JP2019065513A - 掘削チップ、掘削工具、および掘削チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】多結晶ダイヤモンド焼結体に匹敵する硬さを有し、Ｆｅ系やＮｉ系の鉱山や高温の掘削条件下でも使用可能な掘削チップ、掘削工具、および掘削チップの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の掘削チップは、先端側に向かうに従い先細りとなる先端部を備えたチップ本体１を有し、チップ本体の先端部の表面には硬質層３が形成され、硬質層の最外層４は７０〜９５ｖｏｌ％のｃＢＮ粒子を有するｃＢＮ焼結体であり、最外層の断面組織を観察したとき、隣り合うｃＢＮ粒子の間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子の存在割合は０．４以上であり、当結合相が、ＴｉとＡｌのいずれか一方、あるいは、両方を含む炭化物、ホウ化物、酸化物およびこれらの固溶体の中から選ばれる２種以上により構成され、当結合相における結合相成分のＣ＋Ｏ＋Ｂ含有領域に対するＣ＋Ｏ含有領域の合計面積が占める面積比は０．８以上である。【選択図】図１

Description

本発明は、掘削工具の先端部に取り付けられて掘削を行う掘削チップ、このような掘削チップが先端部に取り付けられた掘削工具、および掘削チップの製造方法に関する。

このような掘削チップとして、打撃掘削用ビットの長寿命化を図るため、超硬合金よりなるチップ本体の基体先端部に、このチップ本体よりも硬質な多結晶ダイヤモンドの焼結体よりなる硬質層が被覆された掘削チップが知られている。例えば、特許文献１には、円柱状の後端部と、半球状をなして先端側に向かうに従い外径が小さくなる先端部と、を有するチップ本体の上記先端部に、このような多結晶ダイヤモンド焼結体の硬質層を多層に被覆した掘削チップが提案されている。

また、掘削チップとして、露天採掘や長壁式採掘に用いられるドラム式掘削装置の回転ドラムの外周に取り付けられるピックの先端に接合された掘削チップが知られている。特許文献２には、チップ本体の略円錐状の先端部をダイヤモンドおよび／または立方晶窒化ホウ素により被覆した掘削チップが提案されている。特許文献３には、チップ本体の略円錐状の先端部を被覆する最外層が、多結晶ダイヤモンド、多結晶立方晶窒化ホウ素、単結晶ダイヤモンド、および立方晶窒化ホウ素複合材から選択されることが提案されている。

立方晶窒化ホウ素焼結体について、特許文献４には、金属触媒を用いることにより高硬度の立方晶窒化ホウ素焼結体を製造できることが記載されている。また、特許文献５には、強度および靱性を向上するために、Ａｌ_２Ｏ、ＡｌＢ_２、ＡｌＮ、ＴｉＢ_２、およびＴｉＮを含有する結合相を備える立方晶窒化ホウ素焼結体で構成した切削工具が提案されている。

米国特許第４６９４９１８号明細書 米国特許第６０５１０７９号明細書 欧州特許出願公開第２０５３１９８号明細書 特許第５１８２５８２号公報 特開平８−１９７３０７号公報

しかしながら、多結晶ダイヤモンド焼結体は超硬合金に比べて耐摩耗性は高いものの、靱性が低いために耐欠損性に乏しく、超硬岩層の掘削においては突発的な硬質層のチッピングや欠損が起きることがある。また、ダイヤモンド焼結体は、Ｆｅ系やＮｉ系の鉱山では親和性が高くて使用することができない。さらに、耐熱温度も７００℃程度であるため、これより高温に晒される条件ではダイヤモンド焼結体は使用できない。例えば、ドライ環境で行われる露天採掘のように７００℃以上の高温となる掘削条件下では、ダイヤモンドが黒鉛化して耐摩耗性が低下してしまう。

また、立方晶窒化ホウ素焼結体は、Ｆｅ系やＮｉ系の鉱山では親和性が低いものの、ダイヤモンドと比較して硬さが劣る。特許文献４に記載の立方晶窒化ホウ素焼結体においては、上述のような７００℃以上の高温となる掘削条件下では、金属の結合相と立方晶窒化ホウ素焼結体との熱膨張係数差によってクラックが発生し易い。さらに、特許文献５に記載の立方晶窒化ホウ素焼結体は硬さが比較的低く、耐摩耗性と耐欠損性が不十分であるため、掘削工具への適用は困難であった。また、このような立方晶窒化ホウ素焼結体において、硬さを向上するために、焼結体に含有される立方晶窒化ホウ素粒子の量を増加させた場合、立方晶窒化ホウ素粒子同士が接触し、結合相と十分に反応できない未焼結部分が増加する。そのため、立方晶窒化ホウ素粒子の含有量に応じた硬さが得られないという問題があった。

本発明は、このような背景の下になされたもので、多結晶ダイヤモンド焼結体に匹敵する硬さを有し、Ｆｅ系やＮｉ系の鉱山や高温の掘削条件下でも使用可能な掘削チップを提供するとともに、このような掘削チップを取り付けた掘削工具、および掘削チップの製造方法を提供することを目的としている。

上記課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明の掘削チップは、掘削工具の先端部に取り付けられて掘削を行う掘削チップであって、上記掘削工具の工具本体に埋設される後端部と、該掘削工具の表面から突出する先端側に向かうに従い先細りとなる先端部とを備えたチップ本体を有し、上記チップ本体の先端部の表面には硬質層が形成され、前記硬質層は、最外層と、前記最外層と前記チップ本体との間に介装される中間層とを備え、前記最外層は、７０〜９５ｖｏｌ％の立方晶窒化ホウ素粒子と結合相としてのＴｉ炭化物とを有する立方晶窒化ホウ素焼結体であり、前記最外層の断面組織を観察したとき、隣り合う立方晶窒化ホウ素粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在する立方晶窒化ホウ素粒子の数の全立方晶窒化ホウ素粒子数に対する割合が０．４以上であり、前記隣り合う立方晶窒化ホウ素粒子間の幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が、ＴｉとＡｌのいずれか一方、あるいは、両方を含む炭化物、ホウ化物、酸化物およびこれらの固溶体の中から選ばれる２種以上により構成され、前記隣り合う立方晶窒化ホウ素粒子間の幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相における結合相成分の炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比が０．８以上であることを特徴とする。

本発明の掘削チップにおいて、前記最外層のビッカース硬さが３７５０〜４２００であることが好ましい。また、前記立方晶窒化ホウ素粒子の平均粒径は０．５〜８．０μｍであることが好ましい。

前記最外層の断面組織を観察したとき、幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相における結合相成分の炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比が０．８以上である結合相が隣り合う立方晶窒化ホウ素粒子との間に存在する立方晶窒化ホウ素粒子の数の、幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が隣り合う立方晶窒化ホウ素粒子との間に存在する立方晶窒化ホウ素粒子の数に対する割合が０．５以上であることが好ましい。

前記中間層が３０〜７０ｖｏｌ％の立方晶窒化ホウ素粒子またはダイヤモンド粒子を含有することが好ましい。

また、本発明の掘削ビットは、上述の掘削チップが工具本体の先端部に取り付けられていることを特徴とする。

また、本発明の掘削チップの製造方法は、掘削工具の工具本体に埋設される後端部と、該掘削工具の表面から突出する先端側に向かうに従い先細りとなる先端部とを備えたチップ本体を有し、上記チップ本体の先端部の表面には硬質層が形成され、前記硬質層が、最外層と、前記最外層と前記チップ本体との間に介装される中間層とを備え、前記最外層は、７０〜９５ｖｏｌ％の立方晶窒化ホウ素粒子と結合相としてのＴｉ炭化物とを有する立方晶窒化ホウ素焼結体である、上述の掘削チップの製造方法であって、立方晶窒化ホウ素粒子の表面に前処理を行う工程と、前記最外層の結合相の原料粉末と前記前処理した立方晶窒化ホウ素粒子とを混合して混合粉末を得る工程と、圧力５．０ＧＰａ以上、温度１６００℃以上で前記混合粉末と前記中間層の原料粉末と前記チップ本体とを焼結する工程とを備えることを特徴とする。

本発明の掘削チップは、多結晶ダイヤモンド焼結体に匹敵する硬さを有し、Ｆｅ系やＮｉ系の鉱山や高温の掘削条件下でも使用可能である。

本発明の掘削チップの一実施形態を示す断面図である。 図１に示す実施形態の掘削チップを先端部に取り付けた掘削ビットを示す断面図である。 掘削チップの先端部を被覆する最外層の断面における隣り合う２つの立方晶窒化ホウ素粒子の界面を示す、ＳＴＥＭ（走査透過電子顕微鏡）で撮影されたＨＡＡＤＦ（高角散乱環状暗視野）像（８００００倍）である。 図３の視野におけるＢマッピング像の二値化像である。 図３の視野におけるＮマッピング像の二値化像である。 図３の視野におけるＡｌマッピング像の二値化像である。 図３の視野におけるＴｉマッピング像の二値化像である。 図３の視野におけるＣマッピング像の二値化像である。 図３の視野におけるＯ（酸素）マッピング像の二値化像である。 図５のＮマッピング像と図４のＢマッピング像とが重なる像ａの領域（差分）を示す図である。 図５のＮマッピング像と図８のＣマッピング像とが重なる像ｂの領域（差分）を示す図である。 図５のＮマッピング像と図９のＯ（酸素）マッピング像とが重なる像ｃの領域（差分）を示す図である。 図１１の像ｂと図１２の像ｃの重なる像ｄの領域（差分）を示す図である。 図１３の像ｄと図１０の像ａの重なる像ｅの領域（差分）を示す図である。 図５のＮマッピング像の上半部拡大像であり、図中のｗ_１は、左側に存在するＷＣ粒子の任意に点Ａと右側に存在するＷＣ粒子との最短距離長さを示す。 図１０のＮマッピング像とＢマッピング像とが重なる像を二値化した領域を示す図である。 図１６のＮマッピング像とＢマッピング像とが重なる像を二値化した領域を示す図において、隣接するｃＢＮ粒子間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相における炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））を測定するための測定領域Ｓ１を決定する例を示す図である。 隣接する立方晶窒化ホウ素粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在する立方晶窒化ホウ素粒子数の全立方晶窒化ホウ素粒子数に対する割合の測定方法を示す模式図である。

図１は本発明の掘削チップの一実施形態を示す断面図であり、図２はこの実施形態の掘削チップを取り付けた本発明の掘削工具の一実施形態を示す断面図である。本実施形態の掘削チップはチップ本体１を有しており、このチップ本体１は超硬合金等の硬質材料よりなる基体２と、この基体２の少なくとも先端部（図１における上側部分）の表面を被覆する、基体２よりも硬度（ビッカース硬さ）の高い硬質層３とを備えている。

チップ本体１は、その後端部（図１において下側部分）がチップ中心線Ｃを中心とした円柱状または円板状をなしているとともに、先端部は、本実施形態では後端部がなす円柱または円板の半径と等しい半径でチップ中心線Ｃ上に中心を有する半球状をなしていて、先端側に向かうに従いチップ中心線Ｃからの外径が漸次小さくなる先細り形状に形成されている。すなわち、本実施形態の掘削チップはボタンチップである。

本実施形態では、図１に示すようにチップ本体１の先端部だけに硬質層３が被覆されており、この硬質層３を含めたチップ本体１の先端部が上述のような半球状をなすように形成されている。また、本実施形態では、図１に示すように硬質層３が、最外層４と、この最外層４と基体２との間に介装される中間層５とを備えた２層構造とされている。

このような掘削チップが先端部に取り付けられる掘削工具の一実施形態である掘削ビットは、鋼材等により形成されて図２に示すように軸線Ｏを中心とした概略有底円筒状をなすビット本体１１を有し、その有底部が先端部（図２において上側部分）とされて、この先端部に掘削チップが取り付けられる。また、円筒状の後端部（図２において下側部分）の内周には雌ネジ部１２が形成され、掘削装置に連結された掘削ロッド（不図示）がこの雌ネジ部１２にねじ込まれる。掘削ロッドから雌ネジ部１２を介して軸線Ｏ方向先端側に向けての打撃力と推力、および軸線Ｏ回りの回転力が伝達されることにより、掘削チップによって岩盤を破砕して掘削孔を形成する。

ビット本体１１の先端部は後端部よりも僅かに外径が大径とされている。この先端部の外周には軸線Ｏに平行に延びる排出溝１３が周方向に間隔をあけて複数条形成されている。上記掘削チップにより岩盤が破砕されて生成された破砕屑が、この排出溝１３を通してビット本体１１の後端側に排出される。また、有底とされたビット本体１１の雌ネジ部１２底面からは軸線Ｏに沿ってブロー孔１４が形成されている。このブロー孔１４はビット本体１１先端部において斜めに分岐してビット本体１１の先端面に開口している。上記掘削ロッドを介して供給される圧縮空気のような流体をブロー孔１４から噴出させることにより、破砕屑の排出を促進する。

さらに、ビット本体１１の先端面は、内周側の軸線Ｏに垂直な軸線Ｏを中心とした円形のフェイス面１５と、このフェイス面１５の外周に位置して外周側に向かうに従い後端側に向かう円錐台面状のゲージ面１６とを備えている。ブロー孔１４はフェイス面１５に開口するとともに、排出溝１３の先端はゲージ面１６の外周側に開口している。また、これらフェイス面１５とゲージ面１６には、それぞれブロー孔１４と排出溝１３の開口部を避けるようにして、断面円形の複数の取付孔１７がフェイス面１５とゲージ面１６に対して垂直に形成されている。

このような取付孔１７に、上記掘削チップは、図２に示すようにチップ本体１の上記後端部が埋没させられた状態で圧入や焼き嵌め等によって締まり嵌めされたり、ロウ付けされたりすることにより固定され、すなわち埋設されて取り付けられる。さらに、硬質層３が形成されたチップ本体１の先端部がフェイス面１５およびゲージ面１６から突出して、上述した打撃力、推力および回転力により岩盤を破砕する。

次に、この硬質層３の最外層４の構成について図３〜図１８を用いて説明する。最外層４は、主結合相がセラミックスの立方晶窒化ホウ素焼結体（以下、「ｃＢＮ焼結体」ともいう）からなる。このｃＢＮ焼結体は、ｃＢＮ焼結体全体に対する含有量が７０〜９５ｖｏｌ％の立方晶窒化ホウ素粒子（以下、「ｃＢＮ粒子」ともいう）と、各ｃＢＮ粒子を互いに結合する結合相とを備える。また、最外層４の任意の断面を観察したとき、この断面組織において、隣り合うｃＢＮ粒子の間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在する。かつ、隣り合うｃＢＮ粒子の間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子の存在割合は０．４以上である。
また、隣り合うｃＢＮ粒子の間の幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が、Ｔｉ（チタン）とＡｌ（アルミニウム）のいずれか一方、あるいは、両方を含む炭化物、ホウ化物、酸化物およびこれらの固溶体の中から選ばれる２種以上により構成されている。
また、隣り合うｃＢＮ粒子間の幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相における結合相成分の炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比が０．８以上である。

そのため、ｃＢＮ粒子−ｃＢＮ粒子間の結合相中においてホウ化物が少なく、結合相が強固であり、また、ｃＢＮ粒子と結合相との界面付着強度が高い。また、上記の結合相を有するｃＢＮ焼結体は、ｃＢＮ粒子同士が接触して結合相と十分反応できない未焼結部分が少ない。そのため、このようなｃＢＮ焼結体は高い硬度を有する。このようなｃＢＮ焼結体で上記最外層４を形成することにより、掘削チップに多結晶ダイヤモンド焼結体に匹敵する硬さを付与でき、掘削チップの耐摩耗性を確保できる。一方、上記の結合相が隣り合うｃＢＮ粒子間に存在しない場合、ｃＢＮ粒子を十分に結合できず、最外層４の硬さが低くなったり、結合相内部を起点とした破壊が生じやすくなったりする。

なお、ｃＢＮ焼結体中に形成される結合相のうち、隣接するｃＢＮ粒子の間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相以外の結合相の構成は主結合相がセラミックスであり、例えば、Ｔｉの炭化物、ホウ化物、Ａｌの窒化物、ホウ化物、酸化物およびこれらの２種以上の固溶体の中から選ばれる１種または２種以上と不可避不純物とで構成されることが好ましい。

最外層４のビッカース硬さは、３７５０〜４２００であることが好ましい。ビッカース硬さが３７５０未満の場合、最外層４に十分な耐摩耗性を付与することが難しい。また、ビッカース硬さが４２００超の場合、最外層４が欠損し易くなる。

最外層４におけるｃＢＮ粒子の含有量は７０〜９５ｖｏｌ％となっているので、上述の断面組織を形成でき、最外層４のビッカース硬さを上記範囲とすることができる。ｃＢＮ粒子の含有量が７０ｖｏｌ％未満の場合、ｃＢＮ粒子の量が少ないので、ｃＢＮ粒子同士が接触し結合相と十分に反応できない未焼結な部分は少なくなるが、その一方で、最外層４のｃＢＮ焼結体の硬さが低下し、耐摩耗性が劣化する。また、ｃＢＮ粒子の間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相を形成することが難しくなる。一方、ｃＢＮ粒子の含有量が９５ｖｏｌ％を超える場合には、焼結体中にクラックの起点となる空隙が生成しやすくなり、耐欠損性が低下する。ｃＢＮ粒子の含有量は、好ましくは７０〜９０ｖｏｌ％であり、より好ましくは７５〜８５ｖｏｌ％であるがこれに限定されない。

ｃＢＮ粒子の平均粒径は０．５〜８．０μｍであることが好ましい。このようなｃＢＮ粒子がｃＢＮ焼結体内に分散することにより、最外層４に高い耐欠損性を付与することができる。具体的には、掘削時に最外層４表面からｃＢＮ粒子が脱落することにより生じる凹凸を起点としたチッピングの発生を抑制することができる。それに加え、掘削時に最外層４に加わる応力により引き起こされるｃＢＮ粒子と結合相との界面から進展するクラック、またはｃＢＮ粒子を貫通して進展するクラックの伝播を、ｃＢＮ焼結体中に分散したｃＢＮ粒子により抑制することができる。ｃＢＮ粒子の平均粒径は０．５〜３．０μｍであることがより好ましいが、これに限定されない。

最外層４の任意の断面を観察したとき、隣接するｃＢＮ粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子の数（ｑ）の全ｃＢＮ粒子の数（Ｑ）に対する割合（ｑ／Ｑ）が０．４以上であることが好ましい。それに加え、幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、上述の面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））が０．８以上である結合相が隣接するｃＢＮ粒子との間に存在するｃＢＮ粒子の数（ｎ）の、幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である結合相が隣接するｃＢＮ粒子との間に存在するｃＢＮ粒子の数（Ｎ）に対する割合（ｎ／Ｎ）が０．５以上であることが好ましい。割合ｑ／Ｑおよび割合ｎ／Ｎが多いことは、ｃＢＮ粒子が結合相により強固に結合されていることを意味する。したがって、割合ｑ／Ｑを０．４以上とし、割合ｎ／Ｎを０．５以上とすることにより、最外層４の硬さを向上できる。なお、割合ｑ／Ｑの値の上限値は好ましくは１であり、ｑ／Ｑの値は０．６以上１以下であることがより好ましい。また、割合ｎ／Ｎの値は０．６以上１以下が好ましく、０．８以上１以下がさらに好ましい。

なお、隣り合うｃＢＮ粒子の間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、上述の面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））が０．８以上である結合相は、隣り合うｃＢＮ粒子の間に点在していても良く、ｃＢＮ粒子間に１つの結合相が延在していても良い（ｃＢＮ粒子が上述の結合相１つを介して他のｃＢＮ粒子と隣接していても良い）。

ここで、本実施形態の掘削チップの最外層４について、上記の構成を特定する手順について、以下に説明する。

＜ｃＢＮ粒子の平均粒径＞
ｃＢＮ粒子の平均粒径は、以下のように求めることができる。
まず、ｃＢＮ焼結体の断面組織をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察し、二次電子像を得る。二次電子像の大きさは、例えば、焼結前のｃＢＮ粒子の平均粒径が３μｍの場合、１５μｍ×１５μｍ（焼結前のｃＢＮ粒子の平均粒径の５倍角）とする。

次に、０を黒、２５５を白とする２５６階調のモノクロでこの二次電子像を表示する。ｃＢＮ粒子部分の画素値と結合相部分の画素値との比が２以上となる画素値の画像を用いて、ｃＢＮ粒子が黒となるように二値化処理を行う。この画像において、ｃＢＮ粒子部分や結合相部分の画素値は、０．５μｍ×０．５μｍ程度の領域内の平均値から求められる。同一画像において少なくとも３領域の画素値の平均値を求め、得られた値を各々のコントラストとすることが望ましい。これにより、ｃＢＮ粒子と結合相とを区別する。上記のような二値化処理の後、ｃＢＮ粒子同士が接触していると考えられる部分を切り離す処理を行う。例えば、画像処理操作の１つであるｗａｔｅｒｓｈｅｄ（ウォーターシェッド）を用いて、接触していると思われるｃＢＮ粒子を分離する。このように、二次電子像を二値化処理した画像から、ｃＢＮ粒子に相当する部分を画像処理により抜き出す。

上記の処理により抜き出されたｃＢＮ粒子に相当する部分（黒の部分）をそれぞれ粒子解析し、ｃＢＮ粒子に相当する部分の最大長をそれぞれ求める。求めた最大長を各ｃＢＮ粒子の最大長とし、それを各ｃＢＮ粒子の直径とする。各ｃＢＮ粒子を球とみなし、得られた直径から各ｃＢＮ粒子の体積を計算する。各ｃＢＮ粒子の体積を基に、ｃＢＮ粒子の粒径の積算分布を求める。詳細には、各ｃＢＮ粒子について、その体積、およびその直径以下の直径を有するｃＢＮ粒子の体積の総和を積算値として求める。各ｃＢＮ粒子について、全ｃＢＮ粒子の体積の総和に対する各ｃＢＮ粒子の上記積算値との割合である体積百分率［％］を縦軸とし、横軸を各ｃＢＮ粒子の直径［μｍ］としてグラフを描画する。体積百分率が５０％となる直径（メディアン径）を１画像におけるｃＢＮ粒子の平均粒径とする。

少なくとも３つの二次電子像に対し上記の処理を行うことにより求めた平均粒径の平均値を、最外層４におけるｃＢＮ粒子の平均粒径［μｍ］とする。なお、このような粒子解析を行う際には、あらかじめＳＥＭにより分かっているスケールの値を用いて、１ピクセル当たりの長さ（μｍ）を設定しておく。また、粒子解析の際、ノイズを除去するために、直径０．０２μｍより小さい領域は粒子として計算しない。

＜ｃＢＮ粒子の含有量＞
ｃＢＮ粒子の含有量は、最外層４の形成時にｃＢＮ粒子粉末と結合相形成用原料粉末との混合比率を調整することにより調整できる。また、この含有量は、次のように確認することもできる。すなわち、ＳＥＭを用いて最外層４の任意の断面を観察して、二次電子像を得る。得られた二次電子像内のｃＢＮ粒子に相当する部分を、上述と同様の画像処理によって抜き出す。画像解析によってｃＢＮ粒子が占める面積を算出し、１画像内のｃＢＮ粒子が占める割合を求める。少なくとも３画像を処理して求めたｃＢＮ粒子の含有量の平均値を、最外層４に占めるｃＢＮ粒子の含有量とする。なお、ｃＢＮ粒子の平均粒径の５倍の長さの一辺をもつ正方形の領域を画像処理に用いる観察領域とすることが望ましい。例えば、ｃＢＮ粒子の平均粒径３μｍの場合、１５μｍ×１５μｍ程度の視野領域が望ましい。

＜隣接するｃＢＮ粒子の間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相を占める元素の特定、および、（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ）の測定＞
隣接するｃＢＮ粒子の間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相を占める元素の特定、および、（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ）の測定は、次のように行うことができる。
まず、最外層４の任意の断面を研磨し、ＳＴＥＭ（走査透過電子顕微鏡）を用いて、図３に示す隣接する２つのｃＢＮ粒子の界面を観察する。図３は、ＳＴＥＭを用いてｃＢＮ粒子とｃＢＮ粒子との界面を観察したＨＡＡＤＦ（高角散乱環状暗視野）像（８００００倍）である。観察試料の厚さは、３ｎｍ〜７０ｎｍが好ましい。３ｎｍより薄い場合、元素マッピングの際に、検出される特性Ｘ線の量が少なくなり測定に時間がかかり、また試料が損傷しやすいので好ましくない。一方、７０ｎｍより厚い場合、画像の解析が困難になるため好ましくない。観察画像のサイズを縦１２０ｎｍ×横１２０ｎｍから縦約５００ｎｍ×横約５００ｎｍ程度とし、解像度を５１２×５１２ピクセル以上とする。

次に、同一の観察領域について、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、炭素（Ｃ）および酸素（Ｏ）の元素マッピング像（図４〜９参照）を取得する。これらの元素マッピング像は、バックグラウンドを除去するために、これらの６元素の含有量の合計に対する各元素の含有量の割合（ａｔｍ％）に換算した画像である。ａｔｍ％は、原子％である。また、各観察像においては、元素が存在している部分を黒色とした二値化処理像をする（黒＝０、白＝２５５の値とする）。
これらの画像をもとに、以下の手順で、隣接するｃＢＮ粒子間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下で結合相が存在するか否か、および、ｃＢＮ粒子間の結合相を占める元素の検出と当該結合相における炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））を求める。
ここで、「炭素と酸素とホウ素含有領域」とは、当該結合相のうち、炭素と酸素とホウ素の少なくとも一つが含有される領域を意味し、「炭素と酸素含有領域」とは、当該結合相のうち、炭素と酸素の少なくとも一つが含有される領域を意味する。

本実施形態における隣り合うｃＢＮ粒子間の結合相を占める元素としてはＴｉ、Ａｌのいずれかを含む炭化物、ホウ化物、酸化物及びこれらの固溶体であり、この結合相成分のＣとＯとＢ含有面積に対するＣとＯ含有面積が占める面積比は０．８以上であることが必要である。前記面積比が０．８以上であると、ｃＢＮ粒子はＴｉ、Ａｌのいずれかを含む炭化物、酸化物及びこれらの固溶体により強固に付着するため、隣り合うｃＢＮ粒子は、この結合相を介して強固に付着されるため、高硬度なｃＢＮ焼結体を得ることができる。前記面積比が０．８未満であると、隣り合うｃＢＮ粒子間の結合相においてＴｉやＡｌのホウ化物が占める割合が多くなる。このホウ化物自体は硬いが脆い性質のため、反応生成物として生じる際に当該ｃＢＮ粒子間で占める割合が多くなるほど粗大となり、隣り合うｃＢＮ粒子は強固に付着されなく、高硬度なｃＢＮ焼結体が得られないため、好ましくない。なお、本実施形態におけるｃＢＮ粒子との付着強度による効果とはｃＢＮ焼結体の硬さとしてあらわれるが、得られたｃＢＮ焼結体を工具として使用した際に、隣り合うｃＢＮ粒子間の結合相が破壊の起点となりにくくすることや工具使用時に焼結体中を進行してきたクラックの進展をしにくくすることができる。

まず、ＢとＮのマッピング像（図４、図５）から、観察している領域が、ｃＢＮ粒子同士を観察すべき場所（ｃＢＮ粒子が複数存在している領域）であることを確認する。
ついで、ＢとＮのマッピング像が重なる部分をｃＢＮ粒子と認識し、認識したｃＢＮ粒子間の幅を、隣接するｃＢＮ粒子とｃＢＮ粒子の距離とする。
間隔の測定は、隣り合うｃＢＮ粒子のどちらか一方、例えば、図１５に示すＢ元素とＮ元素マッピング像が重なる部分の二値化像の場合、向かって左側のｃＢＮ粒子の任意の点Ａから、右側のｃＢＮ粒子に向かう最短距離長さを距離ｗ_１とし、少なくとも５ヶ所以上で測定したそれぞれの最短距離長さの距離ｗ_１の最小値を求め、その値を隣り合うｃＢＮ粒子の相互の間隔Ｗとする。

本実施形態において、隣り合うｃＢＮ粒子間の相互の間隔は１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相があると、Ｔｉ、Ａｌのいずれかを含む炭化物、ホウ化物、酸化物及びこれらの固溶体の中から選ばれる２種以上により構成され、この結合相成分のＣとＯとＢ含有面積に対するＣとＯ含有面積が占める面積比は０．８以上である場合、隣り合うｃＢＮ粒子は強固にこの結合相を介して付着し、高硬度なｃＢＮ焼結体が得られるためが望ましい。１ｎｍ未満であると、ｃＢＮ粒子間を十分に付着する強度が得られなく、３０ｎｍより大きいと結合相内部を起点とした破壊が生じやすくなり、結果として硬さの低いｃＢＮ焼結体が得られるため、好ましくない。
なお、観察する部位によっては、ＳＴＥＭ観察の試料の特性上、厚み方向の情報も含むため、Ｎ元素が存在していない部分が点在しているように観察できる個所もあるが、連続してＮ元素が存在していない長さは３０ｎｍ以上であることが必要である。連続してＮ元素が存在していない長さが３０ｎｍ未満であると、粗大なホウ素化合物がないためクラックの起点となることを防ぐことは可能であるが、隣り合うｃＢＮ粒子の界面の付着強度の向上効果が得られないため、連続してＮ元素が存在していない長さは３０ｎｍ以上が好ましい。なお、連続してＮ元素が存在していない長さとは、隣り合うｃＢＮ粒子を結ぶ最短距離長さ方向に対する垂直方向、例えば、図１５に示す長さｗ_１に対して垂直方向であり、この垂直方向の長さの最短距離である。

隣接するｃＢＮ粒子間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相における炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））の測定は、次の手順で行う。
図４、図５、図８、図９に示すように、ＢとＮとＣとＯ元素のマッピング像から、各元素が存在している部分を黒とした二値化像を得る。
測定する領域は次のように測定する。Ｂ元素とＮ元素の各マッピング像が重なる部分をｃＢＮ粒子と認識する。ここで、隣り合うｃＢＮ粒子のどちらか一方のｃＢＮ粒子界面に任意の点Ａを設定する。その点から、隣り合うｃＢＮ粒子界面に対して最短距離となるように線を引き、この線と隣り合うｃＢＮ粒子界面とが交わる点を点Ｂとし、この点Ａと点Ｂを結ぶ線の長さを距離ｗ_２とする。この距離の測定を繰り返すことで決定される隣り合うｃＢＮ粒子間の相互の間隔が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である範囲を、隣接するｃＢＮ粒子間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相における炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））を測定するための測定領域とする。

具体的には、図１６に示すように、Ｂ元素とＮ元素の各マッピング像より、両元素が存在する部分を黒とした二値化像を得る。図１６における向かって左側のｃＢＮ粒子の界面に任意の点ａを設定し、その点から図１６における向かって右側のｃＢＮ粒子の界面に対して最短距離となるように線を引き、この線と図１６における向かって右側のｃＢＮ粒子の界面とが交わる点を点ｂとする。これらの点ａと点ｂを結ぶ線の長さを距離ｗ_ａｂとし、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲であるか確認する。この測定を繰り返し行い、図１７では、点線の矢印で示す方向における距離が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下となる最端の線のみ残し、この最端の２本の線とｃＢＮ粒子界面で囲まれる領域を、隣接するｃＢＮ粒子間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相における炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））を測定するための測定領域Ｓ１として決定する。ここで、「最端の線」とは、測定領域Ｓ１となる幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相の境界となり得る線、すなわち、結合相の幅が１ｎｍ又は３０ｎｍとなる線である。

画像処理にて、図１０に示すように、Ｎ元素のマッピング像からＢ元素のマッピング像を差し引いた像ａを得ることで、ｃＢＮ粒子以外のＢの分布を得る。ただし、この場合、Ｂが存在する部分は白色になる。
同様にして、図１１に示すように、Ｎ元素のマッピング像からＣ元素のマッピング像を差し引いた像ｂと、図１２に示すように、Ｎ元素のマッピング像からＯ元素のマッピング像を差し引いた像ｃを各々作成する。
次に、図１３に示すように、像ｂと像ｃを足し合わせることによって、Ｎ元素が存在していない部分におけるＣ元素とＯ元素が存在している像ｄを得る。ただし、この場合、Ｎ元素が存在していない部分におけるＣ元素とＯ元素が存在している部分は白色であらわされる。ここで、「Ｃ元素とＯ元素が存在している部分」とは、Ｃ元素とＯ元素の少なくとも一つが存在している部分を意味する。
さらに、図１４に示すように、像ｄに像ａを足し合わせることによって、Ｎ元素が存在していない部分におけるＣ元素とＯ元素とＢ元素が存在している像ｅを得る。ただし、この場合もＮ元素が存在していない部分におけるＣ元素とＯ元素とＢ元素が存在している部分は白色であらわされる。ここで、「Ｃ元素とＯ元素とＢ元素が存在している部分」とは、Ｃ元素とＯ元素とＢ元素の少なくとも一つが存在している部分を意味する。

像ｄの中で、先に決定した測定領域Ｓ１に対応する領域における白色部分の面積割合を算出し、ｃＢＮ粒子間に存在する結合相部におけるＣ元素とＯ元素の合計が占める面積割合Ｓ_ＣＯ１とする。
同様に、像ｅの中で、先に決定した測定領域Ｓ１に対応する領域における白色部分の面積割合を算出し、ｃＢＮ粒子間に存在する結合相部におけるＣ元素とＯ元素とＢ元素の合計が占める面積割合Ｓ_ＣＯＢ１とする。
Ｓ_ＣＯ１をＳ_ＣＯＢ１にて除した値を、隣接するｃＢＮ粒子間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相における炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））とする。

＜隣接するｃＢＮ粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子の割合（ｑ／Ｑ）＞
隣接するｃＢＮ粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子の数（ｑ）の全ｃＢＮ粒子の数（Ｑ）に対する割合（ｑ／Ｑ）は、次のように測定できる。まず、最外層４の任意の断面において、図１８の模式図に示すように、一辺の長さＬがｃＢＮ粒子１０の平均粒径の５倍である正方形領域を一つの測定視野範囲Ａと定める。例えば、ｃＢＮ粒子の平均粒径が１μｍの場合には、５μｍ×５μｍの正方形の領域を一つの測定視野範囲とする。

次いで、正方形をなす測定視野範囲Ａの頂部から対角線Ｄを引き、該対角線Ｄと重なるｃＢＮ粒子１０の数Ｑ_１をカウントする。また、対角線Ｄ上に存在する個々のｃＢＮ粒子１０について、隣接するｃＢＮ粒子１０との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相２０が存在するか否かを、上述の方法により特定する。そして、隣接するｃＢＮ粒子１０との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相２０が存在すると特定されたｃＢＮ粒子１０の数ｑ_１をカウントする。得られたｃＢＮ粒子１０の数ｑ_１、Ｑ_１からｑ_１／Ｑ_１の値を算出する。少なくとも５視野についてｑ_１／Ｑ_１を算出し、これらの平均値を上記割合ｑ／Ｑとする。
上記方法によって、隣接するｃＢＮ粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子を特定し、該ｃＢＮ粒子が存在する割合（ｑ／Ｑ）を求めることができる。本実施形態では、上記ｑ／Ｑの値は０．４以上であることが必要である。

＜隣接するｃＢＮ粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子のうち、当結合相における（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））が０．８以上となるｃＢＮ粒子の数およびその割合（ｎ／Ｎ）＞
隣接するｃＢＮ粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子のうち、当結合相における（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））が０．８以上となるｃＢＮ粒子の数およびその割合の測定は、以下の手順で行う。
まず、図１８の模式図において、上述のように、隣接するｃＢＮ粒子相互の間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子を特定した後、ｃＢＮ粒子相互間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相において、（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））が０．８以上であるｃＢＮ粒子の数およびその割合を求める。言い換えると、隣接するｃＢＮ粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子のうち、この結合相の（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））が０．８以上となっているｃＢＮ粒子の数（ｎ）と、当該ｃＢＮ粒子の、隣接するｃＢＮ粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子の数（Ｎ）に対する割合（ｎ／Ｎ）を求める。その数の測定およびその割合の算出は、次のように行うことができる。

例えば、一辺の長さＬがｃＢＮ粒子１の平均粒径の５倍である一つの正方形の測定視野領域Ａの頂部から引いた対角線Ｄと重なるｃＢＮ粒子１０のうち、隣接するｃＢＮ粒子１０との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である結合相２０が存在するｃＢＮ粒子１０を特定し、その数Ｎ_１をカウントする。次いで、隣接するｃＢＮ粒子１０との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相２０が存在するｃＢＮ粒子１０のうち、当結合相２０における（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））が０．８以上（但し、面積比）であるｃＢＮ粒子１０を、上述の方法により特定し、その数ｎ_１をカウントする。得られたｃＢＮ粒子１０の数ｎ_１、Ｎ_１からｎ_１／Ｎ_１の値を算出する。少なくとも５視野についてｎ_１／Ｎ_１を算出し、これらの平均値を上記割合ｎ／Ｎとする。

上記方法によって、隣接するｃＢＮ粒子との間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相において、（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））が０．８以上となるｃＢＮ粒子の数（ｎ）および存在割合（ｎ／Ｎ）を求めることができる。本実施形態では、上記ｎ／Ｎの値は０．５以上であることが望ましい。即ち、隣り合うｃＢＮ粒子との間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相において、（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））が０．８以上となるｃＢＮ粒子の数（ｎ）は、隣り合うｃＢＮ粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子の数（Ｎ）に対して、０．５以上の平均割合で存在することが望ましい。
そして、平均領域数割合（ｎ／Ｎ）が０．５以上である場合には、ｃＢＮ粒子−ｃＢＮ粒子間に強固な結合相を形成することができ、高硬度を示す。なお、ｎ／Ｎの値は０．６以上が好ましく、０．８以上１以下がさらに好ましい。

隣り合うｃＢＮ粒子の間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相であって、かつ、当結合相中の（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））の値が０．８以上であるｃＢＮ粒子の存在が、全観察視野数の６０％以上の視野で観察されることが望ましい。詳細には、ｃＢＮ焼結体の断面について、ｃＢＮ粒子の平均粒径の５倍角の視野を観察視野として５視野以上を観察する。各視野において、上述のように特定された隣接するｃＢＮ粒子間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相であって、且つ上述のように測定されたその領域に存在する結合相中の（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））の値が０．８以上となる領域の有無を観察する。当該結合相が少なくとも１箇所観察された視野数が全観察視野数の６０％以上であることが好ましい。全観察視野数の８０％以上の視野で観察されることがより好ましく、全観察視野で当該領域が観察される（全観察視野数の１００％で観察される）ことがさらに好ましい。
なお、隣り合うｃＢＮ粒子の間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相であって、かつ、当結合相中の（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））の値が０．８以上となる領域が多いと、隣り合うｃＢＮ粒子とｃＢＮ粒子とが強固な結合相で十分に付着したネットワークが多く形成でき、硬さに優れる。なお、（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））の上限値は１である。

以上のような最外層４と基体２との間には、少なくとも１層の中間層５が設けられている。これにより、最外層４の剥離を防止できる。すなわち、上述のｃＢＮ焼結体からなる最外層４を基体２に直接形成した場合、超硬合金等の硬質材料からなる基体２と最外層４との収縮率の違いにより、焼結後に応力が残留し、基体２と最外層４との界面にクラックが生じる。本実施形態では、最外層４と基体２との間に中間層５を設けているので、中間層５が応力緩和層として機能する。その結果、クラックの発生を抑制でき、最外層４の剥離を防止できる。

中間層５の構成は、その硬さ（ビッカース硬さ）が最外層４より小さく基体２より大きいこと以外は特に限定されない。例えば、中間層５はＡｌと、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｆｅのうち少なくとも１種とを含む触媒金属により焼結したｃＢＮ焼結体であってもよい。また、上記金属触媒に、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆのうち少なくとも１種を含む金属添加物が添加されていてもよい。さらに、中間層５をダイヤモンド、コバルト、および炭化タングステンからなる多結晶ダイヤモンド焼結体で構成することもできる。

ここで、中間層５は、３０〜７０ｖｏｌ％のｃＢＮ粒子またはダイヤモンド粒子を含有していることが好ましい。硬質粒子であるｃＢＮ粒子またはダイヤモンド粒子の含有量が３０ｖｏｌ％以下の場合は硬さが基体２より小さくなる。また、７０ｖｏｌ％以上の場合は最外層４と同等の硬さとなる。そのため、応力緩和層として機能するためには、中間層５におけるｃＢＮ粒子またはダイヤモンド粒子の含有量を３０〜７０ｖｏｌ％とすることが好ましい。

なお、本実施形態では、中間層５が単層構造とされているが、２層以上の多層構造でもよい。ただし、中間層５を３層以上の多層構造とした場合には、最外層４側から基体２側に向かうに従い中間層５のｃＢＮ粒子またはダイヤモンド粒子の含有量が漸減してビッカース硬さが小さくなることが望ましい。

チップ中心線Ｃ上における最外層４の厚さは、０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下とすることが好ましい。最外層４の厚さが０．３ｍｍ以下の場合、掘削チップがすぐに摩滅して短寿命となる虞がある。一方、最外層４の厚さが１．５ｍｍ以上の場合、焼結時の残留応力によるクラックが発生しやすくなり、掘削時の突発欠損を招く虞がある。最外層４の厚さはより好ましくは０．４ｍｍ以上１．３ｍｍ以下である。また、チップ中心線Ｃ上における中間層５全体の厚さは、０．２ｍｍ以上１．０ｍｍ以下とすることが好ましい。中間層５の厚さが０．２ｍｍ以下の場合、均一な層が形成され難く、焼結時の残留応力が吸収され難くなり、チップの応力緩和の役割が果たせなくなる虞がある。一方、中間層５の厚さが１．０ｍｍ以上の場合、硬質層３（最外層４および中間層５）全体の厚さが大きくなり、焼結時の残留応力によるクラックが発生しやすくなって、掘削時の突発欠損を招く虞がある。中間層５全体の厚さはより好ましくは０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である。

次に、上述の最外層４および中間層５を備える掘削チップの製造方法を説明する。
本実施形態の掘削チップの製造方法は、ｃＢＮ粒子の表面に前処理を行う工程と、最外層４の結合相の原料粉末と前処理したｃＢＮ粒子とを混合した混合粉末を得る工程と、混合粉末と中間層５の原料粉末と基体２とを焼結する工程とを備える。

ｃＢＮ粒子表面の前処理は、表面清浄度の高いｃＢＮ粒子を得るために、次のように行う。まず、例えば、ｃＢＮ粒子の表面に、第１層として厚み１〜５ｎｍのＴｉＯ_２を成膜し、次いで、第２層として厚み５〜１０ｎｍのＴｉＣを成膜する。成膜方法として、例えば、ＡＬＤ法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いることができる。ＡＬＤ法はＣＶＤ法の一種であり、真空チャンバ内の基材に、原料化合物の分子を一層ごとに反応させ、Ａｒや窒素によるパージを繰り返し行うことで成膜する方法である。
成膜にあたっては、流動層炉内に基材となるｃＢＮ粒子を装入し、炉内を２５０℃程度に昇温する。次いで、Ｔｉ元素供給用原料ガス流入工程、Ａｒガスパージ工程、Ｏ元素供給用原料ガス流入工程、およびＡｒガスパージ工程を１サイクルとして、このサイクルを所望のＴｉＯ_２膜厚になるまで繰り返し行う。例えば、３０分かけて成膜することにより、膜厚５ｎｍ程度のＴｉＯ_２膜を、ｃＢＮ粒子表面に被覆形成することができる。
次いで、前記と同様にして、炉内を４００℃程度に昇温し、Ｔｉ元素供給用原料ガス流入工程、Ａｒガスパージ工程、Ｃ元素供給用原料ガス流入工程、Ａｒガスパージ工程を１サイクルとして、このサイクルを所望のＴｉＣ膜厚になるまで繰り返し行う。

次に、所定の厚さの第１層としてＴｉＯ_２膜、第２層としてＴｉＣ膜をその表面に形成したｃＢＮ粒子を、真空下で約１０００℃で加熱する。これにより、ｃＢＮ粒子表面の酸素等の不純物元素をＴｉＯ_２膜、ＴｉＣ膜中に拡散させて捕捉する。最後に、ｃＢＮ粒子をボールミル混合することにより、ＴｉＯ_２膜、ＴｉＣ膜に切れ間を形成し、ＴｉＯ_２膜、ＴｉＣ膜がｃＢＮ粒子を不連続に被覆するような膜にしたのち、このｃＢＮ粒子を、ｃＢＮ焼結体製造用の原料として使用する。

次に、前処理を施したｃＢＮ粒子を最外層４の結合相の原料粉末と所定の組成となるように混合し、混合粉末を得る。最外層４の結合相の原料粉末として、ＴｉＣ粉末、ＴｉＮ粉末、ＴｉＣＮ粉末、ＷＣ粉末、Ａｌ粉末、ＴｉＡｌ_３粉末、およびＡｌ_２Ｏ_３粉末を用いることができる。

その後、得られた混合粉末と中間層５の原料粉末と基体２とを、通常の超高圧焼結装置に装入し、例えば、５ＧＰａ以上の圧力、かつ、１６００℃以上の温度の焼結条件で所定時間、超高圧高温焼結する。このようにして、最外層４、中間層５および基体２を一体に焼結することにより、本実施形態の掘削チップのチップ本体１を製造することができる。そして、前記の前処理によりＴｉＯ_２膜、ＴｉＣ膜をその表面に形成し、また、切れ間を形成したｃＢＮ粒子を用いてｃＢＮ焼結体を作製することにより、ｃＢＮ粒子の界面付着強度が向上した本実施形態に係る硬さの高いｃＢＮ焼結体の最外層４を得ることができる。

本実施形態の製造方法によれば、最外層４のｃＢＮ粒子として前処理したｃＢＮ粒子を用いると共に、これを超高圧高温焼結することにより、上述の構成を備える最外層４を形成できる。また、ダイヤモンドおよび立方晶窒化ホウ素の安定領域である圧力５．０ＧＰａ以上、温度１５００℃以上で焼結することが好ましい。これにより、最外層４と中間層５とを基体２上に同時に形成できる。なお、焼結圧力は５．５ＧＰａ以上８．０ＧＰａ以下がより好ましく、焼結温度は１６００℃以上１８００℃以下がより好ましい。なお、上記工程は原料粉末の酸化を防止するように行われることが好ましく、具体的には非酸化性の保護雰囲気下で原料粉末や成形体を取り扱うことが好ましい。

以上、本発明の実施形態の掘削チップ、掘削工具および掘削チップの製造方法について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。本実施形態では、上述のようにチップ本体１の先端部が半球状をなすボタンタイプの掘削チップに本発明を適用した場合について説明したが、チップ本体１の先端部が砲弾状をなす、いわゆるバリスティックタイプの掘削チップや、先端部の後端側が円錐面状をなして先端側に向かうに従い縮径するとともに、その先端がチップ本体１の円柱状の後端部よりも小さな半径の球面状をなす、いわゆるスパイクタイプの掘削チップに本発明を適用することも可能である。

また、本実施形態では掘削チップを掘削バイトに適用した場合について説明したが、本発明の掘削チップは、露天採掘や長壁式採掘に用いられるドラム式掘削装置の回転ドラムの外周に取り付けられるピックに適用することもできる。

なお、本実施形態のｃＢＮ焼結体は、上述のようにｃＢＮ粒子と結合相とからなる。この結合相において、隣接するｃＢＮ粒子の間に存在する幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相以外で焼結体中に形成される結合相の主体はＴｉＣ相であるが、焼結によって生成するＴｉの窒化物、炭化物、炭窒化物、ホウ化物、Ａｌの窒化物、ホウ化物、酸化物およびこれらの２種以上の固溶体の中から選ばれる１種または２種以上と不可避不純物を含有することは許容される。

次に、本発明の掘削チップおよび掘削ビットの実施例を挙げて、本発明の効果について実証する。

（実施例１）
まず、実施例１として、最外層を構成するｃＢＮ焼結体の実施例を挙げて、本発明の効果について実証する。

表１に示すメディアン径（Ｄ５０）を有するｃＢＮ粒子を基材とし、ＡＬＤ法により、ｃＢＮ粒子に、第１層としてＴｉＯ_２膜を成膜し、次いで、第２層としてＴｉＣ膜を被覆した。具体的には、まず、ｃＢＮ粒子を炉内に装入し、炉内を２５０℃に昇温した。次いで、成膜用ガスとして、Ｔｉ元素供給用原料ガス、および、Ｏ元素供給用原料ガスを用いて、以下の（１）〜（４）を１サイクルとして、このサイクルをＴｉＯ_２膜が目標膜厚になるまで繰り返した。
（１）Ｔｉ元素供給用原料ガス流入工程
（２）Ａｒガスパージ工程
（３）Ｏ元素供給用原料ガス流入工程
（４）Ａｒガスパージ工程
次いで、炉内を４００℃程度に昇温した。成膜用ガスとして、Ｔｉ元素供給用原料ガス、および、Ｃ元素供給用原料ガスを用いて、以下の（５）〜（８）を１サイクルとして、このサイクルをＴｉＣ膜が目標膜厚になるまで繰り返した。
（５）Ｔｉ元素供給用原料ガス流入工程
（６）Ａｒガスパージ工程
（７）Ｃ元素供給用原料ガス流入工程
（８）Ａｒガスパージ工程
なお、上記のＴｉＯ_２膜およびＴｉＣ膜でコーティングされたｃＢＮ粒子をＳＥＭで観察することにより、ｃＢＮ粒子の表面に表１に示される平均膜厚のＴｉＯ_２膜およびＴｉＣ膜が被覆されていることを確認した。

次いで、ＴｉＯ_２膜およびＴｉＣ膜をその表面に形成したｃＢＮ粒子を、真空下で約１０００℃、３０分加熱処理して、ｃＢＮ粒子表面の酸素等の不純物元素をＴｉＯ_２膜およびＴｉＣ膜中に拡散させた。加熱処理されたｃＢＮ粒子を炭化タングステン製の容器とボールを用いてボールミル混合して、ＴｉＯ_２膜およびＴｉＣ膜に切れ間を形成することにより、不連続なＴｉＯ_２膜およびＴｉＣ膜でコーティングされているｃＢＮ粒子を作製した。

０．３〜０．９μｍの範囲内の平均粒径を有するＴｉＣ粉末を結合相の原料粉末として用意した。このＴｉＣ粉末と、上述のように前処理を行ったｃＢＮ粒子の粉末とを、これらの合量を１００ｖｏｌ％としたときのｃＢＮ粒子の粉末の含有量が７０〜９５ｖｏｌ％となるように配合し、湿式混合し、乾燥した。その後、油圧プレスにて成形圧１ＭＰａで直径：５０ｍｍ×厚さ：１．５ｍｍの寸法にプレス成形して成形体を得た。次いで、この成形体を、圧力：１Ｐａの真空雰囲気中、１０００〜１３００℃の範囲内の所定温度に３０〜６０分間保持して熱処理した後、超高圧焼結装置に装入して５ＧＰａ、１６００℃で３０分間超高圧高温焼結した。これにより、表２に示す本発明ｃＢＮ焼結体１〜１７を作製した。

比較のため、次のように、比較例ｃＢＮ焼結体１〜１０を用意した。まず、表４に示すメディアン径（Ｄ５０）を有するｃＢＮ粒子ａ〜ｉを用意した。ｃＢＮ粒子ａ、ｂ、ｆ〜ｉについては、ＡＬＤ法による第１層のＴｉＯ_２膜および第２層のＴｉＣ膜をコーティングしなかった。ｃＢＮ粒子ｃ、ｄについては、第１層のＴｉＯ_２膜および第２層のＴｉＣ膜のいずれか一方の膜のみをｃＢＮ粒子表面に形成した。ｃＢＮ粒子ｅについては、本発明ｃＢＮ焼結体１〜１７と同様に、ｃＢＮ粒子表面に第１層のＴｉＯ_２膜および第２層のＴｉＣ膜を成膜した。ｃＢＮ粒子ｃ〜ｅのＴｉＯ_２膜およびＴｉＣ膜は、表４に示す平均膜厚を有する。

なお、第１層のＴｉＯ_２膜および第２層のＴｉＣ膜のいずれか一方の膜のみをコーティングしたｃＢＮ粒子粉末に対しては、ＴｉＯ_２膜あるいはＴｉＣ膜へのボールミル混合による切れ間を形成した。上記で準備したｃＢＮ粒子と、上述の本発明ｃＢＮ焼結体１〜１７と同じ結合相の原料粉末である０．３〜０．９μｍの範囲内の平均粒径を有するＴｉＣ粉末を結合相形成用原料粉末として用意し、その合量を１００ｖｏｌ％としたときのｃＢＮ粒子の粉末の含有量が５５〜９８．２ｖｏｌ％となるように配合した。次いで、上記本発明ｃＢＮ焼結体１〜１７と同様な手順で、表５に示す比較例ｃＢＮ焼結体１〜１０を製造した。

本発明ｃＢＮ焼結体１〜１７および比較例ｃＢＮ焼結体１〜１０について、ｃＢＮ粒子の平均粒径（μｍ）、ｃＢＮ粒子の含有量（ｖｏｌ％）を、上述の方法で測定した。なお、画像処理に用いた観察領域は、１５μｍ×１５μｍとした。これらの結果を表２、５に示す。

さらに、本発明ｃＢＮ焼結体１〜１７および比較例ｃＢＮ焼結体１〜１０の研磨面上の１０点について、荷重５ｋｇでビッカース硬さ（ＨＶ）を測定した。これらの平均を平均ビッカース硬さとして表２、５に示す。なお、各値について１桁目を四捨五入した。

さらに、隣り合うｃＢＮ粒子間における幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相の有無、成分の検出、および、面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））の算出を上述の方法で行った。この割合（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））は５カ所について測定し、その平均値を算出した。この結果を表２、３、５、６に示す。

また、隣接するｃＢＮ粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子の特定および該ｃＢＮ粒子の存在割合（ｑ／Ｑ）の測定を、上述のように行った。合計１０視野について同様の測定を行い、これらの平均値をｑ／Ｑの値として求めた。この値を、隣接するｃＢＮ粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子の平均粒子数割合（ｑ／Ｑ）として表３、６に示す。

また、隣接するｃＢＮ粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するｃＢＮ粒子の数（Ｎ）に対する、当該ｃＢＮ粒子の結合相の（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））が０．８以上（但し、面積比）となっているｃＢＮ粒子の数（ｎ）との割合（ｎ／Ｎ）を、上述のように求めた。合計１０視野について同様の測定を行い、これらの平均値として、ｎ／Ｎの値を求めた。その結果を表３、６に示す。表中の「０」は、隣り合うｃＢＮ粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するが、当該結合相における（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））が０．８未満のため、ｎが０である結果を意味する。

表２、３、５、６に示される結果から、本発明ｃＢＮ焼結体１〜１７は、ｃＢＮ粒子に前処理を行ったので、隣接するｃＢＮ粒子相互の間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在し、且つ該結合相における炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））は０．８以上であって、ｃＢＮ粒子同士が接触して結合相と十分反応できない未焼結部分が少ないことが確認された。また、本発明ｃＢＮ焼結体１〜１７は、ｃＢＮ粒子表面での粗大なホウ化物の生成はなく、そのため、ｃＢＮ粒子含有割合が７０〜９５ｖｏｌ％の範囲において、３７６０以上のビッカース硬さ（ＨＶ）を有することが確認された。

これに対して、ｃＢＮ粒子表面に前処理を施していない比較例ｃＢＮ焼結体１、２、７〜１０は、隣接するｃＢＮ粒子相互の間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するが、該結合相における炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））は０．８未満であり、ｃＢＮ粒子周囲のホウ化物の生成が多いため、隣り合うｃＢＮ粒子は強固に付着されなく、得られたｃＢＮ焼結体の硬さは低い。

また、ｃＢＮ粒子表面にＴｉＯ_２膜のみを形成した比較例ｃＢＮ焼結体３は、ＴｉＯ_２の上にＴｉＣ膜がないため、焼結中にＴｉＯ_２が結合相成分として投入したＡｌ成分と反応し、ＴｉがｃＢＮと過剰に反応し、粗大なホウ化物が生成するため、隣接するｃＢＮ粒子相互の間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するが、該結合相における炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））は０．８未満であり、隣り合うｃＢＮ粒子は強固に付着されなく、得られたｃＢＮ焼結体の硬さは低い。

また、ｃＢＮ粒子表面にＴｉＣ膜のみを形成した比較例ｃＢＮ焼結体４は、ＴｉＣ膜の下にＴｉＯ_２膜がないため、ｃＢＮ粒子との反応が十分になされず、隣接するｃＢＮ粒子相互の間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在するが、該結合相における炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））は０．８未満であり、隣り合うｃＢＮ粒子は強固に付着されなく、得られたｃＢＮ焼結体の硬さは低い。

ｃＢＮ粒子表面に１層目にＴｉＯ_２膜、２層目にＴｉＣ膜を形成しているが、ｃＢＮ粒子の含有量が本実施形態で規定する範囲より少ない比較例ｃＢＮ焼結体５は、隣接するｃＢＮ粒子相互の間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在し、該結合相における炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））は０．８以上であるが、ビッカース硬さは３１６０と低硬度であった。

また、比較例ｃＢＮ焼結体６は、比較例ｃＢＮ焼結体５と同様に、ｃＢＮ粒子表面に１層目にＴｉＯ_２膜、２層目にＴｉＣ膜を形成しており、隣接するｃＢＮ粒子相互の間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在し、該結合相における炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））は０．８以上であり、ｃＢＮ粒子の含有量が本実施形態で規定する範囲より高いにも関わらず、ビッカース硬さは３６８０にとどまった。ちなみに、本発明ｃＢＮ焼結体４や６は、比較例ｃＢＮ焼結体６よりｃＢＮ粒子の含有量は少ないが、ビッカース硬さ４０８０、３８６０であって、比較例ｃＢＮ焼結体６に比してはるかに高い硬度を示した。

（実施例２）
次に、実施例２として、上述のｃＢＮ焼結体を最外層に適用した掘削チップの実施例を挙げて、本発明の効果について実証する。

実施例１と同様の前処理を行った粒径４．１μｍのｃＢＮ粒子の粉末と、結合相の原料粉末である粒径０．５μｍのＴｉＣ粉末と、粒径０．３μｍのＡｌ粉末と、粒径０．５μｍのＴｉＡｌ_３粉末と、粒径０．８μｍのＷＣ粉末とを、これらの合量を１００ｖｏｌ％としたときのｃＢＮ粒子の含有量が表７の割合となるように配合し、湿式混合し、乾燥した。このようにして本発明例１〜５の最外層の原料粉末を得た。
また、粒径９．６μｍの前処理しないｃＢＮ粉末と、粒径４μｍのＷ粉末と、粒径０．９μｍのＡｌ粉末と、粒径３μｍのＣｏ粉末とを、これらの合量を１００ｖｏｌ％としたときのｃＢＮ粒子の含有量が表８の割合となるように配合し、湿式混合し、乾燥した。これにより、本発明例１〜３、５の中間層の原料粉末を得た。
また、粒径８μｍのダイヤモンド粒子と、粒径３．７μｍのＣｏ粉末と、粒径２．１μｍのＷＣ粉末とを、これらの合量を１００ｖｏｌ％としたときのダイヤモンド粒子の含有量が表８の割合となるように配合し、湿式混合し、乾燥した。これにより、本発明例４の中間層の原料粉末を得た。

本発明例１〜５の最外層の原料粉末と中間層の原料粉末とを、ＷＣ：９４ｗｔ％、Ｃｏ：６ｗｔ％の超硬合金よりなる基体とともに、焼結圧力６．０ＧＰａ、焼結温度１６００℃、焼結時間２０分の条件下で一体に焼結した。これにより、半径５．５ｍｍ、チップ中心線方向の長さ１６ｍｍの、本発明例１〜５に係るボタンチップ（掘削チップ）を製造した。なお、チップ本体先端部がなす半球の半径は５．７５ｍｍであった。また、チップ中心線方向における最外層および中間層を表７、８の層厚とした。

また、本発明例１〜５に対する比較例として、最外層の硬質粒子をｃＢＮ粒子ではなくダイヤモンド粒子としたボタンチップ（比較例１）、最外層の結合相として金属触媒を用いたボタンチップ（比較例２）、最外層に含まれるｃＢＮ粒子の含有量を７０ｖｏｌ％未満としたボタンチップ（比較例３）、中間層を設けないボタンチップ（比較例４）、および最外層に含まれるｃＢＮ粒子の含有量を９５ｖｏｌ％超としたボタンチップ（比較例５）を製造した。比較例１〜５のボタンチップをいずれも本発明例１〜５と同じ寸法とした。

ここで、比較例１、２のボタンチップの最外層には、前処理しない硬質粒子（ダイヤモンド粒子またはｃＢＮ粒子）を用いた。詳細には、比較例１のボタンチップは、粒径８μｍのダイヤモンド粒子と、粒径３μｍのＣｏ粉末と、粒径２．７μｍのＷＣ粉末とを、これらの合量を１００ｖｏｌ％としたときのダイヤモンド粒子の含有量が表７の割合となるように配合し、湿式混合し、乾燥した。このようにして最外層の原料粉末を得た。そして、この最外層の原料粉末と本発明例１〜５と同じ中間層の原料粉末とを、本発明例１〜５と同じ超硬合金よりなる基体とともに、焼結圧力５．４ＧＰａ、焼結温度１４５０℃、焼結時間５分の条件下で一体に焼結した。

比較例２のボタンチップは、粒径４．１μｍの前処理していないｃＢＮ粒子粉末と、粒径１．５μｍのＷ粉末と、粒径０．３μｍのＡｌ粉末と、粒径３μｍのＣｏ粉末とを、これらの合量を１００ｖｏｌ％としたときのｃＢＮ粒子の含有量が表７の割合となるように配合し、湿式混合し、乾燥した。このようにして最外層の原料粉末を得た。そして、この最外層の原料粉末と本発明例１〜５と同じ中間層の原料粉末とを、本発明例１〜５と同じ超硬合金よりなる基体とともに、焼結圧力５．０ＧＰａ、焼結温度１６００℃、焼結時間３０分の条件下で焼結した。

比較例３、５のボタンチップは、本発明例１〜５と同様に作製した。比較例４のボタンチップは、中間層を設けないことを除いて、本発明例１〜５と同様に作製した。また、比較例１〜５のチップ中心線方向における最外層および中間層を表７、８の層厚とした。

本発明例１〜５および比較例３〜５の前処理したｃＢＮ粒子、または比較例１、２の前処理していない硬質粒子を用いて形成した最外層のチップ中心線Ｃを通る断面について、隣り合う硬質粒子（ダイヤモンド粒子またはｃＢＮ粒子）間における幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相の有無、この結合相の成分の検出を上述の方法で確認すると共に、この結合相における面積比（（Ｃ＋Ｏ）／（Ｃ＋Ｏ＋Ｂ））、ｑ／Ｑおよびｎ／Ｎを上述の方法で算出した。この結果を、最外層のビッカース硬さとともに表７に示す。なお、表７中の「−」は、未測定であることを意味する。比較例４、５のボタンチップでは、後述のように焼結時にクラックが発生したため、最外層のビッカース硬さを測定することができなかった。

さらに、これら本発明例１〜５および比較例１〜５の掘削チップをそれぞれ１種ずつ、図２に示したようなビット径４５ｍｍのビット本体におけるフェイス面に２つ、ゲージ面に５つの、合わせて７つ取り付けた７種の掘削ビットを製造した。そして、これらの掘削ビットにより、ニッケル鉱石の鉱山に１つの掘削長が４ｍの掘削孔を複数掘削する掘削作業を行い、掘削チップが寿命に至るまでのトータル掘削長（ｍ）を測定するとともに、掘削チップが寿命に達したときのチップ破損状態を確認した。なお、ボタンチップがチッピング等の欠損を生じることなく最外層が徐々に摩耗した場合は正常摩耗と判断した。これらの摩耗領域（摩耗量）が大きくなり、最終的にゲージ径がビット本体の外径と等しくなったときにビットが寿命に達したと判断した。一方、チップ本体が２つ以上欠損し、その影響で掘削速度が低下したときもビットが寿命に達したと判断した。

なお、掘削条件は、掘削装置がＴＡＭＲＯＣＫ社製型番Ｈ２０５Ｄ、打撃圧力は１６０ｂａｒ、フィード（送り）圧力は８０ｂａｒ、回転圧力は５５ｂａｒ、ブロー孔からは水を供給してその水圧は１８ｂａｒであった。この結果を表８に示す。

硬質層が多結晶ダイヤモンド焼結体の比較例１の掘削チップを取り付けた掘削ビットでは、掘削長が１２４ｍであり、欠損により掘削チップは寿命に達した。また、金属触媒を用いて最外層のｃＢＮ焼結体を形成した比較例２の掘削チップを取り付けた掘削ビットでは、掘削長が１００ｍに及ばず、欠損により掘削チップは寿命に達した。最外層のｃＢＮ粒子の含有量が少ない比較例３の掘削チップを取り付けた掘削ビットでは、正常摩耗により掘削チップが寿命に達したものの、掘削長が１００ｍに及ばなかった。中間層を設けなかった比較例４では焼結時にクラックが発生したため、比較例４の掘削チップを用いて掘削を行うことができなかった。最外層のｃＢＮ粒子の含有量が多い比較例５では、最外層内における焼結時の不均一性を原因として焼結時にクラックが発生したため、比較例５の掘削チップを用いて掘削を行うことができなかった。

これに対して、本発明例１〜５の掘削チップを取り付けた掘削ビットでは、掘削長が最も短い本発明例５でも５００ｍ以上の掘削が可能であった。

以上説明したように、本発明の掘削チップは、多結晶ダイヤモンド焼結体に匹敵する硬さを有して耐摩耗性を確保しつつ、Ｆｅ系やＮｉ系の鉱山や高温の掘削条件下でも使用可能である。そのため、鉱山掘削用ビット、建設掘削用ビット、石油およびガス（Ｏ＆Ｇ）掘削用ビット、および露天採掘や長壁式採掘に用いられるドラム式掘削装置のピックに好適である。

１ チップ本体
２ 基体
３ 硬質層
４ 最外層
５ 中間層
１０ ｃＢＮ粒子
１１ ビット本体
２０ 結合相
Ｃ チップ中心線
Ｏ ビット本体の軸線

Claims (7)

1. 掘削工具の先端部に取り付けられて掘削を行う掘削チップであって、
   上記掘削工具の工具本体に埋設される後端部と、該掘削工具の表面から突出する先端側に向かうに従い先細りとなる先端部とを備えたチップ本体を有し、
   上記チップ本体の先端部の表面には硬質層が形成され、
   前記硬質層は、最外層と、前記最外層と前記チップ本体との間に介装される中間層とを備え、
   前記最外層は、７０〜９５ｖｏｌ％の立方晶窒化ホウ素粒子と結合相としてのＴｉ炭化物とを有する立方晶窒化ホウ素焼結体であり、
   前記最外層の断面組織を観察したとき、
   隣り合う立方晶窒化ホウ素粒子との間に幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が存在する立方晶窒化ホウ素粒子の数の全立方晶窒化ホウ素粒子数に対する割合が０．４以上であり、
   前記隣り合う立方晶窒化ホウ素粒子間の幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が、ＴｉとＡｌのいずれか一方、あるいは、両方を含む炭化物、ホウ化物、酸化物およびこれらの固溶体の中から選ばれる２種以上により構成され、
   前記隣り合う立方晶窒化ホウ素粒子間の幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相における結合相成分の炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比が０．８以上であることを特徴とする掘削チップ。
2. 前記最外層のビッカース硬さが３７５０〜４２００である請求項１に記載の掘削チップ。
3. 前記立方晶窒化ホウ素粒子の平均粒径は０．５〜８．０μｍである請求項１または２に記載の掘削チップ。
4. 前記最外層の断面組織を観察したとき、幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相における結合相成分の炭素と酸素とホウ素含有領域の合計面積に対する炭素と酸素含有領域の合計面積が占める面積比が０．８以上である結合相が隣り合う立方晶窒化ホウ素粒子との間に存在する立方晶窒化ホウ素粒子の数の、幅が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の結合相が隣り合う立方晶窒化ホウ素粒子との間に存在する立方晶窒化ホウ素粒子の数に対する割合が０．５以上である請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の掘削チップ。
5. 前記中間層が３０〜７０ｖｏｌ％の立方晶窒化ホウ素粒子またはダイヤモンド粒子を含有することを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の掘削チップ。
6. 請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の掘削チップが工具本体の先端部に取り付けられていることを特徴とする掘削工具。
7. 掘削工具の工具本体に埋設される後端部と、該掘削工具の表面から突出する先端側に向かうに従い先細りとなる先端部とを備えたチップ本体を有し、
   上記チップ本体の先端部の表面には硬質層が形成され、
   前記硬質層が、最外層と、前記最外層と前記チップ本体との間に介装される中間層とを備え、
   前記最外層は、７０〜９５ｖｏｌ％の立方晶窒化ホウ素粒子と結合相としてのＴｉ炭化物とを有する立方晶窒化ホウ素焼結体である、請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の掘削チップの製造方法であって、
   立方晶窒化ホウ素粒子の表面に前処理を行う工程と、
   前記最外層の結合相の原料粉末と前記前処理した立方晶窒化ホウ素粒子とを混合して混合粉末を得る工程と、
   圧力５．０ＧＰａ以上、温度１６００℃以上で前記混合粉末と前記中間層の原料粉末と前記チップ本体とを焼結する工程とを備えることを特徴とする掘削チップの製造方法。