JP2019114712A - 素子チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記分割領域に、前記第1主面側からレーザ光を照射して、前記分割領域に対応する前記基板の厚みよりも浅い複数の溝を形成する第1レーザグルービング工程と、
前記複数の溝をプラズマに晒すことにより、前記複数の溝における前記基板の厚み方向の残部をエッチングして、前記基板を、前記素子領域を備える複数の素子チップに分割するプラズマダイシング工程と、を備え、
前記基板準備工程において、前記基板は、前記基板を取り囲む環状のフレームとともに前記第2主面側から保持シートで保持されており、
前記第1レーザグルービング工程において、前記レーザ光は、前記基板の外縁端より内側の領域にのみ照射される、素子チップの製造方法に関する。
本工程では、基板を取り囲む環状のフレームとともに保持シートで保持された状態の基板を準備する。基板は、第1主面および第1主面の反対側の第2主面を備えている。また、基板は、複数の素子領域と、素子領域を画定する分割領域とを備える。そして、基板は、第2層の第1主面側が保護膜で覆われている。基板は、第2主面側から保持シートで保持されている。
各ストリートR2の幅は特に限定されず、基板1や素子チップの大きさ等に応じて、適宜設定すればよい。各ストリートR2の幅は、例えば、10μm以上30μm以下である。
図4は、第1レーザグルービング工程を説明するための概略上面図である。図5は、図4のV−V線による矢示断面図である。これらの図では、基板1が、半導体等で形成されるベース層11とベース層11の表面1a側に形成された回路層12とを備え、基板1の表面1a側が保護膜13で覆われている例を示す。本工程では、複数のストリートR2に、基板1の表面1a側からレーザ光を照射して、複数のストリートR2に対応する複数の溝Gを形成する。ここで形成される複数の溝Gは、基板1の厚みよりも浅い。好ましくは、図5に示すように、ストリートR2において、レーザ光により、主として、保護膜13および回路層12が削られて複数の溝Gが形成される。
図6は、プラズマダイシング工程により個片化された素子チップを説明するための断面模式図である。プラズマダイシング工程では、第1レーザグルービング工程で形成した図5に示すような複数の溝Gを、プラズマに晒すことにより、複数の溝Gにおける基板1の厚み方向の残部をエッチングして、図6に示すように、基板1を、素子領域R1を備える複数の素子チップ14に分割する。本工程では、第1レーザグルービング工程で複数の溝Gが形成されることにより、パターン化された保護膜13を素子領域R1のマスクとしてプラズマエッチングが行なわれる。
ドライエッチング装置は、プロセスガス源およびアッシングガス源が接続されたガス導入口と、真空ポンプに接続された排気口と、を有する処理チャンバを備える。図3に示すような搬送キャリア4および基板1が、処理チャンバ内のステージに載置された後、真空ポンプを用いて処理チャンバ内を減圧し、所定のプロセスガスが処理チャンバ内に導入される。そしてアンテナ(プラズマ源)に高周波電力を供給することで形成されたプロセスガスのプラズマにより、処理チャンバ内の基板1の分割領域R2がドライエッチングされて、基板1は、図6に示すように、素子領域R1を含む複数の素子チップ14に分割される。
プラズマダイシング工程の後、素子チップ14に残存する保護膜13を除去することが好ましい。保護膜の除去は、アッシングより行なってもよい。アッシング処理は、プラズマダイシング工程のエッチングを行った処理チャンバ内で引き続き行ってもよい。アッシング処理は、アッシングガス(例えば、酸素ガス)を処理チャンバ内に導入し、同様にアンテナ(プラズマ源)に高周波電力を供給することで形成されたアッシングガスのプラズマを利用して行なうことができる。また、保護膜は、保護膜13を溶解可能な洗浄液を保護膜13に接触させることに除去してもよい。必要に応じて、アッシング処理と洗浄とを組み合わせてもよい。
プラズマダイシング工程または保護膜除去工程の終了後、保持シート3に保持された複数の素子チップ14は、ピックアップ工程に送られる。ピックアップ工程では、複数の素子チップ14は、それぞれ保持シート3から剥離されて、素子チップ14が得られる。
なお、周縁部の保護膜13を膜除去工程で除去する場合も、周縁部より内側の領域の保護膜13は、前述の保護膜除去工程で除去される。
Claims (7)
- 第1主面および前記第1主面の反対側の第2主面を備えるとともに、複数の素子領域と、前記素子領域を画定する分割領域とを備え、前記第1主面側が保護膜で覆われた基板を準備する基板準備工程と、
前記分割領域に、前記第1主面側からレーザ光を照射して、前記分割領域に対応する前記基板の厚みよりも浅い複数の溝を形成する第1レーザグルービング工程と、
前記複数の溝をプラズマに晒すことにより、前記複数の溝における前記基板の厚み方向の残部をエッチングして、前記基板を、前記素子領域を備える複数の素子チップに分割するプラズマダイシング工程と、を備え、
前記基板準備工程において、前記基板は、前記基板を取り囲む環状のフレームとともに前記第2主面側から保持シートで保持されており、
前記第1レーザグルービング工程において、前記レーザ光は、前記基板の外縁端より内側の領域にのみ照射される、素子チップの製造方法。 - 前記保護膜が、前記基板の周縁部より内側の領域のみに形成されている、請求項1に記載の素子チップの製造方法。
- 前記基板の第1主面側には回路層が形成されており、前記回路層は前記保護膜で覆われており、
前記回路層は、前記基板の周縁部より内側の領域のみに形成されている、請求項2に記載の素子チップの製造方法。 - さらに、前記プラズマダイシング工程の前に、前記基板の周縁部を覆う前記保護膜を除去する膜除去工程を備え、
前記第1レーザグルービング工程において、前記複数の溝の端部の少なくとも一部を前記周縁部に位置させる、請求項1に記載の素子チップの製造方法。 - 前記膜除去工程が、前記基板の外縁端に沿って前記第1主面側からレーザ光を照射して、前記周縁部を覆う前記保護膜を除去する第2レーザグルービング工程である、請求項4に記載の素子チップの製造方法。
- 前記基板の第1主面側には回路層が形成されており、前記回路層は前記保護膜で覆われており、
前記膜除去工程において、前記周縁部の前記保護膜とともに、前記回路層が除去される、請求項4または5に記載の素子チップの製造方法。 - 前記複数の溝の端から前記基板の外縁端までの最小距離が、10μm以上である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の素子チップの製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7430446B2 (ja) | 2019-08-22 | 2024-02-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7474406B2 (ja) | 2020-07-07 | 2024-04-25 | 株式会社東京精密 | レーザ加工システム及びレーザ加工方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3075773B1 (fr) * | 2017-12-22 | 2020-01-24 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de realisation de dispositifs semi-conducteurs et de chemins de decoupe |
CN111299866B (zh) * | 2020-05-15 | 2020-09-08 | 佛山市联动科技股份有限公司 | 晶圆片的激光全切割方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0635173A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-10 | Toshiba Corp | 半導体製造用マスクの製造方法 |
JP2003031466A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP2003045788A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2005251882A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2006080298A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | フォトレジスト塗布方法 |
JP2013535114A (ja) * | 2010-06-22 | 2013-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フェムト秒レーザ及びプラズマエッチングを用いたウェハダイシング |
JP2016040795A (ja) * | 2014-08-12 | 2016-03-24 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP2017157875A (ja) * | 2017-06-20 | 2017-09-07 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8802545B2 (en) | 2011-03-14 | 2014-08-12 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
US9126285B2 (en) * | 2011-06-15 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Laser and plasma etch wafer dicing using physically-removable mask |
US8703581B2 (en) | 2011-06-15 | 2014-04-22 | Applied Materials, Inc. | Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch |
US8652941B2 (en) * | 2011-12-08 | 2014-02-18 | International Business Machines Corporation | Wafer dicing employing edge region underfill removal |
US9704748B2 (en) * | 2015-06-25 | 2017-07-11 | Infineon Technologies Ag | Method of dicing a wafer |
-
2017
- 2017-12-25 JP JP2017248308A patent/JP6998545B2/ja active Active
-
2018
- 2018-12-13 US US16/218,554 patent/US10796960B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0635173A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-10 | Toshiba Corp | 半導体製造用マスクの製造方法 |
JP2003031466A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP2003045788A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2005251882A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2006080298A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | フォトレジスト塗布方法 |
JP2013535114A (ja) * | 2010-06-22 | 2013-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フェムト秒レーザ及びプラズマエッチングを用いたウェハダイシング |
JP2016040795A (ja) * | 2014-08-12 | 2016-03-24 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP2017157875A (ja) * | 2017-06-20 | 2017-09-07 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7430446B2 (ja) | 2019-08-22 | 2024-02-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7474406B2 (ja) | 2020-07-07 | 2024-04-25 | 株式会社東京精密 | レーザ加工システム及びレーザ加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20190198396A1 (en) | 2019-06-27 |
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