JP2019094520A - Fine pattern nickel film and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、精密機器の防塵フィルタなどに使われる、極薄のシートに微小な開口を高密度に有する微細パターンニッケル薄膜とその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a fine pattern nickel thin film having minute openings at a high density in an extremely thin sheet, which is used for a dustproof filter of a precision instrument, and a method of manufacturing the same.
微小開口を有する金属メッシュは、電子機器や精密機器の防塵フィルタをはじめ、幅広い用途で使用されており、一般には開口が微小かつ高密度に形成されているのが望ましいとされている。ここで、従来、金属メッシュは、主にフォトリソグラフィ法により形成されたレジストパターンを有する導電性基材に電解めっきで薄膜を形成することで作製されていた(例えば特許文献1参照)。 Metal meshes having minute openings are used in a wide range of applications, including dustproof filters for electronic devices and precision instruments, and it is generally desirable that the openings be minute and dense. Here, conventionally, the metal mesh has been manufactured by forming a thin film by electrolytic plating on a conductive substrate having a resist pattern mainly formed by photolithography (see, for example, Patent Document 1).
この方法では、金属メッシュのパターンの細かさや密度は、専らフォトリソグラフィの精度に依存する。すなわち、金属メッシュのパターンを微小かつ高密度に形成しようとすると、フォトリソグラフィにおいて、微細なレジストパターンを形成する必要がある。 In this method, the fineness and density of the pattern of metal mesh depend solely on the accuracy of photolithography. That is, in order to form a pattern of metal mesh in a minute and high density, it is necessary to form a fine resist pattern in photolithography.
ここで、例えば使用されるフォトレジスト層が厚い場合、形成可能なレジストパターンの精細さは粗くなる傾向にあり、高精細にするためにはフォトレジスト層を薄くすることがその手段の一つとして考えられる。しかしながら、フォトレジストを薄くすると、めっきにより形成できるメッシュの厚さも薄くなるため、基材から剥離する工程で、破損する危険性が増すこととなっていた。 Here, for example, when the photoresist layer to be used is thick, the definition of the resist pattern that can be formed tends to be coarse, and in order to achieve high definition, thinning the photoresist layer is one of the means Conceivable. However, when the photoresist is thinned, the thickness of the mesh that can be formed by plating is also reduced, so that the risk of breakage increases in the process of peeling from the substrate.
なお、図4の様に、導電性基材101の上に形成した薄いフォトレジスト層102により高精細パターンを確保しつつ、フォトレジスト層102の厚さ以上に厚くめっき103を形成して強度をも備えようとした場合、フォトレジスト層102の上にめっき103が乗り上げるオーバーハングという現象が発生し、そのため、パターンの開口の大きさが設定されていたものからずれるうえ、開口同士の間隔が広がるため、開口の密度が低くなるので一般には好ましくないとされる。
As shown in FIG. 4, while securing a high definition pattern by the thin
この発明の目的は、上記事情に鑑み、微細かつ高密度な開口パターンを有する微細パターンニッケル薄膜と、その簡便な製造方法を提供することである。 In view of the above-mentioned circumstances, an object of the present invention is to provide a fine pattern nickel thin film having a fine and high density opening pattern and a simple manufacturing method thereof.
請求項1に記載の発明は、厚さTが2〜10μmのシート状のニッケル薄膜と、前記ニッケル薄膜の面内に形成された複数の開口と、を備え、前記開口間の最短間隔Gと、前記厚さTと、前記開口の最小寸法Dが、T/G≧1、T/D≧1、D/G≧1の関係にある、ことを特徴とする、微細パターンニッケル薄膜である。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の微細パターンニッケル薄膜において、表面に導電性物質がコーティングされている、ことを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、厚さ1〜10mmの平板状のガラスの片面に、厚さ0.05〜1μmのクロム膜が、所定のパターンで形成されたパターン面を有するガラス基材の、前記パターン面に、pHを所定の範囲に調整した塩化パラジウム水溶液を塗布し、前記クロム膜上に選択的に吸着させる工程と、前記塩化パラジウムを、還元剤でパラジウムに還元する還元工程と、前記ガラス基材を水で洗う第1水洗工程と、前記ガラス基材を乾燥させる第1乾燥工程と、無電解ニッケルめっきにより、前記クロム膜上に、第1ニッケル層を1〜2μm析出する無電解ニッケルめっき工程と、前記ガラス基材を水で洗う第2水洗工程と、前記ガラス基材を乾燥させる第2乾燥工程と、電解ニッケルめっきにより、前記第1ニッケル層上に第2ニッケル層を1〜8μm積層する電解ニッケルめっき工程と、前記第1ニッケル層と前記第2ニッケル層からなるニッケル薄膜を前記ガラス基材から剥離する、剥離工程と、を備え、前記ニッケル薄膜の厚さTと、開口間の最短間隔Gと、前記開口の最小寸法Dが、T/G≧1、T/D≧1、D/G≧1の関係にある、ことを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記pHは5.5〜6.5である、ことを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、請求項3または4のいずれか1項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記第2乾燥工程の後、前記電解ニッケルめっき工程の前に、前記パターン面全体に撥水性皮膜を形成する撥水処理工程と、を備えることを特徴とする。
請求項6に記載の発明は、請求項3から5のいずれか1項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記電解ニッケルめっき工程の後、前記剥離工程の前に、前記第2ニッケル層の上に10μm以上の厚さで銅めっきを形成する、銅めっき工程と、前記剥離工程の後に、銅だけを溶解させ、ニッケルを溶解させないエッチング工程と、を備えることを特徴とする。
請求項7に記載の発明は、請求項3から5のいずれか1項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記剥離工程の後に、前記第1ニッケル層及び前記第2ニッケル層の表面に、導電性物質をコーティングするコーティング工程を、備えることを特徴とする。
請求項8に記載の発明は、請求項6に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記エッチング工程の後に、前記第1ニッケル層及び前記第2ニッケル層の表面に、導電性物質をコーティングするコーティング工程を、備えることを特徴とする。
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
請求項1〜4の発明によれば、専らクロム膜上にのみ第1ニッケル層を形成することと、ニッケル薄膜の厚さが2〜10μmと薄いため、無電解ニッケルめっき・電解ニッケルめっきにおいて、殆どが縦方向(ガラス基材のパターン面と垂直方向)に析出し、横方向への析出が少ない異方性めっきが促進されるので、隣接する開口間の最小距離を短くすることが可能であり、結果として微細かつ高密度な開口パターンを形成することが可能となり、精密機器の防塵フィルタをはじめとした各種フィルタとしてのフィルタリング機能向上が図れる。
According to the invention of
また、クロム膜によりパターン形成されたガラス基材を母型として用いるため、従来のフォトレジストでパターン形成をしたものよりも精度が高く、さらに繰り返し使用が可能となるので経済的である。 In addition, since a glass substrate patterned with a chromium film is used as a matrix, it is more economical than that patterned with a conventional photoresist, and can be used repeatedly, which is economical.
請求項5の発明によれば、ガラス基材のパターン面全体に撥水性皮膜を形成することで、第1ニッケル層上における縦方向以外のめっきの析出が抑制され、さらに異方性めっきが促進されるので、さらに隣接する開口間の最小距離を短くすることが可能であり、さらに微細かつ高密度な開口パターンを形成することが可能となる。
According to the invention of
請求項6の発明によれば、電解ニッケルめっき工程の後、第2ニッケル層の上に、開口を塞いで一体化する程度にまで厚く銅めっき層を形成し、ガラス基材から一体的に剥離することで、銅めっき層が補強板の役割をし、剥離時における微細パターンニッケル薄膜の永久変形や破損を防止することが可能となる。
According to the invention of
請求項3、請求項7、請求項8の発明によれば、微細パターンニッケル薄膜は、微細かつ高密度なパターンで開口が形成されていることで、比表面積が従来のフィルタに比べて極めて大きくなっているため、表面に、導電性物質層などをコーティングした場合、その相乗作用による機能向上が得られる。
According to the inventions of
本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、図面において、図面中の各部の構成の大きさ、間隔、数、その他詳細は、視認と理解の助けのために、実際の物とから大幅に簡略化・省略化して表現している。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings. In the drawings, the size, interval, number, and other details of the configuration of each part in the drawings are expressed by being greatly simplified and omitted from actual objects to aid in visual recognition and understanding.
図1は、実施の形態にかかる、微細パターンニッケル薄膜1の概略の正面図(a)と、側面断面図(b)である。
FIG. 1 is a schematic front view (a) and a side sectional view (b) of a fine pattern nickel
微細パターンニッケル薄膜1は、厚さTが2〜10μmのシート状のニッケル薄膜11と、ニッケル薄膜11の面内に形成された複数の開口12のパターンから構成されている。
The fine pattern nickel
ここで、隣接する開口12間の最短間隔Gと開口12の最小寸法Dの関係は、Gに対するDの比が1以上(D/G≧1)となるように設定されている。すなわち、Dが5μmのとき、Gは5μm以下である。このようにすることで、金属メッシュをフィルタに使用したときに、高いフィルタリング機能を発揮することができる。D/Gが1未満の場合には、開口12に比べて、開口12間の間隔が広くなるので、開口12の密度が低くなり、金属メッシュのフィルタリング機能が低下するので好ましくない。
Here, the relationship between the shortest distance G between the
また、開口12の最小寸法Dとニッケル薄膜11の厚さTの関係は、Dに対するTの比が1以上(T/D≧1)となるように設定されている。すなわち、Tが5μmのときDは5μm以下であり、Dの最大値は10μmとなる。ここで、本実施形態では開口12は、円形をしており、この場合Dは円の直径のことをいう。T/Dが1未満の場合には、ニッケル薄膜11の厚さにTに比べて開口12が大きくなり、やはり金属メッシュのフィルタリング機能が低下するので好ましくない。
The relationship between the minimum dimension D of the
さらに、Gと、Tの関係は、Gに対するTの比が以上(T/G≧1)となるように設定されている。すなわち、Tが2μmのときGは2μm以下であり、Gの最大値は10μmとなるT/Gが1未満のとき、ニッケル薄膜11の厚さにTに比べて開口12の間の間隔が大きくなり、やはり金属メッシュのフィルタリング機能が低下するので好ましくない。
Furthermore, the relationship between G and T is set such that the ratio of T to G is equal to or more (T / G ≧ 1). That is, when T is 2 μm, G is 2 μm or less, and the maximum value of G is 10 μm. When T / G is less than 1, the distance between the
なお、本実施の形態において、G、Dの最小値はそれぞれ1μmである。それ以上小さいと以下に述べる製造工程において、適正に作製をすることが著しく困難になる。すなわち、T/GとT/Dの最大値は10となり、D/Gの最大値も10となる。 In the present embodiment, the minimum values of G and D are 1 μm respectively. If it is smaller than this range, it will be extremely difficult to properly manufacture in the manufacturing process described below. That is, the maximum values of T / G and T / D are 10, and the maximum value of D / G is also 10.
以上より、微細パターンニッケル薄膜1は、ニッケル薄膜11の面内に、開口12が高密度にかつ数多く形成されているものである。また、Tが2〜10μmと薄いので、DもGも相応に微小に設定されている。
From the above, the fine pattern nickel
次に、図2、図3に基づいて、微細パターンニッケル薄膜1の製造方法について説明をする。
Next, a method of manufacturing the fine pattern nickel
まず、ガラス基材2を準備する(図2のステップS1、図3の(a))。ガラス基材2は、厚さ1〜10mmの平板状のガラス21の片面に、厚さ0.05〜1μmのクロム膜22が所定のパターンで形成されたパターン面を有する。ガラス基材2の表面には、汚れや異物の付着なきよう、事前に酸性・アルカリ性水溶液及び水で、十分に洗浄をしておく。
First, the
次に、パターン面に、塩化パラジウム水溶液を塗布する(ステップS2)。このとき、塩化パラジウム水溶液の濃度は、0.03wt%であり、水酸化カリウム水溶液にて、そのpHを5.5〜6.5に調整することで、クロム膜22上に選択的に塩化パラジウムが吸着される。
Next, an aqueous palladium chloride solution is applied to the pattern surface (step S2). At this time, the concentration of the aqueous solution of palladium chloride is 0.03 wt%, and the pH is adjusted to 5.5 to 6.5 with the aqueous solution of potassium hydroxide, thereby selectively forming palladium chloride on the
次に、ガラス基材2のパターン面に還元剤の水溶液を塗布して、塩化パラジウムをパラジウムに還元する(ステップS3)。還元剤としては、本実施形態では次亜リン酸ソーダを使用する。
Next, an aqueous solution of a reducing agent is applied to the pattern surface of the
次に、ガラス基材を水洗し、ホットプレートや乾燥機を用いて、ガラス基材2を乾燥させる(第1乾燥工程 ステップS4)。乾燥条件は、60〜80℃、2〜5分である。これにより、ガラス板21状に残留したパラジウムを洗い流し、パラジウムが吸着された部分と、吸着されていない部分を明確にする。
Next, the glass substrate is washed with water, and the
次に、無電解ニッケルめっきにより、クロム膜22上に、第1ニッケル層31を1〜2μmの厚さで析出する(無電解ニッケルめっき工程 図2のステップS5、図3の(b))。無電解ニッケルめっきは、硫酸ニッケルまたは塩化ニッケルを金属塩とするめっき浴を、pHを4〜6、温度を70〜80℃に保ちながら、ガラス基材2を5〜10分浸漬する。このとき、クロム膜22上のパラジウムが触媒として働き、金属塩を還元してニッケルとリンの合金をパラジウム上に析出させる。さらに処理を続けると、ニッケルそのものが触媒として働き、ニッケルを析出・堆積させる。
Next, the
次に、ガラス基材2を水洗し、ホットプレートや乾燥機を用いて、ガラス基材2を乾燥させる(第2乾燥工程 ステップS6)。乾燥条件は、60〜80℃、20分以上である。これにより、無電解ニッケルめっきとクロム膜22との密着性を高めて、層間剥離を防止する。
Next, the
次に、電解ニッケルめっきにより、第1ニッケル層31上に、第2ニッケル層32を1〜8μm積層する(電解ニッケルめっき工程 図2のステップS7、図3の(c))。電解ニッケルめっきは、スルファミン酸ニッケル浴または硫酸ニッケル浴を用いる。
Next, the
ここで、無電解ニッケルめっきと電解ニッケルめっきを併用した理由について説明する。まず、クロム膜22はニッケルに比べて電気伝導性が低く電解ニッケルめっきの電極としては適さないため、はじめに無電解ニッケルめっきを施して、第1ニッケル層31を形成した。また、無電解ニッケルめっきは、電解ニッケルめっきに比べて、ニッケルの析出速度が遅いため、生産性を高めるために第2ニッケル層は電解ニッケルめっきで形成した。
Here, the reason which used electroless nickel plating and electrolytic nickel plating together is demonstrated. First, since the
次に、第2ニッケル層32の上に10μm以上の厚さで電解銅めっきを形成する(銅めっき工程 図2のステップS8、図3の(d))。このとき、めっきの厚さは、めっきの積層と同時に銅めっき皮膜が横に広がり、開口12を塞いで一体化する程度にまで行う。
Next, electrolytic copper plating is formed on the
次に、銅めっき層4と、第1ニッケル層31、第2ニッケル層32とともにガラス基材2から剥離する(剥離工程 図2のステップS9、図3の(e))
Next, it peels from the
次に、ガラス基材2から剥離しためっき皮膜を、銅だけを選択的に溶解させ、ニッケルを溶解させないエッチングを行う(エッチング工程 図2のステップS10)。このとき、銅選択性エッチング液としては、アンモニアアルカリ性液や、主成分が過酸化水素水及び硫酸の混合液をエッチング液として用いる。
Next, only the copper is selectively dissolved and the plating film peeled off from the
この発明によれば、専らクロム膜22上にのみ第1ニッケル層31を形成することと、ニッケル薄膜11の厚さTが2〜10μmと薄いため、無電解ニッケルめっき・電解ニッケルめっきにおいて、殆どが縦方向(ガラス基材2のパターン面と垂直方向)に析出し、横方向への析出が少ない異方性めっきが促進されるので、隣接する開口12間の最小距離を短くすることが可能であり、結果として高密度に多くの開口12を形成することが可能となり、精密機器の防塵フィルタをはじめとした各種フィルタとしての機能向上が図れる
According to the present invention, the
また、クロム膜22によりパターン形成されたガラス基材2を母型として用いるため、従来のフォトレジストでパターン形成をしたものよりも精度が高く、さらに繰り返し使用が可能となるので経済的である。
In addition, since the
また、電解ニッケルめっき工程の後、第2ニッケル層32の上に、開口12を塞いで一体化する程度にまで厚く銅めっき層4を形成し、ガラス基材2から一体的に剥離することで、銅めっき層が補強板の役割をし、剥離時における微細パターンニッケル薄膜1の永久変形や破損を防止することが可能となる。
Also, after the electrolytic nickel plating process, the
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本願発明の範囲は以上の実施の形態に限られるものではなく、これと同視しうる他の形態に対しても及ぶ。 The embodiment of the present invention has been described above, but the scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and extends to other embodiments that can be regarded as the same.
例えば、第2乾燥工程の後、電解ニッケルめっき工程の前に、パターン面全体に撥水性皮膜を形成する撥水処理工程を行う。これによれば、ガラス基材のパターン面全体に撥水性皮膜を形成することで、第1ニッケル層上における縦方向以外のめっきの析出が抑制され、さらに異方性めっきが促進されるので、さらに隣接する開口12間の最小距離を短くすることが可能であり、さらに微細かつ高密度な開口パターンを形成することが可能となる。
For example, after the second drying step, before the electrolytic nickel plating step, a water repellent treatment step is performed to form a water repellent film on the entire pattern surface. According to this, by forming the water repellent film on the entire pattern surface of the glass substrate, the deposition of the plating other than in the longitudinal direction on the first nickel layer is suppressed, and the anisotropic plating is further promoted. Furthermore, it is possible to shorten the minimum distance between the
また、銅めっき工程(ステップS8)からエッチング工程(ステップS10)までは、もし単体で微細パターンニッケル薄膜1を安全にガラス基材2から剥離することができれば、必ずしも実施なければならないものではない。
The steps from the copper plating step (step S8) to the etching step (step S10) are not necessarily performed if it is possible to safely peel the fine pattern nickel
また、本実施の形態では、開口12は円形であったが、これに限られるものではなく、三角四角その他多角形でもよい。
Further, in the present embodiment, the
また、無電解ニッケルめっき工程で使用する還元剤は、次亜リン酸ソーダに限らず、その他還元作用のある物質、例えばジメチルアミンボランやホルムアルデヒドも使用できる。ここで、次亜リン酸ソーダを使用した場合に析出するめっきは、ニッケルとホウ素の合金となる。 Further, the reducing agent used in the electroless nickel plating step is not limited to sodium hypophosphite, but other substances having a reducing action such as dimethylamine borane and formaldehyde can also be used. Here, the plating deposited when sodium hypophosphite is used is an alloy of nickel and boron.
また、微細パターンニッケル薄膜1は、微細かつ高密度なパターンで開口11が形成されていることで、比表面積が従来のフィルタに比べて極めて大きくなっているため、表面に、導電性物質層などをコーティングした場合、その相乗効果で非常に大きな効果が得られる。例えば、銀、Ti、または銅を被覆した場合には抗菌機能が、酸化チタンを被覆した場合には光活性機能が得られる。
Further, the fine pattern nickel
また、クロム膜22は一般的にはクロム単体ではなく、クロムの表面に保護皮膜として酸化クロムが被覆されている場合がある。そこで、ステップS2の前に酸化クロム膜をフッ素系の処理液で除去することで、より塩化パラジウムの吸着の選択性が高まり、また第1ニッケル層31の密着性を向上させることが可能となる。
Further, the
本発明の微細パターンニッケル薄膜1は、電気機器や精密機器の防塵フィルタをはじめ、燃料電池のフィルタ、各種液体の精密ろ過用フィルタ、電気泳動による電解質の分離用フィルタ、バクテリアやウィルスの除去などに用いる医療用フィルタ、静電気的吸着力を利用するバイオフィルタ、さらに電磁波シールドなどに広く用いることができる。
The fine-patterned nickel
1 微細パターンニッケル薄膜
11 ニッケルシート
12 開口
2 ガラス基材
21 ガラス板
22 クロム膜
31 第1ニッケル層
32 第2ニッケル層
4 銅めっき層
DESCRIPTION OF
請求項1に記載の発明は、厚さTが2〜10μmのシート状のニッケル薄膜と、前記ニッケル薄膜の面内に形成された複数の開口と、を備え、前記開口間の最短間隔Gと、前記厚さTと、前記開口の最小寸法Dが、T/G≧1、T/D≧1、D/G≧1の関係にある、ことを特徴とする、微細パターンニッケル薄膜である。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の微細パターンニッケル薄膜において、表面に銀、Ti、銅、または酸化チタンがコーティングされている、ことを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、厚さ1〜10mmの平板状のガラスの片面に、厚さ0.05〜1μmのクロム膜が、所定のパターンで形成されたパターン面を有するガラス基材の、前記パターン面に、pHを所定の範囲に調整した塩化パラジウム水溶液を塗布し、前記クロム膜上に選択的に吸着させる工程と、前記塩化パラジウムを、還元剤でパラジウムに還元する還元工程と、前記ガラス基材を水で洗う第1水洗工程と、前記ガラス基材を乾燥させる第1乾燥工程と、無電解ニッケルめっきにより、前記クロム膜上に、第1ニッケル層を1〜2μm析出する無電解ニッケルめっき工程と、前記ガラス基材を水で洗う第2水洗工程と、前記ガラス基材を乾燥させる第2乾燥工程と、電解ニッケルめっきにより、前記第1ニッケル層上に第2ニッケル層を1〜8μm積層する電解ニッケルめっき工程と、前記第1ニッケル層と前記第2ニッケル層からなるニッケル薄膜を前記ガラス基材から剥離する、剥離工程と、を備え、前記ニッケル薄膜の厚さTと、開口間の最短間隔Gと、前記開口の最小寸法Dが、T/G≧1、T/D≧1、D/G≧1の関係にある、ことを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記pHは5.5〜6.5である、ことを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、請求項3または4のいずれか1項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記第2乾燥工程の後、前記電解ニッケルめっき工程の前に、前記パターン面全体に撥水性皮膜を形成する撥水処理工程と、を備えることを特徴とする。
請求項6に記載の発明は、請求項3から5のいずれか1項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記電解ニッケルめっき工程の後、前記剥離工程の前に、前記第2ニッケル層の上に10μm以上の厚さで銅めっきを形成する、銅めっき工程と、前記剥離工程の後に、銅だけを溶解させ、ニッケルを溶解させないエッチング工程と、を備えることを特徴とする。
請求項7に記載の発明は、請求項3から5のいずれか1項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記剥離工程の後に、前記第1ニッケル層及び前記第2ニッケル層の表面に、導電性物質をコーティングするコーティング工程を、備えることを特徴とする。
請求項8に記載の発明は、請求項6に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記エッチング工程の後に、前記第1ニッケル層及び前記第2ニッケル層の表面に、銀、Ti、銅、または酸化チタンをコーティングするコーティング工程を、備えることを特徴とする。
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
The invention according to
Claims (8)
前記ニッケル薄膜の面内に形成された複数の開口と、を備え、
前記開口間の最短間隔Gと、前記厚さTと、前記開口の最小寸法Dが、T/G≧1、T/D≧1、D/G≧1の関係にある、
ことを特徴とする、微細パターンニッケル薄膜。 A sheet-like nickel thin film having a thickness T of 2 to 10 μm,
And a plurality of openings formed in the surface of the nickel thin film,
The shortest distance G between the openings, the thickness T, and the minimum dimension D of the openings have a relationship of T / GG1, T / D ≧ 1, and D / G ≧ 1.
A fine pattern nickel thin film characterized by
ことを特徴とする、請求項1に記載の微細パターンニッケル薄膜。 The surface is coated with a conductive substance,
The fine pattern nickel thin film according to claim 1, characterized in that
前記塩化パラジウムを、還元剤でパラジウムに還元する還元工程と、
前記ガラス基材を水で洗う第1水洗工程と、
前記ガラス基材を乾燥させる第1乾燥工程と、
無電解ニッケルめっきにより、前記クロム膜上に、第1ニッケル層を1〜2μm析出する無電解ニッケルめっき工程と、
前記ガラス基材を水で洗う第2水洗工程と、
前記ガラス基材を乾燥させる第2乾燥工程と、
電解ニッケルめっきにより、前記第1ニッケル層上に第2ニッケル層を1〜8μm積層する電解ニッケルめっき工程と、
前記第1ニッケル層と前記第2ニッケル層からなるニッケル薄膜を前記ガラス基材から剥離する、剥離工程と、
を備え、
前記ニッケル薄膜の厚さTと、開口間の最短間隔Gと、前記開口の最小寸法Dが、T/G≧1、T/D≧1、D/G≧1の関係にある、
ことを特徴とする、微細パターンニッケル薄膜の製造方法。 A pH of the glass substrate having a pattern surface in which a chromium film having a thickness of 0.05 to 1 μm is formed in a predetermined pattern on one side of a 1 to 10 mm thick plate-like glass has a predetermined pH Applying an aqueous solution of palladium chloride adjusted to the range of (1), and selectively adsorbing onto the chromium film;
Reducing the palladium chloride to palladium with a reducing agent;
A first washing step of washing the glass substrate with water;
A first drying step of drying the glass substrate;
An electroless nickel plating step of depositing a first nickel layer by 1 to 2 μm on the chromium film by electroless nickel plating;
A second washing step of washing the glass substrate with water;
A second drying step of drying the glass substrate;
An electrolytic nickel plating step of laminating a second nickel layer on the first nickel layer by 1 to 8 μm by electrolytic nickel plating;
Peeling off a nickel thin film composed of the first nickel layer and the second nickel layer from the glass substrate;
Equipped with
The thickness T of the nickel thin film, the shortest distance G between the openings, and the minimum dimension D of the openings have a relationship of T / G ≧ 1, T / D ≧ 1, and D / G ≧ 1.
A method of producing a fine pattern nickel thin film, characterized in that
ことを特徴とする、請求項3に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。 The pH is 5.5 to 6.5,
The method for producing a fine pattern nickel thin film according to claim 3, characterized in that
を備えることを特徴とする、請求項3または4のいずれか1項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。 A water repellent treatment step of forming a water repellent film on the entire pattern surface after the second drying step and before the electrolytic nickel plating step;
The method for producing a fine-patterned nickel thin film according to any one of claims 3 or 4, comprising:
前記剥離工程の後に、銅だけを溶解させ、ニッケルを溶解させないエッチング工程と、
を備えることを特徴とする、請求項3から5のいずれか1項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。 A copper plating step of forming copper plating with a thickness of 10 μm or more on the second nickel layer after the electrolytic nickel plating step and before the peeling step;
After the peeling step, an etching step in which only copper is dissolved and nickel is not dissolved;
The method for producing a fine pattern nickel thin film according to any one of claims 3 to 5, comprising:
備えることを特徴とする、請求項3から5のいずれか1項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。 After the peeling step, a coating step of coating a conductive material on the surfaces of the first nickel layer and the second nickel layer,
The method for producing a fine pattern nickel thin film according to any one of claims 3 to 5, characterized by comprising.
備えることを特徴とする、請求項6に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。
After the etching step, coating a conductive material on the surfaces of the first nickel layer and the second nickel layer;
The method for producing a fine pattern nickel thin film according to claim 6, comprising the method.
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