JP2019135327A - 糸状コンポーネントの表面処理または被覆を実行するための電子サイクロトロン共鳴(ecr)の場におけるマイクロ波エネルギーによってエネルギーを付与されたプラズマを発生するためのプロセス及びデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】糸状コンポーネントFが互いに対向し、処理チャンバーを構成するチューブの周囲に配置された磁気ダイポール1及び2を通って連続的かつ線形的に移動し、マイクロ波エネルギーが少なくとも2つの磁気ダイポール1及び2の間に導入されるプロセス。
【選択図】図2
Description
磁気ダイポールは環状磁石である。これらの環状磁石は永久磁石、電磁石コイルまたはその他任意の磁場を発生することが可能な手段でありうる。
マイクロ波印加部はチューブの中心軸に対して垂直に配置される。
チューブはT字状を構成し、その中間枝部はマイクロ波印加部を受容し、その一方他の2つの枝部はその中間枝部のそれぞれの側部において磁石を受容する。
磁石は以下の寸法を有する。
内径 20mm
外径 28mm
厚さ 20mm、厚さに従う分極
磁石間の距離 31.5mm
磁石間で反対の極性。
磁石は以下の寸法を有する。
内径 33.8mm
外径 50mm
厚さ 25mm、厚さに従う分極
磁石間の距離 46mm
処理チャンバーとして働くチューブの特性 ND25、すなわち外径33.7mm
磁石間で反対の極性。
マイクロ波は2つの磁石の間の空間の中間に導入される。マイクロ波導入部の侵入深さは、プラズマの点火及び作動を容易にするように最適化されるべきである。
磁石は大気圧にある。磁石は流体、例えば水が循環する外部ケーシングと接触して冷却される。気体ポンピング領域及び気体導入領域は交互に配置されている。
磁石は3つの圧力ねじによって、引き寄せられないようにシステム内に維持される。
チャンバーの体積を最小化し、その結果、費用並びに前駆体ガス及びエネルギーの消費を最小化することができるように、処理されるコンポーネント周囲に閉じ込められた線形プラズマを発生させる。
処理されるコンポーネント上への成膜の均一性を補償するために、軸対称なプラズマを発生させる。
ワイヤー型、ファイバーからなる導体を含むすべての種類の糸状コンポーネント及びより一般的には直径より大きな長さを有するすべての製品の処理を可能にする。
TMS(テトラメチルシラン)の流量率 5sccm
O2(酸素)の流量率 18sccm
圧力 1.3×10−2mbar
マイクロ波導入出力 100W
圧力 1×10−2mbar
マイクロ波導入出力 50W
O2/HMDSO混合物の使用
3 チューブ
3a、3b、3c 枝部
4 マイクロ波印加部
4a 同軸ガイド
5 シーリングリング
6 コネクタ
C 磁力線
F コンポーネント
Claims (13)
- 糸状コンポーネント(F)の表面処理または被覆を実行するための電子サイクロトロン共鳴(ECR)の場におけるマイクロ波エネルギーによって励起されたプラズマを発生させるためのプロセスであって、
前記糸状コンポーネント(F)が、互いに対向して、処理チャンバーを構成するチューブ(3)の周囲に配置された磁気ダイポール(1)及び(2)を通って連続的かつ線形的に移動し、
前記マイクロ波エネルギーが少なくとも2つの前記磁気ダイポール(1)と(2)との間に導入される、プロセス。 - 前記表面処理が、特に洗浄、酸洗浄、機能化、接合である、請求項1に記載のプロセス。
- 前記被覆がPECVD(プラズマ支援化学気相成膜)によって得られる、請求項1に記載のプロセス。
- 連続的かつ線形的に移動する糸状コンポーネント(F)の周囲にプラズマを発生させ、サイクロトロン共鳴の場においてマイクロ波エネルギーを発生するための手段を含むデバイスであって、
互いに対向して配置され、処理チャンバーを構成するチューブ(3)の周囲に取り付けられた2つの磁気ダイポール(1)及び(2)であって、それらを通して処理される前記糸状コンポーネント(F)が線形的に移動される2つの磁気ダイポール(1)及び(2)からなる少なくとも1つのモジュールを含み、マイクロ波印加部が前記2つのダイポールの間に取り付けられた、デバイス。 - 前記磁気ダイポール(1)及び(2)が環状磁石である、請求項4に記載のデバイス。
- 前記環状磁石が永久磁石である、請求項5に記載のデバイス。
- 前記環状磁石が電磁石コイルである、請求項5に記載のデバイス。
- 前記マイクロ波印加部(4)が前記チューブ(3)の前記中心軸に対して垂直に配置された、請求項4に記載のデバイス。
- 前記チューブ(3)がT字形状を構成し、その中間枝部(3a)がマイクロ波印加部を受容し、その一方他の2つの枝部(3b)及び(3c)が前記中間枝部(3a)のそれぞれの側部で前記磁石(1)及び(2)を受容する、請求項4に記載のデバイス。
- 直列に取り付けられ、線形的に整列され、シーリングリング(5)によって一体に接続された複数のモジュールを含む、請求項4から9のいずれか一項に記載のデバイス。
- 各リング(5)が気体ポンピング集約部に接続されたポンピング領域として働く、請求項10に記載のデバイス。
- 前記リング(5)が交互に気体ポンピング領域及び気体導入領域として働く、請求項10に記載のデバイス。
- 前記糸状コンポーネント(F)が、プラズマのイオン衝撃を可能にするように電気的に分極された、請求項4から12のいずれか一項に記載のデバイス。
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