JP2019066207A - Inspection method and inspection device - Google Patents

Inspection method and inspection device Download PDF

Info

Publication number
JP2019066207A
JP2019066207A JP2017188995A JP2017188995A JP2019066207A JP 2019066207 A JP2019066207 A JP 2019066207A JP 2017188995 A JP2017188995 A JP 2017188995A JP 2017188995 A JP2017188995 A JP 2017188995A JP 2019066207 A JP2019066207 A JP 2019066207A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
sample
optical image
phase plate
imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017188995A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6768622B2 (en
Inventor
田 秀 記 額
Hideki Gakuta
田 秀 記 額
瀧 寿 明 大
Toshiaki Otaki
瀧 寿 明 大
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2017188995A priority Critical patent/JP6768622B2/en
Publication of JP2019066207A publication Critical patent/JP2019066207A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6768622B2 publication Critical patent/JP6768622B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

To provide an inspection method and an inspection device, capable of improving an inspection speed without increasing a rotational speed of a rotational phase plate.SOLUTION: An inspection method comprises the steps of: rotating a rotational phase plate crossing a light path of a light source and detecting a rotational direction position of the rotational phase plate; transporting a sample in a column direction of an image pick-up element, irradiating the sample with irradiation light, and imaging an optical image of the sample in an image pick-up element of an i-th column (1≤i≤n) located on an optical path of irradiation light among n-column image pick-up elements; and correcting an amount of light of the optical image of the sample imaged in the image pick-up element of the i-th column on the basis of preliminarily acquired permeability of the rotational phase plate in the rotational direction position detected when the optical image of the sample was imaged in the image pick-up element of the i-th column and preliminarily acquired sensitivity of the image pick-up element of the i-th column.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、検査方法および検査装置に関する。   The present invention relates to an inspection method and an inspection apparatus.

従来から、フォトリソグラフィに用いられるマスクに設けられたパターンの欠陥を光学的に検査するパターン検査装置では、レーザ光源とマスクとの間のレーザ光の光路中に、回転位相板が備えられていた。回転位相板は、レーザ光に対して略垂直に配置され、レーザ光の光路に直交する方向に所定の速度で回転しながらレーザ光を通過させて位相を変化(例えば、散乱)させることで、レーザ光の光量を均一化する光学部材である。回転位相板によって干渉性の高いレーザ光の光量を均一化することで、レーザ光によって照明されたマスクを撮像した光学画像に干渉縞が生じることを防止することができる。   Conventionally, in a pattern inspection apparatus which optically inspects a defect of a pattern provided on a mask used for photolithography, a rotary phase plate is provided in the optical path of laser light between the laser light source and the mask. . The rotational phase plate is disposed substantially perpendicular to the laser light, and is rotated at a predetermined speed in a direction perpendicular to the optical path of the laser light, and the laser light is allowed to pass and change its phase (for example, scattering). It is an optical member that makes the light quantity of laser light uniform. By making the light quantity of the highly coherent laser beam uniform by the rotating phase plate, it is possible to prevent the occurrence of interference fringes in the optical image obtained by imaging the mask illuminated by the laser beam.

回転位相板は、通常は透明または半透明のガラス状材質で一体的に作製するが、光学的な特性が完全に均一になるように精製することは困難であるため、全面にわたって微小な透過率のむらが生じる。このため、回転位相板を回転させることによって回転位相板を通過するレーザ光の透過率は微小に変化し、マスクの検査領域に到達するレーザ光の光量が、回転位相板の回転に同期して増減する。高感度の欠陥検査においては、このような回転位相板の回転にともなう光量の変化により、光学画像中に疑似欠陥が検出されて検査精度が悪化する可能性があった。   The rotating phase plate is usually made integrally of a transparent or semi-transparent glassy material, but it is difficult to refine it so that the optical characteristics become completely uniform, so the minute transmittance over the entire surface Unevenness occurs. Therefore, the transmittance of the laser beam passing through the rotary phase plate changes minutely by rotating the rotary phase plate, and the light amount of the laser beam reaching the inspection area of the mask is synchronized with the rotation of the rotary phase plate. Increase or decrease. In the high sensitivity defect inspection, there is a possibility that a false defect is detected in the optical image and the inspection accuracy is deteriorated due to the change of the light amount accompanying the rotation of the rotary phase plate.

疑似欠陥の検出を抑制するため、従来は、光学画像を撮像するTDI(Time Delay Integration)センサの電荷の蓄積周期と回転位相板の回転周期とを一致させることで、回転位相板に起因する光量のむらを、TDIセンサの蓄積時に1周期分平均化していた。この方法では、何れの蓄積周期で撮像される光学画像に対しても、撮像に用いられる総光量を一定にすることで、疑似欠陥の抑制を図っている。   Conventionally, in order to suppress the detection of false defects, the amount of light caused by the rotational phase plate is matched by matching the charge accumulation period of the TDI (Time Delay Integration) sensor that captures an optical image with the rotational period of the rotational phase plate. Unevenness was averaged for one cycle at the time of storage of the TDI sensor. In this method, for the optical image captured in any accumulation cycle, the total amount of light used for imaging is made constant to suppress the pseudo defect.

特開2009−168524号公報JP, 2009-168524, A

TDIセンサの蓄積周期と回転位相板の回転周期とを一致させる場合、検査速度の高速化のためにTDIセンサの蓄積速度を高速にすると、これに比例して回転位相板の回転速度を高速にする必要がある。しかしながら、既述したように、回転位相板はガラス状材質で構成されているため、回転速度を高速で回転させた場合、遠心力によって回転位相板が破壊されてしまう。このため、検査速度を高速化するために現状以上の速度で回転位相板を回転させることは困難である。   When matching the accumulation period of the TDI sensor with the rotation period of the rotation phase plate, if the accumulation speed of the TDI sensor is increased to speed up the inspection speed, the rotation speed of the rotation phase plate is increased in proportion to this. There is a need to. However, as described above, since the rotational phase plate is made of a glass-like material, the rotational phase plate is broken by the centrifugal force when the rotational speed is rotated at high speed. For this reason, it is difficult to rotate the rotary phase plate at a speed higher than the present speed in order to increase the inspection speed.

したがって、従来は、回転位相板の回転速度を上げることなく検査速度を向上させることが困難であるといった問題があった。   Therefore, conventionally, there has been a problem that it is difficult to improve the inspection speed without increasing the rotational speed of the rotational phase plate.

本発明の目的は、回転位相板の回転速度を上げることなく検査速度を向上させることが可能な検査方法および検査装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an inspection method and an inspection apparatus capable of improving the inspection speed without increasing the rotational speed of the rotary phase plate.

本発明の一態様である検査方法は、
パターンが設けられた試料に向けて光を出射する光源と、
光源の光路に交わるように光源と試料との間に配置され、不規則な深さを有する複数の凹部が設けられ、複数の凹部が光源の光路に交わるように回転しながら光源から出射された光を複数の凹部に通過させて、光の光量を略均一化する回転位相板と、
回転位相板を通して試料に照射された照射光による試料の光学画像を撮像するn列の撮像素子を有するセンサと、を備えた検査装置を用いてパターンの欠陥を検査する検査方法であって、
回転位相板を回転させ、光源の光路に交わる回転位相板の回転方向位置を検出する工程と、
撮像素子の列方向に試料を搬送し、試料に照射光を照射し、n列の撮像素子のうち照射光の光路上に位置するi列目(1≦i≦n)の撮像素子で試料の光学画像を撮像する工程と、
i列目の撮像素子で試料の光学画像が撮像されたときに検出された回転位相板の回転方向位置における予め取得された回転位相板の透過率と、予め取得されたi列目の撮像素子の感度と、に基づいて、i列目の撮像素子で撮像された試料の光学画像の光量を補正する工程と、を備える。
The inspection method which is one aspect of the present invention is
A light source for emitting light toward the sample provided with the pattern;
A plurality of recesses having an irregular depth are disposed between the light source and the sample so as to intersect the light path of the light source, and the plurality of recesses are emitted from the light source while rotating so as to intersect the light path of the light source A rotating phase plate that allows light to pass through the plurality of recesses to substantially equalize the amount of light;
An inspection method for inspecting a pattern defect using an inspection apparatus comprising: an n-row image sensor for capturing an optical image of a sample by irradiation light irradiated onto the sample through the rotary phase plate;
Rotating the rotational phase plate to detect the rotational direction position of the rotational phase plate intersecting the light path of the light source;
The sample is transported in the column direction of the imaging device, and the sample is irradiated with irradiation light, and the imaging device of the i-th row (1 ≦ i ≦ n) positioned on the optical path of the irradiation light among the n imaging devices Capturing an optical image;
The transmittance of the rotational phase plate acquired in advance at the rotational direction position of the rotational phase plate detected when the optical image of the sample is captured by the imaging device in the i-th column, and the imaging element of the i-th row acquired in advance And correcting the amount of light of the optical image of the sample imaged by the imaging element in the i-th column based on the sensitivity of

上述の検査方法において、
試料の光学画像の光量を補正する工程は、以下の数式(1)にしたがってもよい。
Ci=Csi/(Ti×Ki) (1)
但し、Ciは、i列目の撮像素子で撮像された試料の光学画像の補正後の光量であり、Csiは、i列目の撮像素子で撮像された試料の光学画像の補正前の光量であり、Tiは、i列目の撮像素子で試料の光学画像が撮像されたときに検出された回転位相板の回転方向位置における回転位相板の透過率であり、Kiは、i列目の撮像素子の感度に比例した係数である(以下、同様)。
In the above-mentioned inspection method,
The step of correcting the light amount of the optical image of the sample may be in accordance with the following equation (1).
Ci = Csi / (Ti × Ki) (1)
Where Ci is the amount of light after correction of the optical image of the sample taken by the imaging device in the i-th column, and Csi is the amount of light before correction of the optical image of the sample taken by the imaging device in the i-th column Ti is the transmittance of the rotational phase plate at the rotational position of the rotational phase plate detected when the optical image of the sample is captured by the imaging device in the i-th row, and Ki is the imaging of the i-th row It is a coefficient proportional to the sensitivity of the element (the same applies hereinafter).

上述の検査方法において、
試料の光学画像を撮像する工程は、撮像素子の列方向に試料を搬送しながらn列の撮像素子で順に試料の光学画像を撮像する工程であり、
試料の光学画像の光量を補正する工程は、n列の撮像素子で順に撮像された試料の光学画像のそれぞれの光量を補正する工程であり、
検査方法は、
n列の撮像素子で順に撮像された試料の光学画像のそれぞれの補正後の光量を加算することで、最終的な試料の光学画像の光量を取得する工程を更に備えてもよい。
In the above-mentioned inspection method,
The step of capturing an optical image of the sample is a step of capturing an optical image of the sample sequentially by the imaging elements of n rows while transporting the sample in the row direction of the imaging element,
The step of correcting the light amount of the optical image of the sample is a step of correcting the light amount of each of the optical images of the sample sequentially imaged by the imaging elements of the n rows,
The inspection method is
The method may further include the step of acquiring the final light amount of the optical image of the sample by adding the corrected light amounts of the optical images of the sample sequentially captured by the imaging elements of the n rows.

上述の検査方法において、
最終的な試料の光学画像の光量を取得する工程は、以下の数式(2)にしたがってもよい。

Figure 2019066207
In the above-mentioned inspection method,
The step of acquiring the light intensity of the final optical image of the sample may be in accordance with the following equation (2).
Figure 2019066207

本発明の一態様である検査装置は、
パターンが設けられた試料に向けて光を出射する光源と、
光源の光路に交わるように光源と試料との間に配置され、不規則な深さを有する複数の凹部が設けられ、複数の凹部が光源の光路に交わるように回転しながら光源から出射された光を複数の凹部に通過させて、光の光量を略均一化する回転位相板と、
回転位相板を通して試料に照射された照射光による試料の光学画像を撮像するn列の撮像素子を有するセンサと、を備え、パターンの欠陥を検査する検査装置であって、
回転位相板の回転中に、光源の光路に交わる回転位相板の回転方向位置を検出する回転方向位置検出部と、
センサで撮像された試料の光学画像の光量を補正する光量補正部と、を備え、
センサは、撮像素子の列方向に試料が搬送され、回転位相板を通して試料に照射光が照射されたときに、n列の撮像素子のうち照射光の光路上に位置するi列目(1≦i≦n)の撮像素子で試料の光学画像を撮像し、
光量補正部は、i列目の撮像素子で試料の光学画像が撮像されたときに検出された回転位相板の回転方向位置における予め取得された回転位相板の透過率と、予め取得されたi列目の撮像素子の感度と、に基づいて、i列目の撮像素子で撮像された試料の光学画像の光量を補正する。
The inspection apparatus which is one aspect of the present invention is
A light source for emitting light toward the sample provided with the pattern;
A plurality of recesses having an irregular depth are disposed between the light source and the sample so as to intersect the light path of the light source, and the plurality of recesses are emitted from the light source while rotating so as to intersect the light path of the light source A rotating phase plate that allows light to pass through the plurality of recesses to substantially equalize the amount of light;
An inspection device for inspecting a defect in a pattern, comprising: a sensor having n rows of imaging elements for capturing an optical image of a sample by irradiation light irradiated onto the sample through the rotating phase plate;
A rotational direction position detection unit that detects the rotational direction position of the rotational phase plate that intersects the light path of the light source while the rotational phase plate rotates;
A light quantity correction unit that corrects the light quantity of the optical image of the sample imaged by the sensor;
In the sensor, when the sample is transported in the column direction of the imaging device and the sample is irradiated with the irradiation light through the rotational phase plate, the i-th row (1 ≦ An optical image of the sample is taken by the imaging device of i ≦ n),
The light quantity correction unit includes the transmittance of the rotational phase plate acquired in advance at the rotational direction position of the rotational phase plate detected when the optical image of the sample is captured by the imaging element in the i-th row, and the i acquired in advance The light amount of the optical image of the sample imaged by the i-th imaging device is corrected based on the sensitivity of the imaging device in the i-th column.

本発明によれば、回転位相板の回転速度を上げることなく検査速度を向上させることができる。   According to the present invention, the inspection speed can be improved without increasing the rotational speed of the rotational phase plate.

本実施形態によるパターン検査装置を示す図である。It is a figure showing the pattern inspection device by this embodiment. 本実施形態によるパターン検査装置において、回転方向に沿った回転位相板の部分断面図である。In a pattern inspection device by this embodiment, it is a fragmentary sectional view of a rotation phase plate which met a rotation direction. 本実施形態によるパターン検査装置において、第1センサを示す概略図である。In the pattern inspection device by this embodiment, it is a schematic diagram showing the 1st sensor. 本実施形態によるパターン検査装置において、回転位相板と回転方向位置検出部とを示す平面図である。In the pattern inspection device by this embodiment, it is a top view showing a rotation phase plate and a rotation direction position detection part. 本実施形態によるパターン検査方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the pattern inspection method by this embodiment. 本実施形態によるパターン検査方法を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the pattern inspection method by this embodiment. 本実施形態によるパターン検査方法を説明するための説明図である。It is an explanatory view for explaining a pattern inspection method by this embodiment. 本実施形態によるパターン検査方法において、回転位相板の回転方向位置に対応する回転位相板の透過率と、第1センサの各列の撮像素子の感度とを示すグラフである。In the pattern inspection method by this embodiment, it is a graph which shows the transmittance | permeability of the rotational phase plate corresponding to the rotation direction position of a rotational phase plate, and the sensitivity of the image pick-up element of each row | line of a 1st sensor.

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。   Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings. This embodiment does not limit the present invention.

図1は、検査装置の一例として、本実施形態によるパターン検査装置1を示す図である。図1のパターン検査装置1は、試料の一例であるマスク2に設けられたパターンの欠陥を検査するために用いることができる。   FIG. 1 is a view showing a pattern inspection apparatus 1 according to the present embodiment as an example of an inspection apparatus. The pattern inspection apparatus 1 of FIG. 1 can be used to inspect a defect of a pattern provided on a mask 2 which is an example of a sample.

図1に示すように、パターン検査装置1は、光源3と、センサの一例である第1センサ5Aおよび第2センサ5Bと、を備える。光源3は、パターンが設けられたマスク2に向けてレーザ光(以下、単に光とも呼ぶ)を出射する。第1センサ5Aおよび第2センサ5Bは、光源3からマスク2に照射された光で照明されたマスク2の像(以下、光学画像とも呼ぶ)を撮像する。具体的には、第1センサ5Aは、光源3からマスク2に照射された光をマスク2で透過させることによって照明されたマスク2の光学画像を撮像する。第2センサ5Bは、光源3からマスク2に照射された光をマスク2で反射させることによって照明されたマスク2の光学画像を撮像する。   As shown in FIG. 1, the pattern inspection apparatus 1 includes a light source 3 and a first sensor 5A and a second sensor 5B which are examples of sensors. The light source 3 emits laser light (hereinafter also referred to simply as light) toward the mask 2 provided with a pattern. The first sensor 5A and the second sensor 5B capture an image (hereinafter also referred to as an optical image) of the mask 2 illuminated by the light emitted from the light source 3 to the mask 2. Specifically, the first sensor 5A captures an optical image of the mask 2 illuminated by transmitting the light emitted from the light source 3 to the mask 2 by the mask 2. The second sensor 5 </ b> B captures an optical image of the mask 2 illuminated by causing the mask 2 to reflect the light emitted from the light source 3 to the mask 2.

また、パターン検査装置1は、光源3と第1センサ5Aとの間の光路上に、光の進行方向に向かって順に、集光レンズ41と、コリメートレンズ42と、回転位相板43と、第1ビームスプリッタ44と、第1ミラー45と、第1対物レンズ46と、XYθテーブル6と、第2対物レンズ47、第2ビームスプリッタ48と、第1結像レンズ49Aとを備える。   The pattern inspection apparatus 1 further includes a condensing lens 41, a collimating lens 42, a rotational phase plate 43, and an optical path on the light path between the light source 3 and the first sensor 5A. A first beam splitter 44, a first mirror 45, a first objective lens 46, an XYθ table 6, a second objective lens 47, a second beam splitter 48, and a first imaging lens 49A.

また、パターン検査装置1は、光源3と第2センサ5Bとの間の光路上に、光の進行方向に向かって順に、集光レンズ41と、コリメートレンズ42と、回転位相板43と、第1ビームスプリッタ44と、第2ミラー410と、第2ビームスプリッタ48と、XYθテーブル6と、第2結像レンズ49Bとを備える。   The pattern inspection apparatus 1 further includes a condensing lens 41, a collimating lens 42, a rotational phase plate 43, and an optical path on the light path between the light source 3 and the second sensor 5B. The first beam splitter 44, the second mirror 410, the second beam splitter 48, the XYθ table 6, and the second imaging lens 49B are provided.

集光レンズ41は、光源3から出射された光を集光する。   The condenser lens 41 condenses the light emitted from the light source 3.

コリメートレンズ42は、集光レンズ41で集光された光をコリメートする。   The collimating lens 42 collimates the light collected by the collecting lens 41.

回転位相板43は、部分的に光源3の光路に交わるように、光源3とマスク2との間の光路上に光路に対して略垂直に配置されている。図1の例において、回転位相板43は、コリメートレンズ42と第1ビームスプリッタ44との間に配置されている。回転位相板43は、平面視した場合に円板形状を有し(図4参照)、中心軸上に連結されたモータ等の駆動装置7によって中心軸回りに回転駆動される。   The rotary phase plate 43 is disposed substantially perpendicular to the light path on the light path between the light source 3 and the mask 2 so as to partially intersect the light path of the light source 3. In the example of FIG. 1, the rotational phase plate 43 is disposed between the collimating lens 42 and the first beam splitter 44. The rotary phase plate 43 has a disk shape in plan view (see FIG. 4), and is rotationally driven around the central axis by a drive device 7 such as a motor connected on the central axis.

図2は、本実施形態によるパターン検査装置1において、回転方向dに沿った回転位相板43の部分断面図である。図2に示すように、回転位相板43には、回転方向dに沿って不規則な深さ、幅(回転方向dの寸法)および奥行(径方向の寸法)を有する複数の凹部431が設けられている。各凹部431は、その深さに応じて光源3から出射された光の位相を変化させる。   FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the rotational phase plate 43 along the rotational direction d in the pattern inspection apparatus 1 according to the present embodiment. As shown in FIG. 2, the rotary phase plate 43 is provided with a plurality of recesses 431 having irregular depth, width (dimension in the rotational direction d) and depth (dimension in the radial direction) along the rotational direction d. It is done. Each recess 431 changes the phase of the light emitted from the light source 3 according to the depth.

回転位相板43は、光源3の光路に交わる部分が変化するように回転しながら光源3から出射された光を光路に交わる凹部431で通過させて光の位相を変化させる。すなわち、回転位相板43は、複数の凹部431が光源3の光路に交わるように回転しながら光源3から出射された光を複数の凹部431に通過させて、光の光量を均一化する。   The rotating phase plate 43 rotates so that the portion intersecting the light path of the light source 3 changes, passes the light emitted from the light source 3 through the recess 431 intersecting the light path, and changes the phase of the light. That is, the rotating phase plate 43 passes the light emitted from the light source 3 to the plurality of recesses 431 while rotating so that the plurality of recesses 431 intersect the optical path of the light source 3 and makes the light quantity uniform.

第1ビームスプリッタ44は、回転位相板43を通過した光を第1ミラー45側と第2ミラー410側とに分光させる。   The first beam splitter 44 splits the light having passed through the rotary phase plate 43 into the first mirror 45 side and the second mirror 410 side.

ここで、先ず、第1ビームスプリッタ44の透過側の光学系について詳しく説明する。第1ミラー45は、第1ビームスプリッタ44を透過した光を第1対物レンズ46側に反射する。   Here, first, an optical system on the transmission side of the first beam splitter 44 will be described in detail. The first mirror 45 reflects the light transmitted through the first beam splitter 44 toward the first objective lens 46.

第1対物レンズ46は、第1ミラー45で反射された光を集光してXYθテーブル6上に照射する。XYθテーブル6は、マスク2を載置可能なXY平面6aを有する。XYθテーブル6は、X方向およびY方向に移動可能かつXY平面6aに対して垂直なZ軸回りに回転可能である。XYθテーブル6に載置されたマスク2は、第1対物レンズ46から照射された照射光を透過する。このマスク2の透過光によって、マスク2が照明される。マスク2の透過光は、第2対物レンズ47および第2ビームスプリッタ48を透過した後、第1結像レンズ49Aに入射する。   The first objective lens 46 condenses the light reflected by the first mirror 45 and irradiates it onto the XYθ table 6. The XYθ table 6 has an XY plane 6 a on which the mask 2 can be placed. The XYθ table 6 is movable in the X and Y directions and rotatable about the Z axis perpendicular to the XY plane 6a. The mask 2 placed on the XYθ table 6 transmits the irradiation light emitted from the first objective lens 46. The transmitted light of the mask 2 illuminates the mask 2. The transmitted light of the mask 2 passes through the second objective lens 47 and the second beam splitter 48, and then enters the first imaging lens 49A.

第1結像レンズ49Aは、マスク2の透過光を第1センサ5Aに結像させる。   The first imaging lens 49A focuses the transmitted light of the mask 2 on the first sensor 5A.

図3は、本実施形態によるパターン検査装置1において、第1センサ5Aを示す概略図である。なお、図示はしないが、第2センサ5Bも、第1センサ5Aと同じ構成を有する。第1センサ5Aは、回転位相板43を通して光源3からマスク2に照射された照射光によるマスク2の光学画像を撮像するn列の撮像素子51を有する。   FIG. 3 is a schematic view showing the first sensor 5A in the pattern inspection apparatus 1 according to the present embodiment. Although not shown, the second sensor 5B also has the same configuration as the first sensor 5A. The first sensor 5A has n imaging elements 51 for capturing an optical image of the mask 2 by the irradiation light emitted from the light source 3 to the mask 2 through the rotary phase plate 43.

図3の例において、撮像素子51の列方向はX方向である。Y方向には、同じ列の撮像素子51が配置されている。撮像素子51は、マスク2を照明した光を受光して光電変換することで、マスク2の光学画像を撮像する。   In the example of FIG. 3, the column direction of the imaging element 51 is the X direction. The imaging elements 51 in the same column are disposed in the Y direction. The imaging element 51 receives the light that has illuminated the mask 2 and photoelectrically converts the light, thereby capturing an optical image of the mask 2.

より具体的には、第1センサ5Aおよび第2センサ5Bは、XYθテーブル6によって撮像素子51の列方向であるX方向にマスク2が搬送され、回転位相板43を通して光源3からマスク2に光が照射されたときに、n列の撮像素子51のうちマスク2に照射された照射光の光路上に位置するi列目(1≦i≦n)の撮像素子51でマスク2の光学画像を撮像する。X方向へのマスク2の搬送の進行に応じて、第1センサ5Aおよび第2センサ5Bは、n列の撮像素子51で順にマスク2の光学画像を撮像する。   More specifically, in the first sensor 5A and the second sensor 5B, the mask 2 is transported by the XYθ table 6 in the X direction, which is the column direction of the imaging device 51, and light is transmitted from the light source 3 to the mask 2 through the rotational phase plate 43 When the light is irradiated, the optical image of the mask 2 is picked up by the imaging element 51 of the i-th row (1.ltoreq.i.ltoreq.n) located on the optical path of the irradiation light irradiated to the mask 2 among the imaging elements 51 of n rows Take an image. The first sensor 5A and the second sensor 5B sequentially capture an optical image of the mask 2 with the imaging elements 51 in n rows in accordance with the progress of the transport of the mask 2 in the X direction.

撮像素子51は、例えば、CCD(Charge Coupled Device)である。第1センサ5Aは、撮像素子51の列方向をマスク2の光学画像を光電変換した電荷の蓄積方向(すなわち、転送方向)としたTDIセンサであってもよい。撮像素子51の列数nは、例えば、1024であってもよい。   The imaging device 51 is, for example, a charge coupled device (CCD). The first sensor 5A may be a TDI sensor in which the column direction of the imaging device 51 is the accumulation direction (that is, the transfer direction) of charges obtained by photoelectric conversion of the optical image of the mask 2. The number n of columns of the imaging device 51 may be 1024, for example.

次に、第1ビームスプリッタ44の反射側の光学系について詳しく説明する。第2ミラー410は、第1ビームスプリッタ44で反射された光を第2ビームスプリッタ48側に反射させる。   Next, the optical system on the reflection side of the first beam splitter 44 will be described in detail. The second mirror 410 reflects the light reflected by the first beam splitter 44 toward the second beam splitter 48.

第2ビームスプリッタ48は、第2ミラー410で反射された光を第2対物レンズ47側に反射させる。   The second beam splitter 48 reflects the light reflected by the second mirror 410 to the second objective lens 47 side.

第2対物レンズ47は、第2ビームスプリッタ48で反射された光を集光してXYθテーブル6上のマスク2に照射させる。マスク2は、第2対物レンズ47から照射された照射光を反射させる。このマスク2の反射光によって、マスク2が照明される。マスク2の反射光は、第2対物レンズ47および第2ビームスプリッタ48を透過した後、第2結像レンズ49Bに入射する。   The second objective lens 47 condenses the light reflected by the second beam splitter 48 and irradiates the mask 2 on the XYθ table 6 with the light. The mask 2 reflects the illumination light emitted from the second objective lens 47. The light reflected from the mask 2 illuminates the mask 2. The reflected light of the mask 2 is transmitted through the second objective lens 47 and the second beam splitter 48, and then enters the second imaging lens 49B.

第2結像レンズ49Bは、マスク2の反射光を第2センサ5Bに結像させる。第2センサ5Bは、第1センサ5Aと同様の手法によってマスク2の光学画像を撮像する。   The second imaging lens 49 </ b> B focuses the reflected light of the mask 2 on the second sensor 5 </ b> B. The second sensor 5B captures an optical image of the mask 2 in the same manner as the first sensor 5A.

第1センサ5Aおよび第2センサ5Bによって撮像されたマスク2の光学画像に基づいて、マスク2のパターンの欠陥が検査される。   Defects in the pattern of the mask 2 are inspected based on the optical image of the mask 2 captured by the first sensor 5A and the second sensor 5B.

なお、光源3と第1ビームスプリッタ44との間に、減光フィルタと、光の偏光方向を変化させる波長板とを設けてもよい。   A light attenuating filter and a wave plate for changing the polarization direction of light may be provided between the light source 3 and the first beam splitter 44.

また、図1に示すように、パターン検査装置1は、回転方向位置検出部8と、オートローダ9と、X軸モータ10A、Y軸モータ10Bおよびθ軸モータ10Cと、レーザ測長システム11と、Zセンサ12と、フォーカス機構13と、を備える。   Further, as shown in FIG. 1, the pattern inspection apparatus 1 includes a rotational direction position detection unit 8, an autoloader 9, an X axis motor 10A, a Y axis motor 10B and a θ axis motor 10C, and a laser length measuring system 11. A Z sensor 12 and a focusing mechanism 13 are provided.

図4は、本実施形態によるパターン検査装置1において、回転位相板43と回転方向位置検出部8とを示す平面図である。回転方向位置検出部8は、回転方向dへの回転位相板43の回転中に、光源3の光路に交わる回転位相板43の回転方向位置を検出する。   FIG. 4 is a plan view showing the rotary phase plate 43 and the rotational direction position detection unit 8 in the pattern inspection apparatus 1 according to the present embodiment. The rotational direction position detection unit 8 detects the rotational direction position of the rotational phase plate 43 intersecting the light path of the light source 3 while the rotational phase plate 43 rotates in the rotational direction d.

図4の例において、回転位相板43上には、回転位相板43に交わる光路として、光源3の光軸OAが代表的に図示されている。回転位相板43は、例えば、光軸OAに交わる回転位相板43の回転方向位置を検出してもよい。図4の例において、回転方向位置検出部8は、回転位相板43に形成されたスリットSLを光学的に検出し、スリットSLを検出してからの経過時間と、予め取得された回転位相板43の回転速度とに基づいて回転位相板43の回転方向位置を検出する。回転方向位置検出部8は、光源3の光路に交わる回転位相板43の回転方向位置を検出できるのであれば図4の構成には限定されない。   In the example of FIG. 4, the optical axis OA of the light source 3 is representatively shown on the rotary phase plate 43 as an optical path intersecting the rotary phase plate 43. The rotational phase plate 43 may detect, for example, the rotational direction position of the rotational phase plate 43 intersecting the optical axis OA. In the example of FIG. 4, the rotational direction position detection unit 8 optically detects the slit SL formed in the rotational phase plate 43, and the elapsed time after detecting the slit SL, and the rotational phase plate acquired in advance The rotational direction position of the rotational phase plate 43 is detected based on the rotational speed of 43. The rotational direction position detection unit 8 is not limited to the configuration shown in FIG. 4 as long as it can detect the rotational direction position of the rotational phase plate 43 intersecting the light path of the light source 3.

回転方向位置検出部8は、インクリメンタル型のロータリエンコーダであってもよく、または、アブソリュート形のロータリエンコーダであってもよい。回転方向位置検出部8は、検出された回転位相板43の回転方向位置を、後述する比較回路25に出力する。   The rotational direction position detection unit 8 may be an incremental type rotary encoder or an absolute type rotary encoder. The rotational direction position detection unit 8 outputs the detected rotational direction position of the rotational phase plate 43 to a comparison circuit 25 described later.

図1に示されるオートローダ9は、XYθテーブル6上にマスク2を自動搬送する。X軸モータ10A、Y軸モータ10Bおよびθ軸モータ10Cは、それぞれ、XYθテーブル6をX方向、Y方向およびθ方向に移動させる。XYθテーブル6を移動させることで、XYθテーブル6上のマスク2に対して光源3の光がスキャンされる。レーザ測長システム11は、XYθテーブル6のX方向およびY方向の位置を検出する。   The autoloader 9 shown in FIG. 1 automatically conveys the mask 2 onto the XYθ table 6. The X-axis motor 10A, the Y-axis motor 10B, and the θ-axis motor 10C move the XYθ table 6 in the X direction, the Y direction, and the θ direction, respectively. The light of the light source 3 is scanned with respect to the mask 2 on the XYθ table 6 by moving the XYθ table 6. The laser length measuring system 11 detects the position of the XYθ table 6 in the X direction and the Y direction.

Zセンサ12は、パターン側のマスク2の表面であるマスク面の高さすなわちZ方向の位置を検出する。Zセンサ12は、例えば、マスク面に光を照射する投光器と、照射された光を受光する受光器とを備えていてもよい。   The Z sensor 12 detects the height of the mask surface which is the surface of the mask 2 on the pattern side, that is, the position in the Z direction. The Z sensor 12 may include, for example, a light projector that emits light to the mask surface, and a light receiver that receives the emitted light.

フォーカス機構13は、照明光学系5の焦点をマスク面に合わせるフォーカス合わせを行う。フォーカス合わせは、例えば、Zセンサ12で検出されたマスク面の高さに応じた移動量でXYθテーブル6をZ方向に移動させることで行う。   The focusing mechanism 13 performs focusing to bring the illumination optical system 5 into focus on the mask surface. Focusing is performed, for example, by moving the XYθ table 6 in the Z direction by a movement amount corresponding to the height of the mask surface detected by the Z sensor 12.

また、図1に示すように、パターン検査装置1は、バス14に接続された各種の回路を備える。具体的には、パターン検査装置1は、オートローダ制御回路15と、テーブル制御回路17と、オートフォーカス制御回路18とを備える。また、パターン検査装置1は、位置回路22と、展開回路23と、参照回路24と、光量補正部の一例である比較回路25とを備える。また、パターン検査装置1は、センサ回路19を備えており、このセンサ回路19は、第1センサ5Aおよび第2センサ5Bと比較回路25との間に接続されている。   Further, as shown in FIG. 1, the pattern inspection apparatus 1 includes various circuits connected to the bus 14. Specifically, the pattern inspection apparatus 1 includes an autoloader control circuit 15, a table control circuit 17, and an autofocus control circuit 18. The pattern inspection apparatus 1 further includes a position circuit 22, an expansion circuit 23, a reference circuit 24, and a comparison circuit 25 which is an example of a light amount correction unit. The pattern inspection apparatus 1 further includes a sensor circuit 19 which is connected between the first sensor 5 A and the second sensor 5 B and the comparison circuit 25.

オートローダ制御回路15は、オートローダ9を制御することで、XYθテーブル6上にマスク2を自動搬送する。   The autoloader control circuit 15 automatically conveys the mask 2 onto the XYθ table 6 by controlling the autoloader 9.

テーブル制御回路17は、パターンの欠陥を検査すべきマスク2の検査領域201(図6参照)を複数の短冊状に仮想的に分割したストライプ202に沿って検査領域201に光源3からの光をスキャンする制御を行う。具体的には、テーブル制御回路17は、ストライプ202に沿って検査領域201に光源3からの光がスキャンされるように、モータ10A〜10Cを駆動制御してXYθテーブル6を移動させる。   The table control circuit 17 causes light from the light source 3 to the inspection area 201 along stripes 202 which virtually divide the inspection area 201 (see FIG. 6) of the mask 2 (see FIG. 6) to be inspected for pattern defects. Control to scan. Specifically, the table control circuit 17 drives and controls the motors 10A to 10C to move the XYθ table 6 so that the light from the light source 3 is scanned in the inspection area 201 along the stripe 202.

オートフォーカス制御回路18は、Zセンサ12で検出されたマスク面の高さに応じてフォーカス機構13を制御することで、光源3の光を自動的にマスク面に合焦させる。   The autofocus control circuit 18 automatically focuses the light of the light source 3 on the mask surface by controlling the focusing mechanism 13 in accordance with the height of the mask surface detected by the Z sensor 12.

センサ回路19は、第1センサ5Aおよび第2センサ5Bで光電変換された光学画像を取り込み、取り込まれた光学画像をA/D変換する。そして、センサ回路19は、A/D変換した光学画像を比較回路25に出力する。センサ回路19は、例えば、TDIセンサの回路であってもよい。TDIセンサを用いることで、パターンを高精度に撮像できる。   The sensor circuit 19 takes in an optical image photoelectrically converted by the first sensor 5A and the second sensor 5B, and A / D converts the taken optical image. Then, the sensor circuit 19 outputs the A / D converted optical image to the comparison circuit 25. The sensor circuit 19 may be, for example, a TDI sensor circuit. The pattern can be imaged with high accuracy by using the TDI sensor.

レーザ測長システム11は、XYθテーブル6の移動位置を検出し、検出された移動位置を位置回路22に出力する。位置回路22は、レーザ測長システム11から入力された移動位置に基づいて、XYθテーブル6上でのマスク2の位置を検出する。そして、位置回路22は、検出されたマスク2の位置を比較回路25に出力する。   The laser length measuring system 11 detects the movement position of the XYθ table 6, and outputs the detected movement position to the position circuit 22. The position circuit 22 detects the position of the mask 2 on the XYθ table 6 based on the movement position input from the laser measurement system 11. Then, the position circuit 22 outputs the detected position of the mask 2 to the comparison circuit 25.

展開回路23は、後述する磁気ディスク装置31に収集された設計データを、磁気ディスク装置31から読み出し、読み出された設計データを2値または多値の画像データに変換する。そして、展開回路23は、変換された画像データを参照回路24に出力する。   The expansion circuit 23 reads design data collected by the magnetic disk drive 31 described later from the magnetic disk drive 31, and converts the read design data into binary or multilevel image data. Then, the expansion circuit 23 outputs the converted image data to the reference circuit 24.

参照回路24は、展開回路23から入力された画像データに適切なフィルタ処理を行うことで、マスク2の欠陥検査に用いる参照画像を生成する。そして、参照回路24は、生成された参照画像を比較回路25に出力する。   The reference circuit 24 appropriately filters the image data input from the expansion circuit 23 to generate a reference image used for the defect inspection of the mask 2. Then, the reference circuit 24 outputs the generated reference image to the comparison circuit 25.

比較回路25は、センサ回路19から入力されたマスク2の光学画像と、参照回路24から入力された参照画像との比較に基づいて、マスク2に形成されたパターンの欠陥を検査する。例えば、比較回路25は、位置回路22から入力された位置情報を用いながら、光学画像のパターンの各位置の線幅を測定し、測定された光学画像のパターンと、参照回路24から入力された参照画像のパターンについて、両パターンの線幅や階調値(明るさ)を比較する。そして、比較回路25は、例えば、光学画像のパターンの線幅と、参照画像のパターンの線幅との誤差をパターンの欠陥として検出する。   The comparison circuit 25 inspects a defect of the pattern formed on the mask 2 based on comparison of the optical image of the mask 2 input from the sensor circuit 19 and the reference image input from the reference circuit 24. For example, the comparison circuit 25 measures the line width of each position of the pattern of the optical image while using the position information input from the position circuit 22, and the pattern of the measured optical image and the pattern input from the reference circuit 24 The line widths and tone values (brightness) of the patterns of the reference image are compared with each other. Then, the comparison circuit 25 detects, for example, an error between the line width of the pattern of the optical image and the line width of the pattern of the reference image as a defect of the pattern.

また、比較回路25は、第1センサ5Aおよび第2センサ5Bで撮像されたマスク2の光学画像を参照画像と比較する前に、回転位相板43の微小な透過率のむらに起因するマスク2の光学画像の光量のむらが疑似欠陥として検出されないようにするため、マスク2の光学画像の光量を補正する。また、比較回路25は、欠陥の検査速度すなわちXYθテーブル6によるX方向へのマスク2の搬送速度が従来よりも高速の場合であっても、回転位相板43の回転速度が従来と同じまま、マスク2の光学画像の光量を適切に補正する。   In addition, before the comparison circuit 25 compares the optical image of the mask 2 captured by the first sensor 5A and the second sensor 5B with the reference image, the comparison circuit 25 generates the mask 2 caused by the unevenness of the minute transmittance of the rotary phase plate 43. The light amount of the optical image of the mask 2 is corrected so that the unevenness of the light amount of the optical image is not detected as a false defect. Further, the comparison circuit 25 keeps the rotational speed of the rotational phase plate 43 the same as before even if the defect inspection speed, ie, the conveyance speed of the mask 2 in the X direction by the XYθ table 6 is higher than before. The light amount of the optical image of the mask 2 is appropriately corrected.

具体的には、比較回路25は、回転位相板43の回転方向位置のそれぞれに対応する回転位相板43の透過率を予め取得している。また、比較回路25は、第1センサ5Aおよび第2センサ5Bのn列の撮像素子51のそれぞれの感度を予め取得している。例えば、比較回路25は、自らの記憶領域内に透過率および感度を記憶していてもよく、または、外部記憶装置(例えば、後述する磁気ディスク装置31)から透過率および感度を読み込み可能であってもよい。   Specifically, the comparison circuit 25 acquires in advance the transmittance of the rotary phase plate 43 corresponding to each of the rotational direction positions of the rotary phase plate 43. In addition, the comparison circuit 25 acquires in advance the sensitivities of the imaging elements 51 in n rows of the first sensor 5A and the second sensor 5B. For example, the comparison circuit 25 may store the transmittance and the sensitivity in its own storage area, or can read the transmittance and the sensitivity from an external storage device (for example, a magnetic disk device 31 described later). May be

そして、比較回路25は、i列目の撮像素子51でマスク2の光学画像が撮像されたときに回転方向位置検出部8で検出された回転方向位置における回転位相板43の透過率と、i列目の撮像素子51の感度と、に基づいて、i列目の撮像素子で撮像されたマスク2の光学画像の光量を補正する。   Then, the comparison circuit 25 calculates the transmittance of the rotational phase plate 43 at the rotational direction position detected by the rotational direction position detection unit 8 when the optical image of the mask 2 is captured by the imaging device 51 in the i-th row; Based on the sensitivity of the imaging element 51 in the column, the light amount of the optical image of the mask 2 imaged by the imaging element in the i-th column is corrected.

なお、i列目の撮像素子51には、複数の撮像素子51が含まれているが、マスク2の光学画像の光量の補正は、i列に含まれる個々の撮像素子51(すなわち、画素)毎に行われる。   Note that although the imaging element 51 in the i-th column includes a plurality of imaging elements 51, the correction of the light amount of the optical image of the mask 2 is performed by individual imaging elements 51 (that is, pixels) included in the i-th column It takes place every time.

このように、i列目の撮像素子51によって光学画像が撮像されたときの回転位相板43の透過率と、i列目の撮像素子51の感度とに基づいて光学画像の光量を補正することで、n列全ての撮像素子51での撮像周期と回転位相板43の回転周期とが同期するように回転位相板43を高速で回転させずとも、光量を適切に補正することができる。   Thus, the light amount of the optical image is corrected based on the transmittance of the rotational phase plate 43 when the optical image is captured by the imaging device 51 in the i-th row and the sensitivity of the imaging device 51 in the i-th row. Thus, the amount of light can be properly corrected without rotating the rotational phase plate 43 at a high speed so that the imaging periods of all the imaging elements 51 in n columns and the rotational period of the rotational phase plate 43 are synchronized.

これにより、回転位相板43の回転速度を上げることなく疑似欠陥の検出を抑制した高精度な検査の速度を向上させることができる。   As a result, it is possible to improve the speed of high-accuracy inspection in which detection of pseudo defects is suppressed without increasing the rotational speed of the rotational phase plate 43.

比較回路25は、以下の数式(1)にしたがってi列目の撮像素子51で撮像されたマスク2の光学画像の光量を補正してもよい。
Ci=Csi/(Ti×Ki) (1)
但し、Ciは、i列目の撮像素子51で撮像されたマスク2の光学画像の補正後の光量である。Csiは、i列目の撮像素子51で撮像されたマスク2の光学画像の補正前の光量である。Tiは、i列目の撮像素子51でマスク2の光学画像が撮像されたときに検出された回転位相板43の回転方向位置における回転位相板43の透過率である。Kiは、i列目の撮像素子51の感度に比例した係数である(以下、同様)。Kiは、i列目の撮像素子51の感度そのものであってもよい。
The comparison circuit 25 may correct the light amount of the optical image of the mask 2 captured by the imaging device 51 in the i-th row according to the following formula (1).
Ci = Csi / (Ti × Ki) (1)
However, Ci is the light quantity after correction of the optical image of the mask 2 imaged by the imaging element 51 in the i-th row. Csi is the light amount before correction of the optical image of the mask 2 captured by the imaging device 51 in the i-th row. Ti is the transmittance of the rotational phase plate 43 at the rotational direction position of the rotational phase plate 43 detected when the optical image of the mask 2 is captured by the imaging device 51 in the i-th row. Ki is a coefficient proportional to the sensitivity of the imaging device 51 in the i-th row (the same applies hereinafter). Ki may be the sensitivity itself of the imaging element 51 in the i-th row.

数式(1)にしたがって光量を補正することで、透過率または感度が大きいために光量が大きくなる光学画像については、大きい透過率または感度で光量を除することによって、補正による光量の減少量を大きくすることができる。逆に、透過率または感度が小さいために光量が小さくなる光学画像については、小さい透過率または感度で光量を除することによって、補正による光量の減少量を小さくすることができる。これにより、光学画像に真の欠陥が含まれていない限りにおいて、各列の撮像素子51で撮像されたマスク2の光学画像の補正後の光量を平均化することができる。これにより、透過率および感度に起因する光量のむらを抑制することができるので、疑似欠陥をさらに有効に防止して検査精度を更に高めることができる。   By correcting the light amount according to Equation (1), the reduction amount of the light amount due to the correction is obtained by dividing the light amount by the large transmittance or sensitivity for an optical image in which the light amount is large because the transmittance or sensitivity is large. It can be enlarged. On the contrary, for an optical image in which the light amount is small because the transmittance or the sensitivity is small, the reduction amount of the light amount due to the correction can be reduced by dividing the light amount by the small transmittance or the sensitivity. As a result, as long as the optical image does not include a true defect, it is possible to average the corrected light amount of the optical image of the mask 2 captured by the imaging device 51 of each row. As a result, it is possible to suppress the unevenness of the light amount due to the transmittance and the sensitivity, so it is possible to more effectively prevent the pseudo defects and to further enhance the inspection accuracy.

また、比較回路25は、n列の撮像素子51で順に撮像されたマスク2の光学画像のそれぞれの補正された光量を加算することで、最終的なマスク2の光学画像の光量を取得する。   Further, the comparison circuit 25 obtains the final light amount of the optical image of the mask 2 by adding the corrected light amounts of the optical images of the mask 2 sequentially captured by the imaging elements 51 in n columns.

このように、各列の撮像素子51毎に補正された光量を加算した光量を最終的なマスク2の光学画像の光量として取得し、取得された光量の光学画像を参照画像と比較することで、疑似欠陥の検出を抑制しつつ真の欠陥を高精度に検出することができる。   Thus, the light amount obtained by adding the light amount corrected for each imaging element 51 of each row is acquired as the light amount of the optical image of the final mask 2 and the optical image of the acquired light amount is compared with the reference image The true defect can be detected with high accuracy while suppressing the detection of the false defect.

比較回路25は、以下の数式(2)にしたがって最終的なマスク2の光学画像の光量を取得してもよい。

Figure 2019066207
The comparison circuit 25 may obtain the final light intensity of the optical image of the mask 2 according to the following equation (2).
Figure 2019066207

数式(2)を用いることで、最終的なマスク2の光学画像の光量を簡便かつ迅速に取得することができる。   By using Equation (2), the final light quantity of the optical image of the mask 2 can be easily and quickly acquired.

上記構成以外にも、図1に示すように、パターン検査装置1は、制御計算機30と、磁気ディスク装置31と、磁気テープ装置32と、フロッピーディスク(登録商標)33と、CRT34と、プリンタ35とを備える。これらの構成部30〜35は、いずれもバス14に接続されている。   In addition to the above configuration, as shown in FIG. 1, the pattern inspection apparatus 1 includes a control computer 30, a magnetic disk drive 31, a magnetic tape drive 32, a floppy disk (registered trademark) 33, a CRT 34, and a printer 35. And All of these components 30 to 35 are connected to the bus 14.

制御計算機30は、バス14に接続された各構成部に対して、欠陥検査に関連する各種の制御や処理を実行する。磁気ディスク装置31は、マスク2の設計データを記憶する。磁気テープ装置32およびフロッピーディスク33は、欠陥検査に関連する各種の情報を記憶する。CRT34は、欠陥検査に関連する各種の画像を表示する。プリンタ35は、欠陥検査に関連する各種の情報を印刷する。   The control computer 30 executes various controls and processes related to defect inspection for each component connected to the bus 14. The magnetic disk drive 31 stores design data of the mask 2. The magnetic tape device 32 and the floppy disk 33 store various types of information related to defect inspection. The CRT 34 displays various images related to defect inspection. The printer 35 prints various information related to defect inspection.

以上述べたように、本実施形態のパターン検査装置1によれば、i列目の撮像素子51でマスク2の光学画像が撮像されたときに検出された回転方向位置における回転位相板43の透過率と、i列目の撮像素子51の感度と、に基づいて、i列目の撮像素子で撮像された試料の光学画像の光量を補正することができる。これにより、回転位相板43の回転速度を上げることなく検査速度を向上させることができる。   As described above, according to the pattern inspection apparatus 1 of the present embodiment, the transmission of the rotational phase plate 43 at the rotational direction position detected when the optical image of the mask 2 is captured by the imaging device 51 in the i-th row The light amount of the optical image of the sample imaged by the i-th imaging device can be corrected based on the ratio and the sensitivity of the i-th imaging device 51. As a result, the inspection speed can be improved without increasing the rotational speed of the rotational phase plate 43.

(パターン検査方法)
次に、図1のパターン検査装置1を適用した本実施形態のパターン検査方法について説明する。図5は、本実施形態によるパターン検査方法を示すフローチャートである。図5のフローチャートは、必要に応じて繰り返される。図6は、本実施形態によるパターン検査方法を示す斜視図である。図6に示すように、マスク2上の検査領域201は、短冊状の複数のストライプ202に仮想的に分割されている。第1センサ5Aおよび第2センサ5Bは、XYθテーブル6の移動にともなって、マスク2をストライプ202毎に撮像する。このとき、図6の破線矢印に示す方向に各ストライプ202が連続的にスキャンされるように、テーブル制御回路17はXYθテーブル6の動作を制御する。XYθテーブル6を移動させながら、第1センサ5Aおよび第2センサ5Bで撮像された光学画像に基づいてストライプ202上のパターンの欠陥を検査する。
(Pattern inspection method)
Next, a pattern inspection method of the present embodiment to which the pattern inspection apparatus 1 of FIG. 1 is applied will be described. FIG. 5 is a flowchart showing the pattern inspection method according to the present embodiment. The flowchart of FIG. 5 is repeated as necessary. FIG. 6 is a perspective view showing a pattern inspection method according to the present embodiment. As shown in FIG. 6, the inspection area 201 on the mask 2 is virtually divided into a plurality of strip-like stripes 202. The first sensor 5 </ b> A and the second sensor 5 </ b> B image the mask 2 for each stripe 202 as the XYθ table 6 moves. At this time, the table control circuit 17 controls the operation of the XYθ table 6 so that each stripe 202 is scanned continuously in the direction indicated by the broken line arrow in FIG. While moving the XYθ table 6, a defect in the pattern on the stripe 202 is inspected based on the optical image captured by the first sensor 5A and the second sensor 5B.

欠陥の検査にあたり、比較回路25は、図5のフローチャートにしたがって、マスク2の光学画像の光量を補正する。   In the inspection of the defect, the comparison circuit 25 corrects the light amount of the optical image of the mask 2 according to the flowchart of FIG.

具体的には、先ず、駆動装置7は、回転位相板43の回転駆動を開始し、回転方向位置検出部8は、光源3の光路に交わる回転位相板43の回転方向位置の検出を開始する(ステップS1)。   Specifically, first, the driving device 7 starts rotational driving of the rotational phase plate 43, and the rotational direction position detection unit 8 starts detection of the rotational direction position of the rotational phase plate 43 intersecting the light path of the light source 3. (Step S1).

回転位相板43の回転方向位置の検出が開始された後、XYθテーブル6によって撮像素子51の列方向にマスク2が搬送され、回転位相板43を通して光源3からマスク2に光が照射され、n列の撮像素子51によって順にマスク2の光学画像が撮像される。   After detection of the rotational direction position of the rotational phase plate 43 is started, the mask 2 is transported in the column direction of the imaging device 51 by the XYθ table 6 and light is irradiated from the light source 3 through the rotational phase plate 43 to the mask 2 An optical image of the mask 2 is sequentially captured by the imaging elements 51 in a row.

具体的には、先ず、第1センサ5Aおよび第2センサ5Bは、i列目の撮像素子51によってマスク2の光学画像を撮像する(ステップS2)。   Specifically, first, the first sensor 5A and the second sensor 5B capture an optical image of the mask 2 by the imaging element 51 in the i-th row (step S2).

図7は、本実施形態によるパターン検査方法を説明するための説明図である。例えば、図7に示すように、1024列(図7においては、3列のみを代表的に図示)の撮像素子51は、XYθテーブル6による撮像素子51の列方向(X方向)へのマスク2の搬送にともなって、1列目の撮像素子51から順にマスク2の光学画像を撮像する。   FIG. 7 is an explanatory view for explaining a pattern inspection method according to the present embodiment. For example, as shown in FIG. 7, the imaging elements 51 of 1024 columns (only 3 columns are representatively shown in FIG. 7) are masks 2 in the column direction (X direction) of the imaging elements 51 by the XYθ table 6. The optical image of the mask 2 is captured sequentially from the imaging device 51 in the first row in accordance with the conveyance of the image.

図7の例において、マスク2は、搬送方向の先頭側から順に、領域A、領域Bおよび領域Cを含む。各列の撮像素子51は、1列目から順に、領域Aの画像a、領域Bの画像bおよび領域Cの画像cを撮像する。また、図7に示すように、2列目の撮像素子51によって画像aが撮像されるときには、1列目の撮像素子51によって画像bが撮像される。また、3列目の撮像素子51によって画像aが撮像されるときには、2列目の撮像素子51によって画像bが撮像され、1列目の撮像素子51によって画像cが撮像される。図7の例を図5に適用する場合、先ず、第1センサ5Aおよび第2センサ5Bは、1列目の撮像素子51によって画像aを撮像する(ステップS2)。   In the example of FIG. 7, the mask 2 includes an area A, an area B, and an area C in order from the top side in the transport direction. The imaging element 51 of each column captures an image a of the area A, an image b of the area B, and an image c of the area C sequentially from the first column. Further, as shown in FIG. 7, when the image a is captured by the imaging device 51 in the second row, the image b is captured by the imaging device 51 in the first row. When the image a is captured by the imaging element 51 in the third column, the image b is captured by the imaging element 51 in the second column, and the image c is captured by the imaging element 51 in the first column. When the example of FIG. 7 is applied to FIG. 5, first, the first sensor 5A and the second sensor 5B capture an image a by the imaging element 51 in the first row (step S2).

図5に示すように、i列目の撮像素子51によってマスク2の光学画像が撮像された後、比較回路25は、i列目の撮像素子51によってマスク2の光学画像が撮像されたときに回転方向位置検出部8で検出された回転方向位置における回転位相板43の透過率Tiを取得する(ステップS3)。また、比較回路25は、i列目の撮像素子51の感度に比例する係数Kiを取得する(ステップS3)。   As shown in FIG. 5, after the optical image of the mask 2 is captured by the imaging element 51 in the i-th column, the comparison circuit 25 detects the optical image of the mask 2 by the imaging element 51 in the i-th column The transmittance Ti of the rotational phase plate 43 at the rotational direction position detected by the rotational direction position detection unit 8 is acquired (step S3). Further, the comparison circuit 25 obtains a coefficient Ki that is proportional to the sensitivity of the imaging device 51 in the i-th row (step S3).

図8は、本実施形態によるパターン検査方法において、回転位相板43の回転方向位置に対応する回転位相板43の透過率と、第1センサ5Aの各列の撮像素子51の感度とを示すグラフである。なお、第2センサ5Bに対応する回転位相板43の透過率および感度は、図8と同様である。図8には、比較回路25の記憶領域または外部記憶装置に予め記憶された回転位相板43の透過率および撮像素子51の感度が図示されている。回転位相板43の透過率は、回転位相板43の回転方向位置と対応付けられている。また、撮像素子51の感度は、撮像素子51の列番号(すなわち、段番号)に対応付けられている。   FIG. 8 is a graph showing the transmittance of the rotational phase plate 43 corresponding to the position of the rotational phase plate 43 in the rotational direction and the sensitivity of the image sensor 51 of each row of the first sensor 5A in the pattern inspection method according to the present embodiment. It is. The transmittance and sensitivity of the rotary phase plate 43 corresponding to the second sensor 5B are the same as those in FIG. FIG. 8 illustrates the transmittance of the rotational phase plate 43 and the sensitivity of the imaging device 51 stored in advance in the storage area of the comparison circuit 25 or the external storage device. The transmittance of the rotational phase plate 43 is associated with the rotational direction position of the rotational phase plate 43. Further, the sensitivity of the imaging device 51 is associated with the column number (that is, the step number) of the imaging device 51.

図8においては、透過率と撮像素子感度との時間的な対応関係を表すために、画像a、b、c毎に、撮像期間の開始時に検出された回転方向位置の透過率と、撮像期間の開始時に撮像を行う1列目の撮像素子の感度とが破線で結ばれている。また、撮像期間の終了時に検出された回転方向位置の透過率と、撮像期間の終了時に撮像を行う1024列目の撮像素子の感度とが破線で結ばれている。   In FIG. 8, the transmittance of the rotational direction position detected at the start of the imaging period and the imaging period for each of the images a, b, and c in order to express the temporal correspondence relationship between the transmittance and the imaging element sensitivity. The sensitivity of the imaging element in the first column that performs imaging at the start of is connected by a broken line. In addition, the transmittance of the rotational direction position detected at the end of the imaging period and the sensitivity of the imaging element of the 1024th column that performs imaging at the end of the imaging period are connected by a broken line.

図8の例を図5に適用する場合、先ず、比較回路25は、1列目の撮像素子51で画像aが撮像されたときの回転方向位置(例えば、0[rad])に対応する透過率T1と、1列目の撮像素子51の感度に比例する係数K1とを取得する(ステップS3)。   When the example of FIG. 8 is applied to FIG. 5, first, the comparison circuit 25 transmits the light corresponding to the rotational direction position (for example, 0 [rad]) when the image a is captured by the imaging device 51 in the first column. The factor T1 and the coefficient K1 proportional to the sensitivity of the imaging device 51 in the first column are acquired (step S3).

回転位相板43の透過率Tiおよび撮像素子51の感度に比例する係数Kiを取得した後、比較回路25は、i列目の撮像素子51で撮像されたマスク2の光学画像の光量を次式にしたがって補正する(ステップS4)。
Ci=Csi/(Ti×Ki) (1)
After acquiring the transmittance Ti of the rotational phase plate 43 and the coefficient Ki proportional to the sensitivity of the imaging device 51, the comparison circuit 25 performs the following expression on the light intensity of the optical image of the mask 2 captured by the imaging device 51 in the i-th row The correction is made according to (step S4).
Ci = Csi / (Ti × Ki) (1)

図7の例を図5に適用する場合、比較回路25は、1列目の撮像素子51によって撮像された画像aの光量Cs1aを補正することで、補正光量Cs1a/(T1×K1)を取得する。   When the example of FIG. 7 is applied to FIG. 5, the comparison circuit 25 corrects the light amount Cs1a of the image a captured by the imaging device 51 in the first column to obtain the corrected light amount Cs1a / (T1 × K1). Do.

i列目の撮像素子51で撮像されたマスク2の光学画像の光量を補正した後、比較回路25は、n列(すなわち、全列)の撮像素子51で撮像されたマスク2の光学画像の光量の補正が完了したか否かを判定する(ステップS5)。   After correcting the light amount of the optical image of the mask 2 imaged by the imaging device 51 in the i-th row, the comparison circuit 25 performs the correction of the optical image of the mask 2 imaged by the imaging device 51 in n-th row (that is, all rows). It is determined whether the correction of the light amount is completed (step S5).

n列の撮像素子51で撮像されたマスク2の光学画像の光量の補正が完了した場合(ステップS5:Yes)、比較回路25は、次式にしたがって最終的なマスク2の光学画像の光量を算出する(ステップS6)。   When the correction of the light amount of the optical image of the mask 2 captured by the imaging elements 51 in n rows is completed (step S5: Yes), the comparison circuit 25 calculates the final light amount of the optical image of the mask 2 according to the following equation. Calculate (step S6).

Figure 2019066207
Figure 2019066207

図7の例を図5に適用する場合、比較回路25は、画像aの最終的な光量を次の数式(2a)によって算出する。

Figure 2019066207
When the example of FIG. 7 is applied to FIG. 5, the comparison circuit 25 calculates the final light quantity of the image a by the following formula (2a).
Figure 2019066207

また、比較回路25は、画像bの最終的な光量を次の数式(2b)によって算出する。

Figure 2019066207
Further, the comparison circuit 25 calculates the final light amount of the image b by the following formula (2b).
Figure 2019066207

また、比較回路25は、画像cの最終的な光量を次の数式(2c)によって算出する。

Figure 2019066207
Further, the comparison circuit 25 calculates the final light amount of the image c by the following formula (2c).
Figure 2019066207

領域A〜C内に真の欠陥が存在しない限り、数式(2a)〜数式(2c)の値は互いにほぼ等しくなる。したがって、数式(2a)〜数式(2c)の値を用いて欠陥を検査することで、疑似欠陥の検出を防止することができる。   As long as there is no true defect in the regions A to C, the values of the equations (2a) to (2c) are substantially equal to one another. Therefore, detection of a false defect can be prevented by inspecting the defect using the values of Formula (2a) to Formula (2c).

一方、n列の撮像素子51で撮像されたマスク2の光学画像の光量の補正が完了していない場合(ステップS5:No)、比較回路25は、次列のマスク2の光学画像の光量の算出に移行する(ステップS7、ステップS2)。   On the other hand, when the correction of the light amount of the optical image of the mask 2 imaged by the imaging elements 51 in n rows is not completed (step S5: No), the comparison circuit 25 compares the light amount of the optical image of the mask 2 in the next row. It shifts to calculation (step S7, step S2).

以上述べたように、本実施形態によれば、i列目の撮像素子51でマスク2の光学画像が撮像されたときに検出された回転位相板43の回転方向位置に対応する透過率と、i列目の撮像素子51の感度と、に基づいて、i列目の撮像素子で撮像された試料の光学画像の光量を補正することができる。これにより、回転位相板43の回転速度を上げることなく検査速度を向上させることができる。   As described above, according to the present embodiment, the transmittance corresponding to the rotational direction position of the rotational phase plate 43 detected when the optical image of the mask 2 is captured by the imaging device 51 in the i-th row; The amount of light of the optical image of the sample imaged by the i-th imaging device can be corrected based on the sensitivity of the i-th imaging device 51. As a result, the inspection speed can be improved without increasing the rotational speed of the rotational phase plate 43.

パターン検査装置1の少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、パターン検査装置1の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやCD−ROM等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。   At least a part of the pattern inspection apparatus 1 may be configured by hardware or may be configured by software. When configured by software, a program for realizing at least a part of the function of the pattern inspection apparatus 1 may be stored in a recording medium such as a flexible disk or a CD-ROM, and read by a computer for execution. The recording medium is not limited to a removable medium such as a magnetic disk or an optical disk, and may be a fixed recording medium such as a hard disk drive or a memory.

上述の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。   The embodiments described above are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. The embodiment can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof as well as included in the scope and the gist of the invention.

1 パターン検査装置
2 マスク
3 光源
43 回転位相板
1 pattern inspection device 2 mask 3 light source 43 rotating phase plate

Claims (5)

パターンが設けられた試料に向けて光を出射する光源と、
前記光源の光路に交わるように前記光源と前記試料との間に配置され、不規則な深さを有する複数の凹部が設けられ、該複数の凹部が前記光源の光路に交わるように回転しながら前記光源から出射された光を該複数の凹部に通過させて、前記光の光量を略均一化する回転位相板と、
前記回転位相板を通して前記試料に照射された照射光による前記試料の光学画像を撮像するn列の撮像素子を有するセンサと、を備えた検査装置を用いて前記パターンの欠陥を検査する検査方法であって、
前記回転位相板を回転させ、前記光源の光路に交わる前記回転位相板の回転方向位置を検出する工程と、
前記撮像素子の列方向に前記試料を搬送し、前記試料に前記照射光を照射し、前記n列の撮像素子のうち前記照射光の光路上に位置するi列目(1≦i≦n)の撮像素子で前記試料の光学画像を撮像する工程と、
前記i列目の撮像素子で前記試料の光学画像が撮像されたときに検出された前記回転位相板の回転方向位置における予め取得された前記回転位相板の透過率と、予め取得された前記i列目の撮像素子の感度と、に基づいて、前記i列目の撮像素子で撮像された前記試料の光学画像の光量を補正する工程と、を備える検査方法。
A light source for emitting light toward the sample provided with the pattern;
A plurality of recesses having an irregular depth are disposed between the light source and the sample so as to intersect the light path of the light source, and the plurality of recesses are rotated so as to intersect the light path of the light source A rotating phase plate that passes the light emitted from the light source to the plurality of concave portions to substantially equalize the light amount of the light;
And a sensor having an n-line image pickup element for capturing an optical image of the sample by the irradiation light irradiated to the sample through the rotary phase plate, and an inspection method for inspecting a defect of the pattern using an inspection apparatus There,
Rotating the rotational phase plate to detect the rotational direction position of the rotational phase plate intersecting the light path of the light source;
The sample is transported in the column direction of the imaging device, the irradiation light is irradiated to the sample, and the i-th row (1 ≦ i ≦ n) positioned on the optical path of the irradiation light among the n rows of imaging devices Imaging an optical image of the sample with the imaging device of
The transmittance of the rotational phase plate acquired in advance at the rotational direction position of the rotational phase plate detected when the optical image of the sample is imaged by the imaging device in the i-th row, and the i acquired in advance Correcting the amount of light of the optical image of the sample imaged by the i-th imaging device based on the sensitivity of the imaging devices in the first column.
前記試料の光学画像の光量を補正する工程は、以下の数式(1)にしたがう、請求項1に記載の検査方法。
Ci=Csi/(Ti×Ki) (1)
但し、Ciは、i列目の撮像素子で撮像された試料の光学画像の補正後の光量であり、Csiは、i列目の撮像素子で撮像された試料の光学画像の補正前の光量であり、Tiは、i列目の撮像素子で試料の光学画像が撮像されたときに検出された回転位相板の回転方向位置における回転位相板の透過率であり、Kiは、i列目の撮像素子の感度に比例した係数である(以下、同様)。
The inspection method according to claim 1, wherein the step of correcting the light amount of the optical image of the sample follows the following equation (1).
Ci = Csi / (Ti × Ki) (1)
Where Ci is the amount of light after correction of the optical image of the sample taken by the imaging device in the i-th column, and Csi is the amount of light before correction of the optical image of the sample taken by the imaging device in the i-th column Ti is the transmittance of the rotational phase plate at the rotational position of the rotational phase plate detected when the optical image of the sample is captured by the imaging device in the i-th row, and Ki is the imaging of the i-th row It is a coefficient proportional to the sensitivity of the element (the same applies hereinafter).
前記試料の光学画像を撮像する工程は、前記撮像素子の列方向に前記試料を搬送しながら前記n列の撮像素子で順に前記試料の光学画像を撮像する工程であり、
前記試料の光学画像の光量を補正する工程は、前記n列の撮像素子で順に撮像された前記試料の光学画像のそれぞれの光量を補正する工程であり、
前記検査方法は、
前記n列の撮像素子で順に撮像された前記試料の光学画像のそれぞれの補正後の光量を加算することで、最終的な前記試料の光学画像の光量を取得する工程を更に備える、請求項1または2に記載の検査方法。
The step of capturing an optical image of the sample is a step of capturing an optical image of the sample sequentially by the imaging elements of the n rows while transporting the sample in the column direction of the imaging element,
The step of correcting the light amount of the optical image of the sample is a step of correcting the light amount of each of the optical image of the sample, which is sequentially imaged by the n rows of imaging elements,
The inspection method is
The method further includes the step of acquiring the final light amount of the optical image of the sample by adding the corrected light amounts of the optical images of the sample sequentially captured by the n rows of imaging elements. Or the inspection method as described in 2.
前記最終的な前記試料の光学画像の光量を取得する工程は、以下の数式(2)にしたがう、請求項3に記載の検査方法。
Figure 2019066207
The inspection method according to claim 3, wherein the step of acquiring the final light intensity of the optical image of the sample is performed according to the following equation (2).
Figure 2019066207
パターンが設けられた試料に向けて光を出射する光源と、
前記光源の光路に交わるように前記光源と前記試料との間に配置され、不規則な深さを有する複数の凹部が設けられ、該複数の凹部が前記光源の光路に交わるように回転しながら前記光源から出射された光を該複数の凹部に通過させて、前記光の光量を略均一化する回転位相板と、
前記回転位相板を通して前記試料に照射された照射光による前記試料の光学画像を撮像するn列の撮像素子を有するセンサと、を備え、前記パターンの欠陥を検査する検査装置であって、
前記回転位相板の回転中に、前記光源の光路に交わる前記回転位相板の回転方向位置を検出する回転方向位置検出部と、
前記センサで撮像された前記試料の光学画像の光量を補正する光量補正部と、を備え、
前記センサは、前記撮像素子の列方向に前記試料が搬送され、前記回転位相板を通して前記試料に前記照射光が照射されたときに、前記n列の撮像素子のうち前記照射光の光路上に位置するi列目(1≦i≦n)の撮像素子で前記試料の光学画像を撮像し、
前記光量補正部は、前記i列目の撮像素子で前記試料の光学画像が撮像されたときに検出された前記回転位相板の回転方向位置における予め取得された前記回転位相板の透過率と、予め取得された前記i列目の撮像素子の感度と、に基づいて、前記i列目の撮像素子で撮像された前記試料の光学画像の光量を補正する、検査装置。
A light source for emitting light toward the sample provided with the pattern;
A plurality of recesses having an irregular depth are disposed between the light source and the sample so as to intersect the light path of the light source, and the plurality of recesses are rotated so as to intersect the light path of the light source A rotating phase plate that passes the light emitted from the light source to the plurality of concave portions to substantially equalize the light amount of the light;
A sensor having n rows of imaging elements for capturing an optical image of the sample from the irradiation light irradiated to the sample through the rotating phase plate, the inspection apparatus inspecting a defect in the pattern,
A rotational direction position detection unit that detects the rotational direction position of the rotational phase plate that intersects the light path of the light source while the rotational phase plate rotates;
A light quantity correction unit that corrects the light quantity of the optical image of the sample captured by the sensor;
In the sensor, when the sample is transported in the column direction of the imaging element and the sample is irradiated with the irradiation light through the rotational phase plate, the sensor is placed on the optical path of the irradiation light among the n imaging elements. An optical image of the sample is captured by the imaging element of the i-th row (1 ≦ i ≦ n) located,
The light quantity correction unit is a transmittance of the rotational phase plate obtained in advance in the rotational direction position of the rotational phase plate detected when an optical image of the sample is captured by the imaging device in the i-th row; The inspection apparatus which corrects the light quantity of the optical image of the sample picturized with the imaging device of the i-th row based on the sensitivity of the imaging device of the i-th row acquired beforehand.
JP2017188995A 2017-09-28 2017-09-28 Inspection method and inspection equipment Active JP6768622B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017188995A JP6768622B2 (en) 2017-09-28 2017-09-28 Inspection method and inspection equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017188995A JP6768622B2 (en) 2017-09-28 2017-09-28 Inspection method and inspection equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019066207A true JP2019066207A (en) 2019-04-25
JP6768622B2 JP6768622B2 (en) 2020-10-14

Family

ID=66340602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017188995A Active JP6768622B2 (en) 2017-09-28 2017-09-28 Inspection method and inspection equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6768622B2 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004157548A (en) * 1997-06-27 2004-06-03 Toshiba Corp Method for repairing photomask, inspection method, inspection apparatus, and method for manufacturing photomask
JP2005091182A (en) * 2003-09-18 2005-04-07 Hitachi Ltd Pattern defect inspection apparatus and pattern defect inspection method
JP2009168524A (en) * 2008-01-11 2009-07-30 Toshiba Corp Optical system, device and method for inspecting pattern, and method for manufacturing article with pattern
US20100060890A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Nuflare Technology, Inc. Apparatus and method for pattern inspection
JP2017072393A (en) * 2015-10-05 2017-04-13 株式会社ニューフレアテクノロジー Inspection device and inspection method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004157548A (en) * 1997-06-27 2004-06-03 Toshiba Corp Method for repairing photomask, inspection method, inspection apparatus, and method for manufacturing photomask
JP2005091182A (en) * 2003-09-18 2005-04-07 Hitachi Ltd Pattern defect inspection apparatus and pattern defect inspection method
JP2009168524A (en) * 2008-01-11 2009-07-30 Toshiba Corp Optical system, device and method for inspecting pattern, and method for manufacturing article with pattern
US20100060890A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Nuflare Technology, Inc. Apparatus and method for pattern inspection
JP2017072393A (en) * 2015-10-05 2017-04-13 株式会社ニューフレアテクノロジー Inspection device and inspection method

Also Published As

Publication number Publication date
JP6768622B2 (en) 2020-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113939772B (en) Metrology targets for scan metrology
KR100751280B1 (en) Test apparatus, imaging appatus and test method
US8355044B2 (en) Reticle defect inspection apparatus and reticle defect inspection method
KR101782336B1 (en) Inspection apparatus and inspection method
JP4110653B2 (en) Surface inspection method and apparatus
JP2006005360A (en) Method and system for inspecting wafer
US20090238446A1 (en) Ultrafine lithography pattern inspection using multi-stage tdi image sensors with false image removability
US9495740B2 (en) Mask inspection apparatus and mask inspection method
KR100411356B1 (en) Apparatus for inspecting surface
JP2007178144A (en) Pattern inspection system, pattern inspection method, sample to be inspected, and method for managing sample to be inspected
US20140278188A1 (en) Scanning Inspection System With Angular Correction
JP2006258582A (en) Image input device and image input method
JP6502230B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
JP6768622B2 (en) Inspection method and inspection equipment
JP4087146B2 (en) Shape measuring method and shape measuring apparatus
JP5684628B2 (en) Pattern inspection apparatus and pattern inspection method
JP2015230273A (en) Mask inspection device and mask inspection method
JP2006275780A (en) Pattern inspection method
JP7146528B2 (en) Substrate inspection device, substrate processing device, substrate inspection method, and substrate processing method
JP3845286B2 (en) Shape measuring apparatus and shape measuring method
JP6513582B2 (en) Mask inspection method and mask inspection apparatus
WO2019244303A1 (en) Wavefront sensor, wavefront measurement device, and wavefront measurement method
JP2005077272A (en) Method for inspecting defect
JP5299764B2 (en) Evaluation apparatus and evaluation method
JP4363702B2 (en) Image sensor inspection apparatus and image sensor inspection method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190924

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200826

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200828

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200923

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6768622

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250