JP2019092131A - 電力増幅モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】簡易な構成で、線形性及び効率の向上を可能とする電力増幅モジュールを提供する。【解決手段】第1制御信号S1に応じた第1ゲインで無線周波数(RF)信号を増幅して第1増幅信号を生成する第1増幅回路2Dと、第2制御信号S2に応じた第2ゲインで第1増幅信号を増幅して第2増幅信号を生成する第2増幅回路2Pと、を備えた電力増幅モジュール2であって、第2制御信号S2は、RF信号のピーク対平均電力比(PAPR)が大きいほど第2増幅回路2Pの電源電圧Vccpを大きくするための制御信号であり、第1制御信号S1は、第2増幅回路2Pの電源電圧Vccpの変動に伴う第2ゲインの変動を補償するように、第1増幅回路2Dの第1ゲインを制御するための制御信号である。【選択図】図1
Description
本発明は、電力増幅モジュールに関する。
近年、無線通信システムにおいては、多値変調やマルチキャリア伝送等の技術を用いることにより、通信が大容量化してきている。多値変調やマルチキャリア伝送等においては、複数の信号波形を合成するため、ピーク対平均電力比(Peak to Average Power Ratio:PAPR)が大きくなる。このようにPAPRが大きい信号を増幅する電力増幅器においては、線形性を確保するために最大出力より低い出力状態で増幅を行うバックオフ動作を行うことが一般的である。一方、PAPRが小さい信号を増幅する場合は、電力増幅器のバックオフが小さくても線形性は保たれるため、効率を重視したモードで電力増幅器を動作させることができる。
例えば、特許文献1には、変調信号を増幅するための二つの使用電力の異なる増幅経路と、変調信号に含まれるサブキャリア数に応じて選択された増幅経路により変調信号を増幅するよう制御する制御手段と、を備える無線通信装置が開示されている。当該無線通信装置は、サブキャリア数が大きい信号、すなわちPAPRの大きい信号については、効率は低いがバックオフが大きい増幅経路で増幅を行う。また、当該無線通信装置は、サブキャリア数が小さい信号、すなわちPAPRの小さい信号については、効率が高いがバックオフが小さい増幅経路で増幅を行う。
しかしながら、複数の増幅経路を切り替える構成では、増幅経路によってゲインが異なるため、ゲインの変動が生じてしまう。また、複数の増幅経路が必要となり、モジュールが小型化できない。また、増幅経路を切り替えることによるスイッチ損失が生じる。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、簡易な構成で、線形性及び効率の向上を可能とする電力増幅モジュールを提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る電力増幅モジュールは、第1制御信号に応じた第1ゲインで無線周波数(RF)信号を増幅して第1増幅信号を生成する第1増幅器と、第2制御信号に応じた第2ゲインで第1増幅信号を増幅して第2増幅信号を生成する第2増幅器と、を備え、第2制御信号は、RF信号のピーク対平均電力比(PAPR)が大きいほど第2増幅回路の電源電圧を大きくするための制御信号であり、第1制御信号は、第2増幅回路の電源電圧の変動に伴う第2ゲインの変動を補償するように、第1増幅回路の第1ゲインを制御するための制御信号である。
本発明によれば、簡易な構成で、線形性及び効率の向上を可能とする電力増幅モジュールを提供することができる。
添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、各図において、同一の符号を付したものは、同一又は同様の構成を有する。
[第1実施形態]
(1)RF信号処理モジュール100の構成
図1は、本発明の第1実施形態に係るRF信号処理モジュール100の回路図である。RF信号処理モジュール100は、RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)1と、電力増幅モジュール2と、制御部3と、電源回路4と、電源回路5とを備える。
(1)RF信号処理モジュール100の構成
図1は、本発明の第1実施形態に係るRF信号処理モジュール100の回路図である。RF信号処理モジュール100は、RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)1と、電力増幅モジュール2と、制御部3と、電源回路4と、電源回路5とを備える。
(1−1)RFIC1
RFIC1は、高周波集積回路であり、図示しないベースバンド処理部等から供給された信号を高周波帯の信号に変調することにより、無線周波数(RF:Radio Frequency)信号を生成する。RF信号の周波数は、例えば数百MHz〜数GHz程度である。
RFIC1は、高周波集積回路であり、図示しないベースバンド処理部等から供給された信号を高周波帯の信号に変調することにより、無線周波数(RF:Radio Frequency)信号を生成する。RF信号の周波数は、例えば数百MHz〜数GHz程度である。
(1−2)電力増幅モジュール2
電力増幅モジュール2は、RFIC1が生成したRF信号を増幅する回路である。図1に示すとおり、電力増幅モジュール2は、初段の増幅回路を構成するドライブ段増幅回路2D(第1増幅回路)と、後段の増幅回路を構成するパワー段増幅回路2P(第2増幅回路)とを備える。
電力増幅モジュール2は、RFIC1が生成したRF信号を増幅する回路である。図1に示すとおり、電力増幅モジュール2は、初段の増幅回路を構成するドライブ段増幅回路2D(第1増幅回路)と、後段の増幅回路を構成するパワー段増幅回路2P(第2増幅回路)とを備える。
(1−2−1)ドライブ段増幅回路2D
ドライブ段増幅回路2Dは、図1に示すとおり、例えば、ドライブ段増幅器10Dと、可変減衰器30と、整合回路20Aと、整合回路20Bとを備える。
ドライブ段増幅回路2Dは、図1に示すとおり、例えば、ドライブ段増幅器10Dと、可変減衰器30と、整合回路20Aと、整合回路20Bとを備える。
ドライブ段増幅器10Dは、電源回路4が供給する電源電圧Vccdを受けて、RFIC1から可変減衰器30及び整合回路20A等を通して入力されるRF信号を増幅し、第1増幅信号を生成する。ドライブ段増幅器10Dは、例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)等のバイポーラトランジスタであってもよく、又はMOSFET等の電界効果トランジスタであってもよい。なお、ドライブ段増幅器10Dは、複数の電力増幅器で構成されていてもよい。電源回路4がドライブ段増幅器10Dに供給する電源電圧Vccdは、後述する制御部3からの制御信号Sdに応じて変化する。
可変減衰器30は、RFIC1と整合回路20Aとの間に設けられ、例えば、複数の減衰器及び複数の線路切替器を含んでおり、入力信号の電力を減衰させる。可変減衰器30の入力信号及び出力信号間の電力比に相当する電力減衰率は、後述する制御部3からの制御信号Srに応じて変化する。
整合回路20Aは、可変減衰器30とドライブ段増幅器10Dとの間に設けられ、両者のインピーダンスを整合する。整合回路20Aは、例えば、インピーダンスが可変のローパス型又はハイパス型のフィルタ回路で構成される。整合回路20Aのインピーダンスは、後述する制御部3からの制御信号Saに応じて変化する。ここで、RF信号処理モジュール100は、可変減衰器30と整合回路20Aとの位置を入れ替えた構成を有していても良い。
整合回路20Bは、ドライブ段増幅器10Dとパワー段増幅器10Pとの間に設けられ、両者のインピーダンスを整合する。整合回路20Bは、例えば、インピーダンスが可変のローパス型、ハイパス型、又はローパス型及びハイパス型の組合せのフィルタ回路で構成される。整合回路20Bのインピーダンスは、後述する制御部3からの制御信号Sbに応じて変化する。
ドライブ段増幅回路2Dのゲイン(第1ゲイン)は、電源回路4やドライブ段増幅回路2Dの構成要素に応じて変化する。すなわち、電源回路4が供給する電源電圧Vccdが大きいほど、ドライブ段増幅器10Dのゲインは大きくなるため、これにしたがって、ドライブ段増幅回路2Dのゲインは大きくなる。また、可変減衰器30の電力減衰率が大きいほど、ドライブ段増幅器10Dへの入力信号が小さくなるため、ドライブ段増幅回路2Dのゲインは小さくなる。また、整合回路20Aのインピーダンスが大きいほど、整合回路20Aの入力端における反射波が増加するため、ドライブ段増幅回路2Dのゲインは小さくなる。また、整合回路20Bのインピーダンスが大きいほど、ドライブ段増幅器10Dのゲインは大きくなるため、ドライブ段増幅回路2Dのゲインは大きくなる。
(1−2−2)パワー段増幅回路2P
パワー段増幅回路2Pは、図1に示すとおり、例えば、パワー段増幅器10Pと、整合回路20Cとを備える。
パワー段増幅回路2Pは、図1に示すとおり、例えば、パワー段増幅器10Pと、整合回路20Cとを備える。
パワー段増幅器10Pは、電源回路5が供給する電源電圧Vccpを受けて、ドライブ段増幅器10Dから整合回路20B等を通して入力される第1増幅信号を増幅し、第2増幅信号を生成する。パワー段増幅器10Pは、例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)等のバイポーラトランジスタであってもよく、又はMOSFET等の電界効果トランジスタであってもよい。電源回路5がパワー段増幅器10Pに供給する電源電圧Vccpは、後述する制御部3からの第2制御信号S2に応じて変化する。
ここで、図2を用いて、電源電圧Vccpの変化に対する、パワー段増幅器10Pのゲイン及び線形性の変化について説明する。図2には、複数の電源電圧Vccpの値についての、パワー段増幅器10Pの出力とゲインとの関係が示されている。すなわち、符号501、502、503、504、505、506、507はそれぞれ、電源電圧Vccpが2.0V、2.5V、3.0V、3.5V、4.0V、4.5V、5.0Vの場合のパワー段増幅器10Pの出力とゲインとの関係を示すグラフを示している。また、符号601、602、603、604、605、606、607はそれぞれ、電源電圧Vccpが2.0V、2.5V、3.0V、3.5V、4.0V、4.5V、5.0Vの場合のパワー段増幅器10PのP1dBを示している。ここで、P1dBとは、理想的な線形特性と比較してゲインが1dB下がる点の出力をいう。図2に示すとおり、電源電圧Vccpが大きいほど、パワー段増幅器10Pのゲインは大きいといえる。また、図2に示すとおり、電源電圧Vccpが大きいほど、パワー段増幅器10PのP1dBは大きく、線形性が向上するといえる。
パワー段増幅回路2Pのゲイン(第2ゲイン)は、電源回路5に応じて変化する。すなわち、電源回路5が供給する電源電圧Vccpが大きいほど、パワー段増幅器10Pのゲインは大きくなるため、これにしたがって、パワー段増幅回路2Pのゲインも大きくなる。
整合回路20Cは、パワー段増幅器10Pとアンテナ6との間に設けられ、両者のインピーダンスを整合する。整合回路20C(インピーダンス整合回路)は、例えば、ローパス型又はハイパス型のフィルタ回路、又はローパス型及びハイパス型の組合せのフィルタ回路で構成される。
(1−3)制御部3
制御部3は、RFIC1及び電力増幅モジュール2に接続されている。制御部3は、RFIC1が生成する所定の信号を検出し、ドライブ段増幅回路2Dを制御するための第1制御信号S1、及びパワー段増幅回路2Pを制御するための第2制御信号S2を生成する。
制御部3は、RFIC1及び電力増幅モジュール2に接続されている。制御部3は、RFIC1が生成する所定の信号を検出し、ドライブ段増幅回路2Dを制御するための第1制御信号S1、及びパワー段増幅回路2Pを制御するための第2制御信号S2を生成する。
第1制御信号S1は、電源回路5が供給する電源電圧Vccpの変動に伴うパワー段増幅回路2Pのゲインの変動を補償するように、ドライブ段増幅回路2Dのゲインを制御するための制御信号である。第1制御信号S1は、例えば、可変減衰器30を制御するための制御信号Sr、整合回路20Aを制御するための制御信号Sa、電源回路4を制御するための制御信号Sd、及び整合回路20Bを制御するための制御信号Sbの少なくともいずれかを含む。
第2制御信号S2は、RFIC1が生成するRF信号のPAPRが大きいほど、パワー段増幅回路2Pの電源電圧Vccpを大きくするための制御信号である。第2制御信号S2は、電源回路5を制御するための制御信号である。
(2)RF信号処理モジュール100の動作
次に、RF信号処理モジュール100の動作を説明する。
次に、RF信号処理モジュール100の動作を説明する。
(2−1)パワー段増幅回路2Pの動作
制御部3は、RFIC1が生成したRF信号のPAPRに関する情報を有する信号を検出し、当該RF信号のPAPRを算出した上で、算出したPAPRが大きいほど電源回路5が供給するパワー段増幅器10Pの電源電圧Vccpを大きくするための、第2制御信号S2を生成する。図2を用いて説明したとおり、電源電圧Vccpが大きいほど、パワー段増幅器10PのP1dBが大きくなり(線形性が向上し)、また、パワー段増幅回路2Pのゲインは大きくなる。したがって、RFIC1が生成したRF信号のPAPRが大きいほど、パワー段増幅器10PのP1dBが大きくなり(線形性が向上し)、また、パワー段増幅回路2Pのゲインは大きくなる。
制御部3は、RFIC1が生成したRF信号のPAPRに関する情報を有する信号を検出し、当該RF信号のPAPRを算出した上で、算出したPAPRが大きいほど電源回路5が供給するパワー段増幅器10Pの電源電圧Vccpを大きくするための、第2制御信号S2を生成する。図2を用いて説明したとおり、電源電圧Vccpが大きいほど、パワー段増幅器10PのP1dBが大きくなり(線形性が向上し)、また、パワー段増幅回路2Pのゲインは大きくなる。したがって、RFIC1が生成したRF信号のPAPRが大きいほど、パワー段増幅器10PのP1dBが大きくなり(線形性が向上し)、また、パワー段増幅回路2Pのゲインは大きくなる。
(2−2)ドライブ段増幅回路2Dの動作
制御部3は、電源回路5が供給する電源電圧Vccpの変動に伴うパワー段増幅回路2Pのゲインの変動を補償するように、ドライブ段増幅回路2Dのゲインを制御するための第1制御信号S1を生成する。
制御部3は、電源回路5が供給する電源電圧Vccpの変動に伴うパワー段増幅回路2Pのゲインの変動を補償するように、ドライブ段増幅回路2Dのゲインを制御するための第1制御信号S1を生成する。
具体的には、例えば、制御部3は、パワー段増幅回路2Pのゲインが増加すると、制御信号Srによって可変減衰器30の線路切替器を制御して、可変減衰器30の電力減衰率を増加させることにより、ドライブ段増幅回路2Dのゲインを減少させる。また、例えば、制御部3は、パワー段増幅回路2Pのゲインが増加すると、制御信号Saによって整合回路20Aのインピーダンスを増加させ、整合回路20Aの入力端における反射波を増加させることにより、ドライブ段増幅回路2Dのゲインを減少させる。また、例えば、制御部3は、パワー段増幅回路2Pのゲインが増加すると、制御信号Sdによって電源回路4が供給する電源電圧Vccdを減少させることにより、ドライブ段増幅回路2Dのゲインを減少させる。また、例えば、制御部3は、パワー段増幅回路2Pのゲインが増加すると、制御信号Sbによって整合回路20Bのインピーダンスを減少させることにより、ドライブ段増幅回路2Dのゲインを減少させる。
同様にして、制御部3は、パワー段増幅回路2Pのゲインが減少すると、制御信号Srによって可変減衰器30の線路切替器を制御して、可変減衰器30の電力減衰率を減少させることにより、ドライブ段増幅回路2Dのゲインを増加させる。また、例えば、制御部3は、パワー段増幅回路2Pのゲインが減少すると、制御信号Saによって整合回路20Aのインピーダンスを減少させ、整合回路20Aの入力端における反射波を減少させることにより、ドライブ段増幅回路2Dのゲインを増加させる。また、例えば、制御部3は、パワー段増幅回路2Pのゲインが減少すると、制御信号Sdによって電源回路4が供給する電源電圧Vccdを増加させることにより、ドライブ段増幅回路2Dのゲインを増加させる。また、例えば、制御部3は、パワー段増幅回路2Pのゲインが減少すると、制御信号Sbによって整合回路20Bのインピーダンスを増加させることにより、ドライブ段増幅回路2Dのゲインを増加させる。
[第2実施形態]
図3は、本発明の第2実施形態に係るRF信号処理モジュール200の回路図である。以下では、RF信号処理モジュール200のうち、本発明の第1実施形態に係るRF信号処理モジュール100と異なる構成について説明を行い、RF信号処理モジュール100と同一の構成については適宜説明を省略する。
図3は、本発明の第2実施形態に係るRF信号処理モジュール200の回路図である。以下では、RF信号処理モジュール200のうち、本発明の第1実施形態に係るRF信号処理モジュール100と異なる構成について説明を行い、RF信号処理モジュール100と同一の構成については適宜説明を省略する。
(1)RF信号処理モジュール200の構成
RF信号処理モジュール200が備える整合回路20Cは、後述のとおり、インピーダンスが可変である。RF信号処理モジュール200が備える制御部3は、第2制御信号S2として、整合回路20Cを制御するための制御信号を生成する。
RF信号処理モジュール200が備える整合回路20Cは、後述のとおり、インピーダンスが可変である。RF信号処理モジュール200が備える制御部3は、第2制御信号S2として、整合回路20Cを制御するための制御信号を生成する。
RF信号処理モジュール200が備える整合回路20Cは、例えば、図4Aに示すような、インピーダンスが可変のローパス型のフィルタ回路である。具体的には、整合回路20Cは、例えば、パワー段増幅器10P及びアンテナ6の間に直列接続されたインダクタL1と、パワー段増幅器10P及びアンテナ6の間にシャント接続された可変容量素子C1及び抵抗素子R1とを備える。可変容量素子C1は、例えば、複数の容量素子及び複数の線路切替器から構成され、第2制御信号S2に応じて各線路切替器のONとOFFとが切り替えられることにより、可変容量素子C1のキャパシタンス値が変化する。なお、更にインダクタL1のインダクタンス値を可変として構成してもよい。
また、RF信号処理モジュール200が備える整合回路20Cは、例えば、図4Bに示すような、インピーダンスが可変のハイパス型のフィルタ回路である。具体的には、整合回路20Cは、例えば、パワー段増幅器10P及びアンテナ6の間に直列接続された容量素子C2と、パワー段増幅器10P及びアンテナ6の間にシャント接続された可変インダクタL2及び抵抗素子R2とを備える。可変インダクタL2は、例えば、複数のインダクタ及び複数の線路切替器から構成され、第2制御信号S2に応じて各線路切替器のONとOFFとが切り替えられることにより、可変インダクタL2のインダクタンス値が変化する。なお、更にインダクタL1のインダクタンス値を可変として構成してもよい。
ここで、図5A及び図5Bを用いて、整合回路20Cのインピーダンスの変化に対する、パワー段増幅器10Pのゲイン及び線形性の変化について説明する。図5Aには、整合回路20Cのインピーダンスが3Ωである場合の、パワー段増幅器10Pの出力とゲインとの関係が示されており、図5Bには、整合回路20Cのインピーダンスが8Ωである場合の、パワー段増幅器10Pの出力とゲインとの関係が示されている。図5A及び図5Bに示すとおり、整合回路20Cのインピーダンスが小さいほど、パワー段増幅器10Pのゲインは小さいといえる。また、図5Aに示すグラフでは、P1dBは約29dB、図5Bに示すグラフでは、P1dBは約24.5dBである。したがって、図5A及び図5Bに示す場合においては、パワー段増幅器10Pの負荷に相当する整合回路20Cのインピーダンスが小さいほど、P1dBは大きく、線形性が向上するといえる。
パワー段増幅回路2Pのゲイン(第2ゲイン)は、整合回路20Cのインピーダンスに応じて変化する。図5A及び図5Bに示す場合においては、整合回路20Cのインピーダンスが小さいほど、パワー段増幅器10Pのゲインは小さくなるため、これにしたがって、パワー段増幅回路2Pのゲインも小さくなる。
(2)RF信号処理モジュール200の動作
制御部3は、RFIC1が生成したRF信号のPAPRに関する情報を有する信号を検出し、当該RF信号のPAPRを算出した上で、算出したPAPRが大きいほど整合回路20Cのインピーダンスを小さくするための、第2制御信号S2を生成する。図5A及び図5Bを用いて説明したとおり、整合回路20Cのインピーダンスが小さいほど、パワー段増幅器10PのP1dBが大きくなり(線形性が向上し)、また、パワー段増幅回路2Pのゲインは小さくなる。したがって、RFIC1が生成したRF信号のPAPRが大きいほど、パワー段増幅器10PのP1dBが大きくなり(線形性が向上し)、また、図5A及び図5Bに示す場合においては、パワー段増幅回路2Pのゲインは小さくなる。なお、パワー段増幅回路2Pのゲインが大きくなる場合もある。
制御部3は、RFIC1が生成したRF信号のPAPRに関する情報を有する信号を検出し、当該RF信号のPAPRを算出した上で、算出したPAPRが大きいほど整合回路20Cのインピーダンスを小さくするための、第2制御信号S2を生成する。図5A及び図5Bを用いて説明したとおり、整合回路20Cのインピーダンスが小さいほど、パワー段増幅器10PのP1dBが大きくなり(線形性が向上し)、また、パワー段増幅回路2Pのゲインは小さくなる。したがって、RFIC1が生成したRF信号のPAPRが大きいほど、パワー段増幅器10PのP1dBが大きくなり(線形性が向上し)、また、図5A及び図5Bに示す場合においては、パワー段増幅回路2Pのゲインは小さくなる。なお、パワー段増幅回路2Pのゲインが大きくなる場合もある。
制御部3は、RF信号処理モジュール100と同様に、パワー段増幅回路2Pのゲインの変動を補償するように、ドライブ段増幅回路2Dのゲインを制御するための第1制御信号S1を生成する。
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。電力増幅モジュール2は、第1制御信号S1に応じた第1ゲインでRF信号を増幅して第1増幅信号を生成する第1増幅回路2Dと、第2制御信号S2に応じた第2ゲインで第1増幅信号を増幅して第2増幅信号を生成する第2増幅回路2Pとを備える。そのため、第1ゲイン及び第2ゲインそれぞれを個別に制御することによって、電力増幅モジュール2全体のゲインを柔軟に制御することが可能となる。
また、第2制御信号S2は、RF信号のPAPRが大きいほど第2増幅回路2Pの電源電圧Vccpを大きくするための制御信号であり、第1制御信号S1は、第2増幅回路2Pの電源電圧Vccpの変動に伴う第2ゲインの変動を補償するように第1増幅回路の第1ゲインを制御するための制御信号である。そのため、電力増幅モジュール2では、簡易な構成で、線形性及び効率を向上させることが可能となる。
また、電力増幅モジュール2では、第1制御信号S1は、第2ゲインの変動を補償するように第1増幅回路2Dの電源電圧Vccdを制御するための制御信号Sdであってよい。そのため、電力増幅モジュール2では、第2ゲインの変動に応じて第1増幅回路2Dの電源電圧Vccdが制御されることで、第2ゲインの変動を打ち消すように第1ゲインが変動するため、全体的なゲインが一定となる。
また、電力増幅モジュール2は、RF信号を減衰する可変減衰器30を含み、第1制御信号S1は、第2ゲインの変動を補償するように、可変減衰器30の電力減衰率を制御するための制御信号Srであってよい。そのため、電力増幅モジュール2では、第2ゲインの変動に応じて、第1増幅回路2Dに入力される信号の可変減衰器30による減衰量が制御されることで、第2ゲインの変動を打ち消すように第1ゲインが変動するため、全体的なゲインが一定となる。
また、電力増幅モジュール2は、回路間のインピーダンスを整合する整合回路20Aを含み、第1制御信号S1は、第2ゲインの変動を補償するように整合回路20Aのインピーダンスを制御するための制御信号Saであってよい。そのため、電力増幅モジュール2では、第2ゲインの変動に応じて、第1整合回路20Aの入力端における反射波が制御されることで、第2ゲインの変動を打ち消すように第1ゲインが変動するため、全体的なゲインが一定となる。
また、電力増幅モジュール2は、回路間のインピーダンスを整合する整合回路20Bを含み、第1制御信号S1は、第2ゲインの変動を補償する第2整合回路20Bのインピーダンスを制御するための制御信号Sbであってよい。そのため、電力増幅モジュール2では、第2ゲインの変動を打ち消すように第1増幅器10Dの第1ゲインが変動するため、全体的なゲインが一定となる。
また、RF信号処理モジュール100、200は、第1ゲインでRF信号を増幅して第1増幅信号を生成する第1増幅回路2D、及び第2ゲインで第1増幅信号を増幅して第2増幅信号を生成する第2増幅回路2Pを備えた電力増幅モジュール2を備える。そのため、RF信号処理モジュール100、200では、第1ゲイン及び第2ゲインそれぞれを個別に制御することによって、電力増幅モジュール2全体のゲインを柔軟に制御することが可能となる。
また、RF信号処理モジュール100、200は、更に、RF信号のPAPRが大きいほど第2増幅回路2Pの電源電圧Vccpを大きくするための第2制御信号S2、及び第2増幅回路2Pの電源電圧Vccpの変動に伴う第2ゲインの変動を補償するように第1増幅回路2Dの第1ゲインを制御するための第1制御信号S1を生成する制御部3を備える。そのため、RF信号処理モジュール100、200では、簡易な構成で、線形性及び効率を確保することが可能となる。
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。実施形態が備える各要素並びにその配置、材料、条件、形状及びサイズ等は、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、異なる実施形態で示した構成同士を部分的に置換し又は組み合わせることが可能である。
1…RFIC、2…電力増幅モジュール、2D…ドライブ段増幅回路、2P…パワー段増幅回路、3…制御部、4、5…電源回路、10D…ドライブ段増幅器、10P…パワー段増幅器、20A、20B、20C…整合回路、30…可変減衰器、S1…第1制御信号、S2…第2制御信号、Sr、Sa、Sd、Sb…制御信号、100、200…RF信号処理モジュール
Claims (5)
- 第1制御信号に応じた第1ゲインで無線周波数(RF)信号を増幅して第1増幅信号を生成する第1増幅回路と、
第2制御信号に応じた第2ゲインで前記第1増幅信号を増幅して第2増幅信号を生成する第2増幅回路と、を備え、
前記第2制御信号は、前記RF信号のピーク対平均電力比(PAPR)が大きいほど前記第2増幅回路の電源電圧を大きくするための制御信号であり、
前記第1制御信号は、前記前記第2増幅回路の前記電源電圧の変動に伴う前記第2ゲインの変動を補償するように、前記第1増幅回路の前記第1ゲインを制御するための制御信号である、電力増幅モジュール。 - 前記第1制御信号は、前記第2ゲインの変動を補償するように、前記第1増幅回路の電源電圧を制御するための制御信号である、請求項1に記載の電力増幅モジュール。
- 前記第1増幅回路は、前記RF信号を減衰する可変減衰器を含み、
前記第1制御信号は、前記第2ゲインの変動を補償するように、前記可変減衰器の電力減衰率を制御するための制御信号である、請求項1又は2に記載の電力増幅モジュール。 - 前記第1増幅回路は、回路間のインピーダンスを整合する整合回路を含み、
前記第1制御信号は、前記第2ゲインの変動を補償するように、前記整合回路のインピーダンスを制御するための制御信号である、請求項1から3のいずれか一項に記載の電力増幅モジュール。 - 第1ゲインで無線周波数(RF)信号を増幅して第1増幅信号を生成する第1増幅回路、及び第2ゲインで前記第1増幅信号を増幅して第2増幅信号を生成する第2増幅回路、を備えた電力増幅モジュールと、
前記RF信号のピーク対平均電力比(PAPR)が大きいほど前記第2増幅回路の電源電圧を大きくするための第2制御信号、及び前記第2増幅回路の前記電源電圧の変動に伴う前記第2ゲインの変動を補償するように前記第1増幅回路の前記第1ゲインを制御するための第1制御信号を生成する制御部と、を備えたRF信号処理モジュール。
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