JP2019163528A - Collimator and processor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、コリメータ及び処理装置に関する。 Embodiments described herein relate generally to a collimator and a processing apparatus.
例えば半導体ウェハに金属を成膜するスパッタ装置は、成膜される金属粒子の方向を揃えるためのコリメータを有する。コリメータは、多数の貫通口を形成する壁を有し、半導体ウェハのような、処理がされる物体に対して略垂直方向に飛ぶ粒子を通過させるとともに、斜めに飛ぶ粒子を遮断する。 For example, a sputtering apparatus for depositing metal on a semiconductor wafer has a collimator for aligning the direction of metal particles to be deposited. The collimator has walls that form a large number of through holes, and allows particles flying in a substantially vertical direction to an object to be processed, such as a semiconductor wafer, to pass therethrough and blocks particles flying obliquely.
コリメータは例えば、設置、交換、及び洗浄のため、装置に対して取り付け及び取り外しが行われる。コリメータが重いと、コリメータの取り付け及び取り外し作業の効率が低下してしまう。 The collimator is attached to and detached from the device for installation, replacement and cleaning, for example. If the collimator is heavy, the efficiency of attaching and removing the collimator is reduced.
一つの実施形態に係るコリメータは、取付部材と、複数の整流部材とを備える。前記取付部材は、第1の方向に延びる枠を有する。前記整流部材は、複数の第1の壁をそれぞれ有し、前記取付部材に取り外し可能に取り付けられ、前記第1の方向と交差する方向に隣り合い、前記複数の第1の壁によって並行に配置された複数の第1の貫通口を形成する。 A collimator according to one embodiment includes an attachment member and a plurality of rectifying members. The attachment member has a frame extending in the first direction. The rectifying member has a plurality of first walls, is removably attached to the attachment member, is adjacent to the direction intersecting the first direction, and is arranged in parallel by the plurality of first walls. The plurality of first through holes formed are formed.
(第1の実施形態) (First embodiment)
以下に、第1の実施形態について、図1乃至図8を参照して説明する。なお、本明細書においては基本的に、鉛直上方を上方向、鉛直下方を下方向と定義する。また、本明細書において、実施形態に係る構成要素及び当該要素の説明について、複数の表現が記載されることがある。複数の表現がされた構成要素及び説明について、記載されていない他の表現がされても良い。さらに、複数の表現がされない構成要素及び説明についても、記載されていない他の表現がされても良い。 The first embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 to 8. In the present specification, basically, a vertically upward direction is defined as an upward direction and a vertically downward direction is defined as a downward direction. In the present specification, a plurality of expressions may be described for the constituent elements according to the embodiment and the description of the elements. Other expressions that are not described may be applied to the components and descriptions in which a plurality of expressions are made. Furthermore, the constituent elements that are not expressed in a plurality of expressions and descriptions may be expressed in other ways that are not described.
図1は、第1の実施形態に係るスパッタ装置1を概略的に示す断面図である。スパッタ装置1は、処理装置の一例であり、例えば、半導体製造装置、製造装置、加工装置、又は装置とも称され得る。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a sputtering apparatus 1 according to the first embodiment. The sputtering apparatus 1 is an example of a processing apparatus, and may be referred to as, for example, a semiconductor manufacturing apparatus, a manufacturing apparatus, a processing apparatus, or an apparatus.
スパッタ装置1は、例えば、マグネトロンスパッタリングを行うための装置である。スパッタ装置1は、例えば、半導体ウェハ2の表面に、金属粒子によって成膜を行う。半導体ウェハ2は、物体の一例であり、例えば、対象とも称され得る。なお、スパッタ装置1は、例えば、他の対象物に成膜を行っても良い。
The sputtering apparatus 1 is an apparatus for performing magnetron sputtering, for example. For example, the sputtering apparatus 1 forms a film with metal particles on the surface of the
スパッタ装置1は、チャンバ11と、ターゲット12と、ステージ13と、マグネット14と、遮蔽部材15と、コリメータ16と、ポンプ17と、タンク18とを備える。ターゲット12は、粒子発生源の一例である。コリメータ16は、例えば、遮蔽部品、整流部品、又は方向調整部品とも称され得る。
The sputtering apparatus 1 includes a
各図面に示されるように、本明細書において、X軸、Y軸及びZ軸が定義される。X軸とY軸とZ軸とは、互いに直交する。X軸は、チャンバ11の幅に沿う。Y軸は、チャンバ11の奥行き(長さ)に沿う。Z軸は、チャンバ11の高さに沿う。以下の記載は、Z軸が鉛直方向に沿うものとして説明する。なお、スパッタ装置1のZ軸が鉛直方向に対して斜めに交差しても良い。
As shown in each drawing, in this specification, an X axis, a Y axis, and a Z axis are defined. The X axis, the Y axis, and the Z axis are orthogonal to each other. The X axis is along the width of the
チャンバ11は、密閉可能な箱状に形成される。チャンバ11は、上壁21と、底壁22と、側壁23と、排出口24と、導入口25とを有する。上壁21は、例えば、バッキングプレート、取付部、又は保持部とも称され得る。
The
上壁21と底壁22とは、Z軸方向(鉛直方向)に対向するように配置される。Z軸方向は、Z軸の正方向(Z軸の矢印が向く方向、上方向)と、Z軸の負方向(Z軸の矢印の反対方向、下方向)とを含む。上壁21は、所定の間隔を介して底壁22の上方に位置する。側壁23は、Z軸方向に延びる筒状に形成され、上壁21と底壁22とに接続される。
The
チャンバ11の内部に処理室11aが設けられる。上壁21、底壁22、及び側壁23の内面が、処理室11aを形成する。処理室11aは、気密に閉じられることが可能である。気密に閉じられた状態とは、処理室11aの内部と外部との間で気体の移動が無い状態であり、処理室11aに排出口24及び導入口25が開口しても良い。
A
ターゲット12、ステージ13、遮蔽部材15、及びコリメータ16は、処理室11aに配置され、チャンバ11に収容される。なお、ターゲット12、ステージ13、遮蔽部材15、及びコリメータ16はそれぞれ、部分的に処理室11aの外に位置しても良い。
The
排出口24は、処理室11aに開口し、ポンプ17に接続される。ポンプ17は、例えば、ドライポンプ、クライオポンプ、又はターボ分子ポンプなどである。ポンプ17が排出口24から処理室11aの気体を吸引することで、処理室11aの気圧が低下し得る。ポンプ17は、処理室11aを真空にすることが可能である。
The
導入口25は、処理室11aに開口し、タンク18に接続される。タンク18は、例えばアルゴンガスのような不活性ガスを収容する。アルゴンガスが、タンク18から導入口25を通って処理室11aに導入され得る。タンク18は、アルゴンガスの流量を調整可能なバルブを有する。
The
ターゲット12は、粒子の発生源として利用される、例えば円盤状の金属板である。なお、ターゲット12は、他の形状に形成されても良い。本実施形態において、ターゲット12は、例えば銅によって作られる。ターゲット12は、他の材料によって作られても良い。
The
ターゲット12は、チャンバ11の上壁21の取付面21aに取り付けられる。バッキングプレートである上壁21は、ターゲット12の冷却材及び電極として用いられる。なお、チャンバ11は、上壁21と異なる部品としてのバッキングプレートを有しても良い。
The
上壁21の取付面21aは、Z軸の負方向に向き、略平坦に形成された、上壁21の内面である。このような取付面21aにターゲット12が配置される。上壁21は、発生源配置部の一例である。発生源配置部は、独立の部材又は部品に限らず、ある部材又は部品上の特定の位置であって良い。
The mounting
ターゲット12は、下方向に向く略平坦な下面12aを有する。ターゲット12に電圧が印加されると、チャンバ11の内部に導入されたアルゴンガスがイオン化し、プラズマPが発生する。図1は、プラズマPを二点鎖線で示す。
The
マグネット14は、例えば、電磁石又は永久磁石である。マグネット14は、処理室11aの外部に位置し、上壁21及びターゲット12に沿って移動可能である。上壁21は、ターゲット12とマグネット14との間に位置する。プラズマPは、マグネット14の近くで発生する。
The
プラズマPのアルゴンイオンがターゲット12に衝突することで、例えばターゲット12の下面12aから、粒子Cが飛ぶ。言い換えると、ターゲット12は、粒子Cを放出することが可能である。粒子Cは、本実施形態における粒子の一例であり、ターゲット12を構成する成膜材料の微小な粒である。本実施形態において、粒子Cは、銅イオン、銅原子、及び銅分子を含む。
When the argon ions of the plasma P collide with the
ターゲット12の下面12aから粒子Cが飛ぶ方向は、コサイン則(ランベルトの余弦則)に従って分布する。すなわち、下面12aのある一点から飛ぶ粒子Cは、下面12aの法線方向(鉛直方向)に最も多く飛ぶ。法線方向に対して角度θで傾斜する(斜めに交差する)方向に飛ぶ粒子Cの数は、法線方向に飛ぶ粒子Cの数の余弦(cosθ)に大よそ比例する。
The direction in which the particles C fly from the
ステージ13は、チャンバ11の底壁22の上に配置される。上壁21及びターゲット12は、ステージ13からZ軸の正方向に離間して配置される。Z軸の正方向は、第1の方向の一例である。ステージ13は、上方に向く略平坦な載置面13aを有する。載置面13aは、半導体ウェハ2を支持する。半導体ウェハ2は、例えば円盤状に形成される。なお、半導体ウェハ2は、他の形状に形成されても良い。
The
載置面13aは、上壁21の取付面21aからZ軸の負方向に離間し、取付面21aと向かい合う。このような載置面13aに、半導体ウェハ2が配置される。ステージ13は、物体配置部の一例である。物体配置部は、独立の部材又は部品に限らず、ある部材又は部品上の特定の位置であって良い。
The mounting
ステージ13は、Z軸方向に移動可能であるとともに、回転可能である。ステージ13は、ヒータを有し、載置面13aに配置された半導体ウェハ2を温めることが可能である。さらに、ステージ13は電極としても用いられる。
The
遮蔽部材15は、略筒状に形成される。遮蔽部材15は、側壁23の一部と、側壁23と半導体ウェハ2との間の隙間と、を覆う。遮蔽部材15が半導体ウェハ2を保持しても良い。遮蔽部材15は、ターゲット12から放出された粒子Cが、底壁22及び側壁23に付着することを抑制する。
The shielding
コリメータ16は、Z軸方向において、上壁21の取付面21aと、ステージ13の載置面13aとの間に配置される。別の表現によれば、コリメータ16は、Z軸方向において、ターゲット12と半導体ウェハ2との間に配置される。コリメータ16は、例えばチャンバ11の側壁23に取り付けられる。コリメータ16は、遮蔽部材15に支持されても良い。
The
コリメータ16とチャンバ11との間は、絶縁される。例えば、コリメータ16とチャンバ11との間に、絶縁性の部材が介在する。さらに、コリメータ16と遮蔽部材15との間も絶縁される。
The
Z軸方向において、コリメータ16と上壁21の取付面21aとの間の距離は、コリメータ16とステージ13の載置面13aとの間の距離よりも短い。コリメータ16の配置は、これに限らない。
In the Z-axis direction, the distance between the
図2は、第1の実施形態のコリメータ16を示す斜視図である。図3は、第1の実施形態のコリメータ16を分解して示す斜視図である。図3に示すように、コリメータ16は、ベース部材31と、複数のコリメート部材32とを有する。ベース部材31は、取付部材の一例である。コリメート部材32は、整流部材の一例である。
FIG. 2 is a perspective view showing the
ベース部材31は、例えば、アルミニウムによって作られることで、容易に製造可能である。ベース部材31は、ステンレス鋼のような他の材料によって作られても良い。ベース部材31は、枠41と、コリメート部42とを有する。枠41は、例えば、外縁部、保持部、支持部、又は壁とも称され得る。
The
枠41は、Z軸方向に延びる略円筒状の壁である。なお、枠41はこれに限らず、矩形のような他の形状に形成されても良い。枠41は、内周面41aを有する。内周面41aは、円筒状の枠41の中心軸Axに向く。枠41の中心軸Axは、Z軸方向に延びる。X‐Y平面において、内周面41aに囲まれた部分の面積は、半導体ウェハ2の断面積よりも大きい。
The
図1に示すように、枠41は、側壁23の一部を覆う。Z軸方向における上壁21とステージ13との間において、側壁23は、遮蔽部材15と、コリメータ16の枠41とに覆われる。枠41は、ターゲット12から放出された粒子Cが、側壁23に付着することを抑制する。
As shown in FIG. 1, the
図3に示すように、コリメート部42は、X‐Y平面において、筒状の枠41の内側に設けられる。コリメート部42は、枠41の内周面41aに接続される。枠41とコリメート部42とは一体に作られる。なお、コリメート部42は、枠41と異なる部品であっても良い。コリメート部42は、枠41の内側に固定される。
As shown in FIG. 3, the collimating
図1に示すように、コリメート部42は、上壁21の取付面21aとステージ13の載置面13aとの間に配置される。コリメート部42は、Z軸方向において、上壁21から離間するとともに、ステージ13から離間する。コリメート部42は、複数のコリメート部材32を支持する。
As shown in FIG. 1, the collimating
図4は、第1の実施形態の一つのコリメート部材32を示す斜視図である。複数のコリメート部材32は、互いに略同一の形状を有する。このため、コリメート部材32の製造コストの増大が抑制される。図4において、一つのコリメート部材32が代表して示される。なお、複数のコリメート部材32は、互いに異なる形状を有する複数種類のコリメート部材32を含んでも良い。
FIG. 4 is a perspective view showing one collimating
コリメート部材32は、例えば、ステンレス鋼又はセラミックスによって作られることで、洗浄及び繰り返しの使用が容易となる。なお、コリメート部材32は、アルミニウムのような他の材料によって作られても良い。また、ベース部材31の材料とコリメート部材32の材料とが同一であっても良い。
The collimating
図2に示すように、複数のコリメート部材32はそれぞれ、複数の第1の壁51を有する。第1の壁51は、例えば、板又は遮蔽部とも称され得る。複数の第1の壁51は、互いに接続され、一体に作られる。複数の第1の壁51は、複数の第1の貫通口52を形成する。
As shown in FIG. 2, each of the plurality of
複数の第1の貫通口52は、Z軸方向に延びる六角形の孔である。複数の第1の貫通口52は、並行に配置される。すなわち、複数の第1の壁51は、内側に第1の貫通口52が形成された複数の六角形の筒の集合体(ハニカム構造)を形成する。Z軸方向に延びる第1の貫通口52は、Z軸方向に移動する粒子Cのような物体を通過させることが可能である。なお、第1の貫通口52は、他の形状に形成されても良い。
The plurality of first through
並行に配置された複数の第1の貫通口52では、一つの第1の貫通口52と、他の一つの第1の貫通口52とが、互いに沿って延びるとともに、第1の貫通口52が延びる方向と交差する方向に隣り合う。本実施形態において、複数の第1の貫通口52は、平行に配置される。しかし、複数の第1の貫通口52がそれぞれ延びる方向は、平行に限らず、互いに僅かに異なっても良い。このように、並行は、二つのものが等距離で交わらずに延びる数学的平行を含むが、数学的平行と一致するとは限らない。
In the plurality of first through
図1に示すように、コリメート部材32は、上端部55と下端部56とをさらに有する。上端部55は、Z軸の正方向におけるコリメート部材32の端部であり、ターゲット12及び上壁21の取付面21aに向く。下端部56は、Z軸の負方向におけるコリメート部材32の端部であり、ステージ13に支持された半導体ウェハ2及びステージ13の載置面13aに向く。
As shown in FIG. 1, the collimating
第1の貫通口52は、コリメート部材32の上端部55から下端部56に亘って設けられる。すなわち、第1の貫通口52は、ターゲット12に向かって開口するとともに、ステージ13に支持された半導体ウェハ2に向かって開口する孔である。
The first through
図4に示すように、複数の第1の壁51はそれぞれ、Z軸方向に延びる略矩形(四角形)の板である。第1の壁51は、例えば、Z軸方向に対して斜めに交差する方向に延びても良い。複数の第1の壁51はそれぞれ、上端面51aと、下端面51bと、二つの壁面51c,51dとを有する。壁面51cは、第1の面の一例である。壁面51dは、第2の面の一例である。
As shown in FIG. 4, each of the plurality of
図5は、第1の実施形態のベース部材31の一部とコリメート部材32の一部とを概略的に示す断面図である。図5に示すように、上端面51aは、Z軸の正方向における第1の壁51の端面である。複数の第1の壁51の上端面51aは、コリメート部材32の上端部55を形成する。コリメート部材32の上端部55は、実質的に平坦に形成される。なお、上端部55は、例えば、ターゲット12及び上壁21の取付面21aから遠ざかるように湾曲しても良い。
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a part of the
下端面51bは、Z軸の負方向における第1の壁51の端面である。複数の第1の壁51の下端面51bは、コリメート部材32の下端部56を形成する。図1に示すように、コリメート部材32の下端部56は、複数のコリメート部材32の下端部56が全体としてステージ13に支持された半導体ウェハ2及びステージ13の載置面13aに向かって突出するように湾曲する。このため、コリメート部材32は、鉛直方向における長さが互いに異なる複数の第1の壁51を有する。なお、下端部56は、例えば、実質的に平坦に形成されても良い。
The
図5に示すように、壁面51c、51dは、略平坦に形成され、Z軸と交差する方向(X‐Y平面上の方向)に向く。一つの第1の壁51の壁面51c,51dはそれぞれ、他の複数の第1の壁51の壁面51c又は壁面51dとともに、一つの第1の貫通口52を形成(規定)する。このため、壁面51c,51dは、一つの第1の貫通口52の内側に向く。壁面51dは、壁面51cの反対側に位置する。
As shown in FIG. 5, the wall surfaces 51c and 51d are formed substantially flat and face in a direction intersecting the Z axis (direction on the XY plane). The wall surfaces 51c and 51d of one
図3に示すように、ベース部材31のコリメート部42は、複数の第2の壁61を有する。第2の壁61は、例えば、板又は遮蔽部とも称され得る。複数の第2の壁61は、互いに接続され、一体に作られる。コリメート部42に、複数の第2の壁61により形成され、並行に配置された複数の第2の貫通口62が設けられる。
As shown in FIG. 3, the collimating
複数の第2の貫通口62は、Z軸方向に延びる六角形の孔である。すなわち、複数の第2の壁61は、内側に第2の貫通口62が形成された複数の六角形の筒の集合体(ハニカム構造)を形成する。Z軸方向に延びる第2の貫通口62は、Z軸方向に移動する粒子Cのような物体を通過させることが可能である。なお、第2の貫通口62は、他の形状に形成されても良い。
The plurality of second through
複数の第2の壁61はそれぞれ、Z軸方向に延びる略矩形(四角形)の板である。第2の壁61は、例えば、Z軸方向に対して斜めに交差する方向に延びても良い。複数の第2の壁61はそれぞれ、上端面61aと、下端面61bと、二つの壁面61c,61dとを有する。上端面61aは、第1の方向における端面の一例である。壁面61cは、第3の面の一例である。壁面61dは、第4の面の一例である。
Each of the plurality of
図5に示すように、上端面61aは、Z軸の正方向における第2の壁61の端面である。下端面61bは、Z軸の負方向における第2の壁61の端面である。壁面61c、61dは、略平坦に形成され、Z軸と交差する方向に向く。
As shown in FIG. 5, the
一つの第2の壁61の壁面61c,61dはそれぞれ、他の複数の第2の壁61の壁面61c又は壁面61dとともに、一つの第2の貫通口62を形成(規定)する。このため、壁面61c,61dは、一つの第2の貫通口62の内側に向く。壁面61dは、壁面61cの反対側に位置する。
The wall surfaces 61c and 61d of one
本実施形態において、第2の壁61は、第1の壁51よりも薄い。このため、第1の壁51の二つの壁面51c,51dの間の距離は、第2の壁61の二つの壁面61c,61dの間の距離よりも大きい。なお、第2の壁61の厚さは、第1の壁51の厚さと等しくても良いし、より厚くても良い。
In the present embodiment, the
図3に示すように、コリメート部42は、内側部分63と、外側部分64とを有する。内側部分63は、支持部の一例である。内側部分63及び外側部分64はそれぞれ、コリメート部42の一部である。内側部分63は、複数の第2の壁61を有し、複数の第2の貫通口62が設けられる。外側部分64も、複数の第2の壁61を有する。
As shown in FIG. 3, the collimating
X‐Y平面において、内側部分63は略円形の領域であり、外側部分64は略円環状の領域である。内側部分63は、外側部分64に囲まれ、外側部分64よりも中心軸Axに近い。内側部分63と外側部分64とは、Z軸と交差する方向に隣接する。外側部分64は、枠41の内周面41aに接続される。内側部分63は、外側部分64を介して、枠41に接続される。
In the XY plane, the
図1に示すように、コリメート部42は、上端部65と、底部66と、下端部67とをさらに有する。上端部65は、Z軸の正方向におけるコリメート部42の端部であり、Z軸の正方向における外側部分64の端部でもある。底部66は、Z軸の正方向における内側部分63の端部である。上端部65及び底部66は、ターゲット12及び上壁21の取付面21aに向く。下端部67は、Z軸の負方向におけるコリメート部42の端部であり、ステージ13に支持された半導体ウェハ2及びステージ13の載置面13aに向く。Z軸方向において、底部66は、上端部65と下端部67との間に位置する。
As shown in FIG. 1, the collimating
図3に示すように、コリメート部42に、収容部68が設けられる。収容部68は、底部66の上方且つ外側部分64の内側に設けられ、Z軸の正方向に開放された窪みである。底部66は、収容部68の底面を形成する。
As shown in FIG. 3, the
図1に示すように、第2の貫通口62は、コリメート部42の上端部65又は底部66から下端部67に亘って設けられる。すなわち、第2の貫通口62は、ターゲット12に向かって開口するとともに、ステージ13に支持された半導体ウェハ2に向かって開口する孔である。
As shown in FIG. 1, the second through-
外側部分64の複数の第2の壁61の上端面61aは、コリメート部42の上端部65を形成する。コリメート部42の上端部65は、実質的に平坦に形成される。なお、上端部65は、例えば、ターゲット12及び上壁21の取付面21aから遠ざかるように湾曲しても良い。
Upper end surfaces 61 a of the plurality of
内側部分63の複数の第2の壁61の上端面61aは、コリメート部42の底部66を形成する。コリメート部42の底部66は、ターゲット12及び上壁21の取付面21aから遠ざかるように湾曲する。底部66の曲率半径は、コリメート部材32の下端部56の曲率半径と略等しい。
Upper end surfaces 61 a of the plurality of
複数の第2の壁61の下端面61bは、コリメート部42の下端部67を形成する。コリメート部42の下端部67は、ステージ13に支持された半導体ウェハ2及びステージ13の載置面13aに向かって突出するように湾曲する。下端部67の曲率半径は、コリメート部材32の下端部56の曲率半径と略等しい。
Lower end surfaces 61 b of the plurality of
コリメート部42の上端部65と下端部67とは、互いに異なる形状を有する。このため、外側部分64は、鉛直方向における長さが互いに異なる複数の第2の壁61を有する。一方、コリメート部42の底部66と下端部67とは、略同一の形状を有する。このため、内側部分63は、鉛直方向における長さが略同一な複数の第2の壁61を有する。
The
Z軸方向において、内側部分63の長さは、コリメート部材32の長さよりも短い。言い換えると、Z軸方向において、内側部分63の第2の壁61の長さは、第1の壁51の長さよりも短い。なお、第1の壁51及び第2の壁61の長さはこれに限らない。
In the Z-axis direction, the length of the
図2に示すように、複数のコリメート部材32は、収容部68に収容され、ベース部材31に取り外し可能に取り付けられる。別の表現によれば、複数のコリメート部材32は、枠41及び外側部分64の内側に配置される。
As shown in FIG. 2, the plurality of
収容部68において、複数のコリメート部材32は、中心軸Axの周方向に隣り合うように配置される。周方向は、中心軸Axまわりの方向であり、第1の方向と交差する方向の一例である。
In the
以下の説明において、複数のコリメート部材32は、コリメート部材32A,32B,32C,32D,32E,32Fと個別に称され得る。言い換えると、複数のコリメート部材32は、コリメート部材32A,32B,32C,32D,32E,32Fを含む。コリメート部材32Aは、第1の整流部材の一例である。コリメート部材32Bは、第2の整流部材の一例である。
In the following description, the plurality of
コリメート部材32A,32B,32C,32D,32E,32Fは、中心軸Axの周方向に並べられるとともに隣り合う。また、中心軸Axの近傍において、コリメート部材32A,32B,32C,32D,32E,32Fは、中心軸Axの径方向にも隣り合う。径方向は、中心軸Axと直交する方向である。
The
複数の第1の貫通口52はそれぞれ、一つのコリメート部材32の複数の第1の壁51により形成された複数の第1の貫通口52Aと、隣り合う複数のコリメート部材32の複数の第1の壁51により形成された複数の第1の貫通口52Bとを含む。第1の貫通口52Bは、中間開口の一例である。
Each of the plurality of first through
例えば、図2に示すように、コリメート部材32Aの複数の第1の壁51と、コリメート部材32Bの複数の第1の壁51とが、第1の貫通口52Bを形成する。同じく、コリメート部材32B,32C、コリメート部材32C,32D、コリメート部材32D,32E、コリメート部材32E,32F、及びコリメート部材32F,32Aの複数の第1の壁51が、複数の第1の貫通口52Bを形成する。
For example, as shown in FIG. 2, the plurality of
本実施形態において、複数の第1の貫通口52は、コリメート部42の外側部分64の複数の第2の壁61と、コリメート部材32の複数の第1の壁51とにより形成された複数の第1の貫通口52Cも含む。なお、第1の貫通口52は、この例に限られない。
In the present embodiment, the plurality of first through
Z軸方向の平面視において、第1の貫通口52の形状は、第2の貫通口62の形状と相似形である。コリメート部材32がベース部材31に取り付けられると、複数の第1の貫通口52は、内側部分63の複数の第2の貫通口62とZ軸の正方向に並べられる。言い換えると、Z軸方向の平面視において、複数の第1の貫通口52は、複数の第2の貫通口62と重なる。なお、第1の貫通口52の形状及び位置は、第2の貫通口62の形状及び位置と異なっても良い。
In plan view in the Z-axis direction, the shape of the first through
図5に示すように、コリメート部材32がベース部材31に取り付けられると、複数の第1の壁51は、内側部分63の複数の第2の壁61とZ軸の正方向に並べられる。このため、第1の壁51の下端面51bと、内側部分63の第2の壁61の上端面61aとが向かい合う。
As shown in FIG. 5, when the collimating
図6は、第1の実施形態の複数の第1の壁51と複数の第2の壁61とを模式的に示す斜視図である。図7は、第1の実施形態の複数の第1の壁51と複数の第2の壁61とを分解して模式的に示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view schematically showing a plurality of
図6及び図7は、説明のため、一つの第1の貫通口52を形成する六つの第1の壁51と、一つの第2の貫通口62を形成する六つの第2の壁61とを、模式的に示す。図7に例示するように、複数のコリメート部材32にそれぞれ、凸部71が設けられる。凸部71は、凸部及び第1の接続部の一例である。
6 and 7 are, for the sake of explanation, six
凸部71は、コリメート部材32の複数の第1の壁51の少なくとも一つに設けられる。図5に示すように、凸部71は、第1の壁51の下端面51bから、Z軸の負方向に突出する。別の表現によれば、凸部71は、第1の壁51から、当該第1の壁51と並ぶ第2の壁61に向かって突出する。
The
凸部71は、第1の壁51の下端面51bに沿って延びる板状に形成される。凸部71はこの例に限らず、例えば、円柱状に形成されても良い。凸部71は、第1の壁51よりも薄い。このため、凸部71は、第1の壁51の二つの壁面51c,51dの間に位置するとともに、二つの壁面51c,51dから離間する。凸部71は、二つの壁面51c,51dの間の略中央に位置する。
The
コリメート部42の内側部分63の複数の第2の壁61の上端面61aに、凹部72が設けられる。凹部72は、凹部及び第2の接続部の一例である。凹部72は、第2の壁61の上端面61aから窪む有底の穴である。
凹部72は、第2の壁61の上端面61aに沿って延びる溝状に形成される。凹部72はこの例に限らず、凸部71に対応した形状を有し、例えば円形の穴であっても良い。凹部72の幅は、第2の壁61の厚さよりも短い。このため、複数の凹部72はそれぞれ、第2の壁61の二つの壁面61c,61dの間に位置するとともに、二つの壁面61c,61dから離間する。凹部72は、二つの壁面61c,61dの間の略中央に位置する。
The
凹部72に凸部71が挿入されることで、凸部71と凹部72とが接続される。凹部72の底面72aは、挿入された凸部71を支持することで、コリメート部材32を支持する。凹部72の底面72aは、コリメート部材32がZ軸の負方向に移動(落下)することを制限する。一方、コリメート部材32は、凹部72に沿って、Z軸の正方向に移動可能である。さらに、凹部72の縁72bは、コリメート部材32が、ベース部材31に対してZ軸と交差する方向に移動することを制限する。これにより、コリメート部材32が、ベース部材31に取り付けられる。凸部71が凹部72から抜かれることで、コリメート部材32はベース部材31から取り外される。
By inserting the
図1に示すように、コリメート部材32は、ベース部材31に取り付けられることで、コリメート部42の内側部分63と、上壁21の取付面21aとの間に配置される。コリメート部材32は、Z軸方向において、上壁21から離間する。
As shown in FIG. 1, the collimating
図5に示すように、Z軸方向において、凹部72の深さは、凸部71の長さよりも小さい。このため、凸部71が凹部72の底面72aに支持された状態において、凸部71の一部が凹部72に収容されるとともに、凸部71の他の部分が凹部72の外に位置する。さらに、第1の壁51が第2の壁61からZ軸の正方向に離間し、第1の壁51の下端面51bは、第2の壁61の上端面61aと、隙間G1を介して向かい合う。隙間G1の幅である第1の壁51と第2の壁61との間の距離は、半導体ウェハ2に粒子Cによって形成される膜の厚さよりも長い。
As shown in FIG. 5, the depth of the
互いに連通した第1の貫通口52及び第2の貫通口62は、隣接する他の第1の貫通口52及び他の第2の貫通口62と、隙間G1によって連通される。例えば壁面61cに沿う隙間G1の断面積は、Z軸と直交する第1の貫通口52の断面積及び第2の貫通口62の断面積のそれぞれよりも小さい。
The first through
図8は、第1の実施形態の二つのコリメート部材32A,32Bの複数の第1の壁51と複数の第2の壁61とを模式的に示す斜視図である。図8は、説明のため、一つの第1の貫通口52Aを形成するコリメート部材32Aの六つの第1の壁51と、一つの第1の貫通口52Bを形成するコリメート部材32Bの五つの第1の壁51と、二つの第2の貫通口62を形成する複数の第2の壁61とを、模式的に示す。図8における第1の壁51は、説明のための模式的な一例であり、図1乃至図4における第1の壁51と異なり得る。
FIG. 8 is a perspective view schematically showing the plurality of
図8の例において、コリメート部材32Aの一つの第1の壁51と、コリメート部材32Bの五つの第1の壁51とが、一つの第1の貫通口52Bを形成する。コリメート部材32Aの第1の壁51と、コリメート部材32Bの第1の壁51とは、接触せず、Z軸と交差する方向に互いに離間する。Z軸と交差する方向は、第1の方向と交差する方向の一例である。
In the example of FIG. 8, one
コリメート部材32Aの複数の第1の壁51と、コリメート部材32Bの複数の第1の壁51との間に、複数の隙間G2が設けられる。コリメート部材32Aとコリメート部材32Bとの間の隙間G2は、略均一な幅を有し、Z軸方向に延びる。隙間G2が略均一な幅を有することで、コリメート部材32Aとコリメート部材32Bとの間で放電が生じることが抑制される。
A plurality of gaps G2 are provided between the plurality of
図2に示すように、コリメート部材32A,32Bの間の隙間G2は、一つの第1の貫通口52Bと、隣接する他の一つの第1の貫通口52Bとに連通する。複数の第1の貫通口52Bにそれぞれ、少なくとも二つの隙間G2が連通する。隙間G2の幅であるコリメート部材32Aの第1の壁51とコリメート部材32Bの第1の壁51との間の距離は、隙間G1の幅である第1の壁51と第2の壁61との間の距離よりも長い。
As shown in FIG. 2, the gap G2 between the
以上説明したスパッタ装置1は、例えば、以下のようにマグネトロンスパッタリングを行う。なお、スパッタ装置1がマグネトロンスパッタリングを行う方法は、以下に説明される方法に限らない。 The sputtering apparatus 1 described above performs, for example, magnetron sputtering as follows. Note that the method by which the sputtering apparatus 1 performs magnetron sputtering is not limited to the method described below.
まず、図1に示すポンプ17が、排出口24から処理室11aの気体を吸引する。これにより、処理室11aの空気が除去され、処理室11aの気圧が低下する。ポンプ17は、処理室11aを真空にする。
First, the
次に、タンク18が、導入口25から処理室11aに、アルゴンガスを導入する。ターゲット12に電圧が印加されると、マグネット14の磁場付近でプラズマPが生じる。さらに、ステージ13に電圧が印加されても良い。
Next, the
ターゲット12の下面12aをイオンがスパッタすることで、ターゲット12の下面12aから、半導体ウェハ2に向かって粒子Cが放出される。上述のように、粒子Cが飛ぶ方向は、コサイン則に従って分布する。
Ions are sputtered on the
鉛直方向に放出された粒子Cは、第1及び第2の貫通口52,62を通過して、ステージ13に支持された半導体ウェハ2に向かって飛ぶ。一方、鉛直方向に対して斜めに交差する方向(傾斜方向)に放出される粒子Cも存在する。
The particles C released in the vertical direction pass through the first and second through
傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲外である粒子Cは、コリメータ16に付着する。例えば、粒子Cは、第1又は第2の壁51,61に付着する。すなわち、コリメータ16は、傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲外である粒子Cを遮断する。傾斜方向に飛ぶ粒子Cは、遮蔽部材15に付着することもある。
The particles C whose angle between the tilt direction and the vertical direction is outside the predetermined range adhere to the
傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲内である粒子Cは、コリメータ16の第1及び第2の貫通口52,62を通過して、ステージ13に支持された半導体ウェハ2に向かって飛ぶ。なお、傾斜方向と鉛直方向との間の角度が所定の範囲内である粒子Cが、遮蔽部材15又はコリメータ16に付着することがある。
Particles C having an angle between the tilt direction and the vertical direction within a predetermined range pass through the first and second through
コリメータ16の第1及び第2の貫通口52,62を通過した粒子Cは、半導体ウェハ2に付着及び堆積することで、半導体ウェハ2に成膜される。言い換えると、半導体ウェハ2は、ターゲット12が放出した粒子Cにより、金属膜を形成される。第1及び第2の貫通口52,62を通過した粒子Cの向き(方向)は、鉛直方向に対して所定の範囲内で揃う。このように、コリメータ16の形状によって、半導体ウェハ2に成膜される粒子Cの方向が制御される。
The particles C that have passed through the first and second through
半導体ウェハ2に成膜される粒子Cの膜の厚さが所望の厚さに達するまでの間、マグネット14が移動する。マグネット14が移動することで、プラズマPが移動し、ターゲット12を均一に削ることができる。
The
図5に示すように、第1の壁51の下端面51bと第2の壁61の上端面61aとの近傍に向かって、粒子Cが飛来することがある。しかし、第1の壁51の下端面51bと第2の壁61の上端面61aとが互いに離間しているため、粒子Cにより第1の壁51と第2の壁61とが結合されることが抑制される。
As shown in FIG. 5, the particles C may fly toward the vicinity of the
凸部71が第1の壁51の壁面51c,51dから離間し、凹部72が第2の壁61の壁面61c,61dから離間する。このため、粒子Cが凸部71と凹部72との接続部分に到達することが抑制され、粒子Cによりベース部材31とコリメート部材32とが結合されることが抑制される。
The
例えば、粒子Cが半導体ウェハ2の金属膜に衝突することで、当該金属膜から略上方向に粒子Cが放出されることがある。しかし、ターゲット12から放出される粒子Cの方が、半導体ウェハ2の膜から放出される粒子Cよりも多い。
For example, when the particle C collides with the metal film of the
第1の壁51は第2の壁61よりも厚く、第1の壁51の壁面51c,51dと凸部71との間の距離は、第2の壁61の壁面61c,61dと凹部72との間の距離よりも長い。このため、第1の壁51は、凸部71と凹部72との接続部分を大きく覆い、ターゲット12から放出された粒子Cが凸部71と凹部72との接続部分に到達することを抑制する。
The
第1の壁51の下端面51bと第2の壁61の上端面61aとの間の距離は、第1の壁51及び第2の壁61に堆積した粒子Cが第1の壁51と第2の壁61とを結合することを抑制可能なように設定される。さらに、第1の壁51の下端面51bと第2の壁61の上端面61aとの間の距離、第1の壁51の壁面51c,51dと凸部71との間の距離、そして第2の壁61の壁面61c,61dと凹部72との間の距離は、粒子Cが凸部71と凹部72との接続部分に到達することを抑制可能なように設定される。
The distance between the
例えば、図1に示すように、Z軸と直交する方向の平面視において、第1の壁51の上端面51aと隙間G1とを結ぶ仮想線L1を定義する。さらに、図5に示すように、第1の壁51の下端面51b及び壁面51c,51dの角と、凸部71及び凹部72の接続部と、を結ぶ仮想線L2を定義する。この場合に、仮想線L1と中心軸Ax(Z軸)との間の角度D1が、仮想線L2と中心軸Ax(Z軸)との間の角度D2よりも小さくなるように、ベース部材31及びコリメート部材32の寸法が設定される。
For example, as shown in FIG. 1, an imaginary line L1 connecting the
図8に示すように、コリメート部材32Aの第1の壁51とコリメート部材32Bの第1の壁51との近傍に向かって、粒子Cが飛来することがある。しかし、コリメート部材32Aの第1の壁51とコリメート部材32Bの第1の壁51とが互いに離間しているため、粒子Cによりコリメート部材32Aとコリメート部材32Bとが結合されることが抑制される。
As shown in FIG. 8, the particles C may fly toward the vicinity of the
第1の壁51において、上端面51aのようなターゲット12に近い部分ほど、粒子Cが付着及び堆積しやすい。コリメート部材32Aの第1の壁51とコリメート部材32Bの第1の壁51との間の距離は、コリメート部材32A,32Bに堆積した粒子Cがコリメート部材32Aとコリメート部材32Bとを結合することを抑制可能なように設定される。
In the
本実施形態のコリメータ16のベース部材31及びコリメート部材32は、例えば、3Dプリンタによって積層造形される。ベース部材31及びコリメート部材32は、鋳造や鍛造のような、他の方法によって製造されても良い。
The
以上説明された第1の実施形態に係るスパッタ装置1において、複数のコリメート部材32は、ベース部材31に取り外し可能に取り付けられ、Z軸の正方向と交差する方向に隣り合い、複数の第1の壁51によって並行に配置された複数の第1の貫通口52を形成する。複数のコリメート部材32をベース部材31から取り外すことで、ベース部材31と、複数のコリメート部材32とを、例えばスパッタ装置1に対するコリメータ16の取り付け及び取り外しの際に個別に扱うことができる。このように、コリメータ16が分解及び組立可能であるため、一度に扱われるベース部材31やコリメート部材32のような部品の個々の重量を低減でき、スパッタ装置1に対するコリメータ16の取り付け及び取り外しが容易となる。さらに、例えば、第1の壁51に粒子Cが堆積した場合、コリメート部材32を交換することで、コリメータ16が粒子Cの向きを揃える精度を回復することができる。
In the sputtering apparatus 1 according to the first embodiment described above, the plurality of
コリメート部材32Aの複数の第1の壁51と、コリメート部材32Bの複数の第1の壁51とは、Z軸の正方向と交差する方向に互いに離間する。これにより、コリメート部材32Aの第1の壁51とコリメート部材32Bの第1の壁51とが、例えばターゲット12から飛来した粒子Cにより結合することが抑制される。従って、複数のコリメート部材32の分解が妨げられることが抑制される。さらに、複数のコリメート部材32が互いに干渉することが抑制され、コリメート部材32の製造における精度を緩和させることができる。
The plurality of
ベース部材31の内側部分63は、内側部分63の凹部72がコリメート部材32の凸部71に接続されることで、複数のコリメート部材32を支持する。支持されたコリメート部材32の第1の壁51は、内側部分63からZ軸の正方向に離間する。これにより、第1の壁51と内側部分63とが、例えばターゲット12から飛来した粒子Cにより結合することが抑制される。従って、ベース部材31とコリメート部材32との分解が妨げられることが抑制される。
The
凸部71は、第1の壁51のうち一つから突出する。凹部72は、第2の壁61の上端面61aから窪むとともに凸部71の一部が収容される。これにより、凸部71を凹部72に挿し込むだけで凹部72が凸部71に接続されるため、ベース部材31とコリメート部材32とを容易に組み立てることができる。
The
内側部分63は、複数の第2の壁61により形成されるとともに並行に配置された複数の第2の貫通口62が設けられる。複数の第1の貫通口52は、複数の第2の貫通口62とZ軸の正方向に並べられる。これにより、並べられた第1の貫通口52及び第2の貫通口62の長さをより長くすることができ、例えば、第1の壁51及び第2の壁61がターゲット12から斜めに飛ぶ粒子Cを遮り、第1の貫通口52及び第2の貫通口62を通過する粒子Cの向きをより精度良く揃えることができる。
The
凸部71は、第1の壁51の二つの壁面51c,51dの間に位置するとともに、二つの壁面51c,51dから離間する。凹部72は、第2の壁61の二つの壁面61c,61dの間に位置するとともに、二つの壁面61c,61dから離間する。これにより、例えばターゲット12から飛来した粒子Cが、凸部71と凹部72との接続部分に到達することが抑制される。従って、凸部71と凹部72との接続部分が粒子Cにより結合することが抑制され、ベース部材31とコリメート部材32との分解が妨げられることが抑制される。
The
二つの壁面51c,51dの間の距離は、二つの壁面61c,61dの間の距離よりも大きい。これにより、ターゲット12がコリメータ16からZ軸の正方向に離間した位置に配置される場合、ターゲット12から飛来した粒子Cが、凸部71と凹部72との接続部分に到達することが抑制される。従って、凸部71と凹部72との接続部分が粒子Cにより結合することが抑制され、ベース部材31とコリメート部材32との分解が妨げられることが抑制される。
The distance between the two
コリメート部42は、内側部分63と外側部分64とを有する。内側部分63は、複数のコリメート部材32を支持する底部66を有する。外側部分64は、複数のコリメート部材32を囲む。これにより、複数のコリメート部材32の形状を同一に設計しやすくなる。さらに、複数のコリメート部材32を小型化及び軽量化することができる。
The
(第2の実施形態)
以下に、第2の実施形態について、図9を参照して説明する。なお、以下の複数の実施形態の説明において、既に説明された構成要素と同様の機能を持つ構成要素は、当該既述の構成要素と同じ符号が付され、さらに説明が省略される場合がある。また、同じ符号が付された複数の構成要素は、全ての機能及び性質が共通するとは限らず、各実施形態に応じた異なる機能及び性質を有していても良い。
(Second Embodiment)
Hereinafter, the second embodiment will be described with reference to FIG. In the following description of the plurality of embodiments, components having the same functions as the components already described are denoted by the same reference numerals as those described above, and further description may be omitted. . In addition, a plurality of components to which the same reference numerals are attached do not necessarily have the same functions and properties, and may have different functions and properties according to each embodiment.
図9は、第2の実施形態に係る複数のコリメート部材32の一部を示す斜視図である。図9に示すように、例えば隣り合うコリメート部材32A,32Bの複数の第1の壁51により、第1の貫通口52Bが形成される。
FIG. 9 is a perspective view showing a part of the plurality of
第1の貫通口52Bを形成するコリメート部材32Aの複数の第1の壁51は、第1の端壁81を含む。第1の端壁81は、他の二つの第1の壁51に接続されるとともに、コリメート部材32Bに向かって延びる一つの第1の壁51である。第1の端壁81は、第1の基壁82と、複数の第1の凸壁83とを含む。
The plurality of
第1の基壁82は、他の二つの第1の壁51から、コリメート部材32Bに向かって突出する。コリメート部材32Bに向く第1の基壁82の端面82aは、Z軸方向に略直線状に延びる。Z軸方向において、第1の基壁82は、コリメート部材32Aの上端部55から下端部56に亘って設けられる。
The
複数の第1の凸壁83は、第1の基壁82の端面82aから、コリメート部材32Bに向かって略平行に突出する。Z軸方向における、複数の第1の凸壁83のそれぞれの長さ(幅)は、第1の基壁82の長さよりも短い。複数の第1の凸壁83は、Z軸方向に間隔を介して並べられる。
The plurality of first
第1の貫通口52Bを形成するコリメート部材32Bの複数の第1の壁51は、第2の端壁85を含む。第2の端壁85は、他の二つの第1の壁51に接続されるとともに、コリメート部材32Aに向かって延びる一つの第1の壁51である。第2の端壁85は、第2の基壁86と、複数の第2の凸壁87とを含む。
The plurality of
第2の基壁86は、他の二つの第1の壁51から、コリメート部材32Aに向かって突出する。コリメート部材32Aに向く第2の基壁86の端面86aは、Z軸方向に略直線状に延びる。第2の基壁86の端面86aと第1の基壁82の端面82aとは、間隔を介して向かい合う。Z軸方向において、第2の基壁86は、コリメート部材32Bの上端部55から下端部56に亘って設けられる。
The
複数の第2の凸壁87は、第2の基壁86の端面86aから、コリメート部材32Aに向かって略平行に突出する。Z軸方向における、複数の第2の凸壁87のそれぞれの長さ(幅)は、第2の基壁86の長さよりも短い。複数の第2の凸壁87は、Z軸方向に間隔を介して並べられる。
The plurality of second
複数の第1の凸壁83と複数の第2の凸壁87とは、Z軸方向に間隔を介して交互に並べられる。さらに、コリメート部材32Bに向く第1の凸壁83の端面83aは、間隔を介して第2の基壁86の端面86aに向く。コリメート部材32Aに向く第2の凸壁87の端面87aは、間隔を介して第1の基壁82の端面82aに向く。
The plurality of first
第1の端壁81と第2の端壁85とは、接触せず、Z軸方向及びZ軸と交差する方向に互いに離間する。第1の端壁81と第2の端壁85との間に、略均一な幅を有するとともに蛇行する隙間G2が設けられる。
The
複数の第1の凸壁83及び複数の第2の凸壁87は、端凸壁89を含む。端凸壁89は、Z軸方向に並ぶ複数の第1の凸壁83及び複数の第2の凸壁87のうち、Z軸の正方向の端に位置する第1の凸壁83又は第2の凸壁87である。本実施形態において、Z軸の正方向の端に位置する第2の凸壁87が端凸壁89である。しかし、第1の凸壁83が端凸壁89であっても良い。
The plurality of first
第1の凸壁83及び第2の凸壁87が突出する方向(長手方向)において、端凸壁89の長さは、第1の凸壁83の長さよりも短く、且つ他の第2の凸壁87の長さよりも短い。長手方向は、第2の方向の一例である。
In the direction (longitudinal direction) in which the first
端凸壁89である第2の凸壁87の端面87aと第1の基壁82の端面82aとの間の距離は、他の第2の凸壁87の端面87aと第1の基壁82の端面82aとの間の距離よりも長い。さらに、端凸壁89である第2の凸壁87の端面87aと第1の基壁82の端面82aとの間の距離は、第1の凸壁83の端面83aと第2の基壁86の端面86aとの間の距離よりも長い。
The distance between the
以上説明された第2の実施形態のスパッタ装置1において、コリメート部材32Aの複数の第1の凸壁83と、コリメート部材32Bの複数の第2の凸壁87とは、Z軸の正方向に間隔を介して交互に並べられる。これにより、コリメート部材32Aとコリメート部材32Bが離間するとともに、複数の第1の凸壁83及び複数の第2の凸壁87が、例えばターゲット12から斜めに飛ぶ粒子Cを遮る。従って、コリメート部材32Aとコリメート部材32Bとが粒子Cにより結合することが抑制されるとともに、第1の貫通口52を通過する粒子Cの向きをより精度良く揃えることができる。
In the sputtering apparatus 1 of the second embodiment described above, the plurality of first
ターゲット12がコリメータ16からZ軸の正方向に離間した位置に配置される場合、ターゲット12から飛来した粒子Cは、Z軸の正方向の端に位置する端凸壁89に付着しやすい。複数の第1の凸壁83及び複数の第2の凸壁87のうち、端凸壁89は、他よりも長手方向における長さが短い。このため、端凸壁89が堆積した粒子Cにより他の第1の壁51に結合することが抑制される。
When the
(第3の実施形態)
以下に、第3の実施形態について、図10を参照して説明する。図10は、第3の実施形態に係る複数のコリメート部材32を示す平面図である。図10に示すように、Z軸方向の平面視において、一つの第1の貫通口52Bの中心と、当該第1の貫通口52Bに連通する一つの隙間G2と、を結ぶ仮想線L3は、当該第1の貫通口52Bの中心と、当該第1の貫通口52Bに連通する他の一つの隙間G2と、を結ぶ仮想線L4と交差する。すなわち、仮想線L3と仮想線L4とが異なっており、一致しない。このため、複数の隙間G2が直線状に並ばない。仮想線L3は、第1の仮想線の一例である。仮想線L4は、第2の仮想線の一例である。
(Third embodiment)
The third embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 10 is a plan view showing a plurality of
複数の第1の貫通口52Bのそれぞれにおいて、仮想線L3と仮想線L4とが交差する。このような第3の実施形態の複数のコリメート部材32も、互いに略同一の形状を有する。なお、少なくとも一つの第1の貫通口52Bにおいて、仮想線L3と仮想線L4とが一致し、二つの隙間G2が対向しても良い。
In each of the plurality of first through
以上説明された第3の実施形態のスパッタ装置1において、コリメート部材32Aの第1の壁51とコリメート部材32Bの第1の壁51とによって形成された第1の貫通口52Bに、二つの隙間G2が連通する。Z軸の正方向の平面視において、一つの第1の貫通口52Bの中心と、当該第1の貫通口52Bに連通する一つの隙間G2と、を結ぶ仮想線L3は、当該第1の貫通口52Bの中心と、当該第1の貫通口52Bに連通する他の一つの隙間G2と、を結ぶ仮想線L4と交差する。これにより、第1の貫通口52Bに連通する一つの隙間G2を通過した粒子Cが、当該第1の貫通口52Bに連通する他の隙間G2をさらに通過することが抑制される。従って、第1の壁51がターゲット12から斜めに飛ぶ粒子を遮り、第1の貫通口52を通過する粒子Cの向きをより精度良く揃えることができる。
In the sputtering apparatus 1 of the third embodiment described above, two gaps are formed in the first through
(第4の実施形態)
以下に、第4の実施形態について、図11及び図12を参照して説明する。図11は、第4の実施形態に係るコリメータ16を示す斜視図である。図12は、第4の実施形態のコリメータ16の一部を示す断面図である。
(Fourth embodiment)
Hereinafter, the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 11 and 12. FIG. 11 is a perspective view showing a
図12に示すように、第4の実施形態のベース部材31は、コリメート部42の代わりに、支持枠91を有する。支持枠91は、支持部の一例である。支持枠91は、略円環状に形成され、枠41の内周面41aに接続される。第4の実施形態において、凹部72は、支持枠91に設けられ、支持枠91の上端面91aから窪む。上端面91aは、Z軸の正方向における支持枠91の端面である。
As shown in FIG. 12, the
枠41は、上端面41bと、下端面41cとを有する。上端面41bは、Z軸の正方向における枠41の端面である。下端面41cは、Z軸の負方向における枠41の端面である。支持枠91は、下端面41cの近傍に位置する。枠41の上端面41bに、複数の凹部93が設けられる。凹部93は、上端面41bから窪む有底の穴である。
The
第4の実施形態において、複数の第1の壁51は、枠壁95を含む。枠壁95は、枠41の内周面41aに沿って延びる壁である。枠壁95も、他の複数の第1の壁51とともに、第1の貫通口52を形成する。
In the fourth embodiment, the plurality of
枠壁95は、内周面95aと、外周面95bと、下端面95cとを有する。内周面95aは、中心軸Axに向き、複数の第1の壁51に接続される。外周面95bは、内周面の反対側に位置し、枠41の内周面41aに面する。下端面95cは、Z軸の負方向における枠壁95の端面である。下端面95cと、支持枠91の上端面91aとは、間隔を介して向かい合う。第4の実施形態において、凸部71は、枠壁95に設けられ、枠壁95の下端面95cから突出する。
The
複数のコリメート部材32はそれぞれ、フランジ部96をさらに有する。フランジ部96は、外周面95bから突出する。フランジ部96は、下端面96aを有する。下端面96aは、Z軸の負方向におけるフランジ部96の端面である。下端面96aと、枠41の上端面41bとは、間隔を介して向かい合う。下端面96aに、凸部98が設けられる。凸部98は、下端面96aから、Z軸の負方向に突出する。
Each of the plurality of
凹部72に凸部71が挿入され、凸部71と凹部72とが接続される。凹部72の底面72aは、コリメート部材32の凸部71を支持する。さらに、凹部93に凸部98が挿入され、凸部98と凹部93とが接続される。凹部93の底面93aは、コリメート部材32の凸部98を支持する。これにより、コリメート部材32が、ベース部材31に取り付けられる。凸部71,98が凹部72,93から抜かれることで、コリメート部材32はベース部材31から取り外される。
The
凸部71が凹部72の底面72aに支持された状態において、枠壁95が、支持枠91からZ軸の正方向に離間する。さらに、凸部98が凹部93の底面93aに支持された状態において、凸部98の一部が凹部93に収容されるとともに、凸部98の他の部分が凹部93の外に位置する。このため、フランジ部96が、枠41からZ軸の正方向に離間する。
In a state where the
以上説明された第4の実施形態のように、ベース部材31は、コリメート部42の代わりに支持枠91を有しても良い。なお、ベース部材31がコリメート部42と支持枠91との両方を有しても良い。
As in the fourth embodiment described above, the
以上説明した少なくとも一つの実施形態において、スパッタ装置1が処理装置の一例である。しかし、処理装置は、蒸着装置のような他の装置であっても良い。処理装置が蒸着装置である場合、例えば、蒸発させられる材料が粒子発生源の一例であり、当該材料から発生する蒸気が粒子の一例であり、蒸着させられる加工対象が物体の一例である。気化した物質である蒸気は、一種類又は複数種類の分子を含む。当該分子は粒子である。蒸着装置において、コリメータ16は、例えば、蒸発させられる材料が配置される位置と、加工対象が配置される位置との間に配置される。
In at least one embodiment described above, the sputtering apparatus 1 is an example of a processing apparatus. However, the processing apparatus may be another apparatus such as a vapor deposition apparatus. When the processing apparatus is a vapor deposition apparatus, for example, the material to be evaporated is an example of a particle generation source, the vapor generated from the material is an example of particles, and the processing target to be vapor deposited is an example of an object. Vapor, which is a vaporized substance, contains one or more types of molecules. The molecule is a particle. In the vapor deposition apparatus, the
粒子は、処理装置に応じて、分子、原子、イオン、原子核、電子、素粒子、蒸気(気化した物質)、及び電磁波(光子)のような、物質又はエネルギー線を構成する種々の粒子であっても良い。 Depending on the processing equipment, the particles are various particles that make up substances or energy rays, such as molecules, atoms, ions, nuclei, electrons, elementary particles, vapors (vaporized substances), and electromagnetic waves (photons). May be.
以上説明された少なくとも一つの実施形態によれば、複数の整流部材は、取付部材に取り外し可能に取り付けられ、第1の方向と交差する方向に隣り合い、複数の第1の壁によって並行に配置された複数の第1の貫通口を形成する。複数の整流部材を取付部材から取り外すことで、取付部材と、複数の整流部材とを、例えばコリメータの設置のための搬送時や組立時に個別に扱うことができる。このように、コリメータが分解及び組立可能であるため、一度に扱われる取付部材や整流部材のような部品の個々の重量を低減でき、コリメータの取り付け及び取り外しが容易となる。 According to at least one embodiment described above, the plurality of rectifying members are detachably attached to the attachment member, are adjacent to each other in a direction intersecting the first direction, and are arranged in parallel by the plurality of first walls. The plurality of first through holes formed are formed. By removing the plurality of rectifying members from the mounting member, the mounting member and the plurality of rectifying members can be handled individually, for example, at the time of transportation or assembly for installing the collimator. Thus, since the collimator can be disassembled and assembled, the individual weights of parts such as the mounting member and the rectifying member that are handled at a time can be reduced, and the collimator can be easily attached and detached.
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
1…スパッタ装置、2…半導体ウェハ、12…ターゲット、13…ステージ、16…コリメータ、21…上壁、31…ベース部材、32,32A,32B,32C,32D,32E,32F…コリメート部材、41…枠、42…コリメート部、51…第1の壁、51a…上端面、51b…下端面、51c,51d…壁面、52,52A,52B,52C…第1の貫通口、61…第2の壁、61a…上端面、61b…下端面、61c,61d…壁面、62…第2の貫通口、63…内側部分、71…凸部、72…凹部、83…第1の凸壁、87…第2の凸壁、89…端凸壁、91…支持枠、91a…上端面、95…枠壁、95a…内周面、95b…外周面、95c…下端面、C…粒子、G1,G2…隙間、L1,L2,L3,L4…仮想線。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sputtering device, 2 ... Semiconductor wafer, 12 ... Target, 13 ... Stage, 16 ... Collimator, 21 ... Upper wall, 31 ... Base member, 32, 32A, 32B, 32C, 32D, 32E, 32F ... Collimating member, 41 ... frame, 42 ... collimating part, 51 ... first wall, 51a ... upper end surface, 51b ... lower end surface, 51c, 51d ... wall surface, 52, 52A, 52B, 52C ... first through hole, 61 ... second Wall, 61a ... upper end surface, 61b ... lower end surface, 61c, 61d ... wall surface, 62 ... second through-hole, 63 ... inner part, 71 ... convex portion, 72 ... concave portion, 83 ... first convex wall, 87 ... Second convex wall, 89 ... end convex wall, 91 ... support frame, 91a ... upper end surface, 95 ... frame wall, 95a ... inner peripheral surface, 95b ... outer peripheral surface, 95c ... lower end surface, C ... particles, G1, G2 ... Gap, L1, L2, L3, L4 ... Virtual line.
Claims (11)
複数の第1の壁をそれぞれ有し、前記取付部材に取り外し可能に取り付けられ、前記第1の方向と交差する方向に隣り合い、前記複数の第1の壁によって並行に配置された複数の第1の貫通口を形成する、複数の整流部材と、
を具備するコリメータ。 An attachment member having a frame extending in a first direction;
A plurality of first walls each having a plurality of first walls, removably attached to the attachment member, adjacent to each other in a direction intersecting the first direction, and arranged in parallel by the plurality of first walls. A plurality of rectifying members forming one through hole;
A collimator comprising:
前記第1の整流部材の前記複数の第1の壁と、前記第2の整流部材の前記複数の第1の壁とは、前記第1の方向と交差する方向に互いに離間する、
請求項1のコリメータ。 The plurality of rectifying members include a first rectifying member having the plurality of first walls, and the first rectifying member having the plurality of first walls and intersecting the first direction. An adjacent second rectifying member,
The plurality of first walls of the first rectifying member and the plurality of first walls of the second rectifying member are separated from each other in a direction intersecting the first direction.
The collimator of claim 1.
前記複数の第1の壁は、前記支持部から前記第1の方向に離間し、
前記複数の整流部材はそれぞれ、前記複数の第1の壁のうち一つに第1の接続部が設けられ、
前記支持部は、前記第1の方向における端面を有し、前記端面に複数の第2の接続部が設けられ、前記複数の第2の接続部がそれぞれ前記第1の接続部に接続されることで前記複数の整流部材を支持する、
請求項1又は請求項2のコリメータ。 The mounting member has a support portion connected to the frame,
The plurality of first walls are separated from the support portion in the first direction,
Each of the plurality of rectifying members is provided with a first connection portion on one of the plurality of first walls,
The support portion has an end surface in the first direction, a plurality of second connection portions are provided on the end surface, and the plurality of second connection portions are respectively connected to the first connection portions. To support the plurality of rectifying members,
The collimator according to claim 1 or 2.
前記複数の第2の接続部はそれぞれ、前記端面から窪むとともに前記凸部の一部が収容される凹部を含む、
請求項3のコリメータ。 The first connection portion includes a convex portion protruding from one of the plurality of first walls,
Each of the plurality of second connection portions includes a recess that is recessed from the end face and that accommodates a part of the protrusion.
The collimator according to claim 3.
前記複数の第1の貫通口が、前記複数の第2の貫通口と前記第1の方向に並べられる、
請求項3又は請求項4のコリメータ。 The support portion has a plurality of second walls, and is provided with a plurality of second through holes formed in parallel with the plurality of second walls,
The plurality of first through holes are aligned with the plurality of second through holes in the first direction.
The collimator according to claim 3 or claim 4.
前記複数の第1の壁はそれぞれ、一つの前記第1の貫通口の内側に向く第1の面と、前記第1の面の反対側に位置する第2の面と、を有し、
前記複数の第2の壁はそれぞれ、一つの前記第2の貫通口の内側に向く第3の面と、前記第3の面の反対側に位置する第4の面と、を有し、
前記第1の接続部は、一つの前記第1の壁の前記第1の面と前記第2の面との間に位置するとともに、前記第1の面及び前記第2の面から離間し、
前記複数の第2の接続部はそれぞれ、一つの前記第2の壁の前記第3の面と前記第4の面との間に位置するとともに、前記第3の面及び前記第4の面から離間する、
請求項5のコリメータ。 The plurality of second connection portions are provided on the plurality of second walls,
Each of the plurality of first walls has a first surface facing the inside of one of the first through holes, and a second surface located on the opposite side of the first surface,
Each of the plurality of second walls has a third surface facing the inside of one second through hole, and a fourth surface located on the opposite side of the third surface,
The first connection portion is located between the first surface and the second surface of one of the first walls, and is separated from the first surface and the second surface,
Each of the plurality of second connection portions is located between the third surface and the fourth surface of one second wall, and from the third surface and the fourth surface. Separate,
The collimator of claim 5.
前記複数の第1の貫通口は、前記第1の整流部材の少なくとも一つの前記第1の壁と前記第2の整流部材の少なくとも一つの前記第1の壁とによってそれぞれが形成された複数の中間開口を含み、
前記複数の中間開口にそれぞれ、二つの前記隙間が連通し、
前記第1の方向の平面視において、一つの前記中間開口の中心と、当該中間開口に連通する一つの前記隙間と、を結ぶ第1の仮想線は、当該中間開口の中心と、当該中間開口に連通する他の一つの前記隙間と、を結ぶ第2の仮想線と交差する、
請求項2のコリメータ。 A plurality of gaps are provided between the plurality of first walls of the first rectifying member and the plurality of first walls of the second rectifying member;
The plurality of first through holes are each formed by at least one first wall of the first rectifying member and at least one first wall of the second rectifying member. Including an intermediate opening,
Two of the gaps communicate with each of the plurality of intermediate openings,
In plan view in the first direction, the first imaginary line connecting the center of one intermediate opening and the one gap communicating with the intermediate opening is the center of the intermediate opening and the intermediate opening. Intersects with a second imaginary line connecting the other one of the gaps communicating with
The collimator according to claim 2.
前記第2の整流部材の前記複数の第1の壁のうち一つは、前記第1の整流部材に向かって突出するとともに前記第1の方向に間隔を介して並べられた複数の第2の凸壁を有し、
前記複数の第1の凸壁と前記複数の第2の凸壁とは、前記第1の方向に間隔を介して交互に並べられた、
請求項2のコリメータ。 One of the plurality of first walls of the first rectifying member protrudes toward the second rectifying member and a plurality of first walls arranged in the first direction with an interval therebetween. Has a convex wall,
One of the plurality of first walls of the second rectifying member protrudes toward the first rectifying member and a plurality of second walls arranged in the first direction with an interval therebetween. Has a convex wall,
The plurality of first convex walls and the plurality of second convex walls are alternately arranged with an interval in the first direction,
The collimator according to claim 2.
前記物体配置部から前記第1の方向に離間した位置に配置され、前記物体に向かって粒子を放出することが可能な粒子発生源が配置されるよう構成された発生源配置部と、
前記物体配置部と前記発生源配置部との間に配置された、請求項1乃至請求項10のうちいずれか一つのコリメータと、
を具備する処理装置。 An object placement unit configured to place an object;
A source arrangement unit arranged at a position spaced from the object arrangement unit in the first direction and configured to arrange a particle generation source capable of emitting particles toward the object; and
The collimator according to any one of claims 1 to 10, wherein the collimator is disposed between the object placement unit and the generation source placement unit.
A processing apparatus comprising:
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