JP2019021884A - Processing method of wafer - Google Patents

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Abstract

To provide a processing method of a wafer, capable of suppressing the occurrence of a filamentous tape dust.SOLUTION: A processing method of a wafer is the processing method of the wafer, which has a circular arc achieving to a back surface from a front surface in an outer peripheral edge. The processing method of the wafer, comprises: a front surface protection tape adhesion step ST1 of adhering a front surface protection tape to a front surface of the wafer; a holding step ST2 of holding a back surface side of the wafer to which the front surface protection tape is adhered with a holding table; and a cutting step ST4 of cutting the outer peripheral edge of the wafer by a cutting blade with the front surface protection tape after the execution of the holding step ST2, and forming a step difference part of a predetermined depth and a predetermined width. In the cutting step ST4, the step difference part is gradually formed toward a center from an outer peripheral side of the wafer.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、表面から裏面に至る円弧を外周縁に有したウェーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a method for processing a wafer having an arc extending from a front surface to a back surface at an outer peripheral edge.

ウェーハを薄く研削した際に、外周縁の面取り部分がナイフエッジ状（ひさし状）に形成されて、欠けが生じてウェーハが破損してしまうという問題を解決するために、ウェーハの外周縁に表面側から面取り部（円弧）を除去した後、ウェーハの裏面を研削するウェーハの加工方法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載のウェーハの加工方法は、ウェーハの外周縁の面取り部を除去する際、ウェーハの表面に異物が付着することを防止するために、ウェーハの表面に向かって洗浄液を供給しつつ実施している。   In order to solve the problem that when the wafer is thinly ground, the chamfered portion of the outer periphery is formed in a knife edge shape (eave shape), and the wafer is damaged due to chipping. A wafer processing method is used in which the chamfered portion (arc) is removed from the side and then the back surface of the wafer is ground (see, for example, Patent Document 1). In the wafer processing method described in Patent Document 1, when removing the chamfered portion of the outer peripheral edge of the wafer, the cleaning liquid is supplied toward the surface of the wafer in order to prevent foreign matter from adhering to the surface of the wafer. We are carrying out.

特開２０１２−２３１０５７号公報JP 2012-231057 A

しかしながら、特許文献１に示された方法でも、完全に異物の付着を防止することは難しく、改善が切望されている。そこであらかじめウェーハの表面を保護する表面保護テープを貼着することが考えられる。しかし、表面保護テープごと切削ブレードでウェーハの外周縁の面取り部を表面側から切削すると、切削中に切削された表面保護テープの屑がウェーハの外周側へ逃げて糸状のテープ屑が発生する。   However, even with the method disclosed in Patent Document 1, it is difficult to completely prevent the adhesion of foreign matters, and improvement is eagerly desired. Therefore, it is conceivable to attach a surface protective tape for protecting the surface of the wafer in advance. However, when the chamfered portion of the outer peripheral edge of the wafer is cut from the surface side with the cutting blade together with the surface protection tape, the surface protection tape debris cut during the cutting escapes to the outer peripheral side of the wafer, and thread-like tape debris is generated.

糸状のテープ屑は、発生すると装置の各部に絡まり装置の動作に不具合を生じさせる他、排水配管が詰まる等の不具合が生じるおそれもある。更に発生した糸状のテープ屑は、ウェーハの表面保護テープ上に付着すると、後の研削時に均一な厚みに研削できなくなるという問題を発生する。   When the thread-like tape scraps are generated, they are entangled with each part of the apparatus, causing problems in the operation of the apparatus, and there is a possibility that problems such as clogging of the drainage pipe may occur. Further, if the generated thread-like tape scraps adhere on the surface protection tape of the wafer, there arises a problem that it becomes impossible to grind to a uniform thickness during subsequent grinding.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、糸状のテープ屑の発生を抑制することができるウェーハの加工方法を提供することである。   This invention is made | formed in view of this problem, The objective is to provide the processing method of the wafer which can suppress generation | occurrence | production of a thread-like tape waste.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、表面から裏面に至る円弧を外周縁に有したウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面に表面保護テープを貼着する表面保護テープ貼着ステップと、表面保護テープが貼着されたウェーハの裏面側を保持テーブルで保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、切削ブレードでウェーハの外周縁を該表面保護テープとともに切削して所定の深さと所定の幅の段差部を形成する切削ステップと、を備え、該切削ステップで該段差部はウェーハの外周側から中心に向かって段階的に形成されることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, the wafer processing method of the present invention is a wafer processing method having an arc extending from the front surface to the back surface at the outer peripheral edge, and a surface protection tape on the front surface of the wafer. A surface protection tape adhering step for adhering, a holding step for holding the back side of the wafer to which the surface protective tape is affixed with a holding table, and after performing the holding step, the outer peripheral edge of the wafer is removed with a cutting blade A step of cutting together with the surface protection tape to form a stepped portion having a predetermined depth and a predetermined width. In the cutting step, the stepped portion is formed stepwise from the outer peripheral side of the wafer toward the center. It is characterized by that.

上記ウェーハの加工方法において、該保持ステップを実施した後、該切削ステップを実施する前に、該切削ステップで形成する該段差部に対応した領域において該切削ブレードで該表面保護テープのみを切削して薄化する表面保護テープ薄化ステップを更に備えても良い。   In the wafer processing method, after the holding step and before the cutting step, only the surface protection tape is cut with the cutting blade in an area corresponding to the stepped portion formed in the cutting step. And a thinning step of the surface protection tape for thinning.

上記ウェーハの加工方法において、該切削ステップでは、該保持テーブルを回転させつつ該切削ブレードを所定の速度でウェーハの中心側へ移動させても良い。   In the wafer processing method, in the cutting step, the cutting blade may be moved toward the center of the wafer at a predetermined speed while rotating the holding table.

上記ウェーハの加工方法において、該表面保護テープ薄化ステップでは、該保持テーブルを回転させつつ該切削ブレードを所定の速度で下降させても良い。   In the wafer processing method, in the surface protection tape thinning step, the cutting blade may be lowered at a predetermined speed while rotating the holding table.

上記ウェーハの加工方法において、該切削ブレードの厚みの値は、該切削ステップで形成される該段差部の溝底の幅の値以上でも良い。   In the wafer processing method, the thickness value of the cutting blade may be equal to or greater than the width value of the groove bottom of the stepped portion formed in the cutting step.

本発明は、糸状のテープ屑の発生を抑制することができるという効果を奏する。   The present invention has an effect that generation of thread-like tape scraps can be suppressed.

図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a wafer to be processed in the wafer processing method according to the first embodiment. 図２は、図１に示されたウェーハの外周縁の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the outer peripheral edge of the wafer shown in FIG. 図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法で用いられる切削装置の構成例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view illustrating a configuration example of a cutting apparatus used in the wafer processing method according to the first embodiment. 図４は、実施形態１に係るウェーハの加工方法を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart illustrating the wafer processing method according to the first embodiment. 図５は、図４に示されたウェーハの加工方法の表面保護テープ貼着ステップを示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a surface protection tape attaching step of the wafer processing method shown in FIG. 図６は、図４に示されたウェーハの加工方法の表面保護テープ貼着ステップ後のウェーハの外周縁の断面図である。6 is a cross-sectional view of the outer peripheral edge of the wafer after the surface protection tape attaching step of the wafer processing method shown in FIG. 図７は、図４に示されたウェーハの加工方法の保持ステップを示す側面図である。FIG. 7 is a side view showing a holding step of the wafer processing method shown in FIG. 図８は、図７に示されたウェーハの加工方法の表面保護テープ薄化ステップの概要を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing an outline of a surface protection tape thinning step of the wafer processing method shown in FIG. 図９は、図４に示されたウェーハの加工方法の切削ステップの概要を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing an outline of the cutting step of the wafer processing method shown in FIG. 図１０は、実施形態２に係るウェーハの加工方法を示すフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart illustrating a wafer processing method according to the second embodiment. 図１１は、図１０に示されたウェーハの加工方法の表面保護テープ薄化ステップの概要を示す要部の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of an essential part showing an outline of a surface protection tape thinning step of the wafer processing method shown in FIG. 図１２は、実施形態３に係るウェーハの加工方法を示すフローチャートである。FIG. 12 is a flowchart illustrating a wafer processing method according to the third embodiment. 図１３は、図１２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップの概要を示す要部の断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of an essential part showing an outline of a cutting step of the wafer processing method shown in FIG. 図１４は、実施形態１及び実施形態３の変形例１に係るウェーハの加工方法を示すフローチャートである。FIG. 14 is a flowchart illustrating a wafer processing method according to Modification 1 of Embodiments 1 and 3.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the structures described below can be combined as appropriate. Various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。図２は、図１に示されたウェーハの外周縁の断面図である。 Embodiment 1
A wafer processing method according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a wafer to be processed in the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of the outer peripheral edge of the wafer shown in FIG.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ２００の加工方法であって、ウェーハ２００の外周縁２０５の表面２０１側を除去する方法である。実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象であるウェーハ２００は、シリコンを基板とする円板状の半導体ウェーハやサファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などを基板とする光デバイスウェーハである。ウェーハ２００は、図１に示すように、表面２０１に形成された格子状の分割予定ライン２０３に区画された複数の領域にデバイス２０２が形成されている。また、ウェーハ２００は、図２に示すように、表面２０１から裏面２０４に至る円弧を外周縁２０５に有している。即ち、ウェーハ２００の外周縁２０５の一部の断面は、表面２０１から裏面２０４に至る円弧状に形成されている。   The wafer processing method according to the first embodiment is a method of processing the wafer 200 shown in FIG. 1 and is a method of removing the surface 201 side of the outer peripheral edge 205 of the wafer 200. A wafer 200 to be processed by the wafer processing method according to the first embodiment is a disk-shaped semiconductor wafer having silicon as a substrate, an optical device wafer having sapphire, SiC (silicon carbide), or the like as a substrate. As shown in FIG. 1, the wafer 200 has devices 202 formed in a plurality of regions partitioned by grid-like division planned lines 203 formed on the surface 201. Further, as shown in FIG. 2, the wafer 200 has an arc at the outer peripheral edge 205 from the front surface 201 to the back surface 204. That is, a partial cross section of the outer peripheral edge 205 of the wafer 200 is formed in an arc shape extending from the front surface 201 to the back surface 204.

次に、実施形態１に係るウェーハの加工方法で用いられる切削装置１の一例を説明する。図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法で用いられる切削装置の構成例を示す斜視図である。   Next, an example of the cutting device 1 used in the wafer processing method according to the first embodiment will be described. FIG. 3 is a perspective view illustrating a configuration example of a cutting apparatus used in the wafer processing method according to the first embodiment.

切削装置１は、ウェーハ２００に切削ブレード２１を切り込ませウェーハ２００を回転させることで、ウェーハ２００に円形の切削加工を施して、ウェーハ２００の外周縁２０５の表面２０１側を全周に亘って除去して段差部３００（図２に点線で示す）を形成する、所謂エッジトリミング加工をウェーハ２００に施す装置である。実施形態１において、切削装置１がウェーハ２００の外周縁２０５の表面２０１側を全周に亘って除去して形成する段差部３００は、表面２０１から溝底３０１までの深さが所定の深さ３０２に形成されている。また、実施形態１において、ウェーハ２００に形成される段差部３００は、デバイス２０２よりもウェーハ２００の外周側に位置し、ウェーハ２００の径方向の幅が全周に亘って所定の幅３０３（一定の幅）に形成されている。   The cutting apparatus 1 cuts the cutting blade 21 into the wafer 200 and rotates the wafer 200, thereby performing a circular cutting process on the wafer 200, so that the surface 201 side of the outer peripheral edge 205 of the wafer 200 extends over the entire circumference. This is an apparatus for performing a so-called edge trimming process on the wafer 200 to remove and form a stepped portion 300 (indicated by a dotted line in FIG. 2). In the first embodiment, the stepped portion 300 formed by the cutting apparatus 1 removing the entire surface 201 of the outer peripheral edge 205 of the wafer 200 over the entire circumference has a predetermined depth from the surface 201 to the groove bottom 301. 302 is formed. In the first embodiment, the stepped portion 300 formed on the wafer 200 is positioned on the outer peripheral side of the wafer 200 with respect to the device 202, and the radial width of the wafer 200 is a predetermined width 303 (constant) over the entire periphery. Width).

切削装置１は、図３に示すように、ウェーハ２００を保持面１１で吸引保持する保持テーブル１０と、保持テーブル１０に保持されたウェーハ２００にエッジトリミング加工を施す切削ユニット２０と、保持テーブル１０と切削ユニット２０とを水平方向と平行なＸ軸方向に相対移動させるＸ軸移動ユニット３０と、保持テーブル１０と切削ユニット２０とを水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に相対移動させるＹ軸移動ユニット４０と、保持テーブル１０と切削ユニット２０とをＸ軸方向とＹ軸方向との双方と直交するＺ軸方向に相対移動させるＺ軸移動ユニット５０と、撮像ユニット６０と、制御ユニット１００と、を備える。   As shown in FIG. 3, the cutting apparatus 1 includes a holding table 10 that sucks and holds the wafer 200 with the holding surface 11, a cutting unit 20 that performs edge trimming on the wafer 200 held on the holding table 10, and the holding table 10. And the cutting unit 20 are moved relative to each other in the X-axis direction parallel to the horizontal direction, and the holding table 10 and the cutting unit 20 are moved in the Y-axis direction parallel to the horizontal direction and perpendicular to the X-axis direction. A Y-axis movement unit 40 for relative movement, a Z-axis movement unit 50 for relatively moving the holding table 10 and the cutting unit 20 in the Z-axis direction orthogonal to both the X-axis direction and the Y-axis direction, and an imaging unit 60 The control unit 100 is provided.

保持テーブル１０は、保持面１１を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、保持面１１に載置されたウェーハ２００を吸引することで保持する。また、保持テーブル１０は、回転駆動源１２によりＺ軸方向と平行な軸心回りに回転される。   The holding table 10 has a disk shape in which a portion constituting the holding surface 11 is made of porous ceramic or the like, and is connected to a vacuum suction source (not shown) via a vacuum suction path (not shown) and placed on the holding surface 11. The wafer 200 is held by suction. Further, the holding table 10 is rotated around an axis parallel to the Z-axis direction by a rotation drive source 12.

Ｘ軸移動ユニット３０は、保持テーブル１０を回転駆動源１２とともにＸ軸方向に移動させることで、保持テーブル１０をＸ軸方向に加工送りする加工送り手段である。Ｙ軸移動ユニット４０は、切削ユニット２０をＹ軸方向に移動させることで、保持テーブル１０を割り出し送りする割り出し送り手段である。Ｚ軸移動ユニット５０は、切削ユニット２０をＺ軸方向に移動させることで、切削ユニット２０を切り込み送りする切り込み送り手段である。Ｘ軸移動ユニット３０、Ｙ軸移動ユニット４０及びＺ軸移動ユニット５０は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ３１，４１，５１、ボールねじ３１，４１，５１を軸心回りに回転させる周知のパルスモータ３２，４２，５２及び保持テーブル１０又は切削ユニット２０をＸ軸方向、Ｙ軸方向又はＺ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレール３３，４３，５３を備える。   The X-axis moving unit 30 is a processing feed means for processing and holding the holding table 10 in the X-axis direction by moving the holding table 10 in the X-axis direction together with the rotation drive source 12. The Y-axis moving unit 40 is an indexing feeding means for indexing and feeding the holding table 10 by moving the cutting unit 20 in the Y-axis direction. The Z-axis moving unit 50 is a cutting feed unit that cuts and feeds the cutting unit 20 by moving the cutting unit 20 in the Z-axis direction. The X-axis moving unit 30, the Y-axis moving unit 40, and the Z-axis moving unit 50 are arranged around the well-known ball screws 31, 41, 51 and ball screws 31, 41, 51 provided to be rotatable around the axis. And known guide rails 33, 43, 53 for supporting the known pulse motors 32, 42, 52, and the holding table 10 or the cutting unit 20 so as to be movable in the X-axis direction, the Y-axis direction, or the Z-axis direction.

切削ユニット２０は、Ｙ軸方向と平行な軸心回りに回転するスピンドル２２と、スピンドル２２を収容しかつＹ軸移動ユニット４０及びＺ軸移動ユニット５０によりＹ軸方向とＺ軸方向とに移動されるスピンドルハウジング２３と、スピンドル２２に取り付けられた切削ブレード２１とを備える。切削ブレード２１は、極薄のリング形状に形成された切削砥石であり、切削水が供給されながらＹ軸方向と平行な軸心回りにスピンドル２２により回転されることで、保持テーブル１０に保持されたウェーハ２００を切削加工するものである。切削ユニット２０の切削ブレード２１の切刃の厚みの値は、段差部３００の溝底３０１の所定の幅３０３の値以上であり、実施形態１において、例えば１ｍｍ以上の厚みを有して、エッジトリミング加工の際に曲がりにくいものが望ましい。   The cutting unit 20 accommodates the spindle 22 that rotates around an axis parallel to the Y-axis direction, and is moved in the Y-axis direction and the Z-axis direction by the Y-axis moving unit 40 and the Z-axis moving unit 50. A spindle housing 23 and a cutting blade 21 attached to the spindle 22. The cutting blade 21 is a cutting grindstone formed in an extremely thin ring shape, and is held by the holding table 10 by being rotated by a spindle 22 around an axis parallel to the Y-axis direction while supplying cutting water. The wafer 200 is cut. The value of the thickness of the cutting blade 21 of the cutting blade 21 of the cutting unit 20 is equal to or greater than the value of the predetermined width 303 of the groove bottom 301 of the stepped portion 300. Those that are difficult to bend during trimming are desirable.

撮像ユニット６０は、保持テーブル１０に保持されたウェーハ２００を撮像するものであり、切削ユニット２０とＸ軸方向に並列する位置に配設されている。実施形態１では、撮像ユニット６０は、スピンドルハウジング２３に取り付けられている。撮像ユニット６０は、保持テーブル１０に保持されたウェーハ２００を撮像するＣＣＤカメラにより構成される。   The image pickup unit 60 picks up an image of the wafer 200 held on the holding table 10 and is disposed at a position parallel to the cutting unit 20 in the X-axis direction. In the first embodiment, the imaging unit 60 is attached to the spindle housing 23. The imaging unit 60 is configured by a CCD camera that images the wafer 200 held on the holding table 10.

制御ユニット１００は、切削装置１の上述した各構成要素をそれぞれ制御して、ウェーハ２００に対する加工動作を切削装置１に実施させるものである。制御ユニット１００は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有し、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御ユニット１００の演算処理装置は、ＲＯＭに記憶されているコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行して、切削装置１を制御するための制御信号を生成する。制御ユニット１００の演算処理装置は、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介して切削装置１の各構成要素に出力する。また、制御ユニット１００は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニットや、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニットと接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。   The control unit 100 controls each component described above of the cutting apparatus 1 to cause the cutting apparatus 1 to perform a processing operation on the wafer 200. The control unit 100 includes an arithmetic processing device having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage device having a memory such as a read only memory (ROM) or a random access memory (RAM), and an input / output interface device. And a computer capable of executing a computer program. The arithmetic processing unit of the control unit 100 generates a control signal for controlling the cutting device 1 by executing a computer program stored in the ROM on the RAM. The arithmetic processing unit of the control unit 100 outputs the generated control signal to each component of the cutting device 1 via the input / output interface device. In addition, the control unit 100 is connected to a display unit (not shown) configured by a liquid crystal display device or the like that displays a processing operation state or an image, or an input unit used when an operator registers processing content information. . The input unit includes at least one of a touch panel provided on the display unit, a keyboard, and the like.

次に、実施形態１に係るウェーハの加工方法を説明する。図４は、実施形態１に係るウェーハの加工方法を示すフローチャートである。図５は、図４に示されたウェーハの加工方法の表面保護テープ貼着ステップを示す斜視図である。図６は、図４に示されたウェーハの加工方法の表面保護テープ貼着ステップ後のウェーハの外周縁の断面図である。図７は、図４に示されたウェーハの加工方法の保持ステップを示す側面図である。図８は、図７に示されたウェーハの加工方法の表面保護テープ薄化ステップの概要を示す断面図である。図９は、図４に示されたウェーハの加工方法の切削ステップの概要を示す断面図である。   Next, a wafer processing method according to the first embodiment will be described. FIG. 4 is a flowchart illustrating the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 5 is a perspective view showing a surface protection tape attaching step of the wafer processing method shown in FIG. 6 is a cross-sectional view of the outer peripheral edge of the wafer after the surface protection tape attaching step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 7 is a side view showing a holding step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view showing an outline of a surface protection tape thinning step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view showing an outline of the cutting step of the wafer processing method shown in FIG.

ウェーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、ウェーハ２００に切削ブレード２１を切り込ませて、ウェーハ２００をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転させることで、ウェーハ２００に円形の切削加工を施して、段差部３００を形成する加工方法である。加工方法は、図４に示すように、表面保護テープ貼着ステップＳＴ１と、保持ステップＳＴ２と、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３と、切削ステップＳＴ４とを備える。   A wafer processing method (hereinafter, simply referred to as a processing method) is performed by cutting a cutting blade 21 into a wafer 200 and rotating the wafer 200 around an axis parallel to the Z-axis direction so that the wafer 200 has a circular shape. This is a processing method for forming a stepped portion 300 by performing a cutting process. As shown in FIG. 4, the processing method includes a surface protective tape attaching step ST1, a holding step ST2, a surface protective tape thinning step ST3, and a cutting step ST4.

表面保護テープ貼着ステップＳＴ１は、ウェーハ２００の表面２０１に図５に示す表面保護テープ２１０を貼着するステップである。実施形態１において、表面保護テープ２１０は、ウェーハ２００と同じ大きさの円形に形成されている。表面保護テープ２１０は、合成樹脂により構成された基材層と、基材層上に配設されウェーハ２００の表面２０１に貼着する糊層とを備え、ウェーハ２００と同等の大きさの円板状に形成されている。実施形態１において、表面保護テープ２１０は、図５に示すように、表面保護テープ２１０の糊層とウェーハ２００と対向させた後、図６に示すように、表面保護テープ２１０の糊層をウェーハ２００の表面２０１に貼着する。加工方法は、表面保護テープ貼着ステップＳＴ１後、保持ステップＳＴ２に進む。   The surface protective tape attaching step ST1 is a step of attaching the surface protective tape 210 shown in FIG. In the first embodiment, the surface protection tape 210 is formed in a circular shape having the same size as the wafer 200. The surface protection tape 210 includes a base material layer made of a synthetic resin, and a paste layer disposed on the base material layer and adhered to the surface 201 of the wafer 200, and a disk having the same size as the wafer 200 It is formed in a shape. In the first embodiment, as shown in FIG. 5, the surface protective tape 210 is made to face the adhesive layer of the surface protective tape 210 and the wafer 200, and then the surface protective tape 210 is applied to the wafer as shown in FIG. 6. Adhere to the surface 201 of 200. The processing method proceeds to the holding step ST2 after the surface protective tape attaching step ST1.

保持ステップＳＴ２は、表面保護テープ２１０が貼着されたウェーハ２００の裏面２０４側を保持テーブル１０で保持するステップである。保持ステップＳＴ２では、オペレータが入力ユニットを操作して加工内容情報を制御ユニット１００に登録し、オペレータが図７に示すように表面保護テープ２１０を上面にしてウェーハ２００の裏面２０４を保持面１１に載置し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、制御ユニット１００が真空吸引源を駆動させて保持テーブル１０にウェーハ２００を吸引保持する。このように、保持ステップＳＴ２において、保持テーブル１０は、表面保護テープ２１０が貼着されたウェーハ２００を表面保護テープ２１０を上面にして保持する。加工方法は、保持ステップＳＴ２後、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３に進む。   The holding step ST <b> 2 is a step of holding the back surface 204 side of the wafer 200 to which the surface protection tape 210 is attached by the holding table 10. In the holding step ST2, the operator operates the input unit to register the processing content information in the control unit 100, and the operator places the surface protection tape 210 on the upper surface and the back surface 204 of the wafer 200 on the holding surface 11 as shown in FIG. When the processing unit is instructed to start the processing operation, the control unit 100 drives the vacuum suction source to suck and hold the wafer 200 on the holding table 10. As described above, in the holding step ST2, the holding table 10 holds the wafer 200 to which the surface protective tape 210 is attached with the surface protective tape 210 as an upper surface. The processing method proceeds to the surface protection tape thinning step ST3 after the holding step ST2.

表面保護テープ薄化ステップＳＴ３は、保持ステップＳＴ２を実施した後、切削ステップＳＴ４を実施する前に、表面保護テープ２１０の切削ステップＳＴ４で形成する段差部３００に対応する領域２１１において、切削ブレード２１で表面保護テープ２１０のみを切削して、表面保護テープ２１０の領域２１１を薄化するステップである。なお、表面保護テープ２１０の段差部３００に対応する領域２１１は、表面保護テープ２１０の段差部３００にＺ軸方向に重なる領域である。表面保護テープ薄化ステップＳＴ３では、制御ユニット１００は、Ｘ軸移動ユニット３０により保持テーブル１０を撮像ユニット６０の下方に向かって移動して、撮像ユニット６０にウェーハ２００を撮像させて、アライメントを遂行する。   In the surface protection tape thinning step ST3, after performing the holding step ST2, and before performing the cutting step ST4, the cutting blade 21 in the region 211 corresponding to the stepped portion 300 formed in the cutting step ST4 of the surface protective tape 210. In this step, only the surface protection tape 210 is cut to thin the region 211 of the surface protection tape 210. The region 211 corresponding to the stepped portion 300 of the surface protective tape 210 is a region overlapping the stepped portion 300 of the surface protective tape 210 in the Z-axis direction. In the surface protection tape thinning step ST3, the control unit 100 moves the holding table 10 downward of the imaging unit 60 by the X-axis moving unit 30, and causes the imaging unit 60 to image the wafer 200 to perform alignment. To do.

そして、制御ユニット１００は、加工内容情報とアライメント結果等に基づいて、Ｘ軸移動ユニット３０とＹ軸移動ユニット４０とＺ軸移動ユニット５０と回転駆動源１２とにより保持テーブル１０を軸心回りに回転させつつ、スピンドル２２により回転された切削ブレード２１を保持テーブル１０に保持されたウェーハ２００に貼着された表面保護テープ２１０の領域２１１上に位置付ける。制御ユニット１００は、保持テーブル１０を回転させつつ、Ｚ軸移動ユニット５０により切削ユニット２０を所定の切り込み送り速度で切り込み送り（下降）させて、切削ブレード２１をウェーハ２００の外周縁２０５上の表面保護テープ２１０に切り込ませて、図８に示すように、表面保護テープ２１０の外周部の領域２１１を薄化する。   The control unit 100 moves the holding table 10 around the axis by the X-axis movement unit 30, the Y-axis movement unit 40, the Z-axis movement unit 50, and the rotation drive source 12 based on the machining content information and the alignment result. While rotating, the cutting blade 21 rotated by the spindle 22 is positioned on the region 211 of the surface protection tape 210 attached to the wafer 200 held on the holding table 10. The control unit 100 rotates the holding table 10 and causes the Z-axis moving unit 50 to cut and feed (lower) the cutting unit 20 at a predetermined cutting feed speed, so that the cutting blade 21 is on the surface on the outer peripheral edge 205 of the wafer 200. By cutting into the protective tape 210, as shown in FIG. 8, the area | region 211 of the outer peripheral part of the surface protective tape 210 is thinned.

制御ユニット１００は、表面保護テープ２１０の外周部の領域２１１を所定の厚さまで薄化すると、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３を終了する。なお、実施形態１において、表面保護テープ２１０の厚さは、１００μｍであり、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３では、表面保護テープ２１０の領域２１１を２０μｍまで薄化する。加工方法は、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３後、切削ステップＳＴ４に進む。   When the control unit 100 thins the outer peripheral region 211 of the surface protective tape 210 to a predetermined thickness, the control unit 100 ends the surface protective tape thinning step ST3. In the first embodiment, the thickness of the surface protective tape 210 is 100 μm, and in the surface protective tape thinning step ST3, the region 211 of the surface protective tape 210 is thinned to 20 μm. The processing method proceeds to the cutting step ST4 after the surface protection tape thinning step ST3.

切削ステップＳＴ４は、保持ステップＳＴ２及び表面保護テープ薄化ステップＳＴ３を実施した後、切削ブレード２１でウェーハ２００の外周縁２０５を表面保護テープ２１０とともに切削して、外周縁２０５に段差部３００を形成して、ウェーハ２００にエッジトリミング加工を施すステップである。切削ステップＳＴ４では、制御ユニット１００は、加工内容情報とアライメント結果等に基づいて、Ｘ軸移動ユニット３０とＹ軸移動ユニット４０とＺ軸移動ユニット５０と回転駆動源１２とにより保持テーブル１０を軸心回りに回転させつつ、回転された切削ブレード２１の刃先の下端を段差部３００の溝底３０１とＺ軸方向の同一の高さに位置付けるとともに、切削ブレード２１の刃先を保持テーブル１０に保持されたウェーハ２００の外周縁２０５よりも外周側に位置付ける。   In the cutting step ST4, after performing the holding step ST2 and the surface protective tape thinning step ST3, the outer peripheral edge 205 of the wafer 200 is cut together with the surface protective tape 210 with the cutting blade 21 to form the stepped portion 300 on the outer peripheral edge 205. In this step, edge trimming is performed on the wafer 200. In the cutting step ST4, the control unit 100 pivots the holding table 10 by the X-axis movement unit 30, the Y-axis movement unit 40, the Z-axis movement unit 50, and the rotation drive source 12 based on the machining content information and the alignment result. While rotating about the center, the lower end of the cutting edge of the rotated cutting blade 21 is positioned at the same height in the Z-axis direction as the groove bottom 301 of the stepped portion 300, and the cutting edge of the cutting blade 21 is held by the holding table 10. The wafer 200 is positioned on the outer peripheral side with respect to the outer peripheral edge 205.

制御ユニット１００は、保持テーブル１０を回転させつつＹ軸移動ユニット４０により切削ユニット２０を所定の割り出し送り速度でウェーハ２００の中心側へ移動させて、図９に示すように、切削ブレード２１をウェーハ２００の外周縁２０５と表面保護テープ２１０とに切り込ませる。切削ステップＳＴ４では、切削ユニット２０は、切削ブレード２１でウェーハ２００の外周縁２０５を表面保護テープ２１０とともに切削して段差部３００を形成する。このように、実施形態１に係る加工方法では、切削ステップＳＴ４において、所定の割り出し送り速度で切削ブレード２１をウェーハ２００の中心方向に移動させることにより、切削ブレード２１がエッジトリミング加工を施して、段差部３００は、ウェーハ２００の外周側から中心に向かって段階的に形成される。即ち、制御ユニット１００は、切削ユニット２０にウェーハ２００の外周側から中心に向かって段階的に段差部３００を形成させる。   The control unit 100 rotates the holding table 10 and moves the cutting unit 20 to the center side of the wafer 200 at a predetermined index feed speed by the Y-axis moving unit 40, and the cutting blade 21 is moved to the wafer as shown in FIG. The outer peripheral edge 205 and the surface protective tape 210 of 200 are cut. In the cutting step ST <b> 4, the cutting unit 20 forms the stepped portion 300 by cutting the outer peripheral edge 205 of the wafer 200 together with the surface protection tape 210 with the cutting blade 21. As described above, in the machining method according to the first embodiment, in the cutting step ST4, the cutting blade 21 performs edge trimming by moving the cutting blade 21 toward the center of the wafer 200 at a predetermined index feed speed. The step portion 300 is formed stepwise from the outer peripheral side of the wafer 200 toward the center. That is, the control unit 100 causes the cutting unit 20 to form the stepped portion 300 stepwise from the outer peripheral side of the wafer 200 toward the center.

制御ユニット１００は、段差部３００の幅を所定の幅３０３まで形成すると、切削ステップＳＴ４を終了する。なお、実施形態１において、段差部３００の所定の深さ３０２は、４００μｍであり、段差部３００の所定の幅３０３は、８００μｍである。加工方法は、切削ステップＳＴ４後、終了する。ウェーハ２００は、加工方法後、裏面２０４側に研削加工等が施されて、所定の仕上げ厚さまで薄化された後、他の切削装置等を用いて個々のデバイス２０２に分割される。   Control unit 100 will complete | finish cutting step ST4, if the width | variety of the level | step-difference part 300 is formed to the predetermined width 303. FIG. In the first embodiment, the predetermined depth 302 of the stepped portion 300 is 400 μm, and the predetermined width 303 of the stepped portion 300 is 800 μm. The processing method ends after the cutting step ST4. After the processing method, the wafer 200 is ground on the back surface 204 side and thinned to a predetermined finish thickness, and then divided into individual devices 202 using another cutting apparatus or the like.

実施形態１に係る加工方法は、切削ステップＳＴ４において、ウェーハ２００の外周側からウェーハ２００の中心に向かって切削ブレード２１を移動させてエッジトリミング加工を施して段差部３００を段階的に形成する。このために、加工方法は、切削ブレード２１が切削中に外周方向に逃げようとする切削された表面保護テープ２１０の屑を抑えることとなり、切削された表面保護テープ２１０の屑がウェーハ２００の外周側に逃げることを抑制することができる。その結果、加工方法は、表面保護テープ２１０の領域２１１を切削除去することができるとともに、領域２１１から除去された表面保護テープ２１０からなる糸状のテープ屑の発生を抑制することができる。   In the processing method according to the first embodiment, in the cutting step ST4, the cutting blade 21 is moved from the outer peripheral side of the wafer 200 toward the center of the wafer 200 to perform edge trimming, thereby forming the stepped portion 300 stepwise. For this reason, the processing method suppresses the scraps of the cut surface protection tape 210 that the cutting blade 21 tries to escape in the outer peripheral direction during cutting, and the scraps of the cut surface protection tape 210 become the outer periphery of the wafer 200. Escape to the side can be suppressed. As a result, the processing method can cut and remove the region 211 of the surface protective tape 210 and can suppress the generation of thread-like tape scraps made of the surface protective tape 210 removed from the region 211.

また、実施形態１に係る加工方法は、切削ステップＳＴ４の実施前の表面保護テープ薄化ステップＳＴ３において、表面保護テープ２１０の領域２１１を薄化するので、段差部３００を形成する際に、表面保護テープ２１０とウェーハ２００の表面２０１との界面にクラックが発生することを抑制することができる。   In the processing method according to the first embodiment, the surface 211 of the surface protection tape 210 is thinned in the surface protection tape thinning step ST3 before the cutting step ST4. Generation of cracks at the interface between the protective tape 210 and the surface 201 of the wafer 200 can be suppressed.

また、実施形態１に係る加工方法は、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３において表面保護テープ２１０の領域２１１を薄化した後、切削ステップＳＴ４においてウェーハ２００の外周側からウェーハ２００の中心に向かって切削ブレード２１を移動させてエッジトリミング加工を施すとともに、領域２１１を切削除去する。このために、実施形態１に係る加工方法は、表面保護テープ２１０の領域２１１の切削除去を切削ステップＳＴ４で行い、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３では行わないので、領域２１１の特に外周側の部分が糸状のテープ屑になることを抑制することができる。   In the processing method according to the first embodiment, after thinning the region 211 of the surface protection tape 210 in the surface protection tape thinning step ST3, the cutting is performed from the outer peripheral side of the wafer 200 toward the center of the wafer 200 in the cutting step ST4. The blade 21 is moved to perform edge trimming and the region 211 is removed by cutting. For this reason, in the processing method according to the first embodiment, the region 211 of the surface protection tape 210 is cut and removed in the cutting step ST4 and not in the surface protection tape thinning step ST3. Can be prevented from becoming thread-like tape scraps.

また、実施形態１に係る加工方法は、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３において、保持テーブル１０を回転させつつ切削ユニット２０を所定の切り込み送り速度で切り込み送りして、表面保護テープ２１０の領域２１１を薄化するので、表面保護テープ２１０を薄化する際に、表面保護テープ２１０の基材層を構成する合成樹脂からなるひげ状のバリが発生することを抑制することができる。   Further, in the processing method according to the first embodiment, in the surface protective tape thinning step ST3, the cutting unit 20 is cut and fed at a predetermined cutting feed speed while rotating the holding table 10, so that the region 211 of the surface protective tape 210 is formed. Since the thickness is reduced, it is possible to suppress the occurrence of whisker-like burrs made of a synthetic resin constituting the base material layer of the surface protection tape 210 when the surface protection tape 210 is thinned.

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１０は、実施形態２に係るウェーハの加工方法を示すフローチャートである。図１１は、図１０に示されたウェーハの加工方法の表面保護テープ薄化ステップの概要を示す要部の断面図である。図１０及び図１１は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 2]
A wafer processing method according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 10 is a flowchart illustrating a wafer processing method according to the second embodiment. FIG. 11 is a cross-sectional view of an essential part showing an outline of a surface protection tape thinning step of the wafer processing method shown in FIG. In FIG. 10 and FIG. 11, the same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.

実施形態２に係るウェーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、図１０に示すように、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３−２が実施形態１と異なること以外、実施形態１の加工方法と同じである。具体的には、実施形態２に係る加工方法の表面保護テープ薄化ステップＳＴ３−２では、制御ユニット１００は、加工内容情報とアライメント結果等に基づいて、Ｘ軸移動ユニット３０とＹ軸移動ユニット４０とＺ軸移動ユニット５０とにより回転された切削ブレード２１の刃先の下端を、領域２１１を所定の厚さまで薄化する切り込み深さより浅い切り込み深さとなる所定高さ（図１１に示す領域２１１中の最上方の点線２１２で示す）に位置付けた状態で、切削ブレード２１を表面保護テープ２１０の領域２１１に切り込ませて、回転駆動源１２に保持テーブル１０を軸心回りに１回転させる。実施形態２に係る加工方法の表面保護テープ薄化ステップＳＴ３−２では、制御ユニット１００は、領域２１１の最上方の点線２１２よりも上方を切削除去する。   The wafer processing method according to the second embodiment (hereinafter simply referred to as a processing method) is the same as that of the first embodiment except that the surface protection tape thinning step ST3-2 is different from the first embodiment as shown in FIG. The method is the same. Specifically, in the surface protection tape thinning step ST3-2 of the processing method according to the second embodiment, the control unit 100 determines that the X-axis moving unit 30 and the Y-axis moving unit are based on the processing content information and the alignment result. The lower end of the cutting edge of the cutting blade 21 rotated by 40 and the Z-axis moving unit 50 has a predetermined height (in the region 211 shown in FIG. 11) that is a shallower depth than the depth at which the region 211 is thinned to a predetermined thickness. In this state, the cutting blade 21 is cut into the region 211 of the surface protection tape 210, and the rotation driving source 12 causes the holding table 10 to make one rotation around the axis. In the surface protection tape thinning step ST3-2 of the processing method according to the second embodiment, the control unit 100 cuts and removes the area above the uppermost dotted line 212 in the region 211.

表面保護テープ薄化ステップＳＴ３−２では、制御ユニット１００は、切削ブレード２１の刃先の下端を、領域２１１の最上方の点線２１２よりも次に高い点線２１２で示す位置に切り込み送りさせた後に回転駆動源１２に保持テーブル１０を軸心回りに１回転させて、領域２１１の次に高い点線２１２よりも上方を切削除去する。表面保護テープ薄化ステップＳＴ３−２では、制御ユニット１００は、領域２１１が所定の厚さになるまで、切削ブレード２１の切り込み送りと保持テーブル１０の１回転とを複数回繰り返す。実施形態２の表面保護テープ薄化ステップＳＴ３−２では、制御ユニット１００は、切削ブレード２１の切り込み送りと保持テーブル１０の１回転とを４回繰り返して、表面保護テープ２１０の領域２１１を所定の厚さまで段階的に薄化する。実施形態２の表面保護テープ薄化ステップＳＴ３−２では、制御ユニット１００は、１回の切削ブレード２１の切り込み送りと保持テーブル１０の１回転とにより、領域２１１を２０μｍまで薄化する。   In the surface protection tape thinning step ST 3-2, the control unit 100 rotates after cutting the lower end of the cutting edge of the cutting blade 21 to a position indicated by a dotted line 212 higher than the uppermost dotted line 212 in the region 211. The holding table 10 is rotated once around the axis by the drive source 12, and the area above the dotted line 212 next to the region 211 is cut and removed. In the surface protection tape thinning step ST3-2, the control unit 100 repeats the cutting feed of the cutting blade 21 and one rotation of the holding table 10 a plurality of times until the region 211 reaches a predetermined thickness. In the surface protection tape thinning step ST3-2 of the second embodiment, the control unit 100 repeats the cutting feed of the cutting blade 21 and one rotation of the holding table 10 four times to set the region 211 of the surface protection tape 210 to a predetermined value. Thinning down to thickness. In the surface protection tape thinning step ST3-2 of the second embodiment, the control unit 100 thins the region 211 to 20 μm by one cutting feed of the cutting blade 21 and one rotation of the holding table 10.

実施形態２に係る加工方法は、実施形態１と同様に、切削ステップＳＴ４において、ウェーハ２００の外周側からウェーハ２００の中心に向かって切削ブレード２１を移動させて段差部３００を段階的に形成する。その結果、加工方法は、実施形態１と同様に、切削ブレード２１が切削中に外周方向に逃げようとする切削された表面保護テープ２１０の屑を抑えることとなり、表面保護テープ２１０の領域２１１を切削除去することができるとともに、領域２１１から除去された表面保護テープ２１０からなる糸状のテープ屑の発生を抑制することができる。   In the processing method according to the second embodiment, similarly to the first embodiment, in the cutting step ST4, the cutting blade 21 is moved from the outer peripheral side of the wafer 200 toward the center of the wafer 200 to form the stepped portion 300 stepwise. . As a result, as in the first embodiment, the processing method suppresses the scraped surface protection tape 210 that the cutting blade 21 tries to escape in the outer circumferential direction during cutting, and the region 211 of the surface protection tape 210 is reduced. While being able to cut and remove, generation | occurrence | production of the thread-like tape waste which consists of the surface protection tape 210 removed from the area | region 211 can be suppressed.

また、実施形態２に係る加工方法は、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３−２において、表面保護テープ２１０の領域２１１を段階的に薄化するので、表面保護テープ２１０を薄化する際に、表面保護テープ２１０の基材層を構成する合成樹脂からなるひげ状のバリが発生することを抑制することができる。   In the processing method according to the second embodiment, since the region 211 of the surface protection tape 210 is thinned step by step in the surface protection tape thinning step ST3-2, when the surface protection tape 210 is thinned, the surface Generation of whisker-like burrs made of a synthetic resin constituting the base material layer of the protective tape 210 can be suppressed.

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１２は、実施形態３に係るウェーハの加工方法を示すフローチャートである。図１３は、図１２に示されたウェーハの加工方法の切削ステップの概要を示す要部の断面図である。図１２及び図１３は、実施形態１及び実施形態２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 3]
A wafer processing method according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 12 is a flowchart illustrating a wafer processing method according to the third embodiment. FIG. 13 is a cross-sectional view of an essential part showing an outline of a cutting step of the wafer processing method shown in FIG. In FIG. 12 and FIG. 13, the same parts as those in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

実施形態３に係るウェーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、図１２に示すように、切削ステップＳＴ４−３が実施形態１及び実施形態２と異なること以外、実施形態１及び実施形態２の加工方法と同じである。加工方法は、切削ステップＳＴ４−３において、切削ブレード２１を外周側から中心側に向かって複数回段階的に割り出し送りして、切削ブレード２１でウェーハ２００の外周縁２０５を表面保護テープ２１０とともに切削させて段差部３００を外周側からウェーハ２００の中心に向かって段階的に形成する。   As shown in FIG. 12, the wafer processing method according to the third embodiment (hereinafter simply referred to as a processing method) is different from the first and second embodiments except that the cutting step ST4-3 is different from the first and second embodiments. This is the same as the processing method of form 2. In the processing method, in the cutting step ST4-3, the cutting blade 21 is indexed and fed a plurality of times from the outer peripheral side toward the central side, and the outer peripheral edge 205 of the wafer 200 is cut together with the surface protection tape 210 by the cutting blade 21. Thus, the stepped portion 300 is formed stepwise from the outer peripheral side toward the center of the wafer 200.

具体的には、実施形態３に係る加工方法の切削ステップＳＴ４−３では、制御ユニット１００は、加工内容情報とアライメント結果等に基づいて、Ｘ軸移動ユニット３０とＹ軸移動ユニット４０とＺ軸移動ユニット５０とにより、回転された切削ブレード２１の刃先の下端を段差部３００の溝底３０１と同じ高さに位置付け、かつ切削ブレード２１をウェーハ２００の外周縁２０５からＸ軸方向に退避した位置に位置付ける。さらに、切削ステップＳＴ４−３では、制御ユニット１００は、切削ブレード２１のＹ軸方向の位置を、段差部３００の所定の幅３０３よりも狭い除去幅となるＹ軸方向の所定位置（図１３に示す段差部３００及び領域２１１中の最外周の点線３１２で示す）に位置付ける。   Specifically, in the cutting step ST4-3 of the machining method according to the third embodiment, the control unit 100 determines the X-axis movement unit 30, the Y-axis movement unit 40, and the Z-axis based on the machining content information, the alignment result, and the like. A position where the lower end of the cutting edge of the rotated cutting blade 21 is positioned at the same height as the groove bottom 301 of the stepped portion 300 by the moving unit 50 and the cutting blade 21 is retracted from the outer peripheral edge 205 of the wafer 200 in the X-axis direction. Position. Further, in the cutting step ST4-3, the control unit 100 sets the position of the cutting blade 21 in the Y-axis direction to a predetermined position in the Y-axis direction that is a removal width narrower than the predetermined width 303 of the stepped portion 300 (see FIG. 13). (Shown by the dotted line 312 on the outermost periphery in the stepped portion 300 and the region 211).

実施形態３に係る加工方法の切削ステップＳＴ４−３では、制御ユニット１００は、Ｘ軸移動ユニット３０に保持テーブル１０を切削ブレード２１に向けて移動させて、切削ブレード２１を表面保護テープ２１０とともにウェーハ２００の外周縁２０５に切り込ませて、回転駆動源１２に保持テーブル１０を軸心回りに１回転させる。実施形態３に係る加工方法の切削ステップＳＴ４−３では、制御ユニット１００は、段差部３００及び領域２１１の最外周の点線３１２よりも外側を切削除去し、切削ブレード２１をウェーハ２００の外周縁２０５からＸ軸方向に退避した位置に位置付ける。   In the cutting step ST4-3 of the processing method according to the third embodiment, the control unit 100 moves the holding table 10 toward the cutting blade 21 by the X-axis moving unit 30 and moves the cutting blade 21 together with the surface protection tape 210 to the wafer. The outer peripheral edge 205 of 200 is cut, and the rotation driving source 12 rotates the holding table 10 once around the axis. In the cutting step ST4-3 of the processing method according to the third embodiment, the control unit 100 cuts and removes the outer side of the stepped portion 300 and the outermost dotted line 312 of the region 211 to remove the cutting blade 21 from the outer peripheral edge 205 of the wafer 200. To the position retracted in the X-axis direction.

切削ステップＳＴ４−３では、制御ユニット１００は、Ｙ軸移動ユニット４０に切削ユニット２０を割り出し送りさせて、切削ブレード２１のＹ軸方向の位置を、段差部３００及び領域２１１中の最外周の点線３１２よりも次に外周側の点線３１２で示す位置に位置付ける。切削ステップＳＴ４−３では、制御ユニット１００は、Ｘ軸移動ユニット３０に保持テーブル１０を切削ブレード２１に向けて移動させて、切削ブレード２１を表面保護テープ２１０とともにウェーハ２００の外周縁２０５に切り込ませて、回転駆動源１２に保持テーブル１０を軸心回りに１回転させて、段差部３００及び領域２１１の次に外周側の点線３１２よりも外周側を切削除去する。   In cutting step ST4-3, the control unit 100 causes the Y-axis moving unit 40 to index and feed the cutting unit 20, and the position of the cutting blade 21 in the Y-axis direction is set to the stepped portion 300 and the dotted line on the outermost periphery in the region 211. It is positioned at a position indicated by a dotted line 312 on the outer peripheral side next to 312. In the cutting step ST4-3, the control unit 100 moves the holding table 10 toward the cutting blade 21 by the X-axis moving unit 30, and cuts the cutting blade 21 into the outer peripheral edge 205 of the wafer 200 together with the surface protection tape 210. Then, the holding table 10 is rotated once around the axis by the rotation driving source 12, and the outer peripheral side of the stepped portion 300 and the region 211 is cut away from the outer peripheral side dotted line 312.

切削ステップＳＴ４−３では、制御ユニット１００は、段差部３００の幅が所定の幅３０３になるまで、切削ブレード２１の割り出し送りと切削ブレード２１の外周縁２０５への切り込ませと保持テーブル１０の１回転とを複数回繰り返す。実施形態３の加工方法では、切削ステップＳＴ４−３では、制御ユニット１００は、切削ブレード２１の割り出し送りと切削ブレード２１の外周縁２０５への切り込ませと保持テーブル１０の１回転とを１６回繰り返して、段差部３００を形成する。実施形態３では、切削ステップＳＴ４−３では、制御ユニット１００は、１回の切削ブレード２１の割り出し送りと切削ブレード２１の外周縁２０５への切り込ませと保持テーブル１０の１回転とにより外周縁２０５を５０μｍ切削除去する。   In the cutting step ST4-3, the control unit 100 performs the index feed of the cutting blade 21, the cutting into the outer peripheral edge 205 of the cutting blade 21, and the holding table 10 until the stepped portion 300 has a predetermined width 303. Repeat one rotation several times. In the processing method of the third embodiment, in the cutting step ST4-3, the control unit 100 performs the index feed of the cutting blade 21, cutting into the outer peripheral edge 205 of the cutting blade 21, and one rotation of the holding table 10 16 times. Repeatedly, the step portion 300 is formed. In the third embodiment, in the cutting step ST4-3, the control unit 100 performs the outer peripheral edge by one index feed of the cutting blade 21, cutting into the outer peripheral edge 205 of the cutting blade 21, and one rotation of the holding table 10. 205 is removed by 50 μm.

実施形態３に係る加工方法は、実施形態１及び実施形態２と同様に、切削ステップＳＴ４−３において、ウェーハ２００の外周側からウェーハ２００の中心に向かって切削ブレード２１を移動させて段差部３００を段階的に形成する。その結果、実施形態３に係る加工方法は、実施形態１及び実施形態２と同様に、切削ブレード２１が切削中に外周方向に逃げようとする切削された表面保護テープ２１０の屑を抑えることとなり、表面保護テープ２１０の領域２１１を切削除去することができるとともに、領域２１１から除去された表面保護テープ２１０からなる糸状のテープ屑の発生を抑制することができる。   As in the first and second embodiments, the processing method according to the third embodiment moves the cutting blade 21 from the outer peripheral side of the wafer 200 toward the center of the wafer 200 in the cutting step ST4-3, thereby making the step portion 300. Are formed step by step. As a result, the processing method according to the third embodiment suppresses scraps of the cut surface protection tape 210 that the cutting blade 21 tries to escape in the outer circumferential direction during the cutting, as in the first and second embodiments. The region 211 of the surface protection tape 210 can be cut and removed, and generation of thread-like tape scraps made of the surface protection tape 210 removed from the region 211 can be suppressed.

〔変形例１〕
本発明の実施形態１及び実施形態３の変形例１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１４は、実施形態１及び実施形態３の変形例１に係るウェーハの加工方法を示すフローチャートである。図１４は、実施形態１及び実施形態３と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Modification 1]
A wafer processing method according to Modification 1 of Embodiments 1 and 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 14 is a flowchart illustrating a wafer processing method according to Modification 1 of Embodiments 1 and 3. In FIG. 14, the same parts as those in the first and third embodiments are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

実施形態１及び実施形態３に係るウェーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、図１４に示すように、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３を実施しないこと即ち表面保護テープ貼着ステップＳＴ１と保持ステップＳＴ２と切削ステップＳＴ４，ＳＴ４−３とを備えることが実施形態１及び実施形態３と異なること以外、実施形態１及び実施形態３の加工方法と同じである。   In the wafer processing method according to the first and third embodiments (hereinafter simply referred to as a processing method), as shown in FIG. 14, the surface protective tape thinning step ST3 is not performed, that is, the surface protective tape attaching step ST1. The processing method of the first and third embodiments is the same as that of the first and third embodiments except that the holding step ST2 and the cutting steps ST4 and ST4-3 are different from the first and third embodiments.

変形例１に係る加工方法は、実施形態１及び実施形態３と同様に、切削ステップＳＴ４，ＳＴ４−３において、ウェーハ２００の外周側からウェーハ２００の中心に向かって切削ブレード２１を移動させて段差部３００を段階的に形成する。その結果、変形例１に係る加工方法は、実施形態１及び実施形態３と同様に、切削ブレード２１が切削中に外周方向に逃げようとする切削された表面保護テープ２１０の屑を抑えることとなり、表面保護テープ２１０の領域２１１を切削除去することができるとともに、領域２１１から除去された表面保護テープ２１０からなる糸状のテープ屑の発生を抑制することができる。   As in the first and third embodiments, the machining method according to the first modification is configured such that the cutting blade 21 is moved from the outer peripheral side of the wafer 200 toward the center of the wafer 200 in the cutting steps ST4 and ST4-3. The part 300 is formed in stages. As a result, the processing method according to the modified example 1 suppresses the scraps of the cut surface protection tape 210 that the cutting blade 21 tries to escape in the outer peripheral direction during cutting, as in the first and third embodiments. The region 211 of the surface protection tape 210 can be cut and removed, and generation of thread-like tape scraps made of the surface protection tape 210 removed from the region 211 can be suppressed.

〔変形例２〕
本発明の実施形態１から実施形態３の変形例２に係るウェーハの加工方法を説明する。実施形態１から実施形態３に係るウェーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３，ＳＴ３−２と切削ステップＳＴ４，ＳＴ４−３とを互いに異なる切削ブレード２１を用いて実施することが実施形態１から実施形態３と異なること以外、実施形態１から実施形態３の加工方法と同じである。 [Modification 2]
A wafer processing method according to Modification 2 of Embodiments 1 to 3 of the present invention will be described. In the wafer processing method according to the first to third embodiments (hereinafter simply referred to as a processing method), the surface protection tape thinning steps ST3 and ST3-2 and the cutting steps ST4 and ST4-3 are different from each other. It is the same as the processing method of Embodiment 1 to Embodiment 3, except that it is different from Embodiment 1 to Embodiment 3.

変形例２に係る加工方法は、図３に示された切削装置１の切削ブレード２１を交換して、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３，ＳＴ３−２と切削ステップＳＴ４，ＳＴ４−３とを実施しても良い。また、変形例２に係る加工方法は、一方の切削ユニットに表面保護テープ薄化ステップＳＴ３，ＳＴ３−２用の切削ブレード２１を取り付け、他方の切削ユニットに切削ステップＳＴ４，ＳＴ４−３用の切削ブレード２１を取り付けた切削ユニットを２つ備える切削装置を用いて、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３，ＳＴ３−２と切削ステップＳＴ４，ＳＴ４−３とを実施しても良い。   In the processing method according to the modified example 2, the cutting blade 21 of the cutting device 1 shown in FIG. 3 is replaced, and the surface protection tape thinning steps ST3 and ST3-2 and the cutting steps ST4 and ST4-3 are performed. May be. Moreover, the processing method which concerns on the modification 2 attaches the cutting blade 21 for surface protection tape thinning steps ST3 and ST3-2 to one cutting unit, and cuts for cutting steps ST4 and ST4-3 to the other cutting unit. The surface protection tape thinning steps ST3 and ST3-2 and the cutting steps ST4 and ST4-3 may be performed using a cutting apparatus including two cutting units to which the blades 21 are attached.

変形例２に係る加工方法は、実施形態１等と同様に、切削ステップＳＴ４，ＳＴ４−３において、ウェーハ２００の外周側からウェーハ２００の中心に向かって切削ブレード２１を移動させて段差部３００を段階的に形成する。その結果、変形例２に係る加工方法は、実施形態１等と同様に、切削ブレード２１が切削中に外周方向に逃げようとする切削された表面保護テープ２１０の屑を抑えることとなり、表面保護テープ２１０の領域２１１を切削除去することができるとともに、領域２１１から除去された表面保護テープ２１０からなる糸状のテープ屑の発生を抑制することができる。   In the processing method according to Modification 2, as in Embodiment 1 and the like, in the cutting steps ST4 and ST4-3, the cutting blade 21 is moved from the outer peripheral side of the wafer 200 toward the center of the wafer 200 so that the stepped portion 300 is formed. Form in stages. As a result, the processing method according to the modified example 2 suppresses the scraps of the cut surface protection tape 210 that the cutting blade 21 tries to escape in the outer circumferential direction during cutting, as in the first embodiment and the like. The region 211 of the tape 210 can be removed by cutting, and generation of thread-like tape scraps made of the surface protection tape 210 removed from the region 211 can be suppressed.

次に、本発明の発明者らは、実施形態１、実施形態２、実施形態３及び変形例１の加工方法の効果と、これらの加工方法内の優位性を確認した。結果を以下の表１から表３に示す。   Next, the inventors of the present invention confirmed the effects of the processing methods of Embodiment 1, Embodiment 2, Embodiment 3, and Modification 1 and the superiority in these processing methods. The results are shown in Tables 1 to 3 below.

Figure 2019021884
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Figure 2019021884
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Figure 2019021884
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表１は、段差部３００を外周側から中心に向かって段階的に形成せずに一度の切削で表面保護テープの領域毎切削除去して、段差部３００を形成した比較例と、実施形態１の加工方法で段差部３００を形成した本発明品１と、実施形態２の加工方法で段差部３００を形成した本発明品２と、実施形態３の加工方法で段差部３００を形成した本発明品３と、変形例１の加工方法で段差部３００を形成した本発明品４とのそれぞれの糸状のテープ屑の発生状況を確認した結果である。   Table 1 shows a comparative example in which the stepped portion 300 is formed by cutting and removing each region of the surface protection tape by one-time cutting without forming the stepped portion 300 stepwise from the outer peripheral side toward the center. The present invention 1 in which the step portion 300 is formed by the processing method of the present invention, the present invention product 2 in which the step portion 300 is formed by the processing method of the second embodiment, and the present invention in which the step portion 300 is formed by the processing method of the third embodiment. It is the result of having confirmed the generation | occurrence | production condition of each thread-like tape waste of the product 3 and this invention product 4 which formed the level | step-difference part 300 with the processing method of the modification 1.

表２は、本発明品１と本発明品２と本発明品３と本発明品４とのそれぞれの表面保護テープ２１０とウェーハ２００の表面２０１との界面のクラックの発生状況を確認した結果である。   Table 2 shows the results of confirming the occurrence of cracks at the interface between the surface protective tape 210 and the surface 201 of the wafer 200 of each of the inventive product 1, the inventive product 2, the inventive product 3 and the inventive product 4. is there.

表３は、保持テーブル１０を１回転させる間に表面保護テープ２１０の領域２１１を８０μｍ薄化した比較例２と、本発明品１と、本発明品２とのそれぞれの表面保護テープ２１０の基材層を構成する合成樹脂からなるひげ状のバリの発生状況を確認した結果である。   Table 3 shows the basis of each surface protection tape 210 of Comparative Example 2 in which the region 211 of the surface protection tape 210 was thinned by 80 μm while the holding table 10 was rotated once, the product 1 of the present invention, and the product 2 of the present invention. It is the result of having confirmed the generation | occurrence | production situation of the whisker-like burr which consists of synthetic resins which comprise a material layer.

表１によれば、比較例では、糸状のテープ屑が発生したが、本発明品１、本発明品２、本発明品３及び本発明品４では、糸状のテープ屑が発生しなかった。したがって、表１によれば、切削ステップＳＴ４において、段差部３００をウェーハ２００の外周側から中心に向かって段階的に形成することにより、糸状のテープ屑の発生を抑制できることが明らかとなった。   According to Table 1, in the comparative example, thread-like tape waste was generated, but in the inventive product 1, the inventive product 2, the inventive product 3 and the inventive product 4, no thread-like tape waste was generated. Therefore, according to Table 1, it became clear that generation of thread-like tape scraps can be suppressed by forming the stepped portion 300 stepwise from the outer peripheral side of the wafer 200 toward the center in the cutting step ST4.

表２によれば、本発明品４では、クラックが発生したが、本発明品１、本発明品２及び本発明品３では、クラックが発生しなかった。したがって、表２によれば、切削ステップＳＴ４を実施する前に表面保護テープ薄化ステップＳＴ３を実施することで、表面保護テープ２１０とウェーハ２００の表面２０１との界面のクラックの発生を抑制できることが明らかとなった。   According to Table 2, cracks occurred in the product 4 of the present invention, but no cracks occurred in the products 1, 2, and 3 of the present invention. Therefore, according to Table 2, it is possible to suppress the occurrence of cracks at the interface between the surface protective tape 210 and the surface 201 of the wafer 200 by performing the surface protective tape thinning step ST3 before performing the cutting step ST4. It became clear.

表３によれば、比較例２では、表面保護テープ２１０の基材層を構成する合成樹脂からなるひげ状のバリが発生したが、本発明品１及び本発明品２では、ひげ状のバリが発生しなかった。したがって、表３によれば、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３において、保持テーブル１０を回転させつつ切削ユニット２０を所定の切り込み送り速度で切り込み送りして、表面保護テープ２１０の領域２１１を薄化することで、表面保護テープ２１０の基材層を構成する合成樹脂からなるひげ状のバリの発生を抑制できることが明らかとなった。また、表３によれば、表面保護テープ薄化ステップＳＴ３−２において、複数回の切削により段階的に表面保護テープ２１０の領域２１１を薄化することで、表面保護テープ２１０の基材層を構成する合成樹脂からなるひげ状のバリの発生を抑制できることが明らかとなった。   According to Table 3, whisker-like burrs made of a synthetic resin constituting the base material layer of the surface protection tape 210 were generated in Comparative Example 2, but in the products 1 and 2 of the present invention, whisker-shaped burrs were formed. Did not occur. Therefore, according to Table 3, in the surface protection tape thinning step ST3, the cutting unit 20 is cut and fed at a predetermined cutting feed speed while rotating the holding table 10 to thin the region 211 of the surface protection tape 210. Thus, it has been clarified that generation of whisker-like burrs made of a synthetic resin constituting the base material layer of the surface protection tape 210 can be suppressed. Moreover, according to Table 3, in surface protection tape thinning step ST3-2, the base material layer of the surface protection tape 210 is made thin by gradually thinning the region 211 of the surface protection tape 210 by a plurality of times of cutting. It has been clarified that generation of whisker-like burrs made of a synthetic resin can be suppressed.

なお、前述した実施形態１から実施形態３、変形例１及び変形例２に係るウェーハの加工方法によれば、以下の切削装置が得られる。
（付記１）
ウェーハに切削加工を施す切削装置であって、
表面に表面保護テープが貼着されたウェーハを、該表面保護テープを上面にして保持する保持テーブルと、
切削ブレードで該ウェーハの外周縁を該表面保護テープとともに切削して所定の深さと所定の幅の段差部を形成する切削ユニットと、
各構成要素を制御する制御ユニットと、を備え、
該制御ユニットは、該切削ユニットに該ウェーハの外周側から中心に向かって段階的に該段差部を形成させることを特徴とする切削装置。 In addition, according to the wafer processing method according to the first to third embodiments, the first modification, and the second modification described above, the following cutting apparatus is obtained.
(Appendix 1)
A cutting device for cutting a wafer,
A holding table for holding a wafer having a surface protective tape attached to the surface, with the surface protective tape as an upper surface;
A cutting unit that cuts the outer peripheral edge of the wafer together with the surface protection tape with a cutting blade to form a step portion having a predetermined depth and a predetermined width;
A control unit for controlling each component,
The control unit causes the cutting unit to form the stepped portion stepwise from the outer peripheral side to the center of the wafer.

上記切削装置は、実施形態１等に係る加工方法と同様に、切削ステップにおいて、ウェーハの外周側からウェーハの中心に向かって切削ブレードを移動させてエッジトリミング加工を施して段差部を段階的に形成する。このために、切削装置は、切削ブレードが切削中に外周方向に逃げようとする切削された表面保護テープの屑を抑えることとなり、切削された表面保護テープの屑がウェーハの外周側に逃げることを抑制することができる。その結果、切削装置は、表面保護テープの領域を切削除去することができるとともに、領域から除去された表面保護テープからなる糸状のテープ屑の発生を抑制することができる。   As in the processing method according to Embodiment 1 and the like, the cutting device performs edge trimming by moving the cutting blade from the outer peripheral side of the wafer toward the center of the wafer in the cutting step to step the stepped portion. Form. For this reason, the cutting device suppresses the scraped surface protection tape waste that the cutting blade tries to escape in the outer peripheral direction during cutting, and the cut surface protective tape waste escapes to the outer peripheral side of the wafer. Can be suppressed. As a result, the cutting device can cut and remove the area of the surface protection tape, and can suppress the generation of thread-like tape scraps made of the surface protection tape removed from the area.

なお、本発明は、上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment and modification. That is, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

１０ 保持テーブル
２１ 切削ブレード
２００ ウェーハ
２０１ 表面
２０４ 裏面
２０５ 外周縁
２１０ 表面保護テープ
２１１ 領域
３００ 段差部
３０１ 溝底
３０２ 所定の深さ
３０３ 所定の幅
ＳＴ１ 表面保護テープ貼着ステップ
ＳＴ２ 保持ステップ
ＳＴ３ 表面保護テープ薄化ステップ
ＳＴ４ 切削ステップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Holding table 21 Cutting blade 200 Wafer 201 Front surface 204 Back surface 205 Outer periphery 210 Surface protective tape 211 Area 300 Step part 301 Groove bottom 302 Predetermined depth 303 Predetermined width ST1 Surface protective tape sticking step ST2 Holding step ST3 Surface protective tape Thinning step ST4 Cutting step

Claims (5)

表面から裏面に至る円弧を外周縁に有したウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面に表面保護テープを貼着する表面保護テープ貼着ステップと、
該表面保護テープが貼着されたウェーハの裏面側を保持テーブルで保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、切削ブレードでウェーハの外周縁を該表面保護テープとともに切削して所定の深さと所定の幅の段差部を形成する切削ステップと、を備え、
該切削ステップで該段差部はウェーハの外周側から中心に向かって段階的に形成される、ウェーハの加工方法。 A method of processing a wafer having an arc extending from the front surface to the back surface at the outer periphery,
A surface protection tape attaching step for attaching a surface protection tape to the surface of the wafer;
A holding step of holding the back side of the wafer to which the surface protective tape is attached with a holding table;
After performing the holding step, the cutting step of cutting the outer peripheral edge of the wafer together with the surface protection tape with a cutting blade to form a step portion having a predetermined depth and a predetermined width,
The wafer processing method, wherein the step is formed stepwise from the outer peripheral side of the wafer toward the center in the cutting step. 該保持ステップを実施した後、該切削ステップを実施する前に、
該切削ステップで形成する該段差部に対応した領域において該切削ブレードで該表面保護テープのみを切削して薄化する表面保護テープ薄化ステップを更に備えた、請求項１に記載のウェーハの加工方法。 After performing the holding step and before performing the cutting step,
The wafer processing according to claim 1, further comprising a surface protection tape thinning step in which only the surface protection tape is cut with the cutting blade in a region corresponding to the stepped portion formed in the cutting step. Method. 該切削ステップでは、該保持テーブルを回転させつつ該切削ブレードを所定の速度でウェーハの中心側へ移動させる、請求項１に記載のウェーハの加工方法。   The wafer processing method according to claim 1, wherein in the cutting step, the cutting blade is moved toward the center of the wafer at a predetermined speed while rotating the holding table. 該表面保護テープ薄化ステップでは、該保持テーブルを回転させつつ該切削ブレードを所定の速度で下降させる、請求項２に記載のウェーハの加工方法。   The wafer processing method according to claim 2, wherein in the surface protection tape thinning step, the cutting blade is lowered at a predetermined speed while rotating the holding table. 該切削ブレードの厚みの値は、該切削ステップで形成される該段差部の溝底の幅の値以上である、請求項１に記載のウェーハの加工方法。   The wafer processing method according to claim 1, wherein a value of the thickness of the cutting blade is equal to or greater than a value of a width of a groove bottom of the stepped portion formed in the cutting step.
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