JP2019153968A - Acoustic wave resonator, filter, and multiplexer - Google Patents

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Abstract

To improve characteristics of acoustic wave resonators.SOLUTION: The acoustic wave resonator includes: a piezoelectric substrate 10; a pair of comb-shaped electrodes 16, provided on the piezoelectric substrate 10, and having a plurality of electrode fingers 14; and a reflector 20, provided outside the pair of comb-shaped electrodes 16, and including a plurality of grating electrodes 18 having a film thickness T2 larger than a film thickness T1 of the plurality of electrode fingers 14 and an average pitch L2 smaller than an average pitch L1 of the plurality of electrode fingers 14.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば一対の櫛型電極と反射器を有する弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサに関する。   The present invention relates to an acoustic wave resonator, a filter, and a multiplexer, and for example, relates to an acoustic wave resonator, a filter, and a multiplexer that have a pair of comb-shaped electrodes and a reflector.

弾性表面波共振器等の弾性波共振器は、複数の電極指を有する一対の櫛型電極と、櫛型電極の両側に設けられた反射器を備えている。反射器は、一対の櫛型電極が励振した弾性波を反射する。これにより、弾性波が一対の櫛型電極内に閉じ込められる。   An acoustic wave resonator such as a surface acoustic wave resonator includes a pair of comb electrodes having a plurality of electrode fingers and reflectors provided on both sides of the comb electrodes. The reflector reflects the elastic wave excited by the pair of comb electrodes. Thereby, an elastic wave is confined in a pair of comb electrodes.

反射器をＩＤＴより厚くすること、反射器の密度をＩＤＴの密度より大きくすることが知られている（例えば特許文献１）。反射器内の膜厚をＩＤＴから離れるにしたがい厚くすることが知られている（例えば特許文献２）。   It is known to make the reflector thicker than the IDT and to make the reflector density larger than the IDT density (for example, Patent Document 1). It is known that the film thickness in the reflector is increased as the distance from the IDT increases (for example, Patent Document 2).

特開平１０−２０９８０４号公報JP-A-10-209804 特開２００２−２９０１９４号公報JP 2002-290194 A

しかしながら、反射器をＩＤＴより厚くする、または反射器の密度をＩＤＴの密度より大きくすると、ＩＤＴが励振する弾性波の周波数と反射器のストップバンドとの差が大きくなることがある。このため、弾性波共振器の損失が大きくなる。   However, when the reflector is thicker than the IDT or the reflector density is greater than the IDT density, the difference between the frequency of the elastic wave excited by the IDT and the stopband of the reflector may increase. For this reason, the loss of an acoustic wave resonator becomes large.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、弾性波共振器の特性を向上させることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to improve the characteristics of an acoustic wave resonator.

本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指を備える一対の櫛型電極と、前記一対の櫛型電極の外側に設けられ、前記複数の電極指の膜厚より大きい膜厚と前記複数の電極指の平均ピッチより小さい平均ピッチとを有する複数のグレーティング電極を備える反射器と、を備える弾性波共振器である。   The present invention provides a piezoelectric substrate, a pair of comb-shaped electrodes provided on the piezoelectric substrate and provided with a plurality of electrode fingers, and provided on the outside of the pair of comb-shaped electrodes. And a reflector including a plurality of grating electrodes having a large film thickness and an average pitch smaller than the average pitch of the plurality of electrode fingers.

上記構成において、前記複数のグレーティング電極の密度は前記複数の電極指の密度以上である構成とすることができる。   The said structure WHEREIN: The density of these grating electrodes can be set as the structure more than the density of these electrode fingers.

本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指を備える一対の櫛型電極と、前記一対の櫛型電極の外側に設けられ、前記複数の電極指の密度より大きい密度と前記複数の電極指の平均ピッチより小さい平均ピッチとを有する複数のグレーティング電極を備える反射器と、を備える弾性波共振器である。   The present invention provides a piezoelectric substrate, a pair of comb electrodes provided on the piezoelectric substrate and provided with a plurality of electrode fingers, and provided outside the pair of comb electrodes and larger than the density of the plurality of electrode fingers. And a reflector including a plurality of grating electrodes having a density and an average pitch smaller than an average pitch of the plurality of electrode fingers.

上記構成において、前記複数のグレーティング電極の膜厚は前記複数の電極指の膜厚以上である構成とすることができる。   The said structure WHEREIN: The film thickness of these grating electrodes can be set as the structure more than the film thickness of these electrode fingers.

本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指を備える一対の櫛型電極と、前記一対の櫛型電極の外側に設けられ、前記複数の電極指の密度と膜厚との積より大きい密度と膜厚との積と前記複数の電極指の平均ピッチより小さい平均ピッチとを有する複数のグレーティング電極を備える反射器と、を備える弾性波共振器である。   The present invention provides a piezoelectric substrate, a pair of comb electrodes provided on the piezoelectric substrate and provided with a plurality of electrode fingers, and provided on the outside of the pair of comb electrodes, and the density and film of the plurality of electrode fingers And a reflector including a plurality of grating electrodes having a product of density and film thickness greater than the product of thickness and an average pitch smaller than the average pitch of the plurality of electrode fingers.

上記構成において、前記複数のグレーティング電極の平均ピッチは前記複数の電極指の平均ピッチの０．９５倍以下である構成とすることができる。   The said structure WHEREIN: The average pitch of these grating electrodes can be set as the structure which is 0.95 times or less of the average pitch of these electrode fingers.

上記構成において、前記圧電基板はタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である構成とすることができる。   In the above configuration, the piezoelectric substrate may be a lithium tantalate substrate or a lithium niobate substrate.

本発明は、上記弾性波共振器を含むフィルタである。   The present invention is a filter including the elastic wave resonator.

本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。   The present invention is a multiplexer including the filter.

本発明によれば、弾性波共振器の特性を向上させることができる。   According to the present invention, the characteristics of an acoustic wave resonator can be improved.

図１（ａ）は、実施例１における弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。1A is a plan view of the acoustic wave resonator according to the first embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 図２は、シミュレーション条件を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing simulation conditions. 図３は、サンプルＡからＥにおけるＩＤＴの通過特性を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating IDT pass characteristics in samples A to E. FIG. 図４（ａ）は、サンプルＡおよびＤの反射器の反射量を示す図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）の拡大図である。4A is a diagram showing the reflection amount of the reflectors of samples A and D, and FIG. 4B is an enlarged view of FIG. 4A. 図５（ａ）は、サンプルＢおよびＥの反射器の反射量を示す図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の拡大図である。FIG. 5A is a diagram showing the reflection amount of the reflectors of Samples B and E, and FIG. 5B is an enlarged view of FIG. 5A. 図６（ａ）は、サンプルＣおよびＤの反射器の反射量を示す図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の拡大図である。6A is a diagram showing the reflection amount of the reflectors of samples C and D, and FIG. 6B is an enlarged view of FIG. 6A. 図７（ａ）は、サンプルＣおよびＥの反射器の反射量を示す図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の拡大図である。Fig.7 (a) is a figure which shows the reflection amount of the reflector of the samples C and E, FIG.7 (b) is an enlarged view of Fig.7 (a). 図８（ａ）から図８（ｃ）は、それぞれ実施例１、その変形例１および２に係る弾性波共振器の断面図である。FIGS. 8A to 8C are cross-sectional views of the acoustic wave resonators according to the first embodiment and the first and second modifications, respectively. 図９（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図、図９（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。FIG. 9A is a circuit diagram of a filter according to the second embodiment, and FIG. 9B is a circuit diagram of a duplexer according to the first modification of the second embodiment.

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

弾性波デバイスとして弾性波共振器について説明する。図１（ａ）は、実施例１における弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。電極指１４の配列方向をＸ方向、電極指１４の延伸方向をＹ方向とする。Ｘ方向およびＹ方向は、圧電基板１０の結晶方位のＸ軸方向およびＹ軸方向とは必ずしも対応しない。   An acoustic wave resonator will be described as an acoustic wave device. 1A is a plan view of the acoustic wave resonator according to the first embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. The arrangement direction of the electrode fingers 14 is defined as the X direction, and the extending direction of the electrode fingers 14 is defined as the Y direction. The X direction and the Y direction do not necessarily correspond to the X axis direction and the Y axis direction of the crystal orientation of the piezoelectric substrate 10.

図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、圧電基板１０上にＩＤＴ２２および反射器２０が形成されている。ＩＤＴ２２は、圧電基板１０上に設けられた膜厚Ｔ１の金属膜１２ａにより形成される。反射器２０は、圧電基板１０に形成された膜厚Ｔ２の金属膜１２ｂにより形成される。反射器２０は、ＩＤＴ２２のＸ方向の外側に配置されている。   As shown in FIGS. 1A and 1B, an IDT 22 and a reflector 20 are formed on the piezoelectric substrate 10. The IDT 22 is formed by a metal film 12 a having a film thickness T 1 provided on the piezoelectric substrate 10. The reflector 20 is formed by a metal film 12b having a film thickness T2 formed on the piezoelectric substrate 10. The reflector 20 is disposed outside the IDT 22 in the X direction.

ＩＤＴ２２は、対向する一対の櫛型電極１６を備える。櫛型電極１６は、複数の電極指１４と、複数の電極指１４が接続されたバスバー１５と、を備える。一対の櫛型電極１６の電極指１４が交差する領域が交叉領域２４である。交叉領域２４の長さが開口長である。一対の櫛型電極１６は、交叉領域２４の少なくとも一部において電極指１４がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。交叉領域２４において複数の電極指１４が励振する弾性波は、主にＸ列方向に伝搬する。同じ櫛型電極１６の電極指１４のピッチＬ１がほぼ弾性波の波長λとなる。ピッチＬ１は電極指１４の２本分のピッチとなる。   The IDT 22 includes a pair of opposing comb electrodes 16. The comb electrode 16 includes a plurality of electrode fingers 14 and a bus bar 15 to which the plurality of electrode fingers 14 are connected. A region where the electrode fingers 14 of the pair of comb electrodes 16 intersect is a cross region 24. The length of the crossing region 24 is the opening length. The pair of comb-shaped electrodes 16 are provided so as to face each other so that the electrode fingers 14 are substantially staggered in at least a part of the crossing region 24. The elastic wave excited by the plurality of electrode fingers 14 in the crossing region 24 propagates mainly in the X column direction. The pitch L1 of the electrode fingers 14 of the same comb electrode 16 is substantially the wavelength λ of the elastic wave. The pitch L1 is the pitch of two electrode fingers 14.

反射器２０は、複数のグレーティング電極１８と複数のグレーティング電極１８が接続されたバスバー１９とを備える。グレーティング電極１８はＸ方向に配列し、Ｙ方向に延伸する。グレーティング電極１８の２本分のピッチはＬ２である。反射器２０は、ＩＤＴ２２の電極指１４が励振した弾性波（弾性表面波）を反射する。これにより弾性波はＩＤＴ２２の交叉領域２４内に閉じ込められる。   The reflector 20 includes a plurality of grating electrodes 18 and a bus bar 19 to which the plurality of grating electrodes 18 are connected. The grating electrodes 18 are arranged in the X direction and extend in the Y direction. The pitch of the two grating electrodes 18 is L2. The reflector 20 reflects an elastic wave (surface acoustic wave) excited by the electrode finger 14 of the IDT 22. As a result, the elastic wave is confined in the crossing region 24 of the IDT 22.

圧電基板１０としては、例えば、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板であり、例えば回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板または回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸ニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１０は支持基板上に直接または中間層を介し接合されていてもよい。支持基板は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、水晶基板またはシリコン基板である。金属膜１２ａおよび１２ｂは、例えばＡｌ（アルミニウム）またはＣｕ（銅）を主成分とする膜であり、例えばＡｌ膜またはＣｕ膜である。電極指１４およびグレーティング電極１８と圧電基板１０との間にＴｉ（チタン）膜またはＣｒ（クロム）膜等の密着膜が設けられていてもよい。密着膜は電極指１４およびグレーティング電極１８より薄い。電極指１４およびグレーティング電極１８を覆うように絶縁膜が設けられていてもよい。絶縁膜は保護膜または温度補償膜として機能する。   The piezoelectric substrate 10 is, for example, a lithium tantalate substrate or a lithium niobate substrate, such as a rotating Y-cut X-propagating lithium tantalate substrate or a rotating Y-cut X-propagating lithium tantalate niobate substrate. The piezoelectric substrate 10 may be bonded to the supporting substrate directly or via an intermediate layer. The support substrate is, for example, a sapphire substrate, a spinel substrate, an alumina substrate, a quartz substrate, or a silicon substrate. The metal films 12a and 12b are films mainly composed of, for example, Al (aluminum) or Cu (copper), and are, for example, Al films or Cu films. An adhesive film such as a Ti (titanium) film or a Cr (chromium) film may be provided between the electrode finger 14 and the grating electrode 18 and the piezoelectric substrate 10. The adhesion film is thinner than the electrode finger 14 and the grating electrode 18. An insulating film may be provided so as to cover the electrode finger 14 and the grating electrode 18. The insulating film functions as a protective film or a temperature compensation film.

膜厚Ｔ１およびＴ２は例えば５０ｎｍから５００ｎｍである。電極指１４およびグレーティング電極１８のＸ方向の幅は例えば２００ｎｍから１５００ｎｍである。電極指１４のピッチＬ１は例えば５００ｎｍから２５００ｎｍである。ＩＤＴ２２の静電容量値は例えば０．１ｐＦから１０ｐＦである。   The film thicknesses T1 and T2 are, for example, 50 nm to 500 nm. The width in the X direction of the electrode finger 14 and the grating electrode 18 is, for example, 200 nm to 1500 nm. The pitch L1 of the electrode fingers 14 is, for example, 500 nm to 2500 nm. The capacitance value of the IDT 22 is, for example, 0.1 pF to 10 pF.

［シミュレーション］
５つのサンプルＡからＥについてシミュレーションを行った。サンプルＡからＣは比較例に対応し、サンプルＤおよびＥは実施例１に対応する。図２は、シミュレーション条件を示す図である。サンプルＡからＥとも圧電基板１０として４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を用い、金属膜１２ａおよび１２ｂとしてアルミニウム膜を用いた。開口長を１５λとした。ＩＤＴ２２において、対数を１００、ピッチＬ１を２μｍ、デュティ比を８０％、金属膜１２ａの膜厚Ｔ１を２００ｎｍとした。反射器２０において、対数を１５、デュティ比を８０％とした。 [simulation]
Simulations were performed for five samples A to E. Samples A to C correspond to the comparative example, and samples D and E correspond to Example 1. FIG. 2 is a diagram showing simulation conditions. In both samples A to E, a 42 ° rotated Y-cut X-propagating lithium tantalate substrate was used as the piezoelectric substrate 10, and aluminum films were used as the metal films 12a and 12b. The opening length was 15λ. In the IDT 22, the logarithm was 100, the pitch L1 was 2 μm, the duty ratio was 80%, and the film thickness T1 of the metal film 12a was 200 nm. In the reflector 20, the logarithm was 15 and the duty ratio was 80%.

サンプルＡおよびＢでは、膜厚Ｔ２を膜厚Ｔ１と同じ２００ｎｍとし、ピッチＬ２をそれぞれ２．０４μｍおよび１．９７μｍとした。サンプルＣでは、ピッチＬ２をＬ１と同じ２μｍとし、膜厚Ｔ２を３５０ｎｍとした。サンプルＤおよびＥでは、膜厚Ｔ２を３５０ｎｍとし、ピッチＬ２をそれぞれ１．９０μｍおよび１．８２μｍとした。サンプルＡからＥの反射器２０に対するＩＤＴ２２のピッチ比は、それぞれ１．０２、０．９８５、１．００、０．９５および０．９１となる。   In Samples A and B, the film thickness T2 was set to 200 nm, which was the same as the film thickness T1, and the pitch L2 was set to 2.04 μm and 1.97 μm, respectively. In sample C, the pitch L2 was 2 μm, the same as L1, and the film thickness T2 was 350 nm. In samples D and E, the film thickness T2 was 350 nm, and the pitch L2 was 1.90 μm and 1.82 μm, respectively. The pitch ratio of the IDT 22 to the reflectors 20 of samples A to E is 1.02, 0.985, 1.00, 0.95, and 0.91, respectively.

図３は、サンプルＡからＥにおけるＩＤＴの通過特性を示す図である。図３に示すように、共振周波数ｆｒおよび***振周波数ｆａは、それぞれ約１９２３．５ＭＨｚおよび約１９８７ＭＨｚである。***振周波数ｆａは共振周波数ｆｒより高周波数側に位置する。フィルタ等には、共振周波数ｆｒと***振周波数ｆａとの間付近の周波数を用いる。   FIG. 3 is a diagram illustrating IDT pass characteristics in samples A to E. FIG. As shown in FIG. 3, the resonance frequency fr and the antiresonance frequency fa are about 1923.5 MHz and about 1987 MHz, respectively. The anti-resonance frequency fa is located on the higher frequency side than the resonance frequency fr. For the filter or the like, a frequency near the resonance frequency fr and the anti-resonance frequency fa is used.

図４（ａ）は、サンプルＡおよびＤの反射器の反射量を示す図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）の拡大図である。図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、サンプルＡでは、反射量が最も大きい周波数が共振周波数ｆｒにほぼ一致する。   4A is a diagram showing the reflection amount of the reflectors of samples A and D, and FIG. 4B is an enlarged view of FIG. 4A. As shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), in sample A, the frequency with the largest amount of reflection almost coincides with the resonance frequency fr.

図５（ａ）は、サンプルＢおよびＥの反射器の反射量を示す図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の拡大図である。図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、サンプルＢでは、反射量が最も大きい周波数が***振周波数ｆａにほぼ一致する。   FIG. 5A is a diagram showing the reflection amount of the reflectors of Samples B and E, and FIG. 5B is an enlarged view of FIG. 5A. As shown in FIGS. 5A and 5B, in the sample B, the frequency with the largest amount of reflection substantially matches the antiresonance frequency fa.

反射器２０の反射が大きい周波数帯をストップバンドという。ストップバンドの周波数は、ＩＤＴ２２の共振周波数ｆｒおよび***振周波数ｆａの近傍であることが好ましい。これにより、反射器２０は、フィルタ等に用いられる周波数付近の弾性波を効率的に反射する。よって、弾性波をＩＤＴ２２により閉じ込めることができる。これにより、弾性波共振器の共振周波数ｆｒおよび***振周波数ｆａ付近のＱ値を向上させることができる。   A frequency band in which the reflection of the reflector 20 is large is called a stop band. The stopband frequency is preferably in the vicinity of the resonance frequency fr and antiresonance frequency fa of the IDT 22. Thereby, the reflector 20 efficiently reflects an elastic wave near a frequency used for a filter or the like. Therefore, the elastic wave can be confined by the IDT 22. Thereby, the Q value in the vicinity of the resonance frequency fr and the antiresonance frequency fa of the acoustic wave resonator can be improved.

サンプルＡおよびＢでは、反射器２０のグレーティング電極１８のピッチＬ２を調整することで、反射器２０のストップバンドの中心の周波数を共振周波数ｆｒおよび***振周波数ｆａ付近とすることができる。しかしながら、反射器２０の反射率が小さく、反射量が小さい。反射器２０の反射率を向上させるためには、金属膜１２ｂの膜厚Ｔ２を大きくすることが考えられる。しかし、ＩＤＴ２２の金属膜１２ａの膜厚Ｔ１は、ＩＤＴ２２における損失等の特性が最適化されるように設定される。このため、膜厚Ｔ１を膜厚Ｔ２と合わせて大きくすることが難しい。そこで、サンプルＣでは、膜厚Ｔ２を膜厚Ｔ１より大きくしている。   In samples A and B, by adjusting the pitch L2 of the grating electrode 18 of the reflector 20, the frequency at the center of the stop band of the reflector 20 can be made around the resonance frequency fr and the anti-resonance frequency fa. However, the reflectance of the reflector 20 is small and the amount of reflection is small. In order to improve the reflectance of the reflector 20, it is conceivable to increase the film thickness T2 of the metal film 12b. However, the thickness T1 of the metal film 12a of the IDT 22 is set so that characteristics such as loss in the IDT 22 are optimized. For this reason, it is difficult to increase the film thickness T1 together with the film thickness T2. Therefore, in sample C, the film thickness T2 is larger than the film thickness T1.

図６（ａ）は、サンプルＣおよびＤの反射器の反射量を示す図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の拡大図である。図７（ａ）は、サンプルＣおよびＥの反射器の反射量を示す図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の拡大図である。図６（ａ）から図７（ｂ）に示すように、サンプルＣでは、膜厚Ｔ２を大きくすることで、サンプルＡおよびＢに比べ反射器２０の反射量が大きくなる。しかしながら、ストップバンドの中心周波数が共振周波数ｆｒおよび***振周波数ｆａより低周波数にシフトしてしまう。このため、反射器２０は、共振周波数ｆｒおよび***振周波数ｆａ付近の弾性波を効率的に反射することができない。   6A is a diagram showing the reflection amount of the reflectors of samples C and D, and FIG. 6B is an enlarged view of FIG. 6A. Fig.7 (a) is a figure which shows the reflection amount of the reflector of the samples C and E, FIG.7 (b) is an enlarged view of Fig.7 (a). As shown in FIG. 6A to FIG. 7B, in the sample C, the reflection amount of the reflector 20 is increased as compared with the samples A and B by increasing the film thickness T2. However, the center frequency of the stop band is shifted to a frequency lower than the resonance frequency fr and the antiresonance frequency fa. For this reason, the reflector 20 cannot efficiently reflect the elastic wave near the resonance frequency fr and the anti-resonance frequency fa.

サンプルＤおよびＥでは、膜厚Ｔ２を膜厚Ｔ１より大きくし、かつピッチＬ２をピッチＬ１より小さくする。これにより、図４（ａ）から図５（ｂ）のように、サンプルＤおよびＥでは、サンプルＡおよびＢに比べ反射器２０の反射量を大きくできる。図６（ａ）から図７（ｂ）のように、サンプルＤおよびＥでは、サンプルＣに比べ反射器２０のストップバンドを共振周波数ｆｒおよび***振周波数ｆａ付近とすることができる。よって、ＩＤＴ２２が励振した共振周波数ｆｒおよび***振周波数ｆａ付近の弾性波を効率的にＩＤＴ２２内に閉じ込めることができる。これにより、Ｑ値等の弾性波共振器の特性を向上できる。   In samples D and E, the film thickness T2 is made larger than the film thickness T1, and the pitch L2 is made smaller than the pitch L1. Thereby, as shown in FIG. 4A to FIG. 5B, the reflection amount of the reflector 20 can be made larger in the samples D and E than in the samples A and B. As shown in FIGS. 6A to 7B, in samples D and E, the stop band of the reflector 20 can be set near the resonance frequency fr and the anti-resonance frequency fa as compared with the sample C. Therefore, the elastic wave near the resonance frequency fr and the antiresonance frequency fa excited by the IDT 22 can be efficiently confined in the IDT 22. Thereby, the characteristics of the acoustic wave resonator such as the Q value can be improved.

反射器２０のストップバンドの中心周波数は、反射器２０のグレーティング電極１８の平均ピッチＬ２にほぼ反比例する。よって、このシミュレーションの例では、ピッチ比が０．９５と０．９１との間では、ストップバンドの中心周波数は共振周波数ｆｒと***振周波数ｆａの間に位置する。   The center frequency of the stop band of the reflector 20 is almost inversely proportional to the average pitch L2 of the grating electrodes 18 of the reflector 20. Therefore, in this simulation example, when the pitch ratio is between 0.95 and 0.91, the center frequency of the stop band is located between the resonance frequency fr and the anti-resonance frequency fa.

［実施例１およびその変形例］
図８（ａ）から図８（ｃ）は、それぞれ実施例１、その変形例１および２に係る弾性波共振器の断面図である。図８（ａ）のように、実施例１では、反射器２０の複数のグレーティング電極１８の膜厚Ｔ２は、ＩＤＴ２２（一対の櫛型電極１６）の複数の電極指１４の膜厚Ｔ１より大きく、グレーティング電極１８の平均ピッチＬ２／２は電極指１４の平均ピッチＬ１／２より小さい。これにより、サンプルＤおよびＥのように、弾性波共振器の特性を向上できる。 [Example 1 and its modifications]
FIGS. 8A to 8C are cross-sectional views of the acoustic wave resonators according to the first embodiment and the first and second modifications, respectively. As shown in FIG. 8A, in Example 1, the thickness T2 of the plurality of grating electrodes 18 of the reflector 20 is larger than the thickness T1 of the plurality of electrode fingers 14 of the IDT 22 (a pair of comb-shaped electrodes 16). The average pitch L2 / 2 of the grating electrodes 18 is smaller than the average pitch L1 / 2 of the electrode fingers 14. Thereby, like the samples D and E, the characteristic of an elastic wave resonator can be improved.

複数のグレーティング電極１８の密度は複数の電極指１４の密度以上であることが好ましい。これにより、反射器２０の反射率を大きくできる。グレーティング電極１８の材料と電極指１４の材料は製造誤差程度に略同じであり、グレーティング電極１８の密度と電極指１４の密度は製造誤差程度に略同じであることが好ましい。これにより、弾性波共振器に用いる材料の数を少なくできる。   The density of the plurality of grating electrodes 18 is preferably equal to or higher than the density of the plurality of electrode fingers 14. Thereby, the reflectance of the reflector 20 can be increased. It is preferable that the material of the grating electrode 18 and the material of the electrode finger 14 are substantially the same as the manufacturing error, and the density of the grating electrode 18 and the density of the electrode finger 14 are substantially the same as the manufacturing error. Thereby, the number of materials used for the elastic wave resonator can be reduced.

図８（ｂ）に示すように、実施例１の変形例１では、複数のグレーティング電極１８の密度は、複数の電極指１４の密度より大きく、グレーティング電極１８の平均ピッチＬ２／２は電極指１４の平均ピッチＬ１／２より小さい。実施例１の変形例１のように、グレーティング電極１８の金属膜１２ｂの密度を電極指１４の金属膜１２ａより大きくすることで、反射器２０の反射量を大きくしてもよい。この場合もグレーティング電極１８の平均ピッチＬ２／２を電極指１４の平均ピッチＬ１／２より小さくすることで、ストップバンドの中心を共振周波数ｆｒおよび***振周波数ｆａ付近とすることができる。グレーティング電極１８の膜厚Ｔ２と電極指１４の膜厚Ｔ１は製造誤差程度に略同じであることが好ましい。このように、グレーティング電極１８の密度を大きくすることで、反射器２０は薄くても反射器２０の反射量を大きくできる。よって、製造工程における反射器２０の加工が容易となる。   As shown in FIG. 8B, in the first modification of the first embodiment, the density of the plurality of grating electrodes 18 is larger than the density of the plurality of electrode fingers 14, and the average pitch L2 / 2 of the grating electrodes 18 is an electrode finger. 14 is smaller than the average pitch L1 / 2. As in the first modification of the first embodiment, the reflection amount of the reflector 20 may be increased by making the density of the metal film 12b of the grating electrode 18 larger than that of the metal film 12a of the electrode finger 14. Also in this case, by making the average pitch L2 / 2 of the grating electrodes 18 smaller than the average pitch L1 / 2 of the electrode fingers 14, the center of the stop band can be set near the resonance frequency fr and the antiresonance frequency fa. The film thickness T2 of the grating electrode 18 and the film thickness T1 of the electrode finger 14 are preferably substantially the same as the manufacturing error. Thus, by increasing the density of the grating electrode 18, the reflection amount of the reflector 20 can be increased even if the reflector 20 is thin. Therefore, the reflector 20 can be easily processed in the manufacturing process.

金属膜１２ａは例えばＡｌを主成分とする膜を用いる。金属膜１２ｂは、例えばＣｕ、Ｗ（タングルテン）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔａ（タンタル）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｒｅ（レニウム）およびＴｅ（テルル）の少なくとも１つを主成分とする。   For example, a film containing Al as a main component is used as the metal film 12a. The metal film 12b is made of, for example, Cu, W (tangled), Ru (ruthenium), Mo (molybdenum), Ta (tantalum), Pt (platinum), Pd (palladium), Ir (iridium), Rh (rhodium), Re The main component is at least one of (rhenium) and Te (tellurium).

図８（ｃ）に示すように、実施例１の変形例２では、複数のグレーティング電極１８の密度は、複数の電極指１４の密度より大きく、複数のグレーティング電極１８の膜厚Ｔ２は複数の電極指１４の膜厚Ｔ１以上である。これにより、反射器２０の反射率をより大きくできる。   As shown in FIG. 8C, in the second modification of the first embodiment, the density of the plurality of grating electrodes 18 is larger than the density of the plurality of electrode fingers 14, and the thickness T2 of the plurality of grating electrodes 18 is a plurality of thicknesses. It is the film thickness T1 or more of the electrode finger 14. Thereby, the reflectance of the reflector 20 can be made larger.

実施例１およびその変形例のように、反射器２０の反射量を大きくするためには、グレーティング電極１８の密度と膜厚の積を電極指１４の密度と膜厚の積より大きくすればよい。   In order to increase the reflection amount of the reflector 20 as in the first embodiment and its modification, the product of the density and the film thickness of the grating electrode 18 may be made larger than the product of the density and the film thickness of the electrode finger 14. .

グレーティング電極１８の膜厚Ｔ２と電極指１４の膜厚Ｔ１との関係、およびグレーティング電極１８の密度と電極指１４の密度との関係は、ＩＤＴ２２における損失等と反射器２０の反射率を考慮して決められる。例えば、グレーティング電極１８の膜厚Ｔ２は電極指１４の膜厚Ｔ１の１．１倍以上が好ましく、１．２倍以上がより好ましく、１．５倍以上がさらに好ましい。膜厚Ｔ２はＴ１の３倍以下が好ましく２倍以下がより好ましい。また、例えばグレーティング電極１８の密度は電極指１４の密度の１．１倍以上が好ましく、１．２倍以上がより好ましく、１．５倍以上がさらに好ましい、３倍以下が好ましく２倍以下がより好ましい。さらに、例えばグレーティング電極１８の膜厚Ｔ２と密度との積は電極指１４の膜厚Ｔ１と密度との積の１．１倍以上が好ましく、１．２倍以上がより好ましく、１．５倍以上がさらに好ましい、３倍以下が好ましく２倍以下がより好ましい。   The relationship between the film thickness T2 of the grating electrode 18 and the film thickness T1 of the electrode finger 14 and the relationship between the density of the grating electrode 18 and the density of the electrode finger 14 take into account the loss in the IDT 22 and the reflectance of the reflector 20. Can be decided. For example, the film thickness T2 of the grating electrode 18 is preferably 1.1 times or more, more preferably 1.2 times or more, and even more preferably 1.5 times or more the film thickness T1 of the electrode finger 14. The film thickness T2 is preferably 3 times or less of T1 and more preferably 2 times or less. For example, the density of the grating electrode 18 is preferably 1.1 times or more of the density of the electrode fingers 14, more preferably 1.2 times or more, further preferably 1.5 times or more, preferably 3 times or less, preferably 2 times or less. More preferred. Further, for example, the product of the thickness T2 and the density of the grating electrode 18 is preferably 1.1 times or more, more preferably 1.2 times or more, and more preferably 1.5 times the product of the film thickness T1 and the density of the electrode finger 14. The above is more preferable, 3 times or less is preferable, and 2 times or less is more preferable.

反射器２０のストップバンドを共振周波数ｆｒおよび***振周波数ｆａに合わせるため、複数のグレーティング電極１８の平均ピッチＬ２は複数の電極指１４の平均ピッチＬ１の０．９８倍以下が好ましく、０．９５倍以下がより好ましく、０．９２倍以下がさらに好ましい。Ｌ１はＬ２の０．８倍以上が好ましく、０．８５倍以上がより好ましく、０．９１倍以上がさらに好ましい。   In order to match the stop band of the reflector 20 to the resonance frequency fr and the anti-resonance frequency fa, the average pitch L2 of the plurality of grating electrodes 18 is preferably 0.98 times or less of the average pitch L1 of the plurality of electrode fingers 14, and 0.95 The ratio is more preferably double or less, and further preferably 0.92 or less. L1 is preferably at least 0.8 times L2, more preferably at least 0.85 times, and even more preferably at least 0.91 times.

電極指１４の平均ピッチは、複数の電極指１４のＸ方向の長さを電極指１４の本数（例えば対数）で除することで求めることができる。グレーティング電極１８の平均ピッチは複数のグレーティング電極１８のＸ方向の長さをグレーティング電極１８の本数で除する（例えば本数の１／２で除する）ことで求めることができる。   The average pitch of the electrode fingers 14 can be obtained by dividing the length of the plurality of electrode fingers 14 in the X direction by the number of electrode fingers 14 (for example, logarithm). The average pitch of the grating electrodes 18 can be obtained by dividing the length of the plurality of grating electrodes 18 in the X direction by the number of the grating electrodes 18 (for example, dividing by the half of the number).

金属膜１２ａおよび／または１２ｂが複数の金属膜の積層膜の場合、電極指１４および／またはグレーティング電極１８の膜厚および密度は、積層された複数の金属膜のうち最も厚い金属膜の膜厚および密度で比較してもよい。   When the metal films 12a and / or 12b are laminated films of a plurality of metal films, the film thickness and density of the electrode fingers 14 and / or the grating electrodes 18 are the film thickness of the thickest metal film among the laminated metal films. And comparison by density.

図９（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図である。図９（ａ）に示すように、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ３が直列に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の並列共振器Ｐ１およびＰ２が並列に接続されている。１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ３および１または複数の並列共振器Ｐ１およびＰ２の少なくとも１つに実施例１およびその変形例の圧電薄膜共振器を用いることができる。ラダー型フィルタの共振器の個数等は適宜設定できる。   FIG. 9A is a circuit diagram of a filter according to the second embodiment. As shown in FIG. 9A, one or more series resonators S1 to S3 are connected in series between the input terminal Tin and the output terminal Tout. One or more parallel resonators P1 and P2 are connected in parallel between the input terminal Tin and the output terminal Tout. The piezoelectric thin film resonator of the first embodiment and its modification can be used for at least one of the one or more series resonators S1 to S3 and the one or more parallel resonators P1 and P2. The number of resonators of the ladder type filter can be set as appropriate.

［実施例２の変形例１］
図９（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。図９（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ４０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ４２が接続されている。送信フィルタ４０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ４２は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ４０および受信フィルタ４２の少なくとも一方を実施例２のフィルタとすることができる。 [Modification 1 of Embodiment 2]
FIG. 9B is a circuit diagram of a duplexer according to the first modification of the second embodiment. As shown in FIG. 9B, the transmission filter 40 is connected between the common terminal Ant and the transmission terminal Tx. A reception filter 42 is connected between the common terminal Ant and the reception terminal Rx. The transmission filter 40 passes signals in the transmission band among the high-frequency signals input from the transmission terminal Tx as transmission signals to the common terminal Ant, and suppresses signals of other frequencies. The reception filter 42 passes signals in the reception band among the high-frequency signals input from the common terminal Ant to the reception terminal Rx as reception signals, and suppresses signals of other frequencies. At least one of the transmission filter 40 and the reception filter 42 can be the filter of the second embodiment.

マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。   Although the duplexer has been described as an example of the multiplexer, a triplexer or a quadplexer may be used.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

１０ 圧電基板
１２ａ、１２ｂ 金属膜
１４ 電極指
１６ 櫛型電極
１８ グレーティング電極
２０ 反射器
２２ ＩＤＴ
４０ 送信フィルタ
４２ 受信フィルタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Piezoelectric substrate 12a, 12b Metal film 14 Electrode finger 16 Comb electrode 18 Grating electrode 20 Reflector 22 IDT
40 Transmission filter 42 Reception filter

Claims (9)

圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指を備える一対の櫛型電極と、
前記一対の櫛型電極の外側に設けられ、前記複数の電極指の膜厚より大きい膜厚と前記複数の電極指の平均ピッチより小さい平均ピッチとを有する複数のグレーティング電極を備える反射器と、
を備える弾性波共振器。 A piezoelectric substrate;
A pair of comb electrodes provided on the piezoelectric substrate and provided with a plurality of electrode fingers;
A reflector provided with a plurality of grating electrodes provided outside the pair of comb-shaped electrodes and having a film thickness larger than a film thickness of the plurality of electrode fingers and an average pitch smaller than an average pitch of the plurality of electrode fingers;
An elastic wave resonator comprising: 前記複数のグレーティング電極の密度は前記複数の電極指の密度以上である請求項１に記載の弾性波共振器。   The acoustic wave resonator according to claim 1, wherein a density of the plurality of grating electrodes is equal to or higher than a density of the plurality of electrode fingers. 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指を備える一対の櫛型電極と、
前記一対の櫛型電極の外側に設けられ、前記複数の電極指の密度より大きい密度と前記複数の電極指の平均ピッチより小さい平均ピッチとを有する複数のグレーティング電極を備える反射器と、
を備える弾性波共振器。 A piezoelectric substrate;
A pair of comb electrodes provided on the piezoelectric substrate and provided with a plurality of electrode fingers;
A reflector provided on the outside of the pair of comb-shaped electrodes, and comprising a plurality of grating electrodes having a density larger than a density of the plurality of electrode fingers and an average pitch smaller than an average pitch of the plurality of electrode fingers;
An elastic wave resonator comprising: 前記複数のグレーティング電極の膜厚は前記複数の電極指の膜厚以上である請求項３に記載の弾性波共振器。   4. The acoustic wave resonator according to claim 3, wherein a film thickness of the plurality of grating electrodes is equal to or greater than a film thickness of the plurality of electrode fingers. 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指を備える一対の櫛型電極と、
前記一対の櫛型電極の外側に設けられ、前記複数の電極指の密度と膜厚との積より大きい密度と膜厚との積と前記複数の電極指の平均ピッチより小さい平均ピッチとを有する複数のグレーティング電極を備える反射器と、
を備える弾性波共振器。 A piezoelectric substrate;
A pair of comb electrodes provided on the piezoelectric substrate and provided with a plurality of electrode fingers;
Provided outside the pair of comb-shaped electrodes and having a product of density and film thickness greater than the product of the density and film thickness of the plurality of electrode fingers and an average pitch smaller than the average pitch of the plurality of electrode fingers. A reflector comprising a plurality of grating electrodes;
An elastic wave resonator comprising: 前記複数のグレーティング電極の平均ピッチは前記複数の電極指の平均ピッチの０．９５倍以下である請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波共振器。   6. The acoustic wave resonator according to claim 1, wherein an average pitch of the plurality of grating electrodes is 0.95 times or less of an average pitch of the plurality of electrode fingers. 前記圧電基板はタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波共振器。   The acoustic wave resonator according to any one of claims 1 to 6, wherein the piezoelectric substrate is a lithium tantalate substrate or a lithium niobate substrate. 請求項１から７のいずれか一項に記載の弾性波共振器を含むフィルタ。   The filter containing the elastic wave resonator as described in any one of Claim 1 to 7. 請求項８に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。   A multiplexer including the filter according to claim 8.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102311585B1 (en) * 2021-02-22 2021-10-08 서울대학교산학협력단 Metamaterial-based elastic wave parallel translator

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209804A (en) * 1997-01-27 1998-08-07 Oki Electric Ind Co Ltd Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave filter
JPH11234085A (en) * 1998-02-17 1999-08-27 Murata Mfg Co Ltd Surface acoustic wave filter
JP2005295203A (en) * 2004-03-31 2005-10-20 Tdk Corp Duplexer
JP2006128927A (en) * 2004-10-27 2006-05-18 Kyocera Corp Surface acoustic wave element and communication device
JP2007202087A (en) * 2005-05-11 2007-08-09 Seiko Epson Corp Lamb wave type high frequency device
JP2010245738A (en) * 2009-04-03 2010-10-28 Seiko Epson Corp Saw filter
WO2017131170A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 京セラ株式会社 Acoustic wave resonator, acoustic wave filter, demultiplexer, and communications device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209804A (en) * 1997-01-27 1998-08-07 Oki Electric Ind Co Ltd Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave filter
JPH11234085A (en) * 1998-02-17 1999-08-27 Murata Mfg Co Ltd Surface acoustic wave filter
JP2005295203A (en) * 2004-03-31 2005-10-20 Tdk Corp Duplexer
JP2006128927A (en) * 2004-10-27 2006-05-18 Kyocera Corp Surface acoustic wave element and communication device
JP2007202087A (en) * 2005-05-11 2007-08-09 Seiko Epson Corp Lamb wave type high frequency device
JP2010245738A (en) * 2009-04-03 2010-10-28 Seiko Epson Corp Saw filter
WO2017131170A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 京セラ株式会社 Acoustic wave resonator, acoustic wave filter, demultiplexer, and communications device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102311585B1 (en) * 2021-02-22 2021-10-08 서울대학교산학협력단 Metamaterial-based elastic wave parallel translator
KR20220120425A (en) * 2021-02-22 2022-08-30 서울대학교산학협력단 Metamaterial-based elastic wave parallel translator
KR102628439B1 (en) * 2021-02-22 2024-01-23 서울대학교산학협력단 Metamaterial-based elastic wave parallel translator

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