JP2019029979A - 半導体装置、電子機器、製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】撮像素子を含む半導体装置を小型化する。【解決手段】透光性の透光性基体と、半導体チップと、半導体チップと信号を授受する部品とを備え、半導体チップと部品は、透光性基体の同一面上に配置されている。半導体チップは、撮像素子を含む。透光性の透光性基体に接着剤を塗布し、透光性基体に、半導体チップと、半導体チップと信号を授受する部品を接着剤で固定することで半導体装置を製造する。本技術は、撮像素子を備える半導体チップを含む半導体装置に適用できる。【選択図】図１

Description

本技術は半導体装置、電子機器、製造方法に関し、例えば、より小型化できるようにした半導体装置、電子機器、製造方法に関する。

近年、デジタルカメラの小型化や、デジタルカメラの機能を有する携帯電話機が普及するに伴い、オートフォーカス用の駆動装置などの小型化も望まれている。特許文献１には、レンズホルダ、チップ、基板を封止することで、小型化を実現することが提案されている。

特表２００７−５２３５６８号公報

レンズなどの光学系を小型化することで、撮像素子を含む半導体装置の小型化を実現することは可能であるが、光量が減り、画質が落ちるなど好ましくない状態が発生する可能性が高い。そのため、レンズなどを小型化することで、半導体装置を小型化することは好ましくない。しかしながら、上記したように、半導体装置のさらなる小型化は望まれている。

本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、半導体装置のさらなる小型化を実現することができるようにするものである。

本技術の一側面の半導体装置は、透光性の透光性基体と、半導体チップと、前記半導体チップと信号を授受する部品とを備え、前記半導体チップと前記部品は、前記透光性基体の同一面上に配置されている。

本技術の一側面の電子機器は、透光性の透光性基体と、撮像素子を含む半導体チップと、前記半導体チップと信号を授受する部品と、前記撮像素子に光を集光させるレンズを備えるレンズユニットとを備え、前記半導体チップと前記部品は、前記透光性基体の同一面上に配置されている。

本技術の一側面の製造方法は、透光性の透光性基体に接着剤を塗布し、前記透光性基体に、半導体チップと、前記半導体チップと信号を授受する部品を前記接着剤で固定することで半導体装置を製造する。

本技術の一側面の半導体装置においては、透光性の透光性基体と、半導体チップと、半導体チップと信号を授受する部品とが備えられ、半導体チップと部品は、透光性基体の同一面上に配置されている。

本技術の一側面の電子機器においては、前記半導体装置を含む装置とされている。

本技術の一側面の製造方法においては、前記半導体装置が製造される。

なお、半導体装置は、独立した装置であっても良いし、１つの装置を構成している内部ブロックであっても良い。

本技術の一側面によれば、半導体装置のさらなる小型化を実現することができる。

なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。

本技術を適用した半導体装置の一実施の形態の構成を示す図である。 第１の実施の形態における半導体装置の製造について説明するための図である。 第２の実施の形態における半導体装置の構成を示す図である。 第２の実施の形態における半導体装置の製造について説明するための図である。 第３の実施の形態における半導体装置の構成を示す図である。 第３の実施の形態における半導体装置の製造について説明するための図である。 第４の実施の形態における半導体装置の構成を示す図である。 第４の実施の形態における半導体装置の製造について説明するための図である。 第５の実施の形態における半導体装置の構成を示す図である。 第５の実施の形態における半導体装置の製造について説明するための図である。 第６の実施の形態における半導体装置の構成を示す図である。 第６の実施の形態における半導体装置の第１の製造について説明するための図である。 第６の実施の形態における半導体装置の第２の製造について説明するための図である。 第７の実施の形態における半導体装置の構成を示す図である。 外部装置との接続について説明するための図である。 レンズユニットとの接続について説明するための図である。 第７の実施の形態における半導体装置の製造について説明するための図である。 積層レンズユニットとの接続について説明するための図である。 電子機器の一例の構成について説明するための図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。

以下に、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。

＜半導体装置の第１の実施の形態＞
図１は本発明の第１の実施の形態に係わる半導体装置１０ａの断面図である。

第１の実施の形態における半導体装置１０ａは、半導体チップ３２と、半導体チップ３２と接着層２８を介して接続された支持基体２７と、半導体チップ３２に形成された貫通電極２６と、貫通電極２６から半導体チップ３２の裏面に引き出されて外部端子３１と接続する導電層１９と、半導体チップ３２を封止する保護層２０とから構成される。

半導体チップ３２は、例えば、シリコン等による半導体基体１１上に、図示しないトランジスタ等の能動素子や保護膜等が形成される。また、半導体基体１１上に配線（図示省略）やパッド電極１３等の導電層と、この導電層を覆う層間絶縁膜等による絶縁層とが積層されてなる配線層１２が形成される。

さらに、半導体チップ３２には、この例では受発光素子の場合で、例えば図示しない受光及び／又は発光素子や、受光及び／又は発光用のセンサ面等と、このセンサ面に対応して、配線層１２上にカラーフィルタ３０やマイクロレンズ２９等が形成される。

半導体チップ３２は、例えば、CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサやＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサなどである。

支持基体２７は、例えば、ガラス等の光透過性の基体からなる。また支持基体２７は、ＩＲＣＦ（InfraRed Cut Filter）である用に構成することも可能である。支持基体２７は、樹脂等による接着層２８を介して半導体チップ３２の能動素子が形成された面（主面）側に接続される。なお、図１において支持基体２７と半導体チップの主面側との間を中空の構造としているが、図３を参照して後述するように、例えば、光透過性の樹脂等により封止した構造としてもよい。

また、半導体チップ３２には、半導体基体１１を貫通し、パッド電極１３に接続する貫通電極２６が形成される。貫通電極２６は、配線層１２に形成されたパッド電極１３に対して、半導体チップ３２の能動素子が形成された面とは反対側の面（裏面）側からパッド電極１３までを開口したビアホールが形成され、ビアホール内を導電層１９で覆うことで形成される。

そして、導電層１９は、パッド電極１３から貫通電極２６の内側面を通り、半導体チップ３２の裏面に形成され、半導体チップ３２の裏面側で外部端子３１と接続される。また、導電層１９と半導体基体１１との接触による通電を防ぐため、半導体基体１１の裏面及び貫通電極２６の内側面を覆うように絶縁層１７が形成される。

そして、導電層１９と外部端子３１との接続部分を除き、半導体チップ３２の裏面側の全面に保護層２０が形成される。保護層２０は、例えばポリイミド樹脂、ソルダーレジスト等の絶縁性の樹脂等によって形成される。

また、半導体チップ３２の側方には、部品４１が配置されている。部品４１は、抵抗やコンデンサなどの受動部品、オートフォーカス用のドライバーや手振れ補正用のドライバーなどのＩＣ（Integrated Circuit）、ICパッケージに封止されていないベア・チップ（ベア・ダイ）の状態で、良品であることを保証されたものであるＫＧＤ（Known Good Die）などである。

ここでは、部品４１は、半導体チップ３２と信号の授受（半導体チップ３２からの信号を処理したり、半導体チップ３２を制御する制御信号を供給したりする）を行う部品であるとして説明を続ける。

半導体チップ３２と部品４１は、導電層１９を介して接続されている。

＜第１の実施の形態における半導体装置の製造＞
図１に示した半導体装置１０ａの製造について、図２を参照して説明する。

工程Ｓ１１において、透光性基体１０１が用意される。この透光性基体１０１は、個片化されたときに、支持基体２７となる部分である。

透光性基体１０１（支持基体２７）は、できるだけ温度に対する線膨張の挙動が、Ｓｉ（シリコン単結晶から形成された半導体基板１１（半導体基板１１となる半導体ウエハ１０３（工程Ｓ１３）））と同様の挙動を示すものがよい。例えば、透光性基体１０１（支持基体２７）は、石英ガラス、ホウ珪酸ガラスなどのガラスで形成されている。

工程Ｓ１１において用意されている透光性基体１０１は、半導体ウエハ１０３とウエハレベルで貼り合わせが行われる場合、透光性基体１０１と半導体ウエハ１０３は、略同形状とされている。

または、透光性基体１０１は、矩形などの形状で形成され、半導体ウエハ１０３の画素領域が形成されている部分に配置される（透光性基体１０１は、予め個片化された状態で、半導体ウエハ１０３と貼り合わされる）ようにしても良い。

工程Ｓ１２において、透光性基体１０１（支持基体２７）の部品４１が配置される位置（領域）を含む領域（以下、接着領域と適宜記載する）に、接着剤１０２が塗布されることで、接着層２８（接着層２８となる部分）が形成される。透光性基体１０１の接着領域だけに、接着剤１０２が塗布されることで、接着層２８が形成されるようにしても良い。

または、透光性基体１０１の全面に接着剤１０２が塗布され、その後、接着領域となる領域以外の領域に塗布されている接着剤１０２が除去されることで、結果的に、透光性基体１０１（支持基体２７）の部品４１が配置される領域を含む接着領域だけに接着剤１０２が残るようにすることで接着層２８が形成されるようにしても良い。

接着剤１０２としては、液状接着剤を用いることができる。また、接着剤１０２を、透明樹脂とし、透明樹脂を硬化させることで、部品４１や支持基板２７が接着される（固定される）ようにしても良い。

また、接着剤１０２として、透明接着剤を用いる場合、シリコン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、デンドリマー、その共重合体を選択することで、透光性基体１０１と半導体ウエハ１０３を貼りあわせ後のプロセス（例えば、熱またはＵＶ照射により硬化させる処理）や信頼性試験でも耐熱性/耐薬品性/耐光性に問題が無く、且つ撮像特性へ影響を与えないようにすることができる。

工程Ｓ１３において、透光性基体１０１と半導体ウエハ１０３の貼り合わせと、部品４１の配置が行われる。シリコン単結晶から形成された基板に、画素領域等が複数形成され、複数の画素領域を備えた半導体ウエハ１０３が準備される。画素領域等は、半導体素子製造工程によって形成される。

半導体チップ３２は、例えば、CMOSイメージセンサやＣＣＤイメージセンサなどであり、画素領域は、入射光を電荷に変換する複数の変換素子や複数のトランジスタなどを有する領域である。そのような画素領域が、半導体素子製造工程により複数形成されている半導体ウエハ１０３が工程Ｓ１３において用意され、透光性基体１０１と貼り合わせられる。

透光性基体１０１には、工程Ｓ１２において接着剤１０２が塗布されており、その接着剤１０２により、透光性基体１０１と半導体ウエハ１０３は接着（固定）される。また、透光性基体１０１の部品４１が配置される領域にも接着剤１０２は塗布されており、その接着剤１０２により、部品４１が透光性基体１０１に固定される。

接着剤１０２の厚みにより、部品４１の高さのばらつきや、半導体チップ３２と部品４１の高さのばらつきなどを吸収し、面一で部品４１と半導体チップ３２を並べて配置することができる。

また、半導体チップ３２（半導体チップ３２を含む半導体ウエハ１０３）に対して、透光性基体１０１と貼り合わされた後、研磨で平坦化される工程が含まれても良い。

工程Ｓ１４において、再配線が形成される。この再配線は、導電層１９を構成する部分である。導電層１９は、例えば、銅（Ｃｕ）などを材料として形成される。例えば、半導体ウエハ１０３の裏面（透光性基体１０１が配置されている側とは異なる側）に、レジストのパターニングが行われる。そして、そのレジストをマスクにしてエッチングが行われる、余剰な導電体が除去されることにより、導電層１９が形成される。

工程Ｓ１５において、保護層２０が形成される。保護層２０は、例えばポリイミド樹脂、ソルダーレジスト等の絶縁性の樹脂等によって形成される。保護層２０に、感光性の樹脂を用いることで、工程Ｓ１６において外部端子３１等を形成するためのパターニングを、フォトリソグラフィ法により容易に形成することができるようになる。

工程Ｓ１６において、はんだ等による外部端子３１の形成が行われる。また、外部端子３１が形成された後、一体化された透光性基体１０１と半導体ウエハ１０３が切断されて、個片化される。切断する方法は、ブレードダイシングやレーザダイシングなどを適用できる。レーザダイシングは、薄化された半導体ウエハの加工性に優れ、切断の幅が小さくでき、切断面のバリなどの発生を抑制できるので好適な方法である。

このような工程により、図１に示したような半導体装置１０ａが完成する。

このような工程により製造される半導体装置１０ａは、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置されている。半導体チップ３２と部品４１の高さのばらつきや、部品４１同士の高さのばらつきは、接着層２８により吸収することができる。よって、上記したように、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１を並んだ状態で配置することができる。

また、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１を配置することで、半導体装置１０ａの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ａを小型化することができる。

また、半導体チップ３２に隣接する位置に部品４１を配置することで、半導体チップ３２と部品４１を接続する導電膜１６の長さを短くすることができる。換言すれば、半導体チップ３２と部品４１を最短距離で接続することが可能となる。半導体チップ３２と部品４１の接続距離が長いと、例えば、半導体チップ３２からの信号を、部品４１に供給するとき、ノイズが乗りやすいが、接続距離が短くなることで、そのようなノイズの影響を低減させることができる。

また、例えば、半導体装置１０ａにメモリを接続するとき、外部端子３１を介して半導体装置１０ａとメモリ（不図示）を接続することで、低消費電力化し、高速化することができる。すなわち、外部端子３１を多数設け、その多数の外部端子３１で、メモリと接続することで、多電極で、メモリと接続することが可能となり低消費電力化や高速化を図ることができる。

＜半導体装置の第２の実施の形態＞
次に、第２の実施の形態における半導体装置１０の構成と製造について説明する。

図３は、第２の実施の形態における半導体装置１０ｂの構成を示す図である。図３に示した第２の実施の形態における半導体装置１０ｂは、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間を、光透過性の樹脂等により封止した構造となっている点が、図１に示した第１の実施の形態における半導体装置１０ａと異なる。

半導体装置１０ｂは、図２に示した例では、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間は、接着層２８を形成する材料で充たされている。この接着層２８を形成する材料は、光透過性の樹脂等である。

＜第２の実施の形態における半導体装置の製造＞
図３に示した半導体装置１０ｂの製造について、図４を参照して説明する。半導体装置１０ｂは、第１の実施の形態における半導体装置１０ａと、ほぼ同様の工程で製造されるため、図２を参照して説明した半導体装置１０ａの製造工程と重複する説明は適宜省略する。

工程Ｓ２１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体１０１が用意される。工程Ｓ２２において、接着剤２０２が、透光性基体１０１の全面に塗布される。接着剤２０２が、透光性基体１０１の全面に塗布され、次の工程Ｓ２３に進む点が、図２を参照して説明した半導体装置１０ａの製造工程と異なる。

工程Ｓ２３において、全面に接着剤２０２が塗布された透光性基体１０１に、半導体ウエハ１０３が接着され、部品４１が接着される。このように、透光性基体１０１の全面に接着剤２０２が塗布された状態で、半導体ウエハ１０３が接着されることで、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間に、接着剤２０２（接着層２８）が充填された構造とすることができる。

工程Ｓ２４において、再配線が形成される。工程Ｓ２５において、保護層２０が形成される。そして、工程Ｓ２６において、外部端子３１が形成され、一体化された透光性基体１０１と半導体ウエハ１０３が切断されて、個片化される。

このような工程により、図３に示したような半導体装置１０bが完成する。

このような工程により製造される半導体装置１０ｂは、半導体装置１０ａ（図１）と同じく、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置されている。半導体チップ３２と部品４１の高さのばらつきや、部品４１同士の高さのばらつきは、接着層２８により吸収することができる。よって、上記したように、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１を並んだ状態で配置することができる。

また、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１を配置することで、半導体装置１０ｂの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ｂを小型化することができる。

また、半導体チップ３２に隣接する位置に部品４１を配置することで、半導体チップ３２と部品４１を接続する導電膜１６の長さを短くすることができるため、ノイズの影響を低減させることができる。また、例えば、半導体装置１０ｂにメモリを接続するとき、外部端子３１を介して半導体装置１０ｂとメモリ（不図示）を接続することで、低消費電力化し、高速化することができる。

＜半導体装置の第３の実施の形態＞
次に、第３の実施の形態における半導体装置１０の構成と製造について説明する。

図５は、第３の実施の形態における半導体装置１０ｃの構成を示す図である。図５に示した第３の実施の形態における半導体装置１０ｃは、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間を、光透過性の樹脂等により封止した構造となっている点で、図１に示した第１の実施の形態における半導体装置１０ａと異なり、図３に示した第２の実施の形態における半導体装置１０ｂと同様の構成とされている。

半導体装置１０ｃは、部品４１の高さを吸収するために、支持基体２７にザグリが入れられた構成とされている点が、第１の実施の形態における半導体装置１０ａと、第２の実施の形態における半導体装置１０ｂと異なる。

図５を参照するに、半導体装置１０ｃの支持基体２７には、ザグリ２７ｃが形成されている。ザグリ２７ｃは、支持基板２７の厚みが一部薄く形成されることで形成される。ザグリ２７ｃを支持基体２７に形成することで、ザグリ２７ｃの部分に、半導体チップ３２よりも厚みのある（高さのある）部品４１を配置しても、その高さをザグリ２７ｃで吸収することができ、第１、第２の実施の形態と同じく、半導体チップ３２と部品４１を、支持基体２７の一面に並べて配置することができる。

また、高さのある部品４１を配置しても、半導体装置１０ｃの高さが高くことなることなく、低背化することができる。

＜第３の実施の形態における半導体装置の製造＞
図５に示した半導体装置１０ｃの製造について、図６を参照して説明する。半導体装置１０ｃは、第２の実施の形態における半導体装置１０ｂと、ほぼ同様の工程で製造されるため、図４を参照して説明した半導体装置１０ｂの製造工程と重複する説明は適宜省略する。

工程Ｓ３１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体３０１が用意される。この透光性基体３０１には、個片化されたときに、半導体装置１０ｃの支持基体２７のザグリ２７ｃとなる部分が、既に形成されている。

工程Ｓ３２において、接着剤３０２が、透光性基体３０１の全面に塗布される。接着剤３０２が、透光性基体３０１の全面に塗布されることで、ザグリ２７ｃの部分にも、接着剤３０２が充填された状態となる。

工程Ｓ３３において、ザグリ２７ｃの部分にも接着剤３０２が塗布された透光性基体３０１に、半導体ウエハ１０３が接着され、部品４１が接着される。工程Ｓ３３以降の工程は、図４に示した工程Ｓ２３以降の工程と同様の工程であるため、ここでは説明を省略する。

このような工程により、図５に示したような半導体装置１０ｃが完成する。

このような工程により製造される半導体装置１０ｃは、半導体装置１０ａ（図１）と同じく、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置され、半導体チップ３２と部品４１の高さのばらつきや、部品４１同士の高さのばらつきが、接着層２８により吸収されるため半導体装置１０ｃを小型化することができる。

また、半導体装置１０ｃにおいては、ザグリ２７ｃが形成されていることにより、背の高い部品４１を配置しても、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１を並んだ状態で配置することができため、半導体装置１０ｃの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ｃを小型化することができる。

また、半導体チップ３２に隣接する位置に部品４１を配置することで、半導体チップ３２と部品４１を接続する導電膜１６の長さを短くすることができるため、ノイズの影響を低減させることができる。また、例えば、半導体装置１０ｃにメモリを接続するとき、外部端子３１を介して半導体装置１０ｃとメモリ（不図示）を接続することで、低消費電力化し、高速化することができる。

＜半導体装置の第４の実施の形態＞
次に、第４の実施の形態における半導体装置１０の構成と製造について説明する。

図７は、第４の実施の形態における半導体装置１０ｄの構成を示す図である。図７に示した第４の実施の形態における半導体装置１０ｄは、図１に示した第１の実施の形態における半導体装置１０ａと同じく、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間が中空に構成されているが、その大きさが異なる。

半導体装置１０ｄは、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間の中空とされている空間を大きくするために、換言すれば、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間を広げる（ギャップを設ける）ために、支持基体２７にザグリが入れられた構成とされている点が、第１の実施の形態における半導体装置１０ａと異なる。

図７を参照するに、半導体装置１０ｄの支持基体２７のうち、半導体チップ３２（の画素領域）と対向する領域には、ザグリ２７ｄが形成されている。ザグリ２７ｄは、支持基板２７の厚みが一部薄く形成されることで形成される。

ザグリ２７ｄを支持基体２７に形成し、ザグリ２７ｄの部分に、半導体チップ３２の画素領域が位置するように貼り合わせることで、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間にギャップを設けることができる。また、第１乃至３の実施の形態と同じく、半導体チップ３２と部品４１を、支持基体２７の一面に並べて配置することができる。

＜第４の実施の形態における半導体装置の製造＞
図７に示した半導体装置１０ｄの製造について、図８を参照して説明する。半導体装置１０ｄは、第３の実施の形態における半導体装置１０ｃと、ほぼ同様の工程で製造されるため、図６を参照して説明した半導体装置１０ｃの製造工程と重複する説明は適宜省略する。

工程Ｓ４１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体４０１が用意される。この透光性基体４０１には、個片化されたときに、半導体装置１０ｄの支持基体２７のザグリ２７ｄとなる部分が、既に形成されている。

工程Ｓ４２において、接着剤４０２が、透光性基体４０１のザグリ２７ｄ以外の領域に塗布される。換言すれば、工程Ｓ１２（図２）と同じく、透光性基体１０１（支持基体２７）の部品４１が配置される位置（領域）を含む領域（接着領域）のみに接着剤４０２が塗布されている状態とされる。

工程Ｓ４３において、ザグリ２７ｄ以外の部分に接着剤４０２が塗布された透光性基体４０１に、半導体ウエハ１０３が接着され、部品４１が接着される。工程Ｓ４３以降の工程は、図１に示した工程Ｓ１３以降の工程と同様の工程であるため、ここでは説明を省略する。

このような工程により、図７に示したような半導体装置１０dが完成する。

このような工程により製造される半導体装置１０ｄは、半導体装置１０ａ（図１）と同じく、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置され、半導体チップ３２と部品４１の高さのばらつきや、部品４１同士の高さのばらつきが、接着層２８により吸収されるため、半導体装置１０ｄの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ｄを小型化することができる。

また、半導体チップ３２に隣接する位置に部品４１を配置することで、半導体チップ３２と部品４１を接続する導電膜１６の長さを短くすることができるため、ノイズの影響を低減させることができる。また、例えば、半導体装置１０ｄにメモリを接続するとき、外部端子３１を介して半導体装置１０ｄとメモリ（不図示）を接続することで、低消費電力化し、高速化することができる。

なお第４の実施の形態においては、支持基体２７にザグリ２７ｄを形成することで、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間に中空を設ける例を挙げて説明した。支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間に中空を設ける場合、図１に示したような構成でも良く、その中空は、接着層２８の厚さを調整することで、より大きく形成されるようにすることもできる。

＜半導体装置の第５の実施の形態＞
次に、第５の実施の形態における半導体装置１０の構成と製造について説明する。

図９は、第５の実施の形態における半導体装置１０ｅの構成を示す図である。図９に示した第５の実施の形態における半導体装置１０ｅは、第３の実施の形態における半導体装置１０ｃと第４の実施の形態における半導体装置１０ｄを組み合わせた構成となっている。

すなわち、図９を参照するに、半導体装置１０ｅの支持基体２７には、部品４１が配置される位置にザグリ２７ｃが形成され、半導体チップ３２（の画素領域）が配置される位置に、ザグリ２７ｄが形成されている。

このような構成を有することで、第３の実施の形態の半導体装置１０ｃと同じく、高さのある部品４１を配置しても、半導体装置１０ｅの高さが高くことなることなく、低背化することができる。また、第４の実施の形態の半導体装置１０ｄと同じく、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間に中空を設けた構造とすることができる。

＜第５の実施の形態における半導体装置の製造＞
図９に示した半導体装置１０ｅの製造について、図１０を参照して説明する。

工程Ｓ５１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体５０１が用意される。この透光性基体５０１には、個片化されたときに、半導体装置１０ｅの支持基体２７のザグリ２７ｃとザグリ２７ｄとなる部分が、それぞれ既に形成されている。このようなザグリ２７ｃとザグリ２７ｄが形成されている透光性基体５０１が用意される点以外は、図８を参照して説明した半導体装置１０ｄの製造工程と同様に行うことが可能であるため、ここではその説明を省略する。

このようにして、図９に示したような半導体装置１０ｅが完成する。

このような工程により製造される半導体装置１０ｅは、半導体装置１０ａ（図１）と同じく、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置され、半導体チップ３２と部品４１の高さのばらつきや、部品４１同士の高さのばらつきは、接着層２８により吸収されるため、半導体装置１０ｅの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ｅを小型化することができる。

また、半導体チップ３２に隣接する位置に部品４１を配置することで、半導体チップ３２と部品４１を接続する導電膜１６の長さを短くすることができるため、ノイズの影響を低減させることができる。また、例えば、半導体装置１０ｅにメモリを接続するとき、外部端子３１を介して半導体装置１０ｅとメモリ（不図示）を接続することで、低消費電力化し、高速化することができる。

＜半導体装置の第６の実施の形態＞
次に、第６の実施の形態における半導体装置１０の構成と製造について説明する。

図１１は、第６の実施の形態における半導体装置１０ｆの構成を示す図である。図１１に示した第６の実施の形態における半導体装置１０ｆは、図１に示した第１の実施の形態における半導体装置１０ａに、配線層１２ｆを追加した構成とされている点が異なる。

半導体装置１０ｆの構造では、パッド電極１３と貫通電極２６が接続され、貫通電極２６と導電層１９が接続され、この導電層１９と部品４１−１（図１１では、２つの部品のうち、半導体チップ３２に近い方を部品４１−１として説明する）が接続されている。さらに、部品４１−１と配線層１２ｆが接続され、配線層１２fと部品４１−２が接続されている。このように、部品４１−１と部品４１−２は、配線層１２ｆで接続されている構成とされている。

また、配線層１２ｆは、支持基体２７の裏面側（部品４１が配置されている側）に形成されている。部品４１−１は、下面で導電層１９と接続され、上面で配線層１２ｆと接続されている構成とされている。

このように、部品４１の下面と上面に、それぞれ配線層を設ける構成としても良い。第６の実施の形態における半導体装置１０ｆは、配線の仕方の自由度が増す実施の形態の一例である。

＜第６の実施の形態における半導体装置の第１の製造＞
図１１に示した半導体装置１０ｆの第１の製造について、図１２を参照して説明する。半導体装置１０ｆは、第１の実施の形態における半導体装置１０ａと、ほぼ同様の工程で製造されるため、図２を参照して説明した半導体装置１０ａの製造工程と重複する説明は適宜省略する。

工程Ｓ６１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体６０１が用意される。この透光性基体６０１には、個片化されたときに、半導体装置１０ｆの配線層１２ｆとなる部分が、既に形成されている。

工程Ｓ６２において、接着剤６０２が、透光性基体６０１の部品４１が配置される位置（領域）を含む領域（接着領域）のみに塗布される。接着領域内には、配線層１２ｆも形成されているため、接着剤６０２は、配線層１２ｆ上にも塗布される。

工程Ｓ６３において、接着剤６０２が塗布された透光性基体６０１に、半導体ウエハ１０３が接着され、部品４１が接着される。部品４１（部品４１−１と部品４１−２）は、配線層１２ｆと接続された状態で固定される。接着剤６０２は、部品４１と配線層１２ｆを電気的に接続する接着剤が用いられる。

工程Ｓ６４以降の工程は、図１に示した工程Ｓ１４以降の工程と基本的に同様の工程であるため、ここでは説明を省略する。

このような工程により、図１１に示したような半導体装置１０ｆが完成する。

＜第６の実施の形態における半導体装置の第２の製造＞
図１１に示した半導体装置１０ｆの第２の製造について、図１３を参照して説明する。

工程Ｓ７１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体７０１が用意される。この透光性基体７０１には、個片化されたときに、半導体装置１０ｆの配線層１２ｆとなる部分が、既に形成されている。さらに、形成されている配線層１２ｆには、部品４１が実装されている。

工程Ｓ７２において、接着剤７０２が、透光性基体６０１の部品４１が配置される位置（領域）を含む領域（接着領域）のみに塗布される。接着領域内には、配線層１２ｆが既に形成され、部品４１が実装されている状態のため、接着剤７０２は、部品４１と接していない配線層１２ｆの領域上にも塗布される。

工程Ｓ７３以降の工程は、図１２に示した工程Ｓ６３以降の工程と基本的に同様の工程であるため、ここでは説明を省略する。

このような工程により、図１１に示したような半導体装置１０ｆが完成する。

このような工程により製造される半導体装置１０ｆは、半導体装置１０ａ（図１）と同じく、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置されているため、半導体装置１０ｆの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ｆを小型化することができる。

また、半導体チップ３２に隣接する位置に部品４１を配置することで、半導体チップ３２と部品４１を接続する導電膜１６の長さを短くすることができるため、ノイズの影響を低減させることができる。また、半導体装置１０ｆによれば、配線の自由度を高めた構成とすることができる。また、例えば、半導体装置１０ｆにメモリを接続するとき、外部端子３１を介して半導体装置１０ｆとメモリ（不図示）を接続することで、低消費電力化し、高速化することができる。

＜半導体装置の第７の実施の形態＞
次に、第７の実施の形態における半導体装置１０の構成と製造について説明する。

図１４は、第７の実施の形態における半導体装置１０ｇの構成を示す図である。第７の実施の形態における半導体装置１０ｇは、図１１に示した第６の実施の形態における半導体装置１０ｆと基本的な構成は同様であるが、外部との接続に、配線層１２ｆ（図１４では配線層１２ｇ）を用いる構造とされている点が異なる。

図１４を参照するに、半導体装置１０ｇは、配線層１２ｇの一部が露出した構造とされている。換言すれば、第６の実施の形態における半導体装置１０ｆにおいて部品４１−２が配置されていた部分の配線層１２ｇが、外部装置との接続用の電極として用いることができる構造とされている。

また、図１４に示した半導体装置１０ｇは、外部装置と配線層１２ｇで接続できる構造とされているため、外部端子３１を備えない構成とされている。外部端子３１を設けない構成とした場合も、配線層１２ｇ以外で、外部装置と接続できる構成とすることも可能である。

例えば、導電層１９は、画素領域外で、外部装置（と接続するための端子）と接続される構成とすることができる。図１４に示した半導体装置１０ｇは、外部端子３１を設けない構成を例示しているが、外部端子３１が設けられる所にある導電層１９は、形成されている例を示している。

この導電層１９は、画素領域外に設けられている端子（不図示）と接続されており、その端子は、外部装置と接続される構成とされているようにすることができる。

さらに、導電層１９を介して、外部装置と接続する構成としない場合、半導体装置１０ｇは、導電層１９を備えない構成とすることも可能である。

上記した第１乃至第６の実施の形態においては、外部端子３１を備える構成を例に挙げて説明をしたが、第１乃至第６の実施の形態における半導体装置１０ａ乃至１０ｆを、外部端子３１を備えない構成とすることも可能であり、外部端子３１を備えない半導体装置１０も、本技術の適用範囲内である。

本技術によれば、外部端子３１を設けることで、半導体装置１０の裏面側で、外部装置（例えば、メモリ）と接続する構成とすることもできるし、導電層１９を介して、外部装置と接続する構成とすることもできるし、配線層１２ｄで外部装置と接続する構成とすることも可能である。

なお、第７の実施の形態においては、外部端子３１を備えない例を挙げて説明を続けるが、上記した第１乃至第６の実施の形態と同じく、外部端子３１を備える構成することも可能である。

半導体装置１０は、外部装置とどのように接続するかにより、外部端子３１と導電層１９を備える構成、導電層１９を備えるが外部端子３１は備えない構成、または外部端子３１と導電層１９を備えない構成とすることができる。

第７の実施の形態における半導体装置１０ｇは、配線層１２ｇの一部に外部装置と接続する領域を有するが、このような構成は、図１４に示したように、ザグリが形成されていない支持基板２７に対して適用することができる。また、図５に示した半導体装置１０ｃのように、ザグリが形成されている支持基板２７に、配線層１２ｇを設け、その配線層１２ｇの一部に外部装置と接続する領域を有す構成とすることも可能である。

図１５は、半導体装置１０ｇの配線層１２ｇとＦＰＣ（Flexible Print Board）８０１が接続された例を示している。ＦＰＣ８０１には、コネクタ８０２が設けられている。このコネクタ８０２は、図示していない外部装置、例えば、携帯電話機のメインボードなどに接続される。

配線層１２ｇとＦＰＣ８０１を接続する場合、配線層１２ｇとＦＰＣ８０１を接続する部分には、ＡＣＦ(Anisotropic Conductive Film）端子８０３が形成される。なお、ＡＣＦ端子８０３以外の端子を用いて、配線層１２ｇとＦＰＣ８０１が接続されるようにしても良い。

図１５に示したように、半導体装置１０ｇを、配線層１２ｇの一部を露出した構造（引き出し配線を設けた構造）とし、その露出されている配線層１２ｇとＦＰＣ８０１が接続されるようにすることができる。このような構成とすることで、半導体装置１０ｇを、ＦＰＣ８０１と簡便に接続できる構成とすることができる。

また、半導体装置１０ｇを、ＦＰＣ８０１と簡便に接続できる構成とすることで、半導体装置１０ｇを、例えば、メインボードに設置するときに、その設置位置の制約を受けることなく設置することができる。換言すれば、メインボードに対する半導体装置１０ｇの設置位置の自由度を高めることができ、半導体装置１０ｇを、メインボードに設置するときの位置決め精度が高くなくても、メインボードに設置することが可能となる。

図１６は、オートフォーカス（ＡＦ：Auto-Focus）機能を有するレンズユニットを、半導体装置１０ｇに装着した場合の装着例を示す図である。レンズユニット８５１は、アクチュエータ８６１、レンズバレル８６２、レンズ８６３から構成されている。

レンズバレル８６２の内側には、レンズ８６３−１、レンズ８６３−２、レンズ８６３−３が組み込まれ、レンズバレル８６２は、それらのレンズ８６３−１乃至８６３−３を保持する構成とされている。レンズバレル８６２は、アクチュエータ８６１に内包され、半導体装置１０ｇは、アクチュエータ８６１の下部に装着される。

レンズバレル８６２が図中、上下方向に可動するように構成し、オートフォーカスが行えように構成した場合、例えば、レンズバレル８６２の側面（レンズバレル８６２が装着されたレンズキャリ）に、コイルが設けられる。また、このコイルに対向する位置であり、アクチュエータ８６１の内側には、マグネットが設けられる。マグネットには、ヨークが備えられ、コイル、マグネット、およびヨークでボイスコイルモータが構成される。

コイルに電流が流されると、図中上下方向に力が発生する。この発生された力で、レンズバレル８６２が上方向または下方向に移動する。レンズバレル８６２が移動することで、レンズバレル８６２が保持しているレンズ８６３−１乃至８６３−３と、半導体装置１０ａ（に含まれる撮像素子）の距離が変化する。このような仕組みにより、オートフォーカスを実現することができる。

なお、他の仕組みでオートフォーカスが実現されるように構成することも可能であり、その実現の仕方に応じた構成とされる。

レンズバレル８６２を、コイルに電流を流すことで可動するように構成した場合、そのコイルに電気を供給するためのＡＦ端子８７１を備える構成とされる。図１６に示すように、レンズユニット８５１の一部にＡＦ端子８７１が形成され、そのＡＦ端子８７１と、半導体装置１０ｇの配線層１２ｇの一部がハンダ８８１で接続される。

半導体装置１０ｇと、レンズユニット８５１は、配線層１２ｇ、ハンダ８８１、およびＡＦ端子８７１で接続され、半導体装置１０ｇから、配線層１２ｇ、ハンダ８８１、およびＡＦ端子８７１を介して、レンズユニット８５１（内のコイル（不図示））に電力を供給することができる。

図１６に示したように、レンズユニット８５１の足８５２は、貫通電極２６が配置されている領域や、部品４１が配置されている領域に配置することができる。部品４１は、図１６に示したように、半導体チップ３２の両側に配置することも可能であり、両側に配置することで、その領域にレンズユニット８５１の足８５２を配置することができる。

よって、足８５２を配置するための領域を設ける必要がなく、部品４１を配置した領域を有効的に利用することができる。この点からも、レンズユニット８５１が装着された場合でも撮像装置１０ｇを小型化することができる。

＜第７の実施の形態における半導体装置の製造＞
図１４に示した半導体装置１０ｇの製造について、図１７を参照して説明する。

工程Ｓ８１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体６０１が用意される。この透光性基体６０１には、個片化されたときに、半導体装置１０ｆの配線層１２ｇとなる部分が、既に形成されている。この工程Ｓ８１は、工程Ｓ６１（図１２）と同じである。

工程Ｓ８２において、接着剤９０２が、透光性基体６０１の部品４１が配置される位置（領域）を含む領域（接着領域）のみに塗布される。接着領域内には、配線層１２ｇも形成されているため、接着剤９０２は、配線層１２ｇ上にも塗布される。ただし、工程Ｓ８２においては、配線層１２ｇの一部、換言すれば、ＡＣＦ端子８０３（図１５）や、ＡＦ端子８７１と接続するためのハンダ８８１と接続される領域には、接着剤９０２は、塗布されない。

工程Ｓ８３以降の工程は、図１２に示した工程Ｓ６３以降の工程と基本的に同様の工程であるため、ここでは説明を省略する。

このような工程により、図１４に示したような半導体装置１０ｇが完成する。

このような工程により製造される半導体装置１０ｇは、半導体装置１０ａ（図１）と同じく、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置されているため、半導体装置１０ｇの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ｇを小型化することができる。

また、配線層１２ｇの一部を、露出した状態で形成することで、外部装置との接続を行う領域（端子など）を形成することができる。またそのような領域を設けた場合においても、半導体装置１０ｇの全高が低背化されることの妨げとなるようなことはなく、半導体装置１０ｇを小型化することができる。

＜積層レンズ構造との組合せ＞
上記した第１乃至第７の実施の形態における半導体装置１０ａ乃至１０ｇは、積層レンズ構造体と組み合わせることもできる。

図１８は、積層レンズ構造体１０１１と半導体装置１０ａを組み合わせたカメラモジュール１０００の一例の構成を示す断面図である。

カメラモジュール１０００は、複数のレンズ付き基板１０４１ａ乃至１０４１ｅが積層された積層レンズ構造体１０１１と、半導体装置１０ａを含んで構成される。積層レンズ構造体１０１１は、 複数個の光学ユニット１０１３を備える。１点鎖線１０８４は、それぞれの光学ユニット１０１３の光軸を表す。

半導体装置１０ａは、積層レンズ構造体１０１１の下側に配置されている。カメラモジュール１０００において、上方からカメラモジュール１０００内へと入射した光は、積層レンズ構造体１０１１を透過し、積層レンズ構造体１０１１の下側に配置された半導体装置１０ａで受光される。

積層レンズ構造体１０１１は、積層された５枚のレンズ付き基板１０４１ａ乃至１０４１ｅを備える。５枚のレンズ付き基板１０４１ａ乃至１０４１ｅを特に区別しない場合には、単に、レンズ付き基板１０４１と記述して説明する。

積層レンズ構造体１０１１を構成する各レンズ付き基板１０４１の貫通孔１０８３の断面形状は、下側(半導体装置１０ａを配置する側)に向かって開口幅が小さくなる、いわゆる下すぼみの形状となっている

積層レンズ構造体１０１１の上には、絞り板１０５１が配置されている。絞り板１０５１は、例えば、光吸収性もしくは遮光性を有する材料で形成された層を備える。絞り板１０５１には、開口部１０５２が設けられている。

半導体装置１０ａは、第１の実施の形態として説明したように、例えば、表面照射型または裏面照射型のCMOSイメージセンサである。

積層レンズ構造体１０１１、半導体装置１０ａ、絞り板１０５１などは、レンズバレル１０７４に収納されている。

半導体装置１０ａの上側には、構造材１０７３が配置されている。その構造材１０７３を介して、積層レンズ構造体１０１１と半導体装置１０ａとが固定されている。構造材１０７３は、例えばエポキシ系の樹脂である。

本実施の形態では、積層レンズ構造体１０１１は、積層された５枚のレンズ付き基板１０４１ａ乃至１０４１ｅを備えるが、レンズ付き基板１０４１の積層枚数は２枚以上であれば特に限定されない。

積層レンズ構造体１０１１を構成するそれぞれのレンズ付き基板１０４１は、担体基板１０８１にレンズ樹脂部１０８２が追加された構成である。担体基板１０８１は貫通孔１０８３を有し、貫通孔１０８３の内側に、レンズ樹脂部１０８２が形成されている。レンズ樹脂部１０８２はレンズを含み、担体基板１０８１まで延在してレンズを担持する部位も併せて、レンズを構成する材料によって一体となった部分を表す。

図１８では、半導体装置１０ａを例に挙げて説明したが、半導体装置１０ｂ乃至１０ｇのいずれかの半導体装置１０を積層レンズ構造体１０１１と組合せ、カメラモジュール１０００を構成することも可能である。

＜電子機器＞
本技術は、半導体装置への適用に限られるものではなく、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、携帯電話機などの撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に撮像装置を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。なお、電子機器に搭載されるモジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。

図１９は、本開示の電子機器の一例である撮像装置の構成例を示すブロック図である。図７に示すように、本開示の撮像装置２０００は、レンズ群２００１等を含む光学系、撮像装置２００２、カメラ信号処理部であるＤＳＰ回路２００３、フレームメモリ２００４、表示装置２００５、記録装置２００６、操作系２００７、及び、電源系２００８等を有している。

そして、ＤＳＰ回路２００３、フレームメモリ２００４、表示装置２００５、記録装置２００６、操作系２００７、及び、電源系２００８がバスライン２００９を介して相互に接続された構成となっている。ＣＰＵ３１０は、撮像装置２０００内の各部を制御する。

レンズ群２００１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで撮像装置２００２の撮像面上に結像する。撮像装置２００２は、レンズ群２００１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。この撮像装置２００２として、先述した実施の形態に係る半導体装置１０を用いることができる。

表示装置２００５は、液晶表示装置や有機ＥＬ(electro luminescence)表示装置等のパネル型表示装置からなり、撮像装置２００２で撮像された動画または静止画を表示する。記録装置２００６は、撮像装置２００２で撮像された動画または静止画を、ビデオテープやＤＶＤ(Digital Versatile Disk)等の記録媒体に記録する。

操作系２００７は、ユーザによる操作の下に、本撮像装置が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源系２００８は、ＤＳＰ回路２００３、フレームメモリ２００４、表示装置２００５、記録装置２００６、及び、操作系２００７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。

このような撮像装置２０００は、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには、携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールに適用される。そして、この撮像装置２０００において、撮像装置２００２として先述した実施の形態に係る半導体装置１０を用いることができる。

＜内視鏡手術システムへの応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。

図２０は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。

図２０では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。

内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。

鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。

カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ: Camera Control Unit）１１２０１に送信される。

ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。

表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。

光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（light emitting diode）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。

入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。

処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。

なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。

また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。

また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Narrow Band Imaging）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ICG）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。

図２１は、図２０に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。

カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。

レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。

撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（dimensional）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。

また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。

駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。

通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。

また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。

なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Auto Exposure）機能、ＡＦ（Auto Focus）機能及びＡＷＢ（Auto White Balance）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。

カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。

通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。

また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。

画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。

制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。

また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。

カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。

ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。

なお、ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。

＜移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

図２２は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２２に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Interface）１２０５３が図示されている。

駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モーター等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。

撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０３０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図２２の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

図２３は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。

図２３では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。

撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

なお、図２３には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０km/h以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバーが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバーに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

本明細書において、システムとは、複数の装置により構成される装置全体を表すものである。

なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。

なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
透光性の透光性基体と、
半導体チップと、
前記半導体チップと信号を授受する部品と
を備え、
前記半導体チップと前記部品は、前記透光性基体の同一面上に配置されている
半導体装置。
（２）
前記半導体チップは、撮像素子を含む
前記（１）に記載の半導体装置。
（３）
前記部品は、受動部品、ＩＣ（Integrated Circuit）またはＫＧＤ（Known Good Die）である
前記（１）または（２）に記載の半導体装置。
（４）
前記半導体チップと前記部品は、接着剤で前記透光性基体に接続されている
前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の半導体装置。
（５）
前記透光性基体と前記半導体チップとの間は、中空とされている
前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の半導体装置。
（６）
前記透光性基体と前記半導体チップとの間は、透過性の材料が充填されている
前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の半導体装置。
（７）
前記透過性基体の一部は、薄く形成され、その薄く形成されている部分に、前記部品が配置されている
前記（１）乃至（６）のいずれかに記載の半導体装置。
（８）
前記透過性基体の一部は、薄く形成され、その薄く形成されている部分に、前記半導体チップが配置されている
前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の半導体装置。
（９）
前記透過性基体の前記部品が配置される領域には、配線層が形成されている
前記（１）乃至（８）のいずれかに記載の半導体装置。
（１０）
前記配線層の一部は、前記部品と接続され、他の一部は、外部装置と接続される
前記（９）に記載の半導体装置。
（１１）
前記外部装置は、ＦＰＣ（Flexible Print Board）である
前記（１０）に記載の半導体装置。
（１２）
前記外部装置は、レンズを駆動するアクチュエータに電力を供給するための端子である
前記（１０）に記載の半導体装置。
（１３）
前記半導体チップは、前記透過性基体が固定されている面と対向する面に、電極を備える
前記（１）乃至（１２）のいずれかに記載の半導体装置。
（１４）
透光性の透光性基体と、
撮像素子を含む半導体チップと、
前記半導体チップと信号を授受する部品と、
前記撮像素子に光を集光させるレンズを備えるレンズユニットと
を備え、
前記半導体チップと前記部品は、前記透光性基体の同一面上に配置されている
電子機器。
（１５）
透光性の透光性基体に接着剤を塗布し、
前記透光性基体に、半導体チップと、前記半導体チップと信号を授受する部品を前記接着剤で固定することで半導体装置を製造する
製造方法。
（１６）
撮像素子が形成されている前記半導体チップを、前記透光性基体に固定する
前記（１５）に記載の製造方法。
（１７）
一部分が薄く形成されている前記透光性基体に、前記接着剤を塗布し、前記部品を前記薄く形成されている部分に固定する
前記（１５）または（１６）に記載の製造方法。
（１８）
前記部品が配置される領域に配線層が形成されている前記透過性基体の前記配線層の一部に、前記部品を前記接着剤で固定し、
前記配線層の前記部品が固定されていない部分に、外部装置を接続する
前記（１５）乃至（１７）のいずれかに記載の製造方法。

１０ 半導体装置， １１ 半導体基体， １２ 配線層， １３ パッド電極， １７ 絶縁層， ２０ 保護層， ２６ 貫通電極， ２７ 支持基体， ２８ 接着層， ２９ マイクロレンズ， ３０ カラーフィルタ， ３１ 外部端子， ３２ 半導体チップ， ４１ 部品， １０１ 透光性基体， １０２ 接着剤， １０３ 半導体ウエハ

Claims (18)

1. 透光性の透光性基体と、
   半導体チップと、
   前記半導体チップと信号を授受する部品と
   を備え、
   前記半導体チップと前記部品は、前記透光性基体の同一面上に配置されている
   半導体装置。
2. 前記半導体チップは、撮像素子を含む
   請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記部品は、受動部品、ＩＣ（Integrated Circuit）またはＫＧＤ（Known Good Die）である
   請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記半導体チップと前記部品は、接着剤で前記透光性基体に接続されている
   請求項１に記載の半導体装置。
5. 前記透光性基体と前記半導体チップとの間は、中空とされている
   請求項１に記載の半導体装置。
6. 前記透光性基体と前記半導体チップとの間は、透過性の材料が充填されている
   請求項１に記載の半導体装置。
7. 前記透過性基体の一部は、薄く形成され、その薄く形成されている部分に、前記部品が配置されている
   請求項１に記載の半導体装置。
8. 前記透過性基体の一部は、薄く形成され、その薄く形成されている部分に、前記半導体チップが配置されている
   請求項１に記載の半導体装置。
9. 前記透過性基体の前記部品が配置される領域には、配線層が形成されている
   請求項１に記載の半導体装置。
10. 前記配線層の一部は、前記部品と接続され、他の一部は、外部装置と接続される
    請求項９に記載の半導体装置。
11. 前記外部装置は、ＦＰＣ（Flexible Print Board）である
    請求項１０に記載の半導体装置。
12. 前記外部装置は、レンズを駆動するアクチュエータに電力を供給するための端子である
    請求項１０に記載の半導体装置。
13. 前記半導体チップは、前記透過性基体が固定されている面と対向する面に、電極を備える
    請求項１に記載の半導体装置。
14. 透光性の透光性基体と、
    撮像素子を含む半導体チップと、
    前記半導体チップと信号を授受する部品と、
    前記撮像素子に光を集光させるレンズを備えるレンズユニットと
    を備え、
    前記半導体チップと前記部品は、前記透光性基体の同一面上に配置されている
    電子機器。
15. 透光性の透光性基体に接着剤を塗布し、
    前記透光性基体に、半導体チップと、前記半導体チップと信号を授受する部品を前記接着剤で固定することで半導体装置を製造する
    製造方法。
16. 撮像素子が形成されている前記半導体チップを、前記透光性基体に固定する
    請求項１５に記載の製造方法。
17. 一部分が薄く形成されている前記透光性基体に、前記接着剤を塗布し、前記部品を前記薄く形成されている部分に固定する
    請求項１５に記載の製造方法。
18. 前記部品が配置される領域に配線層が形成されている前記透過性基体の前記配線層の一部に、前記部品を前記接着剤で固定し、
    前記配線層の前記部品が固定されていない部分に、外部装置を接続する
    請求項１５に記載の製造方法。

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