JP2019093517A - Method for processing work-piece and grinding/polishing device - Google Patents

Abstract

To provide a method for processing a work-piece and a grinding/polishing device which can make a shape of a surface to be polished flat by suppressing variation in thickness of the work-piece subjected to polishing processing, in performing polishing processing after subjecting the work-piece to grinding processing.SOLUTION: The grinding/polishing device comprises: holding tables 9 having an inclination adjusting mechanism 40 for adjusting an inclination of a rotary shaft 92 of a holding surface 91 holding a wafer 200; a grinding unit for grinding the held wafer 200; a polishing unit for polishing the ground wafer 200; a turn table having the plurality of holding tables 9 arranged; a thickness measuring part 10 for measuring variation in thickness of the polished wafer 200 held on one holding table 9 of the plurality of holding tables; and a control device 100 that drives the inclination adjusting mechanism 40 on the basis of a measured result of the variation in thickness so that a shape of the polished wafer 200 which is held on the one holding table 9 at the next round is made flat, so as to correct the inclination of the rotary shaft 92 of the holding table 9 positioned below the grinding unit.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

板状の被加工物を研削してから研磨する被加工物の加工方法、及び、研削研磨装置に関する。   The present invention relates to a method of processing a workpiece in which a plate-like workpiece is ground and then polished, and a grinding and polishing apparatus.

一般に、半導体デバイスが表面に形成されたシリコンなどからなる半導体ウエーハや、光デバイスが形成されたサファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などからなる光デバイスウエーハなどの各種ウエーハ（被加工物）は、裏面側が研削砥石で研削されて薄化された後、裏面が研磨される。この種のウエーハを加工する研削研磨装置として、ウエーハをそれぞれ保持する複数の保持テーブルと、複数の保持テーブルが配設されるターンテーブルと、ターンテーブルが回転することにより、一の保持テーブルの上方に順次位置づけられる粗研削用の研削手段、仕上げ研削用の研削手段及び研磨手段と、を有し、１枚のウエーハを粗研削、仕上げ研削、研磨、という順序で連続して加工するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この種の研削研磨装置では、保持テーブルは、それぞれウエーハを回転可能に保持する保持面と、この保持面の中心を通る回転軸の傾きを調整する傾き調整部とを備えている。   In general, various wafers (workpieces) such as a semiconductor wafer made of silicon or the like on the surface of which semiconductor devices are formed, an optical device wafer made of sapphire, SiC (silicon carbide) or the like on which optical devices are formed After being ground and thinned with a grinding wheel, the back surface is polished. As a grinding and polishing apparatus for processing a wafer of this type, a plurality of holding tables for holding the wafers, a turntable on which the plurality of holding tables are disposed, and an upper part of one holding table by rotating the turntable. Is known which has a grinding means for rough grinding, a grinding means for finish grinding and a grinding means, which are sequentially positioned in the following order, and one wafer is continuously processed in the order of rough grinding, finish grinding, and polishing. (See, for example, Patent Document 1). In this type of grinding and polishing apparatus, the holding table is provided with a holding surface for rotatably holding the wafer, and an inclination adjusting unit for adjusting the inclination of the rotation axis passing through the center of the holding surface.

特開２００６−３４４８７８号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-344878

従来の研削研磨装置は、仕上げ研削加工後のウエーハの形状を測定し、この測定結果に基づいて、一の保持テーブルの保持面の傾きをフィードバック制御している。このフィードバック制御により、次に一の保持テーブルに保持されるウエーハが仕上げ研削加工後に平坦になるように連続的に加工していた。   The conventional grinding and polishing apparatus measures the shape of the wafer after finish grinding, and feedback controls the inclination of the holding surface of one holding table based on the measurement result. By this feedback control, the wafer held by one holding table is continuously processed so as to be flat after the finish grinding.

しかしながら、仕上げ研削加工時に、ウエーハを平坦に加工していたとしても、研磨加工時の研磨レートが加工枚数の増加に伴い不均一となることがあり、研磨加工後のウエーハの被研磨面の形状が平坦にならないという問題が発生した。例えば、研磨加工の加工枚数が増加すると、研磨手段の研磨パットの中心に徐々に熱が籠っていくため、研磨加工時にウエーハの中心の除去量が多くなる傾向にある。このため、研磨加工後のウエーハは、基準値以上の厚みばらつきが生じて被研磨面が平坦にならないという問題が発生した。   However, even if the wafer is machined flat at the time of finish grinding, the polishing rate at the time of polishing may become uneven as the number of wafers processed increases, and the shape of the surface to be polished of the wafer after polishing Has a problem that is not flat. For example, when the number of polishing processes increases, heat is gradually applied to the center of the polishing pad of the polishing means, so the removal amount of the center of the wafer tends to increase at the time of polishing process. For this reason, the wafer after the polishing process has a problem that the thickness variation more than the reference value occurs and the surface to be polished is not flat.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、研削加工後に研磨加工を行う際に、研磨加工後の被加工物の厚みばらつきを抑えて被研磨面の形状を平坦にできる被加工物の加工方法、及び、研削研磨装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and it is possible to make the shape of the surface to be polished flat by suppressing the thickness variation of the workpiece after the grinding processing when performing the grinding processing after the grinding processing It is an object of the present invention to provide a processing method and a grinding and polishing apparatus.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、被加工物を回転可能に保持する保持面を有し、該保持面の回転軸の傾きを調整可能に構成された保持テーブルと、該保持テーブルの保持面に保持された該被加工物を研削する研削手段と、該研削手段によって研削された該被加工物を研磨する研磨手段と、該保持テーブルを複数配設した回転可能なターンテーブルと、を少なくとも備える研削研磨装置によって該被加工物を加工する被加工物の加工方法であって、一の保持テーブルの該保持面に保持された被加工物を該研削手段で所定の厚さへと薄化する研削ステップと、該研削ステップの実施後、該ターンテーブルを回転させて一の該保持テーブルを該研磨手段の下に位置づけ、該研磨手段によって被加工物を研磨する研磨ステップと、該研磨ステップの実施後、該被加工物の厚みばらつきを測定する厚み測定ステップと、該厚み測定ステップで測定された該厚みばらつきの結果から、一の該保持テーブルに次に保持される被加工物の該研磨ステップ実施後の形状が平坦になるように、該研削ステップにおける該回転軸の傾きを補正する傾き補正ステップと、を備えるものである。   In order to solve the problems described above and to achieve the object, the present invention has a holding surface for rotatably holding a workpiece, and a holding table configured to be capable of adjusting the inclination of the rotation axis of the holding surface. A grinding means for grinding the workpiece held by the holding surface of the holding table, a grinding means for grinding the workpiece ground by the grinding means, and a rotation provided with a plurality of the holding tables A processing method for processing a workpiece by a grinding and polishing apparatus comprising at least a possible turntable, the workpiece held by the holding surface of one holding table being treated by the grinding means After the grinding step of thinning to a predetermined thickness and the execution of the grinding step, the turntable is rotated to position one holding table under the polishing means, and the workpiece is polished by the polishing means Polishing step And, after the execution of the polishing step, the thickness measurement step of measuring the thickness variation of the workpiece and the result of the thickness variation measured in the thickness measurement step are subsequently held in one of the holding tables And a tilt correction step of correcting the tilt of the rotation axis in the grinding step so that the shape of the workpiece after the polishing step is performed becomes flat.

この構成によれば、研磨ステップ後に測定された被加工物の厚みばらつきによって、研削加工時の保持テーブルの回転軸の傾きを補正するため、研磨加工後の被加工物の厚みばらつきを基準値以下に抑えることができる。このため、加工枚数が増えたとしても、研磨加工後の被加工面を平坦な形状に保つことができる。ここで、平坦とは、測定された被加工物の厚みばらつき、すなわち被加工物の厚みの最大測定値と最小想定値との差が所定の基準値以下にあることをいう。   According to this configuration, the thickness variation of the workpiece after grinding is equal to or less than the reference value in order to correct the inclination of the rotary shaft of the holding table during grinding due to the thickness variation of the workpiece measured after the polishing step. Can be reduced to For this reason, even if the number of processing is increased, it is possible to maintain the processed surface after polishing in a flat shape. Here, "flat" means that the measured thickness variation of the workpiece, that is, the difference between the maximum measured value and the minimum assumed value of the thickness of the workpiece is less than or equal to a predetermined reference value.

この構成において、該厚み測定ステップで測定された該厚みばらつきが所定の基準値よりも大きいか否かを判定する判定ステップを備え、該判定ステップで該厚みばらつきが該基準値よりも大きいと判定された場合、該傾き補正ステップを実施し、該判定ステップで該厚みばらつきが該基準値以下と判定された場合、該厚みばらつきの値に応じて、該厚み測定ステップを実施する頻度を変更してもよい。この構成によれば、被加工物の厚みばらつきが基準値以下、すなわち、被加工物が平坦である場合には、厚みばらつきを測定する頻度を変更するため、被加工物の加工精度を保持しつつ加工時間の短縮を図り、加工性の向上を実現できる。   In this configuration, a determination step is performed to determine whether the thickness variation measured in the thickness measurement step is larger than a predetermined reference value, and it is determined in the determination step that the thickness variation is larger than the reference value. If it is determined, the inclination correction step is performed, and if the thickness variation is determined to be less than the reference value in the determination step, the frequency of performing the thickness measurement step is changed according to the value of the thickness variation. May be According to this configuration, when the thickness variation of the workpiece is equal to or less than the reference value, that is, when the workpiece is flat, the processing accuracy of the workpiece is maintained to change the frequency of measuring the thickness variation. At the same time, the processing time can be shortened and the processability can be improved.

また、本発明に係る研削研磨装置は、被加工物を回転可能に保持する保持面と該保持面の回転軸の傾きを調整する傾き調整部とを有する保持テーブルと、該保持テーブルの保持面に保持された該被加工物を研削する研削手段と、該研削手段によって研削された該被加工物を研磨する研磨手段と、該保持テーブルを複数配設した回転可能なターンテーブルと、一の保持テーブルの該保持面に保持された研磨後の該被加工物の厚みばらつきを測定する厚み測定部と、該厚み測定部が測定した該厚みばらつきの結果から、一の該保持テーブルに次に保持される被加工物の研磨後の形状が平坦になるように、該傾き調整部を駆動させて、該研削手段の下に位置する該保持テーブルの回転軸の傾きを補正する制御部と、を備えるものである。   Further, a grinding and polishing apparatus according to the present invention includes a holding table having a holding surface for rotatably holding a workpiece and an inclination adjusting unit for adjusting the inclination of the rotation axis of the holding surface, and the holding surface of the holding table. A grinding means for grinding the workpiece held by the workpiece, a grinding means for grinding the workpiece ground by the grinding means, a rotatable turntable provided with a plurality of the holding tables, Based on the result of the thickness variation measured by the thickness measuring unit for measuring the thickness variation of the work after polishing held on the holding surface of the holding table, next to the one holding table A control unit configured to drive the tilt adjusting unit so as to flatten the shape of the workpiece to be held after polishing, and to correct the tilt of the rotation axis of the holding table located below the grinding unit; Is provided.

この構成によれば、制御部は、研磨加工後に測定された被加工物の厚みばらつきによって、研削加工時の保持テーブルの回転軸の傾きを補正するため、研磨加工後の被加工物の厚みばらつきを基準値以下に抑えることができる。このため、加工枚数が増えたとしても、研磨加工後の被加工面を平坦な形状に保つことができる。   According to this configuration, the control unit corrects the inclination of the rotation axis of the holding table at the time of grinding due to the thickness unevenness of the workpiece measured after the grinding, so that the thickness unevenness of the workpiece after the grinding Can be kept below the standard value. For this reason, even if the number of processing is increased, it is possible to maintain the processed surface after polishing in a flat shape.

本発明によれば、研磨加工後に測定された被加工物の厚みばらつきによって、研削加工時の保持テーブルの回転軸の傾きを補正するため、研磨加工後の被加工物の厚みばらつきを基準値以下に抑えることができる。このため、加工枚数が増えたとしても、研磨加工後の被加工面を平坦な形状に保つことができる。   According to the present invention, the thickness variation of the workpiece after grinding is equal to or less than the reference value in order to correct the inclination of the rotating shaft of the holding table during grinding due to the thickness variation of the workpiece measured after polishing Can be reduced to For this reason, even if the number of processing is increased, it is possible to maintain the processed surface after polishing in a flat shape.

図１は、本実施形態に係る被加工物の加工方法の加工対象であるウエーハの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a wafer to be processed by the method of processing a workpiece according to the present embodiment. 図２は、本実施形態に係る研削研磨装置の構成例の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a configuration example of the grinding and polishing apparatus according to the present embodiment. 図３は、図２に示す研削研磨装置の研磨ユニットの構成例の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a configuration example of a polishing unit of the grinding and polishing apparatus shown in FIG. 図４は、図２に示す研削研磨装置の厚み測定部の構成例の平面図である。FIG. 4 is a plan view of a configuration example of a thickness measurement unit of the grinding and polishing apparatus shown in FIG. 図５は、図２に示す研削研磨装置の保持テーブル及び傾き調整機構を示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing a holding table and an inclination adjusting mechanism of the grinding and polishing apparatus shown in FIG. 図６は、仕上げ研磨ユニットに対して保持テーブルを傾けた状態を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic view showing a state in which the holding table is inclined with respect to the finish polishing unit. 図７は、図５に示す傾き調整機構を構成する位置調整ユニットの配置例を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing an example of arrangement of position adjustment units constituting the tilt adjustment mechanism shown in FIG. 図８は、本実施形態に係る被加工物であるウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。FIG. 8 is a flow chart showing the procedure of a method of processing a wafer which is a workpiece according to the present embodiment. 図９は、断面形状が中凹形状となったウエーハの断面模式図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a wafer whose cross-sectional shape is concave. 図１０は、仕上げ研削後のウエーハの形状を中凹形状とするように保持テーブルを傾けた状態を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic view showing a state in which the holding table is inclined so as to make the shape of the wafer after finish grinding into a concave shape. 図１１は、断面形状が中凸形状となったウエーハの断面模式図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a wafer whose cross-sectional shape is a convex shape. 図１２は、仕上げ研削後のウエーハの形状を中凸形状とするように保持テーブルを傾けた状態を示す模式図である。FIG. 12 is a schematic view showing a state in which the holding table is inclined so as to make the shape of the wafer after finish grinding be a convex shape.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。   A mode (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. Further, the components described below include those which can be easily conceived by those skilled in the art and those which are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions, or modifications of the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.

本実施形態について図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態に係る被加工物の加工方法の加工対象であるウエーハの斜視図である。図２は、本実施形態に係る研削研磨装置の構成例の斜視図である。図３は、図２に示す研削研磨装置の研磨ユニットの構成例の斜視図である。図４は、図２に示す研削研磨装置の厚み測定部の構成例の平面図である。図５は、図２に示す研削研磨装置の保持テーブル及び傾き調整機構を示す側面図である。図６は、仕上げ研磨ユニットに対して保持テーブルを傾けた状態を示す模式図である。図７は、図５に示す傾き調整機構を構成する位置調整ユニットの配置例を示す平面図である。   The present embodiment will be described based on the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a wafer to be processed by the method of processing a workpiece according to the present embodiment. FIG. 2 is a perspective view of a configuration example of the grinding and polishing apparatus according to the present embodiment. FIG. 3 is a perspective view of a configuration example of a polishing unit of the grinding and polishing apparatus shown in FIG. FIG. 4 is a plan view of a configuration example of a thickness measurement unit of the grinding and polishing apparatus shown in FIG. FIG. 5 is a side view showing a holding table and an inclination adjusting mechanism of the grinding and polishing apparatus shown in FIG. FIG. 6 is a schematic view showing a state in which the holding table is inclined with respect to the finish polishing unit. FIG. 7 is a plan view showing an example of arrangement of position adjustment units constituting the tilt adjustment mechanism shown in FIG.

本実施形態に係る被加工物の加工方法は、図１に示すウエーハ（被加工物）２００の裏面２０１を研削及び研磨する加工方法であって、ウエーハ２００を所定の仕上げ厚さに薄化する方法である。ウエーハ２００は、例えば、シリコンを母材とする円板状の半導体ウエーハやサファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などを母材とする光デバイスウエーハである。ウエーハ２００は、図１に示すように、表面２０２に形成された格子状の分割予定ライン２０３に区画された複数の領域にデバイス２０４が形成されている。ウエーハ２００は、図２に示すように、表面２０２に保護部材２０５が貼着された状態で、研削研磨装置１によって裏面２０１に研削が施されて、所定の厚さまで薄化された後に、該裏面２０１に研磨が施される。保護部材２０５は、ウエーハ２００と同じ大きさの円板状に形成され、可撓性を有する合成樹脂により構成されている。   The method of processing a workpiece according to the present embodiment is a processing method of grinding and polishing the back surface 201 of a wafer (workpiece) 200 shown in FIG. 1, and thins the wafer 200 to a predetermined finished thickness. It is a method. The wafer 200 is, for example, a disk-shaped semiconductor wafer having silicon as a base material, or an optical device wafer having sapphire, SiC (silicon carbide) or the like as a base material. In the wafer 200, as shown in FIG. 1, the devices 204 are formed in a plurality of areas divided into grid-like planned division lines 203 formed on the surface 202. In the wafer 200, as shown in FIG. 2, the back surface 201 is ground by the grinding and polishing apparatus 1 in a state where the protective member 205 is attached to the surface 202, and the wafer 200 is thinned to a predetermined thickness. The back surface 201 is polished. The protective member 205 is formed in a disk shape having the same size as the wafer 200, and is made of a flexible synthetic resin.

研削研磨装置１は、図２に示すように、装置本体２と、粗研削ユニット（研削手段）３と、仕上げ研削ユニット（研削手段）４と、研磨ユニット（研磨手段）５と、ターンテーブル８上に設置された例えば４つの保持テーブル９（９ａ〜９ｄ）と、厚み測定部１０と、カセット１１，１２と、ポジションテーブル１３と、搬送アーム１５と、ロボットピック１６と、スピンナー洗浄装置１７と、制御装置（制御部）１００とを主に備えている。研削研磨装置１は、フルオートタイプの加工装置であり、制御装置１００の制御の下、ウエーハ２００に対して、粗研削加工、仕上げ研削加工、研磨加工、洗浄処理、及び搬入搬出処理からなる一連の作業を全自動で実施するように構成されている。   As shown in FIG. 2, the grinding and polishing apparatus 1 includes an apparatus main body 2, a rough grinding unit (grinding means) 3, a finish grinding unit (grinding means) 4, a grinding unit (grinding means) 5, and a turntable 8. For example, four holding tables 9 (9a to 9d) installed on the top, the thickness measuring unit 10, the cassettes 11, 12, the position table 13, the transport arm 15, the robot pick 16, the spinner cleaning device 17 and , And a control unit (control unit) 100. The grinding and polishing apparatus 1 is a fully automatic type processing apparatus, and is a series of rough grinding, finish grinding, polishing, cleaning, and carrying in / out processing on the wafer 200 under the control of the control device 100. It is configured to carry out the work of fully automated.

粗研削ユニット３は、スピンドル３ａの下端に装着された円盤状のホイールマウント３ｂと、このホイールマウント３ｂの下面に装着された粗研削ホイール３ｃとを備える。粗研削ホイール３ｃは、多数の粗研削用の研削砥石（不図示）を有し、これら研削砥石が環状に配置されてホイールマウント３ｂの下面に固着されている。また、粗研削ユニット３は、保持テーブル９に対して上下に移動可能に配置されている。粗研削ユニット３は、スピンドル３ａを介して粗研削ホイール３ｃを回転させながら、保持テーブル９に保持されたウエーハ２００の裏面２０１に研削砥石を押圧することによって、該ウエーハ２００の裏面２０１を粗研削加工する。   The rough grinding unit 3 includes a disk-shaped wheel mount 3 b mounted on the lower end of the spindle 3 a and a rough grinding wheel 3 c mounted on the lower surface of the wheel mount 3 b. The rough grinding wheel 3c has a large number of grinding wheels (not shown) for rough grinding, and these grinding wheels are annularly arranged and fixed to the lower surface of the wheel mount 3b. In addition, the rough grinding unit 3 is disposed movably in the vertical direction with respect to the holding table 9. The rough grinding unit 3 roughly grinds the back surface 201 of the wafer 200 by pressing the grinding wheel against the back surface 201 of the wafer 200 held by the holding table 9 while rotating the rough grinding wheel 3 c via the spindle 3 a. Process

仕上げ研削ユニット４は、粗研削ユニット３と同様に、スピンドル４ａの下端に装着された円盤状のホイールマウント４ｂと、このホイールマウント４ｂの下面に装着された仕上げ研削ホイール４ｃとを備える。仕上げ研削ホイール４ｃは、多数の仕上げ研削用の研削砥石４ｄ（図６）を有し、これら研削砥石４ｄが環状に配置されてホイールマウント４ｂの下面に固着されている。仕上げ研削用の研削砥石４ｄは、粗研削用の砥石と比べて、粒径の細かい砥粒を結合剤で固めて成形されている。仕上げ研削ユニット４は、粗研削ユニット３と同様に、保持テーブル９に対して上下に移動可能に配置されている。仕上げ研削ユニット４は、スピンドル４ａを介して回転軸４３（図６）を中心に仕上げ研削ホイール４ｃを回転させながら、保持テーブル９に保持されたウエーハ２００の裏面２０１に研削砥石４ｄを押圧することによって、該ウエーハ２００の裏面２０１を仕上げ研削加工する。   Similar to the rough grinding unit 3, the finish grinding unit 4 includes a disk-shaped wheel mount 4b mounted to the lower end of the spindle 4a, and a finish grinding wheel 4c mounted to the lower surface of the wheel mount 4b. The finishing grinding wheel 4c has a large number of grinding wheels 4d (FIG. 6) for finishing grinding, and these grinding wheels 4d are annularly arranged and fixed to the lower surface of the wheel mount 4b. The grinding wheel 4d for finish grinding is formed by solidifying abrasive grains having a smaller particle size with a bonding agent as compared with a grinding wheel for rough grinding. Similar to the rough grinding unit 3, the finish grinding unit 4 is disposed movably up and down relative to the holding table 9. The finishing grinding unit 4 presses the grinding wheel 4 d against the back surface 201 of the wafer 200 held by the holding table 9 while rotating the finishing grinding wheel 4 c about the rotating shaft 43 (FIG. 6) via the spindle 4 a. The finish grinding process is performed on the back surface 201 of the wafer 200.

研磨ユニット５は、図３に示すように、スピンドル５ａの下端に研磨マウント５ｂを介して装着された研磨パッド５ｃを備える。研磨パッド５ｃは、スピンドル５ａと共に回転しながら、保持テーブル９（図２）に保持された仕上げ研削加工後のウエーハ２００の裏面２０１に押圧することによって、該ウエーハ２００の裏面２０１を研磨加工する。研磨パッド５ｃは、研磨対象となるウエーハ２００の形状に追従して変形し、研磨パッド５ｃの下面は、ウエーハ２００の裏面２０１に接触して該裏面２０１の研磨面となる。研磨ユニット５は、この研磨ユニット５を移動する移動機構６を備える。移動機構６は、研磨ユニット５を水平方向（研磨パッド５ｃの径方向、図２、３ではＸ軸方向）および垂直方向（スピンドル５ａの軸方向、図２、３ではＺ軸方向）に移動させることができる。また、研磨ユニット５には、図示は省略するが、研磨加工時に、ウエーハ２００の裏面２０１に研磨液または洗浄液を選択的に供給する加工液供給ユニットが接続されている。   As shown in FIG. 3, the polishing unit 5 includes a polishing pad 5c mounted on the lower end of the spindle 5a via a polishing mount 5b. The polishing pad 5c polishes the back surface 201 of the wafer 200 by pressing it against the back surface 201 of the wafer 200 after finish grinding processed on the holding table 9 (FIG. 2) while rotating with the spindle 5a. The polishing pad 5c is deformed following the shape of the wafer 200 to be polished, and the lower surface of the polishing pad 5c contacts the back surface 201 of the wafer 200 to be the polished surface of the back surface 201. The polishing unit 5 includes a moving mechanism 6 for moving the polishing unit 5. The moving mechanism 6 moves the polishing unit 5 in the horizontal direction (radial direction of the polishing pad 5c, in FIGS. 2 and 3 in the X-axis direction) and in the vertical direction (axial direction of the spindle 5a, in FIG. be able to. Further, although not shown, a polishing fluid supply unit is connected to the polishing unit 5 to selectively supply the polishing fluid or the cleaning fluid to the back surface 201 of the wafer 200 at the time of polishing.

ターンテーブル８は、図２に示すように、装置本体２の上面に設けられた円盤状のテーブルであり、水平方向（図中矢印Ｒ方向）に回転可能に設けられ、所定のタイミングで回転駆動される。このターンテーブル８上には、例えば、４つの保持テーブル９（９ａ〜９ｄ）が、例えば９０度の位相角で等間隔に配設されている。また、ターンテーブル８上には、例えば、研磨加工後のウエーハ２００の厚みを測定する厚み測定部１０が設けられている。この厚み測定部１０は、ターンテーブル８に立設する支柱１０ｃと、この支柱１０ｃの上端部から水平方向に延びるアーム１０ｂと、このアーム１０ｂの先端に固定される計測ヘッド１０ａとを備える。この計測ヘッド１０ａは、例えば、ウエーハ２００の裏面２０１に向けて、超音波を放射してその反射時間からウエーハ２００の裏面２０１の高さ位置を測定する。この場合、計測ヘッド１０ａから保持テーブル９までの距離は事前に計測して既知となっているため、計測した高さ位置との差分値からウエーハ２００の厚みを測定することができる。また、本実施形態では、厚み測定部１０は、計測ヘッド１０ａがウエーハ２００の中央を通過するようにしてウエーハ２００の中心２００Ａから外周部２００Ｂまでの片側の半径領域で円弧状（矢印ＲＡ）に移動させ、その移動軌跡の複数点（例えば３点）での厚みを測定し、制御装置１００に送信する。制御装置１００は、受信した測定値に基づき、ウエーハ２００の反対側の半径領域は対称形状とみなして全体の断面形状を算出する。   The turntable 8 is a disk-shaped table provided on the upper surface of the apparatus body 2 as shown in FIG. 2 and is provided rotatably in the horizontal direction (the direction of the arrow R in the drawing) Be done. For example, four holding tables 9 (9a to 9d) are disposed on the turntable 8 at equal intervals, for example, at a phase angle of 90 degrees. Further, on the turntable 8, for example, a thickness measurement unit 10 for measuring the thickness of the wafer 200 after the polishing process is provided. The thickness measuring unit 10 includes a support 10c standing on the turntable 8, an arm 10b extending horizontally from the upper end of the support 10c, and a measuring head 10a fixed to the tip of the arm 10b. The measuring head 10 a emits, for example, ultrasonic waves toward the back surface 201 of the wafer 200, and measures the height position of the back surface 201 of the wafer 200 from the reflection time. In this case, since the distance from the measuring head 10a to the holding table 9 is known in advance by measurement, the thickness of the wafer 200 can be measured from the difference value with the measured height position. Further, in the present embodiment, the thickness measuring unit 10 forms an arc (arrow RA) in a radius region on one side from the center 200A of the wafer 200 to the outer peripheral portion 200B such that the measuring head 10a passes through the center of the wafer 200. The thickness is moved at a plurality of points (for example, three points) of the movement trajectory, and transmitted to the control device 100. Based on the received measurement values, controller 100 considers the opposite radius area of wafer 200 to be symmetrical and calculates the overall cross-sectional shape.

保持テーブル９は、図５に示すように、ウエーハ２００の表面２０２側を、保護部材２０５を介して保持する保持面９１と、保持面９１の中心を通る図５中に一点鎖線で示す回転軸９２と、この回転軸９２を鉛直方向に対して傾斜させる傾き調整機構（傾き調整手段）４０とを備える。保持テーブル９は、保持面９１に真空チャックを備えた構造であり、保持面９１に載置されたウエーハ２００を真空吸着して保持する。   As shown in FIG. 5, the holding table 9 holds the front surface 202 side of the wafer 200 via the protection member 205, and a rotation axis shown by a dashed dotted line in FIG. 5 passing the center of the holding surface 91. 92 and an inclination adjusting mechanism (inclination adjusting means) 40 for inclining the rotation shaft 92 with respect to the vertical direction. The holding table 9 has a structure in which a holding surface 91 is provided with a vacuum chuck, and holds the wafer 200 placed on the holding surface 91 by vacuum suction.

保持面９１は、図６に詳細に示すように、外周部９１Ｂが中心９１Ａに比べて僅かに低い円錐状に形成されている。即ち、保持面９１は、中心９１Ａを頂点とした円錐面に形成されて、中心９１Ａから外周部９１Ｂに向けて下降する傾斜を有する斜面に形成されている。保持テーブル９は、加工対象のウエーハ２００を保持面９１の円錐面にならって保持する。なお、図６は、保持面９１の円錐面の傾斜を誇張して示しているが、保持面９１の円錐面の傾斜は、実際には肉眼では認識できないほどの僅かな傾斜である。   As shown in detail in FIG. 6, the holding surface 91 is formed in a conical shape whose outer peripheral portion 91B is slightly lower than the center 91A. That is, the holding surface 91 is formed in the conical surface which made the center 91A the vertex, and is formed in the slope which has the inclination which descend | falls toward the outer peripheral part 91B from the center 91A. The holding table 9 holds the wafer 200 to be processed following the conical surface of the holding surface 91. Although FIG. 6 illustrates the inclination of the conical surface of the holding surface 91 in an exaggerated manner, the inclination of the conical surface of the holding surface 91 is actually a slight inclination that can not be recognized by the naked eye.

傾き調整機構４０は、各保持テーブル９に取り付けられている。傾き調整機構４０は、図５に示すように、回転軸９２の鉛直方向（Ｚ方向）に対する傾きθ（図６）を変更（調整）するためのものである。傾き調整機構４０は、図５に示すように、支持台２２と、支持台２２に連結された位置調整ユニット２３とを備える。支持台２２は、図示しない軸受を介して保持テーブル９を回転自在に支持する円筒状に形成された支持筒部２２０と、支持筒部２２０から拡径したフランジ部２２１とを備える。傾き調整機構４０は、フランジ部２２１の傾きを調整することにより、回転軸９２の傾きθを調整する。   The tilt adjustment mechanism 40 is attached to each holding table 9. The inclination adjusting mechanism 40 is for changing (adjusting) the inclination θ (FIG. 6) with respect to the vertical direction (Z direction) of the rotation shaft 92 as shown in FIG. As shown in FIG. 5, the tilt adjustment mechanism 40 includes a support 22 and a position adjustment unit 23 connected to the support 22. The support base 22 includes a cylindrical support cylindrical portion 220 rotatably supporting the holding table 9 via a bearing (not shown), and a flange portion 221 whose diameter is increased from the support cylindrical portion 220. The inclination adjustment mechanism 40 adjusts the inclination θ of the rotating shaft 92 by adjusting the inclination of the flange portion 221.

位置調整ユニット２３は、図７に示すように、フランジ部２２１の円弧に沿って、等間隔に２つ以上設けられている。本実施形態において、傾き調整機構４０は、１２０度間隔で２つの位置調整ユニット２３と、フランジ部２２１を固定する固定部２３ａとを配置しているが、本発明では、位置調整ユニット２３を３つ以上配置しても良い。   As shown in FIG. 7, two or more position adjustment units 23 are provided at equal intervals along the arc of the flange portion 221. In the present embodiment, the tilt adjusting mechanism 40 arranges the two position adjusting units 23 and the fixing portion 23 a for fixing the flange portion 221 at an interval of 120 degrees. However, in the present invention, the position adjusting unit 23 is three. You may arrange three or more.

位置調整ユニット２３は、図５に示すように、ターンテーブル８に固定された筒部２３０と、筒部２３０を貫通するシャフト２３１と、シャフト２３１の下端に連結された駆動部２３２と、シャフト２３１の上端においてフランジ部２２１に固定された固定部２３３とを備える。駆動部２３２は、シャフト２３１を回転させるモータ２３２ａと、シャフト２３１の回転速度を弱めるとともにターンテーブル８に固定された減速機２３２ｂとを備える。   As shown in FIG. 5, the position adjustment unit 23 includes a cylindrical portion 230 fixed to the turntable 8, a shaft 231 penetrating the cylindrical portion 230, a drive portion 232 connected to the lower end of the shaft 231, and a shaft 231. And a fixing portion 233 fixed to the flange portion 221 at the upper end of the frame. The drive unit 232 includes a motor 232 a that rotates the shaft 231, and a reduction gear 232 b that reduces the rotational speed of the shaft 231 and is fixed to the turntable 8.

固定部２３３は、シャフト２３１の上端部に形成された図示しない雄ねじが螺合する図示しない雌ねじが設けられている。位置調整ユニット２３は、モータ２３２ａが減速機２３２ｂを介してシャフト２３１を軸心回りに回転することで、回転軸９２の傾きθを調整する。また、ターンテーブル８には、保持テーブル９を、回転軸９２を中心に回転するモータ２４が取り付けられている。   The fixing portion 233 is provided with a female screw (not shown) with which a male screw (not shown) formed on the upper end portion of the shaft 231 is screwed. The position adjustment unit 23 adjusts the inclination θ of the rotation shaft 92 by the motor 232a rotating the shaft 231 around the axis via the reduction gear 232b. Further, a motor 24 that rotates the holding table 9 around the rotation shaft 92 is attached to the turntable 8.

保持テーブル９は、研削時及び研磨時には、回転軸９２を中心として、モータ２４により回転駆動される。このような保持テーブル９ａ〜９ｄは、ターンテーブル８の回転によって、図２に示すように、搬入搬出領域Ａ、粗研削領域Ｂ、仕上げ研削領域Ｃ、研磨領域Ｄの順番に移動して周回する。   The holding table 9 is rotationally driven by the motor 24 about the rotation shaft 92 at the time of grinding and polishing. Such holding tables 9a to 9d are moved and circulated in the order of loading / unloading area A, rough grinding area B, finish grinding area C, and polishing area D as shown in FIG. .

カセット１１，１２は、図２に示すように、複数のスロットを有するウエーハ２００用の収容器である。一方のカセット１１は、研削研磨前のウエーハ２００を収容し、他方のカセット１２は、研磨加工後のウエーハ２００を収容する。ポジションテーブル１３は、カセット１１から取り出されたウエーハ２００が仮置きされて、その中心位置合わせを行うためのテーブルである。   The cassettes 11 and 12 are containers for a wafer 200 having a plurality of slots as shown in FIG. One cassette 11 accommodates the wafer 200 before grinding and polishing, and the other cassette 12 accommodates the wafer 200 after polishing processing. The position table 13 is a table on which the wafer 200 taken out of the cassette 11 is temporarily placed to perform center alignment.

搬送アーム１５は、水平方向（Ｙ軸方向）に移動可能に構成されており、ポジションテーブル１３に載置された研削研磨前のウエーハ２００を搬送して、搬入搬出領域Ａに位置する保持テーブル９ａに載置する。また、搬送アーム１５は、再び搬入搬出領域Ａに位置する保持テーブル９ａに載置された研磨後のウエーハ２００を搬送して、スピンナー洗浄装置１７のスピンナーテーブルに載置する。   The transport arm 15 is configured to be movable in the horizontal direction (Y-axis direction), transports the wafer 200 before grinding and polishing placed on the position table 13, and holds the holding table 9 a positioned in the loading / unloading area A. Place on Further, the transfer arm 15 transfers the polished wafer 200 placed on the holding table 9 a located in the loading / unloading area A again, and places the wafer 200 on the spinner table of the spinner cleaning device 17.

ロボットピック１６は、ウエーハ保持部（例えば，Ｕ字型ハンド）１６Ａを備え、このウエーハ保持部１６Ａによってウエーハ２００を吸着保持して搬送する。具体的には、ロボットピック１６は、研削研磨前のウエーハ２００をカセット１１からポジションテーブル１３へ搬送する。また、研磨後のウエーハ２００をスピンナー洗浄装置１７からカセット１２へ搬送する。スピンナー洗浄装置１７は、研磨後のウエーハ２００を洗浄して、研削および研磨された加工面に付着している研削屑や研磨屑等のコンタミネーションを除去する。   The robot pick 16 includes a wafer holding unit (for example, a U-shaped hand) 16A, and the wafer holding unit 16A sucks and holds the wafer 200 and transports the wafer 200. Specifically, the robot pick 16 transports the wafer 200 before grinding and polishing from the cassette 11 to the position table 13. Further, the wafer 200 after polishing is transferred from the spinner cleaning device 17 to the cassette 12. The spinner cleaning apparatus 17 cleans the wafer 200 after polishing, and removes contamination such as grinding debris and polishing debris adhering to the ground and polished processing surface.

制御装置１００は、研削研磨装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御装置１００は、ウエーハ２００に対する研削研磨動作を研削研磨装置１に実行させるものである。制御装置１００は、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御装置１００は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理部１０１と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶部１０２と、入出力インタフェース装置とを有する。演算処理部１０１は、ＲＯＭに記憶されているコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行して、研削研磨装置１を制御するための制御信号を生成し、生成された制御信号は入出力インタフェース装置を介して研削研磨装置１の各構成要素に出力される。   The control device 100 controls the above-described components of the grinding and polishing device 1. That is, the control device 100 causes the grinding and polishing apparatus 1 to execute the grinding and polishing operation on the wafer 200. The control device 100 is a computer capable of executing a computer program. The control device 100 includes an operation processing unit 101 having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage unit 102 having a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory), And an interface device. The arithmetic processing unit 101 executes a computer program stored in the ROM on the RAM to generate a control signal for controlling the grinding and polishing apparatus 1, and the generated control signal is transmitted via the input / output interface device. It is output to each component of the grinding and polishing apparatus 1.

また、本実施形態の記憶部１０２には、研磨加工後に厚み測定部１０によって測定されたウエーハ２００の厚みデータと、これら厚みデータに基づく厚みばらつき、及び、ウエーハ２００の形状に関するデータとが記憶されている。また、記憶部１０２には、演算処理部１０１が上記厚みばらつきの結果に基づいて算出した、保持テーブル９の回転軸９２の傾きθの補正値が記憶されている。この厚みばらつきは、ウエーハ２００の厚みの最大値と最小値との差であり、ウエーハ２００の形状に関するデータは、研磨後のウエーハ２００の形状が、（１）中心２００Ａが最も薄く、外周部２００Ｂに向かってって次第に厚みが厚くなる中凹形状、（２）中心２００Ａが最も厚く、外周部２００Ｂに向かって次第に厚みが薄くなる中凸形状に関するデータである。例えば、研磨加工の加工枚数が増加すると、研磨ユニット５の研磨パット５ｃの中心に徐々に熱が籠っていくため、研磨加工時にウエーハ２００の中心の除去量が多くなり、中凹形状となる傾向にある。また、例えば、研磨ユニット５のスピンドル５ａの回転数が大きいと、研磨パッド５ｃとウエーハ２００外周部２００Ｂとの接触の衝撃が大きくなるため、研磨加工時にウエーハ２００の外周部２００Ｂの除去量が多くなり、中凸形状となる傾向にある。   In addition, the storage unit 102 of the present embodiment stores thickness data of the wafer 200 measured by the thickness measurement unit 10 after polishing, thickness variation based on the thickness data, and data regarding the shape of the wafer 200. ing. Further, the storage unit 102 stores a correction value of the inclination θ of the rotation shaft 92 of the holding table 9 calculated by the calculation processing unit 101 based on the result of the thickness variation. This variation in thickness is the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness of the wafer 200. The data on the shape of the wafer 200 is as follows: (1) The shape of the wafer 200 after polishing is (1) the thinnest at the center 200A; The data is related to a concave shape in which the thickness gradually increases toward (2), and a convex shape in which the center 200A is the thickest and the thickness gradually decreases toward the outer peripheral portion 200B. For example, when the number of polishing processes is increased, heat is gradually applied to the center of the polishing pad 5c of the polishing unit 5, so the removal amount of the center of the wafer 200 increases at the time of polishing process and the concave shape tends to be formed. It is in. Further, for example, when the number of rotations of spindle 5a of polishing unit 5 is large, the impact of contact between polishing pad 5c and wafer 200 outer peripheral portion 200B becomes large, so the removal amount of outer peripheral portion 200B of wafer 200 is large during polishing processing. Tends to be a convex shape.

また、補正値は、先の周回において、一の保持テーブル９ａに保持されて研磨された後のウエーハ２００の形状に基づき、次の周回において、研磨後にウエーハ２００が平坦となるように、仕上げ研削ユニット４に対する一の保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθを設定するための補正値である。例えば、先の周回において、研磨後のウエーハ２００の形状が中凹形状であった場合、次の周回において、仕上げ研削ユニット４に対する一の保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθは、仕上げ研削後のウエーハ２００の形状を、上記した中凹形状を逆形状に反転させた中凸形状とする傾きθに補正される。これにより、中凸形状のウエーハ２００をそのまま研磨することで、研磨後のウエーハ２００が平坦となる。ここで、平坦とは、測定されたウエーハ２００の厚みばらつき、すなわちウエーハ２００の厚みの最大値と最小値との差が所定の基準値以下にあることをいう。   In addition, the correction value is a final grinding so that the wafer 200 becomes flat after polishing in the next cycle based on the shape of the wafer 200 held and polished by one holding table 9 a in the first cycle. This is a correction value for setting the inclination θ of the rotary shaft 92 of one holding table 9 a with respect to the unit 4. For example, when the shape of the wafer 200 after polishing is a concave shape in the previous rotation, the inclination θ of the rotation shaft 92 of one holding table 9a with respect to the finish grinding unit 4 in the next rotation is after the finish grinding The shape of the wafer 200 is corrected to an inclination .theta. Which makes the above-described concave shape inverted to the reverse shape. As a result, the wafer 200 after polishing becomes flat by polishing the middle convex wafer 200 as it is. Here, "flat" means that the measured thickness variation of the wafer 200, that is, the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness of the wafer 200 is less than a predetermined reference value.

また、本実施形態のように、複数（４つ）の保持テーブル９（９ａ〜９ｄ）がターンテーブル８と共に回転する構成では、保持テーブル９ａ〜９ｄの個体差が発生するため、上記した研磨後のウエーハ２００の厚みデータ、厚みばらつきやウエーハ２００の形状に関するデータ、及び、回転軸９２の傾きθの補正値は、保持テーブル９ａ〜９ｄごとに記憶されている。   Further, in the configuration in which a plurality of (four) holding tables 9 (9a to 9d) rotate together with the turntable 8 as in the present embodiment, individual differences among the holding tables 9a to 9d occur, so after the above polishing The thickness data of the wafer 200, the data about the thickness variation and the shape of the wafer 200, and the correction value of the inclination θ of the rotating shaft 92 are stored for each of the holding tables 9a to 9d.

次に、被加工物としてのウエーハ２００の加工方法について説明する。図８は、本実施形態に係る被加工物の加工方法の手順を示すフローチャートである。まず、ウエーハ２００を保持テーブル９の保持面９１に保持する（ステップＳ１；保持ステップ）。ウエーハ２００は、表面２０２側に保護部材２０５が貼着され、裏面２０１側を上方に向けて、ターンテーブル８の搬入搬出領域Ａにて、４つの保持テーブル９のうち、保持テーブル９ａ（一の保持テーブル）の保持面９１に保持される。   Next, a method of processing the wafer 200 as a workpiece will be described. FIG. 8 is a flowchart showing the procedure of the method of processing a workpiece according to the present embodiment. First, the wafer 200 is held on the holding surface 91 of the holding table 9 (step S1; holding step). In the wafer 200, the protection member 205 is attached to the front surface 202 side, and the holding table 9 a (one of the four holding tables 9 in the carry-in / out area A of the turntable 8) with the back surface 201 facing upward. (Holding table) is held by the holding surface 91 of

次に、保持テーブル９ａに保持されたウエーハ２００に対して粗研削を実行する（ステップＳ２；粗研削ステップ）。保持テーブル９ａに保持されたウエーハ２００は、ターンテーブル８を９０度回転することによって、粗研削領域Ｂに移動する。この粗研削領域Ｂでは、保持テーブル９ａを回転させた状態で、粗研削ユニット３の粗研削ホイール３ｃを回転させつつ下降させ、回転する粗研削ホイール３ｃの研削砥石をウエーハ２００の裏面２０１に接触させて所定厚みの近くまで薄化する粗研削を行う。この粗研削ステップでは、制御装置１００の演算処理部１０１は、保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθを基準設定値に設定する。この基準設定値は、粗研削ステップを実行した後のウエーハ２００の被研削面（裏面２０１）と粗研削ユニット３の粗研削ホイール３ｃの研削砥石の研削面（下面）とが平行となる角度に設定されている。   Next, rough grinding is performed on the wafer 200 held by the holding table 9a (step S2; rough grinding step). The wafer 200 held by the holding table 9 a is moved to the rough grinding area B by rotating the turntable 8 by 90 degrees. In the rough grinding area B, the rough grinding wheel 3c of the rough grinding unit 3 is rotated and lowered while the holding table 9a is rotated, and the grinding stone of the rotating rough grinding wheel 3c is in contact with the back surface 201 of the wafer 200. Rough grinding to thin it to near the predetermined thickness. In this rough grinding step, the arithmetic processing unit 101 of the control device 100 sets the inclination θ of the rotation shaft 92 of the holding table 9a to a reference setting value. The reference setting value is an angle at which the surface to be ground of the wafer 200 (back surface 201) after the rough grinding step and the grinding surface (bottom surface) of the grinding wheel of the rough grinding wheel 3c of the rough grinding unit 3 become parallel. It is set.

粗研削ステップが終了すると、演算処理部１０１は、保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθに補正値が設定されているか否かを判別する（ステップＳ３）。補正値が設定されていない場合（ステップＳ３；Ｎｏ）には、傾き補正ステップ（ステップＳ４）を飛ばしてステップＳ５に移行する。傾き補正ステップについては後述する。   When the rough grinding step is completed, the arithmetic processing unit 101 determines whether a correction value is set to the inclination θ of the rotating shaft 92 of the holding table 9a (step S3). If the correction value is not set (step S3; No), the inclination correction step (step S4) is skipped and the process proceeds to step S5. The inclination correction step will be described later.

次に、保持テーブル９ａに保持されたウエーハ２００に対して仕上げ研削を実行する（ステップＳ５；仕上げ研削ステップ）。この仕上げ研削ステップは、本発明における研削ステップに相当する。なお、仕上げ研削ステップに上記した粗研削ステップを含めて研削ステップとしてもよい。粗研削ステップの終了後、ターンテーブル８をさらに９０度回転させることにより、粗研削されたウエーハ２００を保持する保持テーブル９ａは仕上げ研削領域Ｃに移動する。この仕上げ研削領域Ｃでは、保持テーブル９ａを回転させた状態で、仕上げ研削ユニット４の仕上げ研削ホイール４ｃを回転させつつ下降させ、回転する仕上げ研削ホイール４ｃの研削砥石４ｄをウエーハ２００の裏面２０１に接触させて所定厚みまで薄化する仕上げ研削を行う。この仕上げ研削ステップでは、演算処理部１０１は、保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθを直近の設定値（第１の傾き）に設定する。すなわち、以前に補正値が設定されていれば、その補正値を記憶部１０２から読み出して設定し、一度も補正値が設定されていなければ、上記した基準設定値に設定する。仕上げ研削ホイール４ｃの研削砥石４ｄは、保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθをいかなる設定値に設定したとしても、常にウエーハ２００の裏面２０１の中心２００Ａ（回転中心）に接触するようになっている。   Next, finish grinding is performed on the wafer 200 held by the holding table 9a (step S5; finish grinding step). This finish grinding step corresponds to the grinding step in the present invention. The rough grinding step described above may be included in the finish grinding step as the grinding step. After completion of the rough grinding step, the turn table 8 is further rotated by 90 degrees, whereby the holding table 9 a holding the roughly ground wafer 200 is moved to the finish grinding area C. In the finish grinding area C, while the holding table 9a is rotated, the finish grinding wheel 4c of the finish grinding unit 4 is rotated and lowered to turn the grinding wheel 4d of the rotating finish grinding wheel 4c onto the back surface 201 of the wafer 200. The finish grinding is carried out by contacting and thinning to a predetermined thickness. In the finish grinding step, the arithmetic processing unit 101 sets the inclination θ of the rotation shaft 92 of the holding table 9a to the latest setting value (first inclination). That is, if the correction value has been set before, the correction value is read out from the storage unit 102 and set, and if the correction value has not been set even once, it is set to the above-mentioned reference setting value. The grinding wheel 4d of the finishing grinding wheel 4c always contacts the center 200A (rotation center) of the back surface 201 of the wafer 200 regardless of the setting value of the inclination θ of the rotation shaft 92 of the holding table 9a. There is.

次に、保持テーブル９ａに保持された仕上げ研削されたウエーハ２００を研磨する（ステップＳ６；研磨ステップ）。仕上げ研削されたウエーハ２００を保持する保持テーブル９ａは、ターンテーブル８をさらに９０度回転させることによって、研磨領域Ｄに移動して研磨ユニット５の下に位置づけられる。この場合、保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθは、仕上げ研削ステップにおいて設定された傾きとなっている。研磨領域Ｄでは、保持テーブル９ａを回転させた状態で、研磨ユニット５の研磨パッド５ｃを回転させつつ下降させ、回転する研磨パッド５ｃをウエーハ２００の裏面２０１に接触させて研磨を行う。研磨の際に、不図示の加工液供給ユニットから加工液が供給されるため、研磨パッド５ｃと加工液とによって、ウエーハ２００の裏面２０１を化学的機械的研磨（ＣＭＰ研磨）することができる。また、加工液を使用しないで研磨するドライポリッシュを行うこともできる。   Next, the finish-ground wafer 200 held on the holding table 9a is polished (step S6; polishing step). The holding table 9a holding the wafer 200 subjected to finish grinding is moved to the polishing area D and positioned under the polishing unit 5 by rotating the turntable 8 by 90 degrees further. In this case, the inclination θ of the rotation shaft 92 of the holding table 9a is the inclination set in the finish grinding step. In the polishing area D, the polishing pad 5c of the polishing unit 5 is rotated and lowered while the holding table 9a is rotated, and the rotating polishing pad 5c is brought into contact with the back surface 201 of the wafer 200 to perform polishing. At the time of polishing, since the working fluid is supplied from a working fluid supply unit (not shown), the back surface 201 of the wafer 200 can be chemically and mechanically polished (CMP) by the polishing pad 5c and the working fluid. In addition, dry polishing may be performed without using a working fluid.

次に、演算処理部１０１は、研磨後のウエーハ２００の厚みばらつきを測定する（ステップＳ７；厚み測定ステップ）。この厚み測定ステップでは、演算処理部１０１は、厚み測定部１０の動作を制御して被研磨面（裏面２０１）の高さ位置を複数点で測定し、保持テーブル９ａの保持面９１の高さ位置との差分値から複数点におけるウエーハ２００の厚み、及び厚みばらつきを測定（算出）する。具体的には、図４に示すように、厚み測定部１０の計測ヘッド１０ａをウエーハ２００の中央を通過するようにしてウエーハ２００の中心２００Ａから外周部２００Ｂまでの片側の半径領域で円弧状（矢印ＲＡ）に移動させ、その移動軌跡の複数点（例えば３点）での厚みを測定し、この厚みから厚みばらつきを測定（算出）する。この際、厚みばらつきとともに、ウエーハ２００の断面形状が中凹形状であるか中凸形状であるかを求めておく。これらウエーハ２００の厚みデータ、厚みばらつき及び、ウエーハ２００の形状に関するデータは、保持テーブル９ａに対応づけられて、制御装置１００の記憶部１０２に記憶される。   Next, the processing unit 101 measures the thickness variation of the wafer 200 after polishing (step S7; thickness measuring step). In this thickness measurement step, the arithmetic processing unit 101 controls the operation of the thickness measurement unit 10 to measure the height position of the surface to be polished (rear surface 201) at a plurality of points, and the height of the holding surface 91 of the holding table 9a. The thickness of the wafer 200 at a plurality of points and the thickness variation are measured (calculated) from the difference value with the position. Specifically, as shown in FIG. 4, the measuring head 10a of the thickness measuring unit 10 passes through the center of the wafer 200 to form an arc (in a radius region on one side from the center 200A to the outer peripheral portion 200B of the wafer 200). The thickness is moved at a plurality of points (for example, three points) of the movement trajectory, and thickness variation is measured (calculated) from the thickness. At this time, in addition to the thickness variation, it is determined whether the cross-sectional shape of the wafer 200 is concave or convex. The thickness data of the wafer 200, the thickness variation, and the data on the shape of the wafer 200 are stored in the storage unit 102 of the control device 100 in association with the holding table 9a.

次に、演算処理部１０１は、厚みばらつきが所定の基準値よりも大きいか否かを判定する（ステップＳ８；判定ステップ）。この判定において、厚みばらつきが基準値（例えば、５μｍ）より大きい場合（ステップＳ８；Ｙｅｓ）、演算処理部１０１は、一の保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθの補正値を設定する（ステップＳ９；補正値設定ステップ）。   Next, the arithmetic processing unit 101 determines whether the thickness variation is larger than a predetermined reference value (step S8; determination step). In this determination, if the thickness variation is larger than the reference value (for example, 5 μm) (step S8; Yes), the arithmetic processing unit 101 sets a correction value of the inclination θ of the rotation shaft 92 of one holding table 9a (step S9: correction value setting step).

具体的には、先の周回において、厚みばらつきが基準値より大きく、かつ、研磨後のウエーハ２００の形状が図９に示すように、中心２００Ａが最も薄く、外周部２００Ｂに向かってって次第に厚みが厚くなる中凹形状である場合、演算処理部１０１は、次の周回において、仕上げ研削後のウエーハ２００の形状が上記した中凹形状を逆形状に反転させた中凸形状となるように、仕上げ研削ユニット４に対する一の保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθを補正する補正値を設定する。例えば、厚みばらつきが基準値以下に収まるように、傾き調整機構４０の２つの位置調整ユニット２３を固定部２３ａに対して均等に数μｍだけ下降させる傾きの補正値を設定する。上記したステップＳ３において、補正値が設定されている場合（ステップＳ３；Ｙｅｓ）には、次の周回で仕上げ研削されるウエーハ２００の傾き補正ステップ（ステップＳ４）が実行される。この傾き補正ステップでは、一の保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθを上記した補正値に補正することにより、図１０に示すように、仕上げ研削後のウエーハ２００の形状を中凸形状とすることができる。仕上げ研削後の形状を中凸形状とする傾きθに補正することにより、中凸形状のウエーハ２００をそのまま研磨することで、研磨後のウエーハ２００が平坦となる。   Specifically, in the previous revolution, the thickness variation is larger than the reference value, and as shown in FIG. 9, the shape of the wafer 200 after polishing is thinnest at the center 200A and gradually toward the outer peripheral portion 200B. In the case of a concave shape in which the thickness is increased, in the next round, the processing unit 101 causes the shape of the wafer 200 after finish grinding to be a convex shape in which the concave shape described above is reversed to the reverse shape. A correction value is set to correct the inclination θ of the rotary shaft 92 of the holding table 9a with respect to the finish grinding unit 4. For example, a correction value of inclination is set such that the two position adjustment units 23 of the inclination adjustment mechanism 40 are uniformly lowered by several μm with respect to the fixed portion 23a so that the thickness variation falls below the reference value. When the correction value is set in step S3 described above (step S3; Yes), an inclination correction step (step S4) of the wafer 200 to be finish-ground in the next round is performed. In this inclination correction step, the shape of the wafer 200 after finish grinding is made to be a center convex shape as shown in FIG. 10 by correcting the inclination θ of the rotary shaft 92 of one holding table 9a to the above correction value. be able to. By correcting the shape after finish grinding to an inclination θ that makes the shape convex in the middle, the wafer 200 with the convex shape becomes flat by polishing it as it is.

また、先の周回において、厚みばらつきが基準値より大きく、かつ、研磨後のウエーハ２００の形状が図１１に示すように、中心２００Ａが最も厚く、外周部２００Ｂに向かってって次第に厚みが薄くなる中凸形状である場合、演算処理部１０１は、次の周回において、仕上げ研削後のウエーハ２００の形状が上記した中凸形状を逆形状に反転させた中凹形状となるように、仕上げ研削ユニット４に対する一の保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθを補正する補正値を設定する。例えば、厚みばらつきが基準値以下に収まるように、傾き調整機構４０の２つの位置調整ユニット２３を固定部２３ａに対して均等に数μｍだけ上昇させる傾きの補正値を設定する。上記したステップＳ３において、補正値が設定されている場合（ステップＳ３；Ｙｅｓ）には、次の周回で仕上げ研削されるウエーハ２００の傾き補正ステップ（ステップＳ４）が実行される。この傾き補正ステップでは、一の保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθを上記した補正値に補正することにより、図１２に示すように、仕上げ研削後のウエーハ２００の形状を中凹形状とすることができる。仕上げ研削後の形状を中凹形状とする傾きθに補正することにより、中凹形状のウエーハ２００をそのまま研磨することで、研磨後のウエーハ２００が平坦となる。   Also, in the previous round, the thickness variation is larger than the reference value, and as shown in FIG. 11, the shape of the wafer 200 after polishing is thickest at the center 200A and gradually thinner toward the outer peripheral portion 200B. In the next round, the arithmetic processing unit 101 performs finish grinding so that the shape of the wafer 200 after finish grinding becomes an inside concave shape obtained by inverting the above-described middle protrusion shape into an inverse shape. A correction value for correcting the inclination θ of the rotary shaft 92 of the one holding table 9a with respect to the unit 4 is set. For example, a correction value of inclination is set such that the two position adjustment units 23 of the inclination adjustment mechanism 40 are uniformly raised by several μm with respect to the fixed portion 23a so that the thickness variation falls below the reference value. When the correction value is set in step S3 described above (step S3; Yes), an inclination correction step (step S4) of the wafer 200 to be finish-ground in the next round is performed. In this inclination correction step, the shape of the wafer 200 after finish grinding is made into a concave shape as shown in FIG. 12 by correcting the inclination θ of the rotation shaft 92 of one holding table 9a to the above-mentioned correction value. be able to. By correcting the shape after finish grinding to an inclination θ that makes the shape concaved, the wafer 200 having the concaved shape is polished as it is, and the wafer 200 after polishing becomes flat.

一方、厚みばらつきが基準値以下の場合（ステップＳ８；Ｎｏ）、演算処理部１０１は、上記した厚み測定ステップを実施する頻度を変更する（ステップＳ１０；測定頻度変更ステップ）。保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθを補正した場合、上記のように、研磨後のウエーハ２００の形状が変化するため、補正した直後に厚み測定ステップを実施する必要がある。これに対して、加工条件を変更しなければ、ウエーハ２００の形状が突然大きく変動することはない。このため、研磨後のウエーハ２００の厚みばらつきが基準値以下、すなわち平坦に加工されていれば、厚み測定ステップを実施する頻度を低く（測定間隔を長く）する。具体的には、上記した厚みばらつきの基準値よりも小さな頻度変更基準値を予め設定しておく。演算処理部１０１は、測定した厚みばらつきが頻度変更基準値よりも大きい場合には、厚み測定ステップを実施する頻度を、例えば１０周ごと（一の保持テーブル９ａに保持されて研削研磨されるウエーハ２００が１０枚ごと）とし、測定した厚みばらつきが頻度変更基準値よりも大きい場合には、厚み測定ステップを実施する頻度を、例えば３０周ごととする。この構成によれば、ウエーハ２００の加工精度を保持しつつ、研削研磨の加工時間の短縮を図り、加工性の向上を実現できる。   On the other hand, if the thickness variation is equal to or less than the reference value (step S8; No), the arithmetic processing unit 101 changes the frequency of performing the above-described thickness measurement step (step S10; measurement frequency change step). When the inclination θ of the rotary shaft 92 of the holding table 9a is corrected, as described above, the shape of the wafer 200 after polishing changes, so it is necessary to carry out the thickness measurement step immediately after the correction. On the other hand, if the processing conditions are not changed, the shape of the wafer 200 will not suddenly change significantly. For this reason, if the thickness variation of the wafer 200 after polishing is equal to or less than the reference value, that is, processed flat, the frequency of performing the thickness measurement step is reduced (the measurement interval is increased). Specifically, a frequency change reference value smaller than the above-described thickness variation reference value is set in advance. If the measured thickness variation is larger than the frequency change reference value, the arithmetic processing unit 101 performs, for example, every 10 cycles (a wafer held and held in one holding table 9a for grinding and polishing) at a frequency of performing the thickness measurement step. If 200 sheets are taken every 10 sheets and the measured thickness variation is larger than the frequency change reference value, the frequency of carrying out the thickness measurement step is, for example, every 30 turns. According to this configuration, while maintaining the processing accuracy of the wafer 200, the processing time for grinding and polishing can be shortened, and the improvement of the processability can be realized.

上記した加工手順は、研磨後のウエーハ２００の形状に基づいて、一の保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθを補正する構成について説明したが、複数（４つ）の保持テーブル９ａ〜９ｄをターンテーブル８で周回する構成では、保持テーブル９ａ〜９ｄのそれぞれについて、独立して回転軸９２の傾きが補正される。   Although the above-described processing procedure has been described for correcting the inclination θ of the rotary shaft 92 of one holding table 9a based on the shape of the wafer 200 after polishing, the plurality of (four) holding tables 9a to 9d In the configuration in which the turntable 8 revolves, the inclination of the rotation shaft 92 is corrected independently for each of the holding tables 9a to 9d.

以上、本実施形態は、ウエーハ２００を回転可能に保持する保持面９１を有し、該保持面９１の回転軸９２の傾きを調整可能に構成された保持テーブル９と、保持テーブル９の保持面９１に保持されたウエーハ２００を研削する仕上げ研削ユニット４と、仕上げ研削手段によって研削されたウエーハ２００を研磨する研磨ユニット５と、保持テーブル９を複数配設した回転可能なターンテーブル８と、を少なくとも備える研削研磨装置１によってウエーハ２００を加工するウエーハ２００の加工方法であって、一の保持テーブル９ａの保持面９１に保持されたウエーハ２００を仕上げ研削ユニット４で所定の厚さへと薄化する仕上げ研削ステップＳ５と、仕上げ研削ステップＳ５の実施後、ターンテーブル８を回転させて一の保持テーブル９ａを研磨ユニット５の下に位置づけ、研磨ユニット５によってウエーハ２００を研磨する研磨ステップＳ６と、研磨ステップＳ６の実施後、ウエーハ２００の厚みばらつきを測定する厚み測定ステップＳ７と、厚み測定ステップＳ７で測定された厚みばらつきの結果から、一の保持テーブル９ａに次の周回で保持されるウエーハ２００の研磨ステップＳ６を実施後の形状が平坦になるように、仕上げ研削ステップＳ５における回転軸９２の傾きを補正する傾き補正ステップＳ４と、を備える。   As described above, this embodiment has the holding surface 91 for holding the wafer 200 rotatably, and the holding table 9 configured to adjust the inclination of the rotary shaft 92 of the holding surface 91, and the holding surface of the holding table 9 A finish grinding unit 4 for grinding the wafer 200 held by 91, a polishing unit 5 for polishing the wafer 200 ground by the finish grinding means, and a rotatable turntable 8 provided with a plurality of holding tables 9; A processing method of a wafer 200 for processing a wafer 200 by at least the grinding and polishing apparatus 1, wherein the wafer 200 held on the holding surface 91 of one holding table 9 a is thinned to a predetermined thickness by the finish grinding unit 4. After performing the finishing grinding step S5 and the finishing grinding step S5, the turntable 8 is rotated to hold one holding table 9 Are positioned under the polishing unit 5, and polishing step S6 for polishing the wafer 200 by the polishing unit 5, thickness measurement step S7 for measuring thickness variation of the wafer 200 after execution of the polishing step S6, and measurement in thickness measurement step S7 From the result of the thickness variation, the inclination of the rotary shaft 92 in the finish grinding step S5 is made so that the shape after the polishing step S6 of the wafer 200 held in the next round on one holding table 9a is flat. Tilt correction step S4 for correction.

この構成によれば、研磨ステップＳ６後に測定されたウエーハ２００の厚みばらつきによって、仕上げ研削ステップＳ５実施時の保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きを補正するため、研磨ステップＳ６後のウエーハ２００の厚みばらつきを基準値以下に抑えることができる。このため、例えば、加工枚数が増えたとしても、研磨加工後のウエーハ２００の被加工面を平坦な形状に保つことができる。   According to this configuration, the thickness of the wafer 200 after the polishing step S6 is corrected in order to correct the inclination of the rotary shaft 92 of the holding table 9a at the time of the final grinding step S5 due to the thickness variation of the wafer 200 measured after the polishing step S6. The variation can be suppressed to the reference value or less. Therefore, for example, even if the number of processed wafers increases, it is possible to maintain the processed surface of the wafer 200 after the polishing process in a flat shape.

また、本実施形態によれば、厚み測定ステップＳ７で測定された厚みばらつきが所定の基準値よりも大きいか否かを判定する判定ステップＳ８を備え、判定ステップＳ８で厚みばらつきが基準値よりも大きいと判定された場合、補正値設定ステップＳ９及び傾き補正ステップＳ４を実施し、判定ステップＳ８で厚みばらつきが基準値以下と判定された場合、厚みばらつきの値に応じて、厚み測定ステップＳ７を実施する頻度を変更する測定頻度変更ステップＳ１０を備えるため、ウエーハ２００の加工精度を保持しつつ加工時間の短縮を図り、加工性の向上を実現できる。   Further, according to the present embodiment, the determination step S8 is performed to determine whether the thickness variation measured in the thickness measurement step S7 is larger than a predetermined reference value, and the thickness variation is greater than the reference value in the determination step S8. If it is determined that the thickness is large, correction value setting step S9 and inclination correction step S4 are performed, and if thickness variation is determined to be less than or equal to the reference value in determination step S8, thickness measurement step S7 is performed according to the value of thickness variation. Since the measurement frequency change step S10 for changing the frequency to be performed is provided, the processing time can be shortened while maintaining the processing accuracy of the wafer 200, and the improvement of the processability can be realized.

また、本実施形態に係る研削研磨装置１は、ウエーハ２００を回転可能に保持する保持面９１と保持面９１の回転軸９２の傾きを調整する傾き調整機構４０とを有する保持テーブル９と、保持テーブル９の保持面９１に保持されたウエーハ２００を仕上げ研削する仕上げ研削ユニット４と、仕上げ研削ユニット４によって研削されたウエーハ２００を研磨する研磨ユニット５と、保持テーブル９を複数配設した回転可能なターンテーブル８と、複数の保持テーブル９の一の保持テーブル９ａの保持面９１に保持された研磨後のウエーハ２００の厚みばらつきを測定する厚み測定部１０と、厚み測定部１０が測定した厚みばらつきの結果から、一の保持テーブル９ａに次の周回で保持されるウエーハ２００の研磨後の形状が平坦になるように、傾き調整機構４０を駆動させて、仕上げ研削ユニット４の下に位置する保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθを補正する制御装置１００と、を備える。この構成によれば、制御装置１００は、研磨加工後に測定されたウエーハ２００の厚みばらつきによって、仕上げ研削加工時の保持テーブル９ａの回転軸９２の傾きθを補正するため、研磨加工後のウエーハ２００の厚みばらつきを基準値以下に抑えることができる。従って、加工枚数が増えたとしても、研磨加工後のウエーハ２００の被加工面（裏面２０１）を平坦な形状に保つことができる。   Further, the grinding and polishing apparatus 1 according to the present embodiment includes the holding table 9 having the holding surface 91 for rotatably holding the wafer 200 and the tilt adjustment mechanism 40 for adjusting the tilt of the rotary shaft 92 of the holding surface 91; A polishing unit 4 for finish grinding the wafer 200 held on the holding surface 91 of the table 9, a polishing unit 5 for polishing the wafer 200 ground by the finishing grinding unit 4, and a plurality of holding tables 9 Thickness measurement unit 10 for measuring the thickness variation of the wafer 200 after polishing held on the holding surface 91 of one holding table 9a of the plurality of holding tables 9 and the thickness measured by the thickness measurement unit 10 From the result of the variation, the shape after polishing of the wafer 200 held in the next round on one holding table 9a is flat, It drives the can adjusting mechanism 40 includes a control unit 100 for correcting the inclination θ of the rotation axis 92 of the holding table 9a located below the finish grinding unit 4, the. According to this configuration, the controller 100 corrects the inclination θ of the rotary shaft 92 of the holding table 9a at the time of finish grinding by the thickness variation of the wafer 200 measured after the grinding, so that the wafer 200 after the grinding is processed. Can be suppressed to the reference value or less. Therefore, even if the number of processed wafers increases, it is possible to keep the processed surface (rear surface 201) of the wafer 200 after the polishing process in a flat shape.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。   The present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

１ 研削研磨装置
２ 装置本体
３ 粗研削ユニット
４ 仕上げ研削ユニット（研削手段）
５ 研磨ユニット（研磨手段）
８ ターンテーブル
９、９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ 保持テーブル
１０ 厚み測定部
２３ 位置調整ユニット
２３ａ 固定部
２４ モータ
４０ 傾き調整機構（傾き調整手段）
９１ 保持面
９２ 回転軸
１００ 制御装置（制御部）
１０１ 演算処理部
１０２ 記憶部
２００ ウエーハ
２０１ 裏面
２０２ 表面
２０５ 保護部材 1 grinding and polishing apparatus 2 apparatus main body 3 rough grinding unit 4 finish grinding unit (grinding means)
5 Polishing unit (polishing means)
8 Turntable 9, 9a, 9b, 9c, 9d Holding table 10 Thickness measurement unit 23 Position adjustment unit 23a Fixation unit 24 Motor 40 Inclination adjustment mechanism (Inclination adjustment means)
91 Holding surface 92 Rotary shaft 100 Control device (control unit)
101 operation processing unit 102 storage unit 200 wafer 201 back surface 202 front surface 205 protective member

Claims (3)

被加工物を回転可能に保持する保持面を有し、該保持面の回転軸の傾きを調整可能に構成された保持テーブルと、
該保持テーブルの保持面に保持された該被加工物を研削する研削手段と、
該研削手段によって研削された該被加工物を研磨する研磨手段と、
該保持テーブルを複数配設した回転可能なターンテーブルと、を少なくとも備える研削研磨装置によって該被加工物を加工する被加工物の加工方法であって、
一の保持テーブルの該保持面に保持された被加工物を該研削手段で所定の厚さへと薄化する研削ステップと、
該研削ステップの実施後、該ターンテーブルを回転させて一の該保持テーブルを該研磨手段の下に位置づけ、該研磨手段によって被加工物を研磨する研磨ステップと、
該研磨ステップの実施後、該被加工物の厚みばらつきを測定する厚み測定ステップと、
該厚み測定ステップで測定された該厚みばらつきの結果から、一の該保持テーブルに次に保持される被加工物の該研磨ステップ実施後の形状が平坦になるように、該研削ステップにおける該回転軸の傾きを補正する傾き補正ステップと、
を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。 A holding table having a holding surface for rotatably holding a workpiece, wherein the tilt of the rotation axis of the holding surface can be adjusted;
Grinding means for grinding the workpiece held by the holding surface of the holding table;
Polishing means for polishing the workpiece ground by the grinding means;
What is claimed is: 1. A method of processing a workpiece by a grinding and polishing apparatus comprising at least a rotatable turntable on which a plurality of holding tables are provided,
Grinding the workpiece held by the holding surface of one holding table to a predetermined thickness by the grinding means;
Polishing step of rotating the turntable to position one holding table under the polishing means after the grinding step, and polishing the workpiece by the polishing means;
A thickness measurement step of measuring thickness variations of the workpiece after the polishing step;
From the result of the thickness variation measured in the thickness measuring step, the rotation in the grinding step is performed so that the shape of the workpiece to be held next in the one holding table after the polishing step becomes flat. A tilt correction step to correct the tilt of the axis;
A method of processing a workpiece, comprising: 該厚み測定ステップで測定された該厚みばらつきが所定の基準値よりも大きいか否かを判定する判定ステップを備え、
該判定ステップで該厚みばらつきが該基準値よりも大きいと判定された場合、該傾き補正ステップを実施し、
該判定ステップで該厚みばらつきが該基準値以下と判定された場合、該厚みばらつきの値に応じて、該厚み測定ステップを実施する頻度を変更することを特徴とする請求項１に記載の被加工物の加工方法。 A determination step of determining whether the thickness variation measured in the thickness measurement step is larger than a predetermined reference value;
If it is determined in the determination step that the thickness variation is larger than the reference value, the inclination correction step is performed,
The subject according to claim 1, wherein when the thickness variation is determined to be equal to or less than the reference value in the determining step, the frequency at which the thickness measuring step is performed is changed according to the value of the thickness variation. How to process workpieces. 被加工物を回転可能に保持する保持面と該保持面の回転軸の傾きを調整する傾き調整部とを有する保持テーブルと、
該保持テーブルの保持面に保持された該被加工物を研削する研削手段と、
該研削手段によって研削された該被加工物を研磨する研磨手段と、
該保持テーブルを複数配設した回転可能なターンテーブルと、
一の保持テーブルの該保持面に保持された研磨後の該被加工物の厚みばらつきを測定する厚み測定部と、
該厚み測定部が測定した該厚みばらつきの結果から、一の該保持テーブルに次に保持される被加工物の研磨後の形状が平坦になるように、該傾き調整部を駆動させて、該研削手段の下に位置する該保持テーブルの回転軸の傾きを補正する制御部と、を備えることを特徴とする研削研磨装置。 A holding table having a holding surface for rotatably holding a workpiece and an inclination adjusting unit for adjusting the inclination of the rotation axis of the holding surface;
Grinding means for grinding the workpiece held by the holding surface of the holding table;
Polishing means for polishing the workpiece ground by the grinding means;
A rotatable turntable provided with a plurality of the holding tables;
A thickness measurement unit that measures the thickness variation of the workpiece after polishing held on the holding surface of one holding table;
Based on the result of the thickness variation measured by the thickness measuring unit, the inclination adjusting unit is driven to flatten the shape of the workpiece to be held next by the one holding table after polishing, And a control unit configured to correct an inclination of a rotation axis of the holding table located below the grinding means.

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