JP2019125634A - Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium - Google Patents

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Abstract

To detect liquid residue on the back side of a substrate after a drying process.SOLUTION: A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a holding unit, a nozzle, a detection unit, and a control unit. The holding unit holds and rotates a substrate. The nozzle discharges a processing liquid toward the back surface of the substrate. The detection unit measures the temperature of an object in a target area. The control unit controls the holding unit to shake off the processing liquid from the substrate by rotating the substrate to perform a drying process to dry the substrate, and then, on the basis of the detection result by the detection unit, and determines the presence or absence of liquid residue of the processing liquid on the back surface of the substrate.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

開示の実施形態は、基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体に関する。   Embodiments disclosed herein relate to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium.

従来、半導体ウェハやガラス基板等の基板の裏面に処理液を供給することによって基板の裏面を処理する基板処理装置が知られている。   BACKGROUND Conventionally, there has been known a substrate processing apparatus that processes the back surface of a substrate by supplying a processing liquid to the back surface of a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.

この種の基板処理装置では、基板の裏面に対して処理液を供給した後、基板を高速で回転させることによって基板から処理液を振り切って基板を乾燥させる乾燥処理が行われる（特許文献１参照）。   In this type of substrate processing apparatus, after the processing liquid is supplied to the back surface of the substrate, the substrate is rotated at a high speed to perform a drying process in which the processing liquid is shaken off from the substrate to dry the substrate (see Patent Document 1). ).

特開２００５−１２３３３５号公報JP 2005-123335 A

しかしながら、上述した従来技術では、乾燥処理後の基板の裏面に処理液が残存する液残りが発生する場合がある。基板の裏面に液残りが発生すると、たとえば、次工程の装置において、基板を保持する保持部が汚染されるなどの不具合が発生するおそれがある。   However, in the above-described prior art, there may be a liquid residue in which the processing liquid remains on the back surface of the substrate after the drying processing. If liquid remains on the back surface of the substrate, for example, in the apparatus of the next step, there may be a problem such as contamination of the holding portion holding the substrate.

実施形態の一態様は、乾燥処理後における基板裏面への液残りを検出することができる基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体を提供することを目的とする。   An aspect of the embodiment aims to provide a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium capable of detecting a liquid residue on the back surface of the substrate after the drying processing.

実施形態の一態様に係る基板処理装置は、保持部と、ノズルと、検知部と、制御部とを備える。保持部は、基板を保持して回転させる。ノズルは、基板の裏面に向けて処理液を吐出する。検知部は、対象領域内の物体の温度を測定する。制御部は、保持部を制御して、基板を回転させることによって基板から処理液を振り切って基板を乾燥させる乾燥処理を行った後、検知部による検知結果に基づき、基板の裏面における処理液の液残りの有無を判定する。   A substrate processing apparatus according to an aspect of the embodiment includes a holding unit, a nozzle, a detection unit, and a control unit. The holder holds and rotates the substrate. The nozzle discharges the processing liquid toward the back surface of the substrate. The detection unit measures the temperature of the object in the target area. The control unit controls the holding unit to shake off the processing liquid from the substrate by rotating the substrate to perform drying processing to dry the substrate, and then, based on the detection result by the detection unit, the processing liquid on the back surface of the substrate Determine the presence or absence of fluid residue.

実施形態の一態様によれば、乾燥処理後における基板裏面への液残りを検出することができる。   According to one aspect of the embodiment, the liquid residue on the back surface of the substrate after the drying process can be detected.

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. 図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit. 図３は、処理ユニットの具体的な構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a specific configuration of the processing unit. 図４は、支持部が上方位置にあるときの処理ユニットの状態を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the state of the processing unit when the support is in the upper position. 図５は、検知部の検知結果を模式的に表した図である。FIG. 5 is a view schematically showing the detection result of the detection unit. 図６は、処理ユニットにおいて行われる基板処理の手順を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing the procedure of substrate processing performed in the processing unit. 図７は、復旧処理の手順を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing the procedure of recovery processing. 図８は、復旧用リンス処理の処理時間を調整する処理の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a process of adjusting the processing time of the recovery rinse process. 図９は、第１の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart showing the procedure of the liquid residue determination process according to the first modification. 図１０は、第２の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart showing the procedure of the liquid residue determination process according to the second modification. 図１１は、第３の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart showing the procedure of the liquid residue determination process according to the third modification. 図１２は、第４の変形例に係る処理ユニットの構成を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a processing unit according to a fourth modification. 図１３は、第４の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。FIG. 13 is a flowchart showing the procedure of the liquid residue determination process according to the fourth modification.

以下に、本願に係る基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本願に係る基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。   Hereinafter, modes for carrying out a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium (hereinafter, referred to as “embodiment”) according to the present application will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the substrate processing apparatus, the substrate processing method, and the storage medium which concern on this application are not limited by this embodiment. Moreover, it is possible to combine each embodiment suitably in the range which does not make process contents contradictory. Moreover, the same code | symbol is attached | subjected to the same site | part in the following each embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

〔１．基板処理システムの構成〕
まず、基板処理システムの構成について図１を参照して説明する。 [1. Configuration of substrate processing system]
First, the configuration of the substrate processing system will be described with reference to FIG.

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。   FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X axis, the Y axis, and the Z axis orthogonal to one another are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。   As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3. The loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。   The loading / unloading station 2 includes a carrier placement unit 11 and a transport unit 12. A plurality of substrates C, in the present embodiment, a plurality of carriers C accommodating a semiconductor wafer (hereinafter, wafer W) in a horizontal state are mounted on the carrier mounting portion 11.

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。   The transport unit 12 is provided adjacent to the carrier placement unit 11 and includes a substrate transport device 13 and a delivery unit 14 inside. The substrate transfer apparatus 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. In addition, the substrate transfer apparatus 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can pivot around the vertical axis, and transfer the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 using the wafer holding mechanism. Do.

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。   The processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12. The processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16. The plurality of processing units 16 are provided side by side on both sides of the transport unit 15.

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。   The transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside. The substrate transfer apparatus 17 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. The substrate transfer device 17 can move in the horizontal and vertical directions and can pivot about the vertical axis, and transfer the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 using the wafer holding mechanism. I do.

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。   The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer device 17.

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。   The substrate processing system 1 further includes a control device 4. Control device 4 is, for example, a computer, and includes control unit 18 and storage unit 19. The storage unit 19 stores programs for controlling various processes performed in the substrate processing system 1. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。   The program may be recorded in a storage medium readable by a computer, and may be installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。   In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier placement unit 11 and receives the taken-out wafer W Place it on the crossing section 14. The wafer W placed on the delivery unit 14 is taken out of the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。   The wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then carried out of the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery unit 14 is returned to the carrier C of the carrier placement unit 11 by the substrate transfer device 13.

制御装置４の制御部１８は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、後述する制御を実現する。   The control unit 18 of the control device 4 includes a microcomputer including a central processing unit (CPU), a read only memory (ROM), a random access memory (RAM), an input / output port, and various circuits. The CPU of the microcomputer realizes the control described later by reading and executing the program stored in the ROM.

制御装置４の記憶部１９は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）等の半導体メモリ素子、又は、ハードディスク、光ディスク等の記憶装置によって実現される。   The storage unit 19 of the control device 4 is realized by, for example, a semiconductor memory device such as a RAM or a flash memory, or a storage device such as a hard disk or an optical disk.

〔２．処理ユニットの概略構成〕
次に、処理ユニット１６について図２を参照し説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。 [2. Schematic configuration of processing unit]
Next, the processing unit 16 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a view showing a schematic configuration of the processing unit 16.

図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。   As shown in FIG. 2, the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate holding mechanism 30, a processing fluid supply unit 40, and a recovery cup 50.

チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。   The chamber 20 accommodates the substrate holding mechanism 30, the processing fluid supply unit 40 and the recovery cup 50. An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling of the chamber 20. The FFU 21 forms a downflow in the chamber 20.

基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。   The substrate holding mechanism 30 includes a holding unit 31, a support unit 32, and a drive unit 33. The holding unit 31 holds the wafer W horizontally. The support portion 32 is a member extending in the vertical direction, and the proximal end portion is rotatably supported by the drive portion 33, and horizontally supports the holding portion 31 at the distal end portion. The drive unit 33 rotates the support unit 32 around the vertical axis. The substrate holding mechanism 30 rotates the holding unit 31 supported by the support unit 32 by rotating the support unit 32 using the driving unit 33, thereby rotating the wafer W held by the holding unit 31. .

処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。   The processing fluid supply unit 40 supplies the processing fluid to the wafer W. The processing fluid supply unit 40 is connected to the processing fluid supply source 70.

回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。   The recovery cup 50 is disposed so as to surround the holding unit 31, and collects the processing liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding unit 31. A drainage port 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50, and the treatment liquid collected by the recovery cup 50 is drained from the drainage port 51 to the outside of the processing unit 16. Further, at the bottom of the recovery cup 50, an exhaust port 52 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed.

〔３．処理ユニットの具体的構成〕
次に、上述した処理ユニット１６の具体的な構成について図３および図４を参照して説明する。図３は、処理ユニット１６の具体的な構成を示す図である。また、図４は、支持部が上方位置にあるときの処理ユニット１６の状態を示す図である。なお、図３および図４においては、チャンバ２０、処理流体供給部４０および回収カップ５０を省略して示している。 [3. Specific Configuration of Processing Unit]
Next, the specific configuration of the processing unit 16 described above will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a diagram showing a specific configuration of the processing unit 16. Moreover, FIG. 4 is a figure which shows the state of the processing unit 16 when a support part exists in an upper position. In FIGS. 3 and 4, the chamber 20, the processing fluid supply unit 40 and the recovery cup 50 are omitted.

図３に示すように、保持部３１は、ウェハＷを保持する保持プレート１３１ａと、ウェハＷを下方から支持する支持部１３１ｂと、保持プレート１３１ａの中心部分に形成された貫通穴１３３を通る裏面ノズル４１と、支持部１３１ｂを保持プレート１３１ａに対して相対的に昇降させる昇降機構６０とを備える。支持部１３１ｂは、保持プレート１３１ａ上に配置され、保持プレート１３１ａと連動して回転するようになっている。裏面ノズル４１には、保持プレート１３１ａの貫通穴１３３を塞ぐよう設けられたヘッド部分４２が設けられている。   As shown in FIG. 3, the holding unit 31 has a holding plate 131a for holding the wafer W, a support unit 131b for supporting the wafer W from below, and a back surface passing through a through hole 133 formed in the central portion of the holding plate 131a. The nozzle 41 and an elevating mechanism 60 for raising and lowering the support portion 131b relative to the holding plate 131a are provided. The support portion 131 b is disposed on the holding plate 131 a and rotates in conjunction with the holding plate 131 a. The back surface nozzle 41 is provided with a head portion 42 provided to close the through hole 133 of the holding plate 131 a.

支持部１３１ｂは、昇降可能に構成される。図３には、支持部１３１ｂが保持プレート１３１ａに当接する下方位置にあるときの状態が示されており、図４には、支持部１３１ｂが保持プレート１３１ａから離隔した上方位置にあるときの状態が示されている。支持部１３１ｂは、図３に示すような下方位置と図４に示すような上方位置との間で昇降可能である。   The support portion 131 b is configured to be movable up and down. FIG. 3 shows a state in which the support portion 131b is in the lower position in contact with the holding plate 131a, and FIG. 4 shows a state in which the support portion 131b is in the upper position away from the holding plate 131a. It is shown. The support portion 131b can be raised and lowered between a lower position as shown in FIG. 3 and an upper position as shown in FIG.

支持部１３１ｂは、円板形状を有し、その中心部分には貫通穴が形成されている。支持部１３１ｂのおもて面には、複数のリフトピン１３１ｄが設けられている。これらのリフトピン１３１ｄは、支持部１３１ｂの周縁部近傍において周方向に等間隔で設けられている。また、支持部１３１ｂの裏面には、複数の軸部１３１ｆが設けられている。各軸部１３１ｆは、支持部１３１ｂの裏面から下方に向かって延在する。これらの軸部１３１ｆは、支持部１３１ｂの周縁部近傍において周方向に等間隔で設けられている。   The support portion 131 b has a disk shape, and a through hole is formed in the central portion thereof. A plurality of lift pins 131 d are provided on the front surface of the support portion 131 b. The lift pins 131 d are provided at equal intervals in the circumferential direction in the vicinity of the peripheral portion of the support portion 131 b. Further, a plurality of shaft portions 131 f are provided on the back surface of the support portion 131 b. Each shaft portion 131 f extends downward from the back surface of the support portion 131 b. The shaft portions 131 f are provided at equal intervals in the circumferential direction in the vicinity of the peripheral portion of the support portion 131 b.

保持プレート１３１ａは、支持部１３１ｂよりも大径の円板形状を有し、その中心部分には貫通穴１３３が形成されている。この貫通穴１３３には裏面ノズル４１が通される。保持プレート１３１ａのおもて面には、支持部１３１ｂを収容可能な窪みが形成される。支持部１３１ｂは、下方位置において保持プレート１３１ａの上記窪みに収容される。   The holding plate 131a has a disk shape having a diameter larger than that of the support portion 131b, and a through hole 133 is formed in the central portion thereof. The back surface nozzle 41 is passed through the through hole 133. On the front surface of the holding plate 131a, a recess capable of accommodating the support portion 131b is formed. The support portion 131 b is accommodated in the recess of the holding plate 131 a at the lower position.

保持プレート１３１ａの裏面の中心部分には、当該保持プレート１３１ａの裏面から下方に延びるよう中空の支柱部３２が取り付けられている。この支柱部３２の中空部分には裏面ノズル４１が収容されている。また、支柱部３２はベアリング（図示せず）等を介して駆動部（図示せず）により回転させられるようになっている。駆動部が支柱部３２を回転させることにより、保持プレート１３１ａも回転することとなる。   A hollow support 32 is attached to a central portion of the back surface of the holding plate 131a so as to extend downward from the back surface of the holding plate 131a. A back surface nozzle 41 is accommodated in the hollow portion of the support portion 32. Further, the support portion 32 is configured to be rotated by a drive unit (not shown) via a bearing (not shown) or the like. When the drive unit rotates the support 32, the holding plate 131a also rotates.

また、保持プレート１３１ａには、支持部１３１ｂの裏面から下方に延びる棒状の軸部１３１ｆが挿通される複数の貫通穴１３１ａ１が形成されている。各貫通穴１３１ａ１は保持プレート１３１ａの周方向に等間隔に設けられている。   Further, the holding plate 131a is formed with a plurality of through holes 131a1 through which rod-like shaft portions 131f extending downward from the back surface of the support portion 131b are inserted. The through holes 131a1 are provided at equal intervals in the circumferential direction of the holding plate 131a.

保持プレート１３１ａには、ウェハＷを側方から支持するための複数の基板支持部１４１が設けられている。図３に示すように、基板支持部１４１は、支持部１３１ｂが下方位置にあるときにウェハＷを側方から支持する。一方、図４に示すように、基板支持部１４１は、支持部１３１ｂが上方位置にあるときにはウェハＷから離隔するようになっている。   The holding plate 131a is provided with a plurality of substrate support portions 141 for supporting the wafer W from the side. As shown in FIG. 3, the substrate support portion 141 supports the wafer W from the side when the support portion 131 b is at the lower position. On the other hand, as shown in FIG. 4, the substrate support portion 141 is separated from the wafer W when the support portion 131 b is at the upper position.

裏面ノズル４１は、保持プレート１３１ａの貫通穴１３３を通過するよう設けられている。なお、裏面ノズル４１は、支持部１３１ｂや保持プレート１３１ａが回転する際にも回転しないようになっている。裏面ノズル４１には、液体を通すための液供給路４０ａと、気体を通すための気体供給路４０ｂとが設けられている。   The back surface nozzle 41 is provided to pass through the through hole 133 of the holding plate 131a. The back side nozzle 41 is configured not to rotate even when the support portion 131 b and the holding plate 131 a rotate. The back side nozzle 41 is provided with a liquid supply passage 40 a for passing a liquid and a gas supply passage 40 b for passing a gas.

液供給路４０ａは、流量調整部７１を介して薬液供給源７２に接続される。流量調整部７１は、開閉弁、流量制御弁、流量計などを含んで構成され、薬液供給源７２から供給される薬液の流量を調整する。薬液供給源７２は、薬液を貯留するタンクである。たとえば、薬液供給源７２は、薬液としてＳＣ１（アンモニア／過酸化水素／水の混合液）を貯留する。なお、薬液供給源７２に貯留される薬液は、ＳＣ１に限らず、ＳＣ２（塩酸／過酸化水素／水の混合液）やＤＨＦ（希フッ酸）等であってもよい。   The liquid supply path 40 a is connected to the chemical solution supply source 72 via the flow rate adjustment unit 71. The flow rate adjustment unit 71 is configured to include an on-off valve, a flow rate control valve, a flow meter, and the like, and adjusts the flow rate of the chemical solution supplied from the chemical solution supply source 72. The chemical solution supply source 72 is a tank for storing a chemical solution. For example, the chemical solution supply source 72 stores SC1 (a mixed solution of ammonia / hydrogen peroxide / water) as a chemical solution. The chemical solution stored in the chemical solution supply source 72 is not limited to SC1, and may be SC2 (a mixed solution of hydrochloric acid / hydrogen peroxide / water), DHF (diluted hydrofluoric acid) or the like.

また、液供給路４０ａは、流量調整部７３を介してリンス液供給源７４に接続される。流量調整部７３は、開閉弁、流量制御弁、流量計などを含んで構成され、リンス液供給源７４から供給されるリンス液の流量を調整する。リンス液供給源７４は、リンス液を貯留するタンクである。たとえば、リンス液供給源７４は、リンス液として純水（Deionized Water：以下、「ＤＩＷ」と記載する）を貯留する。   In addition, the liquid supply path 40 a is connected to the rinse liquid supply source 74 via the flow rate adjustment unit 73. The flow rate adjusting unit 73 includes an on-off valve, a flow rate control valve, a flow meter, and the like, and adjusts the flow rate of the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply source 74. The rinse liquid supply source 74 is a tank for storing the rinse liquid. For example, the rinse solution supply source 74 stores pure water (Deionized Water: hereinafter referred to as “DIW”) as a rinse solution.

気体供給路４０ｂは、流量調整部７５を介して気体供給源７６に接続される。流量調整部７５は、開閉弁、流量制御弁、流量計などを含んで構成され、気体供給源７６から供給される乾燥用気体の流量を調整する。気体供給源７６は、乾燥用気体を貯留するタンクである。たとえば、気体供給源７６は、乾燥用気体としてＮ２（窒素）ガスを貯留する。   The gas supply passage 40 b is connected to the gas supply source 76 via the flow rate adjustment unit 75. The flow rate adjusting unit 75 includes an on-off valve, a flow rate control valve, a flow meter, and the like, and adjusts the flow rate of the drying gas supplied from the gas supply source 76. The gas supply source 76 is a tank for storing the drying gas. For example, the gas supply source 76 stores N2 (nitrogen) gas as a drying gas.

薬液供給源７２に貯留された薬液およびリンス液供給源７４に貯留されたリンス液は、液供給路４０ａを通って裏面ノズル４１の先端からウェハＷの裏面中央部に向かって吐出される。また、気体供給源７６に貯留された乾燥用気体は、気体供給路４０ｂを通って裏面ノズル４１の先端からウェハＷの裏面中央部に向かって吐出される。   The chemical solution stored in the chemical solution supply source 72 and the rinse solution stored in the rinse solution supply source 74 are discharged toward the central portion of the back surface of the wafer W from the tip of the back surface nozzle 41 through the liquid supply passage 40a. Further, the drying gas stored in the gas supply source 76 is discharged toward the center of the back surface of the wafer W from the tip of the back surface nozzle 41 through the gas supply passage 40 b.

昇降機構６０には、水平方向に延在する第１の連動部材４４が接続されている。第１の連動部材４４には、複数の棒状の第２の連動部材４６が第１の連動部材４４から上方に延びるよう接続されている。各第２の連動部材４６は、各軸部１３１ｆの底面に接触するよう設けられる。   A first interlocking member 44 extending in the horizontal direction is connected to the elevating mechanism 60. A plurality of rod-like second interlocking members 46 are connected to the first interlocking member 44 so as to extend upward from the first interlocking member 44. Each second interlocking member 46 is provided to be in contact with the bottom surface of each shaft portion 131 f.

図３に示す状態において、昇降機構６０が第１の連動部材４４および各第２の連動部材４６を上方に移動させることにより、各第２の連動部材４６が各軸部１３１ｆの底面に当接して各軸部１３１ｆを上方に押し上げる。これにより、支持部１３１ｂが上方に移動して、図４に示す上方位置に配置された状態となる。   In the state shown in FIG. 3, the lifting mechanism 60 moves the first interlocking member 44 and the second interlocking members 46 upward, so that the second interlocking members 46 abut on the bottom surfaces of the shaft portions 131 f. And each shaft portion 131f is pushed upward. As a result, the support portion 131 b moves upward and is placed at the upper position shown in FIG. 4.

処理ユニット１６では、薬液処理とリンス処理と乾燥処理とが連続的に行われる。薬液処理は、ウェハＷの裏面に対して裏面ノズル４１から薬液を供給する処理である、リンス処理は、薬液処理後のウェハＷの裏面に対してリンス液を供給する処理である。また、乾燥処理は、リンス処理後のウェハＷの裏面に対して裏面ノズル４１から乾燥用気体を供給しつつ、ウェハＷを高速で回転させることによってウェハＷからリンス液を振り切ってウェハＷを乾燥させる処理である。   In the processing unit 16, the chemical treatment, the rinse treatment and the drying treatment are continuously performed. The chemical solution process is a process of supplying a chemical solution from the back surface nozzle 41 to the back surface of the wafer W, and the rinse process is a process of supplying a rinse liquid to the back surface of the wafer W after the chemical process. In the drying process, the wafer W is rotated at a high speed while supplying the drying gas to the back surface of the wafer W after the rinse process, and the rinse liquid is shaken off from the wafer W to dry the wafer W. Processing.

ここで、処理ユニット１６においては、乾燥処理後の基板の裏面に処理液が残存する液残りが発生する場合がある。   Here, in the processing unit 16, there may be a liquid residue in which the processing liquid remains on the back surface of the substrate after the drying processing.

液残りは、たとえば、薬液処理時に吐出された薬液が、裏面ノズル４１の気体供給路４０ｂに入り込み、その後の乾燥処理時において乾燥用気体とともに気体供給路４０ｂから吐出されてウェハＷの裏面に付着することによって生じ得る。薬液は揮発しにくく、ウェハＷの裏面に付着し続けるため、ウェハＷの裏面に液残りが発生することとなる。   The liquid remains, for example, when the chemical solution discharged during the chemical solution processing enters the gas supply passage 40b of the back surface nozzle 41 and is discharged from the gas supply passage 40b together with the drying gas during the subsequent drying processing and adheres to the back surface of the wafer W It can be caused by The chemical solution is difficult to evaporate and continues to adhere to the back surface of the wafer W, so that a liquid residue is generated on the back surface of the wafer W.

液残りの他の原因として、裏面ノズル４１のヘッド部分４２に付着した処理液の転写も考えられる。すなわち、上述した一連の基板処理において、ウェハＷの裏面は、裏面ノズル４１のヘッド部分４２に近接した位置に配置されるため、ヘッド部分４２の上部に残存する薬液がウェハＷの裏面に転写する可能性がある。何れの場合においても、液残りは、裏面ノズル４１の近傍であるウェハＷの裏面中央部において発生する可能性が高い。   As another cause of the liquid residue, transfer of the processing liquid adhering to the head portion 42 of the back surface nozzle 41 is also considered. That is, in the series of substrate processing described above, the back surface of the wafer W is disposed at a position close to the head portion 42 of the back surface nozzle 41, so the chemical solution remaining on the top of the head portion 42 is transferred to the back surface of the wafer W there is a possibility. In any case, the liquid residue is likely to be generated at the central portion of the back surface of the wafer W which is in the vicinity of the back surface nozzle 41.

ウェハＷの裏面に液残りが発生すると、たとえば、次工程の装置において、ウェハＷを保持する保持部が薬液によって汚染されるおそれがある。そこで、処理ユニット１６では、乾燥処理後のウェハＷを処理ユニット１６から搬出する前に、ウェハＷの裏面に液残りが発生しているか否かを検査することとした。また、処理ユニット１６では、ウェハＷの裏面に液残りが発生している場合には、液残りを解消するための復旧処理を行ったうえで、乾燥処理後のウェハＷを搬出することとした。   If liquid remains on the back surface of the wafer W, for example, in the apparatus of the next process, the holding unit holding the wafer W may be contaminated by the chemical solution. Therefore, in the processing unit 16, before unloading the wafer W after the drying processing from the processing unit 16, it is determined whether or not a liquid residue is generated on the back surface of the wafer W. Further, in the processing unit 16, when a liquid residue is generated on the back surface of the wafer W, the recovery process for eliminating the liquid residue is performed, and then the wafer W after the drying processing is unloaded. .

具体的には、本実施形態に係る処理ユニット１６は、ウェハＷの裏面に付着した処理液を検知する検知部１００を備える。検知部１００は、赤外線センサであり、チャンバ２０内において、保持部３１に保持されたウェハＷよりも上方に配置される。   Specifically, the processing unit 16 according to the present embodiment includes the detection unit 100 that detects the processing liquid attached to the back surface of the wafer W. The detection unit 100 is an infrared sensor, and is disposed in the chamber 20 above the wafer W held by the holding unit 31.

赤外線センサである検知部１００は、赤外線を受光する受光素子を備えており、対象領域内の物体から放射される赤外線を受光素子にて受光して電気信号に変換し、さらに、この電気信号を輝度信号に変換することによって赤外線画像を生成する。すなわち、検知部１００によれば、対象領域内の物体の温度を非接触で測定することが可能である。   The detection unit 100, which is an infrared sensor, includes a light receiving element that receives infrared light, receives infrared light emitted from an object in the target area by the light receiving element, converts it into an electric signal, and further converts the electric signal An infrared image is generated by converting it to a luminance signal. That is, according to the detection unit 100, it is possible to measure the temperature of the object in the target area without contact.

半導体ウェハ、具体的にはシリコンウェハであるウェハＷは、赤外線を透過する性質を有する。このため、ウェハＷの裏面に付着した処理液から放射される赤外線は、ウェハＷを透過して検知部１００の受光部によって受光される。これにより、検知部１００は、ウェハＷの裏面に付着した処理液をウェハＷのおもて面側から検知することができる。   A semiconductor wafer, specifically a wafer W which is a silicon wafer, has a property of transmitting infrared light. For this reason, the infrared rays emitted from the processing liquid attached to the back surface of the wafer W pass through the wafer W and are received by the light receiving unit of the detection unit 100. Thereby, the detection unit 100 can detect the processing liquid attached to the back surface of the wafer W from the front surface side of the wafer W.

検知部１００は、たとえば、上述した一連の基板処理の間、ウェハＷの中心を含む対象領域内における物体の温度を検知し続ける。そして、検知部１００は、検知結果である赤外線画像を制御部１８へ出力する。図５は、検知部１００の検知結果を模式的に表した図である。   The detection unit 100 continues to detect the temperature of an object in a target area including the center of the wafer W, for example, during the above-described series of substrate processing. Then, the detection unit 100 outputs an infrared image, which is a detection result, to the control unit 18. FIG. 5 is a diagram schematically showing the detection result of the detection unit 100. As shown in FIG.

図５に示すように、検知部１００の検知結果である赤外線画像は、対象領域内の熱分布を図として表した画像である。処理液が付着した部分は、処理液の気化熱によって周囲よりも温度が低くなる。この現象を利用することにより、制御部１８は、赤外線画像において周囲よりも温度が低い部分Ｈを、処理液が付着している部分として検出することができる。   As shown in FIG. 5, the infrared image which is the detection result of the detection unit 100 is an image representing the heat distribution in the target area as a diagram. The portion to which the treatment liquid has adhered has a temperature lower than that of the surroundings due to the heat of vaporization of the treatment liquid. By utilizing this phenomenon, the control unit 18 can detect a portion H having a temperature lower than that of the surroundings in the infrared image as a portion to which the treatment liquid is attached.

〔４．処理フロー〕
次に、上述した処理ユニット１６において行われる一連の基板処理の内容について図６を参照して説明する。図６は、処理ユニット１６において行われる基板処理の手順を示すフローチャートである。なお、図６に示す各処理手順は、制御部１８による制御に従って実行される。 [4. Processing flow]
Next, the contents of a series of substrate processing performed in the processing unit 16 described above will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a flowchart showing the procedure of substrate processing performed in the processing unit 16. Each processing procedure shown in FIG. 6 is executed under the control of the control unit 18.

基板搬送装置１７（図１参照）によって処理ユニット１６に搬送されてきたウェハＷは、不図示の搬入出口を介してチャンバ２０内に搬入される（ステップＳ１０１）。基板搬送装置１７は、基板保持機構３０の保持部３１にウェハＷを載置した後、チャンバ２０内から退避する。   The wafer W transferred to the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 (see FIG. 1) is loaded into the chamber 20 via a loading / unloading port (not shown) (step S101). After the wafer W is placed on the holding unit 31 of the substrate holding mechanism 30, the substrate transfer apparatus 17 retracts from the inside of the chamber 20.

その後、制御部１８は、薬液処理を開始する（ステップＳ１０２）。薬液処理において、制御部１８は、駆動部３３を制御して、保持部３１を回転させる。つづいて、制御部１８は、流量調整部７１の開閉弁を所定時間開放する。これにより、薬液供給源７２から供給される薬液が、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面に吐出される。ウェハＷの裏面に吐出された薬液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷ上に広がる。これにより、ウェハＷの裏面が薬液によって処理（たとえば洗浄）される。   Thereafter, the control unit 18 starts chemical solution processing (step S102). In the chemical liquid process, the control unit 18 controls the drive unit 33 to rotate the holding unit 31. Subsequently, the control unit 18 opens the on-off valve of the flow rate adjustment unit 71 for a predetermined time. Thereby, the chemical solution supplied from the chemical solution supply source 72 is discharged from the back surface nozzle 41 to the back surface of the wafer W. The chemical solution discharged on the back surface of the wafer W spreads on the wafer W by the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W. Thereby, the back surface of the wafer W is processed (eg, cleaned) by the chemical solution.

つづいて、制御部１８は、リンス処理を開始する（ステップＳ１０３）。リンス処理において、制御部１８は、流量調整部７３の開閉弁を所定時間開放する。これにより、リンス液供給源７４から供給されるリンス液が、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面に吐出される。ウェハＷの裏面に吐出されたリンス液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷ上に広がる。これにより、ウェハＷに残存する薬液がリンス液によって洗い流される。   Subsequently, the control unit 18 starts the rinse process (step S103). In the rinse process, the control unit 18 opens the on-off valve of the flow rate adjustment unit 73 for a predetermined time. Thereby, the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply source 74 is discharged from the back surface nozzle 41 to the back surface of the wafer W. The rinse solution discharged on the back surface of the wafer W spreads on the wafer W by the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W. Thereby, the chemical solution remaining on the wafer W is washed away by the rinse liquid.

つづいて、制御部１８は、乾燥処理を行う（ステップＳ１０４）。乾燥処理において、制御部１８は、薬液処理時およびリンス処理時よりも高い回転数でウェハＷを回転させる。また、制御部１８は、流量調整部７５の開閉弁を所定時間開放することにより、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面にＮ２ガスを吐出させる。これにより、裏面ノズル４１から吐出されるＮ２ガスとウェハＷの回転に伴う遠心力とによってウェハＷに残存するリンス液がウェハＷ上から除去されてウェハＷが乾燥する。   Subsequently, the control unit 18 performs a drying process (step S104). In the drying process, the control unit 18 rotates the wafer W at a higher rotational speed than in the chemical solution process and the rinse process. Further, the control unit 18 discharges the N 2 gas from the back surface nozzle 41 to the back surface of the wafer W by opening the on-off valve of the flow rate adjustment unit 75 for a predetermined time. As a result, the rinse liquid remaining on the wafer W is removed from the wafer W by the N 2 gas discharged from the back surface nozzle 41 and the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W, and the wafer W is dried.

仮に、薬液処理時に吐出された薬液が気体供給路４０ｂに入り込んでいた場合、気体供給路４０ｂ内の薬液は、ステップＳ１０４の乾燥処理時にＮ２ガスとともに吐出されてウェハＷの裏面に付着する可能性がある。   If the chemical solution discharged during the chemical solution process enters the gas supply passage 40b, the chemical solution in the gas supply passage 40b may be discharged together with the N 2 gas during the drying process of step S104 and adhere to the back surface of the wafer W There is.

その後、制御部１８は、ウェハＷの回転を停止し、検知部１００から取得した検知結果（図５参照）に基づき、ウェハＷの裏面に液残りがあるか否かを判定する（ステップＳ１０５）。   Thereafter, the control unit 18 stops the rotation of the wafer W, and based on the detection result (see FIG. 5) obtained from the detection unit 100, determines whether or not there is liquid remaining on the back surface of the wafer W (step S105) .

たとえば、制御部１８は、温度が閾値未満の領域が存在する場合に、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定する。または、制御部１８は、周囲の温度（たとえば、検知結果において分布割合が最も多い温度、以下、「基準温度」と記載する）よりも温度の低い領域であって、上記基準温度との温度差が閾値を超える領域が存在する場合に、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定してもよい。   For example, when there is a region where the temperature is lower than the threshold, control unit 18 determines that there is a liquid residue on the back surface of wafer W. Alternatively, the control unit 18 is a region where the temperature is lower than the ambient temperature (for example, the temperature having the largest distribution ratio in the detection result, hereinafter referred to as the “reference temperature”), and the temperature difference with the reference temperature It may be determined that there is a liquid residue on the back surface of the wafer W when there is a region where the value of T exceeds the threshold.

ステップＳ１０５において、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定した場合（ステップＳ１０５，Ｙｅｓ）、制御部１８は、報知処理を行う（ステップＳ１０６）。報知処理において、制御部１８は、たとえば、基板処理システム１が備える図示しない表示灯を点灯させたり、該当する処理ユニット１６においてウェハＷの裏面への液残りが発生した旨の情報を上位装置に出力したりする。また、制御部１８は、上記の情報を基板処理システム１が備える図示しない表示部に表示してもよい。   When it is determined in step S105 that there is a liquid residue on the back surface of the wafer W (step S105, Yes), the control unit 18 performs notification processing (step S106). In the notification process, for example, the control unit 18 turns on an indicator light (not shown) included in the substrate processing system 1 or informs the host apparatus of information indicating that liquid remaining on the back surface of the wafer W has occurred in the corresponding processing unit 16. Output. In addition, the control unit 18 may display the above information on a display unit (not shown) included in the substrate processing system 1.

また、制御部１８は、液残りを解消するための復旧処理を行う（ステップＳ１０７）。この復旧処理の内容については後述する。復旧処理により、ウェハＷの裏面に付着した薬液がウェハＷの裏面から除去される。   Further, the control unit 18 performs recovery processing for eliminating the liquid residue (step S107). The contents of this recovery process will be described later. By the recovery process, the chemical solution adhering to the back surface of the wafer W is removed from the back surface of the wafer W.

ステップＳ１０５においてウェハＷの裏面に液残りがない場合（ステップＳ１０５，Ｎｏ）、あるいは、ステップＳ１０７の復旧処理を終えた場合、制御部１８は、搬出処理を行う（ステップＳ１０８）。搬出処理では、チャンバ２０内に進入してきた基板搬送装置１７に、搬入時とは反対の手順でウェハＷを受け渡し、処理ユニット１６からウェハＷを搬出する。   If there is no liquid remaining on the back surface of the wafer W in step S105 (step S105, No), or if the recovery process of step S107 is completed, the control unit 18 performs an unloading process (step S108). In the unloading process, the wafer W is delivered to the substrate transfer apparatus 17 which has entered the chamber 20 in the procedure opposite to that at the time of loading, and the wafer W is unloaded from the processing unit 16.

ここでは、ウェハＷの裏面に液残りがあるか否かを判定する処理を乾燥処理後に行うこととしたが、制御部１８は、乾燥処理後だけでなく、薬液処理の開始前にも同様の判定処理を行うようにしてもよい。   Here, the process of determining whether or not the liquid remains on the back surface of the wafer W is performed after the drying process, but the control unit 18 performs the same process not only after the drying process but before the start of the chemical solution process. The determination process may be performed.

たとえば、制御部１８は、搬入処理後、ウェハＷを回転させる前に、検知部１００から入力される検知結果に基づいてウェハＷの裏面に液残りがあるか否かを判定してもよい。このように、薬液処理前に判定処理を行うことで、乾燥処理後に検出された液残りが薬液処理後に発生したものであるか、薬液処理前から発生していたものであるかを切り分けることができる。すなわち、薬液処理前の判定処理において、液残りがあると判定された場合には、ウェハＷの裏面に薬液処理前から液残りが発生していることがわかる。また、薬液処理前の判定処理において、液残りがあると判定された場合に、ステップＳ１０６の報知処理および後述するステップＳ１０７の復旧処理と同様の処理を行うことで、処理対象であるウェハＷを裏面に液残りのない正常な状態にしたうえで、薬液処理を開始することができる。   For example, after the loading process, the control unit 18 may determine whether there is any liquid residue on the back surface of the wafer W based on the detection result input from the detection unit 100 before rotating the wafer W. As described above, by performing the determination process before the chemical solution process, it is determined whether the liquid residue detected after the drying process is generated after the chemical solution process or is generated before the chemical solution process. it can. That is, when it is determined in the determination process before the chemical liquid process that there is a liquid residual, it is known that the liquid residual is generated on the back surface of the wafer W before the chemical liquid process. Further, if it is determined in the determination process before the chemical solution process that there is a liquid residue, the wafer W to be processed is performed by performing the same process as the notification process of step S106 and the recovery process of step S107 described later. It is possible to start the chemical solution processing after having made a normal state with no liquid remaining on the back surface.

また、ここでは、ステップＳ１０７において復旧処理を行った後で搬出処理を行うこととしたが、これに限らず、制御部１８は、復旧処理を行った後、ステップＳ１０５と同様の判定処理を再度行い、復旧処理後のウェハＷの裏面に液残りがないと判定された場合にステップＳ１０８の搬出処理に移行してもよい。   Furthermore, here, the unloading process is performed after the recovery process is performed in step S107, but the present invention is not limited to this, the control unit 18 performs the recovery process, and then the determination process similar to step S105 is performed again. If it is determined that there is no liquid remaining on the back surface of the wafer W after the recovery processing, the processing may move to the unloading processing in step S108.

また、ステップＳ１０５の判定処理を行うか否かは、設定により変更可能としてもよい。   Further, whether or not to perform the determination process of step S105 may be changeable by setting.

なお、ステップＳ１０２の薬液処理では、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面に薬液を供給する処理とともに、処理流体供給部４０（図２参照）からウェハＷのおもて面に薬液を供給する処理も行われる。また、ステップＳ１０３のリンス処理では、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面にリンス液を供給する処理とともに、処理流体供給部４０からウェハＷのおもて面にリンス液を供給する処理も行われる。また、ステップＳ１０４の乾燥処理では、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面にＮ２ガスを供給する処理とともに、処理流体供給部４０からウェハＷのおもて面にＮ２ガスを供給する処理も行われる。   In addition to the processing of supplying the chemical solution from the back surface nozzle 41 to the back surface of the wafer W and the processing of supplying the chemical solution to the front surface of the wafer W from the processing fluid supply unit 40 (see FIG. To be done. Further, in the rinse process of step S103, the process of supplying the rinse liquid from the back surface nozzle 41 to the back surface of the wafer W and the process of supplying the rinse liquid to the front surface of the wafer W from the processing fluid supply unit 40 are also performed. Further, in the drying process of step S104, the process of supplying the N 2 gas from the back surface nozzle 41 to the back surface of the wafer W and the process of supplying the N 2 gas from the processing fluid supply unit 40 to the front surface of the wafer W are also performed.

次に、ステップＳ１０７における復旧処理の処理手順について図７を参照して説明する。図７は、復旧処理の手順を示すフローチャートである。   Next, the procedure of the recovery process in step S107 will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a flowchart showing the procedure of recovery processing.

図７に示すように、復旧処理において、制御部１８は、まず、復旧用リンス処理を行う（ステップＳ２０１）。復旧用リンス処理において、制御部１８は、駆動部３３を制御して保持部３１を回転させる。その後、制御部１８は、流量調整部７３の開閉弁を所定時間開放する。これにより、リンス液供給源７４から供給されるリンス液が、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面に吐出される。ウェハＷの裏面に吐出されたリンス液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷ上に広がる。これにより、ウェハＷの裏面に残存する薬液がリンス液によって洗い流されて、液残りが解消する。   As shown in FIG. 7, in the recovery process, the control unit 18 first performs a rinse process for recovery (step S201). In the recovery rinse process, the control unit 18 controls the drive unit 33 to rotate the holding unit 31. Thereafter, the control unit 18 opens the on-off valve of the flow rate adjustment unit 73 for a predetermined time. Thereby, the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply source 74 is discharged from the back surface nozzle 41 to the back surface of the wafer W. The rinse solution discharged on the back surface of the wafer W spreads on the wafer W by the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W. Thereby, the chemical solution remaining on the back surface of the wafer W is washed away by the rinse liquid, and the liquid residue is eliminated.

復旧用リンス処理では、ウェハＷのおもて面および裏面のうち裏面にのみリンス液が供給される。このため、復旧用リンス処理においては、ウェハＷのおもて面へのリンス液の回り込みを抑制するために、ウェハＷの回転数を、ステップＳ１０３のリンス処理時における回転数よりも高くしてもよい。たとえば、制御部１８は、復旧用リンス処理において、後段の復旧用乾燥処理時と同一あるいは復旧用乾燥処理時よりも高い回転数でウェハＷを回転させる。具体的には、ウェハＷの回転数は、１０００ｒｐｍ以上であることが望ましい。   In the recovery rinse process, the rinse solution is supplied only to the back surface of the front and back surfaces of the wafer W. Therefore, in the recovery rinse process, the number of rotations of the wafer W is set higher than the number of revolutions at the time of the rinse process in step S103 in order to suppress the rinse liquid from flowing to the front surface of the wafer W. It is also good. For example, in the rinse process for recovery, the control unit 18 rotates the wafer W at a rotation speed that is the same as in the drying process for recovery in the latter stage or higher than in the drying process for recovery. Specifically, the number of revolutions of the wafer W is preferably 1000 rpm or more.

つづいて、制御部１８は、復旧用乾燥処理を行う（ステップＳ２０２）。復旧用乾燥処理において、制御部１８は、流量調整部７５の開閉弁を所定時間開放することにより、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面にＮ２ガスを吐出させる。これにより、裏面ノズル４１から吐出されるＮ２ガスとウェハＷの回転に伴う遠心力とによってウェハＷに残存するリンス液がウェハＷ上から除去されてウェハＷが乾燥する。復旧用乾燥処理を終えると、制御部１８は、復旧処理を終了する。   Subsequently, the control unit 18 performs recovery drying processing (step S202). In the recovery drying process, the control unit 18 discharges the N 2 gas from the back surface nozzle 41 to the back surface of the wafer W by opening the on-off valve of the flow rate adjustment unit 75 for a predetermined time. As a result, the rinse liquid remaining on the wafer W is removed from the wafer W by the N 2 gas discharged from the back surface nozzle 41 and the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W, and the wafer W is dried. When the recovery drying process is finished, the control unit 18 ends the recovery process.

このように、制御部１８は、ウェハＷの裏面に処理液の液残りがあると判定した場合に、裏面ノズル４１からウェハＷの裏面に向けてリンス液を吐出する復旧用リンス処理と、復旧用リンス処理後、保持部３１を制御して、ウェハＷを回転させることによってウェハＷからリンス液を振り切ってウェハＷを乾燥させる復旧用乾燥処理とを行うこととした。   As described above, when the control unit 18 determines that there is a liquid processing residue remaining on the back surface of the wafer W, the recovery rinse treatment for discharging the rinse liquid from the back surface nozzle 41 toward the back surface of the wafer W After the rinsing process, the holding unit 31 is controlled to rotate the wafer W to shake off the rinse solution from the wafer W to perform a recovery drying process for drying the wafer W.

これによりウェハＷの裏面に液残りが発生したとしても、かかる液残りが発生したウェハＷを液残りのない状態にして、処理ユニット１６から搬出することができる。   Thus, even if a liquid residue is generated on the back surface of the wafer W, the wafer W in which the liquid residue is generated can be unloaded from the processing unit 16 with no liquid residue.

制御部１８は、図５に示す赤外線画像から液残りが検出された領域（図５に示すＨ）の面積（以下、「液残り面積」と記載する）を算出し、算出した液残り面積の大きさに応じて、復旧用リンス処理において裏面ノズル４１からウェハＷの裏面に向けてリンス液を吐出する時間を調整してもよい。かかる点について図８を参照して説明する。図８は、復旧用リンス処理の処理時間を調整する処理の説明図である。   The control unit 18 calculates the area (hereinafter referred to as "remaining liquid area") of the region (H shown in FIG. 5) in which the remaining liquid is detected from the infrared image shown in FIG. Depending on the size, the time for discharging the rinse liquid from the back surface nozzle 41 toward the back surface of the wafer W in the recovery rinse process may be adjusted. This point will be described with reference to FIG. FIG. 8 is an explanatory diagram of a process of adjusting the processing time of the recovery rinse process.

ウェハＷの裏面に少量の薬液しか付着していない場合、液残りを除去するのに必要なリンス液の吐出時間は、ウェハＷの裏面に多量の薬液が付着している場合と比べて短くてよい。そこで、図８に示すように、制御部１８は、液残り面積が大きいほど、復旧用リンス処理におけるリンス液の吐出時間を長くし、液残り面積が小さいほど、復旧用リンス処理におけるリンス液の吐出時間を短くしてもよい。このようにすることで、復旧用リンス処理の処理時間の最適化を図ることができる。   When only a small amount of chemical solution adheres to the back surface of the wafer W, the discharge time of the rinse solution required to remove the liquid residue is shorter than when a large amount of chemical solution adheres to the back surface of the wafer W Good. Therefore, as shown in FIG. 8, the control unit 18 lengthens the discharge time of the rinse liquid in the restoration rinse process as the liquid remaining area is larger, and the smaller the liquid remaining area, the smaller the rinse liquid in the restoration rinse process. The discharge time may be shortened. By doing this, it is possible to optimize the processing time of the recovery rinse process.

上述してきたように、本実施形態に係る処理ユニット１６（基板処理装置の一例）は、保持部３１と、裏面ノズル４１（ノズルの一例）と、検知部１００と、制御部１８とを備える。保持部３１は、ウェハＷ（基板の一例）を保持して回転させる。裏面ノズル４１は、ウェハＷの裏面に向けて処理液を吐出する。検知部１００は、対象領域内の物体の温度を測定する。制御部１８は、保持部３１を制御して、ウェハＷを回転させることによってウェハＷから処理液を振り切ってウェハＷを乾燥させる乾燥処理を行った後、検知部１００による検知結果に基づき、ウェハＷの裏面における処理液の液残りの有無を判定する。   As described above, the processing unit 16 (an example of the substrate processing apparatus) according to the present embodiment includes the holding unit 31, the back surface nozzle 41 (an example of the nozzle), the detection unit 100, and the control unit 18. The holding unit 31 holds and rotates the wafer W (an example of a substrate). The back surface nozzle 41 discharges the processing liquid toward the back surface of the wafer W. The detection unit 100 measures the temperature of the object in the target area. The control unit 18 controls the holding unit 31 to rotate the wafer W to shake off the processing solution from the wafer W to perform a drying process to dry the wafer W. Then, based on the detection result by the detection unit 100 It is determined whether there is any remaining solution of the processing solution on the back surface of W.

したがって、本実施形態に係る処理ユニット１６によれば、乾燥処理後におけるウェハＷ裏面への液残りを検出することができる。   Therefore, according to the processing unit 16 according to the present embodiment, it is possible to detect the liquid remaining on the back surface of the wafer W after the drying processing.

〔５．第１の変形例〕
赤外線センサである検知部１００を用い、ウェハＷのおもて面側から対象領域内の処理液を検知することとした場合、ウェハＷの裏面に付着している処理液だけでなく、保持プレート１３１ａや裏面ノズル４１のヘッド部分４２等に付着している処理液も検知してしまう可能性がある。 [5. First Modified Example]
When detecting the processing liquid in the target area from the front surface side of the wafer W using the detection unit 100 which is an infrared sensor, not only the processing liquid adhering to the back surface of the wafer W but also the holding plate The processing liquid adhering to the head portion 42 or the like of the back surface nozzle 41 may also be detected.

そこで、検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷ以外の場所に付着した処理液であるかを判別する処理を行ってもよい。かかる点について図９を参照して説明する。図９は、第１の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。図９に示す一連の処理は、たとえば図６に示すステップＳ１０５において行われる。   Therefore, processing may be performed to determine whether the processing liquid detected by the detection unit 100 is the processing liquid adhering to the back surface of the wafer W or the processing liquid adhering to a place other than the wafer W. This point will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a flowchart showing the procedure of the liquid residue determination process according to the first modification. A series of processes shown in FIG. 9 are performed, for example, in step S105 shown in FIG.

図９に示すように、制御部１８は、検知部１００によって処理液が検知されたか否かを判定する（ステップＳ３０１）。ステップＳ３０１において、処理液が検知されていない場合（ステップＳ３０１，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定する（ステップＳ３０２）。   As shown in FIG. 9, the control unit 18 determines whether the treatment liquid has been detected by the detection unit 100 (step S301). In step S301, when the processing liquid is not detected (No in step S301), the control unit 18 determines that there is no liquid remaining on the back surface of the wafer W (step S302).

一方、ステップＳ３０１において、処理液が検知されたと判定した場合（ステップＳ３０１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、昇降機構６０（図３参照）を制御してリフトピン１３１ｄを上昇させる（ステップＳ３０３）。これにより、基板支持部１４１によりウェハＷが支持された状態が解除され、ウェハＷがリフトピン１３１ｄとともに上昇して図４に示す上方位置に配置された状態となる。   On the other hand, when it is determined in step S301 that the processing liquid is detected (Yes in step S301), the control unit 18 controls the lifting mechanism 60 (see FIG. 3) to lift the lift pin 131d (step S303). As a result, the state where the wafer W is supported by the substrate support portion 141 is released, and the wafer W is lifted together with the lift pins 131 d and is placed at the upper position shown in FIG. 4.

ここで、ステップＳ３０１において検知された処理液がウェハＷの裏面に付着した処理液である場合、ステップＳ３０３においてウェハＷを上昇させることにより、処理液は検知部１００に近づくこととなる。これにより、検知部１００によって検知される処理液の面積（液残り面積）は大きくなる。一方、ステップＳ３０１において検知された処理液がウェハＷ以外の場所（たとえば、裏面ノズル４１のヘッド部分４２）に付着した処理液である場合、ウェハＷを上昇させても液残り面積は変化しない。   Here, when the processing liquid detected in step S301 is the processing liquid adhering to the back surface of the wafer W, the processing liquid approaches the detection unit 100 by raising the wafer W in step S303. Thereby, the area (liquid remaining area) of the processing liquid detected by the detection unit 100 is increased. On the other hand, when the processing liquid detected in step S301 is the processing liquid adhering to a place other than the wafer W (for example, the head portion 42 of the back surface nozzle 41), the remaining liquid area does not change even if the wafer W is lifted.

制御部１８は、ステップＳ３０３においてウェハＷを上昇させる前における液残り面積と、ステップＳ３０３においてウェハＷを上昇させた後における液残り面積とを比較することにより、液残り面積が増加したか否かを判定する（ステップＳ３０４）。そして、制御部１８は、液残り面積が増加したと判定した場合には（ステップＳ３０４，Ｙｅｓ）、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定し（ステップＳ３０５）、処理をステップＳ１０６（図６参照）の報知処理に移行する。一方、液残り面積が増加していない場合（ステップＳ３０４，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定し（ステップＳ３０２）、処理をステップＳ１０８の搬出処理へ移行する。   The control unit 18 compares the remaining liquid area before raising the wafer W in step S303 with the remaining liquid area after raising the wafer W in step S303 to determine whether the remaining liquid area has increased. Is determined (step S304). If the controller 18 determines that the liquid remaining area has increased (Yes at step S304), it determines that there is liquid remaining on the back surface of the wafer W (step S305), and the process proceeds to step S106 (FIG. 6). It shifts to informing processing of reference). On the other hand, when the remaining liquid area has not increased (step S304, No), the control unit 18 determines that there is no remaining liquid on the back surface of the wafer W (step S302), and shifts the processing to the unloading processing of step S108. .

このように、第１の変形例において、制御部１８は、乾燥処理を行った後、リフトピン１３１ｄを用いてウェハＷを持ち上げた場合において検知部１００によって検知される処理液の形状の変化に基づき、ウェハＷの裏面における処理液の液残りの有無を判定することとした。これにより、検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷ以外の場所に付着した処理液であるかを判別することができる。したがって、ウェハＷの裏面への液残りの誤検出を抑制することができる。   As described above, in the first modification, the control unit 18 performs the drying process, and then lifts the wafer W using the lift pins 131 d, based on the change in the shape of the processing liquid detected by the detection unit 100. Then, it was decided to determine the presence or absence of the remaining liquid of the processing liquid on the back surface of the wafer W. Thus, it can be determined whether the processing liquid detected by the detection unit 100 is the processing liquid attached to the back surface of the wafer W or the processing liquid attached to a place other than the wafer W. Therefore, false detection of liquid residue on the back surface of wafer W can be suppressed.

なお、ここでは、ステップＳ３０４において、液残り面積が増加したか否かを判定することにより、ウェハＷの裏面に液残りがあるか否かを判定することとしたが、制御部１８は、たとえば、ステップＳ３０３においてウェハＷを上昇させている間、液残りを検出し続け、液残りが検出された領域が移動した場合に、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定してもよい。   Here, although it is determined in step S304 whether or not there is any remaining liquid on the back surface of wafer W by determining whether or not the remaining liquid area has increased, control unit 18 determines, for example, While the wafer W is being lifted in step S303, the detection of the liquid residue may be continued, and it may be determined that the liquid residue is present on the back surface of the wafer W when the area where the liquid residue is detected moves.

〔６．第２の変形例〕
検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷ以外の場所に付着した処理液であるかは、ウェハＷを回転させることによって判別することも可能である。かかる点について図１０を参照して説明する。図１０は、第２の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。 [6. Second Modified Example]
Whether the treatment liquid detected by the detection unit 100 is the treatment liquid attached to the back surface of the wafer W or the treatment liquid attached to a place other than the wafer W can also be determined by rotating the wafer W It is possible. This point will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a flowchart showing the procedure of the liquid residue determination process according to the second modification.

図１０に示すように、制御部１８は、検知部１００によって処理液が検知されたか否かを判定する（ステップＳ４０１）。ステップＳ４０１において、処理液が検知されていない場合（ステップＳ４０１，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定する（ステップＳ４０２）。   As shown in FIG. 10, the control unit 18 determines whether the treatment liquid has been detected by the detection unit 100 (step S401). In step S401, when the processing liquid is not detected (No in step S401), the control unit 18 determines that there is no liquid remaining on the back surface of the wafer W (step S402).

一方、ステップＳ４０１において、処理液が検知されたと判定した場合（ステップＳ４０１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、駆動部３３を制御してウェハＷをたとえば１回転させる（ステップＳ４０３）。このときのウェハＷの回転数は、少なくとも薬液処理（ステップＳ１０２）およびリンス処理（ステップＳ１０３）におけるウェハＷの回転数よりも低い回転数とする。   On the other hand, when it is determined in step S401 that the processing liquid is detected (Yes in step S401), the control unit 18 controls the driving unit 33 to rotate the wafer W by, for example, one rotation (step S403). The rotation number of the wafer W at this time is set to a rotation number lower than at least the rotation number of the wafer W in the chemical treatment (step S102) and the rinse treatment (step S103).

ステップＳ４０１において検知された処理液がウェハＷの裏面に付着した処理液である場合、ステップＳ４０３においてウェハＷを回転させることにより、ウェハＷの回転に伴って処理液の形状は変化（回転）することとなる。これに対し、ステップＳ４０１において検知された処理液がウェハＷ以外の場所に付着した処理液である場合には、ウェハＷを回転させても、液残りの形状は変化しない。   When the processing liquid detected in step S401 is the processing liquid adhering to the back surface of the wafer W, the shape of the processing liquid changes (rotates) with the rotation of the wafer W by rotating the wafer W in step S403. It will be. On the other hand, when the processing liquid detected in step S401 is the processing liquid adhering to a place other than the wafer W, the shape of the liquid residue does not change even if the wafer W is rotated.

制御部１８は、検知部１００によって検知された液残りの形状がウェハＷの回転によって変化したか否かを判定する（ステップＳ４０４）。そして、制御部１８は、液残りの形状が変化したと判定した場合には（ステップＳ４０４，Ｙｅｓ）、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定し（ステップＳ４０５）、処理をステップＳ１０６（図６参照）の報知処理に移行する。一方、液残りの形状が変化していない場合（ステップＳ４０４，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定し（ステップＳ４０２）、処理をステップＳ１０８の搬出処理へ移行する。   Control unit 18 determines whether or not the shape of the liquid residue detected by detection unit 100 has changed due to the rotation of wafer W (step S404). When the controller 18 determines that the shape of the liquid residue has changed (Yes at step S404), it determines that there is liquid residue on the back surface of the wafer W (step S405), and the process proceeds to step S106 (FIG. 6) in the notification process. On the other hand, when the shape of the liquid residue has not changed (step S404, No), the control unit 18 determines that there is no liquid residue on the back surface of the wafer W (step S402), and shifts the processing to the unloading processing of step S108. Do.

このように、第２の変形例において、制御部１８は、乾燥処理を行った後、保持部３１を制御してウェハＷを回転させた場合において検知部１００によって検知される処理液の形状の変化に基づき、ウェハＷの裏面における処理液の液残りの有無を判定することとした。これにより、第１の変形例と同様、検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷ以外の場所に付着した処理液であるかを判別することができる。   As described above, in the second modification, after the control unit 18 performs the drying process, the shape of the processing liquid detected by the detection unit 100 when the wafer W is rotated by controlling the holding unit 31. Based on the change, it is decided to determine the presence or absence of the remaining liquid of the processing liquid on the back surface of the wafer W. Thus, as in the first modification, it is determined whether the treatment liquid detected by the detection unit 100 is the treatment liquid attached to the back surface of the wafer W or the treatment liquid attached to a place other than the wafer W. can do.

〔７．第３の変形例〕
検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷ以外の場所に付着した処理液であるかは、検知部１００によって検知された処理液の温度の経時変化に基づいて判別することも可能である。かかる点について図１１を参照して説明する。図１１は、第３の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。 [7. Third Modified Example]
Whether the treatment liquid detected by the detection unit 100 is the treatment liquid attached to the back surface of the wafer W or the treatment liquid attached to a location other than the wafer W is the temperature of the treatment liquid detected by the detection unit 100 It is also possible to make a determination based on the change over time of This point will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a flowchart showing the procedure of the liquid residue determination process according to the third modification.

図１１に示すように、制御部１８は、検知部１００によって処理液が検知されたか否かを判定する（ステップＳ５０１）。ステップＳ５０１において、処理液が検知されていない場合（ステップＳ５０１，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定する（ステップＳ５０２）。   As illustrated in FIG. 11, the control unit 18 determines whether the treatment liquid has been detected by the detection unit 100 (step S501). In step S501, when the treatment liquid is not detected (No in step S501), the control unit 18 determines that there is no liquid residue on the back surface of the wafer W (step S502).

一方、ステップＳ５０１において、処理液が検知されたと判定した場合（ステップＳ５０１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、設定時間が経過したか否かを判定し（ステップＳ５０３）、設定時間が経過するまでウェハＷの位置を固定した状態で待機する（ステップＳ５０３，Ｎｏ）。   On the other hand, when it is determined in step S501 that the processing liquid has been detected (Yes in step S501), the control unit 18 determines whether or not the set time has elapsed (step S503). It waits in the state which fixed the position of W (step S503, No).

処理液の液温は時間の経過とともに変化するが、その変化率は、処理液が付着している物体の熱伝導率によって変化する。制御部１８は、検知部１００によって検知された処理液の液温の変化率と、予め記憶された基準変化率との一致度を算出する（ステップＳ５０４）。基準変化率は、ウェハＷの裏面に付着した処理液の液温の変化率であり、実験またはシミュレーション等によって求められる。   The solution temperature of the treatment liquid changes with the passage of time, but the rate of change changes with the thermal conductivity of the object to which the treatment liquid is attached. The control unit 18 calculates the degree of coincidence between the change rate of the liquid temperature of the processing liquid detected by the detection unit 100 and the reference change rate stored in advance (step S504). The reference change rate is a change rate of the liquid temperature of the processing liquid attached to the back surface of the wafer W, and can be obtained by experiment or simulation.

そして、制御部１８は、ステップＳ５０４において算出した一致度が閾値以上であるか否かを判定する（ステップＳ５０５）。ステップＳ５０５において、一致度が閾値以上であると判定した場合（ステップＳ５０５，Ｙｅｓ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定し（ステップＳ５０６）、処理をステップＳ１０６（図６参照）の報知処理に移行する。一方、一致度が閾値未満である場合（ステップＳ５０５，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定し（ステップＳ５０２）、処理をステップＳ１０８の搬出処理へ移行する。   Then, the control unit 18 determines whether the degree of coincidence calculated in step S504 is equal to or more than a threshold (step S505). If it is determined in step S505 that the degree of coincidence is equal to or higher than the threshold (Yes in step S505), the control unit 18 determines that there is liquid remaining on the back surface of the wafer W (step S506), and the process proceeds to step S106 (FIG. 6) in the notification process. On the other hand, if the degree of coincidence is less than the threshold (step S505, No), the control unit 18 determines that there is no liquid remaining on the back surface of the wafer W (step S502), and shifts the process to the unloading process of step S108.

このように、第３の変形例において、制御部１８は、乾燥処理を行った後、ウェハＷの位置を固定した状態において検知部１００によって検知される処理液の形状の経時変化に基づき、ウェハＷの裏面における処理液の液残りの有無を判定することとした。これにより、第１の変形例と同様、検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷ以外の場所に付着した処理液であるかを判別することができる。   As described above, in the third modification, after performing the drying process, the control unit 18 performs a drying process, and then, based on the temporal change in the shape of the processing liquid detected by the detection unit 100 in a state where the position of the wafer W is fixed. It was decided to determine the presence or absence of the remaining treatment liquid on the back surface of W. Thus, as in the first modification, it is determined whether the treatment liquid detected by the detection unit 100 is the treatment liquid attached to the back surface of the wafer W or the treatment liquid attached to a place other than the wafer W. can do.

〔８．第４の変形例〕
仮に、ウェハＷのおもて面に処理液が残存している場合、赤外線センサである検知部１００により、ウェハＷの裏面に付着している処理液だけでなく、ウェハＷのおもて面に付着している処理液も検知される可能性がある。 [8. Fourth Modified Example]
If the processing liquid remains on the front surface of the wafer W, not only the processing liquid adhering to the back surface of the wafer W but also the front surface of the wafer W by the detection unit 100 which is an infrared sensor Processing liquid adhering to the fluid may also be detected.

そこで、検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷのおもて面に付着した処理液であるかを判別する処理を行ってもよい。かかる点について図１２および図１３を参照して説明する。   Therefore, processing may be performed to determine whether the processing liquid detected by the detection unit 100 is the processing liquid adhering to the back surface of the wafer W or the processing liquid adhering to the front surface of the wafer W. . This point will be described with reference to FIGS. 12 and 13.

図１２は、第４の変形例に係る処理ユニットの構成を示す図である。また、図１３は、第４の変形例に係る液残り判定処理の手順を示すフローチャートである。なお、図１２においては、チャンバ２０、保持部３１、処理流体供給部４０、回収カップ５０等を省略して示している。また、図１３に示す一連の処理は、たとえば図６に示すステップＳ１０５において行われる。   FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a processing unit according to a fourth modification. Moreover, FIG. 13 is a flowchart which shows the procedure of the liquid residual determination process which concerns on a 4th modification. In FIG. 12, the chamber 20, the holding unit 31, the processing fluid supply unit 40, the recovery cup 50, and the like are omitted. In addition, a series of processes shown in FIG. 13 are performed, for example, in step S105 shown in FIG.

図１２に示すように、第４の変形例に係る処理ユニット１６Ａは、撮像部１５０をさらに備える。撮像部１５０は、たとえばＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラである。撮像部１５０は、チャンバ２０内において、保持部３１に保持されたウェハＷよりも上方に配置される。また、撮像部１５０は、検知部１００における対象領域すなわちウェハＷの中心を含む領域を対象領域とする。撮像部１５０は、対象領域内に存在する処理液を撮像し、撮像結果である撮像画像を制御部１８へ出力する。   As shown in FIG. 12, the processing unit 16A according to the fourth modification further includes an imaging unit 150. The imaging unit 150 is, for example, a CCD (Charge Coupled Device) camera. The imaging unit 150 is disposed above the wafer W held by the holding unit 31 in the chamber 20. Further, the imaging unit 150 sets a target region in the detection unit 100, that is, a region including the center of the wafer W as a target region. The imaging unit 150 captures an image of the processing liquid present in the target area, and outputs a captured image, which is an imaging result, to the control unit 18.

図１３に示すように、制御部１８は、まず、検知部１００によって処理液が検知されたか否かを判定する（ステップＳ６０１）。ステップＳ６０１において、処理液が検知されていない場合（ステップＳ６０１，Ｎｏ）、制御部１８は、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定する（ステップＳ６０２）。   As shown in FIG. 13, first, the control unit 18 determines whether the treatment liquid has been detected by the detection unit 100 (step S601). In step S601, when the processing liquid is not detected (No in step S601), the control unit 18 determines that there is no liquid residue on the back surface of the wafer W (step S602).

一方、ステップＳ６０１において、検知部１００によって処理液が検知されたと判定した場合（ステップＳ６０１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、撮像部１５０によって処理液が撮像されていないか否かを判定する（ステップＳ６０３）。   On the other hand, when it is determined in step S601 that the processing liquid is detected by the detection unit 100 (Yes in step S601), the control unit 18 determines whether the processing liquid is not imaged by the imaging unit 150 (step S601) S603).

ここで、検知部１００は、ウェハＷのおもて面に付着した処理液および裏面に付着した処理液の両方を検知することができるのに対し、撮像部１５０は、ウェハＷのおもて面に付着した処理液しか検知することができない。したがって、検知部１００によって処理液が検知され、且つ、撮像部１５０によって処理液が撮像されていない場合、検知部１００によって検知された処理液は、ウェハＷのおもて面に付着した処理液でないことがわかる。   Here, the detection unit 100 can detect both the treatment liquid attached to the front surface of the wafer W and the treatment liquid attached to the rear surface, while the imaging unit 150 detects the front surface of the wafer W. Only the processing liquid adhering to the surface can be detected. Therefore, when the treatment liquid is detected by the detection unit 100 and the treatment liquid is not imaged by the imaging unit 150, the treatment liquid detected by the detection unit 100 is the treatment liquid attached to the front surface of the wafer W I understand that it is not.

制御部１８は、ステップＳ６０３において、撮像部１５０によって処理液が撮像されていないと判定した場合（ステップＳ６０３，Ｙｅｓ）、ウェハＷの裏面に液残りがあると判定し（ステップＳ６０４）、処理をステップＳ１０６（図６参照）の報知処理に移行する。一方、撮像部１５０によって処理液が撮像されたと判定した場合（ステップＳ６０３，Ｎｏ）、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定し（ステップＳ６０２）、処理をステップＳ１０８の搬出処理へ移行する。   When the control unit 18 determines that the processing liquid is not imaged by the imaging unit 150 in step S603 (Yes in step S603), it determines that there is a liquid residue on the back surface of the wafer W (step S604). It transfers to the alerting | reporting process of step S106 (refer FIG. 6). On the other hand, when it is determined that the processing liquid has been imaged by the imaging unit 150 (step S603, No), it is determined that there is no liquid residue on the back surface of the wafer W (step S602), and the process proceeds to the unloading process of step S108.

このように、第４の変形例において、制御部１８は、検知部１００による検知結果と撮像部１５０による撮像結果とに基づき、ウェハＷの裏面における処理液の液残りの有無を判定することとした。これにより、検知部１００によって検知された処理液が、ウェハＷの裏面に付着した処理液であるか、ウェハＷのおもて面に付着した処理液であるかを判別することができる。   As described above, in the fourth modification, the control unit 18 determines the presence or absence of the remaining liquid of the processing liquid on the back surface of the wafer W based on the detection result by the detection unit 100 and the imaging result by the imaging unit 150. did. Thereby, it can be determined whether the processing liquid detected by the detection unit 100 is the processing liquid attached to the back surface of the wafer W or the processing liquid attached to the front surface of the wafer W.

なお、ここでは、ステップＳ６０３において、撮像部１５０によって処理液が撮像されたと判定した場合に（ステップＳ６０３，Ｎｏ）、ウェハＷの裏面に液残りがないと判定することとした（ステップＳ６０２）。しかし、実際には、ウェハＷのおもて面および裏面の両方に液残りが発生していることも想定される。そこで、制御部１８は、ステップＳ６０４において、ステップＳ１０６（図６参照）と同様の報知処理を行ってもよい。これにより、たとえば、作業者が目視によりウェハＷのおもて面および裏面を確認することで、ウェハＷが次工程に搬送される前に、ウェハＷの裏面に液残りがあるか否かを判断することができる。   Here, when it is determined in step S603 that the processing liquid has been imaged by the imaging unit 150 (No in step S603), it is determined that there is no liquid residue on the back surface of the wafer W (step S602). However, in reality, it is also assumed that liquid remains on both the front and back surfaces of the wafer W. Therefore, in step S604, the control unit 18 may perform the same notification process as step S106 (see FIG. 6). Thus, for example, the operator visually checks the front and back surfaces of wafer W to determine whether or not there is a liquid residue on the back surface of wafer W before wafer W is transported to the next process. It can be judged.

〔９．その他の変形例〕
上述した実施形態では、検知部１００として赤外線センサを例に挙げて説明したが、検知部１００は、シリコンウェハであるウェハＷを透過する波長の電磁波を受光することによってウェハＷの裏面に付着した処理液を検知するものであればよく、必ずしも赤外線センサであることを要しない。 [9. Other Modifications]
In the embodiment described above, an infrared sensor is described as an example of the detection unit 100, but the detection unit 100 is attached to the back surface of the wafer W by receiving an electromagnetic wave of a wavelength transmitting the wafer W which is a silicon wafer. What is necessary is just to detect the processing liquid, and it is not necessary to be necessarily an infrared sensor.

また、上述した実施形態では、検知部１００をウェハＷの上方に配置する場合の例について説明したが、検知部１００は、ウェハＷの下方に配置されてもよい。この場合、検知部１００としてＣＣＤカメラ等の撮像部を用いることも可能である。   In the embodiment described above, an example in which the detection unit 100 is disposed above the wafer W has been described, but the detection unit 100 may be disposed below the wafer W. In this case, it is also possible to use an imaging unit such as a CCD camera as the detection unit 100.

また、上述した実施形態では、検知部１００が、ウェハＷの面内における一部の領域を対象領域とする場合の例について説明したが、検知部１００は、ウェハＷの全面を対象領域としてもよい。また、上述した実施形態では、ウェハＷの中心を含む対象領域内の処理液を検知する場合の例について説明したが、対象領域は、必ずしもウェハＷの中心を含んでいなくてもよい。たとえば、検知部１００は、ウェハＷの外周部を含む領域を対象領域としてもよい。   In the embodiment described above, an example in which the detection unit 100 sets a partial region in the plane of the wafer W as a target region has been described, but the detection unit 100 may also set the entire surface of the wafer W as a target region. Good. Further, in the embodiment described above, an example in which the processing liquid in the target area including the center of the wafer W is detected has been described, but the target area may not necessarily include the center of the wafer W. For example, the detection unit 100 may set an area including the outer peripheral portion of the wafer W as a target area.

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。   Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Thus, the broader aspects of the invention are not limited to the specific details and representative embodiments represented and described above. Accordingly, various modifications may be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
１６ 処理ユニット
１８ 制御部
３０ 基板保持機構
４０ａ 液供給路
４０ｂ 気体供給路
４１ 裏面ノズル
４２ ヘッド部分
１００ 検知部
１３１ｄ リフトピン W wafer 1 substrate processing system 16 processing unit 18 control unit 30 substrate holding mechanism 40 a liquid supply passage 40 b gas supply passage 41 back side nozzle 42 head portion 100 detection unit 131 d lift pin

Claims (12)

基板を保持して回転させる保持部と、
前記基板の裏面に向けて処理液を吐出するノズルと、
対象領域内の物体の温度を測定する検知部と、
前記保持部を制御して、前記基板を回転させることによって該基板から前記処理液を振り切って該基板を乾燥させる乾燥処理を行った後、前記検知部による検知結果に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する制御部と
を備える、基板処理装置。 A holding unit that holds and rotates the substrate;
A nozzle for discharging a processing liquid toward the back surface of the substrate;
A detection unit that measures the temperature of the object in the target area;
The holding unit is controlled, and the substrate is rotated to shake off the treatment liquid from the substrate to dry the substrate, and then the drying process is performed. Then, based on the detection result by the detection unit, A control unit that determines the presence or absence of a remaining liquid of the processing liquid. 前記検知部は、
前記基板よりも上方に配置され、前記基板を透過する波長の電磁波を受光することによって前記基板の裏面に付着した前記処理液を検知する、請求項１に記載の基板処理装置。 The detection unit is
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is disposed above the substrate and detects the processing liquid attached to the back surface of the substrate by receiving an electromagnetic wave of a wavelength that transmits the substrate. 前記検知部は、
赤外線センサである、請求項２に記載の基板処理装置。 The detection unit is
The substrate processing apparatus according to claim 2, which is an infrared sensor. 前記検知部は、
前記基板の中心を含む前記対象領域内の前記処理液を検知する、請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The detection unit is
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the processing liquid in the target area including the center of the substrate is detected. 前記基板を持ち上げるリフトピン
をさらに備え、
前記制御部は、
前記乾燥処理を行った後、前記リフトピンを用いて前記基板を持ち上げた場合において前記検知部によって検知される前記処理液の形状の変化に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する、請求項２〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。 And a lift pin for lifting the substrate.
The control unit
After the drying process, based on the change in the shape of the processing liquid detected by the detection unit when the substrate is lifted using the lift pin, the presence or absence of the processing liquid remaining on the back surface of the substrate The substrate processing apparatus according to any one of claims 2 to 4, wherein 前記制御部は、
前記乾燥処理を行った後、前記保持部を制御して前記基板を回転させた場合において前記検知部によって検知される前記処理液の形状の変化に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する、請求項２〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The control unit
After performing the drying process, when the holding unit is controlled to rotate the substrate, the processing solution liquid on the back surface of the substrate is detected based on the change in the shape of the processing solution detected by the detection unit. The substrate processing apparatus according to any one of claims 2 to 4, wherein the presence or absence of the remainder is determined. 前記制御部は、
前記乾燥処理を行った後、前記基板の位置を固定した状態において前記検知部によって検知される前記処理液の形状の経時変化に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する、請求項２〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The control unit
After performing the drying process, in the state where the position of the substrate is fixed, based on the temporal change of the shape of the processing solution detected by the detection unit, the presence or absence of the remaining solution of the processing solution on the back surface of the substrate is determined. The substrate processing apparatus as described in any one of Claims 2-4. 前記基板よりも上方に配置され、前記基板のおもて面を撮像する撮像部
をさらに備え、
前記制御部は、
前記検知部による検知結果と前記撮像部による撮像結果とに基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する、請求項２〜７のいずれか一つに記載の基板処理装置。 And an imaging unit disposed above the substrate and imaging the front surface of the substrate.
The control unit
The substrate processing apparatus according to any one of claims 2 to 7, wherein presence or absence of a liquid remaining of the processing liquid on the back surface of the substrate is determined based on a detection result by the detection unit and an imaging result by the imaging unit. . 前記制御部は、
前記基板の裏面に前記処理液の液残りがあると判定した場合に、前記ノズルから前記基板の裏面に向けてリンス液を吐出する復旧用リンス処理と、前記復旧用リンス処理後、前記保持部を制御して、前記基板を回転させることによって該基板から前記リンス液を振り切って該基板を乾燥させる復旧用乾燥処理とを行う、請求項１〜８のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The control unit
When it is determined that there is a liquid residue of the processing liquid on the back surface of the substrate, a recovery rinse treatment for discharging a rinse liquid from the nozzle toward the back surface of the substrate, and the recovery rinse treatment, the holding unit The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein a recovery drying process is performed to control the substrate to rotate the substrate to shake off the rinse liquid from the substrate to dry the substrate. . 前記制御部は、
前記検知部によって検知された前記処理液のサイズに応じて、前記復旧用リンス処理において前記ノズルから前記基板の裏面に向けて前記リンス液を吐出する時間を調整する、請求項９に記載の基板処理装置。 The control unit
10. The substrate according to claim 9, wherein the time for discharging the rinse liquid from the nozzle to the back surface of the substrate in the rinse treatment for recovery is adjusted according to the size of the processing liquid detected by the detection unit. Processing unit. 基板の裏面に向けて処理液を吐出する吐出工程と、
前記吐出工程後、前記基板を回転させることによって該基板から前記処理液を振り切って該基板を乾燥させる乾燥工程と、
前記乾燥工程後、対象領域内の物体の温度を測定する検知部による検知結果に基づき、前記基板の裏面における前記処理液の液残りの有無を判定する判定工程と
を含む、基板処理方法。 A discharge step of discharging the processing liquid toward the back surface of the substrate;
After the discharging step, a drying step of shaking off the processing liquid from the substrate by rotating the substrate to dry the substrate;
A determining step of determining presence or absence of a remaining liquid of the processing liquid on the back surface of the substrate based on a detection result by a detection unit which measures a temperature of an object in a target area after the drying step. コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項１１に記載の基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させる、記憶媒体。 A computer readable storage medium that stores a program that runs on a computer and controls a substrate processing apparatus, comprising:
A storage medium which, when executed, causes a computer to control the substrate processing apparatus such that the substrate processing method according to claim 11 is performed.
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