JP2019037102A - Capacitive touch switch module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は静電容量タッチスイッチモジュールに関し、特に静電気保護回路を有する静電容量タッチスイッチモジュールに関する。 The present invention relates to a capacitive touch switch module, and more particularly to a capacitive touch switch module having an electrostatic protection circuit.
家電機器、ＡＶ機器、ＰＣ／ＯＡ機器、産業機械、その他の電子デバイスにおいて、各機器への入力手段の１つとして静電容量方式のタッチスイッチパネルが使用されている。この静電容量方式のタッチスイッチパネルは、複数のセンサー電極を有し、このタッチスイッチパネルにおけるセンサー電極の静電容量の変化量を数値化し、その数値が予め決められた閾値をこえるときに指が接触したと判定するマイコンに接続されている。 In home appliances, AV devices, PC / OA devices, industrial machines, and other electronic devices, a capacitive touch switch panel is used as one of the input means to each device. This capacitive touch switch panel has a plurality of sensor electrodes. The amount of change in the capacitance of the sensor electrode in the touch switch panel is digitized, and is indicated when the numeric value exceeds a predetermined threshold. Is connected to the microcomputer that determines that the contact.
静電容量方式のタッチスイッチパネルに指が接触するとき、静電気が放電される場合があり、マイコンが破壊に至ることがある。そのため、通常タッチスイッチパネルとマイコンとの間に、静電気放電（以下、ＥＳＤという）保護回路が用いられている。そのようなＥＳＤ保護回路を有する静電容量方式のタッチスイッチモジュールの一例を図５に示す。図５はタッチスイッチモジュールのブロック図である。タッチスイッチモジュール１ａは、タッチスイッチパネル２と制御用マイコン３との間にＥＳＤ保護回路４を有し、この保護回路４は、マイコン側から順に直流抵抗５とダイオード保護回路６とが接続されている。 When a finger touches the capacitive touch switch panel, static electricity may be discharged, and the microcomputer may be destroyed. Therefore, an electrostatic discharge (hereinafter referred to as ESD) protection circuit is usually used between the touch switch panel and the microcomputer. An example of a capacitive touch switch module having such an ESD protection circuit is shown in FIG. FIG. 5 is a block diagram of the touch switch module. The touch switch module 1a includes an ESD protection circuit 4 between the touch switch panel 2 and the control microcomputer 3. The protection circuit 4 includes a DC resistor 5 and a diode protection circuit 6 connected in order from the microcomputer side. Yes.
従来、半導体集積装置の静電気保護回路に関して、第１のダイオードと第２のダイオードを近接配置することによって形成されるサブストレートとウェルの接合部で対向する、サブストレートに電位を与えるための不純物拡散層と、ウェルに電位を与えるための不純物拡散層との間隔を、他のサブストレートとウェルの接合部で対向するサブストレートに電位を与えるための不純物拡散層と、ウェルに電位を与えるための不純物拡散層との間隔よりも広くし、静電気の電流経路の抵抗値を高くする静電気保護回路が知られている（特許文献１）。 2. Description of the Related Art Conventionally, with respect to an electrostatic protection circuit of a semiconductor integrated device, impurity diffusion for applying a potential to a substrate, which is opposed at a junction between a substrate and a well formed by arranging a first diode and a second diode close to each other The distance between the layer and the impurity diffusion layer for applying a potential to the well, the impurity diffusion layer for applying a potential to the substrate facing the other substrate and the junction at the well, and the potential for applying the potential to the well There is known an electrostatic protection circuit that is wider than the distance to the impurity diffusion layer and increases the resistance value of the current path of static electricity (Patent Document 1).
しかしながら、静電容量タッチスイッチモジュールに対しては、静電気の電流経路の抵抗値のみを高くする静電気保護回路では不十分であるという問題がある。例えば、静電容量方式のタッチスイッチパネルモジュールの保護回路において、直流抵抗値を上げることで保護が可能となるが、抵抗直を上げることによりタッチスィッチの検出感度が悪くなるという弊害があり、抵抗直を上げるには限度がある。また、図５に示すように、ダイオード保護回路を追加実装すると、ＥＳＤに対しては強くなりマイコンが破壊されることは少ないが、別のイミュニティ試駿にて動作不良が生じるという問題がある。 However, the electrostatic capacity touch switch module has a problem that an electrostatic protection circuit that increases only the resistance value of the electrostatic current path is insufficient. For example, in a protection circuit for a capacitive touch switch panel module, protection can be achieved by increasing the DC resistance value, but there is a detrimental effect that the detection sensitivity of the touch switch deteriorates by increasing the resistance resistance. There is a limit to raising straightness. Further, as shown in FIG. 5, when a diode protection circuit is additionally mounted, it is strong against ESD and the microcomputer is rarely destroyed, but there is a problem that operation failure occurs in another immunity test.
本発明はこのような問題に対処するためになされたものであり、ＥＳＤ保護も可能で、他のイミュニティ試験でも勒作不良を生じないＥＳＤ回路を有する静電容量タッチスイッチモジュールの提供を目的とする。 The present invention has been made to cope with such a problem, and it is an object of the present invention to provide a capacitive touch switch module having an ESD circuit that can be protected against ESD and does not cause defects in other immunity tests. To do.
本発明の静電容量タッチスイッチモジュールは、静電容量タッチスイッチパネルと、この静電容量タッチスイッチパネルからの信号を制御する制御用マイコンと、上記静電容量タッチスイッチパネルと上記制御用マイコンとの間にＥＳＤ保護回路が配置されており、上記ＥＳＤ保護回路は、抵抗素子とノイズ電流遮断素子とが接続され、上記抵抗素子が上記静電容量タッチスイッチパネル側に、上記ノイズ電流遮断素子が上記制御用マイコン側にそれぞれ接続されていることを特徴とする。 The capacitance touch switch module of the present invention includes a capacitance touch switch panel, a control microcomputer that controls a signal from the capacitance touch switch panel, the capacitance touch switch panel, and the control microcomputer. The ESD protection circuit is arranged between the resistor element and the noise current interrupting element, the resistor element is connected to the capacitive touch switch panel side, and the noise current interrupting element is It is connected to the control microcomputer side, respectively.
本発明の静電容量タッチスイッチモジュールにおいて、上記抵抗素子が直流抵抗であるか、またはフェライトビーズであることを特徴とする。
また、上記制御用マイコンと上記ＥＳＤ保護回路とのインピーダンスが略同一であることを特徴とする。さらに、上記ノイズ電流遮断素子がダイオード保護回路であることを特徴とする。
In the capacitive touch switch module of the present invention, the resistance element is a direct current resistance or a ferrite bead.
Further, the control microcomputer and the ESD protection circuit have substantially the same impedance. Further, the noise current interrupting element is a diode protection circuit.
本発明の静電容量タッチスイッチモジュールは、抵抗素子が静電容量タッチスイッチパネル側に、ノイズ電流遮断素子が制御用マイコン側にそれぞれ接続されているので、以下の効果がある。
（１）耐ＥＳＤ特性を損なうことなく他のイミュニティに対しても効果を発揮することができる。
（２）制御用マイコン側の端子とダイオード保護回路とのインピーダンスがほぼ同程度となり、制御用マイコンに流れる電流（すなわちスイッチのＯＮ／ＯＦＦを検出・制御する微小電流）がノイズ電流により妨害されないことから、ノイズを受けても動作不良を起こさない要図となる。
（３）部品の破壊やマイコン内部のプログラム破壊などの異常防止も可能となり、市揚や工程での不良率を減らすことができる。
（４）制御用マイコンとＥＳＤ保護回路とのインピーダンスが略同一であることにより、イミュニティ特性を向上できる。ＥＳＤ保護回路よりも制御用マイコン端子のインピ一ダンスが高いと、マイコン側に流れる電流が影響を受け、動作不良が生じる場合がある。
The capacitive touch switch module of the present invention has the following effects because the resistance element is connected to the capacitive touch switch panel side and the noise current interrupting element is connected to the control microcomputer side.
(1) The effect can be exerted on other immunity without impairing the ESD resistance.
(2) The impedance of the terminal on the control microcomputer side and the diode protection circuit are approximately the same, and the current flowing through the control microcomputer (that is, the minute current that detects and controls the ON / OFF of the switch) is not disturbed by the noise current. Therefore, it becomes a necessary diagram that does not cause malfunction even if it receives noise.
(3) It becomes possible to prevent abnormalities such as destruction of parts and destruction of programs inside the microcomputer, and it is possible to reduce the defective rate in the market and processes.
(4) Since the impedances of the control microcomputer and the ESD protection circuit are substantially the same, the immunity characteristics can be improved. If the impedance of the control microcomputer terminal is higher than that of the ESD protection circuit, the current flowing through the microcomputer side may be affected, resulting in malfunction.
実施例として、本発明の静電容量タッチスイッチモジュールのブロック図を図１に示す。
静電容量タッチスイッチモジュール１は、静電容量タッチスイッチパネル２と、この静電容量タッチスイッチパネルからの信号を制御する制御用マイコン３と、静電容量タッチスイッチパネル２と制御用マイコン３との間にＥＳＤ保護回路４が配置されている。このＥＳＤ保護回路４は、静電容量タッチスイッチパネル２側から制御用マイコン３側に向かって直列抵抗５ａなどの抵抗素子５およびダイオード回路６ａからなるノイズ電流遮断素子６が順に接続されている。このように、タッチスイッチパネル２→直列抵抗５ａ→ダイオード回路６ａ→マイコン３の順で接続することにより、直列抵抗５ａおよびダイオード回路６ａによる２重のＥＳＤ保護が図れる。また、イミュニティ試験においても動作不良を起こすことがない。本発明におけるイミュニティ試験とは、静電容量タッチスイッチモジュールのＥＳＤ等の電気的ストレスに対する耐性を評価するために、該モジュールが受けることが想定されるＥＳＤ等の電気的ストレスをシミュレートする状態に静電容量タッチスイッチモジュールを曝し、その挙動を観察する試験をいう。さらに本発明の静電容量タッチスイッチモジュールは、許容電流が大きい、または耐パルス特性が大きい直列抵抗５ａを使用することでダイオード回路６ａおよびマイコン３を十分に保護することができる。
As an embodiment, a block diagram of a capacitive touch switch module of the present invention is shown in FIG.
The capacitance touch switch module 1 includes a capacitance touch switch panel 2, a control microcomputer 3 that controls a signal from the capacitance touch switch panel, a capacitance touch switch panel 2, and a control microcomputer 3. The ESD protection circuit 4 is disposed between the two. In the ESD protection circuit 4, a resistance element 5 such as a series resistor 5a and a noise current interrupting element 6 including a diode circuit 6a are sequentially connected from the capacitive touch switch panel 2 side to the control microcomputer 3 side. In this way, by connecting in the order of the touch switch panel 2 → the series resistor 5a → the diode circuit 6a → the microcomputer 3, double ESD protection by the series resistor 5a and the diode circuit 6a can be achieved. Also, no malfunction occurs in the immunity test. The immunity test in the present invention refers to a state in which the electrical stress such as ESD assumed to be received by the module is simulated in order to evaluate the resistance of the capacitive touch switch module to the electrical stress such as ESD. A test that exposes the capacitive touch switch module and observes its behavior. Furthermore, the capacitance touch switch module of the present invention can sufficiently protect the diode circuit 6a and the microcomputer 3 by using the series resistor 5a having a large allowable current or a high pulse resistance.
具体的に直列抵抗５ａとして１ｋΩの抵抗を用いた場合のＥＳＤによるサージ電流の流れについて図２に示す。制御用マイコン３端子のインピーダンスＺcpuは約１０Ωである。
ノイズが静電容量タッチスイッチパネル２に印加されると、タッチスイッチパネル２の電極にノイズ電圧が誘導される。この誘導電圧により誘導電流Ｉnoiseが流れるが、マイコン端子のインピーダンスＺcpuとダイオード回路のインピーダンスＺDとを同程度に設定することで、マイコンに流れる電流ＩcpuとＩnoiseが略同一となり、Ｉnoiseの影響度が小さくなる。このように、タッチスイッチパネル２とダイオード回路６ａの間に直列抵抗５ａを接続し、この抵抗に許容電力が大きい抵抗を使用することでノイズがより抑制される。その結果、ダイオード回路６ａに流れるノイズ電流が抑制され、ダイオード回路６ａが破壊されないので、マイコンが保護される。
Specifically, FIG. 2 shows a surge current flow caused by ESD when a 1 kΩ resistor is used as the series resistor 5a. The impedance Z cpu of the control microcomputer 3 terminal is about 10Ω.
When noise is applied to the capacitive touch switch panel 2, a noise voltage is induced on the electrodes of the touch switch panel 2. This induced voltage causes an induced current I noise to flow. By setting the impedance Z cpu of the microcomputer terminal and the impedance Z D of the diode circuit to the same level, the currents I cpu and I noise flowing through the microcomputer become substantially the same. The influence of noise is reduced. Thus, noise is further suppressed by connecting the series resistor 5a between the touch switch panel 2 and the diode circuit 6a and using a resistor having a large allowable power for this resistor. As a result, the noise current flowing through the diode circuit 6a is suppressed, and the diode circuit 6a is not destroyed, so that the microcomputer is protected.
ダイオード回路の等価回路を図３に示す。入力側７から正側のサージが入った場合、ダイオードＤ１からツェナーダイオードＤ２を通って接地ラインに正側のサージ電流が流れることでマイコンが保護される。 An equivalent circuit of the diode circuit is shown in FIG. When a positive surge enters from the input side 7, the microcomputer is protected by a positive surge current flowing from the diode D1 through the Zener diode D2 to the ground line.
上述したように、マイコン端子のインピーダンスＺcpuとダイオード回路のインピーダンスＺDを同程度とすることにより、Ｉnoiseの影響度が小さくできる。すなわち、Ｚcpuとノイズ電流遮断素子６のインピーダンスを同程度とすることができれば、ダイオード回路６ａの代わりに、バリスタ、ＴＶＳ等を使用できる。また、ノイズ電流Ｉnoiseを遮断できる素子であれば直列抵抗５ａの代わりにフェライトビーズを使用できる。さらに、マイコン端子側に約１００ｋΩ程度の直列抵抗を入れることにより耐ノイズ特性をより向上できる。 As described above, by setting the impedance Z cpu of the microcomputer terminal and the impedance Z D of the diode circuit to the same level, the influence of I noise can be reduced. That is, if the impedances of Z cpu and noise current cut-off element 6 can be made comparable, a varistor, TVS or the like can be used instead of the diode circuit 6a. In addition, a ferrite bead can be used instead of the series resistor 5a as long as the element can block the noise current I noise . Furthermore, noise resistance can be further improved by inserting a series resistance of about 100 kΩ on the microcomputer terminal side.
図４は図１に示す静電容量タッチスイッチモジュール１におけるイミュニティ特性を測定した結果を示す図である。縦軸のカウント（ｃｏｕｎｔ）数はＩcpuを数値化したものであり、またｒｅｆｅｒｅｎｃｅ数は比較値となっており、ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ数よりもｃｏｕｎｔ数があるレベルまで低くなっているときにタッチスイッチはＯＮと認識する。静電容量タッチスイッチモジュール１は、スイッチ１およびスイッチ２の押下のときに反応しており動作不良は認められなかった。 FIG. 4 is a diagram showing a result of measuring immunity characteristics in the capacitive touch switch module 1 shown in FIG. The number of counts on the vertical axis is a numerical value of I cpu , and the reference number is a comparison value. When the count number is lower than the reference number to a certain level, the touch switch is ON. Recognize. The capacitive touch switch module 1 responded when the switch 1 and the switch 2 were pressed, and no malfunction was observed.
比較例１として、タッチスイッチパネル２→ダイオード回路６ａ→直列抵抗５ａ→マイコン３の順で接続する場合の静電容量タッチスイッチモジュール１ａのブロック図を図５に示す。なお、直列抵抗５ａ、ダイオード回路６ａ、タッチスイッチパネル２およびマイコン３は、図１に示す各部品と同じものを使用した。また、図６は、図５におけるＥＳＤによるサージ電流の流れを示す図である。
図６において、ノイズが静電容量タッチスイッチパネル２に印加されると、タッチスイッチパネル２の電極にノイズ電圧が誘導される。この誘導電圧がダイオード回路６ａの保護電圧をこえた場合、タッチスイッチパネル２の電極とダイオード回路６ａとの間でノイズ電流Ｉnoiseが流れる。この電流はマイコンに流れる電流Ｉcpuに影響する。マイコン３を保護するため、直列抵抗５ａの抵抗値をダイオード回路６ａよりも大きくせざるを得ない。その結果、Ｉnoiseの影響度が大きくなり、Ｉcpuに影響を及ぼし、正常に静電容量を検出できない。正常に静電容量を検出できないとタッチスイッチパネル２のＯＮ／ＯＦＦ判定に誤りが生じる。また、スイッチ動作が誤動作を起こすことで、他のシステムにも悪影響を及ぼす。
As a comparative example 1, FIG. 5 shows a block diagram of a capacitance touch switch module 1a when the touch switch panel 2 → the diode circuit 6a → the series resistor 5a → the microcomputer 3 are connected in this order. The series resistor 5a, the diode circuit 6a, the touch switch panel 2, and the microcomputer 3 are the same as the components shown in FIG. FIG. 6 is a diagram showing the flow of surge current due to ESD in FIG.
In FIG. 6, when noise is applied to the capacitive touch switch panel 2, a noise voltage is induced on the electrode of the touch switch panel 2. When this induced voltage exceeds the protection voltage of the diode circuit 6a, a noise current I noise flows between the electrode of the touch switch panel 2 and the diode circuit 6a. This current affects the current I cpu flowing through the microcomputer. In order to protect the microcomputer 3, the resistance value of the series resistor 5a must be larger than that of the diode circuit 6a. As a result, the influence of I noise increases, affects I cpu , and the capacitance cannot be detected normally. If the electrostatic capacity cannot be detected normally, an error occurs in the ON / OFF determination of the touch switch panel 2. In addition, the malfunction of the switch operation adversely affects other systems.
静電容量タッチスイッチパネル２は等価的にはコンデンサであり、マイコン３はポート（Ｒｘ、Ｔｘ）にてタッチスイッチの静電容量を、充放電電流（Ｉcpu）を静電容量に変換して、検出している。ダイオード回路６ａを実装していても、ノイズがダイオード回路６ａの保護電圧（約５Ｖ）以下では動作不良は発生しない。
しかし、過大なノイズが印加されると、ダイオード回路６ａを破壊する場合がある。ダイオード回路６ａが破壊されると直列抵抗５ａでは保護しきれなくなり、マイコン３自体の破壊が生じる場合がある。
The capacitance touch switch panel 2 is equivalently a capacitor, and the microcomputer 3 converts the capacitance of the touch switch at the ports (Rx, Tx) and the charge / discharge current (I cpu ) into the capacitance. , Have detected. Even when the diode circuit 6a is mounted, no malfunction occurs when the noise is equal to or lower than the protection voltage (about 5 V) of the diode circuit 6a.
However, if excessive noise is applied, the diode circuit 6a may be destroyed. When the diode circuit 6a is destroyed, the series resistor 5a cannot be fully protected, and the microcomputer 3 itself may be destroyed.
図７は図５に示す静電容量タッチスイッチモジュール１ａにおけるイミュニティ特性を測定した結果を示す図であり、図４に対応するものである。縦軸のカウント（ｃｏｕｎｔ）数はＩcpuを数値化したものであり、またｒｅｆｅｒｅｎｃｅ数は比較値となっており、ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ数よりもｃｏｕｎｔ数があるレベルまで低くなっているときにタッチスイッチはＯＮと認識する。静電容量タッチスイッチモジュール１ａは、ノイズが印加された結果、ｎ１〜ｎ４で示されるＩcpuの検出異常が認められると、マイコン３が制御不能となりｒｅｆｅｒｅｎｃｅ数が異常値を示す。その結果、スイッチを押下しなくてもＯＮ判定されており、動作不良が認められた。 FIG. 7 is a diagram showing the results of measuring the immunity characteristics in the capacitive touch switch module 1a shown in FIG. 5, and corresponds to FIG. The number of counts on the vertical axis is a numerical value of I cpu , and the reference number is a comparison value. When the count number is lower than the reference number to a certain level, the touch switch is ON. Recognize. In the capacitive touch switch module 1a, if an abnormal detection of I cpu indicated by n1 to n4 is recognized as a result of applying noise, the microcomputer 3 becomes uncontrollable and the reference number shows an abnormal value. As a result, it was judged ON even without pressing the switch, and malfunction was recognized.
比較例２として、タッチスイッチパネル２→ダイオード回路６ａ→マイコン３の順で接続する場合の静電容量タッチスイッチモジュール１ｂを図８に示す。図８（ａ）はブロック図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）におけるＥＳＤによるサージ電流の流れを示す図である。マイコン端子とダイオード回路のインピーダンスは同程度に設定した。タッチスイッチパネル２は、図１に示すものと同じものを使用した。
図８（ｂ）において、ノイズが静電容量タッチスイッチパネル２に印加されると、タッチスイッチパネル２の電極にノイズ電圧が誘導される。この誘導電圧がダイオード回路６ａの保護電圧をこえた場合、タッチスイッチパネル２の電極とダイオード回路６ａとの間でノイズ電流Ｉnoiseが流れる。この電流が過大となるとダイオード回路６ａを破壊し、さらにはマイコン３自体を破壊する可能性がある。
As Comparative Example 2, FIG. 8 shows a capacitance touch switch module 1b in the case of connecting in the order of the touch switch panel 2 → the diode circuit 6a → the microcomputer 3. FIG. 8A is a block diagram, and FIG. 8B is a diagram showing a surge current flow due to ESD in FIG. 8A. The impedance of the microcomputer terminal and the diode circuit were set to the same level. The touch switch panel 2 was the same as that shown in FIG.
In FIG. 8B, when noise is applied to the capacitive touch switch panel 2, a noise voltage is induced on the electrode of the touch switch panel 2. When this induced voltage exceeds the protection voltage of the diode circuit 6a, a noise current I noise flows between the electrode of the touch switch panel 2 and the diode circuit 6a. If this current becomes excessive, the diode circuit 6a may be destroyed, and further the microcomputer 3 itself may be destroyed.
比較例３として、タッチスイッチパネル２→直列抵抗５ａ→マイコン３の順で接続する場合の静電容量タッチスイッチモジュール１ｃを図９に示す。図９（ａ）はブロック図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）におけるＥＳＤによるサージ電流の流れを示す図である。マイコン内部の保護回路とマイコン端子のインピーダンスは同程度に設定した。タッチスイッチパネル２は、図１に示すものと同じものを使用した。なお、図９（ｂ）は、マイコン３自体の内部に保護用のダイオード回路が設けられている場合を示した。
図９（ｂ）において、ノイズが静電容量タッチスイッチパネル２に印加されると、タッチスイッチパネル２の電極にノイズ電圧が誘導される。このノイズ電圧によるノイズ電流Ｉnoiseは、直列抵抗５ａでは保護しきれずマイコン３自体の破壊に至る。
As Comparative Example 3, FIG. 9 shows a capacitance touch switch module 1c in the case of connecting in the order of the touch switch panel 2 → the series resistor 5a → the microcomputer 3. FIG. 9A is a block diagram, and FIG. 9B is a diagram showing a surge current flow due to ESD in FIG. 9A. The impedance of the protection circuit inside the microcomputer and the microcomputer terminal were set to the same level. The touch switch panel 2 was the same as that shown in FIG. FIG. 9B shows a case where a protective diode circuit is provided inside the microcomputer 3 itself.
In FIG. 9B, when noise is applied to the capacitive touch switch panel 2, a noise voltage is induced on the electrode of the touch switch panel 2. The noise current I noise due to the noise voltage cannot be protected by the series resistor 5a, leading to destruction of the microcomputer 3 itself.
以上の実施例および各比較例の結果を表１にまとめる。
本発明の静電容量タッチスイッチモジュールは、耐ＥＳＤ特性を損なうことなくイミュニティ評価に対しても効果を発揮することができるので、静電容量タッチスイッチモジュール全般に利用できる。 Since the capacitive touch switch module of the present invention can exert an effect on the immunity evaluation without impairing the ESD resistance, it can be used for the entire capacitive touch switch module.
１ 静電容量タッチスイッチモジュール
２ 静電容量タッチスイッチパネル
３ 制御用マイコン
４ ＥＳＤ保護回路
５ 抵抗素子
６ ノイズ電流遮断素子
７ 入力側
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Capacitance touch switch module 2 Capacitance touch switch panel 3 Control microcomputer 4 ESD protection circuit 5 Resistance element 6 Noise current interruption element 7 Input side
Claims (5)
前記静電気放電保護回路は、抵抗素子とノイズ電流遮断素子とが接続され、前記抵抗素子が静電容量タッチスイッチパネル側に、前記ノイズ電流遮断素子が前記制御用マイコン側にそれぞれ接続されていることを特徴とする静電容量タッチスイッチモジュール。 A capacitance touch switch panel, a control microcomputer for controlling a signal from the capacitance touch switch panel, and an electrostatic discharge protection circuit is disposed between the capacitance touch switch panel and the control microcomputer. A capacitive touch switch module comprising:
In the electrostatic discharge protection circuit, a resistance element and a noise current cutoff element are connected, the resistance element is connected to the capacitive touch switch panel side, and the noise current cutoff element is connected to the control microcomputer side. Capacitive touch switch module characterized by.
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| CN112822828B (en) * | 2020-12-31 | 2024-03-15 | 成都旭光科技股份有限公司 | Circuit for improving electrostatic protection capability of WiFi module |
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