the processing drum 142. You may have. The shield foil 250 may be connectable to the second portion 232 by at least one of clamping, gripping, gluing, magnetic force, soldering, and welding, for example.

［００１７６］第１の部分２３１によって画定された回転軸の周りでアーム２３０を回転させることによって、第２の部分２３２に取り付けられるシールド箔２５０を処理ドラム１４２と堆積源６３０との間で移動させることができ、特に、処理ドラム１４２と堆積源６３０との間にできた上述の間隙内部で移動させることができる。例えば、エッチング処理が開始された場合、アーム２３０は、処理ドラム１４２の回転軸１４３の周りを移動して処理ドラム１４２周囲の取り付けられたシールド箔２５０を搬送することができる。   [00176] The shield foil 250 attached to the second portion 232 is moved between the processing drum 142 and the deposition source 630 by rotating the arm 230 about an axis of rotation defined by the first portion 231. In particular, it can be moved within the gap described above between the processing drum 142 and the deposition source 630. For example, when the etching process is started, the arm 230 can move around the rotation shaft 143 of the processing drum 142 to transport the attached shield foil 250 around the processing drum 142.

［００１７７］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、アーム２３０の回転軸は、処理ドラム１４２の回転軸１４３に実質的に平行である。特に、アーム２３０の回転軸は、処理ドラム１４２の回転軸１４３に対応しうる。いくつかの実行形態では、第１の部分２３１は、回転軸１４３の周りで回転可能である処理ドラム１４２の回転軸１４３に取付可能でありうる。いくつかの実施形態では、アーム２３０を回転可能にするために、ブッシュ軸受又はローラ軸受などの軸受を設けることができる。例えば、アーム２３０、特に第１の部分２３１は、ブッシュ軸受又はローラ軸受などの軸受を介して、処理ドラム１４２の回転軸１４３に取り付けることができる。   [00177] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the rotational axis of the arm 230 is substantially parallel to the rotational axis 143 of the processing drum 142. In particular, the rotation axis of the arm 230 can correspond to the rotation axis 143 of the processing drum 142. In some implementations, the first portion 231 may be attachable to the rotating shaft 143 of the processing drum 142 that is rotatable about the rotating shaft 143. In some embodiments, a bearing such as a bushing bearing or a roller bearing can be provided to allow the arm 230 to rotate. For example, the arm 230, particularly the first portion 231, can be attached to the rotating shaft 143 of the processing drum 142 via a bearing such as a bush bearing or a roller bearing.

［００１７８］いくつかの実行形態では、第１の部分２３１は、回転軸１４３に実質的に垂直に延びていてよく、特に、処理ドラム１４２の回転軸１４３から少なくともその外周面まで延びていてよい。第１の部分の長さは、少なくとも処理ドラム１４２の直径以上とすることができる。   [00178] In some implementations, the first portion 231 may extend substantially perpendicular to the rotational axis 143, and in particular may extend from the rotational axis 143 of the processing drum 142 to at least its outer peripheral surface. . The length of the first portion can be at least the diameter of the processing drum 142.

［００１７９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、第２の部分２３２は処理ドラム１４２の回転軸１４３に実質的に平行に延びていてよく、特に、処理ドラム１４２の外周面の少なくとも一部に沿って延びていてよい。いくつかの実行形態では、第２の部分２３２は、実質的に処理ドラム１４２の外周面の長さ全体に沿って延びていてよい。いくつかの実行形態では、第２の部分２３２は、第１の部分２３１から延びていてよい。   [00179] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the second portion 232 may extend substantially parallel to the rotational axis 143 of the processing drum 142, and in particular. , And may extend along at least a part of the outer peripheral surface of the processing drum 142. In some implementations, the second portion 232 may extend along substantially the entire length of the outer peripheral surface of the processing drum 142. In some implementations, the second portion 232 may extend from the first portion 231.

［００１８０］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、第１の部分２３１は第１の方向に沿って延びていてよく、第２の部分２３２は第２の方向に沿って延びていてよく、第２の方向は第１の方向に実質的に垂直でありうる。いくつかの実行形態では、第１の方向は処理ドラム１４２の回転軸１４３に実質的に垂直であってよく、及び／又は第２の方向は処理ドラム１４２の回転軸１４３に実質的に平行であってよい。   [00180] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the first portion 231 may extend along a first direction and the second portion 232 may be The second direction may be substantially perpendicular to the first direction. In some implementations, the first direction may be substantially perpendicular to the rotational axis 143 of the processing drum 142 and / or the second direction is substantially parallel to the rotational axis 143 of the processing drum 142. It may be.

［００１８１］原理として、シールド手段をフレキシブル基板の搬送方向に垂直に移動させることにより、洗浄手順中に処理ドラムを覆い保護することが可能であるかもしれないが、この場合、処理ドラムの曲率及びシールド箔の曲率は、搬送方向に平行ではない。シールド箔を、シールド箔の幅方向に屈曲させなければならなくなるであろう。しかしながら、シールド箔がローラ受容部２２０のようなローラ上にロールアップされるとき、シールド箔はシールド箔の長さ方向に屈曲することになる。したがって、金属から作られたシールド箔のような硬い材料は破壊される可能性がある。   [00181] In principle, it may be possible to cover and protect the processing drum during the cleaning procedure by moving the shielding means perpendicular to the transport direction of the flexible substrate, but in this case the curvature of the processing drum and The curvature of the shield foil is not parallel to the transport direction. The shield foil will have to be bent in the width direction of the shield foil. However, when the shield foil is rolled up on a roller such as the roller receiver 220, the shield foil will bend in the length direction of the shield foil. Thus, hard materials such as shield foil made from metal can be destroyed.

［００１８２］図１５に、２つの第１の部分２３１と、２つの第１の部分２３１を連結している１つの第２の部分２３２とを有するアーム２３０を有するシャッターデバイス２００を示す。第１の部分２３１は、処理ドラム１４２の対向する側面に配置されうる。要するに、１つの第１の部分２３１は、処理ドラム１４２の各側面に配設することができるということである。第１の部分２３１は、例えば、処理ドラム１４２の回転軸１４３などの軸又はシャフトとの連結を提供するように構成されたボア又は中心ボア２３３を含みうる。ブッシュ軸受又はローラ軸受などの軸受（図示せず）が、中心ボア２３３と関連付けられうるため、これにより第１の部分２３１が回転可能になる。一例として、軸受を中心ボア２３３内部に配置することができる、又は中心ボア２３３を取り囲むように配設することができる。   [00182] FIG. 15 shows a shutter device 200 having an arm 230 having two first portions 231 and one second portion 232 connecting the two first portions 231. The first portion 231 can be disposed on the opposite side surface of the processing drum 142. In short, one first portion 231 can be disposed on each side of the processing drum 142. The first portion 231 may include a bore or a central bore 233 configured to provide a connection with a shaft or shaft, such as the rotational shaft 143 of the processing drum 142, for example. A bearing (not shown), such as a bush bearing or roller bearing, can be associated with the central bore 233, thereby allowing the first portion 231 to rotate. As an example, the bearing can be disposed within the central bore 233 or can be disposed around the central bore 233.

［００１８３］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、シャッターデバイス２００は、処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源６３０との間でシールド箔２５０を移動させるように構成されたドライバを含みうる。いくつかの実行形態では、ドライバは、第１の部分２３１によって提供された回転軸の周りでアーム２３０を回転させるように構成することができる。いくつかの実施形態によれば、ドライバは、電気モータ及び／又は空気圧モータなどのモータを含みうる。   [00183] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the shutter device 200 moves the shield foil 250 between the processing drum 142 and the one or more deposition sources 630. A driver configured to be configured. In some implementations, the driver can be configured to rotate the arm 230 about the axis of rotation provided by the first portion 231. According to some embodiments, the driver may include a motor, such as an electric motor and / or a pneumatic motor.

［００１８４］いくつかの実行形態では、ドライバは、ギアアセンブリを介して、第１の部分２３１に接続させることができる。ギアアセンブリは、第１の部分２３１に設けられた第１のギアホイール２３４を含みうる。一例として、第１のギアホイール２３４は、第１の部分２３１、特に中心ボア２３３によって画定された回転軸を少なくとも部分的に取り囲むように配設することができる。ギアアセンブリはまた、例えば、電気モータ及び／又は空気圧モータのようなモータなどの駆動機構に直接的又は間接的に連結された第２のギアホイール２３５を含みうる。   [00184] In some implementations, the driver can be connected to the first portion 231 via a gear assembly. The gear assembly can include a first gear wheel 234 provided in the first portion 231. As an example, the first gear wheel 234 can be arranged to at least partially surround the rotational axis defined by the first portion 231, in particular the central bore 233. The gear assembly may also include a second gear wheel 235 that is directly or indirectly coupled to a drive mechanism such as, for example, a motor such as an electric motor and / or a pneumatic motor.

［００１８５］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、シャッターデバイス２００は、シールド箔２５０を巻き付ける及び／又は巻き出すように構成された一又は複数のロール受容部２２０を含みうる。一又は複数のロール受容部２２０は、シールド箔２５０を受容するように、特にシールド箔２５０がその上に巻かれるロールを受容又は保持するように構成される。これにより、シールド箔２５０を有するロールは、必要なときに簡単に取り換えることができる。いくつかの実施形態では、シールド箔２５０の第１の端部は、ロール受容部に連結可能である。一例として、シールド箔２５０の第１の端部はロール受容部２２０に連結可能であり、シールド箔２５０の第２の端はアーム２３０の第２の部分２３２に連結可能でありうる。   [00185] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the shutter device 200 can be configured to roll one or more rolls that are configured to wind and / or unwind the shield foil 250. A receiving part 220 may be included. The one or more roll receivers 220 are configured to receive the shield foil 250, particularly to receive or hold the roll on which the shield foil 250 is wound. Thereby, the roll having the shield foil 250 can be easily replaced when necessary. In some embodiments, the first end of the shield foil 250 can be coupled to a roll receiver. As an example, the first end of the shield foil 250 can be coupled to the roll receiver 220, and the second end of the shield foil 250 can be coupled to the second portion 232 of the arm 230.

［００１８６］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、一又は複数のロール受容部２２０を処理チャンバ内部に配設することができる。また、シールド箔２５０は処理チャンバ内部に（例えば、完全に）供給することができ、処理チャンバ外部に供給されることはない。この観点から、外部から処理チャンバ内に、例えば、真空ロックを通して、シールド箔をガイドする必要がない。このため、処理チャンバ内の真空を破ることなく、処理チャンバが洗浄しやすくなる。   [00186] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, one or more roll receivers 220 can be disposed within the processing chamber. Further, the shield foil 250 can be supplied inside the processing chamber (for example, completely) and is not supplied outside the processing chamber. From this point of view, it is not necessary to guide the shield foil from outside into the processing chamber, for example through a vacuum lock. This facilitates cleaning of the processing chamber without breaking the vacuum in the processing chamber.

［００１８７］しかしながら、他の実行形態では、少なくとも１つのロール受容部を処理チャンバの外部に配設することができる。そのような場合、シールド箔２５０は、外部から処理チャンバ内に、例えばエアロックを通して供給することができる。この構成において、シールド箔２５０の第１の端部はなおもロール受容部２２０に連結可能であり、シールド箔２５０の第２の端はシャッターデバイス、特にアーム２３０の第２の部分２３２に連結可能でありうる。   [00187] However, in other implementations, at least one roll receiver can be disposed outside the processing chamber. In such a case, the shield foil 250 can be supplied from the outside into the processing chamber, for example through an air lock. In this configuration, the first end of the shield foil 250 is still connectable to the roll receiver 220 and the second end of the shield foil 250 is connectable to the shutter device, in particular the second portion 232 of the arm 230. It can be.

［００１８８］いくつかの実行形態では、一又は複数のロール受容部２２０の少なくとも１つを処理ドラム１４２の下に配設することができる。一又は複数のロール受容部２２０を処理ドラム１４２の下に位置付けることによって、一又は複数のロール受容部２２０及び／又はシールド箔２５０から放出された粒子が堆積ゾーンに到達せずに又は堆積ゾーンを横切らずに、例えば処理チャンバの底に落下する。これにより、堆積処理の汚染、特にコーティング層の不純物による汚染を防止することができる。   [00188] In some implementations, at least one of the one or more roll receivers 220 may be disposed below the processing drum 142. By positioning the one or more roll receivers 220 under the processing drum 142, particles emitted from the one or more roll receivers 220 and / or the shield foil 250 do not reach the deposition zone or For example, it falls to the bottom of the processing chamber without crossing. As a result, contamination of the deposition process, particularly contamination due to impurities in the coating layer can be prevented.

［００１８９］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、ロール受容部２２０は、シールド箔２５０又はシールド箔２５０を有するロールを受容するように、特にシールド箔２５０がその上に巻かれたロールを受容するように構成された受容部分２２２を含みうる。   [00189] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the roll receiving portion 220 is particularly adapted to receive a shield foil 250 or a roll having the shield foil 250. 250 can include a receiving portion 222 configured to receive a roll wound thereon.

［００１９０］通常の実行形態では、ロール受容部２２０は、少なくとも１つの取付け部分、例えば図１５の取付け部分２２１を有しうる。取付け部分２２１は、受容部２２２又はシールド箔２５０を有するロールと処理チャンバとの間に回転可能な連結を付与するように構成されうる。受容部２２２は、特に、少なくとも１つの取付け部分を介して処理チャンバ内部に装着されうる。一例として、取付け部分２２１は、回転可能な連結を付与するためのブッシュ軸受及び／又はローラ軸受などの軸受を含みうる、又はそのような軸受に連結可能でありうる。いくつかの実施形態では、取付け部分２２１は、少なくとも受容部分２２２が回転軸の周りで回転可能であるように構成されうる。受容部分２２２の回転軸は、処理ドラムの回転軸に実質的に平行であり得る。通常の実行形態では、受容部分２２２は２つの取付け部分２２１を有しうる、即ち、受容部分２２２の各側面に１つの取付け部分２２１を有しうる。   [00190] In a typical implementation, the roll receiver 220 may have at least one attachment portion, such as the attachment portion 221 of FIG. The attachment portion 221 can be configured to provide a rotatable connection between the roll having the receptacle 222 or shield foil 250 and the processing chamber. The receptacle 222 can in particular be mounted inside the processing chamber via at least one attachment part. As an example, the attachment portion 221 can include or be connectable to a bearing such as a bushing bearing and / or a roller bearing to provide a rotatable connection. In some embodiments, the attachment portion 221 can be configured such that at least the receiving portion 222 is rotatable about an axis of rotation. The axis of rotation of the receiving portion 222 can be substantially parallel to the axis of rotation of the processing drum. In a typical implementation, the receiving portion 222 can have two mounting portions 221, i.e., one mounting portion 221 on each side of the receiving portion 222.

［００１９１］他の実施形態では、ロール受容部は取付け部分を含んでいてもよく、ロール受容部を含んでいなくてもよい。ロール受容部は、少なくとも２つの独立した、例えば、非連結式の取付け部分を含みうる。ロール受容部は特に、２つの取付け部分を含みうる。取付け部分は、シールド箔２５０がその上に巻かれたロールに連結可能に構成され、特にシールド箔２５０がその上に巻かれたロールの側面に連結可能に構成されうる。取付け部分は、シールド箔２５０を含むロールと処理チャンバとの間に回転可能な連結を付与するように構成されうる。このような目的で、取付け部分は、ブッシュ軸受及び／又はローラ軸受などの軸受を含みうる、又はそのような軸受に連結可能でありうる。   [00191] In other embodiments, the roll receiver may include an attachment portion and may not include a roll receiver. The roll receiver may include at least two independent, e.g., uncoupled attachment portions. The roll receiving part may in particular comprise two attachment parts. The attachment portion may be configured to be connectable to a roll having the shield foil 250 wound thereon, and in particular, to be connectable to a side surface of the roll having the shield foil 250 wound thereon. The attachment portion may be configured to provide a rotatable connection between the roll containing the shield foil 250 and the processing chamber. For such purposes, the mounting portion may include bearings such as bushing bearings and / or roller bearings, or may be connectable to such bearings.

［００１９２］いくつかの実行形態では、シールド箔２５０はロール受容部２２０上に供給され、シールド箔２５０の第１の端はシャッターアーム２１０の第２の部分２３２に連結される。シャッターアーム２１０が回転軸１４３の周りを回転すると、図１６に関連してさらに詳細に説明するように、シールド箔２５０はロール受容部２２０から巻き出され又は展開され、処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源６３０との間を移動し、特に、処理ドラム１４２と一又は複数の堆積源６３０との間の間隙内部を移動する。   [00192] In some implementations, the shield foil 250 is provided on the roll receiver 220 and the first end of the shield foil 250 is coupled to the second portion 232 of the shutter arm 210. As the shutter arm 210 rotates about the axis of rotation 143, the shield foil 250 is unwound or unrolled from the roll receiver 220, as described in more detail in connection with FIG. In particular, within the gap between the process drum 142 and one or more deposition sources 630.

［００１９３］図１６に、シャッターデバイスを含む、本書に記載の真空処理システムの処理部分の詳細斜視図を示す。具体的には、図１６に、シャッターデバイスの２つの例示の異なる位置を示す。例えば、堆積処理中に、シャッターデバイス２００のアーム２３０は、第１の位置２３０Ａにありうる。第１の位置２３０Ａにおいて、シールド箔２５０は、処理ドラム１４２と堆積源６３０との間に配置されていない。一例として、第１の位置２３０Ａでは、シールド箔２５０は、巻かれた状態又はロールアップされた状態でありうる。アーム２３０は、処理ドラム１４２と堆積源６３０との間でシールド箔２５０を移動させるために、第１の位置２３０Ａから第２の位置２３０Ｂ内に移動又は回転しうる（矢印２６０で示す）。特に、アーム２３０を移動させることによって、シールド箔２５０は、ロール受容部２２０から巻き出され、展開され、又は伸ばされる。   [00193] FIG. 16 shows a detailed perspective view of the processing portion of the vacuum processing system described herein, including the shutter device. Specifically, FIG. 16 shows two exemplary different positions of the shutter device. For example, during the deposition process, the arm 230 of the shutter device 200 may be in the first position 230A. In the first position 230 </ b> A, the shield foil 250 is not disposed between the processing drum 142 and the deposition source 630. As an example, in the first position 230A, the shield foil 250 may be in a rolled state or a rolled up state. The arm 230 can move or rotate from the first position 230A into the second position 230B (indicated by arrow 260) to move the shield foil 250 between the processing drum 142 and the deposition source 630. In particular, by moving the arm 230, the shield foil 250 is unwound from the roll receiver 220, deployed, or stretched.

［００１９４］いくつかの実行形態では、ロール受容部２２０は、シールド箔２５０及び／又はアーム２３０の移動と反対の力、特に第１の位置２３０Ａから第２の位置２３０Ｂ内へのシールド箔２５０及び／又はアーム２３０の移動と反対の力を提供する、例えばねじベースの引込機構などの引込機構を含みうる。これにより、シールド箔２５０が引張られ、例えば処理ドラム１４２と堆積源６３０との間などで特にしわ及び／又は絡みが起こることなく、シールド箔を処理ドラム１４２と堆積源６３０との間でガイドすることができる。   [00194] In some implementations, the roll receiver 220 may have a force opposite to the movement of the shield foil 250 and / or the arm 230, particularly the shield foil 250 and the second position 230B from the first position 230A. A retraction mechanism, such as, for example, a screw-based retraction mechanism, that provides a force opposite to the movement of the arm 230 may be included. This pulls the shield foil 250 and guides the shield foil between the processing drum 142 and the deposition source 630 without any wrinkling and / or entanglement occurring, for example, between the processing drum 142 and the deposition source 630. be able to.

［００１９５］例えば洗浄処理の完了後などに、アーム２３０が第２の位置２３０Ｂから第１の位置２３０Ａ内に戻ると、シールド箔２５０はロール受容部２２０に再巻き付けする又は再び巻くことができる。幾つかの実行形態では、ロール受容部２２０は、上述した引込機構を含みうる。したがって、シールド箔２５０は、特にしわ及び／又は絡みが起こらないように引張られた状態で巻かれることが可能である。   [00195] When the arm 230 returns from the second position 230B into the first position 230A, such as after completion of the cleaning process, the shield foil 250 can be re-wound or rewound around the roll receiver 220. In some implementations, the roll receiver 220 can include the retraction mechanism described above. Accordingly, the shield foil 250 can be wound in a tensioned state so as not to cause wrinkles and / or entanglement.

［００１９６］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、ロール受容部２２０は引込機構を含まなくてもよいが、ロール受容部２２０にシールド箔２５０を再巻き付けするためのモータなどのドライバが含まれうる。   [00196] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the roll receiver 220 may not include a retraction mechanism, but the shield foil 250 may be re-applied to the roll receiver 220. A driver such as a motor for winding may be included.

［００１９７］本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、アーム２３０は、少なくとも約９０度、特に、１３０度、１４０度、１４３度、１５０度又は１８０度回転するように構成されうる。要するに、第１の位置２３０Ａと第２の位置２３０Ｂとの間の角度又は回転角度は、少なくとも約９０度であってよく、特に１３０度、１４０度、１４３度、１５０度又は１８０度であってよい。   [00197] According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the arm 230 is at least about 90 degrees, in particular 130 degrees, 140 degrees, 143 degrees, 150 degrees, or 180 degrees. It can be configured to rotate. In short, the angle or rotation angle between the first position 230A and the second position 230B may be at least about 90 degrees, particularly 130 degrees, 140 degrees, 143 degrees, 150 degrees or 180 degrees. Good.

［００１９８］上記を踏まえると、シールド箔２５０で堆積源６３０の下のエリアを覆うことができ、フレキシブル基板及び／又は処理ドラム１４２に影響を与えずにプラズマ洗浄を行うことができる。したがって、処理チャンバが密閉及び排気されるときでさえ、シャッターデバイス２００がシールド箔２５０を移動させて洗浄処理中に処理ドラム１４２を保護することができるので、洗浄前に真空を破る必要がない。更に、本書に記載の実施形態は、例えばプラズマ洗浄領域などからフレキシブル基板を除去せずに、ＮＦ３洗浄処理などの洗浄処理を実施することを可能にする。したがって、フレキシブル基板を除去するためのチャンバのパージ及び通気を必要としない、インシトゥチャンバ洗浄が提供されうる。   [00198] Based on the above, the shield foil 250 can cover the area under the deposition source 630, and plasma cleaning can be performed without affecting the flexible substrate and / or the processing drum 142. Thus, even when the processing chamber is sealed and evacuated, the shutter device 200 can move the shield foil 250 to protect the processing drum 142 during the cleaning process, so there is no need to break the vacuum before cleaning. Furthermore, the embodiments described in this document make it possible to perform a cleaning process such as an NF3 cleaning process without removing the flexible substrate from, for example, a plasma cleaning region. Thus, in-situ chamber cleaning can be provided that does not require purging and venting of the chamber to remove the flexible substrate.

［００１９９］図１７に、本書に記載の実施形態に係るフレキシブル基板を処理するための装置の処理部分の平面図を示す。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、シールド箔２５０の第１の端部はロール受容部、特に受容部分２２２に連結可能であり、シールド箔２５０の第２の端はアームの第２の部分２３２に連結可能でありうる。いくつかの実行形態では、シールド箔２５０をガイドする又は偏向させるための一又は複数のガイドローラ又は偏向ローラ２２３をロール受容部の位置と第２の位置２３２との間に配設することができる。偏向ローラ２２３は、処理ドラム１４２の外周面の接面とシールド箔２５０の面との間に画定された角度を付与するように構成することができる。一例として、画定された角度は平坦な角度でありうる。図１７に示すように、フレキシブル基板１０は処理ドラム１４２上に配置することができる。シャッターデバイスは、堆積源６３０とフレキシブル基板１０との間でシールド箔２５０を移動させるように構成することができ、特に、堆積源６３０とフレキシブル基板１０との間の間隙内部でシールド箔２５０を移動させるように構成することができる。これにより、フレキシブル基板１０がＮＦ３及びＳＦ６などの洗浄物質から保護されるため、プラズマ洗浄処理などの洗浄処理を開始する前に処理チャンバからフレキシブル基板１０を除去する必要がない。   [00199] FIG. 17 shows a plan view of a processing portion of an apparatus for processing a flexible substrate according to embodiments described herein. According to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the first end of the shield foil 250 can be coupled to a roll receiver, particularly the receiver portion 222, The second end may be connectable to the second portion 232 of the arm. In some implementations, one or more guide rollers or deflecting rollers 223 for guiding or deflecting the shield foil 250 may be disposed between the position of the roll receiver and the second position 232. . The deflection roller 223 can be configured to provide a defined angle between the contact surface of the outer peripheral surface of the processing drum 142 and the surface of the shield foil 250. As an example, the defined angle can be a flat angle. As shown in FIG. 17, the flexible substrate 10 can be disposed on the processing drum 142. The shutter device can be configured to move the shield foil 250 between the deposition source 630 and the flexible substrate 10, and in particular, moves the shield foil 250 within the gap between the deposition source 630 and the flexible substrate 10. It can be configured to be. As a result, the flexible substrate 10 is protected from cleaning substances such as NF3 and SF6, so that it is not necessary to remove the flexible substrate 10 from the processing chamber before starting a cleaning process such as a plasma cleaning process.

［００２００］上記を踏まえると、本書に記載の真空処理システムの実施形態によって様々な方法が実施されうることが理解される。具体的には、本書に記載の真空処理システムの実施形態は、真空処理システムの操作、基板の処理（例：多層構造の堆積）、処理チャンバの洗浄などに関連する様々な可能性のある方法を提供するものであることが理解される。   [00200] In light of the above, it will be appreciated that various methods may be implemented by the embodiments of the vacuum processing system described herein. Specifically, embodiments of the vacuum processing system described herein include various potential methods related to operation of the vacuum processing system, processing of substrates (eg, multilayer structure deposition), processing chamber cleaning, and the like. It is understood that

［００２０１］例えば、図１８に、本書に記載の実施形態に係る真空処理システム１００の処理チャンバ１４０を洗浄するための方法８００を示すブロック図を示す。具体的には、実施形態によれば、処理チャンバ１４０を洗浄するための方法は、処理チャンバ内の真空を破ることなく処理チャンバを洗浄するのに適している。具体的には、処理チャンバを洗浄するための方法８００は、シャッターデバイス２００によって処理ドラムと一または複数の堆積源６３０との間でシールド箔をガイドすること８０１と、処理チャンバ１４０内で第１のポンプ及びパージ処理を開始すること８０２と、処理チャンバ１４０に洗浄ガス又はエッチングガスを供給すること８０３と、処理チャンバをプラズマ洗浄すること８０４と、処理チャンバ内で第２のポンプ及びパージ処理を開始すること８０５とを含みうる。   [00201] For example, FIG. 18 shows a block diagram illustrating a method 800 for cleaning the processing chamber 140 of the vacuum processing system 100 according to embodiments described herein. Specifically, according to embodiments, the method for cleaning the processing chamber 140 is suitable for cleaning the processing chamber without breaking a vacuum in the processing chamber. Specifically, the method 800 for cleaning the processing chamber includes guiding the shield foil 801 between the processing drum and the one or more deposition sources 630 by the shutter device 200, and a first in the processing chamber 140. Starting 802, supplying a cleaning or etching gas to the processing chamber 140 803, plasma cleaning the processing chamber 804, and performing a second pump and purging process in the processing chamber. Starting 805.

［００２０２］更に、本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、処理ドラム１４２と一または複数の堆積源６３０との間でシールド箔２５０をガイドすること８０１は、処理ドラム１４２又は処理ドラム１４２上に配置されたフレキシブル基板１０と一または複数の堆積源６３０との間にできた間隙内で、特に処理ドラム１４２又は処理ドラム１４２上に配置されたフレキシブル基板１０と接触させずにシールド箔をガイドすることを含みうる。   [00202] Further, in accordance with embodiments that can be combined with other embodiments described herein, guiding the shield foil 250 between the processing drum 142 and the one or more deposition sources 630 can include the processing drum 142. Alternatively, in the gap formed between the flexible substrate 10 disposed on the processing drum 142 and the one or more deposition sources 630, in particular, without contacting the flexible substrate 10 disposed on the processing drum 142 or the processing drum 142. Guiding the shield foil.

［００２０３］図１９に、フレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法を示すブロック図を示す。実施形態によれば、特に本書に記載の実施形態に係る真空処理システムを使用してフレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法９００は、処理ドラムの外面の上にフレキシブル基板をガイドすること９０１と、少なくとも第１の堆積源の反対側の側面の少なくとも２つの位置において分離ガスを供給すること９０２と、少なくとも２つの位置の間で処理ガスを供給し処理ガスを排気すること９０３と、第１の堆積源と少なくとも１つの第２の堆積源との間の少なくとも１つの真空排気口でポンプ操作を行うこと９０４とを含みうる。いくつかの実行形態によれば、分離ガスは水素、窒素、又は希ガスであってよい。追加、あるいは代わりとして、少なくとも１つの真空排気口の圧力は、第１の堆積源及び少なくとも１つの第２の堆積源、例えば第１の処理領域及び第２の処理領域の任意のエリアの圧力よりも小さくてよい。   [00203] FIG. 19 shows a block diagram illustrating a method of depositing at least two layers on a flexible substrate. According to embodiments, a method 900 for depositing at least two layers on a flexible substrate, particularly using a vacuum processing system according to embodiments described herein, guides the flexible substrate over the outer surface of the processing drum. 901, supplying a separation gas at least two positions on at least two opposite sides of the first deposition source 902, supplying a process gas between at least two positions, and exhausting the process gas 903; Pumping 904 with at least one vacuum outlet between the first deposition source and the at least one second deposition source. According to some implementations, the separation gas may be hydrogen, nitrogen, or a noble gas. Additionally or alternatively, the pressure of the at least one vacuum outlet is greater than the pressure of the first deposition source and the at least one second deposition source, eg, any area of the first processing region and the second processing region. Can be small.

［００２０４］上記を踏まえると、同じ製造ツール内で異なる種類と厚さの基板を巻き付けることに関して莫大な需要があることが理解される。巻き付け（搬送）の最中に基板にかかる張力は、引張降伏、基板の温度及び基板の厚さによって著しく異なりうる。このため、本開示の実施形態には、本書に記載の処理システム、例えば堆積システムを通して安定した基板の搬送を確保するために、オンライン張力測定及び制御システムが備えられる。更に、搬送ローラ（例：本書に記載のガイドローラ）及び引張ローラ（例：本書に記載の張力測定ローラ及びスプレッダ）の両方と、コーティング基板（例：本書に記載の基板の前面）との間の機械的コンタクトが意図的に阻まれ、擦傷形成及び微粒子取込みの両方のリスクが軽減することに留意すべきである。本書に記載するように、本開示の実施形態は、基板の輸送から発生する欠陥形成率を削減するのに有益でありうる最小限レベルの裏面コンタクトを確保するために、最適化された巻き付け経路（基板搬送路とも称される）を提供する。   [00204] In light of the above, it can be seen that there is a tremendous demand for winding different types and thicknesses of substrates within the same manufacturing tool. The tension applied to the substrate during winding (conveying) can vary significantly depending on tensile yield, substrate temperature and substrate thickness. For this reason, embodiments of the present disclosure are provided with an on-line tension measurement and control system to ensure stable substrate transport through the processing system described herein, eg, a deposition system. Furthermore, between both the transport roller (eg, the guide roller described in this document) and the tension roller (eg: the tension measuring roller and spreader described in this document) and the coating substrate (eg, the front surface of the substrate described in this document). It should be noted that the mechanical contact is intentionally blocked, reducing the risk of both scratching and particulate uptake. As described herein, embodiments of the present disclosure provide an optimized winding path to ensure a minimum level of back contact that can be beneficial in reducing the defect formation rate resulting from substrate transport. (Also referred to as a substrate transport path).

［００２０５］更に、記載の実施形態を多層堆積に使用可能であることが理解される。具体的には、活性ガス分離システム、例えば本書に記載のガス分離ユニットを用いることによって、堆積源（例：ＣＶＤ、ＰＶＤ、又はＰＥＣＶＤ）又はエッチングデバイスなどの処理構成要素に多層堆積能力が付与される。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる実施形態によれば、例えば２ＭＨｚを上回る励起周波数で高密度プラズマ源技術を実行することが可能である。したがって、本書に記載の実施形態が、低い熱収支において効率的なプラズマとの電力結合を確保するように構成されることが理解される。更に、当業者には、本書に記載の実施形態が、特に高品質の無機物層の処理用に構成されることが理解される。具体的には、本書に記載の実施形態が液体前駆体のハンドリング用に構成され、これにより、様々な異なる前駆体を用いた多層構造の堆積が可能になり、結果的に得られた層の特性が効率的に調整されることに留意すべきである。更に、本書に記載の実施形態は、例えば側壁への堆積を除去するためのインシトゥプラズマ洗浄にフッ素化ガスを使用することにより、各処理の実行の終わりに洗浄及びメンテナンスのためにツールを大気に対して開放する必要をなくすことによって、アップタイムの利点を提供する。   [00205] It is further understood that the described embodiments can be used for multilayer deposition. Specifically, by using an active gas separation system, such as the gas separation unit described herein, a multi-layer deposition capability is imparted to a processing component such as a deposition source (eg, CVD, PVD, or PECVD) or an etching device. The According to embodiments that can be combined with other embodiments described herein, it is possible to perform high-density plasma source technology, for example, with excitation frequencies above 2 MHz. Thus, it is understood that the embodiments described herein are configured to ensure efficient plasma power coupling with a low heat budget. Furthermore, those skilled in the art will appreciate that the embodiments described herein are configured specifically for the treatment of high quality inorganic layers. Specifically, the embodiments described herein are configured for liquid precursor handling, which allows the deposition of multilayer structures using a variety of different precursors and results in the resulting layers of layers. It should be noted that the characteristics are adjusted efficiently. Further, the embodiments described herein can be used to clean the tool for cleaning and maintenance at the end of each process run, for example by using a fluorinated gas for in-situ plasma cleaning to remove sidewall deposition. By providing an uptime advantage by eliminating the need to open up.

［００２０６］本開示内容から、本書に記載の実施形態が、とりわけ動的コーティング用の多重領域高速堆積源（例：ＰＥＣＶＤ源）、（例：ＰＥＣＶＤ源の）インシトゥ洗浄用の処理及びデバイス、２つの隣接する堆積源間の距離を最小化するために堆積源（例：ＰＥＣＶＤ源）内に統合されうる調整可能なガス分離、様々なコーティング幅用のプラットフォームスケーリング、モジュラー構成要素を有するシステムアーキテクチャ、単一ドラム（ＳＤ）構成から二重ドラム（ＤＤ）構成までを形成する可能性、粒子管理のための堆積アップアーキテクチャを有する源配向、コーティングドラム間で基板を供給するための優れたアクセス可能性、及び一体化したロード／アンロードシステムを提供することが理解されるだろう。   [00206] From the present disclosure, embodiments described herein include multi-region rapid deposition sources (eg, PECVD sources), processes and devices for in-situ cleaning (eg, PECVD sources), especially for dynamic coatings, Adjustable gas separation that can be integrated into a deposition source (eg, PECVD source) to minimize the distance between two adjacent deposition sources, platform scaling for various coating widths, system architecture with modular components, Possibility to form from single drum (SD) configuration to double drum (DD) configuration, source orientation with deposition-up architecture for particle management, excellent accessibility to feed substrate between coating drums It will be appreciated that and provides an integrated load / unload system.

［００２０７］加えて、本開示内容から、本書に記載の実施形態が、本書で基板搬送装置としても称される改良型巻き付けシステムを提供することが理解されるだろう。具体的には、本書に記載の実施形態は、とりわけ、処理される基板の前側／層側とローラとの非接触、高いローラ平行性及び巻き付け精度を有する固定（常設）巻き付けシステム、粒子汚染のリスクを軽減するために独立したポンピング及び通気を可能にする（本書において供給ロール及び巻き取りロールとも称される）巻き出し器／再巻き付け器の分離、張力測定及びアライメントのためにローラを２つのみ使用する（本書において基板ガイド制御ユニットとも称される）ウェブガイド制御を提供する。   [00207] Additionally, it will be appreciated from the present disclosure that the embodiments described herein provide an improved winding system, also referred to herein as a substrate transport apparatus. In particular, the embodiments described herein include, among other things, non-contact between the front / layer side of the substrate to be processed and the roller, a fixed (permanent) winding system with high roller parallelism and winding accuracy, particle contamination Two rollers for unwinder / rewinder separation, tension measurement and alignment (also referred to herein as feed roll and take-up roll) that allow independent pumping and venting to reduce risk Provides web guide control (also referred to herein as a substrate guide control unit) for use only.

［００２０８］更に、本書に記載の真空処理システムの実施形態、及び真空処理システムによって実施可能な方法により、特にフレキシブル基板上の薄膜を含む様々なデバイスの製造が改善されることに留意すべきである。例えば、真空処理システムは、薄膜バリア、特に超高バリアスタック又はフレキシブルＴＦＴデバイスの堆積層あるいは層のスタックを提供する。超高バリアスタック又はフレキシブルＴＦＴデバイスは通常、ＰＥＣＶＤ又はＰＶＤ処理あるいはそれらの組合せで堆積される一連の層からできている。様々な膜の品質に対する要求が高いため、単一の膜毎に特別に設計されるシステムで単一の膜を堆積させることが一般用法である。コストを削減し、その応用を商業化可能にするために、本書に記載の真空処理システムは、単一のコータにおいて少なくとも数組の膜あるいは膜の組み合わせの堆積を組み合わせることで改良を行う。更に、真空処理システムのモジュールのコンセプトでは、幾つかの処理モジュールを組み合わせることが可能である（例えば、第１の処理チャンバを含む第１の処理モジュール、第２の処理チャンバを含む第２の処理モジュール、巻き出しモジュール、巻き付けモジュール、及び間紙モジュール）。また、本書に記載の実施形態は、特に同じ装置で様々な異なる処理が行われたとしても、以前のシステムと比べて大幅に高い分離係数を有する改善された処理ガス分離を提供する。以上を考慮すると、本書に記載のいくつかの実施形態によれば、ＯＬＥＤディスプレイ及び／又は照明、フレックスソーラー、又は隣接する環境からの保護を必要とする他の電子デバイスのためのフレキシブル超高バリアを提供することができる。例えば、これには、フレキシブルＴＦＴにおけるエッチング停止、ゲート誘電体、チャネル、ソースゲート及びドレイン電極の堆積が含まれうる。   [00208] Furthermore, it should be noted that the embodiments of the vacuum processing system described herein and the methods that can be implemented by the vacuum processing system improve the manufacture of various devices, particularly including thin films on flexible substrates. is there. For example, vacuum processing systems provide thin film barriers, particularly deposited layers or stacks of layers of ultra-high barrier stacks or flexible TFT devices. Ultra-high barrier stacks or flexible TFT devices are usually made of a series of layers deposited by PECVD or PVD processing or a combination thereof. Due to the high demands on the quality of various films, it is common practice to deposit a single film in a system specifically designed for each single film. In order to reduce costs and make the application commercially viable, the vacuum processing system described herein provides improvements by combining deposition of at least several sets of films or combinations of films in a single coater. Furthermore, the vacuum processing system module concept allows several processing modules to be combined (eg, a first processing module including a first processing chamber, a second processing chamber including a second processing chamber). Modules, unwinding modules, winding modules, and slip-sheet modules). Also, the embodiments described herein provide improved process gas separation with a significantly higher separation factor compared to previous systems, especially when various different processes are performed on the same apparatus. In view of the above, according to some embodiments described herein, a flexible ultra-high barrier for OLED displays and / or lighting, flex solar, or other electronic devices that require protection from adjacent environments Can be provided. For example, this can include etch stop in a flexible TFT, deposition of gate dielectric, channel, source gate and drain electrodes.

［００２０９］更に、本書に記載の実施形態は、形状、サイズ、重量、破損しづらさ等の形状因子によって制される新たなディスプレイ用途（例：モバイル機器用ディスプレイ）のために有益に使用され、また構成されうることが理解される。更に、本書に記載の実施形態は、特に本書に記載のＲ２Ｒ処理システムを提供することによって、高スループット及び低コストの製造を提供する。したがって、当業者には、本書に記載の実行形態が、カバーレンズ用途（例：ハードコート、ＡＲ層スタック等）、タッチスクリーン用途（例：ＩＴＯ膜ＴＰ、金属メッシュ等）、ディスプレイ用途（例：量子ドット用バリア膜、ＯＬＥＤディスプレイ等）及び電子機器用途（例：特に２００ｐｐｉ未満のＴＦＴバックプレーン）などの様々な用途のために構成されることが理解される。   [00209] In addition, the embodiments described herein are beneficially used for new display applications (eg, mobile device displays) that are governed by shape factors such as shape, size, weight, and resistance to breakage. It is understood that it can also be configured. Furthermore, the embodiments described herein provide high throughput and low cost manufacturing, particularly by providing the R2R processing system described herein. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that the implementations described herein can be used for cover lens applications (eg, hard coat, AR layer stack, etc.), touch screen applications (eg, ITO film TP, metal mesh, etc.), display applications (eg, It is understood that it is configured for a variety of applications such as barrier films for quantum dots, OLED displays, etc.) and electronics applications (eg, TFT backplanes in particular less than 200 ppi).

［００２１０］具体的には、本書に記載の実施形態は、「カバーガラス」交換品への傷防止コーティング用のＲ２ＲＣＶＤ用途、ＰＴハードコート及び光学コーティング及びタッチパネル用のＲ２ＲＣＶＤ用途、ディスプレイ前面封入用のＲ２ＲＣＶＤ用途、及びＴＦＴバックプレーン及び基板の超高バリア（ＵＨＢ）用のＲ２ＲＣＶＤ用途を提供することが理解される。   [00210] Specifically, embodiments described herein include R2RCVD applications for scratch protection coatings on "cover glass" replacements, R2RCVD applications for PT hard coats and optical coatings and touch panels, and display front encapsulation. It is understood that it provides R2RCVD applications and R2RCVD applications for TFT backplane and substrate ultra-high barrier (UHB).

［００２１１］例えば、本書に記載の実施形態を、ＳｉＯｘ（例：ハードコート、低屈折率光学層用等）、及び／又はＳｉＮｘ（例：高屈折率光学層用等）を含むタッチパネルの製造用に用いることができる。更に、本書に記載の実施形態を、ＳｉＯｘ（例：基板バリア、デバイスバリア用等）、及び／又はＳｉＮｘ（例：基板バリア、デバイスバリア用等）を含む、超高バリアの製造用に用いることができる。また、本書に記載の実施形態を、ａ−Ｓｉ：Ｈ（例：チャネル層ａ−Ｓｉ用、ＬＴＰＳ用のＥＬＡ−前駆体等）、及び／又はμ−Ｓｉ：Ｈ（例：ａ−Ｓｉ ＴＦＴのＮ＋接触層用等）、及び／又はＳｉＯｘ（例：エッチング停止層用、ＩＧＺＯ用ゲート誘電体等）及び／又はＳｉＮｘ（例：ゲート誘電体用等）を含むフレキシブルＴＦＴディスプレイバリアの製造用に用いることができる。 [00211] For example, the embodiments described herein may be used in touch panels that include SiO x (eg, hard coat, for low refractive index optical layer, etc.) and / or SiN x (eg, for high refractive index optical layer, etc.). Can be used for manufacturing. Furthermore, embodiments described herein may be used for the manufacture of ultra-high barriers, including SiO x (eg, for substrate barriers, device barriers, etc.) and / or SiN x (eg, for substrate barriers, device barriers, etc.). Can be used. In addition, the embodiments described in this document can be applied to a-Si: H (eg, channel layer a-Si, ELPS precursor for LTPS, etc.) and / or μ-Si: H (eg, a-Si TFT). And / or SiO x (eg, for etch stop layer, gate dielectric for IGZO, etc.) and / or SiN x (eg, for gate dielectric, etc.) Can be used for

Claims (16)

フレキシブル基板（１０）用の真空処理システム（１００）であって、
前記フレキシブル基板（１０）を提供するための供給ロール（１１１）を収容するように適合された第１のチャンバ（１１０）と、
処理後の前記フレキシブル基板（１０）を収めるための巻き取りロール（１２１）を収容するように適合された第２のチャンバ（１２０）と、
前記フレキシブル基板（１０）を前記第１のチャンバ（１１０）から前記第２のチャンバ（１２０）へガイドするための一または複数のガイドローラ（１０４）を含む基板搬送装置と、
前記第１のチャンバ（１１０）と前記第２のチャンバ（１２０）との間のメンテナンスゾーン（１３０）であって、前記第１のチャンバ（１１０）及び前記第２のチャンバ（１２０）のうちの少なくとも１つへのメンテナンスアクセス、又は前記第１のチャンバ（１１０）及び前記第２のチャンバ（１２０）のうちの少なくとも１つのメンテナンスアクセスを可能にする、メンテナンスゾーン（１３０）と、
前記フレキシブル基板（１０）を処理するための第１の処理チャンバ（１４０）と
を備える、真空処理システム（１００）。 A vacuum processing system (100) for a flexible substrate (10),
A first chamber (110) adapted to receive a supply roll (111) for providing the flexible substrate (10);
A second chamber (120) adapted to receive a take-up roll (121) for accommodating the flexible substrate (10) after processing;
A substrate transfer device including one or more guide rollers (104) for guiding the flexible substrate (10) from the first chamber (110) to the second chamber (120);
A maintenance zone (130) between the first chamber (110) and the second chamber (120), wherein the first zone (110) and the second chamber (120) A maintenance zone (130) enabling maintenance access to at least one or maintenance access of at least one of the first chamber (110) and the second chamber (120);
A vacuum processing system (100) comprising a first processing chamber (140) for processing the flexible substrate (10). 前記第１の処理チャンバ（１４０）を前記第２のチャンバ（１２０）又は第２の処理チャンバ（２４０）に連結する通路（１５０）を更に備え、前記通路（１５０）は、前記メンテナンスゾーン（１３０）の上又は下に設けられ、特に、前記通路、前記第１のチャンバ（１１０）及び前記第２のチャンバ（１２０）は前記メンテナンスゾーン（１３０）を取り囲む、請求項１に記載の真空処理システム（１００）。   The passage (150) further connects the first processing chamber (140) to the second chamber (120) or the second processing chamber (240), and the passage (150) is connected to the maintenance zone (130). The vacuum processing system according to claim 1, wherein the passage, the first chamber (110) and the second chamber (120) surround the maintenance zone (130). (100). 前記第２の処理チャンバ（２４０）は、前記第２のチャンバ（１２０）が前記メンテナンスゾーン（１３０）と前記第２の処理チャンバ（２４０）との間に設けられるように位置付けされる、請求項２に記載の真空処理システム（１００）。   The second processing chamber (240) is positioned such that the second chamber (120) is provided between the maintenance zone (130) and the second processing chamber (240). A vacuum processing system (100) according to claim 2. 前記第１の処理チャンバ（１４０）及び前記第２の処理チャンバ（２４０）のうちの少なくとも１つは、
第１の真空処理領域及び少なくとも１つの第２の真空処理領域を通して前記基板（１０）をガイドするための外面を有し、且つ第１の方向に延びる回転軸（１４３）を有する処理ドラム（１４２）と、
少なくとも１つの堆積源（６３０）であって、前記第１の処理チャンバ（１４０）又は前記第２の処理チャンバ（２４０）それぞれの水平中心線の高さ又はその下方に、特に前記第１の処理チャンバ（１４０）又は前記第２の処理チャンバ（２４０）の前記処理ドラム（１４２）の前記回転軸（１４３）の高さ又はその下方に配置される、少なくとも１つの堆積源（６３０）と
を備える、請求項２又は３に記載の真空処理システム（１００）。 At least one of the first processing chamber (140) and the second processing chamber (240) is
A processing drum (142) having an outer surface for guiding the substrate (10) through a first vacuum processing region and at least one second vacuum processing region and having a rotating shaft (143) extending in a first direction. )When,
At least one deposition source (630), at or below the horizontal centerline of each of the first processing chamber (140) or the second processing chamber (240), in particular the first processing. At least one deposition source (630) disposed at or below the rotational axis (143) of the processing drum (142) of the chamber (140) or the second processing chamber (240). A vacuum processing system (100) according to claim 2 or 3. 前記第１の処理チャンバ（１４０）及び前記第２の処理チャンバ（２４０）のうちの少なくとも１つが、一又は複数の堆積源を設ける第１の部分（１４６）と、前記真空処理システムの前記通路（１５０）との連通を可能にする第２の部分（１４７）とを備え、前記第１の部分（１４６）及び前記第２の部分（１４７）が、垂直方向に対して傾斜した線に沿って連結される、請求項２から４のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）。   At least one of the first processing chamber (140) and the second processing chamber (240) includes a first portion (146) providing one or more deposition sources, and the passage of the vacuum processing system. A second portion (147) enabling communication with (150), wherein the first portion (146) and the second portion (147) are along a line inclined with respect to the vertical direction. The vacuum processing system (100) according to any one of claims 2 to 4, wherein the vacuum processing system (100) is connected. 前記処理ドラム（１４２）に隣接するように加熱デバイス（１３１）が設けられ、前記加熱デバイス（１３１）は、前記フレキシブル基板（１０）を特に基板の搬送方向（１０８）に垂直の方向に拡張させるように、又は前記基板の拡張を特に前記基板の搬送方向（１０８）に垂直の方向に維持するように構成され、且つ、前記加熱デバイスは、前記基板の搬送方向（１０８）に平行の方向に少なくとも２０ｍｍの寸法を有する、請求項４又は５に記載の真空処理システム（１００）。   A heating device (131) is provided adjacent to the processing drum (142), and the heating device (131) expands the flexible substrate (10), particularly in a direction perpendicular to the substrate transport direction (108). Or extending the substrate in particular in a direction perpendicular to the substrate transport direction (108), and the heating device is in a direction parallel to the substrate transport direction (108) 6. A vacuum processing system (100) according to claim 4 or 5, having a dimension of at least 20mm. 前記加熱デバイス（１３１）が前記処理ドラム（１４２）とスプレッダローラ（１４４）との間に位置づけされ、前記スプレッダローラ（１４４）は、前記処理ドラム（１４２）の上流又は下流で前記基板に接触する第１のローラである、請求項６に記載の真空処理システム（１００）。   The heating device (131) is positioned between the processing drum (142) and a spreader roller (144), and the spreader roller (144) contacts the substrate upstream or downstream of the processing drum (142). The vacuum processing system (100) of claim 6, wherein the vacuum processing system (100) is a first roller. 熱調整ユニットを更に備え、前記熱調整ユニット（１３３）は、前記加熱デバイス（１３１）の第１の側面の反対側に位置づけされ、前記熱調整ユニット（１３３）と前記加熱デバイスとは、前記フレキシブル基板（１０）の経路を提供する間隙又はトンネルを形成する、請求項６又は７に記載の真空処理システム（１００）。   The heat adjustment unit (133) is located on the opposite side of the first side surface of the heating device (131), and the heat adjustment unit (133) and the heating device are The vacuum processing system (100) according to claim 6 or 7, wherein a gap or tunnel is provided that provides a path for the substrate (10). 少なくとも１つの堆積源（６３０）は曲面を有し、前記少なくとも１つの堆積源の前記曲面は、前記少なくとも１つの堆積源が前記処理ドラム（１４２）の表面に対して基本的に平行な面を有するように成形されている、請求項４から８のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）。   At least one deposition source (630) has a curved surface, and the curved surface of the at least one deposition source has a surface in which the at least one deposition source is essentially parallel to the surface of the processing drum (142). 9. A vacuum processing system (100) according to any one of claims 4 to 8, which is shaped to have. 前記少なくとも１つの堆積源（６３０）はマイクロ波アンテナ（７００）を含み、前記マイクロ波アンテナ（７００）は、前記マイクロ波アンテナ（７００）の長さに沿って設けられた複数のスロット（７１０）を有する細長いスリーブ（７２０）を備える、請求項４から９のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）。   The at least one deposition source (630) includes a microwave antenna (700), and the microwave antenna (700) includes a plurality of slots (710) provided along a length of the microwave antenna (700). The vacuum processing system (100) according to any one of claims 4 to 9, comprising an elongated sleeve (720) having 基板をガイドするための基板ガイド制御ユニット（３００）を更に備え、前記基板ガイド制御ユニット（３００）は単一のガイドローラ（１０４）を備え、前記単一のガイドローラ（１０４）は、
調整ユニット（３１０）と、
前記ガイドローラ（１０４）の第１の端、及び前記第１の端の反対である第２の端において前記基板（１０）の張力を測定するための第１の基板張力測定ユニット（３０１）及び第２の基板張力測定ユニット（３０２）と、
前記ガイドローラ（１０４）の前記第１の端から測定された張力、及び前記ガイドローラ（１０４）の第２の端で測定された張力を、前記調整ユニット（３１０）を制御するためのコントローラ（５０１）に供給するためのデータ接続部（３１１）と
を備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）。 A substrate guide control unit (300) for guiding a substrate is further provided, the substrate guide control unit (300) includes a single guide roller (104), and the single guide roller (104) includes:
An adjustment unit (310);
A first substrate tension measuring unit (301) for measuring the tension of the substrate (10) at a first end of the guide roller (104) and a second end opposite to the first end; A second substrate tension measuring unit (302);
A controller for controlling the adjustment unit (310) with the tension measured from the first end of the guide roller (104) and the tension measured at the second end of the guide roller (104). The vacuum processing system (100) according to any one of claims 1 to 10, comprising a data connection (311) for supplying to 501). 前記少なくとも１つの堆積源（６３０）が、
前記処理ドラム（１４２）の外面に対向する表面を有する電極（６０２）と、
前記電極の表面の対向する側面に配置された処理ガス注入口（６１２）及び処理ガス排気口（６１４）と、
一または複数の分離ガス注入開口部を有する少なくとも１つの分離ガス注入口（１８４２）であって、前記処理ガス注入口（６１２）及び／又は前記処理ガス排気口（６１４）が前記一または複数の分離ガス注入開口部及び前記電極の表面との間に設けられるように、前記一または複数の分離ガス注入開口部が少なくとも前記電極（６０２）の表面の対向する側面のうちの１つに設けられる、少なくとも１つの分離ガス注入口（１８４２）と
を備える、請求項４から１１のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）。 The at least one deposition source (630) is
An electrode (602) having a surface facing the outer surface of the processing drum (142);
A processing gas inlet (612) and a processing gas exhaust (614) disposed on opposite sides of the surface of the electrode;
At least one separation gas inlet (1842) having one or more separation gas inlet openings, wherein the process gas inlet (612) and / or the process gas outlet (614) is the one or more. The one or more separation gas injection openings are provided on at least one of the opposing side surfaces of the electrode (602) so as to be provided between the separation gas injection opening and the surface of the electrode. The vacuum processing system (100) according to any one of claims 4 to 11, comprising at least one separation gas inlet (1842). 前記少なくとも１つの堆積源（６３０）、特に前記少なくとも１つの堆積源の電極と前記処理ドラム（１４２）の外面との間の距離を調整するように構成されたアクチュエータ（３７４）を更に備える、請求項４から１２のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）。   The actuator (374) further configured to adjust a distance between the at least one deposition source (630), particularly an electrode of the at least one deposition source and an outer surface of the processing drum (142). Item 13. The vacuum processing system (100) according to any one of Items 4 to 12. 前記処理ドラム（１４２）の外面と前記ガス分離ユニット（３７０）との間で前記基板（１０）が通過することができるスリット（２０）を形成するように適合された前記少なくとも１つの第２の真空処理領域から前記第１の真空処理領域を分離させるためのガス分離ユニット（３７０）を更に備え、前記ガス分離ユニット（３７０）は、前記第１の真空処理領域と前記第２の真空処理領域との間の流体連結を制御するように適合され、前記流体連結は、前記ガス分離ユニット（３７０）の位置を調整することによって制御される、請求項４から１３のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）。   The at least one second adapted to form a slit (20) through which the substrate (10) can pass between an outer surface of the processing drum (142) and the gas separation unit (370). A gas separation unit (370) for separating the first vacuum processing region from the vacuum processing region is further provided, and the gas separation unit (370) includes the first vacuum processing region and the second vacuum processing region. The fluid connection is adapted to control a fluid connection between the gas separation unit (370) and the fluid connection is controlled by adjusting the position of the gas separation unit (370). Vacuum processing system (100). フレキシブル基板を処理するため、特に前記フレキシブル基板上に層のスタックを堆積させるための、請求項１から１４のいずれか一項に記載の真空処理システム（１００）の使用。   Use of a vacuum processing system (100) according to any one of claims 1 to 14, for processing a flexible substrate, in particular for depositing a stack of layers on the flexible substrate. フレキシブル基板上に少なくとも２つの層を堆積させる方法（９００）、特に、請求項１から１４のいずれか一項に記載の真空処理システムを使用して少なくとも２つの層を堆積させる方法（９００）であって、
処理ドラムの外面の上で前記フレキシブル基板をガイドすること（９０１）と、
少なくとも第１の堆積源の反対側の側面の少なくとも２つの位置において分離ガスを供給すること（９０２）と、
前記少なくとも２つの位置の間で処理ガスを供給し前記処理ガスを排気すること（９０３）と、
前記第１の堆積源と少なくとも１つの第２の堆積源との間の少なくとも１つの真空排気口においてポンプ操作を行うこと（９０４）と
を含む方法（９００）。 A method (900) for depositing at least two layers on a flexible substrate, in particular a method (900) for depositing at least two layers using a vacuum processing system according to any one of claims 1-14. There,
Guiding the flexible substrate on the outer surface of the processing drum (901);
Providing a separation gas at least at two locations on the opposite side of the first deposition source (902);
Supplying a processing gas between the at least two positions and exhausting the processing gas (903);
Pumping (904) at least one vacuum outlet between the first deposition source and at least one second deposition source (900).
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