JP2019091758A - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
最初に、図1を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム1の概略構成について説明する。図1は、実施形態に係る基板処理システム1の概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
次に、処理ユニット16の概要について、図2を参照しながら説明する。図2は、処理ユニット16の構成を示す模式図である。図2に示すように、処理ユニット16は、処理室20と、基板保持機構30と、処理流体供給部40と、回収カップ50とを備える。
次に、基板処理システム1の排気を処理する排気処理システム5の概略構成について、図4を参照しながら説明する。図4は、実施形態に係る排気処理システム5の概要を示す図である。
つづいて、上述の実施形態における各種変形例について説明する。図8は、実施形態の変形例1に係る排気処理システム5の概要を示す図である。
つづいて、図13を参照しながら、実施形態に係る基板処理の詳細について説明する。図13は、基板処理システム1が実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。まず、制御部18は、基板搬送装置13および基板搬送装置17を制御して、ウェハWを処理ユニット16の処理室20に搬入する(ステップS101)。
1 基板処理システム
5 排気処理システム
16 処理ユニット
18 制御部
20、20A〜20C 処理室
60 清浄ガス供給部
61 温湿度調整機
62 供給流路
63 排気流路
64 除害装置
65 排出部
70、70A〜70F 循環路
80、80A〜80C 供給切替弁
90、90A〜90C 排気切替弁
Claims (11)
- 処理室に清浄ガスを供給する供給流路と、
前記処理室から排気される排気ガスを外部に流す排気流路と、
前記排気流路を流れる前記排気ガスを前記供給流路へ戻す循環路と、
前記排気流路または前記循環路に設けられ、前記排気ガスの流路を前記排気流路と前記循環路との間で選択的に切り替える排気切替弁と、
前記処理室で用いられる処理液の種類が切り替わる時に、前記排気ガスの流路が前記循環路から前記排気流路に切り替わるように前記排気切替弁を制御する制御部と、
を備える基板処理装置。 - 処理室に清浄ガスを供給する供給流路と、
前記処理室から排気される排気ガスを外部に流す排気流路と、
前記排気流路を流れる前記排気ガスを前記供給流路へ戻す循環路と、
前記供給流路または前記循環路に設けられ、前記処理室に供給されるガスの流路を前記供給流路と前記循環路との間で選択的に切り替える供給切替弁と、
前記処理室で用いられる処理液の種類が切り替わる時に、前記処理室に供給されるガスの流路が前記循環路から前記供給流路に切り替わるように前記供給切替弁を制御する制御部と、
を備える基板処理装置。 - 前記供給流路または前記循環路に設けられ、前記処理室に供給されるガスの流路を前記供給流路と前記循環路との間で選択的に切り替える供給切替弁をさらに備え、
前記制御部は、前記処理室で用いられる処理液の種類が切り替わる時に、前記処理室に供給されるガスの流路が前記循環路から前記供給流路に切り替わるように前記供給切替弁を制御する
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記循環路は、複数の前記処理液毎に複数設けられる
請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記処理室は、複数設けられ、
前記循環路は、複数の前記処理室毎に複数設けられる
請求項1〜4のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記処理室は、複数設けられ、
前記供給流路と前記排気流路とは、複数の前記処理室に対して共通に設けられる
請求項1〜5のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記排気流路には、前記排気ガスを無害化する除害装置が設けられる
請求項1〜6のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記循環路には、前記排気ガスを無害化する除害装置が設けられる
請求項1〜7のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 基板に対して処理液を供給する際に、排気を循環させて前記基板に供給する工程と、
前記処理液の種類が切り替わる時に、前記排気を外部に流す工程と、
を含む基板処理方法。 - 基板に対して処理液を供給する際に、排気を循環させて前記基板に供給する工程と、
前記処理液の種類が切り替わる時に、清浄ガスを前記基板に供給する工程と、
を含む基板処理方法。 - 請求項9または10に記載の基板処理方法をコンピュータに実行させる、プログラムを記憶した記憶媒体。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002093688A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003068632A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-07 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
JP2005011996A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
JP2014175361A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2017033988A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
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---|---|---|---|---|
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002093688A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003068632A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-07 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
JP2005011996A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
JP2014175361A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2017033988A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021027064A (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-22 | 株式会社ディスコ | エッチング装置およびウェーハ支持具 |
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