JP2019125551A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】封止層を保護しつつ、信頼性の高い表示装置を提供する。【解決手段】複数の画素が配置され、有機絶縁層と、第１無機絶縁層と、第２無機絶縁層と、を含む第１領域と、それぞれ第１領域から連続する有機絶縁層と、第１無機絶縁層と、第２無機絶縁層と、を含む第２領域と、を有し、第２領域は、有機絶縁層に設けられた第１溝部と、第２無機絶縁層の上面と接して配置される保護膜と、をさらに含み、第１無機絶縁層及び第２無機絶縁層は、第１溝部の側面、上端部及び底面と、を覆い、保護膜は、第２領域が含む有機絶縁層の上面の少なくとも一部と、第１溝部の上端部と、第１溝部の側面の少なくとも一部と重畳し、第１溝部の底面の幅に対する前記第１溝部の高さの比が１以下である表示装置。【選択図】図２

Description

本発明の一実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

電気器具及び電子機器に用いられる表示装置として、液晶の電気光学効果を利用した液晶表示素子を用いた表示装置または有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を表示素子として用いた表示装置が開発、商品化されている。また、表示素子上にタッチセンサを搭載させた表示装置である、タッチパネルが近年急速に普及している。タッチパネルは、スマートフォンなどの携帯情報端末において必要不可欠なものとなっており、情報化社会のさらなる進歩に向けて世界的に開発が進んでいる。

表示素子として有機ＥＬ素子を用いた場合、高画質の画像が表示される一方で、有機ＥＬ層が水分によって劣化してしまうことが知られている。劣化した有機ＥＬ層を用いて表示素子を駆動させると、輝度の低下や表示不良が起こる恐れがある。このため、有機ＥＬ層に水分が混入しないように封止層が設けられている。

また、有機ＥＬ表示装置では、各画像を区切るために段差（リブと呼ぶ場合がある）が設けられる。この段差は、表示領域よりも表示領域の外側の領域において高低差が大きくなる場合がある。段差の高低差が大きい場所では、表示装置の製造過程で封止層上に形成されるレジストの膜厚が薄くなる場合がある。また、タッチパネルを表示領域上に形成する場合、封止層の上で配線層を設ける場合がある。上記のようにレジストの膜厚が薄くなると、封止層をエッチングしてしまう場合がある。結果として、封止層が水分を遮断する機能が低下してしまうおそれがある。一方、特許文献１には、半導体装置の製造方法として、ポリシリコン層をＲＩＥプロセスによりエッチングすることで生成された、シリコンを含む副生成物をレジストマスクの上面及び側面に堆積させ、レジストマスクの変形を防ぐことが開示されている。

特開２００５−１１６７５３号公報

本発明は、封止層を保護しつつ、信頼性の高い表示装置を提供することを目的の一つとする。

本発明の一実施形態は、複数の画素が配置され、有機絶縁層と、第１無機絶縁層と、第２無機絶縁層と、を含む第１領域と、それぞれ前記第１領域から連続する前記有機絶縁層と、前記第１無機絶縁層と、前記第２無機絶縁層と、を含む第２領域と、を有し、前記第２領域は、前記有機絶縁層に設けられた第１溝部と、前記第２無機絶縁層の上面と接して配置される保護膜と、をさらに含み、前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、前記第１溝部の側面、上端部及び底面と、を覆い、前記保護膜は、前記第２領域が含む前記有機絶縁層の上面の少なくとも一部と、前記第１溝部の上端部と、前記第１溝部の側面の少なくとも一部と重畳し、前記第１溝部の底面の幅に対する前記第１溝部の高さの比が１以下である表示装置である。

本発明の一実施形態は、表示領域の外側に第１溝部を有するように有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層の上面並びに前記第１溝部の側面、上端部及び底面を覆うように第１無機絶縁層を形成し、前記第１無機絶縁層上に第２無機絶縁層を形成し、前記第２無機絶縁層上に前記有機絶縁層の上面の少なくとも一部と、前記第１溝部の上端部と、前記第１溝部の側面の少なくとも一部と重畳するように保護膜を形成することを含み、前記第１溝部の底面の幅に対する前記第１溝部の高さの比が１以下である表示装置の製造方法である。

本発明の一実施形態に係る表示装置を示す上面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る周縁部を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る周縁部を示す断面図である。 従来の周縁部を示す断面図である。

以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂなどを付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りのない限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の実施形態に係る、表示装置１０を示す。図１は、表示装置１０の上面図を示す。

（１−１．表示装置の構成）
図１において、表示装置１０は、基板１００上に設けられた表示領域１０３、周縁部１０４、駆動回路１０５、駆動回路１０６、駆動回路１０７、フレキシブルプリント基板１０８及びタッチセンサ１０９を有する。駆動回路１０５は、ゲートドライバとしての機能を有する。駆動回路１０６は、ソースドライバとしての機能を有する。駆動回路１０７は、タッチセンサを制御する機能を有する。表示領域１０３には、画素１０１が格子状に離間して複数配置される。画素１０１は、画像の構成要素として機能する。走査線１４５ｃは、駆動回路１０５と接続される。信号線１４７ｂは、駆動回路１０６と接続される。画素１０１は、走査線１４５ｃ及び信号線１４７ｂと接続される。タッチセンサは、第１センサ電極１７１及び第２センサ電極１７３を有する。第１センサ電極１７１及び第２センサ電極１７３は、駆動回路１０７と接続される。

表示装置１０において、フレキシブルプリント基板１０８を介して映像信号が駆動回路
１０６に入力される。次に、駆動回路１０５及び駆動回路１０６が、画素１０１内の表示素子１３０を走査線１４５ｃ及び信号線１４７ｂを介して駆動させる。その結果、表示領域１０３において静止画及び動画が表示される。なお、表示領域１０３は、第１領域と呼ばれる場合がある。

また、タッチセンサ１０９において、第１センサ電極１７１は送信電極として機能する。第２センサ電極１７３は、受信電極として機能する。タッチセンサ１０９において、第１センサ電極１７１と第２センサ電極１７３との間の容量は、人がタッチセンサ１０９に指を近づけたときに変化する。タッチセンサ１０９は、この容量変化を利用して位置情報を検出する。

（１−２．表示装置の各層の構成）
表示装置１０の各構成の詳細について以下に示す。図２は、画素１０１（Ａ１−Ａ２間）、表示領域１０３の周囲に位置し、画素１０１が配置されない領域である周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２間）、導電層１４８を含む領域である端子部（Ｃ１−Ｃ２間）の断面図である。

基板１００及び基板２００には、ガラス基板又は有機樹脂基板が用いられる。有機樹脂基板としては、例えば、ポリイミド基板が用いられる。有機樹脂基板は、板厚を数マイクロメートルから数十マイクロメートルにすることができ、可撓性を有するシートディスプレイを実現することが可能となる。基板１００及び基板２００は、後述する表示素子１３０からの出射光を外に取り出すために、透明性が求められる。表示素子１３０からの出射光を取り出さない側にある基板は、透明である必要は無いため、前述の材料に加えて、金属基板の表面に絶縁層を形成したものを用いてもよい。なお、基板１００及び基板２００の第２面（断面を見た際の、基板外側の面）にカバーガラス、保護フィルムなどを設けてもよい。これにより、表示装置をキズなどから防ぐことができる。基板２００は、表示素子１３０を保護する役割を持っているが、封止層１６１で十分に保護できるのであれば不要である。

絶縁層１４１は、基板１００上に設けられ、下地膜としての機能を有する。これにより、基板１００から半導体層１４２への不純物、代表的にはアルカリ金属、水、水素等の拡散を抑制することができる。

トランジスタ１１０は、半導体層１４２、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａ、ソース電極１４７ａ及びドレイン電極１４７ｃを有する。トランジスタ１１０は、トップゲート・トップコンタクト構造を有しているが、これに限定されず、ボトムゲート構造としてもよいし、ボトムコンタクト構造としてもよい。

半導体層１４２は、画素１０１（Ａ１−Ａ２間）において、絶縁層１４１上に設けられる。半導体層１４２には、シリコン、酸化物半導体または有機物半導体などが用いられる。

ゲート絶縁層１４３は、絶縁層１４１及び半導体層１４２上に設けられる。ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン或いはその他高誘電率の無機材料が用いられる。

ゲート電極１４５ａは、ゲート絶縁層１４３上に設けられる。ゲート電極１４５ａは、走査線１４５ｃと適宜接続される。なお、ゲート電極１４５ａと容量電極１４５ｂは、同じくゲート絶縁層１４３上に設けられる。ゲート電極１４５ａ及び容量電極１４５ｂは、共にタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた導電材料で形成される。ゲート電極１４５ａと容量電極１４５ｂとは、前述の導電材料の単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。

絶縁層１４９は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられ、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａ及び容量電極１４５ｂ上に設けられる。なお、絶縁層１４９は、単層としてもよいし、上記材料の積層構造としてもよい。

ソース電極１４７ａ及びドレイン電極１４７ｃは、絶縁層１４９上に設けられる。ソース電極１４７ａ及びドレイン電極１４７ｃは、信号線１４７ｂと適宜接続される。ソース電極１４７ａ及びドレイン電極１４７ｃには、ゲート電極１４５ａの材料例として挙げたものと同様の材料が用いられる。ゲート電極１４５ａと同じ材料を用いても良いし、異なる材料を用いても良い。

容量素子１２０には、ゲート絶縁層１４３を誘電体として半導体層１４２のソースまたはドレイン領域及び容量電極１４５ｂが用いられる。

平坦化層１５０は、トランジスタ１１０などにより形成された段差を平坦化する機能を有し、絶縁層１４９、ソース電極１４７ａ及びドレイン電極１４７ｃ上に設けられる。平坦化層１５０は、有機樹脂を含む。この例では、平坦化層１５０には、アクリル樹脂が用いられる。なお、平坦化層１５０には、アクリル樹脂に限定されずに、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などが用いられてもよい。また、平坦化層１５０には、有機樹脂と無機材料との積層が用いられてもよい。

容量素子１２１には、絶縁層１５４を誘電体として、導電層１５３及び画素電極１５５が用いられる。

導電層１５３は、平坦化層１５０上に設けられる。導電層１５３は、ゲート電極１４５ａと同じ材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよい。

絶縁層１５４は、平坦化層１５０及び導電層１５３上に設けられる。絶縁層１５４の材料には、窒化シリコンなどの無機材料が用いられる。なお、絶縁層１５４の材料には、ゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられてもよい。

画素電極１５５は、表示素子１３０の陽極としての機能を有する。さらに画素電極１５５は、光を反射させる性質を有することが好ましい。前者の機能として好ましいのは酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の酸化物導電材料であり、後者の機能として好ましいのはアルミニウムや銀といった表面反射性の高い導電材料が挙げられる。これらの機能を両立するため、画素電極１５５の構造には、前述の材料の積層、具体的にはアルミニウムや銀といった表面反射性の高い導電層上に、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の酸化物導電層を積層するといった構造が採用される。

表示素子１３０には、画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９及び対向電極１６０が用いられる。つまり、表示素子１３０は、有機ＥＬ素子であるということができる。表示素子１３０は、有機ＥＬ層１５９で発光した光を対向電極１６０側に放射する、いわゆるトップエミッション型の構造を有する。なお、表示素子１３０は、トップエミッション型に限定されず、ボトムエミッション型の構造としてもよい。

有機ＥＬ層１５９は、画素電極１５５上に設けられる。有機ＥＬ層１５９は、有機エレクトロルミネセンス材料などの発光材料を有する。

対向電極１６０は、表示素子１３０の陰極としての機能を有する。対向電極１６０は、複数の画素電極１５５にわたって、画素電極１５５を連続的に覆うように設けられている。対向電極１６０には有機ＥＬ層１５９で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有する材料が用いられ、例えば、１０ｎｍ以下の膜厚のマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）合金が用いられる。

対向電極１６０には透光性が求められるのと同時に、画素電極１５５の反射面との間でマイクロキャビティを形成するための反射性が求められる。このため、対向電極１６０は、半透過膜として形成される。具体的には、銀、マグネシウム、又はそれらの合金でなる層を、光が透過する程度の膜厚で形成される。

リブ１５７は、表示領域１０３におけるそれぞれの画素１０１を区切るために、表示素子１３０の一部である画素電極１５５の周縁部を覆う。リブ１５７は、有機絶縁材料（有機樹脂材料）を含み、有機絶縁層ということもできる。例えば、リブ１５７には、ポリイミド樹脂が用いられる。また、表示画像のコントラスト比を高めるために、リブ１５７には黒色顔料を含む有機樹脂材料が用いられてもよい。

また、図２に示すように、リブ１５７は、周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２間）において、基板１００、絶縁層１４１、ゲート絶縁層１４３、絶縁層１４９、平坦化層１５０及び絶縁層１５４上に設けられる。リブ１５７は、絶縁層１５４とともに、平坦化層１５０の上面及び側面を覆う。周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２間）におけるリブの構造などの詳細については後述する。

封止層１６１は、表示装置１０の外部から表示素子１３０への水分の混入を防止する機能を有する。画素１０１（Ａ１−Ａ２間）を含む表示領域１０３において封止層１６１は、第１無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４及び第２無機絶縁層１６６がこの順で積層されている。一方で、周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２間）では、第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６が積層されている。また、第１無機絶縁層１６２は、無機材料を含む絶縁層１５４と接触する。このように、周縁部１０４において、絶縁層１５４と第１無機絶縁層１６２と第２無機絶縁層１６６が積層され、水分遮断構造１６７を形成する。第１無機絶縁層１６２と第２無機絶縁層１６６の詳細については後述する。

有機絶縁層１６４は、第１無機絶縁層１６２の製造時に混入する異物などを覆うことで、第２無機絶縁層１６６が有機絶縁層１６４上に平坦に積層できるようにする。第２無機絶縁層１６６が有機絶縁層１６４上に平坦に積層することで、第２無機絶縁層１６６は有機絶縁層１６４を良好に被覆することができる。有機絶縁層１６４の膜厚は限定されないが、好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下である。有機絶縁層１６４には、平坦化層１５０と同様の材料が用いられてもよい。

タッチセンサ１０９は、第１センサ電極１７１、絶縁層１７２及び第２センサ電極１７３を含む。第１センサ電極１７１及び第２センサ電極１７３の材料としては、透光性を有する材料が用いられてもよい。具体的には、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が用いられる。他には、ＴＡＴ（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）などを用いることもできるが、これらに限られるものではない。

接着層１９５には、無機材料、有機材料、または有機材料と無機材料の複合材料が用いられる。例えば、接着層１９５にはアクリル樹脂が用いられる。

端子部（Ｃ１−Ｃ２間）においては、絶縁層１４９上に導電層１４８が積層され、導電層１４８は異方性導電膜１８１を介してフレキシブルプリント基板１０８と接続される。導電層１４８はソース電極１４７ａ及びドレイン電極１４７ｃと同じ材料で形成されてもよい。

（１−３．周縁部の構成）
表示領域１０３の外側には、画素１０１が配置されない領域である周縁部１０４がある。周縁部１０４（図１のＢ１−Ｂ２間）の詳細について、図３を用いて説明する。

図３は、周縁部１０４の断面図である。なお、周縁部１０４は、第２領域と呼ばれる場合がある。リブ１５７、第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６は、表示領域１０３にも配置されており、表示領域１０３から周縁部１０４まで連続している。

リブ１５７は、周縁部１０４において、第１溝部１５８−１を有する。このとき、周縁部１０４には、リブ１５７の上面１５７Ａ、底面１５７Ｅの他、第1溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂ、側面１５８−１Ｃ、下端部１５８−１Ｄ及び底面１５８−１Ｆが設けられる。

第１溝部１５８−１において、第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗに対する第１溝部１５８−１の高さ１５８−１Ｈの比（以下「アスペクト比」ということがある。）は、１以下とする。例えば、アスペクト比を１とした場合、第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗが１０μｍであれば、第１溝部１５８−１の高さ１５８−１Ｈは１０μｍである。また、アスペクト比を０．５とした場合、第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗが１０μｍであれば、第１溝部１５８−１の高さ１５８−１Ｈは５μｍである。

また、リブ１５７はさらに第２溝部１５８−２を有することができる。このとき、周縁部１０４には、第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂ、側面１５８−２Ｃ、下端部１５８−２Ｄ及び底面１５８−２Ｆが設けられる。なお、第２溝部１５８−２の底面１５８−２Ｆの幅は、第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗと等しくてもいいし、異なっていてもよい。また、第２溝部１５８−２の高さは、第１溝部１５８−１の高さ１５８−１Ｈと等しくてもよいし、異なっていてもよい。

リブ１５７がさらに第２溝部１５８−２を有する場合、第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂと第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂの間の距離１５８Ｌに対する第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗの比が２以下であると、後述するように保護膜１６５をドライエッチングにより形成する際に、第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂと第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂの間に位置するリブ１５７の上面Ａに重畳する位置に保護膜１６５が形成されやすく、プロセス設計の幅が広い。これは、この条件を満たすとき、第２無機絶縁層１６６のうち、第１溝部１５８−１の側面１５８−１Ｃ及び底面１５８−１Ｆを覆うように配置される部分のドライエッチングにより形成される成分と、第２溝部１５８−２の側面１５８−２Ｃ及び底面１５８−２Ｆを覆うように配置される部分のドライエッチングにより形成される成分が、いずれもリブ１５７の当該上面Ａに重畳する位置に堆積しやすいからである。また、「第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂと第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂの間の距離１５８Ｌに対する第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗの比が２以下である」とは、例えば、距離１５８Ｌに対する第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗの比が２である場合、距離１５８Ｌが１０μｍであれば、第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗは２０μｍであることをいう。

第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂと第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂの間の距離１５８Ｌは１０μｍ以下であってもよい。後述するように、第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂと第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂの間の距離１５８Ｌが１０μｍ以下であると、リブ１５７の上面１５７Ａのうち、第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂと第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂの間に位置する部分の上に保護膜１６５が形成されやすい。

また、第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗは５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗが３０μｍより大きいと、リブ１５７の上面１５７Ａに、保護膜１６５が形成される効率が低下する。これは、第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗが３０μｍより大きいと、第２無機絶縁層１６６のうち、第１溝部１５８−１の側面１５８−１Ｃ及び底面１５８−１Ｆを覆うように配置される部分のドライエッチングにより形成される成分がリブ１５７の上面１５７Ａに堆積する効率が低下するからである。

第１無機絶縁層１６２は、リブ１５７の上面１５７Ａ並びに第１溝部１５８−１の側面１５８−１Ｃ、上端部１５８−１Ｂ及び底面１５８−１Ｆを覆うように配置される。リブ１５７がさらに第２溝部１５８−２を有する場合、第１無機絶縁層１６２は、第２溝部１５８−２の側面１５８−２Ｃ、上端部１５８−２Ｂ及び底面１５８−２Ｆを覆うように配置されてもよい。また、第２無機絶縁層１６６は第１無機絶縁層１６２上に設けられる。そして、第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆと、第２溝部１５８−２の底面１５８−２Ｆにおいて、第１無機絶縁層１６２は絶縁層１５４と接触し、絶縁層１５４と第１無機絶縁層１６２と第２無機絶縁層１６６が積層された構造である水分遮断構造１６７を形成する。

第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６には、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの無機絶縁材料が用いられる。この例では、第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６には窒化シリコン膜が用いられる。窒化シリコン膜は、緻密であり、水分を遮断するうえで好適である。第１無機絶縁層１６２の膜厚は限定されないが、好ましくは５０ｎｍ以上２μｍ以下である。

保護膜１６５は、第２無機絶縁層１６６の上面１６６Ａと接して設けられる。保護膜１６５は、周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２間）におけるリブ１５７の上面１５７Ａ、第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂ及び側面１５８−１Ｃの少なくとも一部と重畳する。保護膜１６５は、第１溝部１５８−１の側面１５８−１Ｃの全体と重畳してもよい。保護膜１６５は、窒化ホウ素、フッ素添加シリコン酸化物（ＳｉＯＦ_ｘ）などの無機材料を含む。この例では、保護膜１６５は、主成分として、窒化ホウ素を含む。保護膜１６５は後述するように、レジスト１６８よりも硬い膜であることが好ましく、また、窒化ホウ素は硬い膜を形成するため、保護膜１６５が窒化ホウ素を主成分として含むことは好ましい。保護膜１６５は、後述するように、ドライエッチングにより形成される。より詳細には、保護膜１６５は、第２無機絶縁層１６６に含まれる成分または第２無機絶縁層１６６のエッチングガスに含まれる成分を含んで形成される。保護膜１６５は、第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗに対する第１溝部１５８−１の高さ１５８−１Ｈの比であるアスペクト比が１以下である場合に、第２無機絶縁層１６６に対するドライエッチングにより形成されることができる。保護膜１６５の膜厚は、限定されないが、１００ｎｍ以下とすることができる。

（１−４．表示装置の製造方法）
以下、表示装置１０の製造方法について、図４から図１４を用いて説明する。

（１−４−１．トランジスタの形成）
まず、図４に示すように、基板１００の第１面（断面方向から見た場合の上面）に、絶縁層１４１、半導体層１４２及びゲート絶縁層１４３を形成後、ゲート絶縁層１４３上にゲート電極１４５ａを形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法またはエッチング法などを用いて、所定の形状に加工される。

基板１００には、ガラス基板又は有機樹脂基板が用いられる。基板１００として有機樹脂基板を用いる場合、例えば、ポリイミド基板が用いられる。

絶縁層１４１は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン等の材料を用いて形成される。絶縁層１４１は、単層であっても、積層であってもよい。絶縁層１４１は、ＣＶＤ法、スピンコーティング法または印刷法などにより形成される。

半導体層１４２としてシリコン材料を用いる場合、例えばアモルファスシリコン、多結晶シリコンなどが用いられる。また、半導体層１４２として酸化物半導体を用いる場合、例えばインジウム、ガリウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、錫、セリウムなどの金属材料が用いられる。例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛を有する酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を用いることができる。半導体層１４２は、スパッタリング法、蒸着法、めっき法またはＣＶＤ法などにより形成される。

ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、窒酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウムなどを一種以上含む絶縁膜が用いられる。絶縁層１４１と同様の方法により形成することができる。

ゲート電極１４５ａは、タングステン、アルミニウム、クロム、銅、チタン、タンタル、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、インジウム、亜鉛から選ばれた金属元素、または上記金属元素を成分とする合金か、上記金属元素を組み合わせた合金等の材料を用いて形成される。また、ゲート電極１４５ａには、上記材料に窒素、酸素、水素などが含有されたものが用いられてもよい。例えば、ゲート電極１４５ａとして、スパッタリング法により形成したアルミニウム（Ａｌ）層、チタン層（Ｔｉ）の積層膜が用いられる。

次に、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａ及び容量電極１４５ｂ上に絶縁層１４９を形成する。絶縁層１４９は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料、方法が用いられる。例えば、絶縁層１４９として、プラズマＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜が用いられる。

次に、絶縁層１４９上にソース電極１４７ａ及びドレイン電極１４７ｃを形成する。ソース電極１４７ａ及びドレイン電極１４７ｃは、ゲート電極１４５ａと同様の材料、方法を用いることができる。ソース電極１４７ａ及びドレイン電極１４７ｃは、絶縁層１４９に開口部を形成してから形成され、半導体層１４２のソース・ドレイン領域と接続される。端子部（Ｃ１−Ｃ２間）において、導電層１４８は、ソース電極１４７ａ及びドレイン電極１４７ｃと同時に形成される。

次に、絶縁層１４９、ソース電極１４７ａ及びドレイン電極１４７ｃ上に平坦化層１５０を形成する。平坦化層１５０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの有機絶縁材料が用いられる。平坦化層１５０は、スピンコーティング法、印刷法、インクジェット法などにより形成することができる。例えば、平坦化層１５０として、スピンコーティング法により形成したアクリル樹脂を用いることができる。平坦化層１５０は、上面が平坦となる程度まで形成される。なお、平坦化層１５０において、画素１０１（Ａ１−Ａ２間）の一部にトランジスタ１１０と、画素電極１５５を電気的に接続するための開口部１５０Ａが形成される。また、周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２間）における平坦化層１５０の形状は所定の形状に加工される。また、端子部（Ｃ１−Ｃ２間）の平坦化層１５０は、除去される。

（１−４−２．表示素子の形成）
次に、平坦化層１５０上に、容量素子１２１（導電層１５３、絶縁層１５４及び画素電極１５５で形成される）、表示素子１３０（画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９及び対向電極１６０で形成される）及び有機絶縁層１５７ｂを形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法またはエッチング法などを用いて、所定の形状に加工される。

まず、図５に示すように、平坦化層１５０上に導電層１５３を形成する。導電層１５３は、ゲート電極１４５ａと同様の材料及び方法により形成することができる。例えば、導電層１５３として、スパッタリング法により形成したモリブデン、アルミニウム、モリブデンの積層膜が用いられる。

次に、導電層１５３及び平坦化層１５０上に絶縁層１５４を形成する。絶縁層１５４は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料及び方法により形成される。例えば、絶縁層１５４として、プラズマＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜が用いられる。なお、絶縁層１５４は、端子部（Ｃ１−Ｃ２間）からは除去されるが、その他の部分では加工されなくてもよい。

次に、画素１０１（Ａ１−Ａ２間）において、絶縁層１５４上に、画素電極１５５を形成する。例えば、画素電極１５５は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、等の光反射性の金属材料を用いてもよいし、正孔注入性に優れる酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）による透明導電層と、光反射性の金属層とが積層された構造を有していてもよい。画素電極１５５は、ゲート電極１４５ａと同様の方法により形成される。例えば、画素電極１５５として、スパッタリング法により形成したＩＴＯ、銀、ＩＴＯの積層膜が用いられる。

次に、絶縁層１５４及び画素電極１５５上に、有機絶縁層１５７ｂを形成する。例えば、有機絶縁層１５７ｂとして、スピンコーティング法により形成したポリイミド膜が用いられる。

次に、図６に示すように、有機絶縁層１５７ｂには、画素電極１５５の上面を露出するように開口部１５７Ｇが形成される。また、周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２間）において、上述した水分遮断構造を形成するために、有機絶縁層１５７ｂに、第１溝部１５８−１が形成される。このとき、第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗに対する第１溝部１５８−１の高さ１５８−１Ｈの比は１以下である。また、第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗが５μｍ以上３０μｍ以下となるように第１溝部１５８−１を形成してもよい。このように、開口部１５７Ｇ、第１溝部１５８−１が形成された有機絶縁層１５７ｂをリブ１５７と呼ぶ。

周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２間）において、有機絶縁層１５７ｂには、第２溝部１５８−２が形成される。第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂと第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂの間の距離１５８Ｌに対する第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆの幅１５８−１Ｗの比が２以下になるように第１溝部１５８−１及び第２溝部１５８−２を形成してもよい。また、第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂと第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂの間の距離１５８Ｌは１０μｍ以下となるように第１溝部１５８−１及び第２溝部１５８−２を形成してもよい。なお、端子部（Ｃ１−Ｃ２間）の有機絶縁層１５７ｂは、除去される。

次に、図７に示すように、画素１０１（Ａ１−Ａ２間）において、画素電極１５５及びリブ１５７上に有機ＥＬ層１５９を形成する。有機ＥＬ層１５９は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、有機ＥＬ層１５９は発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成されていてもよい。

また、有機ＥＬ層１５９は、少なくとも画素電極１５５と重畳するように形成される。有機ＥＬ層１５９は、真空蒸着法、印刷法、スピンコーティング法などにより形成される。有機ＥＬ層１５９を真空蒸着法により形成する場合、適宜シャドーマスクを用い、成膜されない領域を設けながら形成してもよい。有機ＥＬ層１５９は、隣接する画素と異なる材料を用いて形成してもよいし、全ての画素において同一の有機ＥＬ層１５９を用いてもよい。

次に、画素１０１（Ａ１−Ａ２間）において画素電極１５５及び有機ＥＬ層１５９の上に対向電極１６０を形成する。対向電極１６０には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の透明導電膜または銀（Ａｇ）とマグネシウムの合金を用いることができる。また、対向電極１６０は、真空蒸着法、スパッタリング法により形成することができる。例えば、対向電極１６０として、蒸着法により成膜した銀（Ａｇ）とマグネシウムの合金膜が用いられる。なお、対向電極１６０は、加工されずに形成されてもよい。このとき、周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２間）にも対向電極１６０が形成されてもよいが、端子部（Ｃ１−Ｃ２間）からは除去される。

（１−４−３．封止層の形成）
次に、図８に示すように、画素１０１（Ａ１−Ａ２間）において、対向電極１６０上に封止層１６１となる第１無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４及び第２無機絶縁層１６６を順に形成する。このとき、周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２間）において、第１無機絶縁層１６２は、リブ１５７の上面１５７Ａ並びに第１溝部１５８−１の側面１５８−１Ｃ、上端部１５８−１Ｂ及び底面１５８−１Ｆ並びに第２溝部１５８−２の側面１５８−２Ｃ、上端部１５８−２Ｂ及び底面１５８−２Ｆを覆うように形成される。また、周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２間）に形成された有機絶縁層１６４は除去される。つまり、周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２間）においては、第１無機絶縁層１６２上に第２無機絶縁層１６６が形成される。封止層１６１は、表示領域１０３全面を覆うように形成される。端子部（Ｃ１−Ｃ２間）においても、第１無機絶縁層１６２と第２無機絶縁層１６６が、導電層１４８と絶縁層１４９上に形成される。

有機絶縁層１６４には、アクリル、ポリイミド、エポキシ等の材料を用いることができる。また、有機絶縁層１６４は、インクジェット法、スピンコーティング法、蒸着法、スプレー法、印刷法などを用いて形成してもよい。有機絶縁層１６４の膜厚は、限定されないが、例えば５μｍ以上２０μｍ以下としてもよい。

第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６には、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの無機絶縁材料が用いられる。第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６は、リブ１５７の上面１５７Ａ並びに第１溝部１５８−１の側面１５８−１Ｃ、上端部１５８−１Ｂ及び底面１５８−１Ｆ並びに第２溝部１５８−２の側面１５８−２Ｃ、上端部１５８−１Ｂ及び底面１５８−２Ｆを覆うために、被覆性の高い（つまり成膜粒子の平均自由行程の長い）成膜方法を用いて形成される。例えば、第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６には、プラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜が用いられる。第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６の膜厚は限定されないが、５０ｎｍ以上２μｍ以下とすることができる。なお、成膜方法は、プラズマＣＶＤ法に限定されず、成膜粒子の平均自由行程の長い方法として、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法を用いてもよい。

次に、図９に示すように、第２無機絶縁層１６６上に保護膜１６５を形成する。保護膜１６５は、無機材料を含んで形成されてもよい。保護膜１６５は、周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２間）におけるリブ１５７の上面１５７Ａ、第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂ及び側面１５８−１Ｃの少なくとも一部と重畳するように形成される。保護膜１６５は、第１溝部１５８−１の側面１５８−１Ｃの全体と重畳するように形成されてもよい。保護膜１６５は、その膜厚が１００ｎｍ以下となるように形成されてもよい。この保護膜１６５は、第２無機絶縁層１６６に対するドライエッチングにより形成される。例えば、第２無機絶縁層１６６が窒化シリコンである場合に、エッチングガスとして三塩化ホウ素（ＢＣｌ_３）と窒素の混合ガスを用いて第２無機絶縁層１６６に対するドライエッチングを行うと、主成分が窒化ホウ素である保護膜１６５が形成される。なお、三塩化ホウ素と窒素の混合ガスをエッチングガスとして用いて窒化シリコンである第２無機絶縁層１６６に対するドライエッチングを行う場合、保護膜１６５を形成するためには、数百ｎｍのみドライエッチングを行えば十分である。また、例えば、第２無機絶縁層１６６が窒化シリコンである場合に、エッチングガスとしてテトラフルオロメタン（ＣＦ_４）とトリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）の混合ガスやテトラフルオロメタンと水素の混合ガスを用いて第２無機絶縁層１６６に対するドライエッチングを行うと、主成分がフッ素添加シリコン酸化物である保護膜１６５が形成される。この場合、保護膜１６５には有機物が含まれ得る。

なお、ドライエッチングにより保護膜１６５を形成する際、第１溝部１５８−１の底面１５８−１Ｆにおいては保護膜１６５が形成される速度よりもエッチングが進む速度の方が早いので、底面１５８−１Ｆには保護膜１６５は形成されない。

保護膜１６５を形成するのに有利なエッチング条件は、例えば、エッチングガスがＢＣｌ_３／Ｎ_２＝４５／５ｓｃｃｍ、エッチング圧力が１Ｐａ、エッチングパワーが５００Ｗである。もっとも、エッチングガスの構成比はこれに限られるものではなく、Ｎ_２が５％から２０％の比率で含まれていてもよい。また、エッチング圧力もこれに限られるものではなく、例えば、１０Ｐａ以下の任意の数値を採用してもよい。また、エッチングパワーについてもこれに限られるものではなく、例えば、２００Ｗ以上の任意の出力を使用してもよい。

リブ１５７がさらに第２溝部１５８−２を有する場合、第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂと第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂの間の距離１５８Ｌが１０μｍ以下であると、リブ１５７の上面１５７Ａのうち、第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂと第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂの間に位置する部分の上に保護膜１６５が形成されやすい。

（１−４−４．端子部の第１無機絶縁層１６２と第２無機絶縁層１６６の除去）
次に、端子部（Ｃ１−Ｃ２間）における第１無機絶縁層１６２と第２無機絶縁層１６６をドライエッチングにより除去する。

まず、図１０に示すように、例えばフォトリソグラフィ法により、画素１０１（Ａ１−Ａ２間）及び周縁部１０４（Ｂ１−Ｂ２）にレジスト１６８を形成する。

次に、ドライエッチングを行い、図１１に示すように、端子部（Ｃ１−Ｃ２間）における第１無機絶縁層１６２と第２無機絶縁層１６６を除去する。この際、レジスト１６８のうち第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂ及び側面１５８−１Ｃに重畳する部分１６８Ａなどにおいてレジスト１６８の膜厚が薄くなっても、周縁部１０４には保護膜１６５があるので、周縁部１０４において薄くなったレジスト１６８の下に位置する第２無機絶縁層１６６や第１無機絶縁層１６２が除去されることを防ぐことができる。

次に、図１２に示すように、レジスト１６８を除去する。このようにレジスト１６８を除去する方法に特に限定はないが、例えば、酸素プラズマによる灰化による除去などの方法を用いることができる。

（１−４−５．タッチセンサの形成）
次に、図１３に示すように、タッチセンサ１０９を形成する。まず、第１センサ電極１７１を形成する。第１センサ電極１７１は、この例ではスパッタリング法により成膜される。第１センサ電極１７１は、スパッタリング法に限定されず、蒸着法、印刷法、塗布法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）などが用いられてもよい。第１センサ電極１７１は、成膜後にフォトリソグラフィ法及びエッチング法より加工される。第１センサ電極１７１には、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ）の他、ゲート電極１４５ａと同様の材料が用いられる。

次に、第１センサ電極１７１及び保護膜１６５上に絶縁層１７２を形成する。絶縁層１７２は、塗布法により形成される。絶縁層１７２には、アクリル、ポリイミド、エポキシ等の材料が用いられる。また、絶縁層１７２は、スピンコーティング法、蒸着法、スプレー法、インクジェット法、印刷法などを用いて数百ｎｍ以上十μｍ以下の厚さに形成される。

次に、絶縁層１７２を加工する。このとき、絶縁層１７２は、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により加工される。なお、絶縁層１７２に感光性材料が含まれていれば、フォトリソグラフィ法のみでもよい。

次に、第２センサ電極１７３を形成する。第２センサ電極１７３は、透光性を有する材料を用いて形成される。第２センサ電極１７３は、例えばスパッタリング法により形成される。なお、第２センサ電極１７３は、スパッタリング法に限定されず、蒸着法、印刷法、インクジェット法などが用いられてもよい。例えば、第２センサ電極１７３は、スパッタリング法により形成された酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が用いられる。

（１−４−６．対向基板との貼り合わせ）
次に、図１４に示すように、対向基板となる基板２００を、接着層１９５を用いて基板１００と貼り合わせる。接着層１９５として、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などを用いることができる。

最後に、フレキシブルプリント基板１０８を、異方性導電膜１８１を用いて導電層１４８と電気的に接続する。このとき、端子部（Ｃ１−Ｃ２間）に存在する膜は、レーザー照射を行うなどして、除去してもよい。異方性導電膜１８１には、銀、銅などの金属粒子を樹脂中に含ませ、塗布することで形成することができる。

以上の方法により、図２に示す表示装置１０が製造される。

（１−５．周縁部の機能）
図１６は、保護膜１６５を有しない従来の周縁部２０４の断面図である。

図１６に示すように、保護膜１６５を有しない周縁部２０４においてレジスト１６８が設けられた場合、レジスト１６８のうち第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂ及び側面１５８−１Ｃに重畳する部分１６８Ａの膜厚が、リブ１５７の上面１５７Ａに重畳するレジスト２６８の膜厚に比べて薄くなってしまう場合がある。この場合、特に、端子部（Ｃ１−Ｃ２間）における第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６を除去する際に、薄くなったレジスト１６８の下に位置する第２無機絶縁層１６６や第１無機絶縁層１６２まで除去される恐れがある。

図１５は、表示装置１０の製造中、端子部（Ｃ１−Ｃ２間）における第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６を除去する工程において、周縁部１０４にレジスト１６８を形成した場合の断面図である。図１５に示すように、周縁部１０４は、保護膜１６５を有することにより、表示装置１０の製造工程（特に端子部（Ｃ１−Ｃ２間）における第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６を除去する工程）において、例えば、レジスト１６８のうち第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂ及び側面１５８−１Ｃに重畳する部分１６８Ａなどにおいてレジスト１６８の膜厚が薄くなっても、第1無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６が保護される。すなわち、端子部（Ｃ１−Ｃ２間）における第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６を除去する際に、周縁部１０４において薄くなったレジスト１６８の下に位置する第２無機絶縁層２６６や第１無機絶縁層２６２まで除去されることを防ぐことができる。したがって、封止層１６１の機能が正常に発揮され、表示装置１０は、水分を遮断することができる。つまり、有機ＥＬ層１５９の水分による劣化が抑制される。結果として、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

上述の保護膜１６５が第1無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６を保護する機能は、保護膜１６５がレジスト１６８よりも硬い膜であるときに十分なものとなる。保護膜１６５が窒化ホウ素を主成分として含むとき保護膜１６５は硬い膜となるので、保護膜１６５が窒化ホウ素を湯成分として含むことは好ましい。また、保護膜１６５が窒化ホウ素を含むとき保護膜１６５は硬い膜となるので、保護膜１６５に厚い膜厚は必要なく、例えば、１００ｎｍ以下であってもよい。

リブ１５７が第２溝部１５８−２を有する場合には、第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂと第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂの間の距離１５８Ｌが１０μｍ以下であると、リブ１５７の上面１５７Ａのうち、第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂと第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂの間に位置する部分の上に保護膜１６５が形成されやすいため、リブ１５７の上面１５７Ａのうち、第１溝部１５８−１の上端部１５８−１Ｂと第２溝部１５８−２の上端部１５８−２Ｂの間に位置する部分の上に位置する第１無機絶縁層１６２及び第２無機絶縁層１６６がより保護される。

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１０・・・表示装置、２０・・・表示装置、１００・・・基板、１０１・・・画素、１０３・・・表示領域、１０４・・・周縁部、１０５・・・駆動回路、１０６・・・駆動回路、１０７・・・駆動回路、１０８・・・フレキシブルプリント基板、１０９・・・タッチセンサ、１１０・・・トランジスタ、１２０・・・容量素子、１２１・・・容量素子、１３０・・・表示素子、１４１・・・絶縁層、１４２・・・半導体層、１４３・・・ゲート絶縁層、１４５ａ・・・ゲート電極、１４５ｂ・・・容量電極、１４５ｃ・・・走査線、１４７ａ・・・ソース電極、１４７ｂ・・・信号線、１４７ｃ・・・ドレイン電極、１４８・・・導電層、１４９・・・絶縁層、１５０・・・平坦化層、１５０−１・・・第１平坦化層溝、１５０−２・・・第２平坦化層溝、１５０Ａ・・・開口部、１５３・・・導電層、１５４・・・絶縁層、１５５・・・画素電極、１５７・・・リブ、１５７ｂ・・・有機絶縁層、１５８−１・・・第１溝部、１５８−２・・・第２溝部、１５９・・・有機ＥＬ層、１６０・・・対向電極、１６１・・・封止層、１６２・・・第１無機絶縁層、１６４・・・有機絶縁層、１６５・・・保護膜、１６６・・・第２無機絶縁層、１６６Ａ・・・上面、１６７・・・水分遮断構造、１６８・・・レジスト、１７１・・・第１センサ電極、１７２・・・絶縁層、１７３・・・第２センサ電極、１８１・・・異方性導電膜、１９５・・・接着層、２００・・・基板、２０４・・・周縁部

Claims (18)

1. 複数の画素が配置され、有機絶縁層と、第１無機絶縁層と、第２無機絶縁層と、を含む第１領域と、
   それぞれ前記第１領域から連続する前記有機絶縁層と、前記第１無機絶縁層と、前記第２無機絶縁層と、を含む第２領域と、
   を有し、
   前記第２領域は、前記有機絶縁層に設けられた第１溝部と、前記第２無機絶縁層の上面と接して配置される保護膜と、をさらに含み、
   前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、前記第１溝部の側面、上端部及び底面と、を覆い、
   前記保護膜は、前記第２領域が含む前記有機絶縁層の上面の少なくとも一部と、前記第１溝部の上端部と、前記第１溝部の側面の少なくとも一部と重畳し、
   前記第１溝部の底面の幅に対する前記第１溝部の高さの比が１以下である表示装置。
2. 前記第２領域は、前記有機絶縁層に設けられた第２溝部をさらに含み、前記第１溝部の上端部と前記第２溝部の上端部の間の距離に対する前記底面の幅の比が２以下である請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２領域は、前記有機絶縁層に設けられた第２溝部をさらに含み、前記第１溝部の上端部と前記第２溝部の上端部の間の距離が１０μｍ以下である請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１溝部の底面の幅が５μｍ以上３０μｍ以下である請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。
5. 前記保護膜は、無機材料を含む請求項１から４のいずれか一項に記載の表示装置。
6. 前記無機材料は窒化ホウ素である請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は窒化シリコン層である請求項１から６のいずれか一項に記載の表示装置。
8. 前記保護膜の膜厚は１００ｎｍ以下である請求項１から７のいずれか一項に記載の表示装置。
9. 前記画素は有機ＥＬ素子を含む請求項１から８のいずれか一項に記載の表示装置。
10. 表示領域の外側に第１溝部を有するように有機絶縁層を形成し、
    前記有機絶縁層の上面並びに前記第１溝部の側面、上端部及び底面を覆うように第１無機絶縁層を形成し、
    前記第１無機絶縁層上に第２無機絶縁層を形成し、
    前記第２無機絶縁層上に前記有機絶縁層の上面の少なくとも一部と、前記第１溝部の上端部と、前記第１溝部の側面の少なくとも一部と重畳するように保護膜を形成することを含み、
    前記第１溝部の底面の幅に対する前記第１溝部の高さの比が１以下である表示装置の製造方法。
11. 前記有機絶縁層はさらに第２溝部を有するように形成されることを含み、
    前記第１溝部の上端部と前記第２溝部の上端部の間の距離に対する前記底面の幅の比が２以下である請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
12. 前記有機絶縁層はさらに第２溝部を有するように形成されることを含み、
    記第１溝部の上端部と前記第２溝部の上端部の間の距離が１０μｍ以下である請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
13. 前記第１溝部の底面の幅が５μｍ以上３０μｍ以下である請求項１０から１２のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
14. 前記保護膜は、無機材料を含む請求項１０から１３のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
15. 前記無機材料は窒化ホウ素である請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
16. 前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は窒化シリコン層である請求項１０から１５のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
17. 前記保護膜の膜厚は１００ｎｍ以下である請求項１０から１６のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
18. 前記保護膜は、ドライエッチングにより形成される請求項１０から１７のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。