JP2019041086A - 半導体パッケージおよび半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
バイス等の半導体素子を収納する半導体パッケージおよび半導体装置は、半導体素子の容量が大きくなり、大きな熱が発生するため高放熱化が要求されている(特許文献1を参照)。
図1は、本発明の一実施形態導体に係る半導体装置を示す斜視図である。図2は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージを示す斜視図である。図3は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージを示す上面図である。図4は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージを示す下面図である。図5は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージを示す側面図である。図6は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージを示す分解斜視図である。図7は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージのうち実装基板を示す斜視図である。図8は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージのうち実装基板を示す上面図である。図9は、図8に示したAの拡大図である。図10は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージのうち実装基板を示す下面図である。図11は、図10に示したBの拡大図である。図12は、図10に示したCの拡大図である。これらの図において、本発明の実施形態に係る半導体装置10は、本発明の実施形態に係る半導体パッケージ1と、半導体素子7とを備えている。また、本発明の実施形態に係る半導体パッケージ1は、基板2と、枠体3と、実装基板4と、第1メタライズ層5と、第2メタライズ層6とを備えている。
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ1の製造方法について説明する。
される実装領域を囲繞するようにAgロウなどのロウ材を介して接合する。次いで、基板2、枠体3の導体などの露出した金属表面部分に酸化防止のためのニッケルメッキを施すことにより半導体パッケージ1が得られる。
図1は、本発明の一実施形態導体に係る半導体装置を示す斜視図である。図1において、半導体装置10は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ1に加えて、半導体素子7を備えている。
2 基板
3 枠体
4 実装基板
5 第1メタライズ層
6 第2メタライズ層
7 半導体素子
10 半導体装置
Claims (5)
- 上面に半導体素子が実装される実装基板と、
前記実装基板の上面に位置した第1メタライズ層と、
前記実装基板の下面に位置した第2メタライズ層と、
上面に前記実装基板が実装される基板と、
前記基板の上面に、前記実装基板を囲んで位置した枠体とを備えており、
平面視において、前記第2メタライズ層は、前記第1メタライズ層よりも前記実装基板の外縁と離れて位置していることを特徴とする半導体パッケージ。 - 平面視において、前記第2メタライズ層は、矩形状であり、
平面視において、前記第2メタライズ層の短辺は、前記第2メタライズ層の長辺よりも前記実装基板の外縁と離れている箇所を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。 - 前記実装基板は、平面視において多形状であり、
平面視において、前記第2メタライズ層は、前記実装基板の角からの距離が、前記実装基板の外縁の中心からの距離よりも遠いことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。 - 平面視において、前記第1メタライズ層の外縁と、前記実装基板の外縁との距離は、一定であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体パッケージ。
- 請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体パッケージと、
前記半導体パッケージの前記実装基板の上面に実装された半導体素子とを備えたことを特徴とする半導体装置。
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