JP2019065060A - Resin composition and semiconductor device having the same - Google Patents

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圭一 小松
知宏 葛生
Tomohiro Kuzuu
知宏 葛生
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Abstract

To provide a resin composition which can be used at a low temperature such as not to give adverse influences on an electronic component, and can obtain high thermal conductivity.SOLUTION: A resin composition contains first powder 10 which is an aggregate of metal nanoparticles 1, second powder 20 which is an aggregate of metal microparticles 2, and a polymer compound 3. The metal nanoparticles 1 are composed of first metal. The metal microparticles 2 each have a core 22 and a metal coat layer 23 covering the core 22. The core 22 is composed of the second metal. The metal coat layer 23 is composed of third metal. The first metal and the third metal have the same material.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、一般に電子・電気機器に用いられる樹脂組成物及びそれを備えた半導体デバイスに関し、より詳細には放熱ペースト及びダイアタッチペーストなどに用いられる樹脂組成物及びそれを備えた半導体デバイスに関する。   The present invention relates generally to a resin composition used for electronic and electrical devices and a semiconductor device including the same, and more particularly to a resin composition used for a heat release paste and a die attach paste, and a semiconductor device including the resin composition.

近年の半導体デバイスの高速化及び高集積化に伴い、電子・電気機器からの発熱量は増加の一途をたどっている。そのため、電子産業分野やパワーエレクトロニクス分野において、放熱材料の熱伝導性を飛躍的に向上させることが急務となっている。   With the increase in speed and integration of semiconductor devices in recent years, the amount of heat generation from electronic and electrical devices is ever increasing. Therefore, in the field of electronics industry and power electronics, it is urgently required to dramatically improve the thermal conductivity of the heat dissipation material.

このような中、例えば、特許文献１に記載の熱硬化性樹脂組成物が提供されている。この熱硬化性樹脂組成物は、プレート型銀微粒子と、平均粒子径が０．５〜３０μｍである銀粉と、熱硬化性樹脂とを含み、銀微粒子と銀粉の合計量を１００質量部としたとき、熱硬化性樹脂が１〜２０質量部配合されている。   Among these, for example, a thermosetting resin composition described in Patent Document 1 is provided. This thermosetting resin composition contains plate-type silver fine particles, silver powder having an average particle diameter of 0.5 to 30 μm, and thermosetting resin, and the total amount of silver fine particles and silver powder is 100 parts by mass. Sometimes, 1 to 20 parts by mass of a thermosetting resin is blended.

特開２０１４−１９４０１３号公報JP, 2014-194013, A

特許文献１では、熱硬化性樹脂組成物を１００℃以上に加熱して硬化させることにより熱伝導経路（パス）を形成している。この場合、１００℃以上に加熱しても銀粉は溶融せずに、プレート型銀微粒子のみが溶融して銀粉にくっつくことになる。このように、少なくともプレート型銀微粒子を溶融させるためには１００℃以上に加熱する必要があるが、このような高温は、熱硬化性樹脂組成物の周囲に存在する電子部品に悪影響を及ぼす。   In Patent Document 1, a heat conduction path (path) is formed by heating and curing a thermosetting resin composition to 100 ° C. or higher. In this case, the silver powder does not melt even when heated to 100 ° C. or higher, and only the plate type silver fine particles melt and stick to the silver powder. Thus, although it is necessary to heat at least 100 ° C. to melt at least plate-type silver fine particles, such a high temperature adversely affects electronic parts present around the thermosetting resin composition.

しかも上述のように銀粉は溶融せずに、プレート型銀微粒子のみが溶融して銀粉にくっつくだけであるので、接触抵抗が発生し熱伝導経路の形成が不十分であり、かつ熱伝導経路の強度が不十分である。すなわち、このような熱伝導経路は、温度変化に伴う膨張及び収縮により断絶しやすく、高熱伝導性を得ることができない。   Moreover, as described above, only the plate type silver fine particles melt and stick to the silver powder without melting the silver powder, so contact resistance is generated and the formation of the heat conduction path is insufficient, and the heat conduction path Insufficient strength. That is, such a heat conduction path is likely to be disconnected due to expansion and contraction accompanying temperature change, and high thermal conductivity can not be obtained.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、電子部品に悪影響を及ぼさない程度の低温で使用することができ、高熱伝導性を得ることができる樹脂組成物及びそれを備えた半導体デバイスを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and can be used at a low temperature that does not adversely affect electronic parts, and can obtain high thermal conductivity and a semiconductor device provided with the same Intended to provide.

本発明に係る樹脂組成物は、
金属ナノ粒子の集合体である第１粉体と、
金属マイクロ粒子の集合体である第２粉体と、
高分子化合物と
を含有し、
前記金属ナノ粒子は、第１金属で構成され、
前記金属マイクロ粒子は、コアと、前記コアを被覆する金属コート層とを有し、
前記コアは、第２金属で構成され、
前記金属コート層は、第３金属で構成され、
前記第１金属と前記第３金属とが同じ材質であることを特徴とする。 The resin composition according to the present invention is
A first powder which is an assembly of metal nanoparticles,
A second powder which is an assembly of metal microparticles,
Contains a polymer compound and
The metal nanoparticles are composed of a first metal,
The metal microparticle has a core and a metal coating layer covering the core,
The core is made of a second metal,
The metal coating layer is composed of a third metal,
The first metal and the third metal are made of the same material.

前記第１粉体の平均粒子径が１０〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。   The average particle diameter of the first powder is preferably in the range of 10 to 1000 nm.

前記第２粉体の平均粒子径が１〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。   The average particle diameter of the second powder is preferably in the range of 1 to 100 μm.

前記第１金属及び前記第３金属が銀であることが好ましい。   Preferably, the first metal and the third metal are silver.

前記第２金属が銅、ニッケルのいずれかであることが好ましい。   It is preferable that the said 2nd metal is either copper or nickel.

前記高分子化合物がシリコーンゲル、シリコーンゴム、シリコーンオイルのいずれかであることが好ましい。   The polymer compound is preferably any one of silicone gel, silicone rubber and silicone oil.

前記第１粉体及び前記第２粉体の合計体積に占める前記第１粉体の体積比率が５〜５０体積％の範囲内であることが好ましい。   The volume ratio of the first powder to the total volume of the first powder and the second powder is preferably in the range of 5 to 50% by volume.

前記樹脂組成物の全体積に占める前記第１粉体及び前記第２粉体の合計体積の体積比率が１０〜８０体積％の範囲内であることが好ましい。   It is preferable that the volume ratio of the sum total volume of the said 1st powder and the said 2nd powder which occupies for the whole volume of the said resin composition exists in the range of 10-80 volume%.

本発明に係る半導体デバイスは、
前記樹脂組成物の反応物と、
第１部材と、
第２部材と
を備え、
前記樹脂組成物の反応物が前記第１部材と前記第２部材との間に介在し、
前記第１部材及び前記第２部材が、基板、半導体部品、冷却体のいずれかであることを特徴とする。 The semiconductor device according to the present invention is
A reactant of the resin composition;
A first member,
And a second member,
The reactant of the resin composition is interposed between the first member and the second member,
The first member and the second member may be any one of a substrate, a semiconductor component, and a cooling body.

第３部材をさらに備え、
前記樹脂組成物の反応物が前記第１部材又は前記第２部材と前記第３部材との間に介在し、
前記第３部材が、基板、半導体部品、冷却体のいずれかであることが好ましい。 Further comprising a third member,
The reactant of the resin composition is interposed between the first member or the second member and the third member,
The third member is preferably any one of a substrate, a semiconductor component, and a cooling body.

前記半導体部品がパワー半導体を含むことが好ましい。   Preferably, the semiconductor component comprises a power semiconductor.

前記冷却体がヒートシンク、ヒートリッドの少なくともいずれかを含むことが好ましい。   It is preferable that the cooling body includes at least one of a heat sink and a heat lid.

本発明によれば、電子部品に悪影響を及ぼさない程度の低温で使用することができ、高熱伝導性を得ることができる。   According to the present invention, it can be used at a low temperature that does not adversely affect electronic components, and high thermal conductivity can be obtained.

図１Ａは本発明の実施形態に係る樹脂組成物の加熱前の状態を示す概略断面図であり、図１Ｂは同上の樹脂組成物の加熱後の状態を示す概略断面図である。FIG. 1A is a schematic cross-sectional view showing a state before heating of a resin composition according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view showing a state after heating of the same resin composition. 図２Ａは第１実施形態に係る半導体デバイスの概略断面図であり、図２Ｂは同上の半導体デバイスの変形例を示す概略断面図である。FIG. 2A is a schematic cross-sectional view of the semiconductor device according to the first embodiment, and FIG. 2B is a schematic cross-sectional view showing a modification of the semiconductor device described above. 図３Ａは第２実施形態に係る半導体デバイスの概略断面図であり、図３Ｂは同上の半導体デバイスの変形例を示す概略断面図である。FIG. 3A is a schematic cross-sectional view of a semiconductor device according to a second embodiment, and FIG. 3B is a schematic cross-sectional view showing a modification of the semiconductor device described above.

以下、本発明の実施の形態を説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.

［樹脂組成物］
本実施形態の樹脂組成物１００は、第１粉体１０と、第２粉体２０と、高分子化合物３とを含有している。樹脂組成物１００は、無溶剤でもよいが、さらに溶剤が含有されていてもよい。図１Ａは樹脂組成物１００を加熱する前の状態を模式的に示し、図１Ｂは樹脂組成物１００を加熱した後の状態を模式的に示している。 [Resin composition]
The resin composition 100 of the present embodiment contains a first powder 10, a second powder 20, and a polymer compound 3. The resin composition 100 may be a non-solvent, but may further contain a solvent. 1A schematically shows the state before heating the resin composition 100, and FIG. 1B schematically shows the state after heating the resin composition 100. As shown in FIG.

まず第１粉体１０について説明する。第１粉体１０は、金属ナノ粒子１の集合体である。実際には無数の金属ナノ粒子１で第１粉体１０は構成されている。金属ナノ粒子１は、ナノメートルのオーダー（ナノサイズ）の粒子である。金属ナノ粒子１は、第１金属で構成されている。ここで、金属ナノ粒子１の融点と、同じ第１金属で構成されたバルク金属の融点とを比べると、金属ナノ粒子１には、いわゆるナノサイズ効果により、バルク金属に比べて融点が降下する現象が見られる。具体的には、金属ナノ粒子１の融点は１００℃未満となり、このような融点で金属ナノ粒子１は溶融する。金属ナノ粒子１の融点は好ましくは５０〜３００℃の範囲内であり、より好ましくは７０〜１００℃の範囲内である。なお、金属ナノ粒子１の融点と第１粉体１０の融点とは同じである。第１粉体１０の平均粒子径は１０〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１０〜５００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。ここで、平均粒子径は、レーザー回折散乱法により測定されるものを意味し、以下も同様である。第１粉体１０の平均粒子径が１０ｎｍ以上であることによって、第１粉体１０のカサ密度が高くなるのを抑制することができ、高充填化を実現することができる。第１粉体１０の平均粒子径が１０００ｎｍ以下であることによって、ナノサイズ効果により、第１粉体１０の融点をさらに降下させることができる。   First, the first powder 10 will be described. The first powder 10 is an aggregate of metal nanoparticles 1. In practice, the first powder 10 is composed of innumerable metal nanoparticles 1. The metal nanoparticles 1 are particles of nanometer order (nano size). The metal nanoparticles 1 are composed of a first metal. Here, when the melting point of the metal nanoparticle 1 and the melting point of the bulk metal composed of the same first metal are compared, the melting point of the metal nanoparticle 1 drops compared to the bulk metal due to the so-called nanosize effect The phenomenon is seen. Specifically, the melting point of the metal nanoparticles 1 is less than 100 ° C., and the metal nanoparticles 1 melt at such a melting point. The melting point of the metal nanoparticles 1 is preferably in the range of 50 to 300 ° C., and more preferably in the range of 70 to 100 ° C. The melting point of the metal nanoparticles 1 and the melting point of the first powder 10 are the same. The average particle diameter of the first powder 10 is preferably in the range of 10 to 1000 nm, and more preferably in the range of 10 to 500 nm. Here, the average particle size means one measured by a laser diffraction scattering method, and so forth. When the average particle diameter of the first powder 10 is 10 nm or more, the increase in bulk density of the first powder 10 can be suppressed, and high packing can be realized. When the average particle diameter of the first powder 10 is 1000 nm or less, the melting point of the first powder 10 can be further lowered by the nanosize effect.

次に第２粉体２０について説明する。第２粉体２０は、金属マイクロ粒子２の集合体である。実際には無数の金属マイクロ粒子２で第２粉体２０は構成されている。金属マイクロ粒子２は、サブマイクロからマイクロメートルまでのオーダー（マイクロサイズ）の粒子である。このように、金属マイクロ粒子２は、金属ナノ粒子１よりも大きい。金属マイクロ粒子２は、コア２２と、金属コート層２３とを有している。コア２２は、粒子状であり、第２金属で構成されている。金属コート層２３は、第３金属で構成されている。金属コート層２３は、コア２２を被覆している。金属コート層２３は、コア２２の表面全体を被覆していることが好ましいが、コア２２の表面の一部が金属コート層２３で被覆されていなくてもよい。金属コート層２３によるコア２２の被覆は、例えば、粉体めっきにより行うことができる。ここで、金属コート層２３の融点と、同じ第３金属で構成されたバルク金属の融点とを比べると、ナノサイズ効果と同様の現象が起こることを本発明者らは見出した。すなわち、金属コート層２３の融点がバルク金属の融点に比べて降下する。具体的には、金属マイクロ粒子２の金属コート層２３の融点は１００℃未満となり、このような融点で金属コート層２３は溶融する。金属コート層２３の融点は好ましくは５０〜３００℃の範囲内であり、より好ましくは７０〜１００℃の範囲内である。金属ナノ粒子１の融点と、金属マイクロ粒子２の金属コート層２３の融点とは同じであることが好ましい。金属マイクロ粒子２のコア２２は溶融しなくてもよい。金属コート層２３の厚さは、１〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１０〜１００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。金属コート層２３の厚さが１ｎｍ以上であることによって、金属コート層２３が溶融して金属ナノ粒子１との間に金属結合を形成した際に接触面積が十分に高くなるので、後述の接合部４０を強固に形成することができ、接合部４０の熱伝導性も高めることができる。金属コート層２３の厚さが２００ｎｍ以下であることによって、金属コート層２３の融点をさらに降下させることができる。第２粉体２０の平均粒子径は１〜１００μｍの範囲内であることが好ましく、１０〜５０μｍの範囲内であることがより好ましい。第２粉体２０の平均粒子径が１μｍ以上であることによって、樹脂組成物１００の粘度が大きくなり過ぎないようにすることができ、熱伝導性も高めることができる。第２粉体２０の平均粒子径が１００μｍ以下であることによって、厚さが１００μｍ以下である狭い隙間に樹脂組成物１００を介在させることができる。なお、上記の隙間は、例えば、後述の半導体デバイス２００における第１部材２０１と第２部材２０２との間の隙間が挙げられる。   Next, the second powder 20 will be described. The second powder 20 is an aggregate of metal microparticles 2. In practice, the second powder 20 is composed of innumerable metal microparticles 2. The metal microparticles 2 are particles of the order of submicro to micrometer (micro size). Thus, the metal microparticle 2 is larger than the metal nanoparticle 1. The metal micro particle 2 has a core 22 and a metal coating layer 23. The core 22 is particulate and is made of a second metal. The metal coating layer 23 is composed of a third metal. The metal coating layer 23 covers the core 22. The metal coat layer 23 preferably covers the entire surface of the core 22, but a part of the surface of the core 22 may not be covered by the metal coat layer 23. The coating of the core 22 with the metal coating layer 23 can be performed, for example, by powder plating. Here, the inventors found that when the melting point of the metal coating layer 23 is compared with the melting point of the bulk metal made of the same third metal, the same phenomenon as the nanosize effect occurs. That is, the melting point of the metal coating layer 23 drops compared to the melting point of the bulk metal. Specifically, the melting point of the metal coating layer 23 of the metal microparticle 2 is less than 100 ° C., and the metal coating layer 23 is melted at such a melting point. The melting point of the metal coating layer 23 is preferably in the range of 50 to 300 ° C., and more preferably in the range of 70 to 100 ° C. The melting point of the metal nanoparticles 1 and the melting point of the metal coating layer 23 of the metal microparticles 2 are preferably the same. The core 22 of the metal microparticle 2 may not melt. The thickness of the metal coating layer 23 is preferably in the range of 1 to 200 nm, and more preferably in the range of 10 to 100 nm. When the thickness of the metal coating layer 23 is 1 nm or more, the contact area becomes sufficiently high when the metal coating layer 23 is melted to form a metal bond with the metal nanoparticles 1, so that the bonding described later can be performed. The portion 40 can be formed firmly, and the thermal conductivity of the joint portion 40 can also be enhanced. When the thickness of the metal coating layer 23 is 200 nm or less, the melting point of the metal coating layer 23 can be further lowered. The average particle diameter of the second powder 20 is preferably in the range of 1 to 100 μm, and more preferably in the range of 10 to 50 μm. When the average particle diameter of the second powder 20 is 1 μm or more, the viscosity of the resin composition 100 can be prevented from becoming too high, and the thermal conductivity can also be enhanced. When the average particle diameter of the second powder 20 is 100 μm or less, the resin composition 100 can be interposed in a narrow gap having a thickness of 100 μm or less. The above-mentioned gap may be, for example, a gap between a first member 201 and a second member 202 in a semiconductor device 200 described later.

次に金属ナノ粒子１を構成する第１金属、金属マイクロ粒子２のコア２２を構成する第２金属、金属マイクロ粒子２の金属コート層２３を構成する第３金属について説明する。第１金属と第３金属とは同じ材質である。図１Ａに示すように、樹脂組成物１００中において、第１金属で構成された金属ナノ粒子１と、第３金属で構成された金属コート層２３とは、接触し得る状態にある。第１金属及び第３金属が同じ材質であれば、樹脂組成物１００を加熱した場合に、図１Ｂに示すように、１００℃未満の融点で第１金属及び第３金属が互いに溶融し合って渾然一体となり、この状態で固化させることができる。すなわち、実際には無数に存在する金属マイクロ粒子２のうち、特に近くに存在する２個の金属マイクロ粒子２に着目すると、これらの金属コート層２３と、この近くに存在する金属ナノ粒子１とが溶融し合って渾然一体となり、この状態で固化して接合部４０が形成される。接合部４０は、３個以上の金属マイクロ粒子２に跨って形成されることもある。接合部４０は、金属ナノ粒子１が介在しないで、複数の金属マイクロ粒子２が直接接触して形成されることもあり得る。このように、無数の金属マイクロ粒子２が数珠つなぎになって連結して熱伝導経路３００が形成される。金属マイクロ粒子２同士が接合するにあたって、その間に金属ナノ粒子１が介在していることで、金属マイクロ粒子２同士の接触面積を増加させることができるので、熱伝導経路３００は全体として高熱伝導性を有している。しかも熱伝導経路３００の接合部４０は単一の金属で形成されており、この金属は、金属ナノ粒子１と金属マイクロ粒子２の金属コート層２３とが均一に溶融し合って形成された強固な金属結合を含んでいるので十分に高い熱伝導性と強度を有しており、温度変化に伴う膨張及び収縮により接合部４０に亀裂が入ることを抑制することができる。接合部４０は、第１金属及び第３金属で構成され、第１金属及び第３金属は同じ材質である。第１金属及び第３金属は銀であることが好ましい。銀は熱伝導率が高く、また化学的に安定なため、表面酸化などの影響を抑えることができる点で好ましい。第２金属は銅、ニッケルのいずれかであることが好ましい。銅、ニッケルは高い熱伝導性を有し、しかも安価な点で好ましい。   Next, the first metal constituting the metal nanoparticle 1, the second metal constituting the core 22 of the metal microparticle 2, and the third metal constituting the metal coat layer 23 of the metal microparticle 2 will be described. The first metal and the third metal are the same material. As shown to FIG. 1A, in the resin composition 100, the metal nanoparticle 1 comprised with the 1st metal and the metal coating layer 23 comprised with the 3rd metal exist in the state which can contact. If the first metal and the third metal are the same material, when the resin composition 100 is heated, as shown in FIG. 1B, the first metal and the third metal are mutually melted at a melting point less than 100 ° C. It is possible to solidify in this state. That is, focusing on the two metal microparticles 2 existing in particular among the metal microparticles 2 existing innumerably in practice, these metal coat layers 23 and the metal nanoparticles 1 existing in this vicinity Are melted together to form a solid, and in this state, they are solidified to form a joint 40. The bonding portion 40 may be formed across three or more metal microparticles 2. The bonding portion 40 may be formed by direct contact of a plurality of metal microparticles 2 without the metal nanoparticles 1 being interposed. As described above, innumerable metal microparticles 2 are connected in a beaded connection to form the heat conduction path 300. When the metal microparticles 2 are joined, the contact area between the metal microparticles 2 can be increased by interposing the metal nanoparticles 1 therebetween, so the heat conduction path 300 as a whole has high thermal conductivity. have. Moreover, the bonding portion 40 of the heat conduction path 300 is formed of a single metal, and this metal is formed by uniformly melting the metal nanoparticles 1 and the metal coating layer 23 of the metal microparticles 2. Metal bonds, and has sufficiently high thermal conductivity and strength, and can suppress the occurrence of cracks in the joint portion 40 due to expansion and contraction accompanying temperature changes. The bonding portion 40 is made of a first metal and a third metal, and the first metal and the third metal are the same material. Preferably, the first and third metals are silver. Silver is preferable because it has high thermal conductivity and is chemically stable, so that the effects of surface oxidation and the like can be suppressed. The second metal is preferably either copper or nickel. Copper and nickel are preferable in that they have high thermal conductivity and are inexpensive.

次に高分子化合物３について説明する。高分子化合物３は、第１粉体１０及び第２粉体２０を粘性のあるペーストにするために練り込む場合のつなぎとなるものである。高分子化合物３は、耐熱性を有していることが好ましい。高分子化合物３は、加熱又は光照射などにより架橋反応するものでも反応しないものでもよい。高分子化合物３が反応する場合には、反応後にゲル状又はゴム状の固体となるものが好ましい。この場合の反応温度は１００℃未満であることが好ましい。第１金属及び第３金属が溶融し始める前に高分子化合物３が反応し始める場合には、高分子化合物３は、第１金属及び第３金属の溶融一体化を阻害しないものであることが好ましい。また高分子化合物３は、常温（例えば２５℃）で半固体のグリースでもよい。以上の観点から、高分子化合物３はシリコーンゲル、シリコーンゴム、シリコーンオイルのいずれかであることが好ましい。後述の半導体デバイス２００などにおいて、いわゆるポンプアウトをより抑制するためには、高分子化合物３はシリコーンゲル、シリコーンゴムのいずれかであることが好ましい。高分子化合物３は接着性を有していてもよい。   Next, the polymer compound 3 will be described. The polymer compound 3 serves as a bridge in the case of kneading in order to make the first powder 10 and the second powder 20 into a viscous paste. The polymer compound 3 preferably has heat resistance. The polymer compound 3 may or may not react or crosslink by heating or light irradiation. When the polymer compound 3 is to be reacted, it is preferably one which becomes a gel-like or rubber-like solid after the reaction. The reaction temperature in this case is preferably less than 100.degree. In the case where the polymer compound 3 starts to react before the first metal and the third metal start to melt, the polymer compound 3 should not inhibit the melt integration of the first metal and the third metal preferable. The polymer compound 3 may be a semi-solid grease at normal temperature (for example, 25 ° C.). From the above viewpoints, the polymer compound 3 is preferably any one of silicone gel, silicone rubber and silicone oil. In the semiconductor device 200 and the like described later, in order to further suppress so-called pump-out, the polymer compound 3 is preferably either silicone gel or silicone rubber. The polymer compound 3 may have adhesiveness.

次に樹脂組成物１００に占める第１粉体１０及び第２粉体２０の割合について説明する。第１粉体１０及び第２粉体２０の合計体積に占める第１粉体１０の体積比率は５〜５０体積％の範囲内であることが好ましく、１０〜３０体積％の範囲内であることがより好ましい。第１粉体１０の体積比率が５体積％以上であることによって、第１粉体１０を構成する金属ナノ粒子１と第２粉体２０を構成する金属マイクロ粒子２との間の接合を十分に確保することができる。第１粉体１０の体積比率が５０体積％以下であることによって、第２粉体２０に比べて粒子径の小さい第１粉体１０が増えることによる、カサ密度を増大を抑えることができ、結果として第１粉体１０及び第２粉体２０全体の充填量を増やすことができる。   Next, the ratio of the first powder 10 and the second powder 20 in the resin composition 100 will be described. The volume ratio of the first powder 10 to the total volume of the first powder 10 and the second powder 20 is preferably in the range of 5 to 50% by volume, and in the range of 10 to 30% by volume Is more preferred. When the volume ratio of the first powder 10 is 5% by volume or more, bonding between the metal nanoparticles 1 constituting the first powder 10 and the metal microparticles 2 constituting the second powder 20 is sufficient Can be secured. When the volume ratio of the first powder 10 is 50% by volume or less, it is possible to suppress the increase in bulk density due to the increase in the first powder 10 having a smaller particle size than the second powder 20, As a result, the filling amount of the whole of the first powder 10 and the second powder 20 can be increased.

樹脂組成物１００の全体積に占める第１粉体１０及び第２粉体２０の合計体積の体積比率は１０〜８０体積％の範囲内であることが好ましく、３０〜６０体積％の範囲内であることがより好ましい。第１粉体１０及び第２粉体２０の合計体積の体積比率が１０体積％以上であることによって、熱伝導性の高い第１粉体１０及び第２粉体２０が相対的に多くなり、樹脂組成物１００としての熱伝導性をさらに高めることができる。第１粉体１０及び第２粉体２０の合計体積の体積比率が８０体積％以下であることによって、相対的に高分子化合物３が多くなり、低粘度及び低硬度を同時に達成することができる。樹脂組成物１００の低粘度は、作業性が向上し、ボイドトラップによる熱伝導性の低下を抑制することができる点で好ましい。樹脂組成物１００の低硬度は、接触抵抗が減ることにより全体の熱抵抗が低下する点で好ましい。さらに高分子化合物３で膨張、収縮などの熱歪みを吸収しやすくなり、熱伝導経路３００の断絶を抑制することができる。   The volume ratio of the total volume of the first powder 10 and the second powder 20 in the total volume of the resin composition 100 is preferably in the range of 10 to 80% by volume, and in the range of 30 to 60% by volume It is more preferable that When the volume ratio of the total volume of the first powder 10 and the second powder 20 is 10% by volume or more, the first powder 10 and the second powder 20 having high thermal conductivity become relatively large, The thermal conductivity of the resin composition 100 can be further enhanced. When the volume ratio of the total volume of the first powder 10 and the second powder 20 is 80% by volume or less, the number of polymer compounds 3 is relatively large, and low viscosity and low hardness can be simultaneously achieved. . The low viscosity of the resin composition 100 is preferable in that the workability is improved and the decrease in thermal conductivity due to the void trap can be suppressed. The low hardness of the resin composition 100 is preferable in that the overall thermal resistance is reduced by reducing the contact resistance. Further, thermal distortion such as expansion and contraction can be easily absorbed by the polymer compound 3, and disconnection of the heat conduction path 300 can be suppressed.

次に樹脂組成物１００の製造方法について説明する。樹脂組成物１００は、第１粉体１０、第２粉体２０、高分子化合物３をプラネタリーミキサーのタンクに入れて攪拌、混練することによって製造することができる。このようにして第１粉体１０及び第２粉体２０が均一に分散した樹脂組成物１００を得ることができる。   Next, a method of producing the resin composition 100 will be described. The resin composition 100 can be manufactured by putting the first powder 10, the second powder 20, and the polymer compound 3 into a tank of a planetary mixer and stirring and kneading. Thus, the resin composition 100 in which the first powder 10 and the second powder 20 are uniformly dispersed can be obtained.

次に樹脂組成物１００の加熱前後の様子について説明する。上述のように、図１Ａは樹脂組成物１００を加熱する前の状態を模式的に示している。樹脂組成物１００中において第１粉体１０及び第２粉体２０は均一に分散している。図１Ｂは樹脂組成物１００を加熱した後の状態を模式的に示している。言い換えると、図１Ｂは樹脂組成物１００を加熱して得られた反応物１０１を示している。加熱温度は、金属ナノ粒子１及び金属マイクロ粒子２の金属コート層２３が共に溶融する温度でよく、この温度は１００℃未満でよい。好ましくは５０〜３００℃の範囲内であり、より好ましくは７０〜１００℃の範囲内である。このような低温で金属ナノ粒子１及び金属コート層２３が互いに溶融し合って渾然一体となり、この状態で固化して接合部４０を形成することができる。このように、無数の金属マイクロ粒子２が数珠つなぎになって連結して熱伝導経路３００が形成される。熱伝導経路３００において、接合部４０及び金属コート層２３の部分のみならず、コア２２の部分も熱の通り道となり得る。熱伝導経路３００の周囲に存在する高分子化合物３は、温度変化に伴って反応物１０１が膨張及び収縮する場合に熱歪みを吸収し、熱伝導経路３００の断絶を抑制することができる。   Next, the appearance of the resin composition 100 before and after heating will be described. As described above, FIG. 1A schematically shows the state before the resin composition 100 is heated. In the resin composition 100, the first powder 10 and the second powder 20 are uniformly dispersed. FIG. 1B schematically shows the state after the resin composition 100 is heated. In other words, FIG. 1B shows a reactant 101 obtained by heating the resin composition 100. The heating temperature may be a temperature at which the metal nanoparticles 1 and the metal coating layer 23 of the metal microparticles 2 melt together, and the temperature may be less than 100 ° C. Preferably it exists in the range of 50-300 degreeC, More preferably, it exists in the range of 70-100 degreeC. At such a low temperature, the metal nanoparticles 1 and the metal coating layer 23 melt together and form a single body, and can be solidified in this state to form the bonding portion 40. As described above, innumerable metal microparticles 2 are connected in a beaded connection to form the heat conduction path 300. In the heat conduction path 300, not only the joint 40 and the portion of the metal coating layer 23, but also the portion of the core 22 can be a heat passage. When the reactant 101 expands and contracts with temperature change, the polymer compound 3 present around the heat conduction path 300 can absorb the thermal strain, and the disconnection of the heat conduction path 300 can be suppressed.

［半導体デバイス］
次に樹脂組成物１００の半導体デバイス２００への適用例について説明する。 [Semiconductor device]
Next, an application example of the resin composition 100 to the semiconductor device 200 will be described.

（第１実施形態）
図２Ａに第１実施形態の半導体デバイス２００を示す。半導体デバイス２００は、樹脂組成物１００の反応物１０１と、第１部材２０１と、第２部材２０２とを備えている。 樹脂組成物１００の反応物１０１は第１部材２０１と第２部材２０２との間に介在している。具体的には、反応物１０１は第１部材２０１及び第２部材２０２の両方に接触している。第１部材２０１と第２部材２０２とは直接接触していない。 First Embodiment
FIG. 2A shows a semiconductor device 200 of the first embodiment. The semiconductor device 200 includes a reactant 101 of the resin composition 100, a first member 201, and a second member 202. The reactant 101 of the resin composition 100 is interposed between the first member 201 and the second member 202. Specifically, the reactant 101 is in contact with both the first member 201 and the second member 202. The first member 201 and the second member 202 are not in direct contact with each other.

第１部材２０１及び第２部材２０２の一方が高温物体、他方が低温物体となり得る。第１部材２０１及び第２部材２０２は、基板２１０、半導体部品２２０、冷却体２３０のいずれかである。図２Ａでは、第１部材２０１は半導体部品２２０であり、第２部材２０２は冷却体２３０である。半導体部品２２０には、単一の素子及び複数の素子を１つにまとめた集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）が含まれる。半導体部品２２０は基板２１０に搭載されている。半導体部品２２０は、半田バンプ２２３により基板２１０に電気的に接続されている。基板２１０は電気的絶縁性を有している。基板２１０にはサーマルバイア２１１が設けられている。サーマルバイア２１１は、放熱用のスルーホールである。これにより、半導体デバイス２００の放熱性をさらに向上させることができる。半導体部品２２０は発熱するので高温物体であり、冷却体２３０は低温物体である。したがって、この間に介在する反応物１０１によって、半導体部品２２０の熱を冷却体２３０に逃がすことができる。このような反応物１０１を形成するのに用いられる樹脂組成物１００はＴＩＭ（Thermal Interface Material）と呼ばれる。冷却体２３０はヒートシンク２３１、ヒートリッド２３２の少なくともいずれかを含むことが好ましい。これらは、放熱性の良い材質で形成されている。例えば、アルミニウム、銅が挙げられる。ヒートシンク２３１は、表面積を大きくするために、ひだを有している。図２Ａでは、冷却体２３０はヒートリッド２３２である。ヒートリッド２３２は基板２１０と接触している。このようにヒートリッド２３２からの熱を基板２１０に逃がすこともできる。   One of the first member 201 and the second member 202 may be a high temperature object, and the other may be a low temperature object. The first member 201 and the second member 202 are any of the substrate 210, the semiconductor component 220, and the cooling body 230. In FIG. 2A, the first member 201 is a semiconductor component 220 and the second member 202 is a cooling body 230. The semiconductor component 220 includes an integrated circuit (IC: Integrated Circuit) in which a single element and a plurality of elements are integrated into one. The semiconductor component 220 is mounted on the substrate 210. The semiconductor component 220 is electrically connected to the substrate 210 by the solder bumps 223. The substrate 210 has electrical insulation. The substrate 210 is provided with a thermal via 211. The thermal vias 211 are through holes for heat dissipation. Thereby, the heat dissipation of the semiconductor device 200 can be further improved. The semiconductor component 220 is a high temperature object because it generates heat, and the cooling object 230 is a low temperature object. Therefore, the heat of the semiconductor component 220 can be dissipated to the cooling body 230 by the reactant 101 interposed therebetween. The resin composition 100 used to form such a reactant 101 is called TIM (Thermal Interface Material). The cooling body 230 preferably includes at least one of a heat sink 231 and a heat lid 232. These are formed of a material with good heat dissipation. For example, aluminum and copper can be mentioned. The heat sink 231 has a fold to increase the surface area. In FIG. 2A, the cooling body 230 is a heat lid 232. The heat lid 232 is in contact with the substrate 210. Thus, the heat from the heat lid 232 can also be dissipated to the substrate 210.

ここで、反応物１０１は、例えば、第１部材２０１である半導体部品２２０と第２部材２０２である冷却体２３０との間に樹脂組成物１００を介在させた状態で加熱して形成することができる。この場合、１００℃未満の低温で加熱すればよいので、特に電子部品である半導体部品２２０に大きな熱負荷がかからず悪影響を及ぼすおそれがない。また半田バンプ２２３は通常１００℃以上の温度で加熱しないと溶融しないので、１００℃未満の低温で加熱しても溶融するおそれがない。したがって、半田バンプ２２３が溶融することによるショート（短絡）の発生を抑制することもできる。   Here, the reactant 101 may be formed, for example, by heating in a state in which the resin composition 100 is interposed between the semiconductor component 220 which is the first member 201 and the cooling body 230 which is the second member 202. it can. In this case, since heating may be performed at a low temperature of less than 100 ° C., a large heat load is not particularly applied to the semiconductor component 220, which is an electronic component, and there is no risk of adverse effects. The solder bumps 223 usually do not melt unless heated at a temperature of 100.degree. C. or higher, so there is no risk of melting even if heated at a low temperature of less than 100.degree. Therefore, the occurrence of short circuit (short circuit) due to melting of the solder bumps 223 can be suppressed.

図２Ｂは、図２Ａに示す第１実施形態の半導体デバイス２００の変形例である。この半導体デバイス２００は、第３部材２０３をさらに備えている。樹脂組成物１００の反応物１０２が第１部材２０１又は第２部材２０２と第３部材２０３との間にも介在している。図２Ｂでは、反応物１０２が、第２部材２０２と第３部材２０３との間に介在している。反応物１０２は第２部材２０２及び第３部材２０３の両方に接触している。第３部材２０３と第２部材２０２とは直接接触していない。   FIG. 2B is a modified example of the semiconductor device 200 of the first embodiment shown in FIG. 2A. The semiconductor device 200 further includes a third member 203. The reactant 102 of the resin composition 100 is also interposed between the first member 201 or the second member 202 and the third member 203. In FIG. 2B, the reactant 102 is interposed between the second member 202 and the third member 203. The reactant 102 is in contact with both the second member 202 and the third member 203. The third member 203 and the second member 202 are not in direct contact with each other.

第３部材２０３は、基板２１０、半導体部品２２０、冷却体２３０のいずれかであることが好ましい。図２Ｂでは、第３部材２０３は冷却体２３０であり、この冷却体２３０はヒートシンク２３１である。第２部材２０２及び第３部材２０３の一方が高温物体、他方が低温物体となり得る。この場合、発熱する半導体部品２２０に近い第２部材２０２が高温物体であり、半導体部品２２０から離れた第３部材２０３が低温物体である。したがって、この間に介在する反応物１０１によって、第２部材２０２の冷却体２３０の熱を第３部材２０３の冷却体２３０に逃がすことができる。この場合の反応物１０１を形成する樹脂組成物１００もＴＩＭ（Thermal Interface Material）と呼ばれる。   The third member 203 is preferably any one of the substrate 210, the semiconductor component 220, and the cooling body 230. In FIG. 2B, the third member 203 is a cooling body 230, and the cooling body 230 is a heat sink 231. One of the second member 202 and the third member 203 may be a high temperature object, and the other may be a low temperature object. In this case, the second member 202 close to the heat generating semiconductor component 220 is a high temperature object, and the third member 203 separated from the semiconductor component 220 is a low temperature object. Therefore, the heat of the cooling body 230 of the second member 202 can be released to the cooling body 230 of the third member 203 by the reactant 101 interposed therebetween. The resin composition 100 that forms the reactant 101 in this case is also referred to as a thermal interface material (TIM).

上記のような半導体デバイス２００を長期間使用した後であっても、反応物１０１、１０２中の高分子化合物３がシリコーンゲル、シリコーンゴムなどであれば、反応物１０１、１０２が元の位置から溶け出して別の位置に流動するポンプアウトを抑制することができる。   Even after using the semiconductor device 200 as described above for a long time, if the polymer compound 3 in the reactants 101 and 102 is silicone gel, silicone rubber, etc., the reactants 101 and 102 are from the original position It is possible to suppress pump-out that melts and flows to another position.

（第２実施形態）
図３Ａに第２実施形態の半導体デバイス２００を示す。半導体デバイス２００は、樹脂組成物１００の反応物１０１と、第１部材２０１と、第２部材２０２とを備えている。樹脂組成物１００の反応物１０１は第１部材２０１と第２部材２０２との間に介在している。具体的には、反応物１０１は第１部材２０１及び第２部材２０２の両方に接触している。 Second Embodiment
The semiconductor device 200 of 2nd Embodiment is shown to FIG. 3A. The semiconductor device 200 includes a reactant 101 of the resin composition 100, a first member 201, and a second member 202. The reactant 101 of the resin composition 100 is interposed between the first member 201 and the second member 202. Specifically, the reactant 101 is in contact with both the first member 201 and the second member 202.

第１部材２０１及び第２部材２０２の一方が高温物体、他方が低温物体となり得る。第１部材２０１及び第２部材２０２は、基板２１０、半導体部品２２０、冷却体２３０のいずれかである。図３Ａでは、第１部材２０１は基板２１０であり、第２部材２０２は半導体部品２２０である。半導体部品２２０はパワー半導体２２１を含んでいてもよい。パワー半導体２２１は、電源の制御や電力の変換を行う半導体であり、扱う電圧や電流が大きいので、発熱量が多くなりやすい。パワー半導体２２１の具体例として、ダイオード、トランジスタ、集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）が挙げられる。半導体部品２２０は基板２１０に搭載されている。半導体部品２２０は、ワイヤー２２２により基板２１０に電気的に接続されている。基板２１０にはサーマルバイア２１１が設けられている。これにより、半導体デバイス２００の放熱性をさらに向上させることができる。半導体部品２２０は発熱するので高温物体であり、基板２１０は低温物体である。したがって、この間に介在する反応物１０１によって、半導体部品２２０の熱を基板２１０に逃がすことができる。なお、この場合、反応物１０１は、基板２１０と半導体部品２２０との間に介在してこの両者を接着しているので、この反応物１０１を形成するための樹脂組成物１００はダイアタッチペーストとも呼ばれる。   One of the first member 201 and the second member 202 may be a high temperature object, and the other may be a low temperature object. The first member 201 and the second member 202 are any of the substrate 210, the semiconductor component 220, and the cooling body 230. In FIG. 3A, the first member 201 is a substrate 210 and the second member 202 is a semiconductor component 220. The semiconductor component 220 may include a power semiconductor 221. The power semiconductor 221 is a semiconductor that performs control of power supply and conversion of power, and since the voltage and current handled are large, the amount of heat generation tends to be large. As a specific example of the power semiconductor 221, a diode, a transistor, an integrated circuit (IC: Integrated Circuit) can be given. The semiconductor component 220 is mounted on the substrate 210. The semiconductor component 220 is electrically connected to the substrate 210 by the wire 222. The substrate 210 is provided with a thermal via 211. Thereby, the heat dissipation of the semiconductor device 200 can be further improved. The semiconductor component 220 is a high temperature object because it generates heat, and the substrate 210 is a low temperature object. Therefore, the heat of the semiconductor component 220 can be dissipated to the substrate 210 by the reactant 101 interposed therebetween. In this case, since the reactant 101 is interposed between the substrate 210 and the semiconductor component 220 to bond the two together, the resin composition 100 for forming the reactant 101 is a die attach paste. be called.

ここで、反応物１０１は、例えば、第１部材２０１である基板２１０と第２部材２０２である半導体部品２２０との間に樹脂組成物１００を介在させた状態で加熱して形成することができる。この場合、１００℃未満の低温で加熱すればよいので、特に電子部品である半導体部品２２０に大きな熱負荷がかからず悪影響を及ぼすおそれがない。   Here, the reactant 101 can be formed, for example, by heating in a state in which the resin composition 100 is interposed between the substrate 210 as the first member 201 and the semiconductor component 220 as the second member 202. . In this case, since heating may be performed at a low temperature of less than 100 ° C., a large heat load is not particularly applied to the semiconductor component 220, which is an electronic component, and there is no risk of adverse effects.

図３Ｂは、図３Ａに示す第２実施形態の半導体デバイス２００の変形例である。この半導体デバイス２００は、第３部材２０３をさらに備えている。樹脂組成物１００の反応物１０２が第１部材２０１又は第２部材２０２と第３部材２０３との間にも介在している。図３Ｂでは、反応物１０２が、第２部材２０２と第３部材２０３との間に介在している。反応物１０２は第２部材２０２及び第３部材２０３の両方に接触している。第３部材２０３と第２部材２０２とは直接接触していない。   FIG. 3B is a modification of the semiconductor device 200 of the second embodiment shown in FIG. 3A. The semiconductor device 200 further includes a third member 203. The reactant 102 of the resin composition 100 is also interposed between the first member 201 or the second member 202 and the third member 203. In FIG. 3B, the reactant 102 is interposed between the second member 202 and the third member 203. The reactant 102 is in contact with both the second member 202 and the third member 203. The third member 203 and the second member 202 are not in direct contact with each other.

第３部材２０３は、基板２１０、半導体部品２２０、冷却体２３０のいずれかであることが好ましい。図３Ｂでは、第３部材２０３は冷却体２３０である。第３部材２０３及び第２部材２０２の一方が高温物体、他方が低温物体となり得る。この場合、半導体部品２２０は発熱するので高温物体であり、冷却体２３０が低温物体である。したがって、この間に介在する反応物１０１によって、第２部材２０２の冷却体２３０の熱を第３部材２０３の冷却体２３０に逃がすことができる。冷却体２３０はヒートシンク２３１、ヒートリッド２３２の少なくともいずれかを含むことが好ましい。図３Ｂでは、冷却体２３０はヒートシンク２３１である。   The third member 203 is preferably any one of the substrate 210, the semiconductor component 220, and the cooling body 230. In FIG. 3B, the third member 203 is a cooling body 230. One of the third member 203 and the second member 202 may be a high temperature object, and the other may be a low temperature object. In this case, since the semiconductor component 220 generates heat, it is a high temperature object, and the cooling body 230 is a low temperature object. Therefore, the heat of the cooling body 230 of the second member 202 can be released to the cooling body 230 of the third member 203 by the reactant 101 interposed therebetween. The cooling body 230 preferably includes at least one of a heat sink 231 and a heat lid 232. In FIG. 3B, the cooling body 230 is a heat sink 231.

上記のような半導体デバイス２００を長期間使用した後であっても、反応物１０１、１０２中の高分子化合物３がシリコーンゲル、シリコーンゴムなどであれば、反応物１０１、１０２が元の位置から溶け出して別の位置に流動するポンプアウトを抑制することができる。   Even after using the semiconductor device 200 as described above for a long time, if the polymer compound 3 in the reactants 101 and 102 is silicone gel, silicone rubber, etc., the reactants 101 and 102 are from the original position It is possible to suppress pump-out that melts and flows to another position.

１ 金属ナノ粒子
２ 金属マイクロ粒子
３ 高分子化合物
１０ 第１粉体
２０ 第２粉体
２２ コア
２３ 金属コート層
１００ 樹脂組成物
１０１ 反応物
１０２ 反応物
２００ 半導体デバイス
２０１ 第１部材
２０２ 第２部材
２０３ 第３部材
２１０ 基板
２２０ 半導体部品
２２１ パワー半導体
２３０ 冷却体
２３１ ヒートシンク
２３２ ヒートリッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 metal nanoparticle 2 metal microparticle 3 polymer compound 10 1st powder 20 2nd powder 22 core 23 metal coat layer 100 resin composition 101 reactant 102 reactant 200 semiconductor device 201 1st member 202 2nd member 203 Third member 210 Substrate 220 Semiconductor component 221 Power semiconductor 230 Cooling body 231 Heat sink 232 Heat lid

Claims (12)

金属ナノ粒子の集合体である第１粉体と、
金属マイクロ粒子の集合体である第２粉体と、
高分子化合物と
を含有し、
前記金属ナノ粒子は、第１金属で構成され、
前記金属マイクロ粒子は、コアと、前記コアを被覆する金属コート層とを有し、
前記コアは、第２金属で構成され、
前記金属コート層は、第３金属で構成され、
前記第１金属と前記第３金属とが同じ材質であることを特徴とする
樹脂組成物。 A first powder which is an assembly of metal nanoparticles,
A second powder which is an assembly of metal microparticles,
Contains a polymer compound and
The metal nanoparticles are composed of a first metal,
The metal microparticle has a core and a metal coating layer covering the core,
The core is made of a second metal,
The metal coating layer is composed of a third metal,
A resin composition, wherein the first metal and the third metal are the same material. 前記第１粉体の平均粒子径が１０〜１０００ｎｍの範囲内であることを特徴とする
請求項１に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1, wherein an average particle diameter of the first powder is in a range of 10 to 1000 nm. 前記第２粉体の平均粒子径が１〜１００μｍの範囲内であることを特徴とする
請求項１又は２に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1 or 2, wherein an average particle diameter of the second powder is in a range of 1 to 100 μm. 前記第１金属及び前記第３金属が銀であることを特徴とする
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the first metal and the third metal are silver. 前記第２金属が銅、ニッケルのいずれかであることを特徴とする
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the second metal is any of copper and nickel. 前記高分子化合物がシリコーンゲル、シリコーンゴム、シリコーンオイルのいずれかであることを特徴とする
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the polymer compound is any one of silicone gel, silicone rubber, and silicone oil. 前記第１粉体及び前記第２粉体の合計体積に占める前記第１粉体の体積比率が５〜５０体積％の範囲内であることを特徴とする
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の樹脂組成物。 The volume ratio of the said 1st powder which occupies for the sum total volume of said 1st powder and said 2nd powder is in the range of 5-50 volume%, Any one of Claim 1 thru | or 6 characterized by the above-mentioned. The resin composition as described in. 前記樹脂組成物の全体積に占める前記第１粉体及び前記第２粉体の合計体積の体積比率が１０〜８０体積％の範囲内であることを特徴とする
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の樹脂組成物。 The volume ratio of the total volume of the first powder and the second powder in the total volume of the resin composition is in the range of 10 to 80% by volume. The resin composition as described in one item. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の樹脂組成物の反応物と、
第１部材と、
第２部材と
を備え、
前記樹脂組成物の反応物が前記第１部材と前記第２部材との間に介在し、
前記第１部材及び前記第２部材が、基板、半導体部品、冷却体のいずれかであることを特徴とする
半導体デバイス。 A reactant of the resin composition according to any one of claims 1 to 8.
A first member,
And a second member,
The reactant of the resin composition is interposed between the first member and the second member,
A semiconductor device, wherein the first member and the second member are any one of a substrate, a semiconductor component, and a cooling body. 第３部材をさらに備え、
前記樹脂組成物の反応物が前記第１部材又は前記第２部材と前記第３部材との間に介在し、
前記第３部材が、基板、半導体部品、冷却体のいずれかであることを特徴とする
請求項９に記載の半導体デバイス。 Further comprising a third member,
The reactant of the resin composition is interposed between the first member or the second member and the third member,
The semiconductor device according to claim 9, wherein the third member is any one of a substrate, a semiconductor component, and a cooling body. 前記半導体部品がパワー半導体を含むことを特徴とする
請求項９又は１０に記載の半導体デバイス。 The semiconductor device according to claim 9, wherein the semiconductor component includes a power semiconductor. 前記冷却体がヒートシンク、ヒートリッドの少なくともいずれかを含むことを特徴とする
請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の半導体デバイス。 The semiconductor device according to any one of claims 9 to 11, wherein the cooling body includes at least one of a heat sink and a heat lid.
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