JP2019200473A - メモリ制御装置、メモリ制御プログラムおよびメモリ制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、1つの態様では、メモリ制御方法が提供される。
[第1の実施の形態]
第1の実施の形態を説明する。
メモリ制御装置10は、第1のメモリ11、第2のメモリ12、第3のメモリ13、処理部14および記憶部15を有する。メモリ制御装置10は、第1のメモリ11、第2のメモリ12および第3のメモリ13におけるデータ配置を制御する。
処理部14は、データにアクセスする際に、当該データに対応するフラグを参照する。処理部14は、フラグに第1の識別情報が設定されている場合、アクセス対象のデータが第1のメモリ11または第2のメモリ12に格納されていると判定する。また、処理部14は、フラグに第2の識別情報が設定されている場合、アクセス対象のデータが第3のメモリ13に格納されていると判定する。
次に、第2の実施の形態を説明する。
図2は、第2の実施の形態のサーバのハードウェア例を示すブロック図である。
CPU101は、命令実行部110、MMU(Memory Management Unit)120、DDR I/F(Double-Data-Rate InterFace)130およびPCIe I/F(Peripheral Component Interconnect express InterFace)140,150を有する。
CPU101は、Load/Store命令を用いて、DRAM102にアクセスする。CPU101からDRAM102に対するアクセスは直接アクセスである。CPU101は、Load/Store命令を用いて、SCM103にアクセスする。CPU101からSCM103に対するアクセスは直接アクセスである。DRAM102の記憶領域(フレーム)を新たなページに割り当てる際、DRAM102に空き領域がない場合、DRAM102に格納されたページが、SCM103にスワップアウトされる。また、SCM103に新たなページを割り当てる際、SCM103に空き領域がない場合、SCM103に格納されたページが、SSD104にスワップアウトされる。DRAM102からSCM103へのスワップアウト、および、SCM103からSSD104へのスワップアウトのアルゴリズムには、LRU(Least Recently Used)が用いられる。LRUによれば、該当のメモリに格納されているページのうち、最後のアクセスから最も長い時間が経過したページがスワップアウト対象として選択される。更に、CPU101がSSD104に格納されたページにアクセスする際、SSD104に格納されたページがDRAM102にスワップインされる。そして、CPU101は、DRAM102に格納されたページにLoad/Store命令を用いてアクセスする。
図5は、ページテーブルの例を示す図である。
例えば、メモリ管理部112は、DRAM102およびSCM103へのアクセスにメモリ空間40に属する物理アドレスを用いる。例えば、メモリ空間40は、先頭アドレスが「0x000000000000」であり、終端アドレスが「0xFFFFFFFFFFFF」である。メモリ空間40のうち、部分空間41は、DRAM102の記憶領域に対応する。例えば、部分空間41に相当する物理アドレス範囲は、「0x000000000000〜0x000000FFFFFF」である。また、メモリ空間40のうち、部分空間42は、SCM103の記憶領域に対応する。例えば、部分空間42に相当する物理アドレス範囲は、「0x010000000000〜0x010001FFFFFF」である。
図7は、メモリ管理の処理例を示すフローチャートである。
メモリ管理部112は、アプリケーション111が起動されると、アプリケーション111が停止されるまで下記の手順を継続して実行する。
(S11)メモリ管理部112は、アプリケーション111にページを割り当てる。メモリ管理部112は、ページテーブル160に割り当てたページの情報を登録する。この段階では、アプリケーション111に割り当てられたページに関して、有効フラグ(V)およびページフレーム番号(PFN)に初期値が登録される。有効フラグ(V)の初期値は「0」である。ページフレーム番号(PFN)の初期値は「0」である。例えば、メモリ管理部112は、割り当てたページに対応する仮想アドレスをアプリケーション111に通知してもよい。
CPU101がSCM103に直接アクセスしない構成も考えられる。例えば、CPU101は、Load/Store命令を用いて、DRAM102に対するアクセスのみを行い、SCM103に格納されたページについては、DRAM102へスワップインした後に、DRAM102に格納された当該ページにアクセスする。ところが、この場合、SCM103に格納されたページにアクセスする際、DRAM102へのスワップインによるオーバーヘッドが問題となる。近年では、SSD104に比べて大幅に高速な記憶デバイスがSCM103として利用可能になってきている。このため、SCM103からDRAM102に対するスワップインを行っていると、当該スワップインにより、データアクセスの性能が低下する可能性がある。このため、図6,7で例示したように、CPU101は、SCM103に対しても直接アクセスを行うことで、SCM103からDRAM102へのスワップインに伴うオーバーヘッドを削減し、データアクセスを高速化できる。
次に、第3の実施の形態を説明する。前述の第2の実施の形態と相違する事項を主に説明し、共通する事項の説明を省略する。
メモリ管理部112は、ページテーブル160に代えて、ページテーブル170を用いる。ページテーブル170は、エントリ番号、ページフレーム番号(PFN)、有効フラグ(V)およびデータ特性(N)の項目を含む。ページテーブル170は、データ特性の項目を有する点で、第2の実施の形態のページテーブル160と異なる。エントリ番号、ページフレーム番号および有効フラグの項目に登録される情報は、ページテーブル160の同名の項目に登録される情報と同様であるため説明を省略する。
図10は、メモリ管理の処理例を示すフローチャートである。
第3の実施の形態では、メモリ管理部112は、図7の手順におけるステップS19に代えて、ステップS22を実行する。すなわち、メモリ管理部112は、ステップS18 Yesの場合にステップS22を実行し、ステップS18 Noの場合にステップS20を実行する。また、第3の実施の形態では、メモリ管理部112は、図7の手順におけるステップS15〜S16に代えて、ステップS23を実行する。すなわち、メモリ管理部112は、ステップS14 Yesの場合にステップS18を実行し、ステップS14 Noの場合にステップS23を実行する。そこで、以下では、ステップS22,S23を説明し、他のステップの説明を省略する。ただし、メモリ管理部112は、例えば、ステップS11において、アプリケーション111から割り当てたページに対するデータ特性の情報を取得し、ページテーブル170に登録する。
スワップイン制御は、ステップS22で実行される。
(S30)メモリ管理部112は、ページテーブル170を参照して、スワップインするページのデータ特性が「通常」または「SSD優先」であるか否かを判定する。「通常」または「SSD優先」である場合、ステップS31に処理が進む。「通常」および「SSD優先」の何れでもない(すなわち、「SCM優先」である)場合、ステップS32に処理が進む。
第1スワップアウト制御は、ステップS23で実行される。
(S40)メモリ管理部112は、DRAM102のページからLRUによりスワップアウト対象ページを決定する。
第2スワップアウト制御は、ステップS34,S45で実行される。
(S50)メモリ管理部112は、SCM103のページからLRUによりスワップアウト候補ページを決定する。
(S55)メモリ管理部112は、SCM103のページからLRUによりスワップアウト対象ページを決定する。このとき、メモリ管理部112は、SCM103の各ページのデータ特性に拘わらずに、スワップアウト対象ページを決定する。このため、メモリ管理部112は、「SCM優先」でないページをスワップアウト対象ページと決定することもある。
次に、第4の実施の形態を説明する。前述の第2,第3の実施の形態と相違する事項を主に説明し、共通する事項の説明を省略する。
メモリ管理部112は、ページテーブル160に代えて、ページテーブル180を用いる。ページテーブル180は、エントリ番号、ページフレーム番号(PFN)、有効フラグ(V)およびデータ特性の項目を含む。ページテーブル180は、データ特性の項目を有する点で、第2の実施の形態のページテーブル160と異なる。エントリ番号、ページフレーム番号および有効フラグの項目に登録される情報は、ページテーブル160の同名の項目に登録される情報と同様であるため説明を省略する。
図15は、スワップイン制御テーブルの例を示す図である。
例えば、メモリ管理部112は、図7のステップS11で、アプリケーション111から、割り当て済ページに対するデータ特性の指示を受け付け、ページテーブル180に格納する。
更に、SSD104に格納されたページは、当該ページの移動またはコピーによりDRAM102にスワップインされることがある。
(付記1) 第1のメモリ、前記第1のメモリよりも低速の第2のメモリおよび前記第2のメモリよりも低速の第3のメモリにおけるデータ配置を制御するメモリ制御装置であって、
データが格納されたメモリに応じて第1の識別情報または第2の識別情報が設定されるフラグと前記データの格納先のメモリ領域における前記データが格納されたアドレスを示す情報とを前記データに対応付けて記憶する記憶部と、
前記第1のメモリまたは前記第2のメモリに前記データを格納すると前記第1の識別情報を前記フラグに設定し、前記第3のメモリに前記データを格納すると前記第2の識別情報を前記フラグに設定し、前記データにアクセスする際に、前記データに対応する前記フラグに前記第1の識別情報が設定されている場合、前記アドレスを示す情報に基づいて、前記第1のメモリおよび前記第2のメモリのうち前記データの格納先のメモリを判定し、判定された格納先のメモリにおける前記データの格納位置を特定する処理部と、
を有するメモリ制御装置。
付記1記載のメモリ制御装置。
付記1記載のメモリ制御装置。
前記処理部は、前記データ特性情報に基づいて、前記第1のメモリに格納された前記データのスワップアウト先を前記第2のメモリおよび前記第3のメモリから選択し、前記第3のメモリに格納された前記データのスワップイン先を前記第1のメモリおよび前記第2のメモリから選択する、
付記3記載のメモリ制御装置。
前記処理部は、アクセス対象の前記データの前記アクセス頻度に基づいて、前記第3のメモリから前記第1のメモリまたは前記第2のメモリへのスワップインを行うか否かを判定し、スワップインを行う場合に前記データの移動またはコピーの何れによりスワップインを行うかを選択する、
付記3記載のメモリ制御装置。
付記1乃至5の何れか1つに記載のメモリ制御装置。
前記第1のメモリまたは前記第2のメモリにデータを格納すると、前記データの格納先を示すフラグに対する第1の識別情報の設定と前記第1のメモリおよび前記第2のメモリのメモリ領域における前記データが格納された第1のアドレスを示す情報の記録とを行い、また、前記第3のメモリに前記データを格納すると、前記フラグに対する第2の識別情報の設定と前記第3のメモリのメモリ領域における前記データが格納された第2のアドレスを示す情報の記録とを行い、
前記データにアクセスする際に、前記データに対応する前記フラグに前記第1の識別情報が設定されている場合、前記第1のアドレスを示す情報に基づいて、前記第1のメモリおよび前記第2のメモリのうち前記データの格納先のメモリを判定し、判定された格納先のメモリにおける前記データの格納位置を特定する、
処理を実行させるメモリ制御プログラム。
処理を実行させる付記7記載のメモリ制御プログラム。
処理を実行させる付記7記載のメモリ制御プログラム。
処理を実行させる付記9記載のメモリ制御プログラム。
処理を実行させる付記9記載のメモリ制御プログラム。
付記7乃至11の何れか1つに記載のメモリ制御プログラム。
前記第1のメモリまたは前記第2のメモリにデータを格納すると、前記データの格納先を示すフラグに対する第1の識別情報の設定と前記第1のメモリおよび前記第2のメモリのメモリ領域における前記データが格納された第1のアドレスを示す情報の記録とを行い、また、前記第3のメモリに前記データを格納すると、前記フラグに対する第2の識別情報の設定と前記第3のメモリのメモリ領域における前記データが格納された第2のアドレスを示す情報の記録とを行い、
前記データにアクセスする際に、前記データに対応する前記フラグに前記第1の識別情報が設定されている場合、前記第1のアドレスを示す情報に基づいて、前記第1のメモリおよび前記第2のメモリのうち前記データの格納先のメモリを判定し、判定された格納先のメモリにおける前記データの格納位置を特定する、
メモリ制御方法。
付記13記載のメモリ制御方法。
付記13記載のメモリ制御方法。
付記15記載のメモリ制御方法。
付記15記載のメモリ制御方法。
付記13乃至17の何れか1つに記載のメモリ制御方法。
11 第1のメモリ
12 第2のメモリ
13 第3のメモリ
14 処理部
15 記憶部
20 テーブル
30 メモリ空間
31,32 範囲
Claims (8)
- 第1のメモリ、前記第1のメモリよりも低速の第2のメモリおよび前記第2のメモリよりも低速の第3のメモリにおけるデータ配置を制御するメモリ制御装置であって、
データが格納されたメモリに応じて第1の識別情報または第2の識別情報が設定されるフラグと前記データの格納先のメモリ領域における前記データが格納されたアドレスを示す情報とを前記データに対応付けて記憶する記憶部と、
前記第1のメモリまたは前記第2のメモリに前記データを格納すると前記第1の識別情報を前記フラグに設定し、前記第3のメモリに前記データを格納すると前記第2の識別情報を前記フラグに設定し、前記データにアクセスする際に、前記データに対応する前記フラグに前記第1の識別情報が設定されている場合、前記アドレスを示す情報に基づいて、前記第1のメモリおよび前記第2のメモリのうち前記データの格納先のメモリを判定し、判定された格納先のメモリにおける前記データの格納位置を特定する処理部と、
を有するメモリ制御装置。 - 前記処理部は、前記フラグに前記第1の識別情報が設定された前記データに対して前記第1のメモリから前記第2のメモリへの階層移動を許可し、前記第2のメモリから前記第1のメモリへの階層移動を制限する、
請求項1記載のメモリ制御装置。 - 前記処理部は、前記第2のメモリおよび前記第3のメモリを前記第1のメモリに対するスワップ領域として利用し、アクセス対象の前記データが前記第2のメモリに格納されている場合、前記第1のメモリへの前記データのスワップインを制限し、前記アドレスに基づいて前記第2のメモリに格納された前記データに直接アクセスする、
請求項1記載のメモリ制御装置。 - 前記記憶部は、前記データを優先的に格納するメモリを示すデータ特性情報を記憶し、
前記処理部は、前記データ特性情報に基づいて、前記第1のメモリに格納された前記データのスワップアウト先を前記第2のメモリおよび前記第3のメモリから選択し、前記第3のメモリに格納された前記データのスワップイン先を前記第1のメモリおよび前記第2のメモリから選択する、
請求項3記載のメモリ制御装置。 - 前記記憶部は、前記データに対するアクセス頻度を示す情報を記憶し、
前記処理部は、アクセス対象の前記データの前記アクセス頻度に基づいて、前記第3のメモリから前記第1のメモリまたは前記第2のメモリへのスワップインを行うか否かを判定し、スワップインを行う場合に前記データの移動またはコピーの何れによりスワップインを行うかを選択する、
請求項3記載のメモリ制御装置。 - 前記アドレスは、前記第1のメモリまたは前記第2のメモリに前記データが格納された場合、前記第1のメモリのメモリ領域および前記第2のメモリのメモリ領域が属するメモリ空間のアドレスである、
請求項1乃至5の何れか1項に記載のメモリ制御装置。 - 第1のメモリ、前記第1のメモリよりも低速の第2のメモリおよび前記第2のメモリよりも低速の第3のメモリにおけるデータ配置を制御するコンピュータに、
前記第1のメモリまたは前記第2のメモリにデータを格納すると、前記データの格納先を示すフラグに対する第1の識別情報の設定と前記第1のメモリおよび前記第2のメモリのメモリ領域における前記データが格納された第1のアドレスを示す情報の記録とを行い、また、前記第3のメモリに前記データを格納すると、前記フラグに対する第2の識別情報の設定と前記第3のメモリのメモリ領域における前記データが格納された第2のアドレスを示す情報の記録とを行い、
前記データにアクセスする際に、前記データに対応する前記フラグに前記第1の識別情報が設定されている場合、前記第1のアドレスを示す情報に基づいて、前記第1のメモリおよび前記第2のメモリのうち前記データの格納先のメモリを判定し、判定された格納先のメモリにおける前記データの格納位置を特定する、
処理を実行させるメモリ制御プログラム。 - 第1のメモリ、前記第1のメモリよりも低速の第2のメモリおよび前記第2のメモリよりも低速の第3のメモリにおけるデータ配置を制御するコンピュータが、
前記第1のメモリまたは前記第2のメモリにデータを格納すると、前記データの格納先を示すフラグに対する第1の識別情報の設定と前記第1のメモリおよび前記第2のメモリのメモリ領域における前記データが格納された第1のアドレスを示す情報の記録とを行い、また、前記第3のメモリに前記データを格納すると、前記フラグに対する第2の識別情報の設定と前記第3のメモリのメモリ領域における前記データが格納された第2のアドレスを示す情報の記録とを行い、
前記データにアクセスする際に、前記データに対応する前記フラグに前記第1の識別情報が設定されている場合、前記第1のアドレスを示す情報に基づいて、前記第1のメモリおよび前記第2のメモリのうち前記データの格納先のメモリを判定し、判定された格納先のメモリにおける前記データの格納位置を特定する、
メモリ制御方法。
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