JP2019197123A - 電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】見切りを構成する遮光層での光の反射率を高めた電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００の第２基板２０には、表示領域１０ａの周りに見切り用の第１遮光層２７ａが設けられている。第１遮光層２７ａは、反射性の金属層２７０を有するとともに、第１誘電体層２７６と第２誘電体層２７７とが積層された増反射層２７５が金属層２７０に重なるように設けられている。このため、第１遮光層２７ａは、金属層２７０単独の場合より反射率が高い。また、第２基板２０には、第１基板１０の画素電極９ａの間に平面視で重なる第２遮光層２７ｂは、第１遮光層２７ａと同層に形成されている。第２基板２０にはレンズ２４が形成されているが、レンズ２４および第１遮光層２７ａはいずれも、第２基板２０の一方面２０ｓ側に設けられている。【選択図】図６

Description

本発明は、表示領域を囲む遮光層が設けられた電気光学装置、および電子機器に関するものである。

投射型表示装置のライトバルブ等として用いられる電気光学装置（液晶装置）では、第１基板および第２基板のうちの一方側から入射した光を電気光学層で変調して画像を表示する。かかる電気光学装置では、画像の周りで余計な光が視認されると画像の品位が低下することから、第２基板には表示領域に遮光性の見切りが設けられている。また、第１基板に設けた画素トランジスターに光が入射すると、光電流に起因してトランジスター特性が劣化することから、第２基板において画素トランジスターに平面視で重なる遮光層を設けた構成が提案されている。

しかしながら、画素トランジスターに平面視で重なる遮光層がクロム等の光吸収性材料からなる場合、遮光層での光吸収によって、電気光学装置の温度が上昇してしまう。また、画素トランジスターに平面視で重なる遮光層をアルミニウム等の光反射性金属からなる場合でも、反射率が十分でないため、電気光学装置の温度が上昇してしまう。そこで、遮光層においてアルミニウム等の光反射性の金属層に対して誘電体多層膜を積層し、遮光層の反射率を高めた構成が提案されている（特許文献１参照）。

特開２００４−７８２０４号公報

しかしながら、特許文献１には、見切りでの光の吸収を抑制する必要性については一切記載されておらず、電気光学装置の温度上昇を十分に抑制できないという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、見切りを構成する遮光層での光の反射率を高めた電気光学装置、および電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明を適用した電気光学装置の一態様は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、表示領域を囲むように前記第２基板の一方面側に設けられた第１遮光層と、を有し、前記第１遮光層は、反射性の金属層と、前記金属層に重なるように設けられ、第１誘電体層と前記第１誘電体層より屈折率が大きい第２誘電体層とが積層された増反射層と、を有することを特徴とする。

本発明において、第２基板には、表示領域の周りに見切り用の第１遮光層が設けられているため、画像の周りで余計な光が視認されることを抑制することができる。また、第１遮光層は、金属層を有するとともに、第１誘電体層と第２誘電体層とが積層された増反射層が金属層に重なるように設けられているため、第１遮光層は、金属層単独の場合より反射率が高い。従って、第１遮光層が光源からの光を吸収することに起因する電気光学装置の温度上昇を抑制することができる。

本発明において、前記金属層の縁、前記第１誘電体層の縁、および前記第２誘電体層の縁が平面視で重なっている態様を採用することができる。かかる態様によれば、金属層、第１誘電体層、および第２誘電体層を、エッチングマスクを変えずに、連続的にパターニングすることができる。

本発明において、前記第２基板の一方面側には複数のレンズが設けられ、前記第１遮光層は、前記第２基板の一方面側に設けられ、前記複数のレンズは各々、前記第２基板の一方面側に設けられた複数の凹曲面と、前記複数の凹曲面の内部を埋めるように設けられ、前記第２基板より屈折率が大きいレンズ層とによって構成されている態様を採用することができる。かかる態様によれば、レンズおよび第１遮光層の形成を第２基板の一方面側に対してのみ行えばよいので、第１遮光層およびレンズを第２基板の異なる面に設ける場合に比べて、生産性が高いという利点がある。

本発明において、前記第１誘電体層および前記第２誘電体層は、前記レンズ層と前記金属層との間に積層されている態様を採用することができる。この場合、前記レンズ層は、酸窒化シリコンであり、前記第１誘電体層は、酸化シリコンであり、前記第２誘電体層は、窒化シリコンである態様を採用することができる。かかる態様によれば、ＣＶＤ法等を利用した成膜工程において、反応室に供給するガスの一部を切り換えることにより、酸窒化シリコンからなるレンズ層、酸化シリコンからなる第１誘電体層、および窒化シリコンからなる第２誘電体層を順に成膜することができるので、生産性が高いという利点がある。

本発明において、前記第１基板の一方面側に設けられた複数の画素電極と、前記第２基板の一方面側に設けられ、前記複数の画素電極の各間に平面視で重なる第２遮光層と、を有し、前記第２遮光層は、前記第１遮光層の前記金属層と同層の金属層と、前記第１遮光層の前記増反射層と同層の増反射層とを有する態様を採用することができる。

本発明を適用した電気光学装置は、投射型表示装置や直視型表示装置等の各種電子機器に用いることができる。電子機器のうち、投射型表示装置に電気光学装置を用いる場合、投射型表示装置には、電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。また、電子機器が、波長域が異なる複数の色光の各々に対応する複数の前記電気光学装置と、前記複数の前記電気光学装置の各々から出射された前記複数の色光を合成する色合成光学系と、を有する場合、前記複数の電気光学装置のうち、前記波長域が長波長域の色光に対応する電気光学装置は、前記波長域が短波長域の色光に対応する電気光学装置より、前記誘電体層の厚さが厚いことが好ましい。かかる態様によれば、複数の電気光学装置の各々において、入射する色光を第１遮光層によって適正に反射することができる。

本発明の実施形態１に係る電気光学装置の平面図。 図１に示す電気光学装置の断面図。 図２に示すレンズ等の断面構成を模式的に示す説明図。 図３に示す複数のレンズの平面的な位置関係を示す説明図。 図３に示す電気光学装置の製造方法を示す工程断面図。 本発明の実施形態２に係る電気光学装置の説明図。 図６に示す複数のレンズの平面的な位置関係を示す説明図。 本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明においては、第１基板に形成された第１電極が画素電極であり、第２基板に形成された第２電極が共通電極である場合を中心に説明する。

［実施形態１］
（電気光学装置の構成）
図１は、本発明の実施形態１に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００の断面図である。図１および図２に示すように、電気光学装置１００では、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、第１基板１０と第２基板２０とが対向している。シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１０と第２基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層８０が配置されている。従って、電気光学装置１００は液晶装置として構成されている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられている。

第１基板１０の第２基板２０側の面（一方面１０ｓ）側には、表示領域１０ａの外側の周辺領域１０ｂに、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

第１基板１０の一方面１０ｓにおいて、表示領域１０ａには、第１電極としての複数の画素電極９ａ、および複数の画素電極９ａの各々に電気的に接続する画素トランジスター（図示せず）がマトリクス状に形成されている。画素電極９ａに対して第２基板２０側には第１配向膜１６が形成されており、画素電極９ａは、第１配向膜１６によって覆われている。

第２基板２０において第１基板１０と対向する面（一方面２０ｓ）側には、第２電極としての共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して第１基板１０側には第２配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されており、第２配向膜２６によって覆われている。

第２基板２０一方面２０ｓ側において、共通電極２１に対して第１基板１０とは反対側には遮光層２７が形成されている。遮光層２７は、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在して表示領域１０ａの周りを囲む見切り用の第１遮光層２７ａとして形成されている。また、遮光層２７は、後述するように、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域に第２遮光層として形成されることもある。

本実施形態において、第１基板１０の表示領域１０ａを囲む周辺領域１０ｂのうち、第１遮光層２７ａと平面視で重なる領域には、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。

第１配向膜１６および第２配向膜２６は、ＳｉＯ_ｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、電気光学層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第１基板１０および第２基板２０に対して所定の角度を成している。このようにして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置として構成されている。

第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加されている。

本実施形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本実施形態では、図２に矢印Ｌで示すように、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調され、画像を表示する。

なお、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の電気光学装置１００では、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。

（第２基板２０側のレンズ２４の構成）
図３は、図２に示すレンズ２４等の断面構成を模式的に示す説明図である。図４は、図３に示す複数のレンズ２４の平面的な位置関係を示す説明図である。

図３に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓ側には、データ線や走査線等の遮光層１７、画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０と第１基板１０との間の遮光層８が形成されており、遮光層８、１７、および画素トランジスター３０は光を透過しない。このため、第１基板１０では、画素電極９ａと平面視で重なる領域のうち、遮光層８、１７や画素トランジスター３０と平面視で重なる領域や、隣り合う画素電極９ａに挟まれた領域と平面視で重なる領域は、光を透過しない遮光領域１５ｂになっている。これに対して、画素電極９ａと平面視で重なる領域のうち、遮光層８、１７や画素トランジスター３０と平面視で重ならない領域は光を透過する開口領域１５ａ（透光領域）になっている。従って、開口領域１５ａを透過した光のみが画像の表示に寄与し、遮光領域１５ｂに向かう光は、画像の表示に寄与しない。

そこで、本実施形態では、図２および図３に示すように、第２基板２０は、複数の画素電極９ａの各々に対して平面視（第２基板２０に対して垂直な方向からみた状態）で１対１の関係をもって重なる複数のレンズ２４が形成されたレンズアレイ基板として構成されており、レンズ２４は、第１基板１０の開口領域１５ａに光を導く役割を果たしている。

レンズ２４は、図４に示すように、隣り合うレンズ２４の少なくとも一部が接するように配列されている。本実施形態において、レンズ２４は、全周にわたって、隣りのレンズ２４と接している。

図３に示すように、レンズ２４を構成するにあたって、第２基板２０の一方面２０ｓには、複数の画素電極９ａの各々と一対一で重なる位置に凹曲面２０１が形成されている。また、第２基板２０には、複数の凹曲面２０１の各々の内部を埋めるレンズ層２８が設けられており、レンズ層２８の第２基板２０とは反対側の面２８０は平面になっている。レンズ層２８の第２基板２０とは反対側の面２８０には、透光層２９が形成されており、透光層２９の第２基板２０とは反対側の面２９０に共通電極２１が形成されている。

レンズ層２８は、第２基板２０と屈折率が相違している。このため、凹曲面２０１によって、レンズ２４のレンズ面２４０が構成されている。本実施形態において、レンズ層２８は、第２基板２０より屈折率が大きい。このため、レンズ２４は、正のパワーを有している。本実施形態において、第２基板２０はガラス基板や石英基板（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝１．４８）からなり、レンズ層２８は酸窒化シリコン（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝１．５８〜１．６８）からなる。透光層２９は酸化シリコン（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝１．４８）からなる。

（第１遮光層２７ａの詳細構成）
図３に示すように、見切り用の第１遮光層２７ａは、反射性の金属層２７０と、金属層２７０に重なるように設けられた増反射層２７５とを有しており、増反射層２７５は、第１誘電体層２７６と第１誘電体層２７６より屈折率が大きい第２誘電体層２７７とが積層された誘電体多層膜である。

反射性の金属層２７０は、アルミニウムや銀を主成分とする金属層である。本実施形態において、金属層２７０は、アルミニウムを主成分とする。

第１誘電体層２７６（低屈折率層）としては、酸化シリコン、フッ化マグネシウム（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝１．３８〜１．４８）が挙げられる。第２誘電体層２７７（高屈折率層）としては、窒化シリコン（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝２．０２）、酸化チタン（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝２．３０〜２．５５）、酸化タンタル（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝２．１）等が挙げられる。

本実施形態において、第１誘電体層２７６は酸化シリコンであり、第２誘電体層２７７は窒化シリコンである。第１誘電体層２７６および第２誘電体層２７７の層数の和は２以上である。また、金属層２７０の縁、第１誘電体層２７６の縁、および第２誘電体層２７７の縁は、平面視で重なっている。

（電気光学装置１００の製造方法）
図５は、図３に示す電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図であり、第２基板２０にレンズ２４および第１遮光層２７ａを形成する様子を模式的に示してある。なお、第２基板２０を製造するには、単品サイズの第２基板２０より大型のマザー基板を用いるが、以下の説明では、単品サイズの第２基板２０およびマザー基板を区別せずに第２基板２０として説明する。

まず、図５に示す第１工程ＳＴ１では、第２基板２０の一方面２０ｓにエッチングマスク６１を形成する。エッチングマスク６１では、図３に示すレンズ２４を形成すべき領域が開口部６１０になっている。次に、第２工程ＳＴ２では、エッチングマスク６１の開口部６１０から第２基板２０の一方面２０ｓをエッチングし、凹曲面２０１を形成した後、エッチングマスク６１を除去する。かかる第２工程ＳＴ２では、ウエットエッチングおよびドライエッチングのいずれを利用してもよい。本実施形態では、第２工程ＳＴ２において、ふっ酸を含むエッチング液を用いてウエットエッチングを行う。かかるウエットエッチングによれば、第２基板２０の一方面２０ｓが開口部６１０から等方的にエッチングされるため、球面状の凹曲面２０１が形成される。

次に、第３工程ＳＴ３では、第２基板２０とは反対側から凹曲面２０１の内部を埋めるようにレンズ層２８を形成する。本実施形態において、レンズ層２８は、プラズマＣＶＤ等により形成された酸窒化シリコンからなる。

次に、第４工程ＳＴ４では、レンズ層２８を第２基板２０とは反対側から平坦化し、レンズ層２８の第２基板２０とは反対側の面２８０を連続した平面とする。平坦化処理として、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等を利用する。

次に、第５工程ＳＴ５では、レンズ層２８の面２８０に、窒化シリコンからなる第２誘電体層２７７、酸化シリコンからなる第１誘電体層２７６、および金属層２７０を積層する。その際、第１誘電体層２７６および第２誘電体層２７７の層数の和は２以上であり、第１誘電体層２７６および第２誘電体層２７７からなる誘電体多層膜の上層に金属層２７０を積層する。

次に、金属層２７０の表面にエッチングマスク６２を形成した後、第６工程ＳＴ６では、エッチングマスク６２の開口部６２０から金属層２７０、第１誘電体層２７６、および第２誘電体層２７７を連続的にエッチングし、その後、エッチングマスク６２を除去する。その結果、図３を参照して説明した第１遮光層２７ａが形成される。かかる第１遮光層２７ａにおいて、金属層２７０の縁、第１誘電体層２７６の縁、および第２誘電体層２７７の縁は、平面視で重なっている。すなわち、第１遮光層２７ａを形成する際、エッチングマスク６２を変えずに、金属層２７０、第１誘電体層２７６、および第２誘電体層２７７を連続的にパターニングすることができる。

しかる後には、図３を参照して説明したように、透光層２９、共通電極２１および第２配向膜２６を形成した後、電気光学装置１００を組み立てる。

（本実施形態の主な効果）
以上説明したように、本実施形態の電気光学装置１００において、第２基板２０には、表示領域１０ａの周りに見切り用の第１遮光層２７ａが設けられているため、画像の周りで余計な光が視認されることを抑制することができる。また、第１遮光層２７ａは、反射性の金属層２７０を有するとともに、第１誘電体層２７６と第２誘電体層２７７とが積層された増反射層２７５が金属層２７０に重なるように設けられている。このため、第１遮光層２７ａは、金属層２７０単独の場合より反射率が高い。従って、電気光学装置１００を用いて画像を形成した際、光源からの光が第２基板２０から入射して表示領域１０ａの周りに向けて進行した場合でも、図３に矢印Ｌ１で示すように、第１遮光層２７ａに入射した光の略全体が第１遮光層２７ａによって効率よく反射され、第１遮光層２７ａでは、ほとんど吸収されない。従って、第１遮光層２７ａでの光の吸収に起因する電気光学装置１００の温度上昇を抑制することができる。それ故、電気光学層８０の熱的な劣化等を抑制することができるので、電気光学装置１００の信頼性を向上することができる。

また、本実施形態において、第１遮光層２７ａは、第２基板２０の一方面２０ｓ側に設けられ、複数のレンズ２４は各々、第２基板２０の一方面２０ｓ側に設けられた複数の凹曲面２０１と、複数の凹曲面２０１の内部を埋めるように設けられたレンズ層２８とによって構成されている。従って、レンズ２４および第１遮光層２７ａの形成を第２基板２０の一方面２０ｓ側に対してのみ行えばよいので、第１遮光層２７ａおよびレンズ２４を第２基板２０の異なる面に設ける場合に比べて、生産性が高いという利点がある。

また、第１誘電体層２７６および第２誘電体層２７７は、レンズ層２８と金属層２７０との間に積層されている。しかも、レンズ層２８は酸窒化シリコンであり、第１誘電体層２７６は酸化シリコンであり、第２誘電体層２７７は窒化シリコンである。このため、図５に示す第５工程ＳＴ５において、ＣＶＤ法等を利用して成膜する際、反応室に供給するガスの一部を切り換えることにより、酸窒化シリコンからなるレンズ層２８、酸化シリコンからなる第１誘電体層２７６、および窒化シリコンからなる第２誘電体層２７７を順に成膜することができるので、生産性が高いという利点がある。

［実施形態２］
図６は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００の説明図であり、電気光学装置１００の断面構成を模式的に示す説明図である。図７は、図６に示す複数のレンズ２４の平面的な位置関係を示す説明図である。なお、本実施形態の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。

図６に示すように、本実施形態の電気光学装置１００でも、実施形態１と同様、第２基板２０は、複数の画素電極９ａの各々に対して平面視（第２基板２０に対して垂直な方向からみた状態）で１対１の関係をもって重なる複数のレンズ２４が形成されたレンズアレイ基板として構成されている。第２基板２０の一方面２０ｓ側には、遮光層２７として、表示領域１０ａの周りに見切り用の第１遮光層２７ａが設けられている。実施形態１で説明したように、第１遮光層２７ａは、反射性の金属層２７０と、金属層２７０に重なるように設けられた増反射層２７５とを有しており、増反射層２７５は、第１誘電体層２７６と第１誘電体層２７６より屈折率が大きい第２誘電体層２７７とが積層された誘電体多層膜である。

本実施形態では、第２基板２０の一方面２０ｓ側には、遮光層２７として、複数の画素電極９ａの各間に平面視で重なる第２遮光層２７ｂが設けられている。より具体的には、図７に示すように、第２遮光層２７ｂは、４つのレンズ２４によって囲まれた領域に形成されており、図６に示す画素トランジスター３０と平面視で重なっている。

第２遮光層２７ｂは、図５に示す第５工程ＳＴ５および第６工程ＳＴ６において、第１遮光層２７ａを形成する際に同時形成した層である。従って、図６に示すように、第２遮光層２７ｂは、第１遮光層２７ａの金属層２７０と同層の金属層２７０と、第１遮光層２７ａの増反射層２７５と同層の増反射層２７５とを有している。第２遮光層２７ｂの増反射層２７５は、第１遮光層２７ａの第１誘電体層２７６と同層の第１誘電体層２７６と、第１遮光層２７ａの第２誘電体層２７７と同層の第２誘電体層２７７とを有している。

このように構成した電気光学装置１００では、光源からの光が第２基板２０から入射して表示領域１０ａの周りに向けて進行した場合でも、図６に矢印Ｌ１で示すように、第１遮光層２７ａに入射した光の略全体が第１遮光層２７ａによって効率よく反射され、第１遮光層２７ａでは、ほとんど吸収されない。また、図６に矢印Ｌ２で示すように、第２遮光層２７ｂに入射した光の略全体が第２遮光層２７ｂによって効率よく反射され、第２遮光層２７ｂでは、ほとんど吸収されない。従って、第１遮光層２７ａおよび第２遮光層２７ｂでの光の吸収に起因する電気光学装置１００の温度上昇を抑制することができる。それ故、電気光学層８０の熱的な劣化等を抑制することができるので、電気光学装置１００の信頼性を向上することができる。

また、第１遮光層２７ａと第２遮光層２７ｂとは同層に設けられているため、第１遮光層２７ａおよび第２遮光層２７ｂの双方を設ける場合でも、工程数が増えることはない。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、第２基板２０の側から光源からの光が入射する電気光学装置１００に本発明を適用した場合を例示したが、第１基板１０の側から光源からの光が入射する電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。この場合、第１遮光層２７ａおよび第２遮光層２７ｂでは、金属層２７０に対して第１基板１０側に増反射層２７５を形成する。

上記実施の形態では、透過型の電気光学装置１００に本発明を適用した場合を例示したが、反射型の電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図８は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。図８には、偏光板等の光学素子の図示を省略してある。図８に示す投射型表示装置２１００において、実施形態１、２に係る電気光学装置１００がライトバルブとして用いられている。投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によって赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂの３原色の色光に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、青色光Ｂは、赤色光Ｒおよび緑色光と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。

ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２（色合成光学系）に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、赤色光Ｒおよび青色光Ｂは９０度に反射し、緑色光Ｇは透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。

このように構成した投射型表示装置２１００において、複数の電気光学装置１００（ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）のうち、波長域が長波長域の色光に対応する電気光学装置１００は、波長域短波長域の色光に対応する電気光学装置１００より、図３等を参照して説明した第１誘電体層２７６および第２誘電体層２７７の厚さが厚い。すなわち、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂは、波長域が以下の関係にある。
赤色光Ｒ＞緑色光Ｇ＞青色光Ｂ

従って、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの各々に用いた電気光学装置１００の第１誘電体層２７６および第２誘電体層２７７の厚さは以下の関係にある。
ライトバルブ１００Ｒ＞ライトバルブ１００Ｇ＞ライトバルブ１００Ｂ

それ故、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの各々に用いた電気光学装置１００において、第１遮光層２７ａおよび第２遮光層２７ｂは、入射した色光を効率よく反射することができる。

（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。本発明を適用した電気光学装置１００は、例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。

９ａ…画素電極、１０…第１基板、１０ａ…表示領域、１０ｂ…周辺領域、２０…第２基板、２１…共通電極、２４…レンズ、２７ａ…第１遮光層、２７ｂ…第２遮光層、２８…レンズ層、２９…透光層、３０…画素トランジスター、８０…電気光学層、１００…電気光学装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、２０１…凹曲面、２４０…レンズ面、２７０…金属層、２７５…増反射層、２７６…第１誘電体層、２７７…第２誘電体層、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１０８…ダイクロイックミラー、２１１２…ダイクロイックプリズム（色合成光学系）、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）。

Claims (8)

1. 第１基板と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、
   表示領域を囲むように前記第２基板の一方面側に設けられた第１遮光層と、
   を有し、
   前記第１遮光層は、反射性の金属層と、前記金属層に重なるように設けられ、第１誘電体層と前記第１誘電体層より屈折率が大きい第２誘電体層とが積層された増反射層と、を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、
   前記金属層の縁、前記第１誘電体層の縁、および前記第２誘電体層の縁が平面視で重なっていることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１または２に記載の電気光学装置において、
   前記第２基板の一方面側には複数のレンズが設けられ、
   前記第１遮光層は、前記第２基板の一方面側に設けられ、
   前記複数のレンズは各々、前記第２基板の一方面側に設けられた複数の凹曲面と、前記複数の凹曲面の内部を埋めるように設けられ、前記第２基板より屈折率が大きいレンズ層とによって構成されていることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項３に記載の電気光学装置において、
   前記第１誘電体層および前記第２誘電体層は、前記レンズ層と前記金属層との間に積層されていることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項４に記載の電気光学装置において、
   前記レンズ層は、酸窒化シリコンであり、
   前記第１誘電体層は、酸化シリコンであり、
   前記第２誘電体層は、窒化シリコンであることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１から５までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
   前記第１基板の一方面側に設けられた複数の画素電極と、
   前記第２基板の一方面側に設けられ、前記複数の画素電極の各間に平面視で重なる第２遮光層と、
   を有し、
   前記第２遮光層は、前記第１遮光層の前記金属層と同層の金属層と、前記第１遮光層の前記増反射層と同層の増反射層とを有することを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１から６までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とすることを特徴とする電子機器。
8. 請求項７に記載の電子機器において、
   波長域が異なる複数の色光の各々に対応する複数の前記電気光学装置と、前記複数の前記電気光学装置の各々から出射された前記複数の色光を合成する色合成光学系と、を有し、
   前記複数の電気光学装置のうち、前記波長域が長波長域の色光に対応する電気光学装置は、前記波長域が短波長域の色光に対応する電気光学装置より、前記誘電体層の厚さが厚いことを特徴とする電子機器。