JP2019125084A - タッチセンサ - Google Patents
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Abstract
Description
本発明(5)は、前記圧電体層が、厚みが0.05μmを超え0.5μm以下であるスパッタリング層であり、無機化合物が、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、AlN、GaN、CdSe、CdTe、および、SiCからなる群から選択される少なくとも1つを含む、(1)〜(3)のいずれか一項に記載のタッチセンサを含む。
本発明のタッチセンサの第1実施形態を、図1を参照して説明する。
以下の各変形例において、上記した第1実施形態および変形例と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、第1実施形態および変形例と同様の作用効果を奏することができる。
圧電センサ7は、第1透明電極11と、第1基材フィルム12と、第2感圧接着層14と、圧電体層13と、第4基材フィルム16と、第2透明電極15とを後側に向かって順に備える。この変形例では、圧電体層13は、第4基材フィルム16の前面全面に配置されている。圧電体層13は、例えば、第4基材フィルム16の前面に対する塗布またはスパッタリングにより形成される塗布層またはスパッタリング層である。
第2実施形態において、上記した第1実施形態および変形例と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、第2実施形態は、特記する以外、第1実施形態および変形例と同様の作用効果を奏することができる。
第3実施形態において、上記した第1、第2実施形態および変形例と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、第3実施形態は、特記する以外、第1、第2実施形態および変形例と同様の作用効果を奏することができる。
第4実施形態において、上記した第1〜第3実施形態および変形例と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、第4実施形態は、特記する以外、第1〜第3実施形態および変形例と同様の作用効果を奏することができる。
<第5実施形態>
第5実施形態において、上記した第1〜第4実施形態および変形例と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、第5実施形態は、特記する以外、第1〜第4実施形態および変形例と同様の作用効果を奏することができる。
<第6実施形態>
第6実施形態において、上記した第1〜第5実施形態および変形例と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、第6実施形態は、特記する以外、第1〜第5実施形態および変形例と同様の作用効果を奏することができる。
<第7実施形態>
第7実施形態において、上記した第1〜第6実施形態および変形例と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、第7実施形態は、特記する以外、第1〜第6実施形態および変形例と同様の作用効果を奏することができる。
図示しないが、上記した第1実施形態〜第7実施形態および変形例を適宜組合せることができる。
7 圧電センサ
8 静電容量センサ
11 第1透明電極
12 第1基材フィルム
13 圧電体層
15 第2透明電極
16 第4基材フィルム
17 第3透明電極
20 第4透明電極
T1 圧電体層の厚み
Claims (15)
- ディスプレイの前側に配置されるタッチセンサであって、
タッチされた位置の座標を検出する静電容量センサと、
前記静電容量センサの後側に配置され、前記タッチの圧力を検出する圧電センサとを備え、
前記圧電センサは、
基材フィルムと、
前記基材フィルムに支持され、厚みが0.05μmを超え20μm未満である圧電体層と、
前記基材フィルムおよび前記圧電体層の前側に配置される第1透明電極と、
前記基材フィルムおよび前記圧電体層の後側に配置される第2透明電極とを備え、
前記第1透明電極および前記第2透明電極のいずれか一方は、基準電位電極であることを特徴とする、タッチセンサ。 - 前記圧電体層が、塗布層またはスパッタリング層であることを特徴とする、請求項1に記載のタッチセンサ。
- 前記塗布層が、フッ素樹脂を塗布した塗布層であり、
前記スパッタリング層が、ウルツ鉱構造を有する無機化合物をスパッタリングしたスパッタリング層である
ことを特徴とする、請求項2に記載のタッチセンサ。 - 前記圧電体層は、厚みが0.5μmを超え20μm未満である塗布層であり、
フッ素樹脂が、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレンおよびクロロトリフルオロエチレンからなる群から選択される少なくとも1つのモノマーが重合してなる重合体であることを特徴とする、請求項3に記載のタッチセンサ。 - 前記圧電体層は、厚みが0.05μmを超え0.5μm以下であるスパッタリング層であり、
無機化合物が、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、AlN、GaN、CdSe、CdTe、および、SiCからなる群から選択される少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項3に記載のタッチセンサ。 - 前記第1透明電極が、前記基準電位電極であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載のタッチセンサ。
- 静電容量センサは、
第2基材フィルムと、
前記第2基材フィルムの前側に配置される第3透明電極と、
前記第2基材フィルムの後側に配置される第4透明電極とを備えることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載のタッチセンサ。 - 静電容量センサは、
第2基材フィルムと、
前記第2基材フィルムの前側に配置される第3透明電極と、
前記第2基材フィルムの後側に配置され、前記第1透明電極によって兼ねられる第4透明電極とを備えることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載のタッチセンサ。 - 前記基材フィルムの材料が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリオレフィン、ポリシクロオレフィン、ポリカーボネート、ポリエーテスルフォン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリスチレンおよびポリノルボネンからなる群から選択される少なくとも1つのポリマーであることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載のタッチセンサ。
- 前記第1透明電極および前記第2透明電極の材料が、インジウム含有酸化物であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一項に記載のタッチセンサ。
- 前記圧電体層に接触する接着剤層をさらに備えることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載のタッチセンサ。
- 前記接着剤層の厚みは、1μmを超え、200μm未満であることを特徴とする、請求項11に記載のタッチセンサ。
- 前記基準電位電極は、前記基材フィルムの一面全面に配置されていることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか一項に記載のタッチセンサ。
- 前記圧電センサは、
前記基材フィルムの前面または後面に直接形成され、アンダーコート層、屈折率調整層およびアンチブロッキング層からなる群から選択される少なくとも1つの機能層
をさらに備えることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか一項に記載のタッチセンサ。 - 前記基準電位電極は、前記機能層の一面全面に配置されていることを特徴とする、請求項14に記載のタッチセンサ。
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