JP2019035590A - Electronic device manufacturing method, electronic device, electronic apparatus, and moving object - Google Patents

Abstract

To provide a method for manufacturing a highly reliable electronic device with excellent mass productivity.SOLUTION: A method for manufacturing an electronic device 1 includes the steps of: arranging a mask M2 on a first surface 40a of a substrate 4; forming a recess 41 in the substrate 4 by subjecting a portion of the substrate 4 exposed from an opening of the mask M2 to a first etching; removing the mask M2; forming a plurality of step portions 49 by a plurality of times of etching of a side wall 42 of the recess 41; and forming a conductive portion (wiring lines 741 and 751) from a first surface 40a to an inner bottom surface 41a of the recess 41 through the plurality of step portions 49. A crossing angle θ at which a line L connecting the mutually separated ends of a first stepped portion 49a and a second stepped portion 49b adjacent to each other out of the plurality of stepped portions 49 crosses the first surface 40a or the inner bottom surface 41a, satisfies 10 deg<θ<20 deg.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器、および移動体に関する。   The present invention relates to an electronic device manufacturing method, an electronic device, an electronic apparatus, and a moving body.

従来、加速度や角速度等の物理量を検出する物理量センサーとして、固定電極と、固定電極に対して間隙をもって並んで設けられるとともに一定方向に変位可能な可動錘に設けられた可動電極と、を有する構造のものが知られている。
この様な物理量センサーは、可動錘の変位に伴い、固定電極と、可動錘に設けられた可動電極と、の間隙が変化し、その間隙の変化によって、固定電極と可動電極との間に生じる静電容量の変化を検出することで、加速度や角速度等の物理量の変化を検出している。 Conventionally, as a physical quantity sensor for detecting a physical quantity such as acceleration or angular velocity, a structure having a fixed electrode and a movable electrode provided side by side with a gap with respect to the fixed electrode and provided on a movable weight that can be displaced in a certain direction Things are known.
In such a physical quantity sensor, the gap between the fixed electrode and the movable electrode provided on the movable weight changes with the displacement of the movable weight, and the gap is generated between the fixed electrode and the movable electrode. By detecting changes in capacitance, changes in physical quantities such as acceleration and angular velocity are detected.

特許文献１では、凹部を有しベース基板となる第２のガラス基板上に、固定電極および可動電極（可動錘）を形成したシリコン基板を積層し、シリコン基板上に、蓋となる第１のガラス基板を積層し、シリコン基板の一方の面と第１のガラス基板とを陽極接合し、更にシリコン基板の他方の面と第２のガラス基板とを陽極接合している。また、固定電極や可動電極に電気的に接続されている導電層（配線）を第１のガラス基板のシリコン基板の側とは反対側の表面に引き出すために、第１のガラス基板において、平面視で、シリコン基板上に設けられている各導電層と重なる領域に、サンドブラスト加工等によってスルーホール（貫通孔）を形成し、シリコン基板上に設けられた各導電層を各スルーホールの奥に向かってそれぞれ露出させ、第１のガラス基板の表面上から各スルーホールの内周面上にかけて導電性薄膜を成膜している。これにより、各導電性薄膜から固定電極および可動電極の電位を検出できるようにしている構造の静電容量式加速度センサー（物理量センサー）が開示されている。   In Patent Document 1, a silicon substrate on which a fixed electrode and a movable electrode (movable weight) are formed is laminated on a second glass substrate that has a recess and serves as a base substrate, and the first substrate that serves as a lid is formed on the silicon substrate. A glass substrate is laminated, one surface of the silicon substrate and the first glass substrate are anodically bonded, and the other surface of the silicon substrate and the second glass substrate are anodically bonded. Further, in order to draw out the conductive layer (wiring) electrically connected to the fixed electrode and the movable electrode to the surface of the first glass substrate opposite to the silicon substrate side, Visually, through holes (through holes) are formed by sandblasting or the like in areas overlapping with the respective conductive layers provided on the silicon substrate, and the respective conductive layers provided on the silicon substrate are provided at the back of each through hole. A conductive thin film is formed from the surface of the first glass substrate to the inner peripheral surface of each through hole. Thus, a capacitance type acceleration sensor (physical quantity sensor) having a structure capable of detecting the potential of the fixed electrode and the movable electrode from each conductive thin film is disclosed.

特開２０１３−２４７６５号公報JP 2013-24765 A

しかしながら、特許文献１に記載の物理量センサーでは、固定電極や可動電極に電気的に接続されている導電層（配線）を第１のガラス基板の表面に引き出す際、サンドブラスト加工等によって形成したスルーホールを用いているため、スルーホールと第１のガラス基板の表面との接続部の角度が急峻となっており、接続部において、導電性薄膜が断線し易いという問題があった。また、第２のガラス基板の凹部の内底面から第２のガラス基板の表面へ導電層（配線）を形成する場合にも、第２のガラス基板の凹部と第２のガラス基板の凹部の側とは反対側の表面との接続部において、同様の問題が生ずる虞があった。   However, in the physical quantity sensor described in Patent Document 1, when a conductive layer (wiring) electrically connected to a fixed electrode or a movable electrode is drawn out to the surface of the first glass substrate, a through hole formed by sandblasting or the like is used. Therefore, the angle of the connecting portion between the through hole and the surface of the first glass substrate is steep, and there is a problem that the conductive thin film is easily disconnected at the connecting portion. Also, when a conductive layer (wiring) is formed from the inner bottom surface of the concave portion of the second glass substrate to the surface of the second glass substrate, the concave portion of the second glass substrate and the concave portion side of the second glass substrate. There is a possibility that the same problem occurs in the connection portion with the surface on the opposite side.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、基体の第１の面にマスクを配置する工程と、前記基体の前記マスクの開口部から露出している部分を第１のエッチングをすることにより、前記基体に凹部を形成する工程と、前記マスクを除去する工程と、前記凹部の側壁に複数のエッチングをすることにより、複数の段差部を形成する工程と、前記複数の段差部を介して、前記第１の面から前記凹部の内底面に亘って、導電部を形成する工程と、を含み、前記複数の段差部のうち隣り合う第１の段差部と第２の段差部の互いに離れている側の端同士を結ぶ線と、前記第１の面又は前記内底面と、が交差する交差角度θは、１０ｄｅｇ＜θ＜２０ｄｅｇを満たしていることを特徴とする。   Application Example 1 An electronic device manufacturing method according to this application example includes a step of placing a mask on a first surface of a substrate, and a first etching of a portion of the substrate exposed from the opening of the mask. Forming a recess in the base, removing the mask, forming a plurality of step portions by performing a plurality of etchings on the sidewalls of the recess, and the plurality of steps. A step of forming a conductive portion from the first surface to the inner bottom surface of the recess through a portion, and the adjacent first step portion and second step among the plurality of step portions. The crossing angle θ at which the line connecting the ends of the portions that are separated from each other and the first surface or the inner bottom surface satisfies 10 deg <θ <20 deg.

本適用例によれば、第１のエッチングで凹部を形成した後に、凹部の側壁に複数のエッチングを施すことで、複数の段差部を形成し、複数の段差部のうち隣り合う第１の段差部と第２の段差部の互いに離れている側の端同士を結ぶ線と、基体の第１の面又は凹部の内底面と、の交差角度θを、１０ｄｅｇ＜θ＜２０ｄｅｇとしている。このことにより、複数の段差部を介して、第１の面から凹部の内底面に亘って、導電部を形成する際に、第１の面と複数の段差部を含む凹部の側壁との接続部の角度を鈍角とすることができるため、基体の第１の面と凹部の側壁との接続部において、導電部の断線や破損を低減することができる。そのため、高い信頼性を有する電子デバイスを製造することができるという効果がある。   According to this application example, after the recess is formed by the first etching, a plurality of steps are formed by performing a plurality of etchings on the sidewalls of the recess, and the first steps adjacent to each other among the plurality of steps. The crossing angle θ between the line connecting the ends of the first step portion and the second stepped portion and the first bottom surface of the base or the inner bottom surface of the recess is 10 deg <θ <20 deg. Thus, when the conductive portion is formed from the first surface to the inner bottom surface of the recess through the plurality of step portions, the connection between the first surface and the sidewall of the recess including the plurality of step portions is achieved. Since the angle of the portion can be made obtuse, disconnection or breakage of the conductive portion can be reduced at the connection portion between the first surface of the base and the side wall of the recess. Therefore, there is an effect that an electronic device having high reliability can be manufactured.

［適用例２］上記適用例に記載の電子デバイスの製造方法において、前記複数のエッチングは、ウェットエッチングであることが好ましい。   Application Example 2 In the electronic device manufacturing method described in the application example, it is preferable that the plurality of etchings are wet etchings.

本適用例によれば、凹部の側壁に複数の段差部をウェットエッチングで形成することにより、基体の第１の面と凹部の側壁との接続部の角度を鈍角な形状に形成することができる。   According to this application example, by forming the plurality of stepped portions on the sidewall of the recess by wet etching, the angle of the connection portion between the first surface of the base and the sidewall of the recess can be formed into an obtuse shape. .

［適用例３］上記適用例に記載の電子デバイスの製造方法において、前記基体は、非晶質であることが好ましい。   Application Example 3 In the electronic device manufacturing method described in the application example, it is preferable that the substrate is amorphous.

本適用例によれば、基体が非晶質であることから、等方性のエッチングが可能となり、基体の第１の面と凹部の側壁との接続部の角度を鈍角な形状に形成することができ、接続部において、導電部の断線や破損を低減することができる。   According to this application example, since the substrate is amorphous, isotropic etching is possible, and the connection portion between the first surface of the substrate and the side wall of the recess is formed in an obtuse shape. Thus, disconnection or breakage of the conductive portion can be reduced in the connection portion.

［適用例４］上記適用例に記載の物電子デバイスの製造方法において、前記導電部を形成する工程は、前記基体に導電層を形成する工程と、前記導電層をエッチングする工程と、を含むことが好ましい。   Application Example 4 In the method of manufacturing a material electronic device according to the application example, the step of forming the conductive portion includes a step of forming a conductive layer on the base and a step of etching the conductive layer. It is preferable.

本適用例によれば、導電層を形成後、導電層をエッチングすることで導電部を形成することにより、導電部をパターニング精度良く形成することができる。   According to this application example, the conductive portion can be formed with high patterning accuracy by forming the conductive portion by etching the conductive layer after forming the conductive layer.

［適用例５］上記適用例に記載の電子デバイスの製造方法において、前記導電部は、ＩＴＯ、アルミニウム、金、白金、およびそれらを積層してなる多層膜の何れかであることが好ましい。   Application Example 5 In the electronic device manufacturing method described in the application example, it is preferable that the conductive portion is any one of ITO, aluminum, gold, platinum, and a multilayer film formed by stacking them.

本適用例によれば、導電部がＩＴＯ、アルミニウム、金、白金、およびそれらを積層してなる多層膜の何れかであることから、エッチングによりパターニング精度良く形成することができる。   According to this application example, since the conductive portion is any one of ITO, aluminum, gold, platinum, and a multilayer film formed by laminating them, it can be formed with high patterning accuracy by etching.

［適用例６］本適用例に係る電子デバイスは、基体と、前記基体に設けられている導電部と、を含み、前記基体の第１の面に形成されている凹部の側壁は、複数の段差部を含み、前記導電部は、前記複数の段差部を介して、前記第１の面から前記凹部の内底面に亘って形成され、前記複数の段差部のうち隣り合う第１の段差部と第２の段差部の互いに離れている側の端同士を結ぶ線と、前記第１の面又は前記内底面と、が交差する交差角度θは、１０ｄｅｇ＜θ＜２０ｄｅｇを満たしていることを特徴とする。   Application Example 6 An electronic device according to this application example includes a base body and a conductive portion provided on the base body, and the side wall of the recess formed on the first surface of the base body has a plurality of side walls. The conductive portion is formed from the first surface to the inner bottom surface of the recess through the plurality of step portions, and is adjacent to the first step portion among the plurality of step portions. And an angle θ at which the line connecting the ends of the second stepped portions away from each other and the first surface or the inner bottom surface satisfies 10 deg <θ <20 deg. Features.

本適用例によれば、基体の第１の面と複数の段差部を含む凹部の側壁との接続部において、複数の段差部のうち隣り合う第１の段差部と第２の段差部の互いに離れている側の端同士を結ぶ線と、基体の第１の面又は凹部の内底面と、の交差角度θが、１０ｄｅｇ＜θ＜２０ｄｅｇであるため、第１の面と複数の段差部を含む凹部の側壁との接続部の角度が鈍角な形状を有している。そのため、接続部において、複数の段差部を介して、第１の面から凹部の内底面に亘って、形成されている導電部の断線や破損を低減することができる。従って、高い信頼性を有する電子デバイスを得ることができるという効果がある。   According to this application example, in the connection portion between the first surface of the base and the side wall of the recess including the plurality of step portions, the first step portion and the second step portion adjacent to each other among the plurality of step portions. Since the crossing angle θ between the line connecting the ends on the separated side and the first surface of the base or the inner bottom surface of the recess is 10 deg <θ <20 deg, the first surface and the plurality of stepped portions are The angle of the connection part with the side wall of the recessed part to include has an obtuse shape. Therefore, in the connection portion, disconnection or breakage of the conductive portion formed from the first surface to the inner bottom surface of the recess can be reduced via the plurality of step portions. Therefore, there is an effect that an electronic device having high reliability can be obtained.

［適用例７］上記適用例に記載の電子デバイスにおいて、前記基体は、非晶質であることが好ましい。   Application Example 7 In the electronic device described in the application example, it is preferable that the substrate is amorphous.

本適用例によれば、基体が非晶質であることから、等方性のエッチングが可能となり、基体の第１の面と凹部の側壁との接続部の角度を鈍角な形状に形成することができ、接続部において、導電部の断線や破損を低減することができる。   According to this application example, since the substrate is amorphous, isotropic etching is possible, and the connection portion between the first surface of the substrate and the side wall of the recess is formed in an obtuse shape. Thus, disconnection or breakage of the conductive portion can be reduced in the connection portion.

［適用例８］上記適用例に記載の電子デバイスにおいて、前記導電部は、ＩＴＯ、アルミニウム、金、白金、およびそれらを積層してなる多層膜の何れかである。   Application Example 8 In the electronic device according to the application example described above, the conductive portion is any one of ITO, aluminum, gold, platinum, and a multilayer film formed by laminating them.

本適用例によれば、導電部がＩＴＯ、アルミニウム、金、白金、およびそれらを積層してなる多層膜の何れかであることから、エッチングによりパターニング精度良く形成することができることが好ましい。   According to this application example, since the conductive portion is any one of ITO, aluminum, gold, platinum, and a multilayer film formed by laminating them, it is preferable that the conductive portion can be formed with high patterning accuracy by etching.

［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。   Application Example 9 An electronic apparatus according to this application example includes the electronic device described in the application example.

本適用例によれば、高い信頼性を有する電子デバイスを備えているため、信頼性の高い電子機器が得られる。   According to this application example, since an electronic device having high reliability is provided, a highly reliable electronic device can be obtained.

［適用例１０］本適用例に係る移動体は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。   Application Example 10 A moving object according to this application example includes the electronic device described in the application example.

本適用例によれば、高い信頼性を有する電子デバイスを備えているため、信頼性の高い移動体が得られる。   According to this application example, since the electronic device having high reliability is provided, a highly reliable moving body can be obtained.

本発明の実施形態に係る電子デバイスを示す側面図。The side view which shows the electronic device which concerns on embodiment of this invention. 図１に示す電子デバイスが備えるジャイロセンサー素子の平面図。The top view of the gyro sensor element with which the electronic device shown in FIG. 1 is provided. 図２中のＡ−Ａ線断面図。AA line sectional view in FIG. 図２中のＢ−Ｂ線断面図。The BB sectional view taken on the line in FIG. 図４中のＣ部拡大図。The C section enlarged view in FIG. 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 本発明の電子デバイスを適用した電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the mobile type (or notebook type) personal computer as an electronic device to which the electronic device of this invention is applied. 本発明の電子デバイスを適用した電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the mobile telephone (PHS is also included) as an electronic device to which the electronic device of this invention is applied. 本発明の電子デバイスを適用した電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the digital still camera as an electronic device to which the electronic device of this invention is applied. 本発明の電子デバイスを適用した移動体としての自動車を示す斜視図。The perspective view which shows the motor vehicle as a moving body to which the electronic device of this invention is applied.

以下、本発明の電子デバイスの製造方法、電子デバイス、電子機器、および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、本実施形態で説明される構成の全てが、本発明の必須構成要件であるとは限らない。   Hereinafter, a method for manufacturing an electronic device, an electronic device, an electronic apparatus, and a moving body of the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the accompanying drawings. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. In addition, all the configurations described in the present embodiment are not necessarily essential configuration requirements of the invention.

＜実施形態＞
本発明の実施形態に係る電子デバイスとして、ジャイロセンサー素子を備えるジャイロセンサーを一例として挙げ、図１〜図５を参照して説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る電子デバイスを示す側面図である。図２は、図１に示す電子デバイスが備えるジャイロセンサー素子の平面図である。図３は、図２中のＡ−Ａ線断面図である。図４は、図２中のＢ−Ｂ線断面図である。図５は、図４中のＣ部の拡大図である。なお、以下の説明では、互いに直交する３つの軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸とする。また、Ｘ軸に沿う方向を「Ｘ軸方向」とも言い、Ｙ軸方向に沿う方向を「Ｙ軸方向」とも言い、Ｚ軸に沿う方向を「Ｚ軸方向」とも言う。また、Ｚ軸方向は、電子デバイスを構成するベース基板とジャイロセンサー素子の積層（配置）方向に沿った方向とする。さらに、説明の便宜上、Ｚ軸方向から視たときの平面視において、＋Ｚ軸方向側の面を「上面」、これと反対側となる−Ｚ軸方向側の面を「下面」として説明する。 <Embodiment>
As an example of an electronic device according to an embodiment of the present invention, a gyro sensor including a gyro sensor element will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a side view showing an electronic device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the gyro sensor element included in the electronic device shown in FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. FIG. 5 is an enlarged view of a portion C in FIG. In the following description, three axes orthogonal to each other are referred to as an X axis, a Y axis, and a Z axis. A direction along the X axis is also referred to as an “X axis direction”, a direction along the Y axis direction is also referred to as a “Y axis direction”, and a direction along the Z axis is also referred to as a “Z axis direction”. In addition, the Z-axis direction is a direction along the stacking (arrangement) direction of the base substrate and the gyro sensor element constituting the electronic device. Further, for convenience of explanation, in the plan view when viewed from the Z-axis direction, the surface on the + Z-axis direction side is referred to as “upper surface”, and the surface on the opposite side to the −Z-axis direction side is described as “lower surface”.

［電子デバイス］
先ず、本発明の実施形態に係る電子デバイス１について、図１〜図５を参照して説明する。
図１に示す電子デバイス１は、Ｙ軸まわりの角速度ωｙを検出することのできるジャイロセンサーである。この電子デバイス１は、ベース基板２と、ベース基板２の上面に積層して配置されたジャイロセンサー素子（電子デバイス素子）３と、ジャイロセンサー素子３の上面に積層して配置されたＩＣ（電子部品）９と、ジャイロセンサー素子３とＩＣ９とを電気的に接続するボンディングワイヤーＢＷ１と、ベース基板２とＩＣ９とを電気的に接続するボンディングワイヤーＢＷ２と、ジャイロセンサー素子３およびＩＣ９をモールドするモールド材Ｍと、を有している。以下、これら各構成要素について順次説明する。 [Electronic device]
First, an electronic device 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
The electronic device 1 shown in FIG. 1 is a gyro sensor that can detect an angular velocity ωy about the Y axis. The electronic device 1 includes a base substrate 2, a gyro sensor element (electronic device element) 3 disposed on the upper surface of the base substrate 2, and an IC (electronic device) disposed on the upper surface of the gyro sensor element 3. Component) 9, bonding wire BW 1 that electrically connects gyro sensor element 3 and IC 9, bonding wire BW 2 that electrically connects base substrate 2 and IC 9, and mold that molds gyro sensor element 3 and IC 9 And a material M. Hereinafter, each of these components will be described sequentially.

［ベース基板］
ベース基板２は、ジャイロセンサー素子３を支持している。また、ベース基板２の上面には複数の端子２１が配置されており、下面には図示しない内部配線等を介して端子２１と電気的に接続された複数の実装端子２２が配置されている。このようなベース基板２としては、特に限定されないが、例えば、シリコン基板、セラミック基板、樹脂基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等を用いることができる。 [Base substrate]
The base substrate 2 supports the gyro sensor element 3. A plurality of terminals 21 are arranged on the upper surface of the base substrate 2, and a plurality of mounting terminals 22 electrically connected to the terminals 21 are arranged on the lower surface via an internal wiring (not shown). The base substrate 2 is not particularly limited, and for example, a silicon substrate, a ceramic substrate, a resin substrate, a glass substrate, a glass epoxy substrate, or the like can be used.

［ジャイロセンサー素子］
ジャイロセンサー素子３は、Ｙ軸まわりの角速度ωｙを検出する機能を有している。このようなジャイロセンサー素子３は、図２および図３に示すように、基体４と、蓋体５と、機能素子片６と、を有している。 [Gyro sensor element]
The gyro sensor element 3 has a function of detecting an angular velocity ωy about the Y axis. As shown in FIGS. 2 and 3, such a gyro sensor element 3 includes a base body 4, a lid body 5, and a functional element piece 6.

基体４は、上面に開放する有底の凹部４１と、凹部４１の底面から立設しているポスト４８と、を有し、上面およびポスト４８により機能素子片６を支持している。凹部４１は、基体４をウェットエッチングすることで形成され、側壁４２が板厚方向（上面の法線）に対して傾斜している。また、基体４は、上面に開放し、凹部４１よりも深さが浅い溝部４３，４４，４５，４６，４７を有している。また、溝部４３〜４７のうちの溝部４６，４７は、それぞれ、凹部４１と接続されている。これら溝部４３〜４７も凹部４１と同様に、基体４をウェットエッチングすることで形成されている。   The base 4 has a bottomed recess 41 that opens to the upper surface, and a post 48 that stands up from the bottom surface of the recess 41, and supports the functional element piece 6 by the upper surface and the post 48. The recess 41 is formed by wet-etching the base 4, and the side wall 42 is inclined with respect to the plate thickness direction (upper surface normal). The base 4 has groove portions 43, 44, 45, 46, 47 that are open on the upper surface and are shallower than the concave portions 41. Moreover, the groove parts 46 and 47 of the groove parts 43 to 47 are connected to the recessed part 41, respectively. These groove portions 43 to 47 are also formed by wet etching of the substrate 4 in the same manner as the concave portion 41.

溝部４３，４４，４５，４６，４７には導電部としての配線７１１，７２１，７３１，７４１，７５１が配設されている。このうち、配線７４１，７５１は、溝部４６，４７底面である第１の面４０ａから凹部４１の内底面４１ａまで、複数の段差部４９（図４参照）を介して設けられている（具体的には、溝部４６，４７の第１の面４０ａから、後述する第１の段差部４９ａおよび第２の段差部４９ｂに連続して配置され、内底面４１ａまで設けられている）。また、配線７１１，７２１，７３１，７４１，７５１の一端部は、端子７１２，７２２，７３２，７４２，７５２となっており、これら端子７１２〜７５２は、それぞれ、蓋体５の外側に配置されている。   In the groove portions 43, 44, 45, 46, 47, wirings 711, 721, 731, 741, 751 as conductive portions are disposed. Among these, the wirings 741 and 751 are provided from the first surface 40a which is the bottom surface of the groove portions 46 and 47 to the inner bottom surface 41a of the concave portion 41 via a plurality of step portions 49 (see FIG. 4) (specifically). The first and second step portions 49a and 49b, which will be described later, are continuously arranged from the first surface 40a of the groove portions 46 and 47 to the inner bottom surface 41a). Further, one ends of the wirings 711, 721, 731, 741, 751 are terminals 712, 722, 732, 742, 752, and these terminals 712 to 752 are respectively arranged outside the lid 5. Yes.

ここで、第１の面４０ａと内底面４１ａとの間の接続部である側壁４２の形状について詳細に説明する。図４および図５に示すように、側壁４２には、第１の面４０ａと略平行な第１の平坦面４３ａと第１の側壁４２ａとで構成される第１の段差部４９ａと、第１の面４０ａと略平行な第２の平坦面４３ｂと第２の側壁４２ｂとで構成される第２の段差部４９ｂと、が設けられている。従って、側壁４２は、内底面４１ａと接する第１の側壁４２ａと、第１の段差部４９ａを構成する第１の平坦面４３ａと、第２の段差部４９ｂを構成する第２の側壁４２ｂおよび第２の平坦面４３ｂと、第１の面４０ａと接する第３の側壁４２ｃと、を含み構成されている。   Here, the shape of the side wall 42 which is a connection part between the first surface 40a and the inner bottom surface 41a will be described in detail. As shown in FIGS. 4 and 5, the side wall 42 includes a first stepped portion 49 a composed of a first flat surface 43 a substantially parallel to the first surface 40 a and the first side wall 42 a, There is provided a second stepped portion 49b composed of a second flat surface 43b substantially parallel to the first surface 40a and a second side wall 42b. Therefore, the side wall 42 includes a first side wall 42a in contact with the inner bottom surface 41a, a first flat surface 43a constituting the first stepped portion 49a, a second side wall 42b constituting the second stepped portion 49b, and It includes a second flat surface 43b and a third side wall 42c in contact with the first surface 40a.

また、第１の段差部４９ａの２つの端部Ｄ１，Ｄ２と第２の段差部４９ｂの２つの端部Ｄ２，Ｄ３において、隣り合う第１の段差部４９ａと第２の段差部４９ｂの互いに離れている側の端同士を結ぶ線Ｌ、所謂、第１の段差部４９ａの端部Ｄ１と第２の段差部４９ｂの端部Ｄ３とを結ぶ線Ｌと、第１の面４０ａ又は内底面４１ａと、の交差角度θは、１０ｄｅｇ＜θ＜２０ｄｅｇを満たしている。
従って、第１の面４０ａと第１の段差部４９ａおよび第２の段差部４９ｂを含む凹部４１の側壁４２との接続部の角度が鈍角な形状を有している、所謂、第１の面４０ａと第３の側壁４２ｃ、第２の平坦面４３ｂと第２の側壁４２ｂ、および第１の平坦面４３ａと第１の側壁４２ａにおけるそれぞれの接続部の角度が鈍角な形状である。そのため、各接続部において、第１の段差部４９ａおよび第２の段差部４９ｂを介して、第１の面４０ａから凹部４１の内底面４１ａに亘って、形成されている配線７４１の断線や破損を低減することができる。 Further, at the two end portions D1 and D2 of the first stepped portion 49a and the two end portions D2 and D3 of the second stepped portion 49b, the adjacent first stepped portion 49a and the second stepped portion 49b are mutually connected. A line L connecting the ends on the separated side, so-called line L connecting the end D1 of the first stepped portion 49a and the end D3 of the second stepped portion 49b, and the first surface 40a or the inner bottom surface The angle of intersection θ with 41a satisfies 10 deg <θ <20 deg.
Therefore, the first surface 40a has a shape with an obtuse angle at the connection portion between the first step 40a and the side wall 42 of the recess 41 including the first step portion 49a and the second step portion 49b. 40a and the 3rd side wall 42c, the 2nd flat surface 43b and the 2nd side wall 42b, and the angle of each connection part in the 1st flat surface 43a and the 1st side wall 42a is an obtuse shape. For this reason, in each connection portion, the disconnection or breakage of the wiring 741 formed from the first surface 40a to the inner bottom surface 41a of the recess 41 via the first step portion 49a and the second step portion 49b. Can be reduced.

なお、交差角度θが１０ｄｅｇ以下の場合には、第１の面４０ａから内底面４１ａまでの間隔が広がるため、ジャイロセンサー素子３が大きくなり、電子デバイス１の小型化に支障をきたす虞がある。また、交差角度θが２０ｄｅｇ以上の場合には、第１の面４０ａと第１の段差部４９ａおよび第２の段差部４９ｂを含む凹部４１の側壁４２との接続部の角度が鋭角化し、配線７４１の断線や破損が生じ易くなり、信頼性の低下に至る虞がある。   When the crossing angle θ is 10 degrees or less, the gap from the first surface 40a to the inner bottom surface 41a is widened, so that the gyro sensor element 3 becomes large, and there is a possibility that the electronic device 1 may be downsized. . When the intersection angle θ is 20 degrees or more, the angle of the connection portion between the first surface 40a and the side wall 42 of the recess 41 including the first step portion 49a and the second step portion 49b is sharpened, and the wiring 741 is likely to be broken or damaged, leading to a decrease in reliability.

以上、溝部４６と凹部４１との接続部について詳細に説明したが、溝部４７と凹部４１との接続部についても同様の構成となっている。従って、配線７５１においても断線や破損を低減することができる。
なお、本実施形態では、二つの段差部４９（第１の段差部４９ａおよび第２の段差部４９ｂ）を有する構成について説明したが、これに限定されることはなく、三つ以上の段差部４９を有する構成でも構わない。 Although the connection portion between the groove 46 and the recess 41 has been described in detail above, the connection portion between the groove 47 and the recess 41 has the same configuration. Accordingly, disconnection and breakage of the wiring 751 can be reduced.
In addition, although this embodiment demonstrated the structure which has the two level | step-difference parts 49 (the 1st level | step-difference part 49a and the 2nd level | step-difference part 49b), it is not limited to this, Three or more level | step-difference parts 49 may be used.

このような基体４は、例えば、非晶質のガラス材料で構成されている。これにより、ウェットエッチングによって等方的なエッチングが可能となるため、前述したような形状の側壁４２を容易に形成することができる。ただし、基体４の構成材料としては、非晶質であれば、特に限定されず、例えば、アモルファスシリコンで構成されていてもよい。   Such a base | substrate 4 is comprised by the amorphous glass material, for example. This makes it possible to perform isotropic etching by wet etching, so that the side wall 42 having the above-described shape can be easily formed. However, the constituent material of the substrate 4 is not particularly limited as long as it is amorphous, and may be made of amorphous silicon, for example.

また、導電部としての配線７１１〜７５１および端子７１２〜７５２の構成材料としては、導電性を有していれば特に限定されず、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、アルミニウム、金、白金、およびそれらを積層してなる多層膜の何れかを用いることができる。また、フォトリゾ技術におけるエッチングにより形状を精度良く形成することができる。   Further, the constituent materials of the wirings 711 to 751 and the terminals 712 to 752 as the conductive portions are not particularly limited as long as they have conductivity. For example, ITO (Indium Tin Oxide), aluminum, gold, platinum, and Any of the multilayer films formed by laminating them can be used. Further, the shape can be formed with high accuracy by etching in the photolithography technique.

蓋体５は、図３および図４に示すように、下面に開放する凹部５１を有している。そして、基体４と蓋体５とが凹部４１と凹部５１とで内部空間Ｓを形成するように接合されており、この内部空間Ｓに機能素子片６が収容されている。内部空間Ｓは、気密封止され、減圧状態（好ましくは、１００Ｐａ以下）となっている。これにより、粘性抵抗が減り、機能素子片６を効率的に振動させることができる。また、蓋体５は、内部空間Ｓを真空引きするのに用いる封止孔５２を有し、封止孔５２は、封止材５３によって封止されている。封止材５３としては、特に限定されないが、例えば、Ａｕ−Ｇｅ系の合金を用いることができる。   As shown in FIGS. 3 and 4, the lid 5 has a recess 51 that opens to the lower surface. The base body 4 and the lid 5 are joined so as to form the internal space S by the concave portion 41 and the concave portion 51, and the functional element piece 6 is accommodated in the internal space S. The internal space S is hermetically sealed and is in a reduced pressure state (preferably 100 Pa or less). Thereby, viscous resistance reduces and the functional element piece 6 can be vibrated efficiently. The lid 5 has a sealing hole 52 used for evacuating the internal space S, and the sealing hole 52 is sealed with a sealing material 53. Although it does not specifically limit as the sealing material 53, For example, an Au-Ge type alloy can be used.

このような蓋体５は、例えば、シリコンで構成されている。これにより、蓋体５と基体４とを陽極接合により接合することができる。ただし、蓋体５の構成材料としては、これに限定されず、例えば、ガラス材料、金属材料等で構成されていてもよい。   Such a lid 5 is made of silicon, for example. Thereby, the cover body 5 and the base | substrate 4 can be joined by anodic bonding. However, the constituent material of the lid 5 is not limited to this, and may be made of, for example, a glass material or a metal material.

なお、蓋体５と基体４とを接合した状態では、溝部４３〜４７を介して内部空間Ｓの内外が連通されている。そのため、本実施形態では、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたＣＶＤ法等で形成されたＳｉＯ₂膜によって溝部４３〜４７を塞ぐことで内部空間Ｓを気密封止している。 In addition, in the state which joined the cover body 5 and the base | substrate 4, the inside and outside of the internal space S are connected via the groove parts 43-47. Therefore, in this embodiment, the internal space S is hermetically sealed by closing the grooves 43 to 47 with a SiO ₂ film formed by a CVD method using TEOS (tetraethoxysilane) or the like.

機能素子片６は、内部空間Ｓに配置されており、凹部４１と重なるようにして、基体４の上面とポスト４８とに接合されている。このような機能素子片６は、図２に示すように、Ｘ軸方向に並ぶ２つの構造体６０（６０ａ，６０ｂ）を有している。   The functional element piece 6 is disposed in the internal space S and joined to the upper surface of the base 4 and the post 48 so as to overlap the concave portion 41. Such a functional element piece 6 has two structures 60 (60a, 60b) arranged in the X-axis direction, as shown in FIG.

構造体６０は、振動部６１と、駆動バネ部６２と、固定部６３と、可動駆動電極６４と、固定駆動電極６５，６６と、検出用フラップ板６７と、梁部６８と、を有している。このような構造体６０は、リン、ボロン等の不純物がドープされた導電性のシリコン基板をエッチングによってパターニングすることで一体的に形成されている。   The structure 60 includes a vibration part 61, a drive spring part 62, a fixed part 63, a movable drive electrode 64, fixed drive electrodes 65 and 66, a detection flap plate 67, and a beam part 68. ing. Such a structure 60 is integrally formed by patterning a conductive silicon substrate doped with impurities such as phosphorus and boron by etching.

振動部６１は、矩形の枠体であり、その４隅に駆動バネ部６２の一端部が接続されている。駆動バネ部６２の他端部は、固定部６３に接続されており、固定部６３は、基体４の上面またはポスト４８に接合されている。これにより、振動部６１および駆動バネ部６２が基体４から浮いた状態で支持された状態となる。そのため、駆動バネ部６２をＸ軸方向に弾性変形させることで、振動部６１を基体４に対してＸ軸方向に振動させることができる。なお、固定部６３と基体４との接合方法としては、特に限定されないが、例えば、陽極接合を用いることができる。   The vibration part 61 is a rectangular frame, and one end of the drive spring part 62 is connected to the four corners thereof. The other end of the drive spring portion 62 is connected to a fixing portion 63, and the fixing portion 63 is joined to the upper surface of the base 4 or the post 48. As a result, the vibrating portion 61 and the drive spring portion 62 are supported in a state of floating from the base body 4. Therefore, the vibration part 61 can be vibrated in the X-axis direction with respect to the base body 4 by elastically deforming the drive spring part 62 in the X-axis direction. Note that a method for joining the fixing portion 63 and the base 4 is not particularly limited, and for example, anodic joining can be used.

また、固定部６３の少なくとも１つは、導電性バンプＢ１を介して溝部４３内の配線７１１と電気的に接続されている。   In addition, at least one of the fixing portions 63 is electrically connected to the wiring 711 in the groove portion 43 via the conductive bump B1.

可動駆動電極６４は、振動部６１に設けられている。一方、固定駆動電極６５，６６は、基体４に接合されており、可動駆動電極６４を間に挟むようにして設けられている。また、固定駆動電極６５は、導電性バンプＢ２を介して溝部４４内の配線７２１と電気的に接続され、固定駆動電極６６は、導電性バンプＢ３を介して溝部４５内の配線７３１と電気的に接続されている。   The movable drive electrode 64 is provided in the vibration part 61. On the other hand, the fixed drive electrodes 65 and 66 are joined to the base 4 and are provided so as to sandwich the movable drive electrode 64 therebetween. The fixed drive electrode 65 is electrically connected to the wiring 721 in the groove 44 through the conductive bump B2, and the fixed drive electrode 66 is electrically connected to the wiring 731 in the groove 45 through the conductive bump B3. It is connected to the.

可動駆動電極６４と固定駆動電極６５，６６との間に駆動電圧を印加すると、可動駆動電極６４と固定駆動電極６５，６６との間に静電力が発生し、これにより、駆動バネ部６２をＸ軸方向に弾性変形させつつ、振動部６１をＸ軸方向に振動させることができる。なお、構造体６０ａと構造体６０ｂとでは、固定駆動電極６５，６６の配置が逆であるため、構造体６０ａの振動部６１と、構造体６０ｂの振動部６１は、互いに接近、離間するようにＸ軸方向に逆位相で振動する。これにより、構造体６０ａ，６０ｂの振動がキャンセルされ、振動漏れを低減することができる。   When a drive voltage is applied between the movable drive electrode 64 and the fixed drive electrodes 65 and 66, an electrostatic force is generated between the movable drive electrode 64 and the fixed drive electrodes 65 and 66, thereby causing the drive spring portion 62 to move. The vibrating portion 61 can be vibrated in the X-axis direction while being elastically deformed in the X-axis direction. In addition, since the arrangement of the fixed drive electrodes 65 and 66 is opposite between the structure 60a and the structure 60b, the vibration part 61 of the structure 60a and the vibration part 61 of the structure 60b are close to and away from each other. Vibrate in the opposite phase in the X-axis direction. Thereby, the vibrations of the structural bodies 60a and 60b are canceled, and vibration leakage can be reduced.

検出用フラップ板６７は、振動部６１の内側に位置しており、＋Ｙ軸側の端部において梁部６８によって振動部６１に連結されている。このような検出用フラップ板６７は、振動部６１をＸ軸方向に振動させた状態の電子デバイス１にＹ軸まわりの角速度ωｙが加わることで、コリオリの力により、梁部６８を捩り変形させつつ、梁部６８で形成された回動軸まわりに回動（傾倒）する。   The detection flap plate 67 is located inside the vibration part 61 and is connected to the vibration part 61 by a beam part 68 at the end on the + Y axis side. Such a detection flap plate 67 twists and deforms the beam portion 68 by Coriolis force by applying an angular velocity ωy around the Y axis to the electronic device 1 in a state where the vibrating portion 61 is vibrated in the X-axis direction. While rotating (tilting) around the rotation axis formed by the beam portion 68.

また、凹部４１の底面には、検出用フラップ板６７と対向して固定検出電極７９が設けられており、検出用フラップ板６７と固定検出電極７９との間に静電容量Ｃが形成されている。また、構造体６０ａ側の固定検出電極７９は、配線７４１と電気的に接続されており、構造体６０ｂ側の固定検出電極７９は、配線７５１と電気的に接続されている。固定検出電極７９の構成材料としては、導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、ＩＴＯ、アルミニウム、金、白金、およびそれらを積層してなる多層膜の何れかを用いることができる。   Further, a fixed detection electrode 79 is provided on the bottom surface of the concave portion 41 so as to face the detection flap plate 67, and a capacitance C is formed between the detection flap plate 67 and the fixed detection electrode 79. Yes. In addition, the fixed detection electrode 79 on the structure 60a side is electrically connected to the wiring 741, and the fixed detection electrode 79 on the structure 60b side is electrically connected to the wiring 751. The constituent material of the fixed detection electrode 79 is not particularly limited as long as it has conductivity. For example, ITO, aluminum, gold, platinum, or a multilayer film formed by laminating them is used. it can.

次に、機能素子片６の動作について説明する。先ず、可動駆動電極６４と固定駆動電極６５，６６との間に駆動電圧を印加し、構造体６０ａの振動部６１と構造体６０ｂの振動部６１とを逆位相でかつ所定の周波数でＸ軸方向に振動させる。この状態において、電子デバイス１に角速度ωｙが加わると、コリオリ力が働き、構造体６０ａの検出用フラップ板６７と構造体６０ｂの検出用フラップ板６７とが回動軸まわりに互いに逆位相で変位する。検出用フラップ板６７が変位することで、検出用フラップ板６７と固定検出電極７９とのギャップが変化し、それに伴って静電容量Ｃが変化する。そのため、この静電容量Ｃの変化量を検出することで、角速度ωｙを求めることができる。   Next, the operation of the functional element piece 6 will be described. First, a drive voltage is applied between the movable drive electrode 64 and the fixed drive electrodes 65 and 66, and the vibration part 61 of the structure 60a and the vibration part 61 of the structure 60b are in opposite phases and at a predetermined frequency in the X axis. Vibrate in the direction. In this state, when an angular velocity ωy is applied to the electronic device 1, Coriolis force acts, and the detection flap plate 67 of the structure 60 a and the detection flap plate 67 of the structure 60 b are displaced in opposite phases around the rotation axis. To do. By the displacement of the detection flap plate 67, the gap between the detection flap plate 67 and the fixed detection electrode 79 changes, and the capacitance C changes accordingly. Therefore, the angular velocity ωy can be obtained by detecting the amount of change in the capacitance C.

［ＩＣ］
ＩＣ９は、図１に示すように、ジャイロセンサー素子３の上面（蓋体５上）に固定されている。ＩＣ９には、例えば、ジャイロセンサー素子３を駆動する駆動回路や、ジャイロセンサー素子３からの出力信号に基づいて角速度ωｙを検出する検出回路や、検出回路からの信号を所定の信号に変換して出力する出力回路等が含まれている。このようなＩＣ９は、ボンディングワイヤーＢＷ１を介してジャイロセンサー素子３の端子７１２〜７５２と電気的に接続されており、ボンディングワイヤーＢＷ２を介してベース基板２の端子２１と電気的に接続されている。 [IC]
As shown in FIG. 1, the IC 9 is fixed to the upper surface (on the lid 5) of the gyro sensor element 3. The IC 9 includes, for example, a drive circuit that drives the gyro sensor element 3, a detection circuit that detects the angular velocity ωy based on an output signal from the gyro sensor element 3, and a signal from the detection circuit that is converted into a predetermined signal. An output circuit for outputting is included. Such an IC 9 is electrically connected to the terminals 712 to 752 of the gyro sensor element 3 via the bonding wire BW1, and is electrically connected to the terminal 21 of the base substrate 2 via the bonding wire BW2. .

［モールド材］
モールド材Ｍは、図１に示すように、ジャイロセンサー素子３およびＩＣ９をモールドしている。これにより、ジャイロセンサー素子３やＩＣ９を水分、埃、衝撃等から保護することができる。モールド材Ｍとしては、特に限定されないが、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができ、例えば、トランスファーモールド法によってモールドすることができる。 [Mold material]
As shown in FIG. 1, the molding material M molds the gyro sensor element 3 and the IC 9. Thereby, the gyro sensor element 3 and the IC 9 can be protected from moisture, dust, impact and the like. Although it does not specifically limit as the molding material M, For example, a thermosetting epoxy resin can be used, For example, it can mold by the transfer mold method.

［電子デバイスの製造方法］
次に、本発明の実施形態に係る電子デバイス１の製造方法について、図６〜図１６を参照して説明する。
図６〜図１６は、それぞれ、図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための断面図である。
電子デバイス１の製造方法は、ジャイロセンサー素子３を製造する素子製造工程と、ベース基板２上にジャイロセンサー素子３を配置する素子配置工程と、ジャイロセンサー素子３上にＩＣ９を配置するＩＣ配置工程と、ジャイロセンサー素子３とＩＣ９とを電気的に接続すると共に、ＩＣ９とベース基板２とを電気的に接続する電気接続工程と、ジャイロセンサー素子３およびＩＣ９を封止する封止工程と、を有している。以下、これら各工程について順次説明する。なお、溝部４３〜４７については、それぞれ同じ工程で同じように製造することができるため、以下では、説明の便宜上、溝部４６を一例として挙げ、説明する。 [Electronic device manufacturing method]
Next, a method for manufacturing the electronic device 1 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
6-16 is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the electronic device shown in FIG. 1, respectively.
The manufacturing method of the electronic device 1 includes an element manufacturing process for manufacturing the gyro sensor element 3, an element arranging process for arranging the gyro sensor element 3 on the base substrate 2, and an IC arranging process for arranging the IC 9 on the gyro sensor element 3. And electrically connecting the gyro sensor element 3 and the IC 9, electrically connecting the IC 9 and the base substrate 2, and a sealing process for sealing the gyro sensor element 3 and the IC 9. Have. Hereinafter, each of these steps will be described sequentially. In addition, since it can manufacture similarly about the groove parts 43-47 at the same process, respectively, below, the groove part 46 is mentioned as an example and demonstrated for convenience of explanation.

［素子製造工程］
ジャイロセンサー素子３を製造する素子製造工程は、基体４の第１の面４０ａにマスクＭ２を配置する工程と、基体４に凹部４１を形成する工程と、マスクＭ２を除去する工程と、複数の段差部４９を形成する工程と、複数の段差部４９を介して第１の面４０ａから凹部４１の内底面４１ａに亘って、導電部としての配線７４１を形成する工程と、機能素子片６を形成する工程と、蓋体５を接合した後に機能素子片６を封止する工程と、を含んでいる。
先ず、図６に示すように、基体４の母材となるガラス基板４０を準備し、その上面に溝部４６に対応する開口部を有するマスクＭ１を配置する。次に、マスクＭ１を保護膜として、開口部から露出している部分のガラス基板４０を所定の時間ウェットエッチングすることで、ガラス基板４０に所定の深さの溝部４６を形成する。 [Element manufacturing process]
The element manufacturing process for manufacturing the gyro sensor element 3 includes a process of placing the mask M2 on the first surface 40a of the base body 4, a process of forming the recess 41 in the base body 4, a process of removing the mask M2, and a plurality of processes. A step of forming the stepped portion 49, a step of forming the wiring 741 as the conductive portion from the first surface 40a to the inner bottom surface 41a of the concave portion 41 via the plurality of stepped portions 49, and the functional element piece 6 A step of forming, and a step of sealing the functional element piece 6 after joining the lid 5.
First, as shown in FIG. 6, a glass substrate 40 serving as a base material of the base 4 is prepared, and a mask M1 having an opening corresponding to the groove 46 is disposed on the upper surface thereof. Next, using the mask M1 as a protective film, a portion of the glass substrate 40 exposed from the opening is wet-etched for a predetermined time, thereby forming a groove 46 having a predetermined depth in the glass substrate 40.

［マスク配置工程］
次に、マスクＭ１を除去した後、図７に示すように、凹部４１に対応する開口部を有するマスクＭ２を配置する。 [Mask placement process]
Next, after removing the mask M1, a mask M2 having an opening corresponding to the recess 41 is disposed as shown in FIG.

［凹部形成工程］
次に、マスクＭ２を保護膜として、開口部から露出している部分のガラス基板４０を所定の時間ウェットエッチング（第１のエッチング）することで、ガラス基板４０に所定の深さの凹部４１を形成する。ここで、非晶質であるガラス基板４０をウェットエッチングすることで、ガラス基板４０が等方的にエッチングされるため、傾斜した第１の側壁４２ａを有する凹部４１を簡単に形成することができる。第１の側壁４２ａを傾斜させることで、第１の側壁４２ａと溝部４６の底面である第１の面４０ａとをなだらかに接続することができる。 [Recess formation step]
Next, by using the mask M2 as a protective film, the glass substrate 40 in a portion exposed from the opening is wet-etched (first etching) for a predetermined time, so that the concave portion 41 having a predetermined depth is formed in the glass substrate 40. Form. Here, since the glass substrate 40 that is amorphous is wet-etched by isotropically etching the glass substrate 40, the concave portion 41 having the inclined first side wall 42 a can be easily formed. . By inclining the first side wall 42a, the first side wall 42a and the first surface 40a that is the bottom surface of the groove 46 can be smoothly connected.

［マスク除去工程］
次に、凹部４１を形成するために用いたマスクＭ２を除去する。 [Mask removal process]
Next, the mask M2 used to form the recess 41 is removed.

［段差部形成工程］
次に、図８に示すように、第１の面４０ａと凹部４１との間の第１の側壁４２ａに複数の段差部４９の一つである第１の段差部４９ａを形成する。先ず、凹部４１に対応し、溝部４６側に広い開口部を有するマスクＭ３を配置し、マスクＭ３を保護膜として、開口部から露出している部分のガラス基板４０をその上面側から一様に所定の時間ウェットエッチング（複数のエッチングの一つ）する。この際、エッチングが等方的に進行するので、凹部４１の内底面４１ａと第１の側壁４２ａは形状を維持したまま所定の深さまでエッチングされ、新たに第２の側壁４２ｂと第１の段差部４９ａを構成する第１の面４０ａと略平行な第１の平坦面４３ａが形成される。 [Step formation process]
Next, as shown in FIG. 8, a first stepped portion 49 a that is one of the plurality of stepped portions 49 is formed on the first side wall 42 a between the first surface 40 a and the recessed portion 41. First, a mask M3 having a wide opening on the groove 46 side corresponding to the recess 41 is disposed, and the portion of the glass substrate 40 exposed from the opening is uniformly formed from the upper surface side using the mask M3 as a protective film. Wet etching (one of a plurality of etchings) for a predetermined time. At this time, since the etching proceeds isotropically, the inner bottom surface 41a and the first side wall 42a of the recess 41 are etched to a predetermined depth while maintaining the shape, and the second side wall 42b and the first step are newly formed. A first flat surface 43a substantially parallel to the first surface 40a constituting the portion 49a is formed.

次に、図９に示すように、第１の面４０ａと第１の段差部４９ａとの間の第２の側壁４２ｂに複数の段差部４９の一つである第２の段差部４９ｂを形成する。マスクＭ３を除去し、凹部４１に対応し、溝部４６側にマスクＭ３より広い開口部を有するマスクＭ４を配置する。マスクＭ４を保護膜として、開口部から露出している部分のガラス基板４０をその上面側から一様に所定の時間ウェットエッチング（複数のエッチングの一つ）する。この際、エッチングが等方的に進行するので、凹部４１の内底面４１ａと第１の側壁４２ａおよび第１の平坦面４３ａと第２の側壁４２ｂは形状を維持したまま所定の深さまでエッチングされ、新たに第３の側壁４２ｃと第２の段差部４９ｂを構成する第１の面４０ａと略平行な第２の平坦面４３ｂが形成される。   Next, as shown in FIG. 9, the second step portion 49b, which is one of the plurality of step portions 49, is formed on the second side wall 42b between the first surface 40a and the first step portion 49a. To do. The mask M3 is removed, and a mask M4 corresponding to the recess 41 and having an opening wider than the mask M3 is disposed on the groove 46 side. Using the mask M4 as a protective film, a portion of the glass substrate 40 exposed from the opening is uniformly wet-etched (one of a plurality of etchings) for a predetermined time from the upper surface side. At this time, since the etching proceeds isotropically, the inner bottom surface 41a and the first side wall 42a of the recess 41 and the first flat surface 43a and the second side wall 42b are etched to a predetermined depth while maintaining the shape. Then, a second flat surface 43b substantially parallel to the first surface 40a constituting the third side wall 42c and the second stepped portion 49b is formed.

ここで、第１の面４０ａと内底面４１ａとの間に形成された第１の段差部４９ａおよび第２の段差部４９ｂにおいて、隣り合う第１の段差部４９ａと第２の段差部４９ｂの互いに離れている側の端同士を結ぶ線Ｌと、第１の面４０ａ又は内底面４１ａと、の交差角度θは、１０ｄｅｇ＜θ＜２０ｄｅｇを満たしている。そのため、第１の面４０ａと第３の側壁４２ｃ、第２の平坦面４３ｂと第２の側壁４２ｂ、および第１の平坦面４３ａと第１の側壁４２ａにおけるそれぞれの接続部の角度を鈍角な形状とすることができる。   Here, in the first stepped portion 49a and the second stepped portion 49b formed between the first surface 40a and the inner bottom surface 41a, the adjacent first stepped portion 49a and second stepped portion 49b The intersecting angle θ between the line L connecting the ends on the side away from each other and the first surface 40a or the inner bottom surface 41a satisfies 10 deg <θ <20 deg. Therefore, the angles of the connecting portions of the first surface 40a and the third side wall 42c, the second flat surface 43b and the second side wall 42b, and the first flat surface 43a and the first side wall 42a are obtuse. It can be a shape.

［導電部形成工程］
次に、導電部形成工程は、導電層形成工程と、導電層エッチング工程と、を含んでいる。
先ず、ガラス基板４０を加工して得られた基体４に、蒸着法やスパッタリング法等を用いて、導電部としての配線７１１〜７５１、端子７１２〜７５２および固定検出電極７９の母材となる導電層を成膜する（導電層形成工程）。 [Conducting part forming step]
Next, the conductive part forming step includes a conductive layer forming step and a conductive layer etching step.
First, the base 4 obtained by processing the glass substrate 40 is electrically conductive as a base material for the wirings 711 to 751, the terminals 712 to 752, and the fixed detection electrodes 79 as conductive parts by using a vapor deposition method, a sputtering method, or the like. A layer is formed (conductive layer forming step).

その後、この導電層をフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングすることで、図１０に示すように、固定検出電極７９、配線７４１および端子７４２を形成する（導電層エッチング工程）。このような方法によれば、固定検出電極７９、配線７４１および端子７４２を簡単に形成することができる。   Thereafter, this conductive layer is patterned by using a photolithography technique and an etching technique, thereby forming fixed detection electrodes 79, wirings 741 and terminals 742 as shown in FIG. 10 (conductive layer etching step). According to such a method, the fixed detection electrode 79, the wiring 741, and the terminal 742 can be easily formed.

なお、前述したように、第１の面４０ａと内底面４１ａとの間の側壁４２に設けられた第１の段差部４９ａと第２の段差部４９ｂとにより、第１の面４０ａと第３の側壁４２ｃ、第２の平坦面４３ｂと第２の側壁４２ｂ、および第１の平坦面４３ａと第１の側壁４２ａにおけるそれぞれの接続部の角度が鈍角な形状となっている。そのため、側壁４２上にも十分に厚い導電層を成膜することができ、配線７４１の強度が低下したり、電気抵抗が増大したりすることを低減することができる。また、配線７４１をパターニングする際にも、各接続部の角度が鈍角な形状であるため、各接続部において、レジストが薄くなり、導電層が露出してしまうという虞がない。そのため、複数の段差部４９である第１の段差部４９ａと第２の段差部４９ｂとを介して、第１の面４０ａから凹部４１の内底面４１ａに亘って、形成される配線７４１の断線や破損を低減することができる。   As described above, the first step 40a and the third step 49b are provided on the side wall 42 between the first surface 40a and the inner bottom surface 41a by the first step portion 49a and the second step portion 49b. The side walls 42c, the second flat surface 43b and the second side wall 42b, and the connecting portions of the first flat surface 43a and the first side wall 42a have obtuse angles. Therefore, a sufficiently thick conductive layer can be formed over the side wall 42, and it is possible to reduce the strength of the wiring 741 from decreasing and the electrical resistance from increasing. Further, when the wiring 741 is patterned, since the angle of each connection portion is an obtuse shape, there is no possibility that the resist becomes thin and the conductive layer is exposed at each connection portion. Therefore, the disconnection of the wiring 741 formed from the first step 40a to the inner bottom surface 41a of the recess 41 via the first step portion 49a and the second step portion 49b, which are a plurality of step portions 49. And damage can be reduced.

［機能素子片形成工程］
次に、基体４に導電性バンプＢ１〜Ｂ３を配置した後、図１１に示すように、基体４の上面に機能素子片６の母材となるシリコン基板６００を接合する。基体４とシリコン基板６００の接合方法としては、例えば、陽極接合を用いることができる。次に、ＣＭＰ（化学機械研磨）等によって、シリコン基板６００を所望の厚さまで薄肉化した後、シリコン基板６００にリン、ボロン等の不純物をドープして、シリコン基板６００に導電性を付与する。次に、シリコン基板６００をフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングし、図１２に示すように、シリコン基板６００から機能素子片６を形成する。 [Functional element piece forming step]
Next, after the conductive bumps B <b> 1 to B <b> 3 are disposed on the base 4, a silicon substrate 600 that is a base material of the functional element piece 6 is bonded to the upper surface of the base 4 as shown in FIG. 11. As a method for bonding the base 4 and the silicon substrate 600, for example, anodic bonding can be used. Next, after the silicon substrate 600 is thinned to a desired thickness by CMP (chemical mechanical polishing) or the like, the silicon substrate 600 is doped with impurities such as phosphorus and boron to impart conductivity to the silicon substrate 600. Next, the silicon substrate 600 is patterned using a photolithography technique and an etching technique, and the functional element piece 6 is formed from the silicon substrate 600 as shown in FIG.

［機能素子片封止工程］
次に、蓋体５を準備し、図１３に示すように、蓋体５と基体４とを接合し、さらに、ＳｉＯ₂膜によって溝部４６を塞ぐ。基体４と蓋体５の接合方法としては、例えば、陽極接合を用いることができる。次に、封止孔５２を介して内部空間Ｓを減圧状態とした後、封止材５３で封止孔５２を封止する。封止材５３による封止は、例えば、ボール状の封止材５３を封止孔５２に配置し、封止材５３をレーザー照射等によって溶融させることで行われる。以上により、ジャイロセンサー素子３が得られる。 [Functional element sealing step]
Next, the lid body 5 is prepared, and as shown in FIG. 13, the lid body 5 and the base body 4 are joined, and the groove portion 46 is closed with an SiO ₂ film. As a method for joining the base body 4 and the lid 5, for example, anodic bonding can be used. Next, after reducing the internal space S through the sealing hole 52, the sealing hole 52 is sealed with the sealing material 53. Sealing with the sealing material 53 is performed, for example, by disposing the ball-shaped sealing material 53 in the sealing hole 52 and melting the sealing material 53 by laser irradiation or the like. Thus, the gyro sensor element 3 is obtained.

［素子配置工程、ＩＣ配置工程］
次に、ベース基板２を準備し、図１４に示すように、ベース基板２の上面にジャイロセンサー素子３を固定し、ＩＣ９を準備し、ジャイロセンサー素子３の上面にＩＣ９を固定する。 [Element placement process, IC placement process]
Next, the base substrate 2 is prepared. As shown in FIG. 14, the gyro sensor element 3 is fixed to the upper surface of the base substrate 2, the IC 9 is prepared, and the IC 9 is fixed to the upper surface of the gyro sensor element 3.

［電気接続工程］
次に、図１５に示すように、ボンディングワイヤーＢＷ１を用いてジャイロセンサー素子３（端子７１２〜７５２）とＩＣ９とを電気的に接続すると共に、ボンディングワイヤーＢＷ２を用いてＩＣ９とベース基板２とを電気的に接続する。 [Electrical connection process]
Next, as shown in FIG. 15, the gyro sensor element 3 (terminals 712 to 752) and the IC 9 are electrically connected using the bonding wire BW1, and the IC 9 and the base substrate 2 are connected using the bonding wire BW2. Connect electrically.

［封止工程］
次に、図１６に示すように、モールド材Ｍによって、ジャイロセンサー素子３およびＩＣ９を封止する。以上によって、電子デバイス１が得られる。 [Sealing process]
Next, as shown in FIG. 16, the gyro sensor element 3 and the IC 9 are sealed with the molding material M. Thus, the electronic device 1 is obtained.

［電子機器］
次に、本発明の電子デバイス１を備える電子機器について、図１７〜図１９を参照して説明する。 [Electronics]
Next, an electronic apparatus including the electronic device 1 of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１７は、本発明の電子デバイスを適用した電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。   FIG. 17 is a perspective view showing a configuration of a mobile (or notebook) personal computer as an electronic apparatus to which the electronic device of the present invention is applied.

この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、電子デバイス１が内蔵されている。   In this figure, a personal computer 1100 includes a main body portion 1104 provided with a keyboard 1102 and a display unit 1106 provided with a display portion 1108. The display unit 1106 is rotated with respect to the main body portion 1104 via a hinge structure portion. It is supported movably. Such a personal computer 1100 incorporates the electronic device 1.

図１８は、本発明の電子デバイスを適用した電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。   FIG. 18 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone (including PHS) as an electronic apparatus to which the electronic device of the present invention is applied.

この図において、携帯電話機１２００は、アンテナ（図示せず）、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、電子デバイス１が内蔵されている。   In this figure, a cellular phone 1200 includes an antenna (not shown), a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204, and a mouthpiece 1206, and a display unit 1208 is provided between the operation buttons 1202 and the earpiece 1204. Is arranged. Such a cellular phone 1200 incorporates the electronic device 1.

図１９は、本発明の電子デバイスを適用した電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図である。   FIG. 19 is a perspective view showing a configuration of a digital still camera as an electronic apparatus to which the electronic device of the present invention is applied.

この図において、デジタルスチールカメラ１３００におけるケース１３０２の背面には表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。そして、撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押すと、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、例えば、手振れ補正に用いられる電子デバイス１が内蔵されている。 In this figure, a display unit 1310 is provided on the back surface of the case 1302 in the digital still camera 1300, and is configured to display based on an imaging signal from the CCD. The display unit 1310 displays the subject as an electronic image. Functions as a viewfinder.
A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side (the back side in the drawing) of the case 1302. When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit 1310 and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory 1308. Such a digital still camera 1300 incorporates, for example, the electronic device 1 used for camera shake correction.

このような電子機器は、電子デバイス１を備えているので、優れた信頼性を有している。   Since such an electronic apparatus includes the electronic device 1, it has excellent reliability.

なお、本発明の電子機器は、図１７のパーソナルコンピューター１１００、図１８の携帯電話機１２００、図１９のデジタルスチールカメラ１３００の他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）等のウェアラブル端末、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、携帯端末用の基地局、フライトシュミレーター等に適用することができる。   In addition to the personal computer 1100 in FIG. 17, the mobile phone 1200 in FIG. 18, and the digital still camera 1300 in FIG. 19, the electronic device of the present invention includes, for example, a smartphone, a tablet terminal, a watch (including a smart watch), Wearable terminals such as ink jet discharge devices (for example, ink jet printers), HMDs (head mounted displays), laptop personal computers, televisions, video cameras, video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic notebooks (including those with communication functions) ), Electronic dictionary, calculator, electronic game device, word processor, workstation, video phone, security TV monitor, electronic binoculars, POS terminal, medical device (eg electronic thermometer, blood pressure monitor, blood glucose meter, electrocardiogram) Measurement equipment, ultrasonic diagnostic equipment, electronic endoscope), fish detectors, various measuring instruments, instruments (eg, vehicles, aircraft, ship instruments), base stations for portable terminals, flight simulators, etc. be able to.

［移動体］
次に、本発明の移動体について、図２０を参照して説明する。
図２０は、本発明の電子デバイスを適用した移動体としての自動車を示す斜視図である。 [Moving object]
Next, the moving body of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 20 is a perspective view showing an automobile as a moving body to which the electronic device of the present invention is applied.

この図において、自動車１５００には電子デバイス１が内蔵されており、例えば、電子デバイス１によって車体１５０１の姿勢を検出することができる。電子デバイス１の検出信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることができる。   In this figure, an electronic device 1 is built in an automobile 1500. For example, the posture of the vehicle body 1501 can be detected by the electronic device 1. The detection signal of the electronic device 1 is supplied to the vehicle body posture control device 1502, and the vehicle body posture control device 1502 detects the posture of the vehicle body 1501 based on the signal and controls the stiffness of the suspension according to the detection result. The brakes of the individual wheels 1503 can be controlled.

このような移動体は、電子デバイス１を備えているので、優れた信頼性を有している。   Since such a mobile body includes the electronic device 1, it has excellent reliability.

その他、このような姿勢制御は、二足歩行ロボットやラジコンヘリコプター（ドローンを含む）で利用することができる。以上のように、各種移動体の姿勢制御の実現にあたって、電子デバイス１が組み込まれる。   In addition, such posture control can be used by a biped robot or a radio controlled helicopter (including a drone). As described above, the electronic device 1 is incorporated in realizing the attitude control of various moving objects.

以上、本発明の電子デバイス１の製造方法、電子デバイス１、電子機器、および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。   As mentioned above, although the manufacturing method of the electronic device 1, the electronic device 1, the electronic device, and the moving body of this invention were demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited to this, The structure of each part is as follows. It can be replaced with any configuration having a similar function. In addition, any other component may be added to the present invention.

また、前述した実施形態では、検出用フラップ板６７が回動軸まわりに回動する構成について説明したが、検出用フラップ板６７としては、Ｚ軸方向に変位することができれば、どのように変位してもよい。例えば、検出用フラップ板６７は、回動軸まわりにシーソー揺動してもよいし、姿勢を保ったままＺ軸方向に変位していてもよい。すなわち、シーソー揺動型の物理量センサーであってもよいし、平行平板型の物理量センサーであってもよい。   In the above-described embodiment, the configuration in which the detection flap plate 67 rotates about the rotation axis has been described. However, the detection flap plate 67 may be displaced as long as it can be displaced in the Z-axis direction. May be. For example, the detection flap plate 67 may swing on a seesaw around the rotation axis, or may be displaced in the Z-axis direction while maintaining the posture. In other words, a seesaw oscillating physical quantity sensor or a parallel plate physical quantity sensor may be used.

また、機能素子片６としては、角速度を検出する素子に限定されず、例えば、加速度を検出する素子や、気圧を検出する素子であってもよい。また、機能素子片６としては、角速度、加速度、気圧等の物理量を検出することができる素子に限定されず、例えば、発振器等に用いられる振動素子であってもよい。また、機能素子片６を収容する内部空間Ｓの雰囲気は、減圧状態に限定されず、機能素子片６の種類等に応じて適宜変更することができる。例えば、機能素子として加速度を検出する素子を用いた場合（例えば、特開２０１５−６２０４０参照）には、内部空間Ｓは、窒素、アルゴン等の不活性ガスを充填した大気圧状態とすることができる。   Further, the functional element piece 6 is not limited to an element that detects angular velocity, and may be an element that detects acceleration or an element that detects atmospheric pressure, for example. Further, the functional element piece 6 is not limited to an element that can detect a physical quantity such as angular velocity, acceleration, and atmospheric pressure, and may be a vibrating element used in an oscillator or the like, for example. Moreover, the atmosphere of the internal space S that accommodates the functional element piece 6 is not limited to the reduced pressure state, and can be appropriately changed according to the type of the functional element piece 6 and the like. For example, when an element that detects acceleration is used as a functional element (see, for example, JP-A-2015-62040), the internal space S should be in an atmospheric pressure state filled with an inert gas such as nitrogen or argon. it can.

１…電子デバイス、２…ベース基板、３…ジャイロセンサー素子、４…基体、５…蓋体、６…機能素子片、９…ＩＣ、２１…端子、２２…実装端子、４０…ガラス基板、４０ａ…第１の面、４１…凹部、４１ａ…内底面、４２…側壁、４２ａ…第１の側壁、４２ｂ…第２の側壁、４２ｃ…第３の側壁、４３…溝部、４３ａ…第１の平坦面、４３ｂ…第２の平坦面、４４，４５，４６，４７…溝部、４８…ポスト、４９…段差部、４９ａ…第１の段差部、４９ｂ…第２の段差部、５１…凹部、５２…封止孔、５３…封止材、６０，６０ａ，６０ｂ…構造体、６１…振動部、６２…駆動バネ部、６３…固定部、６４…可動駆動電極、６５，６６…固定駆動電極、６７…検出用フラップ板、６８…梁部、７９…固定検出電極、６００…シリコン基板、７１１，７２１，７３１，７４１，７５１…導電部としての配線、７１２，７２２，７３２，７４２，７５２…端子、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチールカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１５００…自動車、１５０１…車体、１５０２…車体姿勢制御装置、１５０３…車輪、Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３…導電性バンプ、ＢＷ１，ＢＷ２…ボンディングワイヤー、Ｃ…静電容量、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３…端部、Ｌ…線、Ｍ…モールド材、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４…マスク、Ｓ…内部空間、θ…交差角度、ωｙ…角速度。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic device, 2 ... Base substrate, 3 ... Gyro sensor element, 4 ... Base | substrate, 5 ... Cover, 6 ... Functional element piece, 9 ... IC, 21 ... Terminal, 22 ... Mounting terminal, 40 ... Glass substrate, 40a ... 1st surface, 41 ... Recess, 41a ... Inner bottom surface, 42 ... Side wall, 42a ... 1st side wall, 42b ... 2nd side wall, 42c ... 3rd side wall, 43 ... Groove part, 43a ... 1st flat Surface, 43b ... second flat surface, 44, 45, 46, 47 ... groove, 48 ... post, 49 ... step, 49a ... first step, 49b ... second step, 51 ... recess, 52 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Sealing hole, 53 ... Sealing material, 60, 60a, 60b ... Structure, 61 ... Vibrating part, 62 ... Drive spring part, 63 ... Fixed part, 64 ... Movable drive electrode, 65, 66 ... Fixed drive electrode, 67 ... Detection flap plate, 68 ... Beam, 79 ... Fixed detection electrode, 600 ... Silicon substrate 711, 721, 731, 741, 751... Wiring as a conductive part, 712, 722, 732, 742, 752... Terminal, 1100 ... personal computer, 1102 ... keyboard, 1104 ... main body part, 1106 ... display unit, 1108 ... display , 1200 ... mobile phone, 1202 ... operation button, 1204 ... earpiece, 1206 ... mouthpiece, 1208 ... display part, 1300 ... digital still camera, 1302 ... case, 1304 ... light receiving unit, 1306 ... shutter button, 1308 ... Memory, 1310 ... Display unit, 1500 ... Automobile, 1501 ... Car body, 1502 ... Car body posture control device, 1503 ... Wheel, B1, B2, B3 ... Conductive bump, BW1, BW2 ... Bonding wire, C ... Capacitance, D1 , D2, D3 ... end, L ... line, M ... mode Cold material, M1, M2, M3, M4 ... mask, S ... internal space, theta ... crossing angle, .omega.y ... angular velocity.

Claims (10)

基体の第１の面にマスクを配置する工程と、
前記基体の前記マスクの開口部から露出している部分を第１のエッチングをすることにより、前記基体に凹部を形成する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記凹部の側壁に複数のエッチングをすることにより、複数の段差部を形成する工程と、
前記複数の段差部を介して、前記第１の面から前記凹部の内底面に亘って、導電部を形成する工程と、
を含み、
前記複数の段差部のうち隣り合う第１の段差部と第２の段差部の互いに離れている側の端同士を結ぶ線と、前記第１の面又は前記内底面と、が交差する交差角度θは、１０ｄｅｇ＜θ＜２０ｄｅｇを満たしている、電子デバイスの製造方法。 Placing a mask on the first surface of the substrate;
Forming a recess in the base by first etching a portion of the base exposed from the opening of the mask;
Removing the mask;
Forming a plurality of stepped portions by performing a plurality of etchings on the sidewalls of the recesses;
Forming a conductive portion across the plurality of stepped portions from the first surface to the inner bottom surface of the recess;
Including
Intersection angle at which a line connecting adjacent ends of the first stepped portion and the second stepped portion among the plurality of stepped portions intersects the first surface or the inner bottom surface. θ is an electronic device manufacturing method that satisfies 10 deg <θ <20 deg. 請求項１において、
前記複数のエッチングは、ウェットエッチングである、電子デバイスの製造方法。 In claim 1,
The method of manufacturing an electronic device, wherein the plurality of etchings are wet etching. 請求項１又は請求項２において、
前記基体は、非晶質である、電子デバイスの製造方法。 In claim 1 or claim 2,
The method for manufacturing an electronic device, wherein the substrate is amorphous. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記導電部を形成する工程は、
前記基体に導電層を形成する工程と、
前記導電層をエッチングする工程と、
を含む、電子デバイスの製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 3,
The step of forming the conductive portion includes
Forming a conductive layer on the substrate;
Etching the conductive layer;
A method for manufacturing an electronic device, comprising: 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記導電部は、ＩＴＯ、アルミニウム、金、白金、およびそれらを積層してなる多層膜の何れかである、電子デバイスの製造方法。 In any one of Claims 1 thru | or 4,
The method for manufacturing an electronic device, wherein the conductive portion is any one of ITO, aluminum, gold, platinum, and a multilayer film formed by laminating them. 基体と、
前記基体に設けられている導電部と、
を含み、
前記基体の第１の面に形成されている凹部の側壁は、複数の段差部を含み、
前記導電部は、前記複数の段差部を介して、前記第１の面から前記凹部の内底面に亘って形成され、
前記複数の段差部のうち隣り合う第１の段差部と第２の段差部の互いに離れている側の端同士を結ぶ線と、前記第１の面又は前記内底面と、が交差する交差角度θは、１０ｄｅｇ＜θ＜２０ｄｅｇを満たしている、電子デバイス。 A substrate;
A conductive portion provided on the substrate;
Including
The side wall of the recess formed in the first surface of the base includes a plurality of step portions,
The conductive portion is formed from the first surface to the inner bottom surface of the recess through the plurality of step portions.
Intersection angle at which a line connecting adjacent ends of the first stepped portion and the second stepped portion among the plurality of stepped portions intersects the first surface or the inner bottom surface. θ is an electronic device that satisfies 10 deg <θ <20 deg. 請求項６において、
前記基体は、非晶質である、電子デバイス。 In claim 6,
An electronic device, wherein the substrate is amorphous. 請求項６又は請求項７において、
前記導電部は、ＩＴＯ、アルミニウム、金、白金、およびそれらを積層してなる多層膜の何れかである、電子デバイス。 In claim 6 or claim 7,
The conductive device is an electronic device that is any one of ITO, aluminum, gold, platinum, and a multilayer film formed by laminating them. 請求項６乃至請求項８のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えている、電子機器。   An electronic apparatus comprising the electronic device according to any one of claims 6 to 8. 請求項６乃至請求項８のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えている、移動体。   A moving body comprising the electronic device according to any one of claims 6 to 8.

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