JP2019030009A - Filter device, receiving module, antenna module, and receiving device - Google Patents

Filter device, receiving module, antenna module, and receiving device Download PDF

Info

Publication number
JP2019030009A
JP2019030009A JP2018142392A JP2018142392A JP2019030009A JP 2019030009 A JP2019030009 A JP 2019030009A JP 2018142392 A JP2018142392 A JP 2018142392A JP 2018142392 A JP2018142392 A JP 2018142392A JP 2019030009 A JP2019030009 A JP 2019030009A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
passband
filter device
filter
filters
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018142392A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7176878B2 (en
Inventor
奥道　武宏
Takehiro Okumichi
武宏 奥道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JP2019030009A publication Critical patent/JP2019030009A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7176878B2 publication Critical patent/JP7176878B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

To provide a filter device that can properly adjust impedance.SOLUTION: A pre-stage filter device 13 comprises a common terminal 23 and a plurality of pre-stage filters 19. The plurality of pre-stage filters 19 are connected to a common terminal 23, branched from each other when seen from the common terminal 23, and corresponded to a plurality of pass bands B1 to B4 different from each other. The value of impedance of the plurality of pre-stage filters 19 when seen from the common terminal 23 is different between in the pass band B4 and in the pass band B1.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、電気信号をフィルタリングする機能を有するフィルタデバイス、受信モジュールおよび受信装置に関する。   The present disclosure relates to a filter device, a reception module, and a reception apparatus having a function of filtering an electrical signal.

それぞれ共通端子に接続されている、互いに通過帯域が異なる複数のフィルタを有しているフィルタデバイスが知られている（例えば特許文献１）。特許文献１では、複数のフィルタの後段（共通端子とは反対側）に、インピーダンス整合のための整合回路、および信号を増幅するための増幅器を順に接続した構成が開示されている。   A filter device having a plurality of filters that are connected to a common terminal and have different passbands is known (for example, Patent Document 1). Patent Document 1 discloses a configuration in which a matching circuit for impedance matching and an amplifier for amplifying a signal are sequentially connected to a subsequent stage (opposite to a common terminal) of a plurality of filters.

特開２０１２−２４４６１５号公報JP2012-244615A

インピーダンスの調整を好適に行うことが可能なフィルタデバイス、受信モジュールおよび受信装置が提供されることが望まれる。   It is desirable to provide a filter device, a receiving module, and a receiving apparatus that can suitably adjust the impedance.

本開示の一態様に係るフィルタデバイスは、第１共通端子と、前記第１共通端子に接続され、前記第１共通端子から見て互いに分岐しており、互いに異なる複数の通過帯域に対応している複数のフィルタと、を有しており、前記複数の通過帯域は、第１通過帯域および第２通過帯域を含み、前記第１共通端子から前記複数のフィルタ側を見たインピーダンスは、前記第１通過帯域における第１の値と前記第２通過帯域における第２の値とが異なっている。   A filter device according to an aspect of the present disclosure is connected to a first common terminal and the first common terminal, and is branched from each other as viewed from the first common terminal, and corresponds to a plurality of different pass bands. A plurality of filters, wherein the plurality of passbands include a first passband and a second passband, and an impedance when the plurality of filter sides are viewed from the first common terminal is The first value in one pass band is different from the second value in the second pass band.

一例において、前記第１通過帯域は、前記複数の通過帯域のうち最も周波数が高い通過帯域であり、前記第１の値の絶対値は、前記第２の値の絶対値よりも小さい、または大きい。   In one example, the first passband is a passband having the highest frequency among the plurality of passbands, and the absolute value of the first value is smaller or larger than the absolute value of the second value. .

一例において、前記第１の値と前記第２の値とは、反射係数平面で０．３以上離れている。   In one example, the first value and the second value are separated by 0.3 or more on the reflection coefficient plane.

一例において、前記複数のフィルタそれぞれは、圧電基板と、当該圧電基板上に位置する励振電極とを有している弾性波フィルタを含んでいる。   In one example, each of the plurality of filters includes an elastic wave filter having a piezoelectric substrate and an excitation electrode positioned on the piezoelectric substrate.

一例において、前記複数のフィルタは、前記圧電基板を共有しているとともに、それぞれの前記励振電極を有している。   In one example, the plurality of filters share the piezoelectric substrate and have the respective excitation electrodes.

一例において、前記第１通過帯域は、前記第２通過帯域よりも周波数が高く、前記複数のフィルタにおいて、前記第１通過帯域に対応するフィルタは、前記第２通過帯域に対応するフィルタよりも前記励振電極の膜厚が薄い。   In one example, the first passband has a higher frequency than the second passband, and in the plurality of filters, the filter corresponding to the first passband is more than the filter corresponding to the second passband. The excitation electrode is thin.

一例において、前記フィルタデバイスは、前記複数のフィルタに対して前記第１共通端子とは反対側に接続されている第２共通端子をさらに有している。   In one example, the filter device further includes a second common terminal connected to the side opposite to the first common terminal with respect to the plurality of filters.

一例において、前記第１通過帯域および前記第２通過帯域の少なくとも一方は、比帯域幅が５％以上である。   In one example, at least one of the first passband and the second passband has a specific bandwidth of 5% or more.

一例において、前記第１通過帯域および前記第２通過帯域の前記一方は、比帯域幅が１０％以上である。   In one example, the one of the first passband and the second passband has a specific bandwidth of 10% or more.

本開示に係る受信モジュールは、前段増幅器と、前記前段増幅器の出力端子に接続されている前段フィルタデバイスと、を有しており、前記前段フィルタデバイスは、前記出力端子に接続され、前記出力端子から見て分岐しており、互いに異なる複数の通過帯域に対応している複数の前段フィルタを有しており、前記複数の通過帯域は、第１通過帯域および第２通過帯域を含み、前記出力端子から前記前段フィルタデバイス側を見たインピーダンスは、前記第１通過帯域における第１の値と前記第２通過帯域における第２の値とが異なっている。   The receiving module according to the present disclosure includes a pre-stage amplifier and a pre-stage filter device connected to an output terminal of the pre-stage amplifier, and the pre-stage filter device is connected to the output terminal and the output terminal And having a plurality of pre-filters corresponding to a plurality of different pass bands, the plurality of pass bands including a first pass band and a second pass band, and the output The impedance when the front filter device side is viewed from the terminal is different from the first value in the first pass band and the second value in the second pass band.

一例において、前記受信モジュールは、前記出力端子に接続されている整合回路をさらに有している。   In one example, the receiving module further includes a matching circuit connected to the output terminal.

一例において、前記整合回路は、前記出力端子と基準電位部との間に互いに並列に接続されているインダクタおよびキャパシタを有している。   In one example, the matching circuit includes an inductor and a capacitor connected in parallel to each other between the output terminal and a reference potential unit.

一例において、前記第１通過帯域および前記第２通過帯域の少なくとも一方は、比帯域幅が５％以上であり、前記複数の前段フィルタのうち、前記第１通過帯域および前記第２通過帯域の前記一方に対応しているフィルタは、ラダー型に接続されている複数の共振子を有しており、前記複数の共振子の少なくとも１つにインダクタが並列接続されている。   In one example, at least one of the first passband and the second passband has a specific bandwidth of 5% or more, and the first passband and the second passband of the plurality of pre-filters. The filter corresponding to one side has a plurality of resonators connected in a ladder shape, and an inductor is connected in parallel to at least one of the plurality of resonators.

一例において、前記受信モジュールは、前記複数の共振子同士の接続関係に対して電気的に対称な位置に複数の前記インダクタを有しており、電気的に互いに対称な位置の前記インダクタ同士は互いに同等のインダクタンスを有している。   In one example, the receiving module includes a plurality of the inductors at positions that are electrically symmetric with respect to a connection relationship between the plurality of resonators, and the inductors at positions that are electrically symmetric to each other. Has equivalent inductance.

一例において、前記受信モジュールは、前記複数の前段フィルタに対してその出力側に入力端子が接続されている後段増幅器をさらに有している。   In one example, the receiving module further includes a post-stage amplifier having an input terminal connected to the output side of the plurality of pre-stage filters.

一例において、前記受信モジュールは、前記前段フィルタデバイスの出力側に入力端子が接続されている複数の後段増幅器をさらに有しており、前記複数の後段増幅器は、前記複数の前段フィルタのうちの前記第１通過帯域に対応するフィルタに接続されている第１後段増幅器と、前記複数の前段フィルタのうちの前記第２通過帯域に対応するフィルタに接続されている第２後段増幅器と、を有している。   In one example, the receiving module further includes a plurality of rear-stage amplifiers whose input terminals are connected to an output side of the front-stage filter device, wherein the plurality of rear-stage amplifiers are the ones of the plurality of front-stage filters. A first post-stage amplifier connected to a filter corresponding to the first pass band; and a second post-stage amplifier connected to a filter corresponding to the second pass band of the plurality of pre-stage filters. ing.

一例において、前記複数の通過帯域は、第３通過帯域をさらに含み、前記前段増幅器の前記出力端子から前記前段フィルタデバイス側を見たインピーダンスは、前記第２の値と前記第３通過帯域における第３の値との反射係数平面における距離が、前記第１の値と前記第２の値との反射係数平面における距離および前記第１の値と前記第３の値との反射係数平面における距離それぞれよりも小さく、前記第２後段増幅器の入力端子は、前記複数の前段フィルタのうちの前記第３通過帯域に対応するフィルタにも接続されている。   In one example, the plurality of passbands further include a third passband, and the impedance when the front filter device side is viewed from the output terminal of the front stage amplifier is the second value and the third passband in the third passband. And the distance in the reflection coefficient plane between the first value and the second value, and the distance in the reflection coefficient plane between the first value and the third value, respectively. The input terminal of the second post-stage amplifier is also connected to a filter corresponding to the third passband of the plurality of pre-stage filters.

一例において、前記受信モジュールは、前記複数の後段増幅器の出力端子に接続されている、前記複数の通過帯域に対応する複数の後段フィルタを有しており、前記複数の後段フィルタのうち前記第１通過帯域に対応するフィルタは、前記第１後段増幅器の出力端子に接続されており、前記複数の後段フィルタのうち、前記第２通過帯域に対応するフィルタおよび前記第３通過帯域に対応するフィルタは、それぞれ前記第２後段増幅器の出力端子に接続されている。   In one example, the receiving module includes a plurality of rear-stage filters corresponding to the plurality of passbands connected to output terminals of the plurality of rear-stage amplifiers, and the first of the plurality of rear-stage filters. The filter corresponding to the pass band is connected to the output terminal of the first rear stage amplifier, and the filter corresponding to the second pass band and the filter corresponding to the third pass band among the plurality of rear stage filters are Are respectively connected to the output terminals of the second second-stage amplifier.

本開示に係るアンテナモジュールは、アンテナと、前記アンテナに入力側が接続されている、上記の受信モジュールと、を有している。   An antenna module according to the present disclosure includes an antenna and the reception module that is connected to the antenna on the input side.

一例において、前記アンテナは、当該アンテナの出力側から見た電圧定在波比が３．０以下となる周波数帯を複数有しており、前記第１通過帯域および前記第２通過帯域の少なくとも一方は、前記複数の周波数帯の２つ以上に重複する帯域幅を有している。   In one example, the antenna has a plurality of frequency bands in which a voltage standing wave ratio viewed from the output side of the antenna is 3.0 or less, and at least one of the first passband and the second passband Has a bandwidth that overlaps two or more of the plurality of frequency bands.

一例において、前記アンテナは、当該アンテナの出力側から見た電圧定在波比が３．０以下となる周波数帯を有しており、前記第１通過帯域および前記第２通過帯域ならびに前記第３通過帯域のすべてが、前記周波数帯に包含される帯域幅を有している。   In one example, the antenna has a frequency band in which a voltage standing wave ratio viewed from the output side of the antenna is 3.0 or less, and the first passband, the second passband, and the third passband All of the passbands have a bandwidth encompassed by the frequency band.

本開示に係る受信装置は、アンテナと、前記アンテナ端子に前記前段増幅器の入力端子が接続されている、上記受信モジュールと、前記受信モジュールの出力側に接続されているＩＣと、を有している。   A receiving device according to the present disclosure includes an antenna, the receiving module in which an input terminal of the pre-stage amplifier is connected to the antenna terminal, and an IC connected to an output side of the receiving module. Yes.

上記の構成によれば、インピーダンスの調整を好適に行うことが可能である。   According to said structure, it is possible to adjust an impedance suitably.

第１実施形態に係る受信装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the receiver which concerns on 1st Embodiment. 図１の受信装置の前段フィルタデバイスの要部構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the principal part structure of the front | former stage filter device of the receiver of FIG. 図２の前段フィルタデバイスの共振子の要部構成を示す模式的な平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view showing a main configuration of a resonator of the front-stage filter device in FIG. 2. 図２の前段フィルタデバイスの一部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a part of front | former stage filter device of FIG. 図５（ａ）は、図２の前段フィルタデバイスの通過帯域およびインピーダンスの絶対値を示す図であり、図５（ｂ）は、図２の前段フィルタデバイスの通過帯域およびインピーダンスの実部を示す図である。5A is a diagram illustrating the absolute values of the pass band and the impedance of the front-stage filter device of FIG. 2, and FIG. 5B is a diagram illustrating the real part of the pass-band and the impedance of the front-stage filter device of FIG. FIG. 図２の前段フィルタデバイスのインピーダンスを反射係数平面において示すスミスチャートである。3 is a Smith chart showing the impedance of the pre-stage filter device of FIG. 2 in the reflection coefficient plane. 図７（ａ）、図７（ｂ）、図７（ｃ）および図７（ｄ）は、図２の前段フィルタデバイスの作用の一例を説明するための図である。FIG. 7A, FIG. 7B, FIG. 7C, and FIG. 7D are diagrams for explaining an example of the operation of the front-stage filter device of FIG. 図８（ａ）、図８（ｂ）、図８（ｃ）および図８（ｄ）は、図２の前段フィルタデバイスの作用の一例を説明するための他の図である。FIG. 8A, FIG. 8B, FIG. 8C, and FIG. 8D are other diagrams for explaining an example of the operation of the front-stage filter device of FIG. 第２実施形態に係る受信装置の要部構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the principal part structure of the receiver which concerns on 2nd Embodiment. 第３実施形態に係る受信装置の要部構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the principal part structure of the receiver which concerns on 3rd Embodiment. 図１０の受信装置の前段フィルタデバイスの要部構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the principal part structure of the front | former stage filter device of the receiver of FIG. 図１１の前段フィルタデバイスの通過帯域を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the pass band of the pre-stage filter device of FIG. 図１０の受信装置のアンテナモジュールの構成例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structural example of the antenna module of the receiver of FIG. 第４実施形態に係る前段フィルタデバイスの要部構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the principal part structure of the front | former stage filter device which concerns on 4th Embodiment.

以下、図面を参照して実施形態について説明する。なお、以下の説明においては、「第１前段フィルタ１９Ａ」および「第２前段フィルタ１９Ｂ」のように、同一、類似または対応する構成について、異なる大文字のアルファベットを付すことがある。また、この場合において、単に「前段フィルタ１９」のように、大文字のアルファベットを省略して両者を区別しないことがある。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. In the following description, different uppercase alphabets may be applied to the same, similar, or corresponding components such as “first pre-stage filter 19A” and “second pre-stage filter 19B”. In this case, the uppercase alphabet may be omitted and the two may not be distinguished, just like the “pre-filter 19”.

第２実施形態以降においては、基本的に、既に説明された実施形態との相違部分のみについて説明する。特に言及がない事項については、既に説明された実施形態と同様とされてよい。第２実施形態以降において、既に説明された実施形態の構成と同一又は類似する構成について、既に説明された実施形態の構成に付された符号を付すことがある。既に説明された実施形態の構成に対応（類似）する構成に対して、既に説明された実施形態の構成に付された符号とは異なる符号を付した場合においても、特に言及のない事項については、既に説明された実施形態の構成と同様とされてよい。   In the second and subsequent embodiments, basically only the differences from the previously described embodiments will be described. Matters that are not particularly mentioned may be the same as those already described in the embodiment. In the second and subsequent embodiments, the same or similar configuration as the configuration of the already described embodiment may be denoted by the reference numerals given to the configuration of the already described embodiment. Even in the case where a configuration corresponding to (similar to) the configuration of the embodiment already described is denoted by a reference numeral different from that of the configuration of the embodiment already described, matters that are not particularly referred to The configuration may be the same as that of the embodiment already described.

［第１実施形態］
（受信装置の全体構成）
図１は、第１実施形態に係る受信装置１の要部構成を示す模式図である。 [First Embodiment]
(Overall configuration of receiving device)
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a main configuration of the receiving device 1 according to the first embodiment.

受信装置１は、例えば、電波を受信して所定の処理を実行する装置として構成されている。受信装置１は、例えば、電波の受信側から順に、アンテナ３、受信モジュール５、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）７およびＢＢ−ＩＣ（Base Band Integrated Circuit）９が接続されて構成されている。   The receiving device 1 is configured as a device that receives radio waves and executes predetermined processing, for example. The receiving device 1 is configured by connecting, for example, an antenna 3, a receiving module 5, an RF-IC (Radio Frequency Integrated Circuit) 7 and a BB-IC (Base Band Integrated Circuit) 9 in order from the radio wave receiving side. .

アンテナ３は、受信した無線信号（電波）を電気信号に変換する。受信モジュール５は、アンテナ３からの電気信号を増幅するとともに、当該電気信号から所定の通過帯域（後述するように複数の通過帯域）の電気信号を取り出して出力する。ＲＦ−ＩＣ７は、例えば、受信モジュール５からの電気信号に対して、復調、周波数の引き下げ、及びデジタル化を行う。ＢＢ−ＩＣ９は、例えば、ＲＦ−ＩＣ７からの信号に対して種々の処理を行う。   The antenna 3 converts the received radio signal (radio wave) into an electric signal. The receiving module 5 amplifies the electric signal from the antenna 3 and extracts and outputs an electric signal in a predetermined pass band (a plurality of pass bands as described later) from the electric signal. For example, the RF-IC 7 performs demodulation, frequency reduction, and digitization on the electrical signal from the reception module 5. For example, the BB-IC 9 performs various processes on the signal from the RF-IC 7.

受信装置１は、種々の用途に用いられてよく、その用途に応じて、搬送周波数（受信モジュール５の通過帯域の周波数）、ベースバンドの周波数およびＢＢ−ＩＣ９の処理内容等が決定されてよい。例えば、受信装置１は、ＧＰＳ（Global Positioning System）等のＧＮＳＳ（Global Navigation Satellite System）に用いられるものである。受信モジュール５の通過帯域は、例えば、ＧＮＳＳの規格に従って設定されてよく、一例として、１０００ＭＨｚ以上３０００ＭＨｚ以下である。   The receiving apparatus 1 may be used for various applications, and the carrier frequency (the frequency of the pass band of the receiving module 5), the baseband frequency, the processing content of the BB-IC 9 and the like may be determined according to the applications. . For example, the receiving device 1 is used for a GNSS (Global Navigation Satellite System) such as GPS (Global Positioning System). For example, the pass band of the reception module 5 may be set in accordance with the GNSS standard, and is, for example, 1000 MHz to 3000 MHz.

なお、この例では、受信モジュール５の出力側にＲＦ−ＩＣ７とＢＢ−ＩＣ９とが接続された場合を例に説明したが、この限りではない。例えば、ＲＦ−ＩＣ７とＢＢ−ＩＣ９とが一体化されたＩＣを用いてもよい。   In this example, the case where the RF-IC 7 and the BB-IC 9 are connected to the output side of the reception module 5 has been described as an example, but this is not restrictive. For example, an IC in which RF-IC 7 and BB-IC 9 are integrated may be used.

（受信モジュールの構成）
受信モジュール５は、例えば、アンテナ３側から順に、前段増幅器１１、前段フィルタデバイス１３、後段増幅器１５Ａおよび後段増幅器１５Ｂおよび後段フィルタデバイス１７を有している。 (Receiver module configuration)
The reception module 5 includes, for example, a front-stage amplifier 11, a front-stage filter device 13, a rear-stage amplifier 15A, a rear-stage amplifier 15B, and a rear-stage filter device 17 in order from the antenna 3 side.

前段増幅器１１は、入力端子１１ａおよび出力端子１１ｂを有しており、入力端子１１ａに入力された電気信号を増幅して出力端子１１ｂから出力する。入力端子１１ａは、アンテナ３に接続されている。前段増幅器１１は、例えば、いわゆる低雑音増幅器（ＬＮＡ：Low Noise Amplifier）によって構成されてよい。ＬＮＡのＮＦ（Noise Figure）は、例えば、０．５ｄＢ以上１ｄＢ以下である。   The pre-amplifier 11 has an input terminal 11a and an output terminal 11b, amplifies the electric signal input to the input terminal 11a, and outputs the amplified signal from the output terminal 11b. The input terminal 11 a is connected to the antenna 3. The preamplifier 11 may be configured by, for example, a so-called low noise amplifier (LNA). The NF (Noise Figure) of the LNA is, for example, not less than 0.5 dB and not more than 1 dB.

なお、前段増幅器１１の構成は、種々の公知の構成と同様とされてよい。特に図示しないが、前段増幅器１１は、例えば、電源端子、入力信号の基準電位端子、出力信号の基準電位端子、制御用（例えば前段増幅器１１のＯＮ・ＯＦＦ用）端子を有している。入力端子１１ａは、図示の例では１つだが、２つであってもよい。このように増幅器の構成が公知の構成とされてよいことは、後段増幅器１５についても同様である。   The configuration of the preamplifier 11 may be the same as various known configurations. Although not particularly illustrated, the pre-stage amplifier 11 includes, for example, a power supply terminal, a reference potential terminal for an input signal, a reference potential terminal for an output signal, and a control terminal (for example, ON / OFF for the pre-stage amplifier 11). The number of input terminals 11a is one in the illustrated example, but may be two. In this way, the configuration of the amplifier may be a known configuration, as is the case with the post-stage amplifier 15.

前段フィルタデバイス１３は、前段増幅器１１の出力端子１１ｂに接続された複数（図示の例では４つ）の第１前段フィルタ１９Ａ〜第４前段フィルタ１９Ｄを有している。各前段フィルタ１９は、入力された電気信号から所定の周波数帯（通過帯域）の信号を取り出して出力する。複数の前段フィルタ１９の通過帯域は互いに異なっている。   The pre-stage filter device 13 includes a plurality of (four in the illustrated example) first pre-stage filter 19A to fourth pre-stage filter 19D connected to the output terminal 11b of the pre-stage amplifier 11. Each pre-stage filter 19 extracts and outputs a signal of a predetermined frequency band (pass band) from the input electrical signal. The pass bands of the plurality of pre-stage filters 19 are different from each other.

後段増幅器１５は、入力端子１５ａおよび出力端子１５ｂを有しており、入力端子１５ａに入力された電気信号を増幅して出力端子１５ｂから出力する。後段増幅器１５は、例えば、前段増幅器１１と同様に、ＬＮＡによって構成されている。なお、前段増幅器１１、後段増幅器１５Ａおよび後段増幅器１５Ｂは、互いに同一の構成（同一の製品）であってもよいし、互いに異なる構成であってもよい。   The post-stage amplifier 15 has an input terminal 15a and an output terminal 15b, amplifies the electric signal input to the input terminal 15a, and outputs the amplified signal from the output terminal 15b. The post-stage amplifier 15 is configured by an LNA, for example, like the pre-stage amplifier 11. Note that the pre-stage amplifier 11, the post-stage amplifier 15A, and the post-stage amplifier 15B may have the same configuration (the same product), or may have different configurations.

後段増幅器１５Ａの入力端子１５ａは、第１前段フィルタ１９Ａ〜第３前段フィルタ１９Ｃの出力端子２５（図２参照）に接続されている。従って、第１前段フィルタ１９Ａ〜第３前段フィルタ１９Ｃそれぞれの通過帯域の電気信号は、１つに纏められて後段増幅器１５Ａに入力される。なお、図２では、出力端子２５は、第１前段フィルタ１９Ａ〜第３前段フィルタ１９Ｃのそれぞれに設けられているが、これら３つの前段フィルタ１９に共通して１つの出力端子２５が設けられていてもよい。一方、後段増幅器１５Ｂの入力端子１５ａは、第４前段フィルタ１９Ｄの出力端子２５のみに接続されている。   The input terminal 15a of the post-stage amplifier 15A is connected to the output terminal 25 (see FIG. 2) of the first pre-stage filter 19A to the third pre-stage filter 19C. Accordingly, the electrical signals in the passbands of the first pre-filter 19A to the third pre-filter 19C are combined into one and input to the post-stage amplifier 15A. In FIG. 2, the output terminal 25 is provided in each of the first pre-filter 19 </ b> A to the third pre-filter 19 </ b> C, but one output terminal 25 is provided in common to these three pre-filters 19. May be. On the other hand, the input terminal 15a of the post-stage amplifier 15B is connected only to the output terminal 25 of the fourth pre-stage filter 19D.

後段フィルタデバイス１７は、後段増幅器１５の出力端子１５ｂに接続された複数（図示の例では４つ）の第１後段フィルタ２１Ａ〜第４後段フィルタ２１Ｄを有している。各後段フィルタ２１は、入力された電気信号から所定の周波数帯（通過帯域）の信号を取り出して出力する。複数の後段フィルタ２１の通過帯域は互いに異なっている。   The post-stage filter device 17 has a plurality of (four in the illustrated example) first post-stage filter 21A to fourth post-stage filter 21D connected to the output terminal 15b of the post-stage amplifier 15. Each post-filter 21 extracts and outputs a signal in a predetermined frequency band (pass band) from the input electrical signal. The pass bands of the plurality of post-filters 21 are different from each other.

複数の後段フィルタ２１の数は、例えば、複数の前段フィルタ１９の数と同一である。また、各後段フィルタ２１の通過帯域は、符号に同一の大文字のアルファベットを付した前段フィルタ１９の通過帯域と同一である。すなわち、第１後段フィルタ２１Ａの通過帯域は、第１前段フィルタ１９Ａの通過帯域と同一である。第２後段フィルタ２１Ｂの通過帯域は、第２前段フィルタ１９Ｂの通過帯域と同一である。第３後段フィルタ２１Ｃの通過帯域は、第３前段フィルタ１９Ｃの通過帯域と同一である。第４後段フィルタ２１Ｄの通過帯域は、第４前段フィルタ１９Ｄの通過帯域と同一である。互いに同一の通過帯域の前段フィルタ１９と後段フィルタ２１とは、互いに同一の構成であってもよいし、互いに異なる構成であってもよい。   The number of the plurality of rear-stage filters 21 is, for example, the same as the number of the plurality of front-stage filters 19. In addition, the pass band of each post-stage filter 21 is the same as the pass band of the pre-stage filter 19 with the same capital letters added to the reference numerals. That is, the pass band of the first second-stage filter 21A is the same as the pass band of the first first-stage filter 19A. The pass band of the second post-stage filter 21B is the same as the pass band of the second pre-stage filter 19B. The pass band of the third post-filter 21C is the same as the pass band of the third pre-filter 19C. The pass band of the fourth post filter 21D is the same as the pass band of the fourth pre filter 19D. The front-stage filter 19 and the rear-stage filter 21 having the same passband may be the same configuration or different from each other.

第１後段フィルタ２１Ａ〜第３後段フィルタ２１Ｃは、それぞれ後段増幅器１５Ａの出力端子１５ｂに接続されている。従って、第１前段フィルタ１９Ａ〜第３前段フィルタ１９Ｃそれぞれの通過帯域の電気信号は、後段増幅器１５Ａによって共に増幅された後、再度、第１後段フィルタ２１Ａ〜第３後段フィルタ２１Ｃによって、これらの通過帯域の信号に分けられる。一方、第４後段フィルタ２１Ｄは、後段増幅器１５Ｂの出力端子１５ｂに接続されている。   The first post-stage filter 21A to the third post-stage filter 21C are connected to the output terminal 15b of the post-stage amplifier 15A, respectively. Accordingly, the electric signals in the pass bands of the first pre-stage filter 19A to the third pre-stage filter 19C are amplified together by the post-stage amplifier 15A, and then passed again by the first post-stage filter 21A to the third post-stage filter 21C. It is divided into band signals. On the other hand, the fourth post-stage filter 21D is connected to the output terminal 15b of the post-stage amplifier 15B.

複数の後段フィルタ２１は、例えば、出力側が互いに接続されている。従って、複数の後段フィルタ２１によってフィルタリングされた複数の通過帯域の電気信号は、１つに纏められてＲＦ−ＩＣ７に入力される。   For example, the plurality of rear-stage filters 21 are connected to each other on the output side. Therefore, the plurality of passband electrical signals filtered by the plurality of post-filters 21 are combined into one and input to the RF-IC 7.

以上のように、受信モジュール５全体は、入力された電気信号から複数の通過帯域の信号を抽出し、これを纏めて出力する。この際、電気信号の増幅も行われる。また、信号の増幅および抽出は、受信モジュール５内において２段階で行われる。なお、前段フィルタデバイス１３は、デマルチプレクサとして捉えられてよく、後段フィルタデバイス１７または受信モジュール５（前段フィルタデバイス１３および後段フィルタデバイス１７の組み合わせ）はマルチプレクサと捉えられてよい。   As described above, the entire receiving module 5 extracts a plurality of passband signals from the input electrical signal, and collectively outputs them. At this time, an electric signal is also amplified. Signal amplification and extraction are performed in two stages in the receiving module 5. The front-stage filter device 13 may be regarded as a demultiplexer, and the rear-stage filter device 17 or the reception module 5 (a combination of the front-stage filter device 13 and the rear-stage filter device 17) may be regarded as a multiplexer.

ＲＦ−ＩＣ７および／またはＢＢ−ＩＣ９は、不図示のデマルチプレクサを含んでおり、入力された電気信号を複数の前段フィルタ１９（後段フィルタ２１）の通過帯域（ＢＢ−ＩＣ９の場合は対応する通過帯域等）の信号に分波する。そして、ＢＢ−ＩＣ９は、分波された信号を選択的に利用する処理、および／または分波された信号を併用する処理を実行する。   The RF-IC 7 and / or the BB-IC 9 include a demultiplexer (not shown), and the input electric signal passes through the pass band (in the case of the BB-IC 9, a corresponding pass in the case of the BB-IC 9). (Such as band). Then, the BB-IC 9 executes processing for selectively using the demultiplexed signal and / or processing for using the demultiplexed signal together.

（フィルタデバイスの構成）
図２は、前段フィルタデバイス１３の要部構成を示す模式図である。 (Configuration of filter device)
FIG. 2 is a schematic diagram showing the main configuration of the pre-stage filter device 13.

前段フィルタデバイス１３は、既述の複数の前段フィルタ１９と、複数の前段フィルタ１９がそれぞれ接続されている共通端子２３と、複数の前段フィルタ１９毎に設けられた出力端子２５とを有している。複数の前段フィルタ１９は、共通端子２３から見て互いに分岐している。   The front-stage filter device 13 includes a plurality of the front-stage filters 19 described above, a common terminal 23 to which the plurality of front-stage filters 19 are connected, and an output terminal 25 provided for each of the plurality of front-stage filters 19. Yes. The plurality of pre-stage filters 19 are branched from each other when viewed from the common terminal 23.

なお、図示の例では、共通端子２３と複数の前段フィルタ１９との間の配線（符号省略）が分岐しているが、複数の前段フィルタ１９から延びる複数の配線が互いに独立に共通端子２３に接続されていてもよい。出力端子２５は、既述のように一部が共用されてもよく、また、本実施形態とは異なり、全部が共用されても構わない。   In the example shown in the figure, wirings (not shown) between the common terminal 23 and the plurality of pre-stage filters 19 are branched, but a plurality of wirings extending from the plurality of pre-stage filters 19 are connected to the common terminal 23 independently of each other. It may be connected. As described above, a part of the output terminal 25 may be shared, and unlike the present embodiment, the entire output terminal 25 may be shared.

各前段フィルタ１９は、例えば、いわゆるラダー型共振子フィルタによって構成されている。なお、図２では、４つの前段フィルタ１９を代表して、第１前段フィルタ１９Ａおよび第２前段フィルタ１９Ｂについて、ラダー型共振子フィルタの構成を示している。   Each pre-stage filter 19 is constituted by, for example, a so-called ladder type resonator filter. In FIG. 2, the configuration of the ladder-type resonator filter is shown for the first pre-stage filter 19 </ b> A and the second pre-stage filter 19 </ b> B on behalf of the four pre-stage filters 19.

ラダー型共振子フィルタは、共通端子２３と出力端子２５との間に直列に接続された複数（１つでも可）の直列共振子２７Ｓと、その直列のライン（直列腕）と基準電位とを接続する複数（１つでも可）の並列共振子２７Ｐ（並列腕）とを有している（以下、単に共振子２７といい、両者を区別しないことがある。）。換言すれば、前段フィルタ１９は、ラダー型に接続された複数の共振子２７を有している。   The ladder type resonator filter includes a plurality (or one) of series resonators 27S connected in series between the common terminal 23 and the output terminal 25, a series line (series arm), and a reference potential. A plurality of (or even one) parallel resonators 27P (parallel arms) to be connected are included (hereinafter simply referred to as resonators 27, and they may not be distinguished from each other). In other words, the pre-filter 19 has a plurality of resonators 27 connected in a ladder shape.

複数の直列共振子２７Ｓは、基本的に、共振周波数が互いに同等とされるとともに、***振周波数が互いに同等とされている。複数の並列共振子２７Ｐは、基本的に、共振周波数が互いに同等とされるとともに、***振周波数が互いに同等とされている。また、直列共振子２７Ｓの共振周波数と並列共振子２７Ｐの***振周波数とは概ね同等とされている。これにより、並列共振子２７Ｐの共振周波数から直列共振子２７Ｓの***振周波数までの周波数範囲よりも若干狭い範囲を通過帯域とするフィルタが構成される。   The plurality of series resonators 27S basically have the same resonance frequency and the same anti-resonance frequency. The plurality of parallel resonators 27P basically have the same resonance frequency and the same anti-resonance frequency. Further, the resonance frequency of the series resonator 27S and the anti-resonance frequency of the parallel resonator 27P are substantially equal. As a result, a filter having a pass band in a slightly narrower range than the frequency range from the resonance frequency of the parallel resonator 27P to the antiresonance frequency of the series resonator 27S is configured.

なお、直列共振子２７Ｓの数および並列共振子２７Ｐの数は、前段フィルタ１９毎に適宜に設定されてよい。また、最も共通端子２３側または最も出力端子２５側の共振子２７が、直列共振子２７Ｓおよび並列共振子２７Ｐのいずれであるかも、前段フィルタ１９毎に適宜に設定されてよい。   Note that the number of series resonators 27 </ b> S and the number of parallel resonators 27 </ b> P may be appropriately set for each pre-stage filter 19. Further, whether the resonator 27 on the most common terminal 23 side or the most output terminal 25 side is either the series resonator 27S or the parallel resonator 27P may be appropriately set for each pre-stage filter 19.

特に図示しないが、後段フィルタデバイス１７は、例えば、図２に示す前段フィルタデバイス１３と同様に、ラダー型共振子フィルタによって構成されてよい。ただし、後段フィルタデバイス１７の共通端子２３は、ＲＦ−ＩＣ７に接続される。また、後段フィルタデバイス１７において、前段フィルタデバイス１３の出力端子２５に相当する端子は、入力端子として機能し、後段増幅器１５の出力端子１５ｂに接続される。共振子２７の数および配置は、後段フィルタ２１毎に適宜に設定されてよい。   Although not particularly illustrated, the post-filter device 17 may be configured by a ladder-type resonator filter, for example, similarly to the pre-filter device 13 illustrated in FIG. However, the common terminal 23 of the post-filter device 17 is connected to the RF-IC 7. Further, in the post-stage filter device 17, a terminal corresponding to the output terminal 25 of the pre-stage filter device 13 functions as an input terminal and is connected to the output terminal 15 b of the post-stage amplifier 15. The number and arrangement of the resonators 27 may be set as appropriate for each subsequent-stage filter 21.

（共振子の構成）
図３は、共振子２７の要部構成を示す模式的な平面図である。 (Configuration of resonator)
FIG. 3 is a schematic plan view showing the main configuration of the resonator 27.

なお、共振子２７は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいが、以下では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義するとともに、Ｄ３軸の正側を上方として、上面、下面等の用語を用いることがある。また、平面視または平面透視という場合、特に断りがない限りは、Ｄ３軸方向に見ることをいう。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電基板の上面に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電基板の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電基板の上面に直交するように定義されている。   Although the direction of the resonator 27 may be either upward or downward, in the following, for the sake of convenience, an orthogonal coordinate system composed of the D1 axis, the D2 axis, and the D3 axis is defined, and the positive direction of the D3 axis is defined. In some cases, terms such as the upper surface and the lower surface are used with the side as the upper side. Further, in the case of planar view or planar see-through, it means viewing in the D3 axis direction unless otherwise specified. The D1 axis is defined to be parallel to the propagation direction of SAW propagating along the upper surface of the piezoelectric substrate, which will be described later, and the D2 axis is defined to be parallel to the upper surface of the piezoelectric substrate and orthogonal to the D1 axis. , D3 axis is defined to be orthogonal to the upper surface of the piezoelectric substrate.

共振子２７は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を利用するＳＡＷ共振子によって構成されている。より具体的には、共振子２７は、例えば、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子によって構成されており、紙面両側に図示された２つの配線２９の一方から電気信号が入力されると所定の周波数において共振を生じ、その共振を生じた信号を２つの配線２９の他方へ出力する。   The resonator 27 is configured by, for example, a SAW resonator that uses a surface acoustic wave (SAW). More specifically, the resonator 27 is formed of, for example, a so-called 1-port SAW resonator, and resonates at a predetermined frequency when an electric signal is input from one of the two wirings 29 illustrated on both sides of the paper. And the signal causing the resonance is output to the other of the two wirings 29.

共振子２７は、例えば、圧電基板３１と、圧電基板３１の上面に設けられたＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極３３と、ＩＤＴ電極３３の両側に位置する１対の反射器３５とを含んでいる。   The resonator 27 includes, for example, a piezoelectric substrate 31, an IDT (Inter Digital Transducer) electrode 33 provided on the upper surface of the piezoelectric substrate 31, and a pair of reflectors 35 located on both sides of the IDT electrode 33. .

圧電基板３１は、例えば、圧電性を有する単結晶によって構成されている。単結晶は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）または水晶（ＳｉＯ２）からなる。圧電基板３１のカット角、平面形状および各種寸法は適宜に設定されてよい。圧電基板３１の下面には、温度変化による共振子２７の特性変化を補償するための基板が貼り合わされていてもよい。 The piezoelectric substrate 31 is made of, for example, a single crystal having piezoelectricity. The single crystal is made of, for example, lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), or quartz (SiO 2 ). The cut angle, planar shape, and various dimensions of the piezoelectric substrate 31 may be set as appropriate. A substrate for compensating for a change in the characteristics of the resonator 27 due to a temperature change may be bonded to the lower surface of the piezoelectric substrate 31.

ＩＤＴ電極３３および反射器３５は、圧電基板３１上に設けられた層状導体によって構成されている。ＩＤＴ電極３３および反射器３５は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、Ａｌ等の金属である。層状導体は、複数の金属層から構成されていてもよい。層状導体の厚さは、共振子２７に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ〜６００ｎｍである。   The IDT electrode 33 and the reflector 35 are configured by layered conductors provided on the piezoelectric substrate 31. The IDT electrode 33 and the reflector 35 are made of the same material and thickness, for example. The layered conductor constituting these is, for example, a metal such as Al. The layered conductor may be composed of a plurality of metal layers. The thickness of the layered conductor is appropriately set according to the electrical characteristics required for the resonator 27. As an example, the thickness of the layered conductor is 50 nm to 600 nm.

ＩＤＴ電極３３は、１対の櫛歯電極３７を含んでいる。なお、視認性を良くするために、一方の櫛歯電極３７にはハッチングを付している。各櫛歯電極３７は、バスバー３９と、バスバー３９から互いに並列に延びる複数の電極指４１と、複数の電極指４１間においてバスバー３９から突出するダミー電極４３とを含んでいる。１対の櫛歯電極３７は、複数の電極指４１が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。   The IDT electrode 33 includes a pair of comb electrodes 37. In addition, in order to improve visibility, one comb-tooth electrode 37 is hatched. Each comb-tooth electrode 37 includes a bus bar 39, a plurality of electrode fingers 41 extending in parallel with each other from the bus bar 39, and a dummy electrode 43 protruding from the bus bar 39 between the plurality of electrode fingers 41. The pair of comb electrodes 37 are arranged so that the plurality of electrode fingers 41 mesh with each other (intersect).

各電極指４１は、例えば、一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びている。一方の櫛歯電極３７の複数の電極指４１と他方の櫛歯電極３７の複数の電極指４１とは、ＳＡＷの伝搬方向において、基本的には交互に配置されている。複数の電極指４１のピッチｐ（例えば互いに隣り合う２本の電極指４１の中心間距離）は、ＩＤＴ電極３３内において基本的に一定である。   Each electrode finger 41, for example, has a constant width and extends linearly in a direction (D2 axis direction) perpendicular to the SAW propagation direction. The plurality of electrode fingers 41 of one comb-teeth electrode 37 and the plurality of electrode fingers 41 of the other comb-teeth electrode 37 are basically alternately arranged in the SAW propagation direction. The pitch p of the plurality of electrode fingers 41 (for example, the distance between the centers of the two electrode fingers 41 adjacent to each other) is basically constant in the IDT electrode 33.

なお、電極指４１の本数、長さおよび幅等は、共振子２７に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。なお、図３は模式図であることから、電極指４１の本数は少なく示されている。ＩＤＴ電極３３は、いわゆるアポダイズが施されてもよいし、ダミー電極４３を有さないものであってもよいし、ＩＤＴ電極３３の一部に狭ピッチ部または広ピッチ部を有するものであってもよい。   Note that the number, length, width, and the like of the electrode fingers 41 may be set as appropriate in accordance with electrical characteristics required for the resonator 27. Since FIG. 3 is a schematic diagram, the number of electrode fingers 41 is small. The IDT electrode 33 may be so-called apodized, may not have the dummy electrode 43, and has a narrow pitch portion or a wide pitch portion in a part of the IDT electrode 33. Also good.

反射器３５は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に並列に延びる複数のストリップ電極（符号省略）を有する格子状に形成されている。そのピッチは、ＩＤＴ電極３３の電極指４１のピッチと略同等である。反射器３５とＩＤＴ電極３３との間隔は、例えば、電極指４１のピッチと略同等である。各反射器３５は、例えば、電気的に浮遊状態とされてもよいし、基準電位が付与されてもよい。   For example, the reflector 35 is formed in a lattice shape having a plurality of strip electrodes (reference numerals omitted) extending in parallel in a direction orthogonal to the SAW propagation direction. The pitch is substantially the same as the pitch of the electrode fingers 41 of the IDT electrode 33. The distance between the reflector 35 and the IDT electrode 33 is substantially equal to the pitch of the electrode fingers 41, for example. Each reflector 35 may be in an electrically floating state, for example, or may be provided with a reference potential.

なお、特に図示しないが、圧電基板３１の上面は、ＩＤＴ電極３３および反射器３５の上から、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４等からなる保護膜によって覆われていてもよい。保護膜は、単にＩＤＴ電極３３等の腐食を抑制するためのものであってもよいし、温度補償に寄与するものであってもよい。また、保護膜が設けられる場合等において、ＩＤＴ電極３３および反射器３５の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。 Although not particularly illustrated, the upper surface of the piezoelectric substrate 31 may be covered with a protective film made of SiO 2 or Si 3 N 4 from above the IDT electrode 33 and the reflector 35. The protective film may be merely for suppressing corrosion of the IDT electrode 33 or the like, or may contribute to temperature compensation. Further, when a protective film is provided, an additional film made of an insulator or metal may be provided on the upper or lower surface of the IDT electrode 33 and the reflector 35 in order to improve the SAW reflection coefficient.

ＩＤＴ電極３３によって圧電基板３１の上面に電圧が印加されることによって圧電基板３１の上面をＤ１軸方向に伝搬するＳＡＷが励振され、ピッチｐを半波長とするＳＡＷの定在波が立つ。この定在波により生じた信号は、ＩＤＴ電極３３によって取り出される。このようにして、共振子２７における共振が利用される。共振子２７の共振周波数は、定在波（ピッチｐを半波長とするＳＡＷ）の周波数と概ね同等となる。***振周波数は、共振周波数と容量比とによって決定され、容量比は、主として圧電基板３１によって規定され、電極指４１の本数、交差幅または膜厚等によって調整される。   When a voltage is applied to the upper surface of the piezoelectric substrate 31 by the IDT electrode 33, SAW propagating on the upper surface of the piezoelectric substrate 31 in the D1-axis direction is excited, and a SAW standing wave having a half-wavelength pitch p is generated. A signal generated by this standing wave is taken out by the IDT electrode 33. In this way, the resonance in the resonator 27 is used. The resonance frequency of the resonator 27 is substantially equal to the frequency of the standing wave (SAW having the pitch p as a half wavelength). The anti-resonance frequency is determined by the resonance frequency and the capacitance ratio, and the capacitance ratio is mainly defined by the piezoelectric substrate 31 and is adjusted by the number of electrode fingers 41, the crossing width, the film thickness, or the like.

（圧電基板の共用）
図２に戻る。この図では、紙面左上の直列共振子２７Ｓにおいて符号を付しているように、１つの櫛歯電極３７を２叉のフォーク形状で模式的に示し、１つの反射器３５を屈曲部を有する直線で模式的に示している。また、圧電基板３１も模式的に示されている。 (Shared piezoelectric substrate)
Returning to FIG. In this figure, one comb-tooth electrode 37 is schematically shown in a bifurcated fork shape, as indicated by a symbol in the series resonator 27S at the upper left of the page, and one reflector 35 is a straight line having a bent portion. This is shown schematically. A piezoelectric substrate 31 is also schematically shown.

各前段フィルタ１９において、複数の共振子２７は、例えば、共通の圧電基板３１に設けられている。また、複数の前段フィルタ１９は、例えば、共通の圧電基板３１に設けられている。すなわち、複数の前段フィルタ１９は、圧電基板３１を共用しつつ、それぞれのＩＤＴ電極３３を有している。共通端子２３および出力端子２５は、例えば、圧電基板３１上に設けられている。   In each pre-stage filter 19, the plurality of resonators 27 are provided, for example, on a common piezoelectric substrate 31. The plurality of pre-stage filters 19 are provided on, for example, a common piezoelectric substrate 31. That is, the plurality of pre-stage filters 19 have the IDT electrodes 33 while sharing the piezoelectric substrate 31. The common terminal 23 and the output terminal 25 are provided on the piezoelectric substrate 31, for example.

なお、圧電基板３１の平面視における、共通端子２３、出力端子２５および複数の共振子２７の配置は、適宜に設定されてよい。図２は、あくまで模式図であり、同図のように複数の前段フィルタ１９が１列に並んでいる必要は無いし、各前段フィルタ１９において、直列共振子２７Ｓが直線状に並んでいる必要も無いし、各前段フィルタ１９において複数の並列共振子２７Ｐが複数の直列共振子２７Ｓに対して同一側（紙面下方側）に位置している必要も無い。   The arrangement of the common terminal 23, the output terminal 25, and the plurality of resonators 27 in the plan view of the piezoelectric substrate 31 may be set as appropriate. FIG. 2 is a schematic diagram to the last, and it is not necessary that the plurality of pre-filters 19 are arranged in a line as shown in the figure, and the series resonators 27S are arranged in a straight line in each pre-filter 19. There is no need for the plurality of parallel resonators 27P to be located on the same side (the lower side in the drawing) with respect to the plurality of series resonators 27S in each pre-stage filter 19.

特に図示しないが、後段フィルタデバイス１７も同様である。すなわち、各後段フィルタ２１において、複数の共振子２７は、例えば、共通の圧電基板３１に設けられている。また、複数の後段フィルタ２１は、例えば、共通の圧電基板３１に設けられている。なお、前段フィルタデバイス１３と後段フィルタデバイス１７とは、例えば、別個の圧電基板３１に設けられている。ただし、これらを共通の圧電基板３１に設けることも可能である。   Although not shown in particular, the latter filter device 17 is also the same. That is, in each post-stage filter 21, the plurality of resonators 27 are provided, for example, on a common piezoelectric substrate 31. The plurality of post-filters 21 are provided on a common piezoelectric substrate 31, for example. In addition, the front | former stage filter device 13 and the back | latter stage filter device 17 are provided in the separate piezoelectric substrate 31, for example. However, it is also possible to provide these on the common piezoelectric substrate 31.

（電極膜厚）
図４は、圧電基板３１の上面の一部を示す断面図である。この図では、第１前段フィルタ１９Ａの一部と、第４前段フィルタ１９Ｄの一部とを示している。 (Electrode thickness)
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a part of the upper surface of the piezoelectric substrate 31. In this figure, a part of the first pre-stage filter 19A and a part of the fourth pre-stage filter 19D are shown.

一般には、同一の圧電基板３１上に形成されるＩＤＴ電極３３および反射器３５の膜厚（以下、電極膜厚）は、複数の共振子２７間で同一である。ただし、図示のように、電極膜厚は、複数の前段フィルタ１９間で異なっていてもよい。具体的には、例えば、少なくとも１つの前段フィルタ１９の電極膜厚は、当該前段フィルタ１９よりも通過帯域の周波数が低い（別の観点ではピッチｐが大きい）他の少なくとも１つの前段フィルタ１９の電極膜厚よりも薄くされてよい。   In general, the film thicknesses of the IDT electrodes 33 and the reflectors 35 (hereinafter referred to as electrode film thicknesses) formed on the same piezoelectric substrate 31 are the same among the plurality of resonators 27. However, as shown in the figure, the electrode film thickness may be different among the plurality of pre-filters 19. Specifically, for example, the electrode film thickness of at least one front-stage filter 19 is lower than that of the front-stage filter 19 (the pitch p is larger from another viewpoint) than that of the at least one other front-stage filter 19. It may be made thinner than the electrode film thickness.

後述するように、本実施形態では、第４前段フィルタ１９Ｄの通過帯域の周波数は、第１前段フィルタ１９Ａ〜第３前段フィルタ１９Ｃの通過帯域の周波数よりも高い。すなわち、第４前段フィルタ１９Ｄのピッチｐ４は、第１前段フィルタ１９Ａのピッチｐ１よりも小さい。そして、図４では、第４前段フィルタ１９Ｄの電極膜厚ｔ４は、第１前段フィルタ１９Ａの電極膜厚ｔ１よりも薄くされている。その差は、例えば、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。別の観点では、厚い電極膜厚ｔ４に対して、電極膜厚ｔ１が１．０５〜１．５０としてもよい。なお、各周波数帯に最適な電極膜厚は圧電基板材料やカット角により異なるが、例えばタンタル酸リチウム（ＬＴ）基板４２°ＹカットＸ伝搬であれば、概ね波長（ピッチの２倍）の６％〜９％で設定される。具体的には、ピッチｐ４は１．２３μｍ〜１．２９μｍであり、電極膜厚ｔ４は２００ｎｍとし、ピッチｐ１は１．５８μｍ〜１．７３μｍであり、電極膜厚ｔ１は２５０ｎｍとする。このように、通過帯域周波数の差によりピッチが異なり、電極膜厚も適切に設定されるが、ピッチと電極膜厚とを調整して、最適な組み合わせを設定することで、通過帯域が大きく異なり、本来ＬＴ基板のカット角を異ならせて作製するフィルタ１９，２１を同一基板に作製することができる。また、同一カット角の基板に複数のフィルタを作りこんでも、このように、電極膜厚を２０ｎｍ以上異ならせることで、フィルタ特性を良好に保つことができる。   As will be described later, in the present embodiment, the passband frequency of the fourth pre-filter 19D is higher than the passband frequencies of the first pre-filter 19A to the third pre-filter 19C. That is, the pitch p4 of the fourth pre-filter 19D is smaller than the pitch p1 of the first pre-filter 19A. In FIG. 4, the electrode film thickness t4 of the fourth pre-stage filter 19D is made thinner than the electrode film thickness t1 of the first pre-filter 19A. The difference is, for example, 20 nm or more and 200 nm or less. From another viewpoint, the electrode film thickness t1 may be 1.05 to 1.50 with respect to the thick electrode film thickness t4. The optimum electrode film thickness for each frequency band varies depending on the piezoelectric substrate material and the cut angle. For example, if the lithium tantalate (LT) substrate has a 42 ° Y-cut X propagation, it is approximately 6 times the wavelength (twice the pitch). % To 9%. Specifically, the pitch p4 is 1.23 μm to 1.29 μm, the electrode film thickness t4 is 200 nm, the pitch p1 is 1.58 μm to 1.73 μm, and the electrode film thickness t1 is 250 nm. In this way, the pitch varies depending on the difference in the passband frequency, and the electrode film thickness is also set appropriately, but the passband varies greatly by adjusting the pitch and electrode film thickness to set the optimal combination. In addition, the filters 19 and 21 that are originally manufactured by changing the cut angle of the LT substrate can be manufactured on the same substrate. Even if a plurality of filters are formed on a substrate having the same cut angle, the filter characteristics can be kept good by making the electrode film thickness different by 20 nm or more.

このような電極膜厚の差は、例えば、第１前段フィルタ１９ＡのＩＤＴ電極３３と、第４前段フィルタ１９ＤのＩＤＴ電極３３とを別個のプロセスで形成したり、第１前段フィルタ１９ＡのＩＤＴ電極３３の下部と、第４前段フィルタ１９ＤのＩＤＴ電極３３とを同一のプロセスで形成し、その後に、第１前段フィルタ１９ＡのＩＤＴ電極３３の上部を形成したりすることにより実現されてよい。膜厚が互いに異なるＩＤＴ電極３３は、例えば、膜厚が異なるだけで、互いに同一の材料によって構成されている。   Such a difference in electrode film thickness may be caused by, for example, forming the IDT electrode 33 of the first front-stage filter 19A and the IDT electrode 33 of the fourth front-stage filter 19D by separate processes, or the IDT electrode of the first front-stage filter 19A. This may be realized by forming the lower part of 33 and the IDT electrode 33 of the fourth pre-stage filter 19D by the same process, and then forming the upper part of the IDT electrode 33 of the first pre-stage filter 19A. The IDT electrodes 33 having different film thicknesses are made of the same material, for example, only having different film thicknesses.

なお、第１前段フィルタ１９Ａ〜第３前段フィルタ１９Ｃの電極膜厚は、通過帯域の周波数が高いものほど電極膜厚が薄くなるように互いに異なっていてもよいし、これらのうち２つまたは３の前段フィルタ１９の電極膜厚は互いに同一とされていてもよい。また、特に図示しないが、後段フィルタデバイス１７においても、同様に、少なくとも１つの後段フィルタ２１の電極膜厚は、当該後段フィルタ２１よりも通過帯域の周波数が低い後段フィルタ２１の電極膜厚よりも薄くされてよい。   Note that the electrode film thicknesses of the first pre-filter 19A to the third pre-filter 19C may be different from each other so that the electrode film thickness becomes thinner as the passband frequency is higher, or two or three of them. The film thicknesses of the first-stage filter 19 may be the same. Further, although not particularly illustrated, also in the post-stage filter device 17, the electrode film thickness of at least one post-stage filter 21 is similarly larger than the electrode film thickness of the post-stage filter 21 whose passband frequency is lower than that of the post-stage filter 21. May be thinned.

（フィルタデバイスの通過帯域）
図５（ａ）および図５（ｂ）は、前段フィルタデバイス１３の通過帯域およびインピーダンスを示す図である。これらの図において、横軸ｆは周波数を示している。図５（ａ）において、縦軸｜Ｚ｜はインピーダンスの絶対値を示している。図５（ｂ）において、縦軸Ｒｅ（Ｚ）はインピーダンスの実部の値を示している。 (Pass band of filter device)
FIG. 5A and FIG. 5B are diagrams showing the passband and impedance of the pre-stage filter device 13. In these figures, the horizontal axis f indicates the frequency. In FIG. 5A, the vertical axis | Z | represents the absolute value of the impedance. In FIG. 5B, the vertical axis Re (Z) indicates the value of the real part of the impedance.

これらの図では、第１前段フィルタ１９Ａの通過帯域Ｂ１、第２前段フィルタ１９Ｂの通過帯域Ｂ２、第３前段フィルタ１９Ｃの通過帯域Ｂ３および第４前段フィルタ１９Ｄの通過帯域Ｂ４が示されている。図示の例では、周波数が低い順から、通過帯域Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４となっている。   In these drawings, the pass band B1 of the first pre-filter 19A, the pass band B2 of the second pre-filter 19B, the pass band B3 of the third pre-filter 19C, and the pass band B4 of the fourth pre-filter 19D are shown. In the illustrated example, the pass bands are B1, B2, B3, and B4 from the lowest frequency.

また、図示の例では、相対的に、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３は互いに近く、通過帯域Ｂ４は通過帯域Ｂ１〜Ｂ３から比較的離れている。一例として、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３は、１１００ＭＨｚ以上１３００ＭＨｚ以下の範囲に収まっており、通過帯域Ｂ４は、１５００ＭＨｚ以上１６００ＭＨｚ以下の範囲に収まっている。また、例えば、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３が収まっている周波数の幅は、これらのうち最も通過帯域Ｂ４に近いもの（図示の例では通過帯域Ｂ３）と、通過帯域Ｂ４との間の幅（周波数差）以下である。また、通過帯域Ｂ４が通過帯域Ｂ１〜Ｂ３から比較的離れているかどうかは、隣接する各バンドの間隔を比較したときに、通過帯域Ｂ４と近接するバンド（通過帯域Ｂ３）との間隔が他の隣接バンド間隔に比べ大きくなっていることで判別することができる。   In the illustrated example, the pass bands B1 to B3 are relatively close to each other, and the pass band B4 is relatively far from the pass bands B1 to B3. As an example, the pass bands B1 to B3 are in the range of 1100 MHz to 1300 MHz, and the pass band B4 is in the range of 1500 MHz to 1600 MHz. Further, for example, the width of the frequency in which the pass bands B1 to B3 are contained is the width (frequency difference) between the one closest to the pass band B4 (pass band B3 in the illustrated example) and the pass band B4. ) Further, whether or not the pass band B4 is relatively far from the pass bands B1 to B3 is determined by comparing the distance between the adjacent bands (pass band B3) with the other band (pass band B3). It can be determined by the fact that it is larger than the adjacent band interval.

（フィルタデバイスのインピーダンス）
図５（ａ）において、プロットＰ１〜Ｐ４は、前段フィルタデバイス１３のインピーダンスの絶対値を示している。図５（ｂ）において、プロットＰ１〜Ｐ４は、前段フィルタデバイス１３のインピーダンスの実部の値を示しており、図５（ａ）のプロットＰ１〜Ｐ４に対応している。プロットＰ１〜Ｐ４で示されているインピーダンスは、共通端子２３から複数の前段フィルタ１９側を見たインピーダンスである。別の観点では、図示のインピーダンスは、複数の前段フィルタ１９全体としてのインピーダンスである。 (Filter device impedance)
In FIG. 5A, plots P <b> 1 to P <b> 4 indicate the absolute value of the impedance of the pre-stage filter device 13. In FIG. 5B, plots P1 to P4 indicate the values of the real part of the impedance of the pre-stage filter device 13, and correspond to the plots P1 to P4 in FIG. The impedances indicated by the plots P1 to P4 are impedances when the plurality of pre-filters 19 are viewed from the common terminal 23. From another viewpoint, the impedance shown in the figure is the impedance of the plurality of pre-stage filters 19 as a whole.

前段フィルタデバイス１３のインピーダンスは、周波数依存性を有している。ただし、一般には、前段フィルタデバイス１３のインピーダンスは、少なくとも複数の通過帯域Ｂ１〜Ｂ４における値が互いに同一になるように設定される。一方、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、本実施形態では、前段フィルタデバイス１３のインピーダンスは、少なくとも１つの通過帯域における値が、他の少なくとも１つの通過帯域における値と異なっている。   The impedance of the pre-stage filter device 13 has frequency dependency. However, in general, the impedance of the pre-stage filter device 13 is set so that values in at least the plurality of pass bands B1 to B4 are the same. On the other hand, as shown in FIG. 5A and FIG. 5B, in the present embodiment, the impedance of the pre-filter device 13 has a value in at least one pass band and a value in the other at least one pass band. Is different.

より具体的には、インピーダンスの絶対値｜Ｚ｜に着目すると、図５（ａ）に示す通り、図示の例では、４つの通過帯域Ｂ１〜Ｂ４におけるインピーダンスの絶対値が互いに異なっている。また、最も周波数が高い通過帯域Ｂ４におけるインピーダンスの絶対値は、他の少なくとも１つの通過帯域（図示の例では他の全ての通過帯域）のインピーダンスの絶対値よりも小さい。   More specifically, focusing on the absolute value | Z | of the impedance, as shown in FIG. 5A, in the illustrated example, the absolute values of the impedance in the four pass bands B1 to B4 are different from each other. In addition, the absolute value of the impedance in the passband B4 having the highest frequency is smaller than the absolute value of the impedance of at least one other passband (all other passbands in the illustrated example).

また、インピーダンスの実部Ｒｅ（Ｚ）（単位：Ω，すなわち抵抗値）を用いて評価すると、図５（ｂ）に示す通り、最も周波数が高い通過帯域Ｂ４におけるインピーダンスの実部Ｒｅ（Ｚ）は、他の少なくとも１つの通過帯域（図示の例では他の全ての通過帯域）のインピーダンスの実部Ｒｅよりも大きな値となっている。   Further, when evaluated using the real part Re (Z) of impedance (unit: Ω, that is, the resistance value), as shown in FIG. 5B, the real part Re (Z) of the impedance in the passband B4 having the highest frequency. Is a value larger than the real part Re of the impedance of at least one other pass band (all other pass bands in the illustrated example).

なお、厳密には、インピーダンスの値は、通過帯域内においても変化する。単に通過帯域のインピーダンスという場合、特に断りがない限りは、代表値をいうものとする。代表値は、例えば、通過帯域の中央の周波数におけるインピーダンスである。   Strictly speaking, the value of impedance also changes within the passband. When simply referring to the impedance of the pass band, a representative value is assumed unless otherwise specified. The representative value is, for example, the impedance at the center frequency of the passband.

図６は、スミスチャートであり、前段フィルタデバイス１３のインピーダンスの値を反射係数平面において示している。   FIG. 6 is a Smith chart showing the impedance value of the pre-stage filter device 13 in the reflection coefficient plane.

インピーダンスの実数部および虚数部の等価曲線に付した値は、正規化された値である。正規化された値の１は、適宜な大きさ（Ω）でよいが、例えば、５０Ωである。プロットＰ１〜Ｐ４は、図５（ａ）および図５（ｂ）のプロットＰ１〜Ｐ４に対応するものであり、前段フィルタデバイス１３のインピーダンスについて、通過帯域Ｂ１〜Ｂ４における値を示している。   The values given to the equivalent curves of the real part and imaginary part of the impedance are normalized values. The normalized value 1 may be an appropriate size (Ω), but is 50Ω, for example. Plots P1 to P4 correspond to the plots P1 to P4 in FIGS. 5A and 5B, and show the values in the passbands B1 to B4 for the impedance of the pre-stage filter device 13.

前段フィルタデバイス１３のインピーダンスは、既述のように、少なくとも１つの通過帯域における値が、他の少なくとも１つの通過帯域における値と異なっている。なお、この図からも理解されるように、本開示においてインピーダンスの値が異なるという場合、インピーダンスの絶対値が同一であっても、位相が異なる場合を含む。なお、インピーダンスの値が異なるといっても、製造上不可避の誤差に起因する相違は無視してよい。   As described above, the impedance of the pre-filter device 13 has a value in at least one pass band different from a value in the other at least one pass band. As can be understood from this figure, the case where the impedance values are different in the present disclosure includes the case where the phases are different even if the absolute values of the impedance are the same. Even if the impedance values are different, the difference due to an inevitable error in manufacturing may be ignored.

より具体的には、例えば、相対的に、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３における値（Ｐ１〜Ｐ３）は互いに近く、通過帯域Ｂ４における値（Ｐ４）は、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３における値から離れている。通過帯域Ｂ４における値（Ｐ４）と、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３における値（Ｐ１〜Ｐ３）との反射係数平面における距離ｄ１は、例えば、０．３以上である。逆に、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３の値の間の反射係数平面における距離は、例えば、０．２未満である。   More specifically, for example, the values (P1 to P3) in the pass bands B1 to B3 are relatively close to each other, and the value (P4) in the pass band B4 is far from the values in the pass bands B1 to B3. The distance d1 on the reflection coefficient plane between the value (P4) in the pass band B4 and the values (P1 to P3) in the pass bands B1 to B3 is, for example, 0.3 or more. Conversely, the distance in the reflection coefficient plane between the values of the pass bands B1 to B3 is, for example, less than 0.2.

なお、前段フィルタデバイス１３のインピーダンスは、通過帯域Ｂ１〜Ｂ４の値が互いに異なっていると述べた。しかし、図示の例では、反射係数平面において互いに近い値（Ｐ１〜Ｐ３）は、第１の水準（同一の水準）に設定されており、これよりも離れている値（Ｐ４）は、第１の水準とは異なる第２の水準に設定されていると捉えられてもよい。同一の水準は、例えば、反射係数平面におけるインピーダンスの値の距離が０．２５未満である。   Note that the impedance of the pre-stage filter device 13 is different from each other in the values of the pass bands B1 to B4. However, in the illustrated example, values (P1 to P3) that are close to each other in the reflection coefficient plane are set to the first level (same level), and values (P4) that are further away from this are the first level (the same level). It may be considered that it is set to a second level different from the level. At the same level, for example, the distance of the impedance value in the reflection coefficient plane is less than 0.25.

なお、前段増幅器１１の利得が最も大きくなる周波数をｆｘとすると、各フィルタの通過帯域の周波数とｆｘとの差分をとり、その差分の大きいフィルタは小さいフィルタに比べて、反射係数平面で正規化された値（１）からの距離を離している。具体的には、通過帯域Ｂ４に近い周波数帯で利得が高くなる前段増幅器１１を用いた場合には、第１の水準と正規化された値との距離は、第２の基準と正規化された値との距離よりも大きくなっている。なお、各フィルタの通過帯域とｆｘとの比較を行なう際には、各フィルタの通過帯域の中心値で比較を行なってもよい。   If the frequency at which the gain of the preamplifier 11 is the largest is fx, the difference between the frequency of the passband of each filter and fx is taken, and a filter with a large difference is normalized on the reflection coefficient plane compared to a filter with a small difference. The distance from the measured value (1) is separated. Specifically, when the pre-amplifier 11 having a high gain in a frequency band close to the pass band B4 is used, the distance between the first level and the normalized value is normalized with the second reference. It is larger than the distance to the value. When comparing the pass band of each filter with fx, the comparison may be performed using the center value of the pass band of each filter.

虚数部の正負に着目すると、例えば、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３におけるインピーダンス（Ｐ１〜Ｐ３）は、虚数部が正（すなわち誘導性）であり、通過帯域Ｂ４におけるインピーダンス（Ｐ４）は、虚数部が負（すなわち容量性）である。ただし、これらのインピーダンスは、虚数部が共に正または負であったり、上記とは正負が逆であったりしてもよい。   Focusing on the positive and negative of the imaginary part, for example, the impedances (P1 to P3) in the pass bands B1 to B3 are positive (that is, inductive) in the imaginary part, and the impedance (P4) in the pass band B4 is negative in the imaginary part. (Ie capacitive). However, these impedances may be positive or negative in both imaginary parts, or may be opposite in polarity to the above.

通過帯域毎のインピーダンスの値は、公知の種々の方法により設定されてよい。例えば、前段フィルタデバイス１３の適宜な位置に、適宜な大きさのインダクタンスを有するインダクタ、および／または適宜な大きさの容量を有するキャパシタを設けることにより、通過帯域毎のインピーダンスの値が調整されてよい。また、ＩＤＴ電極３３の各種の寸法等を調整することによってインピーダンスの値が調整されてもよい。   The impedance value for each pass band may be set by various known methods. For example, by providing an inductor having an appropriate magnitude of inductance and / or a capacitor having an appropriate magnitude of capacitance at an appropriate position of the pre-stage filter device 13, the impedance value for each pass band is adjusted. Good. Further, the impedance value may be adjusted by adjusting various dimensions of the IDT electrode 33.

なお、特に図示しないが、ＲＦ−ＩＣ７（共通端子）から見た後段フィルタデバイス１７のインピーダンス、または後段増幅器１５Ａから見た第１後段フィルタ２１Ａ〜第３後段フィルタ２１Ｃ全体のインピーダンスは、通過帯域毎に異なっていてもよいし、２以上または全ての通過帯域で同等または同一水準であってもよい。   Although not shown in particular, the impedance of the rear-stage filter device 17 viewed from the RF-IC 7 (common terminal) or the impedance of the entire first rear-stage filter 21A to the third rear-stage filter 21C viewed from the rear-stage amplifier 15A is determined for each pass band. May be different, or may be the same or the same level in two or more or all passbands.

（インピーダンスの値の他の例）
図５（ａ）、図５（ｂ）及び図６において、プロットＰ１１〜Ｐ１４は、前段フィルタデバイス１３のインピーダンスの値の他の例を示している。この例においても、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３におけるインピーダンスの値は互いに相対的に近く、通過帯域Ｂ４におけるインピーダンスの値は通過帯域Ｂ１〜Ｂ３におけるインピーダンスの値から比較的離れている。また、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３におけるインピーダンスが誘導性である一方で、通過帯域Ｂ４におけるインピーダンスは容量性である。さらに、最も周波数が高い通過帯域Ｂ４におけるインピーダンスの実部の値は、他の少なくとも１つの通過帯域（図示の例では他の全ての通過帯域）のインピーダンスの実部の値よりも大きくなっている。ただし、この例では、プロットＰ１〜Ｐ４とは異なり、最も周波数が高い通過帯域Ｂ４におけるインピーダンスの絶対値は、他の少なくとも１つの通過帯域（図示の例では他の全ての通過帯域）のインピーダンスの絶対値よりも大きくなっている。 (Other examples of impedance values)
In FIG. 5A, FIG. 5B, and FIG. 6, plots P11 to P14 show other examples of impedance values of the pre-stage filter device 13. Also in this example, the impedance values in the pass bands B1 to B3 are relatively close to each other, and the impedance values in the pass band B4 are relatively far from the impedance values in the pass bands B1 to B3. Moreover, while the impedance in pass band B1-B3 is inductive, the impedance in pass band B4 is capacitive. Furthermore, the value of the real part of the impedance in the passband B4 having the highest frequency is larger than the value of the real part of the impedance of at least one other passband (all other passbands in the illustrated example). . However, in this example, unlike the plots P1 to P4, the absolute value of the impedance in the passband B4 having the highest frequency is the impedance of the impedance of at least one other passband (all other passbands in the illustrated example). It is larger than the absolute value.

以上のとおり、本実施形態では、前段フィルタデバイス１３は、共通端子２３と、複数の前段フィルタ１９とを有している。複数の前段フィルタ１９は、共通端子２３に接続され、共通端子２３から見て互いに分岐しており、互いに異なる複数の通過帯域Ｂ１〜Ｂ４に対応している。共通端子２３から複数の前段フィルタ１９側を見たインピーダンスは、通過帯域Ｂ４における値と通過帯域Ｂ１（またはＢ２もしくはＢ３）における値とが異なっている。   As described above, in the present embodiment, the front-stage filter device 13 has the common terminal 23 and the plurality of front-stage filters 19. The plurality of pre-filters 19 are connected to the common terminal 23, are branched from each other when viewed from the common terminal 23, and correspond to a plurality of different pass bands B1 to B4. The impedance when the plurality of pre-filters 19 are viewed from the common terminal 23 is different from the value in the pass band B4 and the value in the pass band B1 (or B2 or B3).

別の観点では、実施形態では、受信モジュール５は、前段増幅器１１と、前段増幅器１１の出力端子１１ｂに接続されている前段フィルタデバイス１３とを有している。前段フィルタデバイス１３は、複数の前段フィルタ１９を有している。複数の前段フィルタ１９は、出力端子１１ｂに接続され、出力端子１１ｂから見て互いに分岐しており、互いに異なる複数の通過帯域Ｂ１〜Ｂ４に対応している。出力端子１１ｂから前段フィルタデバイス１３側を見たインピーダンスは、通過帯域Ｂ４における値と通過帯域Ｂ１（またはＢ２もしくはＢ３）における値とが異なっている。   In another aspect, in the embodiment, the reception module 5 includes a pre-stage amplifier 11 and a pre-stage filter device 13 connected to the output terminal 11 b of the pre-stage amplifier 11. The front-stage filter device 13 has a plurality of front-stage filters 19. The plurality of pre-filters 19 are connected to the output terminal 11b, branch from each other when viewed from the output terminal 11b, and correspond to a plurality of different pass bands B1 to B4. The impedance viewed from the output terminal 11b toward the front-stage filter device 13 is different from the value in the pass band B4 and the value in the pass band B1 (or B2 or B3).

従って、例えば、前段フィルタデバイス１３よりも前段の素子（本実施形態では前段増幅器１１）にとって好ましい後段側のインピーダンスが周波数によって異なる場合に、各通過帯域におけるインピーダンスを前段の素子にとって好ましい値にすることができる。   Therefore, for example, when the impedance on the rear stage that is preferable for the element upstream of the front-stage filter device 13 (the front-stage amplifier 11 in this embodiment) varies depending on the frequency, the impedance in each pass band is set to a value preferable for the element of the previous stage. Can do.

図７（ａ）〜図７（ｄ）および図８（ａ）〜図８（ｄ）は、上記のような作用を説明するための図である。   7 (a) to 7 (d) and FIGS. 8 (a) to 8 (d) are diagrams for explaining the operation as described above.

これらの図は、スミスチャートをベースとしており、プロットＰ１〜Ｐ４は、図６と同様に、前段フィルタデバイス１３のインピーダンスの、通過帯域Ｂ１〜Ｂ４それぞれにおける値を示している。   These figures are based on the Smith chart, and the plots P1 to P4 show the values of the impedance of the pre-stage filter device 13 in the passbands B1 to B4, respectively, as in FIG.

また、図７（ａ）〜図７（ｄ）において、スミスチャート内の等高線図は、反射係数平面内の位置の変化に対する前段増幅器１１の利得（Ｇａｉｎ）の変化を示している。これらの図において、前段増幅器１１の後段（ここでは前段フィルタデバイス１３）のインピーダンスの値が矢印に沿って変化するほど、利得の値が大きくなる（利得が大きくなる。）。一方、図８（ａ）〜図８（ｄ）において、スミスチャート内の等高線図は、反射係数平面内の位置の変化に対する前段増幅器１１のＮＦの変化を示している。これらの図において、前段増幅器１１の後段（ここでは前段フィルタデバイス１３）のインピーダンスの値が矢印に沿って変化するほど、ＮＦの値が大きくなる（ノイズが大きくなる。）。   In FIGS. 7A to 7D, contour diagrams in the Smith chart indicate changes in the gain (Gain) of the preamplifier 11 with respect to changes in the position in the reflection coefficient plane. In these drawings, the gain value increases (the gain increases) as the impedance value of the rear stage of the front stage amplifier 11 (here, the front stage filter device 13) changes along the arrow. On the other hand, in FIGS. 8A to 8D, contour diagrams in the Smith chart indicate changes in the NF of the preamplifier 11 with respect to changes in the position in the reflection coefficient plane. In these drawings, the value of NF increases (the noise increases) as the impedance value of the rear stage of the front stage amplifier 11 (here, the front stage filter device 13) changes along the arrow.

図７（ａ）および図８（ａ）の等高線図は、通過帯域Ｂ１における利得およびＮＦを示している。図７（ｂ）および図８（ｂ）の等高線図は、通過帯域Ｂ２における利得およびＮＦを示している。図７（ｃ）および図８（ｃ）の等高線図は、通過帯域Ｂ３における利得およびＮＦを示している。図７（ｄ）および図８（ｄ）の等高線図は、通過帯域Ｂ４における利得およびＮＦを示している。   The contour diagrams of FIG. 7A and FIG. 8A show the gain and NF in the passband B1. The contour diagrams in FIGS. 7B and 8B show the gain and NF in the passband B2. The contour diagrams in FIGS. 7C and 8C show the gain and NF in the passband B3. The contour diagrams in FIGS. 7D and 8D show the gain and NF in the passband B4.

これらの図に示すように、周波数によって、前段増幅器１１の後段のインピーダンスと前段増幅器１１の特性との関係は変化する。そして、前段フィルタデバイス１３のインピーダンスは、通過帯域Ｂ１〜Ｂ４間において互いに異なる値（Ｐ１〜Ｐ４）に設定されることによって、いずれの通過帯域においても、利得が相対的に高くなるとともにＮＦが相対的に小さくなる値となっている。   As shown in these drawings, the relationship between the impedance of the rear stage of the front stage amplifier 11 and the characteristics of the front stage amplifier 11 varies depending on the frequency. The impedance of the pre-filter device 13 is set to a value (P1 to P4) different from each other between the passbands B1 to B4, so that the gain is relatively high and the NF is relatively high in any passband. The value becomes smaller.

別の観点では、本実施形態に係る前段フィルタデバイス１３を設計する際には、インピーダンスの変化に対する前段増幅器１１の特性の変化を通過帯域毎に調べ、各通過帯域において好適な特性が得られるようにインピーダンスを設定すればよい。前段フィルタデバイス１３自体のインピーダンスが調整されることから、例えば、整合回路を単純化したり、または整合回路を無くしたりして、挿入損失を低減することができる。   From another viewpoint, when designing the pre-stage filter device 13 according to the present embodiment, a change in the characteristic of the pre-stage amplifier 11 with respect to a change in impedance is examined for each pass band, so that a suitable characteristic can be obtained in each pass band. What is necessary is just to set an impedance to. Since the impedance of the front-stage filter device 13 itself is adjusted, for example, the insertion loss can be reduced by simplifying the matching circuit or eliminating the matching circuit.

また、本実施形態において、通過帯域Ｂ４は、複数（２以上または３以上）の通過帯域Ｂ１〜Ｂ４のうち最も周波数が高い通過帯域である。前段フィルタデバイス１３のインピーダンスは、通過帯域Ｂ４における絶対値が、他のいずれかの通過帯域（Ｂ１〜Ｂ３）における絶対値よりも小さい、または大きい。   In the present embodiment, the pass band B4 is a pass band having the highest frequency among a plurality (two or more or three or more) of pass bands B1 to B4. The impedance of the pre-filter device 13 has an absolute value in the pass band B4 that is smaller or larger than an absolute value in any of the other pass bands (B1 to B3).

最も周波数が高い通過帯域は、前段フィルタデバイス１３よりも前段の素子にとって、特性が良好になるインピーダンスが最も小さく、または大きくなりやすいと考えられる。実際、本願発明者の実験ではそのような傾向が現れており、図５〜図８のプロットも実験結果に基づいている。従って、最も高い通過帯域Ｂ４におけるインピーダンスの絶対値を他の通過帯域におけるインピーダンスの絶対値よりも小さく、または大きくすることによって、前段フィルタデバイス１３の全体として、インピーダンスが好適に設定される。   The passband with the highest frequency is considered to have the smallest or largest impedance that provides better characteristics for the element in the previous stage than the previous filter device 13. Actually, such a tendency appears in the experiment of the present inventor, and the plots of FIGS. 5 to 8 are also based on the experimental results. Therefore, by setting the absolute value of the impedance in the highest pass band B4 to be smaller or larger than the absolute value of the impedance in the other pass band, the impedance of the entire pre-stage filter device 13 is suitably set.

本実施形態では、前段フィルタデバイス１３のインピーダンスは、通過帯域Ｂ４における値と、他のいずれかの通過帯域（Ｂ１〜Ｂ３）における値とは、反射係数平面で０．３以上離れている。   In this embodiment, the impedance of the pre-stage filter device 13 is separated by 0.3 or more in the reflection coefficient plane from the value in the pass band B4 and the value in any of the other pass bands (B1 to B3).

従って、通過帯域毎のインピーダンスの値を異ならせた効果がより確実に奏される。なお、通常、高周波デバイスは、入出力に関するＶＳＷＲ（Voltage Standing Wave Ratio）が所定値以下となるように設計される。一般に、ＶＳＷＲは、１．８以下であれば概ね良く、１．５以下であると良好とされている。１．５のＶＳＷＲは、正規化された反射係数平面において１の値との距離が０．２未満である。   Therefore, the effect of varying the impedance value for each pass band is more reliably achieved. In general, a high frequency device is designed such that an input / output VSWR (Voltage Standing Wave Ratio) is a predetermined value or less. Generally, VSWR is generally good if it is 1.8 or less, and good if it is 1.5 or less. A VSWR of 1.5 is less than 0.2 in distance from the value of 1 in the normalized reflection coefficient plane.

本実施形態では、複数の前段フィルタ１９それぞれは、弾性波フィルタを含んでいる。弾性波フィルタは、圧電基板３１と、圧電基板３１上に位置する励振電極としてのＩＤＴ電極３３とを有している。   In the present embodiment, each of the plurality of pre-stage filters 19 includes an elastic wave filter. The acoustic wave filter includes a piezoelectric substrate 31 and an IDT electrode 33 serving as an excitation electrode located on the piezoelectric substrate 31.

従って、例えば、ＩＤＴ電極３３の電極指４１の本数、長さおよび／または膜厚等を適宜に調整したり、ＩＤＴ電極３３とともに圧電基板３１上にインダクタおよび／またはキャパシタとなる導体パターンを設けたりすることによって、簡便にインピーダンスを調整することができる。   Therefore, for example, the number, length, and / or film thickness of the electrode fingers 41 of the IDT electrode 33 are appropriately adjusted, or a conductor pattern that becomes an inductor and / or a capacitor is provided on the piezoelectric substrate 31 together with the IDT electrode 33. By doing so, the impedance can be easily adjusted.

本実施形態では、複数の前段フィルタ１９は、圧電基板３１を共有しているとともに、それぞれのＩＤＴ電極３３を有している。   In the present embodiment, the plurality of pre-filters 19 share the piezoelectric substrate 31 and have the respective IDT electrodes 33.

本実施形態とは異なり、複数の前段フィルタ１９が別個のチップとされている場合（このような態様も本開示に係る技術に含まれる。）、複数のチップが実装される実装基板が前段フィルタデバイス１３のインピーダンスに影響を及ぼすおそれがある。しかし、上記のように圧電基板３１の共用によって１個のチップにすることにより、そのようなおそれが低減される。すなわち、設計したインピーダンスの値を実現することが容易である。   Unlike the present embodiment, when the plurality of pre-filters 19 are separate chips (such a mode is also included in the technology according to the present disclosure), the mounting substrate on which the plurality of chips are mounted is the pre-filter. There is a possibility of affecting the impedance of the device 13. However, such a fear is reduced by using a single chip by sharing the piezoelectric substrate 31 as described above. That is, it is easy to realize the designed impedance value.

本実施形態では、通過帯域Ｂ４は、通過帯域Ｂ１（またはＢ２もしくはＢ３）よりも周波数が高い。通過帯域Ｂ４に対応する第４前段フィルタ１９Ｄは、通過帯域Ｂ１に対応する第１前段フィルタ１９ＡよりもＩＤＴ電極３３の膜厚が薄い。   In the present embodiment, the pass band B4 has a higher frequency than the pass band B1 (or B2 or B3). In the fourth pre-filter 19D corresponding to the pass band B4, the IDT electrode 33 is thinner than the first pre-filter 19A corresponding to the pass band B1.

ＩＤＴ電極３３では、その膜厚が薄いほど、高い周波数における損失が少なくなる傾向がある。従って、前段フィルタデバイス１３内の複数のＩＤＴ電極３３の膜厚を複数の前段フィルタ１９の通過帯域に応じて異ならせることによって、損失を少なくすることができる。   In the IDT electrode 33, the thinner the film thickness, the less the loss at a high frequency. Therefore, the loss can be reduced by making the film thicknesses of the plurality of IDT electrodes 33 in the front-stage filter device 13 different according to the pass bands of the plurality of front-stage filters 19.

本実施形態では、受信モジュール５は、複数の前段フィルタ１９の出力側に入力端子１５ａが接続されている複数の後段増幅器１５をさらに有している。複数の後段増幅器１５は、通過帯域Ｂ４に対応する第４前段フィルタ１９Ｄに接続されている後段増幅器１５Ｂと、通過帯域Ｂ１に対応する第１前段フィルタ１９Ａに接続されている後段増幅器１５Ａと、を有している。   In the present embodiment, the receiving module 5 further includes a plurality of post-stage amplifiers 15 having input terminals 15 a connected to the output sides of the plurality of pre-stage filters 19. The plurality of rear-stage amplifiers 15 include a rear-stage amplifier 15B connected to the fourth front-stage filter 19D corresponding to the pass band B4, and a rear-stage amplifier 15A connected to the first front-stage filter 19A corresponding to the pass band B1. Have.

従って、例えば、設計が容易化される。具体的には、以下のとおりである。まず、後段増幅器１５が設けられることにより、前段増幅器１１から見て、インピーダンスに関して後段増幅器１５以降は実質的に見えなくなる。これにより、設計が容易化される。また、後段増幅器１５の特性は、後段増幅器１５から前段を見たインピーダンスの影響が周波数によって変化する。従って、後段増幅器１５から見ても、前段フィルタデバイス１３のインピーダンスは、通過帯域毎に適宜に設定されていることが好ましい。そして、第１前段フィルタ１９Ａと第４前段フィルタ１９Ｄとで別個の後段増幅器１５が接続されることにより、後段増幅器１５から前段フィルタ１９を見たインピーダンスについては、前段増幅器１１から前段フィルタ１９を見たインピーダンスとは異なり、前段フィルタ１９毎にインピーダンスを調整することができる。ひいては、設計が容易化される。   Thus, for example, the design is facilitated. Specifically, it is as follows. First, by providing the post-stage amplifier 15, the post-stage amplifier 15 and the subsequent sections are substantially invisible with respect to impedance as viewed from the pre-stage amplifier 11. This facilitates the design. Further, as for the characteristics of the rear-stage amplifier 15, the influence of the impedance when the front stage is viewed from the rear-stage amplifier 15 varies depending on the frequency. Therefore, it is preferable that the impedance of the front-stage filter device 13 is appropriately set for each pass band even when viewed from the rear-stage amplifier 15. Then, by connecting the separate post-stage amplifier 15 in the first pre-stage filter 19A and the fourth pre-stage filter 19D, the impedance of the pre-stage filter 19 seen from the post-stage amplifier 15 is seen from the pre-stage amplifier 11. Unlike the impedance, the impedance can be adjusted for each pre-filter 19. As a result, the design is facilitated.

本実施形態では、複数の通過帯域は、通過帯域Ｂ４およびＢ１の他、通過帯域Ｂ２（またはＢ３）を含む。前段増幅器１１の出力端子１１ｂから前段フィルタデバイス１３側を見たインピーダンスは、通過帯域Ｂ１における値と通過帯域Ｂ２における値との反射係数平面における距離が、通過帯域Ｂ４における値と通過帯域Ｂ１における値との反射係数平面における距離および通過帯域Ｂ４における値と通過帯域Ｂ２における値との反射係数平面における距離それぞれよりも小さい。後段増幅器１５Ａは、第１前段フィルタ１９Ａだけでなく、通過帯域Ｂ２に対応する第２前段フィルタ１９Ｂにも接続されている。   In the present embodiment, the plurality of pass bands include a pass band B2 (or B3) in addition to the pass bands B4 and B1. The impedance of the front stage filter device 13 viewed from the output terminal 11b of the front stage amplifier 11 is such that the distance in the reflection coefficient plane between the value in the pass band B1 and the value in the pass band B2 is the value in the pass band B4 and the value in the pass band B1. Is smaller than the distance in the reflection coefficient plane and the distance in the reflection coefficient plane between the value in the passband B4 and the value in the passband B2. The post-stage amplifier 15A is connected not only to the first pre-stage filter 19A but also to the second pre-stage filter 19B corresponding to the pass band B2.

従って、例えば、後段増幅器１５の数を減らし、小型化、電力削減および／またはコスト削減を図ることができる。上記のように、複数の前段フィルタ１９に対して別個の後段増幅器１５を接続することにより、設計が容易化される。しかし、前段増幅器１１から見てインピーダンスの値が互いに近い通過帯域に対応する前段フィルタ１９同士については、共通の後段増幅器１５に接続しても、インピーダンスの調整は軽微で済む。   Therefore, for example, the number of post-stage amplifiers 15 can be reduced to achieve downsizing, power reduction, and / or cost reduction. As described above, the design is facilitated by connecting the separate post-stage amplifiers 15 to the plurality of pre-stage filters 19. However, even if the pre-stage filters 19 corresponding to the passbands whose impedance values are close to each other when viewed from the pre-stage amplifier 11 are connected to the common post-stage amplifier 15, the adjustment of the impedance is negligible.

本実施形態では、受信モジュール５は、複数の後段増幅器１５の出力端子１５ｂに接続されている、複数の通過帯域Ｂ１〜Ｂ４に対応する複数の後段フィルタ２１を有している。通過帯域Ｂ４を通過帯域とする第４後段フィルタ２１Ｄは、後段増幅器１５Ｂの出力端子１５ｂに接続されている。通過帯域Ｂ１を通過帯域とする第１後段フィルタ２１Ａおよび通過帯域Ｂ２を通過帯域とする第２後段フィルタ２１Ｂは、それぞれ後段増幅器１５Ａの出力端子１５ｂに接続されている。   In the present embodiment, the reception module 5 has a plurality of rear-stage filters 21 corresponding to the plurality of pass bands B1 to B4 connected to the output terminals 15b of the plurality of rear-stage amplifiers 15. The fourth post-stage filter 21D having the pass band B4 as the pass band is connected to the output terminal 15b of the post-stage amplifier 15B. The first second-stage filter 21A having the pass band B1 as the pass band and the second second-stage filter 21B having the pass band B2 as the pass band are respectively connected to the output terminal 15b of the rear-stage amplifier 15A.

すなわち、複数の前段フィルタ１９と後段増幅器１５の入力端子１５ａとの接続に関して纏められた通過帯域は、後段増幅器１５の出力端子１５ｂと複数の後段フィルタ２１との接続に関しても纏められている。このような構成により、後段増幅器１５の数を減らしつつ、インピーダンスの整合の設計を容易化し、かつ前段フィルタ１９および後段フィルタ２１による２重のフィルタリングによって高精度に通過帯域の信号を取り出すことができる。   That is, the passband summarized for the connection between the plurality of pre-stage filters 19 and the input terminal 15a of the post-stage amplifier 15 is also summarized for the connection between the output terminal 15b of the post-stage amplifier 15 and the plurality of post-stage filters 21. With such a configuration, it is possible to facilitate impedance matching design while reducing the number of post-stage amplifiers 15, and to extract a passband signal with high accuracy by double filtering by the pre-stage filter 19 and the post-stage filter 21. .

なお、以上の実施形態において、通過帯域Ｂ４は、第１通過帯域の一例であり、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３それぞれは、第２通過帯域の一例または第３通過帯域の一例である。後段増幅器１５Ｂは、第１後段増幅器の一例であり、後段増幅器１５Ａは、第２後段増幅器の一例である。   In the above embodiment, the pass band B4 is an example of the first pass band, and each of the pass bands B1 to B3 is an example of the second pass band or an example of the third pass band. The post-stage amplifier 15B is an example of a first post-stage amplifier, and the post-stage amplifier 15A is an example of a second post-stage amplifier.

［第２実施形態］
図９は、第２実施形態に係る受信装置２０１の要部構成を示す、図１と同様の模式図である。 [Second Embodiment]
FIG. 9 is a schematic diagram similar to FIG. 1, showing the main configuration of the receiving apparatus 201 according to the second embodiment.

受信装置２０１の受信モジュール５は、前段増幅器１１と前段フィルタデバイス１３との間に整合回路２５１を有している点のみが実施形態と相違する。整合回路２５１は、例えば、インダクタ２５３およびキャパシタ２５５を含んでいる。   The receiving module 5 of the receiving apparatus 201 is different from the embodiment only in that a matching circuit 251 is provided between the pre-stage amplifier 11 and the pre-stage filter device 13. The matching circuit 251 includes an inductor 253 and a capacitor 255, for example.

このように受信装置２０１または受信モジュール５は、適宜な位置に整合回路２５１を有していてもよい。整合回路２５１は、図示の位置に加えて、または代えて、種々の位置に配置されてよく、また、整合回路２５１の構成も適宜に変更されてよい。   As described above, the reception device 201 or the reception module 5 may include the matching circuit 251 at an appropriate position. The matching circuit 251 may be arranged at various positions in addition to or instead of the illustrated position, and the configuration of the matching circuit 251 may be changed as appropriate.

このような構成においても、前段増幅器１１の出力端子１１ｂから前段フィルタデバイス１３側を見たインピーダンスが、通過帯域Ｂ４における値と通過帯域Ｂ１（またはＢ２もしくはＢ３）における値とで異なっていることにより、例えば、インピーダンスの整合が好適になされる。なお、整合回路２５１および前段フィルタデバイス１３全体をフィルタデバイスと捉え、出力端子１１ｂに接続される整合回路２５１よりも前段の不図示の端子が共通端子とみなされてもよい。   Even in such a configuration, the impedance of the front-stage filter device 13 viewed from the output terminal 11b of the front-stage amplifier 11 is different between the value in the pass band B4 and the value in the pass band B1 (or B2 or B3). For example, impedance matching is suitably performed. Note that the matching circuit 251 and the previous stage filter device 13 as a whole may be regarded as a filter device, and a terminal (not shown) in the previous stage of the matching circuit 251 connected to the output terminal 11b may be regarded as a common terminal.

［第３実施形態］
図１０は、第３実施形態に係る受信装置３０１の要部構成を示す、図１と同様の模式図である。 [Third Embodiment]
FIG. 10 is a schematic diagram similar to FIG. 1, showing the main configuration of the receiving apparatus 301 according to the third embodiment.

受信装置３０１において、第１実施形態の受信装置１との相違点としては、例えば、後段増幅器１５が１つとされている点、整合回路（３５１、３５３および３５５）が設けられている点、複数のフィルタの一部が統合されて１つのフィルタとされている（例えば第１実施形態の１９Ａ〜１９Ｃが３１９にされている）点、アンテナ３に代えて多周波アンテナ３０３（単に「アンテナ３０３」ということがある。）が用いられている点が挙げられる。具体的には、以下のとおりである。   The receiving device 301 is different from the receiving device 1 of the first embodiment in that, for example, one post-stage amplifier 15 is provided, matching circuits (351, 353, and 355) are provided, and plural Are integrated into a single filter (for example, 19A to 19C of the first embodiment is set to 319), and instead of the antenna 3, a multi-frequency antenna 303 (simply "antenna 303"). Is used). Specifically, it is as follows.

（後段増幅器）
後段増幅器１５は、その入力端子１５ａが前段フィルタデバイス３１３の出力端子３２５（図１１参照）に接続されている。これにより、後段増幅器１５は、前段フィルタデバイス３１３の全ての前段フィルタ（３１９及び１９Ｄ）に接続されている。なお、後述するように、前段フィルタデバイス３１３は、例えば、４つの通過帯域Ｂ１〜Ｂ４の信号を通過させる。 (Second-stage amplifier)
The input terminal 15a of the post-stage amplifier 15 is connected to the output terminal 325 (see FIG. 11) of the pre-stage filter device 313. Thereby, the post-stage amplifier 15 is connected to all the pre-stage filters (319 and 19D) of the pre-stage filter device 313. As will be described later, the pre-filter device 313 passes signals in, for example, four pass bands B1 to B4.

また、後段増幅器１５は、その出力端子１５ｂが後段整合回路３５３を介して後段フィルタデバイス３１７の入力端子（不図示。前段フィルタデバイス３１３の入力端子３２３（図１１）を参照）に接続されている。これにより、後段増幅器１５は、後段フィルタデバイス３１７の全ての後段フィルタ（３２１及び２１Ｄ）に接続されている。なお、後述するように、後段フィルタデバイス３１７は、例えば、４つの通過帯域Ｂ１〜Ｂ４の信号を通過させる。   Further, the output terminal 15b of the post-stage amplifier 15 is connected to the input terminal of the post-stage filter device 317 (not shown; refer to the input terminal 323 (see FIG. 11) of the pre-stage filter device 313) via the post-stage matching circuit 353. . Thereby, the post-stage amplifier 15 is connected to all the post-stage filters (321 and 21D) of the post-stage filter device 317. As will be described later, the post-filter device 317 passes signals in, for example, four pass bands B1 to B4.

なお、本実施形態では、後段増幅器１５が１つであることから、前段増幅器１１から前段フィルタデバイス３１３までの構成と、後段増幅器１５から後段フィルタデバイス３１７までの構成とが同様の構成となっている。両者は、後述する各種の電子素子（例えばインダクタおよびキャパシタ）の接続関係およびインピーダンス（インダクタンスおよびキャパシタンス）も含めて、互いに同一の構成とされてもよい。   In the present embodiment, since there is only one post-stage amplifier 15, the configuration from the pre-stage amplifier 11 to the pre-stage filter device 313 is the same as the configuration from the post-stage amplifier 15 to the post-stage filter device 317. Yes. Both may have the same configuration, including the connection relationship and impedance (inductance and capacitance) of various electronic elements (for example, an inductor and a capacitor) described later.

（整合回路）
第１実施形態の説明では、インダクタおよび／またはキャパシタを設けることによって通過帯域毎のインピーダンスの値が調整されてよいことについて述べた。また、第２実施形態では、整合回路の一例を示した。第３実施形態に係る受信装置３０１は、通過帯域毎のインピーダンスの値の調整（図５（ａ）〜図８（ｄ）を参照して説明したインピーダンスの実現）を容易化できる整合回路を有している。具体的には、以下のとおりである。 (Matching circuit)
In the description of the first embodiment, it has been described that the impedance value for each pass band may be adjusted by providing an inductor and / or a capacitor. In the second embodiment, an example of the matching circuit is shown. The receiving apparatus 301 according to the third embodiment includes a matching circuit that can facilitate adjustment of the impedance value for each passband (impedance realization described with reference to FIGS. 5A to 8D). doing. Specifically, it is as follows.

受信装置３０１（別の観点ではアンテナモジュール３０２または受信モジュール３０５）は、例えば、前段増幅器１１と前段フィルタデバイス３１３との間に位置している前段整合回路３５１と、後段増幅器１５と後段フィルタデバイス３１７との間に位置している後段整合回路３５３と、後段フィルタデバイス３１７と受信モジュール３０５の不図示の出力端子との間に位置している出力側整合回路３５５とを有している。   The reception device 301 (in another aspect, the antenna module 302 or the reception module 305) includes, for example, a front-stage matching circuit 351, a rear-stage amplifier 15, and a rear-stage filter device 317 positioned between the front-stage amplifier 11 and the front-stage filter device 313. And a post-stage matching circuit 355 located between the post-stage filter device 317 and an output terminal (not shown) of the reception module 305.

前段整合回路３５１は、前段増幅器１１の出力端子１１ｂ（別の観点では前段フィルタデバイス３１３の入力端子３２３）と、基準電位部１０１との間で互いに並列に接続されているインダクタ３５７およびキャパシタ３５９を有している。このような前段整合回路３５１を設けることによって、出力端子１１ｂから前段フィルタデバイス３１３側を見たインピーダンスを通過帯域同士で異ならせるように調整することが容易化される。その具体的な作用は以下のとおりである。   The pre-stage matching circuit 351 includes an inductor 357 and a capacitor 359 that are connected in parallel between the output terminal 11b of the pre-stage amplifier 11 (in another aspect, the input terminal 323 of the pre-stage filter device 313) and the reference potential unit 101. Have. By providing such a pre-stage matching circuit 351, it is easy to adjust the impedance when the pre-filter device 313 side is viewed from the output terminal 11b to be different between the pass bands. The specific action is as follows.

まず、インダクタ３５７のサセプタンスは、インダクタ３５７において損失が無いと仮定すると、−１／ωＬで表される。ここで、Ｌはインダクタ３５７のインダクタンスである。ωは交流電力（信号）の角速度であり、周波数をｆとしたときにω＝２πｆである。また、キャパシタ３５９のサセプタンスは、キャパシタ３５９において損失が無いと仮定すると、ωＣで表される。ここで、Ｃはキャパシタ３５９のキャパシタンスである。そして、前段整合回路３５１のサセプタンスは、キャパシタ３５９のサセプタンスとキャパシタ３５９のサセプタンスの和であるωＣ−１／ωＬである。   First, assuming that there is no loss in the inductor 357, the susceptance of the inductor 357 is represented by -1 / ωL. Here, L is the inductance of the inductor 357. ω is the angular velocity of AC power (signal), and ω = 2πf when the frequency is f. Further, assuming that there is no loss in the capacitor 359, the susceptance of the capacitor 359 is represented by ωC. Here, C is the capacitance of the capacitor 359. The susceptance of the pre-stage matching circuit 351 is ωC−1 / ωL that is the sum of the susceptance of the capacitor 359 and the susceptance of the capacitor 359.

従って、前段整合回路３５１のサセプタンスは、周波数ｆに対して変化し、かつインダクタ３５７のサセプタンスおよびキャパシタ３５９のサセプタンスそれぞれに比較して、周波数ｆに対する変化率が大きい。その結果、出力端子１１ｂから前段フィルタデバイス３１３側を見たインピーダンスを周波数ｆの変化に対して相対的に大きく変化させることができる。なお、前段整合回路３５１および前段フィルタデバイス３１３全体をフィルタデバイスと捉え、出力端子１１ｂに接続される前段整合回路３５１よりも前段の不図示の端子が共通端子とみなされてもよいことは、第２実施形態と同様である。   Therefore, the susceptance of the pre-stage matching circuit 351 changes with respect to the frequency f, and the rate of change with respect to the frequency f is larger than the susceptance of the inductor 357 and the capacitor 359. As a result, the impedance of the front filter device 313 viewed from the output terminal 11b can be changed relatively greatly with respect to the change in the frequency f. It should be noted that the entire front-stage matching circuit 351 and the front-stage filter device 313 are regarded as filter devices, and a terminal (not shown) in the previous stage relative to the front-stage matching circuit 351 connected to the output terminal 11b may be regarded as a common terminal. This is the same as in the second embodiment.

後段整合回路３５３も、前段整合回路３５１と同様の構成である。すなわち、後段整合回路３５３は、後段増幅器１５の出力端子１５ｂ（別の観点では後段フィルタデバイス３１７の入力端子（不図示））と、基準電位部１０１との間で互いに並列に接続されているインダクタ３６１およびキャパシタ３６３を有している。その作用も前段整合回路３５１と同様である。   The post-stage matching circuit 353 has the same configuration as the pre-stage matching circuit 351. That is, the post-stage matching circuit 353 includes inductors connected in parallel between the output terminal 15 b of the post-stage amplifier 15 (in another aspect, the input terminal (not shown) of the post-stage filter device 317) and the reference potential unit 101. 361 and a capacitor 363. The operation is the same as that of the pre-matching circuit 351.

出力側整合回路３５５は、例えば、後段フィルタデバイス３１７の不図示の出力端子（前段フィルタデバイス３１３の出力端子３２５（図１１）を参照）と、基準電位部１０１とを接続しているインダクタ３６５を有している。この出力側整合回路３５５は、例えば、後段増幅器１５の出力端子１５ｂから後段フィルタデバイス３１７側を見たインピーダンス、および／または受信モジュール３０５（アンテナモジュール３０２）の出力端子３０２ｓ（図１３。別の観点ではＲＦ−ＩＣ７）から後段フィルタデバイス３１７側を見たインピーダンスの調整に寄与している。   The output side matching circuit 355 includes, for example, an inductor 365 that connects an output terminal (not shown) of the post-stage filter device 317 (see the output terminal 325 (FIG. 11) of the pre-stage filter device 313) and the reference potential unit 101. Have. The output-side matching circuit 355 includes, for example, an impedance when the rear-stage filter device 317 is viewed from the output terminal 15b of the rear-stage amplifier 15 and / or an output terminal 302s (FIG. 13, another viewpoint) of the reception module 305 (antenna module 302). Then, the RF-IC 7) contributes to the adjustment of the impedance as viewed from the rear filter device 317 side.

なお、第１実施形態の説明においては、ＲＦ−ＩＣ７から後段フィルタデバイス１７側を見たインピーダンスは、通過帯域毎に異なっていてもよいし、２以上または全ての通過帯域で同等または同一水準であってもよいことを述べた。このことは、本実施形態においても同様であり、例えば、ＲＦ−ＩＣ７から後段フィルタデバイス３１７側を見たインピーダンスは、全ての通過帯域で同一である。   In the description of the first embodiment, the impedance of the RF-IC 7 viewed from the post-filter device 17 side may be different for each pass band, and is equal or at the same level in two or more or all pass bands. I mentioned that it may be. This also applies to the present embodiment. For example, the impedance of the RF-IC 7 viewed from the post-filter device 317 side is the same in all passbands.

（フィルタの統合）
前段フィルタデバイス３１３は、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３に対応するフィルタとして、第１実施形態の第１前段フィルタ１９Ａ〜第３前段フィルタ１９Ｃに代えて、前段広帯域フィルタ３１９を有している。同様に、後段フィルタデバイス３１７は、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３に対応するフィルタとして、第１実施形態の第１後段フィルタ２１Ａ〜第３後段フィルタ２１Ｃに代えて、後段広帯域フィルタ３２１を有している。 (Filter integration)
The pre-filter device 313 has a pre-stage broadband filter 319 instead of the first pre-filter 19A to the third pre-filter 19C of the first embodiment as a filter corresponding to the pass bands B1 to B3. Similarly, the post-stage filter device 317 includes a post-stage wideband filter 321 instead of the first post-stage filter 21A to the third post-stage filter 21C of the first embodiment as filters corresponding to the pass bands B1 to B3.

図１１は、前段フィルタデバイス３１３の構成を示す模式図である。   FIG. 11 is a schematic diagram showing the configuration of the pre-stage filter device 313.

前段広帯域フィルタ３１９は、例えば、前段フィルタ１９と同様に、ラダー型共振子フィルタによって構成されている。前段広帯域フィルタ３１９の構成は、基本的には、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３を包含する通過帯域Ｂ１１（図１２）の信号を通過させることが可能に広帯域化されていることを除いて、前段フィルタ１９と同様でよい。前段広帯域フィルタ３１９を広帯域化する方法としては、種々の方法が用いられてよい。例えば、ＩＤＴ電極３３の静電容量を小さくすることによって広帯域化が図られてよい。   For example, the front-stage wideband filter 319 is configured by a ladder-type resonator filter in the same manner as the front-stage filter 19. The configuration of the pre-stage wideband filter 319 is basically the same as that of the pre-stage filter 19 except that the pre-stage filter 19 is widened so that the signal of the pass band B11 (FIG. 12) including the pass bands B1 to B3 can be passed. Same as above. Various methods may be used as a method of widening the upstream wideband filter 319. For example, the bandwidth can be increased by reducing the capacitance of the IDT electrode 33.

また、図示の例では、上記のような共振子２７自体の構成の調整による広帯域化に加えて、または代えて、共振子２７に対して並列接続されるインダクタ３６７Ａ〜３６７Ｅ（以下、Ａ〜Ｅを省略することがある。）を設けることによって広帯域化が図られている。インダクタ３６７は、図示の例のように、複数の共振子２７のうち一部（１つでもよい。）に対して設けられていてもよいし、図示の例とは異なり、全ての共振子２７に対して設けられていてもよい。前者の場合の一部の共振子２７は、適宜に選択されてよい。また、インダクタ３６７は、図示の例のように、１つの共振子２７に対して１つのインダクタ３６７が並列接続されていてもよいし、図示とは異なり、２以上の共振子２７に対して１つのインダクタ３６７が並列接続されていてもよい。   In addition, in the illustrated example, in addition to or instead of widening the bandwidth by adjusting the configuration of the resonator 27 itself as described above, inductors 367A to 367E (hereinafter referred to as A to E) connected in parallel to the resonator 27. To provide a wider bandwidth. The inductor 367 may be provided for a part (or one) of the plurality of resonators 27 as in the illustrated example, and unlike the illustrated example, all the resonators 27 may be provided. May be provided. Some of the resonators 27 in the former case may be appropriately selected. In addition, the inductor 367 may have one inductor 367 connected in parallel to one resonator 27 as in the illustrated example. Unlike the illustrated example, the inductor 367 has one inductor 367 for two or more resonators 27. Two inductors 367 may be connected in parallel.

図１１では、複数のインダクタ３６７は、対称的に設けられている。具体的には、以下のとおりである。   In FIG. 11, the plurality of inductors 367 are provided symmetrically. Specifically, it is as follows.

前段広帯域フィルタ３１９においては、電気的な接続関係に関して、複数の共振子２７を基準に任意の位置を特定することができる。例えば、入力端子３２３（第１実施形態の共通端子２３に相当）または出力端子３２５（第１実施形態の出力端子２５に相当）から任意の位置までに介在する共振子２７の数によって、当該任意の位置を特定することができる。一例を挙げると、インダクタ３６７Ａの両端の接続位置は、入力端子３２３との間に１つの直列共振子２７Ｓが介在する位置、および入力端子３２３との間に２つの直列共振子２７Ｓが介在する位置である。なお、直列共振子２７Ｓだけでなく、並列共振子２７Ｐも考慮に入れてよい。また、１つの共振子２７を耐電性の観点から２つに分割しているような場合においては、その２つの分割された共振子２７は、１つと数えられてもよい。   In the pre-stage broadband filter 319, an arbitrary position can be specified with respect to the plurality of resonators 27 with respect to the electrical connection relationship. For example, depending on the number of resonators 27 interposed from the input terminal 323 (corresponding to the common terminal 23 of the first embodiment) or the output terminal 325 (corresponding to the output terminal 25 of the first embodiment) to an arbitrary position, the arbitrary Can be specified. As an example, the connection positions of both ends of the inductor 367A are a position where one series resonator 27S is interposed between the input terminal 323 and a position where two series resonators 27S are interposed between the input terminal 323 and the inductor 367A. It is. Note that not only the series resonator 27S but also the parallel resonator 27P may be taken into consideration. In addition, in the case where one resonator 27 is divided into two from the viewpoint of electric durability, the two divided resonators 27 may be counted as one.

上記のように複数の共振子２７の接続関係に基づいてインダクタ３６７の位置を考えたときに、インダクタ３６７Ａと３６７Ｂとは、電気的に互いに対称となる位置に設けられているということができる。インダクタ３６７Ｃおよび３６７Ｅも同様である。また、インダクタ３６７Ｄは、電気的に対称な接続関係の中央に位置しているということができる。従って、全てのインダクタ３６７は、複数の共振子２７の電気的な接続関係に関して前段広帯域フィルタ３１９の入力側と出力側とに対称に設けられているということができる。   When the position of the inductor 367 is considered based on the connection relationship of the plurality of resonators 27 as described above, it can be said that the inductors 367A and 367B are provided at positions that are electrically symmetrical to each other. The same applies to the inductors 367C and 367E. Further, it can be said that the inductor 367D is located at the center of the electrically symmetrical connection relationship. Accordingly, it can be said that all the inductors 367 are provided symmetrically on the input side and the output side of the pre-stage broadband filter 319 with respect to the electrical connection relationship of the plurality of resonators 27.

電気的に互いに対称な位置にあるインダクタ３５７同士は互いに同一のインダクタンスを有している。すなわち、図示の例では、インダクタ３６７Ａおよび３６７Ｂは互いに同等のインダクタンスを有している。インダクタ３６７Ｃおよび３６７Ｅは互いに同等のインダクタンスを有している。なお、同等のインダクタンスといっても、加工精度等に起因するインダクタンスの差、および／または受信装置３０１に要求される仕様上許容されるインダクタンスの差が存在してよいことはもちろんである。例えば、０．２ｎＨ未満もしくは０．１ｎＨ、または２つのインダクタンスのうち大きい方の５％未満もしくは２％未満の差が存在してもよい。   The inductors 357 that are electrically symmetrical to each other have the same inductance. That is, in the illustrated example, the inductors 367A and 367B have inductances equivalent to each other. Inductors 367C and 367E have equivalent inductances. Needless to say, even if equivalent inductance is present, there may be an inductance difference caused by processing accuracy and / or an inductance difference allowed in the specifications required for the receiver 301. For example, there may be a difference of less than 0.2 nH or 0.1 nH, or less than 5% of the larger of the two inductances or less than 2%.

インダクタ３５７の構成及び位置等は適宜なものとされてよい。例えば、インダクタ３５７は、圧電基板３１に設けられた導体層によって構成されてよい。また、例えば、圧電基板３１の上面を封止するカバーが設けられている場合には、このカバーに設けられた導体によってインダクタ３５７が構成されてもよい。また、例えば、インダクタ３５７を構成するチップ型部品が圧電基板３１またはカバーに実装されてもよい。   The configuration, position, and the like of the inductor 357 may be appropriate. For example, the inductor 357 may be configured by a conductor layer provided on the piezoelectric substrate 31. For example, when a cover for sealing the upper surface of the piezoelectric substrate 31 is provided, the inductor 357 may be configured by a conductor provided on the cover. Further, for example, a chip type component constituting the inductor 357 may be mounted on the piezoelectric substrate 31 or the cover.

図１２は、受信装置３０１の電気的特性を示す模式図である。この図において、横軸は周波数ｆ（ＭＨｚ）を示している。左側の縦軸は、透過特性Ｓ２１（ｄＢ）を示している。線Ｌｎ１は、前段フィルタデバイス３１３における周波数と透過特性との関係を示している。 FIG. 12 is a schematic diagram illustrating electrical characteristics of the reception device 301. In this figure, the horizontal axis indicates the frequency f (MHz). The left vertical axis shows the transmission characteristic S 21 (dB). A line Ln1 indicates the relationship between the frequency and the transmission characteristics in the pre-stage filter device 313.

この図において、通過帯域Ｂ１１は、前段広帯域フィルタ３１９の通過帯域を示している。既述のように、通過帯域Ｂ１１は、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３を包含している。なお、この図は、模式図であることから、通過帯域Ｂ１の左側の境界と通過帯域Ｂ１１の左側の境界とが一致しているが、実際には両者はずれていてよい。通過帯域Ｂ１１の右側の境界についても同様である。また、実際には、通過帯域Ｂ１１とＢ４との間等において線Ｌｎ１に波形が現れていてよい。   In this figure, a pass band B11 indicates the pass band of the pre-stage broadband filter 319. As described above, the pass band B11 includes the pass bands B1 to B3. Since this figure is a schematic diagram, the left boundary of the pass band B1 and the left boundary of the pass band B11 coincide with each other. The same applies to the right boundary of the passband B11. In practice, a waveform may appear on the line Ln1 between the passbands B11 and B4.

前段広帯域フィルタ３１９が複数の前段フィルタ１９を統合したものであることは、適宜に特定することが可能である。例えば、受信装置３０１の仕様書またはパンフレットに基づいて、受信装置３０１が対象としている通過帯域（例えば通過帯域Ｂ１〜Ｂ４）を特定し、そのうちの２以上の通過帯域（ここではＢ１〜Ｂ３）に対して１つのフィルタが対応しているか否かによって、統合されたフィルタが存在するか否かが判定されてよい。   It is possible to appropriately specify that the pre-stage broadband filter 319 is a combination of a plurality of pre-stage filters 19. For example, based on the specifications or pamphlet of the receiving device 301, the pass band (for example, the pass bands B1 to B4) targeted by the receiving device 301 is specified, and two or more of these pass bands (here, B1 to B3) are specified. On the other hand, whether or not there is an integrated filter may be determined depending on whether or not one filter corresponds.

また、比帯域幅に基づいて、前段広帯域フィルタ３１９が複数の前段フィルタ１９を統合したものであることが特定されてよい。   Further, based on the specific bandwidth, it may be specified that the pre-stage wideband filter 319 is a combination of a plurality of pre-stage filters 19.

比帯域幅は、通過帯域の幅を通過帯域の中心周波数で割ったものであり、その単位は例えば％とされてよい。例えば、通過帯域Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４およびＢ１１において、その幅をＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４およびＢ１１とし、その中心周波数をｆ０１、ｆ０２、ｆ０３、ｆ０４およびｆ０１１とする。このとき、通過帯域Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４およびＢ１１の比帯域幅は、Ｂ１／ｆ０１×１００（％）、Ｂ２／ｆ０２×１００（％）、Ｂ３／ｆ０３×１００（％）、Ｂ４／ｆ０４×１００（％）およびＢ１１／ｆ０１１×１００（％）である。 The specific bandwidth is obtained by dividing the width of the passband by the center frequency of the passband, and the unit may be, for example,%. For example, in the pass bands B1, B2, B3, B4, and B11, the widths are B1, B2, B3, B4, and B11, and the center frequencies are f 0 1, f 0 2, f 0 3, f 0 4, and f. 0-11 . At this time, the specific bandwidths of the passbands B1, B2, B3, B4 and B11 are B1 / f 0 1 × 100 (%), B2 / f 0 2 × 100 (%), B3 / f 0 3 × 100 ( %), B4 / f 0 4 × 100 (%) and B11 / f 0 11 × 100 (%).

通過帯域Ｂ１〜Ｂ４それぞれの比帯域幅は、例えば、５％未満である。一方、通過帯域Ｂ１１の比帯域幅は、例えば、５％以上または１０％以上である。このような比帯域幅となる周波数の一例を挙げる。通過帯域Ｂ１〜Ｂ３それぞれにおいて、中心周波数は１１００ＭＨｚ以上１３００ＭＨｚ以下であり、幅は５０ＭＨｚ以下である。通過帯域Ｂ４において、中心周波数は１５００ＭＨｚ以上１６００ＭＨｚ以下であり、幅は７０ＭＨｚ以下である。通過帯域Ｂ１１において、中心周波数は、１１５０ＭＨｚ以上１２５０ＭＨｚ以下であり、幅は６０ＭＨｚ以上、１００ＭＨｚ以上または１２０ＭＨｚ以上である。   The specific bandwidth of each of the pass bands B1 to B4 is, for example, less than 5%. On the other hand, the specific bandwidth of the pass band B11 is, for example, 5% or more or 10% or more. An example of a frequency having such a specific bandwidth will be given. In each of the pass bands B1 to B3, the center frequency is 1100 MHz or more and 1300 MHz or less, and the width is 50 MHz or less. In the pass band B4, the center frequency is 1500 MHz or more and 1600 MHz or less, and the width is 70 MHz or less. In the pass band B11, the center frequency is 1150 MHz or more and 1250 MHz or less, and the width is 60 MHz or more, 100 MHz or more, or 120 MHz or more.

ここまで、前段フィルタデバイス３１３におけるフィルタの統合について述べたが、後段フィルタデバイス３１７についても同様である。すなわち、上述の説明において、前段フィルタデバイス３１３、第１前段フィルタ１９Ａ〜第４前段フィルタ１９Ｄおよび前段広帯域フィルタ３１９は、後段フィルタデバイス３１７、第１後段フィルタ２１Ａ〜第４後段フィルタ２１Ｄおよび後段広帯域フィルタ３２１に置き換えられてよい。   Up to this point, the integration of filters in the front-stage filter device 313 has been described, but the same applies to the rear-stage filter device 317. That is, in the above description, the front-stage filter device 313, the first front-stage filter 19A to the fourth front-stage filter 19D, and the front-stage wideband filter 319 are the rear-stage filter device 317, the first rear-stage filter 21A to the fourth rear-stage filter 21D, and the rear-stage wideband filter. 321 may be substituted.

（多周波アンテナ）
既述のようにアンテナ３０３は、複数の通過帯域に対応する多周波アンテナによって構成されている。例えば、アンテナ３０３は、ＶＳＷＲが所定の閾値Ｒｔ以下となる周波数帯を２以上有している。閾値Ｒｔは、例えば、一般的に要求される仕様に照らして３．０とされてよい。なお、閾値Ｒｔは、２．０、１．８または１．５等とされても構わない。 (Multi-frequency antenna)
As described above, the antenna 303 is configured by a multi-frequency antenna corresponding to a plurality of passbands. For example, the antenna 303 has two or more frequency bands in which VSWR is equal to or less than a predetermined threshold value Rt. For example, the threshold value Rt may be set to 3.0 in light of generally required specifications. Note that the threshold value Rt may be set to 2.0, 1.8, 1.5, or the like.

図１２において、右側の縦軸は、ＶＳＷＲを示している。線Ｌｎ３は、アンテナ３０３における周波数とＶＳＷＲとの関係を示している。   In FIG. 12, the right vertical axis indicates VSWR. A line Ln3 indicates the relationship between the frequency in the antenna 303 and the VSWR.

アンテナ３０３において、ＶＳＷＲは、例えば、通過帯域Ｂ１〜Ｂ４のそれぞれにおいて３．０以下となっている。従って、アンテナ３０３と前段広帯域フィルタ３１９（および／または後段広帯域フィルタ３２１）との組み合わせは、通過帯域Ｂ１〜Ｂ４のそれぞれを通過帯域とするフィルタのように機能することになる。   In the antenna 303, the VSWR is, for example, 3.0 or less in each of the pass bands B1 to B4. Therefore, the combination of the antenna 303 and the front-stage wideband filter 319 (and / or the rear-stage wideband filter 321) functions as a filter having passbands B1 to B4 as passbands.

なお、図１２では、ＶＳＷＲが閾値Ｒｔ（３．０）以下となる周波数帯は、通過帯域Ｂ１〜Ｂ４それぞれに対して設定されている。ただし、１つの周波数帯は、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３（またはＢ１〜Ｂ４）の２つ以上（ただし総数未満）に対して設定されてもよい。すなわち、アンテナ３０３の周波数帯の数は、通過帯域Ｂ１〜Ｂ３（またはＢ１〜Ｂ４）の数よりも少なくてもよい。   In FIG. 12, the frequency band in which the VSWR is equal to or less than the threshold value Rt (3.0) is set for each of the pass bands B1 to B4. However, one frequency band may be set for two or more (but less than the total number) of the pass bands B1 to B3 (or B1 to B4). That is, the number of frequency bands of the antenna 303 may be smaller than the number of passbands B1 to B3 (or B1 to B4).

また、図１２では、閾値Ｒｔ以下となる周波数帯それぞれの境界（別の観点では幅）と、当該周波数帯と重なる通過帯域Ｂ１〜Ｂ４それぞれの境界とが一致している。実際には、両者はずれていても構わない。従って、例えば、通過帯域Ｂ１１が、アンテナ３０３においてＶＳＷＲが閾値Ｒｔ以下となる複数の周波数帯の２つ以上に重複する帯域幅を有しているという場合、通過帯域Ｂ１１の少なくとも一部と、ＶＳＷＲが閾値Ｒｔ以下となる２つ以上の周波数帯それぞれの少なくとも一部とが重なっている態様も含む。例えば、帯域幅の５０％以上同士または８０％以上同士が重なってよい。   In FIG. 12, the boundaries of the frequency bands that are equal to or less than the threshold value Rt (in another aspect, the width) coincide with the boundaries of the pass bands B1 to B4 that overlap the frequency band. Actually, both may be shifted. Therefore, for example, when the pass band B11 has a bandwidth that overlaps two or more of a plurality of frequency bands in which the VSWR is equal to or less than the threshold value Rt in the antenna 303, at least a part of the pass band B11 and the VSWR Also includes an aspect in which at least a part of each of two or more frequency bands in which is equal to or less than the threshold value Rt overlap. For example, 50% or more or 80% or more of the bandwidths may overlap.

なお、複数の通過帯域に対応する多周波アンテナによって構成されているアンテナ３０３は、例えば、ＶＳＷＲが所定の閾値Ｒｔ以下となる周波数帯を１以上有している。閾値Ｒｔは、例えば、一般的に要求される仕様に照らして３．０とされてよい。なお、閾値Ｒｔは、２．０、１．８または１．５等としてもよい。そして、ＶＳＷＲが所定の閾値Ｒｔ以下となる周波数帯の１つの帯域内にすべての通過帯域が包含されていてもよい。   Note that the antenna 303 configured by multi-frequency antennas corresponding to a plurality of passbands has, for example, one or more frequency bands in which VSWR is equal to or less than a predetermined threshold Rt. For example, the threshold value Rt may be set to 3.0 in light of generally required specifications. Note that the threshold value Rt may be 2.0, 1.8, 1.5, or the like. Then, all the pass bands may be included in one frequency band in which VSWR is equal to or less than a predetermined threshold value Rt.

多周波アンテナ３０３は、公知の種々の構成によって実現されてよい。以下では、その一例を示す。   The multi-frequency antenna 303 may be realized by various known configurations. Below, an example is shown.

図１３は、アンテナ３０３を含むアンテナモジュール３０２の要部構成を示す模式的な斜視図である。   FIG. 13 is a schematic perspective view showing the main configuration of the antenna module 302 including the antenna 303.

アンテナモジュール３０２は、アンテナ３０３と、受信モジュール３０５とを含むものである（図１０も参照）。アンテナモジュール３０２は、例えば、概して言えば、回路基板３６８に各種の電子部品が実装されて構成されている。   The antenna module 302 includes an antenna 303 and a receiving module 305 (see also FIG. 10). For example, generally speaking, the antenna module 302 is configured by mounting various electronic components on a circuit board 368.

回路基板３６８は、単層基板、両面基板または多層基板（図示の例では両面基板または多層基板）とされてよい。回路基板３６８は、絶縁基板３６９と、絶縁基板３６９に配置された各種の導体（３７１、３０２ｇ、３０２ｓ等）とを有している。絶縁基板３６９は、例えば、セラミックまたは樹脂等の絶縁層を積層することによって構成されている。各種の導体は、絶縁層に重なる導体層および／または絶縁層を貫通するビア導体を含む。   The circuit board 368 may be a single-layer board, a double-sided board, or a multilayer board (double-sided board or multilayer board in the illustrated example). The circuit board 368 includes an insulating substrate 369 and various conductors (371, 302g, 302s, etc.) disposed on the insulating substrate 369. The insulating substrate 369 is configured, for example, by laminating insulating layers such as ceramic or resin. The various conductors include a conductor layer that overlaps the insulating layer and / or a via conductor that penetrates the insulating layer.

アンテナモジュール３０２は、例えば、アンテナ３０３によって受信した信号を、受信モジュール３０５を介して出力するための出力端子３０２ｓと、基準電位が付与される基準電位端子３０２ｇと、を有している。これらの端子は、例えば、絶縁基板３６９上に位置する導体層によって構成されている。また、これらの端子は、例えば、アンテナモジュール３０２およびＲＦ−ＩＣ７が実装される不図示の回路基板を介してＲＦ−ＩＣ７に接続される。   The antenna module 302 has, for example, an output terminal 302s for outputting a signal received by the antenna 303 via the reception module 305, and a reference potential terminal 302g to which a reference potential is applied. These terminals are constituted by, for example, a conductor layer located on the insulating substrate 369. In addition, these terminals are connected to the RF-IC 7 via, for example, a circuit board (not shown) on which the antenna module 302 and the RF-IC 7 are mounted.

アンテナ３０３は、例えば、絶縁基板３６９と、絶縁基板３６９に設けられたアンテナ導体３７１および不図示の地板とを有している。アンテナ導体３７１および地板は、絶縁基板３６９の主面または内部に設けられた導体層によって構成されており、絶縁基板３６９の絶縁層を介して互いに対向している。アンテナ導体３７１は、受信モジュール３０５等を介して出力端子３０２ｓに接続される（信号線に接続される。）。地板は、基準電位端子３０２ｇに接続される（基準電位が付与される。）。アンテナ導体３７１は、例えば、信号線に対する接続位置からの長さが互いに異なる４本のストリップ３７１ａ（受信モジュール３０５側の一部は共用されている。）を有している。４本のストリップ３７１ａの長さは、４つの通過帯域Ｂ１〜Ｂ４の電波の実効波長の１／４程度とされている。これにより、多周波アンテナが実現されている。   The antenna 303 includes, for example, an insulating substrate 369, an antenna conductor 371 provided on the insulating substrate 369, and a ground plane (not shown). The antenna conductor 371 and the ground plane are configured by a conductor layer provided on the main surface or inside of the insulating substrate 369 and face each other with the insulating layer of the insulating substrate 369 interposed therebetween. The antenna conductor 371 is connected to the output terminal 302s via the receiving module 305 or the like (connected to the signal line). The ground plane is connected to a reference potential terminal 302g (a reference potential is applied). The antenna conductor 371 has, for example, four strips 371a (a part on the receiving module 305 side is shared) having different lengths from the connection position with respect to the signal line. The length of the four strips 371a is about ¼ of the effective wavelength of the radio waves in the four pass bands B1 to B4. Thereby, a multi-frequency antenna is realized.

受信モジュール３０５は、例えば、回路基板３６８と、回路基板３６８に実装されている各種の電子部品（チップ型部品）とを有している。各種の電子部品は、例えば、前段増幅器１１、前段フィルタデバイス３１３、後段増幅器１５および後段フィルタデバイス３１７である。これらは、例えば、回路基板３６８の配線（符号省略）によって、アンテナ導体３７１と出力端子３０２ｓとの間で直列に接続されている。   The reception module 305 includes, for example, a circuit board 368 and various electronic components (chip-type parts) mounted on the circuit board 368. The various electronic components are, for example, the pre-stage amplifier 11, the pre-stage filter device 313, the post-stage amplifier 15, and the post-stage filter device 317. For example, these are connected in series between the antenna conductor 371 and the output terminal 302 s by wiring (not shown) of the circuit board 368.

なお、図１３に示す構成は、第３実施形態だけでなく、他の実施形態に適用されてもよい。   Note that the configuration shown in FIG. 13 may be applied not only to the third embodiment but also to other embodiments.

以上のとおり、本実施形態においても、前段フィルタデバイス３１３（別の観点では受信モジュール３０５）は、共通端子（例えば入力端子３２３。別の観点では前段増幅器１１の出力端子１１ｂ）から見て互いに分岐しており、互いに異なる複数の通過帯域Ｂ４およびＢ１１（またはＢ１〜Ｂ３）に対応している複数のフィルタ（前段広帯域フィルタ３１９および第４前段フィルタ１９Ｄ）を有している。入力端子３２３から複数のフィルタ側を見たインピーダンスは、通過帯域Ｂ４における値と通過帯域Ｂ１１における値とが異なっている。   As described above, also in this embodiment, the pre-stage filter device 313 (reception module 305 in another viewpoint) branches from each other when viewed from the common terminal (for example, the input terminal 323. In another aspect, the output terminal 11b of the pre-stage amplifier 11). It has a plurality of filters (pre-stage broadband filter 319 and fourth pre-stage filter 19D) corresponding to a plurality of different pass bands B4 and B11 (or B1 to B3). The impedance when the plurality of filter sides are viewed from the input terminal 323 is different from the value in the pass band B4 and the value in the pass band B11.

従って、第１実施形態と同様の効果が奏される。例えば、前段フィルタデバイス３１３よりも前段の素子（本実施形態では前段増幅器１１）にとって好ましい後段側のインピーダンスが周波数によって異なる場合に、各通過帯域におけるインピーダンスを前段の素子にとって好ましい値にすることができる。   Therefore, the same effect as the first embodiment is achieved. For example, when the impedance on the rear side that is preferable for the element in the front stage (the front stage amplifier 11 in this embodiment) is different depending on the frequency than the front stage filter device 313, the impedance in each pass band can be set to a value that is preferable for the element in the front stage. .

また、本実施形態では、前段フィルタデバイス３１３は、複数のフィルタ（３１９および１９Ｄ）に対して第１共通端子（例えば入力端子３２３）とは反対側に接続されている第２共通端子（例えば出力端子３２５）をさらに有している。別の観点では、受信モジュール３０５は、複数のフィルタに対してその出力側に入力端子１５ａが接続されている後段増幅器１５を有している。   In the present embodiment, the pre-stage filter device 313 includes a second common terminal (for example, an output) connected to the plurality of filters (319 and 19D) on the opposite side to the first common terminal (for example, the input terminal 323). A terminal 325). From another viewpoint, the reception module 305 includes a post-stage amplifier 15 having an input terminal 15a connected to the output side of a plurality of filters.

この場合、例えば、後段増幅器１５の数を減らして受信モジュールの小型化を図ることができる。なお、第１実施形態のように、インピーダンスの水準が異なるもの同士で出力端子２５を分けた場合においては、例えば、出力端子２５側から前段側を見たインピーダンスの調整が容易である。   In this case, for example, the size of the receiving module can be reduced by reducing the number of post-stage amplifiers 15. In the case where the output terminals 25 are separated from each other with different impedance levels as in the first embodiment, for example, it is easy to adjust the impedance when viewing the previous stage from the output terminal 25 side.

また、本実施形態では、通過帯域Ｂ４および通過帯域Ｂ１１の少なくとも一方（本実施形態では通過帯域Ｂ１１）は、比帯域幅が５％以上または１０％以上である。   In the present embodiment, at least one of the passband B4 and the passband B11 (passband B11 in the present embodiment) has a specific bandwidth of 5% or more or 10% or more.

この場合、換言すれば、複数のフィルタ（第１実施形態の第１前段フィルタ１９Ａ〜第３前段フィルタ１９Ｃ）が前段広帯域フィルタ３１９に統合されているということである。このようにフィルタを統合することによって、前段フィルタデバイス３１３が含むフィルタの数を減らすことができる。その結果、例えば、前段フィルタデバイス３１３を小型化することができる。インピーダンスを同一水準とすべき（もしくは同一水準にしてよい）通過帯域Ｂ１〜Ｂ３に対応するフィルタを統合しているから、インピーダンスの調整も容易化される。   In other words, in other words, a plurality of filters (the first pre-stage filter 19A to the third pre-stage filter 19C of the first embodiment) are integrated into the pre-stage wideband filter 319. By integrating the filters in this way, the number of filters included in the pre-stage filter device 313 can be reduced. As a result, for example, the pre-stage filter device 313 can be reduced in size. Since the filters corresponding to the passbands B1 to B3 that should have the same level (or may have the same level) are integrated, the adjustment of the impedance is facilitated.

また、本実施形態では、前段整合回路３５１は、前段増幅器１１の出力端子１１ｂと基準電位部１０１との間に互いに並列に接続されているインダクタ３５７およびキャパシタ３５９を有している。   In the present embodiment, the pre-stage matching circuit 351 includes an inductor 357 and a capacitor 359 that are connected in parallel to each other between the output terminal 11 b of the pre-stage amplifier 11 and the reference potential unit 101.

この場合、例えば、既に述べたように、通過帯域毎にインピーダンスを調整することが容易化され、ひいては、図５（ａ）〜図８（ｄ）を参照して説明したインピーダンスを実現することが容易化される。当該効果は、本実施形態のように、後段増幅器１５を１つにした場合、および／または複数のフィルタを統合した広帯域フィルタを用いた場合に有効である。なお、通常、整合回路は、インピーダンスを所定値にすることに利用されるが、本実施形態のように通過帯域間でインピーダンスを異ならせるために利用されることはない。   In this case, for example, as described above, it is easy to adjust the impedance for each pass band, and consequently, the impedance described with reference to FIGS. 5A to 8D can be realized. Facilitated. This effect is effective when a single post-stage amplifier 15 is used and / or a wideband filter in which a plurality of filters are integrated is used, as in this embodiment. Normally, the matching circuit is used to set the impedance to a predetermined value, but is not used to make the impedance different between the pass bands as in the present embodiment.

また、本実施形態では、前段広帯域フィルタ３１９は、ラダー型に接続されている複数の共振子２７を有している。受信モジュール３０５は、前段広帯域フィルタ３１９の複数の共振子２７の少なくとも１つに並列接続されているインダクタ３６７を有している。この場合、例えば、前段広帯域フィルタ３１９の広帯域化が容易化される。その結果、例えば、比帯域幅が５％以上または１０％以上のフィルタの実現が容易化される。   In the present embodiment, the pre-stage broadband filter 319 includes a plurality of resonators 27 connected in a ladder shape. The reception module 305 includes an inductor 367 connected in parallel to at least one of the plurality of resonators 27 of the front-stage wideband filter 319. In this case, for example, the wide band of the pre-stage wide band filter 319 is facilitated. As a result, for example, the realization of a filter having a specific bandwidth of 5% or more or 10% or more is facilitated.

また、本実施形態では、受信モジュール３０５は、複数の共振子２７同士の接続関係に対して電気的に対称な位置に複数のインダクタ３６７を有している。電気的に互いに対称な位置のインダクタ３６７同士は互いに同等のインダクタンスを有している。この場合、例えば、所望の通過帯域が得られるインダクタンスの解を得ることが容易である。   In the present embodiment, the reception module 305 includes a plurality of inductors 367 at positions that are electrically symmetrical with respect to the connection relationship between the plurality of resonators 27. The inductors 367 that are electrically symmetrical to each other have the same inductance. In this case, for example, it is easy to obtain an inductance solution that provides a desired passband.

また、本実施形態では、アンテナ３０３は、当該アンテナ３０３の出力側から見た電圧定在波比（ＶＳＷＲ）が３．０以下となる周波数帯を複数有している。通過帯域Ｂ１および通過帯域Ｂ１１の少なくとも一方（本実施形態では通過帯域Ｂ１１）は、アンテナ３０３の複数の周波数帯の２つ以上（本実施形態では３つ）に重複する帯域幅を有している。   In the present embodiment, the antenna 303 has a plurality of frequency bands in which the voltage standing wave ratio (VSWR) viewed from the output side of the antenna 303 is 3.0 or less. At least one of the passband B1 and the passband B11 (passband B11 in this embodiment) has a bandwidth that overlaps two or more (three in this embodiment) of the plurality of frequency bands of the antenna 303. .

この場合、換言すれば、複数のフィルタ（第１前段フィルタ１９Ａ〜第３前段フィルタ１９Ｃ）が前段広帯域フィルタ３１９に統合されているということである。このようにフィルタを統合することについての効果については既に述べた。また、アンテナ３０３と前段広帯域フィルタ３１９との全体でフィルタのように機能することから、構成を簡素化できる。   In other words, in other words, a plurality of filters (the first pre-stage filter 19A to the third pre-stage filter 19C) are integrated into the pre-stage wideband filter 319. The effect of integrating filters in this way has already been described. Further, since the antenna 303 and the upstream broadband filter 319 function like a filter as a whole, the configuration can be simplified.

［第４実施形態］
図１４は、第４実施形態に係る受信装置の一部の構成を示す模式図である。より具体的には、受信装置のうち、前段フィルタデバイス４１３を含む前段フィルタ構成部４１２が示されている。 [Fourth Embodiment]
FIG. 14 is a schematic diagram illustrating a partial configuration of the receiving apparatus according to the fourth embodiment. More specifically, a front-stage filter configuration unit 412 including a front-stage filter device 413 in the receiving apparatus is shown.

第３実施形態では、前段広帯域フィルタ３１９を広帯域化するためのインダクタ３６７は、前段フィルタデバイス３１３が有していた。一方、本実施形態では、広帯域化のためのインダクタ３６７の一部（全部でもよい）が前段フィルタデバイス４１３の外部に設けられている。具体的には、例えば、前段フィルタデバイス４１３は、第３実施形態の前段フィルタデバイス３１３から、インダクタ３６７Ａ、３６７Ｂ、３６７Ｃおよび３６７Ｅを無くした構成である。そして、インダクタ３６７Ａ、３６７Ｂ、３６７Ｃおよび３６７Ｅは、前段フィルタデバイス４１３の外部に設けられている。例えば、これらのインダクタは、図１３に示した回路基板３６８に実装されている。   In the third embodiment, the pre-stage filter device 313 has the inductor 367 for widening the pre-stage wide band filter 319. On the other hand, in this embodiment, a part (or all) of the inductor 367 for widening the band is provided outside the pre-stage filter device 413. Specifically, for example, the front-stage filter device 413 has a configuration in which the inductors 367A, 367B, 367C, and 367E are eliminated from the front-stage filter device 313 of the third embodiment. The inductors 367A, 367B, 367C, and 367E are provided outside the pre-filter device 413. For example, these inductors are mounted on the circuit board 368 shown in FIG.

なお、図１４では、前段フィルタデバイスに関してのみ図示したが、後段フィルタデバイスについても同様に、後段フィルタデバイスの外部に広帯域化用のインダクタが設けられてよい。この際、後段フィルタ構成部は、前段フィルタ構成部４１２と同様の構成とされてよい。第３および第４実施形態は、広帯域化用のインダクタの配置等に差異があるが、受信モジュールが広帯域化用のインダクタを有していることについて相違はない。実施形態の説明では、便宜上、前段フィルタデバイス４１３と、インダクタ３６７Ａ、３６７Ｂ、３６７Ｃおよび３６７Ｅとの組み合わせを前段フィルタ構成部４１２と呼称しているが、前段フィルタ構成部４１２はフィルタデバイスと捉えられてもよい。   In FIG. 14, only the front-stage filter device is illustrated, but similarly, the post-stage filter device may be provided with a broadband inductor outside the rear-stage filter device. At this time, the post-filter configuration unit may be configured in the same manner as the pre-filter configuration unit 412. The third and fourth embodiments differ in the arrangement of the inductor for widening the band, but there is no difference in that the receiving module has the inductor for widening the band. In the description of the embodiment, for convenience, the combination of the front-stage filter device 413 and the inductors 367A, 367B, 367C, and 367E is referred to as a front-stage filter configuration unit 412, but the front-stage filter configuration unit 412 is regarded as a filter device. Also good.

本開示に係る技術は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。   The technology according to the present disclosure is not limited to the above embodiments, and may be implemented in various aspects.

例えば、フィルタは、ラダー型共振子フィルタに限定されない。例えば、ＩＤＴ電極が弾性波の伝搬方向に配列された多重モード型弾性波フィルタであってもよい。ラダー型共振子フィルタ等のフィルタを構成する共振子は、ＩＤＴ電極を励振電極とするものに限定されず、例えば、圧電薄膜共振子であってもよい。弾性波は、ＳＡＷに限定されず、例えば、バルク波または弾性境界波（ただしＳＡＷの一種と捉えられてよい。）であってもよい。   For example, the filter is not limited to a ladder type resonator filter. For example, a multi-mode acoustic wave filter in which IDT electrodes are arranged in the propagation direction of the acoustic wave may be used. A resonator constituting a filter such as a ladder-type resonator filter is not limited to an IDT electrode used as an excitation electrode, and may be a piezoelectric thin film resonator, for example. The elastic wave is not limited to SAW, and may be, for example, a bulk wave or a boundary acoustic wave (however, it may be regarded as a kind of SAW).

受信装置は、送受信機能を有する通信装置の一部であってもよい。受信モジュールについても同様である。受信モジュールは、２段のフィルタデバイスを有さず、前段フィルタデバイスのみを有していてもよい。後段増幅器は、複数の前段フィルタの全てに対して個別に設けられていてもよいし、逆に、第３実施形態で示したように１つのみ設けられていてもよい。   The receiving device may be a part of a communication device having a transmission / reception function. The same applies to the receiving module. The reception module may not have the two-stage filter device but may have only the front-stage filter device. The post-stage amplifier may be provided individually for all of the plurality of pre-stage filters, or conversely, only one may be provided as shown in the third embodiment.

第１および第２実施形態では、前段フィルタデバイス１３は、共通端子２３に入力された信号を複数の前段フィルタ１９によってフィルタリングするものであった。ただし、フィルタデバイスは、複数のフィルタによってフィルタリングした信号を共通端子から出力するものであってもよい。この場合であっても、例えば、共通端子から出力される信号が入力される後段の素子にとって、好ましいインピーダンスの値が通過帯域毎に異なる場合に、共通端子から複数のフィルタ側を見たインピーダンスの値を互いに異ならせることによって、適切にインピーダンスの値を設定することができる。   In the first and second embodiments, the pre-stage filter device 13 filters the signal input to the common terminal 23 by the plural pre-stage filters 19. However, the filter device may output a signal filtered by a plurality of filters from a common terminal. Even in this case, for example, for a subsequent element to which a signal output from the common terminal is input, when a preferable impedance value is different for each pass band, impedance of the plurality of filter sides viewed from the common terminal By making the values different from each other, the impedance value can be set appropriately.

１…受信装置、５…受信モジュール、１３…前段フィルタデバイス（フィルタデバイス）、１９…前段フィルタ、２３…（第１）共通端子、Ｂ１〜Ｂ４…通過帯域。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Reception apparatus, 5 ... Reception module, 13 ... Pre-stage filter device (filter device), 19 ... Pre-stage filter, 23 ... (1st) common terminal, B1-B4 ... Pass band.

Claims (21)

第１共通端子と、
前記第１共通端子に接続され、前記第１共通端子から見て互いに分岐しており、互いに異なる複数の通過帯域に対応している複数のフィルタと、
を有しており、
前記複数の通過帯域は、第１通過帯域および第２通過帯域を含み、
前記第１共通端子から前記複数のフィルタ側を見たインピーダンスは、前記第１通過帯域における第１の値と前記第２通過帯域における第２の値とが異なっている
フィルタデバイス。 A first common terminal;
A plurality of filters connected to the first common terminal, branched from each other as viewed from the first common terminal, and corresponding to a plurality of different passbands;
Have
The plurality of passbands include a first passband and a second passband;
The filter device in which the first value in the first pass band and the second value in the second pass band are different from each other when the impedance when the plurality of filters are viewed from the first common terminal. 前記第１通過帯域は、前記複数の通過帯域のうち最も周波数が高い通過帯域であり、
前記第１の値の絶対値は、前記第２の値の絶対値よりも小さい、または大きい
請求項１に記載のフィルタデバイス。 The first passband is a passband having the highest frequency among the plurality of passbands,
The filter device according to claim 1, wherein an absolute value of the first value is smaller or larger than an absolute value of the second value. 前記第１の値と前記第２の値とは、反射係数平面で０．３以上離れている
請求項１または２に記載のフィルタデバイス。 The filter device according to claim 1, wherein the first value and the second value are separated by 0.3 or more on a reflection coefficient plane. 前記複数のフィルタそれぞれは、圧電基板と、当該圧電基板上に位置する励振電極とを有している弾性波フィルタを含んでいる
請求項１〜３のいずれか１項に記載のフィルタデバイス。 The filter device according to claim 1, wherein each of the plurality of filters includes an acoustic wave filter having a piezoelectric substrate and an excitation electrode positioned on the piezoelectric substrate. 前記複数のフィルタは、前記圧電基板を共有しているとともに、それぞれの前記励振電極を有している
請求項４に記載のフィルタデバイス。 The filter device according to claim 4, wherein the plurality of filters share the piezoelectric substrate and each of the excitation electrodes. 前記第１通過帯域は、前記第２通過帯域よりも周波数が高く、
前記複数のフィルタにおいて、前記第１通過帯域に対応するフィルタは、前記第２通過帯域に対応するフィルタよりも前記励振電極の膜厚が薄い
請求項４または５に記載のフィルタデバイス。 The first passband is higher in frequency than the second passband,
6. The filter device according to claim 4, wherein, in the plurality of filters, the filter corresponding to the first pass band has a film thickness of the excitation electrode smaller than that of the filter corresponding to the second pass band. 前記複数のフィルタに対して前記第１共通端子とは反対側に接続されている第２共通端子をさらに有している
請求項１〜６のいずれか１項に記載のフィルタデバイス。 The filter device according to claim 1, further comprising a second common terminal connected to the side opposite to the first common terminal with respect to the plurality of filters. 前記第１通過帯域および前記第２通過帯域の少なくとも一方は、比帯域幅が５％以上である
請求項１〜７のいずれか１項に記載のフィルタデバイス。 The filter device according to claim 1, wherein at least one of the first passband and the second passband has a specific bandwidth of 5% or more. 前記第１通過帯域および前記第２通過帯域の前記一方は、比帯域幅が１０％以上である
請求項８に記載のフィルタデバイス。 The filter device according to claim 8, wherein the one of the first passband and the second passband has a specific bandwidth of 10% or more. 前段増幅器と、
前記前段増幅器の出力端子に接続されている前段フィルタデバイスと、
を有しており、
前記前段フィルタデバイスは、前記出力端子に接続され、前記出力端子から見て分岐しており、互いに異なる複数の通過帯域に対応している複数の前段フィルタを有しており、
前記複数の通過帯域は、第１通過帯域および第２通過帯域を含み、
前記出力端子から前記前段フィルタデバイス側を見たインピーダンスは、前記第１通過帯域における第１の値と前記第２通過帯域における第２の値とが異なっている
受信モジュール。 A preamplifier, and
A pre-filter device connected to the output terminal of the pre-stage amplifier;
Have
The pre-filter device has a plurality of pre-filters connected to the output terminal, branched from the output terminal, and corresponding to a plurality of different pass bands,
The plurality of passbands include a first passband and a second passband;
The receiving module, wherein the impedance when the front filter device side is viewed from the output terminal is different between a first value in the first pass band and a second value in the second pass band. 前記出力端子に接続されている整合回路をさらに有している
請求項１０に記載の受信モジュール。 The receiving module according to claim 10, further comprising a matching circuit connected to the output terminal. 前記整合回路は、前記出力端子と基準電位部との間に互いに並列に接続されているインダクタおよびキャパシタを有している
請求項１１に記載の受信モジュール。 The receiving module according to claim 11, wherein the matching circuit includes an inductor and a capacitor connected in parallel to each other between the output terminal and a reference potential unit. 前記第１通過帯域および前記第２通過帯域の少なくとも一方は、比帯域幅が５％以上であり、
前記複数の前段フィルタのうち、前記第１通過帯域および前記第２通過帯域の前記一方に対応しているフィルタは、ラダー型に接続されている複数の共振子を有しており、
前記複数の共振子の少なくとも１つにインダクタが並列接続されている
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の受信モジュール。 At least one of the first passband and the second passband has a specific bandwidth of 5% or more,
Among the plurality of pre-stage filters, the filter corresponding to the one of the first passband and the second passband has a plurality of resonators connected in a ladder shape,
The receiving module according to claim 10, wherein an inductor is connected in parallel to at least one of the plurality of resonators. 前記複数の共振子同士の接続関係に対して電気的に対称な位置に複数の前記インダクタを有しており、
電気的に互いに対称な位置の前記インダクタ同士は互いに同等のインダクタンスを有している
請求項１３に記載の受信モジュール。 Having a plurality of the inductors at positions that are electrically symmetrical with respect to the connection relationship between the plurality of resonators;
The receiving module according to claim 13, wherein the inductors at positions that are electrically symmetrical to each other have equivalent inductances. 前記複数の前段フィルタに対してその出力側に入力端子が接続されている後段増幅器をさらに有している
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の受信モジュール。 The receiving module according to claim 10, further comprising a post-stage amplifier having an input terminal connected to an output side of the plurality of pre-stage filters. 前記前段フィルタデバイスの出力側に入力端子が接続されている複数の後段増幅器をさらに有しており、
前記複数の後段増幅器は、
前記複数の前段フィルタのうちの前記第１通過帯域に対応するフィルタに接続されている第１後段増幅器と、
前記複数の前段フィルタのうちの前記第２通過帯域に対応するフィルタに接続されている第２後段増幅器と、を有している
請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の受信モジュール。 A plurality of rear-stage amplifiers having input terminals connected to the output side of the front-stage filter device;
The plurality of post-stage amplifiers are:
A first post-stage amplifier connected to a filter corresponding to the first passband of the plurality of pre-stage filters;
The reception module according to claim 10, further comprising: a second post-stage amplifier connected to a filter corresponding to the second passband among the plurality of pre-stage filters. 前記複数の通過帯域は、第３通過帯域をさらに含み、
前記前段増幅器の前記出力端子から前記前段フィルタデバイス側を見たインピーダンスは、前記第２の値と前記第３通過帯域における第３の値との反射係数平面における距離が、前記第１の値と前記第２の値との反射係数平面における距離および前記第１の値と前記第３の値との反射係数平面における距離それぞれよりも小さく、
前記第２後段増幅器の入力端子は、前記複数の前段フィルタのうちの前記第３通過帯域に対応するフィルタにも接続されている
請求項１６に記載の受信モジュール。 The plurality of passbands further include a third passband;
The impedance viewed from the output terminal of the front-stage amplifier from the front-stage filter device side is the distance in the reflection coefficient plane between the second value and the third value in the third passband is the first value. Smaller than the distance in the reflection coefficient plane between the second value and the distance in the reflection coefficient plane between the first value and the third value, respectively.
The receiving module according to claim 16, wherein an input terminal of the second post-stage amplifier is also connected to a filter corresponding to the third passband among the plurality of pre-stage filters. 前記複数の後段増幅器の出力端子に接続されている、前記複数の通過帯域に対応する複数の後段フィルタを有しており、
前記複数の後段フィルタのうち前記第１通過帯域に対応するフィルタは、前記第１後段増幅器の出力端子に接続されており、
前記複数の後段フィルタのうち、前記第２通過帯域に対応するフィルタおよび前記第３通過帯域に対応するフィルタは、それぞれ前記第２後段増幅器の出力端子に接続されている
請求項１７に記載の受信モジュール。 A plurality of rear-stage filters connected to output terminals of the plurality of rear-stage amplifiers and corresponding to the plurality of passbands;
The filter corresponding to the first passband among the plurality of rear-stage filters is connected to the output terminal of the first rear-stage amplifier,
18. The reception according to claim 17, wherein a filter corresponding to the second passband and a filter corresponding to the third passband among the plurality of subsequent filters are respectively connected to output terminals of the second poststage amplifier. module. アンテナと、
前記アンテナに入力側が接続されている、請求項１０〜１８のいずれか１項に記載の受信モジュールと、
を有しているアンテナモジュール。 An antenna,
The receiving module according to any one of claims 10 to 18, wherein an input side is connected to the antenna;
Having an antenna module. 前記アンテナは、当該アンテナの出力側から見た電圧定在波比が３．０以下となる周波数帯を複数有しており、
前記第１通過帯域および前記第２通過帯域の少なくとも一方は、前記複数の周波数帯の２つ以上に重複する帯域幅を有している
請求項１９に記載のアンテナモジュール。 The antenna has a plurality of frequency bands in which the voltage standing wave ratio viewed from the output side of the antenna is 3.0 or less,
The antenna module according to claim 19, wherein at least one of the first passband and the second passband has a bandwidth that overlaps two or more of the plurality of frequency bands. アンテナと、
前記アンテナに前記前段増幅器の入力端子が接続されている、請求項１０〜１８のいずれか１項に記載の受信モジュールと、
前記受信モジュールの出力側に接続されているＩＣと、
を有している受信装置。 An antenna,
The receiving module according to any one of claims 10 to 18, wherein an input terminal of the pre-stage amplifier is connected to the antenna.
An IC connected to the output side of the receiving module;
A receiving apparatus.
JP2018142392A 2017-08-02 2018-07-30 Filter device, receiver module, antenna module and receiver Active JP7176878B2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017150048 2017-08-02
JP2017150048 2017-08-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019030009A true JP2019030009A (en) 2019-02-21
JP7176878B2 JP7176878B2 (en) 2022-11-22

Family

ID=65479014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018142392A Active JP7176878B2 (en) 2017-08-02 2018-07-30 Filter device, receiver module, antenna module and receiver

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7176878B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021034965A (en) * 2019-08-28 2021-03-01 京セラ株式会社 Receiver
WO2024009651A1 (en) * 2022-07-06 2024-01-11 株式会社村田製作所 High-frequency circuit

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6290014A (en) * 1985-10-15 1987-04-24 Toshiba Corp Surface acoustic wave device
JPH0758657A (en) * 1993-08-13 1995-03-03 Matsushita Electric Works Ltd Antenna circuit, antenna device and antenna system
WO2006040927A1 (en) * 2004-10-08 2006-04-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Splitter
JP2008532334A (en) * 2005-02-28 2008-08-14 松下電器産業株式会社 Piezoelectric filter and duplexer and communication device using the same
JP2011009882A (en) * 2009-06-23 2011-01-13 Taiyo Yuden Co Ltd Manufacturing method of surface acoustic wave device
JP2011176746A (en) * 2010-02-25 2011-09-08 Taiyo Yuden Co Ltd Filter, duplexer, communication module, communication device
JP2013197772A (en) * 2012-03-19 2013-09-30 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Acoustic wave filter
JP2017017520A (en) * 2015-06-30 2017-01-19 株式会社村田製作所 Branching filter

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6290014A (en) * 1985-10-15 1987-04-24 Toshiba Corp Surface acoustic wave device
JPH0758657A (en) * 1993-08-13 1995-03-03 Matsushita Electric Works Ltd Antenna circuit, antenna device and antenna system
WO2006040927A1 (en) * 2004-10-08 2006-04-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Splitter
JP2008532334A (en) * 2005-02-28 2008-08-14 松下電器産業株式会社 Piezoelectric filter and duplexer and communication device using the same
JP2011009882A (en) * 2009-06-23 2011-01-13 Taiyo Yuden Co Ltd Manufacturing method of surface acoustic wave device
JP2011176746A (en) * 2010-02-25 2011-09-08 Taiyo Yuden Co Ltd Filter, duplexer, communication module, communication device
JP2013197772A (en) * 2012-03-19 2013-09-30 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Acoustic wave filter
JP2017017520A (en) * 2015-06-30 2017-01-19 株式会社村田製作所 Branching filter

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021034965A (en) * 2019-08-28 2021-03-01 京セラ株式会社 Receiver
JP7249246B2 (en) 2019-08-28 2023-03-30 京セラ株式会社 receiver
WO2024009651A1 (en) * 2022-07-06 2024-01-11 株式会社村田製作所 High-frequency circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JP7176878B2 (en) 2022-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10367473B2 (en) Filter, multiplexer, and communication apparatus
US10911024B2 (en) Acoustic wave filter, acoustic wave device, multiplexer, and communication apparatus
KR101347452B1 (en) Surface acoustic wave device, and duplexer and communication device using the same
CN107615661B (en) Elastic wave device and communication device
JP6573851B2 (en) Multiplexer
KR100897174B1 (en) Boundary acoustic wave filter
US7868716B2 (en) Acoustic wave filter apparatus
US10491181B2 (en) High-frequency filter and high-frequency module
US10958241B2 (en) Extractor
US20100283555A1 (en) Filter and Communications Apparatus
CN109155624B (en) Reception filter, branching filter, and communication device
JP7176878B2 (en) Filter device, receiver module, antenna module and receiver
CN110999082A (en) Filter device and communication apparatus
CN211830723U (en) Elastic wave filter device and composite filter device
US10951194B2 (en) Acoustic wave filter, multiplexer, and communication apparatus
JP6905721B2 (en) Filter devices, filter modules and communication devices
WO2018235689A1 (en) Acoustic wave filter device, composite filter device and multiplexer
US20220329226A1 (en) Filter device and communication apparatus
JP4873077B2 (en) Elastic wave filter device
WO2023032942A1 (en) High-frequency filter and multiplexer
JP2018098691A (en) Multiplexer
JP2010109417A (en) Ladder type filter and duplexer with the same
JP2023066628A (en) Acoustic wave device and communication device
CN116210155A (en) Multiplexer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201012

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210629

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210901

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210921

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20211210

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20220510

C22 Notice of designation (change) of administrative judge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22

Effective date: 20220809

C23 Notice of termination of proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23

Effective date: 20220913

C03 Trial/appeal decision taken

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03

Effective date: 20221011

C30A Notification sent

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012

Effective date: 20221011

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221110

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7176878

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150