JP2019133959A - Light-emitting device - Google Patents

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light emitting
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大田　悟
Satoru Ota
悟 大田
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Abstract

To prevent a coating material that becomes an organic layer from spreading to the outside of an insulating layer while not reducing the production throughput of a light-emitting device having an organic EL element without damaging the substrate or the like.SOLUTION: A light emitting unit 140 is formed on a substrate 100 and includes an organic EL element. The organic EL element includes a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode. The organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode. An insulating layer 150 surrounds the light emitting unit 140. A convex portion 160 is located between the substrate 100 and the insulating layer 150. The upper surface of the insulating layer 150 includes unevenness (for example, a convex portion 152).SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device.

有機ＥＬ素子を光源として利用した発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を第１電極と第２電極とで挟んだ構成を有している。そして、有機層を水分等から保護するために、有機素子は封止部材で封止されている。   Development of a light emitting device using an organic EL element as a light source is in progress. The organic EL element has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode. And in order to protect an organic layer from a water | moisture content etc., the organic element is sealed with the sealing member.

一方、有機ＥＬ素子を有する発光装置では、有機層と第１電極が接する領域を定めるために、絶縁性の構造物（バンク）が形成されている。例えば特許文献１には、有機ＥＬ素子において、画素を絶縁層で画定し、かつ、絶縁層で画定された領域に、画素となる塗布材料をインクジェット法を用いて塗布することが記載されている。   On the other hand, in a light emitting device having an organic EL element, an insulating structure (bank) is formed to define a region where the organic layer and the first electrode are in contact with each other. For example, Patent Document 1 describes that, in an organic EL element, a pixel is defined by an insulating layer, and a coating material to be a pixel is applied to a region defined by the insulating layer using an inkjet method. .

有機層の少なくとも一部の層を塗布法で形成する場合、塗布された有機材料が、上記した絶縁層の外側に広がることがある。この広がりを抑制するために、特許文献２には、絶縁層の上面、並びに側面の上部をプラズマで処理することにより、これらの面を粗面化することが記載されている。   When at least a part of the organic layer is formed by a coating method, the applied organic material may spread outside the insulating layer. In order to suppress this spread, Patent Document 2 describes that the upper surface of the insulating layer and the upper portion of the side surface are treated with plasma to roughen these surfaces.

なお、特許文献２には、カラーフィルタを区画するために絶縁層を設けること、及びこの絶縁層によって区画された領域内に、カラーフィルタとなる層を、インクジェット法を用いて形成することが記載されている。詳細には、特許文献２には、絶縁層の上面にスタンプを押しつけることにより、この上面に溝を形成すること記載されている。この溝は、カラーフィルタとなるインクが隣の区画に流入することを抑制するために形成されている。   Note that Patent Document 2 describes that an insulating layer is provided to partition the color filter, and that a layer to be a color filter is formed in the region partitioned by the insulating layer using an ink jet method. Has been. Specifically, Patent Document 2 describes that a groove is formed on the upper surface of the insulating layer by pressing a stamp on the upper surface. This groove is formed in order to prevent the ink serving as the color filter from flowing into the adjacent section.

特開２００２−６１２９号公報JP 2002-6129 A 特開２００７−１８３５８７号公報JP 2007-183587 A

上記したように、有機層の少なくとも一部の層を塗布法で形成する場合、塗布された有機材料が、上記した構造物の外側に広がることがある。基板のうち封止部材の縁が固定される領域にまで有機材料が広がると、封止部材の縁が基板に固定されにくくなる。しかし特許文献１に記載の方法では、プラズマを用いて絶縁層を処理する必要があるため、基板等にダメージが生じる可能性が出てくる。   As described above, when at least a part of the organic layer is formed by a coating method, the applied organic material may spread outside the above-described structure. When the organic material spreads to a region of the substrate where the edge of the sealing member is fixed, the edge of the sealing member is hardly fixed to the substrate. However, in the method described in Patent Document 1, since it is necessary to process the insulating layer using plasma, the substrate or the like may be damaged.

一方、特許文献２に記載の方法を用いることも考えられる。しかし、この方法にはスタンプと絶縁層の相対位置に高い精度が要求される。従って、この方法を採用すると、発光装置のコストが高くなり、また、発光装置の生産のスループットが低下してしまう。   On the other hand, it is conceivable to use the method described in Patent Document 2. However, this method requires high accuracy in the relative positions of the stamp and the insulating layer. Therefore, when this method is employed, the cost of the light emitting device increases, and the production throughput of the light emitting device decreases.

本発明が解決しようとする課題としては、有機ＥＬ素子を有する発光装置において、基板等にダメージを与えることなく、また、発光装置の生産のスループットを低下しないようにしつつ、塗布材料が絶縁層の外側まで濡れ広がらないようにすることが一例として挙げられる。   As a problem to be solved by the present invention, in a light emitting device having an organic EL element, the coating material is made of an insulating layer without damaging a substrate or the like and without reducing the production throughput of the light emitting device. One example is to prevent the outside from spreading out.

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成され、有機ＥＬ素子を有する発光部と、
前記発光部を囲む絶縁層と、
前記基板と前記絶縁層の間に位置する凸部又は凹部と、
を備え、
前記有機ＥＬ素子は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有し、
前記絶縁層の上面は凹凸を有している発光装置である。 The invention according to claim 1 is a substrate;
A light emitting part formed on the substrate and having an organic EL element;
An insulating layer surrounding the light emitting part;
A convex portion or a concave portion located between the substrate and the insulating layer;
With
The organic EL element has a first electrode, a second electrode, and an organic layer located between the first electrode and the second electrode,
The upper surface of the insulating layer is a light emitting device having irregularities.

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the light-emitting device which concerns on embodiment. 図１から第２電極を取り除いた図である。It is the figure which removed the 2nd electrode from FIG. 図１のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図２の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。It is the figure which expanded the area | region enclosed with the dotted line (alpha) of FIG. 図３の点線βで囲んだ領域を拡大した図である。FIG. 4 is an enlarged view of a region surrounded by a dotted line β in FIG. 3. 図４の第１の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 1st modification of FIG. 図４の第２の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd modification of FIG. 図４の第３の変形例を示す図であるIt is a figure which shows the 3rd modification of FIG. 第３の変形例における図５に相当する図である。It is a figure equivalent to FIG. 5 in a 3rd modification. 実施例に係る発光装置の構成を説明する平面図である。It is a top view explaining the structure of the light-emitting device based on an Example. 図１０に示した発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light-emitting device shown in FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は、図１から第２電極１３０を取り除いた図である。図３は図１のＡ−Ａ断面を示している。図４は、図２の点線αで囲んだ領域を拡大した図であり、図５は図３の点線βで囲んだ領域を拡大した図である。ただし図５において、第２電極１３０は省略されている。また、封止部材１７０は、図３にのみ図示されている。   FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment. FIG. 2 is a diagram in which the second electrode 130 is removed from FIG. 1. FIG. 3 shows an AA cross section of FIG. 4 is an enlarged view of the area surrounded by the dotted line α in FIG. 2, and FIG. 5 is an enlarged view of the area surrounded by the dotted line β in FIG. However, in FIG. 5, the second electrode 130 is omitted. Further, the sealing member 170 is illustrated only in FIG.

実施形態に係る発光装置１０は、図１〜３に示すように、基板１００、発光部１４０、絶縁層１５０、及び凸部１６０（図５参照）を有している。発光部１４０は基板１００に形成されており、有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。絶縁層１５０は発光部１４０を囲んでいる。基板１００と絶縁層１５０の間に凹凸があり、凸部１６０及び凹部１６４が位置している。凸部１６０及び凹部１６４は交互に連続して形成されていてもよい。また、凸部１６０及び凹部１６４は周期的に構成されることが好ましいが、ランダムな位置に形成されていてもよい。そして絶縁層１５０の上面は、凹凸（例えば凸部１５２）を有している。以下、詳細に説明する。   As shown in FIGS. 1 to 3, the light emitting device 10 according to the embodiment includes a substrate 100, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, and a convex portion 160 (see FIG. 5). The light emitting unit 140 is formed on the substrate 100 and includes an organic EL element. This organic EL element has a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130. The organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130. The insulating layer 150 surrounds the light emitting unit 140. There are irregularities between the substrate 100 and the insulating layer 150, and the convex portions 160 and the concave portions 164 are located. The convex portions 160 and the concave portions 164 may be formed alternately and continuously. Moreover, although the convex part 160 and the recessed part 164 are preferably comprised periodically, you may form in the random position. And the upper surface of the insulating layer 150 has unevenness | corrugations (for example, convex part 152). Details will be described below.

まず、図１〜３を用いて、発光装置１０の構成について説明する。基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する基板である。基板１００は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂基板である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。 First, the configuration of the light emitting device 10 will be described with reference to FIGS. The substrate 100 is a light-transmitting substrate such as a glass substrate or a resin substrate. The substrate 100 may have flexibility. In the case of flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, 10 μm or more and 1000 μm or less. The substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. When the substrate 100 is a resin substrate, the substrate 100 is formed using, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. When the substrate 100 is a resin substrate, an inorganic barrier film such as SiN x or SiON is formed on at least one surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to prevent moisture from permeating the substrate 100. Yes.

基板１００の第１面１０２には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。   A light emitting unit 140 is formed on the first surface 102 of the substrate 100. The light emitting unit 140 has a configuration in which the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are stacked in this order.

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。   The first electrode 110 is a transparent electrode having optical transparency. The material of the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), or ZnO (Zinc Oxide). The thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. The first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The first electrode 110 may be a carbon nanotube or a conductive organic material such as PEDOT / PSS.

有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば正孔輸送層などの第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されている。有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。ただし、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。   The organic layer 120 has a light emitting layer. The organic layer 120 has a configuration in which, for example, a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked in this order. A hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer. In addition, an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer. At least one layer of the organic layer 120, for example, a layer in contact with the first electrode 110 such as a hole transport layer is formed by a coating method such as an ink jet method, a printing method, or a spray method. The remaining layers of the organic layer 120 are formed by vapor deposition. However, all layers of the organic layer 120 may be formed using a coating method.

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。   The second electrode 130 is made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or an alloy of a metal selected from the first group. Contains a metal layer. The thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. However, the second electrode 130 may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode 110. The second electrode 130 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.

第１電極１１０の縁は、絶縁層１５０によって覆われている。絶縁層１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０となる部分を囲んでいる。絶縁層１５０を設けることにより、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。   The edge of the first electrode 110 is covered with an insulating layer 150. The insulating layer 150 is made of, for example, a photosensitive resin material such as polyimide, and surrounds a portion of the first electrode 110 that becomes the light emitting portion 140. By providing the insulating layer 150, it is possible to suppress a short circuit between the first electrode 110 and the second electrode 130 at the edge of the first electrode 110.

また、発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に接続しており、第２端子１３２は第２電極１３０に接続している。第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。また、第１端子１１２及び第２端子１３２の少なくとも一つの少なくとも一部は、この層の上に、第１電極１１０よりも低抵抗な金属膜を有していてもよい。第１端子１１２及び第２端子１３２のうち第１電極１１０と同一の材料で形成された層は、第１電極１１０と同一工程で形成されている。このため、第１電極１１０は、第１端子１１２の少なくとも一部の層と一体になっている。なお、第１端子１１２と第１電極１１０の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第２端子１３２と第２電極１３０の間にも引出配線が設けられていてもよい。   In addition, the light emitting device 10 includes a first terminal 112 and a second terminal 132. The first terminal 112 is connected to the first electrode 110, and the second terminal 132 is connected to the second electrode 130. For example, the first terminal 112 and the second terminal 132 include a layer formed of the same material as that of the first electrode 110. Further, at least a part of at least one of the first terminal 112 and the second terminal 132 may have a metal film having a lower resistance than the first electrode 110 on this layer. Of the first terminal 112 and the second terminal 132, the layer formed of the same material as the first electrode 110 is formed in the same process as the first electrode 110. For this reason, the first electrode 110 is integrated with at least a part of the layer of the first terminal 112. A lead wiring may be provided between the first terminal 112 and the first electrode 110. In addition, a lead wiring may be provided between the second terminal 132 and the second electrode 130.

第１端子１１２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の正極端子が接続され、第２端子１３２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の負極端子が接続される。   The positive terminal of the control circuit is connected to the first terminal 112 via a conductive member such as a bonding wire or lead terminal, and the second terminal 132 is connected to the positive terminal of the control circuit via a conductive member such as a bonding wire or lead terminal. A negative terminal is connected.

次に、図４，５を用いて、発光装置１０の構成を説明する。図５に示すように、基板１００と絶縁層１５０の間には、凸部１６０が形成されている。このため、図４，５に示すように、絶縁層１５０の上面のうち凸部１６０と重なる領域は、他の領域と比べて突出し、凸部１５２となっている。凸部１５２の高さは、例えば０．０５μｍ以上１．０μｍ以下である。また、凸部１６０の高さは、例えば０．１μｍ以上１．０μｍ以下である。また、凸部１６０は、絶縁層１５０が延在している方向（図４におけるｙ方向）に沿って、言い換えると発光部１４０を取り囲むように）繰り返し形成されている。このため、凸部１５２も、絶縁層１５０が延在している方向に沿って繰り返し形成されている。   Next, the configuration of the light emitting device 10 will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 5, a convex portion 160 is formed between the substrate 100 and the insulating layer 150. For this reason, as shown in FIGS. 4 and 5, a region of the upper surface of the insulating layer 150 that overlaps with the convex portion 160 protrudes as compared with other regions and forms a convex portion 152. The height of the convex part 152 is, for example, not less than 0.05 μm and not more than 1.0 μm. Moreover, the height of the convex part 160 is 0.1 micrometer or more and 1.0 micrometer or less, for example. The convex portion 160 is repeatedly formed along the direction in which the insulating layer 150 extends (the y direction in FIG. 4), in other words, so as to surround the light emitting portion 140. For this reason, the convex part 152 is also repeatedly formed along the direction where the insulating layer 150 is extended.

図４に示す例において、凸部１５２の平面形状は矩形、楕円形、又は円形であり、正方格子（又は長方形の格子）の格子点に配置されている。ただし、図６に示すように、凸部１５２は、千鳥格子の格子点に配置されていてもよい。また、図７に示すように、凸部１５２は絶縁層１５０が延在している方向に線状に延びていてもよい。   In the example shown in FIG. 4, the planar shape of the convex portion 152 is a rectangle, an ellipse, or a circle, and is arranged at a lattice point of a square lattice (or a rectangular lattice). However, as shown in FIG. 6, the convex part 152 may be arrange | positioned at the lattice point of a staggered lattice. Further, as shown in FIG. 7, the convex portion 152 may extend linearly in the direction in which the insulating layer 150 extends.

図４に示す例において、凸部１６０及び凸部１５２は、絶縁層１５０の幅方向（図４におけるｘ方向）においても繰り返し形成されている。凸部１６０の幅Ｗは、例えば１μｍ以上１０μｍ以下である。また、隣り合う凸部１６０の距離Ｓは、例えば１μｍ以上２０μｍ以下である。距離Ｓは、凸部１６０の幅Ｗ以上であるのが好ましい。   In the example shown in FIG. 4, the convex portion 160 and the convex portion 152 are repeatedly formed in the width direction of the insulating layer 150 (the x direction in FIG. 4). The width W of the convex portion 160 is, for example, not less than 1 μm and not more than 10 μm. Further, the distance S between the adjacent convex portions 160 is, for example, not less than 1 μm and not more than 20 μm. The distance S is preferably equal to or greater than the width W of the convex portion 160.

また、図５に示すように、本実施形態では、凸部１６０は、第１電極１１０のうち絶縁層１５０と重なる領域の上に形成されている。凸部１６０は、例えば第１電極１１０と同様の導電材料を用いて形成されている。ただし、凸部１６０は第１電極１１０とは異なる導電材料、又は絶縁材料を用いて形成されていてもよい。また、図５では複数の凸部１６０は互いに離間しているが、凸部１６０と同一の材料で形成される共通の層（以下、共通層と記載）の上に形成されてもよい。この共通層は、例えば、後述する凸部１６０形成の際のエッチング時にエッチング時間を調整することなどで形成される。絶縁層１５０の下において、この共通層が形成される箇所とされない箇所があってもよい。このようにすると、共通層がある場所とない場所に起因して絶縁層１５０の凹凸のパターンがさらに増えるため、塗布漏れを防ぐことができる。   As shown in FIG. 5, in the present embodiment, the protrusion 160 is formed on a region of the first electrode 110 that overlaps the insulating layer 150. The convex portion 160 is formed using, for example, the same conductive material as that of the first electrode 110. However, the convex portion 160 may be formed using a conductive material or an insulating material different from that of the first electrode 110. In FIG. 5, the plurality of convex portions 160 are separated from each other, but may be formed on a common layer (hereinafter referred to as a common layer) formed of the same material as the convex portions 160. This common layer is formed, for example, by adjusting an etching time at the time of etching when forming the convex portion 160 described later. Under the insulating layer 150, there may be a place where this common layer is not formed. In this case, the uneven pattern of the insulating layer 150 is further increased due to the place where the common layer is present and the place where the common layer is not present, so that application leakage can be prevented.

図８は図４の第３の変形例を示している。図９は、本変形例において図５に対応する図である。これらの変形例において、絶縁層１５０の上面には凹部１５４が形成されている。詳細には、第１電極１１０のうち絶縁層１５０の下方に位置する領域には、膜１６２が形成されている。そして膜１６２には、複数の凹部１６４が互いに離間して形成されている。そして凹部１５４は、凹部１６４と重なる領域に形成されている。膜１６２は、凸部１６０と同様の方法を用いて形成されている。そして凹部１５４は、絶縁層１５０を形成するときに形成される。また、凹部１６４のレイアウトは、凸部１６０のレイアウト同様である。   FIG. 8 shows a third modification of FIG. FIG. 9 is a diagram corresponding to FIG. 5 in the present modification. In these modifications, a recess 154 is formed on the upper surface of the insulating layer 150. Specifically, a film 162 is formed in a region of the first electrode 110 located below the insulating layer 150. A plurality of recesses 164 are formed in the film 162 so as to be separated from each other. The recess 154 is formed in a region overlapping the recess 164. The film 162 is formed using a method similar to that of the convex portion 160. The recess 154 is formed when the insulating layer 150 is formed. Further, the layout of the concave portions 164 is the same as the layout of the convex portions 160.

発光装置１０は、さらに図３に示すように、封止部材１７０を有している。封止部材１７０は透光性を有しており、例えばガラス又は樹脂を用いて形成されている。封止部材１７０は、基板１００と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部材１７０の縁は接着材で基板１００に固定されている。これにより、封止部材１７０と基板１００で囲まれた空間は封止される。そして発光部１４０は、封止された空間の中に位置している。なお、封止部材１７０はＡＬＤ法で形成された膜又はＣＶＤ法で形成された膜であってもよい。   The light emitting device 10 further includes a sealing member 170 as shown in FIG. The sealing member 170 has translucency, and is formed using, for example, glass or resin. The sealing member 170 has a polygonal shape or a circular shape similar to that of the substrate 100 and has a shape in which a concave portion is provided at the center. The edge of the sealing member 170 is fixed to the substrate 100 with an adhesive. Thereby, the space surrounded by the sealing member 170 and the substrate 100 is sealed. The light emitting unit 140 is located in the sealed space. The sealing member 170 may be a film formed by the ALD method or a film formed by the CVD method.

また、発光装置１０は、さらに乾燥剤を有していてもよい。乾燥剤は、例えば封止部材１７０によって封止された空間内、例えば封止部材１７０のうち基板１００に対向する面に配置されている。   The light emitting device 10 may further have a desiccant. The desiccant is disposed, for example, in a space sealed by the sealing member 170, for example, on the surface of the sealing member 170 facing the substrate 100.

次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００に第１電極１１０を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。この時、マスクを用いたりウェットエッチングを用いるなどして、第１電極１１０を所定のパターンにする。   Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described. First, the first electrode 110 is formed on the substrate 100 by using, for example, a sputtering method. At this time, the first electrode 110 is formed into a predetermined pattern by using a mask or wet etching.

次いで、第１電極１１０上に凸部１６０を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。この時、マスクを用いたりウェットエッチングを用いるなどして、凸部１６０を所定のパターンにする。   Next, the convex portion 160 is formed on the first electrode 110 by using, for example, a sputtering method. At this time, the protrusion 160 is formed into a predetermined pattern by using a mask or wet etching.

次いで、第１電極１１０の縁の上に絶縁層１５０を形成する。例えば絶縁層１５０が感光性の樹脂で形成されている場合、絶縁層１５０は、露光及び現像工程を経ることにより、所定のパターンに形成される。またこの工程において、絶縁層１５０の上面には複数の凸部１５２が形成される。   Next, the insulating layer 150 is formed on the edge of the first electrode 110. For example, when the insulating layer 150 is formed of a photosensitive resin, the insulating layer 150 is formed into a predetermined pattern through an exposure and development process. In this step, a plurality of convex portions 152 are formed on the upper surface of the insulating layer 150.

次いで、有機層１２０を形成する。有機層１２０のうちインクジェット法などの塗布法で形成される層は、第１電極１１０のうち絶縁層１５０で囲まれた領域内に塗布材料を位置させることにより、形成される。この際、塗布材料が絶縁層１５０の側面を這い上がって絶縁層１５０の上面に濡れ広がる可能性がある。これに対して本実施形態では、絶縁層１５０の上面には凸部１５２が形成されている。このため、塗布材料は絶縁層１５０の上面を乗り越えにくくなる。従って、塗布材料が、絶縁層１５０で囲まれた領域の外側に濡れ広がることを抑制できる。   Next, the organic layer 120 is formed. A layer formed by a coating method such as an inkjet method in the organic layer 120 is formed by positioning a coating material in a region surrounded by the insulating layer 150 in the first electrode 110. At this time, the coating material may scoop up the side surface of the insulating layer 150 and spread on the upper surface of the insulating layer 150. On the other hand, in this embodiment, the convex part 152 is formed on the upper surface of the insulating layer 150. For this reason, it becomes difficult for the coating material to get over the upper surface of the insulating layer 150. Therefore, it is possible to suppress the coating material from spreading outside the region surrounded by the insulating layer 150.

次いで、第２電極１３０を形成する。第２電極１３０も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。その後、封止部材１７０を用いて発光部１４０を封止する。   Next, the second electrode 130 is formed. The second electrode 130 is also formed in a predetermined pattern using, for example, a mask. Thereafter, the light emitting unit 140 is sealed using the sealing member 170.

以上、本実施形態によれば、絶縁層１５０の上面には凸部１５２が形成されている。このため、有機層１２０の少なくとも一部の層を塗布材料で形成しても、この塗布材料が、絶縁層１５０で囲まれた領域の外側に濡れ広がることを抑制できる。従って、封止部材１７０を用いて発光部１４０を封止する際に、封止部材１７０と基板１００の間に有機層が入り込んで、封止空間の気密性が低下することを抑制できる。   As described above, according to the present embodiment, the convex portion 152 is formed on the upper surface of the insulating layer 150. For this reason, even if at least a part of the organic layer 120 is formed of a coating material, the coating material can be prevented from spreading wet outside the region surrounded by the insulating layer 150. Therefore, when sealing the light emission part 140 using the sealing member 170, it can suppress that an organic layer enters between the sealing member 170 and the board | substrate 100, and the airtightness of sealing space falls.

また、絶縁層１５０を形成する前に、基板１００の上に凸部１６０を形成している。凸部１６０は、絶縁層１５０が形成される領域に位置している。このため、絶縁層１５０を形成する際に、絶縁層１５０の上面には凸部１５２が形成される。従って、凸部１５２を形成する工程において基板１００にダメージは生じにくい。また、基板１００のスループットが低下することも抑制できる。   Further, before the insulating layer 150 is formed, the convex portion 160 is formed on the substrate 100. The convex portion 160 is located in a region where the insulating layer 150 is formed. For this reason, when the insulating layer 150 is formed, the convex portion 152 is formed on the upper surface of the insulating layer 150. Therefore, the substrate 100 is hardly damaged in the process of forming the convex portion 152. In addition, a decrease in the throughput of the substrate 100 can be suppressed.

図１０は、実施例に係る発光装置１０の構成を説明する平面図であり、実施形態の図２から有機層１２０を取り除いた図である。図１１は、図１０に示した発光装置１０の断面図であり、実施形態における図５に対応している。本実施形態に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。   FIG. 10 is a plan view illustrating the configuration of the light emitting device 10 according to the example, and is a diagram in which the organic layer 120 is removed from FIG. 2 of the embodiment. FIG. 11 is a cross-sectional view of the light emitting device 10 shown in FIG. 10 and corresponds to FIG. 5 in the embodiment. The light emitting device 10 according to the present embodiment has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment except for the following points.

まず、第１電極１１０の一部の上には導電層１１４が形成されている。導電層１１４は、第１電極１１０よりも低抵抗な材料によって形成されており、第１電極１１０の補助電極として機能する。導電層１１４は、例えばＭｏ合金、Ａｌ合金、及びＭｏ合金をこの順に積層した構成であったり、Ｃｒを主成分とする導電性材料を有している。導電層１１４の厚さは、例えば１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。   First, a conductive layer 114 is formed on part of the first electrode 110. The conductive layer 114 is formed of a material having a resistance lower than that of the first electrode 110 and functions as an auxiliary electrode of the first electrode 110. The conductive layer 114 has, for example, a structure in which a Mo alloy, an Al alloy, and a Mo alloy are stacked in this order, or has a conductive material mainly composed of Cr. The thickness of the conductive layer 114 is, for example, not less than 100 nm and not more than 1000 nm.

そして、凸部１６０は、導電層１１４と同一工程で形成されている。このため、凸部１６０は、導電層１１４と同様の材料によって形成されており、また、導電層１１４と同じ厚さを有している。なお、第１端子１１２と第２端子１３２にも、導電層１１４が形成されていてもよい。   The convex portion 160 is formed in the same process as the conductive layer 114. For this reason, the convex portion 160 is formed of the same material as that of the conductive layer 114 and has the same thickness as the conductive layer 114. Note that the conductive layer 114 may also be formed on the first terminal 112 and the second terminal 132.

本実施例に係る発光装置１０の製造方法は、凸部１６０を形成するときに導電層１１４も形成される点を除いて、実施形態と同様である。   The manufacturing method of the light emitting device 10 according to this example is the same as that of the embodiment except that the conductive layer 114 is also formed when the convex portion 160 is formed.

本実施例によっても、実施形態と同様に、基板１００にダメージを与えることなく、また、発光装置１０の生産のスループットを低下しないようにしつつ、有機材料が絶縁層の外側まで濡れ広がることを抑制できる。また、凸部１６０を導電層１１４と同一工程で形成しているため、発光装置１０の製造工程数が増加することを抑制できる。   Also in this example, similarly to the embodiment, the organic material is prevented from spreading to the outside of the insulating layer without damaging the substrate 100 and without decreasing the production throughput of the light emitting device 10. it can. Moreover, since the convex part 160 is formed in the same process as the conductive layer 114, it can suppress that the manufacturing process number of the light-emitting device 10 increases.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

１０ 発光装置
１００ 基板
１１０ 第１電極
１１４ 導電層
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１４０ 発光部
１５０ 絶縁層
１５２ 凸部
１５４ 凹部
１６０ 凸部
１６４ 凹部
１７０ 封止部材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light-emitting device 100 Board | substrate 110 1st electrode 114 Conductive layer 120 Organic layer 130 2nd electrode 140 Light-emitting part 150 Insulating layer 152 Convex part 154 Concave part 160 Convex part 164 Concave part 170 Sealing member

Claims (1)

基板と、
前記基板に形成され、有機ＥＬ素子を有する発光部と、
前記発光部を囲む絶縁層と、
前記基板と前記絶縁層の間に位置する凸部又は凹部と、
を備え、
前記有機ＥＬ素子は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有し、
前記絶縁層の上面は凹凸を有している発光装置。 A substrate,
A light emitting part formed on the substrate and having an organic EL element;
An insulating layer surrounding the light emitting part;
A convex portion or a concave portion located between the substrate and the insulating layer;
With
The organic EL element has a first electrode, a second electrode, and an organic layer located between the first electrode and the second electrode,
A light-emitting device in which an upper surface of the insulating layer has irregularities.
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