JP2019163730A - Igniter, and vehicle including igniter - Google Patents

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Abstract

To provide an igniter capable of suppressing malfunction of an ignition confirming portion even when a junction part of a bonding wire and a pad, or the pad itself is deteriorated.SOLUTION: An igniter 1 includes: a switch element 11 having pads 601, 602 and a back electrode 603; a lead 404 on which the switch element 11 is mounted in a state of being brought into contact with the back electrode 603, and which is connected to a primary coil of an ignition coil; a grounded lead 402; a lead 406 separated from the lead 404 and the lead 402; a bonding wire 509 connecting the pad 601 to the lead 406; a bonding wire 508 connecting the lead 406 to the lead 402; and a control circuit 13 driving the switch element 11 on the basis of an ignition instruction signal input from an engine control device, and generating an ignition confirmation signal to be output to the engine control device on the basis of voltage of the lead 406.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本開示は、イグナイタ、および、当該イグナイタを備える車両に関する。   The present disclosure relates to an igniter and a vehicle including the igniter.

従来、エンジンの点火プラグに接続されたイグニッションコイルを制御するためのイグナイタが知られている。特許文献1には、従来のイグナイタの一例が開示されている。同文献に開示されたイグナイタは、ECU(Engine Control Unit)から入力される点火指示信号IGT(Ignition Timing)に応じて、イグニッションコイルを制御する。また、当該イグナイタは、点火確認信号IGF(Ignition Flag)を生成して、ECUに出力する。   Conventionally, an igniter for controlling an ignition coil connected to an ignition plug of an engine is known. Patent Document 1 discloses an example of a conventional igniter. The igniter disclosed in this document controls the ignition coil in accordance with an ignition instruction signal IGT (Ignition Timing) input from an ECU (Engine Control Unit). Further, the igniter generates an ignition confirmation signal IGF (Ignition Flag) and outputs it to the ECU.

図10は、従来のイグナイタ100を示す回路図である。イグナイタ100は、ECU2から点火指示信号IGTを入力され、点火指示信号IGTに応じてイグニッションコイルを制御する。イグナイタ100の駆動部133は、点火指示信号IGTに応じて、スイッチ素子11(たとえばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)である)のゲート電圧を制御することで、スイッチ素子11のオンオフを制御する。スイッチ素子11がオンからオフに切り換わったときに、イグニッションコイルの二次コイルに高電圧が発生し、点火プラグに印加される。   FIG. 10 is a circuit diagram showing a conventional igniter 100. The igniter 100 receives the ignition instruction signal IGT from the ECU 2 and controls the ignition coil in accordance with the ignition instruction signal IGT. The drive unit 133 of the igniter 100 controls on / off of the switch element 11 by controlling a gate voltage of the switch element 11 (for example, an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)) in accordance with the ignition instruction signal IGT. When the switch element 11 is switched from on to off, a high voltage is generated in the secondary coil of the ignition coil and applied to the spark plug.

また、イグナイタ100は、スイッチ素子11に流れる電流Icを検出して、点火の確認を行う点火確認部134を備える。点火確認部134は、電流検出用抵抗12の端子間電圧(検出電圧Vcs)を、基準電圧Vref1,Vref2(>Vref1)と比較することで、点火確認信号IGFを生成して、ECU2に出力する。   The igniter 100 includes an ignition confirmation unit 134 that detects the current Ic flowing through the switch element 11 and confirms ignition. The ignition confirmation unit 134 generates an ignition confirmation signal IGF by comparing the inter-terminal voltage (detection voltage Vcs) of the current detection resistor 12 with the reference voltages Vref1, Vref2 (> Vref1), and outputs the ignition confirmation signal IGF to the ECU 2. .

イグナイタ100は、リードフレームパッケージに収容され、たとえば6ピンのSiP(Single In-Line Package)で構成される。図11は、イグナイタ100の内部構成のレイアウトの一例を示す平面図である。   The igniter 100 is housed in a lead frame package, and is composed of, for example, a 6-pin SiP (Single In-Line Package). FIG. 11 is a plan view showing an example of the layout of the internal configuration of the igniter 100.

スイッチ素子11はリード404に実装され、制御回路13はリード402に実装される。リード402は、接地される。スイッチ素子11のエミッタ電極であるパッド601は、ボンディングワイヤ510によって、リード402に接続される。また、パッド601は、ボンディングワイヤ506によって、制御回路13のセンス入力パッド206に接続される。イグナイタ100は、ボンディングワイヤ510の抵抗成分を電流検出用抵抗12として利用する。電流検出用抵抗12の高電位側の電圧は、ボンディングワイヤ506によって、センス入力パッド206に入力される。したがって、ボンディングワイヤ510とパッド601との接合部分、および、ボンディングワイヤ510の接合点とボンディングワイヤ506の接合点との間のパッド601も、電流検出用抵抗12に含まれる。   The switch element 11 is mounted on the lead 404, and the control circuit 13 is mounted on the lead 402. The lead 402 is grounded. A pad 601 that is an emitter electrode of the switch element 11 is connected to the lead 402 by a bonding wire 510. The pad 601 is connected to the sense input pad 206 of the control circuit 13 by a bonding wire 506. The igniter 100 uses the resistance component of the bonding wire 510 as the current detection resistor 12. The voltage on the high potential side of the current detection resistor 12 is input to the sense input pad 206 by the bonding wire 506. Therefore, the bonding portion between the bonding wire 510 and the pad 601 and the pad 601 between the bonding point of the bonding wire 510 and the bonding point of the bonding wire 506 are also included in the current detection resistor 12.

パワーサイクルによるスイッチ素子11の発熱と冷却の繰り返しによって、ボンディングワイヤの周りの封止樹脂は、膨張と収縮を繰り返す。この応力によって、ボンディングワイヤ510とパッド601との接合部分には、クラックが発生する場合がある。この場合、当該接合部分の抵抗値が高くなり、電流検出用抵抗12の抵抗値が高くなる。これにより、検出電圧Vcsが高くなるので、点火確認部134が誤動作する。また、封止樹脂の膨張と収縮によりパッド601が劣化し、ボンディングワイヤ510の接合点とボンディングワイヤ506の接合点との間のパッド601の抵抗値が変化した場合も同様である。   The sealing resin around the bonding wire repeatedly expands and contracts due to repetition of heat generation and cooling of the switch element 11 due to the power cycle. Due to this stress, a crack may occur at the joint between the bonding wire 510 and the pad 601. In this case, the resistance value of the junction is increased, and the resistance value of the current detection resistor 12 is increased. As a result, the detection voltage Vcs increases, and the ignition confirmation unit 134 malfunctions. The same applies when the pad 601 deteriorates due to expansion and contraction of the sealing resin, and the resistance value of the pad 601 between the bonding point of the bonding wire 510 and the bonding point of the bonding wire 506 changes.

特開2008-2392号公報JP 2008-2392 A

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、ボンディングワイヤとパッドとの接合部分、または、パッド自体が劣化した場合でも、点火確認部の誤動作を抑制できるイグナイタを提供することをその課題とする。   The present disclosure has been conceived under the circumstances described above, and provides an igniter that can suppress malfunction of the ignition confirmation unit even when the bonding portion between the bonding wire and the pad or the pad itself deteriorates. The task is to do.

本開示によって提供されるイグナイタは、入力電極、出力電極および制御電極を有するスイッチ素子と、前記スイッチ素子が前記入力電極を接して実装され、かつ、イグニッションコイルの一次コイルと接続される第1リードと、接地される第2リードと、前記第1リードおよび前記第2リードから隔離された第3リードと、前記出力電極と前記第3リードとを接続する第1ボンディングワイヤと、前記第3リードと前記第2リードとを接続する第2ボンディングワイヤと、エンジン制御装置から入力される点火指示信号に基づいて前記スイッチ素子を駆動させ、前記第3リードの電圧に基づいて前記エンジン制御装置に出力する点火確認信号を生成する制御ICとを備えることを特徴とする。   An igniter provided by the present disclosure includes a switch element having an input electrode, an output electrode, and a control electrode, and a first lead in which the switch element is mounted in contact with the input electrode and connected to a primary coil of an ignition coil A second lead to be grounded, a third lead isolated from the first lead and the second lead, a first bonding wire connecting the output electrode and the third lead, and the third lead And a second bonding wire connecting the second lead and an ignition instruction signal input from the engine control device to drive the switch element and output to the engine control device based on the voltage of the third lead And a control IC for generating an ignition confirmation signal to be performed.

本開示のイグナイタによれば、出力電極と第3リードとが第1ボンディングワイヤで接続され、第3リードと第2リードとが第2ボンディングワイヤで接続され、第3リードの電圧に基づいて点火確認信号が生成される。つまり、第2ボンディングワイヤが電流検出用抵抗として利用される。第3リードおよび第2ボンディングワイヤは、パワーサイクルによる影響を受けにくい。したがって、第1ボンディングワイヤと出力電極との接合部分、または、出力電極自体が劣化した場合でも、点火確認部の誤動作を抑制できる。   According to the igniter of the present disclosure, the output electrode and the third lead are connected by the first bonding wire, the third lead and the second lead are connected by the second bonding wire, and ignition is performed based on the voltage of the third lead. A confirmation signal is generated. That is, the second bonding wire is used as a current detection resistor. The third lead and the second bonding wire are not easily affected by the power cycle. Therefore, even when the joint portion between the first bonding wire and the output electrode or the output electrode itself deteriorates, the malfunction of the ignition confirmation unit can be suppressed.

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present disclosure will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本開示の第1実施形態に係るイグナイタを備える車両の全体構成を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating an overall configuration of a vehicle including an igniter according to a first embodiment of the present disclosure. 図1のイグナイタの点火確認部の内部構成の詳細を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the detail of the internal structure of the ignition confirmation part of the igniter of FIG. コンパレータの構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of a comparator. 図1のイグナイタの制御回路の機能ICのレイアウトの一例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an example of a layout of function ICs of the control circuit of the igniter of FIG. 1. 図4のレイアウトの一部の詳細を示す部分拡大平面図である。FIG. 5 is a partially enlarged plan view showing details of a part of the layout of FIG. 図1のイグナイタの内部構成のレイアウトの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the layout of the internal structure of the igniter of FIG. 図1のイグナイタの製造方法の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the manufacturing method of the igniter of FIG. 図1のイグナイタの製造方法の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the manufacturing method of the igniter of FIG. 本開示の第1実施形態に係るイグナイタの内部構成のレイアウトの一例を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view illustrating an example of a layout of an internal configuration of an igniter according to the first embodiment of the present disclosure. 従来のイグナイタを示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the conventional igniter. 従来のイグナイタの内部構成のレイアウトの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the layout of the internal structure of the conventional igniter.

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present disclosure will be specifically described with reference to the drawings.

<第1実施形態>
図1〜図6は、本開示に係るイグナイタの一例を示している。図1は、本実施形態のイグナイタ1を備える車両Aの全体構成を示すブロック図である。車両Aは、イグナイタ1、ECU2、点火プラグ3、イグニッションコイル4、およびバッテリ5を備える。なお、車両Aはその他の構成も備えるが、図1では省略している。
<First Embodiment>
1 to 6 illustrate an example of an igniter according to the present disclosure. FIG. 1 is a block diagram illustrating an overall configuration of a vehicle A including an igniter 1 according to this embodiment. The vehicle A includes an igniter 1, an ECU 2, a spark plug 3, an ignition coil 4, and a battery 5. Although the vehicle A has other configurations, it is omitted in FIG.

ECU2は、エンジンの運転制御を行うための電子制御ユニットであり、CPUおよびメモリを備えたマイクロコンピュータによって実現されている。ECU2は、点火プラグ3の点火タイミングを指示する点火指示信号IGTを、エンジンの回転に同期した周期的な信号として生成する。ECU2は、点火指示信号IGTをイグナイタ1に出力する。ECU2が、本発明の「エンジン制御装置」に相当する。   The ECU 2 is an electronic control unit for performing engine operation control, and is realized by a microcomputer including a CPU and a memory. The ECU 2 generates an ignition instruction signal IGT for instructing the ignition timing of the spark plug 3 as a periodic signal synchronized with the rotation of the engine. The ECU 2 outputs an ignition instruction signal IGT to the igniter 1. The ECU 2 corresponds to the “engine control device” of the present invention.

イグニッションコイル4は、点火プラグ3を放電させるための高電圧を発生させるものである。イグニッションコイル4は、一次コイル41および二次コイル42を備える。一次コイル41の一方の端子はバッテリ5に接続されており、他方の端子はイグナイタ1の出力端子OUTに接続されている。二次コイル42の一方の端子はバッテリ5に接続されており、他方の端子は点火プラグ3に接続されている。   The ignition coil 4 generates a high voltage for discharging the spark plug 3. The ignition coil 4 includes a primary coil 41 and a secondary coil 42. One terminal of the primary coil 41 is connected to the battery 5, and the other terminal is connected to the output terminal OUT of the igniter 1. One terminal of the secondary coil 42 is connected to the battery 5, and the other terminal is connected to the spark plug 3.

点火プラグ3は、図示しないエンジンの気筒ごとに設けられており、放電により、エンジン内の混合気を爆発させる。   The spark plug 3 is provided for each cylinder of the engine (not shown) and explodes the air-fuel mixture in the engine by electric discharge.

イグナイタ1は、ECU2より入力される点火指示信号IGTに基づいて、点火プラグ3の放電を制御する。具体的には、イグナイタ1は、点火指示信号IGTに基づいて、イグニッションコイル4の一次コイル41に流れる電流Icを制御する。イグナイタ1は、点火指示信号IGTがハイレベルの期間、一次コイル41に電流Icを流す。そして、イグナイタ1は、点火指示信号IGTがハイレベルからローレベルに切り換わるタイミングで、一次コイル41に流れる電流Icを遮断する。これにより、一次コイル41に数百ボルトの逆起電力が発生する。このとき、二次コイル42には、一次側の電圧に巻数比を乗じたたとえば数十kVの高電圧が発生する。点火プラグ3は、二次コイル42から印加される高電圧によって放電する。   The igniter 1 controls the discharge of the spark plug 3 based on the ignition instruction signal IGT input from the ECU 2. Specifically, the igniter 1 controls the current Ic flowing through the primary coil 41 of the ignition coil 4 based on the ignition instruction signal IGT. The igniter 1 causes a current Ic to flow through the primary coil 41 during a period when the ignition instruction signal IGT is at a high level. And the igniter 1 interrupts | blocks the electric current Ic which flows into the primary coil 41 at the timing which the ignition instruction signal IGT switches from a high level to a low level. As a result, a back electromotive force of several hundred volts is generated in the primary coil 41. At this time, the secondary coil 42 generates a high voltage of, for example, several tens of kV, which is obtained by multiplying the primary side voltage by the turn ratio. The spark plug 3 is discharged by the high voltage applied from the secondary coil 42.

イグナイタ1は、電源端子VDD、接地端子GND、入力端子IN、出力端子OUT、フィードバック端子FBを備える。電源端子VDDは、バッテリ5に接続され、電源電圧が供給される。接地端子GNDは接地される。入力端子INは、図示しないハーネスを介してECU2に接続され、ECU2から点火指示信号IGTを入力される。出力端子OUTは、イグニッションコイル4の一次コイル41に接続される。フィードバック端子FBは、ハーネスを介してECU2に接続され、ECU2に点火確認信号IGFを出力する。また、イグナイタ1は、スイッチ素子11、電流検出用抵抗12、および制御回路13を備える。イグナイタ1は、スイッチ素子11、電流検出用抵抗12、および制御回路13をパッケージングした半導体集積回路装置として提供される。   The igniter 1 includes a power supply terminal VDD, a ground terminal GND, an input terminal IN, an output terminal OUT, and a feedback terminal FB. The power supply terminal VDD is connected to the battery 5 and supplied with a power supply voltage. The ground terminal GND is grounded. The input terminal IN is connected to the ECU 2 via a harness (not shown), and an ignition instruction signal IGT is input from the ECU 2. The output terminal OUT is connected to the primary coil 41 of the ignition coil 4. The feedback terminal FB is connected to the ECU 2 via a harness and outputs an ignition confirmation signal IGF to the ECU 2. The igniter 1 includes a switch element 11, a current detection resistor 12, and a control circuit 13. The igniter 1 is provided as a semiconductor integrated circuit device in which a switch element 11, a current detection resistor 12, and a control circuit 13 are packaged.

スイッチ素子11は、たとえばIGBTであり、制御回路13によってオンオフが切り換えられることで、出力端子OUTと接地端子GNDとの導通、非導通を切り換える。スイッチ素子11のコレクタ端子は、出力端子OUTを介して、イグニッションコイル4の一次コイル41に接続される。スイッチ素子11のエミッタ端子は、接地端子GNDを介して接地される。スイッチ素子11のゲート端子は、制御回路13に接続される。スイッチ素子11は、制御回路13からゲート端子に入力されるゲートドライブ信号に応じて、オンオフされる。なお、スイッチ素子11は、IGBTに限定されず、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)などの他のスイッチ素子であってもよい。   The switch element 11 is, for example, an IGBT, and is switched on / off by the control circuit 13 to switch between conduction and non-conduction between the output terminal OUT and the ground terminal GND. The collector terminal of the switch element 11 is connected to the primary coil 41 of the ignition coil 4 via the output terminal OUT. The emitter terminal of the switch element 11 is grounded via the ground terminal GND. The gate terminal of the switch element 11 is connected to the control circuit 13. The switch element 11 is turned on / off in response to a gate drive signal input from the control circuit 13 to the gate terminal. The switch element 11 is not limited to the IGBT, and may be another switch element such as a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).

電流検出用抵抗12は、スイッチ素子11のエミッタ端子と接地端子GNDとの間に接続される抵抗である。なお、図1において抵抗12の接地端子GND側に直列に接続されている抵抗は、後述するリード402(接地端子GNDを有するリード)の寄生抵抗を示している。スイッチ素子11がオン状態のとき、電流検出用抵抗12には、イグニッションコイル4の一次コイル41に流れる電流Icが流れる。したがって、電流検出用抵抗12の端子間には、電流Icに比例した検出電圧Vcsが発生する。電流検出用抵抗12の抵抗値は、例えば数mΩ〜数十mΩ程度である。したがって、電流検出用抵抗12に流れる電流Icが数A〜十数Aであっても、検出電圧Vcsを数mV〜数百mVに抑えられる。本実施形態では、電流検出用抵抗12は、スイッチ素子11のエミッタ端子と接地端子GNDとの間の電流経路に配置されたボンディングワイヤの抵抗成分である。   The current detection resistor 12 is a resistor connected between the emitter terminal of the switch element 11 and the ground terminal GND. In FIG. 1, the resistor connected in series to the ground terminal GND side of the resistor 12 represents a parasitic resistance of a lead 402 (a lead having the ground terminal GND) described later. When the switch element 11 is in the ON state, the current Ic flowing through the primary coil 41 of the ignition coil 4 flows through the current detection resistor 12. Therefore, a detection voltage Vcs proportional to the current Ic is generated between the terminals of the current detection resistor 12. The resistance value of the current detection resistor 12 is, for example, about several mΩ to several tens mΩ. Therefore, even if the current Ic flowing through the current detection resistor 12 is several A to several tens of A, the detection voltage Vcs can be suppressed to several mV to several hundred mV. In the present embodiment, the current detection resistor 12 is a resistance component of a bonding wire disposed in a current path between the emitter terminal of the switch element 11 and the ground terminal GND.

制御回路13は、イグナイタ1を制御するものであり、半導体基板に一体集積化された機能ICである。制御回路13は、ECU2より入力される点火指示信号IGTに基づいて、スイッチ素子11の制御を行う。また、制御回路13は、一次コイル41に流れる電流Icを監視して、点火確認信号IGFを生成し、ECU2に出力する。また、制御回路13は、スイッチ素子11に流れる電流Icを所定の上限値以下に制限する電流制限機能や、点火指示信号IGTがオン時の論理レベルとされたままで所定の待機期間(例えば100ms程度)が経過したときにスイッチ素子11を強制的にオフさせるタイマ保護機能なども備える。制御回路13が、本発明の「制御IC」に相当する。   The control circuit 13 controls the igniter 1 and is a functional IC integrated on a semiconductor substrate. The control circuit 13 controls the switch element 11 based on the ignition instruction signal IGT input from the ECU 2. Further, the control circuit 13 monitors the current Ic flowing through the primary coil 41, generates an ignition confirmation signal IGF, and outputs it to the ECU 2. The control circuit 13 also has a current limiting function for limiting the current Ic flowing through the switch element 11 to a predetermined upper limit value or a predetermined standby period (for example, about 100 ms) while the ignition instruction signal IGT is kept at the logical level at the time of ON. ), A timer protection function for forcibly turning off the switch element 11 is provided. The control circuit 13 corresponds to the “control IC” of the present invention.

制御回路13は、電源パッド201、接地パッド202、入力パッド203、ゲート出力パッド204、フィードバック出力パッド205、センス入力パッド206、およびセンス接地パッド207を備える。電源パッド201は電源端子VDDと接続され、接地パッド202は接地端子GNDと接続される。入力パッド203は入力端子INと接続され、ゲート出力パッド204はスイッチ素子11のゲート端子と接続され、フィードバック出力パッド205はフィードバック端子FBと接続される。センス入力パッド206は、電流検出用抵抗12の高電位側の端子に接続される。センス接地パッド207は、電流検出用抵抗12の低電位側の端子に接続される。また、制御回路13は、駆動部133および点火確認部134を備える。   The control circuit 13 includes a power supply pad 201, a ground pad 202, an input pad 203, a gate output pad 204, a feedback output pad 205, a sense input pad 206, and a sense ground pad 207. The power pad 201 is connected to the power terminal VDD, and the ground pad 202 is connected to the ground terminal GND. The input pad 203 is connected to the input terminal IN, the gate output pad 204 is connected to the gate terminal of the switch element 11, and the feedback output pad 205 is connected to the feedback terminal FB. The sense input pad 206 is connected to a terminal on the high potential side of the current detection resistor 12. The sense ground pad 207 is connected to a terminal on the low potential side of the current detection resistor 12. In addition, the control circuit 13 includes a drive unit 133 and an ignition confirmation unit 134.

駆動部133は、スイッチ素子11の制御を行う。駆動部133は、ECU2より入力される点火指示信号IGTに応じて、スイッチ素子11のゲート端子の電圧を制御することで、スイッチ素子11のオンオフを制御する。駆動部133は、図示しない高周波フィルタ、コンパレータ、遅延回路およびドライバを備える。高周波フィルタは、点火指示信号IGTから高周波ノイズを除去して、コンパレータに出力する。コンパレータは、高周波ノイズを除去された点火指示信号IGTを閾値と比較して、レベル(ハイレベルまたはローレベル)を判定する。コンパレータは、判定結果を判定信号として遅延回路に出力する。遅延回路は、判定信号に所定の遅延を与えて、ドライバに出力する。ドライバは、判定信号に基づいて、スイッチ素子11を駆動できるレベルのゲートドライブ信号を生成して出力する。駆動部133は、点火指示信号IGTがハイレベルの期間、スイッチ素子11をオン状態とし、点火指示信号IGTがローレベルの期間、スイッチ素子11をオフ状態とする。点火指示信号IGTがハイレベルからローレベルに切り換わったときに、スイッチ素子11はオンからオフに切り換わる。これにより、イグニッションコイル4の二次コイル42に高電圧が発生し、当該高電圧が点火プラグ3に印加される。   The drive unit 133 controls the switch element 11. The drive unit 133 controls on / off of the switch element 11 by controlling the voltage of the gate terminal of the switch element 11 in accordance with the ignition instruction signal IGT input from the ECU 2. The drive unit 133 includes a high-frequency filter, a comparator, a delay circuit, and a driver (not shown). The high frequency filter removes high frequency noise from the ignition instruction signal IGT and outputs the result to the comparator. The comparator compares the ignition instruction signal IGT from which high-frequency noise has been removed with a threshold value to determine a level (high level or low level). The comparator outputs the determination result as a determination signal to the delay circuit. The delay circuit gives a predetermined delay to the determination signal and outputs it to the driver. The driver generates and outputs a gate drive signal at a level capable of driving the switch element 11 based on the determination signal. The drive unit 133 turns on the switch element 11 while the ignition instruction signal IGT is at a high level, and turns off the switch element 11 while the ignition instruction signal IGT is at a low level. When the ignition instruction signal IGT is switched from the high level to the low level, the switch element 11 is switched from on to off. Thereby, a high voltage is generated in the secondary coil 42 of the ignition coil 4, and the high voltage is applied to the spark plug 3.

点火確認部134は、一次コイル41に流れる電流Icに基づいて、点火確認信号IGFを生成し、ECU2に出力する。点火確認部134は、電流Icを基準電流Iref1、Iref2(>Iref1)と比較することで、点火確認信号IGFを生成する。実際には、点火確認部134は、電流検出用抵抗12の端子間電圧(検出電圧Vcs)を、基準電流Iref1に対応した基準電圧Vref1、および、基準電流Iref2に対応した基準電圧Vref2(>Vref1)と比較することで、点火確認信号IGFを生成する。点火確認部134は、検出電圧Vcsが基準電圧Vref1と基準電圧Vref2との間の電圧である場合(Vref1<Vc<Vref2)に第1レベル(たとえばローレベル)になり、それ以外の場合(Vc<Vref1、Vref2<Vc)に第2レベル(たとえばハイレベル)になる信号を生成し、点火確認信号IGFとしてECU2に出力する。なお、第1レベルがハイレベルで、第2レベルがローレベルであってもよい。   The ignition confirmation unit 134 generates an ignition confirmation signal IGF based on the current Ic flowing through the primary coil 41 and outputs it to the ECU 2. The ignition confirmation unit 134 generates the ignition confirmation signal IGF by comparing the current Ic with the reference currents Iref1 and Iref2 (> Iref1). Actually, the ignition confirmation unit 134 sets the voltage (detection voltage Vcs) between the terminals of the current detection resistor 12 to the reference voltage Vref1 corresponding to the reference current Iref1 and the reference voltage Vref2 (> Vref1) corresponding to the reference current Iref2. ) To generate an ignition confirmation signal IGF. When the detected voltage Vcs is a voltage between the reference voltage Vref1 and the reference voltage Vref2 (Vref1 <Vc <Vref2), the ignition confirmation unit 134 becomes the first level (for example, low level), and otherwise (Vc A signal that becomes a second level (for example, a high level) is generated at <Vref1, Vref2 <Vc), and is output to the ECU 2 as an ignition confirmation signal IGF. Note that the first level may be a high level and the second level may be a low level.

図2は、点火確認部134の内部構成の詳細を示す回路図である。点火確認部134は、第1比較部110、第2比較部120、第3比較部130、第4比較部140、論理演算部101、および出力トランジスタ102を備える。   FIG. 2 is a circuit diagram showing details of the internal configuration of the ignition confirmation unit 134. The ignition confirmation unit 134 includes a first comparison unit 110, a second comparison unit 120, a third comparison unit 130, a fourth comparison unit 140, a logic operation unit 101, and an output transistor 102.

第1比較部110は、検出電圧Vcsを基準電圧Vref1と比較する。第1比較部110は、コンパレータ111、抵抗R11、コンデンサC11、および抵抗R12,R13を備える。抵抗R11は、基準電圧Vref1を設定するための抵抗である。コンパレータ111は、検出電圧Vcsを基準電圧Vref1と比較する。コンパレータ111の非反転入力端子は、センス入力パッド206に接続される。コンパレータ111の反転入力端子は、抵抗R11を介してセンス接地パッド207に接続される。コンパレータ111の出力端子は、論理演算部101に接続され、検出電圧Vcsと基準電圧Vref1との比較結果を出力する。コンパレータ111は、検出電圧Vcsが基準電圧Vref1より大きいとき(Vcs>Vref1)にハイレベルとなり、検出電圧Vcsが基準電圧Vref1より小さいとき(Vcs<Vref1)にローレベルとなる比較信号S11を出力する。なお、コンパレータ111の具体的な回路構成は限定されない。   The first comparison unit 110 compares the detection voltage Vcs with the reference voltage Vref1. The first comparison unit 110 includes a comparator 111, a resistor R11, a capacitor C11, and resistors R12 and R13. The resistor R11 is a resistor for setting the reference voltage Vref1. The comparator 111 compares the detection voltage Vcs with the reference voltage Vref1. The non-inverting input terminal of the comparator 111 is connected to the sense input pad 206. The inverting input terminal of the comparator 111 is connected to the sense ground pad 207 via the resistor R11. An output terminal of the comparator 111 is connected to the logic operation unit 101, and outputs a comparison result between the detection voltage Vcs and the reference voltage Vref1. The comparator 111 outputs a comparison signal S11 that becomes a high level when the detection voltage Vcs is larger than the reference voltage Vref1 (Vcs> Vref1) and becomes a low level when the detection voltage Vcs is smaller than the reference voltage Vref1 (Vcs <Vref1). . Note that a specific circuit configuration of the comparator 111 is not limited.

図3は、コンパレータ111の構成例を示す回路図である。コンパレータ111は、トランジスタTR1、トランジスタTR2、トランジスタTR3、電流源CS1、電流源CS2、電流源CS3、抵抗R1、および抵抗R2を備える。   FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a configuration example of the comparator 111. The comparator 111 includes a transistor TR1, a transistor TR2, a transistor TR3, a current source CS1, a current source CS2, a current source CS3, a resistor R1, and a resistor R2.

トランジスタTR1およびトランジスタTR2は、NPN型バイポーラトランジスタである。トランジスタTR1のコレクタ端子は抵抗R1を介して電流源CS1に接続され、トランジスタTR2のコレクタ端子は抵抗R2を介して電流源CS2に接続される。トランジスタTR1のベース端子とトランジスタTR2のベース端子とは共通に接続され、トランジスタTR1のコレクタ端子に接続される。トランジスタTR1のエミッタ端子は、反転入力端子(−)に接続される。トランジスタTR2のエミッタ端子は、非反転入力端子(+)に接続される。トランジスタTR1およびトランジスタTR2が、コンパレータ111の差動入力部を構成しており、トランジスタTR1のエミッタ電圧とトランジスタTR2のエミッタ電圧とが比較され、基準電圧Vref1と検出電圧Vcsとの大小関係に応じてトランジスタTR2のコレクタ電圧Vxが変化する。   Transistors TR1 and TR2 are NPN bipolar transistors. The collector terminal of the transistor TR1 is connected to the current source CS1 through the resistor R1, and the collector terminal of the transistor TR2 is connected to the current source CS2 through the resistor R2. The base terminal of the transistor TR1 and the base terminal of the transistor TR2 are connected in common, and are connected to the collector terminal of the transistor TR1. The emitter terminal of the transistor TR1 is connected to the inverting input terminal (−). The emitter terminal of the transistor TR2 is connected to the non-inverting input terminal (+). The transistors TR1 and TR2 constitute a differential input unit of the comparator 111, and the emitter voltage of the transistor TR1 and the emitter voltage of the transistor TR2 are compared, and according to the magnitude relationship between the reference voltage Vref1 and the detection voltage Vcs. The collector voltage Vx of the transistor TR2 changes.

電流源CS3、トランジスタTR3は、エミッタフォロア型の出力段を構成する。トランジスタTR3のコレクタ端子は電流源CS3に接続され、ベース端子はトランジスタTR2のコレクタ端子に接続され、エミッタ端子は接地される。トランジスタTR3は、トランジスタTR2のコレクタ電圧Vxに応じて、コレクタ端子から比較信号S11を出力する。なお、コンパレータ111の具体的な回路は、限定されない。   The current source CS3 and the transistor TR3 constitute an emitter follower type output stage. The collector terminal of the transistor TR3 is connected to the current source CS3, the base terminal is connected to the collector terminal of the transistor TR2, and the emitter terminal is grounded. The transistor TR3 outputs a comparison signal S11 from the collector terminal according to the collector voltage Vx of the transistor TR2. Note that a specific circuit of the comparator 111 is not limited.

コンデンサC11は、コンパレータ111の非反転入力端子と反転入力端子との間に接続される。コンデンサC11の静電容量は、たとえば0.1〜100pF程度である。本実施形態では、コンデンサC11は、0.05〜50pF程度のコンデンサを2個並列接続したものである。なお、コンデンサC11は、コンデンサを3個以上並列接続したものでもよいし、1つのコンデンサでもよい。コンデンサC11は、端子間電圧を平滑化することで、非反転入力端子に入力される電圧(ノイズが重畳された検出電圧Vcs)と反転入力端子に入力される電圧(ノイズが重畳された基準電圧Vref1)との位相差を抑制する。   The capacitor C11 is connected between the non-inverting input terminal and the inverting input terminal of the comparator 111. The capacitance of the capacitor C11 is, for example, about 0.1 to 100 pF. In the present embodiment, the capacitor C11 is a capacitor in which two capacitors of about 0.05 to 50 pF are connected in parallel. The capacitor C11 may be a capacitor in which three or more capacitors are connected in parallel, or a single capacitor. Capacitor C11 smoothes the voltage between the terminals, whereby the voltage input to the non-inverting input terminal (detection voltage Vcs with noise superimposed) and the voltage input to the inverting input terminal (reference voltage with noise superimposed). The phase difference from Vref1) is suppressed.

抵抗R12は、一方の端子がコンパレータ111の非反転入力端子に接続され、他方の端子がセンス入力パッド206に接続される。抵抗R13は、一方の端子が抵抗R11に接続され、他方の端子がセンス接地パッド207に接続される。なお、抵抗R13は、一方の端子がコンパレータ111の反転入力端子に接続され、他方の端子が抵抗R11に接続されてもよい。抵抗R12の抵抗値とR13の抵抗値とは同程度であり、たとえば100Ω〜10kΩ程度である。抵抗R12とコンデンサC11とは、コンパレータ111の非反転入力端子に入力される高周波を除去するRCフィルタを構成する。また、抵抗R13とコンデンサC11とは、コンパレータ111の反転入力端子に入力される高周波を除去するRCフィルタを構成する。コンデンサC11および抵抗R12,R13は、コンパレータ111の各入力端子に入力される高周波ノイズを除去する。コンデンサC11および抵抗R12,R13によって構成されるRCフィルタのカットオフ周波数は、正常動作時の検出電圧Vcsの波形の周波数成分(数十〜数百Hz)より高く、除去すべきノイズの周波数(ラジオ受信障害BCIで1MHz)より低く定められる。したがって、カットオフ周波数は、数百Hz〜数十kHz程度が好適である。抵抗R12の抵抗値とR13の抵抗値とは同程度なので、抵抗R12による電圧降下と抵抗R13による電圧降下とは同程度である。したがって、非反転入力端子に入力される電圧と反転入力端子に入力される電圧とを比較することで、検出電圧Vcsと基準電圧Vref1とを比較できる。   The resistor R12 has one terminal connected to the non-inverting input terminal of the comparator 111 and the other terminal connected to the sense input pad 206. Resistor R13 has one terminal connected to resistor R11 and the other terminal connected to sense ground pad 207. The resistor R13 may have one terminal connected to the inverting input terminal of the comparator 111 and the other terminal connected to the resistor R11. The resistance value of the resistor R12 and the resistance value of R13 are about the same, for example, about 100Ω to 10 kΩ. The resistor R12 and the capacitor C11 constitute an RC filter that removes a high frequency input to the non-inverting input terminal of the comparator 111. Further, the resistor R13 and the capacitor C11 constitute an RC filter that removes a high frequency input to the inverting input terminal of the comparator 111. Capacitor C11 and resistors R12 and R13 remove high frequency noise input to each input terminal of comparator 111. The cutoff frequency of the RC filter constituted by the capacitor C11 and the resistors R12 and R13 is higher than the frequency component (tens to hundreds of Hz) of the waveform of the detection voltage Vcs during normal operation, and the frequency of the noise to be removed (radio The reception failure BCI is set lower than 1 MHz). Therefore, the cut-off frequency is preferably about several hundred Hz to several tens kHz. Since the resistance value of the resistor R12 and the resistance value of R13 are approximately the same, the voltage drop due to the resistor R12 and the voltage drop due to the resistor R13 are approximately the same. Therefore, the detection voltage Vcs and the reference voltage Vref1 can be compared by comparing the voltage input to the non-inverting input terminal and the voltage input to the inverting input terminal.

第2比較部120は、検出電圧Vcsを基準電圧Vref2と比較する。第2比較部120は、コンパレータ121、抵抗R21、コンデンサC21、および抵抗R22,R23を備える。抵抗R21は、基準電圧Vref2を設定するための抵抗である。コンパレータ121は、検出電圧Vcsを基準電圧Vref2と比較する。コンパレータ121の非反転入力端子は、センス入力パッド206に接続される。コンパレータ121の反転入力端子は、抵抗R21を介してセンス接地パッド207に接続される。コンパレータ121の出力端子は、論理演算部101に接続され、検出電圧Vcsと基準電圧Vref2との比較結果を出力する。コンパレータ121は、検出電圧Vcsが基準電圧Vref1より大きいとき(Vcs>Vref2)にハイレベルとなり、検出電圧Vcsが基準電圧Vref2より小さいとき(Vcs<Vref2)にローレベルとなる比較信号S12を出力する。なお、コンパレータ121の具体的な回路構成は限定されない。   The second comparison unit 120 compares the detection voltage Vcs with the reference voltage Vref2. The second comparison unit 120 includes a comparator 121, a resistor R21, a capacitor C21, and resistors R22 and R23. The resistor R21 is a resistor for setting the reference voltage Vref2. The comparator 121 compares the detection voltage Vcs with the reference voltage Vref2. The non-inverting input terminal of the comparator 121 is connected to the sense input pad 206. The inverting input terminal of the comparator 121 is connected to the sense ground pad 207 via the resistor R21. The output terminal of the comparator 121 is connected to the logic operation unit 101 and outputs a comparison result between the detection voltage Vcs and the reference voltage Vref2. The comparator 121 outputs a comparison signal S12 that is at a high level when the detection voltage Vcs is greater than the reference voltage Vref1 (Vcs> Vref2) and that is at a low level when the detection voltage Vcs is less than the reference voltage Vref2 (Vcs <Vref2). . Note that a specific circuit configuration of the comparator 121 is not limited.

コンデンサC21は、コンパレータ121の非反転入力端子と反転入力端子との間に接続される。コンデンサC21は、第1比較部110のコンデンサC11と同様のコンデンサであり、同様の目的で接続される。抵抗R22は、一方の端子がコンパレータ121の非反転入力端子に接続され、他方の端子がセンス入力パッド206に接続される。抵抗R23は、一方の端子が抵抗R21に接続され、他方の端子がセンス接地パッド207に接続される。なお、抵抗R23は、一方の端子がコンパレータ121の反転入力端子に接続され、他方の端子が抵抗R21に接続されてもよい。抵抗R22の抵抗値とR23の抵抗値とは同程度である。抵抗R22,R23は、第1比較部110の抵抗R12,R13と、それぞれ同様の抵抗であり、同様の目的で接続される。   The capacitor C21 is connected between the non-inverting input terminal and the inverting input terminal of the comparator 121. The capacitor C21 is the same capacitor as the capacitor C11 of the first comparison unit 110, and is connected for the same purpose. The resistor R22 has one terminal connected to the non-inverting input terminal of the comparator 121 and the other terminal connected to the sense input pad 206. Resistor R23 has one terminal connected to resistor R21 and the other terminal connected to sense ground pad 207. The resistor R23 may have one terminal connected to the inverting input terminal of the comparator 121 and the other terminal connected to the resistor R21. The resistance value of the resistor R22 and the resistance value of R23 are approximately the same. The resistors R22 and R23 are the same resistors as the resistors R12 and R13 of the first comparison unit 110, respectively, and are connected for the same purpose.

論理演算部101は、第1比較部110より入力される比較信号S11と、第2比較部120より入力される比較信号S12とに基づいて論理演算を行って、演算結果を示す演算結果信号S15を出力する。論理演算部101は、比較信号S11と比較信号S12の反転信号との論理積を演算する。論理演算部101は、比較信号S11および比較信号S12がともにローレベルである場合(Vcs<Vref1)、演算結果信号S15をローレベルとする。また、論理演算部101は、比較信号S11がハイレベルであり、比較信号S12がローレベルである場合(Vref1<Vcs<Vref2)、演算結果信号S15をハイレベルとする。また、論理演算部101は、比較信号S11および比較信号S12がともにハイレベルである場合(Vcs>Vref2)、演算結果信号S15をローレベルとする。つまり、演算結果信号S15は、比較信号S11がハイレベルであり、比較信号S12がローレベルである(Vref1<Vcs<Vref2)期間だけ、ハイレベルになる。なお、論理演算部101は限定されず、比較信号S11、S12および演算結果信号S15のハイレベルとローレベルの組み合わせに応じて設計されていればよい。   The logical operation unit 101 performs a logical operation based on the comparison signal S11 input from the first comparison unit 110 and the comparison signal S12 input from the second comparison unit 120, and an operation result signal S15 indicating the operation result. Is output. The logical operation unit 101 calculates the logical product of the comparison signal S11 and the inverted signal of the comparison signal S12. When both the comparison signal S11 and the comparison signal S12 are at the low level (Vcs <Vref1), the logic operation unit 101 sets the operation result signal S15 to the low level. Further, the logic operation unit 101 sets the operation result signal S15 to the high level when the comparison signal S11 is at the high level and the comparison signal S12 is at the low level (Vref1 <Vcs <Vref2). Further, when both the comparison signal S11 and the comparison signal S12 are at the high level (Vcs> Vref2), the logic operation unit 101 sets the operation result signal S15 to the low level. That is, the calculation result signal S15 is at a high level only during a period in which the comparison signal S11 is at a high level and the comparison signal S12 is at a low level (Vref1 <Vcs <Vref2). The logic operation unit 101 is not limited, and may be designed according to the combination of the high level and the low level of the comparison signals S11 and S12 and the operation result signal S15.

出力トランジスタ102は、オープンドレイン(オープンコレクタ)形式のトランジス
タであり、本実施形態ではたとえばNチャンネルMOSFETである。出力トランジスタ102のドレイン端子は、フィードバック出力パッド205を介して、フィードバック端子FBに接続される。出力トランジスタ102のソース端子は接地される。出力トランジスタ102のゲート端子には論理演算部101から演算結果信号S15が入力される。演算結果信号S15がハイレベルの場合、点火確認信号IGFはローレベルになり、演算結果信号S15がローレベルの場合、点火確認信号IGFはハイレベルになる。フィードバック端子FBは、ハーネスを介してECU2に接続される。ECU2は、フィードバック端子FBから入力される点火確認信号IGFに基づいて、イグナイタ1が正常に動作しているかどうかを検出する。
The output transistor 102 is an open drain (open collector) type transistor, and is, for example, an N-channel MOSFET in this embodiment. The drain terminal of the output transistor 102 is connected to the feedback terminal FB via the feedback output pad 205. The source terminal of the output transistor 102 is grounded. An operation result signal S 15 is input from the logic operation unit 101 to the gate terminal of the output transistor 102. When the calculation result signal S15 is at a high level, the ignition confirmation signal IGF is at a low level, and when the calculation result signal S15 is at a low level, the ignition confirmation signal IGF is at a high level. The feedback terminal FB is connected to the ECU 2 via a harness. The ECU 2 detects whether or not the igniter 1 is operating normally based on the ignition confirmation signal IGF input from the feedback terminal FB.

第3比較部130は、電流Icを第1上限電流Iref3(>Iref2)と比較することで、電流Icが第1上限電流Iref3に達したことを検出する。実際には、第3比較部130は、検出電圧Vcsを、第1上限電流Iref3に対応した基準電圧Vref3(>Vref2)と比較する。第3比較部130は、コンパレータ131、抵抗R31、コンデンサC31、および抵抗R32,R33を備える。抵抗R31は、基準電圧Vref3を設定するための抵抗である。コンパレータ131は、検出電圧Vcsを基準電圧Vref3と比較する。コンパレータ131の非反転入力端子は、センス入力パッド206に接続される。コンパレータ131の反転入力端子は、抵抗R31を介してセンス接地パッド207に接続される。コンパレータ131の出力端子は、駆動部133の図示しない電流制限部に接続され、検出電圧Vcsと基準電圧Vref3との比較結果を出力する。コンパレータ131は、検出電圧Vcsが基準電圧Vref3より大きいとき(Vcs>Vref3)にハイレベルとなり、検出電圧Vcsが基準電圧Vref3より小さいとき(Vcs<Vref3)にローレベルとなる比較信号S13を出力する。なお、コンパレータ131の具体的な回路構成は限定されない。   The third comparison unit 130 detects that the current Ic has reached the first upper limit current Iref3 by comparing the current Ic with the first upper limit current Iref3 (> Iref2). Actually, the third comparison unit 130 compares the detection voltage Vcs with a reference voltage Vref3 (> Vref2) corresponding to the first upper limit current Iref3. The third comparison unit 130 includes a comparator 131, a resistor R31, a capacitor C31, and resistors R32 and R33. The resistor R31 is a resistor for setting the reference voltage Vref3. The comparator 131 compares the detection voltage Vcs with the reference voltage Vref3. The non-inverting input terminal of the comparator 131 is connected to the sense input pad 206. The inverting input terminal of the comparator 131 is connected to the sense ground pad 207 via the resistor R31. The output terminal of the comparator 131 is connected to a current limiting unit (not shown) of the driving unit 133, and outputs a comparison result between the detection voltage Vcs and the reference voltage Vref3. The comparator 131 outputs a comparison signal S13 that is at a high level when the detection voltage Vcs is greater than the reference voltage Vref3 (Vcs> Vref3) and is at a low level when the detection voltage Vcs is less than the reference voltage Vref3 (Vcs <Vref3). . The specific circuit configuration of the comparator 131 is not limited.

コンデンサC31は、コンパレータ131の非反転入力端子と反転入力端子との間に接続される。コンデンサC31は、第1比較部110のコンデンサC11と同様のコンデンサであり、同様の目的で接続される。抵抗R32は、一方の端子がコンパレータ131の非反転入力端子に接続され、他方の端子がセンス入力パッド206に接続される。抵抗R33は、一方の端子が抵抗R31に接続され、他方の端子がセンス接地パッド207に接続される。なお、抵抗R33は、一方の端子がコンパレータ131の反転入力端子に接続され、他方の端子が抵抗R31に接続されてもよい。抵抗R32の抵抗値とR33の抵抗値とは同程度である。抵抗R32,R33は、第1比較部110の抵抗R12,R13と、それぞれ同様の抵抗であり、同様の目的で接続される。   The capacitor C31 is connected between the non-inverting input terminal and the inverting input terminal of the comparator 131. The capacitor C31 is the same capacitor as the capacitor C11 of the first comparison unit 110, and is connected for the same purpose. The resistor R32 has one terminal connected to the non-inverting input terminal of the comparator 131 and the other terminal connected to the sense input pad 206. Resistor R33 has one terminal connected to resistor R31 and the other terminal connected to sense ground pad 207. The resistor R33 may have one terminal connected to the inverting input terminal of the comparator 131 and the other terminal connected to the resistor R31. The resistance value of the resistor R32 and the resistance value of R33 are approximately the same. The resistors R32 and R33 are respectively the same resistors as the resistors R12 and R13 of the first comparison unit 110, and are connected for the same purpose.

第4比較部140は、電流Icを第2上限電流Iref4(<Iref3)と比較することで、電流Icが第2上限電流Iref4に達したことを検出する。実際には、第4比較部140は、検出電圧Vcsを、第2上限電流Iref4に対応した基準電圧Vref4(<Vref3)と比較する。第4比較部140は、コンパレータ141、抵抗R41、コンデンサC41、および抵抗R42,R43を備える。抵抗R41は、基準電圧Vref4を設定するための抵抗である。コンパレータ141は、検出電圧Vcsを基準電圧Vref4と比較する。コンパレータ141の非反転入力端子は、センス入力パッド206に接続される。コンパレータ141の反転入力端子は、抵抗R41を介してセンス接地パッド207に接続される。コンパレータ141の出力端子は、駆動部133の図示しない電流制限部に接続され、検出電圧Vcsと基準電圧Vref4との比較結果を出力する。コンパレータ141は、検出電圧Vcsが基準電圧Vref4より大きいとき(Vcs>Vref4)にハイレベルとなり、検出電圧Vcsが基準電圧Vref4より小さいとき(Vcs<Vref4)にローレベルとなる比較信号S14を出力する。なお、コンパレータ141の具体的な回路構成は限定されない。   The fourth comparison unit 140 detects that the current Ic has reached the second upper limit current Iref4 by comparing the current Ic with the second upper limit current Iref4 (<Iref3). Actually, the fourth comparison unit 140 compares the detection voltage Vcs with a reference voltage Vref4 (<Vref3) corresponding to the second upper limit current Iref4. The fourth comparison unit 140 includes a comparator 141, a resistor R41, a capacitor C41, and resistors R42 and R43. The resistor R41 is a resistor for setting the reference voltage Vref4. The comparator 141 compares the detection voltage Vcs with the reference voltage Vref4. The non-inverting input terminal of the comparator 141 is connected to the sense input pad 206. The inverting input terminal of the comparator 141 is connected to the sense ground pad 207 via the resistor R41. The output terminal of the comparator 141 is connected to a current limiting unit (not shown) of the driving unit 133, and outputs a comparison result between the detection voltage Vcs and the reference voltage Vref4. The comparator 141 outputs a comparison signal S14 that is at a high level when the detection voltage Vcs is greater than the reference voltage Vref4 (Vcs> Vref4) and that is at a low level when the detection voltage Vcs is less than the reference voltage Vref4 (Vcs <Vref4). . Note that the specific circuit configuration of the comparator 141 is not limited.

コンデンサC41は、コンパレータ141の非反転入力端子と反転入力端子との間に接続される。コンデンサC41は、第1比較部110のコンデンサC11と同様のコンデンサであり、同様の目的で接続される。抵抗R42は、一方の端子がコンパレータ141の非反転入力端子に接続され、他方の端子がセンス入力パッド206に接続される。抵抗R43は、一方の端子が抵抗R41に接続され、他方の端子がセンス接地パッド207に接続される。なお、抵抗R43は、一方の端子がコンパレータ141の反転入力端子に接続され、他方の端子が抵抗R41に接続されてもよい。抵抗R42の抵抗値とR43の抵抗値とは同程度である。抵抗R42,R43は、第1比較部110の抵抗R12,R13と、それぞれ同様の抵抗であり、同様の目的で接続される。   The capacitor C41 is connected between the non-inverting input terminal and the inverting input terminal of the comparator 141. The capacitor C41 is a capacitor similar to the capacitor C11 of the first comparison unit 110, and is connected for the same purpose. The resistor R42 has one terminal connected to the non-inverting input terminal of the comparator 141 and the other terminal connected to the sense input pad 206. The resistor R43 has one terminal connected to the resistor R41 and the other terminal connected to the sense ground pad 207. The resistor R43 may have one terminal connected to the inverting input terminal of the comparator 141 and the other terminal connected to the resistor R41. The resistance value of the resistor R42 and the resistance value of R43 are approximately the same. The resistors R42 and R43 are respectively the same resistors as the resistors R12 and R13 of the first comparison unit 110, and are connected for the same purpose.

駆動部133の電流制限部は、第3比較部130より入力される比較信号S13、および、第4比較部140より入力される比較信号S14に基づいて、スイッチ素子11のゲート端子のオン期間中の電圧を制限する。これにより、スイッチ素子11を流れる電流Icが制限される。電流制限部は、比較信号S13がハイレベルのときにスイッチ素子11のゲート端子のオン期間中の電圧を制限することで、電流Icを第1上限電流Iref3に制限する。また、電流制限部は、スイッチ素子11のオン状態が所定時間継続した場合は、比較信号S14に基づいて(比較信号S14がハイレベルのときに)、スイッチ素子11のゲート端子のオン期間中の電圧を制限することで、電流Icを第2上限電流Iref4に制限する。   Based on the comparison signal S13 input from the third comparison unit 130 and the comparison signal S14 input from the fourth comparison unit 140, the current limiting unit of the drive unit 133 is in the ON period of the gate terminal of the switch element 11. Limit the voltage. Thereby, the current Ic flowing through the switch element 11 is limited. The current limiting unit limits the current Ic to the first upper limit current Iref3 by limiting the voltage during the ON period of the gate terminal of the switch element 11 when the comparison signal S13 is at a high level. In addition, the current limiting unit is configured to switch the gate terminal of the switch element 11 during the ON period based on the comparison signal S14 (when the comparison signal S14 is at a high level) when the switch element 11 remains on for a predetermined time. By limiting the voltage, the current Ic is limited to the second upper limit current Iref4.

なお、点火確認部134は、第1比較部110、第2比較部120、第3比較部130、および第4比較部140以外に、同様の比較部を備えてもよい。すなわち、制御回路13は、検出電圧Vcsを所定の基準電圧と比較することで、スイッチ素子11を流れる電流Icを所定の基準電流と比較し、その比較結果信号を様々な制御に用いてもよい。   The ignition confirmation unit 134 may include a similar comparison unit in addition to the first comparison unit 110, the second comparison unit 120, the third comparison unit 130, and the fourth comparison unit 140. That is, the control circuit 13 may compare the detection voltage Vcs with a predetermined reference voltage to compare the current Ic flowing through the switch element 11 with the predetermined reference current, and use the comparison result signal for various controls. .

図4は、制御回路13の機能ICのレイアウトの一例を示す平面図である。制御回路13は、半導体基板200を備える。制御回路13の電源パッド201、接地パッド202、入力パッド203、ゲート出力パッド204、フィードバック出力パッド205、センス入力パッド206、およびセンス接地パッド207は、半導体基板200上に配置されている。また、制御回路13の駆動部133および点火確認部134を構成する各機能素子は、半導体基板200に形成されている。図4においては、半導体基板200の厚さ方向(平面視方向)をz方向(z1−z2方向)とし、z方向に直交する半導体基板200の一方の辺に沿う方向(図4における左右方向)をx方向(x1−x2方向)、z方向およびx方向に直交する方向(図4における上下方向)をy方向(y1―y2方向)として説明する(図5においても同様)。x方向が本発明の「第1方向」に相当し、y方向が本発明の「第2方向」に相当する。   FIG. 4 is a plan view showing an example of the layout of the functional IC of the control circuit 13. The control circuit 13 includes a semiconductor substrate 200. The power supply pad 201, the ground pad 202, the input pad 203, the gate output pad 204, the feedback output pad 205, the sense input pad 206, and the sense ground pad 207 of the control circuit 13 are disposed on the semiconductor substrate 200. In addition, each functional element constituting the drive unit 133 and the ignition confirmation unit 134 of the control circuit 13 is formed on the semiconductor substrate 200. In FIG. 4, the thickness direction (plan view direction) of the semiconductor substrate 200 is the z direction (z1-z2 direction), and the direction along one side of the semiconductor substrate 200 orthogonal to the z direction (the left-right direction in FIG. 4). Is assumed to be the x direction (x1-x2 direction), and the z direction and the direction (vertical direction in FIG. 4) perpendicular to the x direction are assumed to be the y direction (y1-y2 direction) (the same applies to FIG. 5). The x direction corresponds to the “first direction” of the present invention, and the y direction corresponds to the “second direction” of the present invention.

電源パッド201、センス入力パッド206およびセンス接地パッド207は、半導体基板200のy1方向の端部に配置されている。電源パッド201は、x2方向の端部に配置されており、x方向の寸法がy方向の寸法より長い。センス入力パッド206は、x1方向の端部付近に配置されており、y方向の寸法y6がx方向の寸法x6より長い。センス接地パッド207は、x方向の中央付近に配置されており、y方向の寸法y7がx方向の寸法x7より長い。センス入力パッド206およびセンス接地パッド207が、それぞれ、本発明の「第1パッド」及び「第2パッド」に相当する。接地パッド202、入力パッド203およびフィードバック出力パッド205は、半導体基板200のy2方向の端部に配置されている。接地パッド202は、x2方向の端部に配置されており、y方向の寸法がx方向の寸法より長い。入力パッド203は、x1方向の端部付近に配置されており、y方向の寸法がx方向の寸法より長い。フィードバック出力パッド205は、x方向の中央付近に配置されており、y方向の寸法がx方向の寸法より長い。ゲート出力パッド204は、センス入力パッド206のy2側のx1方向の端部に配置されており、x方向の寸法がy方向の寸法より長い。各パッド201〜207の形状は、ボンディングワイヤをボンディングする方向に合わせた形状になっている。   The power supply pad 201, the sense input pad 206, and the sense ground pad 207 are disposed at the end of the semiconductor substrate 200 in the y1 direction. The power supply pad 201 is disposed at the end in the x2 direction, and the dimension in the x direction is longer than the dimension in the y direction. The sense input pad 206 is disposed near the end in the x1 direction, and the dimension y6 in the y direction is longer than the dimension x6 in the x direction. The sense ground pad 207 is disposed near the center in the x direction, and the dimension y7 in the y direction is longer than the dimension x7 in the x direction. The sense input pad 206 and the sense ground pad 207 correspond to the “first pad” and the “second pad” of the present invention, respectively. The ground pad 202, the input pad 203, and the feedback output pad 205 are disposed at the end of the semiconductor substrate 200 in the y2 direction. The ground pad 202 is disposed at the end in the x2 direction, and the dimension in the y direction is longer than the dimension in the x direction. The input pad 203 is arranged near the end in the x1 direction, and the dimension in the y direction is longer than the dimension in the x direction. The feedback output pad 205 is disposed near the center in the x direction, and the dimension in the y direction is longer than the dimension in the x direction. The gate output pad 204 is disposed at the end of the sense input pad 206 in the x1 direction on the y2 side, and the dimension in the x direction is longer than the dimension in the y direction. Each of the pads 201 to 207 has a shape that matches the bonding wire bonding direction.

制御回路13は、半導体基板200上に、領域310,321,322,323,331,332,333,334,335,341,342,351,361を含んでいる。   The control circuit 13 includes regions 310, 321, 322, 323, 331, 332, 333, 334, 335, 341, 342, 351, and 361 on the semiconductor substrate 200.

領域310は、点火確認部134のうち、第1比較部110、第2比較部120、第3比較部130、第4比較部140を構成する各機能素子が形成される領域である。領域310は、センス入力パッド206およびセンス接地パッド207の近くに配置されている。領域310は、x方向において、センス入力パッド206とセンス接地パッド207との間に位置する。また、領域310は、y方向において、センス入力パッド206およびセンス接地パッド207に隣接している。領域310は、全体が、半導体基板200のy方向中央よりセンス入力パッド206およびセンス接地パッド207側(y1方向側)に位置している。領域310がセンス入力パッド206およびセンス接地パッド207の近くに配置されているので、たとえば第1比較部110において、センス入力パッド206から抵抗R12までの配線、および、センス接地パッド207から抵抗R13までの配線を短くすることができる。第2比較部120、第3比較部130および第4比較部140においても同様である。   The region 310 is a region where the functional elements constituting the first comparison unit 110, the second comparison unit 120, the third comparison unit 130, and the fourth comparison unit 140 are formed in the ignition confirmation unit 134. Region 310 is located near sense input pad 206 and sense ground pad 207. Region 310 is located between sense input pad 206 and sense ground pad 207 in the x direction. The region 310 is adjacent to the sense input pad 206 and the sense ground pad 207 in the y direction. The region 310 is entirely located on the sense input pad 206 and sense ground pad 207 side (y1 direction side) from the center of the semiconductor substrate 200 in the y direction. Since region 310 is arranged near sense input pad 206 and sense ground pad 207, for example, in first comparison unit 110, wiring from sense input pad 206 to resistor R12 and from sense ground pad 207 to resistor R13 Can be shortened. The same applies to the second comparison unit 120, the third comparison unit 130, and the fourth comparison unit 140.

図5は、領域310の詳細を示す部分拡大平面図である。領域310は、領域311、領域312、領域313、領域314および領域315を含んでいる。   FIG. 5 is a partially enlarged plan view showing details of the region 310. The region 310 includes a region 311, a region 312, a region 313, a region 314, and a region 315.

領域311は、抵抗R12,R13,R22,R23,R32,R33,R42,R43が形成される領域である。領域311内において、抵抗R12と抵抗R13とは隣接して配置され、抵抗R22と抵抗R23とは隣接して配置され、抵抗R32と抵抗R33とは隣接して配置され、抵抗R42と抵抗R43とは隣接して配置されている。領域311は、領域310において、x1方向端部に配置されている。図4に示すように、領域311は、センス入力パッド206およびセンス接地パッド207から等距離に位置する。より具体的には、領域311のx方向における中心位置は、x方向において、センス入力パッド206のx2方向端縁およびセンス接地パッド207のx1方向端縁から等距離にある。つまり、領域311は、x方向において、センス入力パッド206とセンス接地パッド207との中間に位置する。したがって、たとえば第1比較部110において、センス入力パッド206から抵抗R12までの配線と、センス接地パッド207から抵抗R13までの配線とを、同程度の長さにすることができる。第2比較部120、第3比較部130および第4比較部140においても同様である。   Region 311 is a region where resistors R12, R13, R22, R23, R32, R33, R42, and R43 are formed. Within the region 311, the resistor R12 and the resistor R13 are disposed adjacent to each other, the resistor R22 and the resistor R23 are disposed adjacent to each other, the resistor R32 and the resistor R33 are disposed adjacent to each other, the resistor R42 and the resistor R43, Are arranged adjacent to each other. The region 311 is disposed at the end in the x1 direction in the region 310. As shown in FIG. 4, the region 311 is located at an equal distance from the sense input pad 206 and the sense ground pad 207. More specifically, the center position in the x direction of the region 311 is equidistant from the x2 direction edge of the sense input pad 206 and the x1 direction edge of the sense ground pad 207 in the x direction. That is, the region 311 is located between the sense input pad 206 and the sense ground pad 207 in the x direction. Therefore, for example, in the first comparison unit 110, the wiring from the sense input pad 206 to the resistor R12 and the wiring from the sense ground pad 207 to the resistor R13 can be set to the same length. The same applies to the second comparison unit 120, the third comparison unit 130, and the fourth comparison unit 140.

領域312は、コンデンサC11,C21,C31,C41が形成される領域である。領域312は、領域311に隣接して、x2方向側に配置されている。上述したように、コンデンサC11,C21,C31,C41はそれぞれ2個のコンデンサを並列接続したものであり、領域312には8個のコンデンサが形成されている。領域312が領域311に隣接しているので、たとえば第1比較部110において、コンデンサC11と抵抗R12とを接続する配線を短くすることができる。また、抵抗R13が抵抗R11よりコンパレータ111側に配置されている場合には、コンデンサC11と抵抗R13とを接続する配線を短くすることができる。第2比較部120、第3比較部130および第4比較部140においても同様である。   A region 312 is a region where capacitors C11, C21, C31, and C41 are formed. The region 312 is disposed adjacent to the region 311 on the x2 direction side. As described above, each of the capacitors C11, C21, C31, and C41 is formed by connecting two capacitors in parallel, and eight capacitors are formed in the region 312. Since the region 312 is adjacent to the region 311, for example, in the first comparison unit 110, the wiring connecting the capacitor C11 and the resistor R12 can be shortened. Further, when the resistor R13 is disposed closer to the comparator 111 than the resistor R11, the wiring connecting the capacitor C11 and the resistor R13 can be shortened. The same applies to the second comparison unit 120, the third comparison unit 130, and the fourth comparison unit 140.

領域313は、コンパレータ111,121,131,141に含まれる、差動入力部のそれぞれ2個のトランジスタ(図3におけるトランジスタTR1,TR2)が形成される領域である。領域313は、領域312に隣接して、x2方向側に配置されている。領域313には8個のトランジスタが形成されている。領域313が領域312に隣接しているので、たとえば第1比較部110において、コンパレータ111とコンデンサC11とを接続する配線を短くすることができる。第2比較部120、第3比較部130および第4比較部140においても同様である。また、領域313は領域311の近くに配置されている。したがって、たとえば第1比較部110において、コンパレータ111と抵抗R12とを接続する配線を短くすることができる。また、抵抗R13が抵抗R11よりコンパレータ111側に配置されている場合には、コンパレータ111と抵抗R13とを接続する配線を短くすることができる。第2比較部120、第3比較部130および第4比較部140においても同様である。   A region 313 is a region where two transistors (transistors TR1 and TR2 in FIG. 3) included in the comparators 111, 121, 131, and 141 are formed. The region 313 is disposed adjacent to the region 312 on the x2 direction side. In the region 313, eight transistors are formed. Since the region 313 is adjacent to the region 312, for example, in the first comparison unit 110, the wiring connecting the comparator 111 and the capacitor C11 can be shortened. The same applies to the second comparison unit 120, the third comparison unit 130, and the fourth comparison unit 140. The region 313 is disposed near the region 311. Therefore, for example, in the first comparison unit 110, the wiring connecting the comparator 111 and the resistor R12 can be shortened. In addition, when the resistor R13 is disposed closer to the comparator 111 than the resistor R11, the wiring connecting the comparator 111 and the resistor R13 can be shortened. The same applies to the second comparison unit 120, the third comparison unit 130, and the fourth comparison unit 140.

領域314は、コンパレータ111,121,131,141に含まれる、保護用のダイオード(図3では省略)が形成される領域である。領域314は、領域313に隣接して、x2方向側に配置されている。領域314には4個のダイオードが形成されている。本実施形態では、領域314のy1方向端部に2個のダイオードが形成され、y2方向端部に2個のダイオードが形成されている。また、領域314は、y方向の中央に、機能素子が形成されない領域314aを含んでいる。   The region 314 is a region where a protection diode (not shown in FIG. 3) included in the comparators 111, 121, 131, and 141 is formed. The region 314 is disposed adjacent to the region 313 on the x2 direction side. In the region 314, four diodes are formed. In the present embodiment, two diodes are formed at the end of the region 314 in the y1 direction, and two diodes are formed at the end of the y2 direction. The region 314 includes a region 314a where no functional element is formed at the center in the y direction.

領域315は、コンパレータ111,121,131,141に含まれる、センス入力パッド206およびセンス接地パッド207からの外来サージ電流を制限するための抵抗(図3における抵抗R1,R2)が形成される領域である。領域315は、領域314に隣接して、x2方向側に配置されている。領域315には、抵抗値の異なる複数の抵抗が互いに並列接続されて、コンパレータ毎に形成されている。並列接続された複数の抵抗のうちの1つの抵抗だけが実際に用いられる。その他の抵抗は、配線が切断されて機能しないようになる。領域314aは、この切断作業を行うときの邪魔にならないように、機能素子が形成されていない。   Region 315 is a region where resistors (resistors R1 and R2 in FIG. 3) included in comparators 111, 121, 131, and 141 for limiting an external surge current from sense input pad 206 and sense ground pad 207 are formed. It is. The region 315 is disposed adjacent to the region 314 on the x2 direction side. In the region 315, a plurality of resistors having different resistance values are connected in parallel to each other and formed for each comparator. Only one resistor of a plurality of resistors connected in parallel is actually used. Other resistors will not function because the wiring is cut. In the region 314a, no functional element is formed so as not to interfere with the cutting operation.

領域311に形成される抵抗R12,R13,R22,R23,R32,R33,R42,R43は、ノイズを消費することで熱を発生させやすい。また、領域310に形成される第1比較部110、第2比較部120、第3比較部130および第4比較部140は、外部ノイズを受けやすい。したがって、本実施形態では、これらの熱および外部ノイズが他の領域に形成された機能素子に及ぼす影響を抑制するため、領域310は、半導体基板200上の中央で他の領域に囲まれる位置ではなく、半導体基板200上のできるだけ周縁部に近い位置に配置される。   The resistors R12, R13, R22, R23, R32, R33, R42, and R43 formed in the region 311 easily generate heat by consuming noise. In addition, the first comparison unit 110, the second comparison unit 120, the third comparison unit 130, and the fourth comparison unit 140 formed in the region 310 are susceptible to external noise. Therefore, in this embodiment, in order to suppress the influence of these heat and external noise on the functional elements formed in other regions, the region 310 is located at a position surrounded by the other regions at the center on the semiconductor substrate 200. Instead, the semiconductor substrate 200 is disposed as close to the peripheral edge as possible.

図4に戻って、領域321は、各コンパレータが検出電圧Vcsと比較するための基準電圧を設定する抵抗R11,R21,R31,R41が形成される領域である。これらの抵抗は、基準電圧の調整のために、レーザトリミングによる抵抗値の調整が可能である。領域321は、領域310に隣接して、x2方向側に配置されている。領域322は、点火確認部134のうち、論理演算部101および出力トランジスタ102などが形成される領域である。領域323は、フィードバック出力パッド205から入力されるサージやノイズから制御回路13を保護するための保護回路が形成される領域である。   Returning to FIG. 4, a region 321 is a region where resistors R11, R21, R31, and R41 for setting a reference voltage for each comparator to compare with the detection voltage Vcs are formed. The resistance values of these resistors can be adjusted by laser trimming to adjust the reference voltage. The region 321 is disposed adjacent to the region 310 on the x2 direction side. The region 322 is a region in the ignition confirmation unit 134 where the logic operation unit 101, the output transistor 102, and the like are formed. The region 323 is a region where a protection circuit for protecting the control circuit 13 from a surge or noise input from the feedback output pad 205 is formed.

領域331は、入力パッド203から入力されるサージやノイズから制御回路13を保護するための保護回路が形成される領域である。領域332は、駆動部133のうち、高周波フィルタ、コンパレータおよび遅延回路などが形成される領域である。領域333は、内部クロックを生成する発振回路やタイマなどが形成される領域である。領域334は、論理回路が形成される領域である。領域335は、駆動部133のドライバなどが形成される領域である。   The region 331 is a region where a protection circuit for protecting the control circuit 13 from a surge or noise input from the input pad 203 is formed. The region 332 is a region in the driving unit 133 where a high frequency filter, a comparator, a delay circuit, and the like are formed. The region 333 is a region where an oscillation circuit that generates an internal clock, a timer, and the like are formed. The region 334 is a region where a logic circuit is formed. The region 335 is a region where a driver of the driving unit 133 is formed.

領域341は、制御回路13の内部電源が形成される領域である。領域342は、制御回路13の内部基準電圧を生成する回路が形成される領域である。領域351は、電源パッド201および接地パッド202から入力されるサージやノイズから制御回路13を保護するための保護回路が形成される領域である。領域361は、テスト用のパッドが形成される領域である。なお、制御回路13の機能ICのレイアウトは図4および図5に示すものに限定されない。   The region 341 is a region where the internal power supply of the control circuit 13 is formed. The region 342 is a region where a circuit for generating the internal reference voltage of the control circuit 13 is formed. Region 351 is a region where a protection circuit for protecting control circuit 13 from surges and noises input from power supply pad 201 and ground pad 202 is formed. The region 361 is a region where a test pad is formed. The layout of the functional IC of the control circuit 13 is not limited to that shown in FIGS.

図6は、イグナイタ1の内部構成のレイアウトの一例を示す平面図である。イグナイタ1は、リードフレームパッケージに収容され、たとえば6ピンのSiPで構成される。図6においては、たとえば黒色のエポキシ樹脂などからなる封止樹脂で覆われる部分を二点鎖線で示している。イグナイタ1は、リード401〜408を備える。なお、図6においても、実装される制御回路13の半導体基板200に応じた方向に基づいて説明する。   FIG. 6 is a plan view showing an example of the layout of the internal configuration of the igniter 1. The igniter 1 is housed in a lead frame package and is made of, for example, 6-pin SiP. In FIG. 6, a portion covered with a sealing resin made of, for example, a black epoxy resin is indicated by a two-dot chain line. The igniter 1 includes leads 401 to 408. In FIG. 6 as well, description will be given based on the direction of the control circuit 13 to be mounted according to the semiconductor substrate 200.

リード401は、電源端子VDDを有し、パッケージのx2方向の端部でy2方向の端部に配置される。リード407は、リード401に隣接して、y1方向側に配置され、パッケージのx2方向の端部でy1方向の端部に配置される。リード402は、接地端子GNDを有し、リード401およびリード407に隣接して、x1方向側に配置される。リード402は、パッケージのy1方向の端部からy2方向の端部まで広がっている。リード404は、出力端子OUTを有し、リード402に隣接して、x1方向側に配置される。リード404は、パッケージのx1方向の端部に配置され、パッケージのy1方向の端部からy2方向の端部まで広がっている。リード406は、パッケージのy1方向の端部で、リード402とリード404との間に配置される。リード403,405,408は、パッケージのy2方向の端部で、リード402とリード404との間に配置される。リード403は、入力端子INを有し、リード404に隣接して配置される。リード408は、未使用の端子を有し、リード402に隣接して配置される。リード405は、フィードバック端子FBを有し、リード405とリード408との間に配置される。リード402,404,406が、それぞれ、本発明の「第2リード」、「第1リード」、「第3リード」に相当する。   The lead 401 has a power supply terminal VDD, and is disposed at the end in the y2 direction at the end in the x2 direction of the package. The lead 407 is disposed adjacent to the lead 401 on the y1 direction side, and is disposed at the end portion in the y1 direction at the end portion in the x2 direction of the package. The lead 402 has a ground terminal GND, and is disposed on the x1 direction side adjacent to the lead 401 and the lead 407. The lead 402 extends from the end in the y1 direction to the end in the y2 direction of the package. The lead 404 has an output terminal OUT, and is disposed adjacent to the lead 402 on the x1 direction side. The lead 404 is disposed at the end portion in the x1 direction of the package and extends from the end portion in the y1 direction to the end portion in the y2 direction of the package. The lead 406 is disposed between the lead 402 and the lead 404 at the end of the package in the y1 direction. The leads 403, 405, and 408 are disposed between the lead 402 and the lead 404 at the end of the package in the y2 direction. The lead 403 has an input terminal IN and is disposed adjacent to the lead 404. The lead 408 has an unused terminal and is disposed adjacent to the lead 402. The lead 405 has a feedback terminal FB and is disposed between the lead 405 and the lead 408. The leads 402, 404, and 406 correspond to the “second lead”, “first lead”, and “third lead” of the present invention, respectively.

リード402〜408は、それぞれ、貫通する穴400aを備えている。封止樹脂で覆ったときに当該穴400aにも封止樹脂が充填されることで、イグナイタ1の使用中に封止樹脂がリード402〜408からはがれることを抑制できる。また、リード401〜408は、それぞれ、封止樹脂に覆われる部分と覆われない部分との境界(図6における二点鎖線参照)に、溝400bが形成される。当該溝400bは、封止樹脂で覆う前の工程で、ボンディングワイヤのリードへの接合点を保護するために塗布されるポリイミドなどの保護樹脂が流れることを抑制する。   Each of the leads 402 to 408 includes a through hole 400a. When the hole 400a is filled with the sealing resin when covered with the sealing resin, the sealing resin can be prevented from peeling off from the leads 402 to 408 during use of the igniter 1. Further, in each of the leads 401 to 408, a groove 400b is formed at the boundary between the portion covered with the sealing resin and the portion not covered (see the two-dot chain line in FIG. 6). The groove 400b suppresses the flow of a protective resin such as polyimide applied in order to protect the bonding point of the bonding wire to the lead in the step before covering with the sealing resin.

リード402には、制御回路13が集積化された半導体基板200が実装される。電源パッド201は、ボンディングワイヤ501によって、リード407に接続される。接地パッド202は、ボンディングワイヤ502によって、リード402(接地端子GND)に接続される。入力パッド203は、ボンディングワイヤ503によって、リード403(入力端子IN)に接続される。ゲート出力パッド204は、ボンディングワイヤ504によって、後述するパッド602に接続される。フィードバック出力パッド205は、ボンディングワイヤ505によって、リード405(フィードバック端子FB)に接続される。センス入力パッド206は、ボンディングワイヤ506によって、リード406に接続される。センス接地パッド207は、ボンディングワイヤ507によって、リード402に接続される。ボンディングワイヤ501〜507は、たとえばAlからなる。なお、ボンディングワイヤ501〜507は、Al合金やAu,Cuなどの他の金属製であってもよい。ボンディングワイヤ506,507が、それぞれ、本発明の「第3ボンディングワイヤ」、「第4ボンディングワイヤ」に相当する。   A semiconductor substrate 200 on which the control circuit 13 is integrated is mounted on the lead 402. The power supply pad 201 is connected to the lead 407 by a bonding wire 501. The ground pad 202 is connected to the lead 402 (ground terminal GND) by a bonding wire 502. The input pad 203 is connected to the lead 403 (input terminal IN) by a bonding wire 503. The gate output pad 204 is connected to a pad 602 described later by a bonding wire 504. The feedback output pad 205 is connected to the lead 405 (feedback terminal FB) by a bonding wire 505. The sense input pad 206 is connected to the lead 406 by a bonding wire 506. The sense ground pad 207 is connected to the lead 402 by a bonding wire 507. The bonding wires 501 to 507 are made of, for example, Al. Note that the bonding wires 501 to 507 may be made of another metal such as an Al alloy, Au, or Cu. The bonding wires 506 and 507 correspond to the “third bonding wire” and the “fourth bonding wire” of the present invention, respectively.

リード404には、スイッチ素子11が実装される。スイッチ素子11は、半導体基板600、パッド601,602、および裏面電極603を備える。半導体基板600は、たとえばIGBT等のスイッチ素子11を構成するためのp型半導体層およびn型半導体層が形成された基板である。パッド601は、エミッタ電極である。パッド602は、ゲート電極である。裏面電極603は、コレクタ電極である。パッド601およびパッド602は、半導体基板600の表面(図6の紙面手前側の面)に配置される。裏面電極603は、半導体基板600の裏面に配置される。半導体基板600(スイッチ素子11)は、裏面電極603がリード404に接するように実装される。これにより、スイッチ素子11のコレクタ端子は、出力端子OUTに接続される。パッド601は、ボンディングワイヤ509、リード406およびボンディングワイヤ508によって、リード402に接続される。これにより、スイッチ素子11のエミッタ端子は、接地端子GNDに接続される。パッド602は、ボンディングワイヤ504によって、ゲート出力パッド204に接続される。これにより、スイッチ素子11のゲート端子には、制御回路13からゲートドライブ信号が入力される。パッド601,602および裏面電極603が、それぞれ、本発明の「出力電極」、「制御電極」、「入力電極」に相当する。   The switch element 11 is mounted on the lead 404. The switch element 11 includes a semiconductor substrate 600, pads 601 and 602, and a back electrode 603. The semiconductor substrate 600 is a substrate on which a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer for forming the switch element 11 such as an IGBT are formed. The pad 601 is an emitter electrode. The pad 602 is a gate electrode. The back electrode 603 is a collector electrode. The pad 601 and the pad 602 are disposed on the surface of the semiconductor substrate 600 (the surface on the front side in FIG. 6). The back electrode 603 is disposed on the back surface of the semiconductor substrate 600. The semiconductor substrate 600 (switch element 11) is mounted such that the back electrode 603 is in contact with the lead 404. Thereby, the collector terminal of the switch element 11 is connected to the output terminal OUT. The pad 601 is connected to the lead 402 by a bonding wire 509, a lead 406 and a bonding wire 508. Thereby, the emitter terminal of the switch element 11 is connected to the ground terminal GND. The pad 602 is connected to the gate output pad 204 by a bonding wire 504. As a result, a gate drive signal is input from the control circuit 13 to the gate terminal of the switch element 11. The pads 601 and 602 and the back electrode 603 correspond to the “output electrode”, “control electrode”, and “input electrode” of the present invention, respectively.

本実施形態では、パッド601は、ボンディングワイヤによって直接、リード402(接地端子GND)に接続されず、ボンディングワイヤ509によってリード406に接続される。そして、リード406は、ボンディングワイヤ508によって、リード402(接地端子GND)に接続され、ボンディングワイヤ506によって、センス入力パッド206に接続される。したがって、ボンディングワイヤ508の抵抗成分が、電流検出用抵抗12になる。   In the present embodiment, the pad 601 is not directly connected to the lead 402 (ground terminal GND) by the bonding wire, but is connected to the lead 406 by the bonding wire 509. The lead 406 is connected to the lead 402 (ground terminal GND) by the bonding wire 508 and is connected to the sense input pad 206 by the bonding wire 506. Therefore, the resistance component of the bonding wire 508 becomes the current detection resistor 12.

ボンディングワイヤ508,509は、たとえばAlからなる。なお、ボンディングワイヤ508,509は、Al合金やAu,Cuなどの他の金属製であってもよい。ボンディングワイヤ508は、抵抗成分が電流検出用抵抗12に利用される。点火確認部134での検出精度を向上させるためには、電流検出用抵抗12の抵抗値を大きくする必要がある。したがって、ボンディングワイヤ508は、抵抗値を大きくするために、Alとするのが望ましい。また、ボンディングワイヤ508は、抵抗値を大きくするために、できるだけ長くするのが望ましい。したがって、ボンディングワイヤ508のリード406への接合点508aは、リード406のできるだけx1方向側の位置に配置される。本実施形態では、接合点508aは、ボンディングワイヤ509のリード406への接合点509aよりx21だけx1方向側に配置され、ボンディングワイヤ506のリード406への接合点506aよりx22だけx1方向側に配置される。また、ボンディングワイヤ508のリード402への接合点508bは、リード402のできるだけx2方向側の位置に配置される。本実施形態では、接合点508bは、ボンディングワイヤ507のリード402への接合点507aよりx23だけx2方向側に配置される。本実施形態では、ボンディングワイヤ508のx方向の寸法x11は、半導体基板200のx方向の寸法x12より大きい。また、本実施形態では、接合点508aは接合点506aよりy1方向側に配置され、接合点508bは接合点507aよりy1方向側に配置される。また、本実施形態では、接合点508aは接合点509aよりy21だけy1方向側に配置される。なお、接合点508a、508bの配置位置は限定されない。また、本実施形態では、ボンディングワイヤ508をできるだけ長くするために、ボンディングワイヤ508は、ループの高さ(z方向においてリード402から最も離れた部分とリード402との距離)が高くなるように形成される。本実施形態では、ボンディングワイヤ508のループの高さは、ボンディングワイヤ509およびボンディングワイヤ501〜507のループの高さより高く形成される。なお、ボンディングワイヤ508のループの高さは限定されない。   Bonding wires 508 and 509 are made of, for example, Al. Note that the bonding wires 508 and 509 may be made of another metal such as an Al alloy, Au, or Cu. The bonding wire 508 uses a resistance component for the current detection resistor 12. In order to improve the detection accuracy in the ignition confirmation unit 134, the resistance value of the current detection resistor 12 needs to be increased. Therefore, the bonding wire 508 is preferably made of Al in order to increase the resistance value. The bonding wire 508 is desirably as long as possible in order to increase the resistance value. Therefore, the bonding point 508a of the bonding wire 508 to the lead 406 is arranged at a position on the x1 direction side of the lead 406 as much as possible. In the present embodiment, the bonding point 508a is arranged on the x1 direction side by x21 from the bonding point 509a of the bonding wire 509 to the lead 406, and is arranged on the x1 direction side by x22 from the bonding point 506a of the bonding wire 506 to the lead 406. Is done. Further, the bonding point 508b of the bonding wire 508 to the lead 402 is disposed at a position on the x2 direction side of the lead 402 as much as possible. In the present embodiment, the bonding point 508b is disposed on the x2 direction side by x23 from the bonding point 507a of the bonding wire 507 to the lead 402. In the present embodiment, the dimension x11 of the bonding wire 508 in the x direction is larger than the dimension x12 of the semiconductor substrate 200 in the x direction. In the present embodiment, the junction point 508a is arranged on the y1 direction side from the junction point 506a, and the junction point 508b is arranged on the y1 direction side from the junction point 507a. In this embodiment, the junction point 508a is arranged on the y1 direction side by y21 from the junction point 509a. In addition, the arrangement position of the junction points 508a and 508b is not limited. In this embodiment, in order to make the bonding wire 508 as long as possible, the bonding wire 508 is formed so that the height of the loop (the distance between the portion farthest from the lead 402 in the z direction and the lead 402) becomes high. Is done. In the present embodiment, the height of the loop of the bonding wire 508 is formed higher than the height of the loop of the bonding wire 509 and the bonding wires 501 to 507. Note that the height of the loop of the bonding wire 508 is not limited.

また、ボンディングワイヤ508,509は、比較的大きな電流が流れるので、ボンディングワイヤ501〜507より太いワイヤが用いられる。なお、各ボンディングワイヤ501〜509の太さは限定されない。ただし、ボンディングワイヤ508,509の太さは、ボンディングワイヤ501〜507と同等か、より太いのが望ましい。ボンディングワイヤ508,509は、ボンディングワイヤ501〜507がボンディングされた後に、ボンディングされる。ボンディングワイヤ508,509が、それぞれ、本発明の「第2ボンディングワイヤ」、「第1ボンディングワイヤ」に相当する。   Further, since a relatively large current flows through the bonding wires 508 and 509, wires thicker than the bonding wires 501 to 507 are used. Note that the thickness of each of the bonding wires 501 to 509 is not limited. However, the thickness of the bonding wires 508 and 509 is preferably equal to or larger than that of the bonding wires 501 to 507. Bonding wires 508 and 509 are bonded after bonding wires 501 to 507 are bonded. The bonding wires 508 and 509 correspond to the “second bonding wire” and the “first bonding wire” of the present invention, respectively.

ボンディングワイヤ506の接合点506aは、ボンディングワイヤ508の接合点508aにできるだけ近くなるように配置される。また、ボンディングワイヤ507の接合点507aは、ボンディングワイヤ508の接合点508bにできるだけ近くなるように配置される。   The bonding point 506a of the bonding wire 506 is disposed as close as possible to the bonding point 508a of the bonding wire 508. Further, the bonding point 507a of the bonding wire 507 is disposed as close as possible to the bonding point 508b of the bonding wire 508.

イグナイタ1は、図1では記載を省略した高周波フィルタを、電源端子VDDと制御回路13の電源パッド201との間に備える。当該高周波フィルタは、コンデンサ14,16および抵抗15を備えるπ型のローパスフィルタである。抵抗15は、リード401(電源端子VDD)とリード407との間にブリッジ接続される。コンデンサ14は、リード401とリード402(接地端子GND)との間にブリッジ接続される。コンデンサ16は、リード407とリード402(接地端子GND)との間にブリッジ接続される。リード407は、ボンディングワイヤ501によって、制御回路13の電源パッド201に接続される。これにより、電源端子VDDより入力される高周波ノイズを除去する高周波フィルタが形成される。   The igniter 1 includes a high-frequency filter that is not shown in FIG. 1 between the power supply terminal VDD and the power supply pad 201 of the control circuit 13. The high-frequency filter is a π-type low-pass filter including capacitors 14 and 16 and a resistor 15. The resistor 15 is bridge-connected between the lead 401 (power supply terminal VDD) and the lead 407. The capacitor 14 is bridge-connected between the lead 401 and the lead 402 (ground terminal GND). The capacitor 16 is bridge-connected between the lead 407 and the lead 402 (ground terminal GND). The lead 407 is connected to the power supply pad 201 of the control circuit 13 by a bonding wire 501. As a result, a high frequency filter for removing high frequency noise input from the power supply terminal VDD is formed.

なお、イグナイタ1の内部構成のレイアウトは図6に示すものに限定されない。また、イグナイタ1は、SiPに収容される場合に限定されず、DiP(Dual In-line Package)やZIP(Zigzag In-line Package)に収容されてもよい。また、表面実装形のパッケージに収容されてもよい。   The layout of the internal configuration of the igniter 1 is not limited to that shown in FIG. The igniter 1 is not limited to being accommodated in the SiP, and may be accommodated in a DiP (Dual In-line Package) or a ZIP (Zigzag In-line Package). Further, it may be housed in a surface mount package.

次に、イグナイタ1の製造方法の一例について、以下に説明する。   Next, an example of a method for manufacturing the igniter 1 will be described below.

まず、各リード401〜408となる部分が形成されたリードフレームを用意する。次に、リードフレームに、半導体基板200,600、コンデンサ14,16および抵抗15を実装する。   First, a lead frame in which portions to be the leads 401 to 408 are formed is prepared. Next, the semiconductor substrates 200 and 600, the capacitors 14 and 16 and the resistor 15 are mounted on the lead frame.

次に、ボンディングワイヤ509をボンディングする。このとき、図7に示すように、まず、ワイヤの一端をパッド601に接合する(ファーストボンディング)。そして、ワイヤを引き出しながらキャピラリCをリード406に移動させて、ワイヤをリード406に接合(セカンドボンディング)し、カッタによりワイヤを切断する。これにより、ボンディングワイヤ509が形成される。   Next, the bonding wire 509 is bonded. At this time, as shown in FIG. 7, first, one end of the wire is bonded to the pad 601 (first bonding). Then, the capillary C is moved to the lead 406 while pulling out the wire, the wire is joined to the lead 406 (second bonding), and the wire is cut with a cutter. Thereby, the bonding wire 509 is formed.

次に、ボンディングワイヤ508をボンディングする。このとき、図8に示すように、まず、ワイヤの一端をリード406に接合する。このとき、リード406における、ボンディングワイヤ509の接合点509aよりx1方向かつy1方向の位置に、ワイヤが接合される(接合点508a参照)。そして、ワイヤを引き出しながらキャピラリCをリード402に移動させて、ワイヤをリード402に接合し、カッタによりワイヤを切断する。これにより、ボンディングワイヤ508が形成される。   Next, the bonding wire 508 is bonded. At this time, as shown in FIG. 8, first, one end of the wire is joined to the lead 406. At this time, the wire is bonded to the lead 406 at a position in the x1 direction and the y1 direction from the bonding point 509a of the bonding wire 509 (see the bonding point 508a). Then, the capillary C is moved to the lead 402 while pulling out the wire, the wire is joined to the lead 402, and the wire is cut by a cutter. Thereby, the bonding wire 508 is formed.

次に、ボンディングワイヤ501〜507をボンディングする。次に、リードフレーム、半導体基板200,600、コンデンサ14,16、抵抗15、および各ボンディングワイヤ501〜509を覆う封止樹脂を、たとえばモールド成型により形成する。次に、リードフレームを適宜切断することにより、イグナイタ1が製造される。なお、各工程の順番は限定されない。例えば、ボンディングワイヤ501〜507をボンディングした後に、ボンディングワイヤ509をボンディングしてもよい。   Next, bonding wires 501 to 507 are bonded. Next, a sealing resin that covers the lead frame, the semiconductor substrates 200 and 600, the capacitors 14 and 16, the resistor 15, and the bonding wires 501 to 509 is formed by, for example, molding. Next, the igniter 1 is manufactured by appropriately cutting the lead frame. In addition, the order of each process is not limited. For example, the bonding wire 509 may be bonded after the bonding wires 501 to 507 are bonded.

次に、イグナイタ1の作用について説明する。   Next, the operation of the igniter 1 will be described.

本実施形態によれば、半導体基板600のパッド601とリード406とがボンディングワイヤ509によって接続される。また、リード406とリード402とがボンディングワイヤ508によって接続され、リード406とセンス入力パッド206とがボンディングワイヤ506によって接続される。つまり、ボンディングワイヤ508が電流検出用抵抗12として利用される。リード406およびボンディングワイヤ508は、パワーサイクルによる影響を受けにくい。したがって、パワーサイクルの影響でボンディングワイヤ509とパッド601との接合部分、または、パッド601自体が劣化した場合でも、電流検出用抵抗12の抵抗値が変化することは抑制される。これにより、点火確認部134の誤動作を抑制できる。   According to this embodiment, the pad 601 and the lead 406 of the semiconductor substrate 600 are connected by the bonding wire 509. Further, the lead 406 and the lead 402 are connected by a bonding wire 508, and the lead 406 and the sense input pad 206 are connected by a bonding wire 506. That is, the bonding wire 508 is used as the current detection resistor 12. The lead 406 and the bonding wire 508 are not easily affected by the power cycle. Therefore, even when the bonding portion between the bonding wire 509 and the pad 601 or the pad 601 itself deteriorates due to the power cycle, the resistance value of the current detection resistor 12 is suppressed from changing. Thereby, malfunction of the ignition confirmation part 134 can be suppressed.

また、本実施形態によれば、ボンディングワイヤ508の接合点508aはボンディングワイヤ509の接合点509aおよびボンディングワイヤ506の接合点506aよりx1方向側に配置され、ボンディングワイヤ508の接合点508bはボンディングワイヤ507の接合点507aよりx2方向側に配置される。また、ボンディングワイヤ508は、ループの高さ(z方向においてリード402から離れた部分とリード402との距離)が高くなるように形成される。これにより、ボンディングワイヤ508を長くして、抵抗値を高くできる。したがって、点火確認部134での検出精度を向上させることができる。   Further, according to the present embodiment, the bonding point 508a of the bonding wire 508 is disposed on the x1 direction side from the bonding point 509a of the bonding wire 509 and the bonding point 506a of the bonding wire 506, and the bonding point 508b of the bonding wire 508 is the bonding wire 508b. It arrange | positions from the junction point 507a of 507 to the x2 direction side. The bonding wire 508 is formed so that the height of the loop (distance between the portion away from the lead 402 and the lead 402 in the z direction) is increased. Thereby, the bonding wire 508 can be lengthened and the resistance value can be increased. Therefore, the detection accuracy in the ignition confirmation unit 134 can be improved.

また、本実施形態によれば、ボンディングワイヤ506の接合点506aは、ボンディングワイヤ508の接合点508aにできるだけ近くなるように配置される。これにより、接合点506aと接合点508aとの間のリード406の抵抗成分が、電流検出用抵抗12に含まれることを抑制できる。また、ボンディングワイヤ507の接合点507aは、ボンディングワイヤ508の接合点508bにできるだけ近くなるように配置される。これにより、接合点507aと接合点508bとの間のリード402の抵抗成分が、点火確認部134での電圧検出に与える影響を抑制できる。   Further, according to the present embodiment, the bonding point 506a of the bonding wire 506 is arranged as close as possible to the bonding point 508a of the bonding wire 508. Accordingly, it is possible to suppress the resistance component of the lead 406 between the junction point 506a and the junction point 508a from being included in the current detection resistor 12. Further, the bonding point 507a of the bonding wire 507 is disposed as close as possible to the bonding point 508b of the bonding wire 508. Thereby, the influence which the resistance component of the lead | read | reed 402 between the junction point 507a and the junction point 508b has on the voltage detection in the ignition confirmation part 134 can be suppressed.

また、本実施形態によれば、ボンディングワイヤ509は、まずワイヤの一端をパッド601に接合し、次にワイヤをリード406に接合し、そしてカッタによりワイヤを切断することで形成される。リード406上でワイヤを切断するので、カッタで半導体基板600を傷つけることがない。また、ボンディングワイヤ508は、ボンディングワイヤ509を形成した後に形成される。ボンディングワイヤ508は、まずワイヤの一端をリード406に接合し、次にワイヤをリード402に接合し、そしてカッタによりワイヤを切断することで形成される。ボンディングワイヤ509のセカンドボンディングの後、同じリード402上でボンディングワイヤ508のファーストボンディングが行われる。キャピラリCを移動させる距離が短いので作業効率が良い。また、ボンディングワイヤ508の接合点508aは、ボンディングワイヤ509の接合点509aよりy1方向側に配置される。したがって、リード406からy2方向側に延びるボンディングワイヤ509が、ボンディングワイヤ508の形成の邪魔になることを防止できる。   Further, according to the present embodiment, the bonding wire 509 is formed by first joining one end of the wire to the pad 601, then joining the wire to the lead 406, and cutting the wire with a cutter. Since the wire is cut on the lead 406, the semiconductor substrate 600 is not damaged by the cutter. The bonding wire 508 is formed after the bonding wire 509 is formed. The bonding wire 508 is formed by first joining one end of the wire to the lead 406, then joining the wire to the lead 402, and cutting the wire with a cutter. After the second bonding of the bonding wire 509, first bonding of the bonding wire 508 is performed on the same lead 402. Since the distance for moving the capillary C is short, the working efficiency is good. Further, the bonding point 508a of the bonding wire 508 is disposed on the y1 direction side of the bonding point 509a of the bonding wire 509. Therefore, it is possible to prevent the bonding wire 509 extending from the lead 406 in the y2 direction side from interfering with the formation of the bonding wire 508.

また、本実施形態によれば、ボンディングワイヤ501〜507は、ボンディングワイヤ508,509がボンディングされた後に、半導体基板200から見てボンディングワイヤ508,509の内側にボンディングされる。したがって、ボンディングワイヤ501〜507のボンディング時に、ボンディングワイヤ508,509が邪魔になりにくい。   Further, according to the present embodiment, the bonding wires 501 to 507 are bonded inside the bonding wires 508 and 509 when viewed from the semiconductor substrate 200 after the bonding wires 508 and 509 are bonded. Therefore, the bonding wires 508 and 509 are not easily obstructed when bonding the bonding wires 501 to 507.

また、本実施形態によれば、センス入力パッド206およびセンス接地パッド207は、y1方向の端部に配置され、センス入力パッド206のy方向の寸法y6がx方向の寸法x6より長く、センス接地パッド207のy方向の寸法y7がx方向の寸法x7より長い。したがって、y1方向側に延びるボンディングワイヤ506またはボンディングワイヤ507をボンディングしやすい。   In addition, according to the present embodiment, the sense input pad 206 and the sense ground pad 207 are arranged at the end in the y1 direction, and the dimension y6 in the y direction of the sense input pad 206 is longer than the dimension x6 in the x direction. The dimension y7 in the y direction of the pad 207 is longer than the dimension x7 in the x direction. Therefore, it is easy to bond the bonding wire 506 or the bonding wire 507 extending in the y1 direction side.

<第2実施形態>
図9は、本開示の第2実施形態に係るイグナイタ1を示しており、イグナイタ1の内部構成のレイアウトの一例を示す平面図である。本実施形態のイグナイタ1は、リード406の位置が上述した実施形態と異なっている。本実施形態において、リード406は、リード402とリード406の間ではなく、パッケージのx1方向の端部でy1方向の端部に配置される。
Second Embodiment
FIG. 9 shows the igniter 1 according to the second embodiment of the present disclosure, and is a plan view showing an example of the layout of the internal configuration of the igniter 1. The igniter 1 of this embodiment is different from the above-described embodiment in the position of the lead 406. In the present embodiment, the lead 406 is not disposed between the lead 402 and the lead 406 but at the end in the y1 direction at the end in the x1 direction of the package.

本実施形態においても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態によると、ボンディングワイヤ508の長さを長くできるので、電流検出用抵抗12の抵抗値を大きくできる。なお、各リード401〜408の配置は、第1、第2実施形態のものに限定されず、適宜設計される。   In this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Further, according to the present embodiment, since the length of the bonding wire 508 can be increased, the resistance value of the current detection resistor 12 can be increased. The arrangement of the leads 401 to 408 is not limited to that of the first and second embodiments, and can be designed as appropriate.

本開示に係るイグナイタおよび車両は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係るイグナイタおよび車両の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The igniter and the vehicle according to the present disclosure are not limited to the above-described embodiments. The specific configuration of each part of the igniter and the vehicle according to the present disclosure can be modified in various ways.

〔付記1〕
入力電極、出力電極および制御電極を有するスイッチ素子と、
前記スイッチ素子が前記入力電極を接して実装され、かつ、イグニッションコイルの一次コイルと接続される第1リードと、
接地される第2リードと、
前記第1リードおよび前記第2リードから隔離された第3リードと、
前記出力電極と前記第3リードとを接続する第1ボンディングワイヤと、
前記第3リードと前記第2リードとを接続する第2ボンディングワイヤと、
エンジン制御装置から入力される点火指示信号に基づいて前記スイッチ素子を駆動させ、前記第3リードの電圧に基づいて前記エンジン制御装置に出力する点火確認信号を生成する制御ICと、
を備えることを特徴とするイグナイタ。
〔付記2〕
前記第2ボンディングワイヤはAlからなる、
付記1に記載のイグナイタ。
〔付記3〕
前記第3リードは、前記第1リードと前記第2リードとの間に配置される、
付記1または2に記載のイグナイタ。
〔付記4〕
前記制御ICは、
前記第2リードに実装され、
前記第3リードの電圧を入力される第1パッドと、
接地される第2パッドと、
を備え、
前記第1パッドと前記第2パッドとは、前記第1リードと前記第2リードとが並ぶ第1方向に並んでいる、
付記1ないし3のいずれかに記載のイグナイタ。
〔付記5〕
前記第2ボンディングワイヤの前記第1方向の寸法は、前記制御ICの前記第1方向の寸法より大きい、
付記4に記載のイグナイタ。
〔付記6〕
前記第1方向において、前記第2ボンディングワイヤの前記第3リードへの接合点は、前記第1ボンディングワイヤの前記第3リードへの接合点より前記第1リード側に位置する、
付記4または5に記載のイグナイタ。
〔付記7〕
前記第1方向および前記第1リードの厚さ方向に直交する第2方向において、前記第2ボンディングワイヤの前記第3リードへの接合点は、前記第1ボンディングワイヤの前記第3リードへの接合点より前記制御ICとは反対側に位置する、
付記4ないし6のいずれかに記載のイグナイタ。
〔付記8〕
前記第1パッドと前記第3リードとを接続する第3ボンディングワイヤをさらに備える、
付記4ないし7のいずれかに記載のイグナイタ。
〔付記9〕
前記第2ボンディングワイヤは、前記第3ボンディングワイヤより太い、
付記8に記載のイグナイタ。
〔付記10〕
前記第1方向および前記第1リードの厚さ方向に直交する第2方向において、前記第2ボンディングワイヤの前記第3リードへの接合点は、前記第3ボンディングワイヤの前記第3リードへの接合点より前記制御ICとは反対側に位置する、
付記8または9に記載のイグナイタ。
〔付記11〕
前記第2パッドと前記第2リードとを接続する第4ボンディングワイヤをさらに備え、
前記第1方向において、前記第2ボンディングワイヤの前記第2リードへの接合点は、前記第4ボンディングワイヤの前記第2リードへの接合点より、前記第1リードとは反対側に位置する、
付記4ないし10のいずれかに記載のイグナイタ。
〔付記12〕
前記第1パッドおよび前記第2パッドは、
前記第1方向および前記第1リードの厚さ方向に直交する第2方向において、前記制御ICの、前記第3リード側の端部に配置され、
前記第2方向の寸法が前記第1方向の寸法より長い、
付記4ないし11のいずれかに記載のイグナイタ。
〔付記13〕
前記第1リードの厚さ方向において、前記第2ボンディングワイヤが前記第3リードから最も離れた部分と前記第3リードとの距離は、前記第1ボンディングワイヤが前記第3リードから最も離れた部分と前記第3リードとの距離より長い、
付記1ないし12のいずれかに記載のイグナイタ。
〔付記14〕
前記スイッチ素子はIGBTであり、前記入力電極はコレクタ電極であり、前記出力電極はエミッタ電極であり、前記制御電極はゲート電極である、
付記1ないし13のいずれかに記載のイグナイタ。
〔付記15〕
付記1ないし14のいずれかに記載のイグナイタと、
点火プラグと、
前記第1リードに接続する一次コイル、および、前記点火プラグに接続する二次コイルを備えるイグニッションコイルと、
前記点火指示信号を生成し、前記イグナイタに出力するエンジン制御装置と、
を備えることを特徴とする車両。
[Appendix 1]
A switch element having an input electrode, an output electrode and a control electrode;
A first lead that is mounted in contact with the input electrode and connected to a primary coil of an ignition coil;
A second lead to be grounded;
A third lead isolated from the first lead and the second lead;
A first bonding wire connecting the output electrode and the third lead;
A second bonding wire connecting the third lead and the second lead;
A control IC that drives the switch element based on an ignition instruction signal input from an engine control device and generates an ignition confirmation signal output to the engine control device based on the voltage of the third lead;
An igniter comprising:
[Appendix 2]
The second bonding wire is made of Al.
The igniter according to appendix 1.
[Appendix 3]
The third lead is disposed between the first lead and the second lead.
The igniter according to appendix 1 or 2.
[Appendix 4]
The control IC is
Mounted on the second lead,
A first pad to which the voltage of the third lead is input;
A second pad to be grounded;
With
The first pad and the second pad are arranged in a first direction in which the first lead and the second lead are arranged,
The igniter according to any one of appendices 1 to 3.
[Appendix 5]
A dimension of the second bonding wire in the first direction is larger than a dimension of the control IC in the first direction;
The igniter according to appendix 4.
[Appendix 6]
In the first direction, the bonding point of the second bonding wire to the third lead is located closer to the first lead than the bonding point of the first bonding wire to the third lead.
The igniter according to appendix 4 or 5.
[Appendix 7]
In the second direction orthogonal to the first direction and the thickness direction of the first lead, the junction point of the second bonding wire to the third lead is the junction of the first bonding wire to the third lead. Located on the opposite side of the control IC from the point,
The igniter according to any one of appendices 4 to 6.
[Appendix 8]
A third bonding wire connecting the first pad and the third lead;
The igniter according to any one of appendices 4 to 7.
[Appendix 9]
The second bonding wire is thicker than the third bonding wire,
The igniter according to appendix 8.
[Appendix 10]
In the second direction perpendicular to the first direction and the thickness direction of the first lead, the junction point of the second bonding wire to the third lead is the junction of the third bonding wire to the third lead. Located on the opposite side of the control IC from the point,
The igniter according to appendix 8 or 9.
[Appendix 11]
A fourth bonding wire connecting the second pad and the second lead;
In the first direction, the junction point of the second bonding wire to the second lead is located on the opposite side of the first lead from the junction point of the fourth bonding wire to the second lead.
The igniter according to any one of appendices 4 to 10.
[Appendix 12]
The first pad and the second pad are:
In the second direction perpendicular to the first direction and the thickness direction of the first lead, the control IC is disposed at the end on the third lead side,
The dimension in the second direction is longer than the dimension in the first direction;
The igniter according to any one of appendices 4 to 11.
[Appendix 13]
In the thickness direction of the first lead, the distance between the portion where the second bonding wire is farthest from the third lead and the third lead is the portion where the first bonding wire is farthest from the third lead. Longer than the distance from the third lead,
The igniter according to any one of appendices 1 to 12.
[Appendix 14]
The switch element is an IGBT, the input electrode is a collector electrode, the output electrode is an emitter electrode, and the control electrode is a gate electrode.
The igniter according to any one of appendices 1 to 13.
[Appendix 15]
The igniter according to any one of appendices 1 to 14, and
Spark plugs,
An ignition coil comprising a primary coil connected to the first lead and a secondary coil connected to the spark plug;
An engine control device that generates the ignition instruction signal and outputs the ignition instruction signal to the igniter;
A vehicle comprising:

1 :イグナイタ
11 :スイッチ素子
12 :電流検出用抵抗
13 :制御回路
133 :駆動部
134 :点火確認部
101 :論理演算部
102 :出力トランジスタ
110 :第1比較部
111 :コンパレータ
R11,R12,R13:抵抗
C11 :コンデンサ
120 :第2比較部
121 :コンパレータ
R21,R22,R23:抵抗
C21 :コンデンサ
130 :第3比較部
131 :コンパレータ
R31,R32,R33:抵抗
C31 :コンデンサ
140 :第4比較部
141 :コンパレータ
R41,R42,R43:抵抗
C41 :コンデンサ
CS1〜CS3:電流源
R1,R2 :抵抗
TR1〜TR3:トランジスタ
200 :半導体基板
201 :電源パッド
202 :接地パッド
203 :入力パッド
204 :ゲート出力パッド
205 :フィードバック出力パッド
206 :センス入力パッド
207 :センス接地パッド
310,311,312,313,314,314a,315,321,322,323,331,332,333,334,335,341,342,351,361:領域
FB :フィードバック端子
GND :接地端子
IN :入力端子
OUT :出力端子
VDD :電源端子
401〜408:リード
400a :穴
400b :溝
501〜509:ボンディングワイヤ
506a,507a,508a,508b,509a:接合点
600 :半導体基板
601,602:パッド
603 :裏面電極
14 :コンデンサ
15 :抵抗
16 :コンデンサ
2 :ECU
3 :点火プラグ
4 :イグニッションコイル
41 :一次コイル
42 :二次コイル
5 :バッテリ
A :車両
C :キャピラリ
1: igniter 11: switch element 12: current detection resistor 13: control circuit 133: drive unit 134: ignition check unit 101: logic operation unit 102: output transistor 110: first comparison unit 111: comparators R11, R12, R13: Resistor C11: Capacitor 120: Second comparator 121: Comparator R21, R22, R23: Resistor C21: Capacitor 130: Third comparator 131: Comparator R31, R32, R33: Resistor C31: Capacitor 140: Fourth comparator 141: Comparators R41, R42, R43: Resistor C41: Capacitors CS1-CS3: Current sources R1, R2: Resistors TR1-TR3: Transistor 200: Semiconductor substrate 201: Power supply pad 202: Ground pad 203: Input pad 204: Gate output pad 205: F Feedback output pad 206: Sense input pad 207: Sense ground pads 310, 311, 312, 313, 314, 314a, 315, 321, 322, 323, 331, 332, 333, 334, 335, 341, 342, 351, 361 : Region FB: feedback terminal GND: ground terminal IN: input terminal OUT: output terminal VDD: power supply terminals 401 to 408: lead 400a: hole 400b: grooves 501a to 509: bonding wires 506a, 507a, 508a, 508b, 509a: bonding Point 600: Semiconductor substrates 601, 602: Pad 603: Back electrode 14: Capacitor 15: Resistance 16: Capacitor 2: ECU
3: Spark plug 4: Ignition coil 41: Primary coil 42: Secondary coil 5: Battery A: Vehicle C: Capillary

Claims (15)

入力電極、出力電極および制御電極を有するスイッチ素子と、
前記スイッチ素子が前記入力電極を接して実装され、かつ、イグニッションコイルの一次コイルと接続される第1リードと、
接地される第2リードと、
前記第1リードおよび前記第2リードから隔離された第3リードと、
前記出力電極と前記第3リードとを接続する第1ボンディングワイヤと、
前記第3リードと前記第2リードとを接続する第2ボンディングワイヤと、
エンジン制御装置から入力される点火指示信号に基づいて前記スイッチ素子を駆動させ、前記第3リードの電圧に基づいて前記エンジン制御装置に出力する点火確認信号を生成する制御ICと、
を備えることを特徴とするイグナイタ。
A switch element having an input electrode, an output electrode and a control electrode;
A first lead that is mounted in contact with the input electrode and connected to a primary coil of an ignition coil;
A second lead to be grounded;
A third lead isolated from the first lead and the second lead;
A first bonding wire connecting the output electrode and the third lead;
A second bonding wire connecting the third lead and the second lead;
A control IC that drives the switch element based on an ignition instruction signal input from an engine control device and generates an ignition confirmation signal output to the engine control device based on the voltage of the third lead;
An igniter comprising:
前記第2ボンディングワイヤはAlからなる、
請求項1に記載のイグナイタ。
The second bonding wire is made of Al.
The igniter according to claim 1.
前記第3リードは、前記第1リードと前記第2リードとの間に配置される、
請求項1または2に記載のイグナイタ。
The third lead is disposed between the first lead and the second lead.
The igniter according to claim 1 or 2.
前記制御ICは、
前記第2リードに実装され、
前記第3リードの電圧を入力される第1パッドと、
接地される第2パッドと、
を備え、
前記第1パッドと前記第2パッドとは、前記第1リードと前記第2リードとが並ぶ第1方向に並んでいる、
請求項1ないし3のいずれかに記載のイグナイタ。
The control IC is
Mounted on the second lead,
A first pad to which the voltage of the third lead is input;
A second pad to be grounded;
With
The first pad and the second pad are arranged in a first direction in which the first lead and the second lead are arranged,
The igniter according to any one of claims 1 to 3.
前記第2ボンディングワイヤの前記第1方向の寸法は、前記制御ICの前記第1方向の寸法より大きい、
請求項4に記載のイグナイタ。
A dimension of the second bonding wire in the first direction is larger than a dimension of the control IC in the first direction;
The igniter according to claim 4.
前記第1方向において、前記第2ボンディングワイヤの前記第3リードへの接合点は、前記第1ボンディングワイヤの前記第3リードへの接合点より前記第1リード側に位置する、
請求項4または5に記載のイグナイタ。
In the first direction, the bonding point of the second bonding wire to the third lead is located closer to the first lead than the bonding point of the first bonding wire to the third lead.
The igniter according to claim 4 or 5.
前記第1方向および前記第1リードの厚さ方向に直交する第2方向において、前記第2ボンディングワイヤの前記第3リードへの接合点は、前記第1ボンディングワイヤの前記第3リードへの接合点より前記制御ICとは反対側に位置する、
請求項4ないし6のいずれかに記載のイグナイタ。
In the second direction orthogonal to the first direction and the thickness direction of the first lead, the junction point of the second bonding wire to the third lead is the junction of the first bonding wire to the third lead. Located on the opposite side of the control IC from the point,
The igniter according to any one of claims 4 to 6.
前記第1パッドと前記第3リードとを接続する第3ボンディングワイヤをさらに備える、
請求項4ないし7のいずれかに記載のイグナイタ。
A third bonding wire connecting the first pad and the third lead;
The igniter according to any one of claims 4 to 7.
前記第2ボンディングワイヤは、前記第3ボンディングワイヤより太い、
請求項8に記載のイグナイタ。
The second bonding wire is thicker than the third bonding wire,
The igniter according to claim 8.
前記第1方向および前記第1リードの厚さ方向に直交する第2方向において、前記第2ボンディングワイヤの前記第3リードへの接合点は、前記第3ボンディングワイヤの前記第3リードへの接合点より前記制御ICとは反対側に位置する、
請求項8または9に記載のイグナイタ。
In the second direction perpendicular to the first direction and the thickness direction of the first lead, the junction point of the second bonding wire to the third lead is the junction of the third bonding wire to the third lead. Located on the opposite side of the control IC from the point,
The igniter according to claim 8 or 9.
前記第2パッドと前記第2リードとを接続する第4ボンディングワイヤをさらに備え、
前記第1方向において、前記第2ボンディングワイヤの前記第2リードへの接合点は、前記第4ボンディングワイヤの前記第2リードへの接合点より、前記第1リードとは反対側に位置する、
請求項4ないし10のいずれかに記載のイグナイタ。
A fourth bonding wire connecting the second pad and the second lead;
In the first direction, the junction point of the second bonding wire to the second lead is located on the opposite side of the first lead from the junction point of the fourth bonding wire to the second lead.
The igniter according to any one of claims 4 to 10.
前記第1パッドおよび前記第2パッドは、
前記第1方向および前記第1リードの厚さ方向に直交する第2方向において、前記制御ICの、前記第3リード側の端部に配置され、
前記第2方向の寸法が前記第1方向の寸法より長い、
請求項4ないし11のいずれかに記載のイグナイタ。
The first pad and the second pad are:
In the second direction perpendicular to the first direction and the thickness direction of the first lead, the control IC is disposed at the end on the third lead side,
The dimension in the second direction is longer than the dimension in the first direction;
The igniter according to any one of claims 4 to 11.
前記第1リードの厚さ方向において、前記第2ボンディングワイヤが前記第3リードから最も離れた部分と前記第3リードとの距離は、前記第1ボンディングワイヤが前記第3リードから最も離れた部分と前記第3リードとの距離より長い、
請求項1ないし12のいずれかに記載のイグナイタ。
In the thickness direction of the first lead, the distance between the portion where the second bonding wire is farthest from the third lead and the third lead is the portion where the first bonding wire is farthest from the third lead. Longer than the distance from the third lead,
The igniter according to any one of claims 1 to 12.
前記スイッチ素子はIGBTであり、前記入力電極はコレクタ電極であり、前記出力電極はエミッタ電極であり、前記制御電極はゲート電極である、
請求項1ないし13のいずれかに記載のイグナイタ。
The switch element is an IGBT, the input electrode is a collector electrode, the output electrode is an emitter electrode, and the control electrode is a gate electrode.
The igniter according to any one of claims 1 to 13.
請求項1ないし14のいずれかに記載のイグナイタと、
点火プラグと、
前記第1リードに接続する一次コイル、および、前記点火プラグに接続する二次コイルを備えるイグニッションコイルと、
前記点火指示信号を生成し、前記イグナイタに出力するエンジン制御装置と、
を備えることを特徴とする車両。
An igniter according to any of claims 1 to 14,
Spark plugs,
An ignition coil comprising a primary coil connected to the first lead and a secondary coil connected to the spark plug;
An engine control device that generates the ignition instruction signal and outputs the ignition instruction signal to the igniter;
A vehicle comprising:
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