JP2019215551A - Device manufacturing method - Google Patents

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Abstract

To provide a device manufacturing method which forms a pattern for an electronic device on a long flexible substrate while conveying the substrate in a forward direction of a longitudinal direction.SOLUTION: A device manufacturing method includes an alignment step of sequentially detecting each of a plurality of detected bodies formed on a substrate P at predetermined intervals in a longitudinal direction while conveying the substrate P at a predetermined conveyance speed via a detection region of an alignment detection device AM set on the substrate P, and obtaining positional information on each of the detected bodies; a pattern formation step of accumulating the substrate P via the alignment step over a predetermined length in an accumulation part BF1, and then forming a pattern for an electronic device on the substrate P while collecting the position on the basis of positional information in a state of being conveyed at predetermined reference speed; and a speed adjustment step of temporarily changing a relationship between a reference speed in the pattern formation step and a conveyance speed in the alignment step according to detection accuracy requiring the positional information obtained in the alignment step.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、長尺の可撓性のシート基板を搬送しながら、シート基板上に電子デバイス用のパターンを形成するデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to a device manufacturing method for forming a pattern for an electronic device on a sheet substrate while transporting a long flexible sheet substrate.

従来より、可撓性の長尺のシート基板上に電子デバイス（有機ＥＬや液晶による表示パネル、或いは、電子部品を実装するプリント基板）のパターンを形成するために、シート基板を長尺方向に沿って搬送するとともに、長尺方向に沿って並べられた複数の処理装置によってシート基板に所定の処理を施すロール・ツー・ロール方式の製造システムが知られている。   2. Description of the Related Art Conventionally, in order to form a pattern of an electronic device (a display panel using organic EL or liquid crystal, or a printed circuit board on which electronic components are mounted) on a flexible and long sheet substrate, the sheet substrate is stretched in a longitudinal direction. 2. Description of the Related Art A roll-to-roll type manufacturing system is known in which a plurality of processing apparatuses are transported along a longitudinal direction and a predetermined process is performed on a sheet substrate by a plurality of processing apparatuses arranged in a longitudinal direction.

例えば、下記特許文献１には、そのような製造システム中の１つの処理装置として使われるロール・ツー・ロール方式のプリント基板用のパターン描画装置（露光装置）が開示されている。特許文献１の装置では、供給リールから送り出されるフレキシブルプリント配線基板に一定の張力を与えて平面状に張架しつつ、プリント配線基板を所定速度で長尺方向に送りながら、平面状に張架された部分にＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）で構成される露光ヘッドユニットによって２次元のパターンを露光し、露光後のプリント配線基板を巻取りリールに巻いている。さらに、特許文献１の装置では、プリント配線基板に形成されたマークを、露光ヘッドユニットの上流側に配置されたアライメントユニットで撮像して、プリント配線基板上に露光すべき画像の位置を適正位置に補正するように、ＤＭＤによる２次元の描画パターンや描画開始時期等を補正している。   For example, Patent Document 1 below discloses a pattern drawing apparatus (exposure apparatus) for a printed circuit board of a roll-to-roll system used as one processing apparatus in such a manufacturing system. In the apparatus disclosed in Patent Document 1, a flexible printed wiring board sent from a supply reel is stretched in a plane while applying a constant tension, and while the printed wiring board is sent in a longitudinal direction at a predetermined speed, the flexible printed wiring board is stretched in a plane. The exposed portion is exposed to a two-dimensional pattern by an exposure head unit composed of a DMD (digital micromirror device), and the exposed printed wiring board is wound around a take-up reel. Further, in the apparatus disclosed in Patent Document 1, a mark formed on a printed wiring board is imaged by an alignment unit arranged upstream of an exposure head unit, and the position of an image to be exposed on the printed wiring board is adjusted to an appropriate position. The two-dimensional drawing pattern by the DMD, the drawing start timing, and the like are corrected so as to make correction.

特許文献１のように露光された基板は、通常は現像やエッチング等の後工程の装置（湿式処理装置）に送る必要があるが、特許文献１の露光装置では、巻取りリールにプリント配線基板の全てが巻き上げられてからでないと、後工程の処理工程が実施できないことになる。そこで、特許文献１中の露光ヘッドユニットの下流側に位置するニップローラ等の後に、後工程用の処理装置を接続して、露光された基板に対して続けて湿式処理等を施すような製造ラインを組むことが考えられる。   The substrate exposed as in Patent Literature 1 usually needs to be sent to a post-processing device (wet processing device) such as development and etching. However, in the exposure device of Patent Literature 1, a printed wiring board is mounted on a take-up reel. Must be completely wound up before the subsequent processing steps can be performed. Therefore, a production line in which a post-processing device is connected after a nip roller or the like located downstream of an exposure head unit in Patent Document 1 to continuously perform wet processing or the like on an exposed substrate. It is conceivable to form

この場合、露光装置内での基板の張力のムラや前工程の熱処理等による基板の変形や歪みの傾向変化により、露光装置によるパターン露光の精度（パターニング精度）が劣化することがある。そのような状況が生じると、露光装置と後工程の処理装置の動作をともに一時的に停止して、精度劣化が無い状態になるように露光装置側の各種の条件、例えばパターンの描画データや基板の張力を補正または再設定する必要がある。さらに、基板の変形や歪みの傾向が、露光すべき１つのデバイス領域の中でも大きく変化する場合は、基板上のデバイス領域の周囲に２次元的に配置された多数のマークを検出して、基板のローカルな変形や歪みの傾向と量を高精度に特定することが望まれる。   In this case, the accuracy of pattern exposure (patterning accuracy) of the exposure apparatus may be deteriorated due to unevenness in the tension of the substrate in the exposure apparatus or a change in the tendency of deformation or distortion of the substrate due to heat treatment in a previous process. When such a situation occurs, both the operation of the exposure apparatus and the processing apparatus in the post-process are temporarily stopped, and various conditions on the exposure apparatus side, such as pattern drawing data and It is necessary to correct or reset the substrate tension. Further, when the tendency of the deformation and distortion of the substrate greatly changes in one device region to be exposed, a large number of marks arranged two-dimensionally around the device region on the substrate are detected and the substrate is detected. It is desired to specify the tendency and the amount of local deformation and distortion of the object with high accuracy.

しかしながら、露光動作のための速度で基板が長尺方向に移動している間に多数のマークを順次検出する場合、マークを撮像した画像信号、或いは、光電信号の波形等を高速処理する必要があるため、画像解析や信号波形処理の段階でマーク位置の計測精度が低下して、結果的にパターニング精度の劣化を招くことがある。   However, when a large number of marks are sequentially detected while the substrate is moving in the elongate direction at the speed for the exposure operation, it is necessary to process the image signal of the mark or the waveform of the photoelectric signal at high speed. For this reason, the measurement accuracy of the mark position is reduced in the stage of image analysis and signal waveform processing, and as a result, the patterning accuracy may be deteriorated.

特開２００６−０９８７１８号公報JP 2006-098718 A

本発明の態様は、長尺の可撓性のシート基板を長尺方向の順方向に搬送しつつ、前記シート基板上に電子デバイス用のパターンを形成するデバイス製造方法であって、前記シート基板を所定の搬送速度で搬送している間に、前記長尺方向に沿って所定間隔で前記シート基板上に形成された複数の被検出体の各々を、前記シート基板上に設定されるアライメント検出装置の検出領域を介して順次検出し、前記被検出体の各々に関する位置情報を得るアライメント段階と、前記アライメント段階を経た前記シート基板を、所定の長さに亘って蓄積部で蓄積した後に所定の基準速度で搬送させた状態で、前記電子デバイス用のパターンを前記位置情報に基づいて位置補正しながら前記シート基板上に形成するパターン形成段階と、前記アライメント段階で得られる前記位置情報の必要とされる検出精度に応じて、前記パターン形成段階での前記基準速度と前記アライメント段階での前記搬送速度との関係を一時的に変化させる速度調整段階と、を含む。   An aspect of the present invention is a device manufacturing method for forming a pattern for an electronic device on the sheet substrate while transporting a long flexible sheet substrate in a longitudinal direction, wherein the sheet substrate While conveying at a predetermined conveying speed, each of the plurality of detected objects formed on the sheet substrate at predetermined intervals along the long direction is detected by an alignment detection set on the sheet substrate. An alignment step of sequentially detecting through the detection area of the apparatus and obtaining position information on each of the detected objects, and a predetermined length after accumulating the sheet substrate after the alignment step in a storage unit over a predetermined length. A pattern forming step of forming a pattern for the electronic device on the sheet substrate while correcting the position of the pattern for the electronic device based on the position information in a state where the transfer is performed at the reference speed; A speed adjusting step of temporarily changing a relationship between the reference speed in the pattern forming step and the transport speed in the alignment step, according to a required detection accuracy of the position information obtained at the floor; including.

第１の実施の形態のデバイス製造システムの構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a device manufacturing system according to a first embodiment. 第１の実施の形態のデバイス製造システムの構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a device manufacturing system according to a first embodiment. 図２の露光ヘッドによって基板上で走査されるスポット光の走査ラインおよび基板上に形成されたアライメントマークを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing scan lines of spot light scanned on the substrate by the exposure head of FIG. 2 and alignment marks formed on the substrate. 図２の描画ユニットの構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a drawing unit in FIG. 2. 図３の露光装置である処理装置の動作を示すフローチャートである。4 is a flowchart illustrating an operation of a processing apparatus that is the exposure apparatus of FIG. 図５のフローチャートに示す動作によって搬送される基板の搬送動作を示すタイムチャート、および、図２の第１蓄積部、第２蓄積部によって蓄積される基板の長さを示すタイムチャートである。6 is a time chart illustrating a transfer operation of the substrate transferred by the operation illustrated in the flowchart of FIG. 5 and a time chart illustrating a length of the substrate stored by the first storage unit and the second storage unit in FIG. 2. 図６のタイムチャートに示す動作によって搬送される基板に対する図３のアライメント顕微鏡の相対的な移動方向および移動範囲を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a relative moving direction and a moving range of the alignment microscope of FIG. 3 with respect to a substrate transported by the operation shown in the time chart of FIG. 6. 戻り搬送時における第１蓄積部の蓄積長の増加量を示すグラフである。9 is a graph illustrating an increase amount of a storage length of a first storage unit during return transport. 第２の実施の形態におけるパターン形成装置の構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration of a pattern forming apparatus according to a second embodiment. 第２の実施の形態におけるアライメント検出装置の動作を示すフローチャートである。9 is a flowchart illustrating an operation of the alignment detection device according to the second embodiment. 第１または第２の実施の形態におけるパターン形成装置を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。9 is a flowchart illustrating an example of a manufacturing process of an electronic device such as a thin film transistor (TFT) using the pattern forming apparatus according to the first or second embodiment. 第４の実施の形態におけるパターン形成装置の概略的な構成を示す図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a schematic configuration of a pattern forming apparatus according to a fourth embodiment. 図１２のパターン形成装置に適用される補助照明機構の概略的な構成を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a schematic configuration of an auxiliary lighting mechanism applied to the pattern forming apparatus of FIG. 12.

本発明の態様に係るデバイス製造方法について、好適な実施の形態を掲げ、添付の図面を参照しながら以下、詳細に説明する。なお、本発明の態様は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、多様な変更または改良を加えたものも含まれる。つまり、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれ、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換または変更を行うことができる。   Preferred embodiments of a device manufacturing method according to aspects of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Note that aspects of the present invention are not limited to these embodiments, and include various modifications or improvements. That is, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same, and the components described below can be appropriately combined. In addition, various omissions, substitutions, or changes of the components can be made without departing from the spirit of the present invention.

［第１の実施の形態］
第１の実施の形態のパターン形成装置は、基板を搬送しつつ、基板上に電子デバイス用のパターンを形成するものであり、パターン形成装置は、基板に各種処理を施して電子デバイスを製造するデバイス製造システムに組み込まれている。まず、デバイス製造システムについて説明する。 [First Embodiment]
The pattern forming apparatus of the first embodiment forms a pattern for an electronic device on a substrate while transporting the substrate. The pattern forming apparatus performs various processes on the substrate to manufacture the electronic device. Built into device manufacturing systems. First, a device manufacturing system will be described.

図１および図２は、第１の実施の形態のデバイス製造システム１０の構成を示す図である。図１および図２に示すデバイス製造システム１０は、例えば、電子デバイスとしてのフレキシブル・ディスプレイを製造するライン（フレキシブル・ディスプレイ製造ライン）である。フレキシブル・ディスプレイとしては、例えば有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ等がある。このデバイス製造システム１０は、可撓性のシート基板（以下、基板）Ｐをロール状に巻回した供給用ロールＦＲ１から、該基板Ｐが送り出され、送り出された基板Ｐに対して各種処理を連続的に施した後、処理後の基板Ｐを回収用ロールＦＲ２で巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式となっている。この基板Ｐは、基板Ｐの移動方向（搬送方向）が長尺となり、幅方向が短尺となる帯状の形状を有する。第１の実施の形態のデバイス製造システム１０では、フィルム状のシートである基板Ｐが供給用ロールＦＲ１から送り出され、供給用ロールＦＲ１から送り出された基板Ｐが、処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４、ＰＲ５を経て、回収用ロールＦＲ２に巻き取られるまでの例を示している。まず、デバイス製造システム１０の処理対象となる基板Ｐについて説明する。   1 and 2 are diagrams illustrating a configuration of a device manufacturing system 10 according to the first embodiment. The device manufacturing system 10 shown in FIGS. 1 and 2 is, for example, a line for manufacturing a flexible display as an electronic device (a flexible display manufacturing line). Examples of the flexible display include an organic EL display and a liquid crystal display. The device manufacturing system 10 sends out the substrate P from a supply roll FR1 in which a flexible sheet substrate (hereinafter, substrate) P is wound into a roll, and performs various processes on the sent substrate P. After continuous application, the substrate P after processing is wound up by a recovery roll FR2, which is a so-called roll-to-roll method. The substrate P has a belt-like shape in which the moving direction (transfer direction) of the substrate P is long and the width direction is short. In the device manufacturing system 10 of the first embodiment, the substrate P, which is a film-like sheet, is sent out from the supply roll FR1, and the substrate P sent out from the supply roll FR1 is processed by the processing devices PR1, PR2, PR3, An example is shown through PR4 and PR5 until it is wound up on a recovery roll FR2. First, the substrate P to be processed by the device manufacturing system 10 will be described.

基板Ｐは、例えば、樹脂フィルム、ステンレス鋼等の金属または合金からなる箔（フォイル）等が用いられる。樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂のうち１または２以上を含んだものを用いてもよい。また、基板Ｐの厚みや剛性（ヤング率）は、搬送される際に、基板Ｐに座屈による折れ目や非可逆的なシワが生じないような範囲であればよい。電子デバイスとして、フレキシブルなディスプレイパネル、タッチパネル、カラーフィルタ、電磁波防止フィルタ等を作る場合、厚みが２５μｍ〜２００μｍ程度のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等の樹脂シートが使われる。   As the substrate P, for example, a resin film, a foil (foil) made of metal or alloy such as stainless steel, or the like is used. As the material of the resin film, for example, among polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, and vinyl acetate resin One containing one or two or more may be used. In addition, the thickness and rigidity (Young's modulus) of the substrate P may be in a range such that the substrate P does not cause folds due to buckling or irreversible wrinkles when transported. When a flexible display panel, touch panel, color filter, electromagnetic wave prevention filter, or the like is made as an electronic device, a resin sheet such as PET (polyethylene terephthalate) or PEN (polyethylene naphthalate) having a thickness of about 25 μm to 200 μm is used.

基板Ｐは、例えば、基板Ｐに施される各種処理において受ける熱による変形量が実質的に無視できるように、熱膨張係数が顕著に大きくないものを選定することが望ましい。また、ベースとなる樹脂フィルムに、例えば酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素等の無機フィラーを混合すると、熱膨張係数を小さくすることもできる。また、基板Ｐは、フロート法等で製造された厚さ１００μｍ程度の極薄ガラスの単層体であってもよいし、この極薄ガラスに上記の樹脂フィルム、または、アルミや銅等の金属層（箔）等を貼り合わせた積層体であってもよい。   As the substrate P, for example, it is desirable to select a substrate whose thermal expansion coefficient is not remarkably large so that the amount of deformation due to heat received in various processes performed on the substrate P can be substantially ignored. Further, when an inorganic filler such as titanium oxide, zinc oxide, alumina, silicon oxide, or the like is mixed into the base resin film, the coefficient of thermal expansion can be reduced. Further, the substrate P may be a single-layer body of ultra-thin glass having a thickness of about 100 μm manufactured by a float method or the like, or the above-described resin film or a metal such as aluminum or copper It may be a laminate in which layers (foil) are bonded.

ところで、基板Ｐの可撓性とは、基板Ｐに自重程度の力を加えてもせん断したり破断したりすることはなく、その基板Ｐを撓めることが可能な性質をいう。また、自重程度の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。また、基板Ｐの材質、大きさ、厚さ、基板Ｐ上に成膜される層構造、温度、湿度等の環境等に応じて、可撓性の程度は変わる。いずれにしろ、本実施の形態によるデバイス製造システム１０内の搬送路に設けられる各種の搬送用ローラ、回転ドラム等の搬送方向転換用の部材に基板Ｐを正しく巻き付けた場合に、座屈して折り目がついたり、破損（破れや割れが発生）したりせずに、基板Ｐを滑らかに搬送できれば、可撓性の範囲といえる。   By the way, the flexibility of the substrate P means a property that the substrate P can be bent without being sheared or broken even when a force of its own weight is applied to the substrate P. In addition, the property of being bent by the force of its own weight is also included in the flexibility. In addition, the degree of flexibility changes according to the material, size and thickness of the substrate P, the layer structure formed on the substrate P, the environment such as temperature and humidity, and the like. In any case, when the substrate P is correctly wound around various members for changing the transfer direction such as a transfer roller and a rotary drum provided in a transfer path in the device manufacturing system 10 according to the present embodiment, the buckling occurs and the folds are formed. If the substrate P can be smoothly transported without being damaged or being damaged (breaking or cracking), it can be said that the substrate P is in the range of flexibility.

このように構成された基板Ｐは、ロール状に巻回されることで供給用ロールＦＲ１となり、この供給用ロールＦＲ１が、デバイス製造システム１０に装着される。供給用ロールＦＲ１が装着されたデバイス製造システム１０は、電子デバイスを製造するための各種の処理を、供給用ロールＦＲ１から送り出される基板Ｐに対して繰り返し実行する。このため、処理後の基板Ｐは、複数の電子デバイスが連なった状態となる。つまり、供給用ロールＦＲ１から送り出される基板Ｐは、多面取り用の基板となっている。なお、基板Ｐは、予め所定の前処理によって、その表面を改質して活性化したもの、或いは、表面に精密パターニングのための微細な隔壁構造（凹凸構造）を形成したものでもよい。   The substrate P configured as described above is wound into a roll to form a supply roll FR1, and the supply roll FR1 is mounted on the device manufacturing system 10. The device manufacturing system 10 equipped with the supply roll FR1 repeatedly executes various processes for manufacturing an electronic device on the substrate P sent out from the supply roll FR1. Therefore, the processed substrate P is in a state where a plurality of electronic devices are connected. That is, the substrate P sent out from the supply roll FR1 is a multiple-panel substrate. Note that the substrate P may be one whose surface has been modified and activated by a predetermined pre-processing in advance, or one having a fine partition structure (uneven structure) for precise patterning formed on the surface.

電子デバイスは、複数のパターン層（パターンが形成された層）が重ね合わされることで構成されており、デバイス製造システム１０の各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５を経て、１つのパターン層が生成されるので、電子デバイスを生成するために、図１および図２に示すようなデバイス製造システム１０の各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の処理を少なくとも２回は経なければならない。   The electronic device is configured by stacking a plurality of pattern layers (layers on which patterns are formed), and one pattern layer is generated through the processing devices PR1 to PR5 of the device manufacturing system 10. In order to generate an electronic device, the processing of each of the processing devices PR1 to PR5 of the device manufacturing system 10 as shown in FIGS. 1 and 2 must be performed at least twice.

処理後の基板Ｐは、ロール状に巻回されることで回収用ロールＦＲ２として回収される。回収用ロールＦＲ２は、図示しないダイシング装置に装着されてもよい。回収用ロールＦＲ２が装着されたダイシング装置は、処理後の基板Ｐを、電子デバイスごとに分割（ダイシング）することで、複数個の電子デバイスにする。基板Ｐの寸法は、例えば、幅方向（短尺となる方向）の寸法が１０ｃｍ〜２ｍ程度であり、長さ方向（長尺となる方向）の寸法が１０ｍ以上である。なお、基板Ｐの寸法は、上記した寸法に限定されない。   The processed substrate P is collected as a collection roll FR2 by being wound in a roll shape. The collection roll FR2 may be mounted on a dicing device (not shown). The dicing apparatus equipped with the collection roll FR2 divides (dices) the processed substrate P into electronic devices to obtain a plurality of electronic devices. The dimensions of the substrate P are, for example, about 10 cm to 2 m in the width direction (short direction) and about 10 m or more in the length direction (long direction). Note that the dimensions of the substrate P are not limited to the dimensions described above.

図１および図２を参照し、引き続きデバイス製造システム１０について説明する。図１および図２では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が直交する直交座標系となっている。Ｘ方向は、水平面内において、基板Ｐの搬送方向であり、供給用ロールＦＲ１および回収用ロールＦＲ２を結ぶ方向である。Ｙ方向は、水平面内においてＸ方向に直交する方向であり、基板Ｐの幅方向である。Ｙ方向は、供給用ロールＦＲ１および回収用ロールＦＲ２の軸方向となっている。Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに直交する方向（鉛直方向）である。   1 and 2, the device manufacturing system 10 will be described. In FIGS. 1 and 2, an X coordinate, a Y direction, and a Z direction are orthogonal coordinate systems. The X direction is a transport direction of the substrate P in the horizontal plane, and is a direction connecting the supply roll FR1 and the collection roll FR2. The Y direction is a direction orthogonal to the X direction in the horizontal plane, and is the width direction of the substrate P. The Y direction is the axial direction of the supply roll FR1 and the collection roll FR2. The Z direction is a direction (vertical direction) orthogonal to the X direction and the Y direction.

デバイス製造システム１０は、基板Ｐを供給する基板供給装置１２と、基板供給装置１２によって供給された基板Ｐに対して各種処理を施す処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５と、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５によって処理が施された基板Ｐを回収する基板回収装置１４と、デバイス製造システム１０の各装置を制御する上位制御装置１６とを備える。この上位制御装置１６は、コンピュータと、プログラムが記憶された記憶媒体とを含み、該コンピュータが記憶媒体に記憶されたプログラムを実行することで、本第１の実施の形態の上位制御装置１６として機能する。   The device manufacturing system 10 includes a substrate supply device 12 that supplies the substrate P, processing devices PR1 to PR5 that perform various types of processing on the substrate P supplied by the substrate supply device 12, and processing devices PR1 to PR5. The device includes a substrate collection device 14 that collects the substrates P that have been collected, and a higher-level control device 16 that controls each device of the device manufacturing system 10. The higher-level control device 16 includes a computer and a storage medium in which a program is stored, and the computer executes the program stored in the storage medium, so that the higher-level control device 16 of the first embodiment has Function.

基板供給装置１２には、供給用ロールＦＲ１が回転可能に装着される。基板供給装置１２は、装着された供給用ロールＦＲ１から基板Ｐを送り出す駆動ローラＲ１と、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）における位置を調整するエッジポジションコントローラＥＰＣ１とを有する。駆動ローラＲ１は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Ｐを供給用ロールＦＲ１から回収用ロールＦＲ２へ向かう搬送方向（＋Ｘ方向）に送り出すことで、基板Ｐを処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５に供給する。このとき、エッジポジションコントローラＥＰＣ１は、基板Ｐの幅方向の端部（エッジ）における位置が、目標位置に対して±十数μｍ〜数十μｍ程度の範囲（許容範囲）に収まるように、基板Ｐを幅方向に移動させて、基板Ｐの幅方向における位置を修正する。   A supply roll FR1 is rotatably mounted on the substrate supply device 12. The substrate supply device 12 includes a drive roller R1 that sends out the substrate P from the mounted supply roll FR1 and an edge position controller EPC1 that adjusts the position of the substrate P in the width direction (Y direction). The drive roller R1 rotates while sandwiching the front and back surfaces of the substrate P, and sends out the substrate P in the transport direction (+ X direction) from the supply roll FR1 to the collection roll FR2, so that the substrate P is processed by the processing devices PR1 to PR5. To supply. At this time, the edge position controller EPC1 adjusts the position of the substrate P so that the position at the end (edge) in the width direction of the substrate P falls within a range (allowable range) of about ± 10 μm to several tens μm with respect to the target position. By moving P in the width direction, the position of the substrate P in the width direction is corrected.

基板回収装置１４には、回収用ロールＦＲ２が回転可能に装着される。基板回収装置１４は、処理後の基板Ｐを回収用ロールＦＲ２側に引き寄せる駆動ローラＲ２と、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）における位置を調整するエッジポジションコントローラＥＰＣ２とを有する。基板回収装置１４は、駆動ローラＲ２により基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転させることで基板Ｐを引き寄せるとともに、回収用ロールＦＲ２を回転させることで基板Ｐを巻き上げる。このとき、エッジポジションコントローラＥＰＣ２は、エッジポジションコントローラＥＰＣ１と同様に構成され、基板Ｐの幅方向の端部（エッジ）が幅方向においてばらつかないように、基板Ｐの幅方向における位置を修正する。供給用ロールＦＲ１、回収用ロールＦＲ２、および、駆動ローラＲ１、Ｒ２は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。   A collecting roll FR2 is rotatably mounted on the substrate collecting device 14. The substrate recovery device 14 includes a drive roller R2 that pulls the processed substrate P toward the recovery roll FR2, and an edge position controller EPC2 that adjusts the position of the substrate P in the width direction (Y direction). The substrate collecting device 14 pulls the substrate P by rotating the driving roller R2 while nipping the front and rear surfaces of the substrate P, and also winds the substrate P by rotating the collecting roll FR2. At this time, the edge position controller EPC2 is configured in the same manner as the edge position controller EPC1, and corrects the position of the substrate P in the width direction so that the end (edge) in the width direction of the substrate P does not vary in the width direction. . The supply roll FR1, the collection roll FR2, and the drive rollers R1 and R2 rotate when a rotation torque is applied from a rotation drive source (not shown).

処理装置ＰＲ１は、基板供給装置１２から供給された基板Ｐの表面に感光性機能液を塗布する塗布装置である。感光性機能液としては、例えば、フォトレジスト、感光性シランカップリング剤、ＵＶ硬化樹脂液、感光性メッキ還元溶液等が用いられる。処理装置ＰＲ１は、基板Ｐの搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）から順に、塗布機構Ｇｐ１と乾燥機構Ｇｐ２とが設けられている。塗布機構Ｇｐ１は、基板Ｐが巻き付けられる圧胴ローラＤＲ１と、圧胴ローラＤＲ１に対向する塗布ローラＤＲ２とを有する。塗布機構Ｇｐ１は、供給された基板Ｐを圧胴ローラＤＲ１に巻き付けた状態で、圧胴ローラＤＲ１および塗布ローラＤＲ２により基板Ｐを挟持する。そして、塗布機構Ｇｐ１は、圧胴ローラＤＲ１および塗布ローラＤＲ２を回転させることで、基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に移動させながら、塗布ローラＤＲ２により感光性機能液を塗布する。乾燥機構Ｇｐ２は、熱風またはドライエアー等の乾燥用エアーを吹き付け、感光性機能液に含まれる溶質（溶剤または水）を除去し、感光性機能液が塗布された基板Ｐを乾燥させることで、基板Ｐ上に感光性機能層を形成する。圧胴ローラＤＲ１および塗布ローラＤＲ２は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。   The processing device PR1 is a coating device that applies a photosensitive functional liquid to the surface of the substrate P supplied from the substrate supply device 12. As the photosensitive functional liquid, for example, a photoresist, a photosensitive silane coupling agent, a UV curable resin liquid, a photosensitive plating reduction solution, or the like is used. The processing apparatus PR1 is provided with a coating mechanism Gp1 and a drying mechanism Gp2 in order from the upstream side (−X direction side) in the transport direction of the substrate P. The application mechanism Gp1 includes an impression roller DR1 around which the substrate P is wound, and an application roller DR2 facing the impression roller DR1. The coating mechanism Gp1 holds the substrate P between the impression cylinder roller DR1 and the application roller DR2 in a state where the supplied substrate P is wound around the impression cylinder roller DR1. The application mechanism Gp1 applies the photosensitive functional liquid by the application roller DR2 by rotating the impression cylinder roller DR1 and the application roller DR2 while moving the substrate P in the transport direction (+ X direction). The drying mechanism Gp2 blows drying air such as hot air or dry air to remove solutes (solvent or water) contained in the photosensitive functional liquid, and to dry the substrate P coated with the photosensitive functional liquid. A photosensitive functional layer is formed on the substrate P. The impression cylinder roller DR1 and the application roller DR2 rotate when a rotational torque is applied from a rotational drive source (not shown).

処理装置（第１処理装置）ＰＲ２は、基板Ｐの表面に形成された感光性機能層を安定にすべく、処理装置ＰＲ１から搬送された基板Ｐを所定温度（例えば、数１０℃〜１２０℃程度）まで加熱する加熱装置である。処理装置ＰＲ２は、基板Ｐの搬送方向の上流側から順に、加熱チャンバＨＡ１と冷却チャンバＨＡ２とが設けられている。加熱チャンバＨＡ１は、その内部に複数のローラおよび複数のエア・ターンバーが設けられており、複数のローラおよび複数のエア・ターンバーは、基板Ｐの搬送経路を構成している。複数のローラは、基板Ｐの裏面に転接して設けられ、複数のエア・ターンバーは、基板Ｐの表面側に非接触状態で設けられる。複数のローラおよび複数のエア・ターンバーは、基板Ｐの搬送経路を長くすべく、蛇行状の搬送経路となる配置になっている。加熱チャンバＨＡ１内を通る基板Ｐは、蛇行状の搬送経路に沿って搬送されながら所定温度まで加熱される。冷却チャンバＨＡ２は、加熱チャンバＨＡ１で加熱された基板Ｐの温度が、後工程（処理装置ＰＲ３）の環境温度と揃うようにすべく、基板Ｐを環境温度まで冷却する。冷却チャンバＨＡ２は、その内部に複数のローラが設けられ、複数のローラは、加熱チャンバＨＡ１と同様に、基板Ｐの搬送経路を長くすべく、蛇行状の搬送経路となる配置になっている。冷却チャンバＨＡ２内を通る基板Ｐは、蛇行状の搬送経路に沿って搬送されながら冷却される。冷却チャンバＨＡ２の搬送方向における下流側には、駆動ローラＲ３が設けられ、駆動ローラＲ３は、冷却チャンバＨＡ２を通過した基板Ｐを挟持しながら回転することで、基板Ｐを処理装置ＰＲ３側へ向けて供給する。駆動ローラＲ３は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。   In order to stabilize the photosensitive functional layer formed on the surface of the substrate P, the processing device (first processing device) PR2 heats the substrate P transported from the processing device PR1 to a predetermined temperature (for example, several tens to 120 ° C.). ). The processing apparatus PR2 is provided with a heating chamber HA1 and a cooling chamber HA2 in order from the upstream side in the transport direction of the substrate P. The heating chamber HA1 has a plurality of rollers and a plurality of air turn bars provided therein, and the plurality of rollers and the plurality of air turn bars constitute a transport path of the substrate P. The plurality of rollers are provided so as to be in contact with the back surface of the substrate P, and the plurality of air turn bars are provided on the front surface side of the substrate P in a non-contact state. The plurality of rollers and the plurality of air turn bars are arranged in a meandering transport path in order to lengthen the transport path of the substrate P. The substrate P passing through the heating chamber HA1 is heated to a predetermined temperature while being transported along a meandering transport path. The cooling chamber HA2 cools the substrate P to an environmental temperature in order to make the temperature of the substrate P heated in the heating chamber HA1 equal to the environmental temperature of the subsequent process (processing apparatus PR3). A plurality of rollers are provided in the cooling chamber HA2, and the plurality of rollers are arranged in a meandering transport path in order to lengthen the transport path of the substrate P, similarly to the heating chamber HA1. The substrate P passing through the cooling chamber HA2 is cooled while being transported along the meandering transport path. A drive roller R3 is provided downstream of the cooling chamber HA2 in the transport direction, and the drive roller R3 rotates while pinching the substrate P that has passed through the cooling chamber HA2, thereby directing the substrate P toward the processing apparatus PR3. Supply. The drive roller R3 is rotated by a rotation torque from a rotation drive source (not shown).

処理装置（第２処理装置）ＰＲ３は、第１蓄積部（第１蓄積装置）ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から供給された、表面に感光性機能層が形成された基板Ｐを基板Ｐの長手方向に沿った搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、基板Ｐ上にディスプレイパネル用の回路または配線等のパターンを露光する露光装置である。処理装置ＰＲ３は、露光後の基板Ｐを、第２蓄積部（第２蓄積装置）ＢＦ２を介して処理装置ＰＲ４へ向けて搬送する。第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２は、基板Ｐにテンションを付与した状態で、基板Ｐを所定長の長さに亘って蓄積可能である。この処理装置ＰＲ３、第１蓄積部ＢＦ１、および、第２蓄積部ＢＦ２は、パターン形成装置１８を構成し、このパターン形成装置１８については、後で説明する。   The processing device (second processing device) PR3 converts the substrate P having the photosensitive functional layer formed on the surface supplied from the processing device PR2 via the first storage unit (first storage device) BF1 into the longitudinal direction of the substrate P. This is an exposure apparatus that exposes a pattern such as a circuit or a wiring for a display panel onto a substrate P while being transported in a transport direction (+ X direction) along the direction. The processing device PR3 transports the exposed substrate P to the processing device PR4 via the second storage unit (second storage device) BF2. The first accumulation unit BF1 and the second accumulation unit BF2 can accumulate the substrate P over a predetermined length in a state where tension is applied to the substrate P. The processing device PR3, the first storage unit BF1, and the second storage unit BF2 constitute a pattern forming device 18, which will be described later.

処理装置（第３処理装置）ＰＲ４は、第２蓄積部ＢＦ２を介して処理装置ＰＲ３から搬送された露光後の基板Ｐに対して、湿式による現像処理、無電解メッキ処理等を行う湿式処理装置である。処理装置ＰＲ４は、処理槽ＢＴと、基板Ｐを搬送する複数のローラとを有する。複数のローラは、基板Ｐが処理槽ＢＴの内部を通過する搬送経路となるように配置される。処理槽ＢＴの搬送方向における下流側（＋Ｘ方向側）には、駆動ローラＲ４が設けられ、駆動ローラＲ４は、処理槽ＢＴを通過した基板Ｐを挟持しながら回転することで、基板Ｐを処理装置ＰＲ５へ向けて供給する。駆動ローラＲ４は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。   The processing apparatus (third processing apparatus) PR4 is a wet processing apparatus that performs a wet developing process, an electroless plating process, and the like on the exposed substrate P transported from the processing device PR3 via the second storage unit BF2. It is. The processing apparatus PR4 includes a processing tank BT and a plurality of rollers that transport the substrate P. The plurality of rollers are arranged so as to form a transport path through which the substrate P passes through the inside of the processing tank BT. A driving roller R4 is provided on the downstream side (+ X direction side) in the transport direction of the processing tank BT. The driving roller R4 rotates the substrate P passing through the processing tank BT to process the substrate P. It is supplied to the device PR5. The drive roller R4 is rotated by applying a rotation torque from a rotation drive source (not shown).

図示は省略するが、処理装置ＰＲ５は、処理装置ＰＲ４から搬送された基板Ｐを乾燥させる乾燥装置である。処理装置ＰＲ５は、処理装置ＰＲ４において湿式処理された基板Ｐに付着する水分含有量を、所定の水分含有量に調整する。処理装置ＰＲ５により乾燥された基板Ｐは、基板回収装置１４の回収用ロールＦＲ２に巻き上げられる。   Although not shown, the processing device PR5 is a drying device that dries the substrate P transported from the processing device PR4. The processing apparatus PR5 adjusts the moisture content adhering to the substrate P subjected to the wet processing in the processing apparatus PR4 to a predetermined moisture content. The substrate P dried by the processing device PR5 is taken up by the collecting roll FR2 of the substrate collecting device 14.

上位制御装置１６は、基板供給装置１２、基板回収装置１４、複数の処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５、第１蓄積部ＢＦ１、および、第２蓄積部ＢＦ２を統括制御する。上位制御装置１６は、基板Ｐが基板供給装置１２から基板回収装置１４へ向けて搬送するようにデバイス製造システム１０の各装置を制御する。また、上位制御装置１６は、基板Ｐの搬送に同期させながら、複数の処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５を制御して、基板Ｐに対する各種処理を実行させる。   The host control device 16 controls the substrate supply device 12, the substrate recovery device 14, the plurality of processing devices PR1 to PR5, the first storage unit BF1, and the second storage unit BF2. The host control device 16 controls each device of the device manufacturing system 10 so that the substrate P is transported from the substrate supply device 12 to the substrate collection device 14. Further, the higher-level control device 16 controls the plurality of processing devices PR1 to PR5 to execute various processes on the substrate P while synchronizing with the transport of the substrate P.

なお、第１の実施の形態のデバイス製造システム１０では、供給用ロールＦＲ１から送り出された基板Ｐが、順次、５台の処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５を経て、回収用ロールＦＲ２に巻き取られるまでの例を示したが、この構成に限らない。つまり、供給用ロールＦＲ１と回収用ロールＦＲ２との間に設けられる処理装置ＰＲの台数は、１つでもあってもよいし、６つ以上であってもよいし、その台数は任意に変更することができる。   Note that, in the device manufacturing system 10 of the first embodiment, the substrate P sent from the supply roll FR1 passes through the five processing devices PR1 to PR5 and is sequentially taken up by the collection roll FR2. Although an example has been shown, the present invention is not limited to this configuration. That is, the number of processing devices PR provided between the supply roll FR1 and the collection roll FR2 may be one, six or more, and the number may be arbitrarily changed. be able to.

次に、パターン形成装置１８について説明する。パターン形成装置１８の第１蓄積部ＢＦ１は、駆動ローラＲ５、Ｒ６と複数のダンサーローラ２０とを有している。駆動ローラＲ５は、処理装置ＰＲ２から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、基板Ｐを第１蓄積部ＢＦ１内に搬入する。駆動ローラＲ６は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、第１蓄積部ＢＦ１内の基板Ｐを処理装置ＰＲ３に供給する。複数のダンサーローラ２０は、駆動ローラＲ５と駆動ローラＲ６との間に設けられ、基板Ｐに対して所定のテンションを付与するものである。複数のダンサーローラ２０は、Ｚ方向に移動可能であり、上側のダンサーローラ２０（２０ａ）は、＋Ｚ方向に付勢され、下側のダンサーローラ２０（２０ｂ）は、−Ｚ方向に付勢されている。このダンサーローラ２０ａとダンサーローラ２０ｂとはＸ方向に関して交互に配置されている。第１蓄積部ＢＦ１に搬入する基板Ｐの搬送速度が、第１蓄積部ＢＦ１から搬出する基板Ｐの搬送速度に対して相対的に速くなると、第１蓄積部ＢＦ１に蓄積される基板Ｐの長さは増加する。この第１蓄積部ＢＦ１に蓄積されている基板Ｐの長さが長くなると、付勢力によってダンサーローラ２０ａが＋Ｚ方向に、ダンサーローラ２０ｂが−Ｚ方向に移動する。これにより、第１蓄積部ＢＦ１は、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で、基板Ｐを蓄積することができる。逆に、第１蓄積部ＢＦ１に蓄積されている基板Ｐの長さが短くなると、付勢力に反してダンサーローラ２０ａが−Ｚ方向に、ダンサーローラ２０ｂが＋Ｚ方向に移動する。いずれにせよ、第１蓄積部ＢＦ１は、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で、基板Ｐを蓄積することができる。なお、駆動ローラＲ５、Ｒ６は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。   Next, the pattern forming apparatus 18 will be described. The first accumulation unit BF1 of the pattern forming device 18 has drive rollers R5 and R6 and a plurality of dancer rollers 20. The drive roller R5 rotates while holding the front and back surfaces of the substrate P sent from the processing device PR2, and carries the substrate P into the first storage unit BF1. The drive roller R6 rotates while sandwiching the front and back surfaces of the substrate P, and supplies the substrate P in the first storage unit BF1 to the processing device PR3. The plurality of dancer rollers 20 are provided between the driving roller R5 and the driving roller R6, and apply a predetermined tension to the substrate P. The plurality of dancer rollers 20 are movable in the Z direction, the upper dancer roller 20 (20a) is urged in the + Z direction, and the lower dancer roller 20 (20b) is urged in the −Z direction. ing. The dancer rollers 20a and the dancer rollers 20b are alternately arranged in the X direction. When the transport speed of the substrate P loaded into the first storage unit BF1 becomes relatively faster than the transport speed of the substrate P unloaded from the first storage unit BF1, the length of the substrate P stored in the first storage unit BF1 becomes longer. It increases. When the length of the substrate P stored in the first storage unit BF1 increases, the biasing force moves the dancer roller 20a in the + Z direction and the dancer roller 20b in the -Z direction. Thereby, the first accumulation unit BF1 can accumulate the substrate P in a state where a predetermined tension is applied to the substrate P. Conversely, when the length of the substrate P stored in the first storage unit BF1 decreases, the dancer roller 20a moves in the -Z direction and the dancer roller 20b moves in the + Z direction against the urging force. In any case, the first storage unit BF1 can store the substrate P in a state where a predetermined tension is applied to the substrate P. The drive rollers R5 and R6 rotate when a rotation torque is applied from a rotation drive source (not shown).

また、パターン形成装置１８の第２蓄積部ＢＦ２は、駆動ローラＲ７、Ｒ８と複数のダンサーローラ２２とを有している。駆動ローラＲ７は、処理装置ＰＲ３から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、基板Ｐを第２蓄積部ＢＦ２内に搬入する。駆動ローラＲ８は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、第２蓄積部ＢＦ２内の基板Ｐを処理装置ＰＲ４に供給する。複数のダンサーローラ２２は、駆動ローラＲ７と駆動ローラＲ８との間に設けられ、基板Ｐに対して所定のテンションを付与するものである。複数のダンサーローラ２２は、Ｚ方向に移動可能であり、上側のダンサーローラ２２（２２ａ）は、＋Ｚ方向に付勢されており、下側のダンサーローラ２２（２２ｂ）は、−Ｚ方向に付勢されている。このダンサーローラ２２ａとダンサーローラ２２ｂとはＸ方向に関して交互に配置されている。このような構成を有することにより、第２蓄積部ＢＦ２は、第１蓄積部ＢＦ１と同様に、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で、基板Ｐを蓄積することができる。なお、駆動ローラＲ７、Ｒ８は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。第１蓄積部ＢＦ１と第２蓄積部ＢＦ２の構成は同一とする。   Further, the second storage section BF2 of the pattern forming device 18 has drive rollers R7 and R8 and a plurality of dancer rollers 22. The drive roller R7 rotates while holding the front and back surfaces of the substrate P sent from the processing device PR3, and carries the substrate P into the second storage unit BF2. The drive roller R8 rotates while sandwiching the front and back surfaces of the substrate P, and supplies the substrate P in the second storage unit BF2 to the processing device PR4. The plurality of dancer rollers 22 are provided between the driving roller R7 and the driving roller R8, and apply a predetermined tension to the substrate P. The plurality of dancer rollers 22 are movable in the Z direction, the upper dancer roller 22 (22a) is biased in the + Z direction, and the lower dancer roller 22 (22b) is biased in the −Z direction. It is being rushed. The dancer rollers 22a and the dancer rollers 22b are alternately arranged in the X direction. With such a configuration, the second storage unit BF2 can store the substrate P in a state where a predetermined tension is applied to the substrate P, similarly to the first storage unit BF1. The drive rollers R7 and R8 rotate when a rotation torque is applied from a rotation drive source (not shown). The configurations of the first storage unit BF1 and the second storage unit BF2 are the same.

通常時においては、第１蓄積部ＢＦ１は、新たに蓄積可能な基板Ｐの長さが所定の余裕長以上となるように基板Ｐを蓄積している。つまり、第１蓄積部ＢＦ１は、所定の余裕長以上の長さの基板Ｐを新たに蓄積できるように、蓄積している基板Ｐの長さを短くしている。例えば、第１蓄積部ＢＦ１が、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で蓄積可能な基板Ｐの長さを５ｍとし、所定の余裕長を４ｍとした場合は、通常時に第１蓄積部ＢＦ１が蓄積している基板Ｐの長さは１ｍ未満となる。また、通常時においては、第２蓄積部ＢＦ２は、蓄積済みの基板Ｐの長さが所定の蓄積長以上となるように基板Ｐを蓄積している。例えば、第２蓄積部ＢＦ２が、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で蓄積可能な基板Ｐの長さを５ｍとし、所定の蓄積長を４ｍとした場合は、第２蓄積部ＢＦ２が蓄積している基板Ｐの長さは４ｍ以上となる。   In normal times, the first storage unit BF1 stores the substrate P such that the length of the substrate P that can be newly stored is equal to or longer than a predetermined margin length. That is, the first storage unit BF1 shortens the length of the stored substrate P so that the substrate P having a length equal to or longer than the predetermined margin length can be newly stored. For example, when the length of the substrate P that can be accumulated in a state where the first storage unit BF1 is applied with a predetermined tension to the substrate P is 5 m and the predetermined margin length is 4 m, the first accumulation unit BF1 is normally used. Is less than 1 m. In the normal state, the second accumulation unit BF2 accumulates the substrate P so that the accumulated substrate P has a length equal to or longer than a predetermined accumulation length. For example, when the length of the substrate P that can be accumulated in a state where the second storage unit BF2 has a predetermined tension applied to the substrate P is 5 m and the predetermined accumulation length is 4 m, the second accumulation unit BF2 stores The length of the substrate P is 4 m or more.

パターン形成装置１８の処理装置ＰＲ３は、マスクを用いない直描方式の露光装置、いわゆるラスタースキャン方式の露光装置であり、第１蓄積部ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から供給された基板Ｐに対して、ディスプレイ用の回路や配線等のパターンを露光することで、パターンを形成する。このディスプレイ用の回路や配線等のパターンとしては、ディスプレイを構成するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート電極とそれに付随する配線等のパターンまたはＴＦＴのソース電極およびドレイン電極とそれに付随する配線等のパターン等が挙げられる。処理装置ＰＲ３は、基板ＰをＸ方向に搬送しながら、露光用のレーザ光ＬＢのスポット光ＳＰを基板Ｐ上で所定の走査方向（Ｙ方向）に１次元走査しつつ、スポット光ＳＰの強度をパターンデータ（描画データ）に応じて高速に変調（オン／オフ）することによって、基板Ｐの表面（感光面）にパターンを描画露光する。つまり、基板Ｐの＋Ｘ方向への搬送（副走査）と、スポット光ＳＰの主走査方向への走査とで、スポット光ＳＰが基板Ｐ上で相対的に２次元走査されて、基板Ｐに所定のパターンが描画露光される。このパターンデータは、上位制御装置１６の記録媒体に記録されていてもよいし、処理装置ＰＲ３内の記録媒体に記録されていてもよい。   The processing device PR3 of the pattern forming device 18 is a direct-drawing type exposure device that does not use a mask, that is, a so-called raster-scanning type exposure device. The processing device PR3 performs processing on the substrate P supplied from the processing device PR2 via the first storage unit BF1. Then, a pattern such as a display circuit or a wiring is exposed to form a pattern. As a pattern of a circuit or a wiring for the display, a pattern such as a gate electrode of a TFT (thin film transistor) constituting the display and a wiring associated therewith, or a pattern of a source electrode and a drain electrode of the TFT and a wiring associated therewith, or the like is used. No. The processing apparatus PR3 performs one-dimensional scanning of the spot light SP of the laser beam LB for exposure on the substrate P in a predetermined scanning direction (Y direction) while transporting the substrate P in the X direction, and the intensity of the spot light SP. Is modulated (on / off) at a high speed in accordance with pattern data (drawing data), thereby drawing and exposing a pattern on the surface (photosensitive surface) of the substrate P. In other words, the spot light SP is relatively two-dimensionally scanned on the substrate P by transport (sub-scanning) of the substrate P in the + X direction and scanning of the spot light SP in the main scanning direction. Is exposed for drawing. This pattern data may be recorded on a recording medium of the host control device 16 or may be recorded on a recording medium in the processing device PR3.

処理装置ＰＲ３は、搬送部３０、光源装置３２、および、露光ヘッド（パターン形成部）３４を備えている。処理装置ＰＲ３は、温調チャンバＥＣＶ内に格納されている。この温調チャンバＥＣＶは、内部の温度を所定の温度に保つことで、内部において搬送される基板Ｐの温度変化による形状変化を抑制する。温調チャンバＥＣＶは、パッシブまたはアクティブな防振ユニットＳＵ１、ＳＵ２を介して製造工場の設置面Ｅに配置される。この設置面Ｅは、設置土台上の面であってもよく、床であってもよい。なお、処理装置ＰＲ３以外の他の処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ５、基板供給装置１２、および、基板回収装置１４も設置面Ｅに配置されている。   The processing device PR3 includes a transport unit 30, a light source device 32, and an exposure head (pattern forming unit). The processing device PR3 is stored in the temperature control chamber ECV. The temperature control chamber ECV suppresses a shape change due to a temperature change of the substrate P transported inside by keeping the internal temperature at a predetermined temperature. The temperature control chamber ECV is arranged on the installation surface E of the manufacturing factory via the passive or active anti-vibration units SU1 and SU2. The installation surface E may be a surface on the installation base or a floor. In addition, other processing apparatuses PR1, PR2, PR4, PR5 other than the processing apparatus PR3, the substrate supply device 12, and the substrate recovery device 14 are also arranged on the installation surface E.

搬送部３０は、第１蓄積部ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から搬送される基板Ｐを、処理装置ＰＲ４側へ搬送する。搬送部３０は、基板Ｐの搬送方向に沿って上流側（−Ｘ方向側）から順に、エッジポジションコントローラＥＰＣ３、テンション調整ローラＲＴ１、回転ドラム３６、テンション調整ローラＲＴ２、および、エッジポジションコントローラＥＰＣ４を有する。   The transport unit 30 transports the substrate P transported from the processing device PR2 via the first storage unit BF1 to the processing device PR4 side. The transport unit 30 includes an edge position controller EPC3, a tension adjustment roller RT1, a rotating drum 36, a tension adjustment roller RT2, and an edge position controller EPC4 in order from the upstream side (−X direction side) along the transport direction of the substrate P. Have.

エッジポジションコントローラＥＰＣ３は、エッジポジションコントローラＥＰＣ１と同様に、基板Ｐの幅方向の端部（エッジ）が幅方向においてばらつかないように、基板Ｐの幅方向における位置を修正する。例えば、エッジポジションコントローラＥＰＣ３は、回転ドラム３６に搬入する基板Ｐの長尺方向が、回転ドラム３６の回転軸ＡＸの軸方向と直交するように、基板Ｐの幅方向における位置を調整する。エッジポジションコントローラＥＰＣ３は、駆動ローラＲ９、Ｒ１０を有し、駆動ローラＲ９、Ｒ１０は、エッジポジションコントローラＥＰＣ３内の基板Ｐに弛み（あそび）を与えている。駆動ローラＲ９、Ｒ１０は、処理装置ＰＲ２側から搬送された基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Ｐを回転ドラム３６側に向けて搬送する。駆動ローラＲ９は、駆動ローラＲ１０に対して搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）に設けられている。駆動ローラＲ９、Ｒ１０は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。   Similarly to the edge position controller EPC1, the edge position controller EPC3 corrects the position of the substrate P in the width direction so that the edge (edge) in the width direction of the substrate P does not vary in the width direction. For example, the edge position controller EPC3 adjusts the position of the substrate P in the width direction such that the longitudinal direction of the substrate P carried into the rotary drum 36 is orthogonal to the axial direction of the rotation axis AX of the rotary drum 36. The edge position controller EPC3 has drive rollers R9 and R10, and the drive rollers R9 and R10 give slack (play) to the substrate P in the edge position controller EPC3. The drive rollers R9 and R10 rotate while holding the front and back surfaces of the substrate P transported from the processing device PR2 side, and transport the substrate P toward the rotary drum 36. The drive roller R9 is provided on the upstream side (−X direction side) in the transport direction with respect to the drive roller R10. The drive rollers R9 and R10 rotate when a rotation torque is applied from a rotation drive source (not shown).

回転ドラム３６は、基板Ｐ上でパターンが露光される部分をその円周面で支持する。回転ドラム３６は、Ｙ方向に延びる回転軸ＡＸを中心に回転することで、基板Ｐを回転ドラム３６の外周面（円周面）に倣って基板Ｐを＋Ｘ方向に搬送して、エッジポジションコントローラＥＰＣ４側に送る。回転ドラム３６（回転軸ＡＸ）は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。   The rotating drum 36 supports a portion of the substrate P where the pattern is exposed, on its circumferential surface. The rotary drum 36 rotates around a rotation axis AX extending in the Y direction, thereby transporting the substrate P in the + X direction following the outer peripheral surface (circumferential surface) of the rotary drum 36, and the edge position controller. Send to EPC4 side. The rotating drum 36 (rotating shaft AX) rotates by receiving a rotating torque from a rotating drive source (not shown).

エッジポジションコントローラＥＰＣ４は、エッジポジションコントローラＥＰＣ１と同様に、基板Ｐの幅方向の端部（エッジ）が幅方向においてばらつかないように、基板Ｐの幅方向における位置を修正する。エッジポジションコントローラＥＰＣ４は、駆動ローラＲ１１、Ｒ１２を有し、駆動ローラＲ１１、Ｒ１２は、エッジポジションコントローラＥＰＣ４内の基板Ｐに弛み（あそび）を与えている。駆動ローラＲ１１、Ｒ１２は、回転ドラム３６によって搬送された基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Ｐを処理装置ＰＲ４側へ向けて搬送する。駆動ローラＲ１１は、駆動ローラＲ１２に対して搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）に設けられている。駆動ローラＲ１１、Ｒ１２は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。テンション調整ローラＲＴ１、ＲＴ２は、−Ｘ方向に付勢されており、回転ドラム３６に巻き付けられて支持されている基板Ｐに、所定のテンションを与えている。   Similarly to the edge position controller EPC1, the edge position controller EPC4 corrects the position of the substrate P in the width direction so that the widthwise edge (edge) of the substrate P does not vary in the width direction. The edge position controller EPC4 has drive rollers R11 and R12, and the drive rollers R11 and R12 give slack (play) to the substrate P in the edge position controller EPC4. The drive rollers R11 and R12 rotate while holding the front and back surfaces of the substrate P transported by the rotating drum 36, and transport the substrate P toward the processing apparatus PR4. The driving roller R11 is provided on the upstream side (−X direction side) in the transport direction with respect to the driving roller R12. The drive rollers R11 and R12 rotate when a rotation torque is applied from a rotation drive source (not shown). The tension adjusting rollers RT1 and RT2 are urged in the −X direction, and apply a predetermined tension to the substrate P wound and supported on the rotating drum 36.

光源装置３２は、レーザ光源を有し、露光に用いられる紫外線のレーザ光（照射光、露光ビーム）ＬＢを照射するものである。このレーザ光ＬＢは、３７０ｎｍ以下の波長帯域にピーク波長を有する紫外線光であってもよい。レーザ光ＬＢは、発振周波数Ｆｓで発光したパルス光であってもよい。光源装置３２が射出したレーザ光ＬＢは、光導入光学系３８に導かれて露光ヘッド３４に入射する。   The light source device 32 has a laser light source and irradiates an ultraviolet laser beam (irradiation light, exposure beam) LB used for exposure. This laser light LB may be ultraviolet light having a peak wavelength in a wavelength band of 370 nm or less. The laser light LB may be pulse light emitted at the oscillation frequency Fs. The laser light LB emitted from the light source device 32 is guided to the light introducing optical system 38 and enters the exposure head 34.

露光ヘッド３４は、光源装置３２からのレーザ光ＬＢがそれぞれ入射する複数の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）を備えている。つまり、光源装置３２からのレーザ光ＬＢは、反射ミラーやビームスプリッタ等を有する光導入光学系３８に導かれて複数の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）に入射する。露光ヘッド３４は、回転ドラム３６の円周面で支持されている基板Ｐの一部分に、複数の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）によって、パターンを描画露光する。露光ヘッド３４は、構成が同一の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）を複数有することで、いわゆるマルチビーム型の露光ヘッド３４となっている。描画ユニットＵ１、Ｕ３、Ｕ５は、回転ドラム３６の回転軸ＡＸに対して基板Ｐの搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）に配置され、描画ユニットＵ２、Ｕ４は、回転ドラム３６の回転軸ＡＸに対して基板Ｐの搬送方向の下流側（＋Ｘ方向側）に配置されている。   The exposure head 34 includes a plurality of drawing units U (U1 to U5) on which the laser light LB from the light source device 32 is incident. That is, the laser beam LB from the light source device 32 is guided to the light introducing optical system 38 having a reflection mirror, a beam splitter, and the like, and enters the plurality of drawing units U (U1 to U5). The exposure head 34 draws and exposes a pattern on a part of the substrate P supported on the circumferential surface of the rotary drum 36 by a plurality of drawing units U (U1 to U5). The exposure head 34 is a so-called multi-beam exposure head 34 having a plurality of drawing units U (U1 to U5) having the same configuration. The drawing units U1, U3, and U5 are arranged on the upstream side (−X direction side) in the transport direction of the substrate P with respect to the rotation axis AX of the rotating drum 36, and the drawing units U2 and U4 are It is arranged downstream of the substrate P in the transport direction of the substrate P (the + X direction side).

各描画ユニットＵは、入射したレーザ光ＬＢを基板Ｐ上で収斂させてスポット光ＳＰにし、且つ、そのスポット光ＳＰを走査ラインＬに沿って走査させる。各描画ユニットＵの走査ラインＬは、図３に示すように、Ｙ方向（基板Ｐの幅方向）に関して互いに分離することなく、繋ぎ合わされるように設定されている。図３では、描画ユニットＵ１の走査ラインＬをＬ１、描画ユニットＵ２の走査ラインＬをＬ２で表している。同様に、描画ユニットＵ３、Ｕ４、Ｕ５の走査ラインＬをＬ３、Ｌ４、Ｌ５で表している。このように、描画ユニットＵ１〜Ｕ５全部で露光領域となるデバイス形成領域Ｗの幅方向の全てをカバーするように、各描画ユニットＵは走査領域を分担している。なお、例えば、１つの描画ユニットＵによるＹ方向の描画幅（走査ラインＬの長さ）を２０〜５０ｍｍ程度とすると、奇数番の描画ユニットＵ１、Ｕ３、Ｕ５の３個と、偶数番の描画ユニットＵ２、Ｕ４の２個との計５個の描画ユニットＵをＹ方向に配置することによって、描画可能なＹ方向の幅を１００〜２５０ｍｍ程度に広げている。   Each drawing unit U converges the incident laser beam LB on the substrate P to form a spot beam SP, and scans the spot beam SP along the scanning line L. As shown in FIG. 3, the scanning lines L of the respective drawing units U are set so as to be connected without being separated from each other in the Y direction (the width direction of the substrate P). In FIG. 3, the scanning line L of the drawing unit U1 is represented by L1, and the scanning line L of the drawing unit U2 is represented by L2. Similarly, the scanning lines L of the drawing units U3, U4, U5 are represented by L3, L4, L5. In this way, each drawing unit U shares a scanning area so that all of the drawing units U1 to U5 cover the entire width of the device forming area W which is an exposure area in the width direction. For example, if the drawing width (the length of the scanning line L) of one drawing unit U in the Y direction is about 20 to 50 mm, three odd numbered drawing units U1, U3, and U5 and even numbered drawing units By arranging a total of five drawing units U, two units U2 and U4, in the Y direction, the width in the Y direction that can be drawn is increased to about 100 to 250 mm.

この描画ユニットＵは、国際公開第２０１３／１４６１８４号パンフレット（図３６参照）に開示されているように公知技術であるが、図４を用いて描画ユニットＵについて簡単に説明する。なお、各描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）は、同一の構成を有することから、描画ユニットＵ２についてのみ説明し、他の描画ユニットＵについては説明を省略する。   This drawing unit U is a known technique as disclosed in International Publication WO 2013/146184 pamphlet (see FIG. 36). The drawing unit U will be briefly described with reference to FIG. Since the drawing units U (U1 to U5) have the same configuration, only the drawing unit U2 will be described, and the description of the other drawing units U will be omitted.

図４に示すように、描画ユニットＵ２は、例えば、集光レンズ５０、描画用光学素子（光変調素子）５２、吸収体５４、コリメートレンズ５６、反射ミラー５８、シリンドリカルレンズ６０、フォーカスレンズ６２、反射ミラー６４、ポリゴンミラー（光走査部材）６６、反射ミラー６８、ｆ−θレンズ７０、および、シリンドリカルレンズ７２を有する。   As shown in FIG. 4, the drawing unit U2 includes, for example, a condenser lens 50, a drawing optical element (light modulation element) 52, an absorber 54, a collimator lens 56, a reflection mirror 58, a cylindrical lens 60, a focus lens 62, It has a reflection mirror 64, a polygon mirror (optical scanning member) 66, a reflection mirror 68, an f-θ lens 70, and a cylindrical lens 72.

描画ユニットＵ２に入射するレーザ光ＬＢは、鉛直方向の上方から下方（−Ｚ方向）に向けて進み、集光レンズ５０を介して描画用光学素子５２に入射する。集光レンズ５０は、描画用光学素子５２に入射するレーザ光ＬＢを描画用光学素子５２内でビームウエストとなるように集光（収斂）させる。描画用光学素子５２は、レーザ光ＬＢに対して透過性を有するものであり、例えば、音響光学素子（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）が用
いられる。 The laser beam LB that enters the drawing unit U <b> 2 travels downward from above in the vertical direction (−Z direction), and enters the drawing optical element 52 via the condenser lens 50. The condenser lens 50 condenses (converges) the laser beam LB incident on the drawing optical element 52 so as to have a beam waist inside the drawing optical element 52. The drawing optical element 52 has transparency to the laser beam LB, and for example, an acousto-optic element (AOM: Acousto-Optic Modulator) is used.

描画用光学素子５２は、上位制御装置１６からの駆動信号（高周波信号）がオフの状態のときは、入射したレーザ光ＬＢを吸収体５４側に透過し、上位制御装置１６からの駆動信号（高周波信号）がオンの状態のときは、入射したレーザ光ＬＢを回折させて反射ミラー５８に向かわせる。吸収体５４は、レーザ光ＬＢの外部への漏れを抑制するためにレーザ光ＬＢを吸収する光トラップである。このように、描画用光学素子５２に印加すべき描画用の駆動信号（超音波の周波数）をパターンデータ（白黒）に応じて高速にオン／オフすることによって、レーザ光ＬＢが反射ミラー５８に向かうか、吸収体５４に向かうかがスイッチングされる。このことは、基板Ｐ上で見ると、感光面に達するレーザ光ＬＢ（スポット光ＳＰ）の強度が、パターンデータに応じて高レベルと低レベル（例えば、ゼロレベル）のいずれかに高速に変調されることを意味する。   When the drive signal (high-frequency signal) from the higher-level control device 16 is off, the drawing optical element 52 transmits the incident laser beam LB to the absorber 54 side, and the drive signal (high-frequency signal) from the higher-level control device 16 When the high-frequency signal is on, the incident laser beam LB is diffracted and directed to the reflection mirror 58. The absorber 54 is an optical trap that absorbs the laser light LB to suppress the leakage of the laser light LB to the outside. As described above, by turning on / off the drawing drive signal (ultrasonic frequency) to be applied to the drawing optical element 52 at high speed in accordance with the pattern data (black and white), the laser beam LB is transmitted to the reflection mirror 58. Switching to the absorber or to the absorber 54 is performed. This means that, when viewed on the substrate P, the intensity of the laser light LB (spot light SP) reaching the photosensitive surface is rapidly modulated to either a high level or a low level (for example, zero level) according to the pattern data. Means to be done.

コリメートレンズ５６は、描画用光学素子５２から反射ミラー５８に向かうレーザ光ＬＢを平行光にする。反射ミラー５８は、入射したレーザ光ＬＢを−Ｘ方向に反射させて、シリンドリカルレンズ６０、フォーカスレンズ６２を介して反射ミラー６４に照射する。反射ミラー６４は、入射したレーザ光ＬＢをポリゴンミラー６６に照射する。ポリゴンミラー（回転多面鏡）６６は、回転することでレーザ光ＬＢの反射角を連続的に変化させて、基板Ｐ上に照射されるレーザ光ＬＢの位置を走査方向（基板Ｐの幅方向）に走査する。ポリゴンミラー６６は、図示しない回転駆動源（例えば、モータや減速機構等）によって一定の速度で回転する。   The collimator lens 56 converts the laser light LB traveling from the drawing optical element 52 to the reflection mirror 58 into parallel light. The reflection mirror 58 reflects the incident laser light LB in the −X direction, and irradiates the reflection mirror 64 via the cylindrical lens 60 and the focus lens 62. The reflection mirror 64 irradiates the incident laser beam LB to the polygon mirror 66. The polygon mirror (rotating polygon mirror) 66 continuously changes the reflection angle of the laser beam LB by rotating, and changes the position of the laser beam LB irradiated on the substrate P in the scanning direction (the width direction of the substrate P). Scan. The polygon mirror 66 is rotated at a constant speed by a rotation drive source (not shown) (for example, a motor or a reduction mechanism).

反射ミラー５８と反射ミラー６４との間に設けられたシリンドリカルレンズ６０は、フォーカスレンズ６２と協働して、前記走査方向と直交する非走査方向（Ｚ方向）に関してレーザ光ＬＢをポリゴンミラー６６の反射面上に集光（収斂）する。このシリンドリカルレンズ６０によって、前記反射面がＺ方向に対して傾いている場合（ＸＹ面の法線と前記反射面との平衡状態からの傾き）があっても、その影響を抑制することができ、基板Ｐ上に照射されるレーザ光ＬＢの照射位置がＸ方向にずれることを抑制する。   A cylindrical lens 60 provided between the reflection mirror 58 and the reflection mirror 64 cooperates with the focus lens 62 to transmit the laser beam LB to the polygon mirror 66 in the non-scanning direction (Z direction) orthogonal to the scanning direction. Light is converged (converged) on the reflecting surface. With this cylindrical lens 60, even if the reflection surface is inclined with respect to the Z direction (inclination from the equilibrium state between the normal line of the XY plane and the reflection surface), the influence can be suppressed. In addition, it is possible to prevent the irradiation position of the laser beam LB irradiated on the substrate P from shifting in the X direction.

ポリゴンミラー６６で反射したレーザ光ＬＢは、反射ミラー６８によって−Ｚ方向に反射され、Ｚ軸と平行な光軸ＡＸｕを有するｆ−θレンズ７０に入射する。このｆ−θレンズ７０は、基板Ｐに投射されるレーザ光ＬＢの主光線が走査中は常に基板Ｐの表面の法線となるようなテレセントリック系の光学系であり、それによって、レーザ光ＬＢをＹ方向に正確に等速度で走査することが可能になる。ｆ−θレンズ７０から照射されたレーザ光ＬＢは、母線がＹ方向と平行となっているシリンドリカルレンズ７２を介して、基板Ｐ上に直径数μｍ程度（例えば、３μｍ）の略円形の微小なスポット光ＳＰとなって照射される。スポット光（走査スポット光）ＳＰは、ポリゴンミラー６６によって、Ｙ方向に延びる走査ラインＬ２に沿って一方向に１次元走査される。   The laser beam LB reflected by the polygon mirror 66 is reflected by the reflection mirror 68 in the −Z direction, and enters the f-θ lens 70 having the optical axis AXu parallel to the Z axis. The f-θ lens 70 is a telecentric optical system in which the principal ray of the laser beam LB projected on the substrate P always becomes a normal to the surface of the substrate P during scanning. Can be accurately scanned at a constant speed in the Y direction. The laser beam LB emitted from the f-θ lens 70 passes through the cylindrical lens 72 whose generating line is parallel to the Y direction, and is formed on the substrate P on the substrate P by a minute circular shape having a diameter of about several μm (for example, 3 μm). Irradiated as spot light SP. The spot light (scanning spot light) SP is one-dimensionally scanned in one direction by a polygon mirror 66 along a scanning line L2 extending in the Y direction.

また、処理装置ＰＲ３は、図２および図３に示すように、基板Ｐ上に形成された被検出体としてのアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出するための３つのアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）が設けられている。このアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）で検出される基板Ｐ上の領域は、回転ドラム３６の円周面で支持されている。このアライメントマーク（マーク）Ｋｓは、基板Ｐ上のデバイス形成領域Ｗに描画されるパターンと基板Ｐとを相対的に位置合わせする（アライメントする）ための基準マークである。つまり、アライメントマークＫｓを検出することで基板Ｐの位置を検出することができる。このアライメントマークＫｓは、基板Ｐの幅方向の両端側に、基板Ｐの長尺方向に沿って一定間隔で形成されているとともに、基板Ｐの長尺方向に沿って並んだデバイス形成領域Ｗとデバイス形成領域Ｗとの間で、且つ、基板Ｐの幅方向中央にも形成されている。なお、露光ヘッド３４は、基板Ｐに対して電子デバイス用のパターン露光を繰り返し行うことから、基板Ｐの長尺方向に沿って所定の間隔Ｌｓ（図７参照）をあけてデバイス形成領域Ｗが複数設けられている。   Further, as shown in FIG. 2 and FIG. 3, the processing apparatus PR3 includes three alignment microscopes AM (AM1 to AM1) for detecting alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) as detection objects formed on the substrate P. AM3) is provided. The area on the substrate P detected by the alignment microscope AM (AM1 to AM3) is supported by the circumferential surface of the rotating drum 36. The alignment mark (mark) Ks is a reference mark for relatively aligning (aligning) the pattern drawn in the device formation region W on the substrate P with the substrate P. That is, the position of the substrate P can be detected by detecting the alignment mark Ks. The alignment marks Ks are formed at both ends in the width direction of the substrate P at regular intervals along the longitudinal direction of the substrate P, and are aligned with the device forming regions W arranged along the longitudinal direction of the substrate P. It is formed between the device formation region W and the center of the substrate P in the width direction. In addition, since the exposure head 34 repeatedly performs the pattern exposure for the electronic device on the substrate P, the device formation region W is formed at a predetermined interval Ls (see FIG. 7) along the longitudinal direction of the substrate P. A plurality is provided.

検出部としてのアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）は、露光ヘッド３４から照射されるスポット光ＳＰよりも基板Ｐの搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）に設けられている。アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）は、検出領域（検出視野）内に存在するアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出する。アライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３は、Ｙ方向に沿って設けられており、アライメント顕微鏡ＡＭ１は、検出領域内に存在する基板Ｐの＋Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ１を検出し、アライメント顕微鏡ＡＭ２は、検出領域内に存在する基板Ｐの−Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ２を検出する。アライメント顕微鏡ＡＭ３は、検出領域内に存在する基板Ｐの幅方向中央に形成されたアライメントマークＫｓ３を検出する。この検出領域の基板Ｐ上の大きさは、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の大きさやアライメント精度（位置計測精度）に応じて設定されるが、１００〜５００μｍ角程度の大きさである。アライメント顕微鏡ＡＭは、アライメント用の照明光を基板Ｐに投影して、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の撮像素子でその反射光を撮像し、アライメントマークＫｓを検出する。検出するアライメントマークＫｓの位置情報は、上位制御装置１６に送られる。なお、アライメント用の照明光は、基板Ｐ上の感光性機能層に対してほとんど感度を持たない波長域の光、例えば、波長５００〜８００ｎｍ程度の光である。   The alignment microscope AM (AM1 to AM3) as a detection unit is provided on the upstream side (−X direction side) in the transport direction of the substrate P with respect to the spot light SP emitted from the exposure head 34. The alignment microscopes AM (AM1 to AM3) detect the alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) existing in the detection area (detection visual field). The alignment microscopes AM1 to AM3 are provided along the Y direction, and the alignment microscope AM1 detects an alignment mark Ks1 formed at an end on the + Y direction side of the substrate P existing in the detection region, and AM2 detects an alignment mark Ks2 formed at the end on the −Y direction side of the substrate P existing in the detection area. The alignment microscope AM3 detects the alignment mark Ks3 formed at the center in the width direction of the substrate P existing in the detection area. The size of the detection area on the substrate P is set according to the size of the alignment mark Ks (Ks1 to Ks3) and the alignment accuracy (position measurement accuracy), and is about 100 to 500 μm square. The alignment microscope AM projects the illumination light for alignment onto the substrate P, captures the reflected light with an image sensor such as a CCD or a CMOS, and detects the alignment mark Ks. Information on the position of the alignment mark Ks to be detected is sent to the host controller 16. Note that the illumination light for alignment is light in a wavelength range having little sensitivity to the photosensitive functional layer on the substrate P, for example, light having a wavelength of about 500 to 800 nm.

ここで、アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）は、一定の周期で検出領域内の基板Ｐを撮像することで、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の検出を行う。つまり、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の検出は一定の周期で行われる。そのため、基板Ｐの搬送速度が速くなる程、アライメントマークＫｓは多く間引かれて検出される。つまり、基板Ｐの搬送速度が速くなる程、検出されるアライメントマークＫｓの数は少なくなり、アライメントマークＫｓの検出精度が低下する。したがって、アライメントマークＫｓの検出精度を高めるためには、基板Ｐを遅く搬送させる必要がある。   Here, the alignment microscopes AM (AM1 to AM3) detect the alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) by imaging the substrate P in the detection area at a constant cycle. That is, the detection of the alignment mark Ks (Ks1 to Ks3) is performed at a constant cycle. Therefore, as the transfer speed of the substrate P increases, the alignment marks Ks are thinned out and detected. That is, as the transport speed of the substrate P increases, the number of the alignment marks Ks to be detected decreases, and the detection accuracy of the alignment marks Ks decreases. Therefore, in order to improve the detection accuracy of the alignment mark Ks, it is necessary to transport the substrate P slowly.

第１の実施の形態のデバイス製造システム１０は、以上のような構成を有するが、パターン形成装置１８内では、基板Ｐを−Ｘ方向にも搬送可能である。基板Ｐを−Ｘ方向に搬送する場合（戻し搬送を行う場合）は、上位制御装置１６は、処理装置ＰＲ３の搬送部３０の駆動ローラＲ９〜Ｒ１２および回転ドラム３６を逆方向に回転させるとともに、第１蓄積部ＢＦ１の駆動ローラＲ６および第２蓄積部ＢＦ２の駆動ローラＲ７も逆方向に回転させる。なお、基板Ｐが＋Ｘ方向に搬送される方向を順方向とし、基板Ｐが順方向とは逆の方向に搬送される方向を逆方向とよぶ。   Although the device manufacturing system 10 according to the first embodiment has the above-described configuration, the substrate P can be transported also in the −X direction in the pattern forming apparatus 18. When the substrate P is transported in the −X direction (when the return transport is performed), the upper-level control device 16 rotates the drive rollers R9 to R12 and the rotary drum 36 of the transport unit 30 of the processing device PR3 in the reverse direction, The driving roller R6 of the first storage unit BF1 and the driving roller R7 of the second storage unit BF2 are also rotated in the opposite directions. The direction in which the substrate P is transported in the + X direction is referred to as a forward direction, and the direction in which the substrate P is transported in a direction opposite to the forward direction is referred to as a reverse direction.

パターン形成装置１８の動作を説明する前に、その前提となる基板Ｐの搬送状態とパターンデータの補正との関係について説明する。搬送部３０のエッジポジションコントローラＥＰＣ１〜ＥＰＣ４によって基板Ｐの幅方向における位置が修正されているが、基板Ｐはフィルム状のシート基板なのでその形状が変形しやすく、回転ドラム３６に搬送される基板Ｐの幅方向の端部の位置が目標位置から許容範囲を超えてずれる場合がある。そのため、回転ドラム３６に搬送される基板Ｐの長尺方向が回転ドラム３６の回転軸ＡＸに対して許容範囲を超えて傾いていたり、基板Ｐが許容範囲を超えて変形（歪み等）する場合があり、実際の基板Ｐの回転ドラム３６への搬送状態が、理想とする基板Ｐの回転ドラム３６への搬送状態とは異なってしまう。その結果、露光ヘッド３４によるパターンの露光を適切に行うことができなくなる。   Before describing the operation of the pattern forming apparatus 18, the relationship between the transfer state of the substrate P and the correction of the pattern data, which is the premise thereof, will be described. The position of the substrate P in the width direction is corrected by the edge position controllers EPC1 to EPC4 of the transport unit 30, but since the substrate P is a film-shaped sheet substrate, its shape is easily deformed. May deviate from the target position beyond the allowable range from the target position in the width direction. Therefore, when the longitudinal direction of the substrate P conveyed to the rotating drum 36 is inclined beyond the allowable range with respect to the rotation axis AX of the rotating drum 36, or when the substrate P is deformed (distortion or the like) beyond the allowable range. Therefore, the actual transfer state of the substrate P to the rotary drum 36 is different from the ideal transfer state of the substrate P to the rotary drum 36. As a result, the exposure of the pattern by the exposure head 34 cannot be performed properly.

そのため、上位制御装置１６は、アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）が検出したアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の位置に基づいて基板Ｐの搬送状態（傾き、変形等）を認識し、露光ヘッド３４がパターンを露光（形成）する位置、領域をその搬送状態に応じて補正することで、パターンの露光精度（形成精度）の低下を防止している。このパターンが露光（形成）される位置、領域の補正は、パターンデータ（描画データ）を補正（描画タイミングの補正も含む）することで対応することができる。つまり、各描画ユニットＵのパターンデータを補正することで、各走査ラインＬ１〜Ｌ５の位置をＹ方向（走査方向）にシフトしたり、各走査ラインＬ１〜Ｌ５の長さ（走査長）を変えたりすることができるので、基板Ｐの変形等に対応させてパターンが形成される位置、領域を補正することができる。   Therefore, the host controller 16 recognizes the transport state (tilt, deformation, etc.) of the substrate P based on the position of the alignment mark Ks (Ks1 to Ks3) detected by the alignment microscope AM (AM1 to AM3). Corrects the position and area where the pattern is exposed (formed) according to the transport state, thereby preventing a decrease in the pattern exposure accuracy (formation accuracy). The position and area where the pattern is exposed (formed) can be corrected by correcting the pattern data (drawing data) (including correcting the drawing timing). That is, by correcting the pattern data of each drawing unit U, the position of each scanning line L1 to L5 is shifted in the Y direction (scanning direction), and the length (scanning length) of each scanning line L1 to L5 is changed. Therefore, the position and area where the pattern is formed can be corrected in accordance with the deformation of the substrate P or the like.

このパターンを形成する位置、領域の補正は、例えば、基板Ｐの下地層（下層）に形成されたパターンと、これから形成するパターンとの重ね合わせ誤差が許容範囲内となるように行われる。また、下地層がない場合、つまり、これから下地層にパターンを形成する場合は、基板Ｐの予め決められたデバイス形成領域Ｗに許容範囲内でパターンを露光することができるように、各描画ユニットＵが露光するパターンの位置、領域を、エッジポジションコントローラＥＰＣ３、ＥＰＣ４のエッジ位置の検出情報に基づいて予測補正する。   The correction of the position and area where the pattern is formed is performed, for example, so that the overlay error between the pattern formed on the underlying layer (lower layer) of the substrate P and the pattern to be formed is within an allowable range. When there is no underlying layer, that is, when a pattern is to be formed on the underlying layer, each drawing unit is exposed so that the pattern can be exposed to a predetermined device forming area W of the substrate P within an allowable range. The position and area of the pattern to be exposed by U are predicted and corrected based on the edge position detection information of the edge position controllers EPC3 and EPC4.

なお、下地層に形成されたパターンの上に、新たなパターンを重ね合わせ露光する際は、アライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３の基板Ｐ上での各検出中心位置から、各描画ライン（Ｌ１〜Ｌ５）によるパターン描画位置までの相対的な位置関係、いわゆる２次元的なベースライン長（キャリブレーション時に予め精密に求められる）の情報も使われる。具体的には、下地層と同時に基板Ｐ上に形成されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の中心位置を各アライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３で検出し、そのアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の中心位置とアライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３の検出中心位置との２次元的なズレ量（ΔＸ、ΔＹ）と、予め求めておいた２次元的なベースライン長とに基づいて、重ね合わせ露光時に生じ得る重ね合せ誤差を正確に計算し、その誤差が許容範囲内に収まるように、基板Ｐの送り量の計測値（回転ドラム３６の回転量を検出するエンコーダの計測値）を基準にして各描画ライン（Ｌ１〜Ｌ５）によるパターン描画のタイミングが補正される。また、下地層に形成されたパターンは、基板Ｐ上の予め決められたデバイス形成領域Ｗに、アライメントマークＫｓとともに形成されていると考えられる。そのため、基板Ｐに形成されている複数のアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の各位置を精密に計測することによって、基板Ｐ上のデバイス形成領域Ｗの位置や形状の変形、すなわち、下地層として形成されたパターンの位置や変形（回転誤差、スキュー誤差、伸縮誤差等の１次誤差成分や、弓形や樽形等の高次誤差成分を含む）を求めることができる。   When a new pattern is superimposed and exposed on the pattern formed on the underlayer, each drawing line (L1 to L5) is used from each detection center position on the substrate P of the alignment microscopes AM1 to AM3. Information on a relative positional relationship to the pattern drawing position, that is, information on a so-called two-dimensional base line length (precisely obtained at the time of calibration) is also used. Specifically, the center positions of the alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) formed on the substrate P simultaneously with the base layer are detected by the alignment microscopes AM1 to AM3, and the center positions of the alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) are detected. Based on the two-dimensional deviation amount (ΔX, ΔY) between the position and the detection center position of the alignment microscopes AM1 to AM3, and the two-dimensional base line length determined in advance, which may occur during the overlay exposure. An error is accurately calculated, and each drawing line (L1) is determined based on the measured value of the feed amount of the substrate P (measured value of the encoder that detects the rotation amount of the rotary drum 36) so that the error falls within an allowable range. L5) is corrected. Further, it is considered that the pattern formed on the underlayer is formed in a predetermined device formation region W on the substrate P together with the alignment mark Ks. Therefore, by precisely measuring the position of each of the plurality of alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) formed on the substrate P, the position and shape of the device formation region W on the substrate P are deformed, that is, as a base layer. The position and deformation (including a primary error component such as a rotation error, a skew error, and an expansion / contraction error, and a higher-order error component such as an arc shape or a barrel shape) of the formed pattern can be obtained.

次に、パターン形成装置１８の動作について説明する。図５は、パターン形成装置１８の動作を示すフローチャート、図６は、図５のフローチャートに示す動作によって搬送される基板Ｐの搬送動作を示すタイムチャート、および、第１蓄積部ＢＦ１、第２蓄積部ＢＦ２によって蓄積される基板Ｐの長さ（蓄積長）を示すタイムチャートである。なお、図５に示す動作においては、パターン形成装置１８以外の各処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ５においては、常に基板Ｐは基準速度Ｖｓで順方向に搬送されているものとする。また、エッジポジションコントローラＥＰＣ１〜ＥＰＣ４によって基板Ｐの幅方向における位置が修正されており、特に説明しない限り、アライメント顕微鏡ＡＭの検出は一定の周期で継続的に行われているものとする。また、図６においては、順方向に進む搬送速度を基準にして正とし、順方向とは逆方向に進む搬送速度を負（−）としている。   Next, the operation of the pattern forming apparatus 18 will be described. 5 is a flowchart showing the operation of the pattern forming apparatus 18, FIG. 6 is a time chart showing the transport operation of the substrate P transported by the operation shown in the flowchart of FIG. 5, and the first storage unit BF1 and the second storage unit 6 is a time chart showing a length (accumulation length) of a substrate P accumulated by a unit BF2. In the operation shown in FIG. 5, it is assumed that in each of the processing apparatuses PR1, PR2, PR4, and PR5 other than the pattern forming apparatus 18, the substrate P is always transported in the forward direction at the reference speed Vs. In addition, the position of the substrate P in the width direction is corrected by the edge position controllers EPC1 to EPC4, and unless otherwise described, it is assumed that the detection of the alignment microscope AM is continuously performed at a constant cycle. In FIG. 6, the transport speed that advances in the forward direction is defined as positive, and the transport speed that advances in the reverse direction is defined as negative (-).

まず、ステップＳ１で、搬送部３０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐを順方向に基準速度Ｖｓで搬送する。基準速度Ｖｓは、アライメント顕微鏡ＡＭがアライメントマークＫｓを間引いて検出する速度であるので、基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬送されている間は、アライメントマークＫｓは間引かれて検出される。なお、基板Ｐの搬送速度が同じ速度であっても、アライメントマークＫｓの基板Ｐの長尺方向に沿った形成位置間隔によって、アライメントマークＫｓが間引かれる数は異なる。例えば、アライメントマークＫｓの長尺方向に沿った形成位置間隔が長い場合は間引かれる数が少なくなり（ゼロも含む）、アライメントマークＫｓの長尺方向に沿った形成位置間隔が短い場合は間引かれる数が多くなる。したがって、この基準速度Ｖｓは、基板Ｐの長尺方向に沿って形成されたアライメントマークＫｓの形成位置間隔に応じて決定される。   First, in step S1, the transport unit 30 transports the substrate P in the forward direction at the reference speed Vs according to the control of the host controller 16. Since the reference speed Vs is a speed at which the alignment microscope AM thins out and detects the alignment marks Ks, the alignment marks Ks are thinned out and detected while the substrate P is being transported at the reference speed Vs. Note that, even when the transport speed of the substrate P is the same, the number of thinned alignment marks Ks differs depending on the interval between the formation positions of the alignment marks Ks along the longitudinal direction of the substrate P. For example, when the interval between the forming positions along the longitudinal direction of the alignment mark Ks is long, the number of thinned-out pixels is reduced (including zero), and when the interval between the forming positions along the longitudinal direction of the alignment mark Ks is short, the interval is short. The number to be drawn increases. Therefore, the reference speed Vs is determined according to the interval between the formation positions of the alignment marks Ks formed along the longitudinal direction of the substrate P.

そして、ステップＳ２で、上位制御装置１６は、間引かれて検出されているアライメントマークＫｓの位置に基づいて基板Ｐ上にパターンを形成する位置を認識し、パターンデータを用いて露光ヘッド３４を制御して基板Ｐ上にパターンを描画露光する。これにより、露光ヘッド３４の各描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）から基板Ｐ上に照射されるスポット光ＳＰが２次元走査され、基板Ｐ上に電子デバイス用のパターンが所定の間隔Ｌｓ（図７参照）をあけて順次形成される。なお、基板Ｐの搬送状態に応じてパターンデータが修正されている場合は、該修正されたパターンデータを用いてパターンを描画露光する。この基板Ｐを基準速度Ｖｓで順方向に搬送するとともに、基板Ｐ上に長尺方向に沿って複数形成されたアライメントマークＫｓを間引いて検出して、パターンを形成する動作（ステップＳ１〜ステップＳ２の動作）は、本発明の態様の第１モードに相当する。   Then, in step S2, the host controller 16 recognizes the position where the pattern is formed on the substrate P based on the position of the alignment mark Ks which has been thinned out and detected, and controls the exposure head 34 using the pattern data. Under the control, a pattern is drawn and exposed on the substrate P. As a result, the spot light SP irradiated onto the substrate P from each of the drawing units U (U1 to U5) of the exposure head 34 is two-dimensionally scanned, and a pattern for an electronic device is formed on the substrate P at a predetermined interval Ls (FIG. 7). (See Reference). If the pattern data has been corrected according to the transport state of the substrate P, the pattern is exposed and drawn using the corrected pattern data. The operation of transporting the substrate P in the forward direction at the reference speed Vs, thinning out and detecting a plurality of alignment marks Ks formed on the substrate P along the longitudinal direction, and forming a pattern (steps S1 to S2) Operation) corresponds to the first mode of the embodiment of the present invention.

搬送部３０が基板Ｐを基準速度Ｖｓで搬送している場合は、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２が蓄積している基板Ｐの長さ（蓄積長）は、それぞれＬｅ０、Ｌｅ１のままである。つまり、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２には、基準速度Ｖｓで基板Ｐが搬入し、基準速度Ｖｓで基板Ｐが搬出しているので、蓄積長は変動しない。なお、蓄積長Ｌｅ１は、蓄積長Ｌｅ０より長く、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２は、少なくとも蓄積長Ｌｅ１以上の長さの基板Ｐを蓄積することができる。したがって、基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬送されている場合は、第１蓄積部ＢＦ１は、所定の余裕長（Ｌｅ１−Ｌｅ０）以上の長さの基板Ｐを新たに蓄積することができる。   When the transport unit 30 is transporting the substrate P at the reference speed Vs, the length (accumulation length) of the substrate P accumulated by the first accumulation unit BF1 and the second accumulation unit BF2 is Le0 and Le1, respectively. Remains. That is, since the substrate P is loaded into the first storage unit BF1 and the second storage unit BF2 at the reference speed Vs and unloaded at the reference speed Vs, the storage length does not change. Note that the accumulation length Le1 is longer than the accumulation length Le0, and the first accumulation unit BF1 and the second accumulation unit BF2 can accumulate the substrate P having at least the accumulation length Le1 or more. Therefore, when the substrate P is being transported at the reference speed Vs, the first storage unit BF1 can newly store the substrate P having a length equal to or longer than the predetermined margin length (Le1-Le0).

次いで、ステップＳ３で、上位制御装置１６は、所定の条件が成立したか否かを判断する。基板Ｐへの露光を初めて行う場合、または、露光によって形成されるパターンの形成精度が許容範囲から外れる場合は、所定の条件が成立したと判断する。基板Ｐへの露光を初めて行う場合は、どのような状態で基板Ｐが回転ドラム３６に搬送されてくるのかわからないからであり、パターンの形成精度が許容範囲から外れる可能性があるからである。パターンの形成精度が許容範囲から外れる場合としては、今まで搬送されてきた基板Ｐの搬送状態（変形、傾き等）の傾向が許容範囲を超えて変わる場合が挙げられる。つまり、今まで搬送されてきた基板Ｐの搬送状態で適正にパターンを形成できるように、パターンデータが補正されていたが、急に、基板Ｐの搬送状態（変形、傾き等）の傾向が許容範囲を超えて変わると、今まで使用してきたパターンデータでは適正に露光を行うことができなくなるからである。上位制御装置１６は、ステップＳ２で検出されたアライメントマークＫｓの位置に基づいて、この基板Ｐの搬送状態の傾向が許容範囲を超えたか否かを判断する。つまり、検出したアライメントマークＫｓの位置が、今まで検出した位置とは許容範囲を超えて大きく変わるような傾向を示す場合は、基板Ｐの搬送状態の傾向が許容範囲を超えて変わったと判断する。   Next, in step S3, the host controller 16 determines whether a predetermined condition has been satisfied. When the exposure of the substrate P is performed for the first time, or when the accuracy of forming a pattern formed by the exposure is out of an allowable range, it is determined that the predetermined condition is satisfied. This is because, when performing exposure on the substrate P for the first time, it is not known in what state the substrate P is conveyed to the rotating drum 36, and the pattern formation accuracy may be out of an allowable range. As a case where the pattern formation accuracy is out of the allowable range, there is a case where the tendency of the transfer state (deformation, inclination, etc.) of the substrate P transferred so far changes beyond the allowable range. In other words, the pattern data has been corrected so that the pattern can be properly formed in the transport state of the substrate P that has been transported up to now, but the tendency of the transport state (deformation, inclination, etc.) of the substrate P is suddenly allowed. This is because, if it changes beyond the range, the pattern data used so far cannot be properly exposed. The host controller 16 determines whether or not the tendency of the transport state of the substrate P exceeds an allowable range based on the position of the alignment mark Ks detected in step S2. That is, when the detected position of the alignment mark Ks shows a tendency to greatly change beyond the allowable range from the position detected so far, it is determined that the tendency of the transport state of the substrate P has changed beyond the allowable range. .

ステップＳ３で、所定の条件が成立していないと判断するとそのままステップＳ３に留まり、所定の条件が成立したと判断すると、ステップＳ４に進む。ステップＳ４に進むと、搬送部３０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、パターンデータの形成精度を許容範囲内に戻すための補正準備動作の一部として、基板Ｐを基準速度Ｖｓより遅い第１速度Ｖ１で順方向に低速搬送させる。つまり、搬送部３０は、基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓから第１速度Ｖ１にまで落として順方向に低速搬送させる。第１速度Ｖ１での搬送は、所定時間行われる。第１速度Ｖ１は、アライメント顕微鏡ＡＭがアライメントマークＫｓを間引くことなく精密に検出することができる速度であるので、基板Ｐが第１速度Ｖ１以下で搬送されている間は、アライメントマークＫｓの検出精度が向上する。この第１速度Ｖ１は、アライメントマークＫｓの長尺方向に沿った形成位置間隔に応じて決定される。なお、第１速度Ｖ１は、アライメントマークＫｓが間引かれて検出される速度であってもよく、要は、第１速度Ｖ１は、基準速度Ｖｓに比べ、多くのアライメントマークＫｓを検出することができる速度であればよい。   If it is determined in step S3 that the predetermined condition is not satisfied, the process remains in step S3. If it is determined that the predetermined condition is satisfied, the process proceeds to step S4. In step S <b> 4, the transport unit 30 moves the substrate P at a speed lower than the reference speed Vs as part of a correction preparation operation for returning the pattern data formation accuracy to within an allowable range under the control of the host controller 16. It is transported at a low speed in the forward direction at one speed V1. That is, the transport unit 30 lowers the transport speed of the substrate P from the reference speed Vs to the first speed V1 and transports the substrate P at a low speed in the forward direction. The transport at the first speed V1 is performed for a predetermined time. Since the first speed V1 is a speed at which the alignment microscope AM can accurately detect the alignment mark Ks without thinning, the alignment mark Ks is detected while the substrate P is transported at the first speed V1 or less. The accuracy is improved. The first speed V1 is determined according to the formation position interval along the long direction of the alignment mark Ks. Note that the first speed V1 may be a speed at which the alignment marks Ks are thinned out and detected. In short, the first speed V1 is to detect more alignment marks Ks than the reference speed Vs. Any speed can be used.

図６に示すように、所定の条件が成立したと判断したタイミングをＴ１とすると、搬送速度は、タイミングＴ１から徐々に減速し始め、タイミングＴ２で搬送速度が第１速度Ｖ１となる。この第１速度Ｖ１での順方向への搬送は、タイミングＴ２から所定時間経過後のタイミングＴ３で終了する。したがって、基板Ｐが第１速度Ｖ１で搬送されているタイミングＴ２〜Ｔ３の期間で、アライメント顕微鏡ＡＭによってアライメントマークＫｓが精密に検出される。このように、アライメントマークＫｓが精密に検出されるので、検出されたアライメントマークＫｓの位置に基づいて、上位制御装置１６は、基板Ｐの搬送状態の変化の傾向（例えば、基板Ｐの回転ドラム３６の回転軸ＡＸに対する傾き、基板Ｐの幅方向における位置、基板Ｐの変形等）を正確、精密に認識することができる。なお、タイミングＴ１〜タイミングＴ２の期間もアライメント顕微鏡ＡＭによってアライメントマークＫｓが検出されているが、基板Ｐの搬送速度が第１速度Ｖ１以下となっていないので、精密にアライメントマークＫｓを検出できない場合、つまり、間引いて検出してしまう場合もある。   As shown in FIG. 6, when the timing at which the predetermined condition is determined to be satisfied is T1, the transport speed starts to gradually decrease from the timing T1, and the transport speed becomes the first speed V1 at the timing T2. The transport in the forward direction at the first speed V1 ends at a timing T3 after a lapse of a predetermined time from the timing T2. Therefore, the alignment mark Ks is accurately detected by the alignment microscope AM during the period of the timing T2 to T3 when the substrate P is transported at the first speed V1. As described above, since the alignment mark Ks is accurately detected, based on the position of the detected alignment mark Ks, the host controller 16 determines the tendency of the change in the transport state of the substrate P (for example, the rotating drum of the substrate P). The tilt of the substrate 36 with respect to the rotation axis AX, the position of the substrate P in the width direction, the deformation of the substrate P, etc.) can be recognized accurately and precisely. Although the alignment mark Ks is detected by the alignment microscope AM during the period from the timing T1 to the timing T2, the alignment mark Ks cannot be accurately detected because the transport speed of the substrate P is not lower than the first speed V1. That is, in some cases, the detection is performed by thinning out.

次いで、ステップＳ５で、上位制御装置１６は、露光ヘッド３４を制御してパターンの描画露光を一時停止させる。つまり、上位制御装置１６は、所定の条件が成立すると、パターンの描画露光を一時停止させる。これにより、露光ヘッド３４の各描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）によるパターンの形成は、タイミングＴ１から一時停止する。   Next, in step S5, the host controller 16 controls the exposure head 34 to temporarily stop the pattern drawing exposure. That is, when a predetermined condition is satisfied, the host controller 16 temporarily stops the pattern exposure. Thus, the pattern formation by each of the drawing units U (U1 to U5) of the exposure head 34 is temporarily stopped from the timing T1.

次いで、ステップＳ６で、上位制御装置１６は、補正準備動作の一部として、アライメント顕微鏡ＡＭによって精密に検出されたアライメントマークＫｓの位置（および２次元的なベースライン長の情報）に基づいて、パターンデータ（描画データ）を補正する。このパターンデータを補正することで、パターンの形成精度を許容範囲内に維持することができる。つまり、パターンデータを高精度に補正するために、ステップＳ４で基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓから第１速度Ｖ１まで低下させて、アライメント顕微鏡ＡＭによるアライメントマークＫｓの位置検出（撮像した画像の画質処理、マークエッジの抽出、マーク中心点の決定等の演算処理を含む）の精度、すなわち、アライメントマークＫｓの計測精度が低下しないようにしている。ステップＳ６では、基板Ｐの第１速度Ｖ１での搬送が終了した時点（タイミングＴ３の時点）で、パターンデータの補正を行ってもよく、基板Ｐが第１速度Ｖ１で搬送されている最中（タイミングＴ２〜タイミングＴ３の期間）に、随時パターンデータを補正していってもよい。   Next, in step S6, as a part of the correction preparation operation, the higher-level control device 16 determines the position of the alignment mark Ks precisely detected by the alignment microscope AM (and information on the two-dimensional baseline length). Correct the pattern data (drawing data). By correcting the pattern data, the pattern formation accuracy can be maintained within an allowable range. That is, in order to correct the pattern data with high accuracy, the transport speed of the substrate P is reduced from the reference speed Vs to the first speed V1 in step S4, and the position of the alignment mark Ks is detected by the alignment microscope AM (the captured image is detected). (Including image quality processing, extraction of mark edges, and calculation processing such as determination of a mark center point), that is, the measurement accuracy of the alignment mark Ks is not reduced. In step S6, when the transfer of the substrate P at the first speed V1 is completed (at the timing T3), the pattern data may be corrected, and the substrate P is being transferred at the first speed V1. The pattern data may be corrected at any time during the period from timing T2 to timing T3.

なお、ステップＳ１においても、基板Ｐの搬送速度を第１速度Ｖ１にすれば、基板Ｐの搬送中に搬送速度を変化させる必要もなくなり、制御も簡単になるが、基板Ｐの搬送速度を第１速度Ｖ１にすると基板Ｐの搬送時間も長くなるので、結果的に電子デバイスの製造時間が長くなってしまい、非効率である。そこで、本第１の実施の形態においては、所定の条件が成立した場合にのみ、搬送速度を基準速度Ｖｓから第１速度Ｖ１まで落とすことで、電子デバイスの製造時間が長くなることを抑制している。なお、所定条件が成立する前は、主に基板Ｐ上にパターンを形成する位置を認識するためにアライメントマークＫｓを検出しているので、そこまでの精密な検出は必要ない。したがって、ステップＳ１では、第１速度Ｖ１より速い基準速度Ｖｓで基板Ｐを搬送している。   In step S1, if the transfer speed of the substrate P is set to the first speed V1, it is not necessary to change the transfer speed during the transfer of the substrate P, and the control is simplified. At one speed V1, the transport time of the substrate P becomes longer, and as a result, the manufacturing time of the electronic device becomes longer, which is inefficient. Therefore, in the first embodiment, the transport speed is reduced from the reference speed Vs to the first speed V1 only when a predetermined condition is satisfied, thereby suppressing an increase in the manufacturing time of the electronic device. ing. Before the predetermined condition is satisfied, since the alignment mark Ks is mainly detected to recognize the position where the pattern is formed on the substrate P, it is not necessary to detect the alignment mark Ks precisely. Therefore, in step S1, the substrate P is transported at the reference speed Vs higher than the first speed V1.

次いで、基板Ｐの第１速度Ｖ１での搬送が終了すると、ステップＳ７で、搬送部３０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐの戻し搬送を行う。つまり、基板Ｐを逆方向に搬送させる。基板Ｐの戻し搬送を行う理由としては、基板Ｐを順方向に低速搬送（第１速度Ｖ１以下で搬送）している最中はパターンの形成が行われず、そのまま基板Ｐが順方向に搬送されてしまうからである。したがって、ステップＳ７では、パターンの形成が行われずにそのまま搬送された基板Ｐに対してパターンを形成するために基板Ｐの戻し搬送を行う。なお、この戻し搬送時においては、アライメント顕微鏡ＡＭによるアライメントマークＫｓの検出を中断してもよい。   Next, when the transfer of the substrate P at the first speed V1 is completed, the transfer unit 30 performs the return transfer of the substrate P according to the control of the host controller 16 in step S7. That is, the substrate P is transported in the reverse direction. The reason for performing the return transport of the substrate P is that no pattern is formed while the substrate P is transported at a low speed in the forward direction (transport at a first speed V1 or less), and the substrate P is transported in the forward direction as it is. It is because. Therefore, in step S7, the substrate P is returned and transported to form a pattern on the substrate P transported as it is without forming a pattern. At the time of this return conveyance, the detection of the alignment mark Ks by the alignment microscope AM may be interrupted.

図６に示すように、第１速度Ｖ１での基板Ｐの順方向への搬送が終了した時点（タイミングＴ３の時点）で、基板Ｐの搬送速度が第１速度Ｖ１から徐々に低下し始め、タイミングＴ５で、基板Ｐの搬送速度が−第３速度Ｖ３となる。タイミングＴ４は、搬送速度が０［ｍ／ｓｅｃ］となるタイミングである。つまり、基板Ｐの順方向への搬送速度がタイミングＴ３から徐々に減速し始めタイミングＴ４で０となり、その後、逆方向に基板Ｐが搬送し始め、その搬送速度が徐々に増加し、タイミングＴ５で基板Ｐの逆方向への搬送速度が第３速度Ｖ３となる。この第３速度Ｖ３での逆方向への搬送（戻し搬送）は、タイミングＴ５から所定時間経過後のタイミングＴ６で終了する。なお、タイミングＴ３〜タイミングＴ５間における基板Ｐの減速度（−方向への加速度）は一定とする。   As shown in FIG. 6, at the time when the forward transfer of the substrate P at the first speed V1 is completed (at the timing T3), the transfer speed of the substrate P starts to gradually decrease from the first speed V1, At the timing T5, the transport speed of the substrate P becomes the third speed V3. Timing T4 is a timing at which the transport speed becomes 0 [m / sec]. That is, the transport speed of the substrate P in the forward direction starts to gradually decrease from the timing T3, becomes 0 at the timing T4, and thereafter, the substrate P starts to be transported in the reverse direction, the transport speed gradually increases, and at the timing T5. The transport speed of the substrate P in the reverse direction becomes the third speed V3. The transport in the reverse direction (return transport) at the third speed V3 ends at timing T6 after a lapse of a predetermined time from timing T5. The deceleration (acceleration in the negative direction) of the substrate P between the timing T3 and the timing T5 is constant.

次いで、第３速度Ｖ３での基板Ｐの戻し搬送が終了すると、ステップＳ８で、搬送部３０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐを基準速度Ｖｓより速い第２速度Ｖ２で高速搬送させる。つまり、基板Ｐの順方向への搬送速度を−第３速度Ｖ３から第２速度Ｖ２まで上げる。第２速度Ｖ２は、基準速度Ｖｓより速い速度なので、アライメントマークＫｓは、アライメント顕微鏡ＡＭによって間引かれて検出される。   Next, when the return transport of the substrate P at the third speed V3 is completed, the transport unit 30 transports the substrate P at a high speed at the second speed V2 higher than the reference speed Vs according to the control of the host controller 16 in step S8. Let it. That is, the transport speed of the substrate P in the forward direction is increased from the third speed V3 to the second speed V2. Since the second speed V2 is higher than the reference speed Vs, the alignment mark Ks is thinned out and detected by the alignment microscope AM.

図６に示すように、第３速度Ｖ３での基板Ｐの戻し搬送が終了した時点（タイミングＴ６の時点）で、基板Ｐの搬送速度が−第３速度Ｖ３から徐々に上昇し始め、タイミングＴ９で、基板Ｐの搬送速度が第２速度Ｖ２となる。タイミングＴ７は、搬送速度が０［ｍ／ｓｅｃ］となるタイミングである。つまり、基板Ｐの逆方向への搬送速度がタイミングＴ６から徐々に減速し始めタイミングＴ７で０となり、その後、順方向に基板Ｐが搬送し始め、その搬送速度が徐々に増加し、タイミングＴ９で基板Ｐの順方向への搬送速度が第２速度Ｖ２となる。タイミングＴ８は、基板Ｐの順方向への搬送速度が基準速度Ｖｓとなるタイミングを示している。なお、本第１の実施の形態では、タイミングＴ３〜タイミングＴ９の期間においては、アライメントマークＫｓの位置情報は必要ないので、アライメント顕微鏡ＡＭによるアライメントマークＫｓの検出を中断し、基板Ｐの順方向への搬送速度が第２速度Ｖ２となった時点で、アライメントマークＫｓの検出を再開している。また、タイミングＴ６〜タイミングＴ９間における基板Ｐの加速度は一定とする。   As shown in FIG. 6, at the time when the return transport of the substrate P at the third speed V3 is completed (at the timing T6), the transport speed of the substrate P starts to gradually increase from the third speed V3, and the timing T9 Thus, the transfer speed of the substrate P becomes the second speed V2. Timing T7 is a timing at which the transport speed becomes 0 [m / sec]. That is, the transport speed of the substrate P in the reverse direction starts to gradually decrease from timing T6, becomes 0 at timing T7, and thereafter, the substrate P starts transporting in the forward direction, the transport speed gradually increases, and at timing T9. The transport speed of the substrate P in the forward direction is the second speed V2. Timing T8 indicates a timing at which the transport speed of the substrate P in the forward direction becomes the reference speed Vs. In the first embodiment, since the position information of the alignment mark Ks is not necessary during the period from the timing T3 to the timing T9, the detection of the alignment mark Ks by the alignment microscope AM is interrupted and the forward direction of the substrate P is When the transfer speed to the second speed V2 becomes the second speed V2, the detection of the alignment mark Ks is restarted. The acceleration of the substrate P between the timing T6 and the timing T9 is constant.

ここで、ステップＳ８で、基板Ｐを基準速度Ｖｓより速い第２速度Ｖ２で順方向に搬送させる理由について説明する。図６に示すように、基板Ｐの搬送速度が基準速度Ｖｓ以下となる期間（タイミングＴ１〜Ｔ８）においては、時間の経過とともに、第１蓄積部ＢＦ１が蓄積する基板Ｐの蓄積長は蓄積長Ｌｅ０から増加し、第２蓄積部ＢＦ２が蓄積する基板Ｐの蓄積長は蓄積長Ｌｅ１から減少する。具体的には、基板Ｐの順方向への低速搬送時（タイミングＴ１〜Ｔ４、タイミングＴ７〜Ｔ８）においては、処理装置ＰＲ２から第１蓄積部ＢＦ１に向かって基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬入するのに対して、第１蓄積部ＢＦ１から処理装置ＰＲ３に向かって基板Ｐを搬出する速度は、基準速度Ｖｓより低くなるので、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長が徐々に増加する。そして、基板Ｐの逆方向への搬送時（タイミングＴ４〜Ｔ７）においては、処理装置ＰＲ２から第１蓄積部ＢＦ１に向かって基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬入するとともに、処理装置ＰＲ３からも基板Ｐが第３速度Ｖ３で第１蓄積部ＢＦ１に搬入するので、低速搬送時に比べ、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長が急激に増加する。第２蓄積部ＢＦ２においては、第１蓄積部ＢＦ１の逆となるので、基板Ｐの低速搬送時においては、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長が徐々に減少し、基板Ｐの逆方向への搬送時おいては、低速搬送時に比べ、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長が急激に減少する。そのため、本第１の実施の形態においては、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長を元の状態（Ｌｅ０、Ｌｅ１）に戻すため、基板Ｐを逆方向に搬送した後は、基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓより速い第２速度Ｖ２で基板Ｐを順方向に高速搬送している。   Here, the reason why the substrate P is transported in the forward direction at the second speed V2 higher than the reference speed Vs in step S8 will be described. As shown in FIG. 6, during the period in which the transport speed of the substrate P is equal to or lower than the reference speed Vs (timing T1 to T8), the accumulation length of the substrate P accumulated by the first accumulation unit BF1 increases with time. The accumulation length of the substrate P accumulated from the second accumulation unit BF2 increases from Le0, and decreases from the accumulation length Le1. Specifically, at the time of low-speed transport of the substrate P in the forward direction (timing T1 to T4, timing T7 to T8), the substrate P is loaded from the processing device PR2 toward the first storage unit BF1 at the reference speed Vs. On the other hand, the speed at which the substrate P is carried out from the first storage unit BF1 toward the processing device PR3 is lower than the reference speed Vs, and the storage length of the first storage unit BF1 gradually increases. When the substrate P is transported in the reverse direction (timing T4 to T7), the substrate P is carried in from the processing device PR2 toward the first storage unit BF1 at the reference speed Vs, and the substrate P is also transferred from the processing device PR3. Is carried into the first storage unit BF1 at the third speed V3, so that the storage length of the first storage unit BF1 increases sharply as compared with the low-speed conveyance. In the second storage unit BF2, the reverse of the first storage unit BF1 is performed. Therefore, when the substrate P is transported at a low speed, the storage length of the second storage unit BF2 gradually decreases, and the substrate P is transported in the reverse direction. At times, the storage length of the second storage unit BF2 is sharply reduced as compared with the low-speed transport. Therefore, in the first embodiment, in order to return the accumulation length of the first accumulation unit BF1 and the second accumulation unit BF2 to the original state (Le0, Le1), after the substrate P is transported in the reverse direction, The substrate P is transported at a high speed in the forward direction at a second speed V2 higher than the reference speed Vs.

したがって、第１蓄積部ＢＦ１は、タイミングＴ８の時点で蓄積している基板Ｐの蓄積長が最も長くなり、タイミングＴ８以後は、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長が徐々に減少する。逆に、第２蓄積部ＢＦ２は、タイミングＴ８の時点で蓄積している基板Ｐの蓄積長が最も短くなり、タイミングＴ８以後は、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長が徐々に増加する。本第１の実施の形態では、タイミングＴ８で、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ１となり、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長がＬｅ０となるように、第１速度Ｖ１、第３速度Ｖ３、タイミングＴ２〜Ｔ８等が予め決められている。   Therefore, the accumulation length of the substrate P accumulated in the first accumulation unit BF1 at the timing T8 becomes the longest, and after the timing T8, the accumulation length of the first accumulation unit BF1 gradually decreases. Conversely, in the second accumulation unit BF2, the accumulation length of the substrate P accumulated at the timing T8 becomes the shortest, and after the timing T8, the accumulation length of the second accumulation unit BF2 gradually increases. In the first embodiment, at timing T8, the first speed V1, the third speed V3, and the third speed V3 are set so that the accumulation length of the first accumulation unit BF1 becomes Le1 and the accumulation length of the second accumulation unit BF2 becomes Le0. Timings T2 to T8 are determined in advance.

基板Ｐが第２速度Ｖ２で搬送し始めると、ステップＳ９で、上位制御装置１６は、露光ヘッド３４を制御して、パターン形成を再開する。つまり、上位制御装置１６は、間引かれて検出されているアライメントマークＫｓの位置に基づいて基板Ｐ上にパターンを形成する位置を認識し、ステップＳ６で補正されたパターンデータを用いて露光ヘッド３４を制御して基板Ｐ上にパターンを描画露光する。このステップＳ９のパターン形成は補正されたパターンデータを用いていることから、ステップＳ９のパターンの形成精度（第２の精度）は、許容範囲内となり、且つ、ステップＳ２のパターン形成の精度（第１の精度）に比べ向上している。   When the substrate P starts to be conveyed at the second speed V2, the host controller 16 controls the exposure head 34 to restart pattern formation in step S9. That is, the host controller 16 recognizes the position where the pattern is formed on the substrate P based on the position of the alignment mark Ks which has been thinned and detected, and uses the pattern data corrected in step S6 to expose the exposure head. 34 is controlled to perform pattern exposure on the substrate P. Since the pattern formation in step S9 uses the corrected pattern data, the pattern formation accuracy (second accuracy) in step S9 falls within an allowable range, and the pattern formation accuracy in step S2 (second accuracy) is set. 1 accuracy).

ステップＳ９における基板Ｐ上のパターンの形成が再開する位置は、ステップＳ５における基板Ｐ上のパターンの形成が一時停止した位置となる。つまり、ステップＳ９における各描画ユニットＵから基板Ｐ上に照射されるスポット光ＳＰの描画開始位置は、ステップＳ５におけるパターンの形成の一時停止によって一時終了した各描画ユニットＵからのスポット光ＳＰの基板Ｐへの照射終了位置（描画終了位置）となる。したがって、各描画ユニットＵからのスポット光ＳＰの基板Ｐへの描画終了位置から、スポット光ＳＰの描画を開始することができ、露光精度が低下することを防止することができる。なお、露光精度を一定に保つためには、基板Ｐの搬送速度が一定の速度で搬送されている必要があるため、基板Ｐの搬送速度が第２速度Ｖ２になるまではパターンの形成は行わない。基板Ｐを基準速度Ｖｓより遅い第１速度Ｖ１で順方向に搬送して、複数のアライメントマークＫｓを精密に検出した後、基板Ｐを逆の方向への戻し搬送を行ってから、その後、基板Ｐを基準速度Ｖｓより速い第２速度Ｖ２で順方向に搬送させて、複数のアライメントマークＫｓを間引いて検出し、パターンを形成する動作（ステップＳ４〜ステップＳ９の動作）は、本発明の態様の第２モードに相当する。この第２モードは、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長Ｌｅ１に対応した基板Ｐの長さに亘って実行される。   The position where the formation of the pattern on the substrate P in step S9 is resumed is the position where the formation of the pattern on the substrate P in step S5 is temporarily stopped. In other words, the drawing start position of the spot light SP emitted from each drawing unit U onto the substrate P in step S9 is determined by the substrate of the spot light SP from each drawing unit U temporarily stopped by the temporary stop of the pattern formation in step S5. This is the irradiation end position (drawing end position) for P. Therefore, drawing of the spot light SP from the drawing end position of the spot light SP from each drawing unit U on the substrate P can be started, and a decrease in exposure accuracy can be prevented. In order to keep the exposure accuracy constant, it is necessary that the substrate P is transported at a constant speed, so that pattern formation is performed until the substrate P transport speed reaches the second speed V2. Absent. The substrate P is transported in the forward direction at a first speed V1 lower than the reference speed Vs, and after the plurality of alignment marks Ks are accurately detected, the substrate P is transported back in the reverse direction. The operation of transporting P in the forward direction at a second speed V2 higher than the reference speed Vs, thinning out and detecting a plurality of alignment marks Ks, and forming a pattern (operations in steps S4 to S9) is an aspect of the present invention. In the second mode. This second mode is executed over the length of the substrate P corresponding to the accumulation length Le1 of the second accumulation unit BF2.

ここで、各描画ユニットＵからのスポット光ＳＰの基板Ｐへの描画終了位置から、スポット光ＳＰの描画を開始するためには、ステップＳ５で基板Ｐ上におけるパターンの形成が一時停止した描画終了位置（スポット光ＳＰの基板Ｐへの照射終了位置）が、タイミングＴ９の時点において、露光ヘッド３４の各描画ユニットＵによってスポット光ＳＰが照射される基板Ｐ上の位置より−Ｘ方向側となる必要がある。つまり、ステップＳ５におけるパターンの形成の一時停止によって一時終了した各描画ユニットＵからのスポット光ＳＰの基板Ｐへの照射終了位置（描画終了位置）が、露光ヘッド３４の各描画ユニットＵによってスポット光ＳＰが照射される基板Ｐ上の位置に到達する前に、基板Ｐの搬送速度が第２速度Ｖ２となっている必要がある。そのために、タイミングＴ４〜Ｔ７の期間に逆方向に搬送される基板Ｐの長さ（戻し長さ）を、タイミングＴ１〜Ｔ４の期間に順方向に搬送された基板Ｐの長さよりも助走長分だけ長くすることで、これを担保している。   Here, in order to start the drawing of the spot light SP from the drawing end position of the spot light SP from each drawing unit U on the substrate P, in order to start drawing the pattern formation on the substrate P is temporarily stopped in step S5. The position (the end position of the irradiation of the substrate P with the spot light SP) is -X direction side from the position on the substrate P where the spot light SP is irradiated by each drawing unit U of the exposure head 34 at the timing T9. There is a need. That is, the irradiation end position (drawing end position) of the spot light SP from each drawing unit U, which has been temporarily stopped by the temporary stop of the pattern formation in step S5, onto the substrate P is determined by each drawing unit U of the exposure head 34. Before the SP reaches the position on the substrate P to be irradiated, the transport speed of the substrate P needs to be the second speed V2. Therefore, the length (return length) of the substrate P transported in the reverse direction during the period of the timings T4 to T7 is longer than the length of the substrate P transported in the forward direction during the period of the timings T1 to T4 by the approach length. This is secured by only making it longer.

その後、ステップＳ１０で、上位制御装置１６は、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長が、予め決められた所定の長さになったか否かを判断する。ステップＳ１０で、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長が所定の長さになっていないと判断すると、所定の長さになるまでステップＳ１０に留まり、所定の長さになったと判断すると、ステップＳ１１に進む。ステップＳ１１に進むと、搬送部３０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐの搬送速度を第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓに戻して基板Ｐを順方向に搬送する。詳しく説明すると、図６に示すように、第１蓄積部ＢＦ１が蓄積している基板Ｐの長さが所定長になったと判断したタイミングＴ１０で、基板Ｐの搬送速度が第２速度Ｖ２から徐々に低下し、タイミングＴ１１で基板Ｐの搬送速度が基準速度Ｖｓとなる。このタイミングＴ１１で、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ０、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長がＬｅ１となるように、基板Ｐの第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓへの減速度等が予め決められている。基板Ｐの搬送速度が基準速度Ｖｓになった以降は、再びステップＳ１に戻り、上記した動作を繰り返す。なお、タイミングＴ１０以降においても、アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）は、アライメントマークＫｓを間引いて検出している。   Thereafter, in step S10, the higher-level control device 16 determines whether or not the accumulation length of the first accumulation unit BF1 has reached a predetermined length. If it is determined in step S10 that the storage length of the first storage unit BF1 is not the predetermined length, the process stays in step S10 until the storage length becomes the predetermined length. If it is determined that the storage length has reached the predetermined length, the process proceeds to step S11. move on. In step S11, the transport unit 30 transports the substrate P in the forward direction by returning the transport speed of the substrate P from the second speed V2 to the reference speed Vs according to the control of the host controller 16. More specifically, as shown in FIG. 6, the transfer speed of the substrate P gradually decreases from the second speed V2 at the timing T10 when it is determined that the length of the substrate P stored in the first storage unit BF1 has become a predetermined length. At timing T11, the transport speed of the substrate P becomes the reference speed Vs. At this timing T11, the deceleration from the second speed V2 of the substrate P to the reference speed Vs is determined in advance so that the accumulation length of the first accumulation unit BF1 is Le0 and the accumulation length of the second accumulation unit BF2 is Le1. Have been. After the transfer speed of the substrate P reaches the reference speed Vs, the process returns to step S1 and repeats the above operation. Note that even after the timing T10, the alignment microscopes AM (AM1 to AM3) thin out and detect the alignment marks Ks.

ここで、第１蓄積部ＢＦ１が蓄積している基板Ｐの長さが所定の長さになったか否かの判断は、タイミングＴ９から所定の時間が経過したか否かによって判断してもよい。タイミングＴ１以前に第１蓄積部ＢＦ１に蓄積されている基板Ｐの長さがＬｅ０であることから、第１〜第３速度Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３や、タイミングＴ２〜Ｔ９との関係から、計算によって予めこの所定の時間を求めることができるからである。また、第１蓄積部ＢＦ１の各ダンサーローラ２０の位置を検出するセンサを設け、該センサが検出した各ダンサーローラ２０の位置に基づいて、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長を求めることで、第１蓄積部ＢＦ１が所定の長さになったか否かを判断してもよい。また、第１蓄積部ＢＦ１に搬入する基板Ｐの速度と、第１蓄積部ＢＦ１から搬出される基板Ｐの速度とを検出するセンサを設け、該センサが検出した速度差に基づいて、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長を算出することで、第１蓄積部ＢＦ１が所定の長さになったか否かを判断してもよい。なお、本第１の実施の形態では、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長が所定の長さとなったかどうかを判断するようにしたが、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長が所定の長さとなったかどうかを判断してもよい。   Here, whether or not the length of the substrate P stored in the first storage unit BF1 has reached a predetermined length may be determined based on whether or not a predetermined time has elapsed from timing T9. . Since the length of the substrate P stored in the first storage unit BF1 before the timing T1 is Le0, it is calculated from the relationship with the first to third speeds V1, V2, V3 and the timings T2 to T9. This is because the predetermined time can be obtained in advance. Further, a sensor for detecting the position of each dancer roller 20 of the first storage unit BF1 is provided, and the accumulation length of the first storage unit BF1 is obtained based on the position of each dancer roller 20 detected by the sensor. It may be determined whether or not one storage unit BF1 has a predetermined length. Further, a sensor for detecting the speed of the substrate P carried into the first storage unit BF1 and the speed of the substrate P carried out from the first storage unit BF1 is provided, and the first speed is determined based on the speed difference detected by the sensor. By calculating the accumulation length of the accumulation unit BF1, it may be determined whether or not the first accumulation unit BF1 has reached a predetermined length. In the first embodiment, it is determined whether the accumulation length of the first accumulation unit BF1 has reached a predetermined length. However, it is determined whether the accumulation length of the second accumulation unit BF2 has reached a predetermined length. You may judge whether.

基板Ｐのパターン形成は、基板Ｐを第２速度Ｖ２で搬送している最中は勿論のこと、第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓに戻った以後も継続して行われることになるが、パターンの形成中に基板Ｐの搬送速度が変動することは、パターン形成の精度の観点からあまり好ましくはない。したがって、露光ヘッド３４によるデバイス形成領域Ｗのパターンの形成が終了して次のデバイス形成領域Ｗへのパターンの形成が開始するまでの期間において、搬送速度を下げることで、基板Ｐの搬送速度を第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓまで段階的に徐々に下げてもよい。また、デバイス形成領域Ｗとデバイス形成領域Ｗとの間隔Ｌｓ（図７参照）が充分に長い場合は、露光ヘッド３４によるデバイス形成領域Ｗのパターンの形成が終了して次のデバイス形成領域Ｗへのパターンの形成が開始するまでの期間において、搬送速度を第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓまで一気に下げてもよい。   The pattern formation of the substrate P is performed not only while the substrate P is being conveyed at the second speed V2 but also after returning to the reference speed Vs from the second speed V2. It is not preferable that the transport speed of the substrate P fluctuates during the formation of the pattern from the viewpoint of the accuracy of pattern formation. Accordingly, the transport speed of the substrate P is reduced by reducing the transport speed in a period from when the pattern formation in the device formation region W by the exposure head 34 is completed to when the pattern formation in the next device formation region W is started. The second speed V2 may be gradually reduced from the second speed V2 to the reference speed Vs. If the distance Ls between the device formation regions W (see FIG. 7) is sufficiently long, the pattern formation of the device formation region W by the exposure head 34 is completed, and the process proceeds to the next device formation region W. During the period before the pattern formation is started, the transport speed may be reduced from the second speed V2 to the reference speed Vs at a stretch.

図７は、図６のタイムチャートに示す動作によって搬送される基板Ｐに対するアライメント顕微鏡ＡＭの相対的な移動方向および移動範囲を示す図である。図７の矢印Ａは、基板Ｐの順方向への低速搬送時（タイミングＴ１〜Ｔ４）における基板Ｐに対するアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）の相対的な移動方向および移動範囲の一例を示している。図７の破線で示されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）は、基板Ｐを第１速度Ｖ１で搬送することによって精密に検出されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の一例を示している。このときは、図７に示すように、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）が間引きされずに検出されていることがわかる。図７の矢印Ｂは、基板Ｐの逆方向への搬送時（タイミングＴ４〜Ｔ７）における基板Ｐに対するアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）の相対的な移動方向および移動範囲を示している。この基板Ｐが順方向とは逆方向に搬送されている場合は、アライメント顕微鏡ＡＭによってアライメントマークＫｓの検出は行われない。図７の矢印Ｃは、戻し搬送後に基板Ｐを順方向に高速搬送したとき（タイミングＴ７以降）における基板Ｐに対するアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）の相対的な移動方向および移動範囲の一例を示している。図７の破線の円で囲まれたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）は、基板Ｐを第２速度Ｖ２で搬送することによって間引かれて（１つ置き間隔で）検出されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の一例を示している。   FIG. 7 is a diagram showing a relative moving direction and a moving range of the alignment microscope AM with respect to the substrate P transported by the operation shown in the time chart of FIG. An arrow A in FIG. 7 indicates an example of a relative moving direction and a moving range of the alignment microscope AM (AM1 to AM3) with respect to the substrate P during the low-speed transport of the substrate P in the forward direction (timing T1 to T4). . The alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) indicated by broken lines in FIG. 7 are examples of the alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) detected precisely by transporting the substrate P at the first speed V1. At this time, as shown in FIG. 7, it can be seen that the alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) are detected without being thinned out. The arrow B in FIG. 7 indicates the relative movement direction and movement range of the alignment microscope AM (AM1 to AM3) with respect to the substrate P when the substrate P is transported in the reverse direction (timing T4 to T7). When the substrate P is transported in the direction opposite to the forward direction, the alignment microscope K does not detect the alignment mark Ks. The arrow C in FIG. 7 shows an example of the relative movement direction and the movement range of the alignment microscope AM (AM1 to AM3) with respect to the substrate P when the substrate P is transported at a high speed in the forward direction after the return transport (after timing T7). ing. The alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) surrounded by the dashed circle in FIG. 7 are thinned out (at every other interval) and detected by transporting the substrate P at the second speed V2. Ks1 to Ks3).

以上のように、上記第１の実施の形態においては、基板Ｐを順方向に第１速度Ｖ１で搬送することで、アライメント顕微鏡ＡＭに複数のアライメントマークＫｓを精密に検出させる。そして、基板Ｐを逆方向に搬送させ、その後、基板Ｐを順方向に第１速度Ｖ１より速い第２速度Ｖ２で搬送させることで、アライメント顕微鏡ＡＭに複数のアライメントマークＫｓを間引いて検出させて、露光ヘッド３４にパターンの形成を行わせる。これにより、基板Ｐに繰り返し形成される電子デバイス用のパターンの形成を、所定のパターニング精度範囲内に保った状態で連続して実施することが可能となり、精度劣化に起因した製造ラインの一時的な停止を回避して、電子デバイスの製造時間の短縮化が図られる。   As described above, in the first embodiment, the plurality of alignment marks Ks are accurately detected by the alignment microscope AM by transporting the substrate P in the forward direction at the first speed V1. Then, the substrate P is transported in the reverse direction, and then the substrate P is transported in the forward direction at the second speed V2 higher than the first speed V1, so that the alignment microscope AM thins out and detects the plurality of alignment marks Ks. Then, the exposure head 34 forms a pattern. Accordingly, it is possible to continuously form a pattern for an electronic device repeatedly formed on the substrate P while maintaining the patterning accuracy within a predetermined patterning accuracy range. By avoiding a short stop, the manufacturing time of the electronic device can be reduced.

［第１の実施の形態の変形例］
上記第１の実施の形態は、以下の変形例も可能である。 [Modification of First Embodiment]
The first embodiment can be modified as follows.

（変形例１）変形例１では、基板Ｐを第１速度Ｖ１で順方向に低速搬送させることによって、アライメント顕微鏡ＡＭがアライメントマークＫｓを精密に検出しているときも（タイミングＴ２〜Ｔ３においても）、露光ヘッド３４によるパターンの形成を行う。タイミングＴ２〜Ｔ３においては、精密に検出されたアライメントマークＫｓの位置に基づいて、パターンデータを逐次修正し、修正されたパターンデータに基づいてパターンを形成する。この場合は、基板Ｐを基準速度Ｖｓで搬送している最中は勿論のこと、基板Ｐの基準速度Ｖｓから第１速度Ｖ１に変動した以後も継続してパターンの形成が行われることになるが、パターンの形成中に基板Ｐの搬送速度が変動することは、パターン形成の精度の観点からあまり好ましくはない。したがって、タイミングＴ１〜Ｔ２の期間においてはパターンの形成を一時停止する。このパターンの形成の一時停止によりパターンを形成することができなかった領域に対しては、基板Ｐを戻し搬送した後、第２速度Ｖ２で順方向に搬送するときに、パターンの形成を行う。この場合であっても、基板Ｐに繰り返し形成される電子デバイス用のパターンの形成を、所定の精度範囲内に保った状態で実施することが可能となり、電子デバイスの製造時間が長くなることを抑制することができる。   (Modification 1) In Modification 1, the substrate P is transported at a low speed in the forward direction at the first speed V1 so that the alignment microscope AM can accurately detect the alignment mark Ks (even at timings T2 to T3). ), A pattern is formed by the exposure head 34. At timings T2 to T3, the pattern data is sequentially corrected based on the position of the precisely detected alignment mark Ks, and a pattern is formed based on the corrected pattern data. In this case, the pattern formation is performed not only while the substrate P is being conveyed at the reference speed Vs, but also after the substrate P is changed from the reference speed Vs to the first speed V1. However, it is not very preferable that the transport speed of the substrate P fluctuates during the pattern formation from the viewpoint of pattern formation accuracy. Therefore, the pattern formation is temporarily stopped during the period between timings T1 and T2. In the area where the pattern cannot be formed due to the temporary stop of the pattern formation, the pattern is formed when the substrate P is returned and transported, and then transported in the forward direction at the second speed V2. Even in this case, it is possible to form a pattern for an electronic device that is repeatedly formed on the substrate P while maintaining the accuracy within a predetermined accuracy range, and it is possible to increase the manufacturing time of the electronic device. Can be suppressed.

（変形例２）変形例２では、基板Ｐが第３速度Ｖ３で順方向とは逆方向に搬送しているときも（タイミングＴ５〜Ｔ６においても）、アライメント顕微鏡ＡＭによるアライメントマークＫｓの検出、および、露光ヘッド３４によるパターンの形成を行うようにしてもよい。この場合であっても、基板Ｐに繰り返し形成される電子デバイス用のパターンの形成を、所定の精度範囲内に保った状態で実施することが可能となり、電子デバイスの製造時間が長くなることを抑制することができる。なお、逆搬送のときも、精密に検出されたアライメントマークＫｓの位置に基づいて修正されたパターンデータを用いてパターンを形成する。   (Modification 2) In Modification 2, even when the substrate P is being transported in the reverse direction to the forward direction at the third speed V3 (even at timings T5 to T6), the detection of the alignment mark Ks by the alignment microscope AM is performed. Alternatively, a pattern may be formed by the exposure head 34. Even in this case, it is possible to form a pattern for an electronic device that is repeatedly formed on the substrate P while maintaining the accuracy within a predetermined accuracy range, and it is possible to increase the manufacturing time of the electronic device. Can be suppressed. In the case of reverse conveyance, a pattern is formed by using the pattern data corrected based on the position of the alignment mark Ks detected precisely.

（変形例３）上記第１の実施の形態では、基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬送しているときは、第１蓄積部ＢＦ１に蓄積されている基板Ｐの長さをＬｅ０とし、第２蓄積部ＢＦ２に蓄積されている基板Ｐの長さをＬｅ１としたが、実際には誤差を生じてしまう可能性もあり得る。したがって、変形例３では、基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬送しているときは、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ０、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長がＬｅ１となるように、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５における基板Ｐの相対的な速度を調整してもよい。例えば、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ０よりも長い場合には、処理装置ＰＲ３〜ＰＲ５の搬送速度を基準速度Ｖｓとし、処理装置ＰＲ１、ＰＲ２の基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓより遅くすることで、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ０となるように調整してもよい。この第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長は、上述したように、ダンサーローラ２０、２２の位置に基づいて算出してもよいし、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２に搬入する基板Ｐの速度と、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２から搬出される基板Ｐの速度とに基づいて算出してもよい。   (Modification 3) In the first embodiment, when the substrate P is being conveyed at the reference speed Vs, the length of the substrate P stored in the first storage unit BF1 is set to Le0, and the second storage The length of the substrate P stored in the portion BF2 is set to Le1, but there is a possibility that an error may actually occur. Therefore, in the third modification, when the substrate P is being transported at the reference speed Vs, each processing device is set such that the accumulation length of the first accumulation unit BF1 is Le0 and the accumulation length of the second accumulation unit BF2 is Le1. The relative speed of the substrate P in PR1 to PR5 may be adjusted. For example, when the accumulation length of the first accumulation unit BF1 is longer than Le0, the transport speed of the processing devices PR3 to PR5 is set to the reference speed Vs, and the transport speed of the substrate P of the processing devices PR1 and PR2 is lower than the reference speed Vs. By doing so, the accumulation length of the first accumulation unit BF1 may be adjusted to be Le0. As described above, the accumulation lengths of the first accumulation unit BF1 and the second accumulation unit BF2 may be calculated based on the positions of the dancer rollers 20, 22, or the first accumulation unit BF1 and the second accumulation unit BF2. May be calculated on the basis of the speed of the substrate P loaded into the first storage unit BF1 and the speed of the substrate P unloaded from the first storage unit BF1 and the second storage unit BF2.

（変形例４）変形例４では、図６のタイミングＴ１〜Ｔ３における基板Ｐの搬送速度を、基準速度Ｖｓとする。タイミングＴ１〜Ｔ３における基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓにした場合は、タイミングＴ１〜タイミングＴ３でアライメント顕微鏡ＡＭによるアライメントマークＫｓの間引き検出が行われるが、この間引き検出によって、基板Ｐの搬送状態の傾向をある程度認識することができ、パターンデータを補正することができるからである。したがって、本変形例４においても、基板Ｐに繰り返し形成される電子デバイス用のパターンの形成を、所定の精度範囲内に保った状態で実施することが可能となり、電子デバイスの製造時間が長くなることを抑制することができる。また、タイミングＴ１〜Ｔ４においても基板Ｐを基準速度Ｖｓにするので、上記第１の実施の形態に比べ、電子デバイスの製造時間を短くすることができる。   (Modification 4) In Modification 4, the transport speed of the substrate P at the timings T1 to T3 in FIG. 6 is set to the reference speed Vs. When the transport speed of the substrate P at the timings T1 to T3 is set to the reference speed Vs, the alignment microscope K performs the thinning detection of the alignment mark Ks at the timings T1 to T3. This is because the pattern data can be corrected to some extent and the pattern data can be corrected. Therefore, also in the fourth modification, it is possible to form a pattern for an electronic device that is repeatedly formed on the substrate P while maintaining the accuracy within a predetermined accuracy range, and the manufacturing time of the electronic device becomes longer. Can be suppressed. Further, since the substrate P is kept at the reference speed Vs also at the timings T1 to T4, the manufacturing time of the electronic device can be shortened as compared with the first embodiment.

（変形例５）変形例５では、基板Ｐの搬送速度と、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２の蓄積可能長との関係について説明する。本変形例５では、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２の最大蓄積可能長をＬｅ１とし、基板Ｐの順方向への搬送速度を全て基準速度Ｖｓとする。つまり、図６のタイミングＴ１〜Ｔ３とタイミングＴ９〜Ｔ１１とにおける基板Ｐの搬送速度は基準速度Ｖｓである。なお、上記第１の実施の形態で述べた通り、所定の条件が成立する前の、第１蓄積部ＢＦ１の基板Ｐの蓄積長はＬｅ０であり、第２蓄積部ＢＦ２の基板Ｐの蓄積長はＬｅ１である。   (Modification 5) In Modification 5, the relationship between the transport speed of the substrate P and the storable length of the first accumulation unit BF1 and the second accumulation unit BF2 will be described. In the fifth modification, the maximum accumulable length of the first accumulation unit BF1 and the second accumulation unit BF2 is set to Le1, and the transport speed of the substrate P in the forward direction is all set to the reference speed Vs. That is, the transport speed of the substrate P at the timing T1 to T3 and the timing T9 to T11 in FIG. 6 is the reference speed Vs. As described in the first embodiment, the accumulation length of the substrate P in the first accumulation unit BF1 before the predetermined condition is satisfied is Le0, and the accumulation length of the substrate P in the second accumulation unit BF2. Is Le1.

したがって、基板Ｐが順方向とは逆方向に搬送される期間ΔＴ（タイミングＴ４〜Ｔ７）中の第１蓄積部ＢＦ１の蓄積条件は、数式（１）で表すことができ、期間ΔＴ中の第２蓄積部ＢＦ２の蓄積条件は、数式（２）で表すことができる。なお、数式（１）、数式（２）においては、基板Ｐの搬送速度が基準速度Ｖｓから第３速度Ｖ３へ、第３速度Ｖ３から基準速度Ｖｓへ徐々に変化することを考慮していない。つまり、タイミングＴ３〜Ｔ４、および、タイミングＴ７〜Ｔ９の基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓとし、タイミングＴ４〜Ｔ５、および、タイミングＴ６〜Ｔ７の搬送速度を第３速度Ｖ３としている。
（Ｌｅ１−Ｌｅ０）−（Ｖｓ＋Ｖ３）ΔＴ＞０ …（１）
Ｌｅ１−（Ｖｓ＋Ｖ３）ΔＴ＞０ …（２） Therefore, the accumulation condition of the first accumulation unit BF1 during the period ΔT (timing T4 to T7) in which the substrate P is transported in the reverse direction to the forward direction can be expressed by Expression (1). The storage condition of the second storage unit BF2 can be expressed by Expression (2). It should be noted that the equations (1) and (2) do not consider that the transport speed of the substrate P gradually changes from the reference speed Vs to the third speed V3 and from the third speed V3 to the reference speed Vs. That is, the transport speed of the substrate P at the timing T3 to T4 and the timing T7 to T9 is the reference speed Vs, and the transport speed at the timing T4 to T5 and the timing T6 to T7 is the third speed V3.
(Le1-Le0)-(Vs + V3) ΔT> 0 (1)
Le1− (Vs + V3) ΔT> 0 (2)

また、デバイス形成領域ＷのＸ方向の長さをＬＤ（図７参照）、デバイス形成領域Ｗの間隔Ｌｓ（図７参照）、基板Ｐを順方向とは逆方向の搬送によって戻したいデバイス形成領域Ｗの数をｎ、助走長をＬｕとすると、基板Ｐが順方向とは逆方向に搬送される基板Ｐの長さＬｒは、数式（３）で表すことができ、ΔＴは、Ｌｒを用いて数式（４）で表すことができる。
Ｌｒ＝Ｌｕ＋ｎ（ＬＤ＋Ｌｓ） …（３）
ΔＴ＝Ｌｒ／Ｖ３ …（４） The length of the device forming region W in the X direction is LD (see FIG. 7), the distance Ls between the device forming regions W (see FIG. 7), and the device forming region where the substrate P is to be returned by transport in the reverse direction to the forward direction. Assuming that the number of W is n and the run length is Lu, the length Lr of the substrate P on which the substrate P is transported in the reverse direction to the forward direction can be expressed by Expression (3), and ΔT uses Lr. And can be expressed by equation (4).
Lr = Lu + n (LD + Ls) (3)
ΔT = Lr / V3 (4)

よって、数式（１）は、数式（３）および数式（４）を用いて、数式（５）で表すことができる。
（Ｌｅ１−Ｌｅ０）−（Ｖｓ／Ｖ３＋１）Ｌｒ＞０
⇒（Ｌｅ１−Ｌｅ０）−（Ｖｓ／Ｖ３＋１）｛Ｌｕ＋ｎ×（ＬＤ＋Ｌｓ）｝＞０ …（５） Therefore, Expression (1) can be expressed by Expression (5) using Expressions (3) and (4).
(Le1-Le0)-(Vs / V3 + 1) Lr> 0
⇒ (Le1-Le0)-(Vs / V3 + 1) {Lu + n * (LD + Ls)}> 0 (5)

また、数式（２）は、数式（３）および数式（４）を用いて、数式（６）で表すことができる。
Ｌｅ１−（Ｖｓ／Ｖ３＋１）Ｌｒ＞０
⇒Ｌｅ１−（Ｖｓ／Ｖ３＋１）｛Ｌｕ＋ｎ×（ＬＤ＋Ｌｓ）｝＞０ …（６） Equation (2) can be expressed by equation (6) using equations (3) and (4).
Le1- (Vs / V3 + 1) Lr> 0
⇒Le1- (Vs / V3 + 1) {Lu + n * (LD + Ls)}> 0 (6)

したがって、数式（５）および数式（６）の関係を満たすように、Ｌｅ１、Ｌｅ０、Ｖｓ、Ｖ３、Ｌｒ（Ｌｕ＋ｎ（ＬＤ＋Ｌｓ））を決定すればよい。   Therefore, Le1, Le0, Vs, V3, and Lr (Lu + n (LD + Ls)) may be determined so as to satisfy the relationship of Expressions (5) and (6).

図８は、戻り搬送時における第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長の増加量を示すグラフである。詳しくは、デバイス形成領域ＷのＸ方向の長さＬＤと、基準速度Ｖｓと第３速度Ｖ３との速度比（Ｖｓ／Ｖ３）とを変えたときの、戻り搬送時における第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長の増加量を示している。なお、図８においては、デバイス形成領域Ｗの間隔Ｌｓを５［ｃｍ］、基板Ｐを順方向とは逆方向の搬送によって戻したいデバイス形成領域Ｗの数ｎを２、助走長Ｌｕを４０［ｃｍ］としている。   FIG. 8 is a graph showing the amount of increase in the accumulation length of the first accumulation unit BF1 during return transport. More specifically, when the length LD in the X direction of the device formation region W and the speed ratio (Vs / V3) between the reference speed Vs and the third speed V3 are changed, the first storage portion BF1 during the return conveyance is changed. This shows the amount of increase in the accumulation length. In FIG. 8, the interval Ls between the device forming regions W is 5 [cm], the number n of the device forming regions W to which the substrate P is to be returned by transport in the reverse direction to the forward direction is 2, and the run length Lu is 40 [cm]. cm].

戻り搬送時には、第１蓄積部ＢＦ１には、処理装置ＰＲ２から基準速度Ｖｓで基板Ｐが搬入され、処理装置ＰＲ３から基板Ｐが第３速度Ｖ３で搬入されるので、図８に示すように、速度比（Ｖｓ／Ｖ３）が高くなるにつれ、戻り搬送時に第１蓄積部ＢＦ１に蓄積される基板Ｐの増加量は大きくなる。また、デバイス形成領域ＷのＸ方向の長さＬＤが長くなるにつれ、戻し搬送によって順方向とは逆方向に搬送される基板Ｐの長さＬｒも長くなるので、長さＬＤが長くなるほど、戻り搬送時に第１蓄積部ＢＦ１に蓄積される基板Ｐの増加量も大きくなる。図８においては、長さＬＤが、２０、４０、６０、８０、１００［ｃｍ］の場合を例にとって比較した。なお、長さＬＤが２０［ｃｍ］の場合は、数式（３）から、長さＬｒは０．９［ｍ］となる。同様に、長さＬＤが、４０、６０、８０、１００［ｃｍ］の場合は、数式（３）から、長さＬｒは、１．３、１．７、２．１、２．５［ｍ］となる。なお、第２蓄積部ＢＦ２においては、第１蓄積部ＢＦ１と逆のことがいえるので、速度比（Ｖｓ／Ｖ３）が高くなるにつれ、戻り搬送時に第２蓄積部ＢＦ２に蓄積される基板Ｐの減少量も大きくなる。また、長さＬＤが長くなるほど、戻り搬送時に第２蓄積部ＢＦ２に蓄積される基板Ｐの減少量も大きくなる。   At the time of return transport, the substrate P is loaded into the first storage unit BF1 from the processing device PR2 at the reference speed Vs, and the substrate P is loaded from the processing device PR3 at the third speed V3, as shown in FIG. As the speed ratio (Vs / V3) increases, the amount of increase in the substrate P stored in the first storage unit BF1 during return transport increases. Further, as the length LD in the X direction of the device formation region W increases, the length Lr of the substrate P transported in the direction opposite to the forward direction by the return transport increases, and therefore the return length increases as the length LD increases. The amount of increase in the substrate P stored in the first storage unit BF1 during transport is also large. In FIG. 8, comparisons are made by taking the case where the length LD is 20, 40, 60, 80, and 100 [cm] as an example. When the length LD is 20 [cm], the length Lr is 0.9 [m] from Expression (3). Similarly, when the length LD is 40, 60, 80, and 100 [cm], the length Lr is 1.3, 1.7, 2.1, and 2.5 [m] from Expression (3). ]. In the second storage unit BF2, since the opposite can be said of the first storage unit BF1, as the speed ratio (Vs / V3) increases, the substrate P stored in the second storage unit BF2 during the return transport is increased. The amount of reduction also increases. Further, as the length LD increases, the amount of reduction of the substrate P stored in the second storage unit BF2 during the return transport increases.

［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態について説明する。図９は、本第２の実施の形態におけるパターン形成装置１８の構成を示す図である。第２の実施の形態においては、パターン形成装置１８は、処理装置ＰＲ３、第１蓄積部ＢＦ１、および、第２蓄積部ＢＦ２を備えるとともに、さらに、アライメント検出装置ＡＭＤを備える。なお、本第２の実施の形態においては、上記第１の実施の形態と同様の構成については、同一の符号を付すとともに、原則として、上記第１の実施の形態と異なる部分についてのみ説明する。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described. FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration of a pattern forming apparatus 18 according to the second embodiment. In the second embodiment, the pattern forming device 18 includes a processing device PR3, a first storage unit BF1, and a second storage unit BF2, and further includes an alignment detection device AMD. In the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and in principle, only the portions different from the first embodiment will be described. .

処理装置ＰＲ３は、第２蓄積部ＢＦ２と処理装置ＰＲ４との間に設けられ、アライメント検出装置ＡＭＤは、第１蓄積部ＢＦ１と第２蓄積部ＢＦ２との間に設けられている。つまり、アライメント検出装置ＡＭＤは、第１蓄積部ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から供給された基板ＰのアライメントマークＫｓ等を検出した後、第２蓄積部ＢＦ２を介して処理装置ＰＲ３に向けて基板Ｐを搬送する。処理装置ＰＲ３は、第２蓄積部ＢＦ２を介してアライメント検出装置ＡＭＤから供給された基板Ｐを順方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、基板Ｐ上にパターンを形成した後、基板Ｐを処理装置ＰＲ４へ向けて搬送する。   The processing device PR3 is provided between the second storage unit BF2 and the processing device PR4, and the alignment detection device AMD is provided between the first storage unit BF1 and the second storage unit BF2. That is, the alignment detection device AMD detects the alignment mark Ks or the like of the substrate P supplied from the processing device PR2 via the first storage unit BF1, and then moves the substrate toward the processing device PR3 via the second storage unit BF2. Carry P. The processing device PR3 forms a pattern on the substrate P while transporting the substrate P supplied from the alignment detection device AMD via the second storage unit BF2 in the forward direction (+ X direction), and then processes the substrate P. Carry to PR4.

アライメント検出装置ＡＭＤは、搬送部８０と、検出部としてのアライメント顕微鏡ＡＭａ、ＡＭｂ、ＡＭｃ、ＡＭｄ、ＡＭｅ（以下、ＡＭａ〜ＡＭｅと略す）とを有する。搬送部８０は、第１蓄積部ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から搬送される基板Ｐを、処理装置ＰＲ３側へ搬送する。搬送部８０は、基板Ｐの順搬送方向に沿って上流側（−Ｘ方向側）から順に、エッジポジションコントローラＥＰＣ５、テンション調整ローラＲＴ３、回転ドラム８２、テンション調整ローラＲＴ４、および、エッジポジションコントローラＥＰＣ６を有する。   The alignment detection device AMD includes a transport unit 80 and alignment microscopes AMa, AMb, AMc, AMd, and AMe (hereinafter, abbreviated as AMa to AMe) as detection units. The transport unit 80 transports the substrate P transported from the processing device PR2 via the first storage unit BF1 to the processing device PR3 side. The transport unit 80 includes an edge position controller EPC5, a tension adjustment roller RT3, a rotating drum 82, a tension adjustment roller RT4, and an edge position controller EPC6 in order from the upstream side (−X direction side) along the forward transport direction of the substrate P. Having.

エッジポジションコントローラＥＰＣ５は、第１蓄積部ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から搬送された基板Ｐを回転ドラム８２へ向けて搬送する。なお、エッジポジションコントローラＥＰＣ５の構成および機能は、処理装置ＰＲ３のエッジポジションコントローラＥＰＣ３と同一なので、その説明を省略する。回転ドラム８２は、処理装置ＰＲ３の回転ドラム３６と同一の構成を有し、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅによって検出される基板Ｐ上の領域を円周面で支持する。回転ドラム８２は、Ｙ方向に延びる回転軸ＡＸ１を中心に回転することで、基板Ｐを回転ドラム８２の外周面（円周面）に倣って基板Ｐを＋Ｘ方向に搬送して、エッジポジションコントローラＥＰＣ６側に送る。回転ドラム８２（回転軸ＡＸ１）は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。エッジポジションコントローラＥＰＣ６は、回転ドラム８２から搬送された基板Ｐを第２蓄積部ＢＦ２に向けて搬送する。なお、エッジポジションコントローラＥＰＣ６の構成および機能は、処理装置ＰＲ３のエッジポジションコントローラＥＰＣ４と同一なので、その説明を省略する。本第２の実施の形態の搬送部８０は、上記第１の実施の形態の搬送部３０と同様に、基板Ｐを順方向（＋Ｘ方向）および逆方向（−Ｘ方向）にも搬送可能である。   The edge position controller EPC5 transports the substrate P transported from the processing device PR2 to the rotating drum 82 via the first storage unit BF1. Note that the configuration and functions of the edge position controller EPC5 are the same as those of the edge position controller EPC3 of the processing device PR3, and thus description thereof is omitted. The rotating drum 82 has the same configuration as the rotating drum 36 of the processing device PR3, and supports a region on the substrate P detected by the alignment microscopes AMa to AMe on a circumferential surface. The rotary drum 82 rotates around a rotation axis AX1 extending in the Y direction, thereby transporting the substrate P in the + X direction following the outer peripheral surface (circumferential surface) of the rotary drum 82, and the edge position controller. Send to EPC6 side. The rotating drum 82 (rotating shaft AX1) rotates by receiving a rotating torque from a rotation driving source (not shown). The edge position controller EPC6 transports the substrate P transported from the rotary drum 82 toward the second storage unit BF2. Note that the configuration and function of the edge position controller EPC6 are the same as those of the edge position controller EPC4 of the processing device PR3, and thus description thereof is omitted. The transport unit 80 of the second embodiment can transport the substrate P in the forward direction (+ X direction) and in the reverse direction (-X direction), similarly to the transport unit 30 of the first embodiment. is there.

基板Ｐの順搬送方向における上流側（−Ｘ方向側）から順に、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅが設けられている。アライメント顕微鏡ＡＭａ（ＡＭａ１〜ＡＭａ３）は、処理装置ＰＲ３のアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）と同一の構成および機能を有し、基板Ｐ上に形成された被検出体としてのアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出する。つまり、アライメント顕微鏡ＡＭａ１は、基板Ｐの＋Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ１を検出し、アライメント顕微鏡ＡＭａ２は、基板Ｐの−Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ２を検出する。アライメント顕微鏡ＡＭａ３は、基板Ｐの幅方向中央に形成されたアライメントマークＫｓ３を検出する。なお、アライメント顕微鏡ＡＭａの回転ドラム８２に対する設置位置は、処理装置ＰＲ３のアライメント顕微鏡ＡＭの回転ドラム３６に対する設置位置と同じ位置である。   The alignment microscopes AMa to AMe are provided in order from the upstream side (−X direction side) in the forward transport direction of the substrate P. The alignment microscope AMa (AMa1 to AMa3) has the same configuration and function as the alignment microscope AM (AM1 to AM3) of the processing device PR3, and has an alignment mark Ks (Ks1 to Ks1) formed on the substrate P as an object to be detected. Ks3) is detected. That is, the alignment microscope AMa1 detects the alignment mark Ks1 formed at the + Y direction end of the substrate P, and the alignment microscope AMa2 detects the alignment mark Ks2 formed at the −Y direction end of the substrate P. To detect. The alignment microscope AMa3 detects an alignment mark Ks3 formed at the center in the width direction of the substrate P. The installation position of the alignment microscope AMa with respect to the rotating drum 82 is the same as the installation position of the alignment microscope AM of the processing device PR3 with respect to the rotating drum 36.

アライメント顕微鏡ＡＭｂ〜ＡＭｅは、基板Ｐ上に形成されているパターンのうち、特定の形状を有する被検出体を検出する。この被検出体としては、例えば、ディスプレイを構成するＴＦＴ、または、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極等の金属性配線部が挙げられる。ＴＦＴやＴＦＴのソース電極およびドレイン電極は、デバイス形成領域Ｗ内に無数にマトリクス状に形成されている。そのため、各アライメント顕微鏡ＡＭｂ〜ＡＭｅは、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）に沿って複数設けられており、この複数のアライメント顕微鏡ＡＭｂ〜ＡＭｅは、互いに異なる領域を検出するように配置されている。このアライメント顕微鏡ＡＭｂ〜ＡＭｅによって、基板Ｐのデバイス形成領域Ｗの搬送状態や形状変形、形成されたＴＦＴ等の配置状態をより精度よく認識することができ、下地層に形成されたパターンと新たにパターンを形成して重ね合わせる際の重ね合わせ誤差をより小さくすることができる。なお、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅは、アライメント顕微鏡ＡＭと同様に、一定の周期で検出領域内の基板Ｐを撮像することで、被検出体の検出を行う。   The alignment microscopes AMb to AMe detect an object to be detected having a specific shape among the patterns formed on the substrate P. As the object to be detected, for example, a TFT constituting a display or a metallic wiring portion such as a source electrode and a drain electrode of the TFT can be cited. The TFTs and the source electrodes and the drain electrodes of the TFTs are formed in an infinite number of matrixes in the device formation region W. Therefore, a plurality of alignment microscopes AMb to AMe are provided along the width direction (Y direction) of the substrate P, and the plurality of alignment microscopes AMb to AMe are arranged so as to detect mutually different regions. . The alignment microscopes AMb to AMe can more accurately recognize the transfer state and shape deformation of the device forming region W of the substrate P, and the arrangement state of the formed TFTs and the like, and can newly recognize the pattern formed on the base layer. It is possible to further reduce the overlay error when forming and overlaying patterns. In addition, the alignment microscopes AMa to AMe perform detection of an object to be detected by imaging the substrate P in the detection region at a fixed cycle, similarly to the alignment microscope AM.

次に、アライメント検出装置ＡＭＤの動作を図１０のフローチャートにしたがって説明するが、搬送部８０による基板Ｐの搬送動作は、上記第１の実施の形態で説明した図６に示す搬送部３０の搬送動作と同一であるので、基板Ｐの搬送動作については詳しく説明しない。また、搬送動作が図６に示すタイムチャートと同一であることから、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長も図６に示すタイムチャートと同一である。なお、図１０のフローチャートに示す動作では、特に説明しないが、エッジポジションコントローラＥＰＣ５、ＥＰＣ６は、基板Ｐの幅方向における位置を調整しているものとし、特に説明しない限り、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅの検出は一定の周期で継続的に行われているものとする。また、本第２の実施の形態においては、アライメント検出装置ＡＭＤ内で基板Ｐの搬送速度や搬送方向は変わるが、第２蓄積部ＢＦ２から処理装置ＰＲ３に搬送される基板Ｐの搬送速度は、基準速度Ｖｓで一定となり、搬送方向が逆方向になることはない。したがって、露光ヘッド３４は、該検出されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の位置に基づいてパターンを継続的に順次形成している。   Next, the operation of the alignment detecting device AMD will be described with reference to the flowchart of FIG. 10. The transport operation of the substrate P by the transport unit 80 is performed by the transport of the transport unit 30 illustrated in FIG. 6 described in the first embodiment. Since the operation is the same as the operation, the transport operation of the substrate P will not be described in detail. Further, since the transport operation is the same as the time chart shown in FIG. 6, the accumulation lengths of the first accumulation unit BF1 and the second accumulation unit BF2 are also the same as the time chart shown in FIG. Although not particularly described in the operation shown in the flowchart of FIG. 10, it is assumed that the edge position controllers EPC5 and EPC6 adjust the position of the substrate P in the width direction, and unless otherwise described, the alignment microscopes AMa to AMe are not described. It is assumed that the detection is continuously performed at a constant cycle. In the second embodiment, the transport speed and the transport direction of the substrate P are changed in the alignment detection device AMD, but the transport speed of the substrate P transported from the second storage unit BF2 to the processing device PR3 is: It becomes constant at the reference speed Vs, and the transport direction does not reverse. Therefore, the exposure head 34 continuously forms a pattern continuously based on the positions of the detected alignment marks Ks (Ks1 to Ks3).

ステップＳ２１で、搬送部８０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐを順方向に基準速度Ｖｓで搬送する。基準速度Ｖｓは、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅが被検出体（アライメントマークＫｓやソース電極およびドレイン電極等）を間引いて検出する速度であるので、基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬送されている間は、被検出体は間引かれて検出される。   In step S21, the transport unit 80 transports the substrate P in the forward direction at the reference speed Vs under the control of the host controller 16. The reference speed Vs is a speed at which the alignment microscopes AMa to AMe thin out and detect the detection target (the alignment mark Ks, the source electrode and the drain electrode, and the like). The object to be detected is thinned out and detected.

その後、ステップＳ２２で、上位制御装置１６は、所定の条件が成立したか否かを判断する。上位制御装置１６は、基板Ｐへの露光を初めて行う場合や露光によって形成されるパターンの形成精度が許容範囲から外れる場合は、所定の条件が成立したと判断する。ステップＳ２２で、所定の条件が成立したと判断すると、ステップＳ２３で、搬送部８０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、補正準備動作の一部として基板Ｐを基準速度Ｖｓより遅い第１速度Ｖ１で順方向に低速搬送させる。つまり、搬送部８０は、基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓから第１速度Ｖ１まで落として、基板Ｐを順方向に低速搬送する。第１速度Ｖ１での搬送は、所定時間行われる。   Thereafter, in step S22, the host control device 16 determines whether a predetermined condition has been satisfied. The host controller 16 determines that the predetermined condition is satisfied when the exposure of the substrate P is performed for the first time or when the accuracy of forming the pattern formed by the exposure is out of the allowable range. If it is determined in step S22 that the predetermined condition is satisfied, in step S23, the transport unit 80 moves the substrate P as a part of the correction preparation operation to the first speed lower than the reference speed Vs under the control of the host controller 16. At V1, the sheet is transported at a low speed in the forward direction. That is, the transport unit 80 reduces the transport speed of the substrate P from the reference speed Vs to the first speed V1, and transports the substrate P at a low speed in the forward direction. The transport at the first speed V1 is performed for a predetermined time.

基板Ｐを第１速度Ｖ１で順方向に低速搬送することで、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅによって被検出体が精密に検出され、検出精度が向上する。基板Ｐが第１速度Ｖ１で順方向に搬送されているときのアライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅの検出精度は、基板Ｐが基準速度Ｖｓで順方向に搬送されているときのアライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅの検出精度より高ければよく、全く間引きしないで検出することに限定されない。例えば、ＴＦＴは、配置密度が高いため、全ての被検出体を間引かないで検出するためには、基板Ｐの搬送速度を極めて遅くさせなければならず、非効率であるからである。   By transporting the substrate P at a low speed in the forward direction at the first speed V1, the detection object is accurately detected by the alignment microscopes AMa to AMe, and the detection accuracy is improved. The detection accuracy of the alignment microscopes AMa to AMe when the substrate P is transported in the forward direction at the first speed V1 is the detection accuracy of the alignment microscopes AMa to AMe when the substrate P is transported in the forward direction at the reference speed Vs. It is sufficient if the accuracy is higher than the accuracy, and the detection is not limited to detection without thinning at all. For example, since the TFT has a high arrangement density, the transport speed of the substrate P must be extremely slow in order to detect all the detection objects without thinning out, which is inefficient.

次いで、ステップＳ２４で、上位制御装置１６は、補正準備動作の一部として、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅによって精密に検出された被検出体の位置に基づいて、パターンデータ（描画データ）を補正する。このパターンデータを補正することで、パターンの形成精度を許容範囲内に維持することができる。ステップＳ２４では、基板Ｐの第１速度Ｖ１での搬送が終了した時点で、パターンデータの補正を行ってもよく、基板Ｐが第１速度Ｖ１で搬送されている最中に、随時パターンデータを補正（描画タイミングの補正も含む）していってもよい。なお、搬送状態にある基板Ｐの変形の傾向が許容範囲を超えて変わったと判断される基板Ｐ上の位置が、処理装置ＰＲ３の露光ヘッド３４によってパターンが形成される位置（スポット光ＳＰが照射される位置）まで搬送されると、上位制御装置１６は、この補正したパターンデータを用いて露光ヘッド３４を制御して基板Ｐ上にパターンを形成する。   Next, in step S24, the host controller 16 corrects the pattern data (drawing data) based on the position of the detection target precisely detected by the alignment microscopes AMa to AMe as a part of the correction preparation operation. By correcting the pattern data, the pattern formation accuracy can be maintained within an allowable range. In step S24, when the transfer of the substrate P at the first speed V1 is completed, the pattern data may be corrected. During the transfer of the substrate P at the first speed V1, the pattern data may be corrected at any time. Correction (including correction of drawing timing) may be performed. The position on the substrate P where it is determined that the tendency of deformation of the substrate P in the transport state has changed beyond the allowable range is the position where the pattern is formed by the exposure head 34 of the processing apparatus PR3 (the spot light SP is irradiated. Is transferred to the position P, the host controller 16 controls the exposure head 34 using the corrected pattern data to form a pattern on the substrate P.

そして、基板Ｐの第１速度Ｖ１での搬送が終了すると、ステップＳ２５で、搬送部８０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐの戻し搬送を行う。具体的には、搬送部８０は、基板Ｐを順方向とは逆方向に第３速度Ｖ３で所定時間搬送させる。なお、この戻し搬送時においては、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅによるアライメントマークＫｓの検出を中断してもよい。その後、基板Ｐの戻し搬送が終了すると、ステップＳ２６で、搬送部８０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐを基準速度Ｖｓより速い第２速度Ｖ２で順方向に高速搬送させる。第２速度Ｖ２は、基準速度Ｖｓより速い速度なので、被検出体はアライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅによって間引かれて検出される。   Then, when the transfer of the substrate P at the first speed V1 is completed, the transfer unit 80 performs the return transfer of the substrate P according to the control of the host controller 16 in step S25. Specifically, the transport unit 80 transports the substrate P in the direction opposite to the forward direction at the third speed V3 for a predetermined time. During the return conveyance, the detection of the alignment mark Ks by the alignment microscopes AMa to AMe may be interrupted. Thereafter, when the return transport of the substrate P is completed, the transport unit 80 transports the substrate P at a high speed in the forward direction at a second speed V2 higher than the reference speed Vs under the control of the host controller 16 in step S26. Since the second speed V2 is higher than the reference speed Vs, the object to be detected is thinned out and detected by the alignment microscopes AMa to AMe.

その後、ステップＳ２７で、上位制御装置１６は、第１蓄積部ＢＦ１または第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長が、所定の長さになったか否かを判断する。ステップＳ２７で、第１蓄積部ＢＦ１または第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長が、所定の長さになったと判断すると、ステップＳ２８で、搬送部８０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐの搬送速度を第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓに戻して基板Ｐを順方向に搬送し、ステップＳ２１に戻る。なお、基板Ｐの搬送速度が第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓに変化する間も、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅは、被検出体を間引いて検出している。   Thereafter, in step S27, the higher-level control device 16 determines whether the accumulation length of the first accumulation unit BF1 or the second accumulation unit BF2 has reached a predetermined length. In step S27, when it is determined that the accumulation length of the first accumulation unit BF1 or the second accumulation unit BF2 has reached a predetermined length, the transport unit 80 controls the substrate P in accordance with the control of the host controller 16 in step S28. Is returned from the second speed V2 to the reference speed Vs, the substrate P is transported in the forward direction, and the process returns to step S21. Note that the alignment microscopes AMa to AMe also perform detection while thinning out the detection target while the transfer speed of the substrate P changes from the second speed V2 to the reference speed Vs.

以上のように、第２の実施の形態においては、第１蓄積部ＢＦ１と第２蓄積部ＢＦ２との間に、アライメント検出装置ＡＭＤを設け、処理装置ＰＲ３を第２蓄積部ＢＦ２より＋Ｘ方向側に設けたので、処理装置ＰＲ３の露光ヘッド３４のパターン形成を中断することなく、基板Ｐの搬送状態の変形の傾向を認識することができる。したがって、基板Ｐに繰り返し形成される電子デバイス用のパターンの形成を、所定の精度範囲内に保った状態で実施することが可能となり、精度劣化に起因した製造ラインの一時的な停止による電子デバイスの製造時間の長時間化を抑制することができる。また、パターン形成を中断する必要がないので、パターンの形成精度を向上させることができる。   As described above, in the second embodiment, the alignment detection device AMD is provided between the first storage unit BF1 and the second storage unit BF2, and the processing device PR3 is located on the + X direction side of the second storage unit BF2. Therefore, it is possible to recognize the tendency of the transfer state of the substrate P to change without interrupting the pattern formation of the exposure head 34 of the processing apparatus PR3. Therefore, it is possible to form a pattern for an electronic device that is repeatedly formed on the substrate P while maintaining the accuracy within a predetermined accuracy range, and the electronic device can be temporarily stopped due to a deterioration in accuracy. It is possible to suppress an increase in the manufacturing time of the device. Further, since it is not necessary to interrupt the pattern formation, the accuracy of pattern formation can be improved.

［第２の実施の形態の変形例］
上記第２の実施の形態は、以下の変形例も可能である。 [Modification of Second Embodiment]
The second embodiment can be modified as follows.

（変形例１）上記第２の実施の形態では、ステップＳ２５で、基板Ｐの戻し搬送を行うようにしたが、戻し搬送を行わなくてもよい。つまり、ステップＳ２３での基板Ｐの低速搬送が終了すると、ステップＳ２５の動作を飛ばして、ステップＳ２６に進み、搬送部８０は、基板Ｐを基準速度Ｖｓより速い第２速度Ｖ２で順方向に高速搬送させる。つまり、基板Ｐの第１速度Ｖ１での搬送が所定時間経過すると、基板Ｐの搬送速度を第１速度Ｖ１から第２速度Ｖ２にまで上昇させて、基板Ｐを順方向に高速搬送させる。   (Modification 1) In the second embodiment, the return transport of the substrate P is performed in step S25, but the return transport may not be performed. That is, when the low-speed transport of the substrate P in step S23 ends, the operation in step S25 is skipped, and the process proceeds to step S26, where the transport unit 80 moves the substrate P at a high speed in the forward direction at the second speed V2 higher than the reference speed Vs. To be transported. That is, when the transfer of the substrate P at the first speed V1 elapses for a predetermined time, the transfer speed of the substrate P is increased from the first speed V1 to the second speed V2, and the substrate P is transferred at a high speed in the forward direction.

（変形例２）上記第１の実施の形態の変形例３と同様に、基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬送しているときは、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ０、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長がＬｅ１となるように、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５における基板Ｐの相対的な速度を調整してもよい。例えば、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ０よりも長い場合には、アライメント検出装置ＡＭＤおよび処理装置ＰＲ３〜ＰＲ５の搬送速度を基準速度Ｖｓとし、処理装置ＰＲ１、ＰＲ２の基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓより遅くすることで、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長をＬｅ０なるように調整してもよい。   (Modification 2) Similarly to Modification 3 of the first embodiment, when the substrate P is being transported at the reference speed Vs, the accumulation length of the first accumulation unit BF1 is Le0, and the second accumulation unit BF2. The relative speed of the substrate P in each of the processing devices PR1 to PR5 may be adjusted so that the accumulation length of the substrate P becomes Le1. For example, when the accumulation length of the first accumulation unit BF1 is longer than Le0, the conveyance speed of the alignment detection device AMD and the processing devices PR3 to PR5 is set to the reference speed Vs, and the conveyance speed of the substrate P of the processing devices PR1 and PR2 is set to Vs. By making the speed lower than the reference speed Vs, the accumulation length of the first accumulation unit BF1 may be adjusted to be Le0.

なお、上記第１および第２の実施の形態およびその変形例においては、露光装置である処理装置ＰＲ３を用いてパターンを形成するようにしたが、例えば、処理装置ＰＲ３は、平面マスクや円筒マスクを用いたプロキシミティ方式または投影方式の露光装置であってもよく、さらにはインクを塗布するインクジェット印刷機等であってもよい。要は、処理装置ＰＲ３は、基板Ｐにパターンを位置決めして形成することができるパターニング装置であればよく、パターンが形成された印刷用の版胴を用いるグラビア印刷機、微細な凹凸パターンを型押し方式で形成するインプリント転写機等であってもよい。   In the first and second embodiments and the modifications thereof, the pattern is formed using the processing device PR3, which is an exposure device. May be a proximity type or projection type exposure apparatus using an image forming apparatus, or may be an ink jet printer for applying ink. In short, the processing device PR3 may be any patterning device capable of positioning and forming a pattern on the substrate P. A gravure printing machine using a printing plate cylinder on which the pattern is formed, An imprint transfer machine or the like formed by a pressing method may be used.

［第３の実施の形態］
上記第１、第２の形態による処理装置（露光装置）を用いることで、フレキシブルな表示パネル（例えば、有機ＥＬディスプレイ）、タッチパネル、カラーフィルタ等の種々の電子デバイスを長尺の基板Ｐ上に連続的に製造することができる。本第３の実施の形態では、図１１のフローチャートを用いて、一例として表示パネルに用いられる電子デバイスの一種である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造する製造工程を説明する。なお、図１１では、ボトムゲート（ＢＧ）型のＴＦＴの製造工程と、トップゲート（ＴＧ）型のＴＦＴの製造工程の両方をまとめて表したフローチャートとなっている。 [Third Embodiment]
By using the processing apparatus (exposure apparatus) according to the first and second embodiments, various electronic devices such as a flexible display panel (for example, an organic EL display), a touch panel, and a color filter can be mounted on a long substrate P. It can be manufactured continuously. In the third embodiment, a manufacturing process for manufacturing a thin film transistor (TFT), which is a type of electronic device used for a display panel, will be described as an example with reference to the flowchart in FIG. Note that FIG. 11 is a flowchart showing both the manufacturing process of the bottom gate (BG) type TFT and the manufacturing process of the top gate (TG) type TFT.

まず、前工程のプロセス装置は、表示パネルのベースとなる基板Ｐの表面を、紫外線、大気圧プラズマ、電子線、および、Ｘ線等のいずれかを照射して活性化処理（表面改質）を行う（ステップＳ４０）。そして、プロセス装置（図１中の処理装置ＰＲ１、ＰＲ２等）は、基板Ｐの表面に感光性の機能液を一様に、または、選択的に塗布し、その基板Ｐをガラス転移温度以下の乾燥炉に通して、感光性機能層を成膜する（ステップＳ４１）。感光性機能層としては、上述したように、感光性シランカップリング材、感光性メッキ還元材等があり、工程によって使い分けられる。なお、感光性機能層として一般的なフォトレジスト層を塗布し、露光後の現像によってレジスト層（撥液性）をパターン形状に応じて食刻（エッチング）するフォトリソグラフィ法を利用する場合は、ステップＳ４１でフォトレジストの塗布が行われる。その場合は、フォトレジストの塗布の前に、例えば、ステップＳ４０において、基板Ｐの表面を親液性にしたり、メッキ還元材を塗布したりする工程が必要になる。   First, the process device in the preceding process activates the surface of the substrate P serving as the base of the display panel by irradiating the surface of the substrate P with any one of ultraviolet rays, atmospheric pressure plasma, electron beams, X-rays and the like (surface modification). Is performed (step S40). Then, the process apparatus (the processing apparatuses PR1, PR2, etc. in FIG. 1) uniformly or selectively applies the photosensitive functional liquid to the surface of the substrate P, and the substrate P is heated to a temperature lower than the glass transition temperature. The photosensitive functional layer is formed by passing through a drying oven (step S41). As described above, the photosensitive functional layer includes a photosensitive silane coupling material, a photosensitive plating reducing material, and the like, and is used depending on the process. When using a photolithography method in which a general photoresist layer is applied as a photosensitive functional layer and the resist layer (liquid repellency) is etched (etched) in accordance with the pattern shape by development after exposure, In step S41, a photoresist is applied. In this case, before the application of the photoresist, for example, in step S40, a step of making the surface of the substrate P lyophilic or applying a plating reducing material is required.

感光性機能層が形成された基板Ｐは、露光装置（図２中の処理装置ＰＲ３等）に送られ、ＴＦＴのゲート電極、または、ソース／ドレイン電極と、それに接続される配線（バスライン等）とを含む第１層用のパターン形状に対応した紫外線の光パターンが感光性機能層に露光（描画）される（ステップＳ４２）。ボトムゲート（ＢＧ）型のＴＦＴの場合、第１層用のパターンはゲート電極とそれに接続される配線であり、トップゲート型のＴＦＴの場合、第１層用のパターンはソース／ドレイン電極とそれに接続される配線である。このとき、基板Ｐ上に予め複数のアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）が形成されている場合は、露光装置のアライメント顕微鏡ＡＭによってアライメントマークＫｓの各位置を検出し、その検出結果（位置ずれ情報）に基づいて、露光位置を補正しながらパターン露光が行われる。また、第１層用のパターンの露光時に、基板Ｐ上にアライメントマークＫｓが形成されていない場合は、露光装置が第１層用のパターンを露光（描画）する際に、アライメントマークＫｓとなるマークパターンを第１層用のパターンとともに基板Ｐ上に露光し、アライメントマークＫｓを基板Ｐ上に形成し、第２層用のパターンの形成（露光）時から使うようにしてもよい。   The substrate P on which the photosensitive functional layer is formed is sent to an exposure apparatus (such as the processing apparatus PR3 in FIG. 2), and a gate electrode or a source / drain electrode of a TFT and a wiring (a bus line or the like) connected thereto are provided. ) Is exposed (drawn) to the photosensitive functional layer with an ultraviolet light pattern corresponding to the pattern shape for the first layer (step S42). In the case of a bottom gate (BG) type TFT, the pattern for the first layer is a gate electrode and a wiring connected thereto, and in the case of a top gate type TFT, the pattern for the first layer is a source / drain electrode and This is the wiring to be connected. At this time, when a plurality of alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) are formed in advance on the substrate P, each position of the alignment mark Ks is detected by the alignment microscope AM of the exposure apparatus, and the detection result (position shift information) ), Pattern exposure is performed while correcting the exposure position. If the alignment mark Ks is not formed on the substrate P when exposing the pattern for the first layer, the exposure mark becomes the alignment mark Ks when the exposure apparatus exposes (draws) the pattern for the first layer. The mark pattern may be exposed on the substrate P together with the pattern for the first layer, the alignment mark Ks may be formed on the substrate P, and may be used from the time of forming (exposure) the pattern for the second layer.

このようにして露光装置で露光された基板Ｐは、後工程のプロセス装置に送り出されて次の工程が行われるが、ステップＳ４１で成膜された感光性機能層の種類によって、ステップＳ４４Ａ、Ｓ４５Ａの工程と、ステップＳ４４Ｂ、Ｓ４５Ｂの工程とのいずれかの工程が行われる。感光性機能層としてフォトレジストが使われた場合は、ステップＳ４４ＡまたはステップＳ４４Ｂの前にレジスト層の現像と洗浄の工程が実施される。   The substrate P exposed by the exposure apparatus in this manner is sent to a post-process device, and the next process is performed. Depending on the type of the photosensitive functional layer formed in step S41, steps S44A and S45A are performed. , And one of steps S44B and S45B. When a photoresist is used as the photosensitive functional layer, a step of developing and cleaning the resist layer is performed before step S44A or step S44B.

感光性機能層として親撥液性が改質される感光性シランカップリング材が用いられた場合は、基板Ｐ上の紫外線で露光されたゲート電極とそれに接続される配線とに対応した部分、或いは、ソース／ドレイン電極とそれに接続される配線とに対応した部分が、撥液性から親液性に改質されるため、ステップＳ４４Ａに進む。ステップＳ４４Ａで、プロセス装置は、親液性となった部分（露光された部分）の上に導電性インクを選択塗布（パターニング）することで、パターン（ゲート電極と配線、或いは、ソース／ドレイン電極と配線）を形成する。この導電性インクの選択塗布は、インクジェット方式、グラビア印刷、オフセット印刷等であってよい。また、導電性インクとしては、例えば、銀や銅等の導電性ナノ粒子を含有するインクが用いられている。この導電性インクにより形成された電極および配線のパターン層を第１層と呼ぶ。   When a photosensitive silane coupling material whose lyophobic property is modified is used as the photosensitive functional layer, a portion corresponding to the gate electrode exposed to ultraviolet light on the substrate P and the wiring connected thereto, Alternatively, since the portion corresponding to the source / drain electrodes and the wiring connected thereto is modified from lyophobic to lyophilic, the process proceeds to step S44A. In step S44A, the process device selectively applies (patterns) the conductive ink on the lyophilic portion (exposed portion) to form a pattern (gate electrode and wiring, or source / drain electrode). And wiring). The selective application of the conductive ink may be an inkjet method, gravure printing, offset printing, or the like. As the conductive ink, for example, an ink containing conductive nanoparticles such as silver and copper is used. The electrode and wiring pattern layer formed by the conductive ink is referred to as a first layer.

そして、後工程のプロセス装置は、基板Ｐに選択塗布された導電性インクに含有されるナノ粒子同士の電気的な結合を強固にし、導電性インクの溶剤を除去するために、基板Ｐに対してアニール処理と乾燥処理を行う（ステップＳ４５Ａ）。ナノ粒子同士の電気的な結合を強固にするアニール処理として、ストロボランプからの高輝度なパルス光を基板Ｐに照射する方式を採用してもよい。   Then, the process device in the post-process strengthens the electrical coupling between the nanoparticles contained in the conductive ink selectively applied to the substrate P, and removes the solvent of the conductive ink from the substrate P. Then, an annealing process and a drying process are performed (step S45A). As the annealing treatment for strengthening the electrical coupling between the nanoparticles, a method of irradiating the substrate P with high-intensity pulsed light from a strobe lamp may be employed.

一方、感光性機能層として紫外線を受けた部分にメッキ還元基が露呈する感光性メッキ還元材を用いた場合は、基板Ｐ上の紫外線で露光されたゲート電極とそれに接続された配線とに対応した部分、或いは、ソース／ドレイン電極とそれに接続された配線とに対応した部分、にメッキ還元基が露呈するため、ステップＳ４４Ｂに進む。ステップＳ４４Ｂで、後工程のプロセス装置（図２中の処理装置ＰＲ４等）は、基板Ｐに対して無電解のメッキ処理を行う。具体的には、後工程のプロセス装置は、パラジウムイオン等を含むメッキ液に基板Ｐを一定時間漬けて、電極や配線となるパラジウムによるパターンを、メッキ還元基が露呈した部分（露光された部分）の上に析出させる。   On the other hand, in the case where a photosensitive plating reducing material in which a plating reducing group is exposed in a portion receiving ultraviolet rays is used as the photosensitive functional layer, the photosensitive functional layer corresponds to the gate electrode exposed to ultraviolet rays on the substrate P and the wiring connected thereto. Since the plating-reducing group is exposed at the portion where the plating / reduction is performed or at the portion corresponding to the source / drain electrodes and the wiring connected thereto, the process proceeds to step S44B. In step S44B, the subsequent process device (the processing device PR4 or the like in FIG. 2) performs electroless plating on the substrate P. Specifically, the process device in the post-process immerses the substrate P in a plating solution containing palladium ions or the like for a certain period of time, and changes the pattern made of palladium to be an electrode or a wiring to a portion where the plating reducing group is exposed (an exposed portion). ).

このメッキ処理の工程では、パラジウムによるパターンの層を下地として、その上にさらに他の金属（ＮｉＰ、金、銅等）によるメッキ処理が施される。このパラジウムにより析出された電極および配線のパターン層を第１層と呼ぶ。この第１層には、パラジウムによるパターン層を下地としてさらにメッキ処理が施された場合は、その層も含まれる。そして、後工程のプロセス装置は、メッキ処理が施された基板Ｐに対して純水による洗浄を行い、その後ガラス転移温度以下の乾燥炉に送り、基板Ｐの水分含有率が所定値以下になるまで乾燥させる（ステップＳ４５Ｂ）。   In this plating process, a plating process with another metal (NiP, gold, copper, etc.) is further performed on the palladium pattern layer as a base. The pattern layer of the electrode and the wiring deposited by palladium is called a first layer. This first layer includes the layer when the plating process is further performed using the palladium pattern layer as a base. Then, the post-process process apparatus performs cleaning with pure water on the plated substrate P, and then sends the substrate P to a drying furnace having a glass transition temperature or less, and the moisture content of the substrate P becomes a predetermined value or less. (Step S45B).

また、感光性機能層としてフォトレジストを用いた場合は、現像、洗浄後に、レジスト層中のパターン形状に応じてエッチングされた部分（下地が露呈した部分）に、導電性インクが選択的に塗布されたり（ステップＳ４４Ａ）、または、メッキ層（パラジウム、或いは、その上の金属層）が析出されたり（ステップＳ４４Ｂ）する。   In the case where a photoresist is used as the photosensitive functional layer, after development and washing, a conductive ink is selectively applied to a portion of the resist layer that is etched according to a pattern shape (a portion where a base is exposed). (Step S44A), or a plating layer (palladium or a metal layer thereon) is deposited (Step S44B).

ステップＳ４５ＡまたはステップＳ４５Ｂの工程を経ると、ステップＳ４６において、ボトムゲート（ＢＧ）型ＴＦＴか否かを判断し、ボトムゲート型の場合は、ステップＳ４７Ａに進み、トップゲート型の場合はステップＳ４７Ｂに進む。なお、基板Ｐ上に形成すべき電子デバイスの品種が決まっていると、通常はＴＦＴもボトムゲート型かトップゲート型のいずれか一方に決まっているため、実際の製造ライン中でステップＳ４６を明示的に実行することはないが、ここでは説明上、ステップＳ４６の判断を設けてある。   After the process of step S45A or step S45B, it is determined in step S46 whether or not the gate is a bottom gate (BG) type TFT. In the case of the bottom gate type, the process proceeds to step S47A, and in the case of the top gate type, the process proceeds to step S47B. move on. If the type of the electronic device to be formed on the substrate P is determined, the TFT is usually determined to be either the bottom gate type or the top gate type. However, for the sake of explanation, the determination in step S46 is provided.

ステップＳ４６でボトムゲート型ＴＦＴと判断されると、第２層を形成するか否かを判断する（ステップＳ４７Ａ）。第１層であるパターン層（ここでは、ゲート電極とそれに接続される配線）が形成された直後では、ステップＳ４７Ａで第２層を形成すると判断される。なお、実際の工程では、第１層が形成された後には、自ずと第２層の形成工程が実施されるため、このステップＳ４７Ａの判断工程は不要である。   If it is determined in step S46 that the TFT is a bottom gate type TFT, it is determined whether to form the second layer (step S47A). Immediately after the first pattern layer (here, the gate electrode and the wiring connected thereto) is formed, it is determined in step S47A that the second layer is to be formed. In the actual process, after the formation of the first layer, the formation process of the second layer is naturally performed, so that the determination process of step S47A is unnecessary.

ステップＳ４７Ａで、第２層を形成すると判断されると、後工程のプロセス装置である絶縁層成膜装置が、第１層のパターン（ゲート電極とそれに接続される配線）を基準にして、その上に積層すべきゲート絶縁層の溶液（絶縁性溶液）を選択塗布（パターニング）することで、ゲート絶縁層となるパターンを形成する（ステップＳ４８Ａ）。このゲート絶縁層の成膜工程は、版を使用した印刷方式、インクジェット方式等を用いて絶縁性溶液を選択塗布するため、ステップＳ４８Ａでは、溶液塗布後に基板Ｐをガラス転移温度以下の温度で乾燥させて、溶剤成分を蒸発させて硬化させる処理も行う。ボトムゲート型ＴＦＴの場合、その形成されたゲート絶縁層が第２層となる。なお、ゲート絶縁層を基板Ｐの全面に塗布する場合は、ダイコーターによるスリット塗工、マイクログラビア印刷用のロール版による塗工の他に、絶縁材料となる溶液をミスト化して基板Ｐの表面に噴霧するミストデポジション法、絶縁材料となる溶液をスプレーする方法等も利用できる。   If it is determined in step S47A that the second layer is to be formed, the insulating layer film forming apparatus, which is a post-process process apparatus, sets the pattern of the first layer (gate electrode and wiring connected thereto) as a reference. By selectively applying (patterning) a solution (insulating solution) of a gate insulating layer to be laminated thereon, a pattern to be a gate insulating layer is formed (step S48A). In the step of forming the gate insulating layer, the insulating solution is selectively applied using a printing method using a plate, an ink jet method, or the like. In step S48A, the substrate P is dried at a temperature equal to or lower than the glass transition temperature after the solution application. Then, a process of evaporating and curing the solvent component is also performed. In the case of a bottom gate type TFT, the formed gate insulating layer becomes the second layer. When the gate insulating layer is applied to the entire surface of the substrate P, in addition to slit coating using a die coater and coating using a roll plate for microgravure printing, a solution serving as an insulating material is mist-formed to form a surface of the substrate P. A mist deposition method of spraying a solution, a method of spraying a solution serving as an insulating material, and the like can also be used.

さらに、ゲート絶縁層を基板Ｐ上に選択的に形成するために、先のステップＳ４１、Ｓ４２、Ｓ４４Ａ、Ｓ４５Ａと同様の露光装置を用いた光アシストによるパターニング法を用いてもよい。露光装置を用いたパターニングでは、ＴＦＴのゲート絶縁層の形成位置を正確に設定したり、形成領域を微細化したりすることができるため、高性能なＴＦＴが作れるといった利点がある。   Further, in order to selectively form the gate insulating layer on the substrate P, a patterning method using light assist using an exposure apparatus similar to the above steps S41, S42, S44A, and S45A may be used. Patterning using an exposure apparatus has an advantage that a high-performance TFT can be manufactured because a formation position of a gate insulating layer of a TFT can be accurately set or a formation region can be miniaturized.

ステップＳ４８Ａで第２層である絶縁層のパターンが形成された基板Ｐは、ステップＳ４１と同様のプロセス装置によって第２層を覆うように感光性機能層が基板Ｐの全面に、または選択的に成膜される。そして、ステップＳ４２と同様の露光装置によって、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極とそれに接続される配線とに対応した形状の第３層用のパターンが感光性機能層に露光（描画）される。このとき、第３層用のパターンは、第１層のパターン（ゲート電極と配線）に対して精密にアライメントされる必要がある。そのため、露光装置のアライメント顕微鏡ＡＭ等が検出したアライメントマークＫｓの位置情報に基づいて、露光ヘッドによるパターンの露光位置（描画位置）を基板Ｐ上の第１層のパターンに合わせるように補正して、第３層用のパターンを露光する。これにより、第３層用のパターン（ソース電極およびドレイン電極とそれに付随する配線）を、その下地に形成された第１層のパターン（ゲート電極とそれに付随する配線）に精密に位置合せして形成することができる。   The substrate P on which the pattern of the insulating layer as the second layer is formed in step S48A is coated with the photosensitive functional layer over the entire surface of the substrate P by a process device similar to step S41, or selectively. A film is formed. Then, a pattern for the third layer having a shape corresponding to the source electrode and the drain electrode of the TFT and the wiring connected thereto is exposed (drawn) on the photosensitive functional layer by the same exposure apparatus as in step S42. At this time, the pattern for the third layer needs to be precisely aligned with the pattern (gate electrode and wiring) of the first layer. Therefore, based on the position information of the alignment mark Ks detected by the alignment microscope AM or the like of the exposure apparatus, the exposure position (drawing position) of the pattern by the exposure head is corrected so as to match the pattern of the first layer on the substrate P. Then, the pattern for the third layer is exposed. Thereby, the pattern for the third layer (the source electrode and the drain electrode and the wiring associated therewith) is precisely aligned with the pattern of the first layer (the gate electrode and the wiring associated therewith) formed on the underlying layer. Can be formed.

次いで、感光性機能層として感光性シランカップリング材が用いられた場合は、ステップＳ４４Ａ、Ｓ４５Ａと同様のプロセス装置によって、親液性となった部分（露光された部分）の上に導電性インクが選択塗布されて、パターン（ソース電極およびドレイン電極とそれに付随する配線）が形成され、その後、アニール処理と乾燥処理が施される。一方、感光性機能層として感光性還元材が用いられた場合は、ステップＳ４４Ｂ、Ｓ４５Ｂと同様のプロセス装置によって、メッキ還元基が露呈した部分（露光された部分）の上にパラジウムやＮｉＰ、金（Ａｕ）によるパターン（ソース電極およびドレイン電極とそれに付随する配線）が析出され、その後、乾燥処理が施される。ボトムゲート型ＴＦＴの場合、そのソース電極およびドレイン電極とそれに付随する配線のパターン層が第３層となる。   Next, when a photosensitive silane coupling material is used as the photosensitive functional layer, the conductive ink is applied onto the lyophilic portion (exposed portion) by the same process apparatus as in steps S44A and S45A. Is selectively applied to form a pattern (a source electrode and a drain electrode and wiring associated therewith), and thereafter, an annealing process and a drying process are performed. On the other hand, when a photosensitive reducing material is used as the photosensitive functional layer, palladium, NiP, gold, or the like is placed on the portion where the plating reducing group is exposed (exposed portion) by the same process device as in steps S44B and S45B. A pattern of (Au) (a source electrode and a drain electrode and wiring associated therewith) is deposited, and thereafter, a drying process is performed. In the case of a bottom gate type TFT, the pattern layer of the source electrode and the drain electrode and the wiring associated therewith becomes the third layer.

第３層のパターン形成の際に、感光性機能層としてフォトレジストを用いる場合も、先の説明と同様に、レジスト層中の第３層のパターン形状に応じてエッチングされた部分（下地が露呈した部分）に、導電性インクを選択的に塗布したり（ステップＳ４４Ａ）、または、メッキ層（パラジウム、或いは、その上の金属層）を析出させたり（ステップＳ４４Ｂ）することができる。   When a photoresist is used as the photosensitive functional layer when forming the pattern of the third layer, similarly to the above description, a portion of the resist layer etched according to the pattern shape of the third layer (the base is exposed). (Step S44A), or a plating layer (palladium or a metal layer thereon) can be deposited (step S44B).

次のステップＳ４６においてボトムゲート（ＢＧ）型ＴＦＴと判断されると、ステップＳ４７Ａにおいて、第２層を形成するか否かが判断される。ここでは、第２層も形成済みであるため、ステップＳ４９Ａに進む。ステップＳ４９Ａでは、半導体層形成装置によって、ソース電極とドレイン電極とのチャネル長の間に、ＴＦＴの半導体層となるパターンが形成される。この半導体層の形成は、半導体材料（例えば、有機半導体、酸化物半導体、カーボンナノチューブ等）に適した手法で行われる。この半導体層の形成工程は、一例として、版を用いた印刷方式、インクジェット方式等を用いて半導体材料のインクを選択的に塗布する方法で実施される。   If it is determined in the next step S46 that the TFT is a bottom gate (BG) type TFT, it is determined in step S47A whether or not to form the second layer. Here, since the second layer has also been formed, the process proceeds to step S49A. In step S49A, a pattern to be a semiconductor layer of the TFT is formed between the channel lengths of the source electrode and the drain electrode by the semiconductor layer forming device. The formation of the semiconductor layer is performed by a method suitable for a semiconductor material (for example, an organic semiconductor, an oxide semiconductor, a carbon nanotube, or the like). The step of forming the semiconductor layer is performed by, for example, a method of selectively applying ink of a semiconductor material using a printing method using a plate, an ink jet method, or the like.

その他、ソース電極とドレイン電極との間のチャネル長部分を含む局所領域を親液化し、その局所領域以外を撥液性の高い絶縁性の膜（レジスト層等でもよい）で覆い、チャネル長部分を含む局所領域に、半導体材料を含有した液体のミストを噴霧するミストデポジション法を用いて、半導体層を選択形成してもよい。このように、ステップＳ４９Ａの半導体層形成は湿式処理で行われることから、半導体層形成装置は、塗布または形成された半導体材料の溶液の溶剤除去や半導体結晶の配向のためにアニール処理（例えば、熱アニール、光アニール、電磁波アニール等）を行う機能も備える。このようにして形成された半導体層は、ボトムゲート型ＴＦＴの場合、第４層となる。   In addition, the local region including the channel length portion between the source electrode and the drain electrode is made lyophilic, and the region other than the local region is covered with an insulating film having high lyophobic property (a resist layer or the like may be used). The semiconductor layer may be selectively formed by using a mist deposition method in which a mist of a liquid containing a semiconductor material is sprayed on a local region including the semiconductor material. As described above, since the semiconductor layer formation in step S49A is performed by a wet process, the semiconductor layer forming apparatus performs an annealing process (e.g., for removing the solvent of the solution of the applied or formed semiconductor material or for aligning the semiconductor crystal). Thermal annealing, light annealing, electromagnetic wave annealing, etc.). The semiconductor layer thus formed becomes a fourth layer in the case of a bottom gate type TFT.

以上のようにして、第１層〜第４層のパターンが基板Ｐ上に積層されると、ボトムゲート型ＴＦＴとして機能する画素駆動素子（バックプレーン層）が完成するが、有機ＥＬディスプレイ等では、第４層の上に有機ＥＬの発光層を積層するため、基板Ｐは、次の製造工程（基板Ｐの全面への絶縁膜形成、発光層形成等の工程）に送られる。   As described above, when the patterns of the first to fourth layers are stacked on the substrate P, a pixel driving element (backplane layer) functioning as a bottom gate type TFT is completed. In order to stack the light emitting layer of the organic EL on the fourth layer, the substrate P is sent to the next manufacturing process (the process of forming an insulating film on the entire surface of the substrate P, forming the light emitting layer, and the like).

一方、図１１の製造方法によってトップゲート型ＴＦＴを作る場合、基板Ｐ上に最初に形成される第１層のパターンは、ソース／ドレイン電極とそれに接続される配線類であるが、その第１層形成の工程は、図１１中のステップＳ４０〜Ｓ４２、Ｓ４４Ａ、Ｓ４５Ａの工程、または、ステップＳ４０〜Ｓ４２、Ｓ４４Ｂ、Ｓ４５Ｂの工程と同じである。トップゲート型ＴＦＴの場合、ステップＳ４６の判断により、第２層を形成するか否かを判断するステップＳ４７Ｂに進む。実際の工程では、第１層であるパターン層（ここでは、ソース／ドレイン電極とそれに接続される配線）が形成された直後では、自ずと第２層の形成工程が実施されるため、このステップＳ４７Ｂの判断は不要である。   On the other hand, when a top gate type TFT is manufactured by the manufacturing method of FIG. 11, the pattern of the first layer formed first on the substrate P is the source / drain electrodes and the wirings connected thereto. The layer forming step is the same as the steps S40 to S42, S44A, and S45A in FIG. 11, or the steps S40 to S42, S44B, and S45B. In the case of a top gate type TFT, the process proceeds to step S47B for determining whether to form the second layer based on the determination in step S46. In the actual process, immediately after the first pattern layer (here, the source / drain electrodes and the wiring connected thereto) is formed, the process of forming the second layer is naturally performed. No judgment is necessary.

ステップＳ４７Ｂで、第２層を形成すると判断されると、先のステップＳ４９Ａと同様の半導体層形成装置が、第１層のパターンであるソース電極とドレイン電極とのチャネル長の間に、ＴＦＴの半導体層となるパターンを形成する（ステップＳ４９Ｂ）。先のステップＳ４９Ａで説明したように、この半導体層の形成工程は、一例として、版を用いた印刷方式、インクジェット方式等を用いて半導体材料のインクをチャネル長部分に選択的に塗布する方法で実施される。或いは、ソース電極とドレイン電極との間のチャネル長部分を含む局所領域を親液化し、その局所領域以外を撥液性の高い絶縁性の膜（レジスト層等でもよい）で覆い、チャネル長部分を含む局所領域に、半導体材料を含有した液体のミストを噴霧するミストデポジション法で実施される。ステップＳ４９Ｂの半導体層形成においても、半導体層形成装置は、塗布または形成された半導体材料の溶液の溶剤除去や半導体結晶の配向のためにアニール処理（例えば、熱アニール、光アニール、電磁波アニール等）を行う機能を備える。このようにして形成された半導体層は、トップゲート型ＴＦＴの場合、第２層となる。   If it is determined in step S47B that the second layer is to be formed, the same semiconductor layer forming apparatus as in step S49A performs the TFT of the TFT between the channel length between the source electrode and the drain electrode as the pattern of the first layer. A pattern to be a semiconductor layer is formed (Step S49B). As described in the previous step S49A, this semiconductor layer forming step is, for example, a method of selectively applying ink of a semiconductor material to a channel length portion using a printing method using a plate, an ink jet method, or the like. Will be implemented. Alternatively, the local region including the channel length portion between the source electrode and the drain electrode is made lyophilic, and the region other than the local region is covered with an insulating film having a high lyophobic property (a resist layer or the like may be used). Is carried out by a mist deposition method in which a mist of a liquid containing a semiconductor material is sprayed on a local region containing the mist. Also in the semiconductor layer formation in step S49B, the semiconductor layer forming apparatus performs an annealing process (eg, thermal annealing, light annealing, electromagnetic wave annealing, etc.) for removing the solvent of the solution of the applied or formed semiconductor material and for aligning the semiconductor crystal. It has a function to perform The semiconductor layer thus formed becomes a second layer in the case of a top gate type TFT.

半導体層が形成されると、先のステップＳ４８Ａと同様の絶縁層成膜装置によって、第１層のパターン（ソース／ドレイン電極やその配線等）を基準にして、その上に積層すべきゲート絶縁層の溶液（絶縁性溶液）を選択塗布（パターニング）または全面塗布することで、ゲート絶縁層となるパターンを形成する（ステップＳ４８Ｂ）。このゲート絶縁層の成膜工程は、版を使用した印刷方式、インクジェット方式等を用いて絶縁性溶液を塗布する湿式であるため、ステップＳ４８Ｂでも、溶液塗布後に基板Ｐをガラス転移温度以下の温度で乾燥させて、溶剤成分を蒸発させて硬化させる処理が施される。   When the semiconductor layer is formed, the gate insulating layer to be laminated thereon is formed by the same insulating layer deposition apparatus as in step S48A based on the pattern of the first layer (source / drain electrodes, wiring thereof, etc.). By selectively applying (patterning) or applying the entire surface of the layer solution (insulating solution), a pattern to be a gate insulating layer is formed (step S48B). Since the gate insulating layer is formed by a wet method in which an insulating solution is applied using a printing method using a printing plate, an ink jet method, or the like, the substrate P is heated to a temperature equal to or lower than the glass transition temperature after application of the solution even in step S48B. And a process of evaporating and curing the solvent component is performed.

トップゲート型ＴＦＴの場合、その形成されたゲート絶縁層が第３層となる。なお、ゲート絶縁層を基板Ｐの全面に塗布する場合は、ダイコーターによるスリット塗工、マイクログラビア印刷用のロール版による塗工の他に、ミストデポジション法、スプレー法等も利用できる。さらに、ゲート絶縁層をＴＦＴの形成領域に合わせて基板Ｐ上の局所領域に選択的に形成する場合、先のステップＳ４１、Ｓ４２、Ｓ４４Ａ、Ｓ４５Ａと同様の露光装置を用いた光アシストによるパターニング法を用いてもよい。   In the case of a top gate type TFT, the formed gate insulating layer becomes the third layer. When the gate insulating layer is applied to the entire surface of the substrate P, a mist deposition method, a spray method, or the like can be used in addition to the slit coating using a die coater and the coating using a roll plate for microgravure printing. Further, in the case where the gate insulating layer is selectively formed in a local region on the substrate P in accordance with the TFT formation region, a patterning method using light assist using the same exposure apparatus as in the previous steps S41, S42, S44A and S45A May be used.

ステップＳ４８Ｂでゲート絶縁層が形成されると、再び、ステップＳ４１の感光機能層の成膜、ステップＳ４２のパターン露光が行われる。ここでは、露光装置によって、トップゲート型ＴＦＴのゲート電極とそれに接続される配線類に対応したパターン形状の紫外線光が基板Ｐの感光機能層に照射される。その後、先のステップＳ４４Ａ、Ｓ４５Ａで説明した導電性インクによるパターン形成、または、先のステップＳ４４Ｂ、Ｓ４５Ｂで説明したメッキ析出によるパターン形成が行われ、ゲート電極とそれに接続される配線類が形成される。トップゲート型ＴＦＴの場合、ゲート電極とそれに接続される配線類が第４層となる。   When the gate insulating layer is formed in step S48B, film formation of the photosensitive functional layer in step S41 and pattern exposure in step S42 are performed again. Here, the exposure device irradiates the photosensitive functional layer of the substrate P with ultraviolet light having a pattern shape corresponding to the gate electrode of the top gate TFT and the wiring connected thereto. Thereafter, the pattern formation by the conductive ink described in the previous steps S44A and S45A or the pattern formation by plating deposition described in the previous steps S44B and S45B is performed, and the gate electrode and the wirings connected thereto are formed. You. In the case of a top gate type TFT, the gate electrode and the wirings connected to it constitute the fourth layer.

以上、ステップＳ４５ＡまたはステップＳ４５Ｂの工程によって第４層が形成され、ステップＳ４６の後のステップＳ４７Ｂで、第２層が形成済みと判断されると、第１層〜第４層の積層構造によりトップゲート型ＴＦＴとして機能する画素駆動素子（バックプレーン層）が完成し、基板Ｐは有機ＥＬディスプレイ等の発光層を積層するための次の製造工程に送られる。   As described above, the fourth layer is formed by the process of step S45A or step S45B, and when it is determined in step S47B after step S46 that the second layer has been formed, the top layer is formed by the stacked structure of the first to fourth layers. The pixel driving element (backplane layer) functioning as a gate type TFT is completed, and the substrate P is sent to the next manufacturing process for laminating a light emitting layer such as an organic EL display.

以上、図１１に示したＴＦＴの製造工程において、パターニングの際に使われる露光装置を、先に説明した図２または図９に示した基板Ｐの逆転搬送可能な構成とすることで、ＴＦＴの性能や品質を左右する層間のパターンの重ね合せ精度を許容範囲内に収めつつ、長時間に渡って安定に製造ラインを稼働させることができる。   As described above, in the manufacturing process of the TFT shown in FIG. 11, the exposure apparatus used for patterning is configured so that the substrate P shown in FIG. 2 or FIG. It is possible to stably operate the production line for a long period of time while keeping the overlay accuracy of the patterns between layers, which affects the performance and quality, within an allowable range.

［第４の実施の形態］
先の第１、第２の形態で説明した露光装置（描画装置）は、図４のようなスポット走査型の描画ユニットＵを搭載したマスクレス露光機であったが、その他に、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を使ってパターン描画を行うマスクレス露光機であってもよい。図１２は、ＤＭＤを用いたマスクレス露光機の概略構成を示し、光源ユニット５００から射出される紫外波長域の照明光は、ミラー５０１で反射されて、ＤＭＤ５０２のマイクロミラー領域の全体を一様な強度で照明する。ＤＭＤ５０２の２次元に配列されたマイクロミラーの各々は制御回路５０３によって偏向角を切り替えられる。その偏向角の切替えは、基板ＰのＸ方向の移動位置やＹ方向の位置ずれ、或いは、基板Ｐの伸縮や変形等に基づいて生成されるパターンデータ（ＣＡＤデータ）に応じて行われる。そして、ＤＭＤ５０２の多数のマイクロミラーのうち、基板ＰのＸ方向の送り位置に同期してパターン描画状態に切り替えられるマイクロミラーからの反射光は、投影レンズ５０４を通って基板Ｐ上に投射され、ＣＡＤデータに対応した形状のパターンが基板Ｐ上に露光される。 [Fourth Embodiment]
The exposure apparatus (drawing apparatus) described in the first and second embodiments is a maskless exposure apparatus equipped with a spot scanning type drawing unit U as shown in FIG. It may be a maskless exposure machine that performs pattern drawing using a device (DMD). FIG. 12 shows a schematic configuration of a maskless exposure apparatus using a DMD. Illumination light in an ultraviolet wavelength range emitted from a light source unit 500 is reflected by a mirror 501 to uniformly cover the entire micromirror area of the DMD 502. Illuminate at an appropriate intensity. The deflection angle of each of the two-dimensionally arranged micro mirrors of the DMD 502 can be switched by the control circuit 503. The switching of the deflection angle is performed in accordance with pattern data (CAD data) generated based on a displacement position of the substrate P in the X direction or a displacement in the Y direction, or expansion and contraction or deformation of the substrate P. Then, among the many micromirrors of the DMD 502, the reflected light from the micromirror that is switched to the pattern drawing state in synchronization with the feed position of the substrate P in the X direction is projected onto the substrate P through the projection lens 504, A pattern having a shape corresponding to the CAD data is exposed on the substrate P.

基板Ｐは、投影レンズ５０４の下方に配置された支持テーブル５０６の平坦な支持表面に沿って支持される。支持テーブル５０６の支持表面と基板Ｐの裏面側との間には、数μｍ〜十数μｍ程度の厚みでエアベアリング層が形成されるように、支持テーブル５０６の支持面には気体噴出用の微細な孔が多数形成されたエアパット部が設けられている。そのエアパッド部は、通気性のある多孔質セラミック材でもよい。これによって、基板Ｐは支持テーブル５０６の支持面（平坦面）に非接触状態または低摩擦状態で平坦に支持された状態で、長手方向であるＸ方向に搬送される。なお、図１２において、＋Ｘ方向に向いた矢印ＡＲｆは、パターン露光時の基板Ｐの順方向への搬送方向を表し、−Ｘ方向に向いた矢印ＡＲｂは、基板Ｐの逆方向への搬送方向を表す。   The substrate P is supported along a flat support surface of a support table 506 disposed below the projection lens 504. A gas ejection layer is formed on the support surface of the support table 506 so that an air bearing layer having a thickness of about several μm to about several tens μm is formed between the support surface of the support table 506 and the back side of the substrate P. An air pad portion having a large number of fine holes is provided. The air pad portion may be made of a porous ceramic material having air permeability. Thus, the substrate P is transported in the longitudinal X direction while being supported flat on the support surface (flat surface) of the support table 506 in a non-contact state or a low friction state. In FIG. 12, an arrow ARf pointing in the + X direction indicates a transport direction of the substrate P in the forward direction during pattern exposure, and an arrow ARb pointing in the −X direction indicates a transport direction of the substrate P in the reverse direction. Represents

例えば、基板Ｐ上に図７のように形成されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）は、基板Ｐの順方向（矢印ＡＲｆ）への移動において、投影レンズ５０４の上流側に配置されたアライメント顕微鏡ＡＭｆ（ＡＭｆ１〜ＡＭｆ３）と、投影レンズ５０４の下流側に配置されたアライメント顕微鏡ＡＭｇ（ＡＭｇ１〜ＡＭｇ３）とのいずれか一方または両方によって検出される。ここで、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（ＡＭｆ１〜ＡＭｆ３）の各検出中心位置と、アライメント顕微鏡ＡＭｇ（ＡＭｇ１〜ＡＭｇ３）の各検出中心位置と、ＤＭＤ５０２からのパターン光の投影レンズ５０４による投射中心位置とのＸＹ座標系内での相対的な位置関係（２次元的なベースライン長）は、予め精密に計測されて、キャリブレーションされているものとする。   For example, an alignment mark Ks (Ks1 to Ks3) formed on the substrate P as shown in FIG. 7 is an alignment microscope arranged upstream of the projection lens 504 when the substrate P moves in the forward direction (arrow ARf). It is detected by one or both of AMf (AMf1 to AMf3) and an alignment microscope AMg (AMg1 to AMg3) arranged downstream of the projection lens 504. Here, XY coordinates of each detection center position of the alignment microscope AMf (AMf1 to AMf3), each detection center position of the alignment microscope AMg (AMg1 to AMg3), and the projection center position of the pattern light from the DMD 502 by the projection lens 504. It is assumed that the relative positional relationship (two-dimensional base line length) in the system has been accurately measured and calibrated in advance.

その場合、基板Ｐを矢印ＡＲｂのように低速で逆転移動させる間に、下流側のアライメント顕微鏡ＡＭｇ（ＡＭｇ１〜ＡＭｇ３）によって、基板Ｐ上の露光済み（または未露光）のデバイス形成領域Ｗに付随した複数のアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の各位置情報を、図５中のステップＳ４のように低速で、逆方向に搬送することで精密に再計測して、パターニング精度の劣化度合い（基板Ｐのローカルな変形や歪み、下地層のパターンの変形や歪み等）を再確認する。そして、そのパターニング精度が許容範囲から外れるような傾向を示す場合は、ＤＭＤ５０２によるパターン描画のタイミングや描画用のＣＡＤデータを、それまでの補正状態から最適な補正状態に修正する。   In this case, while the substrate P is reversely moved at a low speed as indicated by an arrow ARb, the substrate P is attached to the exposed (or unexposed) device formation region W on the substrate P by the downstream alignment microscope AMg (AMg1 to AMg3). The position information of the plurality of alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) is conveyed in the opposite direction at a low speed as shown in step S4 in FIG. Reconfirm the local deformation and distortion of P, the deformation and distortion of the pattern of the underlying layer, and the like. If the patterning accuracy shows a tendency to fall outside the allowable range, the timing of pattern writing by the DMD 502 and the CAD data for writing are corrected from the previous correction state to the optimum correction state.

図１２において、上流側のアライメント顕微鏡ＡＭｆ（ＡＭｆ１〜ＡＭｆ３）は、先の図２に示したアライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３、または、図９に示したアライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅと同様に使われる。さらに、図１２のように、投影レンズ５０４によるＤＭＤ５０２からのパターン光の投影領域を挟んで、基板Ｐの送り方向（Ｘ方向）の上流側と下流側の各々にアライメント顕微鏡ＡＭｆ、ＡＭｇを配置して、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の位置を逐次計測すると、投影レンズ５０４によるパターンの露光動作中に、露光領域を含む基板Ｐの部分的な伸縮や変形をリアルタイムに計測することができる。以上のように、露光位置（露光領域）を挟んで基板Ｐの搬送方向の上流側と下流側に２組のアライメント顕微鏡ＡＭｆ、ＡＭｇを設ける構成は、先の図２および図９の露光装置にも同様に適用可能である。   12, the alignment microscopes AMf (AMf1 to AMf3) on the upstream side are used similarly to the alignment microscopes AM1 to AM3 shown in FIG. 2 or the alignment microscopes AMa to AMe shown in FIG. Further, as shown in FIG. 12, the alignment microscopes AMf and AMg are arranged on the upstream side and the downstream side in the feed direction (X direction) of the substrate P, respectively, with the projection area of the pattern light from the DMD 502 by the projection lens 504 interposed therebetween. When the positions of the alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) are sequentially measured, it is possible to measure in real time the partial expansion and contraction and deformation of the substrate P including the exposure region during the pattern exposure operation by the projection lens 504. As described above, the configuration in which the two sets of alignment microscopes AMf and AMg are provided on the upstream side and the downstream side in the transport direction of the substrate P with the exposure position (exposure area) interposed therebetween is the same as that of the exposure apparatus shown in FIGS. Is similarly applicable.

［第４の実施の形態の変形例］
上記第４の実施の形態は、以下のように変形してもよい。図１３は、図１２の露光装置に適用される変形例を示し、支持テーブル５０６の支持面の一部に形成された小さな開口部５０６ａ（直径５ｍｍ程度）を介して、基板Ｐの裏面側からアライメント用の波長域を持った照明光をアライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）に向けて投射する補助照明機構が、支持テーブル５０６内に設けられる。補助照明機構は、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）の光軸と平行な光軸となるように配置されたレンズ系ＧＣ１、振幅分割または波面分割（偏光分離）のビームスプリッタＢＳ、レンズ系ＧＣ２、基準レチクルＲＴ、光ファイバーＦＢ、ＬＥＤ等の光源ＬＤ１、ＬＤ２、および、光源点灯制御回路ＬＥＣから構成される。 [Modification of Fourth Embodiment]
The fourth embodiment may be modified as follows. FIG. 13 shows a modification applied to the exposure apparatus of FIG. 12, and is viewed from the back side of the substrate P through a small opening 506a (about 5 mm in diameter) formed in a part of the support surface of the support table 506. An auxiliary illumination mechanism that projects illumination light having a wavelength range for alignment toward the alignment microscope AMf (or AMg) is provided in the support table 506. The auxiliary illumination mechanism includes a lens system GC1 arranged so as to have an optical axis parallel to the optical axis of the alignment microscope AMf (or AMg), an amplitude division or wavefront division (polarization separation) beam splitter BS, a lens system GC2, and a reference. It is composed of light sources LD1, LD2 such as reticle RT, optical fiber FB, LED, etc., and light source lighting control circuit LEC.

図１３において、レンズ系ＧＣ１とレンズ系ＧＣ２によって、基板Ｐの表面（アライメントマークＫｓが形成される上面）と、基準レチクルＲＴとを光学的に共役にする結像光学系が構成され、光源ＬＤ２の光で照明される基準レチクルＲＴ上の基準マーク（十字マーク等）からの光が、レンズ系ＧＣ２を通ってビームスプリッタＢＳで反射されてレンズ系ＧＣ１を通った後に、基板Ｐの透明部を介してアライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）に入射する。その際、基板Ｐの表面には、基準レチクルＲＴの基準マークの像（空間像）が形成され、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）は、アライメントマークＫｓと同様に基準マークの像を検出することができる。   In FIG. 13, the lens system GC1 and the lens system GC2 constitute an imaging optical system that optically conjugates the surface of the substrate P (the upper surface on which the alignment mark Ks is formed) and the reference reticle RT, and the light source LD2 After the light from the reference mark (such as a cross mark) on the reference reticle RT illuminated with the light of the above, passes through the lens system GC2, is reflected by the beam splitter BS, passes through the lens system GC1, and then passes through the transparent portion of the substrate P. Through the alignment microscope AMf (or AMg). At this time, an image (spatial image) of the reference mark of the reference reticle RT is formed on the surface of the substrate P, and the alignment microscope AMf (or AMg) can detect the image of the reference mark similarly to the alignment mark Ks. it can.

ビームスプリッタＢＳは、レンズ系ＧＣ１、ＧＣ２による結像光学系の瞳面ｅｐの近くに配置され、光ファイバーＦＢの光射出端ＦＢｏは、ビームスプリッタＢＳを挟んでレンズ系ＧＣ１の反対側であって、瞳面ｅｐと対応した位置に配置される。したがって、光ファイバーＦＢの光入射端から入射して光射出端ＦＢｏから射出する光源ＬＤ１からの光は、レンズ系ＧＣ１によって基板Ｐを裏面側から一様な照度分布でケーラー照明することになり、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）は、基板Ｐ上のアライメントマークＫｓを透過照明で検出することができる。   The beam splitter BS is disposed near the pupil plane ep of the imaging optical system formed by the lens systems GC1 and GC2, and the light exit end FBo of the optical fiber FB is on the opposite side of the lens system GC1 across the beam splitter BS. It is arranged at a position corresponding to the pupil plane ep. Therefore, the light from the light source LD1 which enters from the light entrance end of the optical fiber FB and exits from the light exit end FBo illuminates the substrate P from the back side with a uniform illuminance distribution by the lens system GC1, resulting in the alignment. The microscope AMf (or AMg) can detect the alignment mark Ks on the substrate P by transmitted illumination.

ここで、基準レチクルＲＴの母材を、例えば支持テーブル５０６内でＹ方向（基板Ｐの幅方向）に細長くした石英板とし、その表面に、Ｙ方向に並ぶ３つのアライメント顕微鏡ＡＭｆ１〜ＡＭｆ３（またはＡＭｇ１〜ＡＭｇ３）の各配置に合せて、基準マークを設けておくと、基準レチクルＲＴを基準として３つのアライメント顕微鏡ＡＭｆ１〜ＡＭｆ３（またはＡＭｇ１〜ＡＭｇ３）の相互の位置関係や相対的な位置誤差を精密に計測することができる。すなわち、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）の取付け位置の経時的な変化（ドリフト等）をときどき計測して、重ね合せ精度（パターニング精度）が劣化しないようにキャリブレーションすることができる。   Here, the base material of the reference reticle RT is, for example, a quartz plate elongated in the Y direction (the width direction of the substrate P) in the support table 506, and three alignment microscopes AMf1 to AMf3 (or three) arranged in the Y direction on the surface thereof. If reference marks are provided in accordance with the respective arrangements of AMg1 to AMg3, the mutual positional relationship and relative positional error of the three alignment microscopes AMf1 to AMf3 (or AMg1 to AMg3) can be determined with reference to the reference reticle RT. It can be measured precisely. That is, a change over time (drift or the like) of the mounting position of the alignment microscope AMf (or AMg) is occasionally measured, and calibration can be performed so that overlay accuracy (patterning accuracy) does not deteriorate.

そのために、光源点灯制御回路ＬＥＣは、基板Ｐが搬送されている間、基板Ｐ上のアライメントマークＫｓや下地層が存在しない透明部分が、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）の直下にくるタイミングで、光源ＬＤ２を点灯し、光源ＬＤ１を消灯する。また、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）は、通常は落射照明のもとで被検出体としてのアライメントマークＫｓ、或いは、下地層の特定のパターン部分を検出するが、被検出体の材料によっては、透過照明でアライメントマークＫｓや特定のパターン部分を検出することで、撮像した画像のコントラストを高めて位置計測の精度を高められることもある。その場合、光源点灯制御回路ＬＥＣは、光源ＬＤ１を点灯し、光源ＬＤ２を消灯する。もちろん、落射照明のみでアライメントマークＫｓ、或いは、下地層の特定のパターン部分を検出する場合、光源点灯制御回路ＬＥＣは、光源ＬＤ１と光源ＬＤ２の両方を消灯する。   For this purpose, the light source lighting control circuit LEC determines that the transparent portion where the alignment mark Ks or the underlayer does not exist on the substrate P is directly below the alignment microscope AMf (or AMg) while the substrate P is being transported. The light source LD2 is turned on, and the light source LD1 is turned off. The alignment microscope AMf (or AMg) normally detects the alignment mark Ks as a detection target or a specific pattern portion of the underlayer under epi-illumination. However, depending on the material of the detection target, By detecting the alignment mark Ks or a specific pattern portion by the transmitted illumination, the contrast of the captured image may be increased and the accuracy of the position measurement may be increased. In that case, the light source lighting control circuit LEC turns on the light source LD1 and turns off the light source LD2. Of course, when the alignment mark Ks or the specific pattern portion of the underlayer is detected only by the epi-illumination, the light source lighting control circuit LEC turns off both the light sources LD1 and LD2.

また、図１３のような補助照明機構において、光源ＬＤ２を、例えば波長３７０ｎｍ以下の紫外波長域の光を発する紫外光源に切替えて、発光時間が極めて短く発光ピーク強度が大きい俊鋭なパルス光を発生させるようにすると、基準レチクルＲＴ上の基準マークの像を、基板Ｐの表面に塗布された感光層（アライメントマークＫｓや下地層の無い部分）に、任意のタイミングでバック露光することができる。そこで、基板ＰをＸ方向に送りつつ、一定の時間毎に基準レチクルＲＴ上の基準マーク（Ｙ方向に離れた３ヶ所）の像を基板Ｐ上に順次露光しておくと、その基準マークの像の配列状態を調べることによって、支持テーブル５０６に対する基板Ｐの位置シフト、ＸＹ面内での傾き（蛇行）、２次元的な伸縮、或いは、速度変動等を把握することができる。   In the auxiliary lighting mechanism as shown in FIG. 13, the light source LD2 is switched to, for example, an ultraviolet light source that emits light in the ultraviolet wavelength range of 370 nm or less, and a sharp pulse light with a very short emission time and a large emission peak intensity is generated. When it is generated, the image of the reference mark on the reference reticle RT can be back-exposed to the photosensitive layer (the portion without the alignment mark Ks or the underlayer) applied to the surface of the substrate P at an arbitrary timing. . Therefore, when the image of the reference marks (three places separated in the Y direction) on the reference reticle RT is sequentially exposed on the substrate P at regular time intervals while the substrate P is being moved in the X direction, the reference marks By examining the arrangement state of the images, it is possible to grasp the position shift of the substrate P with respect to the support table 506, the inclination (meandering) in the XY plane, two-dimensional expansion / contraction, speed fluctuation, and the like.

したがって、重ね合せ露光の際に、層ごとに形成されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の他に、前工程での露光時に補助照明機構によって基板Ｐ上に転写された基準レチクルＲＴの基準マークを、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）によって併せて計測することにより、基板Ｐ上の下地層のパターンのローカルな変形や歪みの基板長手方向における変化傾向をより高精度に予測することができる。   Accordingly, in addition to the alignment marks Ks (Ks1 to Ks3) formed for each layer during the overlay exposure, the reference marks of the reference reticle RT transferred onto the substrate P by the auxiliary illumination mechanism during the exposure in the previous step. Is also measured by the alignment microscope AMf (or AMg), whereby the local deformation or distortion of the pattern of the underlying layer on the substrate P can be predicted with higher accuracy in the longitudinal direction of the substrate.

１０…デバイス製造システム １２…基板供給装置
１４…基板回収装置 １６…上位制御装置
１８…パターン形成装置 ２０、２２…ダンサーローラ
３０、８０…搬送部 ３２…光源装置
３４…露光ヘッド ３６、８２…回転ドラム
３８…光導入光学系 ５００…光源ユニット
５０１…ミラー ５０２…ＤＭＤ
５０３…制御回路 ５０４…投影レンズ
５０６…支持テーブル ５０６ａ…開口部
ＡＭ、ＡＭ１〜ＡＭ３、ＡＭａ〜ＡＭｅ、ＡＭａ１〜ＡＭａ３、ＡＭｆ、ＡＭｆ１〜ＡＭｆ３、ＡＭｇ…アライメント顕微鏡
ＢＦ１…第１蓄積部 ＢＦ２…第２蓄積部
ＢＳ…ビームスプリッタ ｅｐ…瞳面
ＥＰＣ１〜ＥＰＣ６…エッジポジションコントローラ
ＦＢ…光ファイバー ＦＢｏ…光射出端
ＦＲ１…供給用ロール ＦＲ２…回収用ロール
ＧＣ１、ＧＣ２…レンズ系
Ｋｓ、Ｋｓ１〜Ｋｓ３…アライメントマーク Ｌ、Ｌ１〜Ｌ５…走査ライン
ＬＤ１、ＬＤ２…光源 ＬＥＣ…光源点灯制御回路
Ｐ…基板 ＰＲ１〜ＰＲ５…処理装置
ＲＴ…基準レチクル ＳＰ…スポット光
Ｕ、Ｕ１〜Ｕ５…描画ユニット Ｖｓ…基準速度
Ｖ１…第１速度 Ｖ２…第２速度
Ｖ３…第３速度 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Device manufacturing system 12 ... Substrate supply apparatus 14 ... Substrate recovery apparatus 16 ... Upper control apparatus 18 ... Pattern forming apparatus 20, 22 ... Dancer rollers 30, 80 ... Transport part 32 ... Light source apparatus 34 ... Exposure head 36, 82 ... Rotation Drum 38 Light introducing optical system 500 Light source unit 501 Mirror 502 DMD
503: Control circuit 504: Projection lens 506: Support table 506a: Openings AM, AM1 to AM3, AMa to AMe, AMa1 to AMa3, AMf, AMf1 to AMf3, AMg: Alignment microscope BF1: First storage unit BF2 ... Second Storage unit BS: Beam splitter ep: Pupil planes EPC1 to EPC6 Edge position controller FB: Optical fiber FBo: Light emitting end FR1: Supply roll FR2: Collection roll GC1, GC2: Lens system Ks, Ks1 to Ks3: Alignment mark L , L1 to L5 scanning lines LD1, LD2 light source LEC light source lighting control circuit P substrate PR1 to PR5 processing device RT reference reticle SP spot light U, U1 to U5 drawing unit Vs reference speed V1 1 speed V2: 2nd speed V3 ... 3rd speed

Claims (12)

長尺の可撓性のシート基板を長尺方向の順方向に搬送しつつ、前記シート基板上に電子デバイス用のパターンを形成するデバイス製造方法であって、
前記シート基板を所定の搬送速度で搬送している間に、前記長尺方向に沿って所定間隔で前記シート基板上に形成された複数の被検出体の各々を、前記シート基板上に設定されるアライメント検出装置の検出領域を介して順次検出し、前記被検出体の各々に関する位置情報を得るアライメント段階と、
前記アライメント段階を経た前記シート基板を、所定の長さに亘って蓄積部で蓄積した後に所定の基準速度で搬送させた状態で、前記電子デバイス用のパターンを前記位置情報に基づいて位置補正しながら前記シート基板上に形成するパターン形成段階と、
前記アライメント段階で得られる前記位置情報の必要とされる検出精度に応じて、前記パターン形成段階での前記基準速度と前記アライメント段階での前記搬送速度との関係を一時的に変化させる速度調整段階と、
を含む、デバイス製造方法。 A device manufacturing method for forming a pattern for an electronic device on the sheet substrate while transporting a long flexible sheet substrate in a forward direction in a long direction,
While the sheet substrate is being conveyed at a predetermined conveyance speed, each of the plurality of detection targets formed on the sheet substrate at predetermined intervals along the long direction is set on the sheet substrate. An alignment step of sequentially detecting through the detection region of the alignment detection device to obtain positional information on each of the detected objects,
After the sheet substrate that has undergone the alignment step is stored at a storage unit over a predetermined length and then conveyed at a predetermined reference speed, the position of the electronic device pattern is corrected based on the position information. While forming a pattern on the sheet substrate,
A speed adjusting step of temporarily changing a relationship between the reference speed in the pattern forming step and the transport speed in the alignment step according to a required detection accuracy of the position information obtained in the alignment step. When,
A device manufacturing method comprising: 請求項１に記載のデバイス製造方法であって、
前記パターン形成段階は、
パターンデータに基づいてパターン描画を行うマスクレス露光装置、マスクを用いたプロキシミティ方式または投影方式の露光装置、インクを塗布するインクジェット印刷機、版胴を用いるグラビア印刷機、および微細な凹凸パターンを型押し方式で形成するインプリント転写機のいずれかによって実施される、デバイス製造方法。 It is a device manufacturing method of Claim 1, Comprising:
The pattern forming step includes:
A maskless exposure apparatus that performs pattern drawing based on pattern data, a proximity or projection exposure apparatus that uses a mask, an inkjet printing machine that applies ink, a gravure printing machine that uses a plate cylinder, and a fine uneven pattern. A device manufacturing method, which is performed by any one of an imprint transfer machine formed by an embossing method. 請求項２に記載のデバイス製造方法であって、
前記シート基板上に形成される前記被検出体は、前記シート基板の前記長尺方向と直交する幅方向の一方の端側に、前記長尺方向に沿って一定間隔で形成された複数の第１アライメントマークと、前記シート基板の前記幅方向の他方の端側に、前記長尺方向に沿って一定間隔で形成された複数の第２アライメントマークと、を含み、
前記アライメント段階では、前記アライメント検出装置として設けられた第１のアライメント顕微鏡の検出領域内で前記第１アライメントマークを検出し、前記アライメント検出装置として設けられた第２のアライメント顕微鏡の検出領域内で前記第２アライメントマークを検出する、デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to claim 2,
The object to be detected formed on the sheet substrate includes a plurality of first objects formed at regular intervals along the long direction on one end side in a width direction orthogonal to the long direction of the sheet substrate. 1 alignment mark, and a plurality of second alignment marks formed at regular intervals along the long direction on the other end side in the width direction of the sheet substrate,
In the alignment step, the first alignment mark is detected in a detection region of a first alignment microscope provided as the alignment detection device, and is detected in a detection region of a second alignment microscope provided as the alignment detection device. A device manufacturing method for detecting the second alignment mark. 請求項３に記載のデバイス製造方法であって、
前記速度調整段階では、前記アライメント段階における前記シート基板の順方向への前記搬送速度を、前記基準速度と同じ速度、前記基準速度よりも遅い第１速度、および前記基準速度よりも早い第２速度のいずれか１つに調整される、デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to claim 3, wherein
In the speed adjusting step, the transport speed of the sheet substrate in the forward direction in the alignment step may be the same speed as the reference speed, a first speed lower than the reference speed, and a second speed higher than the reference speed. A device manufacturing method adjusted to any one of the above. 請求項４に記載のデバイス製造方法であって、
前記アライメント段階での前記シート基板の搬送速度が前記第１速度のときは、前記第１のアライメント顕微鏡と前記第２のアライメント顕微鏡の各々によって、前記検出領域に現れる前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークの各々を前記一定間隔ごとに順次検出し、
前記アライメント段階での前記シート基板の搬送速度が前記基準速度または前記第２速度のときは、前記第１のアライメント顕微鏡と前記第２のアライメント顕微鏡の各々によって、前記検出領域に現れる前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークの各々を間引いて順次検出する、デバイス製造方法。 It is a device manufacturing method of Claim 4, Comprising:
When the transport speed of the sheet substrate at the alignment step is the first speed, the first alignment mark and the second alignment mark appearing in the detection area by the first alignment microscope and the second alignment microscope, respectively. (2) detecting each of the alignment marks sequentially at the constant intervals,
When the conveyance speed of the sheet substrate in the alignment step is the reference speed or the second speed, the first alignment appearing in the detection area by each of the first alignment microscope and the second alignment microscope. A device manufacturing method, wherein a mark and the second alignment mark are thinned out and sequentially detected. 請求項５に記載のデバイス製造方法であって、
前記速度調整段階では、前記アライメント段階で順次検出される前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークの検出精度を向上させる為に、所定時間の間だけ、前記アライメント段階での前記シート基板の前記順方向への搬送速度が前記第１速度に調整され、前記所定時間の経過の後に前記シート基板の前記順方向への搬送速度が前記第２速度に調整される、デバイス製造方法。 It is a device manufacturing method of Claim 5, Comprising:
In the speed adjusting step, in order to improve the detection accuracy of the first alignment mark and the second alignment mark sequentially detected in the alignment step, the sheet substrate in the alignment step is maintained for a predetermined time only. A device manufacturing method, wherein a forward transport speed is adjusted to the first speed, and after the predetermined time has elapsed, the forward transport speed of the sheet substrate is adjusted to the second speed. 請求項４〜６のいずれか１項に記載のデバイス製造方法であって、
前記アライメント段階で前記シート基板を前記第２速度で搬送するときは、
前記速度調整段階において、
前記シート基板の前記蓄積部での蓄積長が所定の長さに達したときに、前記アライメント段階での前記シート基板の搬送速度を前記第２速度から前記基準速度に低下させる、
デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to any one of claims 4 to 6, wherein
When transporting the sheet substrate at the second speed in the alignment step,
In the speed adjusting step,
When the accumulation length of the sheet substrate in the accumulation unit reaches a predetermined length, the conveyance speed of the sheet substrate in the alignment step is reduced from the second speed to the reference speed,
Device manufacturing method. 請求項３〜７のいずれか１項に記載のデバイス製造方法であって、
前記シート基板には、前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークと共に、前記電子デバイス用の下地層のパターンが形成されており、
前記アライメント段階では、前記アライメント検出装置として設けられた第３のアライメント顕微鏡の検出領域に現れる前記下地層のパターンのうちの特定の形状部分を前記被検出体として検出する、デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to any one of claims 3 to 7,
A pattern of a base layer for the electronic device is formed on the sheet substrate together with the first alignment mark and the second alignment mark,
The device manufacturing method, wherein in the alignment step, a specific shape portion of a pattern of the underlayer appearing in a detection region of a third alignment microscope provided as the alignment detection device is detected as the object to be detected. 請求項８に記載のデバイス製造方法であって、
前記第３のアライメント顕微鏡は、前記下地層のパターンの前記特定の形状部分として金属性配線部を検出する、デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to claim 8, wherein
The device manufacturing method, wherein the third alignment microscope detects a metallic wiring portion as the specific shape portion of the pattern of the underlayer. 請求項４〜９のいずれか１項に記載のデバイス製造方法であって、
前記アライメント段階において、前記シート基板を前記基準速度で搬送させた状態で、前記アライメント検出装置によって順次検出される前記被検出体の前記位置情報に基づいて、前記シート基板の搬送精度、または前記パターン形成段階における前記パターンの形成精度が許容範囲から外れるような傾向が得られた場合は、前記速度調整段階にて、前記アライメント段階における前記シート基板の搬送速度を前記第１速度に変更する、デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to any one of claims 4 to 9,
In the alignment step, in a state where the sheet substrate is transported at the reference speed, the transport accuracy of the sheet substrate, or the pattern, based on the position information of the object to be detected sequentially detected by the alignment detection device. In a case where a tendency is obtained such that the pattern formation accuracy in the forming step is out of an allowable range, in the speed adjusting step, the transport speed of the sheet substrate in the alignment step is changed to the first speed. Production method. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載のデバイス製造方法であって、
前記アライメント段階は、前記シート基板の順方向の搬送方向における上流側に位置する第１回転ドラムと対向するように設置された前記アライメント検出装置によって、前記シート基板が前記第１回転ドラムの外周面に巻き付けられた状態で実施され、
前記パターン形成段階は、前記シート基板の順方向の搬送方向に関して前記第１回転ドラムの下流側に位置する第２回転ドラムの外周面に前記シート基板が巻き付けられた状態で実施される、デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to any one of claims 1 to 10,
In the aligning step, the sheet substrate is moved to the outer peripheral surface of the first rotary drum by the alignment detection device installed so as to face the first rotary drum positioned on the upstream side in the forward transport direction of the sheet substrate. It is carried out in a state wound around
The device manufacturing step, wherein the pattern forming step is performed in a state where the sheet substrate is wound around an outer peripheral surface of a second rotary drum positioned downstream of the first rotary drum with respect to a forward transport direction of the sheet substrate. Method. 請求項１１に記載のデバイス製造方法であって、
前記第１回転ドラムと前記第２回転ドラムは同一に構成される、デバイス製造方法。 The device manufacturing method according to claim 11, wherein
The device manufacturing method, wherein the first rotating drum and the second rotating drum are configured identically.
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