JP2019201055A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
ウェーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019201055A JP2019201055A JP2018093338A JP2018093338A JP2019201055A JP 2019201055 A JP2019201055 A JP 2019201055A JP 2018093338 A JP2018093338 A JP 2018093338A JP 2018093338 A JP2018093338 A JP 2018093338A JP 2019201055 A JP2019201055 A JP 2019201055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- frame
- sheet
- polyester
- polyester sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims abstract description 123
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 113
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 17
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 22
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 14
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002215 polytrimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
1a 表面
1b 裏面
3 分割予定ライン
3a 切削痕
5 デバイス
7,7a,7f フレーム
7b,7g 開口部
7c 上面
7d ピン
7e 磁石
7h 下面
7i 貫通孔
9 ポリエステル系シート
11 フレームユニット
2 チャックテーブル
2a 保持面
2b,38a 吸引源
2c,38b 切り替え部
4 赤外線ランプ
4a 赤外線
6 ヒートガン
6a 熱風
8 ヒートローラー
10 切削装置
12 切削ユニット
14 スピンドルハウジング
16 切削ブレード
18 切削水供給ノズル
20 ピックアップ装置
22 ドラム
24 フレーム保持ユニット
26 フレーム支持台
28 クランプ
30 ロッド
32 エアシリンダ
34 ベース
36 突き上げ機構
38 コレット
Claims (6)
- 複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの裏面にポリエステル系シートを配設するポリエステル系シート配設工程と、
該ポリエステル系シートを加熱し、熱圧着により該ウェーハと、該ポリエステル系シートと、を一体化させる一体化工程と、
該一体化工程の前または後に、ウェーハを収容できる大きさの開口部を有し複数の磁石を備える第1のフレームと、ウェーハを収容できる大きさの開口部を有する第2のフレームと、で構成されるフレームを使用して、該磁石により生じる磁力により該第1のフレームと、該第2のフレームと、の間にポリエステル系シートの外周部を挟持してポリエステル系シートを該フレームで支持するフレーム支持工程と、
切削ブレードを回転可能に備えた切削装置を用いて該ウェーハを分割予定ラインに沿って切削して該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
該ポリエステル系シートから個々のデバイスチップをピックアップするピックアップ工程と、
を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。 - 該一体化工程において、赤外線の照射によって該熱圧着を実施することを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該ピックアップ工程において、該ポリエステル系シートを拡張して各デバイスチップ間の間隔を広げ、該ポリエステル系シート側から該デバイスチップを突き上げることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該ポリエステル系シートは、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシートのいずれかであることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
- 該一体化工程において、該ポリエステル系シートが該ポリエチレンテレフタレートシートである場合に加熱温度は250℃〜270℃であり、該ポリエステル系シートが該ポリエチレンナフタレートシートである場合に加熱温度は160℃〜180℃であることを特徴とする請求項4記載のウェーハの加工方法。
- 該ウェーハは、Si、GaN、GaAs、ガラスのいずれかで構成されることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018093338A JP7134562B2 (ja) | 2018-05-14 | 2018-05-14 | ウェーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018093338A JP7134562B2 (ja) | 2018-05-14 | 2018-05-14 | ウェーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019201055A true JP2019201055A (ja) | 2019-11-21 |
JP7134562B2 JP7134562B2 (ja) | 2022-09-12 |
Family
ID=68611377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018093338A Active JP7134562B2 (ja) | 2018-05-14 | 2018-05-14 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7134562B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58153352A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-12 | Toshiba Corp | 半導体素子の製造方法 |
JPH09266183A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-10-07 | Texas Instr Japan Ltd | ウェハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2003100727A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | シートフィルム保持機構、カセット、搬送機構、薄膜形成装置ならびにシートフィルム搬送方法 |
JP2005191297A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Jsr Corp | ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法 |
JP2007165636A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
WO2018003312A1 (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-04 | リンテック株式会社 | 半導体加工用シート |
-
2018
- 2018-05-14 JP JP2018093338A patent/JP7134562B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58153352A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-12 | Toshiba Corp | 半導体素子の製造方法 |
JPH09266183A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-10-07 | Texas Instr Japan Ltd | ウェハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2003100727A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | シートフィルム保持機構、カセット、搬送機構、薄膜形成装置ならびにシートフィルム搬送方法 |
JP2005191297A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Jsr Corp | ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法 |
JP2007165636A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
WO2018003312A1 (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-04 | リンテック株式会社 | 半導体加工用シート |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7134562B2 (ja) | 2022-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110491783B (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP7139048B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019212812A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019212816A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019201052A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
KR20190139143A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
CN110808226A (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP2019201022A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019201055A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP7134563B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019201057A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP7139041B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019212818A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019212817A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019201054A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019212813A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019201051A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019201050A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019212815A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019212814A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019212788A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019212811A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2020009897A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2020009895A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2019201019A (ja) | ウェーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220830 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220830 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7134562 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |