JP2019169371A - Conductive composition and method of manufacturing electronic substrate - Google Patents

Abstract

To provide a conductive composition capable of forming a junction which has high shear strength even when exposed to a high temperature.SOLUTION: The conductive composition of the present invention contains conductive particles and a flux composition. The conductive particles contain (A) a solder powder containing tin and having a melting point of 130°C or higher and 230°C or lower; (B) first metal particles having an average particle diameter of less than 1 μm and a melting point of 300°C or higher; and (C) second metal particles having an average particle diameter of 1 μm or more and 20 μm or less and a melting point of 300°C or higher. The flux composition contains (D) an activator.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、導電性組成物および電子基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a conductive composition and a method for producing an electronic substrate.

従来、パワー半導体素子と電極との接合には、融点が２８０℃以上の高融点はんだ合金が用いられていた。高融点はんだ合金を用いることで、高温に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できる。高融点はんだ合金としては、スズ−鉛系はんだ合金、スズ−鉛−アンチモン系はんだ合金、および鉛−銀系はんだ合金などが挙げられる。これら高融点はんだ合金は、いずれも鉛を含有するため、環境への配慮からその使用が制限される傾向にある。
そこで、高融点はんだ合金であり、かつ、鉛を含有しないはんだ合金が求められており、例えば、６質量％〜７０質量％のスズと、５０質量％未満の銅とを含み、残部が実質アンチモンからなるはんだ合金が提案されている（例えば、特許文献１）。 Conventionally, a high melting point solder alloy having a melting point of 280 ° C. or higher has been used for joining the power semiconductor element and the electrode. By using a high melting point solder alloy, a bond having high shear strength can be formed even when exposed to high temperatures. Examples of the high melting point solder alloy include a tin-lead solder alloy, a tin-lead-antimony solder alloy, and a lead-silver solder alloy. Since these high melting point solder alloys all contain lead, their use tends to be restricted due to environmental considerations.
Therefore, a solder alloy which is a high melting point solder alloy and does not contain lead is required. For example, it contains 6 mass% to 70 mass% tin and less than 50 mass% copper, with the balance being substantially antimony. The solder alloy which consists of is proposed (for example, patent document 1).

特開２００３−２９０９７６号公報JP 2003-290976 A

しかしながら、特許文献１に記載のはんだ合金は、銅に対するはんだぬれ性の点で十分ではなかった。一方で、銀粉末と、熱硬化性樹脂とからなる銀ペーストを用いて、パワー半導体素子と電極とを接合することも提案されている。しかしながら、銀ペーストを用いる方法は、製造コストの点で問題があった。   However, the solder alloy described in Patent Document 1 is not sufficient in terms of solder wettability with respect to copper. On the other hand, it has also been proposed to join the power semiconductor element and the electrode using a silver paste made of silver powder and a thermosetting resin. However, the method using a silver paste has a problem in terms of manufacturing cost.

本発明は、高温（例えば２５０℃以上、または２７０℃以上）に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できる導電性組成物、並びに、それを用いた電子基板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention provides a conductive composition that can form a bond having high shear strength even when exposed to high temperatures (for example, 250 ° C. or higher, or 270 ° C. or higher), and a method of manufacturing an electronic substrate using the same. For the purpose.

前記課題を解決すべく、本発明は、以下のような導電性組成物および電子基板の製造方法を提供するものである。
本発明の導電性組成物は、導電性粒子と、フラックス組成物と、を含有し、前記導電性粒子が、（Ａ）スズを含有し、かつ融点が１３０℃以上２３０℃以下であるはんだ粉末と、（Ｂ）平均粒子径が１μｍ未満であり、かつ融点が３００℃以上である第一金属粒子と、（Ｃ）平均粒子径が１μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ融点が３００℃以上である第二金属粒子と、を含有し、前記フラックス組成物が、（Ｄ）活性剤を含有することを特徴とするものである。 In order to solve the above problems, the present invention provides the following conductive composition and method for producing an electronic substrate.
The conductive composition of the present invention contains conductive particles and a flux composition, and the conductive particles contain (A) tin and have a melting point of 130 ° C. or higher and 230 ° C. or lower. And (B) a first metal particle having an average particle diameter of less than 1 μm and a melting point of 300 ° C. or more, and (C) an average particle diameter of 1 μm or more and 20 μm or less and a melting point of 300 ° C. or more. And the second metal particles, wherein the flux composition contains (D) an activator.

本発明の導電性組成物おいては、前記（Ａ）成分が、スズ−銀−銅系またはスズ−ビスマス系のはんだ合金銀粒子であり、かつ、前記（Ａ）成分の平均粒子径が、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
本発明の導電性組成物おいては、前記（Ａ）成分の配合量が、前記導電性粒子１００質量％に対して、２０質量％以上７０質量％以下であることが好ましい。
本発明の導電性組成物おいては、前記（Ｂ）成分の配合量が、前記（Ｂ）成分および前記（Ｃ）成分の合計量１００質量％に対して、５質量％以上５０質量％以下であることが好ましい。
本発明の導電性組成物おいては、前記（Ｃ）成分の形状が、フレーク状であることが好ましい。 In the conductive composition of the present invention, the component (A) is tin-silver-copper or tin-bismuth solder alloy silver particles, and the average particle size of the component (A) is: It is preferable that they are 10 micrometers or more and 30 micrometers or less.
In the electrically conductive composition of this invention, it is preferable that the compounding quantity of the said (A) component is 20 mass% or more and 70 mass% or less with respect to 100 mass% of said electroconductive particles.
In the conductive composition of the present invention, the blending amount of the component (B) is 5% by mass to 50% by mass with respect to 100% by mass of the total amount of the component (B) and the component (C). It is preferable that
In the conductive composition of the present invention, the component (C) preferably has a flake shape.

本発明の電子基板の製造方法は、前記本発明の導電性組成物を用いて電子基板を製造する方法であって、配線基板の電極上に、前記導電性組成物を塗布する塗布工程と、前記導電性組成物上に、電子部品を搭載する搭載工程と、前記（Ａ）成分の融点よりも高い温度で加熱して、前記電極と前記電子部品とを接合する接合工程と、を備えることを特徴とする方法である。   The method for producing an electronic substrate of the present invention is a method for producing an electronic substrate using the conductive composition of the present invention, wherein an application step of applying the conductive composition on an electrode of a wiring board; A mounting step of mounting an electronic component on the conductive composition; and a bonding step of bonding the electrode and the electronic component by heating at a temperature higher than the melting point of the component (A). It is the method characterized by this.

本発明の導電性組成物によれば、高温に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できる理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。
すなわち、本発明の導電性組成物においては、（Ａ）スズを含有し、かつ融点が１３０℃以上２３０℃以下であるはんだ粉末が、電子基板の配線および電子部品の電極だけでなく、（Ｂ）平均粒子径が１μｍ未満であり、かつ融点が３００℃以上である第一金属粒子と、（Ｃ）平均粒子径が１μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ融点が３００℃以上である第二金属粒子とを含めて、はんだ接合を形成する。このはんだ接合により、接合部分の抵抗値を十分に低くできる。また、はんだ接合の際には、はんだと金属との間に、金属間化合物が形成されるが、（Ｂ）成分は平均粒子径が１μｍ未満の微粒子であるため、金属間化合物に取り込まれる。この金属間化合物は、（Ｂ）成分を多く含むものとなるために、その融点が高くなる。そして、電子基板の配線と電子部品の電極との間の少なくとも一部には、融点が３００℃以上である（Ｃ）成分の複数の粒子が、融点が高い金属間化合物を介して接合されている柱状部分が形成される。この柱状部分は、融点が３００℃以上となるので、仮に、３００℃の高温に曝され、柱状部分の周りの（Ａ）成分が溶融しても、柱状部分は溶融せずに、せん断強度を維持できる。以上のようにして、上記本発明の効果が達成されるものと本発明者らは推察する。 According to the conductive composition of the present invention, the reason why a bond having high shear strength can be formed even when exposed to a high temperature is not necessarily clear, but the present inventors speculate as follows.
That is, in the conductive composition of the present invention, (A) a solder powder containing tin and having a melting point of 130 ° C. or higher and 230 ° C. or lower is not limited to the wiring of the electronic substrate and the electrode of the electronic component. ) The first metal particles having an average particle diameter of less than 1 μm and a melting point of 300 ° C. or more; and (C) the second metal particles having an average particle diameter of 1 μm or more and 20 μm or less and a melting point of 300 ° C. or more. And a solder joint is formed. This solder joint can sufficiently reduce the resistance value of the joint portion. In solder joining, an intermetallic compound is formed between the solder and the metal. However, since the component (B) is a fine particle having an average particle diameter of less than 1 μm, it is taken into the intermetallic compound. Since this intermetallic compound contains a large amount of the component (B), its melting point becomes high. A plurality of particles of component (C) having a melting point of 300 ° C. or higher are bonded to at least a part between the wiring of the electronic substrate and the electrode of the electronic component via an intermetallic compound having a high melting point. A columnar portion is formed. Since this columnar part has a melting point of 300 ° C. or higher, even if it is exposed to a high temperature of 300 ° C. and the component (A) around the columnar part melts, the columnar part does not melt, and the shear strength is increased. Can be maintained. As described above, the present inventors speculate that the effects of the present invention are achieved.

本発明によれば、高温に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できる導電性組成物、並びに、それを用いた電子基板の製造方法を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electrically conductive composition which can form the joint which has high shear strength even when exposed to high temperature, and the manufacturing method of an electronic substrate using the same can be provided.

［導電性組成物］
まず、本実施形態の導電性組成物について説明する。本実施形態の導電性組成物は、以下説明する導電性粒子、およびフラックス組成物を含有するものである。また、この導電性粒子は、以下説明する（Ａ）はんだ粉末、（Ｂ）第一金属粒子、および（Ｃ）第二金属粒子を含有する。 [Conductive composition]
First, the conductive composition of this embodiment will be described. The conductive composition of the present embodiment contains conductive particles described below and a flux composition. Moreover, this electroconductive particle contains (A) solder powder demonstrated below, (B) 1st metal particle, and (C) 2nd metal particle.

［（Ａ）成分］
本実施形態に用いる（Ａ）はんだ粉末は、スズを含有し、かつ融点が１３０℃以上２３０℃以下であるはんだ粉末である。このはんだ粉末におけるはんだ合金としては、スズ（Ｓｎ）を主成分とする合金が好ましい。なお、スズを主成分とするとは、（Ａ）成分中のスズの含有量が５０質量％以上（好ましくは、７０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上）であることをいう。また、この合金の第二元素としては、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）およびアンチモン（Ｓｂ）などが挙げられる。さらに、この合金には、必要に応じて他の元素（第三元素以降）を添加してもよい。他の元素としては、銅、銀、ビスマス、インジウム、アンチモン、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）などが挙げられる。
（Ａ）成分は、鉛フリーはんだ粉末であることが好ましい。ここで、鉛フリーはんだ粉末とは、鉛を添加しないはんだ金属または合金の粉末のことをいう。ただし、鉛フリーはんだ粉末中に、不可避的不純物として鉛が存在することは許容されるが、この場合に、鉛の量は、３００質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。 [(A) component]
The solder powder (A) used in this embodiment is a solder powder containing tin and having a melting point of 130 ° C. or higher and 230 ° C. or lower. As the solder alloy in the solder powder, an alloy containing tin (Sn) as a main component is preferable. In addition, having tin as a main component means that the content of tin in the component (A) is 50% by mass or more (preferably 70% by mass or more, more preferably 90% by mass or more). Examples of the second element of the alloy include silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn), bismuth (Bi), indium (In), and antimony (Sb). Furthermore, you may add another element (after 3rd element) to this alloy as needed. Examples of other elements include copper, silver, bismuth, indium, antimony, cobalt (Co), chromium (Cr), nickel (Ni), germanium (Ge), iron (Fe), and aluminum (Al).
The component (A) is preferably a lead-free solder powder. Here, the lead-free solder powder refers to a solder metal or alloy powder to which lead is not added. However, it is allowed that lead is present as an inevitable impurity in the lead-free solder powder, but in this case, the amount of lead is preferably 300 mass ppm or less.

鉛フリーのはんだ粉末としては、具体的には、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ａｌ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ−Ａｌ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ａｇなどが挙げられる。これらの中でも、はんだ接合の強度の観点からは、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ合金が好ましく、特に、９６．５Ｓｎ／３Ａｇ／０．５Ｃｕのはんだ合金が特に好ましい。そして、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだの融点は、通常２００℃以上２３０℃以下である。また、これらの中でも、低融点の観点からは、Ｓｎ−Ｂｉ系のはんだ合金が好ましく、４２Ｓｎ／５８Ｂｉのはんだ合金が特に好ましい。そして、Ｓｎ−Ｂｉ系のはんだの融点は、通常１３０℃以上１７０℃以下である。このような低融点のはんだ粉末を用いる場合、リフロー温度を下げることができるため、ガラス転移温度の低い配線基板にも対応でき、電子部品への熱負荷を軽減できる。   Specific examples of the lead-free solder powder include Sn-Ag, Sn-Ag-Cu, Sn-Cu, Sn-Ag-Bi, Sn-Bi, Sn-Ag-Cu-Bi, Sn-Sb, Sn. -Zn-Bi, Sn-Zn, Sn-Zn-Al, Sn-Zn-Bi-Al, Sn-Ag-Bi-In, Sn-Ag-Cu-Bi-In-Sb, In-Ag, etc. . Among these, from the viewpoint of solder joint strength, a Sn—Ag—Cu based solder alloy is preferable, and a 96.5Sn / 3Ag / 0.5Cu solder alloy is particularly preferable. The melting point of the Sn—Ag—Cu solder is usually 200 ° C. or higher and 230 ° C. or lower. Among these, from the viewpoint of a low melting point, a Sn—Bi solder alloy is preferable, and a 42Sn / 58Bi solder alloy is particularly preferable. The melting point of the Sn—Bi solder is usually 130 ° C. or higher and 170 ° C. or lower. When such a low melting point solder powder is used, the reflow temperature can be lowered, so that it can be applied to a wiring board having a low glass transition temperature, and the thermal load on the electronic component can be reduced.

（Ａ）成分の平均粒子径は、はんだ溶融性の観点から、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましい。なお、平均粒子径は、動的光散乱式の粒子径測定装置により測定できる。   The average particle diameter of the component (A) is preferably 10 μm or more and 30 μm or less, and more preferably 15 μm or more and 25 μm or less from the viewpoint of solder melting property. The average particle size can be measured with a dynamic light scattering type particle size measuring device.

（Ａ）成分の配合量は、導電性粒子１００質量％に対して、３０質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３５質量％以上６５質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以上６０質量％以下であることが特に好ましい。（Ａ）成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ溶融性を更に向上できる。他方、（Ａ）成分の配合量が前記上限以下であれば、高温でのせん断強度を更に向上できる。   The blending amount of the component (A) is preferably 30% by mass or more and 70% by mass or less, more preferably 35% by mass or more and 65% by mass or less, and 40% by mass with respect to 100% by mass of the conductive particles. % To 60% by mass is particularly preferable. If the blending amount of the component (A) is not less than the lower limit, the solder meltability can be further improved. On the other hand, if the blending amount of the component (A) is not more than the above upper limit, the shear strength at high temperature can be further improved.

［（Ｂ）成分］
本実施形態に用いる（Ｂ）第一金属粒子は、平均粒子径が１μｍ未満であり、かつ融点が３００℃以上である金属粒子である。（Ｂ）成分の平均粒子径が１μｍ以上であれば、はんだ接合における金属間化合物中に取り込ませることができない。また、（Ｂ）成分の融点が３００℃未満であれば、高温でのせん断強度が不十分となる。 [Component (B)]
The (B) first metal particles used in the present embodiment are metal particles having an average particle diameter of less than 1 μm and a melting point of 300 ° C. or higher. If the average particle diameter of (B) component is 1 micrometer or more, it cannot be made to take in in the intermetallic compound in solder joining. Moreover, if melting | fusing point of (B) component is less than 300 degreeC, the shear strength in high temperature will become inadequate.

（Ｂ）成分としては、導電性を有する金属粒子であれば、適宜公知のものを用いることができる。（Ｂ）成分としては、銀粒子、銅粒子およびニッケル粒子などが挙げられる。これらの中でも、銀粒子、銅粒子が好ましく、銀粒子がより好ましい。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
（Ｂ）成分の形状は、特に限定されず、球状、フレーク状、針状などが挙げられる。これらの形状の中でも、はんだ接合における金属間化合物中に取り込ませやすくするという観点から、球状であることが好ましい。
（Ｂ）成分の平均粒子径は、はんだ接合における金属間化合物中に取り込ませやすくするという観点から、１０ｎｍ以上９００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることがより好ましい。 (B) As a component, if it is a metal particle which has electroconductivity, a well-known thing can be used suitably. Examples of the component (B) include silver particles, copper particles, and nickel particles. Among these, silver particles and copper particles are preferable, and silver particles are more preferable. These may be used alone or in combination of two or more.
The shape of (B) component is not specifically limited, A spherical shape, flake shape, needle shape, etc. are mentioned. Among these shapes, a spherical shape is preferable from the viewpoint of facilitating incorporation into an intermetallic compound in solder bonding.
The average particle diameter of the component (B) is preferably 10 nm or more and 900 nm or less, and more preferably 100 nm or more and 800 nm or less, from the viewpoint of easy incorporation into the intermetallic compound in solder bonding.

（Ｂ）成分の配合量は、高温でのせん断強度の観点から、導電性粒子１００質量％に対して、３質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、５質量％以上３５質量％以下であることがより好ましく、６質量％以上３０質量％以下であることが特に好ましい。   The blending amount of the component (B) is preferably 3% by mass or more and 40% by mass or less, preferably 5% by mass or more and 35% by mass or less with respect to 100% by mass of the conductive particles from the viewpoint of shear strength at high temperature. More preferably, it is 6 mass% or more and 30 mass% or less.

［（Ｃ）成分］
本実施形態に用いる（Ｃ）第二金属粒子は、平均粒子径が１μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ融点が３００℃以上である金属粒子である。（Ｃ）成分の平均粒子径が１μｍ以上２０μｍ以下であれば、高温でのせん断強度を向上できる。また、（Ｃ）成分の融点が３００℃未満であれば、高温でのせん断強度が不十分となる。 [Component (C)]
The (C) second metal particles used in the present embodiment are metal particles having an average particle diameter of 1 μm or more and 20 μm or less and a melting point of 300 ° C. or more. If the average particle diameter of (C) component is 1 micrometer or more and 20 micrometers or less, the shear strength in high temperature can be improved. Moreover, if melting | fusing point of (C) component is less than 300 degreeC, the shear strength in high temperature will become inadequate.

（Ｃ）成分としては、導電性を有する金属粒子であれば、適宜公知のものを用いることができる。（Ｃ）成分としては、銀粒子、銅粒子およびニッケル粒子などが挙げられる。これらの中でも、銀粒子が好ましい。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
（Ｃ）成分の形状は、特に限定されず、球状、フレーク状、針状などが挙げられる。これらの形状の中でも、高温でのせん断強度の更なる向上の観点から、フレーク状であることが好ましい。
（Ｃ）成分の平均粒子径は、高温でのせん断強度の更なる向上の観点から、２μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上７μｍ以下であることがより好ましい。 (C) As a component, if it is a metal particle which has electroconductivity, a well-known thing can be used suitably. Examples of the component (C) include silver particles, copper particles, and nickel particles. Among these, silver particles are preferable. These may be used alone or in combination of two or more.
The shape of (C) component is not specifically limited, A spherical shape, flake shape, needle shape, etc. are mentioned. Among these shapes, a flake shape is preferable from the viewpoint of further improving the shear strength at high temperature.
The average particle size of the component (C) is preferably 2 μm or more and 15 μm or less, more preferably 2 μm or more and 10 μm or less, and preferably 3 μm or more and 7 μm or less from the viewpoint of further improving the shear strength at high temperature. Is more preferable.

（Ｃ）成分の配合量は、高温でのせん断強度の更なる向上の観点から、導電性粒子１００質量％に対して、１５質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、１７質量％以上５０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上４５質量％以下であることが特に好ましい。   The blending amount of component (C) is preferably 15% by mass or more and 60% by mass or less, and more preferably 17% by mass or more with respect to 100% by mass of the conductive particles, from the viewpoint of further improving the shear strength at high temperature. It is more preferably 50% by mass or less, and particularly preferably 20% by mass or more and 45% by mass or less.

本実施形態の導電性組成物おいて、（Ｂ）成分の配合量が、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分の合計量１００質量％に対して、５質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上４０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以上３０質量％以下であることが特に好ましい。（Ｂ）成分の配合量が前記下限以上であれば、せん断強度を更に向上できる。他方、（Ｂ）成分の配合量が前記上限以下であれば、はんだ溶融性およびせん断強度を更に向上できる。   In the conductive composition of the present embodiment, the blending amount of the component (B) is 5% by mass or more and 50% by mass or less with respect to 100% by mass of the total amount of the component (B) and the component (C). It is more preferable that it is 10 mass% or more and 40 mass% or less, and it is especially preferable that it is 15 mass% or more and 30 mass% or less. (B) If the compounding quantity of a component is more than the said minimum, shear strength can further be improved. On the other hand, if the blending amount of the component (B) is not more than the above upper limit, the solder meltability and the shear strength can be further improved.

［フラックス組成物］
本実施形態の導電性組成物は、以下説明するフラックス組成物と、前記導電性粒子とを含有するものである。また、本実施形態に用いるフラックス組成物は、以下説明する（Ｄ）活性剤を含有するものである。 [Flux composition]
The electrically conductive composition of this embodiment contains the flux composition demonstrated below and the said electroconductive particle. Moreover, the flux composition used for this embodiment contains (D) activator demonstrated below.

フラックス組成物の配合量は、導電性組成物１００質量％に対して、１０質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上４５質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上４０質量％以下であることが特に好ましい。樹脂組成物の配合量が１０質量％未満の場合（導電性粒子の配合量が９０質量％を超える場合）には、バインダーとしてのフラックス組成物が足りないため、フラックス組成物と導電性粒子とを混合しにくくなる傾向にあり、他方、フラックス組成物の配合量が５０質量％を超える場合（導電性粒子の配合量が５０質量％未満の場合）には、得られる導電性組成物を用いた場合に、十分な導電性を得られにくくなる傾向にある。   The blending amount of the flux composition is preferably 10% by mass to 50% by mass, more preferably 15% by mass to 45% by mass, and more preferably 20% by mass with respect to 100% by mass of the conductive composition. % To 40% by mass is particularly preferable. When the blending amount of the resin composition is less than 10% by mass (when the blending amount of the conductive particles exceeds 90% by mass), the flux composition as the binder is insufficient. On the other hand, when the amount of the flux composition exceeds 50% by mass (when the amount of the conductive particles is less than 50% by mass), the obtained conductive composition is used. If there is, it tends to be difficult to obtain sufficient conductivity.

［（Ｄ）成分］
本実施形態に用いる（Ｄ）活性剤としては、有機酸、非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤、およびアミン系活性剤などが挙げられる。これらの活性剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。なお、これらの中でも、環境対策の観点や、はんだ付け部分での腐食を抑制するという観点からは、有機酸、アミン系活性剤（ハロゲンを含有しないもの）を用いることが好ましく、有機酸を用いることがより好ましい。 [(D) component]
Examples of the (D) activator used in this embodiment include organic acids, non-dissociative activators composed of non-dissociable halogenated compounds, and amine-based activators. These activators may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types. Among these, from the viewpoint of environmental measures and from the viewpoint of suppressing corrosion at the soldered portion, it is preferable to use an organic acid or an amine-based activator (one containing no halogen), and an organic acid is used. It is more preferable.

有機酸としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸などの他に、その他の有機酸が挙げられる。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、およびグリコール酸などが挙げられる。
ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、およびジグリコール酸などが挙げられる。
その他の有機酸としては、ダイマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、およびピコリン酸などが挙げられる。 Examples of the organic acid include other organic acids besides monocarboxylic acid and dicarboxylic acid.
Monocarboxylic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthic acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, pentadecylic acid, palmitic acid, margaric acid, stearic acid, tuberculostearic acid Arachidic acid, behenic acid, lignoceric acid, glycolic acid and the like.
Examples of the dicarboxylic acid include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, fumaric acid, maleic acid, tartaric acid, and diglycolic acid.
Examples of other organic acids include dimer acid, levulinic acid, lactic acid, acrylic acid, benzoic acid, salicylic acid, anisic acid, citric acid, and picolinic acid.

非解離型活性剤としては、ハロゲン原子が共有結合により結合した非塩系の有機化合物が挙げられる。このハロゲン化化合物としては、塩素化物、臭素化物、フッ化物のように塩素、臭素、フッ素の各単独元素の共有結合による化合物でもよいが、塩素、臭素およびフッ素の任意の２つまたは全部のそれぞれの共有結合を有する化合物でもよい。これらの化合物は、水性溶媒に対する溶解性を向上させるために、例えばハロゲン化アルコールやハロゲン化カルボキシル化合物のように水酸基やカルボキシル基などの極性基を有することが好ましい。ハロゲン化アルコールとしては、例えば２，３−ジブロモプロパノール、２，３−ジブロモブタンジオール、トランス−２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール、１，４−ジブロモ−２−ブタノール、およびトリブロモネオペンチルアルコールなどの臭素化アルコール、１，３−ジクロロ−２−プロパノール、および１，４−ジクロロ−２−ブタノールなどの塩素化アルコール、３−フルオロカテコールなどのフッ素化アルコール、並びに、その他これらに類する化合物が挙げられる。ハロゲン化カルボキシル化合物としては、２−ヨード安息香酸、３−ヨード安息香酸、２−ヨードプロピオン酸、５−ヨードサリチル酸、および５−ヨードアントラニル酸などのヨウ化カルボキシル化合物、２−クロロ安息香酸、および３−クロロプロピオン酸などの塩化カルボキシル化合物、２，３−ジブロモプロピオン酸、２，３−ジブロモコハク酸、および２−ブロモ安息香酸などの臭素化カルボキシル化合物、並びに、その他これらに類する化合物が挙げられる。   Examples of the non-dissociative activator include non-salt organic compounds in which halogen atoms are bonded by a covalent bond. The halogenated compound may be a compound formed by covalent bonding of chlorine, bromine and fluorine, such as chlorinated, brominated and fluoride, but any two or all of chlorine, bromine and fluorine may be used. The compound which has the following covalent bond may be sufficient. In order to improve the solubility in an aqueous solvent, these compounds preferably have a polar group such as a hydroxyl group or a carboxyl group such as a halogenated alcohol or a halogenated carboxyl compound. Examples of the halogenated alcohol include 2,3-dibromopropanol, 2,3-dibromobutanediol, trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, 1,4-dibromo-2-butanol, And brominated alcohols such as tribromoneopentyl alcohol, chlorinated alcohols such as 1,3-dichloro-2-propanol, and 1,4-dichloro-2-butanol, fluorinated alcohols such as 3-fluorocatechol, and Other compounds similar to these may be mentioned. Examples of the halogenated carboxyl compound include 2-iodobenzoic acid, 3-iodobenzoic acid, 2-iodopropionic acid, 5-iodosalicylic acid, and 5-iodoanthranilic acid, iodinated carboxyl compounds, 2-chlorobenzoic acid, and Examples thereof include carboxylated carboxyl compounds such as 3-chloropropionic acid, brominated carboxyl compounds such as 2,3-dibromopropionic acid, 2,3-dibromosuccinic acid, and 2-bromobenzoic acid, and other similar compounds. .

アミン系活性剤としては、アミン類（エチレンジアミンなどのポリアミンなど）、アミン塩類（トリメチロールアミン、シクロヘキシルアミン、およびジエチルアミンなどのアミン、並びにアミノアルコールなどの有機酸塩または無機酸塩（塩酸、硫酸、および臭化水素酸など））、アミノ酸類（グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、およびバリンなど）、アミド系化合物などが挙げられる。具体的には、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン塩（塩酸塩、コハク酸塩、アジピン酸塩、およびセバシン酸塩など）、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、並びに、これらのアミンの臭化水素酸塩などが挙げられる。   Amine-based activators include amines (such as polyamines such as ethylenediamine), amine salts (amines such as trimethylolamine, cyclohexylamine, and diethylamine), and organic acid salts or inorganic acid salts such as amino alcohols (hydrochloric acid, sulfuric acid, And hydrobromic acid)), amino acids (such as glycine, alanine, aspartic acid, glutamic acid, and valine), amide compounds, and the like. Specifically, diphenylguanidine hydrobromide, cyclohexylamine hydrobromide, diethylamine salts (such as hydrochloride, succinate, adipate, and sebacate), triethanolamine, monoethanolamine, In addition, hydrobromides of these amines can be mentioned.

（Ｄ）成分の配合量としては、フラックス組成物１００質量％に対して、１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、５質量％以上４０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以上３５質量％以下であることが特に好ましい。（Ｄ）成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ付け性を更に向上できる。他方、（Ｄ）成分の配合量が前記上限以下であれば、フラックス残さを十分に抑制できる。   (D) As a compounding quantity of a component, it is preferable that it is 1 to 50 mass% with respect to 100 mass% of flux compositions, and it is more preferable that it is 5 to 40 mass%, 15 It is particularly preferable that the content be not less than 35% by mass and not more than 35% by mass. (D) If the compounding quantity of a component is more than the said minimum, solderability can be improved further. On the other hand, if the blending amount of the component (D) is not more than the above upper limit, the flux residue can be sufficiently suppressed.

［（Ｅ）成分］
本実施形態に用いるフラックス組成物においては、はんだ溶融性などの観点から、さらに（Ｅ）ロジン系樹脂を含有することが好ましい。ここで用いる（Ｅ）ロジン系樹脂としては、ロジン類およびロジン系変性樹脂が挙げられる。ロジン類としては、ガムロジン、ウッドロジンおよびトール油ロジンなどが挙げられる。ロジン系変性樹脂としては、不均化ロジン、重合ロジン、水素添加ロジン（完全水添ロジン、部分水添ロジン、並びに、不飽和有機酸（（メタ）アクリル酸などの脂肪族の不飽和一塩基酸、フマル酸、マレイン酸などのα，β−不飽和カルボン酸などの脂肪族不飽和二塩基酸、桂皮酸などの芳香環を有する不飽和カルボン酸など）の変性ロジンである不飽和有機酸変性ロジンの水素添加物（「水添酸変性ロジン」ともいう））およびこれらの誘導体などが挙げられる。これらのロジン系樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。 [(E) component]
The flux composition used in the present embodiment preferably further contains (E) a rosin resin from the viewpoint of solder meltability and the like. Examples of the (E) rosin resin used here include rosins and rosin modified resins. Examples of rosins include gum rosin, wood rosin and tall oil rosin. Examples of rosin-based modified resins include disproportionated rosin, polymerized rosin, hydrogenated rosin (fully hydrogenated rosin, partially hydrogenated rosin, and unsaturated organic acids (aliphatic unsaturated monobasic such as (meth) acrylic acid). Unsaturated organic acids that are modified rosins of aliphatic unsaturated dibasic acids such as α, β-unsaturated carboxylic acids such as acid, fumaric acid, maleic acid, and unsaturated carboxylic acids having aromatic rings such as cinnamic acid) Examples thereof include hydrogenated products of modified rosin (also referred to as “hydrogenated acid-modified rosin”) and derivatives thereof. These rosin resins may be used alone or in combination of two or more.

（Ｅ）成分を用いる場合、その配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、５質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上３０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以上２０質量％以下であることが特に好ましい。（Ｅ）成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ付ランドの銅箔面の酸化を防止してその表面に溶融はんだを濡れやすくする、いわゆるはんだ付け性を向上できる。他方、（Ｅ）成分の配合量が前記上限以下であれば、フラックス残さ量を十分に抑制できる。   When the component (E) is used, the blending amount is preferably 5% by mass or more and 50% by mass or less, more preferably 10% by mass or more and 30% by mass or less with respect to 100% by mass of the flux composition. It is particularly preferably 15% by mass or more and 20% by mass or less. When the blending amount of the component (E) is equal to or greater than the lower limit, it is possible to improve so-called solderability, which prevents oxidation of the copper foil surface of the soldered land and makes the molten solder wet easily. On the other hand, if the compounding amount of the component (E) is equal to or less than the above upper limit, the flux residual amount can be sufficiently suppressed.

［（Ｆ）成分］
本実施形態に用いるフラックス組成物においては、印刷性などの観点から、さらに（Ｆ）溶剤を含有することが好ましい。ここで用いる（Ｆ）溶剤としては、公知の溶剤を適宜用いることができる。このような溶剤としては、沸点１７０℃以上の溶剤を用いることが好ましい。
このような溶剤としては、例えば、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、ヘキシレングリコール、ヘキシルジグリコール、１,５−ペンタンジオール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、オクタンジオール、フェニルグリコール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、セバシン酸ジイソプロピル、およびマレイン酸ジブチルなどが挙げられる。これらの溶剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。 [(F) component]
The flux composition used in the present embodiment preferably further contains (F) a solvent from the viewpoint of printability. As (F) solvent used here, a well-known solvent can be used suitably. As such a solvent, a solvent having a boiling point of 170 ° C. or higher is preferably used.
Examples of such solvents include diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, hexylene glycol, hexyl diglycol, 1,5-pentanediol, methyl carbitol, butyl carbitol, octane diol, phenyl glycol, diethylene glycol mono Examples include hexyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, diisopropyl sebacate, and dibutyl maleate. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

（Ｆ）成分を用いる場合、その配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、１０質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、２５質量％以上５５質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以上５０質量％以下であることが特に好ましい。溶剤の配合量が前記範囲内であれば、得られる導電性組成物の粘度を適正な範囲に適宜調整できる。   When the component (F) is used, the blending amount is preferably 10% by mass to 60% by mass and more preferably 25% by mass to 55% by mass with respect to 100% by mass of the flux composition. It is particularly preferably 40% by mass or more and 50% by mass or less. If the compounding quantity of a solvent is in the said range, the viscosity of the electrically conductive composition obtained can be suitably adjusted to an appropriate range.

［（Ｇ）成分］
本実施形態に用いるフラックス組成物においては、印刷性などの観点から、さらに（Ｇ）チクソ剤を含有していてもよい。ここで用いる（Ｇ）チクソ剤としては、硬化ひまし油、ポリアミン類、ポリアミド類、ビスアマイド類、ジベンジリデンソルビトール、カオリン、コロイダルシリカ、有機ベントナイト、ガラスフリットなどが挙げられる。これらの中でも、加熱ダレの抑制の観点から、ポリアミド類が好ましい。これらのチクソ剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。 [(G) component]
The flux composition used in the present embodiment may further contain (G) a thixotropic agent from the viewpoint of printability and the like. Examples of the (G) thixotropic agent used herein include hydrogenated castor oil, polyamines, polyamides, bisamides, dibenzylidene sorbitol, kaolin, colloidal silica, organic bentonite, and glass frit. Among these, polyamides are preferable from the viewpoint of suppressing heat sagging. These thixotropic agents may be used alone or in combination of two or more.

（Ｇ）成分を用いる場合、その配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、２質量％以上８質量％以下であることがより好ましい。配合量が前記下限以上であれば、十分なチクソ性が得られ、ダレを十分に抑制できる。また、配合量が前記上限以下であれば、チクソ性が高すぎて、印刷不良となることはない。   When the component (G) is used, the blending amount is preferably 1% by mass to 10% by mass and more preferably 2% by mass to 8% by mass with respect to 100% by mass of the flux composition. preferable. When the blending amount is equal to or more than the lower limit, sufficient thixotropy can be obtained, and sagging can be sufficiently suppressed. If the blending amount is less than or equal to the above upper limit, the thixotropy is too high and printing does not become defective.

［他の成分］
本実施形態に用いるフラックス組成物には、（Ｄ）成分、（Ｅ）成分、（Ｆ）成分および（Ｇ）成分の他に、必要に応じて、その他の添加剤、更には、その他の樹脂を加えることができる。その他の添加剤としては、消泡剤、酸化防止剤、改質剤、つや消し剤、発泡剤、硬化促進剤などが挙げられる。その他の樹脂としては、ポリイミド樹脂などが挙げられる。 [Other ingredients]
In addition to the (D) component, the (E) component, the (F) component, and the (G) component, the flux composition used in the present embodiment includes other additives and other resins as necessary. Can be added. Examples of other additives include antifoaming agents, antioxidants, modifiers, matting agents, foaming agents, and curing accelerators. Examples of other resins include polyimide resins.

［導電性組成物の製造方法］
本実施形態の導電性組成物は、上記説明したフラックス組成物と、上記説明した導電性粒子とを上記所定の割合で配合し、撹拌混合することで製造できる。 [Method for producing conductive composition]
The conductive composition of the present embodiment can be produced by blending the above-described flux composition and the above-described conductive particles at the predetermined ratio and stirring and mixing them.

［電子基板の製造方法］
次に、本実施形態の電子基板の製造方法について説明する。
本実施形態の電子基板の製造方法は、前述した導電性組成物を用いて電子基板を製造する方法であって、以下説明する塗布工程、搭載工程、および接合工程を備える方法である。 [Electronic substrate manufacturing method]
Next, the manufacturing method of the electronic substrate of this embodiment is demonstrated.
The method for manufacturing an electronic substrate according to this embodiment is a method for manufacturing an electronic substrate using the conductive composition described above, and includes a coating step, a mounting step, and a bonding step described below.

塗布工程においては、配線を有する配線基板の電極上に、前記導電性組成物を塗布する。
配線基板は、リジット基板であってもよく、フレキシブル基板であってもよい。また、配線基板は、金属フレームであってもよい。配線基板の基材としては、特に限定されず、公知の基材を適宜用いることができる。
配線の金属としては、銅、銀、および金などが挙げられる。また、配線は、蒸着法、めっき法などで形成できる。
また、塗布装置としては、スクリーン印刷機、メタルマスク印刷機、ディスペンサー、ジェットディスペンサーなどが挙げられる。
塗布膜の厚みは、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以上２００μｍ以下であることが特に好ましい。 In the applying step, the conductive composition is applied onto the electrode of the wiring board having the wiring.
The wiring board may be a rigid board or a flexible board. The wiring board may be a metal frame. The substrate of the wiring board is not particularly limited, and a known substrate can be used as appropriate.
Examples of the metal for the wiring include copper, silver, and gold. Further, the wiring can be formed by vapor deposition, plating, or the like.
Examples of the coating apparatus include a screen printing machine, a metal mask printing machine, a dispenser, and a jet dispenser.
The thickness of the coating film is preferably 10 μm or more and 1000 μm or less, more preferably 30 μm or more and 500 μm or less, and particularly preferably 50 μm or more and 200 μm or less.

搭載工程においては、前記導電性組成物上に、電子部品を搭載する。
電子部品としては、パワー半導体素子、チップ、およびパッケージ部品などが挙げられる。前述の本実施形態の導電性組成物によれば、高温に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できる。そのため、動作温度が高温になるパワー半導体素子であっても、好適に接合できる。
また、搭載装置としては、適宜公知の搭載装置を用いることができる。 In the mounting process, an electronic component is mounted on the conductive composition.
Examples of the electronic component include a power semiconductor element, a chip, and a package component. According to the conductive composition of the present embodiment described above, a bond having high shear strength can be formed even when exposed to high temperatures. Therefore, even a power semiconductor element whose operating temperature is high can be suitably joined.
Moreover, as a mounting apparatus, a well-known mounting apparatus can be used suitably.

接合工程においては、（Ａ）成分の融点よりも高い温度で加熱して、前記電極と前記電子部品とを接合する。
加熱炉としては、公知の加熱炉を適宜用いることができる。
加熱条件としては、加熱温度が、（Ａ）成分の融点よりも高く、かつ３５０℃以下であることが好ましく、（Ａ）成分の融点よりも１℃以上高く、かつ３２０℃以下であることがより好ましく、（Ａ）成分の融点よりも５℃以上高く、かつ３００℃以下であることが特に好ましい。加熱温度が前記範囲内であれば、はんだ接合を形成でき、電子基板に搭載された電子部品への悪影響も少ない。
加熱時間は、１０秒間以上１０分間以下であることが好ましく、２０秒間以上５分間以下であることがより好ましく、３０秒間以上２分間以下であることが特に好ましい。加熱時間が前記範囲内であれば、はんだ接合を形成でき、電子基板に搭載された電子部品への悪影響も少ない。 In the joining step, the electrode and the electronic component are joined by heating at a temperature higher than the melting point of the component (A).
As the heating furnace, a known heating furnace can be appropriately used.
As heating conditions, the heating temperature is preferably higher than the melting point of the component (A) and 350 ° C. or lower, and 1 ° C. or higher and 320 ° C. or lower than the melting point of the component (A). More preferably, it is 5 ° C. or higher and 300 ° C. or lower than the melting point of the component (A). If the heating temperature is within the above range, solder joints can be formed, and there is little adverse effect on electronic components mounted on the electronic substrate.
The heating time is preferably 10 seconds or more and 10 minutes or less, more preferably 20 seconds or more and 5 minutes or less, and particularly preferably 30 seconds or more and 2 minutes or less. If the heating time is within the above range, solder joints can be formed, and there is little adverse effect on electronic components mounted on the electronic substrate.

以上のような本実施形態の電子基板の製造方法によれば、高温に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できる。
なお、本発明の導電性組成物および電子基板の製造方法は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。 According to the electronic substrate manufacturing method of the present embodiment as described above, a bond having high shear strength can be formed even when exposed to high temperatures.
In addition, the manufacturing method of the electrically conductive composition and electronic substrate of this invention is not limited to the said embodiment, The deformation | transformation in the range which can achieve the objective of this invention, improvement, etc. are included in this invention. is there.

次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例および比較例にて用いた材料を以下に示す。
（（Ａ）成分）
はんだ粉末Ａ：粒子径は１０〜３０μｍ（平均粒子径は２０μｍ）、はんだ融点２１７〜２２０℃、はんだ組成は９６．５Ｓｎ／３．０Ａｇ／０．５Ｃｕ
はんだ粉末Ｂ：粒子径は１０〜３０μｍ（平均粒子径は２０μｍ）、はんだの融点は１３９℃、はんだの組成は４２Ｓｎ／５８Ｂｉ
（（Ｂ）成分）
第一金属粒子：銀粉末（球状）、平均粒子径は０．８μｍ、商品名「ＡＧ−２−１Ｃ」、ＤＯＷＡ社製
（（Ｃ）成分）
第二金属粒子Ａ：銀粉末（フレーク状）、平均粒子径は６．８μｍ、商品名「ＡｇＣ−２２４２」、福田金属箔粉工業社製
第二金属粒子Ｂ：銀粉末（フレーク状）、平均粒子径は３．５μｍ、商品名「ＦＡ−８−１」、ＤＯＷＡ社製
第二金属粒子Ｃ：銀粉末（フレーク状）、平均粒子径は４．４μｍ、商品名「ＡｇＣ−Ａ」、福田金属箔粉工業社製
第二金属粒子Ｄ：銀コート銅粉末（銀１０％）、平均粒子径は１５μｍ、商品名「ＡＣＡＸ−２」、三井金属鉱業社製
（（Ｄ）成分）
活性剤Ａ：グルタル酸
活性剤Ｂ：ジグリコール酸
（（Ｅ）成分）
ロジン系樹脂：水添酸変性ロジン、商品名「パインクリスタルＫＥ−６０４」、荒川化学工業社製
（（Ｆ）成分）
溶剤Ａ：ヘキシルジグリコール（ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル）
溶剤Ｂ：セバシン酸ジイソプロピル
（（Ｇ）成分）
チクソ剤：商品名「ゲルオールＤ」、新日本理化社製 EXAMPLES Next, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further in detail, this invention is not limited at all by these examples. In addition, the material used in the Example and the comparative example is shown below.
((A) component)
Solder powder A: particle size is 10-30 μm (average particle size is 20 μm), solder melting point is 217-220 ° C., solder composition is 96.5 Sn / 3.0 Ag / 0.5 Cu
Solder powder B: particle diameter is 10-30 μm (average particle diameter is 20 μm), solder melting point is 139 ° C., solder composition is 42 Sn / 58 Bi
((B) component)
First metal particles: silver powder (spherical), average particle diameter is 0.8 μm, trade name “AG-2-1C”, manufactured by DOWA (component (C))
Second metal particle A: Silver powder (flakes), average particle diameter is 6.8 μm, trade name “AgC-2242”, Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd. second metal particles B: Silver powder (flakes), average Particle size is 3.5 μm, trade name “FA-8-1”, DOWA 2nd metal particle C: silver powder (flakes), average particle size is 4.4 μm, trade name “AgC-A”, Fukuda Second metal particle D manufactured by Metal Foil Powder Industry Co., Ltd .: Silver-coated copper powder (silver 10%), average particle size 15 μm, trade name “ACAX-2”, manufactured by Mitsui Mining & Mining Co., Ltd. (component (D))
Activator A: Glutaric acid Activator B: Diglycolic acid (component (E))
Rosin resin: Hydrogenated acid-modified rosin, trade name “Pine Crystal KE-604”, manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd. (component (F))
Solvent A: hexyl diglycol (diethylene glycol monohexyl ether)
Solvent B: Diisopropyl sebacate (component (G))
Thixo: Brand name “Gelall D”, manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.

［実施例１］
ロジン系樹脂５質量％、活性剤Ａ２質量％、活性剤Ｂ８質量％、溶剤Ａ４質量％、溶剤Ｂ１０質量％、およびチクソ剤１質量％を容器に投入し、プラネタリーミキサーを用いて混合してフラックス組成物を得た。
その後、得られたフラックス組成物１１質量％、はんだ粉末Ａ３０質量％、第一金属粒子１０質量％および第二金属粒子Ａ３０質量％（合計で１００質量％）を容器に投入し、三本ロールにて混合し、分散することで導電性組成物を調製した。
そして、銅板に、電極に対応するパターンを有するマスク（厚み：１００μｍ）を用い、得られた導電性組成物を印刷した。その後、電子部品（銅チップ部品、大きさ：２ｍｍ×２ｍｍ、厚み：０．５ｍｍ）を搭載し、３００℃にて１分間の加熱処理を行い、電子部品を銅板に接合して、評価用基板を作製した。 [Example 1]
Put 5% by mass of rosin resin, 2% by mass of activator A, 8% by mass of activator B, 4% by mass of solvent A, 10% by mass of solvent B, and 1% by mass of thixotropic agent in a container, and mix them using a planetary mixer. A flux composition was obtained.
Thereafter, 11% by mass of the obtained flux composition, 30% by mass of the solder powder A, 10% by mass of the first metal particles, and 30% by mass of the second metal particles A (100% by mass in total) are put into a container, and are put into a three roll. The conductive composition was prepared by mixing and dispersing.
And the obtained electroconductive composition was printed on the copper plate using the mask (thickness: 100 micrometers) which has a pattern corresponding to an electrode. Thereafter, an electronic component (copper chip component, size: 2 mm × 2 mm, thickness: 0.5 mm) is mounted, heat treatment is performed at 300 ° C. for 1 minute, and the electronic component is bonded to a copper plate to be an evaluation substrate. Was made.

［実施例２〜６、並びに、比較例１〜５］
下記表１に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例１と同様にして、導電性組成物を得た。
そして、実施例２〜４および６、並びに、比較例１〜５については、得られた導電性組成物を用いた以外は実施例１と同様にして、電子部品を基板に接合した。
実施例５については、得られた導電性組成物を用い、かつ、加熱処理の条件を１６０℃にて１分間に変更した以外は実施例１と同様にして、電子部品を基板に接合した。 [Examples 2 to 6 and Comparative Examples 1 to 5]
A conductive composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1 below.
And about Examples 2-4 and 6, and Comparative Examples 1-5, it carried out similarly to Example 1 except having used the obtained electroconductive composition, and joined the electronic component to the board | substrate.
For Example 5, the electronic component was bonded to the substrate in the same manner as in Example 1 except that the obtained conductive composition was used and the heat treatment conditions were changed to 160 ° C. for 1 minute.

＜導電性組成物の評価＞
導電性組成物の評価（はんだ溶融性、２５℃におけるせん断強度、２５０℃におけるせん断強度）を以下のような方法で行った。得られた結果を表１に示す。
（１）はんだ溶融性
銅板に、直径０．５ｍｍの円形のパターンを有するマスク（厚み：１００μｍ）を用い、導電性組成物を印刷して、試料を得た。この試料を、窒素雰囲気下にて３００℃で１分間加熱したのち、室温まで冷却し、試料の表面を拡大鏡（倍率：１００倍）で観察した。そして、下記の基準に従って、はんだ接合性を評価した。
○：なめらかな金属光沢が見られるのが、全体の９０％以上の面積である。
△：なめらかな金属光沢が見られるのが、全体の５０％以上９０％未満の面積である。
×：なめらかな金属光沢が見られるのが、全体の５０％未満の面積である。
（２）２５℃におけるせん断強度
評価用基板上のチップ部品をボンドテスター（ノードソン・アドバンスト・テクノロジー社製）で剥離し、その際のせん断強度（単位：Ｎ）を測定した。なお、測定は、室温（２５℃）で行った。そして、下記の基準に従って、２５℃におけるせん断強度を評価した。
○：せん断強度が、１０Ｎ以上である。
△：せん断強度が、１Ｎ以上１０Ｎ未満である。
×：せん断強度が、１Ｎ未満である。
（３）２５０℃におけるせん断強度
評価用基板上のチップ部品を２５０℃に加熱しながら、ボンドテスター（ノードソン・アドバンスト・テクノロジー社製）で剥離し、その際のせん断強度（単位：Ｎ）を測定した。そして、下記の基準に従って、２５０℃におけるせん断強度を評価した。
○：せん断強度が、１０Ｎ以上である。
△：せん断強度が、１Ｎ以上１０Ｎ未満である。
×：せん断強度が、１Ｎ未満である。 <Evaluation of conductive composition>
Evaluation of the conductive composition (solder meltability, shear strength at 25 ° C., shear strength at 250 ° C.) was performed by the following method. The obtained results are shown in Table 1.
(1) Solder meltability Using a mask (thickness: 100 μm) having a circular pattern with a diameter of 0.5 mm on a copper plate, the conductive composition was printed to obtain a sample. The sample was heated at 300 ° C. for 1 minute in a nitrogen atmosphere, then cooled to room temperature, and the surface of the sample was observed with a magnifier (magnification: 100 times). And solderability was evaluated according to the following criteria.
○: A smooth metallic luster is observed in an area of 90% or more of the whole.
Δ: Smooth metallic luster is observed in an area of 50% or more and less than 90% of the whole.
X: A smooth metallic luster is observed in an area of less than 50% of the whole.
(2) Shear strength at 25 ° C. Chip components on the evaluation substrate were peeled off with a bond tester (manufactured by Nordson Advanced Technology), and the shear strength (unit: N) at that time was measured. The measurement was performed at room temperature (25 ° C.). And according to the following reference | standard, the shear strength in 25 degreeC was evaluated.
○: Shear strength is 10N or more.
(Triangle | delta): Shear strength is 1N or more and less than 10N.
X: Shear strength is less than 1N.
(3) Shear strength at 250 ° C. While the chip component on the evaluation substrate is heated to 250 ° C., it is peeled off by a bond tester (manufactured by Nordson Advanced Technology), and the shear strength (unit: N) at that time is measured. did. And according to the following reference | standard, the shear strength in 250 degreeC was evaluated.
○: Shear strength is 10N or more.
(Triangle | delta): Shear strength is 1N or more and less than 10N.
X: Shear strength is less than 1N.

表１に示す結果からも明らかなように、本発明の導電性組成物を用いた場合（実施例１〜６）には、はんだ溶融性、２５℃におけるせん断強度、および２５０℃におけるせん断強度が全て良好であることが分かった。従って、本発明の導電性組成物によれば、高温（２５０℃）に曝された場合でも高いせん断強度を有する接合を形成できることが確認された。   As is apparent from the results shown in Table 1, when the conductive composition of the present invention was used (Examples 1 to 6), the solder meltability, the shear strength at 25 ° C., and the shear strength at 250 ° C. All proved to be good. Therefore, according to the conductive composition of the present invention, it was confirmed that a bond having high shear strength can be formed even when exposed to high temperature (250 ° C.).

本発明の導電性組成物は、電子機器のプリント配線基板などの電子基板に電子部品を実装するための技術として特に好適に用いることができる。   The electrically conductive composition of this invention can be used especially suitably as a technique for mounting an electronic component on electronic boards, such as a printed wiring board of an electronic device.

Claims (6)

導電性粒子と、フラックス組成物と、を含有し、
前記導電性粒子が、（Ａ）スズを含有し、かつ融点が１３０℃以上２３０℃以下であるはんだ粉末と、（Ｂ）平均粒子径が１μｍ未満であり、かつ融点が３００℃以上である第一金属粒子と、（Ｃ）平均粒子径が１μｍ以上２０μｍ以下であり、かつ融点が３００℃以上である第二金属粒子と、を含有し、
前記フラックス組成物が、（Ｄ）活性剤を含有する
ことを特徴とする導電性組成物。 Containing conductive particles and a flux composition;
The conductive particles include (A) a solder powder containing tin and having a melting point of 130 ° C. or higher and 230 ° C. or lower; and (B) an average particle diameter of less than 1 μm and a melting point of 300 ° C. or higher. One metal particle, and (C) a second metal particle having an average particle diameter of 1 μm or more and 20 μm or less and a melting point of 300 ° C. or more,
The said flux composition contains (D) activator. The electroconductive composition characterized by the above-mentioned. 請求項１に記載の導電性組成物において、
前記（Ａ）成分が、スズ−銀−銅系またはスズ−ビスマス系のはんだ合金銀粒子であり、かつ、
前記（Ａ）成分の平均粒子径が、１０μｍ以上３０μｍ以下である
ことを特徴とする導電性組成物。 The conductive composition according to claim 1,
The component (A) is tin-silver-copper-based or tin-bismuth-based solder alloy silver particles, and
The conductive composition, wherein the component (A) has an average particle size of 10 μm or more and 30 μm or less. 請求項１または請求項２に記載の導電性組成物において、
前記（Ａ）成分の配合量が、前記導電性粒子１００質量％に対して、２０質量％以上７０質量％以下である
ことを特徴とする導電性組成物。 In the conductive composition according to claim 1 or 2,
The compounding quantity of the said (A) component is 20 mass% or more and 70 mass% or less with respect to 100 mass% of said electroconductive particles. The electrically conductive composition characterized by the above-mentioned. 請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の導電性組成物において、
前記（Ｂ）成分の配合量が、前記（Ｂ）成分および前記（Ｃ）成分の合計量１００質量％に対して、５質量％以上５０質量％以下である
ことを特徴とする導電性組成物。 In the electroconductive composition of any one of Claims 1-3,
The blending amount of the component (B) is 5% by mass or more and 50% by mass or less with respect to 100% by mass of the total amount of the component (B) and the component (C). . 請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の導電性組成物において、
前記（Ｃ）成分の形状が、フレーク状である
ことを特徴とする導電性組成物。 In the electrically conductive composition of any one of Claims 1-4,
The conductive composition is characterized in that the shape of the component (C) is flaky. 請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の導電性組成物を用いて電子基板を製造する方法であって、
配線基板の電極上に、前記導電性組成物を塗布する塗布工程と、
前記導電性組成物上に、電子部品を搭載する搭載工程と、
前記（Ａ）成分の融点よりも高い温度で加熱して、前記電極と前記電子部品とを接合する接合工程と、を備える
ことを特徴とする電子基板の製造方法。 A method for producing an electronic substrate using the conductive composition according to any one of claims 1 to 5,
An application step of applying the conductive composition on the electrode of the wiring board;
A mounting step of mounting an electronic component on the conductive composition;
A heating step at a temperature higher than the melting point of the component (A), and a bonding step of bonding the electrode and the electronic component.