JP2019204779A - Conductive material, connection structure and manufacturing method of connection structure - Google Patents

Conductive material, connection structure and manufacturing method of connection structure Download PDF

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Abstract

To provide a conductive material capable of effectively arranging solder on an electrode.SOLUTION: The conductive material has a thermosetting component, a flux, and a conductive particle containing solder, in which diffusion coefficient exhibiting maximum value of diffusion coefficient of metals contained in the conductive particle calculated by an EPMA analysis when the conductive material is applied on a substrate of which a surface material is gold and heated at 70°C is 1.0×10m/s to 1.0×10m/s.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、導電性粒子を含む導電材料に関する。また、本発明は、上記導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。   The present invention relates to a conductive material containing conductive particles. The present invention also relates to a connection structure using the conductive material and a method for manufacturing the connection structure.

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。   Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder resin.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために使用されている。上記異方性導電材料による接続としては、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等が挙げられる。   The anisotropic conductive material is used to obtain various connection structures. Examples of the connection using the anisotropic conductive material include a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF (Chip on Film)), and a semiconductor. Examples include connection between a chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.

上記異方性導電材料により、例えば、フレキシブルプリント基板の電極とガラスエポキシ基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラスエポキシ基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、フレキシブルプリント基板を積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。   For example, when electrically connecting the electrode of the flexible printed circuit board and the electrode of the glass epoxy substrate by the anisotropic conductive material, an anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on the glass epoxy substrate. To do. Next, a flexible printed circuit board is laminated, and heated and pressurized. As a result, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected via the conductive particles to obtain a connection structure.

下記の特許文献１には、バインダー樹脂と、導電性粒子とを含む導電ペーストが開示されている。上記導電ペーストでは、上記バインダー樹脂は、熱ラジカル重合性化合物と、熱ラジカル重合開始剤とを含有する。上記導電ペーストでは、上記バインダー樹脂の９０℃での貯蔵弾性率は８Ｐａ以上５００ＭＰａ未満であるか、又は、上記導電ペーストの９０℃での貯蔵弾性率は８Ｐａ以上５００ＭＰａ未満である。   Patent Document 1 below discloses a conductive paste containing a binder resin and conductive particles. In the conductive paste, the binder resin contains a thermal radical polymerizable compound and a thermal radical polymerization initiator. In the conductive paste, the storage elastic modulus at 90 ° C. of the binder resin is 8 Pa or more and less than 500 MPa, or the storage elastic modulus at 90 ° C. of the conductive paste is 8 Pa or more and less than 500 MPa.

特開２０１５−００５５０２号公報JP2015-005502A

近年、プリント配線板等における配線のファインピッチ化が進行している。これに伴って、はんだ粒子又ははんだを表面に有する導電性粒子を含む導電材料では、はんだ粒子又ははんだを表面に有する導電性粒子の微小化及び小粒子径化が進行している。   In recent years, fine pitches of wiring in printed wiring boards and the like have been advanced. Accordingly, in conductive materials including conductive particles having solder particles or solder on the surface, miniaturization and small particle diameter of the conductive particles having solder particles or solder on the surface have progressed.

はんだ粒子等を単に小粒子径化した場合には、導電材料を用いた導電接続時に、接続されるべき上下の電極間にはんだ粒子等を効率的に配置できないという課題がある。特に、導電材料を加熱硬化させる際に、接続されるべき上下方向の電極間にはんだ粒子等を十分に凝集させることができず、導電材料の粘度が上昇し、接続されてはならない横方向の電極間に、上下方向の電極間のはんだと離れて、はんだ粒子等がサイドボール等として残存することがある。結果として、接続されるべき電極間の導通信頼性及び接続されてはならない隣接する電極間の絶縁信頼性を十分に高めることができない場合がある。   When the solder particles or the like are simply reduced in size, there is a problem that the solder particles or the like cannot be efficiently arranged between the upper and lower electrodes to be connected when conducting conductive connection using a conductive material. In particular, when the conductive material is heat-cured, solder particles cannot be sufficiently aggregated between the vertical electrodes to be connected, the viscosity of the conductive material increases, and the lateral direction that should not be connected Solder particles or the like may remain as side balls or the like apart from the solder between the electrodes in the vertical direction between the electrodes. As a result, the conduction reliability between the electrodes to be connected and the insulation reliability between adjacent electrodes that should not be connected may not be sufficiently increased.

本発明の目的は、電極上にはんだを効率的に配置することができる導電材料を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a conductive material capable of efficiently arranging solder on an electrode. Another object of the present invention is to provide a connection structure using the conductive material and a method for manufacturing the connection structure.

本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、表面の材料が金である基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である、導電材料が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, there is provided a conductive material including a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder, and the conductive material is applied to a substrate whose surface material is gold. Among the diffusion coefficients of metals contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis when heated to a diffusion coefficient of 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × A conductive material is provided that is 10 −14 m 2 / s or less.

本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、表面の材料が銀である基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である、導電材料が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, there is provided a conductive material including a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder, and the conductive material is applied to a substrate whose surface material is silver. Among the diffusion coefficients of metals contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis when heated to a diffusion coefficient of 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × A conductive material is provided that is 10 −14 m 2 / s or less.

本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、表面の材料が銅である基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である、導電材料が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, there is provided a conductive material including a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder, and the conductive material is applied to a substrate whose surface material is copper. Among the diffusion coefficients of metals contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis when heated to a diffusion coefficient of 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × A conductive material is provided that is 10 −14 m 2 / s or less.

本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、表面の材料がアルミニウムである基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である、導電材料が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, there is provided a conductive material including a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder, and the conductive material is applied to a substrate whose surface material is aluminum. Among the diffusion coefficients of metals contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis when heated to a diffusion coefficient of 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × A conductive material is provided that is 10 −14 m 2 / s or less.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記フラックスが、２３℃で液体である。   On the specific situation with the electrically-conductive material which concerns on this invention, the said flux is a liquid at 23 degreeC.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記はんだを含む導電性粒子の粒子径が、３５μｍ以下である。   On the specific situation with the electrically-conductive material which concerns on this invention, the particle diameter of the electroconductive particle containing the said solder is 35 micrometers or less.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記導電材料が、導電ペーストである。   In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the conductive material is a conductive paste.

本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電材料であり、前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, A connecting portion connecting the second connection target member, wherein the material of the connecting portion is the conductive material described above, and the first electrode and the second electrode are the connecting portion. A connection structure is provided that is electrically connected by a solder portion therein.

本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料を用いて、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材の表面上に、前記導電材料を配置する第１の工程と、前記導電材料の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を、前記第１の電極と前記第２の電極とが対向するように配置する第２の工程と、前記導電性粒子の融点以上に前記導電材料を加熱することで、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電材料により形成し、かつ、前記第１の電極と前記第２の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する第３の工程とを備え、前記第１の電極の表面の材料及び前記導電材料の組み合わせとして、表面の材料が前記第１の電極の表面の材料と同じである基板上に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下となる第１の電極の表面の材料及び導電材料を用いる、接続構造体の製造方法が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, on a surface of a first connection target member having a first electrode on the surface using a conductive material including a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder. And a second connection target member having a second electrode on the surface thereof on a surface opposite to the first connection target member side of the conductive material; A second step of disposing the first electrode and the second electrode so as to face each other; and heating the conductive material to a temperature equal to or higher than a melting point of the conductive particles; A connection part connecting the second connection target member is formed of the conductive material, and the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder part in the connection part. A third step of connecting to the first electrode, the material of the surface of the first electrode and the conductive As a combination of materials, the conductive particles calculated by EPMA analysis when the conductive material is applied on a substrate whose surface material is the same as the surface material of the first electrode and heated to 70 ° C. Of the first electrode in which the diffusion coefficient showing the maximum value is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less. A method for manufacturing a connection structure is provided using the above materials and a conductive material.

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第２の電極の表面の材料及び前記導電材料の組み合わせとして、表面の材料が前記第２の電極の表面の材料と同じである基板上に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下となる第２の電極の表面の材料及び導電材料を用いる。 In a specific aspect of the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, as a combination of the material of the surface of the second electrode and the conductive material, the material of the surface is the same as the material of the surface of the second electrode. When the conductive material is applied on a substrate and heated to 70 ° C., the diffusion coefficient indicating the maximum value among the diffusion coefficients of metals contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is 1.0. A material and a conductive material for the surface of the second electrode that are × 10 −23 m 2 / s to 1.0 × 10 −14 m 2 / s are used.

本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第１の電極及び前記第２の電極が、金電極、銀電極、銅電極又はアルミニウム電極である。   On the specific situation with the manufacturing method of the connection structure which concerns on this invention, a said 1st electrode and a said 2nd electrode are a gold electrode, a silver electrode, a copper electrode, or an aluminum electrode.

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料が金である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である。本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。 The conductive material according to the present invention includes a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder. In the conductive material according to the present invention, when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is gold and heated to 70 ° C., the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is calculated. Among them, the diffusion coefficient showing the maximum value is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less. Since the conductive material according to the present invention has the above-described configuration, it is possible to efficiently arrange the solder on the electrode.

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料が銀である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である。本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。 The conductive material according to the present invention includes a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder. In the conductive material according to the present invention, when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is silver and heated to 70 ° C., the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is calculated. Among them, the diffusion coefficient showing the maximum value is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less. Since the conductive material according to the present invention has the above-described configuration, it is possible to efficiently arrange the solder on the electrode.

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料が銅である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である。本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。 The conductive material according to the present invention includes a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder. In the conductive material according to the present invention, when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is copper and heated to 70 ° C., the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is calculated. Among them, the diffusion coefficient showing the maximum value is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less. Since the conductive material according to the present invention has the above-described configuration, it is possible to efficiently arrange the solder on the electrode.

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料がアルミニウムである基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である。本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。 The conductive material according to the present invention includes a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder. In the conductive material according to the present invention, when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is aluminum and heated to 70 ° C., the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is calculated. Among them, the diffusion coefficient showing the maximum value is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less. Since the conductive material according to the present invention has the above-described configuration, it is possible to efficiently arrange the solder on the electrode.

本発明に係る接続構造体の製造方法は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料を用いて、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材の表面上に、上記導電材料を配置する第１の工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記導電材料の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を、上記第１の電極と上記第２の電極とが対向するように配置する第２の工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記導電性粒子の融点以上に上記導電材料を加熱することで、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電材料により形成し、かつ、上記第１の電極と上記第２の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する第３の工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の電極の表面の材料及び上記導電材料の組み合わせとして、以下の第１の電極の表面の材料及び導電材料を用いる。表面の材料が上記第１の電極の表面の材料と同じである基板上に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下となる第１の電極の表面の材料及び導電材料。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。 The manufacturing method of the connection structure according to the present invention includes a first connection target member having a first electrode on a surface using a conductive material including a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder. A first step of disposing the conductive material on the surface of the substrate. In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, a second connection target member having a second electrode on a surface thereof is provided on the surface opposite to the first connection target member side of the conductive material. A second step of disposing the first electrode and the second electrode so as to face each other. The manufacturing method of the connection structure according to the present invention connects the first connection target member and the second connection target member by heating the conductive material to a temperature equal to or higher than the melting point of the conductive particles. A connection part is formed with the said electrically-conductive material, and the 3rd process of electrically connecting the said 1st electrode and the said 2nd electrode with the solder part in the said connection part is provided. In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, the following first electrode surface material and conductive material are used as a combination of the first electrode surface material and the conductive material. When the conductive material is applied on a substrate whose surface material is the same as the surface material of the first electrode and heated to 70 ° C., the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis Of the diffusion coefficients, the material of the surface of the first electrode and the conductive material having a maximum diffusion coefficient of 1.0 × 10 −23 m 2 / s to 1.0 × 10 −14 m 2 / s. . In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, since the above-described configuration is provided, the solder can be efficiently arranged on the electrode.

図１は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて得られる接続構造体を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure obtained using a conductive material according to an embodiment of the present invention. 図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて、接続構造体を製造する方法の一例の各工程を説明するための断面図である。2A to 2C are cross-sectional views for explaining each step of an example of a method for manufacturing a connection structure using a conductive material according to an embodiment of the present invention. 図３は、接続構造体の変形例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a modification of the connection structure. 図４は、本発明の第１の実施形態に係る導電材料に使用可能な導電性粒子を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing conductive particles that can be used in the conductive material according to the first embodiment of the present invention. 図５は、本発明の第２の実施形態に係る導電材料に使用可能な導電性粒子を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing conductive particles that can be used in the conductive material according to the second embodiment of the present invention. 図６は、本発明の第３の実施形態に係る導電材料に使用可能な導電性粒子を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing conductive particles that can be used in the conductive material according to the third embodiment of the present invention.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

（導電材料）
本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料が金である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である。 (Conductive material)
The conductive material according to the present invention includes a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder. In the conductive material according to the present invention, when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is gold and heated to 70 ° C., the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is calculated. Among them, the diffusion coefficient showing the maximum value is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less.

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料が銀である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である。 The conductive material according to the present invention includes a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder. In the conductive material according to the present invention, when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is silver and heated to 70 ° C., the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is calculated. Among them, the diffusion coefficient showing the maximum value is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less.

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料が銅である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である。 The conductive material according to the present invention includes a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder. In the conductive material according to the present invention, when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is copper and heated to 70 ° C., the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is calculated. Among them, the diffusion coefficient showing the maximum value is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less.

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、表面の材料がアルミニウムである基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数は、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である。 The conductive material according to the present invention includes a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder. In the conductive material according to the present invention, when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is aluminum and heated to 70 ° C., the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is calculated. Among them, the diffusion coefficient showing the maximum value is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less.

本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。   Since the conductive material according to the present invention has the above-described configuration, it is possible to efficiently arrange the solder on the electrode.

導電性粒子を単に小粒子径化した導電材料では、導電接続時に、接続されるべき上下方向の電極上に導電性粒子を効率的に配置させることができないことがある。このため、接続されてはならない横方向の電極間に、上下方向の電極間のはんだと離れて、導電性粒子がサイドボール等として残存することがある。また、接続されるべき電極間の導通信頼性及び接続されてはならない隣接する電極間の絶縁信頼性を十分に高めることができないことがある。   In the conductive material in which the conductive particles are simply reduced in particle diameter, the conductive particles may not be efficiently disposed on the vertical electrodes to be connected at the time of conductive connection. For this reason, the conductive particles may remain as side balls or the like, apart from the solder between the electrodes in the vertical direction, between the horizontal electrodes that should not be connected. In addition, the conduction reliability between electrodes to be connected and the insulation reliability between adjacent electrodes that should not be connected may not be sufficiently improved.

本発明者らは、電極に対する金属拡散について着目し、電極間の導電接続時に、特定の拡散係数の関係を満足する導電材料を用いることで、電極上にはんだを効率的に配置することができることを見出した。本発明では、はんだ粒子を小粒子径化した場合であっても、接続されるべき電極間に、はんだを効率的に配置することができ、導通信頼性及び絶縁信頼性を高めることができる。   The present inventors pay attention to metal diffusion with respect to the electrodes, and can use the conductive material satisfying the relationship of a specific diffusion coefficient at the time of conductive connection between the electrodes to efficiently arrange the solder on the electrodes. I found. In the present invention, even when the solder particles are reduced in size, the solder can be efficiently arranged between the electrodes to be connected, and the conduction reliability and the insulation reliability can be improved.

また、本発明では、電極間の導電接続時に、複数の導電性粒子が、上下の対向した電極間に集まりやすく、複数の導電性粒子を電極（ライン）上に配置することができる。また、複数の導電性粒子の一部が、接続されてはならない横方向の電極間に配置され難く、接続されてはならない横方向の電極間に配置される導電性粒子の量をかなり少なくすることができる。結果として、本発明では、接続されてはならない横方向の電極間において、はんだの残存量を少なくすることができる。   Moreover, in this invention, at the time of the conductive connection between electrodes, a several conductive particle tends to gather between the upper and lower opposing electrodes, and a several conductive particle can be arrange | positioned on an electrode (line). Also, it is difficult for some of the plurality of conductive particles to be disposed between the lateral electrodes that should not be connected, and the amount of conductive particles disposed between the lateral electrodes that should not be connected is considerably reduced. be able to. As a result, according to the present invention, it is possible to reduce the remaining amount of solder between the lateral electrodes that should not be connected.

本発明では、上記のような効果を得るために、特定の拡散係数の関係を満足する導電材料を用いることは大きく寄与する。   In the present invention, in order to obtain the above effects, it is greatly contributed to use a conductive material that satisfies a specific diffusion coefficient relationship.

さらに、本発明では、電極間の位置ずれを防ぐことができる。本発明では、導電材料を上面に配置した第１の接続対象部材に、第２の接続対象部材を重ね合わせる際に、第１の接続対象部材の電極と第２の接続対象部材の電極とのアライメントがずれた状態でも、そのずれを補正して電極同士を接続させることができる（セルフアライメント効果）。   Furthermore, in the present invention, it is possible to prevent positional deviation between the electrodes. In the present invention, when the second connection target member is superimposed on the first connection target member having the conductive material disposed on the upper surface, the electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member Even in a state of misalignment, the electrodes can be connected by correcting the misalignment (self-alignment effect).

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記導電材料は、２５℃で液状であることが好ましく、導電ペーストであることが好ましい。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the conductive material is preferably liquid at 25 ° C., and preferably a conductive paste.

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記導電材料の２５℃での粘度（η２５）は、好ましくは３０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは４００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３００Ｐａ・ｓ以下である。上記粘度（η２５）は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整することができる。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the viscosity (η25) at 25 ° C. of the conductive material is preferably 30 Pa · s or more, more preferably 50 Pa · s or more, preferably 400 Pa. · S or less, more preferably 300 Pa · s or less. The said viscosity ((eta) 25) can be suitably adjusted with the kind and compounding quantity of a compounding component.

上記粘度（η２５）は、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）等を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定することができる。   The viscosity (η25) can be measured, for example, using an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) and the like at 25 ° C. and 5 rpm.

本発明に係る導電材料では、表面の材料が金である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ）は、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ）は、好ましくは１．０×１０−２１ｍ２／ｓ以上、より好ましくは１．０×１０−２０ｍ２／ｓ以上であり、好ましくは１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下、より好ましくは１．０×１０−１８ｍ２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ）が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。 In the conductive material according to the present invention, when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is gold and heated to 70 ° C., the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is calculated. Among these, the diffusion coefficient (DAu) showing the maximum value is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less. The diffusion coefficient (DAu) showing the maximum value is preferably 1.0 × 10 −21 m 2 / s or more, more preferably 1.0 × 10 −20 m 2 / s or more, preferably 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less, more preferably 1.0 × 10 −18 m 2 / s or less. When the diffusion coefficient (DAu) indicating the maximum value is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be arranged more efficiently on the electrode, and the conduction reliability and the insulation reliability can be further improved. Can be enhanced.

本発明に係る導電材料では、表面の材料が銀である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数（ＤＡｇ）は、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｇ）は、好ましくは１．０×１０−２１ｍ２／ｓ以上、より好ましくは１．０×１０−２０ｍ２／ｓ以上であり、好ましくは１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下、より好ましくは１．０×１０−１８ｍ２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｇ）が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。 In the conductive material according to the present invention, when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is silver and heated to 70 ° C., the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is calculated. Among them, the diffusion coefficient (DAg) showing the maximum value is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less. The diffusion coefficient (DAg) showing the maximum value is preferably 1.0 × 10 −21 m 2 / s or more, more preferably 1.0 × 10 −20 m 2 / s or more, preferably 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less, more preferably 1.0 × 10 −18 m 2 / s or less. When the diffusion coefficient (DAg) indicating the maximum value is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be arranged more efficiently on the electrode, and the conduction reliability and the insulation reliability can be further improved. Can be enhanced.

本発明に係る導電材料では、表面の材料が銅である基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数（ＤＣｕ）は、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＣｕ）は、好ましくは１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上、より好ましくは１．０×１０−２１ｍ２／ｓ以上であり、好ましくは１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下、より好ましくは１．０×１０−１８ｍ２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＣｕ）が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。 In the conductive material according to the present invention, when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is copper and heated to 70 ° C., the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is calculated. Among these, the diffusion coefficient (DCu) showing the maximum value is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less. The diffusion coefficient (DCu) showing the maximum value is preferably 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more, more preferably 1.0 × 10 −21 m 2 / s or more, preferably 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less, more preferably 1.0 × 10 −18 m 2 / s or less. When the diffusion coefficient (DCu) indicating the maximum value is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be arranged more efficiently on the electrode, and the conduction reliability and the insulation reliability can be further improved. Can be enhanced.

本発明に係る導電材料では、表面の材料がアルミニウムである基板に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数（ＤＡｌ）は、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｌ）は、好ましくは１．０×１０−２１ｍ２／ｓ以上、より好ましくは１．０×１０−２０ｍ２／ｓ以上であり、好ましくは１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下、より好ましくは１．０×１０−１８ｍ２／ｓ以下である。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｌ）が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。 In the conductive material according to the present invention, when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is aluminum and heated to 70 ° C., the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is calculated. Among these, the diffusion coefficient (DAl) showing the maximum value is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less. The diffusion coefficient (DAl) showing the maximum value is preferably 1.0 × 10 −21 m 2 / s or more, more preferably 1.0 × 10 −20 m 2 / s or more, preferably 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less, more preferably 1.0 × 10 −18 m 2 / s or less. When the diffusion coefficient (DAl) showing the maximum value is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be arranged more efficiently on the electrode, and the conduction reliability and the insulation reliability can be further improved. Can be enhanced.

上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ、及びＤＡｌ）は、ＥＰＭＡ分析により算出することができる。ＥＰＭＡ分析装置としては、日本電子社製「ＪＸＡ−８２００」等が挙げられる。上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ、及びＤＡｌ）は、具体的には、以下のようにして測定することができる。   The diffusion coefficient (DAu, DAg, DCu, and DAl) showing the maximum value can be calculated by EPMA analysis. Examples of the EPMA analyzer include “JXA-8200” manufactured by JEOL Ltd. Specifically, the diffusion coefficient (DAu, DAg, DCu, and DAl) showing the maximum value can be measured as follows.

表面を金又は銀でめっきした銅基板、銅基板、及びアルミニウム基板の各種金属基板（５ｃｍ×５ｃｍ）を用意する。用意した各種金属基板に、導電材料をメタルマスク（厚さ：７０μｍ、大きさ：１ｃｍ×１ｃｍ）を用いて均一に塗布し、８０℃で３０分間加熱する。その後、導電材料を塗布した部分で金属基板を切断し、断面部に対してＥＰＭＡ分析を実施する。ＥＰＭＡ分析では、各種金属基板の金属のスペクトル及び導電性粒子に含まれる金属のスペクトルの交点を原点とし、各種金属基板の金属方向に対して導電性粒子に含まれる金属が非検出となる距離から、導電性粒子の金属の各種金属基板への移動距離（ｍ）を算出する。導電性粒子の金属の各種金属基板への一方向の移動距離を二乗し、移動距離の二乗（ｍ２）及び加熱時間（ｓ）から、拡散係数（ｍ２／ｓ）を算出する。式：移動距離の二乗（ｍ２）／加熱時間（ｓ）の値を、拡散係数（ｍ２／ｓ）とする。また、ＥＰＭＡ分析装置の照射電圧は１５．０ｋＶとする。 Various metal substrates (5 cm × 5 cm) of a copper substrate having a surface plated with gold or silver, a copper substrate, and an aluminum substrate are prepared. A conductive material is uniformly applied to the prepared various metal substrates using a metal mask (thickness: 70 μm, size: 1 cm × 1 cm), and heated at 80 ° C. for 30 minutes. Thereafter, the metal substrate is cut at a portion where the conductive material is applied, and EPMA analysis is performed on the cross section. In EPMA analysis, the intersection of the metal spectrum of various metal substrates and the spectrum of the metal contained in the conductive particles is used as the origin, and from the distance at which the metal contained in the conductive particles is not detected in the metal direction of the various metal substrates The movement distance (m) of the conductive particles to various metal substrates is calculated. The unidirectional movement distance of the conductive particles to various metal substrates is squared, and the diffusion coefficient (m 2 / s) is calculated from the square of the movement distance (m 2 ) and the heating time (s). Formula: The value of square of moving distance (m 2 ) / heating time (s) is defined as a diffusion coefficient (m 2 / s). The irradiation voltage of the EPMA analyzer is 15.0 kV.

上記最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ、及びＤＡｌ）を上記の好ましい範囲に調整する方法としては、金属拡散を活性化する方法等が挙げられる。具体的には、低温活性を有するフラックスを用いる方法等が挙げられる。   Examples of a method for adjusting the diffusion coefficient (DAu, DAg, DCu, and DAl) showing the maximum value to the above preferable range include a method of activating metal diffusion. Specific examples include a method using a flux having low temperature activity.

上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。上記導電ペーストは異方性導電ペーストであることが好ましく、上記導電フィルムは異方性導電フィルムであることが好ましい。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記導電材料は、導電ペーストであることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。   The conductive material can be used as a conductive paste and a conductive film. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste, and the conductive film is preferably an anisotropic conductive film. From the viewpoint of more efficiently disposing the solder on the electrode, the conductive material is preferably a conductive paste. The conductive material is preferably used for electrical connection of electrodes. The conductive material is preferably a circuit connection material.

以下、上記導電材料に含まれる各成分を説明する。   Hereinafter, each component contained in the conductive material will be described.

（導電性粒子）
上記導電材料は、導電性粒子を含む。上記導電性粒子は、はんだを含む。上記導電性粒子は、はんだのみを含んでいてもよく、はんだとはんだ以外の金属とを含んでいてもよい。 (Conductive particles)
The conductive material includes conductive particles. The conductive particles include solder. The conductive particles may contain only solder or may contain solder and a metal other than solder.

上記導電性粒子は、はんだ粒子であってもよい。上記導電性粒子は、はんだ粒子以外のはんだを含む導電性粒子であってもよい。上記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有していてもよい。上記導電部は、はんだを含んでいてもよい。上記導電材料は、はんだ粒子のみを含んでいてもよく、はんだ粒子以外のはんだを含む導電性粒子を含んでいてもよい。   The conductive particles may be solder particles. The conductive particles may be conductive particles containing solder other than solder particles. The said electroconductive particle may have a base material particle and the electroconductive part arrange | positioned on the surface of this base material particle. The conductive part may contain solder. The conductive material may contain only solder particles, or may contain conductive particles containing solder other than the solder particles.

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは３５μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。上記導電性粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記導電性粒子の粒子径は、１５μｍ以下であることが特に好ましい。上記導電性粒子の粒子径が、１５μｍ以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。   The particle diameter of the conductive particles is preferably 2 μm or more, more preferably 5 μm or more, preferably 35 μm or less, more preferably 20 μm or less. When the particle diameter of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be arranged more efficiently on the electrode, and the conduction reliability and the connection reliability can be further effectively improved. be able to. The particle diameter of the conductive particles is particularly preferably 15 μm or less. When the particle diameter of the conductive particles is 15 μm or less, the solder can be more efficiently arranged on the electrode, and the conduction reliability and the connection reliability can be further effectively improved.

上記導電性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。導電性粒子の粒子径は、例えば、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子の粒子径の平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの導電性粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の導電性粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。レーザー回折式粒度分布測定では、１個当たりの導電性粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記導電性粒子の粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定により算出することが好ましい。   The particle diameter of the conductive particles is preferably an average particle diameter, and more preferably a number average particle diameter. The particle diameter of the conductive particles may be determined by, for example, observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope, calculating an average value of the particle diameter of each conductive particle, or measuring a laser diffraction particle size distribution. It is calculated by doing. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the particle diameter of each conductive particle is determined as a particle diameter in a circle-equivalent diameter. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter at an equivalent circle diameter of any 50 conductive particles is almost equal to the average particle diameter at a sphere equivalent diameter. In the laser diffraction particle size distribution measurement, the particle diameter of each conductive particle is obtained as a particle diameter in a sphere equivalent diameter. The particle diameter of the conductive particles is preferably calculated by laser diffraction particle size distribution measurement.

導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは４０重量％以上、より好ましくは４５重量％以上、さらに好ましくは５５重量％以上、特に好ましくは６０重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８５重量％以下、さらに好ましくは８０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだを多く配置することが容易であり、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。   The content of the conductive particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 40% by weight or more, more preferably 45% by weight or more, further preferably 55% by weight or more, and particularly preferably 60% by weight or more. Is 90% by weight or less, more preferably 85% by weight or less, and still more preferably 80% by weight or less. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is possible to more efficiently arrange the solder on the electrodes, and it is easy to arrange much solder between the electrodes, The conduction reliability and the insulation reliability can be further effectively improved.

次に、図面を参照しつつ、導電性粒子の具体例を説明する。   Next, specific examples of conductive particles will be described with reference to the drawings.

図４は、本発明の第１の実施形態に係る導電材料に使用可能な導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing conductive particles that can be used in the conductive material according to the first embodiment of the present invention.

図４に示す導電性粒子２１は、はんだ粒子である。導電性粒子２１は、全体がはんだにより形成されている。導電性粒子２１は、基材粒子をコアに有さず、コアシェル粒子ではない。導電性粒子２１は、中心部分及び導電部の外表面部分のいずれもがはんだにより形成されている。   The conductive particles 21 shown in FIG. 4 are solder particles. The conductive particles 21 are entirely formed of solder. The conductive particles 21 do not have base particles in the core, and are not core-shell particles. As for the electroconductive particle 21, both the center part and the outer surface part of an electroconductive part are formed with the solder.

図５は、本発明の第２の実施形態に係る導電材料に使用可能な導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view showing conductive particles that can be used in the conductive material according to the second embodiment of the present invention.

図５に示す導電性粒子３１は、基材粒子３２と、基材粒子３２の表面上に配置された導電部３３とを備える。導電部３３は、基材粒子３２の表面を被覆している。導電性粒子３１は、基材粒子３２の表面が導電部３３により被覆された被覆粒子である。   The conductive particle 31 shown in FIG. 5 includes a base particle 32 and a conductive part 33 disposed on the surface of the base particle 32. The conductive portion 33 covers the surface of the base particle 32. The conductive particles 31 are coated particles in which the surface of the base particle 32 is covered with the conductive portion 33.

導電部３３は、第２の導電部３３Ａと、第１の導電部３３Ｂとを有する。導電性粒子３１は、基材粒子３２と、第１の導電部３３Ｂとの間に、第２の導電部３３Ａを備える。従って、導電性粒子３１は、基材粒子３２と、基材粒子３２の表面上に配置された第２の導電部３３Ａと、第２の導電部３３Ａの外表面上に配置された第１の導電部３３Ｂとを備える。   The conductive portion 33 includes a second conductive portion 33A and a first conductive portion 33B. The conductive particles 31 include a second conductive portion 33A between the base particle 32 and the first conductive portion 33B. Accordingly, the conductive particles 31 include the base particles 32, the second conductive portion 33A disposed on the surface of the base particles 32, and the first conductive layer 33A disposed on the outer surface of the second conductive portion 33A. And a conductive portion 33B.

図６は、本発明の第３の実施形態に係る導電材料に使用可能な導電性粒子を示す断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing conductive particles that can be used in the conductive material according to the third embodiment of the present invention.

上記のように、導電性粒子３１における導電部３３は２層構造を有する。図６に示す導電性粒子４１は、単層の導電部として、導電部４２を有する。導電性粒子４１は、基材粒子３２と、基材粒子３２の表面上に配置された導電部４２とを備える。   As described above, the conductive portion 33 in the conductive particle 31 has a two-layer structure. The conductive particle 41 illustrated in FIG. 6 includes a conductive portion 42 as a single-layer conductive portion. The conductive particles 41 include base particles 32 and conductive portions 42 disposed on the surface of the base particles 32.

以下、導電性粒子の他の詳細について説明する。   Hereinafter, other details of the conductive particles will be described.

はんだ粒子：
上記はんだ粒子は、中心部分及び外表面のいずれもがはんだにより形成されている。上記はんだ粒子は、中心部分及び外表面のいずれもがはんだである粒子である。 Solder particles:
As for the said solder particle, both a center part and an outer surface are formed with the solder. The solder particles are particles in which both the central portion and the outer surface are solder.

上記はんだは、融点が４５０℃以下である金属（低融点金属）であることが好ましい。上記はんだ粒子は、融点が４５０℃以下である金属粒子（低融点金属粒子）であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは３００℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。上記はんだ粒子は、融点が１５０℃未満の低融点はんだであることが好ましい。   The solder is preferably a metal (low melting point metal) having a melting point of 450 ° C. or lower. The solder particles are preferably metal particles (low melting point metal particles) having a melting point of 450 ° C. or lower. The low melting point metal particles are particles containing a low melting point metal. The low melting point metal is a metal having a melting point of 450 ° C. or lower. The melting point of the low melting point metal is preferably 300 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower. The solder particles are preferably low melting point solder having a melting point of less than 150 ° C.

上記はんだ粒子の融点は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により求めることができる。示差走査熱量測定（ＤＳＣ）装置としては、ＳＩＩ社製「ＥＸＳＴＡＲ ＤＳＣ７０２０」等が挙げられる。   The melting point of the solder particles can be determined by differential scanning calorimetry (DSC). Examples of the differential scanning calorimetry (DSC) apparatus include “EXSTAR DSC7020” manufactured by SII.

また、上記はんだ粒子は錫を含むことが好ましい。上記はんだ粒子に含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記はんだ粒子における錫の含有量が、上記下限以上であると、はんだ部と電極との導通信頼性及び接続信頼性がより一層高くなる。   The solder particles preferably contain tin. In 100% by weight of the metal contained in the solder particles, the content of tin is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, and particularly preferably 90% by weight or more. . When the tin content in the solder particles is equal to or higher than the lower limit, the conduction reliability and the connection reliability between the solder portion and the electrode are further enhanced.

なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ−ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ−８００ＨＳ」）等を用いて測定することができる。   The tin content is determined using a high frequency inductively coupled plasma optical emission spectrometer (“ICP-AES” manufactured by Horiba, Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu). Can be measured.

上記はんだ粒子を用いることで、はんだ粒子が溶融して電極に接合し、はんだ部が電極間を導通させる。例えば、はんだ部と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、上記はんだ粒子の使用により、はんだ部と電極との接合強度が高くなる結果、はんだ部と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性がより一層高くなる。   By using the solder particles, the solder particles are melted and joined to the electrodes, and the solder portion conducts between the electrodes. For example, since the solder portion and the electrode are not in point contact but in surface contact, the connection resistance is lowered. Moreover, as a result of the use of the solder particles, the bonding strength between the solder part and the electrode is increased. As a result, peeling between the solder part and the electrode is less likely to occur, and the conduction reliability and the connection reliability are further improved.

上記はんだ粒子を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、及び錫−インジウム合金等が挙げられる。電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、又は錫−インジウム合金であることが好ましい。上記低融点金属は、錫−ビスマス合金、又は錫−インジウム合金であることがより好ましい。   The low melting point metal constituting the solder particles is not particularly limited. The low melting point metal is preferably tin or an alloy containing tin. Examples of the alloy include a tin-silver alloy, a tin-copper alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, a tin-zinc alloy, and a tin-indium alloy. The low melting point metal is preferably tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, or a tin-indium alloy because of its excellent wettability with respect to the electrode. The low melting point metal is more preferably a tin-bismuth alloy or a tin-indium alloy.

上記はんだ粒子は、ＪＩＳ Ｚ３００１：溶接用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだ粒子の組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、及びインジウム等を含む金属組成が挙げられる。低融点で鉛フリーである錫−インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫−ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、上記はんだ粒子は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むか、又は錫とビスマスとを含むことが好ましい。   The solder particles are preferably a filler material having a liquidus line of 450 ° C. or lower based on JIS Z3001: welding terms. Examples of the composition of the solder particles include a metal composition containing zinc, gold, silver, lead, copper, tin, bismuth, indium, and the like. A tin-indium system (117 ° C eutectic) or a tin-bismuth system (139 ° C eutectic) that has a low melting point and is free of lead is preferable. That is, the solder particles preferably do not contain lead, and preferably contain tin and indium, or contain tin and bismuth.

はんだ部と電極との接合強度をより一層高めるために、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、及びパラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、はんだ部と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。はんだ部と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、はんだ粒子に含まれる金属１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。   In order to further increase the bonding strength between the solder part and the electrode, the solder particles include nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese, chromium, Metals such as molybdenum and palladium may be included. Moreover, from the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder portion and the electrode, the solder particles preferably contain nickel, copper, antimony, aluminum, or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder part and the electrode, the content of these metals for increasing the bonding strength is 100 wt% of the metal contained in the solder particles, preferably 0.0001 wt% or more, Preferably it is 1 weight% or less.

上記はんだ粒子の粒子径は、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは３５μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。上記はんだ粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記はんだ粒子の粒子径は、１５μｍ以下であることが特に好ましい。上記はんだ粒子の粒子径が、１５μｍ以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。   The particle diameter of the solder particles is preferably 2 μm or more, more preferably 5 μm or more, preferably 35 μm or less, more preferably 20 μm or less. When the particle diameter of the solder particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be arranged more efficiently on the electrode, and the conduction reliability and the connection reliability can be further effectively improved. Can do. The particle size of the solder particles is particularly preferably 15 μm or less. When the particle diameter of the solder particles is 15 μm or less, the solder can be arranged more efficiently on the electrode, and the conduction reliability and the connection reliability can be further effectively improved.

上記はんだ粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。はんだ粒子の粒子径は、例えば、任意のはんだ粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各はんだ粒子の粒子径の平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりのはんだ粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個のはんだ粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。レーザー回折式粒度分布測定では、１個当たりのはんだ粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記はんだ粒子の粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定により算出することが好ましい。   The particle diameter of the solder particles is preferably an average particle diameter, and more preferably a number average particle diameter. The particle size of the solder particles is, for example, observing 50 arbitrary solder particles with an electron microscope or an optical microscope, calculating an average value of the particle size of each solder particle, or performing a laser diffraction particle size distribution measurement. Is required. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the particle diameter of one solder particle is determined as a particle diameter in a circle-equivalent diameter. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter at an equivalent circle diameter of any 50 solder particles is substantially equal to the average particle diameter at a sphere equivalent diameter. In the laser diffraction particle size distribution measurement, the particle diameter of one solder particle is obtained as a particle diameter in a sphere equivalent diameter. The particle diameter of the solder particles is preferably calculated by laser diffraction particle size distribution measurement.

上記はんだ粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、好ましくは５％以上、より好ましくは１０％以上であり、好ましくは４０％以下、より好ましくは３０％以下である。上記はんだ粒子の粒子径の変動係数が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。但し、上記はんだ粒子の粒子径のＣＶ値は、５％未満であってもよい。   The coefficient of variation (CV value) of the solder particle diameter is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, preferably 40% or less, more preferably 30% or less. When the coefficient of variation of the particle diameter of the solder particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be more efficiently arranged on the electrode. However, the CV value of the particle diameter of the solder particles may be less than 5%.

上記変動係数（ＣＶ値）は、以下のようにして測定できる。   The coefficient of variation (CV value) can be measured as follows.

ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：はんだ粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：はんだ粒子の粒子径の平均値 CV value (%) = (ρ / Dn) × 100
ρ: Standard deviation of particle diameter of solder particles Dn: Average value of particle diameter of solder particles

上記はんだ粒子の形状は特に限定されない。上記はんだ粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等の形状であってもよい。   The shape of the solder particles is not particularly limited. The solder particles may have a spherical shape, a non-spherical shape, or a flat shape.

導電材料１００重量％中、上記はんだ粒子の含有量は、好ましくは４０重量％以上、より好ましくは４５重量％以上、さらに好ましくは５５重量％以上、特に好ましくは６０重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８５重量％以下、さらに好ましくは８０重量％以下である。上記はんだ粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだを多く配置することが容易であり、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。   The content of the solder particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 40% by weight or more, more preferably 45% by weight or more, still more preferably 55% by weight or more, particularly preferably 60% by weight or more, preferably It is 90 weight% or less, More preferably, it is 85 weight% or less, More preferably, it is 80 weight% or less. When the content of the solder particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is possible to more efficiently arrange the solder on the electrodes, and it is easy to dispose a lot of solder between the electrodes. Reliability and insulation reliability can be further improved effectively.

はんだ粒子以外のはんだを含む導電性粒子（導電性粒子Ｘ）：
上記導電性粒子は、上述したはんだ粒子以外のはんだを含む導電性粒子（以下、はんだ粒子以外のはんだを含む導電性粒子を、導電性粒子Ｘと記載することがある）であってもよい。上記導電性粒子Ｘは、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有していてもよい。上記導電性粒子Ｘは、上記導電部にはんだを含んでいてもよい。上記導電部は、単層構造であってもよく、２層以上の複層構造であってもよい。上記導電性粒子Ｘは、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された第２の導電部と、該第２の導電部の外表面上に配置された第１の導電部とを備えていてもよい。 Conductive particles containing solder other than solder particles (conductive particles X):
The conductive particles may be conductive particles containing solder other than the solder particles described above (hereinafter, conductive particles containing solder other than solder particles may be referred to as conductive particles X). The conductive particles X may have base particles and conductive portions arranged on the surface of the base particles. The conductive particles X may contain solder in the conductive part. The conductive portion may have a single layer structure or a multilayer structure of two or more layers. The conductive particle X includes a base particle, a second conductive part disposed on the surface of the base particle, and a first conductive part disposed on the outer surface of the second conductive part. May be provided.

以下、導電性粒子Ｘの他の詳細について説明する。   Hereinafter, other details of the conductive particles X will be described.

（基材粒子）
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを備えるコアシェル粒子であってもよい。上記コアが有機コアであってもよく、上記シェルが無機シェルであってもよい。 (Base particle)
Examples of the substrate particles include resin particles, inorganic particles excluding metal particles, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles. The substrate particles are preferably substrate particles excluding metal particles, and more preferably resin particles, inorganic particles excluding metal particles, or organic-inorganic hybrid particles. The base particle may be a core-shell particle including a core and a shell disposed on the surface of the core. The core may be an organic core, and the shell may be an inorganic shell.

上記樹脂粒子の材料として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、及びポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、並びにジビニルベンゼン系共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン系共重合体等としては、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体及びジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記樹脂粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子の材料は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。   Various organic materials are suitably used as the material for the resin particles. Examples of the material for the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; polycarbonate, polyamide, Phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, Polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, poly Polyether sulfone, divinyl benzene polymer, and divinylbenzene copolymer, and the like. Examples of the divinylbenzene copolymer include divinylbenzene-styrene copolymer and divinylbenzene- (meth) acrylic acid ester copolymer. Since the hardness of the resin particles can be easily controlled within a suitable range, the material of the resin particles is a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group. Is preferred.

上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合には、該エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。   When the resin particles are obtained by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group, the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group includes a non-crosslinkable monomer and And a crosslinkable monomer.

上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、及びα−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、及び無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、及びイソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、及びグリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート化合物；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、及びプロピルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、及びステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物；エチレン、プロピレン、イソプレン、及びブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、及びクロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。   Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene monomers such as styrene and α-methylstyrene; carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, Alkyl (meth) acrylate compounds such as cyclohexyl (meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate, and glycidyl (meth) Oxygen atom-containing (meth) acrylate compounds such as acrylate; Nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; Vinyl ether compounds such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, and propyl vinyl ether; Vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, and stearin Acid vinyl ester compounds such as vinyl acid; unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene, and butadiene; trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride, and chlorostyrene And halogen-containing monomers such as

上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、及び１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート化合物；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、並びに、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、及びビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。   Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and dipenta Erythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) Polyfunctional (meth) acrylate compounds such as acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate, and 1,4-butanediol di (meth) acrylate; triallyl (iso) silane Silane-containing single quantities such as nurate, triallyl trimellitate, divinylbenzene, diallyl phthalate, diallylacrylamide, diallyl ether, and γ- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, and vinyltrimethoxysilane Examples include the body.

「（メタ）アクリレート」の用語は、アクリレートとメタクリレートとを示す。「（メタ）アクリル」の用語は、アクリルとメタクリルとを示す。「（メタ）アクリロイル」の用語は、アクリロイルとメタクリロイルとを示す。   The term “(meth) acrylate” refers to acrylate and methacrylate. The term “(meth) acryl” refers to acrylic and methacrylic. The term “(meth) acryloyl” refers to acryloyl and methacryloyl.

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。   The resin particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group by a known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of polymerizing by swelling a monomer together with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.

上記基材粒子が金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は、金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。   In the case where the substrate particles are inorganic particles or organic-inorganic hybrid particles excluding metal, examples of the inorganic material for forming the substrate particles include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and carbon black. The inorganic substance is preferably not a metal. The particles formed from the silica are not particularly limited. For example, after forming a crosslinked polymer particle by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups, firing may be performed as necessary. The particle | grains obtained by performing are mentioned. Examples of the organic / inorganic hybrid particles include organic / inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。   The organic-inorganic hybrid particles are preferably core-shell type organic-inorganic hybrid particles having a core and a shell disposed on the surface of the core. The core is preferably an organic core. The shell is preferably an inorganic shell. From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance between the electrodes, the base material particles are preferably organic-inorganic hybrid particles having an organic core and an inorganic shell disposed on the surface of the organic core.

上記有機コアの材料としては、上述した樹脂粒子の材料等が挙げられる。   Examples of the material for the organic core include the material for the resin particles described above.

上記無機シェルの材料としては、上述した基材粒子の材料として挙げた無機物が挙げられる。上記無機シェルの材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。   Examples of the material for the inorganic shell include the inorganic materials mentioned as the material for the base material particles. The material of the inorganic shell is preferably silica. The inorganic shell is preferably formed on the surface of the core by forming a metal alkoxide into a shell-like material by a sol-gel method and then firing the shell-like material. The metal alkoxide is preferably a silane alkoxide. The inorganic shell is preferably formed of a silane alkoxide.

上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子の材料である金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金、錫及びチタン等が挙げられる。また、上記金属粒子は、上述したはんだ粒子であってもよい。   When the base particles are metal particles, examples of the metal that is a material of the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold, tin, and titanium. The metal particles may be the solder particles described above.

上記基材粒子の粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは３μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。さらに基材粒子の表面に導電部を形成する際に凝集し難くなり、凝集した導電性粒子Ｘが形成され難くなる。   The particle diameter of the substrate particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, further preferably 3 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 60 μm or less, and even more preferably 50 μm or less. When the particle diameter of the substrate particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be more efficiently arranged on the electrode. Further, when forming the conductive portion on the surface of the base particle, it becomes difficult to aggregate, and the aggregated conductive particle X is difficult to be formed.

上記基材粒子の粒子径は、５μｍ以上４０μｍ以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の粒子径が、５μｍ以上４０μｍ以下の範囲内であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。   The particle diameter of the substrate particles is particularly preferably 5 μm or more and 40 μm or less. When the particle diameter of the substrate particles is in the range of 5 μm or more and 40 μm or less, the solder can be arranged more efficiently on the electrode.

上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。   The particle diameter of the base particle indicates a diameter when the base particle is a true sphere, and indicates a maximum diameter when the base particle is not a true sphere.

上記基材粒子の粒子径は、数平均粒子径を示す。上記基材粒子の粒子径は粒度分布測定装置等を用いて求められる。基材粒子の粒子径は、任意の基材粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの基材粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の基材粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、１個当たりの基材粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記基材粒子の粒子径は、粒度分布測定装置により算出することが好ましい。導電性粒子Ｘにおいて、上記基材粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。   The particle diameter of the base particle indicates a number average particle diameter. The particle diameter of the substrate particles is determined using a particle size distribution measuring device or the like. The particle diameter of the substrate particles is preferably determined by observing 50 arbitrary substrate particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the particle diameter of the base particle per particle is obtained as a particle diameter in a circle-equivalent diameter. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter at an equivalent circle diameter of any 50 base particles is substantially equal to the average particle diameter at a sphere equivalent diameter. In the particle size distribution measuring apparatus, the particle diameter of the base material particle per particle is obtained as a particle diameter in a sphere equivalent diameter. The particle diameter of the substrate particles is preferably calculated by a particle size distribution measuring device. In the case of measuring the particle diameter of the base particle in the conductive particle X, for example, it can be measured as follows.

導電性粒子Ｘの含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子Ｘ検査用埋め込み樹脂を作製する。検査用埋め込み樹脂中に分散した導電性粒子Ｘの中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子Ｘの断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を２５０００倍に設定し、５０個の導電性粒子Ｘを無作為に選択し、各導電性粒子Ｘの基材粒子を観察する。各導電性粒子Ｘにおける基材粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して基材粒子の粒子径とする。   An embedded resin for inspecting conductive particles X is prepared by adding and dispersing in “Technobit 4000” manufactured by Kulzer so that the content of the conductive particles X is 30% by weight. A cross section of the conductive particles X is cut out using an ion milling device ("IM4000" manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) so as to pass through the vicinity of the center of the conductive particles X dispersed in the inspection embedding resin. Then, using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), the image magnification is set to 25000 times, 50 conductive particles X are randomly selected, and base particles of each conductive particle X Observe. The particle diameter of the base particle in each conductive particle X is measured, and arithmetically averaged to obtain the particle diameter of the base particle.

（導電部）
上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法、並びに上記基材粒子の表面上又は上記第２の導電部の表面上に上記第１の導電部を形成する方法は特に限定されない。上記導電部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的な衝突による方法、メカノケミカル反応による方法、物理的蒸着又は物理的吸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。上記導電部を形成する方法は、無電解めっき、電気めっき又は物理的な衝突による方法であることが好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。また、上記物理的な衝突による方法では、例えば、シーターコンポーザ（徳寿工作所社製）等が用いられる。 (Conductive part)
The method for forming the conductive part on the surface of the base particle and the method for forming the first conductive part on the surface of the base particle or the surface of the second conductive part are not particularly limited. Examples of the method for forming the conductive part include a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical collision, a method by mechanochemical reaction, a method by physical vapor deposition or physical adsorption, and a metal powder or Examples thereof include a method of coating the surface of the substrate particles with a paste containing a metal powder and a binder. The method for forming the conductive part is preferably a method by electroless plating, electroplating or physical collision. Examples of the method by physical vapor deposition include methods such as vacuum vapor deposition, ion plating, and ion sputtering. Further, in the method based on the physical collision, for example, a sheeter composer (manufactured by Tokuju Kogakusha Co., Ltd.) or the like is used.

上記基材粒子の融点は、上記導電部の融点よりも高いことが好ましい。上記基材粒子の融点は、好ましくは１６０℃を超え、より好ましくは３００℃を超え、さらに好ましくは４００℃を超え、特に好ましくは４５０℃を超える。なお、上記基材粒子の融点は、４００℃未満であってもよい。上記基材粒子の融点は、１６０℃以下であってもよい。上記基材粒子の軟化点は２６０℃以上であることが好ましい。上記基材粒子の軟化点は２６０℃未満であってもよい。   The melting point of the substrate particles is preferably higher than the melting point of the conductive part. The melting point of the substrate particles is preferably higher than 160 ° C, more preferably higher than 300 ° C, still more preferably higher than 400 ° C, and particularly preferably higher than 450 ° C. The melting point of the substrate particles may be less than 400 ° C. The melting point of the substrate particles may be 160 ° C. or less. The softening point of the substrate particles is preferably 260 ° C. or higher. The softening point of the substrate particles may be less than 260 ° C.

上記導電部は、金属を含むことが好ましい。上記導電部を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）やはんだを用いてもよい。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   The conductive part preferably contains a metal. The metal which comprises the said electroconductive part is not specifically limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, palladium, zinc, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, and alloys thereof. In addition, tin-doped indium oxide (ITO) or solder may be used as the metal. As for the said metal, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記導電性粒子Ｘは、単層のはんだ部を有していてもよい。上記導電性粒子Ｘは、単層の導電部を有していてもよく、複数の層の導電部（第１の導電部及び第２の導電部）を有していてもよい。すなわち、上記導電性粒子Ｘでは、導電部を２層以上積層してもよい。上記導電部が２層以上の場合、上記導電性粒子Ｘは、導電部の外表面部分にはんだを有していてもよい。   The conductive particles X may have a single layer solder portion. The conductive particles X may have a single-layer conductive portion, or may have a plurality of layers of conductive portions (first conductive portion and second conductive portion). That is, in the conductive particle X, two or more conductive portions may be stacked. When the conductive part has two or more layers, the conductive particles X may have solder on the outer surface portion of the conductive part.

上記はんだは、上述したはんだ粒子と同じ組成のはんだであることが好ましい。   The solder is preferably a solder having the same composition as the solder particles described above.

上記はんだを構成する低融点金属は特に限定されない。上記低融点金属は、上述したはんだ粒子を構成する低融点金属であることが好ましい。   The low melting point metal constituting the solder is not particularly limited. The low melting point metal is preferably a low melting point metal constituting the solder particles described above.

上記第２の導電部の融点は、上記第１の導電部の融点よりも高いことが好ましい。上記第２の導電部の融点は、好ましくは１６０℃を超え、より好ましくは３００℃を超え、さらに好ましくは４００℃を超え、さらに一層好ましくは４５０℃を超え、特に好ましくは５００℃を超え、最も好ましくは６００℃を超える。上記第１の導電部は融点が低いために導電接続時に溶融する。上記第２の導電部は導電接続時に溶融しないことが好ましい。上記第１の導電部は、はんだ部であることが好ましく、上記第１の導電部を溶融させて用いられることが好ましく、上記第１の導電部を溶融させてかつ上記第２の導電部を溶融させずに用いられることが好ましい。上記第２の導電部の融点が上記第１の導電部の融点をよりも高いことによって、導電接続時に、上記第２の導電部を溶融させずに、上記第１の導電部のみを溶融させることができる。   The melting point of the second conductive part is preferably higher than the melting point of the first conductive part. The melting point of the second conductive part is preferably more than 160 ° C, more preferably more than 300 ° C, still more preferably more than 400 ° C, still more preferably more than 450 ° C, particularly preferably more than 500 ° C, Most preferably above 600 ° C. Since the first conductive portion has a low melting point, it melts at the time of conductive connection. It is preferable that the second conductive portion does not melt during conductive connection. The first conductive part is preferably a solder part, and is preferably used by melting the first conductive part, and the first conductive part is melted and the second conductive part is used. It is preferably used without melting. When the melting point of the second conductive part is higher than the melting point of the first conductive part, only the first conductive part is melted without melting the second conductive part during conductive connection. be able to.

上記第１の導電部の融点と上記第２の導電部との融点との差の絶対値は、０℃を超え、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上、さらに好ましくは３０℃以上、特に好ましくは５０℃以上、最も好ましくは１００℃以上である。   The absolute value of the difference between the melting point of the first conductive part and the melting point of the second conductive part exceeds 0 ° C, preferably 5 ° C or higher, more preferably 10 ° C or higher, and even more preferably 30 ° C or higher. Particularly preferably, it is 50 ° C. or higher, and most preferably 100 ° C. or higher.

上記第２の導電部は、金属を含むことが好ましい。上記第２の導電部を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   The second conductive part preferably contains a metal. The metal which comprises the said 2nd electroconductive part is not specifically limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, palladium, zinc, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, and alloys thereof. Further, tin-doped indium oxide (ITO) may be used as the metal. As for the said metal, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記第２の導電部は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層であることが好ましく、ニッケル層、金層又は銅層であることがより好ましく、銅層であることがさらに好ましい。導電性粒子Ｘは、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層を有することが好ましく、ニッケル層、金層又は銅層を有することがより好ましく、銅層を有することがさらに好ましい。これらの好ましい導電部を有する導電性粒子Ｘを電極間の接続に用いることにより、電極間にはんだをより一層効率的に配置することができる。   The second conductive part is preferably a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a gold layer, more preferably a nickel layer, a gold layer, or a copper layer, and even more preferably a copper layer. The conductive particles X preferably have a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a gold layer, more preferably have a nickel layer, a gold layer, or a copper layer, and more preferably have a copper layer. By using the conductive particles X having these preferable conductive parts for the connection between the electrodes, the solder can be arranged more efficiently between the electrodes.

上記第１の導電部の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．３μｍ以下である。第１の導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。   The thickness of the first conductive part is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, and still more preferably 0.3 μm or less. When the thickness of the first conductive portion is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be more efficiently disposed on the electrode, and the conduction reliability and the connection reliability can be further effectively improved. be able to.

上記導電性粒子Ｘの粒子径は、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは３５μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。上記導電性粒子Ｘの粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記導電性粒子Ｘの粒子径は、１５μｍ以下であることが特に好ましい。上記導電性粒子Ｘの粒子径が、１５μｍ以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。   The particle diameter of the conductive particles X is preferably 2 μm or more, more preferably 5 μm or more, preferably 35 μm or less, more preferably 20 μm or less. When the particle diameter of the conductive particles X is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be arranged more efficiently on the electrode, and the conduction reliability and the connection reliability can be more effectively improved. Can be increased. The particle diameter of the conductive particles X is particularly preferably 15 μm or less. When the particle diameter of the conductive particles X is 15 μm or less, the solder can be more efficiently disposed on the electrode, and the conduction reliability and the connection reliability can be further effectively improved.

上記導電性粒子Ｘの粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。導電性粒子Ｘの平均粒子径は、例えば、任意の導電性粒子Ｘ５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの導電性粒子Ｘの粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の導電性粒子Ｘの円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。レーザー回折式粒度分布測定では、１個当たりの導電性粒子Ｘの粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記導電性粒子Ｘの粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定により算出することが好ましい。   The particle diameter of the conductive particles X is preferably an average particle diameter, and more preferably a number average particle diameter. The average particle diameter of the conductive particles X is obtained, for example, by observing 50 arbitrary conductive particles X with an electron microscope or an optical microscope, calculating an average value, or performing laser diffraction particle size distribution measurement. . In observation with an electron microscope or an optical microscope, the particle diameter of each conductive particle X is obtained as a particle diameter in a circle-equivalent diameter. In observation with an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter at an equivalent circle diameter of any 50 conductive particles X is substantially equal to the average particle diameter at a sphere equivalent diameter. In the laser diffraction particle size distribution measurement, the particle diameter of each conductive particle X is obtained as a particle diameter in a sphere equivalent diameter. The particle diameter of the conductive particles X is preferably calculated by laser diffraction particle size distribution measurement.

上記導電性粒子Ｘの粒子径のＣＶ値は、好ましくは５％以上、より好ましくは１０％以上であり、好ましくは４０％以下、より好ましくは３０％以下である。上記粒子径のＣＶ値が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。但し、上記導電性粒子Ｘの粒子径のＣＶ値は、５％未満であってもよい。   The CV value of the particle diameter of the conductive particles X is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, preferably 40% or less, more preferably 30% or less. When the CV value of the particle diameter is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be more efficiently arranged on the electrode. However, the CV value of the particle diameter of the conductive particles X may be less than 5%.

上記導電性粒子Ｘの粒子径のＣＶ値（変動係数）は、以下のようにして測定できる。   The CV value (coefficient of variation) of the particle diameter of the conductive particles X can be measured as follows.

ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：導電性粒子Ｘの粒子径の標準偏差
Ｄｎ：導電性粒子Ｘの粒子径の平均値 CV value (%) = (ρ / Dn) × 100
ρ: Standard deviation of particle diameter of conductive particle X Dn: Average value of particle diameter of conductive particle X

上記導電性粒子Ｘの形状は特に限定されない。上記導電性粒子Ｘの形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等の形状であってもよい。   The shape of the conductive particles X is not particularly limited. The conductive particles X may have a spherical shape, a shape other than a spherical shape, or a flat shape.

上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子Ｘの含有量は、好ましくは４０重量％以上、より好ましくは４５重量％以上、さらに好ましくは５５重量％以上、特に好ましくは６０重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８５重量％以下、さらに好ましくは８０重量％以下である。上記導電性粒子Ｘの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだを多く配置することが容易であり、導通信頼性及び接続信頼性をより一層効果的に高めることができる。   The content of the conductive particles X in 100% by weight of the conductive material is preferably 40% by weight or more, more preferably 45% by weight or more, still more preferably 55% by weight or more, and particularly preferably 60% by weight or more. , Preferably 90% by weight or less, more preferably 85% by weight or less, and still more preferably 80% by weight or less. When the content of the conductive particles X is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is possible to more efficiently arrange solder on the electrodes, and it is easy to dispose much solder between the electrodes. In addition, the conduction reliability and the connection reliability can be further effectively improved.

（熱硬化性成分）
上記導電材料は、熱硬化性成分を含む。上記導電材料は、熱硬化性成分として、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含んでいてもよい。導電材料をより一層良好に硬化させるために、上記導電材料は、熱硬化性成分として、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことが好ましい。導電材料をより一層良好に硬化させるために、上記導電材料は、熱硬化性成分として硬化促進剤を含むことが好ましい。 (Thermosetting component)
The conductive material includes a thermosetting component. The conductive material may contain a thermosetting compound and a thermosetting agent as a thermosetting component. In order to cure the conductive material even better, the conductive material preferably contains a thermosetting compound and a thermosetting agent as the thermosetting component. In order to cure the conductive material even better, the conductive material preferably contains a curing accelerator as a thermosetting component.

（熱硬化性成分：熱硬化性化合物）
上記熱硬化性化合物は特に限定されない。上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。導電材料の硬化性及び粘度をより一層良好にする観点、導通信頼性をより一層効果的に高める観点、及び絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性化合物としては、エポキシ化合物又はエピスルフィド化合物が好ましく、エポキシ化合物がより好ましい。上記熱硬化性化合物は、エポキシ化合物を含むことが好ましい。上記熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Thermosetting component: thermosetting compound)
The thermosetting compound is not particularly limited. Examples of the thermosetting compound include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenolic compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds. From the viewpoint of further improving the curability and viscosity of the conductive material, from the viewpoint of more effectively increasing the conduction reliability, and from the viewpoint of further increasing the insulation reliability more effectively, as the thermosetting compound, Epoxy compounds or episulfide compounds are preferred, and epoxy compounds are more preferred. The thermosetting compound preferably contains an epoxy compound. As for the said thermosetting compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記エポキシ化合物は、少なくとも１個のエポキシ基を有する化合物である。上記エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、フェノールアラルキル型エポキシ化合物、ナフトールアラルキル型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、アントラセン型エポキシ化合物、アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ化合物、ナフチレンエーテル型エポキシ化合物、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ化合物等が挙げられる。上記エポキシ化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   The epoxy compound is a compound having at least one epoxy group. Examples of the epoxy compounds include bisphenol A type epoxy compounds, bisphenol F type epoxy compounds, bisphenol S type epoxy compounds, phenol novolac type epoxy compounds, biphenyl type epoxy compounds, biphenyl novolac type epoxy compounds, biphenol type epoxy compounds, and naphthalene type epoxy compounds. Fluorene type epoxy compound, phenol aralkyl type epoxy compound, naphthol aralkyl type epoxy compound, dicyclopentadiene type epoxy compound, anthracene type epoxy compound, epoxy compound having adamantane skeleton, epoxy compound having tricyclodecane skeleton, naphthylene ether type Examples thereof include an epoxy compound and an epoxy compound having a triazine nucleus in the skeleton. As for the said epoxy compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記エポキシ化合物は、常温（２３℃）で液状又は固体であり、上記エポキシ化合物が常温で固体である場合には、上記エポキシ化合物の溶融温度は、上記はんだの融点以下であることが好ましい。上記の好ましいエポキシ化合物を用いることで、接続対象部材を貼り合わせた段階では、粘度が高く、搬送等の衝撃により、加速度が付与された際に、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材との位置ずれを抑制することができる。さらに、硬化時の熱により、導電材料の粘度を大きく低下させることができ、はんだの凝集を効率よく進行させることができる。   The epoxy compound is liquid or solid at normal temperature (23 ° C.), and when the epoxy compound is solid at normal temperature, the melting temperature of the epoxy compound is preferably equal to or lower than the melting point of the solder. By using the above-mentioned preferable epoxy compound, the first connection target member and the second connection are high when the connection target member is pasted and when the viscosity is high and acceleration is applied by impact such as conveyance. The positional deviation with respect to the target member can be suppressed. Furthermore, the viscosity of the conductive material can be greatly reduced by heat at the time of curing, and the solder can be efficiently aggregated.

絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性化合物は、エポキシ化合物を含むことが好ましい。   From the viewpoint of further increasing the insulation reliability more effectively and from the viewpoint of increasing the conduction reliability more effectively, the thermosetting compound preferably contains an epoxy compound.

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化性化合物は、ポリエーテル骨格を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましい。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the thermosetting compound preferably includes a thermosetting compound having a polyether skeleton.

上記ポリエーテル骨格を有する熱硬化性化合物としては、炭素数３〜１２のアルキル鎖の両末端にグリシジルエーテル基を有する化合物、並びに炭素数２〜４のポリエーテル骨格を有し、該ポリエーテル骨格２〜１０個が連続して結合した構造単位を有するポリエーテル型エポキシ化合物等が挙げられる。   Examples of the thermosetting compound having a polyether skeleton include a compound having a glycidyl ether group at both ends of an alkyl chain having 3 to 12 carbon atoms, and a polyether skeleton having 2 to 4 carbon atoms. Examples thereof include polyether type epoxy compounds having structural units in which 2 to 10 are bonded continuously.

硬化物の耐熱性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性化合物は、イソシアヌル骨格を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましい。   From the viewpoint of further effectively increasing the heat resistance of the cured product, the thermosetting compound preferably includes a thermosetting compound having an isocyanuric skeleton.

上記イソシアヌル骨格を有する熱硬化性化合物としてはトリイソシアヌレート型エポキシ化合物等が挙げられ、日産化学工業社製ＴＥＰＩＣシリーズ（ＴＥＰＩＣ−Ｇ、ＴＥＰＩＣ−Ｓ、ＴＥＰＩＣ−ＳＳ、ＴＥＰＩＣ−ＨＰ、ＴＥＰＩＣ−Ｌ、ＴＥＰＩＣ−ＰＡＳ、ＴＥＰＩＣ−ＶＬ、ＴＥＰＩＣ−ＵＣ）等が挙げられる。   Examples of the thermosetting compound having the above isocyanuric skeleton include triisocyanurate type epoxy compounds, etc., and TEPIC series (TEPIC-G, TEPIC-S, TEPIC-SS, TEPIC-HP, TEPIC-L, manufactured by Nissan Chemical Industries Ltd. TEPIC-PAS, TEPIC-VL, TEPIC-UC) and the like.

導電材料１００重量％中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、さらに好ましくは１５重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下、特に好ましくは３０重量％以下である。上記熱硬化性化合物の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置し、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。耐衝撃性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性化合物の含有量は多い方が好ましい。   In 100% by weight of the conductive material, the content of the thermosetting compound is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, further preferably 15% by weight or more, and preferably 90% by weight or less. Preferably it is 70 weight% or less, More preferably, it is 50 weight% or less, Most preferably, it is 30 weight% or less. When the content of the thermosetting compound is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be disposed more efficiently on the electrodes, and the insulation reliability between the electrodes can be further effectively improved. Further, the conduction reliability between the electrodes can be further effectively improved. From the viewpoint of more effectively increasing the impact resistance, it is preferable that the content of the thermosetting compound is large.

導電材料１００重量％中、上記エポキシ化合物の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、さらに好ましくは１５重量％以上であり、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下、特に好ましくは３０重量％以下である。上記エポキシ化合物の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置し、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物の含有量は多い方が好ましい。   In 100% by weight of the conductive material, the content of the epoxy compound is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more, further preferably 15% by weight or more, preferably 90% by weight or less, more preferably It is 70% by weight or less, more preferably 50% by weight or less, and particularly preferably 30% by weight or less. When the content of the epoxy compound is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be more efficiently arranged on the electrodes, and the insulation reliability between the electrodes can be further effectively improved, The conduction reliability between them can be further effectively improved. From the viewpoint of further improving the impact resistance, it is preferable that the content of the epoxy compound is large.

（熱硬化性成分：熱硬化剤）
上記熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤等のチオール硬化剤、酸無水物硬化剤、熱カチオン開始剤（熱カチオン硬化剤）及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Thermosetting component: thermosetting agent)
The said thermosetting agent is not specifically limited. The thermosetting agent thermosets the thermosetting compound. Examples of the thermosetting agent include imidazole curing agents, amine curing agents, phenol curing agents, polythiol curing agents, and other thiol curing agents, acid anhydride curing agents, thermal cation initiators (thermal cation curing agents), and thermal radical generators. Is mentioned. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

導電材料を低温でより一層速やかに硬化可能とする観点からは、上記熱硬化剤は、イミダゾール硬化剤、チオール硬化剤、又はアミン硬化剤であることが好ましい。また、上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときの保存安定性を高める観点からは、上記熱硬化剤は、潜在性の硬化剤であることが好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性チオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。   From the viewpoint of allowing the conductive material to be cured more rapidly at a low temperature, the thermosetting agent is preferably an imidazole curing agent, a thiol curing agent, or an amine curing agent. Further, from the viewpoint of enhancing the storage stability when the thermosetting compound and the thermosetting agent are mixed, the thermosetting agent is preferably a latent curing agent. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent thiol curing agent, or a latent amine curing agent. In addition, the said thermosetting agent may be coat | covered with polymeric substances, such as a polyurethane resin or a polyester resin.

上記イミダゾール硬化剤は特に限定されない。上記イミダゾール硬化剤としては、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−ベンジル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−パラトルイル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−メタトルイル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−メタトルイル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−パラトルイル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等における１Ｈ−イミダゾールの５位の水素をヒドロキシメチル基で、かつ、２位の水素をフェニル基またはトルイル基で置換したイミダゾール化合物等が挙げられる。   The imidazole curing agent is not particularly limited. Examples of the imidazole curing agent include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6. -[2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adducts 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-benzyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-paratoluyl-4-methyl-5 -Hydroxymethylimidazole, 2-metatoluyl-4-methyl-5- Roxymethylimidazole, 2-metatoluyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-paratoluyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, etc., the hydrogen at the 5-position of 1H-imidazole is a hydroxymethyl group and the hydrogen at the 2-position Examples thereof include an imidazole compound substituted with a phenyl group or a toluyl group.

上記チオール硬化剤は特に限定されない。上記チオール硬化剤としては、トリメチロールプロパントリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。   The thiol curing agent is not particularly limited. Examples of the thiol curing agent include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate.

上記アミン硬化剤は特に限定されない。上記アミン硬化剤としては、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。   The amine curing agent is not particularly limited. Examples of the amine curing agent include hexamethylenediamine, octamethylenediamine, decamethylenediamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5] undecane, bis (4 -Aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, diaminodiphenylsulfone and the like.

上記酸無水物硬化剤は特に限定されず、エポキシ化合物等の熱硬化性化合物の硬化剤として用いられる酸無水物であれば広く用いることができる。上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、フタル酸誘導体の無水物、無水マレイン酸、無水ナジック酸、無水メチルナジック酸、無水グルタル酸、無水コハク酸、グリセリンビス無水トリメリット酸モノアセテート、及びエチレングリコールビス無水トリメリット酸等の２官能の酸無水物硬化剤、無水トリメリット酸等の３官能の酸無水物硬化剤、並びに、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、及びポリアゼライン酸無水物等の４官能以上の酸無水物硬化剤等が挙げられる。   The acid anhydride curing agent is not particularly limited and can be widely used as long as it is an acid anhydride used as a curing agent for a thermosetting compound such as an epoxy compound. Examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylbutenyltetrahydrophthalic anhydride. Phthalic acid anhydride, maleic anhydride, nadic anhydride, methyl nadic anhydride, glutaric anhydride, succinic anhydride, glycerin bistrimellitic anhydride monoacetate, and ethylene glycol bistrimellitic anhydride Acid anhydride curing agent, trifunctional acid anhydride curing agent such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, methylcyclohexene tetracarboxylic acid anhydride, polyazeline acid anhydride, etc. 4 or more functional acid anhydrides Curing agents.

上記熱カチオン開始剤は特に限定されない。上記熱カチオン開始剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ−ｐ−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。   The thermal cation initiator is not particularly limited. Examples of the thermal cation initiator include iodonium cation curing agents, oxonium cation curing agents, and sulfonium cation curing agents. Examples of the iodonium-based cationic curing agent include bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate. Examples of the oxonium-based cationic curing agent include trimethyloxonium tetrafluoroborate. Examples of the sulfonium-based cationic curing agent include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate.

上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤としては、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。   The thermal radical generator is not particularly limited. Examples of the thermal radical generator include azo compounds and organic peroxides. Examples of the azo compound include azobisisobutyronitrile (AIBN). Examples of the organic peroxide include di-tert-butyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide.

上記熱硬化剤の反応開始温度は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは７０℃以上、さらに好ましくは８０℃以上であり、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下、さらに好ましくは１５０℃以下、特に好ましくは１４０℃以下である。上記熱硬化剤の反応開始温度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置される。上記熱硬化剤の反応開始温度は、８０℃以上１４０℃以下であることが特に好ましい。   The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably 50 ° C. or higher, more preferably 70 ° C. or higher, further preferably 80 ° C. or higher, preferably 250 ° C. or lower, more preferably 200 ° C. or lower, and further preferably 150 ° C. Hereinafter, it is particularly preferably 140 ° C. or lower. When the reaction start temperature of the thermosetting agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder is more efficiently disposed on the electrode. The reaction start temperature of the thermosetting agent is particularly preferably 80 ° C. or higher and 140 ° C. or lower.

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化剤の反応開始温度は、上記はんだ粒子の融点よりも、高いことが好ましく、５℃以上高いことがより好ましく、１０℃以上高いことがさらに好ましい。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably higher than the melting point of the solder particles, more preferably 5 ° C or higher, more preferably 10 ° C. More preferably, it is higher.

上記熱硬化剤の反応開始温度は、ＤＳＣでの発熱ピークの立ち上がり開始の温度を意味する。   The reaction start temperature of the thermosetting agent means a temperature at which the exothermic peak of DSC starts to rise.

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは１重量部以上であり、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは１００重量部以下、さらに好ましくは７５重量部以下である。熱硬化剤の含有量が、上記下限以上であると、導電材料を十分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が、上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。   The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, preferably 200 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight or less, more preferably 75 parts by weight or less. When the content of the thermosetting agent is not less than the above lower limit, it is easy to sufficiently cure the conductive material. When the content of the thermosetting agent is not more than the above upper limit, it is difficult for an excess thermosetting agent that did not participate in curing after curing to remain, and the heat resistance of the cured product is further enhanced.

（熱硬化性成分：硬化促進剤）
上記導電材料は硬化促進剤を含んでいてもよい。上記硬化促進剤は特に限定されない。上記硬化促進剤は、上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤との反応において硬化触媒として作用することが好ましい。上記硬化促進剤は、上記熱硬化性化合物との反応において硬化触媒として作用することが好ましい。上記硬化促進剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Thermosetting component: curing accelerator)
The conductive material may contain a curing accelerator. The said hardening accelerator is not specifically limited. The curing accelerator preferably acts as a curing catalyst in the reaction between the thermosetting compound and the thermosetting agent. The curing accelerator preferably acts as a curing catalyst in the reaction with the thermosetting compound. As for the said hardening accelerator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記硬化促進剤としては、ホスホニウム塩、三級アミン、三級アミン塩、四級オニウム塩、三級ホスフィン、クラウンエーテル錯体、及びホスホニウムイリド等が挙げられる。具体的には、上記硬化促進剤としては、イミダゾール化合物、イミダゾール化合物のイソシアヌル酸塩、ジシアンジアミド、ジシアンジアミドの誘導体、メラミン化合物、メラミン化合物の誘導体、ジアミノマレオニトリル、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ビス（ヘキサメチレン）トリアミン、トリエタノールアミン、ジアミノジフェニルメタン、有機酸ジヒドラジド等のアミン化合物、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン、三フッ化ホウ素、並びに、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリブチルホスフィン及びメチルジフェニルホスフィン等の有機リン化合物等が挙げられる。   Examples of the curing accelerator include phosphonium salts, tertiary amines, tertiary amine salts, quaternary onium salts, tertiary phosphines, crown ether complexes, and phosphonium ylides. Specifically, the curing accelerator includes imidazole compound, isocyanurate of imidazole compound, dicyandiamide, dicyandiamide derivative, melamine compound, melamine compound derivative, diaminomaleonitrile, diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine. , Amine compounds such as bis (hexamethylene) triamine, triethanolamine, diaminodiphenylmethane, organic acid dihydrazide, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] undecene-7, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraoxaspiro [5,5] undecane, boron trifluoride, and triphenylphosphine, tricyclohexylphosphine, tributylphosphine and methyldiphenylphosphine And the like organic phosphorus compounds.

上記ホスホニウム塩は特に限定されない。上記ホスホニウム塩としては、テトラノルマルブチルホスホニウムブロマイド、テトラノルマルブチルホスホニウムＯ，Ｏ−ジエチルジチオリン酸、メチルトリブチルホスホニウムジメチルリン酸塩、テトラノルマルブチルホスホニウムベンゾトリアゾール、テトラノルマルブチルホスホニウムテトラフルオロボレート、及びテトラノルマルブチルホスホニウムテトラフェニルボレート等が挙げられる。   The phosphonium salt is not particularly limited. Examples of the phosphonium salt include tetranormal butylphosphonium bromide, tetranormal butylphosphonium O, O-diethyldithiophosphoric acid, methyl tributylphosphonium dimethyl phosphate, tetranormal butylphosphonium benzotriazole, tetranormal butylphosphonium tetrafluoroborate, and tetranormal borates. And butylphosphonium tetraphenylborate.

上記熱硬化性化合物が良好に硬化するように、上記硬化促進剤の含有量は適宜選択される。上記熱硬化性化合物１００重量部に対する上記硬化促進剤の含有量は、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは０．８重量部以上であり、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは８重量部以下である。上記硬化促進剤の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記熱硬化性化合物を良好に硬化させることができる。   The content of the curing accelerator is appropriately selected so that the thermosetting compound is cured well. The content of the curing accelerator with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound is preferably 0.5 parts by weight or more, more preferably 0.8 parts by weight or more, preferably 10 parts by weight or less, more preferably 8 parts by weight. Less than parts by weight. When the content of the curing accelerator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the thermosetting compound can be cured well.

（フラックス）
上記導電材料は、フラックスを含む。フラックスを用いることで、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。上記フラックスは特に限定されない。上記フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを用いることができる。 (flux)
The conductive material includes a flux. By using the flux, the solder can be more efficiently arranged on the electrode. The flux is not particularly limited. As said flux, the flux generally used for soldering etc. can be used.

上記フラックスとしては、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、アミン化合物、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   Examples of the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, a molten salt, phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, hydrazine, an amine compound, an organic acid, and Examples include pine resin. As for the said flux, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸、又は松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を２個以上有する有機酸、又は松脂の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   Examples of the molten salt include ammonium chloride. Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid, and glutaric acid. Examples of the pine resin include activated pine resin and non-activated pine resin. The flux is preferably an organic acid having two or more carboxyl groups or pine resin. The flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups, or pine resin. Use of an organic acid having two or more carboxyl groups or pine resin further increases the reliability of conduction between the electrodes.

上記カルボキシル基を２個以上有する有機酸としては、例えば、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、及びセバシン酸等が挙げられる。   Examples of the organic acid having two or more carboxyl groups include succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, and sebacic acid.

上記アミン化合物としては、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ベンズヒドリルアミン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、フェニルイミダゾール、カルボキシベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、及びカルボキシベンゾトリアゾール等が挙げられる。   Examples of the amine compound include cyclohexylamine, dicyclohexylamine, benzylamine, benzhydrylamine, imidazole, benzimidazole, phenylimidazole, carboxybenzimidazole, benzotriazole, and carboxybenzotriazole.

上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。上記ロジン類としては、アビエチン酸、及びアクリル変性ロジン等が挙げられる。フラックスはロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   The rosin is a rosin composed mainly of abietic acid. Examples of the rosins include abietic acid and acrylic modified rosin. The flux is preferably a rosin, and more preferably abietic acid. By using this preferable flux, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.

上記フラックスは、２３℃で液体であることが好ましい。上記フラックスが、２３℃で液体であることで、上記最大値を示す拡散係数を上記の好ましい範囲により一層容易に調整することができ、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。   The flux is preferably liquid at 23 ° C. Since the flux is a liquid at 23 ° C., the diffusion coefficient showing the maximum value can be adjusted more easily within the preferable range, and the solder can be more efficiently arranged on the electrode. .

２３℃で液体であるフラックスは、特に限定されない。２３℃で液体であるフラックスは、酸性リン酸エステル化合物であることが好ましい。上記酸性リン酸エステル化合物の市販品としては、エチルアシッドホスフェート、及びブチルアシッドホスフェート（以上いずれも城北化学工業社製）等が挙げられる。   The flux that is liquid at 23 ° C. is not particularly limited. The flux that is liquid at 23 ° C. is preferably an acidic phosphate compound. Examples of commercially available acidic phosphate compounds include ethyl acid phosphate and butyl acid phosphate (all of which are manufactured by Johoku Chemical Industry Co., Ltd.).

上記フラックスの活性温度（融点）は、好ましくは−２０℃以上、より好ましくは０℃以上であり、好ましくは１２０℃以下、より好ましくは６０℃以下である。上記フラックスの活性温度（融点）が、上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、はんだが電極上により一層効率的に配置される。   The active temperature (melting point) of the flux is preferably −20 ° C. or higher, more preferably 0 ° C. or higher, preferably 120 ° C. or lower, more preferably 60 ° C. or lower. When the activation temperature (melting point) of the flux is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the flux effect is more effectively exhibited, and the solder is more efficiently arranged on the electrode.

また、上記フラックスの沸点は２００℃以下であることが好ましい。   The boiling point of the flux is preferably 200 ° C. or lower.

上記フラックスは、上記導電材料中に分散されていてもよく、上記導電性粒子の表面上に付着していてもよい。   The flux may be dispersed in the conductive material or may adhere to the surface of the conductive particles.

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記フラックスは、酸化合物と塩基化合物との塩であることが好ましい。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the viewpoint of increasing the insulation reliability more effectively, and the viewpoint of improving the conduction reliability more effectively, the above flux is composed of an acid compound and a base compound. And a salt thereof.

上記酸化合物は、カルボキシル基を有する有機化合物であることが好ましい。上記酸化合物としては、脂肪族系カルボン酸であるマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、クエン酸、リンゴ酸、環状脂肪族カルボン酸であるシクロヘキシルカルボン酸、１，４−シクロヘキシルジカルボン酸、芳香族カルボン酸であるイソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸、及びエチレンジアミン四酢酸等が挙げられる。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記酸化合物は、グルタル酸、シクロヘキシルカルボン酸、又はアジピン酸であることが好ましい。   The acid compound is preferably an organic compound having a carboxyl group. Examples of the acid compound include aliphatic carboxylic acids such as malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, citric acid, malic acid, and cyclic aliphatic carboxylic acid. Examples thereof include cyclohexyl carboxylic acid, 1,4-cyclohexyl dicarboxylic acid, aromatic carboxylic acid such as isophthalic acid, terephthalic acid, trimellitic acid, and ethylenediaminetetraacetic acid. From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the viewpoint of increasing the insulation reliability more effectively, and the viewpoint of further improving the conduction reliability more effectively, the acid compound is glutaric acid, cyclohexyl. Carboxylic acid or adipic acid is preferred.

上記塩基化合物は、アミノ基を有する有機化合物であることが好ましい。上記塩基化合物としては、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、エチルジエタノールアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ベンズヒドリルアミン、２−メチルベンジルアミン、３−メチルベンジルアミン、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、Ｎ−エチルベンジルアミン、Ｎ−フェニルベンジルアミン、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルベンジルアミン、Ｎ−イソプロピルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、イミダゾール化合物、及びトリアゾール化合物が挙げられる。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記塩基化合物は、ベンジルアミンであることが好ましい。   The base compound is preferably an organic compound having an amino group. Examples of the base compound include diethanolamine, triethanolamine, methyldiethanolamine, ethyldiethanolamine, cyclohexylamine, dicyclohexylamine, benzylamine, benzhydrylamine, 2-methylbenzylamine, 3-methylbenzylamine, 4-tert-butylbenzylamine. N-methylbenzylamine, N-ethylbenzylamine, N-phenylbenzylamine, N-tert-butylbenzylamine, N-isopropylbenzylamine, N, N-dimethylbenzylamine, imidazole compounds, and triazole compounds. . From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the viewpoint of increasing the insulation reliability more effectively, and the viewpoint of further improving the conduction reliability more effectively, the base compound is benzylamine. It is preferable.

導電材料１００重量％中、上記フラックスの含有量は、好ましくは０．５重量％以上であり、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記導電材料は、フラックスを含んでいなくてもよい。上記フラックスの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、更に、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。   The content of the flux in 100% by weight of the conductive material is preferably 0.5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, more preferably 25% by weight or less. The conductive material may not contain flux. When the content of the flux is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is more difficult to form an oxide film on the surface of the solder and the electrode, and further, the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode is further increased. Can be effectively removed.

（フィラー）
本発明に係る導電材料は、フィラーを含んでいてもよい。フィラーは、有機フィラーであってもよく、無機フィラーであってもよい。上記導電材料がフィラーを含むことにより、基板の全電極上に対して、はんだを均一に凝集させることができる。 (Filler)
The conductive material according to the present invention may contain a filler. The filler may be an organic filler or an inorganic filler. When the conductive material contains a filler, the solder can be uniformly aggregated over all the electrodes of the substrate.

上記導電材料は、上記フィラーを含まないか、又は上記フィラーを５重量％以下で含むことが好ましい。上記熱硬化性化合物を用いている場合には、フィラーの含有量が少ないほど、電極上にはんだが移動しやすくなる。   It is preferable that the conductive material does not contain the filler or contains the filler at 5% by weight or less. When the thermosetting compound is used, the smaller the filler content, the easier the solder moves on the electrode.

導電材料１００重量％中、上記フィラーの含有量は、好ましくは０重量％（未含有）以上であり、好ましくは５重量％以下、より好ましくは２重量％以下、さらに好ましくは１重量％以下である。上記フィラーの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだが電極上により一層均一に配置される。   The content of the filler in 100% by weight of the conductive material is preferably 0% by weight (not contained) or more, preferably 5% by weight or less, more preferably 2% by weight or less, and further preferably 1% by weight or less. is there. When the content of the filler is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder is more uniformly arranged on the electrode.

（他の成分）
上記導電材料は、必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、チキソ剤、レベリング剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。 (Other ingredients)
The conductive material may be, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a thixotropic agent, a leveling agent, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, and a light stabilizer. In addition, various additives such as ultraviolet absorbers, lubricants, antistatic agents and flame retardants may be contained.

（接続構造体及び接続構造体の製造方法）
本発明に係る接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材と、上記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、上述した導電材料である。本発明に係る接続構造体では、上記第１の電極と上記第２の電極とが、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている。 (Connection structure and method of manufacturing connection structure)
The connection structure according to the present invention includes a first connection target member having a first electrode on the surface, a second connection target member having a second electrode on the surface, the first connection target member, A connecting portion connecting the second connection target member. In the connection structure according to the present invention, the material of the connection portion is the conductive material described above. In the connection structure according to the present invention, the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection portion.

本発明に係る接続構造体の製造方法は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料を用いて、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材の表面上に、上記導電材料を配置する第１の工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記導電材料の上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を、上記第１の電極と上記第２の電極とが対向するように配置する第２の工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記導電性粒子の融点以上に上記導電材料を加熱することで、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電材料により形成し、かつ、上記第１の電極と上記第２の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する第３の工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第１の電極の表面の材料及び上記導電材料の組み合わせとして、以下の第１の電極の表面の材料及び導電材料を用いる。表面の材料が上記第１の電極の表面の材料と同じである基板上に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下となる第１の電極の表面の材料及び導電材料。 The connection structure manufacturing method according to the present invention includes a first connection target member having a first electrode on a surface using a conductive material including a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder. A first step of disposing the conductive material on the surface of the substrate. In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, a second connection target member having a second electrode on a surface thereof is provided on the surface opposite to the first connection target member side of the conductive material. A second step of disposing the first electrode and the second electrode so as to face each other. The manufacturing method of the connection structure according to the present invention connects the first connection target member and the second connection target member by heating the conductive material to a temperature equal to or higher than the melting point of the conductive particles. A connection part is formed with the said electrically-conductive material, and the 3rd process of electrically connecting the said 1st electrode and the said 2nd electrode with the solder part in the said connection part is provided. In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, the following first electrode surface material and conductive material are used as a combination of the first electrode surface material and the conductive material. When the conductive material is applied on a substrate whose surface material is the same as the surface material of the first electrode and heated to 70 ° C., the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis Of the diffusion coefficients, the material of the surface of the first electrode and the conductive material having a maximum diffusion coefficient of 1.0 × 10 −23 m 2 / s to 1.0 × 10 −14 m 2 / s. .

本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。   In the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, since the above-described configuration is provided, the solder can be efficiently arranged on the electrode.

上記接続構造体の製造方法では、上記第２の電極の表面の材料及び上記導電材料の組み合わせとして、以下の第２の電極の表面の材料及び導電材料を用いることが好ましい。表面の材料が上記第２の電極の表面の材料と同じである基板上に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下となる第２の電極の表面の材料及び導電材料。第２の電極の表面の材料及び導電材料が、上記の好ましい態様を満足すると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。 In the manufacturing method of the connection structure, it is preferable to use the following material of the surface of the second electrode and conductive material as a combination of the material of the surface of the second electrode and the conductive material. When the conductive material is applied on a substrate whose surface material is the same as the surface material of the second electrode and heated to 70 ° C., the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis Of the diffusion coefficients, the material of the surface of the second electrode and the conductive material having a maximum diffusion coefficient of 1.0 × 10 −23 m 2 / s to 1.0 × 10 −14 m 2 / s. . When the material of the surface of the second electrode and the conductive material satisfy the above preferred embodiment, the solder can be disposed on the electrode more efficiently.

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記第１の電極及び上記第２の電極は、金電極、銀電極、銅電極又はアルミニウム電極であることが好ましく、金電極又は銀電極であることがより好ましい。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the first electrode and the second electrode are preferably a gold electrode, a silver electrode, a copper electrode, or an aluminum electrode. More preferably, it is an electrode.

本発明に係る接続構造体及び接続構造体の製造方法では、特定の導電材料を用いているので、はんだが第１の電極と第２の電極との間に集まりやすく、はんだを電極（ライン）上に効率的に配置することができる。また、はんだの一部が、電極が形成されていない領域（スペース）に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだの量をかなり少なくすることができる。従って、第１の電極と第２の電極との間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。   In the connection structure and the manufacturing method of the connection structure according to the present invention, since a specific conductive material is used, the solder is likely to gather between the first electrode and the second electrode, and the solder is an electrode (line). Can be efficiently placed on top. In addition, a part of the solder is difficult to be disposed in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder disposed in a region where no electrode is formed can be considerably reduced. Therefore, the conduction reliability between the first electrode and the second electrode can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between laterally adjacent electrodes that should not be connected, and to improve insulation reliability.

また、電極上にはんだを効率的に配置し、かつ電極が形成されていない領域に配置されるはんだの量をかなり少なくするためには、上記導電材料は、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いることが好ましい。   Moreover, in order to dispose the solder efficiently on the electrode and to considerably reduce the amount of the solder disposed in the region where the electrode is not formed, the conductive material is not a conductive film but a conductive paste. It is preferable.

電極間でのはんだ部の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下である。電極の表面上のはんだ濡れ面積（電極の露出した面積１００％中のはんだが接している面積）は、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上であり、好ましくは１００％以下である。   The thickness of the solder part between the electrodes is preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less. The solder wetted area on the surface of the electrode (area where the solder is in contact with 100% of the exposed area of the electrode) is preferably 50% or more, more preferably 70% or more, and preferably 100% or less.

本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第２の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電材料には、上記第２の接続対象部材の重量が加わることが好ましい。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第２の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、上記導電材料には、上記第２の接続対象部材の重量の力を超える加圧圧力は加わらないことが好ましい。これらの場合には、複数のはんだ部において、はんだ量の均一性をより一層高めることができる。さらに、はんだ部の厚みをより一層効果的に厚くすることができ、はんだが電極間に多く集まりやすくなり、はんだを電極（ライン）上により一層効率的に配置することができる。また、はんだの一部が、電極が形成されていない領域（スペース）に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだの量をより一層少なくすることができる。従って、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続をより一層防ぐことができ、絶縁信頼性をより一層高めることができる。   In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, no pressure is applied, and the second connection is applied to the conductive material. The weight of the target member is preferably added. In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, in the step of disposing the second connection target member and the step of forming the connection portion, the conductive material has a weight force of the second connection target member. It is preferable not to apply a pressure higher than. In these cases, the uniformity of the amount of solder can be further enhanced in the plurality of solder portions. Furthermore, the thickness of the solder portion can be increased more effectively, so that a large amount of solder is easily collected between the electrodes, and the solder can be arranged more efficiently on the electrodes (lines). Further, a part of the solder is difficult to be disposed in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder disposed in a region where no electrode is formed can be further reduced. Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be further enhanced. In addition, the electrical connection between the laterally adjacent electrodes that should not be connected can be further prevented, and the insulation reliability can be further improved.

また、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いれば、導電ペーストの塗布量によって、接続部及びはんだ部の厚みを調整することが容易になる。一方で、導電フィルムでは、接続部の厚みを変更したり、調整したりするためには、異なる厚みの導電フィルムを用意したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。また、導電フィルムでは、導電ペーストと比べて、はんだの溶融温度で、導電フィルムの溶融粘度を十分に下げることができず、はんだの凝集が阻害されやすい傾向がある。   Moreover, if a conductive paste is used instead of a conductive film, it becomes easy to adjust the thickness of the connection part and the solder part depending on the amount of the conductive paste applied. On the other hand, in the conductive film, in order to change or adjust the thickness of the connecting portion, it is necessary to prepare a conductive film having a different thickness or to prepare a conductive film having a predetermined thickness. There is. Moreover, in the conductive film, compared with the conductive paste, the melt viscosity of the conductive film cannot be sufficiently lowered at the melting temperature of the solder, and the aggregation of the solder tends to be hindered.

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。   Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて得られる接続構造体を模式的に示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure obtained using a conductive material according to an embodiment of the present invention.

図１に示す接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材３と、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とを接続している接続部４とを備える。接続部４は、上述した導電材料により形成されている。本実施形態では、上記導電材料は、熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。上記導電性粒子は、はんだ粒子である。本実施形態では、導電材料として、導電ペーストが用いられている。   The connection structure 1 shown in FIG. 1 is a connection that connects a first connection target member 2, a second connection target member 3, and the first connection target member 2 and the second connection target member 3. Part 4. The connection part 4 is formed of the conductive material described above. In the present embodiment, the conductive material includes a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder. The thermosetting component includes a thermosetting compound and a thermosetting agent. The conductive particles are solder particles. In the present embodiment, a conductive paste is used as the conductive material.

接続部４は、複数のはんだ粒子が集まり互いに接合したはんだ部４Ａと、熱硬化性化合物が熱硬化された硬化物部４Ｂとを有する。   The connection portion 4 includes a solder portion 4A in which a plurality of solder particles are gathered and joined to each other, and a cured product portion 4B in which a thermosetting compound is thermally cured.

第１の接続対象部材２は表面（上面）に、複数の第１の電極２ａを有する。第２の接続対象部材３は表面（下面）に、複数の第２の電極３ａを有する。第１の電極２ａと第２の電極３ａとが、はんだ部４Ａにより電気的に接続されている。従って、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とが、はんだ部４Ａにより電気的に接続されている。なお、接続部４において、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まったはんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）では、はんだ粒子は存在しない。はんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）では、はんだ部４Ａと離れたはんだ粒子は存在しない。なお、少量であれば、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まったはんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）に、はんだ粒子が存在していてもよい。   The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2a on the surface (upper surface). The second connection target member 3 has a plurality of second electrodes 3a on the surface (lower surface). The first electrode 2a and the second electrode 3a are electrically connected by the solder portion 4A. Therefore, the first connection target member 2 and the second connection target member 3 are electrically connected by the solder portion 4A. In the connection portion 4, no solder particles are present in a region (cured product portion 4B portion) different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a. In an area different from the solder part 4A (hardened product part 4B part), there are no solder particles separated from the solder part 4A. If the amount is small, solder particles may exist in a region (cured product portion 4B portion) different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a.

図１に示すように、接続構造体１では、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に、複数のはんだ粒子が集まり、複数のはんだ粒子が溶融した後、はんだ粒子の溶融物が電極の表面を濡れ拡がった後に固化して、はんだ部４Ａが形成されている。このため、はんだ部４Ａと第１の電極２ａ、並びにはんだ部４Ａと第２の電極３ａとの接続面積が大きくなる。すなわち、はんだ粒子を用いることにより、導電性の外表面がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、はんだ部４Ａと第１の電極２ａ、並びにはんだ部４Ａと第２の電極３ａとの接触面積が大きくなる。このことによっても、接続構造体１における導通信頼性及び接続信頼性が高くなる。なお、導電材料にフラックスが含まれる場合に、フラックスは、一般に、加熱により次第に失活する。   As shown in FIG. 1, in the connection structure 1, a plurality of solder particles gather between the first electrode 2 a and the second electrode 3 a, and after the plurality of solder particles melt, After the electrode surface wets and spreads, it solidifies to form the solder portion 4A. For this reason, the connection area of 4 A of solder parts and the 1st electrode 2a, and 4 A of solder parts, and the 2nd electrode 3a becomes large. That is, by using the solder particles, the solder portion 4A, the first electrode 2a, and the solder portion are compared with the case where the conductive outer surface is made of a metal such as nickel, gold or copper. The contact area between 4A and the second electrode 3a increases. This also increases the conduction reliability and connection reliability in the connection structure 1. In addition, when a flux is contained in the conductive material, the flux is generally gradually deactivated by heating.

なお、図１に示す接続構造体１では、はんだ部４Ａの全てが、第１，第２の電極２ａ，３ａ間の対向している領域に位置している。図３に示す変形例の接続構造体１Ｘは、接続部４Ｘのみが、図１に示す接続構造体１と異なる。接続部４Ｘは、はんだ部４ＸＡと硬化物部４ＸＢとを有する。接続構造体１Ｘのように、はんだ部４ＸＡの多くが、第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域に位置しており、はんだ部４ＸＡの一部が第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域から側方にはみ出していてもよい。第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域から側方にはみ出しているはんだ部４ＸＡは、はんだ部４ＸＡの一部であり、はんだ部４ＸＡから離れたはんだ粒子ではない。なお、本実施形態では、はんだ部から離れたはんだ粒子の量を少なくすることができるが、はんだ部から離れたはんだ粒子が硬化物部中に存在していてもよい。   In addition, in the connection structure 1 shown in FIG. 1, all the solder parts 4A are located in the area | region which the 1st, 2nd electrodes 2a and 3a oppose. The connection structure 1X of the modification shown in FIG. 3 is different from the connection structure 1 shown in FIG. 1 only in the connection portion 4X. The connection part 4X has the solder part 4XA and the hardened | cured material part 4XB. As in the connection structure 1X, most of the solder portions 4XA are located in regions where the first and second electrodes 2a and 3a are opposed to each other, and a part of the solder portion 4XA is first and second. You may protrude to the side from the area | region which electrode 2a, 3a has opposed. The solder part 4XA protruding laterally from the region where the first and second electrodes 2a and 3a are opposed is a part of the solder part 4XA and is not a solder particle separated from the solder part 4XA. In this embodiment, the amount of solder particles separated from the solder portion can be reduced, but the solder particles separated from the solder portion may be present in the cured product portion.

はんだ粒子の使用量を少なくすれば、接続構造体１を得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量を多くすれば、接続構造体１Ｘを得ることが容易になる。   If the amount of solder particles used is reduced, the connection structure 1 can be easily obtained. If the amount of the solder particles used is increased, it becomes easy to obtain the connection structure 1X.

接続構造体１，１Ｘでは、第１の電極２ａと接続部４，４Ｘと第２の電極３ａとの積層方向に第１の電極２ａと第２の電極３ａとの対向し合う部分をみたときに、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、接続部４，４Ｘ中のはんだ部４Ａ，４ＸＡが配置されていることが好ましい。接続部４，４Ｘ中のはんだ部４Ａ，４ＸＡが、上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。   In connection structure 1, 1X, when the part which 1st electrode 2a and 2nd electrode 3a oppose in the lamination direction of 1st electrode 2a, connection part 4, 4X, and 2nd electrode 3a is seen In addition, it is preferable that the solder portions 4A and 4XA in the connection portions 4 and 4X are arranged in 50% or more of the area of 100% of the facing portion between the first electrode 2a and the second electrode 3a. . When the solder portions 4A and 4XA in the connection portions 4 and 4X satisfy the above-described preferable mode, the conduction reliability can be further improved.

上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の５０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の６０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることがより好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の７０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることがさらに好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の８０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが特に好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の９０％以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが最も好ましい。上記接続部中のはんだ部が、上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。   When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is preferable that the solder portion in the connecting portion is arranged in 50% or more of the area of 100% of the portion facing the two electrodes. When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is more preferable that the solder portion in the connection portion is disposed in 60% or more of 100% of the area of the portion facing the two electrodes. When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode More preferably, the solder portion in the connecting portion is arranged in 70% or more of the area of 100% of the portion facing the two electrodes. When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is particularly preferable that the solder portion in the connecting portion is disposed in 80% or more of 100% of the area facing the two electrodes. When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is most preferable that the solder portion in the connection portion is disposed in 90% or more of the area of 100% of the portion facing the two electrodes. When the solder part in the connection part satisfies the above-described preferable aspect, the conduction reliability can be further improved.

上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の６０％以上が配置されていることが好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の７０％以上が配置されていることがより好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の９０％以上が配置されていることがさらに好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の９５％以上が配置されていることが特に好ましい。上記第１の電極と上記接続部と上記第２の電極との積層方向と直交する方向に上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第１の電極と上記第２の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の９９％以上が配置されていることが最も好ましい。上記接続部中のはんだ部が、上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。   When the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode is seen, It is preferable that 60% or more of the solder portion in the connection portion is disposed in a portion where the electrode and the second electrode face each other. When the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode is seen, More preferably, 70% or more of the solder portion in the connection portion is disposed in a portion where the electrode and the second electrode face each other. When the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode is seen, More preferably, 90% or more of the solder portion in the connection portion is disposed in a portion where the electrode and the second electrode face each other. When the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode is seen, It is particularly preferable that 95% or more of the solder portion in the connection portion is disposed at a portion where the electrode and the second electrode face each other. When the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode is seen, It is most preferable that 99% or more of the solder portion in the connection portion is disposed in a portion where the electrode and the second electrode face each other. When the solder part in the connection part satisfies the above-described preferable aspect, the conduction reliability can be further improved.

次に、図２では、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて、接続構造体１を製造する方法の一例を説明する。   Next, FIG. 2 illustrates an example of a method for manufacturing the connection structure 1 using the conductive material according to the embodiment of the present invention.

先ず、第１の電極２ａを表面（上面）に有する第１の接続対象部材２を用意する。次に、図２（ａ）に示すように、第１の接続対象部材２の表面上に、熱硬化性成分１１Ｂと、はんだ粒子１１Ａとを含む導電材料１１を配置する（第１の工程）。用いた導電材料１１は、熱硬化性成分１１Ｂとして、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。   First, the 1st connection object member 2 which has the 1st electrode 2a on the surface (upper surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2A, a conductive material 11 including a thermosetting component 11B and solder particles 11A is disposed on the surface of the first connection target member 2 (first step). . The used conductive material 11 contains a thermosetting compound and a thermosetting agent as the thermosetting component 11B.

第１の接続対象部材２の第１の電極２ａが設けられた表面上に、導電材料１１を配置する。導電材料１１の配置の後に、はんだ粒子１１Ａは、第１の電極２ａ（ライン）上と、第１の電極２ａが形成されていない領域（スペース）上との双方に配置されている。   The conductive material 11 is disposed on the surface of the first connection target member 2 on which the first electrode 2a is provided. After the conductive material 11 is disposed, the solder particles 11A are disposed both on the first electrode 2a (line) and on a region (space) where the first electrode 2a is not formed.

導電材料１１の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。   The arrangement method of the conductive material 11 is not particularly limited, and examples thereof include application using a dispenser, screen printing, and ejection using an inkjet apparatus.

また、第２の電極３ａを表面（下面）に有する第２の接続対象部材３を用意する。次に、図２（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２の表面上の導電材料１１において、導電材料１１の第１の接続対象部材２側とは反対側の表面上に、第２の接続対象部材３を配置する（第２の工程）。導電材料１１の表面上に、第２の電極３ａ側から、第２の接続対象部材３を配置する。このとき、第１の電極２ａと第２の電極３ａとを対向させる。   Moreover, the 2nd connection object member 3 which has the 2nd electrode 3a on the surface (lower surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2B, in the conductive material 11 on the surface of the first connection target member 2, on the surface of the conductive material 11 opposite to the first connection target member 2 side, The 2nd connection object member 3 is arrange | positioned (2nd process). On the surface of the conductive material 11, the second connection target member 3 is disposed from the second electrode 3a side. At this time, the first electrode 2a and the second electrode 3a are opposed to each other.

次に、はんだ粒子１１Ａの融点以上に導電材料１１を加熱する（第３の工程）。好ましくは、熱硬化性成分１１Ｂ（熱硬化性化合物）の硬化温度以上に導電材料１１を加熱する。この加熱時には、電極が形成されていない領域に存在していたはんだ粒子１１Ａは、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まる（自己凝集効果）。導電フィルムではなく、導電ペーストを用いた場合には、はんだ粒子１１Ａが、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間により一層効果的に集まる。また、はんだ粒子１１Ａは溶融し、互いに接合する。また、熱硬化性成分１１Ｂは熱硬化する。この結果、図２（ｃ）に示すように、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とを接続している接続部４が、導電材料１１により形成される。導電材料１１により接続部４が形成され、複数のはんだ粒子１１Ａが接合することによってはんだ部４Ａが形成され、熱硬化性成分１１Ｂが熱硬化することによって硬化物部４Ｂが形成される。はんだ粒子１１Ａが十分に移動すれば、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に位置していないはんだ粒子１１Ａの移動が開始してから、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間にはんだ粒子１１Ａの移動が完了するまでに、温度を一定に保持しなくてもよい。   Next, the conductive material 11 is heated above the melting point of the solder particles 11A (third step). Preferably, the conductive material 11 is heated above the curing temperature of the thermosetting component 11B (thermosetting compound). At the time of this heating, the solder particles 11A that existed in the region where no electrode is formed gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a (self-aggregation effect). When the conductive paste is used instead of the conductive film, the solder particles 11A are more effectively collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a. Also, the solder particles 11A are melted and joined together. Further, the thermosetting component 11B is thermoset. As a result, as shown in FIG. 2C, the connection portion 4 that connects the first connection target member 2 and the second connection target member 3 is formed of the conductive material 11. The connection part 4 is formed of the conductive material 11, the solder part 4A is formed by joining a plurality of solder particles 11A, and the cured part 4B is formed by thermosetting the thermosetting component 11B. If the solder particles 11A are sufficiently moved, the first electrode 2a and the second electrode are moved after the movement of the solder particles 11A not located between the first electrode 2a and the second electrode 3a starts. It is not necessary to keep the temperature constant until the movement of the solder particles 11A is completed.

本実施形態では、上記第１の電極の表面の材料及び上記導電材料の組み合わせとして、以下の第１の電極の表面の材料及び導電材料を用いている。表面の材料が上記第１の電極の表面の材料と同じである基板上に上記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される上記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下となる第１の電極の表面の材料及び導電材料。本実施形態では、上記の構成が備えられているので、電極上にはんだを効率的に配置することができる。 In the present embodiment, the following material of the surface of the first electrode and conductive material are used as a combination of the material of the surface of the first electrode and the conductive material. When the conductive material is applied on a substrate whose surface material is the same as the surface material of the first electrode and heated to 70 ° C., the metal contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis Of the diffusion coefficients, the material of the surface of the first electrode and the conductive material having a maximum diffusion coefficient of 1.0 × 10 −23 m 2 / s to 1.0 × 10 −14 m 2 / s. . In this embodiment, since the above configuration is provided, solder can be efficiently arranged on the electrode.

本実施形態では、上記第２の工程及び上記第３の工程において、加圧を行わない方が好ましい。この場合には、導電材料１１には、第２の接続対象部材３の重量が加わる。このため、接続部４の形成時に、はんだ粒子１１Ａが、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間により一層効果的に集まる。なお、上記第２の工程及び上記第３の工程の内の少なくとも一方において、加圧を行えば、はんだ粒子１１Ａが第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まろうとする作用が阻害される傾向が高くなる。   In the present embodiment, it is preferable that no pressure is applied in the second step and the third step. In this case, the weight of the second connection target member 3 is added to the conductive material 11. For this reason, the solder particles 11A are more effectively collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a when the connection portion 4 is formed. In addition, if pressure is applied in at least one of the second step and the third step, the solder particles 11A tend to collect between the first electrode 2a and the second electrode 3a. The tendency to be inhibited becomes high.

また、本実施形態では、加圧を行っていないため、第１の電極２ａと第２の電極３ａとのアライメントがずれた状態で、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とが重ね合わされた場合でも、そのずれを補正して、第１の電極２ａと第２の電極３ａとを接続させることができる（セルフアライメント効果）。これは、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に自己凝集している溶融したはんだが、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間のはんだと導電材料のその他の成分とが接する面積が最小となる方がエネルギー的に安定になり、その最小の面積となる接続構造であるアライメントのあった接続構造にする力が働くためである。この際、導電材料が硬化していないこと、及び、その温度、時間にて、導電材料のはんだ粒子以外の成分の粘度が十分低いことが望ましい。   Moreover, in this embodiment, since pressurization is not performed, the first connection target member 2 and the second connection target member 3 are in a state where the alignment between the first electrode 2a and the second electrode 3a is shifted. Can be corrected, the first electrode 2a and the second electrode 3a can be connected (self-alignment effect). This is because the molten solder self-aggregating between the first electrode 2a and the second electrode 3a is different from the solder between the first electrode 2a and the second electrode 3a and other conductive materials. This is because when the area in contact with the component is minimized, the energy becomes more stable, and the force to make the connection structure with alignment, which is the connection structure having the minimum area, works. At this time, it is desirable that the conductive material is not cured and that the viscosity of components other than the solder particles of the conductive material is sufficiently low at that temperature and time.

はんだの融点での導電材料の粘度（ηｍｐ）は、好ましくは５０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは１Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは０．１Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは０．２Ｐａ・ｓ以上である。上記粘度（ηｍｐ）が、上記上限以下であれば、電極上にはんだを効率的に凝集させることができる。上記粘度（ηｍｐ）が、上記下限以上であれば、接続部でのボイドを抑制し、接続部以外への導電材料のはみだしを抑制することができる。   The viscosity (ηmp) of the conductive material at the melting point of the solder is preferably 50 Pa · s or less, more preferably 10 Pa · s or less, further preferably 1 Pa · s or less, preferably 0.1 Pa · s or more, more preferably Is 0.2 Pa · s or more. When the viscosity (ηmp) is equal to or lower than the upper limit, the solder can be efficiently aggregated on the electrode. When the viscosity (ηmp) is equal to or higher than the lower limit, voids at the connection portion can be suppressed, and the protruding of the conductive material to other than the connection portion can be suppressed.

上記粘度（ηｍｐ）は、ＳＴＲＥＳＳＴＥＣＨ（ＲＥＯＬＯＧＩＣＡ社製）等を用いて、歪制御１ｒａｄ、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、測定温度範囲２５℃〜２００℃（但し、はんだの融点が２００℃を超える場合には温度上限をはんだの融点とする）の条件で測定可能である。測定結果から、はんだの融点（℃）での粘度が評価される。   The viscosity (ηmp) is STRESSTECH (manufactured by REOLOGICA) or the like, strain control 1 rad, frequency 1 Hz, temperature rising rate 20 ° C./min, measurement temperature range 25 ° C. to 200 ° C. (however, the melting point of the solder is 200 ° C. In the case of exceeding the upper limit of the temperature, the melting point of the solder is taken into account). From the measurement results, the viscosity at the melting point (° C.) of the solder is evaluated.

このようにして、図１に示す接続構造体１が得られる。なお、上記第２の工程と上記第３の工程とは連続して行われてもよい。また、上記第２の工程を行った後に、得られる第１の接続対象部材２と導電材料１１と第２の接続対象部材３との積層体を、加熱部に移動させて、上記第３の工程を行ってもよい。上記加熱を行うために、加熱部材上に上記積層体を配置してもよく、加熱された空間内に上記積層体を配置してもよい。   In this way, the connection structure 1 shown in FIG. 1 is obtained. The second step and the third step may be performed continuously. Moreover, after performing the said 2nd process, the laminated body of the 1st connection object member 2, the electrically-conductive material 11, and the 2nd connection object member 3 which are obtained is moved to a heating part, and the said 3rd connection object is carried out. You may perform a process. In order to perform the heating, the laminate may be disposed on a heating member, or the laminate may be disposed in a heated space.

上記第３の工程における上記加熱温度は、好ましくは１４０℃以上、より好ましくは１６０℃以上であり、好ましくは４５０℃以下、より好ましくは２５０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。   The heating temperature in the third step is preferably 140 ° C. or higher, more preferably 160 ° C. or higher, preferably 450 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower, and even more preferably 200 ° C. or lower.

上記第３の工程における加熱方法としては、はんだの融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上に、接続構造体全体を、リフロー炉を用いて又はオーブンを用いて加熱する方法や、接続構造体の接続部のみを局所的に加熱する方法が挙げられる。   As the heating method in the third step, a method of heating the entire connection structure using a reflow furnace or an oven above the melting point of the solder and the curing temperature of the thermosetting component, or a connection structure The method of heating only the connection part of these is mentioned.

局所的に加熱する方法に用いる器具としては、ホットプレート、熱風を付与するヒートガン、はんだゴテ、及び赤外線ヒーター等が挙げられる。   As a tool used for the method of heating locally, a hot plate, a heat gun for applying hot air, a soldering iron, an infrared heater, and the like can be given.

また、ホットプレートにて局所的に加熱する際、接続部直下は、熱伝導性の高い金属にて、その他の加熱することが好ましくない個所は、フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質にて、ホットプレート上面を形成することが好ましい。   In addition, when heating locally with a hot plate, the metal directly under the connection is made of a metal with high thermal conductivity, and other places where heating is not preferred are made of a material with low thermal conductivity such as a fluororesin. The upper surface of the hot plate is preferably formed.

上記第１，第２の接続対象部材は、特に限定されない。上記第１，第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、ＬＥＤチップ、ＬＥＤパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記第１，第２の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。   The said 1st, 2nd connection object member is not specifically limited. Specifically as said 1st, 2nd connection object member, electronic components, such as a semiconductor chip, a semiconductor package, LED chip, LED package, a capacitor | condenser, a diode, and a resin film, a printed circuit board, a flexible printed circuit board, flexible Examples thereof include electronic components such as circuit boards such as flat cables, rigid flexible boards, glass epoxy boards, and glass boards. The first and second connection target members are preferably electronic components.

上記第１の接続対象部材及び上記第２の接続対象部材の内の少なくとも一方が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。上記第２の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板は、柔軟性が高く、比較的軽量であるという性質を有する。このような接続対象部材の接続に導電フィルムを用いた場合には、はんだが電極上に集まりにくい傾向がある。これに対して、導電ペーストを用いることで、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いたとしても、はんだを電極上に効率的に集めることで、電極間の導通信頼性を十分に高めることができる。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いる場合に、半導体チップ等の他の接続対象部材を用いた場合と比べて、加圧を行わないことによる電極間の導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られる。   It is preferable that at least one of the first connection target member and the second connection target member is a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. The second connection target member is preferably a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. Resin films, flexible printed boards, flexible flat cables, and rigid flexible boards have the property of being highly flexible and relatively lightweight. When a conductive film is used for connection of such a connection object member, there exists a tendency for a solder not to gather on an electrode. On the other hand, by using a conductive paste, even if a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible circuit board is used, the conductive reliability between the electrodes can be efficiently collected by collecting the solder on the electrodes. Can be increased sufficiently. When using a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible circuit board, compared to the case of using other connection target members such as a semiconductor chip, the conduction reliability between the electrodes by not applying pressure is improved. The improvement effect can be obtained more effectively.

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、ＳＵＳ電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記接続対象部材に設けられている電極は、金電極、銀電極、銅電極又はアルミニウム電極であることが好ましい。   Examples of the electrode provided on the connection target member include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, a SUS electrode, and a tungsten electrode. When the connection object member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga. From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the electrode provided on the connection target member is preferably a gold electrode, a silver electrode, a copper electrode, or an aluminum electrode.

本発明に係る接続構造体では、上記第１の電極及び上記第２の電極は、エリアアレイ又はペリフェラルにて配置されていることが好ましい。上記第１の電極及び上記第２の電極が、エリアアレイ又はペリフェラルにて配置されている場合において、本発明の効果がより一層効果的に発揮される。上記エリアアレイとは、接続対象部材の電極が配置されている面にて、格子状に電極が配置されている構造のことである。上記ペリフェラルとは、接続対象部材の外周部に電極が配置されている構造のことである。電極が櫛型に並んでいる構造の場合は、櫛に垂直な方向に沿ってはんだが凝集すればよいのに対して、上記エリアアレイ又はペリフェラル構造では電極が配置されている面において、全面にて均一にはんだが凝集する必要がある。そのため、従来の方法では、はんだ量が不均一になりやすいのに対して、本発明の方法では、全面にて均一にはんだを凝集させることができる。   In the connection structure according to the present invention, it is preferable that the first electrode and the second electrode are arranged in an area array or a peripheral. In the case where the first electrode and the second electrode are arranged in an area array or a peripheral, the effect of the present invention is more effectively exhibited. The area array is a structure in which electrodes are arranged in a grid pattern on the surface on which the electrodes of the connection target members are arranged. The peripheral is a structure in which electrodes are arranged on the outer periphery of a connection target member. In the case of a structure in which the electrodes are arranged in a comb shape, the solder may be aggregated along the direction perpendicular to the comb, whereas in the area array or the peripheral structure, the electrode is disposed on the entire surface. It is necessary that the solder agglomerates uniformly. Therefore, in the conventional method, the amount of solder tends to be non-uniform, whereas in the method of the present invention, the solder can be uniformly aggregated on the entire surface.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

熱硬化性成分（熱硬化性化合物）：
熱硬化性化合物１：ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、新日鉄住金化学社製「ＹＤＦ−８１７０Ｃ」
熱硬化性化合物２：ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、新日鉄住金化学社製「ＹＤ−８１２５」
熱硬化性化合物３：フェノールノボラック型エポキシ化合物、ＤＯＷ社製「ＤＥＮ４３１」
熱硬化性化合物４：脂肪族エポキシ化合物、共栄社化学社製「エポライト１６００」
熱硬化性化合物５：イソシアヌル骨格含有エポキシ化合物、日産化学社製「ＴＥＰＩＣ−ＳＰ」 Thermosetting component (thermosetting compound):
Thermosetting compound 1: Bisphenol F type epoxy compound, “YDF-8170C” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.
Thermosetting compound 2: bisphenol A type epoxy compound, “YD-8125” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.
Thermosetting compound 3: phenol novolac type epoxy compound, “DEN431” manufactured by DOW
Thermosetting compound 4: Aliphatic epoxy compound, “Epolite 1600” manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.
Thermosetting compound 5: epoxy compound containing isocyanuric skeleton, “TEPIC-SP” manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.

熱硬化性成分（熱硬化剤）：
熱硬化剤１：酸無水物硬化剤、新日本理化社製「リカシッドＴＨ」
熱硬化剤２：酸無水物硬化剤、新日本理化社製「リカシッドＭＨ」 Thermosetting component (thermosetting agent):
Thermosetting agent 1: Acid anhydride curing agent, “Ricacid TH” manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd.
Thermosetting agent 2: Acid anhydride curing agent, “Ricacid MH” manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd.

熱硬化性成分（硬化促進剤）：
硬化促進剤１：有機ホスホニウム塩、日本化学工業社製「ＰＸ−４ＭＰ」 Thermosetting component (curing accelerator):
Curing accelerator 1: Organic phosphonium salt, “PX-4MP” manufactured by Nippon Chemical Industry Co., Ltd.

フラックス：
フラックス１：酸性リン酸エステル化合物（ブチルアシッドホスフェート）、城北化学工業社製「ＪＰ−５０４」、２３℃で液体
フラックス２：酸性リン酸エステル化合物（エチルアシッドホスフェート）、城北化学工業社製「ＪＰ−５０２」、２３℃で液体
フラックス３：昭和化学工業社製「ステアリン酸」、２３℃で固体
フラックス４：城北化学工業社製「ジエチルホスホノ酢酸」、２３℃で液体
フラックス５：「グルタル酸ベンジルアミン塩」、融点１０８℃、２３℃で固体 flux:
Flux 1: Acid phosphate ester compound (butyl acid phosphate), “JP-504” manufactured by Johoku Chemical Industry Co., Ltd., liquid at 23 ° C. Flux 2: Acid phosphate ester compound (ethyl acid phosphate), “JP” manufactured by Johoku Chemical Industry Co. -502 ”, liquid at 23 ° C. Flux 3:“ Stearic acid ”manufactured by Showa Chemical Industry Co., Ltd., solid at 23 ° C. Flux 4:“ Diethylphosphonoacetic acid ”manufactured by Johoku Chemical Industry Co., Ltd. Flux 5:“ Glutaric acid ” Benzylamine salt ", melting point 108 ° C, solid at 23 ° C

フラックス５の作製方法：
ガラスビンに、反応溶媒である水２４ｇと、グルタル酸（和光純薬工業社製）１３．２１２ｇとを入れ、室温で均一になるまで溶解させた。その後、ベンジルアミン（和光純薬工業社製）１０．７１５ｇを入れて、約５分間撹拌し、混合液を得た。得られた混合液を５℃〜１０℃の冷蔵庫に入れて、一晩放置した。析出した結晶をろ過により分取し、水で洗浄し、真空乾燥し、フラックス５を得た。 Method for producing flux 5:
In a glass bottle, 24 g of water as a reaction solvent and 13.212 g of glutaric acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were added and dissolved at room temperature until uniform. Thereafter, 10.715 g of benzylamine (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added and stirred for about 5 minutes to obtain a mixed solution. The resulting mixture was placed in a refrigerator at 5 ° C. to 10 ° C. and left overnight. The precipitated crystals were collected by filtration, washed with water, and vacuum-dried to obtain flux 5.

フラックス６：「アジピン酸ベンジルアミン塩」、融点１７１℃、２３℃で固体   Flux 6: “Benzylamine adipic acid salt”, melting point 171 ° C., solid at 23 ° C.

フラックス６の作製方法：
ガラスビンに、反応溶媒である水２４ｇと、アジピン酸（和光純薬工業社製）１３．８９ｇとを入れ、室温で均一になるまで溶解させた。その後、ベンジルアミン（和光純薬工業社製）１０．７１５ｇを入れて、約５分間撹拌し、混合液を得た。得られた混合液を５℃〜１０℃の冷蔵庫に入れて、一晩放置した。析出した結晶をろ過により分取し、水で洗浄し、真空乾燥し、フラックス６を得た。 Method for producing flux 6:
In a glass bottle, 24 g of water as a reaction solvent and 13.89 g of adipic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were added and dissolved at room temperature until uniform. Thereafter, 10.715 g of benzylamine (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added and stirred for about 5 minutes to obtain a mixed solution. The resulting mixture was placed in a refrigerator at 5 ° C. to 10 ° C. and left overnight. The precipitated crystals were collected by filtration, washed with water, and vacuum-dried to obtain flux 6.

フラックス７：昭和化学工業社製「アゼライン酸」、２３℃で固体
フラックス８：昭和化学工業社製「セバシン酸」、２３℃で固体 Flux 7: “Azelaic acid” manufactured by Showa Chemical Industry, solid at 23 ° C. Flux 8: “Sebacic acid” manufactured by Showa Chemical Industry, solid at 23 ° C.

導電性粒子（はんだ粒子、はんだ粒子以外のはんだを含む導電性粒子（導電性粒子Ｘ））：
はんだ粒子１：ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ４２Ｂｉ５８」を選別したはんだ粒子、平均粒子径：２０μｍ
はんだ粒子２：ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ４２Ｂｉ５８」を選別したはんだ粒子、平均粒子径：１０μｍ
はんだ粒子３：ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ４２Ｂｉ５８」を選別したはんだ粒子、平均粒子径：７μｍ
はんだ粒子４：ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ４２Ｂｉ５８」を選別したはんだ粒子、平均粒子径：５μｍ
はんだ粒子５：ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ６６Ｂｉ３４」を選別したはんだ粒子、平均粒子径：１０μｍ
はんだ粒子６：ＳｎＡｇＣｕはんだ粒子、三井金属鉱業社製「ＳｎＡｇ３Ｃｕ０．５」、平均粒子径：１０μｍ、融点：２１７℃
はんだ粒子７：銀めっきしたＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ４２Ｂｉ５８」を選別したはんだ粒子を銀めっきした導電性粒子、平均粒子径：１０μｍ Conductive particles (solder particles, conductive particles containing solder other than solder particles (conductive particles X)):
Solder particles 1: SnBi solder particles, melting point 138 ° C., solder particles selected from Mitsui Kinzoku “Sn42Bi58”, average particle diameter: 20 μm
Solder particles 2: SnBi solder particles, melting point 138 ° C., solder particles selected from Mitsui Kinzoku “Sn42Bi58”, average particle diameter: 10 μm
Solder particles 3: SnBi solder particles, melting point 138 ° C., solder particles selected from Mitsui Kinzoku “Sn42Bi58”, average particle size: 7 μm
Solder particles 4: SnBi solder particles, melting point 138 ° C., solder particles selected from Mitsui Kinzoku Co., Ltd. “Sn42Bi58”, average particle diameter: 5 μm
Solder particles 5: SnBi solder particles, melting point 138 ° C., solder particles selected from Mitsui Kinzoku “Sn66Bi34”, average particle diameter: 10 μm
Solder particles 6: SnAgCu solder particles, “SnAg3Cu0.5” manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., average particle size: 10 μm, melting point: 217 ° C.
Solder particles 7: Silver-plated SnBi solder particles, melting point 138 ° C., conductive particles silver-plated solder particles selected from Mitsui Kinzoku “Sn42Bi58”, average particle diameter: 10 μm

はんだ粒子７の作製方法：
粒子径が１０μｍのＳｎＢｉはんだ粒子２０ｇを、１重量％クエン酸溶液５００ｇに入れて、はんだ粒子の表面の酸化膜を除去した。硝酸銀５ｇと、イオン交換水１０００ｇと、１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントイン５ｇと、チオリンゴ酸３ｇとを含む溶液を調製した。該溶液に酸化膜を除去したはんだ粒子５０ｇを入れて混合し、懸濁液を得た。得られた懸濁液を用いて、アノード：白金、カソード：含リン銅、電流密度：２Ａ／ｄｍ２の条件で、電解めっきを実施することによって、ＳｎＢｉはんだ粒子を銀めっきしたはんだ粒子７を得た。 Method for producing solder particles 7:
20 g of SnBi solder particles having a particle diameter of 10 μm were put in 500 g of a 1 wt% citric acid solution, and the oxide film on the surface of the solder particles was removed. A solution containing 5 g of silver nitrate, 1000 g of ion-exchanged water, 5 g of 1,3-dibromo-5,5-dimethylhydantoin, and 3 g of thiomalic acid was prepared. 50 g of solder particles from which the oxide film has been removed were added to the solution and mixed to obtain a suspension. Using the resulting suspension, electrolytic plating is performed under the conditions of anode: platinum, cathode: phosphorous copper, and current density: 2 A / dm 2 , so that solder particles 7 obtained by silver-plating SnBi solder particles are obtained. Obtained.

はんだ粒子８：ニッケルめっきしたＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３８℃、三井金属社製「Ｓｎ４２Ｂｉ５８」を選別したはんだ粒子をニッケルめっきした導電性粒子、平均粒子径：１０μｍ   Solder particles 8: Nickel-plated SnBi solder particles, melting point 138 ° C., conductive particles obtained by nickel-plating solder particles selected from Mitsui Kinzoku “Sn42Bi58”, average particle diameter: 10 μm

はんだ粒子８の作製方法：
粒子径が１０μｍのＳｎＢｉはんだ粒子２０ｇを、ドーム直径２８０ｍｍ、公転２３４ｒｐｍ、２２．８Ａ／ｄｍ２、２時間の条件でフロースループレータを用いて電解めっきを行った。めっき浴はワットＮｉ(サプレアニッケルＡＥＰ−１)を用い、導電メディアとしてはスチールボールを充填密度４．７４で用いた。上記の電解めっきにより、ＳｎＢｉはんだ粒子をニッケルめっきしたはんだ粒子８を得た。 Method for producing solder particles 8:
Electroplating was performed on 20 g of SnBi solder particles having a particle diameter of 10 μm using a flow through loop under the conditions of dome diameter 280 mm, revolution 234 rpm, 22.8 A / dm 2 , 2 hours. Watt Ni (supplea nickel AEP-1) was used as the plating bath, and steel balls were used as the conductive media at a filling density of 4.74. Solder particles 8 obtained by nickel-plating SnBi solder particles were obtained by the above electrolytic plating.

（実施例１〜１９及び比較例１〜５）
（１）導電材料（異方性導電ペースト）の作製
下記の表１，２に示す成分を下記の表１，２に示す配合量で配合して、導電材料（異方性導電ペースト）を得た。 (Examples 1-19 and Comparative Examples 1-5)
(1) Preparation of conductive material (anisotropic conductive paste) The components shown in the following Tables 1 and 2 are blended in the blending amounts shown in Tables 1 and 2 to obtain a conductive material (anisotropic conductive paste). It was.

（２）第１の接続構造体の作製
第１の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの金電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するガラスエポキシ基板（材質：ＦＲ−４、厚み：０．６ｍｍ）を用意した。 (2) Production of first connection structure As a first connection target member, a glass epoxy substrate (material) having a gold electrode (electrode length: 3 mm, electrode thickness: 12 μm) of L / S = 50 μm / 50 μm on the surface : FR-4, thickness: 0.6 mm).

第２の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの金電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するフレキシブルプリント基板（材質：ポリイミド、厚み：０．１ｍｍ）を用意した。   As a second connection target member, a flexible printed circuit board (material: polyimide, thickness: 0.1 mm) having a gold electrode (electrode length: 3 mm, electrode thickness: 12 μm) of L / S = 50 μm / 50 μm is prepared. did.

上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の導電材料（異方性導電ペースト）を厚さ１００μｍとなるように塗工し、導電材料（異方性導電ペースト）層を形成した。次に、導電材料（異方性導電ペースト）層の上面にフレキシブルプリント基板を電極同士が対向するように積層した。導電材料（異方性導電ペースト）層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その状態から、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が、昇温開始から５秒後に導電性粒子の融点となるように加熱した。さらに、昇温開始から１５秒後に、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が１６０℃となるように加熱し、導電材料（異方性導電ペースト）層を硬化させ、接続構造体を得た。加熱時には、加圧を行わなかった。   A conductive material (anisotropic conductive paste) immediately after fabrication was applied to the upper surface of the glass epoxy substrate so as to have a thickness of 100 μm, thereby forming a conductive material (anisotropic conductive paste) layer. Next, a flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the conductive material (anisotropic conductive paste) layer so that the electrodes face each other. The weight of the flexible printed circuit board is added to the conductive material (anisotropic conductive paste) layer. From that state, the conductive material (anisotropic conductive paste) layer was heated so that the temperature of the conductive material (anisotropic conductive paste) layer became the melting point of the conductive particles 5 seconds after the start of the temperature increase. Further, after 15 seconds from the start of temperature increase, the conductive material (anisotropic conductive paste) layer is heated to a temperature of 160 ° C. to cure the conductive material (anisotropic conductive paste) layer. Obtained. No pressure was applied during heating.

（３）第２の接続構造体の作製
第１の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの銀電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するガラスエポキシ基板（材質：ＦＲ−４、厚み：０．６ｍｍ）を用意した。 (3) Production of Second Connection Structure As a first connection target member, a glass epoxy substrate (material) having a silver electrode (electrode length: 3 mm, electrode thickness: 12 μm) of L / S = 50 μm / 50 μm on the surface : FR-4, thickness: 0.6 mm).

第２の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの銀電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するフレキシブルプリント基板（材質：ポリイミド、厚み：０．１ｍｍ）を用意した。   As a second connection target member, a flexible printed circuit board (material: polyimide, thickness: 0.1 mm) having a silver electrode (electrode length: 3 mm, electrode thickness: 12 μm) of L / S = 50 μm / 50 μm is prepared. did.

上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の導電材料（異方性導電ペースト）を厚さ１００μｍとなるように塗工し、導電材料（異方性導電ペースト）層を形成した。次に、導電材料（異方性導電ペースト）層の上面にフレキシブルプリント基板を電極同士が対向するように積層した。導電材料（異方性導電ペースト）層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その状態から、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が、昇温開始から５秒後に導電性粒子の融点となるように加熱した。さらに、昇温開始から１５秒後に、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が１６０℃となるように加熱し、導電材料（異方性導電ペースト）層を硬化させ、接続構造体を得た。加熱時には、加圧を行わなかった。   A conductive material (anisotropic conductive paste) immediately after fabrication was applied to the upper surface of the glass epoxy substrate so as to have a thickness of 100 μm, thereby forming a conductive material (anisotropic conductive paste) layer. Next, a flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the conductive material (anisotropic conductive paste) layer so that the electrodes face each other. The weight of the flexible printed circuit board is added to the conductive material (anisotropic conductive paste) layer. From that state, the conductive material (anisotropic conductive paste) layer was heated so that the temperature of the conductive material (anisotropic conductive paste) layer became the melting point of the conductive particles 5 seconds after the start of the temperature increase. Further, after 15 seconds from the start of temperature increase, the conductive material (anisotropic conductive paste) layer is heated to a temperature of 160 ° C. to cure the conductive material (anisotropic conductive paste) layer. Obtained. No pressure was applied during heating.

（４）第３の接続構造体の作製
第１の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの銅電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するガラスエポキシ基板（材質：ＦＲ−４、厚み：０．６ｍｍ）を用意した。 (4) Production of Third Connection Structure As a first connection target member, a glass epoxy substrate (material) having a copper electrode (electrode length: 3 mm, electrode thickness: 12 μm) of L / S = 50 μm / 50 μm on the surface : FR-4, thickness: 0.6 mm).

第２の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの銅電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するフレキシブルプリント基板（材質：ポリイミド、厚み：０．１ｍｍ）を用意した。   As a second connection target member, a flexible printed circuit board (material: polyimide, thickness: 0.1 mm) having a copper electrode (electrode length: 3 mm, electrode thickness: 12 μm) of L / S = 50 μm / 50 μm is prepared. did.

上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の導電材料（異方性導電ペースト）を厚さ１００μｍとなるように塗工し、導電材料（異方性導電ペースト）層を形成した。次に、導電材料（異方性導電ペースト）層の上面にフレキシブルプリント基板を電極同士が対向するように積層した。導電材料（異方性導電ペースト）層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その状態から、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が、昇温開始から５秒後に導電性粒子の融点となるように加熱した。さらに、昇温開始から１５秒後に、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が１６０℃となるように加熱し、導電材料（異方性導電ペースト）層を硬化させ、接続構造体を得た。加熱時には、加圧を行わなかった。   A conductive material (anisotropic conductive paste) immediately after fabrication was applied to the upper surface of the glass epoxy substrate so as to have a thickness of 100 μm, thereby forming a conductive material (anisotropic conductive paste) layer. Next, a flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the conductive material (anisotropic conductive paste) layer so that the electrodes face each other. The weight of the flexible printed circuit board is added to the conductive material (anisotropic conductive paste) layer. From that state, the conductive material (anisotropic conductive paste) layer was heated so that the temperature of the conductive material (anisotropic conductive paste) layer became the melting point of the conductive particles 5 seconds after the start of the temperature increase. Further, after 15 seconds from the start of temperature increase, the conductive material (anisotropic conductive paste) layer is heated to a temperature of 160 ° C. to cure the conductive material (anisotropic conductive paste) layer. Obtained. No pressure was applied during heating.

（５）第４の接続構造体の作製
第１の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍのアルミニウム電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するガラスエポキシ基板（材質：ＦＲ−４、厚み：０．６ｍｍ）を用意した。 (5) Production of Fourth Connection Structure As a first connection target member, a glass epoxy substrate (material) having an L / S = 50 μm / 50 μm aluminum electrode (electrode length: 3 mm, electrode thickness: 12 μm) on the surface : FR-4, thickness: 0.6 mm).

第２の接続対象部材として、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍのアルミニウム電極（電極長さ：３ｍｍ、電極厚み：１２μｍ）を表面に有するフレキシブルプリント基板（材質：ポリイミド、厚み：０．１ｍｍ）を用意した。   As a second connection target member, a flexible printed circuit board (material: polyimide, thickness: 0.1 mm) having an aluminum electrode (electrode length: 3 mm, electrode thickness: 12 μm) of L / S = 50 μm / 50 μm is prepared. did.

上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の導電材料（異方性導電ペースト）を厚さ１００μｍとなるように塗工し、導電材料（異方性導電ペースト）層を形成した。次に、導電材料（異方性導電ペースト）層の上面にフレキシブルプリント基板を電極同士が対向するように積層した。導電材料（異方性導電ペースト）層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その状態から、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が、昇温開始から５秒後に導電性粒子の融点となるように加熱した。さらに、昇温開始から１５秒後に、導電材料（異方性導電ペースト）層の温度が１６０℃となるように加熱し、導電材料（異方性導電ペースト）層を硬化させ、接続構造体を得た。加熱時には、加圧を行わなかった。   A conductive material (anisotropic conductive paste) immediately after fabrication was applied to the upper surface of the glass epoxy substrate so as to have a thickness of 100 μm, thereby forming a conductive material (anisotropic conductive paste) layer. Next, a flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the conductive material (anisotropic conductive paste) layer so that the electrodes face each other. The weight of the flexible printed circuit board is added to the conductive material (anisotropic conductive paste) layer. From that state, the conductive material (anisotropic conductive paste) layer was heated so that the temperature of the conductive material (anisotropic conductive paste) layer became the melting point of the conductive particles 5 seconds after the start of the temperature increase. Further, after 15 seconds from the start of temperature increase, the conductive material (anisotropic conductive paste) layer is heated to a temperature of 160 ° C. to cure the conductive material (anisotropic conductive paste) layer. Obtained. No pressure was applied during heating.

（評価）
（１）最大値を示す拡散係数
表面の材料が、第１，２，３，４の接続対象部材の電極の表面の材料（金、銀、銅又はアルミニウム）と同じである基板を準備した。 (Evaluation)
(1) Diffusion coefficient showing maximum value A substrate having the same surface material as the electrode surface material (gold, silver, copper, or aluminum) of the first, second, third, and fourth connection target members was prepared.

表面の材料が金である基板に、得られた導電材料を塗布し、７０℃となるように加熱し、ＥＰＭＡ分析により導電性粒子に含まれる金属の拡散係数を算出した。得られた金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数をＤＡｕとした。ＤＡｕを以下の基準で判定した。   The obtained conductive material was applied to a substrate whose surface material is gold, heated to 70 ° C., and the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles was calculated by EPMA analysis. Of the obtained metal diffusion coefficients, the diffusion coefficient showing the maximum value was defined as DAu. DAu was determined according to the following criteria.

表面の材料が銀である基板に、得られた導電材料を塗布し、７０℃となるように加熱し、ＥＰＭＡ分析により導電性粒子に含まれる金属の拡散係数を算出した。得られた金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数をＤＡｇとした。ＤＡｇを以下の基準で判定した。   The obtained conductive material was applied to a substrate whose surface material is silver, heated to 70 ° C., and the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles was calculated by EPMA analysis. Of the obtained metal diffusion coefficients, the diffusion coefficient showing the maximum value was defined as DAg. DAg was determined according to the following criteria.

表面の材料が銅である基板に、得られた導電材料を塗布し、７０℃となるように加熱し、ＥＰＭＡ分析により導電性粒子に含まれる金属の拡散係数を算出した。得られた金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数をＤＣｕとした。ＤＣｕを以下の基準で判定した。   The obtained conductive material was applied to a substrate whose surface material is copper, heated to 70 ° C., and the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles was calculated by EPMA analysis. Of the obtained metal diffusion coefficients, the diffusion coefficient showing the maximum value was defined as DCu. DCu was determined according to the following criteria.

表面の材料がアルミニウムである基板に、得られた導電材料を塗布し、７０℃となるように加熱し、ＥＰＭＡ分析により導電性粒子に含まれる金属の拡散係数を算出した。得られた金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数をＤＡｌとした。ＤＡｌを以下の基準で判定した。   The obtained conductive material was applied to a substrate whose surface material is aluminum, heated to 70 ° C., and the diffusion coefficient of the metal contained in the conductive particles was calculated by EPMA analysis. Among the obtained metal diffusion coefficients, the diffusion coefficient showing the maximum value was defined as DAl. DAl was determined according to the following criteria.

［最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ又はＤＡｌ）の判定基準］
○○：最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ又はＤＡｌ）が１．０×１０−２０ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ未満
○：最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ又はＤＡｌ）が１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−２０ｍ２／ｓ未満
△：最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ又はＤＡｌ）が１．０×１０−２６ｍ２／ｓ以上１．０×１０−２３ｍ２／ｓ未満
×：最大値を示す拡散係数（ＤＡｕ、ＤＡｇ、ＤＣｕ又はＤＡｌ）が１．０×１０−２６ｍ２／ｓ未満 [Judgment criteria for diffusion coefficient (DAu, DAg, DCu or DAl) showing maximum value]
○○: Diffusion coefficient (DAu, DAg, DCu, or DAl) showing the maximum value is 1.0 × 10 −20 m 2 / s or more and less than 1.0 × 10 −14 m 2 / s ○: Diffusion showing the maximum value Coefficient (DAu, DAg, DCu or DAl) is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and less than 1.0 × 10 −20 m 2 / s Δ: diffusion coefficient showing maximum value (DAu, DAg, DCu or DAl) is 1.0 × 10 −26 m 2 / s or more and less than 1.0 × 10 −23 m 2 / s ×: Diffusion coefficient (DAu, DAg, DCu or DAl) indicating the maximum value is 1.0 × 10 -26 m less than 2 / s

（２）電極上のはんだの配置精度
得られた第１，２，３，４の接続構造体において、第１の電極と接続部と第２の電極との積層方向に第１の電極と第２の電極との対向し合う部分をみたときに、第１の電極と第２の電極との対向し合う部分の面積１００％中の、接続部中のはんだ部が配置されている面積の割合Ｘを評価した。電極上のはんだの配置精度を以下の基準で判定した。 (2) Solder placement accuracy on the electrode In the obtained first, second, third, and fourth connection structures, the first electrode and the second electrode in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode. The ratio of the area where the solder part in the connection part is arranged in 100% of the area of the part where the first electrode and the second electrode face each other when the part facing the two electrodes is seen X was evaluated. The placement accuracy of the solder on the electrode was determined according to the following criteria.

［電極上のはんだの配置精度の判定基準］
○○○：割合Ｘが８０％以上
○○：割合Ｘが７０％以上８０％未満
○：割合Ｘが６０％以上７０％未満
△：割合Ｘが５０％以上６０％未満
×：割合Ｘが５０％未満 [Criteria for solder placement accuracy on electrodes]
○○○: Ratio X is 80% or more ○○: Ratio X is 70% or more and less than 80% ○: Ratio X is 60% or more and less than 70% Δ: Ratio X is 50% or more and less than 60% X: Ratio X is 50 %Less than

（３）マイグレーション
得られた第１，２，３，４の接続構造体において、マイグレーション試験（温度１１０℃、湿度８５％、５Ｖ印加の条件で１００時間放置）を実施した。マイグレーション試験後の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより絶縁抵抗を求めることができる。マイグレーションを下記の基準で判定した。 (3) Migration The obtained first, second, third, and fourth connection structures were subjected to a migration test (temperature 110 ° C., humidity 85%, left for 100 hours under conditions of 5 V application). The connection resistance between the upper and lower electrodes after the migration test was measured by the four-terminal method. In addition, from the relationship of voltage = current × resistance, the insulation resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed. Migration was judged according to the following criteria.

［マイグレーションの判定基準］
〇〇：マイグレーション試験後の絶縁抵抗の平均値が１．０×１０１４Ω以上
○：マイグレーション試験後の絶縁抵抗の平均値が１．０×１０１２Ω以上１．０×１０１４Ω未満
△：マイグレーション試験後の絶縁抵抗の平均値が１．０×１０１０Ω以上１．０×１０１２Ω未満
×：マイグレーション試験後の絶縁抵抗の平均値が１．０×１０１０Ω未満であり、絶縁不良が生じている [Migration criteria for migration]
〇〇: Average insulation resistance after migration test is 1.0 × 10 14 Ω or more
○: The average value of the insulation resistance after the migration test is 1.0 × 10 12 Ω or more and less than 1.0 × 10 14 Ω Δ: The average value of the insulation resistance after the migration test is 1.0 × 10 10 Ω or more Less than 0 × 10 12 Ω ×: The average value of the insulation resistance after the migration test is less than 1.0 × 10 10 Ω, resulting in an insulation failure.

結果を下記の表１，２に示す。   The results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 2019204779
Figure 2019204779

Figure 2019204779
Figure 2019204779

樹脂フィルム、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板を用いた場合でも、同様の傾向が見られた。   The same tendency was observed even when using a resin film, a flexible flat cable, and a rigid flexible substrate.

１，１Ｘ…接続構造体
２…第１の接続対象部材
２ａ…第１の電極
３…第２の接続対象部材
３ａ…第２の電極
４，４Ｘ…接続部
４Ａ，４ＸＡ…はんだ部
４Ｂ，４ＸＢ…硬化物部
１１…導電材料
１１Ａ…はんだ粒子
１１Ｂ…熱硬化性成分
２１…導電性粒子
３１…導電性粒子
３２…基材粒子
３３…導電部
３３Ａ…第２の導電部
３３Ｂ…第１の導電部
４１…導電性粒子
４２…導電部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1X ... Connection structure 2 ... 1st connection object member 2a ... 1st electrode 3 ... 2nd connection object member 3a ... 2nd electrode 4, 4X ... Connection part 4A, 4XA ... Solder part 4B, 4XB ... cured material part 11 ... conductive material 11A ... solder particle 11B ... thermosetting component 21 ... conductive particle 31 ... conductive particle 32 ... base particle 33 ... conductive part 33A ... second conductive part 33B ... first conductive Part 41 ... Conductive particles 42 ... Conductive part

Claims (11)

熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、
表面の材料が金である基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である、導電材料。 A conductive material comprising a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder;
A diffusion coefficient showing the maximum value among the diffusion coefficients of metals contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is gold and heated to 70 ° C. Is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less. 熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、
表面の材料が銀である基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である、導電材料。 A conductive material comprising a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder;
Diffusion coefficient showing the maximum value among diffusion coefficients of metals contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is silver and heated to 70 ° C. Is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less. 熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、
表面の材料が銅である基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である、導電材料。 A conductive material comprising a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder;
A diffusion coefficient showing the maximum value among the diffusion coefficients of metals contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is copper and heated to 70 ° C. Is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less. 熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料であり、
表面の材料がアルミニウムである基板に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下である、導電材料。 A conductive material comprising a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder;
A diffusion coefficient showing the maximum value among the diffusion coefficients of metals contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis when the conductive material is applied to a substrate whose surface material is aluminum and heated to 70 ° C. Is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m 2 / s or less. 前記フラックスが、２３℃で液体である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電材料。   The conductive material according to claim 1, wherein the flux is a liquid at 23 ° C. 前記はんだを含む導電性粒子の粒子径が、３５μｍ以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電材料。   The conductive material according to claim 1, wherein a particle diameter of the conductive particles including the solder is 35 μm or less. 導電ペーストである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電材料。   The conductive material according to claim 1, which is a conductive paste. 第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電材料であり、
前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体。 A first connection object member having a first electrode on its surface;
A second connection target member having a second electrode on its surface;
A connecting portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
The material of the connection part is the conductive material according to any one of claims 1 to 7,
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection portion. 熱硬化性成分と、フラックスと、はんだを含む導電性粒子とを含む導電材料を用いて、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材の表面上に、前記導電材料を配置する第１の工程と、
前記導電材料の前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を、前記第１の電極と前記第２の電極とが対向するように配置する第２の工程と、
前記導電性粒子の融点以上に前記導電材料を加熱することで、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電材料により形成し、かつ、前記第１の電極と前記第２の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する第３の工程とを備え、
前記第１の電極の表面の材料及び前記導電材料の組み合わせとして、表面の材料が前記第１の電極の表面の材料と同じである基板上に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下となる第１の電極の表面の材料及び導電材料を用いる、接続構造体の製造方法。 The conductive material is disposed on the surface of the first connection target member having the first electrode on the surface by using a conductive material including a thermosetting component, a flux, and conductive particles including solder. 1 process,
On the surface opposite to the first connection target member side of the conductive material, the second connection target member having the second electrode on the surface is opposed to the first electrode and the second electrode. A second step of arranging to
By heating the conductive material to a temperature equal to or higher than the melting point of the conductive particles, a connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member is formed of the conductive material, and A third step of electrically connecting the first electrode and the second electrode by a solder portion in the connection portion,
As a combination of the material of the surface of the first electrode and the conductive material, when the conductive material is applied on a substrate whose surface material is the same as the material of the surface of the first electrode and heated to 70 ° C. Further, the diffusion coefficient showing the maximum value among the diffusion coefficients of the metals contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m. The manufacturing method of a connection structure using the material and conductive material of the surface of the 1st electrode used as 2 / s or less. 前記第２の電極の表面の材料及び前記導電材料の組み合わせとして、表面の材料が前記第２の電極の表面の材料と同じである基板上に前記導電材料を塗布し、７０℃に加熱したときに、ＥＰＭＡ分析により算出される前記導電性粒子に含まれる金属の拡散係数のうち、最大値を示す拡散係数が、１．０×１０−２３ｍ２／ｓ以上１．０×１０−１４ｍ２／ｓ以下となる第２の電極の表面の材料及び導電材料を用いる、請求項９に記載の接続構造体の製造方法。 As a combination of the material of the surface of the second electrode and the conductive material, when the conductive material is applied on a substrate whose surface material is the same as the material of the surface of the second electrode and heated to 70 ° C. Further, the diffusion coefficient showing the maximum value among the diffusion coefficients of the metals contained in the conductive particles calculated by EPMA analysis is 1.0 × 10 −23 m 2 / s or more and 1.0 × 10 −14 m. The manufacturing method of the connection structure of Claim 9 using the material and conductive material of the surface of the 2nd electrode used as 2 / s or less. 前記第１の電極及び前記第２の電極が、金電極、銀電極、銅電極又はアルミニウム電極である、請求項９又は１０に記載の接続構造体の製造方法。   The manufacturing method of the connection structure of Claim 9 or 10 whose said 1st electrode and said 2nd electrode are a gold electrode, a silver electrode, a copper electrode, or an aluminum electrode.
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