JP2019186390A - 半導体装置および電力変換装置 - Google Patents
半導体装置および電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019186390A JP2019186390A JP2018075803A JP2018075803A JP2019186390A JP 2019186390 A JP2019186390 A JP 2019186390A JP 2018075803 A JP2018075803 A JP 2018075803A JP 2018075803 A JP2018075803 A JP 2018075803A JP 2019186390 A JP2019186390 A JP 2019186390A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- metal plate
- metal
- semiconductor element
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
【課題】温度上昇時に半導体素子に生じる応力を低減可能な半導体装置を提供する。【解決手段】金属板101の上面101aに金属接合される接合部を有する下面102b、およびこの下面102bに対向し、接合部を有する上面102aを備えた半導体素子102と、上面101aに金属接合される接合部を有する下面103b、および下面103bに対向し、接合部を有する上面103aを備えた絶縁基板103と、半導体素子102の上面102aの接合部と絶縁基板103の上面103aの接合部とに接合された金属部材104と、を備え、半導体素子102は、下面102bが金属板101の上面101aに対して絶縁されている半導体装置とした。【選択図】図1A
Description
本開示は、半導体装置および電力変換装置に関する。
半導体素子を用いた半導体装置や電力変換装置において、動作中に発する半導体の熱を放熱する機能が必要である。
そこで、従来、半導体素子の上下の主面から放熱経路を形成するようにした半導体装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
この従来技術では、半導体素子の下面に接合される第1の導電性部材および半導体素子の上面に接合される第2の導電性部材を、それぞれ、第1の導電性部材の下面に接合されたヒートシンクに絶縁材を介して接合させた構造としている。これにより、半導体下面から第1の導電性部材を介してヒートシンクに至る第1の放熱経路と並行して、半導体上面から第2の導電性部材をヒートシンクに至る第2の放熱経路を形成し、放熱性を高めている。
そこで、従来、半導体素子の上下の主面から放熱経路を形成するようにした半導体装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
この従来技術では、半導体素子の下面に接合される第1の導電性部材および半導体素子の上面に接合される第2の導電性部材を、それぞれ、第1の導電性部材の下面に接合されたヒートシンクに絶縁材を介して接合させた構造としている。これにより、半導体下面から第1の導電性部材を介してヒートシンクに至る第1の放熱経路と並行して、半導体上面から第2の導電性部材をヒートシンクに至る第2の放熱経路を形成し、放熱性を高めている。
上記の従来技術では、半導体素子の下面はその直下に線膨張係数の小さな絶縁基板が接続されている一方、半導体素子の上面は線膨張係数の小さな絶縁基板を有しないことから、半導体素子の上面と下面とで、熱膨張率が異なる。
このため、半導体素子の駆動時の発熱の際に、半導体素子の上面と下面とで熱膨張率の違いによる応力が生じ、これを原因として半導体装置に反りが生じるおそれがある。そして、半導体装置に、このような反りが生じた場合、半導体素子とその接合物との接合密着性の悪化や、接合部分にクラックなどが生じ、半導体装置の信頼性の低下を招くおそれがある。
このため、半導体素子の駆動時の発熱の際に、半導体素子の上面と下面とで熱膨張率の違いによる応力が生じ、これを原因として半導体装置に反りが生じるおそれがある。そして、半導体装置に、このような反りが生じた場合、半導体素子とその接合物との接合密着性の悪化や、接合部分にクラックなどが生じ、半導体装置の信頼性の低下を招くおそれがある。
本開示は、上記問題に着目して成されたもので、駆動時に半導体素子に生じる応力を低減可能な半導体装置および電力変換装置の提供を目的とする。
本開示の半導体装置は、
金属板主面に、半導体素子の素子第1面の接合部と絶縁基板の基板第1面の接合部とが金属接合され、半導体素子の素子第2面の接合部と絶縁基板の基板第2面の接合部とに、金属部材が接合されている。
前記半導体素子は、前記素子第1面が前記金属板主面に対して絶縁されている。
また、本開示の電力変換装置は、前記金属板を共用する複数の本開示の半導体素子を複数備える。
金属板主面に、半導体素子の素子第1面の接合部と絶縁基板の基板第1面の接合部とが金属接合され、半導体素子の素子第2面の接合部と絶縁基板の基板第2面の接合部とに、金属部材が接合されている。
前記半導体素子は、前記素子第1面が前記金属板主面に対して絶縁されている。
また、本開示の電力変換装置は、前記金属板を共用する複数の本開示の半導体素子を複数備える。
本開示の半導体装置および電力変換装置は、半導体素子の作動時に生じる応力を低減可能となる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
(実施の形態1)
図1A、図1Bに基づいて、実施の形態1の半導体装置100の構造について説明する。なお、図1Aは実施の形態1の半導体装置100を示す断面図であり、図1Bは実施の形態1の半導体装置100を示す平面図である。
(実施の形態1)
図1A、図1Bに基づいて、実施の形態1の半導体装置100の構造について説明する。なお、図1Aは実施の形態1の半導体装置100を示す断面図であり、図1Bは実施の形態1の半導体装置100を示す平面図である。
図1A,図1Bに示すように、半導体装置100は、金属板101と半導体素子102と絶縁基板103と金属部材104とを備える。なお、この半導体装置100は、例えば、インバータのパワーモジュールなどとして用いることができる。
金属板101は、導電性および熱伝導性を有した金属(例えば、銅、アルミニウム、その他合金)により形成され、主面としての上面101aおよび反対主面としての下面101bを備える。そして、上面101aおよび下面101bが、図1Bに示すように、図中の左右方向(矢印Y方向)を長辺とする長方形を成し、金属板101は、略直方体形状に形成されている。なお、上面101aおよび下面101bの短辺に沿う方向を矢印Xにより示す。また、半導体装置100において矢印Z方向を上方とする。
半導体素子102は、Si(ケイ素)、SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)などから形成され、図1A、図1Bに示すように、素子第2面としての上面102aおよび素子第1面としての下面102bが、平面視で四角形状に形成されている。そして、半導体素子102は、上下方向の寸法(厚さ)が、上面102a、下面102bの長辺および短辺よりも小さな板状に形成されている。
そして、半導体素子102は、平面の四角形の対向する2辺が、金属板101の長辺に沿う方向(矢印Y方向)に向けられて配置され、かつ、金属板101の短辺に沿う方向の略中央であって、長辺に沿う方向で図において左側に寄って配置されている。さらに、半導体素子102の下面102bの接合部(不図示)が、金属板101の上面101aに金属接合されており、かつ、下面102bは、金属板101の上面101aに対して絶縁機能を有する。
絶縁基板103は、SiN(窒化珪素)、AIN(窒化アルミニウム)などの絶縁材料を用いて形成されている。そして、絶縁基板103は、基板第2面としての上面103aおよび基板第1面としての下面103bが、平面視で四角形に形成され、上下方向の寸法(厚さ)が、上面103a、下面103bの長辺および短辺よりも小さな板状に形成されている。
また、絶縁基板103は、半導体素子102と同様に、対向する2辺を金属板101の長辺に沿う方向(矢印Y方向)に沿わせて配置され、かつ、金属板101の短辺に沿う方向の略中央であって、長辺に沿う方向で図において右側に寄って配置されている。そして、絶縁基板103は、半導体素子102に対して、矢印Y方向に間隔Lの空間部105を介して配置されている。さらに、絶縁基板103は、上面103aおよび下面103bには、銅、アルミニウムなどの導電性金属製の回路を形成する金属部(不図示)および金属部を絶縁する絶縁部を備える。また、絶縁基板103は、下面103bの接合部(不図示)が、金属板101の上面101aに、圧接やはんだ付けなどの金属接合を用いて接合されている。
なお、金属板101の上面101aには、半導体素子102との接合面と絶縁基板103との接合面に、段差(不図示)を備える場合がある。
なお、金属板101の上面101aには、半導体素子102との接合面と絶縁基板103との接合面に、段差(不図示)を備える場合がある。
金属部材104は、金属板101と同様に導電性および熱伝導性を有するもので、上面104aおよび主面としての下面104bが略長方形を成す板状に形成されている。また、金属部材104は、空間部105を跨いで半導体素子102の上面102aと、絶縁基板103の上面103aとの一部を覆って両者の間に架け渡されている。
そして、金属部材104は、下面104bが、半導体素子102の上面102aの接合部(不図示)と、絶縁基板103の上面103aの接合部(不図示)と、それぞれ、圧接やはんだ付けなどの金属接合により接合されている。これにより、半導体素子102の上面102aに設けられた電極などの接合部(不図示)が金属部材104を介して絶縁基板103の上面103aの回路と接続される。
また、半導体素子102の上面102aと、絶縁基板103の上面103aとの高さが異なる場合は、金属部材104の下面104bには、両面102a,103aの高さの差に応じた段差(不図示)を形成する。
(実施の形態1の作用)
<半導体素子の放熱性能>
駆動時に半導体素子102に生じた熱は、その下面102bから直接金属板101に伝わる第1の放熱経路に加え、金属部材104および絶縁基板103を介して金属板101に至る第2の放熱経路を有する。
<半導体素子の放熱性能>
駆動時に半導体素子102に生じた熱は、その下面102bから直接金属板101に伝わる第1の放熱経路に加え、金属部材104および絶縁基板103を介して金属板101に至る第2の放熱経路を有する。
したがって、半導体素子102の下面102bから金属板101に伝達する第1の放熱経路のみを有するものと比較して、放熱性に優れる。
加えて、第1の放熱経路では、半導体素子102と金属板101とで金属接合されている。さらに、第2の放熱経路では、半導体素子102と金属部材104とが、金属部材104と絶縁基板103の上面103aとが、絶縁基板103の下面103bと金属板101の上面101aとが、それぞれ金属接合されている。よって、熱伝導性に優れ、放熱性能に優れる。
加えて、第1の放熱経路では、半導体素子102と金属板101とで金属接合されている。さらに、第2の放熱経路では、半導体素子102と金属部材104とが、金属部材104と絶縁基板103の上面103aとが、絶縁基板103の下面103bと金属板101の上面101aとが、それぞれ金属接合されている。よって、熱伝導性に優れ、放熱性能に優れる。
<発生応力および反りの抑制性能>
半導体素子102は、金属板101と金属部材104とに上下を挟まれ、下面102bが金属板101の上面101aに対して絶縁機能を有して接合されており、下面102bは、全面が同一素材に接合されている。そして、半導体素子102の下面102bで、その下方に配置された基板と接合する場合は、下面102bと、基板の配線とを接合させた構造となる。この場合、半導体素子102の下面102bは、配線を構成する導電性材料と絶縁材料との異種素材に接合することになる。これに対して、本実施の形態1では、半導体素子102の下面102bは、均一素材の金属板101に、絶縁状態で接合されている。
さらに、半導体素子102の上面102aも、金属部材104に接合されており、下面102bと同一素材であって均一素材に接合されている。
半導体素子102は、金属板101と金属部材104とに上下を挟まれ、下面102bが金属板101の上面101aに対して絶縁機能を有して接合されており、下面102bは、全面が同一素材に接合されている。そして、半導体素子102の下面102bで、その下方に配置された基板と接合する場合は、下面102bと、基板の配線とを接合させた構造となる。この場合、半導体素子102の下面102bは、配線を構成する導電性材料と絶縁材料との異種素材に接合することになる。これに対して、本実施の形態1では、半導体素子102の下面102bは、均一素材の金属板101に、絶縁状態で接合されている。
さらに、半導体素子102の上面102aも、金属部材104に接合されており、下面102bと同一素材であって均一素材に接合されている。
このように、半導体素子102は、上面102aと下面102bの接合相手(金属板1および金属部材104)が同一素材であるため、導電性材料と絶縁材料との異種素材に接合する場合と比較して、熱膨張率の均等化を図ることができる。
これにより、半導体素子102の上面102aと下面102bとで、異なる素材に接合した場合と比較して、駆動時の発熱の際に半導体素子102の上面102aおよび下面102bに生じる応力を、抑えることができる。
また、絶縁基板103は、金属板101と金属部材104とに上下を挟まれ、その上面103aと下面103bとが配線に接続するための接合部を備えることで、上面103a、下面103bの接合相手の素材の均等化を図ることができる。したがって、絶縁基板103の上面103a、下面103bのいずれか一方のみに接合部を備えるものと比較して、駆動時に発熱した際に絶縁基板103の上面103aおよび下面103bに生じる応力を抑えることができる。
このように、駆動時に発熱した際に、半導体素子102および絶縁基板103に生じる応力を低減でき、半導体装置100に生じる反りを低減し、各接合面にクラックなどが生じるのを抑え、半導体装置100における信頼性や耐久性を向上できる。
加えて、上述の放熱性について説明したように、半導体素子102は、上面102aと下面102bの両面の第1の放熱経路および第2の放熱経路が、共通する金属板101に至る経路となっている。したがって、半導体素子102の上面102aと下面102bとで温度差が生じにくい。
すなわち、特許文献1に記載のものでは、半導体素子が上面と下面から、それぞれ、異なる部材を経由して放熱部材に至る放熱経路となっている。したがって、半導体素子の上面と下面は、放熱部材との距離が大きく異なり、温度差が生じやすく、この温度差によって応力が生じるおそれがある。
すなわち、特許文献1に記載のものでは、半導体素子が上面と下面から、それぞれ、異なる部材を経由して放熱部材に至る放熱経路となっている。したがって、半導体素子の上面と下面は、放熱部材との距離が大きく異なり、温度差が生じやすく、この温度差によって応力が生じるおそれがある。
それに対し、実施の形態1は、第1、第2の放熱経路が金属板101に至る経路となっている。このため、仮に、金属板101に放熱部材を接触させた場合、上面102aから金属板101を経由せずに他の部材を介して放熱部材に接触させた場合と比較して、上下面102a,102bに温度差が生じにくい。これによっても、半導体素子102に反りが生じるのを抑制できる。
(実施の形態1の効果)
以上説明したように、実施の形態1の半導体装置100は、
金属板主面としての上面101aを備えた金属板101と、
上面101aと金属接合する接合部を有する素子第1面としての下面102b、およびこの下面102bに対向し、接合部を有する素子第2面としての上面102aを備えた半導体素子102と、
金属板101の上面101aに金属接合する接合部を有する基板第1面としての下面103b、および下面103bに対向し、接合部を有する基板第2面としての上面103aを備えた絶縁基板103と、
半導体素子102の上面102aの接合部と絶縁基板103の上面103aの接合部とに接合された金属部材104と、
を備え、
半導体素子102は、下面102bが金属板101の上面101aに対して絶縁されている。
したがって、半導体素子102の放熱経路として、その下面102bから直接金属板101に伝わる第1の放熱経路に加え、その上面102aから金属部材104および絶縁基板103を介して金属板101に至る第2の放熱経路を有し、放熱性に優れる。
以上説明したように、実施の形態1の半導体装置100は、
金属板主面としての上面101aを備えた金属板101と、
上面101aと金属接合する接合部を有する素子第1面としての下面102b、およびこの下面102bに対向し、接合部を有する素子第2面としての上面102aを備えた半導体素子102と、
金属板101の上面101aに金属接合する接合部を有する基板第1面としての下面103b、および下面103bに対向し、接合部を有する基板第2面としての上面103aを備えた絶縁基板103と、
半導体素子102の上面102aの接合部と絶縁基板103の上面103aの接合部とに接合された金属部材104と、
を備え、
半導体素子102は、下面102bが金属板101の上面101aに対して絶縁されている。
したがって、半導体素子102の放熱経路として、その下面102bから直接金属板101に伝わる第1の放熱経路に加え、その上面102aから金属部材104および絶縁基板103を介して金属板101に至る第2の放熱経路を有し、放熱性に優れる。
さらに、半導体素子102は、上面102aと下面102bとで、それぞれ、同一素材の金属板101および金属部材104に接合されるため、駆動時の発熱の際に上面102aおよび下面102bに生じる応力を、抑えることができる。
また、絶縁基板103は、その上面103aと下面103bとの接合部が、それぞれ、異種素材を有する配線に接合され、いずれか一方の面のみ配線に接続するものと比較して、駆動時の発熱の際に生じる応力を抑えることができる。
よって、半導体素子102および絶縁基板103に生じる応力を低減でき、半導体装置100に生じる反りを低減し、各接合面にクラックなどが生じるのを抑え、半導体装置100における信頼性や耐久性を向上できる。
また、絶縁基板103は、その上面103aと下面103bとの接合部が、それぞれ、異種素材を有する配線に接合され、いずれか一方の面のみ配線に接続するものと比較して、駆動時の発熱の際に生じる応力を抑えることができる。
よって、半導体素子102および絶縁基板103に生じる応力を低減でき、半導体装置100に生じる反りを低減し、各接合面にクラックなどが生じるのを抑え、半導体装置100における信頼性や耐久性を向上できる。
(他の実施の形態)
以下に、他の実施の形態の半導体装置および電力変換装置について説明する。なお、他の実施の形態の半導体装置および電力変換装置について説明するのにあたり、共通する構成要素には共通する符号を付けて説明を省略する。
以下に、他の実施の形態の半導体装置および電力変換装置について説明する。なお、他の実施の形態の半導体装置および電力変換装置について説明するのにあたり、共通する構成要素には共通する符号を付けて説明を省略する。
(実施の形態2)
次に、図2A、図2Bに基づいて実施の形態2の半導体装置200について説明する。
なお、図2Aは実施の形態2の半導体装置200を示す断面図であり、図2Bは実施の形態2の半導体装置200を示す平面図である。
次に、図2A、図2Bに基づいて実施の形態2の半導体装置200について説明する。
なお、図2Aは実施の形態2の半導体装置200を示す断面図であり、図2Bは実施の形態2の半導体装置200を示す平面図である。
実施の形態2の半導体装置200において、実施の形態1との相違点は、金属部材204の大きさである。すなわち、金属部材204は、その上面204aおよび下面204bが、図2A,図2Bに示すように、半導体素子102の上面102aと、絶縁基板103の上面103aとのそれぞれ全面を覆うことができる面積に形成されている。なお、この金属部材204の上下面204a,204bの面積は、金属板101の上面101aの面積よりも小さい。
(実施の形態2の作用)
金属部材204は、その上面204aおよび下面204bの面積および体積が、実施の形態1で示した金属部材104よりも大きくなり、半導体素子102と絶縁基板103との接合面が大きくなった。
金属部材204は、その上面204aおよび下面204bの面積および体積が、実施の形態1で示した金属部材104よりも大きくなり、半導体素子102と絶縁基板103との接合面が大きくなった。
このため、前述した第2の放熱経路における放熱性が向上し、半導体素子102の放熱性能が、さらに向上する。
加えて、金属部材204の体積が、実施の形態1で示した金属部材104よりも、金属板101の体積に近付く。このため、駆動時の発熱の際における金属部材204の熱収縮量が、金属板101の熱収縮量により近付く。これにより、半導体素子102の上面102aおよび下面102bに生じる応力、絶縁基板103の上面103aおよび下面103bに生じる応力と、半導体装置200に生じる反りを、いっそう低減することができる。
加えて、金属部材204の体積が、実施の形態1で示した金属部材104よりも、金属板101の体積に近付く。このため、駆動時の発熱の際における金属部材204の熱収縮量が、金属板101の熱収縮量により近付く。これにより、半導体素子102の上面102aおよび下面102bに生じる応力、絶縁基板103の上面103aおよび下面103bに生じる応力と、半導体装置200に生じる反りを、いっそう低減することができる。
(実施の形態2の効果)
以上説明したように、実施の形態2の半導体装置200は、
金属部材204は、半導体素子102の上面102aの接合部と絶縁基板103の上面103aの接合部とに接合された金属部材104の下面204bが、半導体素子102の上面102aと、絶縁基板103の上面103aとの全面を覆う大きさを有する。
したがって、半導体素子102の放熱性能が、さらに向上する。加えて、半導体素子102の上面102a、下面102bの熱膨張率差による応力、絶縁基板103の上面103a、下面103bの熱膨張率差による応力と、これにより生じる半導体装置200の反りを、いっそう低減することができる。
よって、半導体装置200に生じる反りを低減し、各接合面にクラックなどが生じるのを抑え、半導体装置200における信頼性や耐久性を向上できる。
なお、他の作用効果は実施の形態1と同様である。
以上説明したように、実施の形態2の半導体装置200は、
金属部材204は、半導体素子102の上面102aの接合部と絶縁基板103の上面103aの接合部とに接合された金属部材104の下面204bが、半導体素子102の上面102aと、絶縁基板103の上面103aとの全面を覆う大きさを有する。
したがって、半導体素子102の放熱性能が、さらに向上する。加えて、半導体素子102の上面102a、下面102bの熱膨張率差による応力、絶縁基板103の上面103a、下面103bの熱膨張率差による応力と、これにより生じる半導体装置200の反りを、いっそう低減することができる。
よって、半導体装置200に生じる反りを低減し、各接合面にクラックなどが生じるのを抑え、半導体装置200における信頼性や耐久性を向上できる。
なお、他の作用効果は実施の形態1と同様である。
(実施の形態3)
次に、図3A,図3Bに基づいて実施の形態3の半導体装置300について説明する。
なお、図3Aは実施の形態3の半導体装置300を示す断面図であり、図3Bは実施の形態3の半導体装置300を示す平面図である。
次に、図3A,図3Bに基づいて実施の形態3の半導体装置300について説明する。
なお、図3Aは実施の形態3の半導体装置300を示す断面図であり、図3Bは実施の形態3の半導体装置300を示す平面図である。
実施の形態3の半導体装置300では、金属部材304は、その上面304aおよび下面304bの面積が、実施の形態2で示した金属部材204と同様の大きさに形成されている。さらに、金属部材304は、その厚さT4(上面304aと下面304bとの間隔)が、金属板101の厚さT1(上面101aと下面101bとの間隔)よりも、厚く形成されている。よって、金属部材304は、実施の形態1,2と比較して、その体積(熱容量)が、金属板101の体積(熱容量)に近付けられている。
(実施の形態3の作用)
実施の形態3では、金属部材304の体積が、実施の形態1,2の金属部材104,204よりも大きく、熱容量がさらに大きくなる。これにより、半導体素子102の放熱性能がさらに向上する。
実施の形態3では、金属部材304の体積が、実施の形態1,2の金属部材104,204よりも大きく、熱容量がさらに大きくなる。これにより、半導体素子102の放熱性能がさらに向上する。
加えて、金属部材304は、その体積が金属板101の体積に近付くことで、駆動時の発熱の際の金属部材304の熱収縮量が金属板101の熱収縮量に近付く。これにより、半導体素子102の上面102aおよび下面102bに生じる応力、絶縁基板103の上面103aおよび下面103bに生じる応力、半導体装置300に生じる反りを、いっそう低減することができる。
(実施の形態3の効果)
以上説明したように、実施の形態3の半導体装置300は、
金属部材304は、上面304aおよび下面304bの面積が、金属板101の上面101aおよび下面101bの面積よりも小さく形成されている一方、
金属部材304の下面304bと上面304aとの間隔である厚さT4が、金属板101の上面101aと下面101bとの間隔である厚さT1よりも厚く形成されている。
したがって、半導体素子102の放熱性能がさらに向上する。加えて、半導体素子102の上面102aおよび下面102bに生じる応力、絶縁基板103の上面103aおよび下面103bに生じる応力を低減し、半導体装置300に生じる反りを、いっそう低減することができる。
よって、半導体装置300に生じる反りを低減し、各接合面にクラックなどが生じるのを抑え、半導体装置300における信頼性や耐久性を向上できる。
なお、他の作用効果は、実施の形態1,2と同様である。
以上説明したように、実施の形態3の半導体装置300は、
金属部材304は、上面304aおよび下面304bの面積が、金属板101の上面101aおよび下面101bの面積よりも小さく形成されている一方、
金属部材304の下面304bと上面304aとの間隔である厚さT4が、金属板101の上面101aと下面101bとの間隔である厚さT1よりも厚く形成されている。
したがって、半導体素子102の放熱性能がさらに向上する。加えて、半導体素子102の上面102aおよび下面102bに生じる応力、絶縁基板103の上面103aおよび下面103bに生じる応力を低減し、半導体装置300に生じる反りを、いっそう低減することができる。
よって、半導体装置300に生じる反りを低減し、各接合面にクラックなどが生じるのを抑え、半導体装置300における信頼性や耐久性を向上できる。
なお、他の作用効果は、実施の形態1,2と同様である。
(実施の形態4)
次に、図4A,図4Bに基づいて実施の形態4の半導体装置400について説明する。
なお、図4Aは実施の形態4の半導体装置400を示す断面図であり、図4Bは実施の形態4の半導体装置400を示す平面図である。
次に、図4A,図4Bに基づいて実施の形態4の半導体装置400について説明する。
なお、図4Aは実施の形態4の半導体装置400を示す断面図であり、図4Bは実施の形態4の半導体装置400を示す平面図である。
実施の形態4の半導体装置400は、実施の形態3の半導体装置300の変形例であり、半導体装置300との相違点は、金属板401の形状である。
金属板401は、上面401aおよび下面401bの平面形状(面積)が、半導体素子102と絶縁基板103とが並ぶ方向(矢印Y方向)に長く、その直交方向(矢印X方向)に短い長方形状に形成されている。すなわち、実施の形態1〜3に用いた金属板101よりも短辺の長さを短くした長方形形状に形成され、金属部材304の平面形状および面積に近付けられている。
金属板401は、上面401aおよび下面401bの平面形状(面積)が、半導体素子102と絶縁基板103とが並ぶ方向(矢印Y方向)に長く、その直交方向(矢印X方向)に短い長方形状に形成されている。すなわち、実施の形態1〜3に用いた金属板101よりも短辺の長さを短くした長方形形状に形成され、金属部材304の平面形状および面積に近付けられている。
このように、金属部材304の体積(熱容量)と、金属板101の体積(熱容量)との均等化を、金属板101の平面面積により調整することもできる。
(実施の形態4の作用)
実施の形態4では、上記のように金属板401の平面積が、金属部材304の平面積に近付き、駆動時の発熱の際の金属板401の熱収縮量を金属部材304の熱収縮量に近付けることができる。これにより、半導体素子102の上面102aおよび下面102bに生じる応力、絶縁基板103の上面103aおよび下面103bに生じる応力と、半導体装置400に生じる反りを、いっそう低減することができる。
実施の形態4では、上記のように金属板401の平面積が、金属部材304の平面積に近付き、駆動時の発熱の際の金属板401の熱収縮量を金属部材304の熱収縮量に近付けることができる。これにより、半導体素子102の上面102aおよび下面102bに生じる応力、絶縁基板103の上面103aおよび下面103bに生じる応力と、半導体装置400に生じる反りを、いっそう低減することができる。
(実施の形態4の効果)
以上説明したように、実施の形態4の半導体装置400は、
金属板401の上面401aが長方形であり、半導体素子102と絶縁基板103とは金属板401の長辺に沿う方向に並んで配置されている。
したがって、金属板401の平面積を、半導体素子102および絶縁基板103を覆って金属接合された金属部材304の平面積に近付けることが可能となり、金属板401と金属部材304との熱収縮量を近付けることができる。
これにより、半導体素子102の上面102aおよび下面102bに生じる応力、絶縁基板103の上面103aおよび下面103bに生じる応力と、半導体装置400に生じる反りを、いっそう低減することができる。
なお、他の作用効果は、実施の形態3と同様である。
以上説明したように、実施の形態4の半導体装置400は、
金属板401の上面401aが長方形であり、半導体素子102と絶縁基板103とは金属板401の長辺に沿う方向に並んで配置されている。
したがって、金属板401の平面積を、半導体素子102および絶縁基板103を覆って金属接合された金属部材304の平面積に近付けることが可能となり、金属板401と金属部材304との熱収縮量を近付けることができる。
これにより、半導体素子102の上面102aおよび下面102bに生じる応力、絶縁基板103の上面103aおよび下面103bに生じる応力と、半導体装置400に生じる反りを、いっそう低減することができる。
なお、他の作用効果は、実施の形態3と同様である。
(実施の形態5)
次に、図5A,図5Bに基づいて実施の形態5の半導体装置500について説明する。
なお、図5Aは実施の形態5の半導体装置500を示す断面図であり、図5Bは実施の形態5の半導体装置500を示す平面図である。
次に、図5A,図5Bに基づいて実施の形態5の半導体装置500について説明する。
なお、図5Aは実施の形態5の半導体装置500を示す断面図であり、図5Bは実施の形態5の半導体装置500を示す平面図である。
この実施の形態5は、実施の形態4の変形例であり、金属板501および金属部材504の上面501a,504aおよび下面501b,504bが、それぞれ、金属板401および金属部材304と比較して、長辺に沿う方向(矢印Y方向)に長く形成されている。
そして、絶縁基板として、第1の絶縁基板513と第2の絶縁基板523とを備える。
これらの絶縁基板513,523は、金属板501および金属部材504の長辺に沿う方向(矢印Y方向)で、両者の間に半導体素子102を挟んで、半導体素子102の短辺との間に、それぞれ、間隔L5の空間部515,525を介して配置されている。なお、各絶縁基板513,523は、実施の形態1で説明した絶縁基板103と同様に、上面513a,523aと下面513b,523bとに、接続部(不図示)を有している。そして、各接続部は、当接する金属板501の上面501aと、金属部材504の下面504bとに金属接合されている。
これらの絶縁基板513,523は、金属板501および金属部材504の長辺に沿う方向(矢印Y方向)で、両者の間に半導体素子102を挟んで、半導体素子102の短辺との間に、それぞれ、間隔L5の空間部515,525を介して配置されている。なお、各絶縁基板513,523は、実施の形態1で説明した絶縁基板103と同様に、上面513a,523aと下面513b,523bとに、接続部(不図示)を有している。そして、各接続部は、当接する金属板501の上面501aと、金属部材504の下面504bとに金属接合されている。
(実施の形態5の作用)
半導体素子102は、金属部材504を介した第2の放熱経路として、金属部材504および第1の絶縁基板513を介して金属板501に至る放熱経路に加え、金属部材504および第2の絶縁基板523を介して金属板501に至る放熱経路を備える。このため、半導体素子102の放熱性能がさらに向上する。
半導体素子102は、金属部材504を介した第2の放熱経路として、金属部材504および第1の絶縁基板513を介して金属板501に至る放熱経路に加え、金属部材504および第2の絶縁基板523を介して金属板501に至る放熱経路を備える。このため、半導体素子102の放熱性能がさらに向上する。
また、半導体素子102の対向する2つの短辺に隣接して第1の絶縁基板513と第2の絶縁基板523とが配置されている。このため、金属板501おおび金属部材504において、半導体素子102を挟んで、その長辺に沿う方向(矢印Y方向)の熱膨張率が対称の関係となる。よって、駆動時の発熱の際に、半導体素子102上下面102a,102b、絶縁基板513,523の上下面513a,513b,523a,523bに生じる応力と、半導体装置500の反りをさらに低減することができる。
(実施の形態5の効果)
以上説明したように、実施の形態5の半導体装置500は、
金属板501の上面501a上に、半導体素子102を挟んで第1の絶縁基板513の反対側の位置に第2の絶縁基板523が配置され、
第2の絶縁基板523は、対向した第2基板第1面としての下面523bと第2基板第2面としての上面523aとに接続部を有し、かつ、下面523bの接続部が金属板501の上面501aに金属接合され、上面523aの接続部が金属部材504の下面504bに金属接合されている。
したがって、半導体素子102の放熱性能がさらに向上し、かつ、半導体素子102の上下面102a,102b、絶縁基板513,523の上下面513a,513b,523a,523bに生じる応力と、半導体装置500の反りをさらに低減できる。
なお、他の作用効果は、実施の形態1〜4と同様である。
以上説明したように、実施の形態5の半導体装置500は、
金属板501の上面501a上に、半導体素子102を挟んで第1の絶縁基板513の反対側の位置に第2の絶縁基板523が配置され、
第2の絶縁基板523は、対向した第2基板第1面としての下面523bと第2基板第2面としての上面523aとに接続部を有し、かつ、下面523bの接続部が金属板501の上面501aに金属接合され、上面523aの接続部が金属部材504の下面504bに金属接合されている。
したがって、半導体素子102の放熱性能がさらに向上し、かつ、半導体素子102の上下面102a,102b、絶縁基板513,523の上下面513a,513b,523a,523bに生じる応力と、半導体装置500の反りをさらに低減できる。
なお、他の作用効果は、実施の形態1〜4と同様である。
(実施の形態6)
次に、図6A,図6Bに基づいて実施の形態6の半導体装置600について説明する。
なお、図6Aは実施の形態6の半導体装置600を示す断面図であり、図6Bは実施の形態6の半導体装置600を示す平面図である。
次に、図6A,図6Bに基づいて実施の形態6の半導体装置600について説明する。
なお、図6Aは実施の形態6の半導体装置600を示す断面図であり、図6Bは実施の形態6の半導体装置600を示す平面図である。
この実施の形態6は、実施の形態5の変形例であり、半導体素子602は、その上面602aに、異なる2つの電極(不図示の接続部)を備える。そして、両電極の一方と第1の絶縁基板513の上面513aの接続部とに第1の金属部材614の主面としての下面614bが金属接合され、両電極のもう一方と第2の絶縁基板523の上面523aの接続部とに第2の金属部材624が金属接合されている。また、第1の金属部材614と第2の金属部材624とは、同一のものが用いられ、両金属部材614,624の間には、間隔L6の空間部605が設けられている。
例えば、半導体素子602の上面602aの第1の電極(不図示)は、ダイオードの場合アノード、MOSFETの場合ドレインとすることができる。そして、半導体素子502の上面602aの第2の電極(不図示)は、ダイオードの場合カソード、MOSFETの場合ソースとすることができる。なお、他の半導体(バイポーラトランジスタなど)や半導体素子の上面に異なる3つの電極がある場合も本実施の形態6と同様の構造を用いて、それぞれ、金属部材を用いて各絶縁基板と接続することができる。
(実施の形態6の作用)
この実施の形態6では、半導体素子602は、金属部材614および第1の絶縁基板513を介して金属板501に至る放熱経路に加え、金属部材624および第2の絶縁基板523を介して金属板501に至る放熱経路を備える。このため、半導体素子602の放熱性能がさらに向上する。
この実施の形態6では、半導体素子602は、金属部材614および第1の絶縁基板513を介して金属板501に至る放熱経路に加え、金属部材624および第2の絶縁基板523を介して金属板501に至る放熱経路を備える。このため、半導体素子602の放熱性能がさらに向上する。
また、半導体素子602の対向する2つの短辺に隣接して第1の絶縁基板513と第2の絶縁基板523とが対称に配置されているとともに、同一の第1の金属部材614と第2の金属部材624とが対称に配置されている。このため、半導体素子602を挟んで、その長辺に沿う方向(矢印Y方向)の熱膨張率が対称の関係となる。よって、駆動時の発熱の際に、半導体素子602の上下面602a,602b、絶縁基板513,523の上下面513a,513b,523a,523bに生じる応力と、半導体装置600の反りをさらに低減することができる。
(実施の形態6の効果)
以上説明したように、実施の形態6の半導体装置600は、
半導体素子602は、上面602aに2つの電極(不図示)を備え、
2つの電極(不図示)の一方と、第1の絶縁基板513の上面513aの接続部とが、第1の金属部材614の下面614bに金属接合され、
2つの電極(不図示)のもう一方と、第2の絶縁基板523の上面523aの接続部とが、第2の金属部材624の下面624bに金属接合されている。
したがって、半導体素子602の放熱性能がさらに向上する。
以上説明したように、実施の形態6の半導体装置600は、
半導体素子602は、上面602aに2つの電極(不図示)を備え、
2つの電極(不図示)の一方と、第1の絶縁基板513の上面513aの接続部とが、第1の金属部材614の下面614bに金属接合され、
2つの電極(不図示)のもう一方と、第2の絶縁基板523の上面523aの接続部とが、第2の金属部材624の下面624bに金属接合されている。
したがって、半導体素子602の放熱性能がさらに向上する。
加えて、駆動時の発熱の際に、半導体素子602の上下面602a,602b、絶縁基板513,523の上下面513a,513b,523a,523bに生じる応力と、半導体装置600の反りをさらに低減することができる。
さらに、第1の金属部材614と第2の金属部材624との共通化を図ったことにより、両者が異なる場合と比較して、部品点数を削減できる。
なお、他の作用効果は、実施の形態1〜4と同様である。
さらに、第1の金属部材614と第2の金属部材624との共通化を図ったことにより、両者が異なる場合と比較して、部品点数を削減できる。
なお、他の作用効果は、実施の形態1〜4と同様である。
(実施の形態7)
次に、図7A,図7Bに基づいて実施の形態7の半導体装置700について説明する。
なお、図7Aは実施の形態7の半導体装置700を示す断面図であり、図7Bは実施の形態7の半導体装置700を示す平面図である。
次に、図7A,図7Bに基づいて実施の形態7の半導体装置700について説明する。
なお、図7Aは実施の形態7の半導体装置700を示す断面図であり、図7Bは実施の形態7の半導体装置700を示す平面図である。
実施の形態7の半導体装置700は、実施の形態5の変形例であり、実施の形態5との相違点は、金属板701に冷媒が短辺に沿う方向(矢印X方向)に流れて循環される複数の冷媒路701cを備える点である。
なお、冷媒路701cは、周知の細管を並設して形成する多穴管構造や、一対のチューブ板の間に波状の板を挟むコルゲートフィン構造により形成することができる。また、このほかに、櫛歯断面の部材と平板とを組み合わせた構造や、ピン状のフィンを多数設けたピンフィン構造などを用いてもよい。また、冷媒としては、冷却水などの液体、冷却風などの気体を用いることができる。
(実施の形態7の作用)
冷媒路701cを循環する冷媒により金属板701を冷却するため、半導体素子102の放熱性能がさらに向上する。なお、他の作用効果については、実施の形態5と同様である。
(実施の形態7の効果)
以上説明したように、実施の形態7の半導体装置700は、
金属板701は、冷媒が流れる冷媒路701cを備える。
したがって、半導体素子102の放熱性能が、さらに向上する。
以上説明したように、実施の形態7の半導体装置700は、
金属板701は、冷媒が流れる冷媒路701cを備える。
したがって、半導体素子102の放熱性能が、さらに向上する。
また、実施の形態7の半導体装置700は、
金属板701の冷媒路701cの冷媒の流れる方向を金属板701の短辺に沿う方向とした。
よって、冷媒が複数の発熱部位を直列に通過することがなく、金属板701の長辺に沿う方向に冷媒を流すものよりも、高い冷却性能を得ることができる。
なお、他の作用効果は、実施の形態5と同様である。
金属板701の冷媒路701cの冷媒の流れる方向を金属板701の短辺に沿う方向とした。
よって、冷媒が複数の発熱部位を直列に通過することがなく、金属板701の長辺に沿う方向に冷媒を流すものよりも、高い冷却性能を得ることができる。
なお、他の作用効果は、実施の形態5と同様である。
(実施の形態8)
次に、図8A,図8Bに基づいて実施の形態8の第1の半導体装置800a、第2の半導体装置800bおよびこれらを備えた電力変換装置800について説明する。
なお、図8Aは実施の形態8の第1、第2の半導体装置800a,800bおよびこれらを備えた電力変換装置800を示す断面図であり、図8Bは実施の形態8の両半導体装置800a,800bおよびこれらを備えた電力変換装置800を示す平面図である。
次に、図8A,図8Bに基づいて実施の形態8の第1の半導体装置800a、第2の半導体装置800bおよびこれらを備えた電力変換装置800について説明する。
なお、図8Aは実施の形態8の第1、第2の半導体装置800a,800bおよびこれらを備えた電力変換装置800を示す断面図であり、図8Bは実施の形態8の両半導体装置800a,800bおよびこれらを備えた電力変換装置800を示す平面図である。
実施の形態8は、実施の形態7の変形例であり、金属板801の長辺に沿う方向(矢印Y方向)の長さが、実施の形態7の金属板701の2倍程度の長さとしている。そして、金属板801に、第1の半導体装置800aと第2の半導体装置800bとが、長辺に沿う方向(矢印Y方向)に並設されている。なお、両半導体装置800a,800bどうしの間には、空間部805が設けられている。また、これら各半導体装置800a,800bの構成は実施の形態7と同様であり、かつ、両半導体装置800a,800bが金属板801を共用して設置された構造となっている。
また、金属板801は、上面801aおよび下面801bを備えるとともに、実施の形態7にて説明した冷媒路701cと同様の冷媒路801cを複数備える。
また、金属板801は、上面801aおよび下面801bを備えるとともに、実施の形態7にて説明した冷媒路701cと同様の冷媒路801cを複数備える。
なお、電力変換装置800は、第1の半導体装置800aと第2の半導体装置800bとの2個の半導体装置を示しているが、半導体装置を3以上併設してもよい。例えば、半導体装置を3個並設して電力変換装置としてのインバータの上アームや下アームを形成することができる。
(実施の形態8の作用)
第1の半導体装置800aと第2の半導体装置800bとの複数の半導体装置を並設するにあたり、金属板801を共用し、部品点数を削減できる。特に、冷媒路701cを、それぞれ、独立して設けるものと比較して、冷媒回路の構成の簡略化を図ることができる。 他の作用効果については、実施の形態7と同様である。
第1の半導体装置800aと第2の半導体装置800bとの複数の半導体装置を並設するにあたり、金属板801を共用し、部品点数を削減できる。特に、冷媒路701cを、それぞれ、独立して設けるものと比較して、冷媒回路の構成の簡略化を図ることができる。 他の作用効果については、実施の形態7と同様である。
(実施の形態8の効果)
以上説明したように、実施の形態8の複数の半導体装置800a,800bを備えた電力変換装置800は、
複数の半導体装置800a,800bが、金属板801を共用している。
したがって、部品点数を削減することができる。これにより、コストを削減できるとともに、小型化を図ることが可能となる。
以上説明したように、実施の形態8の複数の半導体装置800a,800bを備えた電力変換装置800は、
複数の半導体装置800a,800bが、金属板801を共用している。
したがって、部品点数を削減することができる。これにより、コストを削減できるとともに、小型化を図ることが可能となる。
また、実施の形態8の実施の形態8の半導体装置800a,800bを備えた電力変換装置800は、
金属板801の主面としての上面801aが長方形であり、
両半導体装置800a,800bが、金属板801の上面801a上に、長辺に沿う方向(矢印Y方向)に並んで配置されている。
したがって、高い放熱性能を備えるとともに、半導体素子102および絶縁基板513,523に生じる応力を低減可能、かつ、反りを低減可能な両半導体装置800a,800bを備える電力変換装置800を提供することができる。さらに、電力変換装置800の反りも抑えることが可能となる。
また、金属板801の共用化により部品点数を削減して、コストを削減できるとともに、小型化を図ることが可能となる。
なお、他の作用効果は、実施の形態7と同様である。
金属板801の主面としての上面801aが長方形であり、
両半導体装置800a,800bが、金属板801の上面801a上に、長辺に沿う方向(矢印Y方向)に並んで配置されている。
したがって、高い放熱性能を備えるとともに、半導体素子102および絶縁基板513,523に生じる応力を低減可能、かつ、反りを低減可能な両半導体装置800a,800bを備える電力変換装置800を提供することができる。さらに、電力変換装置800の反りも抑えることが可能となる。
また、金属板801の共用化により部品点数を削減して、コストを削減できるとともに、小型化を図ることが可能となる。
なお、他の作用効果は、実施の形態7と同様である。
以上、本開示の半導体装置および電力変換装置を実施の形態に基づき説明してきたが、具体的な構成については、この実施の形態に限られず、特許請求の範囲の各請求項に係る発明の要旨を逸脱しない限り、設計の変更や追加などは許容される。
100 半導体装置
101 金属板
101a 上面(金属板主面)
101b 下面(金属板反対主面)
102 半導体素子
102a 上面(素子第2面)
102b 下面(素子第1面)
103 絶縁基板
103a 上面(基板第2面)
103b 下面(基板第1面)
104 金属部材
104a 上面(金属部材反対主面)
104b 下面(金属部材主面)
200 半導体装置
204 金属部材
204a 上面(金属部材反対主面)
204b 下面(金属部材主面)
300 半導体装置
304 金属部材
304a 上面(金属部材反対主面)
304b 下面(金属部材主面)
400 半導体装置
401 金属板
401a 上面(金属板主面)
401b 下面(金属板反対主面)
500 半導体装置
501 金属板
501a 上面(金属板主面)
501b 下面(金属板反対主面)
502 半導体素子
504 金属部材
504a 上面(金属部材反対主面)
504b 下面(金属部材主面)
513 (第1の)絶縁基板
513a 上面(基板第2面)
513b 下面(基板第1面)
523 (第2の)絶縁基板
523a 上面(基板第2面)
523b 下面(基板第1面)
600 半導体装置
602 半導体素子
602a 上面(素子第2面)
602b 下面(素子第1面)
614 金属部材
614b 下面(金属部材主面)
624 金属部材
624b 下面(金属部材主面)
700 半導体装置
701 金属板
701c 冷媒路
800 電力変換装置
800a (第1の)半導体装置
800b (第2の)半導体装置
801a 上面(金属板主面)
801b 下面(金属板反対主面)
801c 冷媒路
101 金属板
101a 上面(金属板主面)
101b 下面(金属板反対主面)
102 半導体素子
102a 上面(素子第2面)
102b 下面(素子第1面)
103 絶縁基板
103a 上面(基板第2面)
103b 下面(基板第1面)
104 金属部材
104a 上面(金属部材反対主面)
104b 下面(金属部材主面)
200 半導体装置
204 金属部材
204a 上面(金属部材反対主面)
204b 下面(金属部材主面)
300 半導体装置
304 金属部材
304a 上面(金属部材反対主面)
304b 下面(金属部材主面)
400 半導体装置
401 金属板
401a 上面(金属板主面)
401b 下面(金属板反対主面)
500 半導体装置
501 金属板
501a 上面(金属板主面)
501b 下面(金属板反対主面)
502 半導体素子
504 金属部材
504a 上面(金属部材反対主面)
504b 下面(金属部材主面)
513 (第1の)絶縁基板
513a 上面(基板第2面)
513b 下面(基板第1面)
523 (第2の)絶縁基板
523a 上面(基板第2面)
523b 下面(基板第1面)
600 半導体装置
602 半導体素子
602a 上面(素子第2面)
602b 下面(素子第1面)
614 金属部材
614b 下面(金属部材主面)
624 金属部材
624b 下面(金属部材主面)
700 半導体装置
701 金属板
701c 冷媒路
800 電力変換装置
800a (第1の)半導体装置
800b (第2の)半導体装置
801a 上面(金属板主面)
801b 下面(金属板反対主面)
801c 冷媒路
Claims (8)
- 金属板主面を備えた金属板と、
前記金属板主面と金属接合する接合部を有する素子第1面、およびこの素子第1面に対向し、接合部を有する素子第2面を備えた半導体素子と、
前記金属板主面と金属接合する接合部を有する基板第1面、およびこの基板第1面に対向し、接合部を有する基板第2面を備えた絶縁基板と、
前記半導体素子の前記素子第2面の前記接合部と前記絶縁基板の前記基板第2面の前記接合部とに接合された金属部材と、
を備え、
前記半導体素子は、前記素子第1面が前記金属板主面に対して絶縁されている半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記金属部材は、前記素子第2面と前記基板第2面とに接合された金属部材主面が、前記素子第2面と前記基板第2面との全面を覆う大きさを有する半導体装置。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置において、
前記金属部材は、前記素子第2面の前記接合部と前記基板第2面の前記接合部とに接合された金属部材主面と、これに対向する金属部材反対主面との間隔である厚さが、前記金属板主面と、これに対向する金属板反対主面との間隔である厚さよりも厚く形成されている半導体装置。 - 請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記金属板主面が長方形であり、前記半導体素子と前記絶縁基板とは前記金属板の長辺に沿う方向に並んで配置されている半導体装置。 - 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記金属板主面上に、前記半導体素子を間に挟んで前記絶縁基板の反対側の位置に第2の絶縁基板が配置され、
前記第2の絶縁基板は、対向した第2基板第1面と第2基板第2面とに接続部を有し、かつ、前記第2基板第1面の前記接続部が前記金属板主面に金属接合され、前記第2基板第2面の前記接続部が前記金属部材に金属接合されている半導体装置。 - 請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記金属板は、冷媒が流れる冷媒路を備える半導体装置。 - 請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置を複数有した電力変換装置であって、
前記半導体装置は、前記金属板を共用して設置されている電力変換装置。 - 請求項7に記載の電力変換装置において、
前記金属板主面が長方形であり、
複数の前記半導体装置が、前記金属板主面上に、長辺に沿う方向に並んで配置されている電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018075803A JP2019186390A (ja) | 2018-04-11 | 2018-04-11 | 半導体装置および電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018075803A JP2019186390A (ja) | 2018-04-11 | 2018-04-11 | 半導体装置および電力変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019186390A true JP2019186390A (ja) | 2019-10-24 |
Family
ID=68337512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018075803A Pending JP2019186390A (ja) | 2018-04-11 | 2018-04-11 | 半導体装置および電力変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019186390A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024070883A1 (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | ニデック株式会社 | 半導体モジュールおよび半導体モジュールユニット |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018046126A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
-
2018
- 2018-04-11 JP JP2018075803A patent/JP2019186390A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018046126A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024070883A1 (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | ニデック株式会社 | 半導体モジュールおよび半導体モジュールユニット |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5120284B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7813135B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6885175B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI676255B (zh) | 半導體裝置 | |
JP7532813B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2010161203A (ja) | 放熱装置、パワーモジュール、パワーモジュールの製造方法 | |
JP6604926B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP6834841B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2005094842A (ja) | インバータ装置及びその製造方法 | |
JP7428017B2 (ja) | 半導体モジュール | |
WO2016158020A1 (ja) | 半導体モジュール | |
JP7428019B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP5217015B2 (ja) | 電力変換装置及びその製造方法 | |
JP2019186390A (ja) | 半導体装置および電力変換装置 | |
JP2008124187A6 (ja) | パワーモジュール用ベース | |
JP2008124187A (ja) | パワーモジュール用ベース | |
JP6540587B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP7118205B1 (ja) | 半導体装置及びそれを用いた半導体モジュール | |
JP2016174034A (ja) | 半導体パワーモジュール | |
JP2007173301A (ja) | 半導体素子冷却用放熱器、半導体装置、半導体素子冷却用放熱器の製造方法 | |
JP7147186B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2018046126A (ja) | 半導体装置 | |
JP2016134586A (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP4573467B2 (ja) | パワー半導体装置 | |
US20230238298A1 (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220104 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220726 |