JP2019062062A - 配線基板、電子装置、及び、配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の高い配線基板、電子装置、及び、配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】配線基板は、絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、前記基板に重ねて配設される密着層と、前記密着層に重ねて配置され、シード層として形成可能な第１金属製の第１シード層と、前記第１シード層に重ねて配置され、配線用金属と、前記配線用金属よりも大きなイオン化傾向を有する第２金属との合金製の第２シード層と、前記第２シード層に重ねて配置される、前記配線用金属製の配線層とを含み、前記第１金属は、前記第２金属よりもイオン化傾向が小さい金属である。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板、電子装置、及び、配線基板の製造方法に関する。

従来より、基板上に形成された反応性イオンエッチング可能な材料からなる給電膜と、給電膜上に形成された電解めっき層と、給電膜と電解めっき層との間に形成された給電膜と電解めっき層の密着性を高める密着層と、を有してなる金属配線がある。前記給電膜はＭｏ、Ｗ、Ｐｔのうち１種または２種以上の単体、またはこれらの合金を主成分とすることを特徴とする。密着層としてニッケル薄膜が用いられ、電解めっき層として銅めっき層が用いられ、銅めっき層が金属配線の配線の部分として用いられる（例えば、特許文献１参照）。

特開２００１−０２８４７７号公報

ところで、ニッケル薄膜（密着層）の上に銅めっき層を形成する際に、ニッケル薄膜（密着層）の表面に生じる酸化膜を完全に除去できない場合には、酸化膜が残存する部位にボイドが生じる場合がある。

このようなボイドは、ニッケル薄膜（密着層）と銅めっき層との間に生じるため、金属配線の電気抵抗が上昇し、電気信号を正常に伝送できなくなり、信頼性が低下するおそれがある。

そこで、信頼性の高い配線基板、電子装置、及び、配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の実施の形態の配線基板は、絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、前記基板に重ねて配設される密着層と、前記密着層に重ねて配置され、シード層として形成可能な第１金属製の第１シード層と、前記第１シード層に重ねて配置され、配線用金属と、前記配線用金属よりも大きなイオン化傾向を有する第２金属との合金製の第２シード層と、前記第２シード層に重ねて配置される、前記配線用金属製の配線層とを含み、前記第１金属は、前記第２金属よりもイオン化傾向が小さい金属である。

信頼性の高い配線基板、電子装置、及び、配線基板の製造方法を提供することができる。

実施の形態の配線基板１００の断面図を示す図である。 配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。 配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。 配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。 配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。 配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。 配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。 配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。 配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。 配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。 配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。 配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。 配線基板１００を含む電子装置２００を示す図である。 実施の形態の変形例の配線基板１００Ｍの断面構造を示す図である。 配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。

以下、本発明の配線基板、電子装置、及び、配線基板の製造方法を適用した実施の形態について説明する。

＜実施の形態＞
図１は、実施の形態の配線基板１００の断面図を示す図である。以下では、直交座標系の一例であるＸＹＺ座標系を用いて説明する。配線基板１００は、ＸＹ平面視では矩形状であり、図１には、配線基板１００をＸＺ平面に沿って切断した断面構造を示す。なお、以下ではＸＺ断面構造を用いて説明するが、ＹＺ断面構造も同様の構造であってよい。

配線基板１００は、基板１１０、密着層１２０、シード層１３０、合金層１４０、配線層１５０、及び樹脂層１６０を含む。このような配線基板１００の配線層１５０は、Semi Additive Process(SAP法)によって作製される。SAP法を用いると、線幅が数ｎｍ以下の配線層１５０を作製することが可能である。

基板１１０は、一例として、絶縁材料製の基板である。基板１１０は、ＦＲ−４(Flame Retardant type 4)規格の配線基板、又は、インターポーザであってもよい。また、基板１１０は、Ｓｉ（シリコン）等の半導体材料製の基板であってもよく、この場合には、基板１１０の内部に回路が設けられていてもよい。基板１１０のＺ軸正方向側の表面１１１の上には、密着層１２０、シード層１３０、合金層１４０、配線層１５０、及び樹脂層１６０が設けられる。

密着層１２０は、基板１１０の表面１１１に設けられ、基板１１０とシード層１３０を密着させる層である。密着層１２０としては、例えば、Ｔｉ（チタン）又はＣｒ（クロム）等の金属層を用いることができる。ここでは、一例として、密着層１２０がＴｉ層である形態について説明する。密着層１２０は、スパッタ法等で基板１１０の表面１１１にＴｉ層を形成することによって作製され、厚さは、一例として、１００ｎｍ以下である。

シード層１３０は、密着層１２０の上に設けられ、配線層１５０を電解めっき処理で作製する際に用いられる２つのシード層のうちの１つのシード層である。シード層１３０は、第１シード層の一例である。

シード層１３０は、次の４つの条件を満たす金属製の層であればよい。シード層１３０を構築する金属は、例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ−Ｐ（ニッケル−リン）層、又はＮｉ−Ｂ（ニッケル−ボロン）等のＣｕ（銅）以外の金属又は合金であって（１つ目の条件）、シード層として用いることが可能な金属であること（２つ目の条件）が必要である。

また、シード層１３０を構築する金属は、ウェットエッチング処理又はドライエッチング処理によってＣｕとは選択的に除去が可能な金属であって（３つ目の条件）、後述する拡散金属層の金属よりもイオン化傾向が小さい金属であること（４つ目の条件）が必要である。

シード層１３０は、例えば、スパッタ法、無電解めっき処理、又は電解めっき処理によって形成され、厚さは、一例として、２００ｎｍ以下である。ここでは、一例として、シード層１３０がＮｂ層である形態について説明する。シード層１３０の金属は、第１金属の一例である。

合金層１４０は、シード層１３０の上に設けられ、配線層１５０を電解めっき処理で作製する際に用いられる２つのシード層のうちの１つのシード層である。合金層１４０は、第２シード層の一例である。

合金層１４０は、配線基板１００の製造工程のうちの加熱工程で、後述する拡散金属層の金属と、配線層１５０のＣｕとが拡散して合金化することによって作製される。拡散金属層は、加熱工程が行われる前には、合金層１４０が存在する位置にある。この詳細は図２乃至図１２を用いて後述する。

拡散金属層としては、Ｐｔ（プラチナ）又はＡｕ（金）等のＣｕ以上のイオン化傾向を有する金属であって、かつ、ウェットエッチング処理又はドライエッチング処理によって除去が可能な金属を用いることができる。ここでは、一例として、拡散金属層としてＡｕ層を用いる形態について説明する。拡散金属層の金属は、第２金属の一例である。

配線層１５０は、合金層１４０の上に設けられ、配線基板１００の配線として機能する金属層である。配線層１５０は、一例として、Ｃｕ製である。配線層１５０は、シード層１３０及び合金層１４０をシード層として用いて、電解めっき処理で銅めっき層を形成することによって作製される。配線層１５０の金属は、配線用金属の一例である。

配線層１５０には、配線基板１００がＩＣ(Integrated Circuit:集積回路)チップ等に接続されることにより、様々な電気信号が流れ得る。なお、配線層１５０として、Ｃｕの代わりに、Ｎｉ（ニッケル）又はＷ（タングステン）を用いてもよい。

樹脂層１６０は、配線基板１００の表面１１１上において、基板１１０、密着層１２０、シード層１３０、合金層１４０、配線層１５０を覆う絶縁層である。樹脂層１６０は、配線層１５０等を外部からの腐食又は物理的な衝撃から保護するために形成されており、保護層として設けられている。

次に、図２乃至図１２を用いて、配線基板１００の製造方法について説明する。図２乃至図１２は、配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。以下では、Ｚ軸正方向側の面を上面と称す。

まず、図２に示すように、基板１１０の表面１１１の上面の全体に、スパッタ法等でＴｉ層を形成することによって密着層１２０Ａを作製する。密着層１２０Ａの厚さは、一例として、１００ｎｍ以下である。密着層１２０Ａは、後にエッチングされて図１に示す密着層１２０になるものであり、この段階では表面１１１の上面の全体に形成される。

次に、図３に示すように、密着層１２０Ａの上面の全体に、スパッタ法でＮｂ層を形成することにより、シード層１３０Ａを作製する。厚さは、一例として、２００ｎｍ以下である。シード層１３０Ａは、後にエッチング処理を行うことによって図１に示すシード層１３０にされるものであり、この段階では、密着層１２０Ａの上面の全体に形成される。

なお、ここではシード層１３０Ａとして、スパッタ法でＮｂ層を形成する形態について説明するが、Ｎｉ層を形成する場合には、スパッタ法、無電解めっき処理、又は電解めっき処理で形成することができ、Ａｌ層又はＷ層を形成する場合には、スパッタ法で形成することができ、Ｎｉ−Ｐ層又はＮｉ−Ｂ層を形成する場合には、無電解めっき処理又は電解めっき処理で形成することができる。

次に、図４に示すように、シード層１３０Ａの上面の全体に、拡散金属層１４０Ａを作製する。ここでは、拡散金属層１４０ＡとしてＡｕ層を用いるため、スパッタ法、蒸着法、又は無電解めっき処理で形成することができる。なお、拡散金属層１４０ＡとしてＰｔ層を用いる場合にはスパッタ法で形成すればよい。

次に、図５に示すように、拡散金属層１４０Ａの上にフォトレジスト５０を作製する。フォトレジスト５０は、拡散金属層１４０Ａの上にフォトレジスト材料を塗布し、露光工程及び現像工程により配線パターンを形成する。フォトレジスト５０は、配線層１５０を作製する際のマスクとして用いられるものであり、フォトレジスト５０を残す部分は、配線層１５０を形成しない部分である。

次に、図６に示すように、電解めっき処理を行うことにより、拡散金属層１４０Ａの上のフォトレジスト５０が作製されていない部分（配線パターンの部分）に、配線層１５０を作製する。配線層１５０としては主にＣｕめっき層を用いるが、Ｃｕめっき層の代わりに、Ｎｉめっき層又はＷめっき層を用いてもよい。

次に、図７に示すように、フォトレジスト５０を除去する。フォトレジスト５０の除去は、専用のエッチング溶液を用いてウェットエッチング処理で行えばよい。

次に、図８に示すように、加熱処理（アニール）により配線層１５０のＣｕと拡散金属層１４０ＡのＡｕとを拡散させ、配線層１５０の直下のみに合金層１４０を作製する。加熱処理は、１５０℃以上の加熱温度にて、低酸素雰囲気で行うことで、配線層１５０が酸化されず金属拡散を速やかに実現させることができる。加熱処理により配線層１５０のＣｕと拡散金属層１４０ＡのＡｕとが拡散することで、異なる金属同士が混ざり合い、従来のような界面におけるボイドが発生しなくなる。

なお、加熱処理の温度は、拡散させる金属同士の組み合わせ等に応じて適宜設定すればよい。また、常温で拡散が生じる場合には、常温であってもよい。

次に、図９に示すように、専用のエッチング溶液を用いて、残存する拡散金属層１４０Ａを除去する。残存する拡散金属層１４０Ａは、図４に示す工程で作製した拡散金属層１４０Ａのうち、配線層１５０の直下に位置しない部分である。拡散金属層１４０ＡがＡｕ層の場合は、Ａｕ専用のエッチング溶液を用いればよい。

次に、図１０に示すように、エッチング処理を行うことにより、シード層１３０Ａのうち合金層１４０の真下に位置する部分以外を除去し、シード層１３０を得る。ここでは、シード層１３０ＡとしてＮｂ層を用いているため、ドライエッチング処理を行うことにより、シード層１３０を形成することができる。シード層１３０が微細化しても配線強度を保つことができ、更なる信頼性確保が可能である。

なお、シード層１３０ＡとしてＡｌ層又はＷ層を用いる場合にもドライエッチング処理が可能である。また、Ｎｉ層、Ｎｉ−Ｐ層、又はＮｉ−Ｂ層を用いる場合には、ウェットエッチング処理を行えばよい。

次に、図１１に示すように、密着層１２０Ａのうち、配線層１５０、合金層１４０、及びシード層１３０の真下にある部分を残してエッチング処理を行うことにより、密着層１２０を形成する。ここでは、密着層１２０ＡとしてＴｉ層を用いているため、Ｔｉの専用のエッチング溶液を用いてウェットエッチング処理を行えばよい。

そして最後に、図１２に示すように、基板１１０の表面上で、密着層１２０、シード層１３０、合金層１４０、及び配線層１５０を覆う樹脂層１６０を作製することにより、図１に示す断面構造と同一の配線基板１００を作製することができる。

以上のような配線基板１００は、図１３に示すような電子装置２００に用いることができる。図１３は、電子装置２００の断面構造を示す図である。

電子装置２００は、回路基板２１０、バンプ２２０、インターポーザ２３０、バンプ２４０、及びＩＣ(Integrated Circuit：集積回路)チップ２５０を含む。

回路基板２１０は、例えば、ＦＲ−４規格の多層型の配線基板であり、ここでは一例として、配線層が６層の多層型の配線基板を示す。回路基板２１０は、６層の配線層と５層の絶縁層（例えば、コア層又はプリプレグ層）を交互に重ね合わせて熱圧着した多層基板である。

回路基板２１０は、Ｚ軸正方向側の表面に配置される端子２１１を有する。端子２１１は、銅めっき処理で形成され、回路基板２１０の最上層に位置する配線層である。なお、回路基板２１０の最上層よりも下の構成についての説明は省略する。また、回路基板２１０を配線基板として捉えてもよい。

バンプ２２０は、回路基板２１０の端子２１１と、インターポーザ２３０の端子２３２とを接続するはんだバンプであり、一例としてＣ４バンプである。

インターポーザ２３０は、シリコン、ガラス、樹脂等の半導体基板２３１の内部に回路等を形成したものであり、Ｚ軸負方向側の面に配設される端子２３２と、Ｚ軸正方向側の面に配設される端子２３３とを有する。半導体基板２３１の内部の回路等は、端子２３２及び２３３に接続されている。

バンプ２４０は、Ｃｕピラーバンプであり、インターポーザ２３０の端子２３３と、ＩＣチップ２５０のＺ軸負方向側の面に設けられる端子２５１とを接続する。

ＩＣチップ２５０は、Ｚ軸負方向側の面に設けられる端子２５１を有する。端子２５１は、ＩＣチップ２５０の内部に設けられる集積回路に接続されている。ＩＣチップ２５０は、半導体素子の一例である。また、ここでは、半導体素子の一例としてのＩＣチップ２５０が電子装置２００に含まれるものとして説明するが、例えば、複数のＩＣチップ２５０を含む半導体装置のように、半導体素子よりも大規模なものが電子装置２００に含まれていてもよい。

このような電子装置２００において、配線基板１００は、例えば、インターポーザ２３０を基板１１０として用い、端子２３３に接続される配線を配線層１５０として用いたものとして捉えることができる。この場合に、密着層１２０、シード層１３０、合金層１４０、及び配線層１５０は、基板１１０として用いられる半導体基板２３１のＺ軸正方向側の面に設けられ、端子２３３は、配線層１５０の端部に設けられる。

配線基板１００は、一例として、インターポーザ２３０とＩＣチップ２５０との間の微細化が必要な部分に用いることができる。

近年では半導体装置に様々な機能が求められ、複数の半導体素子（ＩＣチップ２５０）を1つの半導体装置に搭載する傾向にある。このため、1つの回路基板２１０に複数の半導体素子（ＩＣチップ２５０）を微細な配線層（配線層１５０等）を介して、半導体素子（ＩＣチップ２５０）同士を近接接合及び高密度実装する技術が開発されている。

半導体素子（ＩＣチップ２５０）と回路基板２１０との間に、微細配線を持つインターポーザ２３０を介して接合することで半導体素子（ＩＣチップ２５０）同士を高密度実装することが行われている。インターポーザ２３０に微細配線層を形成し、複数の半導体素子（ＩＣチップ２５０）と接合することで高密度に実装でき半導体装置の高機能化が実現できる。

本実施の形態の配線基板１００は、上述のように、シード層１３０として、Ｎｂ等のＣｕ以外の金属又は合金であって（１つ目の条件）、シード層として利用可能な金属であり、Ｃｕとは選択的にエッチング処理による除去が可能な金属であって、かつ、拡散金属層１４０Ａの金属よりもイオン化傾向が小さい金属を用いている。

また、拡散金属層１４０Ａとしては、配線層１５０の金属（配線用金属）よりも大きなイオン化傾向を有する金属を用いている。

このため、製造段階における加熱処理において、シード層１３０は殆ど合金化されずに殆どそのまま残り、拡散金属層１４０Ａの金属と、配線層１５０の金属との合金による合金層１４０がシード層１３０と配線層１５０との間に作製される。

従って、加熱処理を行った後に、配線層１５０と合金層１４０との間にボイドが発生することを抑制することができ、配線層１５０によって伝送される電気信号の劣化を抑制して、正しい内容の電気信号を伝送することができる。

以上より、実施の形態によれば、信頼性の高い配線基板１００、電子装置２００、及び、配線基板１００の製造方法を提供することができる。配線基板１００は、Ｌ＆Ｓ＝１μｍ／１μｍの微細配線でもサイドエッチングが発生せず配線強度を保つことができる。

なお、以上では、シード層１３０がＮｂ層であり、拡散金属層１４０ＡがＡｕ層であり、配線層１５０がＣｕ製であり、合金層１４０がＡｕ−Ｃｕ層である形態について説明した。しかしながら、シード層１３０、合金層１４０、拡散金属層１４０Ａ、配線層１５０としては、上述したように、これら以外の金属を用いることができる。

その際に、次のようなイオン化傾向の関係を有していればよい。拡散金属層１４０Ａの金属（第２金属）は、配線層１５０の金属（配線用金属）よりも大きなイオン化傾向を有していればよい。また、シード層１３０の金属（第１金属）は、拡散金属層１４０Ａの金属（第２金属）よりもイオン化傾向が小さい金属であればよい。

また、以上では、基板１１０の上面に密着層１２０を直接形成する形態について説明したが、基板１１０の上面に絶縁層を形成し、絶縁層の上に密着層１２０を形成してもよい。この場合にも、基板１１０に重ねて密着層１２０が配設されることになる。

また、配線層１５０にメタルキャップ層を設けてもよい。図１４は、実施の形態の変形例による配線基板１００Ｍの断面構造を示す図である。図１５は、配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。

図１４に示す配線基板１００Ｍのように、配線層１５０の両側面及び上面を覆うメタルキャップ層１７０を設けてもよい。メタルキャップ層１７０は、Ｎｉ、Ｃｏ（コバルト）、又はＳｎ（錫）等の金属、又は、Ｎｉ−Ｐのような合金で作製され、配線層１５０を保護するために設けられる。

このようなメタルキャップ層１７０は、図１５に示すように、密着層１２０を作製した（図１１に示す製造工程の）後に、配線層１５０を覆うように、電解めっき処理でＮｉ−Ｐメッキ膜を形成することによって作製することができる。このようなメタルキャップ層１７０をバリアメタル層として取り扱ってもよい。メタルキャップ層１７０の厚さは、例えば、５０ｎｍである。

以上、本発明の例示的な実施の形態の配線基板、電子装置、及び、配線基板の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、
前記基板に重ねて配設される密着層と、
前記密着層に重ねて配置され、シード層として形成可能な第１金属製の第１シード層と、
前記第１シード層に重ねて配置され、配線用金属と、前記配線用金属よりも大きなイオン化傾向を有する第２金属との合金製の第２シード層と、
前記第２シード層に重ねて配置される、前記配線用金属製の配線層と
を含み、
前記第１金属は、前記第２金属よりもイオン化傾向が小さい金属である、配線基板。
（付記２）
前記第１金属は、前記配線用金属と選択的にエッチング可能な金属である、付記１記載の配線基板。
（付記３）
前記第１金属は、ニッケル、ニオブ、アルミニウム、タングステン、ニッケルとクロムの合金、又は、窒化ニオブである、付記１又は２記載の配線基板。
（付記４）
前記第２金属は金であり、前記合金は前記配線用金属と金の合金である、又は、前記第２金属はプラチナであり、前記合金は前記配線用金属とプラチナの合金である、付記１乃至３のいずれか一項記載の配線基板。
（付記５）
前記基板の上で、前記密着層、前記第１シード層、前記第２シード層、及び前記配線層を覆う保護層をさらに含む、付記１乃至４のいずれか一項記載の配線基板。
（付記６）
前記配線層の側面及び上面を覆うメタルキャップ層をさらに含む、付記１乃至５のいずれか一項記載の配線基板。
（付記７）
配線基板と、
前記配線基板に接続される半導体素子と、
前記配線基板と前記半導体素子とを電気的に接続するバンプと
を含む電子装置であって、
前記配線基板は、
絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、
前記基板に重ねて配設される密着層と、
前記密着層に重ねて配置され、シード層として形成可能な第１金属製の第１シード層と、
前記第１シード層に重ねて配置され、配線用金属と、前記配線用金属よりも大きなイオン化傾向を有する第２金属との合金製の第２シード層と、
前記第２シード層に重ねて配置される、前記配線用金属製の配線層と
を有し、
前記第１金属は、前記第２金属よりもイオン化傾向が小さい金属である、電子装置。
（付記８）
絶縁材料製又は半導体材料製の基板に重ねて密着層を形成する工程と、
シード層として形成可能な第１金属製の第１シード層を前記密着層に重ねて形成する工程と、
配線用金属よりも大きなイオン化傾向を有する第２金属製の拡散層を前記第１シード層に重ねて形成する工程と、
前記拡散層に重ねて前記配線用金属製の配線層を形成する工程と、
加熱処理を行うことにより、前記拡散層のうちの前記配線層の下の部分に、前記配線用金属と前記第２金属との合金製の第２シード層を形成する工程と、
前記配線層の下に位置していない、前記拡散層、前記第１シード層、前記密着層を除去する工程と
を含み、
前記第１金属は、前記第２金属よりもイオン化傾向が小さい金属である、配線基板の製造方法。

１００、１００Ｍ 配線基板
１１０ 基板
１１１ 表面
１２０、１２０Ａ 密着層
１３０、１３０Ａ シード層
１４０ 合金層
１４０Ａ 拡散金属層
１５０ 配線層
１６０ 樹脂層
１７０ メタルキャップ層
２００ 電子装置
２１０ 回路基板
２２０ バンプ
２３０ インターポーザ
２４０ バンプ
２５０ ＩＣチップ

Claims (6)

1. 絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、
   前記基板に重ねて配設される密着層と、
   前記密着層に重ねて配置され、シード層として形成可能な第１金属製の第１シード層と、
   前記第１シード層に重ねて配置され、配線用金属と、前記配線用金属よりも大きなイオン化傾向を有する第２金属との合金製の第２シード層と、
   前記第２シード層に重ねて配置される、前記配線用金属製の配線層と
   を含み、
   前記第１金属は、前記第２金属よりもイオン化傾向が小さい金属である、配線基板。
2. 前記第１金属は、前記配線用金属と選択的にエッチング可能な金属である、請求項１記載の配線基板。
3. 前記第１金属は、ニッケル、ニオブ、アルミニウム、タングステン、ニッケルとクロムの合金、又は、窒化ニオブである、請求項１又は２記載の配線基板。
4. 前記第２金属は金であり、前記合金は前記配線用金属と金の合金である、又は、前記第２金属はプラチナであり、前記合金は前記配線用金属とプラチナの合金である、請求項１乃至３のいずれか一項記載の配線基板。
5. 配線基板と、
   前記配線基板に接続されるチップ部品と、
   前記配線基板と前記チップ部品とを電気的に接続するバンプと
   を含む電子装置であって、
   前記配線基板は、
   絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、
   前記基板に重ねて配設される密着層と、
   前記密着層に重ねて配置され、シード層として形成可能な第１金属製の第１シード層と、
   前記第１シード層に重ねて配置され、配線用金属と、前記配線用金属よりも大きなイオン化傾向を有する第２金属との合金製の第２シード層と、
   前記第２シード層に重ねて配置される、前記配線用金属製の配線層と
   を有し、
   前記第１金属は、前記第２金属よりもイオン化傾向が小さい金属である、電子装置。
6. 絶縁材料製又は半導体材料製の基板に重ねて密着層を形成する工程と、
   シード層として形成可能な第１金属製の第１シード層を前記密着層に重ねて形成する工程と、
   配線用金属よりも大きなイオン化傾向を有する第２金属製の拡散層を前記第１シード層に重ねて形成する工程と、
   前記拡散層に重ねて前記配線用金属製の配線層を形成する工程と、
   加熱処理を行うことにより、前記拡散層のうちの前記配線層の下の部分に、前記配線用金属と前記第２金属との合金製の第２シード層を形成する工程と、
   前記配線層の下に位置していない、前記拡散層、前記第１シード層、前記密着層を除去する工程と
   を含み、
   前記第１金属は、前記第２金属よりもイオン化傾向が小さい金属である、配線基板の製造方法。

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