JP2019218623A - Film deposition apparatus, film deposition method and method of manufacturing electronic device - Google Patents
Film deposition apparatus, film deposition method and method of manufacturing electronic device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019218623A JP2019218623A JP2018221606A JP2018221606A JP2019218623A JP 2019218623 A JP2019218623 A JP 2019218623A JP 2018221606 A JP2018221606 A JP 2018221606A JP 2018221606 A JP2018221606 A JP 2018221606A JP 2019218623 A JP2019218623 A JP 2019218623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation
- film forming
- forming apparatus
- substrate
- crucible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title description 29
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 267
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 266
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 128
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 107
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
本発明は、成膜装置、成膜方法および電子デバイスを製造する方法に関するものである。 The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method, and a method for manufacturing an electronic device.
最近、フラットパネル表示装置として有機ＥＬ表示装置が脚光を浴びている。有機ＥＬ表示装置は自発光ディスプレイであり、応答速度、視野角、薄型化などの特性が液晶パネルディスプレイより優れており、モニタ、テレビ、スマートフォンに代表される各種の携帯端末などで既存の液晶パネルディスプレイを速いスピードで代替している。また、自動車用ディスプレイ等にも、その応用分野を広げている。 Recently, an organic EL display device has been spotlighted as a flat panel display device. The organic EL display is a self-luminous display, and is superior in characteristics such as response speed, viewing angle, and thinness to the liquid crystal panel display, and is used in various types of mobile terminals such as monitors, televisions, and smartphones. The display is being replaced at a high speed. In addition, the field of application is expanding to displays for automobiles and the like.
有機ＥＬ表示装置の素子は、２つの向かい合う電極（カソード電極、アノード電極）の間に発光を起こす有機物層が形成された基本構造を持つ。有機ＥＬディスプレイ素子の有機物層と金属電極層は、真空チャンバー内で蒸着材料が収容された蒸発源を加熱し、蒸着材料を蒸発させて、画素パターンが形成されたマスクを介して基板に成膜することで製造される。 The element of the organic EL display device has a basic structure in which an organic material layer that emits light is formed between two facing electrodes (a cathode electrode and an anode electrode). The organic material layer and the metal electrode layer of the organic EL display element are formed on a substrate through a mask on which a pixel pattern is formed by heating an evaporation source containing an evaporation material in a vacuum chamber to evaporate the evaporation material. It is manufactured by doing.
特に、金属電極層を基板に成膜するための蒸発源７００は図７に示すように、複数のるつぼ７１０〜７７０が円周上に配置され、複数のるつぼ７１０〜７７０のうちで実際に成膜に使われるるつぼ７１０が蒸着位置に回転移動して基板に対して蒸着材料を蒸発させる。このような回転型の多点蒸発源をリボルバとも呼ぶ。一方、成膜対象の基板のサイズが大型化することにつれ、成膜速度などを高めるため、成膜装置内に複数の蒸発源を配置する必要が出てきている。
In particular, as shown in FIG. 7, a plurality of
ところが、このように複数の蒸発源を配置する場合には、蒸発源の配置によっては基板に対する各蒸発源の蒸発特性に差が生じ得る可能性があり、また、成膜装置の大型化につながる恐れもあるが、このような蒸発源の蒸発特性の差や、成膜装置内のスペース利用効率を十分に考慮して複数の蒸発源を効果的に配置する技術は提案されていなかった。 However, when a plurality of evaporation sources are arranged as described above, there is a possibility that a difference may occur in the evaporation characteristics of each evaporation source with respect to the substrate, depending on the arrangement of the evaporation sources, and also leads to an increase in the size of the film forming apparatus. Although there is a danger, no technique has been proposed for effectively arranging a plurality of evaporation sources in consideration of the difference in evaporation characteristics of the evaporation sources and the space utilization efficiency in the film forming apparatus.
本発明は、以上の点を考慮して、成膜装置内のスペース利用効率を高めて成膜装置の大型化を抑制できるように複数の蒸発源を効果的に配置した成膜装置、この成膜装置を用いた成膜方法および電子デバイスを製造する方法を提供することを目的とする。 In view of the above, the present invention provides a film forming apparatus in which a plurality of evaporation sources are effectively arranged so as to increase the space utilization efficiency in the film forming apparatus and to suppress an increase in the size of the film forming apparatus. It is an object to provide a film forming method using a film apparatus and a method for manufacturing an electronic device.
また、本発明は、成膜装置内のスペース利用効率の向上とともに、基板に対する良好な成膜、および各蒸発源からの熱輻射の変動が基板に及ぼす影響を低減できる成膜装置、この成膜装置を用いた成膜方法および電子デバイスを製造する方法を提供することを他の目的とする。 In addition, the present invention provides a film forming apparatus capable of improving the space utilization efficiency in a film forming apparatus, forming a good film on a substrate, and reducing the influence of fluctuations in heat radiation from each evaporation source on the substrate. Another object is to provide a film forming method using an apparatus and a method for manufacturing an electronic device.
本発明の第１態様による成膜装置は、回転する基板の成膜面に蒸着材料を蒸発させて蒸着する成膜装置であって、前記基板の成膜面と対向する面内に配置される３つ以上の蒸発源を含み、前記３つ以上の蒸発源のそれぞれは、回転軸を中心に放射状に配置された複数のるつぼを有し、前記回転軸を回転中心として回転可能であり、前記３つ以上の蒸発源は、前記３つ以上の蒸発源のうち任意の３つの蒸発源の各回転中心が前記面内において三角形状を成すように配置され、前記３つ以上の蒸発源のそれぞれの前記複数のるつぼは、蒸
着位置に位置する蒸着用るつぼと、予備加熱位置に位置する予備加熱用るつぼを含み、前記３つ以上の蒸発源のそれぞれの前記蒸着用るつぼは、前記面内において前記基板の回転中心軸から同一の距離に配置されることを特徴とする。
A film forming apparatus according to a first aspect of the present invention is a film forming apparatus that evaporates a vapor deposition material on a film forming surface of a rotating substrate to perform vapor deposition, and is disposed in a surface facing the film forming surface of the substrate. Including three or more evaporation sources, each of the three or more evaporation sources has a plurality of crucibles radially arranged around a rotation axis, and is rotatable about the rotation axis as a rotation center, The three or more evaporation sources are arranged such that the respective rotation centers of any three of the three or more evaporation sources form a triangular shape in the plane, and each of the three or more evaporation sources The plurality of crucibles includes a deposition crucible located at a deposition position, and a pre-heating crucible located at a pre-heating position, and each of the three or more evaporation sources has a deposition crucible in the plane Placed at the same distance from the center axis of rotation of the substrate And wherein the Rukoto.
本発明の第２態様による成膜装置は、回転する基板の成膜面に蒸着材料を蒸発させて蒸着する成膜装置であって、前記基板の成膜面と対向する面内に配置される複数の蒸発源を含み、前記複数の蒸発源のそれぞれは、回転軸を中心に放射状に配置された複数のるつぼを有し、前記回転軸を回転中心として回転可能であり、前記複数の蒸発源は、複数の第１るつぼを有する複数の第１蒸発源と、前記各第１蒸発源が有する前記複数の第１るつぼの数よりも少ない数の第２るつぼを有する第２蒸発源とを含み、前記複数の第１蒸発源は、各回転中心が前記面内において前記基板の回転中心軸を中心とする第１円上に配置され、前記第２蒸発源は、前記第１蒸発源のうち隣接する二つの第１蒸発源の間に配置され、かつ、前記第２蒸発源の回転中心が前記隣接する二つの第１蒸発源の回転中心を結ぶ線分と同一直線上に位置しないように配置されることを特徴とする。 A film forming apparatus according to a second aspect of the present invention is a film forming apparatus for evaporating a vapor deposition material on a film forming surface of a rotating substrate to perform vapor deposition, and is disposed in a surface facing the film forming surface of the substrate. Including a plurality of evaporation sources, each of the plurality of evaporation sources has a plurality of crucibles radially arranged around a rotation axis, rotatable about the rotation axis as a rotation center, the plurality of evaporation sources Includes a plurality of first evaporation sources having a plurality of first crucibles, and a second evaporation source having a smaller number of second crucibles than the number of the plurality of first crucibles included in each of the first evaporation sources. A plurality of first evaporation sources, each rotation center of which is disposed on a first circle centered on a rotation center axis of the substrate in the plane, and wherein the second evaporation source is one of the first evaporation sources; A rotation center of the second evaporation source, which is disposed between two adjacent first evaporation sources; Characterized in that it is arranged so as not located in the adjacent line segments collinear connecting the rotation centers of the two first evaporation source.
本発明によれば、成膜装置内のスペース利用効率を高めて成膜装置の大型化を抑制することができ、また、基板に対する良好な成膜、および各蒸発源からの熱輻射の変動が基板に及ぼす影響を効果的に低減できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the space utilization efficiency in a film-forming apparatus can be improved, and enlargement of a film-forming apparatus can be suppressed. Moreover, the favorable film-forming with respect to a board | substrate, and the fluctuation | variation of the heat radiation from each evaporation source are suppressed. The effect on the substrate can be effectively reduced.
以下、図面を参照して、本発明の好ましい実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は、本発明の好ましい構成を例示的に示すものであり、本発明の範囲は、これらの構成に限定されない。また、以下の説明において、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理の流れ、製造条件、大きさ、材質、形状等は、特に特定的な記載がない限り、本発明の範囲をこれに限定しようとする趣旨ではない。 Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples exemplify preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these configurations. In the following description, the hardware configuration and software configuration of the device, the flow of processing, manufacturing conditions, size, material, shape, and the like will be limited to the scope of the present invention unless otherwise specified. It is not the purpose.
＜電子デバイスの製造装置＞
図１は、電子デバイスの製造装置の一例を示す模式図である。
図１の電子デバイスの製造装置は、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、フルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）又はハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の基板に有機ＥＬ表示素子の形成のための成膜を行った後、該基板を切り抜いて複数の小さなサイズのパネルに製作する。
<Electronic device manufacturing equipment>
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of an electronic device manufacturing apparatus.
1 is used, for example, for manufacturing a display panel of an organic EL display device for a smartphone. In the case of a display panel for a smartphone, for example, after forming a film for forming an organic EL display element on a substrate of a full size (about 1500 mm × about 1850 mm) or a half cut size (about 1500 mm × about 925 mm), The substrate is cut out and made into a plurality of small size panels.
電子デバイスの製造装置は、一般的に図１に示すように、複数のクラスタ装置１を含み、各クラスタ装置１は、基板１０に対する処理（例えば、成膜）が行われる複数の成膜室１１と、使用前後のマスクが収納される複数のマスクストックチャンバー１２と、その中
央に配置される搬送室１３を具備する。
As shown in FIG. 1, an electronic device manufacturing apparatus generally includes a plurality of
搬送室１３内には、複数の成膜室１１の間で基板１０を搬送し、成膜室１１とマスクストックチャンバー１２との間でマスクを搬送する搬送ロボット１４が設置される。搬送ロボット１４は、例えば、多関節アームに、基板１０を保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。
In the
各成膜室１１には、成膜装置（蒸着装置とも呼ぶ）が設置される。成膜装置では、蒸発源に収納された蒸着材料がヒータによって加熱されて蒸発し、マスクを介して基板１０上に蒸着される。搬送ロボット１４との基板１０の受け渡し、基板１０とマスクの相対位置の調整（アライメント）、マスク上への基板１０の固定、成膜（蒸着）などの一連の成膜プロセスは、成膜装置によって自動的に行われる。
Each of the
マスクストックチャンバー１２には、成膜室１１での成膜工程に使われる新しいマスクと、使用済みのマスクとが、二つのカセットに分けて収納される。搬送ロボット１４は、使用済みのマスクを成膜室１１からマスクストックチャンバー１２のカセットに搬送し、マスクストックチャンバー１２の他のカセットに収納された新しいマスクを成膜室１１に搬送する。
In the
クラスタ装置１には、基板１０の流れ方向において上流側からの基板１０を当該クラスタ装置１に伝達するパス室１５と、当該クラスタ装置１で成膜処理が完了した基板１０を下流側の他のクラスタ装置１に伝えるためのバッファー室１６が連結される。搬送室１３の搬送ロボット１４は、上流側のパス室１５から基板１０を受け取って、当該クラスタ装置１内の成膜室１１の一つ（例えば、成膜室１１ａ）に搬送する。また、搬送ロボット１４は、当該クラスタ装置１での成膜処理が完了した基板１０を複数の成膜室１１の一つ（例えば、成膜室１１ｂ）から受け取って、下流側に連結されたバッファー室１６に搬送する。
The
バッファー室１６とパス室１５との間には、基板の向きを変える旋回室１７が設置される。これにより、上流側のクラスタ装置１と下流側のクラスタ装置１で基板１０の向きが同一となり、基板処理が容易になる。
A
本実施例では、図１を参照して、電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類のチャンバーを有してもよく、チャンバー間の配置が変わってもよい。 In the present embodiment, the configuration of the electronic device manufacturing apparatus has been described with reference to FIG. 1. However, the present invention is not limited to this, and may have other types of chambers. May change.
以下、成膜室１１に設けられる成膜装置の構成について説明する。
＜成膜装置＞
図２は、成膜装置、特に、金属電極層を形成するのに使われる金属性蒸着材料の成膜装置２の構成を模式的に示す断面図である。
Hereinafter, the configuration of a film forming apparatus provided in the
<Deposition equipment>
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a film forming apparatus, particularly, a
成膜装置２は真空チャンバー２０を具備する。真空チャンバー２０の内部は真空などの減圧雰囲気、或いは窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される。真空チャンバー２０の内部の上部には、基板保持ユニット２１とマスク台２２とが設けられ、真空チャンバー２０の内部の下部には蒸発源２３が設置される。
基板保持ユニット２１は、搬送室１３の搬送ロボット１４から受け取った基板１０を保持及び搬送する手段で、基板ホルダとも呼ぶ。
フレーム状のマスク台２２は、基板保持ユニット２１の下側に設置され、マスク台２２上にはマスク２２２が載置される。マスク２２２は、基板１０上に形成される薄膜パターンに対応する開口パターンを有する。
The
The
The frame-shaped mask table 22 is installed below the
成膜時には、基板保持ユニット２１がマスク台２２に対して相対的に下降し（或いはマスク台２２が基板保持ユニット２１に向かって上昇し）、基板保持ユニット２１によって保持された基板１０がマスク２２２上に置かれた後、真空チャンバー２０の上部（外部）から導入された回転シャフト２７によって、基板保持ユニット２１及びマスク台２２を回転させることで、マスク２２２及びマスク２２２の上に置かれた基板１０を回転させる。これは基板１０上に金属性蒸着材料が均一な厚さで成膜できるようにするためである。
At the time of film formation, the
図２には示していないが、真空チャンバー２０の上面の外部（大気側）には、回転シャフト２７を回転駆動するためのアクチュエータを含む駆動機構が設置される。また、マスク台２２の下側には基板シャッタ（不図示）を設けることができる。基板シャッタは、基板１０に対する成膜時以外においては基板１０を覆っており、蒸発源２３から蒸発された蒸着材料が基板１０に堆積することを抑止する。
Although not shown in FIG. 2, a driving mechanism including an actuator for rotating and driving the rotating
真空チャンバー２０の内部の下部には、基板１０に成膜される蒸着材料が収納されるるつぼ２３１とるつぼ２３１を加熱するためのヒータ（不図示）とを含む蒸発源２３、蒸発源シャッタ２５、蒸発レートセンサー２６などが設置される。
An
金属性蒸着材料の成膜装置２の蒸発源２３は真空チャンバーの底面に複数設置され、各蒸発源２３は複数のるつぼ２３１を含む。各蒸発源２３は回転駆動機構（不図示）によって回転することで、複数のるつぼ２３１の位置を順に移動させ、このるつぼの位置移動によってあらかじめ定められた蒸着位置に移動してきたるつぼから蒸着材料を順に蒸発させて基板１０に堆積させる回転型の多点蒸発源（リボルバ）である。
各蒸発源２３の詳細構造および複数の蒸発源２３の配置構成については後述する。
A plurality of
The detailed structure of each
基板１０への蒸着材料の移動経路を遮蔽または開放を制御するために、蒸発源２３の上部に蒸発源シャッタ２５が設置されてもよい。これにより、蒸着位置のるつぼから蒸発した蒸着材料が基板１０に堆積することが、必要に応じて（例えば、成膜開始前の準備工程など）一時的に抑止される。蒸発源シャッタ２５が回転移動して蒸着位置のるつぼの上方を開放することにより、蒸着位置のるつぼからの蒸着材料が基板１０に向かって飛散し、基板１０への成膜が開始される。
蒸発レートセンサー２６は蒸発源２３のるつぼ２３１から蒸着材料が蒸発されるレートをモニタリングする装置である。蒸発レートセンサー２６の配置位置の詳細については後述する。
An
The
＜蒸発源の配置＞
図３を参照して、本発明の実施例による回転型の多点蒸発源（リボルバ）の構造および複数の蒸発源の配置構成について説明する。
図３は、成膜装置２内での基板１０と複数の蒸発源２３との配置関係を説明するための上面図である。
<Arrangement of evaporation source>
With reference to FIG. 3, the structure of a rotary type multi-point evaporation source (revolver) and the arrangement of a plurality of evaporation sources according to an embodiment of the present invention will be described.
FIG. 3 is a top view for explaining the positional relationship between the
前述のように、成膜装置２の真空チャンバー内の上部には、成膜時、回転シャフト２７によって駆動されて回転する基板１０が配置される。成膜装置２の真空チャンバー内の下部には、基板１０と対向して、基板１０の成膜面と対向する面内に複数（３個以上）の蒸発源２３が配置される。本実施例では、成膜装置２の上面から見たとき（平面視で）、多角形の成膜装置２の各コーナー部に対応して四つの蒸発源２３が矩形状Ｄ１の四つの角部に対応する位置に配置されている。
As described above, the
各蒸発源２３は、上述のように、成膜時回転（自転）によって複数のるつぼ２３１の位置を順に移動させて、るつぼごとに蒸着材料を蒸発させる回転型の多点蒸発源（リボルバ
）であり、それぞれの回転軸を中心に放射状に配置された複数のるつぼ２３１を有している。一方、四つの各蒸発源２３は、図示のように、隣接する蒸発源２３が互いに反対方向に回転（自転）し、それぞれのるつぼを順次移動させて成膜を行う。各蒸発源２３の回転方向は特にこれに限定されない。
As described above, each
各蒸発源２３に設置されるるつぼ２３１の数は特に制限されず、各蒸発源２３のるつぼの数は同じであってもよいし、異なってもよい。本実施例では、各蒸発源２３が七つのるつぼ２３１を有する例を示している。
The number of
各蒸発源２３において七つのるつぼ２３１のうちの一つのるつぼ２３２は、成膜時、蒸着位置に位置する。蒸着位置とは、該位置に位置するるつぼが基板１０に向かって蒸着材料を蒸発させて供給する位置をいう。つまり、各蒸発源２３は、成膜時、蒸着位置に位置するるつぼ２３２（以下、「蒸着用るつぼ」ともいう）をヒータによって高温（例えば、１３００℃）に加熱して該当るつぼ２３２内に収納された蒸着材料を蒸発させて基板１０に堆積させる。
One
蒸着位置のるつぼ２３２内の蒸着材料が消耗すれば、蒸発源２３を回転駆動して、蒸着位置に位置するるつぼ２３２を蒸着後位置に移動させ、予備加熱位置に位置するるつぼ２３３を蒸着位置２３２に回転移動させる。
When the evaporation material in the
予備加熱位置は次回（例えば、蒸着位置のるつぼ２３２内の蒸着材料が消耗したとき）において蒸着位置に移動するるつぼを予熱しておく位置である。以下、予備加熱位置に位置するるつぼ２３３を「予備加熱用るつぼ」とも称する。このように、次回において蒸着位置に移動するるつぼ２３３をあらかじめ加熱しておくことで、予備加熱位置に位置するるつぼ２３３が蒸着位置に移動した後に当該るつぼを加熱するのにかかる時間を減らすことができ、成膜時間を短縮することができる。
The preheating position is a position where the crucible that moves to the deposition position is preheated next time (for example, when the deposition material in the
蒸着位置と予備加熱位置は、当該位置に配置されたるつぼが互いに熱干渉による影響を受けないように離間している。本実施例では蒸着用るつぼ２３２と予備加熱用るつぼ２３３との間に他のるつぼを配置している。
The deposition position and the pre-heating position are separated so that the crucibles located at that position are not affected by thermal interference with each other. In this embodiment, another crucible is arranged between the
各蒸発源２３のすべてのるつぼ２３１の蒸着材料が消耗するまで蒸発源２３を回転させながら蒸着を行い、すべての蒸着材料が消耗すれば、成膜装置２の動作を止めて、るつぼ２３１内に蒸着材料を充填する。
The evaporation is performed while rotating the
以下、蒸発源２３を成膜装置２内に複数配置する構造について詳しく説明する。
図３に示すように、複数（本実施例では４個）の蒸発源２３は、そのうちの任意の３つの蒸発源２３のそれぞれの回転中心が同一直線上に位置しないように配置される。言い換えれば、任意に選択される３つの蒸発源２３の各回転中心軸間の距離をａ、ｂ、ｃとすると、ａ＋ｂ＞ｃの関係を満たすように（すなわち、三角形状を成すように）、複数の蒸発源２３が配置される。より具体的には、複数の蒸発源２３は、各蒸発源２３の回転中心が蒸発源２３の配置面内における基板１０の回転中心軸Ｏを中心とする一つの同心円Ｃ１上に位置するように配置される。
Hereinafter, a structure in which a plurality of
As shown in FIG. 3, a plurality of (four in this embodiment)
よって、複数配置される蒸発源２３においてどの３つの蒸発源２３も一直線上には位置していないので、蒸発源２３間の距離を増加させずに成膜装置２内に複数の蒸発源２３を効果的に配置することができ、成膜装置２内のスペース利用効率を高めることができる。
Therefore, since none of the three
また、このような複数の蒸発源２３の配置の下で、各蒸発源２３の蒸着用るつぼ２３２は、上記蒸発源２３の回転中心を結ぶ円Ｃ１よりも内側に配置される。より具体的には、
各蒸発源２３の蒸着用るつぼ２３２は、上記蒸発源２３の回転中心を結ぶ円Ｃ１よりも内側に、かつ、基板１０の回転中心軸Ｏからの距離が実質的に同一の同心円Ｃ２上に位置するように配置される。
このように、複数の蒸発源２３において、成膜時に蒸着材料を実際に供給する各蒸着用るつぼ２３２が基板１０に対して実質的に同一距離に位置することによって、蒸発源２３間の蒸発特性の差を抑制することができる。
Further, under such an arrangement of the plurality of
The
As described above, in the plurality of
また、前述のような複数の蒸発源２３の配置の下で、各蒸発源２３の予備加熱用るつぼ２３３は、上記蒸発源２３の回転中心を結ぶ円Ｃ１よりも外側に配置される。つまり、基板１０の中心から近い距離に蒸着用るつぼ２３２が位置し、より遠い距離に予備加熱用るつぼ２３３が位置するように、各蒸発源２３内における複数のるつぼ２３１の配置関係が構成されている。図４は、このような各蒸発源２３における蒸着用るつぼ２３２と予備加熱用るつぼ２３３の基板１０に対する相対的な配置関係を模式的に示した断面図である。より具体的には、蒸発源２３のそれぞれの予備加熱用るつぼ２３３は、基板１０の回転半径よりも外側に位置するように配置される。すなわち、いずれの蒸発源２３の予備加熱用るつぼ２３３も基板１０と重ならない位置に配置されている。
Further, under the arrangement of the plurality of
予備加熱用るつぼ２３３は、成膜時に実質的な蒸着には関与しないが、予熱に必要な程度の高い温度で維持されるため、るつぼから輻射される熱が基板１０に影響を及ぼす可能性がある。基板１０の下部に複数の蒸発源２３が配置される場合は、各蒸発源２３において予備加熱用るつぼ２３３から輻射される熱が基板１０に及ぼす影響の大きさに差がある可能性もある。
本発明の実施例では、各蒸発源２３において、成膜時に実質的な蒸着に関与しない予備加熱用るつぼ２３３を基板１０の回転半径より外側に位置するように配置することによって、各蒸発源２３からの熱輻射の変動が基板１０に及ぼす影響を低減することができる。
The preheating
In the embodiment of the present invention, in each of the
図２を参照して前述したように、基板１０の成膜面と複数の蒸発源２３との間の領域には各蒸発源２３の蒸着用るつぼ２３２から蒸発される蒸着材料のレートをモニタリングするための蒸発レートセンサー２６を設置することができる。この蒸発レートセンサー２６は、成膜時に基板１０への成膜に影響を及ぼさないようにするため、蒸発源２３の上方において蒸発源２３の回転中心を結ぶ円Ｃ１より外側の位置に設置することが好ましい。
As described above with reference to FIG. 2, in the region between the film formation surface of the
以上のように、本実施例によると、成膜装置内のスペース利用効率を高めて装置の大型化を抑制することができ、基板１０に対する良好な成膜および各蒸発源２３からの熱輻射の変動が基板１０に及ぼす影響を低減することができる。
As described above, according to the present embodiment, it is possible to increase the space utilization efficiency in the film forming apparatus and suppress an increase in the size of the apparatus, to form a good film on the
図５は、本発明の他の実施例による回転型の多点蒸発源（リボルバ）の配置構成を示す。
本実施例は、上記実施例の構成に加え、少ない数のるつぼ２４１を有する小径の蒸発源２４を追加で配置した構成である。蒸発源２４は、蒸発源２３よりも直径が小さい。具体的には、図５に示すように、回転軸（自転軸）を中心に五つのるつぼ２４１が放射状に配置された小径の蒸発源２４を、隣接する二つの大径の蒸発源２３の間に配置している。
FIG. 5 shows an arrangement of a rotary multi-point evaporation source (revolver) according to another embodiment of the present invention.
This embodiment has a configuration in which a small-
蒸着材料の種類や蒸発量などの制御のために、必要に応じて、るつぼの数が異なる大径の蒸発源２３と小径の蒸発源２４を一緒に成膜装置２内に配置する場合がある。
本実施例は、この場合でも、前述の実施例と同様に、成膜装置内のスペース利用効率を高めるとともに良好な成膜および各蒸発源からの熱輻射の変動の抑制を可能にする蒸発源の配置構成を提案する。
In order to control the type of the evaporation material, the amount of evaporation, and the like, a large-
In this case as well, in this case, as in the above-described embodiment, the evaporation source that increases the space utilization efficiency in the film forming apparatus and enables good film formation and suppression of fluctuations in heat radiation from each evaporation source Is proposed.
具体的には、大径の蒸発源２３（以下、「第１蒸発源」という）は、前述の実施例と同
様に、多角形の成膜装置２の各コーナー部に対応して四つの蒸発源２３の回転中心が基板１０の回転中心軸Ｏを中心とする一つの同心円Ｃ１上に位置するように矩形状の四つの角部に対応する位置に配置される。図５に示すように、第１蒸発源２３の各蒸着用るつぼ２３２が長方形状Ｄ２の四つの角部に対応する位置に配置される。また、図５に示すように、蒸発源２４が、隣接する２つの第１蒸発源２３の間であって、かつ、長方形状Ｄ２の長辺に沿って配置される。
Specifically, the large-diameter evaporation source 23 (hereinafter, referred to as a “first evaporation source”) has four evaporation sources corresponding to each corner of the polygonal
また、各第１蒸発源２３において、蒸着用るつぼ２３２は、第１蒸発源２３の回転中心を結ぶ円Ｃ１よりも内側に、かつ、基板１０の回転中心軸Ｏからの距離が実質的に同一の円Ｃ２上に位置するように配置される。図５に示す例では、また、各第１蒸発源２３において、予備加熱用るつぼ２３３は、蒸発源２３の回転中心を結ぶ円Ｃ１よりも外側に、より具体的には基板１０の回転半径の外側に位置するように配置される。
In each of the
小径の蒸発源２４（以下、「第２蒸発源」という）は、隣接する２つの第１蒸発源２３の間、具体的には第２蒸発源２４の回転中心が隣接する２つの第１蒸発源２３の回転中心を結ぶ線分Ｌと同一直線上に位置しないように配置される。より具体的には、第２蒸発源２４は、その回転中心が基板１０の回転中心軸Ｏを基準に線分Ｌよりも外側、かつ、円Ｃ１よりも内側に位置するように配置される。
The small-diameter evaporation source 24 (hereinafter, referred to as “second evaporation source”) is provided between two adjacent
よって、第２蒸発源２４を挟んで隣接する二つの第１蒸発源２３間の間隔を狭く設定することができ、また、追加で配置される第２蒸発源２４をできるだけ成膜装置２の内側に位置させることができるので、成膜装置２内部の空間利用効率を一層高めることができる。なお、図５に示すように、第２蒸発源２４が有する複数のるつぼ２４１の数は、第１蒸発源２３が有する複数のるつぼ２３１の数よりも少ない。
Therefore, the distance between the two
また、第２蒸発源２４における蒸着用るつぼ２４２と予備加熱用るつぼ２４３は、第１蒸発源２３のそれと同様に配置することができる。
つまり、第２蒸発源２４において、蒸着用るつぼ２４２は予備加熱用るつぼ２４３よりも基板１０の回転中心軸Ｏから近い位置に配置される。具体的には、蒸着用るつぼ２４２は第２蒸発源２４の回転中心よりも内側に配置され、予備加熱用るつぼ２４３は第２蒸発源２４の回転中心よりも外側に配置される。
Further, the
That is, in the
更に、第２蒸発源２４をできるだけ成膜装置２の内側に位置させることにおいては、このような第２蒸発源２４の蒸着用るつぼ２４２と予備加熱用るつぼ２４３の配置条件および隣接する第１蒸発源２３との配置関係も考慮し、次のように配置する。
つまり、第２蒸発源２４は、その蒸着用るつぼ２４２が、基板１０の回転中心軸Ｏからの距離が第１蒸発源２３の各蒸着用るつぼ２３２と同一距離に位置するように（円Ｃ２上に位置するように）し、それと共に、その予備加熱用るつぼ２４３は、第１蒸発源２３の各予備加熱用るつぼ２３３と同様に基板１０の回転半径よりも外側に位置するように配置することが好ましい。
これによって、成膜装置内のスペース利用効率を高めながらも、良好な成膜および蒸発源（特に、予備加熱用るつぼ）からの熱輻射の変動による基板１０への影響を低減することができる。
Further, when the
In other words, the
Thus, the effect on the
＜電子デバイスの製造方法＞
次に、前述した実施例に係る成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。
<Electronic device manufacturing method>
Next, an example of a method for manufacturing an electronic device using the film forming apparatus according to the above-described embodiment will be described. Hereinafter, a configuration and a manufacturing method of an organic EL display device will be described as an example of an electronic device.
まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図６（ａ）は有機ＥＬ表示装置５０の全体図、図６（ｂ）は１画素の断面構造を示している。
First, an organic EL display device to be manufactured will be described. FIG. 6A is an overall view of the organic
図６（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域５１には、発光素子を複数備える画素５２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域５１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機ＥＬ表示装置５０の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子５２Ｒ、第２発光素子５２Ｇ、第３発光素子５２Ｂの組合せにより画素５２が構成されている。画素５２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。
As shown in FIG. 6A, in a
図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ｂ線における部分断面模式図である。画素５２は、基板５３上に、第１電極（陽極）５４と、正孔輸送層５５と、発光層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂのいずれかと、電子輸送層５７と、第２電極（陰極）５８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層５５、発光層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂ、電子輸送層５７が有機層に相当する。また、本実施形態では、発光層５６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層５６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層５６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、第１電極５４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層５５と電子輸送層５７と第２電極５８は、複数の発光素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第１電極５４と第２電極５８とが異物によってショートするのを防ぐために、第１電極５４間に絶縁層５９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層６０が設けられている。
FIG. 6B is a schematic partial cross-sectional view taken along line AB in FIG. 6A. The
有機ＥＬ層を発光素子単位に形成するためには、マスクを介して成膜する方法が用いられる。近年、表示装置の高精細化が進んでおり、有機ＥＬ層の形成には開口の幅が数十μｍのマスクが用いられる。 In order to form the organic EL layer for each light emitting element, a method of forming a film via a mask is used. In recent years, the definition of a display device has been improved, and a mask having a width of several tens of μm is used for forming an organic EL layer.
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１電極５４が形成された基板５３を準備する。
Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device will be specifically described.
First, a circuit (not shown) for driving an organic EL display device and a substrate 53 on which a
第１電極５４が形成された基板５３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第１電極５４が形成された部分に開口部が形成されるようにパターニングし絶縁層５９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
Acrylic resin is formed on the substrate 53 on which the
絶縁層５９がパターニングされた基板５３を第１の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて基板５３を保持し、正孔輸送層５５を、表示領域の第１電極５４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層５５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層５５は表示領域５１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
The substrate 53 on which the insulating
次に、正孔輸送層５５までが形成された基板５３を第２の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて保持する。基板５３とマスクとのアライメントを行い、基板５３をマスクの上に載置し、基板５３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層５６Ｒを成膜する。
Next, the substrate 53 on which the hole transport layer 55 is formed is carried into the second film forming apparatus, and is held by the substrate holding unit. The alignment between the substrate 53 and the mask is performed, the substrate 53 is placed on the mask, and a red
発光層５６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜装置により緑色を発する発光層５６Ｇを成膜
し、さらに第４の成膜装置により青色を発する発光層５６Ｂを成膜する。発光層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域５１の全体に電子輸送層５７を成膜する。電子輸送層５７は、３色の発光層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂに共通の層として形成される。
Similarly to the formation of the light-emitting
電子輸送層５７までが形成された基板を第６の成膜装置に移動し、第２電極５８を成膜し、その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層６０を成膜して、有機ＥＬ表示装置５０が完成する。
The substrate on which the layers up to the
絶縁層５９がパターニングされた基板５３を成膜装置に搬入してから保護層６０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。
If the substrate 53 on which the insulating
以上、本発明を実施するための形態を具体的に説明したが、前述の実施例は本発明の一つの例であり、本発明はこれらの実施例の構成に限定されず、本技術的思想の範囲内で適切に変形することができる。例えば、成膜装置内に配置される複数の蒸発源の数や各蒸発源（大径の蒸発源及び／又は小径の蒸発源）内に具備される複数のるつぼの数などは、設計に応じて適宜変更できる。例えば、大径の蒸発源２３と小径の蒸発源２４を共に配置する前述した他の実施例においては、図５において破線で示したように、成膜装置２内の対向する位置に他の小径の第２蒸発源２４を更に配置することもできる。また、前述の実施例においては、各蒸発源の蒸着用るつぼは基板１０の中心から同一距離の円Ｃ２上に配置されると説明したが、ここでの同一とは厳密な意味での数学的同一だけでなく、蒸着材料の種類などの設計条件によって多少のオフセットを付与することも含む。
As described above, the embodiments for carrying out the present invention have been specifically described. However, the above-described embodiment is one example of the present invention, and the present invention is not limited to the configurations of these embodiments. It can be appropriately deformed within the range. For example, the number of a plurality of evaporation sources arranged in the film forming apparatus and the number of a plurality of crucibles provided in each evaporation source (large-diameter evaporation source and / or small-diameter evaporation source) depend on the design. Can be changed as appropriate. For example, in the above-described other embodiment in which the large-
１：クラスタ装置
２：成膜装置
１１：成膜室
２０：真空チャンバー
２１：基板保持ユニット
２２：マスク台
２３：第１蒸発源(大径)
２４：第２蒸発源(小径)
２５：蒸発源シャッタ
２６：蒸発レートセンサー
２３１，２４１：るつぼ
２３２，２４２：蒸着用るつぼ(蒸着位置)
２３３，２４３：予備加熱用るつぼ(予備加熱位置)
５０：有機ＥＬ表示装置
1: cluster apparatus 2: film forming apparatus 11: film forming chamber 20: vacuum chamber 21: substrate holding unit 22: mask table 23: first evaporation source (large diameter)
24: second evaporation source (small diameter)
25: evaporation source shutter 26:
233, 243: crucible for preheating (preheating position)
50: Organic EL display device
Claims (26)
前記基板の成膜面と対向する面内に配置される３つ以上の蒸発源を含み、
前記３つ以上の蒸発源のそれぞれは、回転軸を中心に放射状に配置された複数のるつぼを有し、前記回転軸を回転中心として回転可能であり、
前記３つ以上の蒸発源は、前記３つ以上の蒸発源のうちの任意の３つの蒸発源の各回転中心が前記面内において三角形状を成すように配置され、
前記３つ以上の蒸発源のそれぞれの前記複数のるつぼは、蒸着位置に位置する蒸着用るつぼと、予備加熱位置に位置する予備加熱用るつぼを含み、
前記３つ以上の蒸発源のそれぞれの前記蒸着用るつぼは、前記面内において前記基板の回転中心軸から同一の距離に配置されることを特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus that evaporates and deposits a deposition material on a film deposition surface of a rotating substrate,
Including three or more evaporation sources arranged in a surface facing the film formation surface of the substrate,
Each of the three or more evaporation sources has a plurality of crucibles radially arranged around a rotation axis, and is rotatable about the rotation axis as a rotation center,
The three or more evaporation sources are arranged such that each rotation center of any three of the three or more evaporation sources forms a triangular shape in the plane.
Each of the plurality of crucibles of the three or more evaporation sources includes a deposition crucible located at a deposition position, and a pre-heating crucible located at a pre-heating position,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the evaporation crucibles of the three or more evaporation sources are arranged at the same distance from a rotation center axis of the substrate in the plane.
前記予備加熱位置は、該位置に位置するるつぼが前記蒸発源の回転によって前記蒸着位置に移動する前に予熱される位置であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の成膜装置。 The deposition position is a position where a crucible located at the position supplies a deposition material toward the substrate,
The said preheating position is a position in which the crucible located in this position is preheated before moving to the said vapor deposition position by rotation of the said evaporation source, The Claim 1 characterized by the above-mentioned. 3. The film forming apparatus according to claim 1.
前記基板の成膜面と対向する面内に配置される複数の蒸発源を含み、
前記複数の蒸発源のそれぞれは、回転軸を中心に放射状に配置された複数のるつぼを有し、前記回転軸を回転中心として回転可能であり、
前記複数の蒸発源は、複数の第１るつぼを有する複数の第１蒸発源と、前記各第１蒸発源が有する前記複数の第１るつぼの数よりも少ない数の第２るつぼを有する第２蒸発源とを含み、
前記複数の第１蒸発源は、各回転中心が前記面内において前記基板の回転中心軸を中心とする第１円上に配置され、
前記第２蒸発源は、前記第１蒸発源のうち隣接する二つの第１蒸発源の間に配置され、かつ、前記第２蒸発源の回転中心が前記隣接する二つの第１蒸発源の回転中心を結ぶ線分と同一直線上に位置しないように配置されることを特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus that evaporates and deposits a deposition material on a film deposition surface of a rotating substrate,
Including a plurality of evaporation sources arranged in a surface facing the film formation surface of the substrate,
Each of the plurality of evaporation sources has a plurality of crucibles radially arranged around a rotation axis, and is rotatable about the rotation axis as a rotation center,
The plurality of evaporation sources includes a plurality of first evaporation sources having a plurality of first crucibles, and a second having a number of second crucibles smaller than the number of the plurality of first crucibles included in each of the first evaporation sources. Including an evaporation source,
The plurality of first evaporation sources are arranged such that each rotation center is on a first circle about the rotation center axis of the substrate in the plane,
The second evaporation source is disposed between two adjacent first evaporation sources of the first evaporation source, and the rotation center of the second evaporation source is a rotation of the two adjacent first evaporation sources. A film forming apparatus which is arranged so as not to be located on the same straight line as a line connecting the centers.
蒸発源の回転中心を結ぶ線分よりも外側に、かつ、前記第１円よりも内側に配置されることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の成膜装置。 The center of rotation of the second evaporation source is defined by two adjacent first bases with respect to the center axis of rotation of the substrate.
9. The film forming apparatus according to claim 7, wherein the film forming apparatus is arranged outside a line connecting the rotation centers of the evaporation sources and inside the first circle.
前記第１蒸発源および前記第２蒸発源のそれぞれにおいて、前記各蒸着用るつぼは、前記各予備加熱用るつぼよりも前記基板の回転中心軸から近い位置に配置されることを特徴とする請求項７〜請求項９のいずれか一項に記載の成膜装置。 The first crucible of each of the first evaporation sources and the second crucible of the second evaporation source include a deposition crucible located at a deposition position and a pre-heating crucible located at a pre-heating position, respectively.
In each of the first evaporation source and the second evaporation source, each of the evaporation crucibles is arranged at a position closer to a rotation center axis of the substrate than each of the preheating crucibles. The film forming apparatus according to any one of claims 7 to 9.
前記予備加熱位置は、該位置に位置するるつぼが前記各蒸発源の回転によって前記蒸着位置に移動される前に予熱される位置であることを特徴とする請求項１０〜請求項１７のいずれか１項に記載の成膜装置。 The deposition position is a position where a crucible located at the position supplies a deposition material toward the substrate,
18. The preheating position, wherein the crucible located at the position is a position where the crucible is preheated before being moved to the vapor deposition position by rotation of each of the evaporation sources. 2. The film forming apparatus according to claim 1.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2018-0068493 | 2018-06-15 | ||
| KR1020180068493A KR101965102B1 (en) | 2018-06-15 | 2018-06-15 | Film forming method, film forming apparatus and manufacturing method of electronic device |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019218623A true JP2019218623A (en) | 2019-12-26 |
| JP2019218623A5 JP2019218623A5 (en) | 2022-01-06 |
| JP7262212B2 JP7262212B2 (en) | 2023-04-21 |
Family
ID=66166997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018221606A Active JP7262212B2 (en) | 2018-06-15 | 2018-11-27 | Film forming apparatus, film forming method, and method for manufacturing electronic device |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7262212B2 (en) |
| KR (1) | KR101965102B1 (en) |
| CN (1) | CN110607504B (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112626462A (en) * | 2020-12-11 | 2021-04-09 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | Evaporation source feeding device and evaporation source feeding method |
| KR20230004275A (en) | 2021-06-30 | 2023-01-06 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Film forming apparatus and film forming method |
| KR20230004284A (en) | 2021-06-30 | 2023-01-06 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Film forming apparatus, film forming method and evaporation source unit |
| KR20230004274A (en) | 2021-06-30 | 2023-01-06 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Film forming apparatus, film forming method and evaporation source unit |
| KR20230033598A (en) | 2021-09-01 | 2023-03-08 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Film forming apparatus, film forming method and manufacturinh method of electronic device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111676454B (en) * | 2020-08-04 | 2023-09-05 | 光驰科技(上海)有限公司 | Evaporation source configuration structure capable of saving indoor space of vacuum coating and design method thereof |
| CN112538605B (en) * | 2020-12-03 | 2024-05-14 | 福建华佳彩有限公司 | Evaporation equipment |
| CN114150273A (en) * | 2021-12-06 | 2022-03-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
| CN115110037B (en) * | 2022-06-23 | 2024-01-12 | 北海惠科半导体科技有限公司 | Coating method of evaporation coating device and evaporation coating device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003313657A (en) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Tohoku Pioneer Corp | Vapor deposition device and method for controlling the same |
| JP2006249575A (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Samsung Sdi Co Ltd | Multi-vacuum evaporation system and method for controlling the same |
| JP2007239070A (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | Vacuum vapor deposition apparatus |
| JP2011080136A (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Ulvac Japan Ltd | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005029895A (en) * | 2003-07-04 | 2005-02-03 | Agfa Gevaert Nv | Vapor deposition apparatus |
| KR101323029B1 (en) * | 2006-12-26 | 2013-10-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | Deposition apparatus comprising revolver |
| KR101104802B1 (en) * | 2009-05-06 | 2012-01-12 | (주)알파플러스 | Downward nozzle type effusion cell and downward nozzle type vacuum plating device using the same |
| KR20130045432A (en) * | 2011-10-26 | 2013-05-06 | 주식회사 탑 엔지니어링 | Rotary deposition apparatus |
| CN103305803B (en) * | 2013-05-23 | 2015-05-20 | 四川虹视显示技术有限公司 | Temperature control system-based evaporation temperature control method for OLED (Organic Light Emitting Diode) organic layer |
| CN103526164B (en) * | 2013-10-23 | 2015-09-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of evaporated device |
| KR101562275B1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-10-22 | 주식회사 선익시스템 | Deposition Apparatus |
| JP2017537228A (en) * | 2014-11-26 | 2017-12-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Crucible assembly for evaporation purposes |
| JP2017088976A (en) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 神港精機株式会社 | Multicomponent film formation apparatus and multicomponent film formation method |
| CN107177821B (en) * | 2017-06-12 | 2019-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | Crucible device |
| CN107604317B (en) * | 2017-09-21 | 2019-11-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | A kind of vapor deposition crucible and evaporation coating device |
| CN107815648B (en) * | 2017-09-26 | 2019-11-05 | 上海升翕光电科技有限公司 | A kind of linear evaporation source device and evaporated device |
-
2018
- 2018-06-15 KR KR1020180068493A patent/KR101965102B1/en active IP Right Grant
- 2018-11-27 JP JP2018221606A patent/JP7262212B2/en active Active
- 2018-12-20 CN CN201811562201.5A patent/CN110607504B/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003313657A (en) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Tohoku Pioneer Corp | Vapor deposition device and method for controlling the same |
| JP2006249575A (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Samsung Sdi Co Ltd | Multi-vacuum evaporation system and method for controlling the same |
| JP2007239070A (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | Vacuum vapor deposition apparatus |
| JP2011080136A (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Ulvac Japan Ltd | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112626462A (en) * | 2020-12-11 | 2021-04-09 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | Evaporation source feeding device and evaporation source feeding method |
| CN112626462B (en) * | 2020-12-11 | 2023-05-30 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | Evaporation source feeding device and evaporation source feeding method |
| KR20230004275A (en) | 2021-06-30 | 2023-01-06 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Film forming apparatus and film forming method |
| KR20230004284A (en) | 2021-06-30 | 2023-01-06 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Film forming apparatus, film forming method and evaporation source unit |
| KR20230004274A (en) | 2021-06-30 | 2023-01-06 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Film forming apparatus, film forming method and evaporation source unit |
| KR20230033598A (en) | 2021-09-01 | 2023-03-08 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | Film forming apparatus, film forming method and manufacturinh method of electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110607504A (en) | 2019-12-24 |
| KR101965102B1 (en) | 2019-04-02 |
| CN110607504B (en) | 2021-12-07 |
| JP7262212B2 (en) | 2023-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7262212B2 (en) | Film forming apparatus, film forming method, and method for manufacturing electronic device | |
| US10431779B2 (en) | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method | |
| US8536057B2 (en) | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light emitting device by using the same | |
| US9012258B2 (en) | Method of manufacturing an organic light-emitting display apparatus using at least two deposition units | |
| CN109722635B (en) | Evaporation source device, film forming method, and method for manufacturing electronic device | |
| JP5269256B2 (en) | Vapor deposition method and vapor deposition apparatus | |
| US9748526B2 (en) | Vapor deposition device, vapor deposition method, and method for producing organic el display device | |
| US20150217319A1 (en) | Organic Layer Deposition Apparatus, Frame Sheet Assembly For The Organic Layer Deposition Apparatus, And Method Of Manufacturing Organic Light Emitting Display Device Using The Frame Sheet Assembly | |
| US20120103253A1 (en) | Organic layer deposition apparatus | |
| JP6429491B2 (en) | Vapor deposition apparatus mask, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and organic electroluminescence element manufacturing method | |
| JP7090686B2 (en) | Manufacturing method for film forming equipment and electronic devices | |
| JP7271740B2 (en) | Film forming apparatus, electronic device manufacturing apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method | |
| KR102527121B1 (en) | Film forming apparatus, manufacturing apparatus of organic device, and manufacturing method of organic device | |
| JP2011068990A (en) | Deposition source and method of manufacturing organic light-emitting device | |
| KR20180111699A (en) | Manufacturing equipment using vertical type plane source evaporation for high definition AMOLED devices | |
| JP7150776B2 (en) | Film forming apparatus and electronic device manufacturing method | |
| WO2024070473A1 (en) | Film formation device and film formation method | |
| WO2024004501A1 (en) | Film forming device, film forming method, and method for manufacturing electronic device | |
| KR100813199B1 (en) | The evaporators with the openings having different angles and apparatus for vapor deposition of thin film using the evaporators | |
| JP2022167957A (en) | Film deposition apparatus and method for manufacturing electronic device | |
| KR20190036232A (en) | Film forming apparatus, film forming method and method of manufacturing electronic device | |
| JP2009064740A (en) | Deposition method and device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211126 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211126 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220927 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221101 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221226 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230328 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230411 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7262212 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |